JPH0312490A - 強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物およびこれを含む液晶素子 - Google Patents

強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物およびこれを含む液晶素子

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JPH0312490A
JPH0312490A JP1147995A JP14799589A JPH0312490A JP H0312490 A JPH0312490 A JP H0312490A JP 1147995 A JP1147995 A JP 1147995A JP 14799589 A JP14799589 A JP 14799589A JP H0312490 A JPH0312490 A JP H0312490A
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健司 新庄
Masahiro Terada
匡宏 寺田
Gouji Tokanou
門叶　剛司
Masataka Yamashita
山下　真孝
Takao Takiguchi
隆雄 滝口
Masanobu Asaoka
正信 朝岡
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は液晶表示素子や液晶−光シヤツター等に利用さ
れる液晶素子に用いる液晶組成物に関し、更に詳しくは
、電界に対する応答特性が改善された新規な液晶組成物
及びそれを有する液晶素子に関するものである。
〔背景技術〕
従来より、液晶は電気光学素子として種々の分野で応用
されている。現在実用化されている液晶素子はほとんど
が、例えばＭ、５ｃｈａｄｔとＷ、Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ著
″Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ　
　Ｖｏ、１８、Ｎｏ、４　（１９７１，２，１５）、Ｐ
、１２７〜１２８の”Ｖｏｌｔａｇｅ−Ｓｐｅｎｄｅｎ
ｔ　　０ｐｔｉｃａｌ　　Ａｃｔｉｖｉｔｙ　　ｏｆ　
　ａＴｗｉｓｔｅｄ　　Ｎｅｍａｔｉｃ　Ｌｉｑｕｉｄ
　Ｃｒｙｓｔａビに示されたＴＮ　（ｔｗｉｓｔｅｄ　
　ｎｅｍａｔｉｃ）型の液晶を用いたものである。
これらは、液晶の誘電的配列効果に基づいており、液晶
分子の誘電異方性のために平均分子軸方向が、加えられ
た電場により特定の方向を向く効果を利用している。こ
れらの素子の光学的な応答速度の限界はミリ秒であると
いわれ、多くの応用のためには遅すぎる。一方、大型平
面デイスプレィへの応用では、価格、生産性などを考え
合せると単純マトリクス方式による駆動が最も有力であ
る。単純マトリクス方式においては、走査電極群と信号
電極群をマトリクス状に構成した電極構成が採用され、
その駆動のためには、走査電極群に順次周期的にアドレ
ス信号を選択印加し、信号電極群には所定の情報信号を
アドレス信号と同期させて並列的に選択印加する時分割
駆動方式が採用される。
しかしこのような駆動方式の素子に前述したＴＮ型の液
晶を採用すると走査電極が選択され、信号電極が選択さ
れない領域、或いは走査電極が選択されず、信号電極が
選択される領域（所謂“半選択点”）にも有限に電界が
かかってしまう。
選択点にかかる電圧と、半選択点にかかる電圧の差が充
分に犬舎（、液晶分子を電界に垂直に配列させるのに要
する電圧閾値がこの中間の電圧値に設定されるならば、
表示素子は正常に動作するわけであるが、走査線数（Ｎ
）を増やして行った場合、画面全体（１フレーム）を走
査する間に一つの選択点に有効な電界がかかっている時
間（ｄｕｔｙ比）が１／Ｎの割合で減少してしまう。こ
のために、くり返し走査を行った場合の選択点と非選択
点にかかる実効値としての電圧差は、走査線数が増えれ
ば増える程小さ（なり、結果的には画像コントラストの
低下やクロストークが避は難い欠点となっている。この
ような現象は、双安定性を有さない液晶（電極面に対し
、液晶分子が水平に配向しているのが安定状態であり、
電界が有効に印加されている間のみ垂直に配向する）を
時間的蓄積効果を利用して駆動する（即ち、繰り返し走
査する）ときに生ずる本質的には避は難い問題点である
。この点を改良するために、電圧平均化法、２周波駆動
法や、多重マトリクス法等が既に提案されているが、い
ずれの方法でも不充分であり、表示素子の大画面化や高
密度化は、走査線数が充分に増やせないことによって頭
打ちになっているのが現状である。
この様な従来型の液晶素子の欠点を改善するものとして
、双安定性を有する液晶素子の使用がＣ１ａｒｋ及びＬ
ａｇｅｒｗａｌｌにより提案されている（特開昭５６−
１０７２１６号公報、米国特許第４３６７９２４号明細
書等）。双安定性液晶としては一般に、カイラルスメク
テイツクＣ相（ＳｍＣ＊）又はＨ相（ＳｍＨ＊）を有す
る強誘電性液晶が用いられる。この強誘電性液晶は電界
に対して第１の光学的安定状態と第２の光学的安定状態
からなる双安定状態を有し、従って前述のＴＮ型の液晶
で用いられた光学変調素子とは異なり、例えば一方の電
界ベクトルに対して第１の光学的安定状態に液晶が配向
し、他方の電界ベクトルに対しては第２の光学的安定状
態に液晶が配向される。また、この型の液晶は、加えら
れる電界に応答して、上記２つの安定状態のいずれかを
取り、且つ電界の印加のないときはその状態を維持する
性質（双安定性）を有する。
以上のような双安定性を有する特徴に加えて、強誘電液
晶は高速応答性であるという優れた特徴を持つ。それは
強誘電液晶の持つ自発分極と印加電場が直接作用して配
向状態の転移を誘起するためであり、誘電率異方性と電
場の作用による応答速度より３〜４オーダー速い。
このように強誘電液晶はきわめて優れた特性を潜在的に
有しており、このような性質を利用することにより、上
述した従来のＴＮ型素子の問題点の多（に対して、かな
り本質的な改善が得られる。
特に、高速光学光シャッターや、高密度、大画面デイス
プレィへの応用が期待される。こ、のため強誘電性を持
つ液晶材料に関しては広く研究がなされているが、現在
までに開発された強誘電性液晶材料は、低温作動特性、
高速応答性等を含めて液晶素子に用いる十分な特性を備
えているとは云い難い。
応答速度を速くするには、 （ア）自発分極の大きさＰＳを大きくする（イ）粘度η
を小さ（する （つ）印加電圧Ｅを高くする 方法がある。しかし印加電圧は、ＴＣ等で駆動するため
上限があり、出来るだけ低い方が望ましい。
よって、実際には粘度ηを小さくするか、自発分極の大
きさＰｓの値を大きくする必要がある。
−船釣に自発分極の大きい強誘電性カイラルスメクチッ
ク液晶化合物においては、自発分極のもたらすセルの内
部電界も大きく、双安定状態をとり得る素子構成への制
約が多くなる傾向にある。又、いたずらに自発分極を大
きくしても、それにつれて粘度も大きくなる傾向にあり
、結果的には応答速度はあまり速くならないことが考え
られる。
また、実際のデイスジ１ノイとしての使用温度範囲が例
えば５〜４０℃程度とした場合、応答速度の変化が一般
に２０倍程もあり、駆動電圧および周波数による調節の
限界を越えているのが現状である。
以上述べたように、強誘電性液晶素子を実用化するため
には、粘度が低く高速応答性を有し、かつ応答速度の温
度依存性の小さな強誘電性カイラルスメクチック液晶組
成物が要求される。
代表的な強誘電性液晶セルの構成は、ガラス基板上にＩ
ＴＯ等で電極パターンを形成し、その上にＳｔＯ□等で
上下基板のショート防止層を形成（約１０００人）その
上にポリイミド（ＰＩ　：東し社５Ｐ５１０，５Ｐ７１
０等）膜を４００人位の膜厚で形成し、さらにＰＩ膜を
ラビング処理したものを上下対称な配向になるように向
い合わせて構成し、その基板間隔を１〜３μｍに保つも
のである。
一方、このような条件下で配列した強誘電性液晶は、一
般に上下基板間をねじれた状態でつながり、−軸性の配
向を示さないことが知られている（スプレー配向）。こ
のような場合問題点のひとつに、液晶層の透過率が低い
ことがある。
透過光量は、分子配向の一軸性を仮定すると、クロスニ
コル下で入射完工。の強度に対してＩの強度を得る。
ル ここで、Δｎは屈折率異方性、ｄはセル厚、λは入射光
の波長、θａは双安定状態間の角度（チルト角）である
。
前述のセルを用い、スプレー配向を採った場合、現状で
はθａは５″′〜８°である。Δｎｄπ／λのコントロ
ールは、物性的に簡単には行えないので、θａを大きく
してＩを大きくしたいが、スタティックな配向手法によ
ってはなかなか達成出来ない。
このような問題に対して、強誘電性液晶のΔε項のトル
クを用いることにより、θａを広げられることが知られ
ている（１９８３年ＳＩＤでＡ、　Ｔ　Ｔにより発表、
特開昭６１−２４５１４２．６１−２４６７２２．６１
−２４６７２３．６１−２４６７２４．６１−２４９０
２４．６ｌ−２４９０２５）。
液晶のΔεが負であると、液晶分子は電界印加により基
板に平行になろうとする。この特性を利用、すなわち、
スイッチング時以外にも一定の実効的な電界を印加する
ことにより、かかるねじれ配列を解消し、θａを増大さ
せて、透過率を上げることができる（ＡＣスタビライズ
効果）。
状態のスイッチングに関するＦＬＣ分子に働（トルクｒ
’ｐｓ、ＡＣスタビライズ効果に関してＦＬＣ分子に働
くトルクｒΔ、とは、各々次のような物性に比例する。
ｒｐ、ｏｏ　　Ｐｓ・Ｅ　・・・・・・・・　（２）（
３）式によっても明らかなようにＦＬＣのΔεの符号及
