JPH0312488A - 強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物およびこれを含む液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は液晶表示素子や液晶−光シヤツター等に利用さ
れる液晶素子に用いる液晶組成物に関し、更に詳しくは
、電界に対する応答特性が改善された新規な液晶組成物
及びそれを有する液晶素子に関するものである。

〔背景技術〕

従来より、液晶は電気光学素子として種々の分野で応用
されている。現在実用化されている液晶素子はほとんど
が、例えばＭ、５ｃｈａｄｔとＷ　、　Ｈｅ　ｌ　ｆ　
ｒ　ｉ　ｃ　ｈ著″Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　
Ｌｅｔｔｅｒｓ　　Ｖｏ、１８、Ｎｏ、４　（１９７１
，２，１５）、Ｐ、１．２７〜１２８のＶｏｌｔａｇｅ
−Ｓｐｅｎｄｅｎｔ　　０ｐｔｉｃａｌ　　Ａｃｔｉｖ
ｉｔｙ　　ｏｆ　　ａＴｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ
　Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ＋に示されたＴＮ　（
ｔｗｉｓｔｅｄ　　ｎｅｍａｔｉｃ）型の液晶を用いた
ものである。

これらは、液晶の誘電的配列効果に基づいており、液晶
分子の誘電異方性のために平均分子軸方向が、加えられ
た電場により特定の方向を向く効果を利用している。こ
れらの素子の光学的な応答速度の限界はミリ秒であると
いわれ、多くの応用のためには遅すぎる。一方、大型平
面デイスプレィへの応用では、価格、生産性などを考え
合せると単純マトリクス方式による駆動が最も有力であ
る。単純マトリ−クス方式においては、走査電極群と信
号電極群をマトリクス状に構成した電極構成が採用され
、その駆動のためには、走査電極群に順次周期的にアド
レス信号を選択印加し、信号電極群には所定の情報信号
をアドレス信号と同期させて並列的に選択印加する時分
割駆動方式が採用される。

しかしこのような駆動方式の素子に前述したＴＮ型の液
晶を採用すると走査電極が選択され、信号電極が選択さ
れない領域、或いは走査電極が選択されず、信号電極が
選択される領域（所謂“半選択点”）にも有限に電界が
かかってしまう。選択点にかかる電圧と、半選択点にか
かる電圧の差が充分に大きく、液晶分子を電界に垂直に
配列させるのに要する電圧閾値がこの中間の電圧値に設
定されるならば、表示素子は正常に動作するわけである
が、走査線数（Ｎ）を増やして行った場合、画面全体（
１フレーム）を走査する間に一つの選択点に有効な電界
がかかっている時間（ｄ　ｕ　ｔ　ｙ比）がｌ／Ｎの割
合で減少してしまう。このために、（り返し走査を行っ
た場合の選択点と非選択点にかかる実効値としての電圧
差は、走査線数が増えれば増える程小さくなり、結果的
には画像コントラストの低下やクロストークが避は難い
欠点となっている。

このような現象は、双安定性を有さない液晶（電極面に
対し、液晶分子が水平に配向しているのが安定状態であ
り、電界が有効に印加されている間のみ垂直に配向する
）を時間的蓄積効果を利用して駆動する（即ち、繰り返
し走査する）ときに生ずる本質的には避は難い問題点で
ある。この点を改良するために、電圧平均化法、２周波
駆動法や、多重マトリクス法等が既に提案されているが
、いずれの方法でも不充分であり、表示素子の大画面化
や高密度化は、走査線数が充分に増やせないことによっ
て頭打ちになっているのが現状である。

この様な従来型の液晶素子の欠点を改善するものとして
、双安定性を有する液晶素子の使用がＣ１ａｒｋ及びＬ
ａｇｅｒｗａｌｌにより提案されている（特開昭５６−
１０７２１６号公報、米国特許第４３６７９２４号明細
書等）。双安定性液晶としては一般に、カイラルスメク
テイツクＣ相（ＳｍＣ＊）又はＨ相（ＳｍＨ＊）を有す
る強誘電性液晶が用いられる。この強誘電性液晶は電界
に対して第１の光学的安定状態と第２の光学的安定状態
からなる双安定状態を有し、従って前述のＴＮ型の液晶
で用いられた光学変調素子とは異なり、例えば一方の電
界ベクトルに対して第１の光学的安定状態に液晶が配向
し、他方の電界ベクトルに対しては第２の光学的安定状
態に液晶が配向される。また、この型の液晶は、加えら
れる電界に応答して、上記２つの安定状態のいずれかを
取り、且つ電界の印加のないときはその状態を維持する
性質（双安定性）を有する。

以上のような双安定性を有する特徴に加えて、強誘電液
晶は高速応答性であるという優れた特徴を轡つ。それは
強誘電液晶の持つ自発分極と印加電場が直接作用して配
向状態の転移を誘起するためであり、誘電率異方性と電
場の作用による応答速度より３〜４オーダー速い。

このように強誘電液晶はきわめて優れた特性を潜在的に
有しており、このような性質を利用することにより、上
述した従来のＴＮ型素子の問題点の多くに対して、かな
り本質的な改善が得られる。

特に、高速光学光シャッターや、高密度、大画面デイス
プレィへの応用が期待される。

この強誘電性液晶層を一対の基板間に挾持した素子で前
述した様な単純マトリクス表示装置とした場合では、例
えば特開昭５９−１９３４２６号公報、同５９−１９３
４２７号公報、同６０−１３６０４６号公報や同６０−
１５６０４７号公報などに開示された駆動法を適用する
ことができる。

第４図は、本発明の実施例中で用いた駆動法の波形図で
ある。又、第５図は、本発明で用いたマトリクス電極を
配置した強誘電性液晶パネル５１の平面図である。第５
図のパネル５１には、走査線５２とデータ線５３とが互
いに交差して配線され、その交差部の走査線５２とデー
タ線５３との間には強誘電性液晶が配置されている。

第４図（Ａ）中のＳＳは選択された走査線に印加する選
択走査波形を、ＳＮは選択されていない非選択走査波形
を、■、は選択されたデータ線に印加する選択情報波形
（黒）を、！、は選択されていないデータ線に印加する
非選択情報信号（白）を表わしている。又、図中（ｉｓ
　　Ｓｓ）と（ＩＮ　　３ｇ）は選択された走査線上の
画素に印加する電圧波形で、電圧（１，−３，）が印加
された画素は黒の表示状態をとり、電圧（ＩＮ　　Ｓｓ
）が印加された画素は白の表示状態をとる。

第４図（Ｂ）は３４４図（Ａ）に示す駆動波形で第６図
に示す表示を行ったときの時系列波形である。

第４図に示す駆動例では、選択された走査線上の画素に
印加される単一極性電圧の最小印加時間△ｔが書込み位
相ｔ２の時間に相当し、１ラインクリヤｔ１位相の時間
が２△ｔに設定されている。

さて、第４図に示した駆動波形の各パラメータｖＳ＋　
　ｖｌ　ｒ△ｔの値は使用する液晶材料のスイッチング
特性によって決定される。

第７図は後述するバイアス比を一定に保ったまま駆動電
圧（ＶＳ−Ｖ＋）を変化されたときの透過率Ｔの変化即
ちＶ−Ｔ特性を示したものである。

ここでは、△ｔ＝５０μｓ１バイアス比Ｖ夏／（Ｖ＋＋
ＶＳ）＝ｔ／３に固定されている。第７図の正側は第４
図で示した（ＩＮ　　ＳＳ）、負側は（Ｉｓ−３５）で
示した波形が印加される。ここで、Ｖ、、Ｖ３をそれぞ
れ実駆動閾値電圧、およびクロスＩ・−り電圧（＝スイ
ッチング不良電圧）と呼ぶ。但しくＶ２くｖｌくｖ３）
また△ｖ＝（ｖ３−ｖｌ）を電圧マージンと呼び、マト
リクス駆動可能な電圧幅となる。ｖ３はＦＬＣの７トリ
クス駆動上、−船釣に存在すると言つてよい。具体的に
は、第４図（Ａ）（ＩＮ−３ｓ）の波形におけるＶＢ′
によるスイッチングを起こす電圧値である。勿論、バイ
アス比を大きくすることに　よりｖ３の値を大きくする
ことは可能であるが、バイアス比を増すことは情報信号
の振幅を大きくすることを意味し、画質的にはちらつき
の増大、コントラストの低下を招き好ま（ない。我々の
　検討ではバイアス比は１／３〜１／４程度が実用的で
あった。ところでバイアス比を固定すれば電圧マージン
ΔＶは液晶材料のスイッチング特性に　強く依存し、△
Ｖの大きい液晶材料がマトリクス駆動上非常に有利であ
ることは言うまでもない。

この様な、ある一定温度において、情報信号の２通りの
向きによって選択画素に「黒」および「白」の二状態を
書き込むことが可能であり、非選択画素はその「黒」ま
たは「白」の状態を保持することが可能である印加電圧
の上下限の値およびその幅（駆動電圧マージン△Ｖ＝Ｖ
　３−Ｖ　、　）は液晶材料間で差が　あり、特有なも
のである。また環境温度の変化によっても駆動マージン
はズしていくため、実際の表示装置の場合、液晶材料や
環境温度に対して　最適駆動電圧にしておく必要がある
。

しかしながら、実用上この様なマトリクス表示装置の表
示面積を拡大してい（場合、各画素における液晶の存在
環境の差（具体的には、温度や電極間のセルギャップ差
）は当然大きくなり、駆動電圧マージンが小さな液晶で
は表示エリア全体に良好な画像を得ることが出来なくな
る。

一方、このような条件下で配列した強誘電性液晶は、一
般に上下基板間をねじれた状態でつながり、−軸性の配
向を示さないことが知られている（スプレー配向）。こ
のような場合問題点のひとつに、液晶層の透過率が低い
ことがある。

