JPH02255635A - 液晶性化合物およびこれを含む液晶組成物、液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は新規な液晶性化合物、それを含有する液晶組成
物およびそれを使用した液晶素子に関し、さらに詳しく
は電界に対する応答特性が改善された新規な液晶組成物
、およびそれを使用した液晶表示素子や液晶−光シヤツ
ター等に利用される液晶素子に関するものである。

〔従来の技術〕

従来より、液晶は電気光学素子として種々の分野で応用
されている。現在実用化されている液晶素子はほとんど
が、例えばエム　シャット（Ｍ、Ｓｃｈａｄｔ）とダブ
リュ　ヘルフリツヒ（Ｗ、Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ）著“アプ
ライド　フィジックス　レターズ（“ＡｐｐｌｉｅｄＰ
ｈｙｓｉｃｓ　　Ｌｅｔｔｅｒｓ″”）　Ｖｏ、１８．
　Ｎｏ、４　（１９７１゜２．１５）　Ｐ、１２７〜１
２８の“Ｖｏｌｔａｇｅ　ＤｅｐｅｎｄｅｎｔＯｐｔｉ
ｃａｌ　　Ａｃｔｉｖｉｔｙ　ｏｆ　ａ　Ｔｗｉｓｔｅ
ｄ　　ＮｅｍａｔｉｃＬｉｑｕｉｄ　　Ｃｒｙｓｔａｌ
”に示されたＴＮ　（ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ）
型の液晶を用いたものである。

これらは、液晶の誘電的配列効果に基づいており、液晶
分子の誘電異方性のために平均分子軸方向が、加えられ
た電場により特定の方向に向く効果を利用している。こ
れらの素子の光学的な応答速度の限界はミリ秒であると
いわれ、多くの応用のためには遅すぎる。一方、大型平
面デイスプレィへの応用では、価格、生産性などを考え
合わせると、単純マトリクス方式による駆動が最も有力
である。単純マトリクス方式においては、走査電極群と
信号電極群をマトリクス状に構成した電極構成が採用さ
れ、その駆動のためには、走査電極群に順次周期的にア
ドレス信号を選択印加し、信号電極群には所定の情報信
号をアドレス信号と同期させて並列的に選択印加する時
分割駆動方式が採用されている。

しかし、この様な駆動方式の素子に前述したＴＮ型の液
晶を採用すると走査電極が選択され、信号電極が選択さ
れない領域、或いは走査電極が選択されず、信号電極が
選択される領域（所謂“半選択点”）にも有限に電界が
かかってしまう。

選択点にかかる電圧と、半選択点にかかる電圧の差が充
分に大きく、液晶分子を電界に垂直に配列させるのに要
する電圧閾値がこの中間の電圧値に設定されるならば、
表示素子は正常に動作するわけであるが、走査線数（Ｎ
）を増加して行った場合、画面全体（ｌフレーム）を走
査する間に一つの選択点に有効な電界がかかっている時
間（ｄｕｔｙ比）が１７Ｎの割合で減少してしまう。

このために、くり返し走査を行った場合の選択点と非選
択点にかかる実効値としての電圧差は、走査線数が増え
れば増える程小さくなり、結果的には画像コントラスト
の低下やクロストークが避は難い欠点となっている。

この様な現象は、双安定性を有さない液晶（電極面に対
し、液晶分子が水平に配向しているのが安定状態であり
、電界が有効に印加されている間のみ垂直に配向する）
を時間的蓄積効果を利用して駆動する（即ち、繰り返し
走査する）ときに生ずる本質的には避は難い問題点であ
る。

この点を改良するために、電圧平均化法、２周波駆動法
や、多重マトリクス法等が既に提案されているが、いず
れの方法でも不充分であり、表示素子の大画面化や高密
度化は走査線数が充分に増やせないことによって頭打ち
になっているのが現状である。

この様な従来型の液晶素子の欠点を改善するものとして
、双安定性を有する液晶素子の使用がクラーク（Ｃ１ａ
ｒｋ）及びラガウエル（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）により提
案されている（特開昭５６−１０７２１６号公報、米国
特許第４３６７９２４号明細書等）。

