JPH07309850A - 光学活性化合物、それを含有する液晶組成物、それを有する液晶素子及びそれらを用いた表示方法、表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 強誘電性液晶に大きな自発分極の付与性、高
速応答性、応答速度の温度依存性の軽減、高コントラス
トを付与する光学活性化合物を提供し、これを用いて強
誘電性液晶素子を構成する。 【構成】 下記式で示されるオキサゾリジノン環を含む
特定構造を有する光学活性化合物。尚、＊は光学活性で
あることを示す。かかる光学活性化合物を用いて強誘電
性液晶素子を構成する。 【化１】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、新規な光学活性化合
物、それを含有する液晶組成物及びそれを使用した液晶
素子並びに表示装置に関し、更に詳しくは電界に対する
応答特性が改善された新規な液晶組成物、及びそれを使
用した液晶表示素子や液晶−光シャッター等に利用され
る液晶素子並びに該液晶素子を表示に使用した表示装置
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、液晶は電気光学素子として種
々の分野で応用されている。現在実用化されている液晶
素子はほとんどが、例えばエム・シャット（Ｍ．Ｓｃｈ
ａｄｔ）とダブリュ ヘルフリッヒ（Ｗ．Ｈｅｌｆｒｉ
ｃｈ）著“アプライド フィジックス レターズ”
（“Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ
ｓ”）Ｖｏｌ．１８，Ｎｏ．４（１９７１．２．１５）
Ｐ．１２７〜１２８の“Ｖｏｌｔａｇｅ Ｄｅｐｅｎｄ
ｅｎｔ Ｏｐｔｉｃａｌ Ａｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ａ
Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒ
ｙｓｔａｌ”に示されたＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍ
ａｔｉｃ）型の液晶を用いたものである。これらは、液
晶の誘電的配列効果に基づいており、液晶分子の誘電異
方性のために平均分子軸方向が加えられた電場により特
定の方向に向く効果を利用している。これらの素子の光
学的な応答速度の限界はミリ秒であるといわれ、多くの
応用のためには遅すぎる。一方、大型平面ディスプレイ
への応用では、価格、生産性などを考え合わせると単純
マトリクス方式による駆動が最も有力である。単純マト
リクス方式においては、走査電極群と信号電極群をマト
リクス状に構成した電極構成が採用され、その駆動のた
めには、走査電極群に順次周期的にアドレス信号を選択
印加し、信号電極群には所定の情報信号をアドレス信号
と同期させて並列的に選択印加する時分割駆動方式が採
用されている。

【０００３】しかし、この様な駆動方式の素子に前述し
たＴＮ型の液晶を採用すると、走査電極が選択され信号
電極が選択されていない領域、あるいは走査電極が選択
されず、信号電極が選択される領域（所謂“半選択
点”）にも有限に電界がかかってしまう。選択点にかか
る電圧と、半選択点にかかる電圧の差が十分に大きく、
液晶分子を電界に垂直に配列させるのに要する電圧閾値
がこの中間の電圧値に設定されるならば、表示素子は正
常に動作するわけであるが、走査線数（Ｎ）を増加して
いった場合、画面全体（１フレーム）を走査する間に一
つの選択点に有効な電界がかかっている時間（ｄｕｔｙ
比）が１／Ｎの割合で減少してしまう。このために、繰
り返し走査を行った場合の選択点と非選択点にかかる実
効値としての電圧差は、走査線数が増えれば増える程小
さくなり、結果的には画像コントラストの低下やクロス
トークが避け難い欠点となっている。

【０００４】この様な現象は、双安定性を有さない液晶
（電極面に対し、液晶分子が水平に配向しているのが安
定状態であり、電界が有効に印加されている間のみ垂直
に配向する）を時間的蓄積効果を利用して駆動する（即
ち、繰り返し走査する）時に生ずる本質的には避け難い
問題点である。

【０００５】この点を改良するために、電圧平均化法、
２周波駆動法、多重マトリクス法等が既に提案されてい
るが、いずれの方法でも不十分であり、表示素子の大画
面化や高密度化は、走査線数が十分に増やせないことに
よって頭打ちになっているのが現状である。

【０００６】この様な従来型の液晶素子の欠点を改善す
るものとして、双安定性を有する液晶素子の使用がクラ
ーク（Ｃｌａｒｋ）及びラガウェル（Ｌａｇｅｒｗａｌ
ｌ）により提案されている（特開昭５６−１０７２１６
号公報、米国特許第４３６７９２４号明細書等）。

【０００７】双安定性液晶としては、一般にカイラルス
メクチックＣ相（Ｓ ^* _C相）又はＨ相（Ｓ ^* _H相）を有す
る強誘電性液晶が用いられる。この強誘電性液晶は電界
に対して第１の光学的安定状態と第２の光学的安定状態
からなる双安定状態を有し、従って前述のＴＮ型の液晶
で用いられた光学変調素子とは異なり、例えば、一方の
電界ベクトルに対して第１の光学的安定状態に液晶が配
向し、他方の電界ベクトルに対しては第２の光学的安定
状態に液晶が配向されている。また、この型の液晶は、
加えられる電界に応答して、上記２つの安定状態のいず
れかを取り、かつ電界の印加のないときはその状態を維
持する性質（双安定性）を有する。

【０００８】以上の様な双安定性を有する特徴に加え
て、強誘電性液晶は高速応答性であるという優れた特徴
を持つ。それは強誘電性液晶の持つ自発分極と印加電場
が直接作用して配向状態の転移を誘起するためであり、
誘電率異方性と電場の作用による応答速度より３〜４オ
ーダー速い。

【０００９】この様に強誘電性液晶は極めて優れた特性
を潜在的に有しており、この様な性質を利用することに
より、上述した従来のＴＮ型素子の問題点の多くに対し
て、かなり本質的な改善が得られる。特に、高速光学光
シャッターや、高密度・大画面ディスプレイへの応用が
期待される。このため強誘電性を持つ液晶材料に関して
は広く研究がなされているが、現在までに開発された強
誘電性液晶材料は低温作動性、高速応答性、コントラス
ト等を含めて液晶素子に用いる十分な特性を備えている
とはいい難い。

【００１０】応答時間τと自発分極の大きさＰｓ及び粘
度ηの間には、下記の式［１］

【００１１】

【数１】 の関係が存在する。従って、応答速度を速くするには、 （ア）自発分極の大きさＰｓを大きくする （イ）粘度ηを小さくする （ウ）印加電界Ｅを大きくする 方法がある。しかし、印加電界はＩＣ等で駆動するため
上限があり、できるだけ低いほうが望ましい。よって、
実際には粘度ηを小さくするか、自発分極の大きさＰｓ
の値を大きくする必要がある。一般的に自発分極の大き
い強誘電性カイラルスメクチック液晶化合物において
は、自発分極のもたらすセルの内部電界も大きく、双安
定状態をとり得る素子構成への制約が多くなる傾向にあ
る。また、いたずらに自発分極を大きくしても、それに
つれて粘度も大きくなる傾向にあり、結果的には応答速
度はあまり速くならないことが考えられる。

【００１２】また、実際のディスプレイとしての使用温
度範囲が例えば５〜４０℃程度とした場合、応答速度の
変化が一般に２０倍程度もあり、駆動電圧及び周波数に
よる調節の限界を越えているのが現状である。

【００１３】また、一般に液晶の屈折率を利用した液晶
素子の場合、直交ニコル下における透過率は、下記
［２］式で表される。

【００１４】

【数２】

【００１５】［２］式中、Ｉ₀は入射光強度、Ｉは透過
光強度、θ_aは以下で定義される見かけのチルト角、Δ
ｎは屈折率異方性、ｄは液晶層の膜厚、そして、λは入
射光の波長である。前述の非ら旋構造における見かけの
チルト角θ_aは、第１と第２の配向状態でのねじれ配列
した液晶分子の平均分子軸方向の角度として現われるこ
とになる。［２］式によれば、見かけのチルト角θ_aが
２２．５°の角度の時最大の透過率となり、双安定性を
実現する非ら旋構造での見かけのチルト角θ_aは２２．
５°にできる限り近いことが必要である。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
クラークとラガウェルによって発表された双安定性を示
す非ら旋構造の強誘電性液晶に対して適用した場合に
は、下述のごとき問題点を有し、コントラスト低下の原
因となっている。

【００１７】第１に、従来のラビング処理したポリイミ
ド膜によって配向させて得られた非ら旋構造の強誘電性
液晶での見かけのチルト角θ_a（２つの安定状態の分子
軸のなす角度の１／２）が強誘電性液晶でのチルト角
（後述の図４に示す三角錐の頂角の１／２の角度θ）と
比べて小さくなっているために透過率が低い。第２に電
界を印加しないスタチック状態におけるコントラストは
高くても、電圧を印加して駆動表示を行なった場合に、
マトリックス駆動における非選択期間の微少電界により
液晶分子が揺らぐために黒が淡くなる。