透過光量は、分子配向の一軸性を仮定すると、クロスニ
コル下で入射光Ｉ０の強度に対してＩの強度を得る。

ユニで、Δｎは屈折率異方性、ｄはセル厚、λは入射光
の波長、θａは双安定状態間の角度（チルト角）である
。

前述のセルを用い、スプレー配向を採った場合、現状で
はθａは５°〜８°である。Δｎｄπ／λのコントロー
ルは、物性的に簡単には行えないので、θａを太き（し
てＩを太き（したいが、スタティックな配向手法によっ
てはなかなか達成出来ない。

このような問題に対して、強誘電性液晶の６８項のトル
クを用いることにより、θａを広げられることが知られ
ている（　１９８３年ＳＩＤでＡＴＴにより発表、特開
昭６１−２４５１４２．６１−２４６７２２．６１−２
４６７２３．６１−２４６７２４．６１−２４９０２４
．６１−２４９０２５）。

液晶のΔεが負であると、液晶分子は電界印加により基
板に平行になろうとする。この特性を利用、すなわち、
スイッチング時以外にも一定の実効的な電界を印加する
ことにより、かかるねじれ配列を解消し、θａを増大さ
せて、透過率を上げることができる（ＡＣスタビライズ
効果）。

状態のスイッチングに関するＦＬＣ分子に働くトルクｒ
Ｐ５、ＡＣスタビライズ効果に関してＦＬＣ分子に働く
トルクｒ１とは、各々次のような物性に比例する。

ｒ’ｐｓｏｏＰｓφＥ・・曲・・・・・・　（２）ｒΔ
ξ　■　　・Δε佛ε。・Ｅ２　　・・・・・　（３）
（３）式によっても明らかなようにＦＬＣのΔεの符号
及び絶対値がきわめて重要な役割を示すことがわかる。

Δεに関する物性が異なる値を持つ４種のＦＬＣのＶｒ
ｍｓに対するθａの変化を第８図に示した。

測定はＰｓによる影響を除くために６０ＫＨｚの矩形交
流で行った。

（１）はΔεニー５．５、（Ｉ［）はΔεニー３．０、
（ＩＩＩ）はΔεニー〇、（ｒＶ）はΔε二１．０であ
り、定性的にもΔεは（１）　＜　（ＩＩ）　＜　（Ｉ
ＩＩ）　＜　（ＩＶ）であった。

グラフを見てもわかるようにΔεが負に大きい極低電圧
でθａが太き（なり、従って、■に貢献することがわか
る。

この（Ｉ）と（］ＩＩ）を用いた場合の透過率の差を比
較してみると（Ｉ）では１５％なのに対し、（ＩＩ）で
は６％であり明らかな差があった（６０ＫＨｚ±８ｖ　
矩形波印加時）。

以上の例でも知られるように、ΔεとＰｓの物性をコン
トロールすることにより、ＳＳ　ＦＬＣの表示特性を大
きく変えることができる。

強誘電性液晶組成物のΔεを負に大きくするためには、
Δεが負で、その絶対値が大きな材料を混合することが
一番有効である。例えば、分子の短軸方向に、ハロゲン
やシアノ基を導入したり、分子塊骨格にヘテロ原子を導
入したりすることによりΔεの大きな化合物を得ること
ができる。

Δε＜Ｏの化合物の誘電異方性は、構造によってその大
きさに差がある。例を下に示す。

ε　く２ ２　≦　　ε　　　≦　５ ５く　ε１＜ｌＯ （”Ｎ ε 〉１０ す ※Ｒ，Ｒ’　　はアルキル基を示す。

大きく分類すると、１εｌ≦２（１Δε］小）の化合物
、２く］ε１≦１０（１Δε１中）の化合物、Δεｌ＞
１０（ｌΔε１大）の３種に分けることが出来る。１Δ
ε１小のものは、１Δε１を増大させる効果は殆どない
。１Δε１大のものはｉΔε増大に大変有効な材料であ
る。現在のところ、ジシアノハイドロキノン誘導体のみ
が１Δεｌ大材料である。

しかしながら、ジシアノハイドロキノン誘導体は、１Δ
ε１増大効果は大きいものの、粘性が高いため、その含
有比率が増加するとスイッチング特性を悪くする傾向が
ある。

一方、１Δεｌが中程度のものの中には１Δε増大効果
は１Δεｌ大成分よりは小さいが、ある程度粘性の低い
ものもある。

以上のことから、スイッチング特性が良好で、かつ、Ａ
Ｃスタビライズ効果を有する液晶組成物およびこれを含
む液晶素子を得るためには、誘電異方性が負の化合物、
好ましくは１Δε１〉２の化合物の選択、混合相手およ
び混合比率をくふうする必要がある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明の目的は、強誘電性液晶素子を実用できるように
駆動電圧マージンが大きく、液晶素子の表示エリアにあ
る程度の温度バラツキがあっても、全画素が良好にマト
リクス駆動できる駆動温度マージンの広いカイラルスメ
クチック液晶組成物および該液晶組成物を使用する液晶
素子を提供することにある。

本発明の他の目的は、本発明の液晶組成物に、さらに誘
電異方性が負の液晶性化合物を混合することによりＡＣ
スタビライズ効果をもたせ、表示特性を大きく向上させ
る液晶組成物および該液晶素子を提供することにある。

（岑下余申） ［問題を解決するための手段］ 本発明は下記一般式（１） （タタし、Ｒ，、Ｒ２はＣ０〜Ｃ１８の置換基を有して
いてもよい直鎖状又は分岐状のアルキル基であり、少な
（とも一方は光学活性である。

のいずれかを示す。） で示される化合物の少なくとも一種と、下記一般式（Ｉ
Ｉ　） （タタシ、Ｒ３＋　Ｒ４はＣ工〜ＣＩｌ＋の置換基を有
していてもよい直鎖状又は分岐状のアルキル基であり、
のいずれかを示す。ｍ、ｎは０．　１もしくは２を示す
。ただし、ｍ　＋　ｎは２以上である。）で示される化
合物の少なくとも一種と、さらに、誘電異方性が負の液
晶性化合物の少なくとも１種とを含有することを特徴と
する強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物ならびに
該液晶組成物を一対の電極基板間に配置してなる液晶素
子を提供するものである。

（以下余白） また本発明は、該誘電異方性が負の液晶性化合物が、好
ましくはΔε〈−２を示し、より好ましくはΔε＜−５
、さらに好ましくはΔε＜＝ＩＯを示す液晶化合物を用
いて、前記強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物に
さらに含有させた強誘電性カイラルスメクチック液晶組
成物ならびにそれを有する液晶素子を提供するものであ
る。

また本発明は、該誘電異方性が負の液晶性化合物が、下
記一般式（■−■）から（■−■）で示される中から選
ばれる化合物を用いて前記強誘電性カイラルスメクチッ
ク液晶組成物にさらに含有させた強誘電性カイラルスメ
クチック液晶組成物ならびにそれを有する液晶素子を提
供するものである。

一般式（■−■） （Ｒａ、　　Ｒｂは置換基を有していてもよい直鎖状又
は分岐状のアルキル基、 →ふΣにい→（トランス・ トランス） Ａｅ＋ Ａ＋が同時に単結合にはならない。〕 一般式 Ａｂがともに単結合の場合、 Ｘｂ。

Ｘｅは単結合 であり、Ｘａ。

Ｘｄは供に単結合又は供に一〇− で Ｙ。

Ｙｂは、 シアノ基。

ハロゲン。

水素、 ただし Ｙ　ａ　。

Ｙｂが同時に水素にはならない。〕 Ｒ，は置換基を有していてもよい直鎖又は分岐−殺伐（
■−■） のアルキル基、 ただしＡ、が単結合のとき直鎖アル キル基であり、 は−〇−又は （Ｒｅ。

Ｒ「は置換基を有していてもよい直鎖状又は分岐状のア
ルキル基、 ただしＡ＋が単結合のときＸ は単結合であり、 ＣＲ，。

Ｒｏは置換基を有していてもよい直鎖又は分岐のアルキ
ル基、 ＜、Ａ）が単結合のときＸｉ＋は単結合である。〕一般
式（■−■） −ＱＣ）Ｉ　２− −ＣＨ２０Ｈ２− 〔Ｒ１゜ Ｒｔｎは置換基を有していてもよい直鎖又は分岐のアル
キル基、 Ａｋ。

ＡＩは同時に単結合にならない。

ＣＨ２ＣＨ２− −ＣミＣ−） 一般式 前述の一般式（１）で示される化合物のうち、好ましい
化合物例としては、一般式（１）においてＸ、が−Ｏ−
である下記（１−ａ）で示されるものが挙げられる。

（Ｒ＋＋　Ｒ２は前述の通り） 又、上記（１−ａ）におけるＲ、、Ｒ２のより好ましい
例としては下記（１−ｉ　）　−（Ｉ　−ｉｉｉ　）を
挙げることができる。

不 ＣＨ３ Ｒ２が−（ＣＨ２″＋、　ＣＨ−Ｒ、。

＊ （ｓ、　ｔはＯ〜７であり、Ｒ，、Ｒ，は直鎖状又は分
岐状のアルキル基） 又、前述の一般式（ＩＩ　）で示される化合物のうち、
好ましい化合物例としては、一般式（ｎ　−ａ　）から
（ＩＩ　−ｃ　）式で示される化合物が挙げられる。

