JPH02206679A - 液晶組成物およびこれを含む液晶素子 - Google Patents

液晶組成物およびこれを含む液晶素子

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JPH02206679A
JPH02206679A JP1025047A JP2504789A JPH02206679A JP H02206679 A JPH02206679 A JP H02206679A JP 1025047 A JP1025047 A JP 1025047A JP 2504789 A JP2504789 A JP 2504789A JP H02206679 A JPH02206679 A JP H02206679A
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mathematical
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JP1025047A
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Kenji Shinjo
健司 新庄
Masataka Yamashita
山下　真孝
Masahiro Terada
匡宏 寺田
Hiroyuki Kitayama
北山　宏之
Shinichi Nakamura
真一 中村
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Original Assignee
Canon Inc
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は液晶表示素子や液晶−光シヤツター等に利用さ
れる液晶素子に用いる液晶組成物に関し、更に詳しくは
、電界に対する応答特性が改善された新規な液晶組成物
に関するものである。
〔背景技術〕
従来より、液晶は電気・光学素子として種々の分野で応
用されている。現在実用化されている液晶素子はほとん
どが、例えばＭ　、Ｓ　ｃ　ｈ　ａ　ｄ　ｔとＷ、Ｈｅ
１ｆｒｔｃ）ｘ著″Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　
Ｌｅｔｔｅｒｓ　　Ｖｏ、１８、Ｎｏ、４　（１９７Ｘ
、２４５）、Ｐ、１２７〜１２８の’Ｖｏｌｔａｇｅ−
３ｐｅｎｄｅｎｔ　　０ｐｔｉｃａｌ　　Ａｃｔｉｖｉ
ｔｙ　　ｏｆ　　ａＴｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ　
Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ’に示されたＴＮ　（ｔ
ｗｉｓｔｅｄ　　ｎｅｍａｔｉｃ）型の液晶を用いたも
のである。
これらは、液晶の誘電的配列効果に基づいており、液晶
分子の誘電異方性のために平均分子軸方向が、加えられ
た電場により特定の方向を向く効果を利用している。こ
れらの素子の光学的な応答速度の限界はミリ秒であると
いわれ、多くの応用のためには遅すぎる。一方、大型平
面デイスプレィへの応用では、価格、生産性などを考え
合せると単純マトリクス方式による駆動が最も有力であ
る。単純マトリクス方式においては、走査電極群と信号
電極群をマトリクス状に構成した電極構成が採用され、
その駆動のためには、走査電極群に順次周期的にアドレ
ス信号を選択印加し、信号電極群には所定の情報信号を
アドレス信号と同期させて並列的に選択印加する時分割
駆動方式が採用される。
しかしこのような駆動方式の素子に前述したＴＮ型の液
晶を採用すると走査電極が選択され、信号電極が選択さ
れない領域、或いは走査電極が選択されず、信号電極が
選択される領域（所謂“半選択点”）にも有限に電界が
かかってしまう。選択点にかかる電圧と、半選択点にか
かる電圧の差が充分に大きく、液晶分子を電界に垂直に
配列させるのに要する電圧閾値がこの中間の電圧値に設
定されるならば、表示素子は正常に動作するわけである
が、走査線数（Ｎ）を増やして行った場合、画面全体（
１フレーム）を走査する間に一つの選択点に有効な電界
がかかっている時間（ｄｕｔｙ比）が１／Ｎの割合で減
少してしまう。このために、くり返し走査を行った場合
の選択点と非選択点にかかる実効値としての電圧差は、
走査線数が増えれば増える。程小さ（なり、結果的には
画像コントラストの低下やクロストークが避は難い欠点
となっている。
このような現象は、双安定性を有さない液晶（電極面に
対し、液晶分子が水平に配向しているのが安定状態であ
り、電界が有効に印加されている間のみ垂直に配向する
）を時間的蓄積効果を利用して駆動する（即ち、繰り返
し走査する）ときに生ずる本質的には避は難い問題点で
ある。この点を改良するために、電圧平均化法、２周波
駆動法や、多重マトリクス法等が既に提案されているが
、いずれの方法でも不充分であり、表示素子の大画面化
や高密度化は、走査線数が充分に増やせないことによっ
て頭打ちになっているのが現状である。
この様な従来型の液晶素子の欠点を改善するものとして
、双安定性を有する液晶素子の使用がＣ１ａｒｋ及びＬ
ａｇｅｒｗａｌｌにより提案されている（特開昭５６−
１０７２１６号公報、米国特許第４３６７９２４号明細
書等）。双安定性液晶としては一般に、カイラルスメク
テイツクＣ相（Ｓｍ０本）又はＨ相（ＳｍＨ＊）を有す
る強誘電性液晶が用いられる。この強誘電性液晶は電界
に対して第１の光学的安定状態と第２の光学的安定状態
からなる双安定状態を有し、従って前述のＴＮ型の液晶
で用いられた光学変調素子とは異なり、例えば一方の電
界ベクトルに対して第１の光学的安定状態に液晶が配向
し、他方の電界ベクトルに対しては第２の光学的安定状
態に液晶が配向される。また、この型の液晶は、加えら
れる電界に応答して、上記２つの安定状態のいずれかを
取り、且つ電界の印加のないときはその状態を維持する
性質（双安定性）を有する。
以上のような双安定性を有する特徴に加えて、強誘電液
晶は高速応答性であるという・優れた特徴を持つ。それ
は強誘電液晶の持つ自発分極と印加電場が直接作用して
配向状ル】の転移を誘起するためであり、誘電率異方性
と電場の作用による応答速度より３〜４オーダー速い。
このように強誘電液晶はきわめて優れた特性を潜在的に
有しており、このような性質を利用することにより、上