【００１８】以上述べたように、強誘電性液晶素子を実
用化するためには高速応答性を有し、応答速度の温度依
存性が小さく、且つコントラストの高いカイラルスメク
チック相を示す液晶組成物が要求される。更に、ディス
プレイの均一なスイッチング、良好な視角特性、低温保
存性、駆動ＩＣへの負荷の軽減等のために液晶組成物の
自発分極、カイラルスメクチックＣピッチ、コレステリ
ックピッチ、液晶相をとる温度範囲、光学異方性、チル
ト角、誘電異方性などを適正化する必要がある。

【００１９】本発明の目的は、強誘電性液晶素子を実用
できるようにする為に、大きな自発分極の付与性、高速
応答性、応答速度の温度依存性の軽減、高コントラスト
に効果的な光学活性化合物、これを含む液晶組成物、特
に強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物、及び該液
晶組成物を使用する液晶素子、表示装置を提供すること
にある。

【００２０】

【課題を解決するための手段】本発明は下記一般式
（Ｉ）

【００２１】

【化３】

【００２２】［式中、Ｒ₁，Ｒ₂はＨ，ハロゲン，ＣＮま
たは炭素原子数１〜３０の直鎖状あるいは分岐状あるい
は環状のアルキル基であり、該アルキル基中の１つもし
くは隣接しない２つ以上のＣＨ₂基は−Ｏ−，−Ｓ−，
−ＣＯ−，−ＣＯＯ−，−ＯＣＯ−，−ＣＨ＝ＣＨ−，
−Ｃ≡Ｃ−によって置き換えられていてもよく、該アル
キル基中の水素原子はフッ素原子に交換されていてもよ
い。Ａ₂は１，４−フェニレン，１個または２個のＦ，
Ｃｌ，Ｂｒ，ＣＨ₃，ＣＦ₃またはＣＮで置換されている
１，４−フェニレン，ピリミジン−２，５−ジイル，ピ
リジン−２，５−ジイル，チオフェン−２，５−ジイ
ル，２，６−ナフチレン，チアゾール−２，５−ジイ
ル，チアジアゾール−２，５−ジイル，ピラジン−２，
５−ジイル，ピリダジン−３，６−ジイル，ベンゾチア
ゾール−２，５−ジイル，ベンゾチアゾール−２，６−
ジイル，ベンゾオキサゾール−２，５−ジイル，ベンゾ
オキサゾール−２，６−ジイル，ベンゾフラン−２，５
−ジイル，ベンゾフラン−２，６−ジイル，キノキサリ
ン−２，６−ジイル，キノリン−２，６−ジイル，イン
ダン−２，５−ジイル，２−アルキルインダン−２，５
−ジイル（アルキル基は炭素原子数１〜１８の直鎖状ま
たは分岐状のアルキル基である），インダノン−２，６
−ジイル，２−アルキルインダノン−２，６−ジイル
（アルキル基は炭素原子数１〜１８の直鎖状または分岐
状のアルキル基である），クマラン−２，５−ジイル，
２−アルキルクマラン−２，５−ジイル（アルキル基は
炭素原子数１〜１８の直鎖状または分岐状のアルキル基
である）を示す。Ａ₁はＡ₂，１，４−シクロヘキシレ
ン，１，３−ジオキサン−２，５−ジイルまたは１，３
−ジチアン−２，５−ジイルを示す。＊は光学活性であ
ることを示す。］で表わされる光学活性化合物、該光学
活性化合物の少なくとも１種を含有する液晶組成物、及
び該液晶組成物を１対の電極基板間に配置してなる液晶
素子並びにそれらを用いた表示方法及び表示装置を提供
するものである。

【００２３】前記一般式（Ｉ）で表わされる光学活性化
合物のうちで液晶相の温度幅，混和性，粘性，配向性等
の観点から好ましい化合物として（Ｉａ）〜（Ｉｃ）が
挙げられる。

【００２４】（Ｉａ） Ａ₁が１，４−フェニレンある
いは１個または２個のＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，ＣＨ₃，ＣＦ₃ま
たはＣＮで置換されている１，４−フェニレン，ピリミ
ジン−２，５−ジイル，ピリジン−２，５−ジイル，チ
オフェン−２，５−ジイル，チアゾール−２，５−ジイ
ル，チアジアゾール−２，５−ジイル，ピラジン−２，
５−ジイル，ピリダジン−３，６−ジイル，インダン−
２，５−ジイル，クマラン−２，５−ジイル，１，４−
シクロヘキシレン，１，３−ジオキサン−２，５−ジイ
ルまたは１，３−ジチアン−２，５−ジイルであり、Ａ
₂が１，４−フェニレンあるいは１個あるいは２個の
Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，ＣＨ₃，ＣＦ₃またはＣＮで置換されて
いる１，４−フェニレンから選ばれる光学活性化合物。

【００２５】（Ｉｂ）Ａ₁が１，４−フェニレンあるい
は１個または２個のＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，ＣＨ₃，ＣＦ₃また
はＣＮで置換されている１，４−フェニレン，ピリミジ
ン−２，５−ジイル，ピリジン−２，５−ジイル，チオ
フェン−２，５−ジイル，チアゾール−２，５−ジイ
ル，チアジアゾール−２，５−ジイル，ピラジン−２，
５−ジイル，ピリダジン−３，６−ジイル，インダン−
２，５−ジイル，クマラン−２，５−ジイル，１，４−
シクロヘキシレン，１，３−ジオキサン−２，５−ジイ
ル，１，３−ジチアン−２，５−ジイルであり、Ａ₂が
ピリミジン−２，５−ジイル，ピリジン−２，５−ジイ
ル，チオフェン−２，５−ジイル，チアゾール−２，５
−ジイル，チアジアゾール−２，５−ジイル，ピラジン
−２，５−ジイル，ピリダジン−３，６−ジイルから選
ばれる光学活性化合物。

【００２６】（Ｉｃ）Ａ₁が１，４−フェニレンあるい
は１個または２個のＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，ＣＨ₃，ＣＦ₃また
はＣＮで置換されている１，４−フェニレン，ピリミジ
ン−２，５−ジイル，ピリジン−２，５−ジイル，チオ
フェン−２，５−ジイル，チアゾール−２，５−ジイ
ル，チアジアゾール−２，５−ジイル，ピラジン−２，
５−ジイル，ピリダジン−３，６−ジイル，インダン−
２，５−ジイル，クマラン−２，５−ジイル，１，４−
シクロヘキシレン，１，３−ジオキサン−２，５−ジイ
ルまたは１，３−ジチアン−２，５−ジイルであり、Ａ
₂が２，６−ナフチレン，ベンゾチアゾール−２，５−
ジイル，ベンゾチアゾール−２，６−ジイル，ベンゾオ
キサゾール−２，５−ジイル，ベンゾオキサゾール−
２，６−ジイル，キノキサリン−２，６−ジイル，キノ
リン−２，６−ジイル，インダン−２，５−ジイル，２
−アルキルインダン−２，５−ジイル，クマラン−２，
５−ジイル，２−アルキルクマラン−２，５−ジイルか
ら選ばれる光学活性化合物。

【００２７】さらに好ましい化合物として（Ｉａａ）〜
（Ｉｃｂ）が挙げられる。

【００２８】（Ｉａａ） Ａ₁が１，４−フェニレンあ
るいは１個または２個のＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，ＣＨ₃，ＣＦ₃
またはＣＮで置換している１，４−フェニレンであり、
Ａ₂が１，４−フェニレンあるいは１個または２個の
Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，ＣＨ₃，ＣＦ₃またはＣＮで置換してい
る１，４−フェニレンである光学活性化合物。

【００２９】（Ｉａｂ）Ａ₁がピリミジン−２，５−ジ
イル，ピリジン−２，５−ジイル，１，４−シクロヘキ
シレンまたは１，３−ジオキサン−２，５−ジイルであ
り、Ａ₂が１，４−フェニレンあるいは１個または２個
のＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，ＣＨ₃，ＣＦ₃またはＣＮで置換して
いる１，４−フェニレンである光学活性化合物。

【００３０】（Ｉｂａ）Ａ₁が１，４−フェニレンある
いは１個または２個のＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，ＣＨ₃，ＣＦ₃ま
たはＣＮで置換されている１，４−フェニレンであり、
Ａ₂がピリミジン−２，５−ジイル，ピリジン−２，５
−ジイル，チアゾール−２，５−ジイル，ピラジン−
２，５−ジイルまたはピリダジン−３，６−ジイルであ
る光学活性化合物。

【００３１】（Ｉｂｂ）Ａ₁がピリミジン−２，５−ジ
イル，ピリジン−２，５−ジイル，インダン−２，５−
ジイル，クマラン−２，５−ジイル，ピラジン−２，５
−ジイル，１，４−シクロヘキシレンまたはピリダジン
−３，６−ジイルであり、Ａ₂がピリミジン−２，５−
ジイル，ピリジン−２，５−ジイル，ピラジン−２，５
−ジイルまたはピリダジン−２，５−ジイルである光学
活性化合物。