び絶対値がきわめて重要な役割を示すことがわかる。
Δεに関する物性が異なる値を持つ４種のＦＬＣのＶｒ
ｍｓに対するθａの変化を第４図に示した。
測定はＰｓによる影響を除（ために６０ＫＨｚの矩形交
流で行った。
（Ｉ）はΔεニー５゜５、（ｎ）はΔεニー３．０、（
Ｉ［［）はΔε〜−〇、　　（ｒＶ）はΔε〜１．０で
ある。
グラフを見てもわかるようにΔεが負に大きい極低電圧
でθａが太き（なり、従って、ｌに貢献することがわか
る。
この（Ｉ）と（ＩＩＩ）を用いた場合の透過率の差を比
較してみると（Ｉ）では１５％なのに対し、（ｍ）では
６％であり明らかな差があった（　６０　Ｋ　Ｈｚ±８
ｖ　矩形波印加時）。
以上の例でも知られるように、ΔεとＰｓの物性をコン
トロールすることにより、５ＳＦＬＣの表示特性を太き
（変えることができる。
強誘電性液晶組成物のΔεを負に大きくするためには、
Δεが負で、その絶対値が大きな材料を混合することが
一番有効である。例えば、分子の短軸方向に、ハロゲン
やシアノ基を導入したり１、分子環骨格にペテロ原子を
導入したりすることによりΔεの大きな化合物を得るこ
とができる。
Δε＜Ｏの化合物の誘電異方性は、構造によってその大
きさに差がある。例を下に示す。
ε　く２ ≦　　ε ≦　５ ε ＞　　１０ ｖ す 〈 ε ＜　１０ す ※Ｒ，Ｒ’　　はアルキル基を示す。
大きく分類すると、１ε１≦２（１Δεｌ小）の化合物
、２くｌε１≦ｔｏ　（ｌΔε１中）の化合物、Δεｌ
＞１０（ｌΔε１大）の３種に分けることが出来る。１
Δε］小のものは、１Δε１を増大させる効果は殆どな
い。１ΔεＩ大のものは１Δε増大に大変有効な材料で
ある。現在のところ、ジシアノハイドロキノン誘導体の
みが１Δε１大材料である。
しかしながら、ジシアノハイドロキノン誘導体は、ＩΔ
ε１増大効果は大きいものの、粘性が高いため、その含
有比率が増加するとスイッチング特性を悪くする傾向が
ある。
一方、１Δε１が中程度のものの中には１Δε増大効果
は１Δεｌ大　成分よりは小さいが、ある程度粘性の低
いものもある。
以上のことから、スイッチング特性が良好で、かつ、Ａ
Ｃスタビライズ効果を有する液晶組成物およびこれを含
む液晶素子を得るためには、誘電異方性が負の化合物、
好ましくは１Δε１〉２の化合物の選択、混合相手およ
び混合比率を（ふうする必要がある。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明の目的は、強誘電性液晶素子を実用できるように
応答速度が速（、しかもその応答速度の温度依存性が軽
減されたカイラルスメクチック液晶組成物およびかかる
液晶組成物を使用する液晶素子を提供することにある。
本発明の他の目的は、本発明の液晶組成物に、さらに誘
電異方性が負の液晶性化合物を混合することにより、Ａ
Ｃスタビライズ効果をもたせ、表示特性を大きく向上さ
せられる液晶素子を提供することにある。
（以下余白） 〔問題を解決するための手段〕 本発明は下記一般式（Ｉ） （ただし、Ｒ，はＣ１〜ＣＩ８の置換基を有していても
良い直鎖状、又は分岐状のアルキル基であり、Ｘ、は単
結合、 −ＣＯ−のいずれかを示す。
を示す。
で示される化合物の少なく とも一種と 下記一般式 ％式％） （ただし、Ｒ２，Ｒ，はＣ１〜ＣＩ８の置換基を有して
いてもよい直鎖状又は分岐状のアルキル基である。
ただし、少な（とも一方は光学活性である。Ｘ２゜で示
される化合物の少なくとも１種と、さらに誘電異方性が
負の液晶性化合物とを少なくとも１種含有することを特
徴とする強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物なら
びに該液晶組成物を一対の電極基板間に配置してなる液
晶素子を提供するものである。
また本発明は、誘電異方性が負の液晶性化合物が、好ま
しくはΔε＜−２を示し、より好ましくはΔε〈−５、
さらに好ましくはΔε＜−１０を示す液晶化合物を用い
て、前記強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物にさ
らに含有させた強誘電性カイラルスメクチック液晶組成
物ならびにそれを有する液晶素子を提供するものである
。
また本発明は、該誘電異方性が負の液晶性化合物が、下
記一般式（■−■）から（ＩＩＩ−■）で示される中か
ら選ばれる化合物を用いて前記強誘電性カイラルスメク
チック液晶組成物にさらに含有させた強誘電性カイラル
スメクチック液晶組成物ならびにそれを有する液晶素子
を提供するものである。
一般式（■−■） ［：　Ｒａ　＋　Ｒｂは置換基を有していてもよい直鎖
状又は分岐状のアルキル基、 Ａａ、Ａｂがともに単結合の場合、Ｘ　ｂ＋　Ｘ　Ｃは
単結合であり、Ｘ　＠　＋　　Ｘ　ｄは供に単結合又は
供に一〇−でＹａ、Ｙｂは、シアノ基、ハロゲン、水素
、ただしＹａ、Ｙｌ）が同時に水素にはならない。〕−
殺伐 （ｍ−■） 〔Ｒｏ。
Ｒ＋は置換基を有していてもよい直鎮状又は分岐状のア
ルキル基、 ただしＡ が単結合のときトは単結合であり、 Ｘｓ。
Ｘｈは単結合。
一〇− ＣＯ− ＯＣ− １ｍ Ａ１が同時に単結合にはならない。〕 一般式（■−■） Ｊは置換基を有していてもよい直鎖又は分岐のアルキル
基、 ただしＡＩが単結合のとき直鎖アル キル基であり、 は−０又はＳｌ 一般式 ％式％ Ｒ□は置換基を有していてもよい直鎖又は分岐のアルキ
ル基、 ＣＮ　　　　　　　　　　ＣＮ Ｚ２は一〇＝ＣＨ−又は−ＣＨ−ＣＨ２−）Ａｈ。
ＡＩは同時に単結合にならない。
−ＣＨ２Ｃ）１２− −Ｃ＝Ｃ−３ 一般式（ｍ−■） （Ｒ１１゜ Ｒｏは置換基を有していてもよい直鎖又は分岐のアルキ
ル基、 前述の一般式（１）で示される化合物のうち、好ましい
化合物例としては、下記一般式（１−ａ）。
（１−ｂ）で示される化合物が挙げられる。
（ＩＩ −ｂ） （Ｒ１・ Ｘ　監　。
ｎは前述の通り） また、前述の一般式（ＩＩ　）で示される化合物のうち
、好ましい化合物例としては、Ｘ２．Ｘ、が（ＩＩ　−
ｉ　）　〜（ＩＩ−ｖｉｉｉ）である化合物が挙げられ
る。
１−ｉ が 単結合、 が 一〇− １−ｉｉ ｌ−１ｉｉ ｌ−１ｖ が が が 単結合、 単結合、 単結合、 が が が ＯＣ− ＣＯ− 単結合 ＩＩ−ｖＸ２が−０−１ｘ３が一〇− １１−ｖｉＸ２が一〇−１Ｘ３が−ＯＣ−１ｌ−ｖｉｉ
Ｘ２が−０−１ｘ３が−ＣＯ−１ｌ−ｖｔｉｉＸ２　　
が　−〇−１Ｘ、　が　単結合また、さらに一般式（Ｉ
Ｉ　）で示される化合物において、Ｒ２１Ｒ３の好まし
い化合物例としては下記（ＩＩ−ｉｘ）　〜（ＩＩ−ｘ
ｉ）を挙げることができる。
ＣＨ３ （ＩＩ−ｉｘ） Ｒ２がｎ−アルキル基。
ＣＨ３ Ｒ３が（ＣＨ２）　Ｘ　ＣＨＲｓ ＊ （ＩＩ−ｘ） （ＩＩ−ｘｉ） Ｒ２が÷ＣＨ２）３／ＣＨＲ９゜ ＊ ＣＨ３ Ｒ２がモＣＨ２ヂｙ　ＣＨＲ、。
＊ ＣＨ３ Ｒ３が＋　ＣＨ２′＋ｘ　ＣＨＯＲａ ＊ Ｒ３がｎ−アルキル基。
（ｘ、ｙはＯ〜７であり、Ｒ６，Ｒ３は直鎖状または分
岐状のアルキル基） 前記一般式（１）で示される化合物の具体的な構造式の
例を以下に示す。
（ｉ−ｓ） Ｆ −殺伐（１）で示される化合物は下記に示すような合成
経路Ａ、Ｂ、Ｃで得ることができる。
合成経路Ａ 合成経路Ｂ 合成経路Ｃ （Ｘｌ：Ｏ） 一般式（１）で示される化合物の代表的な合成例を以下
に示す。
合成例１（化合物Ｎｏ、１−１７の合成）ｐ−２−フル
オロオクチルオキシフェノール１．ＯＯｇ（４，１６ｍ
Ｍ）をピリジン１０ｍ１．　トルエン５　ｍ　ｌに溶解
させ、トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキサンカル
ボン酸クロライド１．３０ｇ（６，ＯＯｍＭ）をトルエ
ン５　ｍ　ｌに溶解した溶液を、５℃以下、２０〜４０
分間で滴下した。滴下後、室温で一晩撹拌し、白色沈殿
を得た。
反応終了後、反応物をベンゼンで抽出し、さらにこのベ
ンゼン層を蒸留水で洗ったのち、ベンゼン層を硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、ベンゼンを留去した。さらにシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーを用いて精製し、さらに
エタノール／メタノールで再結晶して、トランス−４−
ｎ−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸−ｐ−２−フル
オロオクチルオキシフェニルエステル１．２０ｇ　（２
，８５ｍＭ）を得た。（収率６８．６％） ＮＭＲデータ（ｐｐｍ） ０．８３〜２．８３ｐｐｍ　　（３４ＨＳ　ｍ）４．０
０〜４．５０ｐｐｍ　　（２Ｈ，ｑ）７、ｌｌｐｐｍ　
　　　　　（４Ｈ，５）ＩＲデータ（ｃ　ｍ−’　） ３４５６、　２９２８゜ １４７０、　１２４８゜ ８５４゜ 相転移温度（℃’） １７４２、　１５０８゜ ２８５２゜ １１６６、　１１３２゜ １２００゜ （ここで、Ｓ３＋　　Ｓ４＋　　Ｓ５＊　　Ｓｍは、Ｓ
ｍＣ木よりも秩序度の高い相を示す。） 合成例２（化合物Ｎｏ、１−２９の合成）十分に窒素置
換された容器に、（−）−２−フルオロヘプタツール０
．４０ｇ　（３，０ｍｍｏｌ）と乾燥ピリジン１．００
ｇ　（１３ｍｍｏｌ）を入れ水冷下で３０分間乾燥した
。その溶液にｐ−トルエンスルホン酸クロリド０．６９
ｇ　（３，６ｍｍｏｌ）を加え、そのまま５時間撹拌を
続けた。反応終了後、ＩＮＨＣｌｌｏｍｌを加え、塩化
メチレン１０　ｍ　ｌで２回抽出を行った後、その抽出
液を蒸留水１０ｍ１で１回洗浄した。得られた塩化メチ
レン溶液に無水硫酸ナトリウムを適宜加えて乾燥したの
ち、溶媒を留去しく＋）−２−フルオロヘプチルｐ−１
