JP7008369B2 - 多層セラミック基板及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、多層セラミック基板及びその製造方法に関する。

最近、電子機器の技術発達とともに、機器自体が軽薄短小化及び薄型化している傾向に照らしてみると、部品の集積化は必須であり、前記部品の集積化のために多数のセラミックシートを積層して、多層セラミック基板を製造している。また、前記多層セラミック基板は、耐熱性、耐摩耗性及び優れた電気的特性によって、既存のＰＣＢ（ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）の代替品として多く用いられており、ますますその需要が増えている傾向にある。

前記多層セラミック基板は、一般的にグリーンシート積層法（ｇｒｅｅｎ ｓｈｅｅｔ ｌａｍｉｎａｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄ）と呼ばれる方法で製造される。このような方法は、セラミック粉末と有機バインダーからなったスラリー（ｓｌｕｒｒｙ）をテープキャスティング法（ｔａｐｅ ｃａｓｔｉｎｇ ｍｅｔｈｏｄ）で成形してセラミックグリーンシートを製造し、製造されたセラミックグリーンシートをパンチングして、セラミックグリーンシートにビアホールを形成した後、導電性ペースト（ｐａｓｔｅ）を穴に充填し、シート表面に導電性ペーストをスクリーン印刷した後、前記セラミックグリーンシートを必要な層数だけ積層し、加熱及び加圧して積層体に製造した後、一定の温度で焼成するものである。

ところが、前記積層体を焼成して冷却する過程において、積層体は、熱膨張及び熱収縮をするようになって、これにより積層体をなすセラミック薄板にクラック、曲がり、ギャップ生成、剥離現象などの不良が生じることになる。さらに、積層体のすべての部分に一定の温度が加わるわけではないので、積層体の各層ごとに熱膨張程度及び熱収縮程度が異なり、また、一層でもセラミック薄板の部分ごとに熱膨張程度及び熱収縮程度が異なるしかない。したがって、積層体の層により、及び一層でもセラミック薄板の部分により、前記不良の程度が異なるようになる。そしてこのため、積層体を焼成する前に整列していた各層のビアホールがずれて層間の導電性にも不良が生じ得る問題点がある。

また、前記積層体を焼成する過程において、セラミック薄板自体に生じる不良に加えて、セラミック薄板に形成された内部電極及び外部電極に不良が生じる場合があり、この場合、不良の有無は、前記積層体を焼成した以後に確認することができるため、不良が生じる場合積層体全体を廃棄しなければならない問題点がある。

また、前記セラミックグリーンシートの表面に形成された導電性ペースト印刷層は、積層時、グリーンシートの層間に配置され、最終的に得られる多層セラミック基板の内部電極を形成することになる。このとき、前記内部電極の厚さのために多層セラミック基板の層間に離れている空間が発生する。前記空き領域は、以後基板クラックなどの不良を引き起こし得る。さらに、１つの多層セラミック基板内で内部電極がある部分とない部分の高さ差が発生し、基板の表面平坦度が低下する問題が発生し得る。

その上、従来のグリーンシート積層法は、グリーンシートを積層して、積層体を一度に一定の温度で焼成して多層セラミック基板を生成する。したがって、積層体を構成する各層のグリーンシートは、同一の温度で反応が現れる同一の素材を持たなければならず、これにより多層セラミック基板を素材面で多様に構成できない問題点があった。

プローブカードに対し、一般的に半導体集積回路装置は、複数の集積回路チップが非常に複雑ながら、精巧にパッケージングされて形成される。このような半導体集積回路に対する電気的特性検査を行い、半導体集積回路の不良の有無を検査することになるが、一般的にプローブカード（ｐｒｏｂｅ ｃａｒｄ）という検査装置が使用される。前記プローブカードは、半導体集積回路のウェハーとテスター（ｔｅｓｔｅｒ）を電気的に連結する機能をし、スペーストランスフォーマー（ｓｐａｃｅ ｔｒａｎｓｆｏｒｍｅｒ）とプローブピンで大きく構成される。特に、前記スペーストランスフォーマーは、半導体集積回路のチップのボンドパッドに接触するプローブピンを固定させ、そのプローブピンをプローブカードのメインボードに連結する役割をすることになる。

このようなスペーストランスフォーマーは、多層セラミック基板と前記多層セラミック基板の上に積層されるポリイミド層で構成される。従来のこのようなスペーストランスフォーマーは、セラミックグリーンシートを用いて、多層セラミック同時焼結方法で製造するため、単価が高く、高温工程によるセラミックシートの収縮及び膨張で製品の変形が発生して製品歩留まりが落ち、これによる電気的短絡が発生するようになって、半導体集積回路の検査がきちんと行われなくなる。また、このようなセラミック薄板のねじれ現象で平坦度不良が発生し、スペーストランスフォーマーに接続されているプローブピンの平坦度に不良が発生するようになり、これは半導体集積回路にプローブピンが接触していない部分が発生することになり、検査がきちんとなされない問題点があった。

また、従来のこのようなスペーストランスフォーマーは、ポリイミド上面にプローブピンを接着するためのボンディングパッドを形成し、レーザー照射によってプローブピンを前記ボンディングパッドに個別的に精巧に接着させた。したがって、従来には、プローブピンを接着するために高価の装備が必要であり、数万個のピンを接着するために多くの時間がかかるという問題点があった。また、検査を何回も進行すると、前記プローブピンと前記ボンディングパッドの接着部分の耐久性が弱くてなって、前記プローブピンが前記ボンディングパッドから容易にはずれてしまう問題点があった。なお、はずれたプローブピンは、レーザー照射によって前記ボンディングパッドにいちいち接着させる補修作業が必要であり、これによる人材が直接投入されなければならず、補修時間が長くかかる問題点があった。

前記の問題点を解決するために、本発明の目的は、多層セラミック基板の製造過程中に、各層のビアホールの整列がずれる問題が生じない多層セラミック基板の製造方法及び前記方法により製造された多層セラミック基板を提供することである。

本発明の他の目的は、多層セラミック基板の製造過程中に各層に生じる不良を多層セラミック基板が完成する前にあらかじめ確認して補修することができる多層セラミック基板の製造方法及び前記方法により製造された多層セラミック基板を提供することである。

本発明の他の目的は、多層セラミック基板の層間に形成される内部電極による高さ差が生じない多層セラミック基板の製造方法及び前記方法により製造された多層セラミック基板を提供することである。