【００３２】（Ｉｃａ） Ａ₁が１，４−フェニレンあ
るいは１個または２個のＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，ＣＨ₃，ＣＦ₃
またはＣＮで置換されている１，４−フェニレンであ
り、Ａ₂が２，６−ナフチレン，ベンゾチアゾール−
２，５−ジイル，ベンゾチアゾール−２，６−ジイル，
ベンゾオキサゾール−２，５−ジイル，ベンゾオキサゾ
ール−２，６−ジイル，キノキサリン−２，６−ジイル
またはキノリン−２，６−ジイルである光学活性化合
物。

【００３３】（Ｉｃｂ）Ａ₁がピリミジン−２，５−ジ
イル，ピリジン−２，５−ジイル，１，４−シクロヘキ
シレン，ピラジン−２，５−ジイルまたはピリダジン−
３，６−ジイルであり、Ａ₂は２，６−ナフチレン，ベ
ンゾチアゾール−２，５−ジイル，ベンゾチアゾール−
２，６−ジイル，ベンゾオキサゾール−２，５−ジイ
ル，ベンゾオキサゾール−２，６−ジイル，キノキサリ
ン−２，６−ジイルまたはキノリン−２，６−ジイルで
ある光学活性化合物。

【００３４】前記一般式（Ｉ）で表わされる光学活性化
合物に１個又は２個の置換基を有する１，４−フェニレ
ンが存在する場合、好ましい置換基はＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，
ＣＦ₃であり、より好ましくはＦである。

【００３５】Ｒ₁、Ｒ₂は好ましくは下記の（ｉ）〜（ｘ
ｖｉ）から選ばれる。

【００３６】

【化４】

【００３７】（ａは１から１６の整数、ｄ、ｇ、ｉは０
から７の整数、ｂ、ｅ、ｈ、ｊ、ｋは１から１０の整
数、ｆ、ｗは０又は１、ｍ、ｎ、ｑ、ｒ、ｓ、ｔは０か
ら１０の整数。但し、ｂ＋ｄ≦１６、ｅ＋ｆ＋ｇ≦１
６、ｈ＋ｉ≦１６の条件を満たす。ＥはＣＨ₃またはＣ
Ｆ₃を示す。Ｙ₁は単結合、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣ
Ｏ−を示し、Ｙ₂は−ＣＯＯ−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＣＨ₂
ＣＨ₂Ｏ−、−ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ−、−ＣＨ₂ＣＨ₂−を
示す。Ｙ₃は単結合、−ＣＯＯ−，−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣ
Ｏ−、−ＯＣＨ₂−を示す。光学活性であってもよ
い。）

【００３８】次に前記一般式（Ｉ）で示される光学活性
化合物の合成法の一例を示す。

【００３９】

【化５】

【００４０】（Ｒ₃，Ｒ₄はオキサゾリジノン環の合成条
件で安定であり、Ｒ₁，Ｒ₂に変換可能な基。Ａ₁，Ａ₂は
前記定義の通りである）

【００４１】次に一般式（Ｉ）で示される光学活性化合
物の具体的な構造式を示す。以後、本発明で用いられる
略記は以下の基を示す。

【００４２】

【化６】

【００４３】

【化７】

【００４４】

【表１】

【００４５】

【表２】

【００４６】

【表３】

【００４７】

【表４】

【００４８】

【表５】

【００４９】

【表６】

【００５０】

【表７】

【００５１】本発明の液晶組成物は前記一般式（Ｉ）で
示される光学活性化合物の少なくとも一種と他の液晶性
化合物１種以上とを適当な割合で混合することにより得
ることができる。併用する他の液晶性化合物の数は１〜
５０、好ましくは１〜３０、より好ましくは３〜３０の
範囲である。

【００５２】また、本発明による液晶組成物は強誘電性
液晶組成物、特に強誘電性カイラルスメクチック液晶組
成物が好ましい。

【００５３】本発明で用いる他の液晶性化合物として
は、特開平４−２７２９８９（２３）〜（３９）ページ
記載の化合物（ＩＩＩ）〜（ＸＩＩ）、好ましい化合物
（ＩＩＩａ）〜（ＸＩＩｄ）、更に好ましい化合物（Ｉ
ＩＩａａ）〜（ＸＩＩｄｂ）が挙げられる。また、化合
物（ＩＩＩ）〜（ＶＩ）、好ましい化合物（ＩＩＩａ）
〜（ＶＩｆ）、更に好ましい化合物（ＩＩＩａａ）〜
（ＶＩｆａ）におけるＲ’₁、Ｒ’₂の少なくとも一方
が、また化合物（ＶＩＩ）、（ＶＩＩＩ）、好ましい化
合物（ＶＩＩａ）〜（ＶＩＩＩｂ）、更に好ましい化合
物（ＶＩＩＩｂａ）、（ＶＩＩＩｂｂ）における
Ｒ’₃、Ｒ’₄の少なくとも一方、および化合物（ＩＸ）
〜（ＸＩＩ）、好ましい化合物（ＩＸａ）〜（ＸＩＩ
ｄ）、更に好ましい化合物（ＩＸｂａ）、（ＸＩＩｄ
ｂ）におけるＲ’₅、Ｒ’₆の少なくとも一方が−（ＣＨ
₂）_EＣ_GＦ_2G+1（Ｅ：０〜１０、Ｇ：１〜１５ 整数）
である化合物も同様に用いることができる。更に、次の
一般式（ＸＩＩＩ）〜（ＸＶＩＩＩ）で示される液晶性
化合物も用いることができる。

【００５４】

【化８】

【００５５】ここでＲ’₇、Ｒ’₈は水素原子又は炭素数
１〜１８の直鎖状又は分岐状のアルキル基であり、該ア
ルキル基中のＸ’₆、Ｘ’₉と直接結合する−ＣＨ₂−基
を除く１つ、もしくは隣接しない２つ以上の−ＣＨ₂−
基は−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ
Ｈ（ＣＮ）−、−Ｃ（ＣＮ）（ＣＨ₃）−、に置き換え
られていてもよい。

【００５６】更にＲ’₇、Ｒ’₈は好ましくはｉ）〜ｖｉ
ｉｉ）である。

【００５７】ｉ） 炭素数１〜１５の直鎖アルキル基

【００５８】

【化９】

【００５９】Ｎ、Ｑ、Ｒ、Ｔ：０または１ Ｙ’₇、Ｙ’₈、Ｙ’₉：ＨまたはＦ Ａ’₄：Ｐｈ、Ｎｐ Ｘ’₆、Ｘ’₉：単結合、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｏ
− Ｘ’₇、Ｘ’₈：単結合、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｃ
Ｈ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂− （ＸＩＩＩ）の好ましい化合物として（ＸＩＩＩａ）が
挙げられる。

【００６０】 Ｒ’₇−Ｘ’₆−［Ｐｙ２］−［Ｐｈ］−ＯＣＯ−［Ｔｎ］−Ｒ’₈ （ＸＩＩＩａ） （ＸＶＩ）の好ましい化合物として（ＸＶＩａ），（Ｘ
ＶＩｂ）が挙げられる。

【００６１】 Ｒ’₇−［Ｔｚ１］−［Ｐｈ］−Ｘ’₉−Ｒ’₈ （ＸＶＩａ） Ｒ’₇−［ＰｈＹ’₇］−［Ｔｚ１］−［ＰｈＹ’₈］−Ｘ’₉−Ｒ’₈ （ＸＶＩｂ） （ＸＶＩＩ）の好ましい化合物として（ＸＶＩＩａ），
（ＸＶＩＩｂ）が挙げられる。

【００６２】 Ｒ’₇−［Ｂｏａ２］−［Ｐｈ］−Ｏ−Ｒ’₈ （ＸＶＩＩａ） Ｒ’₇−［Ｂｏａ２］−［Ｎｐ］−Ｏ−Ｒ’₈ （ＸＶＩＩｂ） （ＸＶＩＩＩ）の好ましい化合物として（ＸＶＩＩＩ
ａ）〜（ＸＶＩＩＩｃ）が挙げられる。

【００６３】 Ｒ’₇−［Ｂｔｂ２］−［Ｐｈ］−Ｒ’₈ （ＸＶＩＩＩａ） Ｒ’₇−［Ｂｔｂ２］−［Ｐｈ］−Ｏ−Ｒ’₈ （ＸＶＩＩＩｂ） Ｒ’₇−［Ｂｔｂ２］−［ＮＰ］−Ｏ−Ｒ’₈ （ＸＶＩＩＩｃ） （ＸＶＩａ），（ＸＶＩｂ）の好ましい化合物として
（ＸＶＩａａ）〜（ＸＶＩｂｃ）が挙げられる。