述した従来のＴＮ型素子の問題点の多くに対して、かな
り本質的な改善が得られる。特に、高速光学光シャッタ
ーや、高密度、大画面デイスプレィへの応用が期待され
る。このため強誘電性を持つ液晶材料に関しては広く研
究がなされているが、現在までに開発された強誘電性液
晶材料は、低温作動特性、高速応答性等を含めて液晶素
子に用いる十分な特性を備えているとは云い難い。
そこで、応答速度を速くするには、 （ア）自発分極の大きさＰｓを太き（する（イ）粘度η
を小さくする （つ）印加電圧Ｅを高（する 方法がある。しかし印加電圧は、ＩＣ等で駆動するため
上限があり、出来るだけ低い方が望ましい。
よって、実際には粘度ηを小さくするか、自発分極の大
きさＰｓの値を大きくする必要がある。
−船釣に自発分極の大きい強誘電性カイラルスメクチッ
ク液晶化合物においては、自発分極のもたらすセルの内
部電界も大きく、双安定状態をとり得る素子構成への制
約が多（なる傾向にある。又、いたずらに自発分極を大
きくしても、それにつれて粘度も大きくなる傾向にあり
、結果的には応答速度はあまり速（ならないことが考え
られる。
また、実際のデイスプレィとしての使用温度範囲が例え
ば５〜４０℃程度とした場合、応答速度の変化が一般に
２０倍程もあり、駆動電圧及び周波数による調節の限界
を越えているのが現状である。
以上述べたように、強誘電性液晶素子を実用化するため
には、粘度が低く高速応答性を有し、かつ応答速度の温
度依存性の小さな強誘電性カイラルスメクチック液晶組
成物が要求される。
代表的な強誘電性液晶セルの構成は、ガラス基板上にＩ
ＴＯ等で電極パターンを形成し、その上に５ｉ０２等で
上下基板のショート防止層を形成（約１０００人）その
上にポリイミド（ＰＩ　；東し社５Ｐ５１０゜ＳＰ７１
０等）膜を４００人位の膜厚で形成し、さらに、ＰＩ膜
をラビング処理したものを上下対称な配向になるように
向いあわせて構成し、その基盤間隔を１〜３μｍに保つ
ものである。
一方、このような条件下で配列した強誘電性液晶は、一
般に上下基板間をねじれた状態でつながり、−軸性の配
向を示さないことが知られている（スプレー配向）。こ
のような場合、問題点のひとつに液晶層の透過率が低い
ことである。
透過光量は分子配向の一軸性を仮定すると、クロスニコ
ル下で入射光■。の強度に対してＩの強度を得る。
ここで、Δｎは屈折率異方性、ｄはセル厚、λは入射光
の波長、θ、は双安定状態間の角度（チルト角）である
。
前述のセルを用い、スプレー配向をとった場合、現状で
はθ１は５〜８°である。Δｎｄπ／λのコントロール
は物性的に簡単に行えないので、θａを太き（して、■
を大きくしたいが、スタティックな配向手法によりでは
なかなか達成できない。
このような問題に対して、強誘電性液晶のΔε項のトル
クを用いることにより、θ、を広げられることが知られ
ている（　１９８３年ＳＩＤ″１’ＡＴＴにより発表、
特開昭６１−２４５１４２号、特開昭６１−２４６７２
２号、特開昭６１−２４６７２３号、特開昭６１−２４
６７２４号、特開昭６１−２４９０２４号、特開昭６１
−２４９０２５号）。
液晶のΔεが負であると、液晶分子は電界印加により、
基板に平行になろうとする。この特性を利用、すなわち
、スイッチング時以外にも一定の実効的な電界を印加す
ることにより、かかるねじれ配列を解消し、θ、を増大
させて透過率を上げることができる（ＡＣスタビライズ
効果）。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明の目的は、強誘電性液晶素子を実用できるように
、応答速度が速（、しかもその応答速度の温度依存性が
軽減されたカイラルスメクチック液晶組成物およびかか
る液晶組成物を使用する液晶素子を提供することにある
。
本発明の他の目的は、本発明の液晶組成物を用いること
により、ＡＣスタビライズ効果をもたせ、表示特性を大
きく向上させられる液晶素子を提供することにある。
〔問題を解決するための手段〕
本発明は下記−数式（Ｉ） （ただし、式中、 Ｒ８は置換基を有していてもよいＣ８〜Ｃ１８の直鎖状
又は分岐状のアルキル基、 Ｘ２は単結合、　−Ｏ−、−ＣＯ− Ｅは１〜１２゜） で示される化合物の少なくとも一種と、下記一般式 （ＩＩ　） 前記一般式 で示される化合物の具体的な構 造式の例を以下に示す。
Ｒ２はＣ ７〜Ｃ１８の直鎖状アルキル基。） で示される化合物の少な（とも１種とを含有することを
特徴とする強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物な
らびにかかる液晶組成物を一対の電極基板間に配置して
なる液晶素子を提供するものである。
（］−８） （１−！８） （１，−６９） −数式 （Ｉ） で示される化合物は下記に示すような 合成経路Ａ、Ｂ、Ｃで得ることができる。
合成経路Ａ 合成経路Ｂ 合成経路Ｃ （Ｘ＋　：　　Ｏ） −数式（１）で示される化合物の代表的な合成例を以下
に示す。
合成例１（化合物Ｎｏ、１−１７の合成）ｐ−２−フル
オロオクチルオキシフェノール１．ＯＯｇ（４、１６ｍ
　Ｍ　）をピリジン１０　ｍ　ｌ、トルエン５ｍｌに溶
解させ、トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキサンカ
ルボン酸クロライド１．３０ｇ　（６，ＯＯｍＭ）をト
ルエン５ｍｆに溶解した溶液を、５℃以下、２０〜４０
分間で滴下した。滴下後、室温で一晩撹拌し、白色沈殿
を得た。
反応終了後、反応物をベンゼンで抽出し、さらにこのベ
ンゼン層を蒸留水で洗ったのち、ベンゼン層を硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、ベンゼンを留去した。さらにシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーを用いて精製し、さらに
エタノール／メタノールで再結晶して、トランス−４−
ｎ−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸−ｐ−２−フル
オロオクチルオキシフェニルエステル１　、２０　ｇ　
（２、８５ｍ　Ｍ　）を得た。（収率６８．６％） ＮＭＲデータ＜ｐｐｍ） ０　、８３〜２　、８３　ｐ　ｐ　ｍ　　（３４Ｈ、ｍ
　）４．００〜４．５０ｐｐｍ　　（２Ｈ，ｑ）７、ｌ
ｌｐｐｍ　　　　　　　（４Ｈ，５）ＴＲデータ（ｃ　