本発明の他の目的は、多層セラミック基板の各層の素材を多様に構成することができる多層セラミック基板の製造方法及び前記方法により製造された多層セラミック基板を提供することである。

本発明の他の目的は、スペーストランスフォーマーに接続されているプローブピンの平坦度不良を減らすことができるスペーストランスフォーマーの製造方法及び前記方法により製造されたスペーストランスフォーマーを提供することである。

本発明の他の目的は、スペーストランスフォーマーに接続されているプローブピンの耐久性強化、費用節減及び容易な補修のためのスペーストランスフォーマーの製造方法及び前記方法により製造されたスペーストランスフォーマーを提供することである。

前記の目的を達成するために、本発明の一実施例に係る多層セラミック基板の製造方法は、複数のセラミックグリーンシートを焼成して、複数のセラミック薄板を生成する段階と、前記複数のセラミック薄板それぞれにビアホールを形成する段階と、前記複数のセラミック薄板それぞれにビアホールに導電性ペーストを充填し、熱処理してビア電極を形成する段階と、前記複数のセラミック薄板それぞれの端面に導電性ペーストでパターンを印刷し、熱処理して内部電極を形成する段階と、前記複数のセラミック薄板のうち最上位セラミック薄板を除いた残りのセラミック薄板それぞれの端面にビアホールを避けてボンディング剤を塗布する段階と、前記ビア電極と前記内部電極を介して前記複数のセラミック薄板それぞれが電気的に接続されるように前記複数のセラミック薄板それぞれを整列して積層する段階及び／または前記積層された複数のセラミック薄板を焼成または熱処理する段階を含むことができる。

好ましくは、前記導電性ペーストはガラス成分を含み、前記積層された複数のセラミック薄板を前記ボンディング剤の融点より高く、前記セラミック薄板の融点及び前記導電性ペーストの融点より低い温度で熱処理することができる。

好ましくは、前記ビア電極または前記内部電極の導電性を検査して、導電性に問題がある場合、前記ビアホールの導電性ペーストまたは前記パターンの導電性ペーストをエッチング溶液を用いてエッチングして前記ビアホールを再充填するか、前記パターンを再印刷することができる。

好ましくは、前記複数のセラミック薄板それぞれの厚さは１０～５００ミクロンであり、前記ボンディング剤が形成するボンディング層の厚さは２～１００ミクロンであり、前記複数のセラミック薄板それぞれの直径は１２インチ以上であることができる。

本発明の他の一実施例によると、多層セラミック基板は、複数のセラミック薄板が積層されて形成される多層セラミック基板であって、前記複数のセラミック薄板は、複数のセラミックグリーンシートを焼成して生成され、前記複数のセラミック薄板それぞれは、ビア電極及び内部電極を含み、前記ビア電極は、前記複数のセラミック薄板それぞれに形成されたビアホールに導電性ペーストを充填して熱処理することによって形成され、前記内部電極は、前記複数のセラミック薄板それぞれの端面に導電性ペーストでパターンを印刷して、熱処理することによって形成され、前記多層セラミック基板は、前記複数のセラミック薄板のうち最上位セラミック薄板を除いた残りのセラミック薄板それぞれの端面にビアホールを避けてボンディング剤を塗布し、前記ビア電極と前記内部電極を介して前記複数のセラミック薄板それぞれが電気的に接続されるように前記複数のセラミック薄板を整列して積層し、前記積層された複数のセラミック薄板を焼成または熱処理することによって生成されることができる。

本発明は、多層セラミック基板の製造過程中に各層のビアホールの整列がずれる問題が生じない多層セラミック基板の製造方法及び前記方法により製造された多層セラミック基板を提供することができる。

本発明は、多層セラミック基板の製造過程中に各層に生じる不良を多層セラミック基板が完成する前にあらかじめ確認して補修することができる多層セラミック基板の製造方法及び前記方法により製造された多層セラミック基板を提供することができる。

本発明は、多層セラミック基板の層間に形成される内部電極による高さ差が生じない多層セラミック基板の製造方法及び前記方法により製造された多層セラミック基板を提供することができる。

本発明は、互いに異なる素材を持つセラミック薄板が積層された多層セラミック基板の製造方法及び前記方法により製造された多層セラミック基板を提供することができる。

本発明は、スペーストランスフォーマーに接続されているプローブピンの平坦度不良を減らすことができるスペーストランスフォーマーの製造方法及び前記方法により製造されたスペーストランスフォーマーを提供することができる。

本発明は、スペーストランスフォーマーに接続されているプローブピンの耐久性強化、費用節減及び容易な補修のためのスペーストランスフォーマーの製造方法及び前記方法により製造されたスペーストランスフォーマーを提供することができる。

本発明の一実施例に係るセラミック薄板の製造方法を示した図である。 本発明の一実施例に係る多層セラミック基板の製造方法を示した図である。 本発明の他の一実施例に係る多層セラミック基板の製造方法を示した図である。 図３の実施例により製造された多層セラミック基板の構成を示した図である。 本発明の他の一実施例に係る多層セラミック基板の製造方法を示した図である。 本発明の他の一実施例に係る多層セラミック基板の製造方法を示した図である。 図５または図６の実施例により製造された多層セラミック基板の構成を示した図である。 本発明の一実施例に係る多層セラミック基板の製造方法を示した図である。 図８の実施例により製造された多層セラミック基板の構成を示した図である。 本発明の一実施例に係るスペーストランスフォーマーの製造方法を示した図である。 図１０の実施例により製造されたスペーストランスフォーマーの正面図である。 図１０の実施例により製造されたスペーストランスフォーマーの上面図である。

以下、添付された図面を参照して、本発明の実施のための具体的な内容を説明する。そして、本発明を説明するにおいて、関連した公知の機能などこの分野の技術者に自明な事項として、本発明の要旨を不必要に曖昧にさせると判断される場合には、その詳細な説明を省略する。
まず、本明細書で使用される用語は、以下のように定義される。
セラミック材料は、熱処理工程を経て得られる非金属無機材料を意味する。セラミックは、セラミックスと命名され得る。