双安定性液晶としては、一般にカイラルスメクテイツク
Ｃ相（Ｓ　ｍ　Ｃ＊相）又はＨ相（ＳｍＨ＊相）を有す
る強誘電性液晶が用いられる。

この強誘電性液晶は電界に対して第１の光学的安定状態
と第２の光学的安定状態からなる双安定状態を有し、従
って前述のＴＮ型の液晶で用いられた光学変調素子とは
異なり、例えば一方の電界ベクトルに対して第１の光学
的安定状態に液晶が配向し、他方の電界ベクトルに対し
ては第２の光学的安定状態に液晶が配向されている。ま
た、この型の液晶は、加えられる電界に応答して、上記
２つの安定状態のいずれかを取り、且つ、電界の印加の
ないときはその状態を維持する性質（双安定性）を有す
る。

以上のような双安定性を有する特徴に加えて、強誘電性
液晶は高速応答性であるという優れた特徴を持つ。それ
は強誘電性液晶の持つ自発分極と印加電場が直接作用し
て配向状態の転移を誘起するためであり、誘電率異方性
と電場の作用による応答速度より３〜４オーダー速い。

この様に強誘電性液晶はきわめて優れた特性を潜在的に
有しており、このような性質を利用することにより、上
述した従来のＴＮ型素子の問題点の多くに対して、かな
り本質的な改善が得られる。特に、高速光学光シャッタ
ーや、高密度、大画面デイスプレィへの応用が期待され
る。このため強誘電性を持つ液晶材料に関しては広く研
究がなされているが、現在までに開発された強誘電性液
晶材料は、低温作動特性、高速応答性等を含めて液晶素
子に用いる十分な特性を備えているとは言い難い。

応答時間τと自発分極の大きさＰｓおよび粘度ηの間に
は、下記の式［１］ （ただし、Ｅは印加電界である） の関係が存在する。したがって応答速度を速（するには
、 （ア）自発分極の大きさＰｓを大きくする（イ）粘度η
を小さ（する （つ）印加電界Ｅを高（する 方法がある。しかじ印加電界は、ＩＣ等で駆動するため
上限があり、出来るだけ低い方が望ましい。

よって、実際には粘度ηを小さ（するか、自発分極の大
きさＰｓの値を大きくする必要がある。

一般的に自発分極の大きい強誘電性カイラルスメクチッ
ク液晶化合物においては、自発分極のもたらすセルの内
部電界も大きく、双安定状態をとり得る素子構成への制
約が多くなる傾向にある。

又、いたずらに自発分極を大きくしても、それにつれて
粘度も太き（なる傾向にあり、結果的には応答速度はあ
まり速くならないことが考えられる。

また、実際のデイスプレィとしての使用温度範囲が例え
ば５〜４０℃程度とした場合、応答速度の変化が一般に
２０倍程もあり、駆動電圧及び周波数による調節の限界
を越えているのが現状である。

以上述べたように、強誘電性液晶素子を実用化するため
には、粘度が低く高速応答性を有し、かつ応答速度の温
度依存性の小さな強誘電性カイラルスメクチック液晶組
成物が要求される。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明の目的は、強誘電性液晶素子を実用できるように
するために、応答速度が速（、しかもその応答速度の温
度依存性が軽減された液晶組成物、特に強誘電性カイラ
ルスメクチック液晶組成物、および該液晶組成物を使用
する液晶素子を提供することにある。

〔発明の概要〕 本発明は、上記の目的を達成するためになされたもので
あり、一般式（１） ％式％（） ＣＦ３を示す。但し、Ｘのうち少なくとも１つはＣＦ３
でなければならない。Ｂは−Ｂ、−またはアシルオキシ
基、アルコキシカルボニルオキシ基をを示す。）で表わ
される液晶性化合物およびそれを少なくとも一種類配合
成分として含有する液晶組成物を提供するものである また本発明はこのような液晶組成物を使用する液晶素子
をも提供するものである。