【００６４】 Ｒ’₇−［Ｔｚ１］−［Ｐｈ］−Ｏ−Ｒ’₈ （ＸＶＩａａ） Ｒ’₇−［Ｐｈ］−［Ｔｚ１］−［Ｐｈ］−Ｒ’₈ （ＸＶＩｂａ） Ｒ’₇−［Ｐｈ］−［Ｔｚ１］−［Ｐｈ］−Ｏ−Ｒ’₈ （ＸＶＩｂｂ） Ｒ’₇−［Ｐｈ］−［Ｔｚ１］−［Ｐｈ］−ＯＣＯ−Ｒ’₈ （ＸＶＩｂｃ） Ｐｈ、Ｐｙ２、Ｔｎ、Ｔｚ１、Ｃｙ、Ｂｏａ２、Ｂｔｂ
２の略記は前記定義に準じ、他の略記については以下の
基を示す。

【００６５】

【化１０】

【００６６】本発明の光学活性化合物と、１種以上の上
述の液晶性化合物、あるいは液晶組成物とを混合する場
合、混合して得られた液晶組成物中に占める本発明の光
学活性化合物の割合は使用する化合物の組み合わせに応
じて１重量％〜８０重量％の範囲内とすることが望まし
い。強誘電性液晶素子を実用化するためには、広い温度
領域での液晶性、高速応答性、高コントラスト、均一な
スイッチング等の多くの条件を満足させることが不可欠
である。ところが単一の化合物でこれらをすべて満たす
ことは困難であり、それぞれの面で優れた多種の化合物
を用いて液晶組成物を作成するのが一般的である。この
点において、液晶組成物中に占める本発明の光学活性化
合物の割合は好ましくは１重量％〜６０重量％、更に、
構成する他の液晶性化合物の特徴を生かすことも考慮す
ると１重量％〜４０重量％とすることが特に望ましい。
１重量％未満では、本発明の化合物の効果が小さ過ぎ、
特徴が生かされない可能性がある。また、本発明の光学
活性化合物を２種以上用いる場合は、混合して得られた
液晶組成物中に占める本発明の光学活性化合物２種以上
の混合物の割合は１重量％〜８０重量％、上記のように
多種の化合物からなる液晶組成物を作成する点におい
て、好ましくは１重量％〜６０重量％、更に構成する他
の液晶性化合物の特徴を生かすことも考慮すると１重量
％〜４０重量％であることが望ましい。

【００６７】更に本発明による強誘電性液晶素子におけ
る強誘電性液晶層は、先に示したようにして調製した本
発明の光学活性化合物を含有する液晶組成物を真空中、
等方性液体温度まで加熱し、素子セル中に封入し、徐々
に冷却して液晶層を形成させ常圧に戻すことによって得
ることが好ましい。

【００６８】図１は強誘電性液晶素子の構成の説明のた
めに、本発明の強誘電性液晶層を有する液晶素子の一例
を示す断面概略図である。図１において符号１は強誘電
性液晶層、２はガラス基板、３は透明電極、４は絶縁性
配向制御層、５はスペーサー、６はリード線、７は電
源、８は偏光板、９は光源を示している。

【００６９】２枚のガラス基板２には、それぞれＩｎ₂
Ｏ₃、ＳｎＯ₂あるいはＩＴＯ（インジウム チン オキ
サイド；Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の薄膜
からなる透明電極３が被覆されている。その上にポリイ
ミドの様な高分子の薄膜をガーゼやアセテート植毛布等
でラビングして、液晶をラビング方向に並べる絶縁性配
向制御層４が形成されている。また絶縁物質として、例
えばシリコン窒化物、水素を含有するシリコン炭化物、
シリコン酸化物、ホウ素窒化物、水素を含有するホウ素
窒化物、セリウム酸化物、アルミニウム酸化物、ジルコ
ニウム酸化物、チタン酸化物、フッ化マグネシウム等の
無機物質絶縁層を形成し、その上にポリビニルアルコー
ル、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミ
ド、ポリパラキシレン、ポリエステル、ポリカーボネー
ト、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸
ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、
メラミン樹脂、ユリヤ樹脂、アクリル樹脂やフォトレジ
スト樹脂等の有機絶縁物質を配向制御層として、２層で
絶縁性配向制御層４が形成されていてもよく、また無機
物質絶縁性配向制御層あるいは有機物質絶縁性配向制御
層単層であってもよい。この絶縁性配向制御層が無機系
ならば蒸着法などで形成でき、有機系ならば有機絶縁物
質を溶解させた溶液、又はその前駆体溶液（溶剤に０．
１％〜２０重量％，好ましくは０．２〜１０重量％）を
用いて、スピナー塗布法、浸漬塗布法、スクリーン印刷
法、スプレー塗布法、ロール塗布法等で塗布し、所定の
硬化条件下（例えば加熱下）で硬化させ形成させること
ができる。絶縁性配向制御層４の層厚は通常１０Å〜１
μｍ、好ましくは１０Å〜３０００Å、更に好ましくは
１０Å〜１０００Åが適している。この２枚のガラス基
板２はスペーサー５によって任意の間隔に保たれてい
る。例えば所定の直径を持つシリカビーズ、アルミナビ
ーズをスペーサーとしてガラス基板２枚で挟持し、周囲
をシール剤、例えばエポキシ系接着剤を用いて密封する
方法がある。その他スペーサーとして高分子フィルムや
ガラスファイバーを使用してもよい。この２枚のガラス
基板の間に強誘電性液晶即ち、前述したような本発明の
液晶組成物が封入されている。

【００７０】強誘電性液晶が封入された強誘電性液晶層
１は、一般には０．５〜２０μｍ、好ましくは１〜５μ
ｍである。

【００７１】透明電極３からリード線によって外部の電
源７に接続されている。またガラス基板２の外側には偏
光板８が貼り合わせてある。図１は透過型なので光源９
を備えている。図２は強誘電性液晶素子の動作説明のた
めに、セルの例を模式的に描いたものである。２１ａと
２１ｂはそれぞれＩｎ₂Ｏ₃、ＳｎＯ₂あるいはＩＴＯ
（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の薄膜からな
る透明電極で被膜された基板（ガラス板）であり、その
間に液晶分子層２２がガラス面に垂直になるように配向
したＳ ^* _C相又はＳ ^* _H相の液晶が封入されている。太線
で示した線２３が液晶分子を表わしており、この液晶分
子２３はその分子に直交した方向に双極子モーメント
（Ｐ⊥）２４を有している。基板２１ａと２１ｂ上の電
極間に一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子２
３のら旋構造がほどけ、双極子モーメント（Ｐ⊥）２４
がすべて電界方向に向くよう液晶分子２３は配向方向を
変えることができる。液晶分子２３は細長い形状を有し
ており、その長軸方向と短軸方向で屈折率異方性を示
し、従って例えばガラス面の上下に互いにクロスニコル
の偏光子を置けば、電圧印加極性によって光学特性が変
わる液晶光学変調素子となることは容易に理解される。

【００７２】本発明における光学変調素子で好ましく用
いられる液晶セルは、その厚さを充分に薄く（例えば１
０μｍ以下）することができる。このように液晶層が薄
くなるに従い、図３に示すように電界を印加していない
状態でも液晶分子のら旋構造がほどけ、その双極子モー
メントＰａまたはＰｂは上向き（３４ａ）又は下向き
（３４ｂ）のどちらかの状態をとる。この様なセルに図
３に示す如く一定の閾値以上の極性の異なる電界Ｅａ又
はＥｂを電圧印加手段３１ａと３１ｂにより付与する
と、双極子モーメントは電界Ｅａ又はＥｂの電界ベクト
ルに対応して上向き３４ａ又は下向き３４ｂと向きを変
え、それに応じて液晶分子は第１の安定状態３３ａか或
いは第２の安定状態３３ｂの何れかの一方に配向する。

【００７３】この様な強誘電性液晶素子を光学変調素子
として用いることの利点は先にも述べたが２つある。そ
の第１は応答速度が極めて速いことであり、第２は液晶
分子の配向が双安定性を有することである。第２の点を
例えば図３によって更に説明すると、電界Ｅａを印加す
ると液晶分子は第１の安定状態３３ａに配向するが、こ
の状態は電界を切っても安定である。また、逆向きの電
界Ｅｂを印加すると、液晶分子は第２の安定状態３３ｂ
に配向してその分子の向きを変えるが、やはり電界を切
ってもこの状態に留まっている。また、与える電界Ｅａ
或いはＥｂが一定の閾値を越えない限り、それぞれ前の
配向状態にやはり維持されている。