ｍ−’　） ３４５６、　２９２８゜ １４７０、　１２４８゜ ８５４゜ 相転移温度（℃） １７４２、　１５０ｇ。
２８５２゜ １１６６、　１１３２゜ １２００゜ （ここで、Ｓ３＋　　３４＋　　ｓ、、ｓ６は、ＳｍＣ
＊よりも秩序度の高い相を示す。） 合成例２（化合物Ｎｏ、１−３４の合成）十分に窒素置
換された容器に、（−）　−２−フルオロヘプタツール
０　、４０　ｇ　（３、０ｍ　ｍ　ｏ　１　）と乾燥ピ
リジン１．ＯＯｇ　（１３ｍｍｏｆ）を入れ水冷下で３
０分間撹拌した。その溶液にｐ−）ルエンスルホン酸ク
ロリド０．６９ｇ　（３，６ｍｍｏｌ）を加え、そのま
ま５時間撹拌を続けた。反応終了後、ＩＮ　ＨＣｌ１１
０ｍｊ！を加え、塩化メチレン１０ｍｊ？で２回抽出を
行った後、その抽出液を蒸留水１０　ｍ　ｌで１回洗浄
した。得られた塩化、メチレン溶液に無水硫酸ナトリウ
ムを適宜加えて乾燥したのち、溶媒を留去しく＋）’−
２−フルオロヘプチルｐ−トルエンスルホン酸エステル
０．５９ｇ　（２，０ｍｍｏｌ）を得た。
収率は６６％である。生成物の比旋光度およびＴＲデー
タは下記の通りである。
比旋光度［αコ’９’＋２．５９゜ （ｃ＝１、ＣＨＣｌ　３）。
比旋光度［α］溜＋９．５８゜ （Ｃ＝１、ＣＨＣｌ　３）。
ＩＲ（ａｍ−’　）： ２９００、　　　２８５０．　　　　！６００．　　　
　Ｊ、４５０゜１３５０、　　　１１７０．　　　１０
９０．　　　　９８０゜８１０、　　　　６６０．　　
　　５５０゜上記のようにして得られた（＋）−２−フ
ルオロへブチルｐ−）ルエンスルホン酸エステル０．４
３ｇ（１、５ｍ　ｍ　ｏ　ｌ　）と５−オクチル−２−
（４−ヒドロキシフェニル）ピリミジン０．２８ｇ　（
１，０ｍｍｏｎに１−ブタノール０．２ｍｌを加えよく
撹拌した。その溶液に、あらかじめｌ−ブタノール！、
Ｏｍｆに水酸化ナトリウム０．０４８ｇ　（１，２ｒｎ
ｍｏｌ）を溶解させて調製しておいたアルカリ溶液を速
やかに注ぎ５時間半、加熱還流した。反応終了後蒸留水
１．０　ｍ　Ｉ！を加え、ベンゼン１０ｍｊ！および５
ｍｊ’でそれぞれ１回づつ抽出を行った後、その抽出液
に無水硫酸ナトリウムを適宜加えて乾燥した。乾燥後、
溶媒を留去し、シリカゲルカラム（クロロホルム）によ
り目的物である（＋）−５−オクチル−２−［４−（２
−フルオロヘプチルオキシ）フェニル］ピリミジン０　
、１７　ｇ　（０、４３ｍ　ｍ　ｏ　ｌ　）を得た。
収率は４３％であり、以下のような比旋光度およびＴＲ
データが得られた。
比旋光度［α３＋”’　＋　０　、４４゜（ｃ−１，Ｃ
ＨＣｆ　　ｓ　）。
比旋光度［αコ溜＋４．１９゜ （ｃ＝　１．ＣＨＣｌ　３　）。
ＩＲ （ｃｍ”’）： ２９００゜ ２８５０゜ １６００゜ １５８０゜ １４２０゜ １２５０゜ １１６０゜ ８００゜ ７２０゜ ６５０゜ ５５０゜ 前記−数式（ＩＩ） で示される化合物の具体的な 構造式の例を以下に示す。
ｎ　Ｃ１ｏＨ２１（−狸）ｏｃ８Ｈ，７−ｎｎ−Ｃｌ０
Ｈ２１（−ハ伽、ｏｃ９Ｈ，，−ｎｎ　Ｃ１ｏＨ２１（
＋ＱＣｔｏＨ２１ｎ。−Ｃ山イー”）−＠）−ｏｃ山−
ｎ ｎ−Ｃ１２Ｈ２５−１，＋ＱＣ７ＨＩ３−ｎｎ−Ｃｌ２
Ｈ２５−ぐ＋ＯＣＢ　Ｈ１７−ｎｎ　Ｃｌ２Ｈ２５Ｋ　
＋ＱＣ＋。Ｈ２１−ｎｎ−Ｃ，（３Ｈ２、Ｋ−Ｘ）ＯＣ
１２Ｈ２５ｎ前記−数式１）で示される化合物は、例え
ばＪｏｕｒｎａｌ　　ｆ、ｐｒａｋｔ　　ｃｈｅｍｉｅ
、Ｂａｎｄ　　３２２゜Ｈｅｆｔ　　６．　１９８０．
　Ｐ９３３に記載される合成法により得られる。代表的
な合成法を以下に示す。
合成例（例示化合物２−４０の合成） ２００　ｍ　ｌナス型フラスコに下記化合物７．５ｇ　
（１５４Ｘ１０−”モル）、ピリジン５０ｍ１を入れ、
室温にてＰ２　Ｓ５４．６１ｇ　（２，ｏｓｘｉｏ−”
モル）を１５分間で添加した。その後、１００℃に加熱
し、１５時間反応させた。反応溶液をエタノール１５ｍ
ｊ’。
冷水３００ｒｎｊ’の混合溶液の中に注入し、析出した
結晶を濾過、水洗、乾燥した。これをｎ−へキサン：イ
ソプロピルエーテル＝２／ｌを移動層とするシリカゲル
カラムクロマトグラフィー精製し、続いてエタノールで
再結晶し、目的物を得た。
相転移（℃） 本発明の液晶組成物は、前記−数式（１）で示される化
合物の少なくとも１種、前記−数式（ＩＩ）で示される
化合物の少な（とも１種とを適当な割合で混合すること
により得ることができる。
又、本発明による液晶組成物と、他の液晶性化合物１種
以上とをさらに適当な割合で混合し、本発明の液晶組成
物としても良い。
又、本発明による液晶組成物は、強誘電性液晶組成物、
特に強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物が好まし
い。
本発明で用いる他の液晶性化合物の具体例を下記にあげ
る。
ｎ−Ｃｓ　Ｈ＋１０　＋ＣＯＳ　＋　ＯＣＨ２ＣｌＩＣ
２Ｈｓ本 ｎ−ｃ１０８２１０　＋ＣＯＳ　＋　０ＣＩＩ　ｚＣｔ
ｌＯＣ３Ｉｔ７−ｎυ υ す υ 本発明の一般式（Ｉ）で示される液晶性化合物、一般式
（ｎ）で示される液晶性化合物それぞれと、上述した他
の液晶性化合物一種以上、あるいは、それを含む強誘電
性液晶性組成物（強誘電性液晶材料と略す）との配向割
合は、強誘電性液晶材料１００重量部当り、本発明一般
式（Ｉ）、一般式（ｎ）で示される液晶性化合物それぞ
れを１〜３００重量部、より好ましくは２〜１００重量
部とすることが好ましい。
また、本発明の一般式（Ｉ）、一般式（ｎ）で示される
液晶性化合物のいずれか、あるいは全てを２種以上用い
る場合も強誘電性液晶材料との配合割合は前述した強誘
電性液晶材料１００重量部当り、本発明一般式（１）、
一般式（■）で示される液晶性化合物のいずれか、ある
いは全ての２種以上の混合物を１〜５００重量部、より
好ましくは２〜１００重量部とすることがのぞましい。
第１図は強誘電性液晶素子の構成の説明のために、本発
明の強誘電性液晶層を有する液晶素子の１例の断面概略
図である。
第１図において符号１は強誘電性液晶層、２はガラス基
板、３は透明電極、４は絶縁性配向制御層、５はスペー
サー、６はリード線、７は電源、８は偏光板、９は光源
を示している。
２枚のガラス基板２には、それぞれＩｎ２Ｏ３゜ＳｎＯ
２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ　　０ｘｉｄ
ｅ）等の薄膜から成る透明電極が被覆されている。その