−ルエンスルホン酸エステル０　、５９　ｇ　（２、０
ｍ　ｍ　ｏ　１　）を得た。
収率は６６％である。生成物の比旋光度およびＩＲデー
タは下記の通りである。
比旋光度［α］智’＋２．５９°　　　　　　　　　　
（Ｃ＝１、ＣＨＣｌ　３）。
比旋光度［αコ溜＋９．５８°　　　　　　　　　　（
Ｃ＝１、ＣＨＣｌ　３）。
ＩＲ（ｃｍ−’）　： ２９００．２８５０、　１６００、　１４５０．１３５
０、　　１１７０、　１０９０、９８０．８１０、　　
６６０、　５５０゜ 上記のようにして得られた（＋）−２−フルオロへブチ
ルｐ−トルエンスルホン酸エステル０．４３ｇ（１，５
ｍｍｏｌ）と５−オクチル−２−（４−ヒドロキシフェ
ニル）ピリミジン０．２８ｇ　（１，０ｍｍｏ１．）に
ｌ−ブタノール０．２ｍｌを加えよ（撹拌した。その溶
液に、あらかじめｌ−ブタノール１．０ｍｌに水酸化ナ
トリウム０．０４８ｇ　（１，２ｍｍｏｌ）を溶解させ
て調製しておいたアルカリ溶液を速やかに注ぎ５時間半
、加熱環流した。反応終了後蒸留水１０　ｍ　ｌを加え
、ベンゼン１０ｍ１および５　ｍ　ｌでそれぞれ１回づ
つ抽出を行った後、その抽出液を無水硫酸ナトリウムを
適宜加えて乾燥した。乾燥後、溶媒を留去し、シリカゲ
ルカラム（クロロホルム）により目的物である（＋）　
−５−オクチル−２−［４−（２−フルオロへブチルオ
キシ）フェニル］ピリミジン０．１７ｇ　（０，４３ｍ
ｍｏｌ）を得た。
収率は４３％であり、以下のような比旋光度およびＩＲ
データが得られた。
比旋光度［（Ｚ　］ＲＦ’＋０．４４°　　　　　　　
　　　（Ｃ＝１、ＣＨＣｌ　Ｓ　）。
比旋光度［α］溜＋４．１９°　　　　　　　　　　（
Ｃ＝１、ＣＨＣｌ　、　）。
ＩＲ（ｃｍ−’）　： ２９００．２８５０，１６００，１５８０．１４２０、
　１２５０，１１６０．８００．７２０、　６５０、５
５０゜ 前記−殺伐（ｎ）で示される化合物の具体的な構造式の
例を以下に示す。
Ｈ３ ＣＨ３ Ｃ２Ｈｅ　ＣＨ＋ＣＨ２＞ａ　Ｏ（Ｏ’、＋０（ＣＨ２
）、ＣＨａＲ３Ｘ　３−＠−ＣＮ は前述の通り） 前記一般式（ｎ）で示される化合物は、例えば特開昭６
１−９３１７０．特開昭６１−２４５７６、特開昭６１
−１２９１７０．特開昭６１−２００９７２．特開昭６
１−２００９７３．特開昭６１−２１５３７２．特開昭
６１−２９１５７４．東独特許９５８９２　（１９７３
年）などに記載の合成方法により得られる。例えば下記
に示すような合成経路で得ることができる。
前記一般式（■−■）から（■−■）で表わされる液晶
性化合物の具体的な構造式の例を以下に示す。但し、（
ｍ）式において、各Ｒが示すアルキル基の炭素数は１〜
１８、好ましくは４〜１６、より好ましくは６〜１２を
示す。
一般式（■−■） す す す り り り り り り す （３，−３７） す Ｃ Ｃ Ｎｌ” Ｃ す す Ｎ リ リ Ｎ 一般式（■−■） す す ｒ す す す す 一般式（■−■） （３−ｉ０９） （３−１，２７） 以 下 余 白 一般式（■−■） （：１ に） （：３ ど　　゛ 以ｊ・下　余 白 −殺伐（■−■） Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ 本発明の液晶組成物は前記一般式（Ｉ）で示される化合
物の少なくとも１種と、前記一般式（ＩＩ）で示される
化合物の少なくとも１種と、池の液晶性化合物１種以上
とを適当な割合で混合することにより得ることができる
。
本発明の他の目的の液晶組成物は、上記液晶組成物にさ
らに誘電異方性が負の液晶性化合物を少な（とも１種以
上適当な割合で混合することにより得ることができる。
また、本発明による液晶組成物は、強誘電性液晶組成物
、特に強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物が好ま
しい。
本発明で用いる他の液晶性化合物の具体例を下記にあげ
る。
Ｃ３Ｈ１７０＋ＣＯ８＋　０ＣＲ２ＣＨＣ２Ｈｓ本 す υ υ 本発明の強誘電性液晶組成物において、本発明の一般式
（Ｉ）で示される液晶性化合物、−殺伐（ＩＫ）で示さ
れる液晶性化合物、それぞれと、上述した他の液晶性化
合物一種以上、あるいは、それを含む液晶性組成物（液
晶材料と略す）との配合割合は、液晶材料ｉｏｏ重量部
当り、本発明−殺伐（Ｉ）、−殺伐（ｎ）で示される液
晶性化合物それぞれを１〜３００重量部、より好ましく
は２〜１００重量部とすることが好ましい。
また、本発明の一般式（Ｉ）、−殺伐（Ｉ［）で示され
る液晶性化合物のいずれか、あるいは全てを２種類以上
用いる場合も池の液晶材料との配合割合は、前述した液
晶材料１００重量部当、本発明−殺伐（Ｉ）、−殺伐（
ＩＩ）で示される液晶性化合物のいずれか、あるいは全
ての２種以上の混合物を、１〜５００重量部、より好ま
しくは２〜ｌＯＯ重量部とすることがのぞましい。
また、−殺伐（１）で示される液晶性化合物に対する一
般式（ＩＩ）で示される液晶性化合物の重量比［−殺伐
（１）／−殺伐（り］はｌ／３００から３００／１であ
り、好ましくは１１５０から５０／　１であることが望
ましい。
一般式（Ｉ）、−殺伐（ｎ）で示される液晶性化合物の
それぞれ２種以上用いる場合、−殺伐（Ｉ）／−殺伐（
ｎ）は１１５００から５００／１であり、好ましくは１
１５０から５０／１であることが望ましい。
また、−殺伐（Ｉ）で示される液晶性化合物と、−殺伐
（ＩＩ）で示される液晶性化合物の総量と、上述した液
晶材料との配合割合は、−殺伐（Ｉ）と−殺伐（ＩＩ）
の総量１００重量部当り、他の液晶材料を２〜６００重
量部、好ましくは４〜２００重量部とすることが望まし
い。
また、−殺伐（Ｉ）、−殺伐（Ｉ［）で示される液晶性
化合物のそれぞれを２種以上用いる場合も、殺伐（Ｉ）
で示される液晶性化合物と一般式（ＩＩ）で示される液
晶性化合物の総量と、上述した液晶材料との配向割合は
、−殺伐（Ｉ）、−殺伐（ＩＩ）の総量１００重量部当
り、上述した液晶材料を２〜１０００重量部、好ましく
は４〜２００重量部とすることが望ましい。
さらに、誘電異方性が負の成分を含有する強誘電性液晶
組成物中における誘電異方性が負の成分の含有量は、１
〜９８重１％である。特にΔε＜−２の成分を用いる場
合、Δε＜−２の成分の含有量は、１〜７０重量％好ま
しくは、１〜５０重量％とすることが望ましい。
一般式（１）で示される液晶性化合物と、−殺伐（ｎ）
で示される液晶性化合物と、誘電異方性が負の成分との
総量は、本発明の強誘電性液晶組成物中において、３〜
ｌＯＯ重貴％含有される。
本発明で用いる誘電異方性が負の液晶性化合物の誘電異
方性の大きさは、１ε］〉２であることが好ましい。
＼−＝７ 第１図は強誘電性液晶素子の構成の説明のために、本発
明の強誘電性液晶層を有する液晶素子の一例の断面概略
図である。
第１図において符号ｌは強誘電性液晶層、２はガラス基
板、３は透明電極、４は絶縁性配向制御層、５はスペー
サー、６はリード線、７は電源１．８は偏光板、９は光
源を示している。
２枚のガラス基板２には、それぞれＩｎ２Ｏ３゜ＳｎＯ
２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ　　０ｘｉｄ
ｅ）等の薄膜から成る透明電極が被覆されている。その
上にポリイミドの様な高分子の薄膜をガーゼやアセテー
ト植毛布等でラビングして、液晶をラビング方向に並べ
る絶縁性配向制御層が形成されている。また絶縁物質と
して例えばシリコン窒化物、水素を含有するシリコン炭
化物、シリコン酸化物、硼素窒化物、水素を含有する硼
素窒化物、セリウム酸化物、アルミニウム酸化物、ジル
コニウム酸化物、チタン酸化物やフッ化マグネシウムな
どの無機物質絶縁層を形成し、その上にポリビニルアル
コール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ボリエステル
イミド、ポリパラキシレン、ポリエステル、ポリカーボ
ネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリ
酢酸ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹
脂、メラミン樹脂、ユリャ樹脂、アクリル樹脂やフォト
レジスト樹脂などの有機絶縁物質を配向制御層として、
２層で絶縁性配向制御層が形成されていてもよく、また
無機物質絶縁性配向制御層あるいは有機物質絶縁性配向
制御層単層であっても良い。この絶縁性配向制御層が無
機系ならば蒸着法などで形成でき、有機系ならば有機絶
縁物質を溶解させた溶液、またはその前駆体溶液（溶剤
０．１〜２０重量％、好ましくは０．２〜１０重量％）
を用いて、スピンナー塗布法、浸漬塗布法、スクリーン
印刷法、スプレー塗布法、ロール塗布法等で塗布し、所
定の硬化条件下（例えば加熱下）で硬化させ形成させる
ことができる。
絶縁性配向制御層の層厚は通常３０人〜１μｍ１好まし
くは３０人〜３０００人、さらに好ましくは５０人〜１
０００人が適している。
この２枚のガラス基板２はスペーサー５によって任意の
間隔に保たれている。例えば所定の直径を持つシリカビ
ーズ、アルミナビーズをスペーサーとしてガラス基板２
枚で挾持し、周囲をシール材、例えばエポキシ系接着材
を用いて密封する方法がある。その他スペーサーとして
高分子フィルムやガラスファイバーを使用しても良い。
この２枚のガラス基板の間に強誘電性液晶が封入されて
いる。
強誘電性液晶が封入された強誘電性液晶層は、一般には
０．５〜２０μｍ１好ましくは１〜５μｍである。
また、この強誘電性液晶は室温を含む広い温度域（特に
低温側）でＳｍＣ＊相（カイラルスメクチックＣ相）を
有し、かつ、素子とした場合には粘度が低（高速応答性
