JPH02206680A

JPH02206680A - 液晶組成物およびこれを含む液晶素子

Info

Publication number: JPH02206680A
Application number: JP1025048A
Authority: JP
Inventors: Kenji Shinjo; 健司新庄; Masataka Yamashita; 山下　真孝; Masahiro Terada; 匡宏寺田; Hiroyuki Kitayama; 北山　宏之; Shinichi Nakamura; 真一中村
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1989-02-03
Filing date: 1989-02-03
Publication date: 1990-08-16

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔技術分野〕本発明は液晶表示素子や液晶−光シヤツター等に利用さ
れる液晶素子に用いる液晶組成物に関し、更に詳しくは
、電界に対する応答特性が改善された新規な液晶組成物
に関するものである。

〔背景技術〕

従来より、液晶は電気光学素子として種々の分野で応用
されている。現在実用化されている液晶素子はほとんど
が、例えばＭ、５ｃｈａｄｔとＷ、Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ著
″Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ　
　Ｖｏ、１８、Ｎｏ、４　（１９７１，２，ｔ５）、Ｐ
、１２７〜１２８の’ＶＯ１ｔａｇｅ−８ｐｅｎｄｅｎ
ｔ　　０ｐｔｉｃａｌ　　Ａｃｔｉｖｉｔｙ　　ｏｆ　
　ａＴｗｉｓｔｅｄ　　Ｎｅｍａｔｉｃ　　Ｌｉｑｕｉ
ｄ　　Ｃｒｙｓｔａビに示されたＴＮ　（ｔｗｉｓｔｅ
ｄ　　ｎｅｍａｔｉｃ）型の液晶を用いたものである。

これらは、液晶の誘電的配列効果に基づいており、液晶
分子の誘電異方性のために平均分子軸方向が、加えられ
た電場により特定の方向を向く効果を利用している。こ
れらの素子の光学的な応答速度の限界はミリ秒であると
いわれ、多くの応用のためには遅すぎる。一方、大型平
面デイスプレィへの応用では、価格、生産性などを考え
合せると単純マトリクス方式による駆動が最も有力であ
る。単純マトリクス方式においては、走査電極群と信号
電極群をマトリクス状に構成した電極構成が採用され、
その駆動のためには、走査電極群に順次周期的にアドレ
ス信号を選択印加し、信号電極群には所定の情報信号を
アドレス信号と同期させて並列的に選択印加する時分割
駆動方式が採用される。

しかしこのような駆動方式の素子に前述したＴＮ型の液
晶を採用すると走査電極が選択され、信号電極が選択さ
れない領域、或いは走査電極が選択されず、信号電極が
選択される領域（所謂“半選択点”）にも有限に電界が
かかってしまう。選択点にかかる電圧と、半選択点にか
かる電圧の差が充分に大きく、液晶分子を電界に垂直に
配列させるのに要する電圧閾値がこの中間の電圧値に設
定されるならば、表示素子は正常に動作するわけである
が、走査線数（Ｎ）を増やして行った場合、画面全体（
１フレーム）を走査する間に一つの選択点に有効な電界
がかかりている時間（ｄｕｔｙ比）がｌ／Ｎの割合で減
少してしまう。このために、（り返し走査を行った場合
の選択点と非選択点にかかる実効値としての電圧差は、
走査線数が増えれば増える程小さくなり、結果的には画
像コントラストの低下やクロストークが避は難い欠点と
なっている。

このような現象は、双安定性を有さない液晶（電極面に
対し、液晶分子が水平に配向しているのが安定状態であ
り、電界が有効に印加されている間のみ垂直に配向する
）を時間的蓄積効果を利用して駆動する（即ち、繰り返
し走査する）ときに生ずる本質的には避は難い問題点で
ある。この点を改良するために、電圧平均化法、２周波
駆動法や、多重マトリクス法等が既に提案されているが
、いずれの方法でも不充分であり、表示素子の大画面化
や高密度化は、走査線数が充分に増やせないことによっ
て頭打ちになっているのが現状である。

この様な従来型の液晶素子の欠点を改善するものとして
、双安定性を有する液晶素子の使用がＣ１ａｒｋ及びＬ
ａｇｅｒｗａＪＩにより提案されている（特開昭５６−
１０７２１６号公報、米国特許第４３６７９２４号明細
書等）。双安定性液晶としては一般に、カイラルスメク
テイツクＣ相（ＳｍＣ＊）又はＨ相（ＳｍＨ＊）を有す
る強誘電性液晶が用いられる。この強誘電性液晶は電界
に対して第１の光学的安定状態と第２の光学的安定状態
からなる双安定状態を有し、従って前述のＴＮ型の液晶
で用いられた光学変調素子とは異なり、例えば一方の電
界ベクトルに対して第１の光学的安定状態に液晶が配向
し、他方の電界ベクトルに対しては第２の光学的安定状
態に液晶が配向される。また、この型の液晶は、加えら
れる電界に応答して、上記２つの安定状態のいずれかを
取り、且つ電界の印加のないときはその状態を維持する
性質（双安定性）を有する。

以上のような双安定性を有する特徴に加えて、強誘電液
晶は高速応答性であるという優れた特徴を持つ。それは
強誘電液晶の持つ自発分極と印加電場が直接作用して配
向状態の転移を誘起するためであり、誘電率異方性と電
場の作用による応答速度より３〜４オーダー速い。

このように強誘電液晶はきわめて優れた特性を潜在的に
有しており、このような性質を利用することにより、上
述した従来のＴＮ型素子の問題点の多くに対して、かな
り本質的な改善が得られる。特に、高速光学光シャッタ
ーや、高密度、大画面デイスプレィへの応用が期待され
る。このため強誘電性を持つ液晶材料に関しては広く研
究がなされているが、現在までに開発された強誘電性液
晶材料は、低温作動特性、高速応答性等を含めて液晶素
子に用いる十分な特性を備えているとは云い難い。

したがって、応答速度を速くするには、（ア）自発分極
の大きさＰｓを大きくする（イ）粘度ηを小さくする（つ）印加電圧Ｅを高くする方法がある。しかし印加電圧は、ＩＣ等で駆動するため
上限があり、出来るだけ低い方が望ましい。

