JPH0312479A - 強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物およびこれを含む液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

［技術分野］ 本発明は液晶表示素子や液晶−光シヤツター等に利用さ
れる液晶素子に用いる液晶組成物に関し、更に詳しくは
、電界に対する応答特性が改善された新規な液晶組成物
及びそれを有する液晶素子に関するものである。 〔背景技術〕 従来より、液晶は電気光学素子として種々の分野で応用
されている。現在実用化されている液晶素子はほとんど
が、例えばＭ、５ｃｈａｄｔとＷ、Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ著
″Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ　
　Ｖｏ、１８、Ｎｏ、４　（１９７１，２，１５）、Ｐ
、１２７〜１２８の”Ｖｏｌｔａｇｅ−３ｐｅｎｄｅｎ
ｔ　　０ｐｔｉｃａｌ　　Ａｃｔｉｖｉｔｙ　　ｏｆ　
　ａＴｗｉｓｔｅｄ　　Ｎｅｍａｔｉｃ　　Ｌｉｑｕｉ
ｄ　　Ｃｒｙｓｔａビに示されたＴＮ　（ｔｗｔｓｔｅ
ｄ　　ｎｅｍａｔｉｃ）型の液晶を用いたものである。 これらは、液晶の誘電的配列効果に基づいており、液晶
分子の誘電異方性のために平均分子軸方向が、加えられ
た電場により特定の方向を向く効果を利用している。こ
れらの素子の光学的な応答速度の限界はミリ秒であると
いわれ、多くの応用のためには遅すぎる。一方、大型平
面デイスプレィへの応用では、価格、生産性などを考え
合せると単純マトリクス方式による駆動が最も有力であ
る。単純マトリクス方式においては、走査電極群と信号
電極群をマトリクス状に構成した電極構成が採用され、
その駆動のためには、走査電極群に順次周期的にアドレ
ス信号を選択印加し、信号電極群には所定の情報信号を
アドレス信号と同期させて並列的に選択印加する時分割
駆動方式が採用される。 しかしこのような駆動方式の素子に前述したＴＮ型の液
晶を採用すると走査電極が選択され、信号電極が選択さ
れない領域、或いは走査電極が選択されず、信号電極が
選択される領域（所謂“半選択点″）にも有限に電界が
かかってしまう。選択点にかかる電圧と、半選択点にか
かる電圧の差が充分に大きく、液晶分子を電界に垂直に
配列させるのに要する電圧閾値がこの中間の電圧値に設
定されるならば、表示素子は正常に動作するわけである
が、走査線数（Ｎ）を増やして行った場合、画面全体（
１フレーム）を走査する間に一つの選択点に有効な電界
がかかっている時間（ｄｕｔｙ比）が１／Ｎの割合で減
少してしまう。このために、（り返し走査を行った場合
の選択点と非選択点にかかる実効値としての電圧差は、
走査線数が増えれば増える程小さくなり、結果的には画
像コントラストの低下やクロストークが避は難い欠点と
なっている。 このような現象は、双安定性を有さない液晶（電極面に
対し、液晶分子が水平に配向しているのが安定状態であ
り、電界が有効に印加されている間のみ垂直に配向する
）を時間的蓄積効果を利用して駆動する（即ち、繰り返
し走査する）ときに生ずる本質的には避は難い問題点で
ある。この点を改良するために、電圧平均化法、２周波
駆動法や、多重マトリクス法等が既に提案されているが
、いずれの方法でも不充分であり、表示素子の大画面化
や高密度化は、走査線数が充分に増やせないことによっ
て頭打ちになっているのが現状である。 この様な従来型の液晶素子の欠点を改善するものとして
、双安定性を有する液晶素子の使用がＣ１ａｒｋ及びＬ
ａｇｅｒｗａｌｌにより提案されている（特開昭５６−
１０７２１６号公報、米国特許第４３６７９２４号明細
書等）。双安定性液晶としては一般に、カイラルスメク
テイツクＣ相（ＳｍＣ＊）又はＨ相（ＳｍＨ＊）を有す
る強誘電性液晶が用いられる。この強誘電性液晶は電界
に対して第１の光学的安定状態と第２の光学的安定状態
からなる双安定状態を有し、従って前述のＴＮ型の液晶
で用いられた光学変調素子とは異なり、例えば一方の電
界ベクトルに対して第１の光学的安定状態に液晶が配向
し、他方の電界ベクトルに対しては第２の光学的安定状
態に液晶が配向される。また、この型の液晶は、加えら
れる電界に応答して、上記２つの安定状態のいずれかを
取り、且つ電界の印加のないときはその状態を維持する
性質（双安定性）を有する。 以上のような双安定性を有する特徴に加えて、強誘電液
晶は高速応答性であるという優れた特徴を持つ。それは
強誘電液晶の持つ自発分極と印加電場が直接作用して配
向状態の転移を誘起するためであり、誘電率異方性と電
場の作用による応答速度より３〜４オーダー速い。 このように強誘電液晶はきわめて優れた特性を潜在的に
有しており、このような性質を利用することにより、上
述した従来のＴＮ型素子の問題点の多くに対して、かな
り本質的な改善が得られる。 特に、高速光学光シャッターや、高密度、大画面デイス
プレィへの応用が期待される。 この強誘電性液晶層を一対の基板間に挾持した素子で前
述した様な単純マトリクス表示装置とした場合では、例
えば特開昭５９−１９３４２６号公報、同５９−１９３
４２７号公報、同６０−１５６０４６号公報や同６０−
１５６０４７号公報などに開示された駆動法を適用する
ことができる。 第４図は、本発明の実施例中で用いた駆動法の波形図で
ある。又、第５図は、本発明で用いたマトリクス電極を
配置した強誘電性液晶パネル５１の平面図である。第５
図のパネル５１には、走査線５２とデータ線５３とが互
いに交差して配線され、その交差部の走査線５２とデー
タ線５３との間には強誘電性液晶が配置されている。 第４図（Ａ）中のＳｓは選択された走査線に印加する選
択走査波形を、ＳＮは選択されていない非選択走査波形
を、■、は選択されたデータ線に印加する選択情報波形
（黒）を、ＩＮは選択されていないデータ線に印加する
非選択情報信号（白）を表わしている。又、図中（Ｉｓ
　　Ｓｓ）と（ＩＮ−３Ｓ）は選択された走査線上の画
素に印加する電圧波形で、電圧（Ｉｓ　　Ｓｓ）が印加
された画素は黒の表示状態をとり、電圧（ＩＮ　　ＳＳ
）が印加された画素は白の表示状態をとる。 第４図（Ｂ）は第４図（Ａ）に示す駆動波形で第６図に
示す表示を行ったときの時系列波形である。 第４図に示す駆動例では、選択された走査線上の画素に
印加される単一極性電圧の最小印加時間△ｔが書込み位
相ｔ２の時間に相当し、ｌラインクリヤｔ１位相の時間
が２△ｔに設定されている。 さて、第４図に示した駆動波形の各パラメータｖＳ　＋
　　ｖｌ　＋△ｔの値は使用する液晶材料のスイッチン
グ特性によって決定される。 第７図は後述するバイアス比を一定に保ったまま駆動電
圧（Ｖｓ十Ｖ、）を変化させたときの透過率Ｔの変化即
ちＶ−Ｔ特性を示したものである。　ここでは、△ｔ＝
５０μｓｓバイアス比Ｖ　ｌ／　（Ｖ　＋　＋　Ｖ　ｓ
　）＝１／３に固定されている。第７図の正側は第４図
で示した（ＩＮ　　ＳＳ）、負側は（ＩＳ−３Ｓ）で示
した波形が印加される。ここで、Ｖ、、Ｖ３をそれぞれ
実駆動閾値電圧、及びクロストーク電圧（＝スイッチン
グ不良電圧）と呼ぶ。但しくＶ２＜Ｖ、＜Ｖ３）マタ△
Ｖ＝　（Ｖ３　　Ｖｌ）を電圧マージンと呼び、マトリ
クス駆動可能な電圧幅となる。ｖ３はＦＬＣのマトリク
ス駆動上、−船釣に存在すると言ってよい。具体的には
、第４図（Ａ）　（Ｉｖ　　Ｓｓ）の波形におけるＶム
によるスイッチングを起こす電圧値である。勿論、バイ
アス比を大きくすることによりｖ３の値を大きくするこ
とは可能であるが、バイアス比を増すことは情報信号の
振幅を大きくすることを意味し、画質的にはちらつきの
増大、コントラストの低下を招き好ましくない。我々の
検討ではバイアス比は１／３〜１／４程度が実用的であ
った。ところでバイアス比を固定すれば電圧マージン△
Ｖは液晶材料のスイッチング特性に強（依存し、△Ｖの
大きい液晶材料がマトリクス駆動上非常に有利であるこ
とは言うまでもない。 この様な、ある一定温度において、情報信号の２通りの
向きによって選択画素に「黒」および「白」の二状態を
書き込むことが可能であり、非選択画素はその「黒」ま
たは「白」の状態を保持することが可能である印加電圧
の上下限の値およびその幅（駆動電圧マージン△Ｖ＝Ｖ
３−Ｖ、）は液晶材料間で差があり、特有なものである
。また環境温度の変化によっても駆動マージンはズして
いくため、実際の表示装置の場合、液晶材料や環境温度
に対して最適駆動電圧にしてお（必要がある。 しかしながら、実用上この様なマトリクス表示装置の表
示面積を拡大していく場合、各画素における液晶の存在
環境の差（具体的には、温度や電極間のセルギャップ差
）は当然大きくなり、駆動電圧マージンが小さな液晶で
は表示エリア全体に良好な画像を得ることが出来なくな
る。 一方、このような条件下で配列し７た強誘電性液晶は、
一般に上下基板間をねじれた状態でつながり、−軸性の
配向を示さないことが知られている（スプレー配向）。 このような場合問題点のひとつに、液晶層の透過率が低
いことである。 透過光量は、分子配向の一軸性を仮定すると、クロスニ