を有すことが望ましい。さらに応答速度の温度依存性が
小さいことが望まれる。
また、特に素子とした場合に良好な均一配向性を示しモ
ノドメイン状態を得るには、その強誘電性液晶は等吉相
からｃｈ相（コレステリック相）−３ｍＡ相（スメクチ
ックＡ相）−ＳｍＣ＊相（カイラルスメクチックＣ相）
という相転移系列を有していることが望ましい。
透明電極３からはリード線によって外部電源７に接続さ
れている。
またガラス基板２の外側には偏光板８が貼り合わせであ
る。
第１図は透明型なので光源９を備えている。
第２図は強誘電性液晶素子の動作説明のために、セルの
例を模式的に描いたものである。２１ａと２１ｂはそれ
ぞれＩｎ　２０３　、　ＳｎＯ２あるいはＩＴＯ（Ｉｎ
ｄｉｕｍ−Ｔｉｎ　　０ｘｉｄｅ）等の薄膜からなる透
明電極で被覆された基板（ガラス板）であり、その間に
液晶分子層２２がガラス面に垂直になるよう配向したＳ
ｍＣ＊相またはＳｍＨ’相の液晶が封入されている。太
線で示した線２３が液晶分子を表わしており、この液晶
分子２３はその分子に直交した方向に双極子モーメント
（Ｐ工）２４を有している。基板２１ａと２１ｂ上の電
極間に一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子２
３のらせん構造がほどけ、双極子モーメント（Ｐ工）２
４がすべて電界方向に向（よう、液晶分子２３は配向方
向を変えることができる。液晶分子２３は細長い形状を
有しており、その長袖方向と短軸方向で屈折率異方性を
示し、従って２例えばガラス面の上下に互いにクロスニ
コルの偏光子を置けば、電圧印加極性によって光学特性
が変わる液晶光学変調素子となることは容易に理解され
る。
本発明の光学変調素子で好ましく用いられる液晶セルは
、その厚さを充分に薄く（例えばＩＯμ以下）すること
ができる。このように液晶層が薄（なるにしたがい、第
３図に示すように電界を印加していない状態でも液晶分
子のらせん構造がほどけ、その双極子モーメントＰａま
たはｐｂは上向き（３４ａ）または下向き（３４ｂ）の
どちらかの状態をとる。このようなセルに、第３図に示
す如（一定の閾値以上の極性の異る電界ＥａまたはＥｌ
）を電圧印加手段と３１ｂにより付与すると、双極子モ
ーメントは電界ＥａまたはＥｂの電界ベクトルに対応し
て上向き３４ａまたは下向き３４ｂと向きを変え、それ
に応じて液晶分子は、第１の安定状態３３ａかあるいは
第２の安定状態３３ｂの何れか一方に配向する。
このような強誘電性を光学変調素子として用いることの
利点は先にも述べたが２つある。
その第１は、応答速度が極めて速いことであり、第２は
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第２の
点を例えば第３図によって更に説明すると、電界Ｅａを
印加すると液晶分子は第１の安定状態３３ａに配向する
が、この状態は電界を切っても安定である。また、逆向
きの電界Ｅｂを印加すると、液晶分子は第２の安定状態
３３ｂに配向してその分子の向きを変えるが、やはり電
界を切ってもこの状態に留っている。また与える電界Ｅ
ａあるいはＥｂが一定の閾値を越えない限り、それぞれ
前の配向状態にやはり維持されている。
以下実施例により本発明について更に詳細に説明するが
、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
実施例１ 下記例示化合物を下記重量部で混合し、液晶組成物１−
Ａを作成した。
例示化 合物Ｎｏ。
構 造 式 この液晶組成物１−Ａに対して例示化合物１−８．２−
１２をそれぞれ下記の重量部で混合し、液晶組成物１−
Ｂを得た。
−Ａ 次に、これらの液晶組成物を以下の手順で作製したセル
を用いて、光学的な応答を観察した。
２枚の１　、１　ｍ　ｍ厚のガラス板を用意し、それぞ
れのガラス板上にＩＴＯ膜を形成し、電圧印加電極を作
成し、さらにこの上にＳｉＯ３を蒸着させ絶縁層とした
。
この基板上にポリイミド樹脂前駆体［東し■５Ｐ−５１
０］　１．０％ジメチルアセトアミド溶液を回転数３０
０Ｏｒ、ｐ、ｍのスピンナーで１５秒間塗布した。成膜
後、６０分間、３００℃加熱縮合焼成処理を施した。こ
の時の塗膜の膜厚は約１２０人であった。
この焼成後の被膜には、アセテート植毛布によるラビン
グ処理がなされ、その後イソプロピルアルコール液で洗
浄し、平均粒径１．５μｍのシリカビーズを一方のガラ
ス板上に散布した後、それぞれのラビング処理軸が互い
に平行となる様にし、接着シール剤［リクソンボンド（
チッソＩＳ　）］を用いてガラス板をはり合わせ、６０
分間、１００℃にて加熱乾燥しセルを作成した。このセ
ルのセル厚をベレツク位相板によって測定したところ約
１．５μｍであった。
このセルに上述の液晶組成物１−Ｂを等方性液体状態で
注入し、等吉相から２０℃／ｈで２５℃まで徐冷するこ
とにより、強誘電性液晶素子を作成した。
この強誘電性液晶素子を用いて、ピーク・トウ・ピーク
電圧Ｖ　ｐｐ　＝　２５　Ｖの電圧印加により直交ニコ
ル下での光学的な応答（透過光量変化Ｏ〜９０％）を検
知して応答速度（以後光学応答速度という）を測定した
。その結果を次に示す。
１０℃　　　２５℃　　　４０℃ 応答速度　　　９９０　μｓｅｃ　　　２６５　μｓｅ
ｃ　　　９０　μｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動
時のコントラストは１４で、明瞭なスイッチング動作が
観察された。
比較例１ 実施例１で使用した液晶組成物１−Ｂのうち例示化合物
Ｎｏ、　１−８を混合せずに１−Ａに対して例示化合物
Ｎｏ、２−ｔ２のみを混合した液晶組成物！−Ｃと例示
化合物Ｎｏ、２−１２を混合せずに１−Ａに対して例示
化合物Ｎｏ、　１−８のみを混合した液晶組成物１−Ｄ
を作成した。
液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物１−Ａ、
１−Ｃ及び１−Ｄをセル内に注入する以外は、全（実施
例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、光学応
答速度を測定した。その結果を次に示す。
応答速度　　１０℃　　　　２５℃　　　４０℃１−Ａ
　　　１６００　ｐ　ｓｅｃ　　　４３０　μｓｅｃ　
　　　１２０　μｓｅｃ１−ＣＩ４００　μｓｅｃ　　
　３７０　μｓｅｃ　　　　１１０　μｓｅｃ１−Ｄ　
　　１３２０μｓｅｃ　　　３４０μｓｅｃ　　　　１
０５μｓｅｃ実施例１と比較例１より明らかな様に、本
発明による液晶性組成物１−Ｂを含有する強誘電性液晶
素子の方が、低温における作動特性、高速応答性が改善
され、かつ応答速度の温度依存性が軽減されている。
、　ｘ−、、、Ｆ−。
（以下余白） 実施例２ 実施例１で混合した液晶組成物１−Ａに対して、以下に
示す・例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組
成物２−Ｂを得た。
例示化 合物Ｎα　　　　　　　　構　　造　　式これを用いた
他は実施例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し
、実施例１と同様の方法で光学応答速度を測定し、スイ
ッチング状態等を観察した。この液晶素子内の均−配向
性は良好であり、モノドメイン状態が得られた。測定結
果を次に示す。
応答速度 １０℃　　　　　２５℃　　　　４０℃９５０　μｓｅ
ｃ　　　２５５　μｓｅｃ　　　８５　μｓｅｃまた、
２５℃におけるこの駆動時のコントラストは１３で、明
瞭なスイッチング動作が観察され、電圧印加を止めた際
の双安定性も良好であった。
−Ａ 比較例２ 実施例２で使用した液晶組成物２−Ｂのうち例示化合物
Ｎｏ、ｌ−３，１−１１を混合せずにｌ−Ａに対して例
示化合物Ｎｏ、２−４６．２−８０のみを混合した液晶
組成物２−Ｃと例示化合物Ｎｏ、２−４６．２−８０を
混合せずに１−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、ｌ−３゜Ｌ
−１１のみを混合した液晶組成物２−Ｄを作成した。
液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物２−Ｃ及
び２−Ｄをセル内に注入する以外は、全〈実施例１と同
様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、光学応答速度を
測定した。その結果を次に示す。
応答速度　　１０℃　　　　２５℃　　　４０℃２−Ｃ
ｌ３１０　μｓｅｃ　　　３７５　μｓｅｃ　　１１０
　μ５ｅｃ２−Ｄ　　　　Ｉ２５０　μｓｅｃ　　　３
１５　μｓｅｃ　　１００　μｓｅｃ実施例２と比較例
２より明らかな様に、本発明による液晶性組成物２−Ｂ
を含有する強誘電性液晶素子の方が、低温における作動
特性、高速応答性が改善され、かつ応答速度の温度依存
性が軽減されている。
実施例３ 実施例１で使用した液晶組成物１−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物３−Ｂを得た。
例示化合物Ｎｏ、　　　　　　　　　構　　造　　式　
　　　　　　重量部す ！　−Ａ これを用いた他は実施例１と同様の方法で強誘電性液晶
素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速度を
測定し、スイッチング状態等を観察した。
この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。
１０℃　　　２５℃　　　４０℃ 応答速度　　１０６０　ｐ　ｓｅｃ　　２８５　μｓｅ