よって、実際には粘度ηを小さくするか、自発分極の大
きさＰｓの値を太き（する必要がある。

−船釣に自発分極の大きい強誘電性カイラルスメクチッ
ク液晶化合物においては、自発分極のもたらすセルの内
部電界も大きく、双安定状態をとり得る素子構成への制
約が多（なる傾向にある。又、いたずらに自発分極を太
き（しても、それにつれて粘度も太き（なる傾向にあり
、結果的には応答速度はあまり速くならないことが考え
られる。

また、実際のデイスプレィとしての使用温度範囲が例え
ば５〜４０℃程度とした場合、応答速度の変化が一般に
２０倍程もあり、駆動電圧及び周波数による調節の限界
を越えているのが現状である。

以上述べたように、強誘電性液晶素子を実用化するため
には、粘度が低く高速応答性を有し、かつ応答速度の温
度依存性の小さな強誘電性カイラルスメクチック液晶組
成物が要求される。

代表的な強誘電性液晶セルの構成は、ガラス基板上にＩ
ＴＯ等で電極パターンを形成し、その上にＳｉＯ２等で
上下基板のショート防止層を形成（約１０００人）その
上にポリイミド（ＰＩ　；東し社ＳＰ５１０゜５Ｐ７１
０等）膜を４００人位の膜厚で形成し、さらに、ＰＩ膜
をラビング処理したものを上下対称な配向になるように
向いあわせて構成し、その基盤間隔を１〜３μｍに保つ
ものである。

一方、このような条件下で配列した強誘電性液晶は、一
般に上下基板間をねじれた状態でつながり、−軸性の配
向を示さないことが知られている（スプレー配向）。こ
のような場合、問題点のひとつに液晶層の透過率が低い
ことである。

透過光量は分子配向の一軸性を仮定すると、クロスニコ
ル下で入射光■。の強度に対して■の強度を得る。

ここで、Δｎは屈折率異方性、ｄはセル厚、λは入射光
の波長、θ８は双安定状態間の角度（チルト角）である
。

前述のセルを用い、スプレー配向をとった場合、現状で
はθ、は５〜８°である。Δｎｄπ／λのコントロール
は物性的に簡単に行えないので、θａを大きくして、■
を大きくしたいが、スタティックな配向手法によっては
なかなか達成できない。

このような問題に対して、強誘電性液晶の６８項のトル
クを用いることにより、θ３を広げられることが知られ
ている（　１９８３年ＳＩＤ″′ｃＡＴＴにより発表、
特開昭６１−２４５１４２号、特開昭６１−２４６７２
２号、特開昭６１−２４６７２３号、特開昭６１−２４
６７２４号、特開昭６１−２４９０２４号、特開昭６１
−２４９０２５号）。

液晶のΔεが負であると、液晶分子は電界印加により、
基板に平行になろうとする。この特性を利用、すなわち
、スイッチング時以外にも一定の実効的な電界を印加す
ることにより、かかるねじれ配列を解消し、θ３を増大
させて透過率を上げることができる（ＡＣスタビライズ
効果）。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明の目的は、強誘電性液晶素子を実用できるように
、応答速度が速く、しかもその応答速度の温度依存性が
軽減されたカイラルスメクチック液晶組成物およびかか
る液晶組成物を使用する液晶素子を提供することにある
。

本発明の他の目的は、本発明の液晶組成物を用いること
により、ＡＣスタビライズ効果をもたせ、表示特性を大
きく向上させられる液晶素子を提供することにある。

〔問題を解決するための手段〕

本発明は下記−数式（１）（ただし、Ｒ，、Ｒ２は置換基を有していても良いＣｌ
ＮＣｌ３の直鎖状又は分岐状のアルキル基、で示される
化合物の少なくとも一種と、下記−数式（ＩＩ）Ｒｌ　−Ｘ　ｌ　−４＞−Ｑ−ＯＣＨ２−＠−ｘ　２−
Ｒ２（Ｉ−ｄ）Ｒ，、Ｒ２はＣ１〜Ｃ１８の直鎖状アルキル基。）で示
される化合物の少なくとも１種とを含有することを特徴
とする強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物ならび
にかかる液晶組成物を一対の電極基板間に配置してなる
液晶素子を提供するものである。

前述の一般式（１）で示される化合物において好ましい
化合物例として下記する（Ｔ−ａ）〜（１−ｑ）式で表
わされる化合物を挙げることができる。

Ｒ１−Ｘ　ｌ（Ｈト所Ｘ２−Ｒ２ＲＩ　Ｘｌ８ＣＯ＋ｘ２−Ｒ２八（Ｉ−ｅ）（Ｉ−ｇ）又、さらに、上述の（Ｉ−ａ）〜（１−ｑ）におけるＸ
、、Ｘ２の好ましい例として（Ｉ　−ｉ　）　〜（１−
ｖｉｉｉ　）を挙げることができる。

（Ｉ−ｉ）（Ｉ−ｉｔ）（１−ｉｉｉ）（１−ｉｖ）単結合、単結合、単結合一〇− 単結合 −〇− （Ｉｖ）　　　Ｘ＋　　が−０Ｃ−Ｘ２　が　単結合前
記−数式（１）で示される化合物の具体的な構造式の例
を以下に示す。

（Ｉ−ｖｉ）　Ｘ　Ｈが一〇〇−Ｘ２が一〇−（１−ｖ
ｉｉ）Ｘｌ　　が　−〇〇−Ｘ２　が　単結合（Ｉ−ｖ
ｉｉｉ）　Ｘ　Ｈが−ＣＯ−Ｘ２が−Ｏ−又、さらに、
上述の（１−ａ）〜（Ｉ−ｑ）におけるＲ、、Ｒ２の好
ましい例として直鎖状のアルキル基を挙げることができ
る。