〔発明の詳細な説明〕

本発明の一般式（１）で表わされる液晶性化合物は次に
示す合成経路により合成される。

を示す。ここでＸ２はＨ，Ｆ、　ＣＩ、　Ｂｒ、　ＣＮ
、　ＣＨ３を示す。Ｚは一〇−または−８−を示す。Ｒ
は置換基を有してもよい炭素数１〜１６のアルキル基。

アルコキシ基、アルコキシカルボニル基。

また、 一般式 で表わされる液晶性化合物の 具体的な構造式の例を以下に示す。

Ｕ しｒ３ 本発明の液晶組成物は、前記一般式＜Ｘ）で示される液
晶性化合物の少なくとも１種と、他の液晶性化合物１種
以上とを適当な割合で混合することにより得ることがで
きる。

又、本発明による液晶組成物は、強誘電性液晶組成物、
特に、強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物が好ま
しい。

本発明で用いる他の液晶性化合物の具体例を下記にあげ
る。

化合物Ｎｏ。

Ｈ３ Ｃ８Ｈ，７ｏ−＠−ｏｃ舎Ｏ壬ＣＨ２）３ＣＨＣ２）（
５馬　　　　　　　＊ Ｈ３ Ｈ３ Ｈ３ Ｃ、、Ｈ３３０嗅次ｃｓ博チＯＣＨ２ＣＨＣ３Ｈ７ｊ１
＊ ＣＨ３ ＣＨ３ ＣＨ３ ＣＨ３ ＣＨ３ ＣＨ３ ＣＨ３ ＣＨ３ ＣＨ３ ○ ＣＨ３ ○ ＣＨ３ ＣＨ３ Ｈ３ ○ ○ Ｈ３ Ｈ３ Ｈ３ Ｈ３ ○ Ｈ３ Ｈ３ Ｈ３ Ｈ３ Ｈ３ Ｈ３ Ｈ３ ＣＨ３ ＣＨ８ ＣＨ３ ＣＨ３ ＣＨ３ ＣＨ３ ＣＨ。

（７７）　　　　　　　　　ＣＨ３ Ｃ＋ｏＨ２＋缶◎（ＣＨ２）　２　ＣＯ＋　ＯＣＨ２Ｃ
ＨＯＣ２Ｈ５１１＊ ＾ ＣＨ３ ＣＨ３ ＣＨ３ ＣＨ３ ＣＨ３ ＣＨ３ ＣＨ３ ＣＨ３ リ Ｕ Ｃｊ！ Ｉ ＣＩ！ ｌ ｉＩ Ｅ （１１９）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
Ｆｃ　８Ｈ、、Ｏ−＠−＠−ＣＨ２０−＠−ＣＭ　、　
ＯＣＨ２ＣＨＣ、。Ｈ２１＊ υ ○ Ｆ３ Ｎ Ｎ Ｎ ｃｓ　Ｈ１？＜＋ＱＣ６Ｈ＋３ （ｔＳＯ） （ｔｓ４） Ｃ５Ｈ，、−４壱砕Ｃ＠ＩＨ１Ｇ Ｃ５Ｈ、、−＠−Ｃ）Ｉ　２０−＠＠−ＣＯＣ、Ｈｎ本
発明の液晶性化合物と１種以上の他の液晶性化合物ある
いはそれを含む液晶組成物（これらは強誘電性液晶化合
物、および強誘電性液晶組成物であっても良い。以下、
これらを強誘電性液晶材料と略す。）との配合割合は強
誘電性液晶材料１００重量部当り、本発明による液晶性
化合物を１〜５００重量部とすることが好ましい。

また、本発明の液晶性化合物を２種以上用いる場合も強
誘電性液晶材料との配合割合は前述した強誘電性液晶材
料１００重量部当り、本発明による液晶性化合物の２種
以上の混合物を１〜５００重量部とすることが好ましい
。

第１図は強誘電性液晶素子の構成の説明のために、本発
明の強誘電性液晶層を有する液晶素子の一例の断面概略
図である。

第１図において符号ｌは強誘電性液晶層、２はガラス基
板、３は透明電極、４は絶縁性配向制御層、５はスペー
サー、６はリード線、７は電源、８は偏光板、９は光源
を示している。