亭 （ＳはＯ〜７であり、Ｒ６は直鎖状又は分岐状のアルキ
ル基） （ｔはＯ〜７であり、 のアルキル基） は直鎖状又は分岐状 （Ｒ３゜ Ｒ４＋ Ｘ２゜ Ｘ３は前述の通り） 又さらに、上述の（ＩＩ−ａ）　〜（ＩＩ−ｃ）式にお
けるＸ２、Ｘ３の好ましい例としては下記（ＩＩ−ｉ）
〜（ＩＩ　−ｖｉｉｉ　）を挙げることができる。

（ＩＩ−４）Ｘ２　　が　単結合、　　Ｘ３　が　単結
合（ＩＩ−ｉｉ）　　　Ｘ　２　　カ　　単結合、　　
ｘ３　が　−〇−（ＴＩ−ｉｉｉ）　　Ｘ　２　　が　
単結合、　　Ｘ３　が　−ＯＣ−（ＩＩ−４ｖ）Ｘ２　
　が　単結合、　　ｘ３　が　−ＣＯ−（ＩＩ−ｖ）Ｘ
２　　が　−〇−１Ｘ３　が　単結合（ＩＩ−ｖｉ）Ｘ
２が一〇−１Ｘ３が一〇−（ＩＩ−ｖｉｉ）　Ｘ　２が
一〇−１Ｘ３が−ＯＣ−（ＩＩ−ｖｉｉｉ）　Ｘ　２が
−〇−１ｘ３が−ＣＯ−又さらに、上述の（ＩＩ　−ａ
　）　〜（ＩＩ　−ｃ　）式におけるＲ３、　Ｒ４の好
ましい例としては下記（ＩＩ　−ｉｘ　）〜（ＩＩ　−
ｘｉ　）を挙げることができる。

（ＩＩ　−ｉｘ）　　Ｒ３がｎ−アルキル基＋　　　Ｒ
４がｎ−アルキル基Ｈ３ （ＩＩ−ｘ）　　Ｒ３がｎ−アルキル基＋　　Ｒ４が−
ＩＥ−ＣＨ２）、ＣＨ−Ｒ。

＊ （ｐはＯ〜７であり、Ｒ６は直鎖状又は分岐状（ＩＩ−
ｘｉ） Ｒ３がｎ−アルキル基。

ＣＨ３ Ｒ４が＋、Ｃ）Ｉ　２Ｅｌ−、ｌＣＨ壬ＣＨ２＋、　Ｏ
Ｒ。

（ｐは０〜７であり、ｒはＯもしくは１、Ｒ８は直鎖状
又は分岐状のアルキル基）（以下余白） のアルキル基） 前記−殺伐 （Ｉ） で示される化合物の具体的な構 造式の例を以下に示す。

ＣＨ３ 前記−殺伐（１）で示される化合物は、例えば特開昭６
１−９３１７０．特開昭６１−２４５７６、特開昭６１
−１２９１７０．特開昭６１−２１５３７２などに記載
の合成方法により得られる。例えば下記に示すような合
成経路で得ることができる。

（以下余白）、 Ｒ２Ｘ　ｌ　−＠−ＣＮ （Ｒ は前述の通り） す 前記−殺伐（ＩＩ） で示される化合物の具体的な 構造式の例を以下に示す。

す （２，−６０） （以下余白） 一般式ＣＴＩ’） で示される化合物は、 例えば特許 公報昭６２−５４３４ などに記載の方法に より得ることができる。

又、 例えば、 で示される化合物は、 下記の合成経路で合成する ことができる。

（以下余白） （式中のＲ３゜ Ｒ４・ ｍ。

ｎは前述の通りである） 前記一般式（■−■） から （■−■） で表わさ れる液晶性化合物の具体的な構造式の例を以下に示す。

但し、 （ｍ） 式において、 各Ｒが示すアルキ リ ル基の炭素数は１〜１８、 好ましくは４〜１６、より 好ましくは６〜１２を示す。

一般式（ｍ−〇） す す （３＝７） す ＜３−１２） す す す り り Ｃ す Ｎ（”） す １”Ｎ す ρＮ す （：３−５６） す ｒ り り り り （以下余白） す 一般式（■−■） す す 一般式（■−■） 」５ （以下余：白） −殺伐（■−■） （，３−１３５） 以 白 一般式（■−■） Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ 本発明の液晶組成物は前記一般式（Ｉ）で示される化合
物の少な（とも１種と、前記一般式（ＩＩ）で示される
化合物の少な（とも１種と、他の液晶性化合物１種以上
とを適当な割合で混合することにより得ることができる
。

本発明の他の目的の液晶組成物は、上記液晶組成物にさ
らに誘電異方性が負の液晶性化合物を少なくとも１種以
上適当な割合で混合することにより得ることができる。

また、本発明による液晶組成物は、強誘電性液晶組成物
、特に強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物が好ま
しい。

本発明で用いる他の液晶性化合物の具体例を下記にあげ
る。

１・・−） （以下余白） （以下余白） 本発明の強誘電性液晶組成物において、本発明の一般式
（Ｉ）で示される液晶性化合物、−殺伐（Ｉりで示され
る液晶性化合物、それぞれと、上述した他の液晶性化合
物一種以上、あるいは、それを含む液晶性組成物（液晶
材料と略す）との配合割合は、液晶材料１００重量部当
り、本発明−殺伐（１）、−殺伐（■）で示される液晶
性化合物それぞれを１〜３００重量部、より好ましくは
２〜１００重Ｅ＋（部とすることが好ましい。

また、本発明の一般式（Ｉ）、−殺伐（Ｉ［）で示され
る液晶性化合物のいずれか、あるいは全てを２種類以上
用いる場合も他の液晶材料との配合割合は、前述した液
晶材料１００重量部当り、本発明−殺伐（Ｉ）、−殺伐
（ｎ）で示される液晶性化合物のいずれか、あるいは全
ての２種以上の混合物を、１〜５００重量部、より好ま
しくは２〜１００重量部とすることがのぞましい。

また、−殺伐（Ｉ）で示される液晶性化合物に対する一
般式（ＩＩ）で示される液晶性化合物の重量比［−殺伐
（り／−殺伐（■）］は１．　／　３００から３００／
１であり、好ましくは１１５０から５０／１であること
が望ましい。

一般式（Ｉ）、−殺伐（ｎ）で示される液晶性化合物の
それぞれ２種以上用いる場合、−殺伐（１）／−殺伐（
ｎ）はｌ　１５００から５００／１であり、好ましくは
１１５０から５０／ｌであることが望ましい。

また、−殺伐（Ｉ）で示される液晶性化合物と、−殺伐
（ｎ）で示される液晶性化合物の総量と、上述した液晶
材料との配合割合は、−殺伐（Ｉ）と−殺伐（ｎ）の総
量１００重量部当り、他の液晶材料を２〜６００重量部
、好ましくは４〜２００重量部とすることが望ましい。

また、−殺伐（Ｉ）、−殺伐（ｎ）で示される液晶性化
合物のそれぞれを２種以上用いる場合も、−殺伐（Ｉ）
で示される液晶性化合物と一般式（Ｉ［）で示される液
晶性化合物の総量と、上述した液晶材料との配向割合は
、−殺伐（Ｉ）、−殺伐（ｎ）の総量１００重量部当り
、上述した液晶材料を２〜１０００重量部、好ましくは
４〜２００重量部とすることが望ましい。

さらに、誘電異方性が負の成分を含有する強誘電性液晶
組成物中における誘電異方性が負の成分の含有量は、１
〜９８重量％である。特にΔε〈−２の成分を用いる場
合、Δε＜−２の成分の含有量は、１〜７０重量％好ま
しくは、１〜５０重量％とすることが望ましい。

一般式（Ｉ）で示される液晶性化合物と、−殺伐（ｎ）
で示される液晶性化合物と、誘電異方性が負の成分との
総量は、本発明の強誘電性液晶組成物中において、３〜
１００重量％含有される。

本発明で用いる誘電異方性が負の液晶性化合物の誘電異
方性の大きさは、１ε１〉２であることが好ましい。

第１図は強誘電性液晶素子の構成の説明のために、本発
明の強誘電性液晶層を有する液晶素子の１例の断面概略
図である。

第１図において符号１は強誘電性液晶層、２はガラス基
板、３は透明電極、４は絶縁性配向制御層、５はスペー
サー、６はリード線、７は電源、８は偏光板、９は光源
を示している。

２枚のガラス基板２には、それぞれＩｎ２Ｏ３゜ＳｎＯ
２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ　　０ｘｉｄ
ｅ）等の薄膜から成る透明電極が被覆されている。その
上にポリイミドの様な高分子の薄膜をガーゼやアセテー
ト植毛布等でラビングして、液晶を、ラビング方向に並
べる絶縁性配向制御層が形成されている。また絶縁物質
として例えばシリコン窒化物、水素を含有するシリコン
炭化物、シリコン酸化物、硼素窒化物、水素を含有する
硼素窒化物、セリウム酸化物、アルミニウム酸化物、ジ
ルコニウム酸化物、チタン酸化物やフッ化マグネシウム
などの無機物質絶縁層を形成し、その上にポリビニルア
ルコール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステ
ルイミド、ポリパラキシレン、ポリエステル、ポリカー
ボネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポ
リ酢酸ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロース
樹脂、メラミン樹脂、ユリャ樹脂、アクリル樹脂やフォ
トレジスト樹脂などの有機絶縁物質を配向制御層として
、２層で絶縁性配向制御層が形成されていてもよ（、ま
た無機物質絶縁性配向制御層あるいは有機物質絶縁性配
向制御層単層であっても良い。この絶縁性配向制御層が
無機系ならば蒸着法などで形成でき、有機系ならば有機
絶縁物質を溶解させた溶液、またはその前駆体溶液（溶
剤０．１〜２０重量％、好ましくは０．２〜１０重量％
）を用いて、スピンナー塗布法、浸漬塗布法、スクリー
ン印刷法、スプレー塗布法、ロール塗布法等で塗布し、
所定の硬化条件下（例えば加熱下）で硬化させ形成させ
ることができる。