又、前述の一般式（ＴＩ）で示される化合物のうち好ま
しい化合物例として、下記する（ｎ　−ａ）。

（ｎ−ｂ）式で表わされる化合物を挙げることができる
。

■−３７ｌ−４２！−４８ ○ ■−５０ ■−６４！−７９ ■−８９１−・９３！−１０８！−１３１１．−１６０Ｈ３Ｃｓ　Ｈｏ＋ＯＣＨ２＋奈ＯＣ２２Ｉ（２５前記−数式
（１）で示される化合物の代表的な合成例を以下に示す
。

合成例１（化合物Ｎｏ、１−６５の合成）５−ドデシル
−２−（４’　−ヒドロキシフェニル）ピリミジン１　
、Ｏｇ　（２，９４ｍｍｏｊ？　）をトルエン４　ｍ　
ｌ及びピリジン４ｍｌに溶かした。これにトルエン４ｍ
ｊ！に溶かしたトランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキ
サンカルボン酸クロリド（関東化学■製）０．５５ｇを
氷水洛中５℃以下で徐々に滴下した。滴下終了後、室温
で１２時間撹拌し、反応混合物を氷水１００ｍ１中に注
入した。６Ｎ塩酸で酸性側とした後、ベンゼンで抽出し
、これを水、５％炭酸水素ナトリウム水溶液、水で順次
洗浄した。硫酸マグネシウムにより乾燥した後、溶媒留
去し、クリーム色の粗生成物を得た。これをカラムクロ
マトグラフィーにより精製した後、さらにエタノールｌ
酢酸エチル混合溶媒から再結晶し、白色の標記化合物０
．９４ｇを得た。（収率６４，８％）相転移温度（６ｃ
　）合成例２（化合物Ｎｏ、１−１３３の合成）（Ｉ）トラ
ンス−４−ｎ−プロピルシクロヘキサンカルボン酸クロ
ライドｌｏｇ　（５３，６ｍｍｏｊ’）をエタノール３
０　ｍ　ｌにとかし、これに少量のトリエチルアミンを
加え室温で１０時間撹拌した。反応混合物を氷水１００
　ｍ　ｌに注入し、６Ｎ塩酸水溶液を加え酸性側とした
後、イソプロピルエーテルにより抽出した。有機層を洗
液が中性となるまで水洗を繰り返した後、硫酸マグネシ
ウムにより乾燥した。溶媒留去後、シリカゲルカラムク
ロマトグラフィーにより精製し、トランス−４−ｎ−プ
ロピルシクロヘキサンカルボン酸エチルエステル９．９
ｇを得た。

（ｎ）水素化アルミニウムリチウム０．７３ｇ　（１９
，１ｍｍｏｆりを乾燥エーテル３０　ｍ　ＩＩに添加し
、１時間加熱還流した。氷水洛中で１０℃程度まで冷却
した後、乾燥エーテル３０　ｍ　ＩＩに溶かしたトラン
ス−４−ｎ−プロピルシクロヘキサンカルボン酸エチル
エステル５ｇ　（２５，５ｍｍｏｊｉ’　）を徐々に滴
下した。滴下終了後、室温で１時間撹拌し、さらに１時
間加熱還流させた。これを酢酸エチル、６Ｎ塩酸水溶液
で処理した後、氷水２００ｍ１’に注入した。

イソプロピルエーテルにより抽出した後、有機相を水、
水酸化ナトリウム水溶液、水で順次洗浄し、硫酸マグネ
シウムにより乾燥した。溶媒留去後、シリカゲルカラム
クロマトグラフィーにより精製し、トランス−４−ｎ−
プロピルシクロヘキシルメタノール３．５ｇを得た。

（■）トランス−４−ｎ−プロピルシクロへキシルメタ
ノール３．４ｇ　（２２，４ｍｍｏｆ）をピリジン２０
ｍ１に溶かした。これにピリジン２０ｒｎＩ！に溶かし
たｐ−）ルエンスルホン酸クロライド５．３ｇを氷水洛
中で５℃以下に冷却しながら滴下した。室温で１０時間
撹拌した後、氷水２００ｍＩ！に注入した。６Ｎ塩酸水
溶液により酸性側とした後、イソプロピルエーテルで抽
出した。有機相を洗液が中性となるまで水洗を繰り返し
た後、硫酸マグネシウムにより乾燥した。これを溶媒留
去して、トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシルメ
チル−ｐ−トルエンスルホネートを得た。

（ＩＶ’）ジメチルホルムアミド４０ｍ１に５−デシル
−２−（４’−ヒドロキシフェニル）ピリミジン６．３
ｇ（２０，２ｍｍｏＪ）を溶かした。これに８５％水酸
化カリウム１．５ｇを加え、１００℃で１時間撹拌した
。

これにトランス−４−ｎ　＝プロピルシクロヘキシルメ
チルール−トルエンスルホネート６．９ｇを加え、さら
に１００℃で４時間撹拌した。反応終了後、これを氷水
２００ｍ１に注入し、ベンゼンで抽出した。

有機相を水洗した後、硫酸マグネシウムにより乾燥した
。溶媒留去後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに
より精製し、これをさらにエタノール／酢酸エチル混合
溶媒から再結晶して、前記例示化合物Ｎｏ、１−１３３
を得た。

ＩＲ（ｃｍ−’）　：２９２０、　２８４０．　１６０８．　１５８４１４２
８、　１２５８．　１１６４．　８００相転移温度（’Ｃ）Ｚが単結合である場合、例えば、６２．９８６．８９７．８１３６．８（５ｒｈ２はＳｍＡ、ＳｍＣ以外のスメクチック相、未
同定）の式で表わされる化合物は、下記の合成経路で合成することができる。