焼成は、組み合わせた原料を高温で加熱して、硬く緻密な構造を持つ硬化性物質を作る工程をいう。すなわち、焼成は、組み合わせた原料を高温加熱して、他の性質を持つ化合物を作る過程をいう。
熱処理は、物質の性質が変わらない範囲内で物質の本来の機能を付与するために加熱することをいう。

ビアホールは、多層プリント配線基板内で部品を挿入しないまま、２層またはそれ以上の内部導体間の接続に用いられるメッキスルーホールをいう。メッキスルーホールは、プリント配線基板の貫通接続を行うために壁面に金属を析出させた穴をいう。ビアホールは、バイヤーホールまたは貫通ホールと命名され得る。
導電性ペーストは、流動性のある樹脂溶液に導体粉末、バインダーなどが分散された状態の複合材料を意味する。
エッチングは、化学薬品を使用して金属、セラミックス、半導体などの表面を腐食させることを意味する。

プローブカードは、半導体の動作を検査するために半導体チップとテスト装備を連結する装置を意味する。プローブカードに装着されているプローブ針がウェハーに接触しながら電気を送り、そのとき戻ってくる信号によって不良半導体チップを選別する。

静電気放電（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｓｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ,ＥＳＤ）は、摩擦によって物体に蓄積された電荷が他の物体と接続する瞬間、一瞬で抜け出す静電気現象をいう。

多層セラミック基板は、セラミック材料を使用した薄板を多層に重畳させて、各層簡が電気的に接続された基板をいう。多層セラミック基板は、ＭＬＣ（Ｍｕｌｔｉ Ｌａｙｅｒ Ｃｅｒａｍｉｃ）基板と命名され得る。多層セラミック基板は、複数のセラミック薄板で構成され、本明細書でセラミック薄板は、セラミック薄板一層を意味することができる。

グリーンシートは、アルミニウム粉末などを溶剤、可塑剤などに懸濁させて、これをシート状にして乾燥させたものをいう。セラミックグリーンシートは、セラミック粉末を用いて作ったグリーンシートをいう。
セラミック薄板及びその製造方法
図１を参照して、本発明の一実施例に係るセラミック薄板及びその製造方法について説明する。
図１は、本発明の一実施例に係るセラミック薄板の製造方法を示した図である。

本発明の一実施例によると、セラミック薄板を製造するために、まず、セラミックパウダーを準備する。セラミックパウダーは、ＬＴＣＣ、ｍｕｌｌｉｔｅ、ＢａＯ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、ＣａＯのうちのいずれか１つの素材からなることができ、このようなセラミックパウダーを２種類以上混合したものを準備することができる。セラミックパウダーをバインダー、可塑剤及び有機溶剤と混合してスラリーを作り、これをシート状にキャスティングする。セラミックシートを作る方法は公知されているため、これにより製作されるか、商用化されたものを用いることができる。すなわち、ＰＥＴフィルムのような離型紙にセラミックシートが接着された状態で流通している。セラミックシートの厚さは、５～２００ミクロン（μｍ）であることができる。プローブカード用ＭＬＣを製作する場合、既存にはこのようなセラミックシートに対してレーザー加工でビアホールを形成して、ビアホール内部に導電性ペーストを満たした後、導電性ペーストを介してパターンを形成して、複数の層を圧着して付けた後、等方焼成を実施した。しかし、等方焼成の成功率が非常に低いので、製品の歩留まりが低いということは前述した通りである。

本発明の一実施例は、前記セラミックシートを先に焼成してセラミック薄板を得て、以後セラミック薄板に必要な加工をすることができるようにした。薄いセラミックシートを焼成すると、一般的に平坦面を維持したセラミック薄板を得ることができない。焼成過程において、セラミックシートのすべての面に対する温度、圧力のような変数が同じでなければならず、これは１５００℃内外の高温焼成以後の常温に至る冷却過程で、セラミックシートを構成する粒子成分の熱力学的変数ないし組成粒子の熱的行動が同じであってこそ、ストレスによる変形が起こらないので、均一な平坦面を有するようになる。すなわち、一般的な焼成工程を用いて薄いセラミックシートを焼成すると、厚さが２００ミクロン以下の薄いセラミック薄板は、ストレス現象を経て、すべてクラック、シワなどの変形した状態を有するようになる。したがって、本発明の一実施例は、均一な平坦面を有する厚さ２０～２５０ミクロンのセラミック薄板を作ることができる、次のような焼成方法を案出した。

本発明の一実施例によると、セラミック薄板を製造するために、まず平坦面を有するセラミック定盤を準備する。前記定盤の上にセラミックシートをのせる。このとき、定盤の面積は、シートの面積よりも広く、マージン部がなければならない。マージン部には、支柱（スペーサ）を配置する。支柱の上段には再び定盤をのせる。支柱の高さ、つまり定盤と定盤との間の間隔は、セラミックシートの厚さよりも高いができれば小さくする。支柱の高さは、例えば、５０～１０００ミクロンであることができる。さらに、複数のセラミックシートを一回で焼成することが生産的であるため、定盤の上に再び他のセラミックシートを置いて支柱を立て、その上に再び定盤を置くように繰り返して積層することができる。このように定盤の間にセラミックシートを配置して、１０００～１６００℃の高温で焼成を実施する。焼成時間は、セラミックシートの面積及び／または個数によって異なり得る。例えば、横と縦が１２インチであるセラミックシート１枚を焼成する場合、高温焼成は、１～５時間であることができる。前記焼成は、無酸素還元雰囲気または大気雰囲気で実施される。このような焼成方法は、薄いセラミックシートに対して、均一な温度と圧力分布を造成してやることができるため、熱応力が発生することを防ぎ、高温焼成後、冷却段階を調節することによって、熱収縮による変形問題を解消して、非常に均一な平坦面を有するセラミック薄板を提供する。このようにして製造された均一な平坦面を有するセラミック薄板の厚さは、２０ミクロン程度の非常に薄い水準まで到達することができる。このような薄い厚さを持ちながらもシートでなく、焼成された硬い基板である剛体板形態であるため、後加工の精密度は大きく向上しながらもハンドリング自体が非常に容易になる。前述したプローブカード用多層セラミック基板の場合、上記のように焼成製作された厚さ８０ミクロン程度のセラミック薄板を用いると、非常に高い歩留まりを出すことができる。
多層セラミック基板及びその製造方法
図２を参照して、本発明の一実施例に係る多層セラミック基板及びその製造方法を説明する。
図２は、本発明の一実施例に係る多層セラミック基板の製造方法を示した図である。