絶縁性配向制御層の層厚は通常３０人〜１μｍ１好まし
くは３０人〜３０００人、さらに好ましくは５０人〜１
０００人が適している。

この２枚のガラス基板２はスペーサー５によって任意の
間隔に保たれている。例えば所定の直径を持つシリカビ
ーズ、アルミナビーズをスペーサーとしてガラス基板２
枚で挾持し、周囲をシール材、例えばエポキシ系接着材
を用いて密封する方法がある。その他スペーサーとして
高分子フィルムやガラスファイバーを使用しても良い。

この２枚のガラス基板の間に強誘電性液晶が封入されて
いる。

強誘電性液晶が封入された強誘電性液晶層は、一般には
０．５〜２０μｍ１好ましくは１〜５μｍである。

また、この強誘電性液晶は室温を含む広い温度域（特に
低温側）でＳｍＣ＊相（カイラルスメクチックＣ相）を
有し、かつ、素子とした場合には駆動電圧マージン、お
よび駆動温度マージンが広いことがが望まれる。

また、特に素子とした場合に良好な均−配向性を示すモ
ノドメイン状態を得るには、その強誘電性液晶は等吉相
からｃｈ相（コレステリック相）−Ｓ　ｍ　Ａ相（スメ
クチックＡ相）−ＳｍＣ＊相（カイラルスメクチックＣ
相）という相転移系列を有していることが望ましい。

透明電極３からはリード線によって外部電源７に接続さ
れている。

またガラス基板２の外側には偏光板８が貼り合わせであ
る。

第１図は透明型なので光源９を備えている。

第２図は強誘電性液晶素子の動作説明のために、セルの
例を模式的に描いたものである。２１ａと２１ｂはそれ
ぞれＩｎ２Ｏ３，５ｎ０２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕ
ｍ−Ｔｉｎ　　０ｘｉｄｅ）等の薄膜からなる透明電極
で被覆された基板（ガラス板）であり、その間に液晶分
子層２２がガラス面に垂直になるよう配向したＳｍＣ＊
相またはＳｍＨ＊相の液晶が封入されている。太線で示
した線２３が液晶分子を表わしており、この液晶分子２
３はその分子に直交した方向に双極子モーメント（Ｐ±
）２４を有している。基板２１ａと２１ｂ上の電極間に
一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子２３のら
せん構造がほどけ、双極子モーメント（Ｐ±）２４がす
べて電界方向に向くよう、液晶分子２３は配向方向を変
えることができる。液晶分子２３は細長い形状を有して
おり、その長袖方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、
従って例えばガラス面の上下に互いにクロスニコルの偏
光子を置けば、電圧印加極性によって光学特性が変わる
液晶光学変調素子となることは、容易に理解される。

本発明の光学変調素子で好ましく用いられる液晶セルは
、その厚さを充分に薄く（例えば１０μ以下）すること
ができる。このように液晶層が薄くなるにしたがい、第
３図に示すように電界を印加していない状態でも液晶分
子のらせん構造がほどけ、その双極子モーメントＰａま
たはｐｂは上向き（３４ａ）または下向き（３４ｂ）の
どちらかの状態をとる。このようなセルに、第３図に示
す如（一定の閾値以上の極性の異る電界ＥａまたはＥｂ
を電圧印加手段３１ａと３１ｂにより付与すると、双極
子モーメントは電界ＥａまたはＥｂの電界ベクトルに対
応して上向き３４ａまたは下向き３４ｂと向きを変え、
それに応じて液晶分子は、第１の安定状態３３ａかある
いは第２の安定状態３３ｂの何れか一方に配向する。

このような強誘電性を光学変調素子として用いることの
利点は先にも述べたが２つある。

その第１は、応答速度が極めて速いことであり、第２は
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第２の
点を例えば第３図によって更に説明すると、電界Ｅａを
印加すると液晶分子は第１の安定状態３３ａに配向する
が、この状態は電界を切っても安定である。また、逆向
きの電界Ｅｂを印加すると、液晶分子は第２の安定状態
３３ｂに配向してその分子の向きを変えるが、やはり電
界を切ってもこの状態に留っている。また与える電界Ｅ
ａあるいはＥｂが一定の閾値を越えない限り、それぞれ
前の配向状態にやはり維持されている。

この様な特性を有する強誘電性液晶材料を一対の基板間
に挾持した素子で単純マトリクス表示装置とした場合、
例えば特開昭５９−１９３４２６号公報、同５９−１９
３４２７号公報、同６０−１５６０４６号公報や同６０
−１５６０４７号公報などに開示された駆動法を適用す
ることができる。

第４図は、本発明の実施例中で用いた駆動法の波形図で
ある。また、第５図は、本発明で用いたマトリクス電極
を配置した強誘電性液晶パネル５１の平面図である。第
５図のパネル５１には、走査線５２とデータ線５３とが
互いに交差して配線され、その交差部の走査線５２とデ
ータ線５３との間には強誘電性液晶が配置されている。

第４図（Ａ）中の８８は選択された走査線に印加する選
択走査波形を、ＳＮは選択されていない非選択走査波形
を、Ｉｓは選択されたデータ線に印加する選択情報波形
（黒）を、■、は選択されていないデータ線に印加する
非選択情報信号（白）を表わしている。また、図中（Ｉ
ｓ　　ｓｓ）と（ＩＮＳＳ）は選択された走査線上の画
素に印加する電圧波形で、電圧（Ｉｓ−８ｓ）が印加さ
れた画素は黒の表示状態をとり、電圧（Ｉや一５Ｓ）が
印加された画素は白の表示状態をとる。

第４図（Ｂ）は第４図（Ａ）に示す駆動波形で第６図に
示す表示を行ったときの時系列波形である。

第４図に示す駆動例では、選択された走査線上の画素に
印加される単一極性電圧の最小印加時間△ｔが書込み位
相ｔ２の時間に相当し、ｌラインクリヤｔ１位相の時間
が２△ｔに設定されている。

さて、第４図に示した駆動波形の各パラメータｖｓｌ　
　ｖ、　ｌ△ｔの値は使用する液晶材料のスイッチング
特性によって決定される。第７図は後述するバイアス比
を一定に保ったまま駆動電圧（■８＋Ｖ＋）を変化させ
たときの透過率Ｔの変化、即ちＶ−Ｔ特性を示したもの
である。ここでは、△ｔ＝５０、ｃｚｓ、バイアス比Ｖ
＋／　（Ｖ＋＋Ｖｓ）　＝　ｌ　／　３に固定されてい
る。第７図の正側は第４図で示した（ＩＮＳＳ）、負側
は（ｔｓ　　ｓｓ）で示した波形が印加される。ここで
ｖｌ、ｖ３をそれぞれ実駆動閾値電圧、及びクロストー
ク電圧（Ｖｓ　−ｖ、　　が■３を越えると反転してし
まうのでスイッチング不良電圧ともいう。）と呼ぶ。但
しくＶ２＜Ｖ、　＜Ｖ３）また△Ｖ−（Ｖ３　　Ｖｌ）
を電圧マージンと呼び、マトリクス駆動可能な電圧幅と
なる。ｖ３はＦＬＣのマトリクス駆動上、−船釣に存在
すると言ってよい。具体的には、第４図（Ａ）　（ＩＮ
　　ＳＳ）の波形におけるｖ８によるスイッチングを起
こす電圧値である。勿論、バイアス比を大きくすること
により■３の値を太き（することは可能であるが、バイ
アス比を増すことは情報信号の振幅を大きくすることを
意味し、画質的にはちらつきの増大、コントラストの低
下を招き好ましくない。我々の検討ではバイアス比は１
／３〜１／４程度が実用的であった。ところでバイアス
比を固定すれば、電圧マージン△Ｖは液晶材料のスイッ
チング特性に強く依存し、△Ｖの大きい液晶材料がマト
リクス駆動上非常に有利であることは言うまでもない。

この様な、ある一定温度において、情報信号の２通りの
向きによって選択画素に「黒」および「白」の二状態を
書き込むことが可能であり、非選択画素は、その「黒」
または「白」の状態を保持することが可能である印加電
圧の上下限の値およびその幅（駆動電圧マージン△Ｖ）
は液晶材料間で差があり特有なものである。また環境温
度の変化によっても、駆動マージンはズしていくため、
実際の表示装置の場合、液晶材料や環境温度に対して最
適駆動電圧にしてお（必要がある。

しかしながら、実用上この様なマトリクス表示装置の表
示面積を拡大していく場合、各画素における液晶の存在
環境の差（具体的には、温度や電極間のセルギャップの
差）は当然大きくなり、駆動電圧マージンが小さな液晶
では、表示エリア全体に良好な画像を得ることが出来な
くなる。

以下実施例により本発明について更に詳細に説明するが
、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

実施例１ 下記重量部で混合した液晶組成物１−Ａを作成した。

例示化合物Ｎｏ。

構造式 ％式％ 構造式 重量部 ｃｓ　１＋９　ｏｃｕ、ｃｏ２ｏ＠−ｃｏｏ＠＠−ｃｏ
ｏｃ、　ｉ＋　１３ＣｔｏＨ２１０＠ＣＯＯ−■−”４
Ｈ１？ω Ｃ１゜Ｈ２，Ｏ−■−ＣＯＯ−＠ＱＣｓＨＩ７この液晶
組成物１−Ａに対して例示化合物１１８．２−２９をそ
れぞれ下記の重量部で混合し、液晶組成物１−Ｂを得た
。