前記−数式（ｎ）で示される化合物の具体的な構造式の例を以下に示す。

Ｃｔｏ　Ｈ２１０＋　＋　ＱＣ７Ｈ１５Ｃ７Ｈ＋ｓ　（
＋　ＱＣｓ　Ｈ。

Ｃ４Ｈ９−＠イーＬ）Ｃ４Ｈ９ＣｓＨｏ＜イ）（沢Ｃ３ＨＩＩＣ３Ｈ１３−＠イツ℃ドロＨ１３Ｃ７Ｈ１５ゼーｙ）ｃ７Ｈ＋ｓＣ１０Ｈ２１イーパ）ｏｏｃ６ＨＩ３Ｃ２゜Ｈ２，＜−賢）ｏｃ７ＨＩ５ＶＣ３Ｈフイーｙ◎イー＞ＣａＨ７ｃ　４Ｈ、＜　＞◎＜　＞　ｃ　４　Ｈ９Ｃ５Ｈ、、イ
ーＲビーｙＣ５Ｈ１ＩＣ７ＨＩ５イー鵞ビー＞−Ｃ７Ｈ＋ｓＣ１０Ｈ２１イーｙ）Ｓ　　　　　　ＩＩイー”Ｒ＞ｎ−Ｃ７ｎ１５　　　　　　　　　　　Ｃ７Ｊ５−ｎｎ
　Ｃｓ　Ｈ１７０’ｉｉ　＋　＋ＯＣａ　’＋３ハ前記−数式（ｎ）で示される化合物は、例えばＪｏｕｒ
ｎａｌ　　ｆ、ｐｒａｋｔ　　ｃｈｅｍｉｅ、　Ｂａｎ
ｄ　　３２２゜Ｈｅｆｔ　　６．１９８０．Ｐ９３３に
記載される合成法により得られる。代表的な合成法を以
下に示す。

合成例（例示化合物２−４０の合成）２００ｍｆナス型フラスコに下記化合物７．５ｇ　（１
，５４Ｘ１０−”モル）、ピリジン５０ｍＩ！を入れ、
室温にてＰ２Ｓ５４．６１ｇ（２，０８ＸＩＯ−２モル
）を１５分間で添加した。その後、１００に加熱し、１
５時間反応させた。反応溶液をエタノール１５　ｍ　ｌ
　＋冷水３００ｍｎの混合溶液の中に注入し、析出した
結晶を濾過、水洗、乾燥した。これをｎ−ヘキサン：イ
ソプロピルエーテル−２／１を移動層とするシリカゲル
カラムクロマトグラフィー精製し、続いてエタノールで
再結晶し、目的物を得た。

相転移（’Ｃ）本発明の液晶組成物は、前記一般式（１）で示される化
合物の少な（とも１種、前記一般式（ＩＩ）で示される
化合物の少なくとも１種とを適当な割合で混合すること
により得ることができる。

又、本発明による液晶組成物と、他の液晶性化合物１種
以上とをさらに適当な割合で混合し、本発明の液晶組成
物としても良い。

又、本発明による液晶組成物は、強誘電性液晶組成物、
特に強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物が好まし
い。

本発明で用いる他の液晶性化合物の具体例を下記にあげ
る。

υ υ υ υ 本発明の一般式（１）で示される液晶性化合物、一般式
（ＩＩ）で示される液晶性化合物それぞれと、上述した
他の液晶性化合物一種以上、あるいは、それを含む強誘
電性液晶性組成物（強誘電性液晶材料と略す）との配向
割合は、強誘電性液晶材料１００重量部当り、本発明一
般式（１）、一般式（ＩＩ）で示される液晶性化合物そ
れぞれを１〜３００重量部、より好ましくは２〜１９０
重量部とすることが好ましい。

また、本発明の一般式（Ｉ）、一般式（ｎ）で示される
液晶性化合物のいずれか、あるいは全てを２種以上用い
る場合も強誘電性液晶材料との配合割合は前述した強誘
電性液晶材料１００重量部当り、本発明一般式（１）、
一般式（Ｉｆ）で示される液晶性化合物のいずれか、あ
るいは全ての２種以上の混合物を１〜５００重１部、よ
り好ましくは２〜１００重量部とすることがのぞましい
。

第１図は強誘電性液晶素子の構成の説明のために、本発
明の強誘電性液晶層を有する液晶素子の１例の断面概略
図である３゜第１図において符号ｌは強誘電性液晶層、２はガラス基
板、３は透明電極、４は絶縁性配向制御層、５はスペー
サー、６はリード線、７は電源、８は偏光板、９は光源
を示している。

２枚のガラス基板２には、それぞれＩｎ２Ｏ３゜ＳｎＯ
２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ　　０ｘｉｄ
ｅ）等の薄膜から成る透明電極が被覆されている。その
上にポリイミドの様な高分子の薄膜をガーゼや、。アセ
テート植毛布等でラビングして、液晶をラビング方向に
並べる絶縁性配向制御層が形成されている。また絶縁物
質として例えばシリコン窒化物、水素を含有するシリコ
ン炭化物、シリコン酸化物、硼素窒化物、水素を含有す
る硼素窒化物、セリウム酸化物、アルミニウム酸化物、
ジルコニウム酸化物、チタン酸化物やフッ化マグネシウ
ムなどの無機物質絶縁層を形成し、その上にポリビニル
アルコール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエス
テルイミド、ポリバラキシレン、ポリエステル、ポリカ
ーボネート、ポリビニルアセクール、ポリ塩化ビニル、
ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロー
ス樹脂、メラミン樹脂、ユリャ樹脂、アクリル樹脂やフ
ォトレジスト樹脂などの有機絶縁物質を配向制御層とし
て、２層で絶縁性配向制御層が形成されていてもよ（、
また無機物質絶縁性配向制御層あるいは有機物質絶縁性
配向制御層単層であっても良い。この絶縁性配向制御層
が無機系ならば蒸着法などで形成でき、有機系ならば有
機絶縁物質を溶解させた溶液、またはその前駆体溶液（
溶剤０．１〜２０重量％、好ましくは０．２〜ｌＯ重量
％）を用いて、スピンナー塗布法、浸漬塗布法、スクリ
ーン印刷法、スプレー塗布法、ロール塗布法等で塗布し
、所定の硬化条件下（例えば加熱下）で硬化させ形成さ
せることができる。