２枚のガラス基板２には、それぞれＩｎ２Ｏ３゜ＳｎＯ
２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉ’ｕｍ−Ｔｉｎ　　０ｘｉ
ｄｅ）等の薄膜から成る透明電極が被覆されている。そ
の上にポリイミドの様な高分子の薄膜をガーゼやアセテ
ート植毛布等でラビングして、液晶をラビング方向に並
べる絶縁性配向制御層が形成されている。また絶縁物質
として例えばシリコン窒化物、水素を含有するシリコン
炭化物、シリコン酸化物、硼素窒化物、水素を含有する
硼素窒化物、セリウム酸化物、アルミニウム酸化物、ジ
ルコニウム酸化物、チタン、酸化物やフッ化マグネシウ
ムなどの無機物質絶縁層を形成し、その上にポリビニル
アルコール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエス
テルイミド、ポリバラキシレン、ポリエステル、ポリカ
ーボネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、
ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロー
ス樹脂、メラミン樹脂、ユリャ樹脂、アクリル樹脂やフ
ォトレジスト樹脂などの有機絶縁物質を配向制御層とし
て、２層で絶縁性配向制御層が形成されていてもよく、
また無機物質絶縁性配向制御層あるいは有機物質絶縁性
配向制御層単層であっても良い。この絶縁性配向制御層
が無機系ならば蒸着法などで形成でき、有機系ならば有
機絶縁物質を溶解させた溶液、またはその前駆体溶液（
溶剤に０．１〜２０重量％、好ましくは０．２〜１０重
量％）を用いて、スピンナー塗布法、浸漬塗布法、スク
リーン印刷法、スプレー塗布法、ロール塗布法等で塗布
し、所定の硬化条件下（例えば加熱下）で硬化させ形成
させることができる。

絶縁性配向制御層の層厚は通常３０人〜１μｍ１好まし
くは３０人〜３０００人、さらに好ましくは５０人〜１
０００人が適している。

この２枚のガラス基板２はスペーサー５によって任意の
間隔に保たれている。例えば所定の直径を持つシリカビ
ーズ、アルミナビーズをスペーサーとしてガラス基板２
枚で挟持し、周囲をシール材、例えばエポキシ系接着材
を用いて密封する方法がある。その他スペーサーとして
高分子フィルムやガラスファイバーを使用しても良い。

この２枚のガラス基板の間に強誘電性液晶が封入されて
いる。

強誘電性液晶が封入された強誘電性液晶層は、一般には
０．５〜２０μｍ１好ましくは１〜５μｍである。

又、この強誘電性液晶は、室温を含む広い温度域（特に
低温側）でＳｍＣ＊相（カイラルスメクチック相）を有
し、高速応答性を有することが望ましい。さらに応答速
度の温度依存性が小さいこと、及び駆動電圧マージンが
広いことが望まれる。

又、特に素子とした場合に、良好な均−配向性を示しモ
ノドメイン状態を得るには、その強誘電性液晶は、等吉
相からｃｈ相（コレステリック相）−Ｓ　ｍ　Ａ相（ス
メクチック相）−ＳｍＣ＊相（カイラルスメクチックＣ
相）という相転移系列を有していることが望ましい。

透明電極３からはリード線によって外部電源７に接続さ
れている。

またガラス基板２の外側には偏光板８が貼り合わせであ
る。

第１図は透過型なので光源９を備えている。

第２図は強誘電性液晶素子の動作説明のために、セルの
例を模式的に描いたものである。２１ａと２１　ｈ　ハ
ソれぞれＩｎ２Ｏ３，５ｎ０２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄ
ｉｕｍ−Ｔｉｎ　　０ｘｉｄｅ）等の薄膜からなる透明
電極で被覆された基板（ガラス板）であり、その間に液
晶分子層２２がガラス面に垂直になるよう配向したＳｍ
Ｃ”相又はＳｍＨ本相０液晶が封入されている。太線で
示した線２３が液晶分子を表わしており、この液晶分子
２３はその分子に直交した方向に双極子モーメント（Ｐ
ｌ）２４を有している。基板２１ａと２１ｂ上の電極間
に一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子２３の
らせん構造がほどけ、双極子モーメント（Ｐ工）２４が
すべて電界方向に向（よう、液晶分子２３は配向方向を
変えることができる。液晶分子２３は細長い形状を有し
ており、その長袖方向と短軸方向で屈折率異方性を示し
、従って例えばガラス面の上下に互いにクロスニコルの
偏光子を置けば、電圧印加極性によって光学特性が変わ
る液晶光学変調素子となることは、容易に理解される。