例示化合物Ｎｏ。

構造式 次に、これらの液晶組成物を以下の手順で作製したセル
を用いて、光学的な応答を観察した。

２枚の１．１ｍｍ厚のガラス板を用意し、それぞれのガ
ラス板上にＩＴＯ膜を形成し、電圧印加電極を作成し、
さらにこの上にＳｉ０２を蒸着させ絶縁層とした。

この基板上にポリイミド樹脂前駆体［東し■５Ｐ−５１
０］　１．０％ジメチルアセトアミド溶液を回転数３０
０Ｏｒ、ｐ、ｍのスピンナーで１５秒間塗布した。成膜
後、６０分間、３００℃加熱縮合焼成処理を施した。二
の時の塗膜の膜厚は約１２０人であった。

この焼成後の被膜には、アセテート植毛布によるラビン
グ処理がなされ、その後イソプロピルアルコール液で洗
浄し、平均粒径１．５μｍのシリカビーズを一方のガラ
ス板上に散布した後、それぞれのラビング処理軸が互い
に平行となる様にし、接着シール剤［リクソンボンド（
チッソ■）コを用いてガラス板をはり合わせ、６０分間
、１００℃にて加熱乾燥しセルを作成した。このセルの
セル厚をベレツク位相板によって測定したところ約１．
５μｍであった。

このセルに上述の液晶組成物１−Ｂを等方性液体状態で
注入し、等吉相から２０°Ｃ／ｈで２５℃まで徐冷する
ことにより、強誘電性液晶素子を作成した。

この強誘電性液晶素子を用いて、前述した第４図に示す
駆動波形（ｌ／３バイアス）で駆動電圧マージン△Ｖ　
（Ｖ３　　Ｖ２　）を測定した。その結果を次に示す。

（尚、Δｔはｖ２−．１５ｖとなる様に設定） １０℃　　　　　２５℃　　　　　４０”Ｃ駆動電圧マ
ージン１２．５Ｖ　　　　　１２．５Ｖ　　　　　９．
ＯＶ（測定時設定Δｔ）　　　（９５０μ５ｅｃ）　　
（２８０μ５ｅｃ）　　（１００μ５ｅｃ）さらに２５
℃における駆動電圧マージンの中央値に電圧を設定して
測定温度を変化させた場合駆動可能な温魔差（以下、駆
動温度マージンという）は±３．１℃であった。

また、２５℃におけるこの駆動時のコントラストは８で
あった。

比較例１ 実施例１で混合した液晶組成物１−Ｂのうち例示化合物
Ｎｏ、２−２９を混合せずにｌ−Ａに対して例示化合物
Ｎｏ、　１−１８のみを混合した液晶組成物１−Ｃと例
示化合物Ｎｏ、　１−１８を混合せずに１−Ａに対して
例示化合物Ｎｏ、２−２９のみを混合した液晶組成物１
−Ｄを作成した。

液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物１−Ａ、
１−Ｃ及び１−Ｄをセル内に注入する以外は、全〈実施
例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、駆動電
圧マージン△Ｖを測定した。その結果を次に示す。

駆動電圧マージン（測定時設定△ｔ） １０℃　　　　２５℃　　　　４０℃ １−Ａ　　　Ｉｏ、ＯＶ　　　　　ｌＯ，ＯＶ　　　　
　８．０Ｖ（１３００μ５ｅｃ）　　（３４０μ５ｅｃ
）　　　（１００μ５ｅｃ）１−Ｃｌｏ、５Ｖ　　　　
　１１．ＯＶ　　　　　８．０Ｖ（１１００μ５ｅｃ）
　　（３１０μ５ｅｃ）　　　（１００μ５ｅｃ）１−
Ｄ　　　１１．ＯＶ　　　　　１１．ＯＶ　　　　　９
．０Ｖ（１１００μ５ｅｃ）　　（３１０４ｓｅｃ）　
　　（１００μ５ｅｃ）さらに２５℃における駆動温度
マージンは、１−Ａで±２．４℃、ｌ−Ｃで±２．６℃
、１−Ｄで上２゜７°Ｃであった。

実施例１と比較例１より明らかな様に、本発明による液
晶組成物１−Ｂを含有する強誘電性液晶素子の方が駆動
電圧及び温度マージンは広がっており、環境温度の変化
や、セルギャップのバラツキに対して画像を良好に保つ
能力にすぐれている。

実施例２ 実施例１で混合した液晶組成物１−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物２−Ｂを得た。

−Ａ これを用いた他は実施例１と同様の方法で強誘電性液晶
素子を作成し、実施例１と同様の方法で駆動マージンを
測定し、スイッチング状態等を観察した。この液晶素子
内の均一配向性は良好であり、モノドメイン状態が得ら
れた。測定結果を次に示す。

１０℃　　　　　２５℃　　　　　４０℃駆動電圧マー
ジン　　　１３．ＯＶ　　　　　１３．５Ｖ　　　　　
１０．０Ｖ（１１１Ｉ定時設定△ｔ）　　　（８５０μ
５ｅｃ）　　（２６０μ５ｅｃ）　　（１００μ５ｅｃ
）さらに２５℃における駆動温度マージンは、±３．８
℃であった。またこの温度における、この駆動時のコン
トラストは９であった。

比較例２ 実施例２で混合した液晶組成物２−Ｂのうち例示化合物
Ｎｏ、２−１２を混合せずに１−Ａに対して例示化合物
Ｎｏ、１−１３．　１−３７のみを混合した液晶組成物
２−Ｃと例示化合物Ｎｏ、１−１３．　１−３７を混合
せずに１−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、２−１２のみを
混合した液晶組成物２−Ｄを作成した。

液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物１−Ａ、
２−Ｃ及び２−Ｄをセル内に注入する以外は、全〈実施
例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、駆動電
圧マージン△Ｖを測定した。その結果を次に示す。

駆動電圧マージン（測定時設定△ｔ） １０°０　　　　２５℃　　　　４０℃１−Ａ　　　Ｉ
ｏ、ＯＶ　　　　　１０．ＯＶ　　　　　８．０Ｖ（１
３００μ５ｅｃ）　　（３４０μ５ｅｃ）　　　（１０
０μ５ｅｃ）２−ＣＩｏ、ＯＶ　　　　　１１．ＯＶ　
　　　　８．５Ｖ（１１００１１ｓｅｃ）　　（３００
μ５ｅｃ）　　　（１００μ５ｅｃ）２−Ｄ　　　１１
．ＯＶ　　　　　１１．５Ｖ　　　　　９．５Ｖ（１１
００μ５ｅｃ）　　（３００ｔ１ｓｅｃ）　　　（１０
０μ５ｅｃ）さらに２５℃における駆動温度マージンは
、１−Ａで±２．４℃、２−Ｃで±２．７℃、２−Ｄで
±２．９℃であった。

実施例２と比較例２より明らかな様に、本発明による液
晶組成物２−Ｂを含有する強誘電性液晶素子の方が駆動
電圧及び温度マージンは広がっており、環境温度の変化
や、セルギャップのバラツキに対して画像を良好に保つ
能力がすぐれている。

実施例３ 実施例１で混合した液晶組成物１−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物３−Ｂを得た。

−Ａ これを用いた他は実施例１と同様の方法で強誘電性液晶
素子を作成し、実施例１と同様の方法で駆動マージンを
測定し、スイッチング状態等を観察した。この液晶素子
内の均一配向性は良好であり、モノドメイン状態が得ら
れた。測定結果を次に示す。

１０℃　　　　　２５℃　　　　　４０℃駆動電圧マー
ジン　　　１２．５Ｖ　　　　　１３．ＯＶ　　　　　
９．５Ｖ（測定時設定△ｔ）　　　（８５０μ５ｅｃ）
　　（２６０μ５ｅｃ）　　（１００ｐ　５ｅｃ）さら
に２５℃における駆動温度マージンは、±３．６℃であ
った。またこの温度における、この駆動時のコントラス
トは１０であった。

比較例３ 実施例３で混合した液晶組成物３−Ｂのうち例示化合物
Ｎｏ、２−１１．　２−４４を混合せずに１−Ａに対し
て例示化合物Ｎｏ、　１−１６のみを混合した液晶組成
物３−Ｃと例示化合物Ｎｏ、１−１６を混合せずに１−
Ａに対して例示化合物Ｎｏ、２−１１．２−４４のみを
混合した液晶組成物３−Ｄを作成した。

液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物１−Ａ、
３−Ｃ及び３−Ｄをセル内に注入する以外は、全（実施
例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、駆動電
圧マージン△Ｖを測定した。その結果を次に示す。

駆動電圧マージン（測定時設定△ｔ） １０℃　　　　２５°Ｃ４０°Ｃ ！−Ａ　　　Ｉｏ、ＯＶ　　　　　１０．ＯＶ　　　　
　８．０Ｖ（１３００μ５ｅｃ）　　（３４０μ５ｅｃ
）　　　（１００μ５ｅｃ）３−ＣＩｏ、５Ｖ　　　　
　ｌ　１．ＯＶ　　　　　８．５Ｖ（１１００μ５ｅｃ
）　　（３１０μ５ｅｃ）　　　（１，００μ５ｅｃ）
３−Ｄ　　　１１．ＯＶ　　　　　１１．５Ｖ　　　　
　９．０Ｖ（１１００μ５ｅｃ）　　（３１０μ５ｅｃ
）　　　（ｌｏＯμ５ｅｃ）さらに２５°Ｃにおける駆
動温度マージンは、ｌ−Ａで±２．４℃、３−Ｃで±２
．５℃、３−Ｄで上２゜８°Ｃであった。

実施例３と比較例３より明らかな様に、本発明による液
晶性化合物３−Ｂを含有する強誘電性液晶素子の方が駆
動マージンは広がっており、環境温度の変化や、セルギ
ャップのバラツキに対して画像を良好に保つ能力にすぐ
れている。