ｃ　　９５　μｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時
のコントラストは１４で、明瞭なスイッチング動作が観
察され、電圧印加を止めた際の双安定性も良好であった
。
比較例３ 実施例３で使用した液晶組成物３−Ｂのうち例示化合物
Ｎｏ、１−２８．１−４８を混合せずに１−Ａに対して
例示化合物Ｎｏ、２−３．２−３０のみを混合した液晶
組成物３−Ｃと例示化合物Ｎｏ、２−３．　２−３０を
混合せずに１−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、　ｌ−２８
。
１−４８のみを混合した液晶組成物３−Ｄを作成した。
液晶組成物１−Ｅを用いる代わりに液晶組成物３−Ｃ及
び３−Ｄをセル内に注入する以外は、全〈実施例１と同
様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、光学応答速度を
測定した。その結果を次に示す。
応答速度　　１０℃　　　　２５℃　　　　４０°Ｃ３
−ＣＩ４５０μｓｅｃ　　　　３９０μｓｅｃ　　　　
　１１５μ５ｅｃ３−Ｄ　　　　ｌ３００　μｓｅｃ　
　　　３４０　μｓｅｃ　　　　　１０５　μｓｅｃ実
施例３と比較例３より明らかな様に、本発明による液晶
性組成物３−Ｂを含有する強誘電性液晶素子の方が、低
温における作動特性、高速応′容性が改善され、かつ応
答速度の温度依存性が軽減されている。
実施例４ 実施例１で使用した液晶組成物１−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物４−Ｂを得た。
例示化合物Ｎｏ、　　　　　　　　　構　　造　　式　
　　　　　　重量部これを用いた他は実施例１と同様の
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方
法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察
した。
この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。
１０℃　　　２５℃　　　４０°Ｃ 応答速度　　９４５μｓｅｃ　　２６０μｓｅｃ　　８
５　μｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコント
ラストは１４で、明瞭なスイッチング動作が観察され、
電圧印加を止めた際の双安定性も良好であった。
比較例４ 実施例４で使用した液晶組成物４−Ｂのうち例示化合物
Ｎｏ、１−３１．　１−４０を混合せずに１−Ａに対し
て例示化合物Ｎｏ、　２−５１　、　２−７２のみを混
合した液晶組成物４−Ｃと例示化合物Ｎｏ、２−５１．
２−７２を混合せずに１−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、
　ｌ　−３１。
１−４０のみを混合した液晶組成物４−Ｄを作成した。
液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物４−Ｃ及
び４−Ｄをセル内に注入する以外は、全（実施例１と同
様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、光学応答速度を
測定した。その結果を次に示す。
応答速度　　１０℃　　　　２５℃　　　　４０℃４−
ＣＩ４２０　μｓｅｃ　　　　３７５　μｓｅｃ　　　
　　１１０　μ５ｅｃ４−Ｄ　　　　１１５０μｓｅｃ
　　　　３１０μｓｅｃ　　　　　９５μｓｅｃ実施例
４と比較例４より明らかな様に、本発明による液晶性組
成物４−Ｂを含有する強誘電性液晶素子の方が、低温に
おける作動特性、高速応答性が改善され、かつ応答速度
の温度依存性が軽減されている。
実施例５ 下記例示化合物を下記重量部で混合し、液晶組成物５−
Ａを作成した。
例示化 合物Ｎｏ。
構 造 式 ％式％ この液晶組成物５−Ａに対して例示化合物１−８．２−
１２をそれぞれ下記の重量部で混合し、液晶組成物５−
Ｂを得た。
例示化 合物Ｎｏ。
構 造 式 ％式％ 液晶組成物１−Ｂをこの液晶組成物５−Ｂ番二代えた他
は実施例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、
実施例１と同様の方法で光学応答速度を潰１１定し、ス
イッチング状態等を観察した。この液晶素子内の均−配
向性は良好でありモノドメイン状態が得られた。測定結
果を次に示す。
１０℃　　　２５℃　　　４０℃ 応答速度　１２７５１ｔ　ｓｅｃ　　３１０　μｓｅｃ
　　１１５　μｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時
のコントラストは１３で、明瞭なスイッチング動作が観
察された。
比較例５ 実施例５で使用した液晶組成物５−Ｂのうち例示化合物
Ｎｏ、　１−８を混合せずに１−Ａに対して例示化合物
Ｎｏ、２−１２のみを混合した液晶組成物５−Ｃと例示
化合物Ｎｏ、２−１２を混合せずに５−Ａに対して例示
化合物Ｎｏ、　１−８のみを混合した液晶組成物５−Ｄ
を作成した。
液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物５−Ａ、
　５−Ｃ及び５−Ｄをセル内に注入する以外は、全〈実
施例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し光学応
答速度を測定した。その結果を次に示す。
１０’０　　２５℃　　４０℃ 応答速度　　μＳｅＣμＳｅＣμ５ｅｃ５−Ａ　　　　
２０００　　５３０　　　　Ｘ５８５−Ｃ１８１０４６
５１４５ ５−Ｄ　　　　　　　１４５０　　　　３６０　　　　
１２０実施例５と比較例６より明らかな様に、本発明に
よる液晶組成物５−Ｂを含有する強誘電性液晶素子の方
が低温における作動特性、高速応答性が改善され、かつ
応答速度の温度依存性が軽減されている。
実施例６ 実施例５で使用した液晶組成物５−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物６−Ｂを得た。
これを用いた他は実施例１と同様の方法で強誘電性液晶
素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速度を
測定し、スイッチング状態等を観察した。
この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。
１０℃　　　２５℃　　　４０℃ 応答速度　　１２５０μｓｅｃ　　３０５μｓｅｃ　　
　１１５μｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコ
ントラストは１４で、明瞭なスイッチング動作が観察さ
れ、電圧印加を止めた際の双安定性も良好であった。
比較例６ 実施例６で使用した液晶組成物６−Ｂのうち例示化合物
Ｎｏ、ｌ−３，１−１１を混合せずに５−Ａに対して例
示化合物Ｎｏ、２−４６．　２−８０のみを混合した液
晶組成物６−Ｃと例示化合物Ｎｏ、２−４６．２−８０
を混合せずに５−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、　１−３
　。
１−１１のみを混合した液晶組成物６−Ｄを作成した。
液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物６−Ｃ及
び６−Ｄをセル内に注入する以外は、全（実施例１同様
の方法で強誘電性液晶素子を作成し光−Ａ 学応答速度を測定した。その結果を次に示す。
１０℃　　２５℃　　４０℃ 応答速度　　μＳｅｃ　　　μＳｅｃ　　　μ５ｅｃ６
−Ｃ１８２０４７０１４５ ６−Ｄ　　　　１４４０　　３６０　　１２０実施例６
と比較例６より明らかな様に、本発明よる液晶組成物６
−Ｂを含有する強誘電性液晶素子の方が低温における作
動特性、高速応答性が改善され、かつ応答速度の温度依
存性が軽減されている。
実施例７ 実施例５で使用した液晶組成物５−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物７−Ｂを得た。
例示化合物Ｎｏ、　　　　　　　　　構　　造　　式　
　　　　　　重量部これを用いた他は実施例１と同様の
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方
法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察
した。
この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。
１０℃　　　２５℃　　　４０℃ 応答速度　　１１６０４ｓｅｃ　　２９５μｓｅｃ　　
１１０μｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコン
トラストは１３で、明瞭なスイッチング動作が観察され
、電圧印加を止めた際の双安定性も良好であった。
比較例７ 実施例７で使用した液晶組成物７−Ｂのうち例示化合物
Ｎｏ、１−２８．　１−４８を混合せずに５−Ａに対し
て例示化合物Ｎｏ、２−３．２−３０のみを混合した液
晶組成物７−Ｃと例示化合物Ｎｏ、２−３．２−３０を
混合せずに５−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、１−２８゜
１−４８のみを混合した液晶組成物７−Ｄを作成した。
液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物７−Ｃ及
び７−Ｄをセル内に注入する以外は、全〈実施例１と同