絶縁性配向制御層の層厚は通常３０人〜１μｍ１好まし
くは３０人〜３０００人、さらに好ましくは５０人〜１
０００人が適している。

この２枚のガラス基板２はスペーサー５によって任意の
間隔に保たれている。例えば所定の直径を持つシリカビ
ーズ、アルミナビーズをスペーサーとしてガラス葺板２
枚で挾持し、周囲をシール材、例えばエポキシ系接着材
を用いて密封する方法がある。その他スペーサーとして
高分子フィルムやガラスファイバーを使用しても良い。

この２枚のガラス基板の間に強誘電性液晶が封入されて
いる。

強誘電性液晶が封入された強誘電性液晶層は、一般には
０．５〜２０μｍ１好ましくは１〜５μｍである。

又、この強誘電性液晶は室温を＾む広い温度域（特に低
温側）でＳ　ｍ　Ｃ＊相（カイラルスメクチック相）を
有し、高速応答性を有することが望ましい。さらに、応
答速度の温度依存性が小さいこと、及び駆動電圧マージ
ンが広いことが望まれる。

又、特に素子とした場合に良好な均−配向性を示し、モ
ノドメイン状態を得るには、その強誘電性液晶は等吉相
からｃｈ相（コレステリック相）Ｓ　ｍ　Ａ相（スメク
チック相）　−３ｍＣ＊相（カイラルスメクチックＣ相
）という相転移系列を有していることが望ましい。

透明電極３からはリード線によって外部電源７に接続さ
れている。

またガラス基板２の外側には偏光板８が貼り合わせであ
る。

第１図は透明型なので光源９を備えている。

第２図は強誘電性液晶素子の動作説明のために、セルの
例を模式的に描いたものである。２１ａと２１ｂはそれ
ぞれＩｎ２Ｏ３，５ｎ０２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕ
ｍ−Ｔｉｎ　　０ｘｉｄｅ）等の薄膜からなる透明電極
で被覆された基板（ガラス板）であり、その間に液晶分
子層２２がガラス面に垂直になるよう配向したＳｍＣ＊
相またはＳｍＨ＊相の液晶が封入されている。太線で示
した線２３が液晶分子を表わしており、この液晶分子２
３はその分子に直交した方向に双極子モーメント（Ｐ工
）２４を有している。基板２１ａと２１ｂ上の電極間に
一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子２３のら
せん構造がほどけ、双極子モーメント（Ｐ上）２４がす
べて電界方向に向くよう、液晶分子２３は配向方向を変
えることができる。液晶分子２３は細長い形状を有して
おり、その長袖方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、
従って例えばガラス面の上下に互いにクロスニコルの偏
光子を置けば、電圧印加極性によって光学特性が変わる
液晶光学変調素子となることは、容易に理解される。

本発明の光学変調素子で好ましく用いられる液晶セルは
、その厚さを充分に薄（（例えば１０μ以下）すること
ができる。このように液晶層が薄くなるにしたがい、第
３図に示すように電界を印加していない状態でも液晶分
子のらせん構造がほどけ、その双極子モーメントＰａま
たはＰＩ）は上向き（３４ａ）または下向き（３４ｂ）
のどちらかの状態をとる。このようなセルに、第３図に
示す如く一定の閾値以上の極性の異る電界ＥａまたはＥ
ｂを電圧印加手段３１ａと３１ｂにより付与すると、双
極子モーメントは電界ＥａまたはＥｂの電界ベクトルに
対応して上向き３４ａまたは下向き３４ｂと向きを変え
、それに応じて液晶分子は、第１の安定状態３３ａかあ
るいは第２の安定状態３３ｂの何れか一方に配向する。

このような強誘電性を光学変調素子として用いることの
利点は先にも述べたが２つある。

その第１は、応答速度が極めて速いことであり、第２は
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第２の
点を例えば第３図によって更に説明するど、電界Ｅａを
印加すると液晶分子は第１の安定状態３３ａに配向する
が、この状態は電界を切っても安定である。また、逆向
きの電界Ｅｂを印加すると、液晶分子は第２の安定状態
３３ｂに配向してその分子の向きを変えるが、やはり電
界を切ってもこの状態に留っている。また与える電界Ｅ
ａあるいはＥｂが一定の閾値を越えない限り、それぞれ
前の配向状態にやはり維持されている。

以下実施例により本発明について更に詳細に説明するが
、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

実施例１下記例示化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成物１
−Ａを作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　　　　構造式％式％更に、この液晶組成物１−Ａに対して、以下に示す例示
化合物を、各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物
１−Ｂを作成した。

例示化合物Ｎｏ。

構造式次に、この液晶組成物１−Ｂを以下の手順で作成したセ
ルを用いて、素子特性等を観察した。

２枚の１　、１　ｍ　ｍ厚のガラス板を用意して、それ
ぞれのガラス板上にＩＴＯ膜を形成し、電圧印加電極を
作成し、さらにこの上にＳｉＯ２を蒸着させ絶縁層とし
た。

この基板上にポリイミド樹脂前駆体［東し■５Ｐ−７１
０］　１．０％ジメチルアセトアミド溶液を回転数２５
００ｒｐｍ、のスピンナーで１５秒間塗布した。成膜後
、６０分間、３００℃加熱縮合焼成処理を施した。この
時の塗膜の膜厚は約２００人であった。

この焼成後の被膜には、アセテート植毛布によるラビン
グ処理がなされ、その後イソプロピルアルコール液で洗
浄し、平均粒径１．５μｍのシリカビーズを一方のガラ
ス板上に散布した後、それぞれのラビング処理軸が互い
に平行となる様にし、接着シール剤［リクソンボンド（
チッソ■）コを用いてガラス板を貼り合わせ、６０分間
、１００℃にて加熱乾燥し、セルを作成した。このセル
のセル厚をベレツク位相板によって測定したところ約１
．５μｍであった。

このセルに上述の液晶組成物１−Ｂを等方性液体状態で
注入し、等吉相から２０°Ｃ／ｈで２５℃まで徐冷する
ことにより、強誘電性液晶素子を作成した。この強誘電
性液晶素子を用いて、ピーク・トウ・ピーク電圧Ｖｐｐ
＝２５Ｖの電圧印加により、直交ニコル下での光学的な
応答（透過光量変化Ｏ〜９０％）を検知して応答速度（
以後、光学応答速度という）を測定した。その結果を次
に示す。