本発明の一実施例により製造されたセラミック薄板にレーザー加工で層別ビアホールを形成して、層別ビアホールに導電性ペーストを充填する。このとき、導電性ペーストは、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ－Ｐｄ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｗのうちのいずれか１つを含むことができ、好ましくはＡｇを含む。焼成は、必ずしも無酸素環境である必要がなく、導電性ペーストとしてＡｇを使用する場合、導電性ペーストＡｇは、大気雰囲気で７００℃～９００℃、 好ましくは８００℃程度で焼成することができる。焼成時間は、基板数と面積によって異なり得、横と縦が１２インチである多層セラミック基板一枚の場合、０.５時間～２時間であることができる。

導電性ペーストが充填された層別ビアホールの良／不良をビジョンで検査する。良品は以下の段階を踏み、不良は導体をエッチング除去した後再活用する。良品は層別にビアホールのために熱処理し、層別に導体パターンを印刷して良／不良をビジョンで検査する。良品の場合、印刷された導体パターンを熱処理し、以下の段階を踏み、不良は導体をエッチング除去した後、再活用することができる。良品は層別にボンディング材料を印刷し、層をアラインして積層結合した後、結合体を熱処理する。完成された結合体に対して電気的及び機械的特性を検査する。

このようにして多層セラミック基板を安定して供給することができる。また、前記セラミック薄板の加工方法は、プローブカード用多層セラミック基板の他に加工されたセラミック薄板を必要とする所に広く応用されることができる。このような多層セラミック基板の製造方法は、歩留まりが非常に高く、導電性ペーストの焼成過程で問題が発生した場合、その層（ｌａｙｅｒ）の導体部分をエッチング溶液でエッチング除去して、セラミック薄板を再活用することができるため、より一層効率的である。金属だけエッチングして、セラミックはエッチングされないようにするエッチング溶液は、当業界に広く知られているところ、特に限定しては述べない。
図３及び図４を参照して、本発明の他の一実施例に係る多層セラミック基板及びその製造方法を説明する。
図３は、本発明の他の一実施例に係る多層セラミック基板の製造方法を示した図である。

本発明の一実施例に係る多層セラミック基板の製造方法は、以下の段階を含む。（１）複数のセラミックグリーンシートを焼成して、複数のセラミック薄板を生成する段階、（２）前記複数のセラミック薄板それぞれにビアホールを形成する段階、（３）前記複数のセラミック薄板それぞれのビアホールに導電性ペーストを充填し、熱処理してビア電極を形成する段階、（４）前記複数のセラミック薄板それぞれの端面に導電性ペーストでパターンを印刷し、熱処理して内部電極を形成する段階、（５）前記複数のセラミック薄板のうち最上位セラミック薄板を除いた残りのセラミック薄板それぞれの端面にビアホールを避けてボンディング剤を塗布する段階、（６）前記ビア電極と前記内部電極を介して前記複数のセラミック薄板それぞれが電気的に接続されるように前記複数のセラミック薄板それぞれを整列して積層する段階、（７）前記積層された複数のセラミック薄板を熱処理する段階。

前記（１）段階において、本発明の一実施例は、複数のセラミックグリーンシートを焼成して、複数のセラミック薄板を生成することができる。すなわち、本発明の一実施例は、１つのセラミックグリーンシートを焼成して１つのセラミック薄板を生成し、また他の１つのセラミックグリーンシートを焼成してまた他の１つのセラミック薄板を生成する形態で、複数のセラミック薄板を生成することができる。本段階において、焼成温度は、１０００～１５００℃であることができる。さらに、前記セラミックグリーンシートは、５０～６００ミクロンの厚さを有することができ、前記セラミック薄板は、１０～５００ミクロンの厚さを有することができる。また、前記セラミックグリーンシート及びセラミック薄板の直径は、１２インチ以上であることができる。さらに、本段階において、本発明の一実施例は、無酸素還元環境または大気環境でセラミックグリーンシートを１時間～５時間の間焼成することができる。

前記（２）段階において、本発明の一実施例は、複数のセラミック薄板それぞれにビアホールを形成することができる。本発明の一実施例は、１つのセラミック薄板に１つ以上のビアホールを形成することができる。このとき、前記ビアホールは、レーザー照射及びケミカルエッチングなどの工程により形成されることができる。さらに、前記ビアホールの直径は、３０～２００ミクロンであることができる。本発明の他の一実施例によると、１つの層に形成されるビアホールは、同じ大きさを有することができる。具体的には、１つの層に形成されるビアホールの大きさが同じであることができるのは、層別に独立的にセラミック薄板を生成して積層する方法を使用して層間のビアホールの整列がずれる従来の問題を解決したからである。従来には、セラミックグリーンシートの積層後、一括的に焼成する過程で発生するビアホールの整列がずれる問題に備えるために、歪みが激しいところにはビアホールを大きく作って、歪みが相対的に少ないところにはビアホールを小さく作った。このような従来過程は、ビアホールの大きさが様々であるため設計が難しく、費用及び／または時間の側面で不便さがあった。

前記（３）段階において、本発明の一実施例は、複数のセラミック薄板それぞれのビアホールに導電性ペーストを充填し、熱処理してビア電極を形成することができる。このとき、セラミック薄板のビアホールに導電性ペーストを充填する理由は、今後幾重にも積まれる複数のセラミック薄板の間の電気的接続のためである。なお、本段階の導電性ペーストに使用される導体は、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ－Ｐｄ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｗのうちの１つ以上の物質に該当することができる。

前記（４）段階において、本発明の一実施例は、複数のセラミック薄板それぞれの端面に導電性ペーストを用いてパターンを印刷することができる。このとき、セラミック薄板ごとに印刷されるパターンは、異なり得る。このとき、印刷されて熱処理されたパターンは、内部電極に該当することができる。本発明の一実施例によると、前記内部電極の厚さは１～１０ミクロンであることができる。