上にポリイミドの様な高分子の薄膜をガーゼやアセテー
ト植毛布等でラビングして、液晶をラビング方向に並べ
る絶縁性配向制御層が形成されている。また絶縁物質と
して例えばシリコン窒化物、水素を含有するシリコン炭
化物、シリコン酸化物、硼素窒化物、水素を含有する硼
素窒化物、セリウム酸化物、アルミニウム酸化物、ジル
コニウム酸化物、チタン酸化物やフッ化マグネシウムな
どの無機物質絶縁層を形成し、その上にポリビニルアル
コール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステル
イミド、ポリパラキシレン、ポリエステル、ポリカーボ
ネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリ
酢酸ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹
脂、メラミン樹脂、ユリャ樹脂、アクリル樹脂やフォト
レジスト樹脂などの有機絶縁物質を配向制御層として、
２層で絶縁性配向制御層が形成されていてもよく、また
無機物質絶縁性配向制御層あるいは有機物質絶縁性配向
制御層単層であっても良い。この絶縁性配向制御層が無
機系ならば蒸着法などで形成でき、有機系ならば有機絶
縁物質を溶解させた溶液、またはその前駆体溶液（溶剤
０．１〜２０重量％、好ましくは０．２〜１０重量％）
を用いて、スピンナー塗布法、浸漬塗布法、スクリーン
印刷法、スプレー塗布法、ロール塗布法等で塗布し、所
定の硬化条件下（例えば加熱下）で硬化させ形成させる
ことができる。
絶縁性配向制御層の層厚は通常３０人〜１μｍ１好まし
くは３０人〜３００’Ｏ入、さらに好ましくは５０人〜
１０００人が適している。
この２枚のガラス基板２はスペーサー５によって任意の
間隔に保たれている。例えば所定の直径を持つシリカビ
ーズ、アルミナビーズをスペーサーとしてガラス基板２
枚で挾持し、周囲をシール材、例えばエポキシ系接着材
を用いて密封する方法がある。その他スペーサーとして
高分子フィルムやガラスファイバーを使用しても良い。
この２枚のガラス基板の間に強誘電性液晶が封入されて
いる。
強誘電性液晶が封入された強誘電性液晶層は、一般には
０．５〜２０μｍ１好ましくは１〜５μｍである。
又、この強誘電性液晶は室温を含む広い温度域（特に低
温側）でＳｍＣ＊相（カイラルスメクチック相）を有し
、高速応答性を有することが望ましい。さらに、応答速
度の温度依存性が小さいこと、及び駆動電圧マージンが
広いことが望まれる。
又、特に素子とした場合に良好な均−配向性を示し、モ
ノドメイン状態を得るには、その強誘電性液晶は等吉相
からｃｈ相（コレステリック相）−Ｓ　ｍ　Ａ相（スメ
クチック相）−ＳｍＣ＊相（カイラルスメクチック相）
という相転移系列を有していることが望ましい。
透明電極３からはリード線によって外部電源７に接続さ
れている。
またガラス基板２の外側には偏光板８が貼り合わせであ
る。
第１図は透過型なので光源９を備えている。
第２図は強誘電性液晶素子の動作説明のために、セルの
例を模式的に描いたものである。２１ａと２１ｂはそれ
ぞれＩｎ　２０３　、　ＳｎＯ２あるいはＩＴＯ（Ｉｎ
ｄｉｕｍ−Ｔｉｎ　　０ｘｉｄｅ）等の薄膜からなる透
明電極で被覆された基板（ガラス板）であり、その間に
液晶分子層２２がガラス面に垂直になるよう配向したＳ
ｍＣ＊相またはＳｍＨ＊相の液晶が封入されている。太
線で示した線２３が液晶分子を表わしており、この液晶
分子２３はその分子に直交した方向に双極子モーメント
（Ｐ上）２４を有している。基板２１ａと２１ｂ上の電
極間に一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子２
３のらせん構造がほどけ、双極子モーメント（Ｐ土）２
４がすべて電界方向に向（よう、液晶分子２３は配向方
向を変えることができる。液晶分子２３は細長い形状を
有しており、その長袖方向と短軸方向で屈折率異方性を
示し、従って例えばガラス面の上下に互いにクロスニコ
ルの偏光子を置けば、電圧印加極性によって光学特性が
変わる液晶光学変調素子となることは、容易に理解され
る。
本発明の光学変調素子で好ましく用いられる液晶セルは
、その厚さを充分に薄く（例えばｌＯμ以下）すること
ができる。このように液晶層が薄くなるにしたがい、第
３図に示すように電界を印加していない状態でも液晶分
子のらせん構造がほどけ、その双極子モーメントＰａま
たはｐｂは上向き（３４ａ）または下向き（３４ｂ）の
どちらかの状態をとる。このようなセルに、第３図に示
す如く一定の閾値以上の極性の異る電界ＥａまたはＥｂ
を電圧印加手段３１ａと３１ｂにより付与すると、双極
子モーメントは電界ＥａまたはＥｂの電界ベクトルに対
応して上向き３４ａまたは下向き３４ｂと向きを変え、
それに応じて液晶分子は、第１の安定状態３３ａかある
いは第２の安定状態３３ｂの何れか一方に配向する。
このような強誘電性を光学変調素子として用いることの
利点は先にも述べたが２つある。
その第１は、応答速度が極めて速いことであり、第２は
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第２の
点を例えば第３図によって更に説明する。
と、電界Ｅａを印加すると液晶分子は第１の安定状態３
３ａに配向するが、この状態は電界を切りでも安定であ
る。また、逆向きの電界Ｅｂを印加すると、液晶分子は
第２の安定状態３３ｂに配向してその分子の向きを変え
るが、やはり電界を切ってもこの状態に留っている。ま
た与える電界ＥａあるいはＥｂが一定の閾値を越えない
限り、それぞれ前の配向状態にやはり維持されている。
以下実施例により本発明について更に詳細に説明するが
、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
実施例１ 下記例示化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成物１
−Ａを作成した。
例示化合物Ｎｏ、　　　　　　　　構造式％式％ 構　　造　　式 重量部 更に、この液晶組成物１−Ａに対して、以下に示す例示
化合物を、各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物
１−Ｂを作成した。
例示化合物Ｎｏ。
構造式 次に、この液晶組成物１−Ｂを以下の手順で作成したセ