コル下で入射完工。の強度に対してｌの強度を得る。 人 ここで、Δｎは屈折率異方性、ｄはセル厚、λは入射光
の波長、θａは双安定状態間の角度（チルト角）である
。 前述のセルを用い、スプレー配向を採った場合、現状で
はθａは５°〜８°である。Δｎｄπ／λのコントロー
ルは、物性的に簡単には行えないので、θａを大きくし
て工を大きくしたいが、スタティックな配向手法によっ
てはなかなか達成出来ない。 このような問題に対して、強誘電性液晶のΔε項のトル
クを用いることにより、θａを広げられることが知られ
ている（１９８３年ＳＩＤでＡＴＴにより発表、特開昭
６１−２４５１４２．６１−２４６７２２．６１−２４
６７２３．６１−２４６７２４．６１−２４９０２４．
６ｌ−２４９０２５）。 液晶のΔεが負であると、液晶分子は電界印加により基
板に平行になろうとする。この特性を利用、すなわち、
スイッチング時以外にも一定の実効的な電界を印加する
ことにより、かかるねじれ配列を解消し、θａを増大さ
せて、透過率を上げることができる（ＡＣスタビライズ
効果）。 状態のスイッチングに関するＦＬＣ分子に働（トルクｒ
ｐｓ、ＡＣスタビライズ効果に関してＦＬＣ分子に働く
トルクｒ゛Δ４とは、各々次のような物性に比例する。 Ｉ’ｐｓ　　ｃＩ：Ｉ　　　Ｐｓ　　−Ｅ（２） ｒ’ａｅ　　ｃｏ　　　−Δε・ε。・Ｅ２　　・・・
・・・・・・・・・・・・・・　（３）（３）式によっ
ても明らかなようにＦＬＣのΔεの符号及び絶対値がき
わめて重要な役割を示すことがわかる。 Δεに関する物性が異なる値を持つ４種のＦＬＣのＶｒ
ｍｓに対するθａの変化を第８図に示した。 測定はＰｓによる影響を除くために６０ＫＨｚの矩形交
流で行った。 （１）はΔεニー５．５、（Ｉ［）はΔεニー３．０、
（ｍ）はΔεニー〇、　　（ｒＶ）はΔε二１．０であ
り、定性的にもΔεは（Ｉ）＜　（ＩＩ）＜　（ｍ）＜
　（ＩＶ）であった。 グラフを見てもわかるようにΔεが負に大きい極低電圧
でθａが大きくなり、従って、■に貢献することがわか
る。 この（Ｉ）と（ｍ）を用いた場合の透過率の差を比較し
てみると（Ｉ）では１５％なのに対し、（ｍ）では６％
であり明らかな差があった（６０ＫＨｚ±８ｖ　矩形波
印加時）。 以上の例でも知られるように、ΔεとＰｓの物性をコン
トロールすることにより、５ＳＦＬＣの表示特性を太き
（変えることができる。 強誘電性液晶組成物のΔεを負に大きくするためには、
Δεが負で、その絶対値が大きな材料を混合することが
一番有効である。例えば、分子の短軸方向に、ハロゲン
やシアノ基を導入したり、分子環骨格にペテロ原子を導
入したりすることによりΔεの大きな化合物を得ること
ができる。 Δε＜Ｏの化合物の誘電異方性は、構造によってその大
きさに差がある。例を下に示す。 ε　　〈　２ ２　≦ ε　　　≦　５ ６く さ く　　１０ ε　　　〉１０ す ※Ｒ，Ｒ’　　はアルキル基を示す。 太き（分類すると、１ε１≦２（１Δε］小）の化合物
、２く１ε１≦１０（ｌΔε１中）の化合物、１Δεｌ
＞ｔｏ（ｌΔε１大）の３種に分けることが出来る。］
Δεｌ小のものは、ｌΔεｌを増大させる効果は殆どな
い。１Δεｌ大のものは１Δε増大に大変有効な材料で
ある。現在のところ、ジシアノハイドロキノン誘導体の
みが１Δε１大材料である。 しかしながら、ジシアノハイドロキノン誘導体は、１Δ
εｌ増大効果は大きいものの、粘性が高いため、その含
有比率が増加するとスイッチング特性を悪くする傾向が
ある。 一方、１Δε１が中程度のものの中には１Δε増大効果
は）Δεｌ大　成分よりは小さいが、ある程度粘性の低
いものもある。 以上のことから、スイッチング特性が良好で、かつ、Ａ
Ｃスタビライズ効果を有する液晶組成物およびこれを含
む液晶素子を得るためには、誘電異方性が負の化合物、
好ましくは１Δεｌ〉２の化合物の選択、混合相手およ
び混合比率を（ふうする必要がある。 〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明は、強誘電性液晶素子を実用できるように、駆動
電圧マージンが太き（、液晶素子の表示エリアにある程
度の温度バラツキがあっても、全画素が良好にマトリク
ス駆動できる駆動温度マージンの広いカイラルスメクチ
ック液晶組成物および該液晶組成物および該液晶組成物
を使用する液晶素子を提供することにある。 本発明の他の目的は、本発明の液晶組成物に、さらに誘
電異方性が負の液晶性化合物を混合することにより、Ａ
Ｃスタビライズ効果をもたせ、表示特性を太き（向上さ
せられる液晶組成物および該液晶素子を提供することに
ある。 〔問題を解決するための手段〕 本発明は下記−殺伐（１） （ただし、Ｒ１は０１〜ＣＩ８の置換基を有していても
良い直鎖状又は分岐状のアルキル基、Ｒ２はＣ１〜Ｃ１
□の直鎖状のアルキル基、Ｘｌは単結合、−〇−で示さ
れる化合物の少なくとも一種と、下記−殺伐（ＩＩ　） （タタし”Ｉ　Ｒ３ｒ　Ｒ４はＣ１〜Ｃ１！＋の置換基
を有していても良い直鎖状又は分岐状のアルキル基であ
り、のいずれかを示す。ｍ、　ｎはＯ，ｌもしくは２を
示す。ただし、ｍ　＋　ｎは２以上である。）で示され
る化合物の少なくとも１種と、さらに、誘電異方性が負
の液晶性化合物を少なくとも１種含有することを特徴と
する強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物ならびに
該液晶組成物を一対の電極基板間に配置してなる液晶素
子を提供するものである。 また本発明は、該誘電異方性が負の液晶性化合物が、好
ましくはΔε＜−２を示し、より好ましくはΔε＜−５
、さらに好ましくはΔε＜−１０を示す液晶化合物を用
いて、前記強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物に
さらに含有させた強誘電性カイラルスメクチック液晶組
成物ならびにそれを有する液晶素子を提供するものであ
る。 また本発明は、該誘電異方性が負の液晶性化合物が、下
記−［１］）から（ＩＩＩ−［５］）で示される中から
選ばれる化合物を用いて前記強誘電性カイラルスメクチ
ック液晶組成物にさらに含有させた強誘電性カイラルス
メクチック液晶組成物ならびにそれを有する液晶素子を
提供するものである。 −殺伐（ｍ−■） 一般式（ＩＩＩ−■） ［：Ｒ，。 Ｒ

【は置換基を有していてもよい直鎖状又は（Ｒ。 Ｒｂは置換基を有していてもよい直鎖状又は分岐状のア
ルキル基、 分岐状のアルキル基、 Ａ。 １ は÷。 舎 単結合、 ただし Ａ、、 Ａｔが同時に単結合にはならない。〕 一般式（ＩＩＩ−■） Ａａ。 であり、 Ｘｉ＋ Ｘｄは供に単結合又は供に一〇−で 〔ＡＩは単結合、−（ラー Ａｌは単結合、舎、←（Ｄ→ Ｒ＋、Ｒ１は置換基を有してもよい直鎖又は分岐のＡｂ
がともに単結合の場合、 Ｘｂ。 Ｘｃは単結合 Ｙａ。 Ｙｂは、 シアノ基。 ハロゲン。 水素、 ただし アルキル基、ただしＡｉが単結合のとき直鎖アルキＹ　
ｌｌ。 Ｙｂが同時に水素にはならない。〕 ル基であり、 は−０又はＳｌ 一般式（ＩＩＩ−■ン ただしＡ が単結合のときＸ は単結合であり、 （Ｒ１゜ Ｒ１は置換基を有してもよい直鎖又は分岐のアルキル基
、 Ａ１が単結合のときＸｋは単結合である。〕Ａｋ。 八−は同時に単結合にならない。 ）、 −ＣＨ２ＣＨ２− −Ｃ＝Ｃ−） 一般式（ＩＩＩ−［５］） 〔Ｒ７゜ Ｒｏは置換基を有していてもよい直鎖又は分岐のアルキ
ル基、 −ＯＣＨ２− −ＣＨ２ＣＨ２− 前述の一般式（りで示される化合物のうち、好ましい化
合物例としては、下記する（１−ａ）〜（１−ｄ）式で
示されるものが挙げられる。 また、さらに、上記（１−ａ）〜（１−ｄ）におけるＸ
、のより好ましい例としては、単結合　−〇−又、前述
の一般式（ＩＩ　）で示される化合物のうち好ましい化
合物例としては、下記（ＩＩ　−ａ　）から（ＩＩ　−
Ｃ）式で示される化合物が挙げられる。 またさらに、上述の（ＩＩ　−ａ　）〜（ＩＩ　−ｃ　
）式におけるＸ２１　　Ｘ　３の好ましい例としては、
下記（ＩＩ−ｉ）　〜（ＩＩ−ｖｉｉｉ）を挙げること
ができる。 （ＩＩ−４） ｘ２　が　単結合、 Ｘ２　が　単結合、 （ＩＩ−ｉｉｉ）　　Ｘ　２　　が　単結合、（ＩＩ−
ｉｉ） （ＩＩ−ｉｖ）Ｘ２　　が　単結合、 （ＩＩ−Ｖ） Ｘ２が一〇−１ （ＩＩ−ｖｉ）Ｘ２が一〇−１ （ＩＩ−ｖｉｉ）　Ｘ　２が一〇−１ Ｘ３　が　単結合 Ｘ３が一〇− ｘ３が一０Ｃ− Ｘ３が−ＣＯ− Ｘ３　が　単結合 Ｘ３が一〇− Ｘ３が−ＯＣ− １ （ＩＩ−ｖｉｉｉ）　Ｘ　２が一〇−１ｘ３が−ＣＯ−
またさらに、上述の（ＩＩ　−ａ　）〜（ＩＩ　−Ｃ）
式におけるＲ３．Ｒ４の好ましい例としては、（ＩＩ−
ｉｘ）〜（ＩＩ　−ｘｉ　）を挙げることができる。 （ＩＩ　　ｉｘ）　　Ｒ３がｎ−アルキル基、　　Ｒ４
がｎ−アルキル基（ｐはＯ〜７、Ｒ７ は直鎖状又は分岐状の 前記−殺伐 （１） で示される化合物の具体的な構 アルキル基） 造式の例を以下に示す。 （ＩＩ−Ｘｉ） Ｒ３がｎ−アルキル基。 −１ ＣＨ３ Ｒ４が’：：　ＣＨ２Ｅ”　ｑ　ＣＨ＋ＣＨ２）　ｒ　