（以下余白） 実施例４ 下記の重量部で混合した液晶性組成物４−Ａを作成した
。

この液晶組成物４−Ａに対して例示化合物１−１４、　
１−２５．　２−５．　２−８をそれぞれ下記の重量部
で混合し、液晶組成物４−Ｂを得た。

−Ａ 液晶組成物１−Ｂをこの液晶組成物４−Ｂに代えたほか
は実施例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、
実施例１と同様の方法で駆動マージン△Ｖを測定し、ス
イッチング状態等を観察した。

この液晶素子内の均−配向性は良好でありモノドメイン
状態が得られた。測定結果を次に示す。

５℃　　　２５℃　　　４５℃ 駆動電圧マージン＝　　　１１．ＯＶ　　　　　１２．
７Ｖ　　　　　８．５Ｖ（測定時設定△ｔ）　　　（４
５０μ５ｅｃ）　　（１０５ｐ　５ｅｃ）　　（４０μ
５ｅｃ）さらに２５℃における駆動温度マージンは、上
３゜０℃であった。またこの温度における、この駆動時
のコントラストは９であった。

比較例４ 実施例４で混合した液晶組成物４−Ｂのうち例示化合物
Ｎｏ、２−５．２−８を混合せずに４−Ａに対して例示
化合物Ｎｏ、１−１４．　１−２５のみを混合した液晶
組成物４−Ｃと例示化合物Ｎｏ、１−１４．　１−２５
を混合せずに４−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、２−５゜
２−８のみを混合した液晶組成物４−Ｄを作成した。

液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物４−Ａ、
４−Ｃ及び４−Ｄをセル内に注入する以外は、全〈実施
例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、駆動電
圧マージン△Ｖを測定した。その結果を次に示す。

駆動電圧マージン（測定時設定△ｔ） １０℃　　　２５℃　　　　４０°Ｃ ４−Ａ　　　７．ＯＶ　　　　９．ＯＶ　　　　　６．
０Ｖ（５２５μ５ｅｃ）　　（１４０μ５ｅｃ）　　　
（４５ｐ　５ｅｃ）４−Ｃ７，５Ｖ　　　　９．５Ｖ　
　　　　６．０Ｖ（５２０ｐ　５ｅｃ）　　（１３０μ
５ｅｃ）　　　（４５μ５ｅｃ）４−Ｄ　　　８．ＯＶ
　　　　１０．ＯＶ　　　　　７．０Ｖ（５０５μ５ｅ
ｃ）　　（１２０μ５ｅｃ）　　　（４り　μ５ｅｃ）
さらに２５℃における駆動温度マージンは、４−Ａで±
２．０℃、４−Ｃで±２．１℃、４−Ｄで上２゜３°Ｃ
であった。

実施例４と比較例４より明らかな様に、本発明による液
晶組成物４−Ｂを含有する強誘電性液晶素子の方が駆動
電圧及び温度マージンは広がっており、環境温度の変化
や、セルギャップのバラツキに対して画像を良好に保つ
能力がすぐれている。

実施例５ 実施例４で混合した液晶組成物４−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物５−Ｂを得た。

−Ａ これを用いた他は実施例１と同様の方法で強誘電性液晶
素子を作成し、実施例１と同様の方法で駆動マージンを
測定し、スイッチング状態等を観察した。この液晶素子
内の均−配向性は良好であり、モノドメイン状態が得ら
れた。測定結果を次に示す。

１０℃　　　２５℃　　　　４０℃ 駆動電圧マージン１１．ＯＶ　　　　　１２．５Ｖ　　
　　　８．ＯＶ（測定時設定△ｔ）　　　（４５０ｇｓ
ｅｃ）　　（１１０μ５ｅｃ）　　（４０μ５ｅｃ）さ
らに２５℃における駆動温度マージンは、±３．０℃で
あった。またこの温度における、この駆動時のコントラ
ストは１０であった。

比較例５ 実施例５で混合した液晶組成物５−Ｂのうち例示化合物
Ｎｏ、２−１４．２−５０．２−１１を混合せずに４−
Ａに対して例示化合物Ｎｏ、１−１６．　１−２のみを
混合した液晶組成物５−Ｃと例示化合物Ｎｏ、１−１６
゜１−２を混合せずに４−Ａに対して例示化合物Ｎｏ。

２−１４．２−５０．２−１１のみを混合した液晶組成
物５−Ｄを作成した。

液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物４−Ａ、
５−Ｃおよび５−Ｄをセル内に注入する以外は、全〈実
施例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、駆動
電圧マージン△Ｖを測定した。

その結果を次に示す。

駆動電圧マージン（測定時設定△ｔ） １０℃　　　　２５℃　　　　４０℃ ４−Ａ、　　　７Ｖ　　　　　　９Ｖ　　　　　　６Ｖ
（５２５μ５ｅｃ）　　　（１４０μ５ｅｃ）　　　（
４５μ５ｅｃ）５−Ｃ７，５Ｖ　　　　　　９Ｖ　　　
　　　６，５Ｖ（４８０μ５ｅｃ）　　　（１２０μ５
ｅｃ）　　　（４５μ５ｅｃ）５−Ｄ　　　８．ＯＶ　
　　　　ＩＯＶ　　　　　　７．０Ｖ（５１０μ５ｅｃ
）　　　（１１５μ５ｅｃ）　　　（４５μ５ｅｃ）さ
らに２５℃における駆動温度マージンは、４−Ａで±２
．０℃、！＞−Ｃで±２．２℃、５−Ｄで±２．４℃で
あった。

実施例５と比較例５より明らかな様に、本発明による液
晶組成物５−Ｂを含有する強誘電性液晶素子の方が駆動
マージンは広がりでおり、環境温度の変化や、セルギャ
ップのバラツキに対して画像を良好に保つ能力がすぐれ
ている。

実施例６ 下記重量部で混合した液晶組成物６−Ａを作成した。

例示化合物Ｎｏ。

構造式 ％式％ この液晶組成物６−Ａに対して例示化合物１−１６、　
２−１１．　２−４４をそれぞれ下記の重量部で混合し
、液晶組成物６−Ｂを得た。

−Ａ 液晶組成物１−Ｂをこの液晶組成物６−Ｂに代えたほか
は実施例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、
実施例１と同様の方法で駆動電圧マージン△Ｖを測定し
、スイッチング状態等を観察した。この液晶素子内の均
一配向性は良好でありモノドメイン状態が得られた。測
定結果を次に示す。

１０℃　　　２５℃　　　４５°Ｃ 駆動電圧マージン１３．５Ｖ　　　　　１４Ｖ　　　　
　　１１．ＯＶ（測定時設定△ｔ）　　　（７００μ５
ｅｃ）　　（２２０μ５ｅｃ）　　（７５，０μ５ｅｃ
）さらに２５℃における駆動温度マージンは、±４．０
℃であつた。またこの温度における、この駆動時のコン
トラストは１１であった。

比較例６ 実施例６で混合した液晶組成物６−Ｂのうち例示化合物
Ｎｏ、２−１１．２−４４を混合せずに６−Ａに対して
例示化合物Ｎｏ、１−１６のみを混合した液晶組成物６
−Ｃと例示化合物Ｎｏ、　１−１６を混合せずに６−Ａ
に対して例示化合物Ｎｏ、２−１１．　２−４４のみを
混合した液晶組成物６−Ｄを作成した。

液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物６−Ａ、
６−Ｃ及び６−Ｄをセル内に注入する以外は、全（実施
例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、駆動電
圧マージン△Ｖを測定した。その結果を次に示す。

駆動電圧マージン（測定時設定△ｔ） １０℃　　　　２５℃　　　　４０℃ ６−Ａ　　　９Ｖ　　　　　９．５Ｖ　　　　　８．５
Ｖ（１０５０／！Ｚ　５ｅｃ）　　（２８０μ、５ｅｅ
）　　　（７８μ５ｅｃ）６−ＣＩｏ、５Ｖ　　　　　
１１．ＯＶ　　　　　９．５Ｖ（９００μ５ｅｃ）　　
　（２５０μ５ｅｃ）　　　（７８μ５ｅｃ）６−Ｄ　
　　１１．ＯＶ　　　　　１１．ＯＶ　　　　　９．５
Ｖ（９００ｕ　５ｅｃ）　　　（２５０ｕ　５ｅｃ）　
　　（７８μ５ｅｃ）さらに２５℃における駆動温度マ
ージンは、６−Ａで±２．２℃、６−Ｃで±２．６℃、
６−Ｄで±２．６℃であつた。

実施例６と比較例６より明らかな様に、本発明による液
晶組成物６−Ｂを含有する強誘電性液晶素子の方が駆動
マージンは広がっており、環境温度の変化や、セルギャ
ップのバラツキに対して画像を良好に保つ能力がすぐれ
ている。

実施例７ 実施例６で混合した液晶組成物６−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物７−Ｂを得た。

例示化 合物魔 構　　造　　式 これを用いた他は実施例１と同様の方法で強誘電性液晶
素子を作成し、実施例１と同様の方法で駆動マージンを
測定し、スイッチング状態等を観察した。この液晶素子
内の均一配向性は良好であり、モノドメイン状態が得ら
れた。測定結果を次に示す。

１０℃　　　　　２５℃　　　　　４０°Ｃ駆動電圧マ
ージン　　　１２．ＯＶ　　　　　１２，３Ｖ　　　　
　９．５Ｖ（測定時設定△ｔ）　　　（７２０μ５ｅｃ
）　　（２１０μ５ｅｃ）　　（８０μ５ｅｃ）さらに
２５℃における駆動温度マージンは、±３．０℃であっ
た。またこの温度における、この駆動時のコントラスト
はｌＯであった。