ルを用いて、素子特性等を観察した。
２枚の１．１ｍｍ厚のガラス板を用意し、それぞれのガ
ラス板上にＩＴＯ膜を形成し、電圧印加電極を作成し、
さらにこの上にＳｉＯ□を蒸着させ絶縁層とした。
この基板上にポリイミド樹脂前駆体［東しくｍ５Ｐ−７
１０］　１．０％ジメチルアセトアミド溶液を回転数２
５０　Ｏｒ　ｐ　ｍ　、のスピンナーで１５秒間塗布し
た。成膜後、６０分間、３００℃加熱縮合焼成処理を施
した。この時の塗膜の膜厚は約２００人であった。
この焼成後の被膜には、アセテート植毛布によるラビン
グ処理がなされ、その後イソプロピルアルコール液で洗
浄し、平均粒径１．５μｍのシリカビーズを一方のガラ
ス板上に散布した後、それぞれのラビング処理軸が互い
に平行になる様にし、接着シール剤［リクソンボンド（
チッソ■）コを用いてガラス板を貼り合わせ、６０分間
、１００°Ｃにて加熱乾燥し、セルを作成した。このセ
ルのセル厚をベレツク位相板によって測定したところ約
１．５μｍであった。
このセルに上述の液晶組成物１−Ｂを等方性液体状態で
注入し、等吉相から２０℃／ｈで２５℃まで徐冷するこ
とにより、強誘電性液晶素子を作成した。
この強誘電性液晶素子を用いて、ピーク・トウ・ピーク
電圧Ｖｐｐ＝２５Ｖの電圧印加により、直交ニコル下で
の光学的な応答（透過光量変化Ｏ〜９０％）を検知して
応答速度（以後、光学応答速度という）を測定した。そ
の結果を次に示す。
光学応答速度 １０℃　　　　　２５℃　　　　　４０℃８９０　μｓ
ｅｃ　　　　３５２　μｓｅｃ　　　　　１３２　ｐ　
ｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコントラスト
は１２であり、明瞭なスイッチング動作が観察され、電
圧印加を止めた際の双安定性も良好であった。
比較例工 実施例工で使用した液晶組成物１−Ｂに代えて、例示化
合物Ｎｏ、１−２１．　１−３３．　１−１０２を混合
せずに１−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、　２−４．２−
１８゜２−３０を実施例１と同じ重量部で混合した液晶
組成物１−０１および例示化合物Ｎｏ、２−４．２−１
８゜２−３０を混合せずに１−Ａに対して例示化合物Ｎ
ｏ、　１−２１．　１−３３．　１−１０２を実施例１
と同じ重量部で混合した液晶組成物１−Ｄを作成した。
これらの液晶組成物１−Ｃ，ｌ−Ｄ及び１−Ａを用いた
以外は、全〈実施例１と同様の方法でそれぞれ強誘電性
液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。
光学応答速度 １０°Ｃ２５℃　　　　４０℃ １−Ａ　　　　ｌ３６０　μｓｅｃ　　　４３０　μｓ
ｅｃ　　　１４７　μｓｅｃ１−ＣＩ２４５μｓｅｃ　
　　４２１μｓｅｃ　　　Ｌ４０μ５ｅｃ１−Ｄ　　　
　９４０　μｓｅｃ　　　３４２　μｓｅｃ　　　１２
３　μｓｅｃ実施例１と比較例１より明らかな様に、本
発明による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方
が低温における作動特性、高速応答性が改善され、また
、応答速度の温度依存性も軽減されている。
実施例２ 下記例示化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成物２
−Ａを作成した。
例示化合物Ｎｏ、　　　　　　　　構造式％式％ 構　　造　　式 重量部 Ｃ８Ｈ，７＋ｃｏｏ＋ｏｃ　、ｏＨ２゜更に、この液晶
組成物２−Ａに対して、以下に示す例示化合物を、各々
以下に示す重量部で混合し、液晶組成物２−Ｂを作成し
た。
例示化合物Ｎｏ。
構造式 この液晶組成物を用いた以外は、全〈実施例１と同様の
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方
法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察
した。
この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。
光学応答速度 １０℃　　　　　２５℃　　　　　４０℃９３４　μｓ
ｅｃ　　　　３３０　ｐ　ｓｅｃ　　　　１２９　μｓ
ｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコントラストは
１３であり、明瞭なスイッチング動作が観察され、電圧
印加を止めた際の双安定性も良好であった。
比較例２ 実施例２で使用した液晶組成物２−Ｂに代えて、例示化
合物Ｎｏ、１−２１．　１−３３．　１−１０２を混合
せずに２−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、２−１６．２−
４０゜２−４２のみを実施例１と同じ重量部で混合した
液晶組成物２−０１および例示化合物Ｎｏ、２−１６゜
２−４０．２−４２を混合せずに２〜Ａに対して例示化
合物Ｎｏ、１−２１．　１−３３．、　　ｌ−１０２の
みを実施例１と同じ重量部で混合した液晶組成物２−Ｄ
を作成した。
これらの液晶組成物２−Ｃ，２−Ｄ及び２−Ａを用いた
以外は、全〈実施例１と同様の方法でそれぞれ強誘電性
液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。
光学応答速度 ｌＯｏＣ２５℃　　　　４０℃ ２−Ａ　　　　１４ｉ０　μｓｅｃ　　　４３５　μｓ
ｅｃ　　　１５５　μ５ｅｃ２−Ｃｌ３２０　μｓｅｃ
　　　４２８　μｓｅｃ　　　１４８　μ５ｅｃ２−０
　　　９７２　μｓｅｃ　　　３３８　μｓｅｃ　　　
１２５　μｓｅｃ実施例２と比較例２より明らかな様に
、本発明による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子
の方が低温における作動特性、高速応答性が改善され、
また、応答速度の温度依存性も軽減されている。
実施例３ 下記例示化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成物３
−Ａを作成した。
例示化合物Ｎｏ。
構造式 ％式％ 例示化合物Ｎｏ。
構　　造　　式 更に、この液晶組成物３−Ａに対して、以下に示す例示
化合物を、各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物