【００７４】図５は本発明で用いた駆動波形の一例であ
る。図５（Ａ）中のＳ_Sは選択された走査線に印加する
選択走査波形を、Ｓ_Nは選択されていない非選択走査波
形を、Ｉ_Sは選択されたデータ線に印加する選択情報波
形（黒）を、Ｉ_Nは選択されていないデータ線に印加す
る非選択情報信号（白）を表わしている。また、図中
（Ｉ_S−Ｓ_S）と（Ｉ_N−Ｓ_S）は選択された走査線上の画
素に印加する電圧波形で、電圧（Ｉ_S−Ｓ_S）が印加され
た画素は黒の表示状態をとり、電圧（Ｉ_N−Ｓ_S）が印加
された画素は白の表示状態をとる。

【００７５】図５（Ｂ）は図５（Ａ）に示す駆動波形
で、図６に示す表示を行なった時の時系列波形である。
図５に示す駆動例では、選択された走査線上の画素の印
加される単一極性電圧の最小印加時間Δｔが書き込み位
相ｔ₂の時間に相当し、１ラインクリヤｔ₁位相の時間が
２Δｔに設定されている。さて、図５に示した駆動波形
の各パラメータＶ_S、Ｖ_I、Δｔの値は使用する液晶材料
のスイッチング特性によって決定される。ここではバイ
アス比Ｖ_I／（Ｖ_I＋Ｖ_S）＝１／３に固定されている。
バイアス比を大きくすることにより駆動適正電圧の幅を
大きくすることは可能であるが、バイアス比を増すこと
は情報信号の振幅を大きくすることを意味し、画質的に
はちらつきの増大、コントラストの低下を招き好ましく
ない。我々の検討ではバイアス比１／３〜１／４程度が
実用的であった。

【００７６】本発明の液晶素子を表示パネル部に使用
し、図７及び図８に示した走査線アドレス情報をもつ画
像情報なるデータフォーマット及びＳＹＮＣ信号による
通信同期手段をとることにより、液晶表示装置を実現す
る。

【００７７】図中、符号はそれぞれ以下の通りである。

【００７８】１０１ 強誘電性液晶表示装置 １０２ グラフィックコントローラ １０３ 表示パネル １０４ 走査線駆動回路 １０５ 情報線駆動回路 １０６ デコーダ １０７ 走査信号発生回路 １０８ シフトレジスタ １０９ ラインメモリ １１０ 情報信号発生回路 １１１ 駆動制御回路 １１２ ＧＣＰＵ １１３ ホストＣＰＵ １１４ ＶＲＡＭ

【００７９】画像情報の発生は、本体装置側のグラフィ
ックコントローラ１０２にて行なわれ、図７及び図８に
示した信号転送手段に従って表示パネル１０３に転送さ
れる。グラフィックコントローラ１０２はＣＰＵ（中央
演算処理装置、以下ＧＣＰＵ１１２と略す）及びＶＲＡ
Ｍ（画像情報格納用メモリ）１１４を核に、ホストＣＰ
Ｕ１１３と液晶表示装置１０１間の画像情報の管理や通
信を司っており、本発明の制御方法は主にこのグラフィ
ックコントローラ１０２上で実現されるものである。な
お該表示パネルの裏面には、光源が配置されている。以
下実施例により本発明について更に詳細に説明するが、
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

【００８０】

【実施例】

実施例１（例示化合物Ｎｏ．２の合成） ４−ブチルフェノール２．００ｇ（１３．３ｍＭ）
にＤＭＦ１０ｍｌを加え、氷水冷下撹拌した。ここへ水
素化ナトリウム（６０％油性）０．５９ｇ（１４．８ｍ
Ｍ）を添加した。次いで（Ｒ）−（−）−エピクロルヒ
ドリン１．３６ｇ（１４．７ｍＭ）を滴下した。油浴温
度を６０℃にしさらに撹拌した。反応後氷水中にあけ、
食塩を加えて酢酸エチルで抽出した。飽和食塩水で洗っ
た後無水硫酸ナトリウムで乾燥した。硫酸ナトリウムを
濾別後、溶媒を留去して光学活性３−（４−ブチルフェ
ノキシ）−１，２−エポキシプロパンの粗生成物３．１
６ｇを得た。

【００８１】 光学活性３−（４−ブチルフェノキ
シ）−１，２−エポキシプロパン１．５０ｇ（６．３０
ｍＭ），塩化リチウム０．００８ｇおよびＤＭＦ３ｍｌ
を加え、還流下撹拌した。ここへ、４−メトキシフェニ
ルイソシアネート０．９５ｇ（６．３７ｍＭ）のＤＭＦ
１ｍｌ溶液を３０分かけて滴下し、滴下後さらに１時間
撹拌した。反応後氷水にあけ食塩を加え室温で撹拌し
た。不溶物を濾取し、アセトンで洗った後シリカゲルカ
ラム精製（展開溶媒 トルエン／酢酸エチル：１００／
１）し、ついでアセトンから再結晶し、例示化合物Ｎ
ｏ．２に相当する光学活性化合物０．７３ｇを得た（収
率３２．６％）。

【００８２】

【数３】

【００８３】実施例２（例示化合物Ｎｏ．１１３の合
成） 例示化合物Ｎｏ．２ ０．６５ｇ（１．８３ｍＭ）
に塩化メチレン１５．６ｍｌを加え撹拌下ドライアイス
−アセトン浴で冷却し、１．０Ｍ三臭化ホウ素の塩化メ
チレン溶液３．８ｍｌを滴下した。冷却浴をはずし撹拌
を３時間つづけた。温度は１７．５℃まで上昇した。つ
いで冷水にあけ食塩を加えて酢酸エチルで抽出した。飽
和食塩水で洗った後無水硫酸ナトリウムで乾燥した。硫
酸ナトリウムを濾別し、溶媒を留去した。光学活性５−
（４−ブチルフェニルオキシメチル）−３−（４−ヒド
ロキシフェニル）−２−オキサゾリジノンの粗生成物
０．５７ｇを得た。

【００８４】 光学活性５−（４−ブチルフェニルオ
キシメチル）−３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−
オキサゾリジノン０．３０ｇ（０．８８ｍＭ），ＤＭＦ
３．５ｍｌ，ヨウ化ヘキシル０．１５ｍｌ（１．０２ｍ
Ｍ）および、水素化ナトリウム（６０％油性）０．０４
ｇ（１．００ｍＭ）を加え、油浴温度７０℃で３０分間
撹拌した。反応後氷水中にあけ、食塩を加え室温で撹拌
した。不溶物を濾取し、水で洗った。トルエンに溶解さ
せ、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。乾燥後硫酸ナトリ
ウムを濾別し、溶媒を留去しシリカゲルカラム精製（展
開溶媒 トルエン／酢酸エチル＝２０／１）し、アセト
ンから再結晶し、例示化合物Ｎｏ．１１３の光学活性化
合物０．２ｇを得た（収率５３．５％）。

【００８５】

【数４】

【００８６】実施例３ 下記化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成物Ａを作
成した。

【００８７】

【化１１】

【００８８】更にこの液晶組成物Ａに対して、以下に示
す例示化合物を各々以下に示す重量部で混合し、液晶組
成物Ｂを作成した。

【００８９】

【表８】

【００９０】実施例４ ２枚の０．７ｍｍ厚のガラス板を用意し、それぞれのガ
ラス板上にＩＴＯ膜を形成し、電圧印加電極を作成し、
更にこの上にＳｉＯ₂を蒸着させ絶縁層とした。ガラス
板上にシランカップリング剤［信越化学（株）ＫＢＭ−
６０２］０．２％イソプロピルアルコール溶液を回転数
２０００ｒ．ｐ．ｍのスピナーで１５秒間塗布し、表面
処理を施した。この後、１２０℃にて２０分間加熱乾燥
処理を施した。更に表面処理を行なったＩＴＯ膜付きの
ガラス板上にポリイミド樹脂前駆体［東レ（株）ＳＰ−
５１０］１．５％ジメチルアセトアミド溶液を回転数２
０００ｒ．ｐ．ｍのスピナーで１５秒間塗布した。成膜
後、６０分間、３００℃加熱縮合焼成処理を施した。こ
の時の塗膜の膜厚は約２５０Åであった。

【００９１】この焼成後の被膜にはアセテート植毛布に
よるラビング処理がなされ、その後、イソプロピルアル
コール液で洗浄し、平均粒径２μｍのシリカビーズを一
方のガラス板上に散布した後、それぞれのラビング処理
軸が互いに平行となるようにし、接着シール剤［チッソ
（株）リクソンボンド］を用いてガラス板を貼り合わ
せ、６０分間、１００℃にて加熱乾燥しセルを作成し
た。このセルに実施例３で混合した液晶組成物Ｂを等方
性液体状態で注入し、等方相から２０℃／ｈで２５℃ま
で徐冷することにより、強誘電性液晶素子を作成した。
このセルのセル厚をベレック位相板によって測定したと
ころ約２μｍであった。この強誘電性液晶素子を使っ
て、ピーク・トゥ・ピーク電圧Ｖｐｐ＝２０Ｖの電圧印
加により直行ニコル下での光学的な応答（透過光量変化
０〜９０％）を検知して応答速度（以後光学応答速度と
いう）を測定した。その結果を次に示す。