比較例７ 実施例７で混合した液晶組成物７−Ｂのうち例示化合物
Ｎｏ、２−１０．２−３２を混合せずに６−Ａに対して
例示化合物Ｎｏ、　１−６のみを混合した液晶組成物７
−Ｃと例示化合物Ｎｏ、　ｌ　−６を混合せずに６−Ａ
に対して例示化合物Ｎｏ、２−１０．　２−３２のみを
混合した液晶組成物７−Ｄを作成した。

液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物６−Ａ、
７−Ｃ及び７−Ｄをセル内に注入する以外は、全〈実施
例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、駆動電
圧マージン△Ｖを測定した。その結果を次に示す。

駆動電圧マージン（測定時設定△ｔ） １０℃　　　　２５℃　　　　４０℃ ６−Ａ　　　９Ｖ　　　　　９．５Ｖ　　　　　８．５
Ｖ（１０５０μ５ｅｃ）　　（２８０μ５ｅｃ）　　　
（７８μ５ｅｃ）７−ＣＩｏ、ＯＶ　　　　　９．５Ｖ
　　　　　８．５Ｖ（９００μ５ｅｃ）　　　（２５０
μ５ｅｃ）　　　（７８μ５ｅｃ）７−Ｄ　　　Ｉｏ、
５Ｖ　　　　　１０．ＯＶ　　　　　８．５Ｖ（９００
μ５ｅｃ）　　　（２５０μ５ｅｃ）　　　（７８μ５
ｅｃ）さらに２５℃における駆動温度マージンは、６−
Ａで±２．２℃、７−Ｃで±２．２℃、７−Ｄで上２゜
５°Ｃであった。

実施例７と比較例７より明らかな様に、本発明による液
晶組成物７−Ｂを含有する強誘電性液晶素子の方が駆動
電圧及び温度マージンは広がっており、環境温度の変化
や、セルギャップのバラツキに対して画像を良好に保つ
能力がすぐれている。

乙 （以下余白） 実施例８ 実施例６及び比較例６で使用した液晶組成物６−Ｂ。

６−Ｃ，６−Ｄ、６−Ａを５ｉｎ２を用いずに、ポリイ
ミド樹脂だけで配向制御層を作成した以外は全〈実施例
１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１
と同様の方法で駆動電圧マージンを測定した。その結果
を次に示す。

駆動電圧マージン（測定時設定△ｔ） ６−Ｂ　　　１３．５Ｖ　　　　　１４．ＯＶ　　　　
　１１．５Ｖ（７００μ５ｅｃ）　　　（２２０μ５ｅ
ｃ）　　　（７５μ５ｅｃ）６−Ｃ１１，ＯＶ　　　　
　１１．ＯＶ　　　　　９．５Ｖ（８５０μ５ｅｃ）　
　　（２５０μ５ｅｃ）　　　（７５１ｔ　５ｅｃ）６
−Ｄ　　　１１．５Ｖ　　　　　１１．５Ｖ　　　　　
９．５Ｖ（８５０μ５ｅｃ）　　　（２５０μ５ｅｃ）
　　　（７５μ５ｅｃ）６−Ａ　　　９．５Ｖ　　　　
　１０．ＯＶ　　　　　９．０Ｖ（８５０ｐ　５ｅｃ）
　　　（２５０μ５ｅｃ）　　　（７５１ｔ　５ｅｃ）
さらに２５℃における駆動温度マージンは、６−Ｂ　　
上４゜０°Ｃ ６−Ｃ上２゜７°Ｃ ６−Ｄ　　±２．７℃ ６−Ａ　　±２．４℃ であった。

実施例８より明らかな様に、素子構成を変えた場合でも
本発明に従う強誘電性液晶組成物６−Ｂを含有する素子
は、他の液晶組成物を含む素子に比べ実施例６と同様に
駆動マージンは広がっており、環境温度の変化や、セル
ギャップのバラツキに対して画像を良好に保つ能力にす
ぐれている。

実施例９〜１６ 実施例１．４．６で用いた例示化合物及び液晶性組成物
に代えて表１に示した例示化合物及び液晶性組成物を各
重量部で用い９−Ｂ−１６−Ｂの液晶性組成物を得た。

これらを用いた他は全〈実施例１と同様の方法により強
誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で２５
℃の駆動マージンを測定し、スイッチング状態等を観察
した。作成した各々の液晶素子内の均−配向性は良好で
あり、モノドメイン状態が得られた。測定結果を表１に
示す。

実施例１７ 実施例１で使用した液晶組成物１−Ｂに対して以下に示
す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成物
１７−Ｂを得た。

例示化合物Ｎα　　　　　構造式　　　　　　　重量部
υ −Ｂ 二の液晶組成物を用いた以外は、全〈実施例１と同様な
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方
法で駆動電圧マージンΔＶを測定した。

１０℃　　　　２５℃　　　　４０℃ 駆動電圧マージ：／　　　　１２．５Ｖ　　　　　　１
２．５Ｖ　　　　　　９．ＯＶ（測定時設定Δｔ）　　
　（１０５０μ５ｅｃ）　　（３１５μ５ｅｃ）　　　
（１１０μ５ｅｃ）さらに、上記液晶素子を用い、２５
°Ｃにおいて直交ニコル下でチルト角を測定したところ
、７．６°　であった。次に６０ＫＨｚの周波数で±８
ｖの矩形波を印加しながらチルト角を測定したところ、
１３°　であった。この時透過率を測定したところ１２
．５％であった。また同時にコントラスト比を測定した
ところ５５：１であった。

比較例１７ 液晶組成物１−Ｂに代えて、液晶組成物１−Ａに前述の
Ｎａ３−１０の化合物を実施例１７と同様な比率で含有
させた液晶組成物１７−Ｃを作成した。

これら１７−Ｃおよび１−Ａ、１−Ｂの液晶組成物を用
いて実施例１と同様な方法でそれぞれ強誘電性液晶素子
を作成し、駆動電圧マージンΔＶを測定した。また、さ
らに、実施例１７と全（同様な方法でチルト角を測定し
た。結果を次に示す。

−Ａ −Ｂ 駆動電圧マージン（測定時設定Δｔ） １０℃　　　　　２５℃ １０Ｖ　　　　　　　　　　ｌ０Ｖ （１３００ｕｓｅｃ）　　　（３４０μ５ｅｃ）１２．
５Ｖ　　　　　　１２．５Ｖ （９５０ｇ、　５ｅｃ）　　　（２８０μ５ｅｃ）４０
°Ｃ ８、Ｏｖ （ｌｏｏ　μ５ｅｃ） ９．０ｖ （ｉｏｏ　ｕ　ｓｅｃ） １７−ＣＩＯＶ　　　　　　　　　　ＩＯＶ　　　　　
　　　　７，５Ｖ（１５５０ｕ　５ｅｃ）　　　（３８
０ｕ　５ｅｃ）　　　　（１０８ａ　５ｅｃ）チルト角
（２５°Ｃ） 初期チルト角　　ＡＣスタビライズ時 （無電界時）　　　（６０ＫＨｚ、±８ｖ矩形波印加時
）１−Ａ　　　　７．９°　　　　　　　８．２゜１−
８　　　７．５°　　　　　　　７．７゜１７−Ｃ７，
８°　　　　　　　１３．２゜実施例１７と比較例１７
により明らかな様に、本発明による液晶組成物に誘電異
方性が負の液晶性化合物を混合することにより、駆動マ
ージンが広がった上に、さらに、ＡＣスタビライズ効果
による表示方法に用いる場合、表示特性が大幅に改善さ
れることがわかった。

例示化合物丸 構造式 実施例１で使用した液晶組成物１−Ｈに対して以下に示
す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成物
１８−Ｂを得た。

例示化合物Ｎα 構造式 この液晶組成物を用いた以外は、全〈実施例１と同様な
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方
法で駆動電圧マージンΔＶを測定した。

１０℃　　　　２５°０　　　　４０°Ｃ駆動電圧マー
ジン　　　１３Ｖ　　　　　　　１２．５Ｖ　　　　　
　９．５Ｖ（測定時設定Δｔ）　　（１０３０ｕ　５ｅ
ｃ）　　（３１０ｕ　５ｅｃ）　　　（１０５μ５ｅｃ
）さらに、上記液晶素子を用い、２５℃において直交ニ
コル下でチルト角を測定したところ、８．４″　であっ
た。次に６０ＫＨｚの周波数で±８ｖの矩形波を印加し
ながらチルト角を測定したところ、１２．９゜であった
。この時透過率を測定したところ１３％であった。また
同時にコントラスト比を測定したところ４５：１であっ
た。

比較例１８ 液晶組成物１−Ｂに代えて、液晶組成物１−Ａに前述の
Ｎα３−９０．　３−１２．　３−１２２．　３−７０
゜３−１０７．３−１１１．３−１６７の化合物を実施
例１８と同様な比率で含有させた液晶組成物１８−Ｃを
作成した。

これら１８−Ｃおよび１−Ａ、１−Ｂの液晶組成物を用
いて実施例１と同様な方法でそれぞれ強誘電性液晶素子
を作成し、駆動電圧マージンΔＶを測定した。また、さ
らに、実施例１８と全く同様な方法でチルト角を測定し
た。結果を次に示す。