前記（５）段階において、本発明の一実施例は、複数のセラミック薄板のうち最上位セラミック薄板を除いた残りのセラミック薄板それぞれの端面にビアホールを避けてボンディング剤を塗布することができる。このとき、前記最上位セラミック薄板は、後で複数のセラミック薄板を幾重にも積んだとき、最上位層に位置するセラミック薄板を意味することができる。そして、ボンディング剤は、セラミック薄板の端面に印刷されたパターンに影響を与えない材料でパターンの上に塗布されることができる。さらに、前記ボンディング剤は、後で積層されるセラミック薄板を接着させるのに使用されることができる。また、前記ボンディング剤は、無機物及び／または有機物であることができ、無機物は、ガラス、セラミックなどを含み、有機物は、エポキシなどを含むことができる。本発明の一実施例によると、前記ボンディング剤は、ボンディング層を形成することができ、前記ボンディング層の厚さは、２～１００ミクロンであることができる。

前記（６）段階において、本発明の一実施例は、前記ビア電極と前記内部電極を介して前記複数のセラミック薄板それぞれが電気的に接続されるように、複数のセラミック薄板それぞれを整列して幾重にも積むことができる（積層することができる）。すなわち、１つの層のセラミック薄板の表面に印刷されたパターンは、ビアホールを介して他の層のセラミック薄板の表面に印刷されたパターンと電気的に接続されることができる。言い換えれば、１つの層の内部電極は、その層のビア電極を介して下位層の内部電極と電気的に連結され、１つの層の内部電極は、上位層のビア電極を介して上位層の内部電極と電気的に連結されることができる。最終的には、最下位層の入力端電極と最上層の測定端であるプローブピン端子が電気的に連結されることができる。

前記（７）段階において、本発明の一実施例は、積層された複数のセラミック薄板を焼成または熱処理することができる。すなわち、本発明の一実施例は、積層された複数のセラミック薄板を焼成または熱処理して、複数のセラミック薄板それぞれの端面に塗布されたボンディング剤を溶かすことにより、複数のセラミック薄板を互いに接着させることができる。このとき、前記ボンディング剤の融点は、前記ボンディング剤を構成する素材によって異なり得る。さらに、この過程でセラミック薄板、セラミック薄板に印刷されたパターン及び／またはセラミック薄板のビアホールに充填された導電性ペーストまで溶けることを防止するために、前記ボンディング剤の融点は、セラミック薄板の融点、パターン印刷に使用された導電性ペーストの融点（内部電極材料の融点）及びビアホールに充填された導電性ペーストの融点よりも低いことができる。このとき、セラミック薄板の融点は、前記セラミック薄板を構成する素材によって異なり得る。したがって、本発明の一実施例は、積層された複数のセラミック薄板をボンディング剤の融点よりも高く、セラミック薄板の融点より低い温度で焼成または熱処理することができる。すなわち、本発明の一実施例は、セラミック薄板に影響を与えない温度で積層された複数のセラミック薄板を焼成または熱処理することにより、セラミック薄板自体に生じるクラックなどの不良を防止することができる。例えば、本発明の一実施例は、大気環境で６００℃ ～９００℃、好ましくは８００℃で積層された複数のセラミック薄板を焼成または熱処理することができる。このとき、焼成または熱処理時間は、積層された複数のセラミック薄板の数及び面積によって異なり得る。例えば、積層された複数のセラミック薄板それぞれの直径が１２インチである場合、本発明の一実施例は、積層された複数のセラミック薄板を０.５時間～２時間の間焼成または熱処理することができる。本発明の一実施例は、前記（１）～（７）段階を経て、多層セラミック基板を製造することができる。

さらに、本発明の一実施例は、前記（３）段階及び／または前記（４）段階以後、複数のセラミック薄板それぞれのビアホール及び／またはパターンの導電性を検査することができる。検査結果、導電性に問題がある場合、本発明の一実施例は、ビアホール及び／またはパターンに使用された導電性ペーストをエッチング溶液を用いてエッチングして、再び前記（３）段階及び／または前記（４）段階を行ることができる。このとき、前記エッチング溶液は導電性ペーストのみエッチングし、セラミック薄板はエッチングしないことがことができる。

本発明の他の一実施例によると、内部電極またはビア電極に使用される導電性ペーストは、ガラス成分を０～２０％ 含むことができる。この場合、ボンディング剤は、内部電極及びビア電極を避けてセラミック薄板の上に塗布されることができる。ボンディング剤を塗布し、複数のセラミック薄板を積層した後熱処理すると、内部電極に含まれた一部のガラス成分が導電性ペーストの上部表面に表出して、薄いガラス層を形成することにより、複数のセラミック薄板をより強く接着させることができる。なお、内部電極に含まれた一部のガラス成分は、導電性ペーストの下部に存在して、その層のセラミック薄板と内部電極との間の接着力を強化させることができる。

本発明の他の一実施例は、セラミック薄板の端面にビアホールを避けてボンディング剤を塗布してボンディング層を形成し、前記ビアホールの場所には前記ボンディング層の厚さだけ導電性ペーストを充填して、複数のセラミック薄板を電気的に連結することができる。
図４は、図３の実施例により製造された多層セラミック基板の構成を示した図である。

本発明の一実施例に係る多層セラミック基板４０１０は、積層された複数のセラミック薄板４０２０を含むことができる。そして、前記複数のセラミック薄板それぞれ４０２０は、ビア電極４０３０及び内部電極４０４０を含むことができる。このとき、前記ビア電極は、前記複数のセラミック薄板それぞれに形成されたビアホールに導電性ペーストを充填して熱処理することによって形成されることができ、前記内部電極は、前記複数のセラミック薄板それぞれの端面に導電性ペーストでパターンを印刷し、熱処理することによって形成されることができる。

前記複数のセラミック薄板は、複数のセラミックグリーンシートを焼成して生成されることができ、前記多層セラミック基板は、前記複数のセラミック薄板のうち最上位セラミック薄板を除いた残りのセラミック薄板それぞれの端面にビアホールを避けてボンディング剤を塗布し、前記ビア電極と前記内部電極を介して前記複数のセラミック薄板それぞれが電気的に接続されるように、前記複数のセラミック薄板を整列して積層し、前記積層された複数のセラミック薄板を焼成または熱処理することによって生成されることができる。前記多層セラミック基板の製造方法についての詳細な説明は、図３で前述した。
図５を参照して、本発明の他の一実施例に係る多層セラミック基板及びその製造方法を説明する。
図５は、本発明の他の一実施例に係る多層セラミック基板の製造方法を示した図である。