本発明の光学変調素子で好ましく用いられる液晶セルは
、その厚さを充分に薄く（例えば１０μ以下）すること
ができる。このように液晶層が薄（なるにしたがい、第
３図に示すように電界を印加してい゛ない状態でも液晶
分子のらせん構造がほどけ、その双極子モーメントＰａ
またはｐｂは上向き（３４ａ）又は下向き（３４ｂ）の
どちらかの状態をとる。このようなセルに、第３図に示
す如く一定の閾値以上の極性の異る電界Ｅａ又はＥｂを
電圧印加手段３１ａと３１ｂにより付与すると、双極子
モーメントは電界Ｅａ又はＥｂの電界ベクトルに対応し
て上向き３４ａ又は下向き３４ｂと向きを変え、それに
応じて液晶分子は、第１の安定状態３３ａかあるいは第
２の安定状態３３ｂの何れか一方に配向する。

このような強誘電性を光学変調素子として用いることの
利点は先にも述べたが２つある。

その第１は、応答速度が極めて速いことであり、第２は
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第２の
点を例えば第３図によって更に説明すると、電界Ｅａを
印加すると液晶分子は第１の安定状態３３ａに配向する
が、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向き
の電界Ｅｂを印加すると、液晶分子は第２の安定状態３
３ｂに配向してその分子の向きを変えるが、やはり電界
を切ってもこの状態に留っている。又与える電界Ｅａあ
るいはＥｂが一定の閾値を越えない限り、それぞれ前の
配向状態にやはり維持されている。

以下実施例により本発明を更に具体的に説明する。本発
明はこれらの実施例に限定されるものではない。

実】１乳」 ｍｍｏ＋）、　　Ｎ、Ｎ’−ジシクロへキシルカルボジ
イミド０．５５　ｇ　（２，６７ｍＭ）を順次加え、更
にピペリジノビリジン０．０５ｇ、塩化メチレン２５　
ｍ　ｌを加えて室温ヌナル から室温で再結晶し、白色のｍ−）リフルτ下倭息香酸
’ｋ［４−（５−ドデシル−２−ビリミニジル）フェニ
ル］エステル０．９３　ｇ　（１，８１ｍＭ　）を得た
。収率６９％。

相転移温度 実施例２ 下記例示化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成物Ａ
を作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　構　造　式　　　　　　重量
部す 更に、この液晶組成物Ａに対して、以下に示す例示化合
物を各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物Ｂを作
成した。

例示化合物Ｎｏ。

構造式 次に、２枚の０．７ｍｍ厚のガラス板を用意し、それぞ
れのガラス板上にＩＴＯ膜を形成し、電圧印加電極を作
成し、さらにこの上にＳｉＯ□を蒸着させ絶縁層とした
。ガラス板上にシランカップリング剤［信越化学■製Ｋ
ＢＭ−６０２］　０．２％イソプロピルアルコール溶液
を回転数２００Ｏｒ、ｐ、ｍのスピンナーで１５秒間塗
布し、表面処理を施した。この後、１２０℃にて２０分
間加熱乾燥処理を施した。

さらに表面処理を行なったＩＴＯ膜付きのガラス板上に
ポリイミド樹脂前駆体［東し■５Ｐ−５１０］１．５％
ジメチルアセトアミド溶液を回転数２００Ｏｒ、ｐ、ｍ
のスピンナーで１５秒間塗布した。成膜後、６０分間、
３００℃加熱縮合焼成処理を施した。この時の塗膜の膜
厚は約２５０人であった。

この焼成後の被膜には、アセテート植毛布によるラビン
グ処理がなされ、その後イソプロピルアルコール液で洗
浄し、平均粒径２μｍのアルミナビーズを一方のガラス
板上に散布した後、それぞれのラビング処理軸が互いに
平行となる様にし、接着シール剤［リクソンボンド（チ
ッソ■）］を用いてガラス板をはり合わせ、６０分間、
１００℃にて加熱乾燥しセルを作成した。このセルのセ
ル厚をベレツク位相板によって測定したところ約２μｍ
であった。