３−Ｂを作成した。
例示化合物Ｎｏ。
構造式 この液晶組成物を用いた以外は、全（実施例１と同様の
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例］と同様の方
法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察
した。
この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。
光学応答速度 １０°０　　　　　２５℃　　　　　４０℃９５０　μ
ｓｅｃ　　　　３４２　ｐ　ｓｅｅ　　　　　１２６　
ｐ　ｓｅｅまた、２５℃におけるこの駆動時のコントラ
ストは１１であり、明瞭なスイッチング動作が観察され
、電圧印加を止めた際の双安定性も良好であった。
比較例３ 実施例３で使用した液晶組成物３−Ｂに代えて、例示化
合物Ｎｏ、　１−２１．　１−３３．　１−１０２を混
合せずに３−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、　２−４．２
−１８゜２−３０のみを実施例１と同じ重量部で混合し
た液晶組成物３−０１および例示化合物Ｎｏ、２−４゜
２−１８．２−３０を混合せずに３−Ａに対して例示化
合物Ｎｏ、　１−２１．　１−３３．　　ｌ−１０２の
みを実施例１と同じ重量部で混合した液晶組成物３−Ｄ
を作成した。
これらの液晶組成物３−Ｃ，３−Ｄ及び３−Ａを用いた
以外は、全〈実施例１と同様の方法でそれぞれ強誘電性
液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。
光学応答速度 １０６Ｃ２５℃　　　　４０°Ｃ ３−Ａ　　　　　１１５５μｓｅｃ　　　３６２　μｓ
ｅｃ　　　１３３　μ５ｅｃ３−Ｃｌ０５０　μｓｅｃ
　　　３５４１ｔ　ｓｅｃ　　　１３０　μ５ｅｅ３−
Ｄ　　　　　９８５μｓｅｃ　　　３３６　μｓｅｃ　
　　１２１　ｐ　ｓｅｃ実施例３と比較例３より明らか
な様に、本発明による液晶組成物を含有する強誘電性液
晶素子の方が低温における作動特性、高速応答性が改善
され、また、応答速度の温度依存性も軽減されている。
実施例４ 実施例１で使用した液晶組成物１−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物４−Ｂを得た。
例示化合物Ｎｏ、　　　　　　構　造　式この液晶組成
物を用いた以外は、全〈実施例１と同様の方法で強誘電
性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答
速度を測定し、スイッチング状態等を観察した。
この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。
光学応答速度 １０℃　　　　　２５°Ｃ４０’Ｃ ８６５μｓｅｃ　　　　３４５μｓｅｃ　　　　１２６
μｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコントラス
トは１２であり、明瞭なスイッチング動作が観察され、
電圧印加を止めた際の双安定性も良好であった。
比較例４ 実施例４で使用した液晶組成物４−Ｂに代えて、例示化
合物Ｎｏ、１−２１．　１−３３．　１−１０２を混合
せずに１−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、　２−１６．２
−４０゜２−４２のみを実施例１と同じ重量部で混合し
た液晶組成物４−Ｃ１および例示化合物Ｎｏ、２−１６
゜２−４０．２−４２を混合せずに１−Ａに対して例示
化合物Ｎｏ、１−２１．　１−３３．　１−１．０２の
みを実施例１と同じ重量部で混合した液晶組成物１−Ｄ
を作成した。
これらの液晶組成物４−Ｃ，１−Ｄ及び１−Ａを用いた
以外は、全〈実施例１と同様の方法でそれぞれ強誘電性
液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。
光学応答速度 １０℃　　　　２５°０　　　　４０°ＣＩ　−Ａ　　
　　　１３６０１ｔ　ｓｅｅ　　　４３０　μｓｅｃ　
　　１４７　ｐ　５ｅｃ４−Ｃ１１６０μｓｅｃ　　　
４０３μｓｅｃ　　　１３５μ５ｅｃ１−Ｄ　　　　　
９４０　ｐ　ｓｅｃ　　　３４２　μｓｅｃ　　　１２
３　μｓｅｃ実施例４と比較例４より明らかな様に、本
発明による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方
が低温における作動特性、高速応答性が改善され、また
、応答速度の温度依存性も軽減されている。
実施例５ 実施例２で使用した液晶組成物２−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物５−Ｂを得た。
例示化合物Ｎｏ、　　　　　　構　造　式この液晶組成
物を用いた以外は、全〈実施例１と同様の方法で強誘電
性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答
速度を測定し、スイッチング状態等を観察した。
この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。
光学応答速度 １０℃　　　　　２５℃　　　　　４０℃９４８　μｓ
ｅｃ　　　　３６５　μｓｅｃ　　　　１３３　ｐ　ｓ
ｅｅまた、２５℃におけるこの駆動時のコントラストは
１４であり、明瞭なスイッチング動作が観察され、電圧
印加を止めた際の双安定性も良好であった。
比較例５ 実施例５で使用した液晶組成物５−Ｈに代えて、例示化
合物Ｎｏ、１−２１．　１−３３．　１−１０２を混合
せずに２−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、　２−４．２−
１８゜２−３０のみを実施例１と同じ重量部で混合した
液晶組成物５−Ｃ１および例示化合物Ｎｏ、　２−４．
２−１８゜２−３０を混合せずに２−Ａに対して例示化
合物Ｎｏ、　１−２１．　１−３３．　　ｌ−１０２の
みを実施例１と同じ重量部で混合した液晶組成物２−Ｄ
を作成した。
これらの液晶組成物５−Ｃ，２−Ｄ及び２−Ａを用いた
以外は、全〈実施例１と同様の方法でそれぞれ強誘電性
液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。