光学応答速度１０℃　　　　　　２５°Ｃ４０°Ｃ１０８０μｓｅｃ　　　　　４００１ｔ　ｓｅｃ　　　
　１４０　μｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時の
コントラストは１１であり、明瞭なスイッチング動作が
観察され、電圧印加を止めた際の双安定性も良好であっ
た。

比較例１実施例１で使用した液晶組成物１−Ｂに代えて、例示化
合物Ｎｏ、１−４５．　１−６４．　１−１２８を混合
せずに１−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、２−１．２−３
９゜２−５７のみを実施例１と同じ重量部で混合した液
晶組成物１−Ｃ，および例示化合物Ｎｏ、２−１．２−
３９゜２−５７を混合せずに１−Ａに対して例示化合物
Ｎｏ、１−４５．　１−６４．　１−１２８のみを実施
例１と向じ重量部で混合した液晶組成物１−Ｄを作成し
た。

これらの液晶組成物　１．Ｃ，１−Ｄ及び１−Ａを用い
た以外は、全〈実施例１と同様の方法でそれぞれ強誘電
性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答
速度を測定した。その結果を次に示す。

　−Ａ −Ｃ −Ｄ光学応答速度１０℃　　　　２５℃ １３６０　μｓｅｃ　　　４３０　ｐ　５ｅｃ１２３３
　μｓｅｃ　　　４２０　μ５ｅｃ１１５０μｓｅｃ　
　　４０３μ５ｅｃ４０°Ｃｌ４７　μ５ｅｃ１４１　μ５ｅｃ１３８　（ｔ　ｓｅｃ実施例１と比較例１より明らかな様に、本発明による液
晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が低温におけ
る作動特性、高速応答性が改善され、また、応答速度の
温度依存性も軽減されている。

実施例２下記例示化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成物２
−Ａを作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　　　　構造式％式％更に、この液晶組成物２−Ａに対して、以下に示す例示
化合物を、各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物
２−Ｂを作成した。

例示化合物Ｎｏ。

構造式この液晶組成物を用いた以外は、全（実施例１と同様の
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方
法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察
した。

この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得ら゛れた。測定結果を次に示す。

光学応答速度ｌＯｏＣ２５°Ｃ４０°Ｃ１１４３μｓｅｃ　　　　３７８　ｐ　ｓｅｃ　　　　
１５０　μｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコ
ントラストま１２であり、明瞭なスイッチング動作が観
察され、電圧印加を止めた際の双安定性も良好であった
。

−Ａ比較例２実施例２で使用した液晶組成物２−Ｂに代えて、例示化
合物Ｎｏ、１−４５．　１−６４．　１−１２８を混合
せずに２−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、２−１．２−３
９゜２−５７のみを実施例１と同じ重量部で混合した液
晶組成物２−Ｃ１および例示化合物Ｎｏ、２−１．２−
３９゜２−５７を混合せずに２−Ａに対して例示化合物
Ｎｏ、１−４５．　１−６４．　　ｌ−１２８のみを実
施例１と同じ重量部で混合した液晶組成物２−Ｄを作成
した。

これらの液晶組成物２−Ｃ，２−Ｄ及び２−Ａを用いた
以外は、全〈実施例１と同様の方法でそれぞれ強誘電性
液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。

光学応答速度１０℃　　　　２５°Ｃ４０℃ ２−Ａ　　　　Ｉ４１０　μｓｅｃ　　　４３５１ｔ　
ｓｅｃ　　　１５５　μ５ｅｅ２−ＣＩ２９３　ｐ　ｓ
ｅｃ　　　４２８　ｐ　ｓｅｃ　　　　１５３　μ５ｅ
ｃ２−Ｄ　　　　１２２５　ｐ　ｓｅｃ　　　３９９　
μｓｅｃ　　　　１４９　μｓｅｃよる液晶組成物を含
有する強誘電性液晶素子の方が低温における作動特性、
高速応答性が改善され、また、応答速度の温度依存性も
軽減されている。

実施例２と比較例２より明らかな様に、本発明に実施例
３下記例示化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成物３
−Ａを作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　　　　　構造式％式％構　　造　　式重量部＋５更に、この液晶組成物３−Ａに対して、以下に示す例示
化合物を、各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物
３−Ｂを作成した。

例示化合物Ｎｏ。

構造式］この液晶組成物を用いた以外は、全（実施例１と同様の
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方
法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察
した。

この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度１０’Ｃ２５°Ｃ４０°Ｃ８８４μｓｅｃ　　　　３０７　μｓｅｃ　　　　１３
０　ｐ　ｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコン
トラストは１３であり、明瞭なスイッチング動作が観察
され、電圧印加を止めた際の双安定性も良好であった。

−Ａ比較例３実施例３で使用した液晶組成物３−Ｂに代えて、例示化
合物Ｎｏ、１−４５．　１−６４．　１−１２８を混合
せずに３−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、２−１．２−３
９゜２−５７のみを実施例１と同じ重量部で混合した液
晶組成物３−０１および例示化合物Ｎｏ、２−１．２−
３９゜２−５７を混合せずに３−Ａに対して例示化合物
Ｎｏ、１−４５．　１−６４．　１−１２８のみを実施
例１と同じ重量部で混合した液晶組成物３−Ｄを作成し
た。

これらの液晶組成物３−Ｃ，３−Ｄ及び３−Ａを用いた
以外は、全（実施例１と同様の方法でそれぞれ強誘電性
液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。

−Ａ −Ｃ −Ｄ光学応答速度１０８Ｃ２５℃ １１５５　μｓｅｃ　　　３６２　ｐ　５ｅｃ１０７３
　ｐ　ｓｅｃ　　　３５４　μ５ｅｃ９５０　μｓｅｃ
　　　３１５　ｐ　５ｅｃ４０’Ｃｌ３３　μｓｅｃ１３５　Ｉｔ　５ｅｃ１３０　μｓｅｃ実施例３と比較例３より明らかな様に、本発明による液
晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が低温におけ
る作動特性、高速応答性が改善され、また、応答速度の
温度依存性も軽減されている。