ＯＲａ＊ （ｑはＯ〜７、 ｒは０もしくは１１ ８ は直 −２ 鎖状又は分岐状のアルキル基） −３ −４ −５ ■−６ −７− −８ −１４ −９ −１５ −１０ −１６ −１１ −１７ １−２９ １−３０ −３１ −３２ −３３ −３４ −１８ （そのｌ） −１８ （その２） −２３ −２４ −２５ −２６ −２７ −２８ −３５ −３６ −３７ −３９ −４０ １−４１ １−４７ −４８ −４３ −４４ −５０ −４５ −４６ −５２ 前記−殺伐（１）で示される化合物の代表的な合成例を
以下に示す。 合成例１（化合物Ｎｏ、１−４の合成）（Ｉ）トランス
−４−ｎ−プロピルシクロヘキサンカルボン酸クロライ
ド１０　ｇ　（５３、６ｍ　ｍ　ｏりをエタノール３０
ｍ１にとかし、これに少量のトリエチルアミンを加え室
温で１０時間撹拌した。反応混合物を氷水１００ｍｆに
注入し、６Ｎ塩酸水溶液を加え酸性側とした後、イソプ
ロピルエーテルにより抽出した。有機層を洗液が中性と
なるまで水洗を繰り返した後、硫酸マグネシウムにより
乾燥した。溶媒留去後、シリカゲルカラムクロマトグラ
フィーにより精製し、トランス−４−ｎ−プロピルシク
ロヘキサンカルボン酸エチルエステル９．９ｇを得た。 （Ｉり水素化アルミニウムリチウム０．７３ｇ（！９．
１ｍｍｏｆ）を乾燥エーテル３０ｍ１に添加し、１時間
加熱環流した。氷水洛中で１０℃程度まで冷却した後、
乾燥エーテル３０ｍｊ！に溶かしたトランス−４−ｎ−
プロピルシクロヘキサンカルボン酸エチルエステル５ｇ
　（２５，５ｍｍｏｆ’）を徐々に滴下した。滴下終了
後、室温で１時間撹拌し、さらに１時間加熱環流させた
。これを酢酸エチル、６Ｎ塩酸水溶液で処理した後、氷
水２００ｒｔｉに注入した。 イソプロピルエーテルにより抽出した後、有機相を水、
水酸化ナトリウム水溶液、水で順次洗浄し、硫酸マグネ
シウムにより乾燥した。溶媒留去後、シリカゲルカラム
クロマトグラフィーにより精製し、トランス−４−ｎ−
プロピルシクロヘキシルメタノール３．５ｇを得た。 （ＩＩＩ）トランス−４−ｎ−プロピルシクロへキシル
メタノール３．４ｇ　（２２，４ｍｍｏｆｆ　）をピリ
ジン２０ｍ１に溶かした。これにピリジン２０ｍ１’に
溶かしたｐ−１ルエンスルホン酸クロライド５．３ｇを
氷水洛中で５℃以下に冷却しながら滴下した。室温で１
０時間撹拌した後、氷水２００ｍＡ’に注入した。６Ｎ
塩酸水溶液により酸性側とした後、イソプロピルエーテ
ルで抽出した。有機相を洗液が中性となるまで水洗を繰
り返した後、硫酸マグネシウムにより乾燥した。これを
溶媒留去して、トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキ
シルメチル−ｐ−トルエンスルホネートを得た。 （ｒＶ）ジメチルホルムアミド４０　ｍ　Ｉ！に５−デ
シル−２−（４’−ヒドロキシフェニル）ピリミジン６
．３ｇ（２０，２ｍｍｏｆ）を溶かした。これに８５％
水酸化カリウム１．５ｇを加え、１００℃で１時間撹拌
した。 これにトランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシルメチ
ル−ｐ−トルエンスルホネート６．９ｇを加え、さらに
１００℃で４時間撹拌した。反応終了後、これを氷水２
００ｒｒｌに注入し、ベンゼンで抽出した。 有機相を水洗した後、硫酸マグネシウムにより乾燥した
。溶媒留去後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに
より精製し、これをさらにエタノール／酢酸エチル混合
溶媒から再結晶して、前記例示化合物Ｎｏ、２−７２を
得た。 ＩＲ（ｃｍ−’）　： ２９２０、２８４０．　１６０８．　１５８４相転移温
度 （’Ｃ） （Ｓｍ２はＳｍＡ、、ＳｍＣ以外のスメクチック相。 未同定） １４２８、　１２５８．　１１６４．　８００前記−殺
伐（ＩＩ）で示される化合物の具体的な構造式の例を以
下に示す。 （２−６） （２−１） （２−２） （２−８） （２−３） （２−９） （２−４） （２−１０） （２−５） （２−１１） （２−１２） （２−１３） （２−１４） （２−１５） （２−１６） す （２−１７） Ｃ７゜Ｈｘｒ　（Ｏ”１０ＣＨＣＨ２ＱＣ２Ｈｓ本 （２−３１） （２−３２） （２−３３） （２−３４） （２−３５） Ｃ７゜Ｈａｘ　ｆ’ｌ０（ＣＨ２）４　ＣＨＯＣＨｓ（
２−３６） （２−３７） （２−３８） （２−３９） （２−４０） （２−４１） （２−４９） （２−５０） （２−５１） （２−５２） （その１） （２−４２） （２−４３） （２−４６） （２−４７） （２−４８） （２−６３） Ｃ５ＨＩＩ　（ｏペパ）ＣｔｏＨ２１ （２−６４） 一般式（ｎ） で示される化合物は、 例えば特許 公報昭６２−５４３４ （１９８７） などに記載の方法に より得ることができる。 又、 例え よ、 （２−６５） で示される化合物は、 下記の合成経路で合成する （２−６６） ことができる。 前記−殺伐 （） の液晶性化合物の具体的な構 造式の例を以下に示す。 但し、 （ｍ） 式において、 各Ｒが示すアルキル基の炭素数は１〜１８、好まし く は４〜１６、 より好ましくは６〜１２を示す。 一般式（ＩＩＩ−■） （３−１） す （３−２） （３−３） （式中のＲ３゜ Ｒ４゜ ｌ ｎは前述の通りである） （３−４） （３−５） （３−６） （３−７） （３−８） （３−１４） （３−１５） （３−１６） （３−１７） （３−１８） す す （３−９） （３−１０） （３−１１） （３−１２） （３−１３） （３−１９） （３−２０） （３−２１） （３−２２） （３−２３） リ リ り り （３−２４） （３−２５） （３−２６） （３−２７） （３−２８） （３−３４） （３−３５） （３−３６） （３−３７） （３−３８） （３−２９） （３−３０） （３−３１） （３−３２） （３−３３） （３−３９） （３−４０） （３−４１） （３−４２） （３−４３） す （３−４４） （３−４５） （３−４６） （３−４７） （３−４８） （３−６４） （３−５５） （３−５６） （３−５７） （３−５８） し ｍ Ｃ ｒ Ｎ（’］ す （３−４９） （３−５０） （３−５１） （３−５２） （３−５３） （３−５９） （３−６０） （３−６ｉ） （３−６２） り り り Ｎ リ リ （３−６３） Ｒｒ （３−６４） す （３−６５） （３ ６６） （３−６７） 一般式 （） ％式％） ） ） ） ） ） ） ） ） ） ） ） （３−８０） Ｕ （３−８１） す （３−８２） （３−８３） （３−８４） 一般式（ＩＩＩ−■） （３−９１） （３−９２） （３−９３） （３−９４） （３−８５） （３−８６） （３−８７） （３−８８） （３−８９） （３−９６） （３−９７） （３−９８） （３−９９） （３−１０１） （３−１０２） （３−１０３） （３−１０４） （３−１１１） （３−１１２） （３−１１３） （３−１１４） （３−１０６） （３−１０７） （３−１０８） （３−１０９） （３−１１６） （３−１１７） （３−１１８） （３−１１９） （３−１２０） （３−１２７） （３−１２８） （３−１２９） （３−１３０） 一般式（ＩＩＩ−■） （３−１２２） （３−１２３） （３−１２４） （３−１２５） （３−１３２） （３−１３３） （３−１３４） （３−１３５） （３−１，３７） （３ １３８） （３−１３９） （３ １４０） （３−１４７） （３ １４８） （３−１４９） （３−１５０） （３−１４２） （３−１４３） （３ １４４） （３−１４５） （３−１５１） −殺伐（ＩＩＩ−［５］） （３−１５３） Ｎ （３−１５４） （３ １５５） Ｎ （３−１５６） （３ １６３） Ｎ （３ １６４） Ｎ （３ １６５） Ｎ （３−１６６） Ｎ （３−１５８） （３−１５９） （３−１６０） （３−１６１） （３ １６８） （３−１６９） （３−１７０） （３ １７１） Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ （３−１７３） （３−１７４） （３−１７５） （３−１７６） （３−１８３） （３−１８４） （３−１８５） （３−１８６） （３−１７８） Ｎ （３−１７９） Ｎ （３−１８１） Ｎ 本発明の液晶組成物は前記一般式（１）で示される化合
物の少な（とも１種と、前記一般式（ＩＩ　）で示され
る化合物の少なくとも１種と、池の液晶性化合物１種以
上とを適当な割合で混合することにより得ることができ
る。 本発明の他の目的の液晶組成物は、上記液晶組成物にさ
らに誘電異方性が負の液晶性化合物を少なくとも１種以
上嬶当な割合で混合することにより得ることができる。 また、本発明による液晶組成物は、強誘電性液晶組成物
、特に強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物が好ま
しい。 本発明で用いる他の液晶性化合物の具体例を下記にあげ
る。 ＼−二ノ （４９） （５０） （６１） す （６２） （６３） す （６４） （６５） （５６） （６７） （５８） （５９） （６０） （６６） （６７） υ す 又− 本発明の強誘電性液晶組成物において、本発明の一般式