このセルに液晶組成物Ｂを等方性液体状態で注入し、等
吉相から２０℃／ｈで２５℃まで徐冷することにより、
強誘電性液晶素子を作成した。

この強誘電性液晶素子を使ってピーク・トウ・ピーク電
圧Ｖｐｐ＝２０Ｖの電圧印加により直交ニコル下での光
学的な応答（透過光量変化０〜９０％）を検知して応答
速度（以後光学応答速度という）を測定した。その結果
を次に示す。

比較例２ 実施例２で混合した液晶組成物Ａをセル内に注入する以
外は全（実施例２と同様の方法で強誘電性液晶素子を作
成し、光学応答速度を測定した。その結果を次に示す。

１５℃　　　　　　　２５℃　　　　　　　３５°Ｃ応
答速度　　　１５５　μｓｅｃ　　　　　１００　μｓ
ｅｃ　　　　　８０　μ５ｅｃ１５６Ｃ２５℃　　　　
　　３５°Ｃ 応答速度　　　１１７　ｐ　ｓｅｃ　　　　　７０　μ
ｓｅｃ　　　　　６５　μｓｅｃ実施例３ 実施例２で使用した例示化合物１−１．１−４．１−１
８のかわりに以下に示す例示化合物を各々以下に示す重
量部で混合し、液晶組成物Ｃを作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　構　造　式　　　　　　重１
部この液晶組成物を用いた以外は全〈実施例２と同様の
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例２と同様の方
法で光学応答速度を測定した。

測定結果を次に示す。

１５℃ ２５℃ ３５°Ｃ 応答速度 １２６　μ５ｅｃ ７８μ５ｅｃ ６８μｓｅｃ 実施例４ 実施例３で使用した例示化合物１−２．　１−１３゜１
−２１のかわりに以下に示す例示化合物を各々以下に示
す重量部で混合し、液晶組成物りを作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　構　造　式　　　　　重量部
この液晶組成物を用いた以外は全〈実施例２と同様の方
法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例２と同様の方法
で光学応答速度を測定した。

測定結果を次に示す。

１５°Ｃ ２５℃ ３５℃ 応答速度 １２２　ｐ　５ｅｃ ７４μ５ｅｃ ６７μｓｅｃ 実施例５ 実施例２で使用した例示化合物１−２２．　１−２９゜
１−３５のかわりに以下に示す例示化合物を各々以下に
示す重量部で混合し、液晶組成物Ｅを作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　構　造　式　　　　　　重
量部１〜３７ υ この液晶組成物を用いた以外は全〈実施例２と同様の方
法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例２と同様の方法
で光学応答速度を測定した。

測定結果を次に示す。

１５℃　　　　　　　２５℃　　　　　　　３５℃応答
速度 １４０　ｐ　５ｅｃ ８９μ５ｅｃ ７３μｓｅｃ 実施例６ 実施例５で使用した例示化合物１−３７．１−４４゜１
−５５．　１−６３のかわりに以下に示す例示化合物を
各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物Ｆを作成し
た。

例示化合物Ｎｏ、　　　　構　造　式　　　　　　重量
部す この液晶組成物を用いた以外は全（実施例２と同様の方
法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例２と同様の方法
で光学応答速度を測定した。

測定結果を次に示す。

１５℃　　　　　　２５℃　　　　　　３５℃応答速度 １３９μシで ８７μ５ｅｃ ７３μｓｅｃ す 実施例７ 実施例６で使用した例示化合物１．−３．　１−１９゜
１−６９．　１−７８のかわりに以下に示す例示化合物
を各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物Ｇを作成
した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　構　造　式　　　　　重量部
！−３８ この液晶組成物を用いた以外は全〈実施例２と同様の方
法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例２と同様の方法
で光学応答速度を測定した。

測定結果を次に示す。

１５℃　　　　　　　２５℃　　　　　　　３５℃応答
速度 １３３　μｓｅｃ 羽μ５ｅｃ ７０μｓｅｃ 実施例８ 下記例示化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成物Ｈ
を作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　構　造　式　　　　　重量部
ＣＨ。