光学応答速度 １０℃　　　　２５℃　　　　４０℃ ２−Ａ　　　　　１４１０　μｓｅｃ　　　４３５　μ
ｓｅｃ　　　　１５５　μ５ｅｃ５−Ｃ１３５０ｐ　ｓ
ｅｃ　　　４３０　μｓｅｃ　　　　１５０　Ｂ　５ｅ
ｃ２−Ｄ　　　　　９７２　μｓｅｃ　　　３３８　ｐ
　ｓｅｃ　　　　１２５　μｓｅｃ実施例５と比較例５
より明らかな様に、本発明による液晶組成物を含有する
強誘電性液晶素子の方が低温における作動特性、高速応
答性が改善され、また、応答速度の温度依存性も軽減さ
れている。
実施例６ 実施例３で使用した液晶組成物３−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物６−Ｂを得た。
例示化合物Ｎｏ。
構造式 この液晶組成物を用いた以外は、全〈実施例１と同様の
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方
法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察
した。
この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。
光学応答速度 １０℃　　　　　２５℃　　　　　４０℃９３７　μｓ
ｅｃ　　　　３３６　μｓｅｃ　　　　１２３　μｓｅ
ｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコントラストは１
１であり、明瞭なスイッチング動作が観察され、電圧印
加を止めた際の双安定性も良好であった。
比較例６ 実施例６で使用した液晶組成物６−Ｂに代えて、例示化
合物Ｎｏ、　１−２１．　１−３３．　１−１０２を混
合せずに３−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、　２−１６．
２−４０゜２−４２のみを実施例１と同じ重量部で混合
した液晶組成物６−０１および例示化合物Ｎｏ、２−１
６゜２−４０．２−４２を混合せずに３−Ａに対して例
示化合物Ｎｏ、　１−２１．　１−３３．　１−１．０
２のみを実施例１と同じ重量部で混合した液晶組成物３
−Ｄを作成した。
これらの液晶組成物６−Ｃ，３−Ｄ及び３−Ａを用いた
以外は、全〈実施例１と同様の方法でそれぞれ強誘電性
液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。
光学応答速度 １０℃　　　　２５°Ｃ４０°Ｃ ３−Ａ　　　　　Ｈ２Ｓ　μｓｅｃ　　　３６２　μｓ
ｅｃ　　　１３３　ｐ　５ｅｃ６−Ｃｌ０２４　ｐ　ｓ
ｅｃ　　　３４８　μｓｅｃ　　　）２９　ｐ　５ｅｃ
３−Ｄ　　　　　９８５　μｓｅｃ　　　３３６　ｐ　
ｓｅｃ　　　１２１　Ｂ　ｓｅｃ実施例６と比較例６よ
り明らかな様に、本発明による液晶組成物を含有する強
誘電性液晶素子の方が低温における作動特性、高速応答
性が改善され、また、応答速度の温度依存性も軽減され
ている。
実施例７〜１４ 実施例１で用いた例示化合物、及び液晶組成物に代えて
、表１に示した例示化合物、及び液晶組成物を各重量部
で用い、７−Ｂ〜１４−Ｂの液晶組成物を得た。これら
を用いた他は全〈実施例１と同様の方法により強誘電性
液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速
度を測定し、スイッチング状態等を観察した。この液晶
素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイン状態が
得られた。
測定結果を表１に示す。
実施例１５ 実施例１において、液晶組成物１−Ｂを用いて作成した
液晶素子と、比較例１において液晶組成物！−Ａを用い
て作成した液晶素子を２５℃において直交ニコル下、偏
光顕微鏡観察下、それぞれスイッチングをさせてチルト
角を測定したところ、ｌ−Ａは８．０°、ｌ−Ｂは８．
４°であった。次に、スイッチング電界の他に６０ＫＨ
ｚの周波数で±８ｖの矩形波を印加しながらチルト角を
測定したところ１−Ａは９．３°、１−Ｂは１３．９°
になった。この時、コントラスト比を測定したところ、
！−ＡはｌＯ：１゜１−Ｂは３０：１であった。以上の
ことから本発明の液晶組成物はＡＣスタビライズ効果に
よる表示特性向上に大変有効であることがわかった。
実施例１６〜２０ 実施例２．３．４．５．６で作成した本発明の液晶組成
物からなる液晶素子と、比較例１．　２．３において１
−Ａ、２−Ａ、３−Ａを用いて作成した液晶素子をそれ
ぞれ用いて、実施例７と全（同様にチルト角を測定した
。その結果を下に示す。
実施例１６ 実施例１７ 実施例１８ 実施例１９ 実施例２０ −Ａ −Ｂ −Ａ −Ｂ −Ｂ −Ａ −Ｂ −Ｂ ８．０゜ ８．２゜ ７．６゜ ８．１’ ８．３゜ ７．３゜ ８．０゜ ７．８０ ９．３゜ １３．６’ ８．７゜ １３．２゜ １３．５゜ ８．２゜ １３．７゜ １３．０’ 以上のことから、本発明の液晶組成物を用いた液晶素子
はＡＣスタビライズ効果による表示特性向上に大変有効
であることがわかった。
〔発明の効果〕
本発明の強誘電性液晶組成物を含有する素子は、スイッ
チング特性が良好で、低温作動特性の改善された液晶素
子、及び応答速度の温度依存性の軽減された液晶素子と
することができる。
また、ＡＣスタビライズ効果による表示方法に用いる場
合、表示特性が大幅に改善できることがわかった。
【図面の簡単な説明】
第１図は強誘電性液晶を用いた液晶素子の一例の断面概
略図。 第２図および第３図は強誘電性液晶素子の動作説明のた
めに、素子セルの一例を模式的に表わす斜視図。 第１図において、 １・・・・・・・・　・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・強誘電性液晶層２・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・Eガ
ラス基板 ３・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・E・・・・・透明電極 ４・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・絶縁性配向制御層５・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・Eス