駆動電圧マージン（測定時設定Δｔ） １０℃　　　　　２５℃ １−Ａ　　　　ＩＯＶ　　　　　　ｌ０Ｖ（１３００μ
５ｅｃ）　　　（３４０μ５ｅｃ）１−Ｂ　　　　１２
．５Ｖ　　　　　　１２．５Ｖ（９５０ｐ　５ｅｃ）　
　　（２８０μ５ｅｃ）１８−Ｃ９，５Ｖ　　　　　　
ｌ０Ｖ （１４７０μ５ｅｃ）　　　（３７０μ５ｅｃ）チルト
角（２５℃） 初期チルト角　　ＡＣスタビライズ時 （無電界時）　　　（６０ＫＨｚ、±８ｖ矩形波印加時
）１−Ａ　　　　７．９°　　　　　　　８．２゜１−
Ｂ７．５°　　　　　　　７．７゜１８−Ｃ８，５°　
　　　　　　　１３゜実施例１８と比較例１８により明
らかな様に、本発明による液晶組成物に誘電異方性が負
の液晶性４０℃ ８．０Ｖ （１００μ５ｅｃ） ９．０Ｖ （１００μ５ｅｃ） ８．５ｖ （１０５μ５ｅｃ） 化合物を混合することにより、駆動マージンが広がった
上にさらにＡＣスタビライズ効果による表示方法に用い
る場合、表示特性が大幅に改善されることがわかった。

実施例９〜１８より明らかな様に本発明による液晶性組
成物９−Ｂ〜１８−Ｂを含有する強誘電性液晶素子は駆
動マージンは広がっており環境温度の変化やセルギャッ
プのバラツキに対して画像を良好に保つ能力にすぐれて
いる。

また実施例１７．１８より明らかなように、本発明によ
る液晶組成物１７−Ｂ、１８−Ｂを含有する強誘電性液
晶素子は、さらにＡＣスタビライズ効果による表示方法
に用いる場合表示特性が大幅に改善されている。

〔発明の効果〕

本発明の強誘電性液晶組成物を含有する素子は、スイッ
チング特性が良好で、駆動電圧マージンが大きく、素子
の表示エリア上にある程度の温度バラツキがあっても全
画素が良好にマトリクス駆動できる駆動温度マージンの
広がった液晶素子とすることができる。

またさらに本発明の特定の化合物を有する強誘電性液晶
組成物に、誘電異方性が負の液晶性化合物を含有するこ
とにより、前述の特徴を有した上に、さらにＡＣスタビ
ライズ効果による表示特性が大幅に改善された液晶素子
を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は強誘電性液晶を用いた液晶表示素子の１例の断
面概略図、 第２図および第３図は強誘電性液晶素子の動作説明のた
めに、素子セルの一例を模式的に表す斜視図、 第４図は実施例中で用いた駆動法の波形図、第５図はマ
トリクス電極を配置した強誘電性液晶パネルの平面図、 第６図は、第４図（Ｂ）に示す時系列駆動波形で実際の
駆動を行りたときの表示パターンの模式図、第７図は、
駆動電圧を変化させたときの透過率の変化を表すつまり
Ｖ−Ｔ特性図、 第８図はΔε値の異なるＦＬＣのＶ　ｒ　ｍ　ｓに対す
るθａの変化を示す図である。 第１図において、 ｌ・・・・・・・・・・・・・強誘電性液晶層２・・・
・・・・・・・・・・・・・ガラス基板３・・・・・・
・・・・・・・・・・・透明電極４・・・・・・・・・
・・・絶縁性配向制御層５・・・・・・・・・・　・・
・・・スペーサー６　・・・・・・・・・・・・・・・
・・・リード線７・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・電源８・・・・・・・・・・・・・・・・・・・偏
光板９・・・・・・・・・・・・・・・・・・　光源Ｉ
ｏ・・・・・・・・・・・・・　・・・・入射光Ｉ・・
・・・・・・・・・・・・　・・・・透過光第２図にお
いて、 １ａ １ｂ 基板 基板 強誘電性液晶層 液晶分子 双極子モーメント（Ｐ土） 第３図において、 ３１ａ １ｂ ３ａ ３ｂ ４ａ ４ｂ ａ ｂ 電圧印加手段 電圧印加手段 第１の安定状態 第２の安定状態 上向きの双極子モーメント 下向きの双極子モーメント 上向きの電界 下向きの電界 ０　−一二一一 宅す口 軍ワ口 で

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （ただし、Ｒ＿１、Ｒ＿２はＣ＿１〜Ｃ＿１＿８の置換
   基を有していてもよい直鎖状又は分岐状のアルキル基で
   あり、少なくとも一方は光学活性である。 又、Ｘ＿１は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等が
   あります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数
   式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等
   があります▼のいずれかを示す。） で示される化合物の少なくとも一種と、 下記一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （ただし、Ｒ＿３、Ｒ＿４はＣ＿１〜Ｃ＿１＿８の置換
   基を有していてもよい直鎖状又は分岐状のアルキル基で
   あり、又、Ｘ＿２、Ｘ＿３は単結合、−Ｏ−、▲数式、
   化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があ
   ります▼、▲数式、化学式、表等があります▼のいずれ
   かを示す。ｍ、ｎは０、１もしくは２を示す。ただし、
   ｍ＋ｎは２以上である。） で示される化合物の少なくとも一種と、さらに、誘電異
   方性（Δε）が負の液晶性化合物の少なくとも１種とを
   含有することを特徴とする強誘電性カイラルスメクチッ
   ク液晶組成物。
2. （２）前記誘電異方性が負の液晶性化合物がΔε＜−２
   であるところの請求項１記載の強誘電性カイラルスメク
   チック液晶組成物。
3. （３）前記誘電異方性が負の液晶性化合物がΔε＜−５
   であるところの請求項２記載の強誘電性カイラルスメク
   チック液晶組成物。
4. （４）前記誘電異方性が負の液晶性化合物がΔε＜−１
   ０であるところの請求項３記載の強誘電性カイラルスメ
   クチック液晶組成物。
5. （５）前記誘電異方性が負の液晶性化合物が下記一般式
   （III−［１］）から（III−［５］）で示される化合物
   の中から選ばれることを特徴とする請求項１から４項記
   載の強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物。 一般式（III−［１］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｒ＿ａ、Ｒ＿ｂは置換基を有していてもよい直鎖状又
   は分岐状のアルキル基、 Ｘ＿ａ、Ｘ＿ｄは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
   等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
   Ｘ＿ｂ、Ｘ＿ｃは単結合、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿
   ２ＣＨ＿２−、Ａ＿ａ、Ａ＿ｂは単結合、▲数式、化学
   式、表等があります▼（トランス）、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   （トランス・トランス）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（トランス）、▲数
   式、化学式、表等があります▼、Ａ＿ａ、Ａ＿ｂがとも
   に単結合の場合、Ｘ＿ｂ、Ｘ＿ｃは単結合であり、Ｘ＿
   ａ、Ｘ＿ｄは供に単結合又は供に−Ｏ−であるか、又は
   Ｘ＿ａが▲数式、化学式、表等があります▼で、Ｘ＿ｄ
   が▲数式、化学式、表等があります▼である。 Ｙ＿ａ、Ｙ＿ｂは、シアノ基、ハロゲン、水素、ただし
   Ｙ＿ａ、Ｙ＿ｂが同時に水素にはならない。〕一般式（
   III−［２］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｒ＿ｅ、Ｒ＿ｆは置換基を有していてもよい直鎖状又
   は分岐状のアルキル基、 Ｘ＿ｅ、Ｘ＿ｈは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
   等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
   Ｘ＿ｆ、Ｘ＿ｇは▲数式、化学式、表等があります▼、
   ▲数式、化学式、表等があります▼、単結合、Ａ＿ｅ、
   Ａ＿ｆは▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
   化学式、表等があります▼、単結合、ただしＡ＿ｅ、Ａ
   ＿ｆが同時に単結合にはならない。〕一般式（III−［
   ３］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ａ＿ｉは単結合、▲数式、化学式、表等があります▼
   、 Ａ＿ｊは単結合、▲数式、化学式、表等があります▼、
   ▲数式、化学式、表等があります▼、 Ｒ＿ｉ、Ｒ＿ｊは置換基を有していてもよい直鎖又は分
   岐のアルキル基、ただしＡ＿ｊが単結合のとき直鎖アル
   キル基であり、Ｚ＿１は−Ｏ−又は−Ｓ−、Ｘ＿ｉ、Ｘ
   ＿ｋは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等がありま
   す▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化
   学式、表等があります▼、Ｘ＿ｊは単結合、▲数式、化
   学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、−ＣＨ＿２Ｏ−、−ＯＣＨ＿２−、ただしＡ＿
   ｉが単結合のときＸ＿ｉは単結合であり、Ａ＿ｊが▲数
   式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等
   があります▼のときＸ＿ｊは単結合ではなく、Ａ＿ｊが
   単結合のときＸ＿ｋは単結合である。〕一般式（III−
   ［４］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｒ＿ｌ、Ｒ＿ｍは置換基を有していてもよい直鎖又は
   分岐のアルキル基、 Ａ＿ｌ、Ａ＿ｍは単結合、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、ただしＡ
   ＿ｋ、Ａ＿ｌは同時に単結合にならない。 Ｘ＿ｌは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、Ｘ＿ｍは
   単結合、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
   化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿２Ｏ−、−ＯＣＨ
   ＿２−、−ＣＨ＿２ＣＨ＿２−、−Ｃ≡Ｃ−〕 一般式（III−［５］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｒ＿ｎ、Ｒ＿ｏは置換基を有していてもよい直鎖又は
   分岐のアルキル基、 Ｘ＿ｎ、Ｘ＿ｑは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
   等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
   Ｘ＿ｏ、Ｘ＿ｐは単結合、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿
   ２Ｏ−、−ＯＣＨ＿２−、−ＣＨ＿２ＣＨ＿２−、 Ａ＿ｎ、Ａ＿ｐは単結合、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、Ａ＿ｏは
   ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、 Ｚ＿２は▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式
   、化学式、表等があります▼〕
6. （６）請求項１記載の強誘電性カイラルスメクチック液
   晶組成物を一対の電極基板間に配置してなることを特徴
   とする液晶素子。