ＣＨ３ ＣＨ３ ○ 更に、この液晶組成物Ｈに対して、以下に示す例示化合
物を各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物Ｉを作
成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　構　造　式　　　　　　重量
部す この液晶組成物を用いた以外は全〈実施例２と同様の方
法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例２と同様の方法
で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察し
た。

この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が傅られた。

測定結果を次に示す。

１５℃　　　　　２５℃　　　　　３５℃応答速度　　
　３４２　μｓｅｃ　　　　　２０７　ｐ　ｓｅｃ　　
　　　　１５９　μｓｅｃ比較例８ 実施例８で混合した液晶組成物Ｈをセル内に注入する以
外は、全（実施例２と同様の方法で強誘電性液晶素子を
作成し、光学応答速度を測定した。

その結果を次に示す。

実施例９ 実施例８で使用した例示化合物１−１．　１−２１．　
１−２８゜１−４３のかわりに以下に示す例示化合物を
各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物Ｊを作成し
た。

例示化合物Ｎｏ、　　　　構　造　式　　　　　　重量
部１５℃　　　　　　　２５℃　　　　　　　３５℃応
答速度　　　４５０　μｓｅｃ　　　　　２７０　μｓ
ｅｃ　　　　　１９５　μｓｅｃ実施例１Ｏ 実施例９で使用した例示化合物１−２．１−５．１−５
２．１−５６．１−７５のかわりに以下に示す例示化合
物を各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物Ｋを作
成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　構　造　式　　　　　　重量
部この液晶組成物を用いた以外は、全〈実施例２と同様
の方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例２と同様の
方法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観
察した。

この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。

測定結果を次に示す。

１５℃　　　　２５℃　　　　３５℃ 応答速度　　　３７６　μｓｅｃ　　　　　２３０　μ
ｓｅｃ　　　　　１６９　μｓｅｃまた、駆動時には明
瞭なスイッチング動作が観察され、電圧印加を止めた際
の双安定性も良好であった。

す 実施例１１ 実施例１Ｏで使用した例示化合物１−８．　１−４９゜
１−６２．　１−７３．　１−８２のかわりに以下に示
す例示化合物を各々以下に示す重量部で混合し、液晶組
成物りを作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　構　造　式　　　　　　重量
部この液晶組成物を用いた以外は、全（実施例２と同様
の方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例２と同様の
方法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観
察した。

この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。

測定結果を次に示す。

１５℃　　　　２５℃　　　　３５℃ 応答速度　　　３９８　μｓｅｃ　　　　　２３８　μ
ｓｅｃ　　　　　１７７　μｓｅｃまた、駆動時には明
瞭なスイッチング動作が観察され、電圧印加を止めた際
の双安定性も良好であった。

す 実施例１２ 実施例１１で使用した例示化合物１−１．１−１５゜１
−３０．　　ｌ−３９，ｌ−６６のかわりに以下に示す
例示化合物を各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成
物Ｍを作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　構　造　式　　　　　重量部
この液晶組成物を用いた以外は、全〈実施例２と同様の
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例２と同様の方
法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察
した。

この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。

測定結果を次に示す。

１５℃　　　　２５℃　　　　３５℃ 応答速度　　　３８５μｓｅｃ　　　　　２３３　μｓ
ｅｃ　　　　　１７２　ｐ　ｓｅｃまた、駆動時には明
瞭なスイッチング動作が観察され、電圧印加を止めた際
の双安定性も良好であった。

す この液晶組成物を用いた以外は、全〈実施例２と同様の
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例２と同様の方
法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察
した。

この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。

測定結果を次に示す。

実施例１３ 実施例１２で使用した例示化合物１−２５．１−４７゜
ｔ−５１，１−６４のかわりに以下に示す例示化合物を
各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物Ｎを作成し
た。

例示化合物Ｎｏ、　　　　構　造　式　　　　　　重量
部１５℃　　　　　　　２５℃　　　　　　　３５℃応
答速度　　　３５６　μｓｅｃ　　　　　２１１　μｓ
ｅｃ　　　　　１６２　μｓｅｃまた、駆動時には明瞭
なスイッチング動作が観察され、電圧印加を止めた際の
双安定性も良好であつた。