ペーザー 第２図において、 Ｌａ １ｂ 第３図において、 １ａ １ｂ ３ａ ３ｂ ４ａ ４ｂ ａ リード線 電源 偏光板 光源 入射光 透過光 基板 基板 強誘電性液晶層 液晶分子 双極子モーメント（Ｐ上） 電圧印加手段 電圧印加手段 第１の安定状態 第２の安定状態 上向きの双極子モーメント 下向きの双極子モーメント 上向きの電界 Ｅｂ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （ただし、式中、 Ｒ＿１は置換基を有していてもよいＣ＿１〜Ｃ＿１＿８
    の直鎖状又は分岐状のアルキル基、 Ｘ＿１は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、Ｘ＿２は
    単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等があります▼、 Ｚ＿１は単結合、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼は▲数式、化学式、
    表等があります▼もしくは▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、 ｌは１〜１２。） で示される化合物の少なくとも一種と、 下記一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （式中、Ａ＿１は単結合、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、Ａ＿２は▲数式、化学式、表等があります▼、
    ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、 Ｘ＿１、Ｘ＿２は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
    等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
    Ｒ＿１、Ｒ＿２はＣ＿１〜Ｃ＿１＿８の直鎖状アルキル
    基。）で示される化合物の少なくとも１種とを含有する
    ことを特徴とする強誘電性カイラルスメクチツク液晶組
    成物。
  2. （２）下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （ただし、式中、 Ｒ＿１は置換基を有していてもよいＣ＿１〜Ｃ＿１＿８
    の直鎖状又は分岐状のアルキル基、 Ｘ＿１は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、Ｘ＿２は
    単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等があります▼、 Ｚ＿１は単結合、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼は▲数式、化学式、
    表等があります▼もしくは▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、 ｌは１〜１２。） で示される化合物の少なくとも一種と、 下記一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （式中、Ａ＿１は単結合、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、Ａ＿２は▲数式、化学式、表等があります▼、
    ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、 Ｘ＿１、Ｘ＿２は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
    等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
    Ｒ＿１、Ｒ＿２はＣ＿１〜Ｃ＿１＿８の直鎖状アルキル
    基。）で示される化合物の少なくとも１種とを含有する
    ことを特徴とする強誘電性カイラルスメクチツク液晶組
    成物を一対の電極基板間に配置してなることを特徴とす
    る液晶素子。
JP1025047A 1988-07-13 1989-02-03 液晶組成物およびこれを含む液晶素子 Pending JPH02206679A (ja)

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DE1989609718 DE68909718T2 (de) 1988-07-13 1989-07-12 Ferroelektrische, chirale, smektische Flüssigkristall-Zusammensetzung und Vorrichtung zu deren Anwendung.
US07/378,824 US5173211A (en) 1988-07-13 1989-07-12 Ferroelectric chiral smectic liquid crystal composition and liquid crystal device using same
EP19890112756 EP0355374B1 (en) 1988-07-13 1989-07-12 Ferroelectric chiral smectic liquid crystal composition and liquid crystal device using same
ES89112756T ES2059650T3 (es) 1988-07-13 1989-07-12 Compuesto de cristal liquido esmectico quiral ferroelectrico y dispositivo de cristal liquido que utiliza el mismo.
AT89112756T ATE95551T1 (de) 1988-07-13 1989-07-12 Ferroelektrische, chirale, smektische fluessigkristall-zusammensetzung und vorrichtung zu deren anwendung.

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