様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、光学応答速度を
測定した。その結果を次に示す。
応答速度　　１０℃　　　　２５℃　　　　４０℃７−
０　　　１７３０　μｓｅｃ　　　　４５０　μｓｅｃ
　　　　　１４０μ５ｅｃ７−Ｄ　　　　１５２０　μ
ｓｅｃ　　　　３８５　μｓｅｃ　　　　　１３０１ｔ
　ｓｅｃ実施例７と比較例７より明らかな様に、本発明
による液晶性組成物７−Ｂを含有する強誘電性液晶素子
の方が、低温における作動特性、高速応答性が改善され
、かつ応答速度の温度依存性が軽減されている。
叉−２′ 実施例８ 実施例５で使用した液晶組成物５−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物８−Ｂを得た。
例示化合物Ｎｏ、　　　　　　　　　構　　造　　式　
　　　　　　重量部これを用いた他は実施例１と同様の
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方
法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察
した。
この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。
１０℃　　　２５℃　　　４０℃ 応答速度　　１１５０４ｓｅｃ　　２８５μｓｅｃ　　
　１０５μｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコ
ントラストは１４で、明瞭なスイッチング動作が観察さ
れ、電圧印加を止めた際の双安定性も良好であった。
比較例８ 実施例８で使用した液晶組成物８−Ｂのうち例示化合物
Ｎｏ、１−３１．１−４０を混合せずに５−Ａに対して
例示化合物Ｎｏ、　２−５１　、２−７２のみを混合し
た液晶組成物８−Ｃと例示化合物Ｎ００２−５１．２−
７２を混合せずに５−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、　１
−３１　。
１−４０のみを混合した液晶組成物８−Ｄを作成した。
液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物８−Ｃ及
び８−Ｄをセル内に注入する以外は、全〈実施例１と同
様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、光学応答速度を
測定した。その結果を次に示す。
応答速度　　１０℃　　　　２５℃　　　　４０℃８−
Ｃｌ６２５　μｓｅｃ　　　　４２５　μｓｅｃ　　　
　　１３５４５ｅｃ８−Ｄ　　　　ｌ５００　μｓｅｃ
　　　　３７０　μｓｅｃ　　　　　１２５　μｓｅｃ
実施例８と比較例８より明らかな様に、本発明による液
晶性組成物８−Ｂを含有する強誘電性液晶素子の方が、
低温における作動特性、高速応答性が改善され、かつ応
答速度の温度依存性が軽減されている。
実施例９ 下記例示化合物を下記の重量部で混合し、液晶性組成物
９−Ａを作成した。
例示化 合物Ｎｏ。
構 造 式 この液晶組成物９−Ａに対して例示化合物１−８．２−
１２をそれぞれ下記の重量部で混合し、液晶組成物９−
Ｂを得た。
例示化 合物Ｎｏ。
構 造 式 液晶組成物！−Ｂをこの液晶組成物９−Ｂに代えたほか
は実施例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、
実施例１と同様の方法で光学応答速度を測定し、スイッ
チング状態等を観察した。この液晶素子内の均−配向性
は良好でありモノドメイン状態が得られた。測定結果を
次に示す。
１０℃　　　　　２５℃　　　　　４０℃応答速度　　
４２０　μｓｅｃ　　　１１０　ｐ　ｓｅｃ　　４０　
μｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコンＩ・ラ
ストは１３で、明瞭なスイッチング動作が観察された。
比較例９ 実施例９で使用した液晶組成物９−Ｈのうち例示化合物
Ｎｏ、　１−８を混合せずに９−Ａに対して例示化合物
Ｎｏ。２−１２のみを混合した液晶組成物９−Ｃと例示
化合物Ｎｏ、２−１２を混合せずに９−Ａに対して例示
化合物Ｎｏ、　１−−８のみを混合した液晶組成物９−
Ｄを作成した。
液晶組成物！−Ｂを用いる代わりに液晶組成物９−Ａ、
　９−Ｃ及び９−Ｄをセル内に注入する以外は、全〈実
施例１同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し光学応答
速度を測定した。その結果を次に示す。
１０℃　　２５℃　　４０℃ 応答速度　　μｓｅｃ　　　１ｌｓｅｃ　　　ｌ１ｓｅ
ｃ９−Ａ　　　　６２０　　　１７０　　５２９−Ｃ５
２０１４２４５ ９−Ｄ　　　　４５０　　　１２０　　４０実施例９と
比較例９より明らかな様に、本発明による液晶性組成物
９−Ｂを含有する強誘電性液晶素子の方が低温における
作動特性、高速応答性が改善され、かつ応答速度の温度
依存性が軽減されている。
実施例１０ 実施例９で使用した液晶組成物９−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物ｔｏ−Ｂを得た。
例示化合物Ｎｏ、　　　　　　　　　構　　造　　式　
　　　　　　重量部−Ａ これを用いた他は実施例１と同様の方法で強誘電性液晶
素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速度を
測定し、スイッチング状態等を観察した。
この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。
１０℃　　　２６℃　　　４０℃ 応答速度　　４１５　μｓｅｃ　　１００　μｓｅｃ　
　４０　ｕｓｅａまた、２５℃におけるこの駆動時のコ
ントラストは１４で、明瞭なスイッチング動作が観察さ
れ、電圧印加を止めた際の双安定性も良好であった。
比較例１０ 実施例１０で使用した液晶組成物１０−Ｂのうち例示化
合物Ｎｏ、１−３．　１−１１を混合せずに９−Ａに対
して例示化合物Ｎｏ、２−４６．２−８０のみを混合し
た液晶組成物１０−Ｃと例示化合物Ｎｏ、２−４６゜２
−８０を混合せずに９−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、ｌ
−３，１−１１のみを混合した液晶組成物１０−Ｄを作
成した。
液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物１ｏ−ｃ
及び１０−Ｄをセル内に注入する以外は、全〈実施例１
と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。
応答速度　　１０℃　　　　２５℃　　　　４０℃１０
−Ｃ５１０１１ｓｅｃ　　　　　１４０　μｓｅｃ　　
　　　４５　μ５ｅｃ１０−Ｄ　　　　　４４５　μｓ
ｅｃ　　　　　１２０　ｐ　ｓｅｃ　　　　　４０　μ
ｓｅｃ実施例１０と比較例１Ｏより明らかな様に、本発
明による液晶性組成物１０−Ｂを含有する強誘電性液晶
素子の方が、低温における作動特性、高速応答性が改善
され、かつ応答速度の温度依存性が軽減されている。
（ろ／′ 実施例１１ 実施例９で使用した液晶組成物９−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物１１−Ｂを得た。
例示化合物ＮＯ，構　　造　　式　　　　　　　重量部
−Ａ これを用いた他は実施例１と同様の方法で強誘電性液晶
素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速度を
測定し、スイッチング状態等を観察した。
この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。
１０℃　　　２５１ＩＣ４０℃ 応答速度　　３６５μｓｅｃ　　９６μｓｅｃ　　　３
５μｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコントラ
ストは１２で、明瞭なスイッチング動作が観察され、電
圧印加を止めた際の双安定性も良好であった。
比較例１１ 実施例１１で使用した液晶組成物１１−Ｂのうち例示化
合物Ｎｏ、１−２８．　１−４８を混合せずに９−Ａに
対して例示化合物Ｎｏ、２−３．２−３０のみを混合し
た液晶組成物１１−Ｃと例示化合物Ｎｏ、２−３．２−
３０を混合せずに９−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、１−
２８゜１−４８のみを混合（〕た液晶組成物１１−Ｄを
作成した。
液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物１１−Ｃ
及び１１−Ｄをセル内に注入する以外は、全（実施例１
と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。
応答速度　　１０℃　　　　２５℃　　　　４０℃１１
−Ｃ４７０μｓｅｃ　　　　　１２５μｓｅｃ　　　　
　４０４ｓｅｃ１１−Ｄ　　　　　４４５　μｓｅｃ　
　　　　１２５　μｓｅｃ　　　　　４０　μｓｅｃ実
施例１１と比較例１１より明らかな様に、本発明による
液晶性組成物１１−Ｂを含有する強誘電性液晶素子の方
が、低温における作動特性、高速応答性が改善され、か
つ応答速度の温度依存性が軽減されている。
実施例１２ 実施例９で使用した液晶組成物９−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物１２−Ｂを得た。