実施例４実施例１で使用した液晶組成物１−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物４−Ｂを得た。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　　構　造　式　　　　　　
　　　　　　重量部−ｔ３この液晶組成物を用いた以外は、全〈実施例１と同様の
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方
法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察
した。

この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度１０℃　　　　　２５℃°４０°Ｃｌ０４８　μｓｅｃ　　　　３９４　μｓｅｃ　　　　
１３７　μｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコ
ントラストは１１であり、明瞭なスイッチング動作が観
察され、電圧印加を止めた際の双安定性も良好であった
。

−Ａ比較例４実施例４で使用した液晶組成物４−Ｂに代えて、例示化
合物Ｎｏ、１−１．　１−８４．　１−１６１を混合せ
ずに１−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、　２−１１．２−
２４゜２−２６のみを実施例１と同じ重量部で混合した
液晶組成物４−０１および例示化合物Ｎｏ、　２−１１
．２−２４゜２−２６を混合せずに１−Ａに対して例示
化合物Ｎｏ、　１−１．　１−８４．　１−１６１のみ
を実施例１と同じ重量部で混合した液晶組成物４−Ｄを
作成した。

これらの液晶組成物４−Ｃ，４−Ｄ及びｌ−Ａを用いた
以外は、全〈実施例１と同様の方法でそれぞれ強誘電性
液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。

−Ａ −Ｃ −Ｄ光学応答速度１０℃　　　　２５°Ｃｌ３６０　μｓｅｃ　　　４３０　μ５ｅｅ１２７５１
ｔ　ｓｅｃ　　　４２６　μ５ｅｃ１１２３μｓｅｃ　
　　３９６μｓｅｃ４０°Ｃ１４７μｓｅｃｔ４３　μｓｅｃ１．３６　μｓｅｃ実施例４と比較例４より明らかな様に、本発明による液
晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が低温におけ
る作動特性、高速応答性が改善され、また、応答速度の
温度依存性も軽減されている。

実施例５実施例２で使用した液晶組成物２−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物５〜Ｂを得た。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　　構　造　式　　　　　　
　　　　　　重量部■−８４この液晶組成物を用いた以外は、全〈実施例１と同様の
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方
法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察
した。

光学応答速度ｌＯｏＣ２５°Ｃ４０℃ １０９２μｓｅｃ　　　　３６２μｓｅｃ　　　　１４
８μｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコントラ
ストは１３であり、明瞭なスイッチング動作が観察され
、電圧印加を止めた際の双安定性も良好であった。

−Ａ比較例５実施例５で使用した液晶組成物５−Ｂに代えて、例示化
合物Ｎｏ、　ｌ−１，１−８４，１−１６１を混合せず
に２−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、　２−１１．２−２
４゜２−２６のみを実施例１と同じ重量部で混合した液
晶組成物５−Ｃ１および例示化合物Ｎｏ、　２−１１．
２−２４゜２−２６を混合せずに２−Ａに対して例示化
合物Ｎｏ、　１−１．　　Ｉ　−８４，！−１６１のみ
を実施例１と同じ重量部で混合した液晶組成物５−Ｄを
作成した。

これらの液晶組成物５−Ｃ，５−Ｄ及び２−Ａを用いた
以外は、全〈実施例１と同様の方法でそれぞれ強誘電性
液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。

−Ａ −Ｃ −Ｄ光学応答速度１０°０　　　　２５℃ １４１０μｓｅｃ　　　４３５μ５ｅｃ１３１２　μｓ
ｅｃ　　　４３２　）ｔ　５ｅｃ１１９５μｓｅｃ　　
　３９３μ５ｅＣ４０°Ｃ１５５μ５ｅｃ１５５　μ５ｅｃ１４７　μｓｅｃ実施例５と比較例５より明らかな様に、本発明による液
晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が低温におけ
る作動特性、高速応答性が改善され、また、応答速度の
温度依存性も軽減されている。

実施例６実施例３で使用した液晶組成物３−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物６−Ｂを得た。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　　構　造　式　　　　　　
　　　　　　重量部○ １、−１６１この液晶組成物を用いた以外は、全（実施例１と同様の
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方
法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察
した。

光学応答速度１０℃　　　　　２５°０　　　　　４０℃８６４　μ
ｓｅｃ　　　　３１　ｉ　μｓｅｃ　　　　　１２８　
ｐ　ｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコントラ
ストは１２であり、明瞭なスイッチング動作が観察され
、電圧印加を止めた際の双安定性も良好であった。

２−・２４ −Ａ比較例６実施例６で使用した液晶組成物６−Ｂに代えて、例示化
合物Ｎｏ、　ｌ−１，１−８４，１−１６ｉを混合せず
に３−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、　２−１１．２−２
４゜２−２６のみを実施例１と同じ重量部で混合した液
晶組成物６−Ｃ１および例示化合物Ｎｏ、　２−１１．
２−２４゜２−２６を混合せずに３−Ａに対して例示化
合物Ｎｏ、　１−１．　１−８４．　　ｌ−１６１のみ
を実施例１と同じ重量部で混合した液晶組成物６−Ｄを
作成した。

これらの液晶組成物６−Ｃ，６−Ｄ及び３−Ａを用いた
以外は、全（実施例１と同様の方法でそれぞれ強誘電性
液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。

−Ａ −Ｃ −Ｄ光学応答速度１０°０　　　　２５°Ｃ１１５５μｓｅｃ　　　３６２　ｆｔ　５ｅｃ１０９５
　μｓｅｃ　　　３５７　μ５ｅｃ９４０μｓｅｃ　　
　３０７μ５ｅｃ４０°Ｃ１３３μ５ｅｃ１３６　Ｉｔ　５ｅｃ１２８　μｓｅｃ実施例６と比較例６より明らかな様に、本発明による液
晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が低温におけ
る作動特性、高速応答性が改善され、また、応答速度の
温度依存性も軽減されている。