【００９２】

【表９】

【００９３】比較例１ 実施例３で混合した液晶組成物Ａをセル内に注入する以
外は全く実施例４と同様の方法で強誘電性液晶素子を作
成し、光学応答速度を測定した。その結果を次に示す。

【００９４】

【表１０】

【００９５】実施例５ 実施例３で混合した例示化合物の代わりに以下に示す例
示化合物を各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物
Ｃを作成した。

【００９６】

【表１１】

【００９７】液晶組成物Ｃをセル内に注入する以外は全
く実施例４と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、
光学応答速度を測定し、スイッチング状態を観察した。
この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。その測定結果を次に示す。

【００９８】

【表１２】

【００９９】実施例６ 実施例３で混合した例示化合物の代わりに以下に示す例
示化合物を各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物
Ｄを作成した。

【０１００】

【表１３】

【０１０１】液晶組成物Ｄをセル内に注入する以外は全
く実施例４と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、
光学応答速度を測定し、スイッチング状態を観察した。
この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。その測定結果を次に示す。

【０１０２】

【表１４】

【０１０３】実施例７ 下記化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成物Ｅを作
成した。

【０１０４】

【化１２】

【０１０５】更にこの液晶組成物Ｅに対して、以下に示
す例示化合物を各々以下に示す重量部で混合し、液晶組
成物Ｆを作成した。

【０１０６】

【表１５】

【０１０７】液晶組成物Ｆをセル内に注入する以外は全
く実施例４と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、
光学応答速度を測定し、スイッチング状態を観察した。
この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。その測定結果を次に示す。

【０１０８】

【表１６】

【０１０９】比較例２ 実施例７で混合した液晶組成物Ｅをセル内に注入する以
外は全く実施例４と同様の方法で強誘電性液晶素子を作
成し、光学応答速度を測定した。その結果を次に示す。

【０１１０】

【表１７】

【０１１１】実施例８ 実施例７で混合した例示化合物の代わりに以下に示す例
示化合物を各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物
Ｇを作成した。

【０１１２】

【表１８】

【０１１３】液晶組成物Ｇをセル内に注入する以外は全
く実施例４と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、
光学応答速度を測定し、スイッチング状態を観察した。
この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。その測定結果を次に示す。

【０１１４】

【表１９】

【０１１５】実施例９ 実施例７で混合した例示化合物の代わりに以下に示す例
示化合物を各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物
Ｈを作成した。

【０１１６】

【表２０】

【０１１７】液晶組成物Ｈをセル内に注入する以外は全
く実施例４と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、
光学応答速度を測定し、スイッチング状態を観察した。
この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。その測定結果を次に示す。

【０１１８】

【表２１】

【０１１９】実施例１０ 下記化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成物Ｉを作
成した。

【０１２０】

【化１３】

【０１２１】更にこの液晶組成物Ｉに対して、以下に示
す例示化合物を各々以下に示す重量部で混合し、液晶組
成物Ｊを作成した。

【０１２２】

【表２２】

【０１２３】液晶組成物Ｊをセル内に注入する以外は全
く実施例４と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、
光学応答速度を測定し、スイッチング状態を観察した。
この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。その測定結果を次に示す。

【０１２４】

【表２３】

【０１２５】比較例３ 実施例１０で混合した液晶組成物Ｉをセル内に注入する
以外は全く実施例４と同様の方法で強誘電性液晶素子を
作成し、光学応答速度を測定した。その結果を次に示
す。

【０１２６】

【表２４】

【０１２７】実施例１１ 実施例１０で混合した例示化合物の代わりに以下に示す
例示化合物を各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成
物Ｋを作成した。

【０１２８】

【表２５】

【０１２９】液晶組成物Ｋをセル内に注入する以外は全
く実施例４と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、
光学応答速度を測定し、スイッチング状態を観察した。
この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。その測定結果を次に示す。

【０１３０】

【表２６】

【０１３１】実施例１２ 実施例１０で混合した例示化合物の代わりに以下に示す
例示化合物を各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成
物Ｌを作成した。

【０１３２】

【表２７】

【０１３３】液晶組成物Ｌをセル内に注入する以外は全
く実施例４と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、
光学応答速度を測定し、スイッチング状態を観察した。
この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。その測定結果を次に示す。

【０１３４】

【表２８】

【０１３５】実施例４〜１２より明らかな様に、本発明
による液晶組成物Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｊ、Ｋおよ
びＬを含有する強誘電性液晶素子は低温における作動特
性、高速応答性が改善され、また光学応答速度の温度依
存性も軽減されたものとなっている。

【０１３６】実施例１３ 実施例４で使用したポリイミド樹脂前駆体１．５％ジメ
チルアセトアミド溶液に代えて、ポリビニルアルコール
樹脂［クラレ（株）ＰＵＡ−１１７］２％水溶液を用い
た他は全く同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、実
施例４と同様の方法で光学応答速度を測定した。その結
果を次に示す。

【０１３７】

【表２９】

【０１３８】実施例１４ 実施例４で使用したＳｉＯ₂を用いずに、ポリイミド樹
脂だけで配向制御層を作成した以外は全く実施例４と同
様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例と同様の
方法で光学応答速度を測定した。その結果を次に示す。

【０１３９】

【表３０】

【０１４０】実施例１３、１４より明らかな様に、素子
構成を変えた場合でも本発明に従う強誘電性液晶組成物
を含有する液晶素子は実施例４と同様に低温作動特性が
非常に改善され、かつ光学応答速度の温度依存性が軽減
されたものとなっている。

【０１４１】実施例１５ 下記化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成物Ｍを作
成した。

【０１４２】

【化１４】

【０１４３】更にこの液晶組成物Ｍに対して、以下に示
す例示化合物を各々以下に示す重量部で混合し、液晶組
成物Ｎを作成した。

【０１４４】

【表３１】

【０１４５】次にこれらの液晶組成物を以下の手順で作
成したセルを用いて、光学的な応答を観察した。

【０１４６】２枚の０．７ｍｍ厚のガラス板を用意し、
それぞれのガラス板上にＩＴＯ膜を形成し、電圧印加電
極を作成し、更にこの上にＳｉＯ₂を蒸着させ絶縁層と
した。ガラス板上にシランカップリング剤［信越化学
（株）製ＫＢＭ−６０２］０．２％イソプロピルアルコ
ール溶液を回転数２０００ｒ．ｐ．ｍのスピナーで１５
秒間塗布し、表面処理を施した。この後、１２０℃にて
２０分間加熱乾燥処理を施した。更に表面処理を行なっ
たＩＴＯ膜付きのガラス板上にポリイミド樹脂前駆体
［東レ（株）ＳＰ−５１０］１．０％ジメチルアセトア
ミド溶液を回転数３０００ｒ．ｐ．ｍのスピナーで１５
秒間塗布した。成膜後、６０分間、３００℃加熱縮合焼
成処理を施した。この時の塗膜の膜厚は約１２０Åであ
った。

【０１４７】この焼成後の被膜にはアセテート植毛布に
よるラビング処理がなされ、その後、イソプロピルアル
コール液で洗浄し、平均粒径１．５μｍのシリカビーズ
を一方のガラス板上に散布した後、それぞれのラビング
処理軸が互いに平行となるようにし、接着シール剤［チ
ッソ（株）リクソンボンド］を用いてガラス板を貼り合
わせ、６０分間、１００℃にて加熱乾燥しセルを作成し
た。このセルのセル厚をベレック位相板によって測定し
たところ約１．５μｍであった。このセルに液晶組成物
Ｍを等方性液体状態で注入し、等方相から２０℃／ｈで
２５℃まで徐冷することにより、強誘電性液晶素子を作
成した。この強誘電性液晶素子を用いて前述した図５に
示す駆動波形（１／３バイアス比）で３０℃における駆
動時のコントラストを測定した結果１４．２であった。

【０１４８】比較例４ 実施例１５で混合した液晶組成物Ｍをセル内に注入する
以外は全く実施例１５と同様の方法で強誘電性液晶素子
を作成し、同様の駆動波形を用いて３０℃における駆動
時のコントラストを測定した。その結果コントラストは
８．１であった。

【０１４９】実施例１６ 実施例１５で使用した例示化合物の代わりに以下に示す
例示化合物を各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成
物Ｏを作成した。

【０１５０】

【表３２】

【０１５１】この液晶組成物を用いた以外は全く実施例
１５と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例
１５と同様の駆動波形を用いて３０℃における駆動時の
コントラストを測定した。その結果コントラストは１
９．８であった。

【０１５２】実施例１７ 実施例１５で使用した例示化合物の代わりに以下に示す
例示化合物を各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成
物Ｐを作成した。