例示化合物Ｎｏ、　　　　　　　　　構　　造　　式　
　　　　　　重量部、−ノ これを用いた他は実施例１と同様の方法で強誘電性液晶
素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速度を
測定し、スイッチング状態等を観察した。
この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。
１０℃　　　２５℃　　　４０℃ 応答速度　　３６５μｓｅｃ　　９４μｓｅｃ　　　３
５μｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコントラ
ストは１４で、明瞭なスイッチング動作が観察され、電
圧印加を止めた際の双安定性も良好であった。
比較例１２ 実施例１２で使用した液晶組成物１２−Ｂのうち例示化
合物Ｎｏ、１−３１．　１−４０を混合せずに９−Ａに
対して例示化合物Ｎｏ、　２−５１　、２−７２のみを
混合した液晶組成物１２−Ｃと例示化合物Ｎｏ、　２−
５１　。
２−７２を混合せずに９−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、
１−３１．　１−４０のみを混合した液晶組成物１２−
Ｄを作成した。
液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物１２−Ｃ
及び１２−Ｄをセル内に注入する以外は、全（実施例１
と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。
応答速度　　１０℃　　　　２５℃　　　　４０℃１２
−Ｃ５３０μｓｅｃ　　　　　１４０　μｓｅｃ　　　
　　４５　μ５ｅｃ１２−Ｄ　　　　　４５５　μｓｅ
ｃ　　　　　１１９　μｓｅｃ　　　　　４０　μｓｅ
ｃ実施例１２と比較例１２より明らかな様に、本発明に
よる液晶性組成物１２−Ｂを含有する強誘電性液晶素子
の方が、低温における作動特性、高速応答性が改善され
、かつ応答速度の温度依存性が軽減されている。
実施例１３ 実施例１及び比較例１で使用した液晶組成物をＳｉｎｇ
を用いずに、ポリイミド樹脂だけで配向制御層を作成し
た以外は全（実施例１と同様の方法で強誘電性液晶素子
を作成し、実施例と同様の方法で光学応答速度を測定し
た。その結果を次に示す。
応答速度　　　１０℃　　　　２５℃　　　　４０℃１
−８　　９６０　μｓｅｃ　　　２５５　μｓｅｃ　　
　　９０　μ５ｅｃ１−Ａ１３６０μｓｅｃ　　　３５
５μｓｅｃ　　　　１０５μ５ｅｅ１−Ｃ１２９０μｓ
ｅｃ　　　３２０μｓｅｃ　　　　ｌｏＯμ５ｅｃ１−
Ｄ　　　１５３０μｓｅｃ　　　４２０μｓｅｃ　　　
　１２０μｓｅｃ実施例１３より明らかな様に、素子構
成を変えた場合でも本発明に従う強誘電性液晶組成物を
含有する素子は、他の液晶組成物を含む素子に比べ実施
例１と同様に低温作動特性が非常に改善され、かつ応答
速度の温度依存性が軽減されたものとなっている。
実施例１４〜２１ 実施例１．５．９で用いた例示化合物および液晶性組成
物に代えて表１に示した例示化合物および液晶性組成物
を各重量部で用い１４−Ｂ〜２１−Ｂの液晶性組成物を
得た。これらを用いた他は全（実施例１と同様の方法に
より強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法
で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察し
た。それぞれの液晶素子内の均一配向性は良好であり、
モノドメイン状態が得られた。測定結果を表１に示す。
（以下余白） 実施例２２ 実施例１で使用した液晶組成物１−Ｂに対して以下に示
す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成物
２２−Ｂを得た。
例示化合物Ｎα　　　　　構造式　　　　　　　重量部
υ −Ｂ この液晶組成物を用いた以外は、全〈実施例１と同様な
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方
法で光学応答速度を測定した。
光学応答速度 １０００　　　　　２５℃　　　　４０℃１１５４　μ
ｓｅｃ　　　２９４　μｓｅｃ　　　９７　μｓｅｃさ
らに、上記液晶素子を用い、２５℃において直交ニコル
下でチルト角を測定したところ、７．４°であった。次
に６０ＫＨｚの周波数で±８ｖの矩形波を印加しながら
チルト角を測定したところ、１４．２゜であった。この
時透過率を測定したところ１５％であった。また同時に
コントラスト比を測定したところ６０　：　１であった
。
比較例２２ 液晶組成物１−Ｈに代えて、液晶組成物１−Ａに前述の
に３−１０の化合物を実施例２２と同様な比率で含有さ
せた液晶組成物２２−Ｃを作成した。
これら２２−Ｃおよび！−Ａ、１−Ｈの液晶組成物を用
いて実施例１と同様な方法でそれぞれ強誘電性液晶素子
を作成し、実施例１と同様な方法で光学応答速度を測定
した。
また、さらに、実施例２２と全く同様な方法でチルト角
を測定した。結果を次に示す。
光学応答速度 １０℃　　　２５℃　　　４０℃ １６００　μｓｅｃ　　４３０　μｓｅｃ　　１２０　
μ５ｅｃ９９０　ＪＬｓｅｃ　　２６５　μｓｅｃ　　
　９０　μ５ｅｃ１９２８　μｓｅｃ　　４７０　μｓ
ｅｃ　　１３３　μｓｅｃ−Ｂ −Ａ ２−Ｃ チルト角（２５℃） 初期チルト角　　ＡＣスタビライズ時 （無電界時）　　　（６０ＫＨｚ、±８ｖ矩形波印加時
）１−Ａ　　　　７，５°　　　　　　　７，８゜１−
８　　　７，３°　　　　　　　７．６０２２−Ｃ７，
７°　　　　　　　１３．３゜実施例２２と比較例２２
により明らかな様に、本発明による液晶組成物に誘電異
方性が負の液晶性化合物を混合することにより、応答特
性が改善された上に、さらに、ＡＣスタビライズ効果に
よる表示方法に用いる場合、表示特性が大幅に改善され
ることがわかった。
実施例２３ 実施例１で使用した液晶組成物１−Ｂに対して以下に示
す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成物
２３−Ｂを得た。
例示化合物鬼　　　　　構造式　　　　　　　重量部例
示化合物Ｎα 構造式 ％式％ 二の液晶組成物を用いた以外は、全〈実施例１と同様な
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方
法で光学応答速度を測定した。
光学応答速度 １０℃　　　　　　２５℃　　　　　４０’Ｃ１１３０
４ｓｅｃ　　　　３０２　μｓｅｃ　　　　１０２　μ
ｓｅｃ化合物 さらに、上記液晶素子を用い、２５℃において直交ニコ
ル下でチルト角を測定したところ、８８６°であった。
次に６０ＫＨｚの周波数で±８ｖの矩形波を印加しなが
らチルト角を測定したところ、１３．９゜であった。こ
の時透過率を測定したところ１５．１％であった。また
同時にコントラスト比を測定したところ６３：ｌであっ
た。
比較例２３ 液晶組成物１−Ｂに代えて、液晶組成物１−Ａに前述ノ
ＮＱ３−９０．　３−１２．　３−１１２．　３−７０
゜３−１０７．３−１２２．３−１６７の化合物を実施
例２３と同様な比率で含有させた液晶組成物２３−ｃを
作成した。
これら２３−Ｃおよび１−Ａ、１−Ｂの液晶組成物を用
いて実施例１と同様な方法でそれぞれ強誘電性液晶素子
を作成し、実施例１と同様な方法で光学応答速度を測定
した。
また、さらに、実施例２３と全く同様な方法でチルト角
を測定した。結果を次に示す。
光学応答速度 １０℃　　　２５℃　　　４０℃ １−Ａ　　ｌ６００　μｓｅｃ　　４３０　μｓｅｃ　
　１２０４ｓｅｃ１−Ｂ　　９９０４ｓｅｃ　　２６５
　μｓｅｃ　　　９０　μ５ｅｃ２３−Ｃｌ７６７　μ
ｓｅｃ　　４５３４ｓｅｃ　　１２９　μｓｅｃ化合物
を混合することにより、応答特性が改善された上に、さ
らに、ＡＣスタビライズ効果による表示方法に用いる場
合、表示特性が大幅に改善されることがわかった。
（以下余白） チルト角（２５℃） 初期チルト角　　ＡＣスタビライズ時 （無電界時）　　　（６０ＫＨｚ、±８Ｖ矩形波印加時
）１−Ａ　　　　７，５°　　　　　　　７．８’１−
Ｂ　　　　７．３°　　　　　　　７．６゜２３−０　
　　８．３°　　　　　　　１３．０’実施例２３と比
較例２３により明らかな様に、本発明による液晶組成物
に誘電異方性が負の液晶性実施例１４〜２３より明らか
な様に、本発明による液晶性組成物１４−Ｂ〜２３−Ｂ
を含有する強誘電性液晶素子は低温における作動特性、
高速応答速度が改善され、かつ応答速度の温度依存性が
軽減されている。
また、実施例２２．２３より明らかな様に、本発明によ
る液晶組成物は、さらに、ＡＣスタビライズ効果による
表示方法に用いる場合表示特性が大幅に改善されている
。
〔発明の効果〕
本発明の強誘電性液晶組成物を含有する素子は、スイッ
チング特性が良好で、作動特性の改善された液晶素子、
及び応答速度の温度依存性が軽減された液晶素子とする
ことができる。また、さらに本発明の特定の化合物を有
する強誘電性液晶組成物に誘電異方性が負の液晶性化合
物を含有することにより、前述の特徴を有したうえにさ
らにＡＣスタビライズ効果による表示特性が大幅に改善
された液晶素子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は強誘電性液晶を用いた液晶表示素子の一例の断
面概略図。 第２図および第３図は強誘電性液晶素子の動作説明のた
めに、素子セルの一例を模式的に表わす斜視図。 第４図はΔεの値の異なるＦＬＣのＶｒｍｓに対するθ