本発明の一実施例に係る多層セラミック基板の製造方法は、以下の段階を含む。（１）複数のセラミックグリーンシートを焼成して、複数のセラミック薄板を生成する段階、（２）前記複数のセラミック薄板それぞれにビアホールを形成する段階、（３）前記複数のセラミック薄板それぞれのビアホールに導電性ペーストを充填し、熱処理してビア電極を形成する段階、（４）前記複数のセラミック薄板のうち最上位セラミック薄板を除いた残りのセラミック薄板それぞれの端面に導電性ペーストでパターンを印刷し、熱処理して内部電極を形成する段階、（５）前記複数のセラミック薄板のうち最上位セラミック薄板を除いた残りのセラミック薄板それぞれの端面にビアホールを避けてボンディング剤を塗布する段階、（６）前記ビア電極と前記内部電極を介して前記複数のセラミック薄板それぞれが電気的に接続されるように、前記複数のセラミック薄板それぞれを整列して積層する段階、（７）前記積層された複数のセラミック薄板を焼成または熱処理する段階、（８）前記最上位セラミック薄板の端面に外部電極を形成する段階、（９）前記複数のセラミック薄板のうち最下位セラミック薄板の前記パターンが印刷された端面の反対面に外部電極を形成する段階。
前記（１）、（２）、（５）、（６）及び（７）段階についての説明は、図３に係る実施例の該当段階に対する説明で代替する。

前記（３）段階において、本発明の一実施例は、複数のセラミック薄板それぞれのビアホールに導電性ペーストを充填し、熱処理してビア電極を形成することができる。このとき、前記ビア電極は、導電性ペーストが充填されたビアホール自体を意味することができる。

前記（４）段階において、本発明の一実施例は、複数のセラミック薄板のうち最上位セラミック薄板を除いた残りのセラミック薄板それぞれの端面に導電性ペーストでパターンを印刷し、熱処理して内部電極を形成することができる。このとき、前記内部電極は、セラミック薄板の端面に印刷されたパターン自体を意味することができる。なお、前記内部電極は、ビア電極と電気的に接続されることができる。すなわち、本発明の一実施例は、本段階で、最上位セラミック薄板には、パターンを印刷しないことができる。

前記（８）段階において、本発明の一実施例は、最上位セラミック薄板の表面に外部電極を印刷することができる。すなわち、本発明の一実施例は、複数のセラミック薄板を積層して焼成または熱処理した以後に、最上位セラミック薄板の表面に外部電極を形成することができる。このとき、前記外部電極は、複数のセラミック薄板外部に露出した電極として導電性ペーストの塗布などによって形成されることができる。

前記（９）段階において、本発明の一実施例は、複数のセラミック薄板のうち最下位セラミック薄板のパターンが既に印刷された端面の反対面に外部電極を形成することができる。このとき、前記最下位セラミック薄板は、積層された複数のセラミック薄板のうち最下位層に位置したセラミック薄板を意味することができる。このとき、前記外部電極は、複数のセラミック薄板外部に露出した電極として導電性ペーストの塗布などによって形成されることができる。すなわち、本発明の一実施例は、複数のセラミック薄板を積層して焼成または熱処理した以後に最下位セラミック薄板の外部端面にビア電極位置に合わせて、外部電極を印刷することができる。これにより、本発明の一実施例は、多層セラミック基板の最上位セラミック薄板の外部電極と最下位セラミック薄板の外部電極を各層のセラミック薄板に存在するビア電極を介して電気的に接続させることができる。結局、最上位セラミック薄板の外部電極、最下位セラミック薄板の外部電極、各層の内部電極は、各層のビア電極を介して電気的に連結されることができる。本発明の一実施例は、前記（１）～（９）段階を経て多層セラミック基板を製造することができる。
図６を参照して、本発明の他の一実施例に係る多層セラミック基板及びその製造方法を説明する。
図６は、本発明の他の一実施例に係る多層セラミック基板の製造方法を示した図である。
本発明の一実施例に係る多層セラミック基板の製造方法は、以下の段階を含む。

（１）複数のセラミックグリーンシートを焼成して、複数のセラミック薄板を生成する段階、（２）前記複数のセラミック薄板それぞれにビアホールを形成する段階、（３）前記複数のセラミック薄板それぞれのビアホールに導電性ペーストを充填し、熱処理してビア電極を形成する段階、（４）前記複数のセラミック薄板のうち最上位セラミック薄板を除いた残りのセラミック薄板それぞれの端面に導電性ペーストでパターンを印刷し、熱処理して内部電極を形成する段階、（５）前記最上位セラミック薄板の端面に外部電極を形成する段階、（６）前記複数のセラミック薄板のうち最下位セラミック薄板の前記内部電極が形成された端面の反対面に外部電極を形成する段階、（６）前記複数のセラミック薄板のうち最上位セラミック薄板を除いた残りのセラミック薄板それぞれの端面にビアホールを避けて、ボンディング剤を塗布する段階、（７）前記ビア電極、前記内部電極及び前記外部電極を介して前記複数のセラミック薄板それぞれが電気的に接続されるように前記複数のセラミック薄板それぞれを整列して積層する段階、（８）前記積層された複数のセラミック薄板を焼成または熱処理する段階。

前述した本発明の一実施例は、図５に係る実施例とは異なり、複数のセラミック薄板を積層する前に、最上位セラミック薄板及び最下位セラミック薄板の端面に外部電極を形成することができる。本実施例の残りの段階に対する説明は、図５に係る実施例の該当段階に対する説明で代替する。
図７は、図５または図６の実施例により製造された多層セラミック基板の構成を示した図である。

本発明の一実施例に係る多層セラミック基板７０１０は、積層された複数のセラミック薄板７０２０、７０３０、７０４０を含むことができる。そして、前記複数のセラミック薄板は、最上位セラミック薄板７０３０及び最下位セラミック薄板７０４０を含むことができる。なお、多層セラミック基板の内部に位置するセラミック薄板それぞれ７０２０は、ビア電極７０５０及び／または内部電極７０６０を含むことができ、多層セラミック基板の最外郭に位置する最上位セラミック薄板７０３０及び最下位セラミック薄板７０４０は、ビア電極７０５０、内部電極７０６０及び／または外部電極７０７０を含むことができる。
前記多層セラミック基板の製造方法についての詳細な説明は、図５及び図６で前述した。
層別素材が異なる多層セラミック基板及びその製造方法
図８及び図９を参照して、本発明の一実施例に係る多層セラミック基板及びその製造方法を説明する。
図８は、本発明の一実施例に係る多層セラミック基板の製造方法を示した図である。