（Ｉ）で示される液晶性化合物、−殺伐（ｎ）で示され
る液晶性化合物、それぞれと、上述した他の液晶性化合
物一種以上、あるいは、それを含む液晶性組成物（液晶
材料と略す）との配合割合は、液晶材料１００重量部当
り、本発明−殺伐（Ｉ）、−殺伐（■）で示される液晶
性化合物それぞれを１〜３００重量部、より好ましくは
２〜１００重量部とすることが好ましい。 また、本発明の一般式（Ｉ）、−殺伐（ｎ）で示される
液晶性化合物のいずれか、あるいは全てを２種類以上用
いる場合も他の液晶材料との配合割合は、前述した液晶
材料１００重量部当り、本発明−殺伐（１）、−殺伐（
Ｕ）で示される液晶性化合物のいずれか、あるいは全て
の２種以上の混合物を、１〜５００重量部、より好まし
くは２〜１００重量部とすることがのぞましい。 また、−殺伐（１）で示される液晶性化合物に対する一
般式（ＩＩ）で示される液晶性化合物の重量比［−殺伐
（１）／−殺伐（■）］は１／３００から３００／１で
あり、好ましくは１１５０から５０／ｌであることが望
ましい。 一般式（Ｉ）、−殺伐（ｎ）で示される液晶性化合物の
それぞれ２種以上用いる場合、−殺伐（１）／−殺伐（
ｎ）は１１５００から５００／１であり、好ましくは１
１５０から５０／ｌであることが望ましい。 また、−殺伐（Ｉ）で示される液晶性化合物と、−殺伐
（ＩＩ）で示される液晶性化合物の総量と、上述した液
晶材料との配合割合は、−殺伐（Ｉ）と−殺伐（ＩＩ）
の総量１００重量部当り、他の液晶材料を２〜６００重
量部、好ましくは４〜２００重量部とすることが望まし
い。 また、−殺伐（Ｉ）、−殺伐（ｎ）で示される液晶性化
合物のそれぞれを２種以上用いる場合も、殺伐（１）で
示される液晶性化合物と一般式（■゛）で示される液晶
性化合物の総量と、上述した液晶材料との配向割合は、
−殺伐（Ｉ）、−殺伐（ｎ）の総量１００重量部当り、
上述した液晶材料を２〜１０００重量部、好ましくは４
〜２００重量部とすることが望ましい。 さらに、誘電異方性が負の成分を含有する強誘電性液晶
組成物中における誘電異方性が負の成分の含有量は、１
〜９８重１％である。特にΔε＜−２の成分を用いる場
合、Δε＜−２の成分の含有量は、１〜７０重量％、好
ましくは１〜５０重量％とすることが望ましい。 一般式（Ｉ）で示される液晶性化合物と、−殺伐（ｒｌ
）で示される液晶性化合物と、誘電異方性が負の成分と
の総量は、本発明の強誘電性液晶組成物中において、３
〜１００重食％含有される。 本発明で用いる誘電異方性が負の液晶性化合物の誘電異
方性の大きさは１ε１〉２であることが好ましい。 第１図は強誘電性液晶素子の構成の説明のために、本発
明の強誘電性液晶層を有する液晶素子の一例の断面概略
図である。 第１図において符号１は強誘電性液晶層、２はガラス基
板、３は透明電極、４は絶縁性配向制御層、５はスペー
サー、６はリード線、７は電源、８は偏光板、９は光源
を示している。 ２枚のガラス基板２には、それぞれＩｎ２Ｏ３゜ＳｎＯ
２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ　　０ｘｉｄ
ｅ）等の薄膜から成る透明電極が被覆されている。その
上にポリイミドの様な高分子の薄膜をガーゼやアセテー
ト植毛布等でラビングして、液晶をラビング方向に並べ
る絶縁性配向制御層が形成されている。また絶縁物質と
して例えばシリコン窒化物、水素を含有するシリコン炭
化物、シリコン酸化物、硼素窒化物、水素を含有する硼
素窒化物、セリウム酸化物、アルミニウム酸化物、ジル
コニウム酸化物、チタン酸化物やフッ化マグネシウムな
どの無機物質絶縁層を形成し、その上にポリビニルアル
コール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステル
イミド、ポリバラキシレン、ポリエステル、ポリカーボ
ネート、ポリビニルアセクール、ポリ塩化ビニル、ポリ
酢酸ビニル、ポリアミド、ボリスチ１ノン、セルロース
樹脂、メラミン樹脂、ユリャ樹脂、アクリル樹脂やフォ
トレジスト樹脂などの有機絶縁物質を配向制御層として
、２層で絶縁性配向制御層が形成されていてもよく、ま
た無機物質絶縁性配向制御層あるいは有機物質絶縁性配
向制御層単層であっても良い。この絶縁性配向制御層が
無機系ならば蒸着法などで形成でき、有機系ならば有機
絶縁物質を溶解させた溶液、またはその前駆体溶液（溶
剤０．１〜２０重量％、好ましくは０．２〜１０重量％
）を用いて、スピンナー塗布法、浸漬塗布法、スクリー
ン印刷法、スプレー塗布法、ロール塗布法等で塗布し、
所定の硬化条件下（例えば加熱下）で硬化させ形成させ
ることができる。 絶縁性配向制御層の層厚は通常３０人〜１μｍ１好まし
くは３０人〜３０００人、さらに好ましくは５０人〜１
０００人が適している。 この２枚のガラス基板２はスペーサー５によって任意の
間隔に保たれている。例えば所定の直径を持つシリカビ
ーズ、アルミナビーズをスペーサーとしてガラス基板２
枚で挾持し、周囲をシール材、例えばエポキシ系接着材
を用いて密封する方法がある。その他スペーサーとして
高分子フィルムやガラスファイバーを使用しても良い。 この２枚のガラス基板の間に強誘電性液晶が封入されて
いる。 強誘電性液晶が封入された強誘電性液晶層は、一般には
０．５〜２０μｍ１好ましくは１〜５μｍである。 また、この強誘電性液晶は室温を含む広い温度域（特に
低温側）でＳ　ｍ　Ｃ＊相（カイラルスメクチックＣ相
）を有し、かつ、素子とした場合には駆動電圧マージン
、および駆動温度マージンが広いことが望まれる。 また、特に素子とした場合に良好な均−配向性を示しモ
ノドメイン状態を得るには、その強誘電性液晶は等吉相
からｃｈ相（コレステリック相）−ＳｍＡ相（スメクチ
ック人相）−ＳｍＣ＊相（カイラルスメクチックＣ相）
という相転移系列を有していることが望ましい。 透明電極３からはリード線によって外部電源７に接続さ
れている。 またガラス基板２の外側には偏光板８が貼り合わせであ
る。 第１図は透明型なので光源９を備えている。 第２図は強誘電性液晶素子の動作説明のために、セルの
例を模式的に描いたものである。２１ａと２１ｂはそれ
ぞれＩｎ　２０３　、　ＳｎＯ２あるいはＩＴＯ（Ｉｎ
ｄｉｕｍ−Ｔｉｎ　　０ｘｉｄｅ）等の薄膜からなる透
明電極で被覆された基板（ガラス板）であり、その間に
液晶分子層２２がガラス面に垂直になるよう配向したＳ
ｍＣ＊相またはＳｍＨ＊相の液晶が封入されている。太
線で示した線２３が液晶分子を表わしており、この液晶
分子２３はその分子に直交した方向に双極子モーメント
（Ｐ上）２４を有している。基板２１ａと２１ｂ上の電
極間に一定の闇値以上の電圧を印加すると、液晶分子２
３のらせん構造がほどけ、双極子モーメント（Ｐ上）２
４がすべて電界方向に向くよう、液晶分子２３は配向方
向を変えることができる。液晶分子２３は細長い形状を
有しており、その長袖方向と短軸方向で屈折率異方性を
示し、従って例えばガラス面の上下に互いにクロスニコ
ルの偏光子を置けば、電圧印加極性によりて光学特性が
変わる液晶光学変調素子となることは、容易に理解され
る。 本発明の光学変調素子で好ましく用いられる液晶セルは
、その厚さを充分に薄（（例えば１０μ以下）すること
ができる。このように液晶層が薄くなるにしたがい、第
３図に示すように電界を印加していない状態でも液晶分
子のらせん構造がほどけ、その双極子モーメントＰａま
たはｐｂは上向き（３４ａ）または下向き（３４ｂ）の
どちらかの状態をとる。このようなセルに、第３図に示
す如く一定の閾値以上の極性の異る電界ＥａまたはＥｂ
を電圧印加手段３１ａと３１ｂにより付与すると、双極
子モーメントは電界ＥａまたはＥｂの電界ベクトルに対
応して上向き３４ａまたは下向き３４ｂと向きを変え、
それに応じて液晶分子は、第１の安定状態３３ａかある
いは第２の安定状態３３ｂの何れか一方に配向する。 このような強誘電性を光学変調素子として用いることの
利点は先にも述べたが２つある。 その第１は、応答速度が極めて速いことであり、第２は
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第２の
点を例えば第３図によって更に説明すると、電界Ｅａを
印加すると液晶分子は第１の安定状態３３ａに配向する
が、この状態は電界を切うても安定である。また、逆向
きの電界Ｅｂを印加すると、液晶分子は第２の安定状態
３３ｂに配向してその分子の向きを変えるが、やはり電
界を切ってもこの状態に留うている。また与える電界Ｅ
ａあるいはＥｂが一定の閾値を越えない限り、それぞれ
前の配向状態にやはり維持されている。 この様な特性を有する強誘電性液晶材料を一対の基板間
に挾持した素子で単純マトリクス表示装置とした場合、
例えば特開昭５９−１９３４２６号公報、同５９−１９
３４２７号公報、同６０−１５６０４６号公報や同６０
−１５６０４７号公報などに開示された駆動法を適用す
ることができる。 第４図は、本発明の実施例中で用いた駆動法の波形図で
ある。また、第５図は、本発明で用いたマトリクス電極
を配置した強誘電性液晶パネル５１の平面図である。第