この液晶組成物を用いた以外は、 全〈実施例２と 同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例２と同
様の方法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等
を観察した。

この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。

測定結果を次に示す。

１５℃　　　　　　２５℃　　　　　　３５°Ｃ応答速
度　　　３２０　μｓｅｃ　　　　　１９４μｓｅｃ　
　　　　１６０μＳｅｃまた、駆動時には明瞭なスイッ
チング動作が観察され、電圧印加を止めた際の双安定性
も良好であった。

実施例１４ 実施例２で使用したポリイミド樹脂前駆体１．５％ジメ
チルアセトアミド溶液に代えて、ポリビニルアルコール
樹脂［クラレ■製ＰＵＡ−１１７］　２％水溶液を用い
た他は全く同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、実
施例２と同様の方法で光学応答速度を測定した。

その結果を次に示す。

１５℃　　　　　　　２５℃　　　　　　　３５℃１１
０　μｓｅｃ　　　　　６６　μｓｅｃ　　　　６０　
μｓｅｃ実施例１５ 実施例２で使用したＳｉＯｚを用いずに、ポリイミド樹
脂だけで配向制御層を作成した以外は全（実施例２と同
様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例２と同様
の方法で光学応答速度を測定した。

その結果を次に示す。

〔発明の効果〕

本発明の強誘電性液晶組成物を含有する素子は、スイッ
チング特性が良好で、低温作動特性の改善された液晶素
子、及び応答速度の温度依存性の軽減された液晶素子と
することができる。

１５℃　　　　　　　２５℃　　　　　　　３５℃１１
５　ｐ　ｓｅｃ　　　　　６７　μｓｅｃ　　　　６０
　μｓｅｃ実施例１４．　１５より明らかな様に、素子
構成を変えた場合でも本発明に従う強誘電性液晶組成物
を含有する素子は、実施例２と同様に低温作動特性の非
常に改善され、かつ、応答速度の温度依存性が軽減され
たものとなっている。

【図面の簡単な説明】

第１図は強誘電性液晶を用いた液晶素子の一例の断面概
略図。 第２図および第３図は強誘電性液晶素子の動作説明のた
めに、素子セルの一例を模式的に表わす斜視図。 第１図において、 Ｏ ■ 第２図において、 １ａ 強誘電性液晶層 ガラス基板 透明電極 絶縁性配向制御層 スペーサー リード線 電源 偏光板 光源 入射光 透過光 基板 １ｂ ２４　・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・第３図において、 １ａ １ｂ ３ａ ３ｂ ４ａ ３４ｂ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・ａ ｂ 基板 強誘電性液晶層 液晶分子 双極子モーメント（Ｐ工） 電圧印加手段 電圧印加手段 第１の安定状態 第２の安定状態 上向きの双極子モーメント 下向きの双極子モーメント 上向きの電界 下向きの電界 ｚｆα

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記一般式（ I ） Ａ−Ｙ−Ｂ−Ｒ（ I ） （上記一般式中、Ａは▲数式、化学式、表等があります
   ▼を示す。ＸはＨまたはＣＦ＿３を示す。但し、Ｘのう
   ち少なくとも１つはＣＦ＿３でなければならない。Ｂは
   −Ｂ＿１−または−Ｂ＿１−Ｂ＿２−を示し、Ｂ＿１、
   Ｂ＿２は▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
   化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があ
   ります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式
   、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等が
   あります▼のいずれかを示す。ここでＸ＿２はＨ、Ｆ、
   Ｃｌ、Ｂｒ、ＣＮ、ＣＨ＿３を示す。Ｚは−Ｏ−または
   −Ｓ−を示す。Ｒは置換基を有してもよい炭素数１〜１
   ６のアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル
   基、 アシルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基を示す
   。また、Ｙは▲数式、化学式、表等があります▼、▲数
   式、化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿２Ｏ−、−Ｏ
   ＣＨ＿２−を示す。）で表わされる液晶性化合物。
2. （２）請求項１記載の液晶性化合物を少なくとも一種、
   含有することを特徴とする液晶組成物。
3. （３）請求項２記載の液晶組成物を１対の基板間に配置
   した液晶素子。