本発明の一実施例に係る多層セラミック基板の製造方法は、以下の段階を含む。（１）複数の第１セラミックグリーンシートを焼成して、複数の第１セラミック薄板を生成する段階、（２）前記第１セラミックグリーンシートの素材と異なる素材を有する第２セラミックグリーンシートを焼成して、第２セラミック薄板を生成する段階、（３）前記複数の第１セラミック薄板及び前記第２セラミック薄板それぞれにビアホールを形成する段階、（４）前記複数の第１セラミック薄板及び前記第２セラミック薄板それぞれのビアホールに導電性ペーストを充填し、熱処理してビア電極を形成する段階、（５）前記複数の第１セラミック薄板及び前記第２セラミック薄板それぞれの端面に導電性ペーストでパターンを印刷し、熱処理して内部電極を形成する段階、（６）前記複数の第１セラミック薄板及び前記第２セラミック薄板のうち最上位セラミック薄板を除いた残りのセラミック薄板それぞれの端面にビアホールを避けて、ボンディング剤を塗布する段階、（７）前記ビア電極と前記内部電極を介して前記複数の第１セラミック薄板及び前記第２セラミック薄板それぞれが電気的に接続されるように、前記複数の第１セラミック薄板及び前記第２セラミック薄板それぞれを整列して積層する段階、（８）前記積層された複数の第１セラミック薄板及び第２セラミック薄板を焼成または熱処理する段階。

前記（２）段階において、本発明の一実施例によると、前記第２セラミック薄板は、前記第１セラミック薄板の素材と電気的物性が異なる素材を有することができる。例えば、特定層に印刷されるパターンが複雑な場合、その特定層にのみ誘電率が適した素材のセラミック薄板を使用することによって、セラミック薄板の厚さ及びパターンの面積を他の層と同一に維持したまま、その層のパターンを容易に設計することができる。他の例として、製造された多層セラミック基板は、特定範囲のインピーダンス値を持たなければならないが、すべての層が同じ素材を有する多層セラミック基板の場合、前記インピーダンス値を有するように設計されるのが容易ではないこともある。このとき、本実施例は、多層セラミック基板を構成する特定層の素材を自由に構成することができるので、全体の多層セラミック基板が前記インピーダンス値を有するように設計するのが容易であり得る。本発明の他の一実施例によると、前記第２セラミック薄板は、前記第１セラミック薄板の素材よりも強度が良い素材を有することができる。これにより、多層セラミック基板全体の曲げ強度を改善することができる。本発明の他の一実施例によると、前記第２セラミック薄板は、前記第１セラミック薄板の素材と異なる素材を有することによって、多層セラミック基板の全体製造工程をより容易に改善することができる。例えば、本発明の一実施例は、全体の層のうち、内部電極なしでビアホールのみ必要な特定層には、内部電極の設計の考慮なしでビアホール形成に容易な素材（例えば、ビアホール加工が容易な素材）を使用することによって、設計にかかる時間及び費用を改善することができる。本発明の他の一実施例によると、前記第２セラミック薄板は、前記第１セラミック薄板の素材とは異なる機能をする素材を有することができる。例えば、前記第２セラミック薄板は、静電気放電現象（ＥＳＤ）及び／またはパルス性に現れる周波数パルスノイズ（ｐｕｌｓｅ ｎｏｉｓｅ）を除去する機能性素材またはノイズフィルター設計がされた磁性素材を有することができる。追加説明すると、既存には層間電気的信号のノイズ除去のために、層間に複数のグラウンド層を挿入したが、これはすべての層の素材を同一に使用しなければならない設計の限界のためであった。しかし、前記磁性素材を使用すると、グラウンド層を何層も挿入する必要がない。
前記（１）、（３）～（８）段階についての説明は、図３による実施例の該当段階についての説明で代替する。

本発明の他の一実施例によると、多層セラミック基板において、前記第１セラミック薄板と素材が異なる前記第２セラミック薄板は、全体の構造物である多層セラミック基板の曲げ強度、安定性及び設計の容易性などを強化するために、全体の層中に一層以上に配置されることができる。ここで、曲げ強度は、多層セラミック基板全体の曲げ強度をいう。

本発明の他の一実施例によると、多層セラミック基板は、前記第１セラミック薄板及び前記第２セラミック薄板だけでなく、前記第１セラミック薄板及び前記第２セラミック薄板の素材とは異なる素材を有するセラミック薄板を含むことができる。

本発明の他の一実施例によると、前述した実施例に係る前記（２）段階を前述した図５の実施例または図６の実施例に加えて、層別素材が異なる多層セラミック基板を製造することができる。
図９は、図８の実施例により製造された多層セラミック基板の構成を示した図である。

本発明の一実施例に係る多層セラミック基板９０１０は、複数の第１セラミック薄板９０２０及び第２セラミック薄板９０３０を含むことができる。そして、前記複数の第１セラミック薄板９０２０及び第２セラミック薄板９０３０のそれぞれは、ビア電極９０４０及び内部電極９０５０を含むことができる。
前記多層セラミック基板の製造方法についての詳細な説明は、図８で前述した。
プローブピンの耐久性強化のためのスペーストランスフォーマー及びその製造方法
図１０、図１１及び図１２を参照して、本発明の一実施例に係るスペーストランスフォーマー及びその製造方法を説明する。
図１０は、本発明の一実施例に係るスペーストランスフォーマーの製造方法を示した図である。
本発明の一実施例に係るスペーストランスフォーマーの製造方法は、以下の段階を含む。