５図のパネル５１には、走査線５２とデータ線５３とが
互いに交差して配線され、その交差部の走査線５２とデ
ータ線５３との間には強誘電性液晶が配置されている。 第４図（Ａ）中のＳｓは選択された走査線に印加する選
択走査波形を、ＳＮは選択されていない非選択走査波形
を、■、は選択されたデータ線に印加する選択情報波形
（黒）を、ＩＮは選択されていないデータ線に印加する
非選択情報信号（白）を表わしている。また、図中（Ｉ
ｓ　’−８ｓ　）と（工、−Ｓ、）は選択された走査線
上の画素に印加する電圧波形で、電圧（Ｉｓ　　Ｓｓ）
が印加された画素は黒の表示状態をとり、電圧（ＩＮ　
　ＳＳ）が印加された画素は白の表示状態をとる。 第４図（Ｂ）は第４図（Ａ）に示す駆動波形で第６図に
示す表示を行ったときの時系列波形である。 第４図に示す駆動例では、選択された走査線上の画素に
印加される単一極性電圧の最小印加時間△ｔが書込み位
相ｔ２の時間に相当し、１ラインクリヤ上０位相の時間
が２△ｔに設定されている。 さて、第４図に示した駆動波形の各パラメータＶ８．Ｖ
、、△ｔの値は使用する液晶材料のスイッチング特性に
よって決定される。第７図は後述するバイアス比を一定
に保ったまま駆動電圧（ＶＳ＋Ｖ＋）を変化させたとき
の透過率Ｔの変化、即ちＶ−Ｔ特性を示したものである
。ここでは、△ｔ＝５０μＳ、バイアス比Ｖｊ／　（Ｖ
＋　十Ｖｓ　）　＝　１　／　３に固定されている。第
７図の正側は第４図で示した（ＩＮ−８ｓ）、負側は（
Ｉ、　　ｓｓ）で示した波形が印加される。ここでＶ、
、Ｖ、ｌをそれぞれ実駆動閾値電圧、及びクロストーク
電圧（Ｖｓ　　Ｖ＋がｖ３を超えると反転してしまうの
で、スイッチング不良電圧ともいう。）と呼ぶ。但しく
Ｖ２＜Ｖ、　＜Ｖ３）また△ｖ＝（Ｖ３　　Ｖ、　）を
電圧マージンと呼び、マトリクス駆動可能な電圧幅とな
る。■３はＦＬＣのマトリクス駆動上、−船釣に存在す
ると言ってよい。具体的には、第４図（Ａ）　（ＩＮ　
　ＳＳ）の波形におけるＶＳによるスイッチングを起こ
す電圧値である。勿論、バイアス比を大きくすることに
よりｖ３の値を大きくすることは可能であるが、バイア
ス比を増すことは情報信号の振幅を大きくすることを意
味し、画質的にはちらつきの増大、コントラストの低下
を招き好ましくない。我々の検討ではバイアス比はＬ／
３〜１／４程度が実用的であった。ところでバイアス比
を固定すれば、電圧マージン△Ｖは液晶材料のスイッチ
ング特性に強く依存し、△Ｖの大きい液晶材料がマトリ
クス駆動上非常に有利であることは言うまでもない。 この様な、ある一定温度において、情報信号の２通りの
向きによって選択画素に「黒」および「白」の二状態を
書き込むことが可能であり、非選択画素は、その「黒」
または「白」の状態を保持することが可能である印加電
圧の上下限の値およびその幅（駆動電圧マージン△Ｖ）
は液晶材料間で差があり特有なものである。また環境温
度の変化によっても、駆動マージンはズしていくため、
実際の表示装置の場合、液晶材料や環境温度に対して最
適駆動電圧にしておく必要がある。 しかしながら、実用上この様な７トリクス表示装置の表
示面積を拡大してい（場合、各画素における液晶の存在
環境の差（具体的には、温度や電極間のセルギャップの
差）は当然太き（なり、駆動電圧マージンが小さな液晶
では、表示エリア全体に良好な画像を得ることが出来な
くなる。 以下実施例により本発明について更に詳細に説明するが
、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。 実施例１ 下記重量部で混合した液晶組成物１−Ａを作成した。 例示化合物Ｎｏ。 構造式 ％式％ この液晶組成物１−Ａに対して例示化合物１−２８゜２
−１２をそれぞれ下記の重量部で混合し、液晶組成物１
−Ｂを得た。 例示化合物Ｎｏ、　　　　　　構造式 次に、これらの液晶組成物を以下の手順で作製したセル
を用いて、光学的な応答を観察した。 ２枚の１．１　ｍ　ｍ厚のガラス板を用意し、それぞれ
のガラス板上にＩＴＯ膜を形成し、電圧印加電極を作成
し、さらにこの上にＳｉＯ□を蒸着させ絶縁層とした。 この基板上にポリイミド樹脂前駆体［東し■５Ｐ−５１
０］　１．０％ジメチルアセトアミド溶液を回転数３０
００ｒ、ｐ、ｍのスピンナーで１５秒間塗布した。成膜
後、６０分間、３００°Ｃ加熱縮合焼成処理を施した。 この時の塗膜の膜厚は約１２０人であった。 この焼成後の被膜には、アセテート植毛布によるラビン
グ処理がなされ、その後イソプロピルアルコール液で洗
浄し、平均粒径１６５μｍのシリカビーズを一方のガラ
ス板上に散布した後、それぞれのラビング処理軸が互い
に平行となる様にし、接着シール剤しリクンンボンド（
チッソ＠）］を用いてガラス板をはり合わせ、６０分間
、１００℃にて加熱乾燥しセルを作成した。このセルの
セル厚をベレツク位相板によって測定したところ約１．
５μｍであった。 このセルに上述の液晶組成物１−Ｂを等方性液体状態で
注入し、等吉相から２０℃／ｈで２５°Ｃまで徐冷する
ことにより、強誘電性液晶素子を作成した。 この強誘電性液晶素子を用いて、前述した第４図に示す
駆動波形（ｌ／３バイアス）で駆動電圧マージン△Ｖ　
（Ｖ３−Ｖ２）を測定した。その結果を次に示す。（尚
、△ｔはＶ　２＃　１５Ｖとなる様に設定） １０℃　　　２５°Ｃ４０℃ 駆動電圧マージン　　　１２．ＯＶ　　　　　１２．５
Ｖ　　　　　ｌＯ，ＥＩＶ（測定時設定△ｔ）　　　（
８００μ５ｅｃ）　　（２２０μ５ｅｃ）　　（７５ｐ
　５ｅｃ）さらに２５℃における駆動電圧マージンの中
央値に電圧を設定して測定温度を変化させた場合駆動可
能な温度差（以下、駆動温度マージンという）は±３．
２℃であった。 また、２５℃におけるこの駆動時のコントラストは９で
あった。 比較例１ 実施例１で混合した液晶組成物１−Ｈのうち例示化合物
Ｎｏ、２−１２を混合せずに１−Ａに対して例示化合物
Ｎｏ、　ｌ　−２８のみを混合した液晶組成物１−Ｃと
例示化合物Ｎｏ、　１−２８を混合せずに１−Ａに対し
て例示化合物Ｎｏ、２−１２のみを混合した液晶組成物
１−Ｄを作成した。 液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物１−Ａ、
　　１−Ｃ及びｉ−Ｄをセル内に注入する以外は、全〈
実施例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、駆
動電圧マージン△Ｖを測定した。その結果を次に示す。 駆動電圧マージン（測定時設払ｔ） １０℃　　　　２５℃　　　　４００Ｃ１−Ａ　　　　
　９．ＯＶ　　　　　９．５Ｖ　　　　　８．５Ｖ（１
０００μ５ｅｃ）　　（２６５μ５ｅｃ）　　　（７５
μ５ｅｃ）１−Ｃ９，５Ｖ　　　　　１０．ＯＶ　　　
　　９．０Ｖ（９００μ５ｅｃ）　　　（２４０μ５ｅ
ｃ）　　　（７５μ５ｅｃ）１−　Ｄ　　　　　９．Ｏ
Ｖ　　　　　１０．３Ｖ　　　　　９．０Ｖ（９００μ
５ｅｃ）　　　（２４０μ５ｅｃ）　　　（７５μ５ｅ
ｃ）さらに２５℃における駆動温度マージンは、１−Ａ
で±２．３℃、１−Ｃで±２．５℃、１−Ｄで±２．６
℃であった。 実施例１と比較例１より明らかな様に、本発明による液
晶組成物１−Ｂを含有する強誘電性液晶素子の方が駆動
電圧及び温度マージンは広がっており、環境温度の変化
や、セルギャップのバラツキに対して画像を良好に保つ
能力にすぐれている。 実施例２ 実施例１で混合した液晶組成物Ｌ−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物２−Ｂを得た。 例示化合物Ｎｏ、　　　　　　構造式 これを用いた他は実施例１と同様の方法で強誘電性液晶
素子を作成し、実施例１と同様の方法で駆動マージンを
測定し、スイッチング状態等を観察した。この液晶素子
内の均−配向性は良好であり、モノドメイン状態が得ら
れた。測定結果を次に示す。 １０℃　　　　　２５°０　　　　　４０°Ｃ駆動電圧
マージン１２．ＯＶ　　　　　１２．ＯＶ　　　　　ｌ
ｏ、５Ｖ（測定時設定△ｔ）　　　（８００μ５ｅｃ）
　　（２２０μ５ｅｃ）　　（７５μ５ｅｃ）さらに、
２５℃における駆動温度マージンは、±３．１℃であっ
た。またこの温度における、この駆動時のコントラスト
は８であった。 比較例２ 実施例２で混合した液晶組成物２−Ｂのうち例示化合物
Ｎｏ、２−１１．２−４４を混合せずに１−Ａに対して
例示化合物Ｎｏ、１−３５のみを混合した液晶組成物２
−Ｃと例示化合物Ｎｏ、１−３５を混合せずに１−Ａに
対して例示化合物Ｎｏ、２−１１．２−４４のみを混合
した液晶組成物２−Ｄを作成した。 液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物１−Ａ、
２−Ｃ及び２−Ｄをセル内に注入する以外は、全（実施
例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、駆動電
圧マージンΔ■を測定した。その結果を次に示す。 駆動電圧マージン（測定時設定△ｔ） １０℃　　　　２５℃　　　　４０℃ １−Ａ　　　　９．ＯＶ　　　　　９．５Ｖ　　　　　