【０１５３】

【表３３】

【０１５４】この液晶組成物を用いた以外は全く実施例
１５と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例
１５と同様の駆動波形を用いて３０℃における駆動時の
コントラストを測定した。その結果コントラストは１
８．１であった。

【０１５５】実施例１８ 実施例１５で使用した例示化合物の代わりに以下に示す
例示化合物を各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成
物Ｑを作成した。

【０１５６】

【表３４】

【０１５７】この液晶組成物を用いた以外は全く実施例
１５と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例
１５と同様の駆動波形を用いて３０℃における駆動時の
コントラストを測定した。その結果コントラストは１
７．８であった。

【０１５８】実施例１５〜１８より明らかな様に、本発
明による液晶組成物Ｎ、Ｏ、ＰおよびＱを含有する強誘
電性液晶素子は駆動時におけるコントラストが高くなっ
ている。

【０１５９】実施例１９ 実施例１５で使用したポリイミド樹脂前駆体１．０％ジ
メチルアセトアミド溶液に代えて、ポリビニルアルコー
ル樹脂［クラレ（株）製ＰＶＡ−１１７］２％水溶液を
用いた他は全く実施例１５と同様の方法で強誘電性液晶
素子を作成し、実施例１５と同様の方法で３０℃におけ
る駆動時のコントラストを測定した結果コントラストは
１７．８であった。

【０１６０】実施例２０ 実施例１５で使用したＳｉＯ₂を用いずに、ポリイミド
樹脂だけで配向制御層を作成した以外は全く実施例１５
と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１５
と同様の方法で３０℃における駆動時のコントラストを
測定した結果、コントラストは１４．０であった。

【０１６１】実施例２１ 実施例１５で使用したポリイミド樹脂前駆体１．０％ジ
メチルアセトアミド溶液に代えて、ポリアミド酸［日立
化成（株）製ＬＱ１８０２］１％ＮＭＰ溶液を用い、２
７０℃で１時間焼成した以外は全く実施例１５と同様の
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１５と同様の
方法で３０℃における駆動時のコントラストを測定し
た。その結果コントラストは２１．８であった。

【０１６２】実施例１９、２０及び２１より明らかなよ
うに、素子構成を変えた場合でも本発明に従う強誘電性
液晶組成物を含有する液晶素子は実施例１５と同様に高
いコントラストが得られている。また駆動波形を変えた
場合においても詳細に検討した結果、同様に本発明の強
誘電性液晶組成物を含有する液晶素子の方が高いコント
ラストが得られることが判明した。

【０１６３】

【発明の効果】本発明の光学活性化合物を含有する液晶
組成物は、液晶組成物が示す強誘電性を利用して動作さ
せることができる。このようにして利用されうる本発明
の強誘電性液晶素子は、スイッチング特性が良好で、高
速応答性、光学応答速度の温度依存性の軽減、高コント
ラスト等の優れた特性を有する液晶素子とすることがで
きる。

【０１６４】なお、本発明の液晶素子を表示素子として
光源、駆動回路等と組み合わせた表示装置は良好な装置
となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】カイラルスメクチック相を示す液晶を用いた液
晶素子の一例の断面概略図である。