ａの変化を示す図である。 第１図において、 ｌ・・・・・・・・・・・・・・強誘電性液晶層２・・
・・・・・・・・・・・・・・ガラス基板３・・・・・
・　・・・・・・・・・・透明電極４・・・・・・・・
・・・・絶縁性配向制御層５・・・・・・　・・・・・
・・・・・スペーサー６・・・・・・・・・・・・・・
・・リード線７・・・・・　・・・・・・・・・・・・
・電源８・・・・・・・・・・・・・・・・・偏光板９
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・光源１ｏ・・
・・・・・・・・・・・・・・・・入射光■・・・・・
・・・・・・・・・・・・・透過光第２図において、 １ａ １ｂ 基板 基板 強誘電性液晶層 液晶分子 双極子モーメント（Ｐ土） 第３図において、 １ａ １ｂ ３ａ ３ｂ ４ａ ４ｂ ａ ｂ 電圧印加手段 電圧印加手段 第１の安定状態 第２の安定状態 上向きの双極子モーメント 下向きの双極子モーメント 上向きの電界 下向きの電界 ２．１υ γ４０ ΔΣ８１ぞラメ−ターとマる （＝ｋ）

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （ただし、Ｒ＿１はＣ＿１〜Ｃ＿１＿８の置換基を有し
    ていても良い直鎖状、又は分岐状のアルキル基であり、
    Ｘ＿１は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼のいずれかを示す。 Ｚは単結合もしくは▲数式、化学式、表等があります▼
    であり、▲数式、化学式、表等があります▼は▲数式、
    化学式、表等があります▼もしくは▲数式、化学式、表
    等があります▼である。又、ｎは１〜１２を示す。） で示される化合物の少なくとも一種と 下記一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （ただし、Ｒ＿２、Ｒ＿３はＣ＿１〜Ｃ＿１＿８の置換
    基を有していてもよい直鎖状又は分岐状のアルキル基で
    ある。 ただし、少なくとも一方は光学活性である。Ｘ＿２、Ｘ
    ＿３は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等がありま
    す▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化
    学式、表等があります▼）で示される化合物の少なくと
    も１種と、 さらに、誘電異方性（Δε）が負の液晶性化合物の少な
    くとも１種とを含有することを特徴とする強誘電性カイ
    ラルスメクチック液晶組成物。
  2. （２）前記誘電異方性が負の液晶性化合物がΔε＜−２
    であるところの請求項１記載の強誘電性カイラルスメク
    チック液晶組成物。
  3. （３）前記誘電異方性が負の液晶性化合物がΔε＜−５
    であるところの請求項２記載の強誘電性カイラルスメク
    チック液晶組成物。
  4. （４）前記誘電異方性が負の液晶性化合物がΔε＜−１
    ０であるところの請求項３記載の強誘電性カイラルスメ
    クチック液晶組成物。
  5. （５）前記誘電異方性が負の液晶性化合物が下記一般式
    （III−［１］）から（III−［５］）のいづれかで示さ
    れる化合物の中から選ばれることを特徴とする請求項１
    から４項記載の強誘電性カイラルスメクチック液晶組成
    物。 一般式（III−［１］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｒ＿ａ、Ｒ＿ｂは置換基を有していてもよい直鎖状又
    は分岐状のアルキル基、 Ｘ＿ａ、Ｘ＿ｄは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
    等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
    Ｘ＿ｂ、Ｘ＿ｃは単結合、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿
    ２ＣＨ＿２−、Ａ＿ａ、Ａ＿ｂは単結合、▲数式、化学
    式、表等があります▼（トランス）、▲数式、化学式、
    表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
    （トランス・トランス）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（トランス）、▲数
    式、化学式、表等があります▼、Ａ＿ａ、Ａ＿ｂがとも
    に単結合の場合、Ｘ＿ｂ、Ｘ＿ｃは単結合であり、Ｘ＿
    ａ、Ｘ＿ｄは供に単結合又は供に−Ｏ−であるか、又は
    Ｘ＿ａが▲数式、化学式、表等があります▼で、Ｘ＿ｄ
    が▲数式、化学式、表等があります▼である。 Ｙ＿ａ、Ｙ＿ｂは、シアノ基、ハロゲン、水素、ただし
    Ｙ＿ａ、Ｙ＿ｂが同時に水素にはならない。〕一般式（
    III−［２］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｒ＿ｅ、Ｒ＿ｆは置換基を有していてもよい直鎖状又
    は分岐状のアルキル基、 Ｘ＿ｅ、Ｘ＿ｈは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
    等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
    Ｘ＿ｆ、Ｘ＿ｇは▲数式、化学式、表等があります▼、
    ▲数式、化学式、表等があります▼、単結合、Ａ＿ｅ、
    Ａ＿ｆは▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
    化学式、表等があります▼、単結合、ただしＡ＿ｅ、Ａ
    ＿ｆが同時に単結合にはならない。〕一般式（III−［
    ３］） ▲数式、化学式、表等があります▼ Ａ＿ｉは単結合、▲数式、化学式、表等があります▼、 Ａ＿ｊは単結合、▲数式、化学式、表等があります▼、
    ▲数式、化学式、表等があります▼、 Ｒ＿ｉ、Ｒ＿ｊは置換基を有してもよい直鎖又は分岐の
    アルキル基、ただしＡ＿ｊが単結合のとき直鎖アルキル
    基であり、Ｚ＿１は−Ｏ−又は−Ｓ−、 Ｘ＿ｉ、Ｘ＿ｋは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
    等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
    ▲数式、化学式、表等があります▼、Ｘ＿ｊは単結合、
    ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、−ＣＨ＿２Ｏ−、−ＯＣＨ＿２−、
    ただしＡ＿ｉが単結合のときＸ＿ｉは単結合であり、Ａ
    ＿ｊが▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化
    学式、表等があります▼のときＸ＿ｊは単結合ではなく
    、Ａ＿ｊが単結合のときＸ＿ｋは単結合である。〕一般
    式（III−［４］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｒ＿ｌ、Ｒ＿ｍは置換基を有してもよい直鎖又は分岐
    のアルキル基、 Ａ＿ｌ、Ａ＿ｍは単結合、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、ただしＡ
    ＿ｋ、Ａ＿ｌは同時に単結合にならない。 Ｘ＿ｌは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、Ｘ＿ｍは
    単結合、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
    化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿２Ｏ−、−ＯＣＨ
    ＿２−、−ＣＨ＿２ＣＨ＿２−、−Ｃ≡Ｃ−〕 一般式（III−［５］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｒ＿ｎ、Ｒ＿ｏは置換基を有していてもよい直鎖又は
    分岐のアルキル基、 Ｘ＿ｎ、Ｘ＿ｑは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
    等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
    Ｘ＿ｏ、Ｘ＿ｐは単結合、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿
    ２Ｏ−、−ＯＣＨ＿２−、−ＣＨ＿２ＣＨ＿２−、 Ａ＿ｎ、Ａ＿ｐは単結合、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、Ａ＿ｏは
    ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、 Ｚ＿２は▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式
    、化学式、表等があります▼〕
  6. （６）請求項１記載の強誘電性カイラルスメクチック液
    晶組成物を一対の電極基板間に配置してなることを特徴
    とする液晶素子。
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