８．５Ｖ（１０００ｕ　５ｅｃ）　　（２６５ｕ　５ｅ
ａ）　　　（７５ｕ　５ｅｃ）２−Ｃ９，５Ｖ　　　　
　１０．ＯＶ　　　　　８．５Ｖ（９００μ５ｅｃ）　
　　（２５０μ５ｅｃ）　　　（７５）、ｔ　５ｅｃ）
２−Ｄ　　　　９．ＯＶ　　　　　ｉＯ，ＯＶ　　　　
　９．０Ｖ（９００μ５ｅｃ）　　　（２５０μ５ｅｃ
）　　　（７５ｇ、　５ｅｃ）さらに２５℃における駆
動温度マージンは、ｌ−Ａで±２．３℃、２−Ｃで±２
．５℃、２−Ｄで±２．５℃であった。 実施例２と比較例２より明らかな様に、本発明による液
晶組成物２−Ｂを含有する強誘電性液晶素子の方が駆動
電圧及び温度マージンは広がっており、環境温度の変化
や、セルギャップのバラツキに対して画像を良好に保つ
能力にすぐれている。 実施例３ 下記の重量部で混合した液晶性組成物３−Ａを作成した
。 例示化合物Ｎｏ。 構造式 ％式％ 構造式 重量部 この液晶組成物３−Ａに対して例示化合物１−２８．２
−１２をそれぞれ下記の重量部で混合し、液晶組成物３
−Ｂを得た。 例示化合物Ｎｏ。 構造式 ％式％ 液晶組成物！−Ｂをこの液晶組成物３−Ｂに代えたほか
は実施例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、
実施例１と同様の方法で駆動電圧マージン△Ｖを測定し
、スイッチング状態等を観察した。この液晶素子内の均
−配向性は良好でありモノドメイン状態が得られた。測
定結果を次に示す。 １０℃　　　　　２５℃　　　　　４０°Ｃ駆動電圧マ
ージン１１．ＯＶ　　　　　１１．ＯＶ　　　　　８．
５Ｖ（測定時設定△ｔ）　　　（３４０／、Ｚ　５ｅｃ
）　　（１００μ５ｅｃ）　　（４０μ５ｅｃ）さらに
、２５℃における駆動温度マージンは、±３．１℃であ
った。またこの温度における、この駆動時のコントラス
トは１０であった。 比較例３ 実施例３で混合した液晶組成物３−Ｂのうち例示化合物
Ｎｏ、２−１２を混合せずに３−Ａに対して例示化合物
Ｎｏ、　ｌ　−２８のみを混合した液晶組成物３−Ｃと
例示化合物Ｎｏ、１−２８を混合せずに３−Ａに対して
例示化合物Ｎｏ、２−１２のみを混合した液晶組成物３
−Ｄを作成した。 液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物３−Ａ、
３−Ｃ及び３−Ｄをセル内に注入する以外は、全（実施
例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、駆動電
圧マージン△Ｖを測定した。その結果を次に示す。 駆動電圧マージン（測定時設定△ｔ） １０℃　　　　２５℃　　　　４０℃ ３−Ａ　　　　　８．ＯＶ　　　　　８．ＯＶ　　　　
　６．０Ｖ（４００μ５ｅｃ）　　　（１１０μ５ｅｃ
）　　　（４０μ５ｅｃ）３−Ｃ８，５Ｖ　　　　　８
．５Ｖ　　　　　７．０Ｖ（３７０ｇ、　５ｅａ）　　
　（１１０μ５ｅｃ）　　　（４０μ５ｅｃ）３−Ｄ　
　　　　９．ＯＶ　　　　　９．ＯＶ　　　　　７．０
Ｖ（３７０μ５ｅｃ）　　　（１１０μ５ｅｃ）　　　
（４０μ５ｅｃ）さらに２５℃における駆動温度マージ
ンは、３−Ａで±１．９°Ｃ，３−Ｃで±２．２℃、３
−Ｄで±２．５℃であった。 実施例３と比較例３より明らかな様に、本発明による液
晶組成物３−Ｂを含有する強誘電性液晶素子の方が駆動
マージンは広がっており、環境温度の変化やセルギャッ
プのバラツキに対して画像を良好に保つ能力にすぐれて
いる。 実施例４ 実施例３で混合した液晶組成物３−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重貴部で混合して液晶組成
物４−Ｂを得た。 −２ −８ ○ −３２ これを用いた他は実施例１と同様の方法で強誘電性液晶
素子を作成し、実施例１と同様の方法で駆動マージンを
測定し、スイッチング状態等を観察した。この液晶素子
内の均一配向性は良好であり、モノドメイン状態が得ら
れた。測定結果を次に示す。 ｌＯｏｏ　　　　　　２５℃　　　　　４０℃駆動電圧
マージン１０．５Ｖ　　　　　１１．ＯＶ　　　　　８
．ＯＶ（測定時設定△ｔ）　　　（３５０μ５ｅｃ）　
　（ｔｏｏ　ｇ、　５ｅｃ）　　（４０μ５ｅｃ）さら
に２５℃における駆動温度マージンは、±３．０℃であ
った。またこの温度における、この駆動時のコントラス
トは８であった。 比較例４ 実施例４で混合した液晶組成物４−Ｂのうち例示化合物
Ｎｏ、　２−８　、　２−３２を混合せずに３−Ａに対
して例示化合物Ｎｏ、１−２．　１−９のみを混合した
液晶組成物４−Ｃと例示化合物Ｎｏ、１−２．　１−９
を混合せずに３−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、２−８．
２−３２のみを混合した液晶組成物４−Ｄを作成した。 液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物３−Ａ、
　　４−Ｃ及び４−Ｄをセル内に注入する以外は、全（
実施例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、駆
動電圧マージン△Ｖを測定した。その結果を次に示す。 駆動電圧マージン（測定時設定△ｔ） １０℃　　　　２５℃　　　　４０°Ｃ３−Ａ　　　　
８．ＯＶ　　　　　８．ＯＶ　　　　　６．０Ｖ（４０
０４ｓｅｃ）　　　（１１０μ５ｅｃ）　　　（４０μ
５ｅｃ）４−ＣＢ、５Ｖ　　　　　９．ＯＶ　　　　　
６．５Ｖ（３５０μ５ｅｃ）　　　（１００１ｔ　５ｅ
ｃ）　　　（４０μ５ｅｃ）４−Ｄ　　　　８．５Ｖ　
　　　　８．５Ｖ　　　　　６．５Ｖ（３５０μ５ｅｃ
）　　　（１００μ５ｅｃ）　　　（４０μ５ｅｃ）さ
らに２５℃における駆動温度マージンは、３−Ａで±１
．９℃、４−Ｃで±２．４℃、４−Ｄで上２゜３°Ｃで
あった。 実施例４と比較例４より明らかな様に、本発明による液
晶組成物４−Ｂを含有する強誘電性液晶素子の方が駆動
電圧及び温度マージンは広がっており、環境温度の変化
や、セルギャップのバラツキに対して画像を良好に保つ
能力にすぐれている。 実施例５ 下記重量部で混合した液晶組成物５−Ａを作成した。 例示化　　　　　　　構　　　造　　　式　　　　　　
　　　　　重量部合物Ｎｏ。 例示化 合物Ｎｏ。 構 造 式 ％式％ この液晶組成物５−Ａに対して例示化合物１−３１゜１
−３８．２−１０．２−２９をそれぞれ下記の重量部で
混合し、液晶組成物５−Ｂを得た。 例示化合物Ｎｏ、　　　　　　　　構　　造　　式　　
　　　　　　重】部−３１ −１０ ７ ０ −Ａ ０ 液晶組成物１−Ｂをこの液晶組成物５−Ｂに代えたほか
は実施例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、
実施例１と同様の方法で駆動電圧マージン△Ｖを測定し
、スイッチング状態等を観察した。この液晶素子内の均
−配向性は良好でありモノドメイン状態が得られた。測
、定結果を次に示す。 １０℃　　　　　２５℃　　　　　４０℃駆動電圧マー
ジン１２，５Ｖ　　　　　１３．ＯＶ　　　　　１０．
５Ｖ（測定時設定△ｔ）　　　（９００μ５ｅｃ）　　
（２８０μ５ｅｃ）　　（１００μ５ｅｃ）さらに、２
５℃における駆動温度マージンは、±３．６℃であった
。またこの温度における、この駆動時のコントラストは
９であった。 比較例５ 実施例５で混合した液晶組成物５−Ｂのうち例示化合物
Ｎ０７２−１０．２−２９を混合せずに５−Ａに対して
例示化合物Ｎｏ、　１−３１　、　１−３８のみを混合
した液晶組成物５−Ｃと例示化合物Ｎｏ、１−３１．　
１−３８を混合せずに５−Ａ、に対して例示化合物Ｎｏ
、２−ｔｏ。 ２−２９のみを混合した液晶組成物５−Ｄを作成した。 液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物５−Ａ、
５−Ｃ及び５−Ｄをセル内に注入する以外は、全〈実施
例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、駆動電
圧マージン△Ｖを測定した。その結果を次に示す。 駆動電圧マージン（測定時設定△ｔ） １０℃　　　　２５℃　　　　４０°Ｃ３−Ａ　　　　
　１０．ＯＶ　　　　　１０．ＯＶ　　　　　８．０Ｖ
（１３００μ５ｅｃ）　　（３４０μ５ｅｃ）　　　（
１００μ５ｅｃ）５−Ｃｌｏ、ＯＶ　　　　　１０．５
Ｖ　　　　　９．０Ｖ（１１００μ５ｅｃ）　　（３０
０μ５ｅｃ）　　　（１００μ５ｅｃ）５−Ｄ　　　　
　１１．ＯＶ　　　　　１１．ＯＶ　　　　　９．０Ｖ
（１１００μ５ｅｃ）　　（３００μ５ｅｃ）　　　（
１００ｇ、　５ｅｃ）さらに２５℃における駆動温度マ
ージンは、５−Ａで±２．４℃、５−Ｃで±２．７℃、
５−Ｄで±２．９℃であった。 実施例５と比較例５より明らかな様に、本発明による液
晶組成物５−Ｂを含有する強誘電性液晶素子の方が駆動
マージンは広がっており、環境温度の変化やセルギャッ
プのバラツキに対して画像を良好に保つ能力にすぐれて
いる。 実施例６ 実施例５及び比較例５で使用した液晶組成物５−Ｂ。 ５−Ｃ，５−Ｄ、５−Ａを５ｉ０２を用いずに、ポリイ