【図２】液晶のもつ強誘電性を利用した液晶素子の動作
説明のために素子セルの一例を模式的に表わす斜視図で
ある。

【図３】液晶のもつ強誘電性を利用した液晶素子の動作
説明のために素子セルの一例を模式的に表わす斜視図で
ある。

【図４】チルト角（θ）を示す説明図である。

【図５】本発明で用いる液晶素子の駆動法の波形図であ
る。

【図６】図５（Ｂ）に示す時系列駆動波形で実際の駆動
を行ったときの表示パターンの模式図である。

【図７】強誘電性を利用した液晶素子を有する液晶表示
装置とグラフィックスコントローラを示すブロック構成
図である。

【図８】液晶表示装置とグラフィックスコントローラと
の間の画像情報通信タイミングチャート図である。

【符号の説明】

１ カイラルスメクチック相を有する液晶層 ２ ガラス基板 ３ 透明電極 ４ 絶縁性配向制御層 ５ スペーサー ６ リード線 ７ 電源 ８ 偏光板 ９ 光源 Ｉ₀ 入射光 Ｉ 透過光 ２１ａ 基板 ２１ｂ 基板 ２２ カイラルスメクチック相を有する液晶層 ２３ 液晶分子 ２４ 双極子モーメント（Ｐ⊥） ３１ａ 電圧印加手段 ３１ｂ 電圧印加手段 ３３ａ 第１の安定状態 ３３ｂ 第２の安定状態 ３４ａ 上向きの双極子モーメント ３４ｂ 下向きの双極子モーメント Ｅａ 上向きの電界 Ｅｂ 下向きの電界 １０１ 強誘電性液晶表示装置 １０２ グラフィックスコントローラ １０３ 表示パネル １０４ 走査線駆動回路 １０５ 情報線駆動回路 １０６ デコーダ １０７ 走査信号発生回路 １０８ シフトレジスタ １０９ ラインメモリ １１０ 情報信号発生回路 １１１ 駆動制御回路 １１２ ＧＣＰＵ １１３ ホストＣＰＵ １１４ ＶＲＡＭ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｄ 413/12 ２４１ 417/04 ２６３ Ｃ０９Ｋ 19/34 9279−4Ｈ 19/54 Ｂ 9279−4Ｈ Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ (72)発明者 中村 真一 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 山田 容子 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（Ｉ）で示される光学活性化
   合物。 【化１】 ［式中、Ｒ₁，Ｒ₂はＨ，ハロゲン，ＣＮまたは炭素原子
   数１〜３０の直鎖状あるいは分岐状あるいは環状のアル
   キル基であり、該アルキル基中の１つもしくは隣接しな
   い２つ以上のＣＨ₂基は−Ｏ−，−Ｓ−，−ＣＯ−，−
   ＣＯＯ−，−ＯＣＯ−，−ＣＨ＝ＣＨ−，−Ｃ≡Ｃ−に
   よって置き換えられていてもよく、該アルキル基中の水
   素原子はフッ素原子に交換されていてもよい。Ａ₂は
   １，４−フェニレン，１個または２個のＦ，Ｃｌ，Ｂ
   ｒ，ＣＨ₃，ＣＦ₃またはＣＮで置換されている１，４−
   フェニレン，ピリミジン−２，５−ジイル，ピリジン−
   ２，５−ジイル，チオフェン−２，５−ジイル，２，６
   −ナフチレン，チアゾール−２，５−ジイル，チアジア
   ゾール−２，５−ジイル，ピラジン−２，５−ジイル，
   ピリダジン−３，６−ジイル，ベンゾチアゾール−２，
   ５−ジイル，ベンゾチアゾール−２，６−ジイル，ベン
   ゾオキサゾール−２，５−ジイル，ベンゾオキサゾール
   −２，６−ジイル，ベンゾフラン−２，５−ジイル，ベ
   ンゾフラン−２，６−ジイル，キノキサリン−２，６−
   ジイル，キノリン−２，６−ジイル，インダン−２，５
   −ジイル，２−アルキルインダン−２，５−ジイル（ア
   ルキル基は炭素原子数１〜１８の直鎖状または分岐状の
   アルキル基である），インダノン−２，６−ジイル，２
   −アルキルインダノン−２，６−ジイル（アルキル基は
   炭素原子数１〜１８の直鎖状または分岐状のアルキル基
   である），クマラン−２，５−ジイル，２−アルキルク
   マラン−２，５−ジイル（アルキル基は炭素原子数１〜
   １８の直鎖状または分岐状のアルキル基である）を示
   す。Ａ₁はＡ₂，１，４−シクロヘキシレン，１，３−ジ
   オキサン−２，５−ジイルまたは１，３−ジチアン−
   ２，５−ジイルを示す。＊は光学活性であることを示
   す。］
2. 【請求項２】 前記一般式（Ｉ）で表わされる化合物が
   （Ｉａ）〜（Ｉｃ）のいずれかである請求項１記載の光
   学活性化合物。 （Ｉａ） Ａ₁が１，４−フェニレンあるいは１個また
   は２個のＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，ＣＨ₃，ＣＦ₃またはＣＮで置
   換されている１，４−フェニレン，ピリミジン−２，５
   −ジイル，ピリジン−２，５−ジイル，チオフェン−
   ２，５−ジイル，チアゾール−２，５−ジイル，チアジ
   アゾール−２，５−ジイル，ピラジン−２，５−ジイ
   ル，ピリダジン−３，６−ジイル，インダン−２，５−
   ジイル，クマラン−２，５−ジイル，１，４−シクロヘ
   キシレン，１，３−ジオキサン−２，５−ジイルまたは
   １，３−ジチアン−２，５−ジイルであり、Ａ₂が１，
   ４−フェニレンあるいは１個あるいは２個のＦ，Ｃｌ，
   Ｂｒ，ＣＨ₃，ＣＦ₃またはＣＮで置換されている１，４
   −フェニレンから選ばれる光学活性化合物。 （Ｉｂ）Ａ₁が１，４−フェニレンあるいは１個または
   ２個のＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，ＣＨ₃，ＣＦ₃またはＣＮで置換
   されている１，４−フェニレン，ピリミジン−２，５−
   ジイル，ピリジン−２，５−ジイル，チオフェン−２，
   ５−ジイル，チアゾール−２，５−ジイル，チアジアゾ
   ール−２，５−ジイル，ピラジン−２，５−ジイル，ピ
   リダジン−３，６−ジイル，インダン−２，５−ジイ
   ル，クマラン−２，５−ジイル，１，４−シクロヘキシ
   レン，１，３−ジオキサン−２，５−ジイル，１，３−
   ジチアン−２，５−ジイルであり、Ａ₂がピリミジン−
   ２，５−ジイル，ピリジン−２，５−ジイル，チオフェ
   ン−２，５−ジイル，チアゾール−２，５−ジイル，チ
   アジアゾール−２，５−ジイル，ピラジン−２，５−ジ
   イル，ピリダジン−３，６−ジイルから選ばれる光学活
   性化合物。 （Ｉｃ）Ａ₁が１，４−フェニレンあるいは１個または
   ２個のＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，ＣＨ₃，ＣＦ₃またはＣＮで置換
   されている１，４−フェニレン，ピリミジン−２，５−
   ジイル，ピリジン−２，５−ジイル，チオフェン−２，
   ５−ジイル，チアゾール−２，５−ジイル，チアジアゾ
   ール−２，５−ジイル，ピラジン−２，５−ジイル，ピ
   リダジン−３，６−ジイル，インダン−２，５−ジイ
   ル，クマラン−２，５−ジイル，１，４−シクロヘキシ
   レン，１，３−ジオキサン−２，５−ジイルまたは１，
   ３−ジチアン−２，５−ジイルであり、Ａ₂が２，６−
   ナフチレン，ベンゾチアゾール−２，５−ジイル，ベン
   ゾチアゾール−２，６−ジイル，ベンゾオキサゾール−
   ２，５−ジイル，ベンゾオキサゾール−２，６−ジイ
   ル，キノキサリン−２，６−ジイル，キノリン−２，６
   −ジイル，インダン−２，５−ジイル，２−アルキルイ
   ンダン−２，５−ジイル，クマラン−２，５−ジイル，
   ２−アルキルクマラン−２，５−ジイルから選ばれる光
   学活性化合物。
3. 【請求項３】 前記一般式（Ｉ）で表わされる化合物が
   （Ｉａａ）〜（Ｉｃｂ）のいずれかである請求項１記載
   の光学活性化合物。 （Ｉａａ） Ａ₁が１，４−フェニレンあるいは１個ま
   たは２個のＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，ＣＨ₃，ＣＦ₃またはＣＮで
   置換している１，４−フェニレンであり、Ａ₂が１，４
   −フェニレンあるいは１個または２個のＦ，Ｃｌ，Ｂ
   ｒ，ＣＨ₃，ＣＦ₃またはＣＮで置換している１，４−フ
   ェニレンである光学活性化合物。 （Ｉａｂ）Ａ₁がピリミジン−２，５−ジイル，ピリジ
   ン−２，５−ジイル，１，４−シクロヘキシレンまたは
   １，３−ジオキサン−２，５−ジイルであり、Ａ₂が
   １，４−フェニレンあるいは１個または２個のＦ，Ｃ
   ｌ，Ｂｒ，ＣＨ₃，ＣＦ₃またはＣＮで置換している１，
   ４−フェニレンである光学活性化合物。 （Ｉｂａ）Ａ₁が１，４−フェニレンあるいは１個また
   は２個のＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，ＣＨ₃，ＣＦ₃またはＣＮで置
   換されている１，４−フェニレンであり、Ａ₂がピリミ
   ジン−２，５−ジイル，ピリジン−２，５−ジイル，チ
   アゾール−２，５−ジイル，ピラジン−２，５−ジイル
   またはピリダジン−３，６−ジイルである光学活性化合
   物。 （Ｉｂｂ）Ａ₁がピリミジン−２，５−ジイル，ピリジ
   ン−２，５−ジイル，インダン−２，５−ジイル，クマ
   ラン−２，５−ジイル，ピラジン−２，５−ジイル，
   １，４−シクロヘキシレンまたはピリダジン−３，６−
   ジイルであり、Ａ₂がピリミジン−２，５−ジイル，ピ
   リジン−２，５−ジイル，ピラジン−２，５−ジイルま
   たはピリダジン−３，６−ジイルである光学活性化合
   物。 （Ｉｃａ） Ａ₁が１，４−フェニレンあるいは１個ま
   たは２個のＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，ＣＨ₃，ＣＦ₃またはＣＮで
   置換されている１，４−フェニレンであり、Ａ₂が２，
   ６−ナフチレン，ベンゾチアゾール−２，５−ジイル，
   ベンゾチアゾール−２，６−ジイル，ベンゾオキサゾー
   ル−２，５−ジイル，ベンゾオキサゾール−２，６−ジ
   イル，キノキサリン−２，６−ジイルまたはキノリン−
   ２，６−ジイルである光学活性化合物。 （Ｉｃｂ）Ａ₁がピリミジン−２，５−ジイル，ピリジ
   ン−２，５−ジイル，１，４−シクロヘキシレン，ピラ
   ジン−２，５−ジイルまたはピリダジン−３，６−ジイ
   ルであり、Ａ₂は２，６−ナフチレン，ベンゾチアゾー
   ル−２，５−ジイル，ベンゾチアゾール−２，６−ジイ
   ル，ベンゾオキサゾール−２，５−ジイル，ベンゾオキ
   サゾール−２，６−ジイル，キノキサリン−２，６−ジ
   イルまたはキノリン−２，６−ジイルである光学活性化
   合物。
4. 【請求項４】 前記一般式（Ｉ）で表わされる光学活性
   化合物のＲ₁、Ｒ₂が（ｉ）〜（ｘｖｉ）のいずれかであ
   ることを特徴とする請求項１〜３いずれかに記載の光学
   活性化合物。 【化２】 （ａは１から１６の整数、ｄ、ｇ、ｉは０から７の整
   数、ｂ、ｅ、ｈ、ｊ、ｋは１から１０の整数、ｆ、ｗは
   ０又は１、ｍ、ｎ、ｑ、ｒ、ｓ、ｔは０から１０の整
   数。但し、ｂ＋ｄ≦１６、ｅ＋ｆ＋ｇ≦１６、ｈ＋ｉ≦
   １６の条件を満たす。ＥはＣＨ₃またはＣＦ₃を示す。Ｙ
   ₁は単結合、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−を示し、
   Ｙ₂は−ＣＯＯ−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ−、−
   ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ−、−ＣＨ₂ＣＨ₂−を示す。Ｙ₃は単
   結合、−ＣＯＯ−，−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣ
   Ｈ₂−を示す。光学活性であってもよい。）
5. 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載の光学活
   性化合物を少なくとも一種を含有することを特徴とする
   液晶組成物。
6. 【請求項６】 前記光学活性化合物を１〜８０重量％含
   有することを特徴とする請求項５記載の液晶組成物。
7. 【請求項７】 前記光学活性化合物を１〜６０重量％含
   有することを特徴とする請求項５記載の液晶組成物。
8. 【請求項８】 前記光学活性化合物を１〜４０重量％含
   有することを特徴とする請求項５記載の液晶組成物。
9. 【請求項９】 カイラルスメクチック相を有することを
   特徴とする請求項５〜８のいずれかに記載の液晶組成
   物。
10. 【請求項１０】 請求項５〜９のいずれかに記載の液晶
    組成物を１対の電極基板間に配置してなることを特徴と
    する液晶素子。
11. 【請求項１１】 前記電極基板上の液晶組成物と接する
    側に更に配向制御層が設けられていることを特徴とする
    請求項１０記載の液晶素子。
12. 【請求項１２】 前記配向制御層がラビング処理された
    層であることを特徴とする請求項１１記載の液晶素子。
13. 【請求項１３】 液晶分子のらせんが解除された膜厚で
    前記１対の電極基板を配置することを特徴とする請求項
    １０〜１２のいずれかに記載の液晶素子。
14. 【請求項１４】 請求項５〜９のいずれかに記載の液晶
    組成物を制御して表示を行うことを特徴とする表示方
    法。
15. 【請求項１５】 請求項１０〜１３のいずれかに記載の
    液晶素子を表示素子として具備したことを特徴とする表
    示装置。
16. 【請求項１６】 液晶素子の駆動回路を有することを特
    徴とする請求項１５記載の表示装置。
17. 【請求項１７】 光源を有することを特徴とする請求項
    １５又は１６記載の表示装置。