実施例７〜１１実施例１で用いた例示化合物、及び液晶組成物に代えて
、表１に示した例示化合物、及び液晶組成物を各重量部
で用い、７−Ｂ〜１１−Ｂの液晶組成物を得た。これら
を用いた他は全〈実施例１と同様の方法により強誘電性
液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速
度を測定し、スイッチング状態等を観察した。この液晶
素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイン状態が
得られた。

測定結果を表１に示す。

実施例７〜１１より明らかな様に本発明による液晶組成
物７−Ｂ〜１１−Ｂを含有する強誘電性液晶素子は低温
における作動特性、高速応答性が改善され、また応答速
度の温度依存性も軽減されたものとなっている。

実施例１２実施例１において、液晶組成物１−Ｂを用いて作成した
液晶素子と、比較例１において液晶組成物ＩＡを用いて
作成した液晶素子を２５℃において直交ニコル下、偏光
顕微鏡観察下、それぞれスイッチングをさせてチルト角
を測定したところ、ｌ−Ａは８，０°、１−Ｂは８．１
０　であった。次に、スイッチング電界の他に６０ＫＨ
ｚの周波数で±８ｖの矩形波を印加しながらチルト角を
測定したところ１−Ａは９．３°、１−Ｂは１３．７°
になった。この時、コントラスト比を測定したところ、
１−Ａは１０：１．１−Ｂは３０　：　１であった。以
上のことから本発明の液晶組成物はＡＣスタビライズ効
果による表示特性向上に大変有効であることがわかった
。

実施例１３〜１７実施例２．３．４．５．６で作成した本発明の液晶組成
物からなる液晶素子と、比較例１．２．３において作成
した液晶組成物１−Ａ、　　２−Ａ、　　３−Ａからな
る液晶素子をそれぞれ用いて、実施例７と全（同様にチ
ルト角を測定した。

実施例１３実施例１４実施例１５実施例１６実施例１７ −Ａ −Ｂ −Ａ −Ｂ　−Ｂ −Ａ −Ｂ −Ｂ８．０゜８．２゜７．６゜７３８゜７．９゜７．３゜７．８’ ８．０６９．３゜１３．４゜８．７゜１３．３゜１３．２゜８．２゜１２．９゜１２．８゜〔発明の効果〕本発明の強誘電性液晶組成物を含有する素子は、スイッ
チング特性が良好で、低温作動特性の改善された液晶素
子、及び応答速度の温度依存性の軽減された液晶素子と
することができる。

また、ＡＣスタビライズ効果による表示方法に用いる場
合、表示特性が大幅に改善できることがわかった。

【図面の簡単な説明】

第１図は強誘電性液晶を用いた液晶素子の一例の断面概
略図。第２図および第３図は強誘電性液晶素子の動作説明のた
めに、素子セルの一例を模式的に表わす斜視図。第１図において、ｌ・・・・・・・・・・・・・・強誘電性液晶層２・・
・・・・・・・・・・・・・・ガラス基板３・・・・・
・・・・・・・・・・・・透明電極４・・・・・・・・
・・・・・絶縁性配向制御層５・・・・・・・・・・・
・・・・・スペーサーリード線電源偏光板光源入射光透過光第２図において、１ａ１ｂ第３図において、１ａ１ｂ３ａ３ｂ４ａ４ｂａ基板基板強誘電性液晶層液晶分子双極子モーメント（Ｐ土）電圧印加手段電圧印加手段第１の安定状態第２の安定状態上向きの双極子モーメント下向きの双極子モーメン］・上向きの電界ｂ下向きの電界

Claims

【特許請求の範囲】

（１）下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ）（ただし、式中、Ｒ＿１、Ｒ＿２は置換基を有していて
も良いＣ＿１〜Ｃ＿１＿８の直鎖状又は分岐状のアルキ
ル基、Ｘ＿１、Ｘ＿２は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学
式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等がありま
す▼、▲数式、化学式、表等があります▼、Ｚ＿１は▲
数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表
等があります▼、−ＣＨ＿２Ｏ−、−ＯＣＨ＿２−、単
結合、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化
学式、表等があります▼は▲数式、化学式、表等があり
ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼は▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、ただし、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があ
ります▼のうち少なくとも１つは▲数式、化学式、表等
があります▼もしくは▲数式、化学式、表等があります
▼である。）で示される化合物の少なくとも一種と、下記一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II）（式中、Ａ＿１は単結合、▲数式、化学式、表等があり
ます▼、Ａ＿２は▲数式、化学式、表等があります▼、
▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、Ｘ＿１、Ｘ＿２は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
Ｒ＿１、Ｒ＿２はＣ＿１〜Ｃ＿１＿８の直鎖状アルキル
基。）で示される化合物の少なくとも１種とを含有する
ことを特徴とする強誘電性カイラルスメクチツク液晶組
成物。
（２）下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ）（ただし、式中、Ｒ＿１、Ｒ＿２は置換基を有していて
も良いＣ＿１〜Ｃ＿１＿８の直鎖状又は分岐状のアルキ
ル基、Ｘ＿１、Ｘ＿２は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学
式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等がありま
す▼、▲数式、化学式、表等があります▼、Ｚ＿１は▲
数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表
等があります▼、−ＣＨ＿２Ｏ−、−ＯＣＨ＿２−、単
結合、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化
学式、表等があります▼は▲数式、化学式、表等があり
ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼は▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、ただし、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があ
ります▼のうち少なくとも１つは▲数式、化学式、表等
があります▼もしくは▲数式、化学式、表等があります
▼である。）で示される化合物の少なくとも一種と、下記一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II）（式中、Ａ＿１は単結合、▲数式、化学式、表等があり
ます▼、Ａ＿２は▲数式、化学式、表等があります▼、
▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、Ｘ＿１、Ｘ＿２は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
Ｒ＿１、Ｒ＿２はＣ＿１〜Ｃ＿１＿８の直鎖状アルキル
基。）で示される化合物の少なくとも１種とを含有する
ことを特徴とする強誘電性カイラルスメクチツク液晶組
成物を一対の電極基板間に配置してなることを特徴とす
る液晶素子。