ミド樹脂だけで配向制御層を作成した以外は全（実施例
１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１
と同様の方法で駆動電圧マージンを測定した。その結果
を次に示す。 駆動電圧マージン（測定特設ｍｔ） ｌＯｏｏ　　　　　２５℃　　　　　４０℃５−Ｂ　　
　　１３．ＯＶ　　　　　　１３．５Ｖ　　　　　ｌｏ
、５Ｖ（８５０μ５ｅｃ）　　　　（２６０μ５ｅｃ）
　　　（１００μ５ｅｃ）５−Ｃ１１，ＯＶ　　　　　
　１１．ＯＶ　　　　　９．０Ｖ（１０００μ５ｅｃ）
　　　（２８０μ５ｅｃ）　　　（１００μ５ｅｃ）５
−Ｄ　　　　１１．５Ｖ　　　　　　１１．ＯＶ　　　
　　９．０Ｖ（１０００μ５ｅｃ）　　　（２８０μ５
ｅｃ）　　　（１００ｐ　５ｅａ）５−Ａ　　　　１０
．５Ｖ　　　　　　１０．ＯＶ　　　　　８．０Ｖ（１
２００μ５ｅｃ）　　　（３２０μ５ｅｃ）　　　（ｌ
ｏ０μ５ｅｃ）さらに２５℃における駆動温度マージン
は、５−Ｂ　　　±３．７℃ ５−Ｃ±２．８℃ ５−Ｄ　　±２．９℃ ５−Ａ　　±２．５℃ であった。 実施例６より明らかな様に、素子構成を変えた場合でも
本発明に従う強誘電性液晶組成物５−Ｂを含有する素子
は、他の液晶組成物を含む素子に比べ実施例５と同様に
駆動マージンは広がっており、環境温度の変化や、セル
ギャップのバラツキに対して画像を良好に保つ能力にす
ぐれている。 実施例７〜１４ 実施例１．３．５で用いた例示化合物および液晶性組成
物に代えて表１に示した例示化合物および液晶性組成物
を各重量部で用い７−Ｂ〜１４−Ｂの液晶性組成物を得
た。これらを用いた他は全〈実施例１と同様の方法によ
り強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で
２５℃の駆動マージンを測定し、スイッチング状態等を
観察した。作成した各々の液晶素子内の均−配向性は良
好であり、モノドメイン状態が得られた。測定結果を表
１に示す。 実施例１５ 実施例１で使用した液晶組成物１−Ｂに対して以下に示
す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成物
１５−Ｂを得た。 例示化合物Ｎ０　　　　　　構造式　　　　　　　重量
部この液晶組成物を用いた以外は、全〈実施例１と同様
な方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の
方法で駆動電圧マージン△Ｖを測定した。 ｉｏ℃　　　２５℃　　　　　４０℃ 駆動電圧マージン１１．５Ｖ　　　　　１２．５Ｖ　　
　　　　　１０．５Ｖ（測定時設定△ｔ）　　　（８５
０μ５ｅｃ）　　　（２３０μ５ｅｃ）　　　（７８μ
５ｅｃ）さらに、上記液晶素子を用い、２５℃において
直交ニコル下でチルト角を測定したところ１７．３’で
あった。次に６０ＫＨｚの周波数で±８ｖの矩形波を印
加しながらチルト角を測定したところ、１３６５゜であ
った。この時透過率を測定したところ１４％であった。 また同時にコントラスト比を測定したところ６３；１で
あった。 比較例１５ 液晶組成物１−Ｂに代えて、液晶組成物１−Ａに前述の
Ｎａ　３−１０の化合物を実施例１５と同様な比率で含
有させた液晶組成物１５−Ｃを作成した。 これら１５−Ｃおよびｌ−Ａ、ｌ−Ｂの液晶組成物を用
いて実施例１と同様な方法でそれぞれ強誘電性液晶素子
を作成し、駆動電圧マージン△Ｖを測定した。 また、さらに、実施例１５と全く同様な方法でチルト角
を測定した。結果を次に示す。 −Ａ −Ｂ ５−Ｃ 駆動電圧マージ １０℃ ９．０ｖ （１０００μ５ｅｃ） １２．０Ｖ （８００μ５ｅｃ） ８．０ｖ （１０５０μ５ｅｃ） ン（測定時設定Δｔ） ２５℃　　　　４０℃ ９．５Ｖ　　　　　８．５Ｖ （２６５μ５ｅｃ）　　　（７５μ５ｅｃ）１２．５Ｖ
　　　　　ｌＯ，５Ｖ （２２０μ５ｅｃ）　　　（７５μ５ｅｃ）９、ＯＶ　
　　　　９．０Ｖ （２７５μ５ｅｃ）　　　（７８μ５ｅｃ）表示方法に
用いる場合、表示特性が大幅に改善されることがわかっ
た。 実施例１６ 実施例１で使用した液晶組成物１−Ｂに対して以下に示
す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成物
１６−Ｂを得た。 　−Ａ −Ｂ ５−Ｃ チルト角 初期チルト角 （無電界時） ７．７゜ ７．５゜ ７．９゜ （２５℃） ＡＣスタビライズ時 （６０ＫＨｚ、±８ｖ矩形波印加時） ８゜ ７．８゜ １３．５゜ 実施例１５と比較例１５より明らかな様に、本発明によ
る液晶組成物に誘電異方性が負の液晶性化合物を混合す
ることにより、駆動マージンが広がった上に、さらに、
ＡＣスタビライズ効果による例示化合物Ｎα 構造式 ％式％ 構造式 重量部 −Ｂ ０ この液晶組成物を用いた以外は、全〈実施例１と同様な
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方
法で駆動電圧マージン△■を測定した。 １０℃　　　　　２５°Ｃ４０℃ 駆動電圧マージ：／　　　　１２Ｖ　　　　　　１２．
５Ｖ　　　　　　　ＩＩＶ（測定時設定△ｔ）　　　（
８５０μ５ｅｃ）　　　（２３５μ５ｅｃ）　　　（８
０μ５ｅｃ）さらに、上記液晶素子を用い、２５°Ｃに
おいて直交ニコル下でチルト角を測定したところ、７．
８°であった。次に６０ＫＨｚの周波数で±８ｖの矩形
波を印加しながらチルト角を測定したところ、１２．９
゜であった。この時透過率を測定したところ１３．３％
であった。また同時にコントラスト比を測定したところ
５８：１であった。 °比較例１６ 液晶組成物１−Ｈに代えて、液晶組成物１−Ａに前述の
Ｎａ３−９０．３−１２．３−１１２．３−７０．３−
１０７゜３−１１１．３−１６６の化合物を実施例１６
と同様な比率で含有させた液晶組成物１６−Ｃを作成し
た。 これら、１６−Ｃおよび１−Ａ、１−Ｂの液晶組成物を
用いて実施例１と同様な方法でそれぞれ強誘電性液晶素
子を作成し、駆動電圧マージン△Ｖを測定した。 また、さらに、実施例１６と全く同様な方法でチルト角
を測定した。結果を次に示す。 駆動電圧マージン（測定時設定△ｔ） １０’ｃ　　　　　　　　　２５°Ｃ４０°ＣＩ　−Ａ
　　　　　　９．ＯＶ　　　　　　　　　９，５Ｖ　　
　　　　　８．５Ｖ（１０００μ５ｅｃ）　　　　　（
２６５μ５ｅｃ）　　　　（７５μ５ｅｃ）１−Ｂ　　
　　　　１２．ＯＶ　　　　　　　　１２．５Ｖ　　　
　　　　］、０．５Ｖ（８００μ５ｅｃ）　　　　　（
２２０μ５ｅｃ）　　　　（７５μ５ｅｃ）１６−Ｃ９
，ＯＶ　　　　　　　　　９．５Ｖ　　　　　　　　９
．５Ｖ（１２００μ５ｅｃ）　　　　　（３００μ５ｅ
ｃ）　　　　（８０μ５ｅｃ）チルト角（２５°Ｃ） 初期チルト角　　ＡＣスタビライズ時 （無電界時）　　　（６０ＫＨｚ、±８ｖ矩形波印加時
）１−Ａ　　　　７．７０　　　　　　８！′１−８　
　　７．５°　　　　　　　７，８゜１６−Ｃ８，０６
１３，２゜ 実施例１６と比較例１６より明らかなように、本発明に
よる液晶組成物に誘電異方性が負の液晶性化合物を混合
することにより、駆動マージンが広がった上に、さらに
、Ａ、Ｃスタビライズ効果による表示方法に用いる場合
、表示特性が大幅に改善されることがわかった。 実施例７〜１６より明らかなように、本発明による液晶
性組成物９−Ｂ−１６−Ｂを含有する強誘電性液晶素子
は駆動マージンは広がっており、環境温度の変化やセル
ギャップのバラツキに対して画像を良好に保つ能力に優
れている。 また実施例１７．１８より明らかなように、本発明によ
る液晶組成物１７−Ｂ、　　１８−Ｂを含有する強誘電
性液晶素子は、さらにＡＣスタビライズ効果による表示
方法に用いる場合、表示特性が大幅に改善されている。 〔発明の効果〕 本発明の強誘電性液晶組成物を含有する素子は、スイッ
チング特性が良好で、駆動電圧マージンが大きく、素子
の表示エリア上にある程度の温度バラツキがあっても全
画素が良好に７トリクス駆動できる駆動温度マージンの
広がった液晶素子とすることができる。 またさらに、本発明の特定の化合物を有する強誘電性液
晶組成物に、誘電異方性が負の液晶性化合物を含有する
ことにより、前述の特徴を有したうえに、更にＡＣスタ
ビライズ効果による表示特性が大幅に改善された液晶素
子を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は強誘電性液晶を用いた液晶表示素子の一例の断
面概略図、 第２図および第３図は強誘電性液晶素子の動作説明のた
めに、素子セルの一例を模式的に表す斜視図、 第４図は実施例中で用いた駆動法の波形図、第５図はマ
トリクス電極を配置した強誘電性液晶パネルの平面図、 第６図は、第４図（Ｂ）に示す時系列駆動波形で実際の
駆動を行ったときの表示パターンの模式図、第７図は、
駆動電圧を変化させたときの透過率の変化を表すつまり
Ｖ−Ｔ特性図、 第８図はΔε値の異なるＦＬＣのＶｒｍｓに対するＱａ
の変化を示す図である。 第１図において、 強誘電性液晶層 ガラス基板 透明電極 絶縁性配向制御層 スペーサー リード線 電源 偏光板 光源 入射光 透過光 第２図において、 １ａ １ｂ ２ ３ ４ 第３図において、 １ａ １ｂ 基板 基板 強誘電性液晶層 液晶分子 双極子モーメント（Ｐ上） 電圧印加手段 電圧印加手段 ３ａ ３ｂ ４ａ ４ｂ ａ ｂ 第１の安定状態 第２の安定状態 上向きの双極子モーメント 下向きの双極子モーメント 上向きの電界 下向きの電界 ０ ｔｓｒｒ＋ 宅す口 軍ワ口 で

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （ただし、Ｒ＿１はＣ＿１〜Ｃ＿１＿８の置換基を有し
   ていても良い直鎖状又は分岐状のアルキル基、Ｒ＿２は
   Ｃ＿１〜Ｃ＿１＿２の直鎖状のアルキル基、Ｘ＿１は単
   結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等があります▼、▲
   数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表
   等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
   ▲数式、化学式、表等があります▼は▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   、▲数式、化学式、表等があります▼） で示される化合物の少なくとも一種と、 下記一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （ただし、Ｒ＿３、Ｒ＿４はＣ＿１〜Ｃ＿１＿８の置換
   基を有していても良い直鎖状又は分岐状のアルキル基で
   あり、又、Ｘ＿２、Ｘ＿３は単結合、−Ｏ−、▲数式、
   化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があ
   ります▼、▲数式、化学式、表等があります▼のいずれ
   かを示す。ｍ、ｎは０、１もしくは２を示す。ただし、
   ｍ＋ｎは２以上である。） で示される化合物の少なくとも１種と、さらに、誘電異
   方性（Δε）が負の液晶性化合物の少なくとも１種とを
   含有することを特徴とする強誘電性カイラルスメクチッ
   ク液晶組成物。
2. （２）前記誘電異方性が負の液晶性化合物がΔε＜−２
   であるところの請求項１記載の強誘電性カイラルスメク
   チック液晶組成物。
3. （３）前記誘電異方性が負の液晶性化合物がΔε＜−５
   であるところの請求項２記載の強誘電性カイラルスメク
   チック液晶組成物。
4. （４）前記誘電異方性が負の液晶性化合物がΔε＜−１
   ０であるところの請求項３記載の強誘電性カイラルスメ
   クチック液晶組成物。
5. （５）前記誘電異方性が負の液晶性化合物が下記一般式
   （III−［１］）から（III−［５］）で示される化合物
   の中から選ばれることを特徴とする請求項１から４項記
   載の強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物。 一般式（III−［１］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｒ＿ａ、Ｒ＿ｂは置換基を有していてもよい直鎖状又
   は分岐状のアルキル基、 Ｘ＿ａ、Ｘ＿ｄは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
   等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
   Ｘ＿ｂ、Ｘ＿ｃは単結合、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿
   ２ＣＨ＿２−、Ａ＿ａ、Ａ＿ｂは単結合、▲数式、化学
   式、表等があります▼（トランス）、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   （トランス・トランス）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（トランス）、▲数
   式、化学式、表等があります▼、Ａ＿ａ、Ａ＿ｂがとも
   に単結合の場合、Ｘ＿ｂ、Ｘ＿ｃは単結合であり、Ｘ＿
   ａ、Ｘ＿ｄは供に単結合又は供に−Ｏ−であるか、又は
   Ｘ＿ａが▲数式、化学式、表等があります▼で、Ｘ＿ｄ
   が▲数式、化学式、表等があります▼である。 Ｙ＿ａ、Ｙ＿ｂは、シアノ基、ハロゲン、水素、ただし
   Ｙ＿ａ、Ｙ＿ｂが同時に水素にはならない。〕一般式（
   III−［２］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｒ＿ｅ、Ｒ＿ｆは置換基を有していてもよい直鎖状又
   は分岐状のアルキル基、 Ｘ＿ｅ、Ｘ＿ｈは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
   等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
   Ｘ＿ｆ、Ｘ＿ｇは▲数式、化学式、表等があります▼、
   ▲数式、化学式、表等があります▼、単結合、Ａ＿ｅ、
   Ａ＿ｆは▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
   化学式、表等があります▼、単結合、ただしＡ＿ｅ、Ａ
   ＿ｆが同時に単結合にはならない。〕一般式（III−［
   ３］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ａ＿ｉは単結合、▲数式、化学式、表等があります▼
   、 Ａ＿ｊは単結合、▲数式、化学式、表等があります▼、
   ▲数式、化学式、表等があります▼、 Ｒ＿ｉ、Ｒ＿ｊは置換基を有してもよい直鎖又は分岐の
   アルキル基、ただしＡ＿ｊが単結合のとき直鎖アルキル
   基であり、Ｚ＿１は−Ｏ又はＳ、 Ｘ＿ｉＸ＿ｋは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等
   があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲
   数式、化学式、表等があります▼、Ｘ＿ｊは単結合、▲
   数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表
   等があります▼、−ＣＨ＿２Ｏ−、−ＯＣＨ＿２−、た
   だしＡ＿ｉが単結合のときＸ＿ｉは単結合であり、Ａ＿
   ｊが▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学
   式、表等があります▼のときＸ＿ｊは単結合ではなく、
   Ａ＿ｊが単結合のときＸ＿ｋは単結合である。〕一般式
   （III−［４］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｒ＿ｌ、Ｒ＿ｍは置換基を有していてもよい直鎖又は
   分岐のアルキル基、 Ａ＿ｌ、Ａ＿ｍは単結合、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、ただしＡ
   ＿ｋ、Ａ＿ｌは同時に単結合にならない。 Ｘ＿ｌは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、Ｘ＿ｍは
   単結合、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
   化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿２Ｏ−、−ＯＣＨ
   ＿２−、−ＣＨ＿２ＣＨ＿２−、−Ｃ≡Ｃ−〕 一般式（III−［５］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｒ＿ｎ、Ｒ＿ｏは置換基を有していてもよい直鎖又は
   分岐のアルキル基、 Ｘ＿ｎ、Ｘ＿ｑは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
   等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
   Ｘ＿ｏ、Ｘ＿ｐは単結合、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿
   ２Ｏ−、−ＯＣＨ＿２−、−ＣＨ＿２ＣＨ＿２−、 Ａ＿ｎ、Ａ＿ｐは単結合、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、Ａ＿ｏは
   ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、 Ｚ＿２は▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式
   、化学式、表等があります▼〕
6. （６）請求項１記載の強誘電性カイラルスメクチック液
   晶組成物を一対の電極基板間に配置してなることを特徴
   とする液晶素子。