（１）複数のセラミックグリーンシートを焼成して、複数のセラミック薄板を生成する段階、（２）前記複数のセラミック薄板それぞれにビアホールを形成する段階、（３）前記形成されたビアホールに導電性ペーストを充填し、熱処理してビア電極を形成する段階、（４）前記複数のセラミック薄板それぞれの端面に導電性ペーストでパターンを印刷し、熱処理して内部電極を形成する段階、（５）前記複数のセラミック薄板それぞれの端面にビアホールを避けて、ボンディング剤を塗布する段階、（６）前記ビア電極と前記内部電極を介して前記複数のセラミック薄板それぞれが電気的に接続されるように、前記複数のセラミック薄板それぞれを整列して積層する段階、（７）前記積層された複数のセラミック薄板を焼成または熱処理して、多層セラミック基板を生成する段階、（８）セラミックグリーンシートを焼成して、プローブピン固定用セラミック薄板を生成する段階、（９）前記プローブピン固定用セラミック薄板にプローブピンの底面の形状を有するホールを形成する段階、（１０）前記形成されたホールの側面に電極材料を塗布する段階、（１１）前記多層セラミック基板の上部表面に前記ホールと接する部分を避けて、ボンディング剤を塗布する段階、（１２）前記多層セラミック基板の上部表面に形成された内部電極と前記プローブピン固定用セラミック薄板に形成されたホールが接するように、前記多層セラミック基板に前記プローブピン固定用セラミック薄板を積層する段階、（１３）前記積層された多層セラミック基板及びプローブピン固定用セラミック薄板を焼成または熱処理する段階、（１４）前記ホールの中に存在する前記多層セラミック基板の内部電極の上にハンダを形成する段階、（１５）前記ホールに前記プローブピンを挿入して前記ハンダを圧着する段階、（１６）前記ハンダを熱処理して前記プローブピンを前記ホール及び前記多層セラミック基板の内部電極に固定させる段階。
前記（１）～（７）段階についての説明は、図３による実施例の該当段階についての説明で代替する。

前記（８）段階において、本発明の一実施例は、新しいセラミックグリーンシートを焼成して、プローブピン固定用セラミック薄板１１０５０を生成することができる。

前記（９）段階において、本発明の一実施例は、プローブピン固定用セラミック薄板１１０５０にプローブピン１１０１０の底面の形状を有するホール１１０８０を形成することができる。このとき、プローブピンの底面の形状を持たなければならない理由は、プローブピンを前記ホールに挿入して固定するためである。本発明の一実施例によると、プローブピンが前記ホールに挿入されたとき、前記ホールと前記プローブピンとの側面間隔１１０９０は、２０ミクロン以下の距離を有するように設計されることができる。本発明の一実施例は、前記プローブピン固定用セラミック薄板がセラミック素材からなっているので、薄板の割れなしで、薄板の端面にホールを形成することができる。本発明の一実施例によると、前記ホールが形成される前記プローブピン固定用セラミック薄板の厚さは、２０～１００ミクロンであることができる。さらに、本発明の一実施例によると、前記ホールは、前記プローブピン固定用セラミック薄板と接している多層セラミック基板１１０３０の内部電極１１０７０が存在する位置に形成されることができる。そして、前記プローブピンは、ハンダによって前記ホールに挿入されて固定され、多層セラミック基板１１０３０の内部電極１１０７０と電気的に連結されることができる。

前記（１０）段階において、本発明の一実施例は、前記形成されたホール１１０８０の側面に電極材料１１０４０を塗布することができる。このとき、前記電極材料は、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｓｎなどに該当することができ、ハンダ１１０２０を用いてプローブピン１１０１０を前記プローブピン固定用セラミック薄板１１０５０に固定させるために使用されることができる。

前記（１１）段階において、本発明の一実施例は、多層セラミック基板１１０３０の上部表面に、前記ホール１１０８０と接する部分を避けて、ボンディング剤１１０６０を塗布することができる。このとき、ボンディング剤１１０６０は、多層セラミック基板１１０３０の層間を接着させるために使用するボンディング剤と同一であることができる。ボンディング剤についての詳細な説明は前述した。

前記（１２）段階において、本発明の一実施例は、多層セラミック基板の上部表面に形成された内部電極１１０７０と前記プローブピン固定用セラミック薄板に形成されたホール１１０８０が接するように、前記多層セラミック基板に前記プローブピン固定用セラミック薄板を積層することができる。すなわち、生成された多層セラミック基板の上にプローブピン固定用セラミック薄板をさらに一層積層することができる。

前記（１３）段階において、本発明の一実施例は、積層された多層セラミック基板及びプローブピン固定用セラミック薄板を焼成または熱処理することができる。

前記（１４）段階において、本発明の一実施例は、前記ホールの中に存在する前記多層セラミック基板の内部電極１１０７０の上にハンダ１１０２０を形成することができる。このとき、前記ハンダは、クリーム半田（ｓｏｌｄｅｒ）のボール形状を有することができる。本発明の一実施例によると、前記ホールは、前記ホールが形成される薄板を貫通するホールであって、前記ハンダが形成される前記ホールの底は、多層セラミック基板の内部電極１１０７０の上面になることができる。

前記（１５）、（１６）段階において、本発明の一実施例は、前記ホール１１０８０に前記プローブピン１１０１０を挿入して、前記ハンダを圧着することができる。さらに、本発明の一実施例は、前記ハンダを熱処理し、プローブピンを前記ホール及び前記多層セラミック基板の内部電極１１０７０に固定させることができる。具体的には、熱処理と同時に前記プローブピンで圧着を加えることにより、前記ハンダ１１０２０は、液体に変わって前記ホールと前記プローブピンとの間に流れ入って、そのまま固まることによって前記プローブピンを前記ホールに固定させることができる。これにより、本発明の一実施例は、前記プローブピンの下面だけでなく、すべての側面をプローブピン固定用セラミック薄板に固定させることができる。さらに、前記プローブピンは、固まった鉛を介して多層セラミック基板の内部電極１１０７０に電気的に連結されることができる。

本発明の他の一実施例は、プローブピン固定用セラミック薄板に複数のホールを形成することができ、前記形成された複数のホールにハンダをマスクプリンティングやディスペンシング方法で一括的に形成することができる。そして、前記形成されたホールの数と同じ数のプローブピンは、前記形成された複数のホールの位置と一致するように配列された固定板（ジグ,ｊｉｇ）に取付及び逆挿入されることができる。そして、この固定板に取付けられた複数のプローブピンを一括的に前記複数のホールに挿入することができる。この後、形成されたハンダを一括的に熱処理することによって、複数のプローブピンを複数のホールに固定させてから、複数のプローブピンを前記固定板から脱着させることができる。前述した方法により、時間及び費用の面で効率的にプローブピンを多層セラミック基板に固定させることができる。

本発明の他の一実施例は、プローブピン固定用セラミック薄板を多層セラミック基板に積層する前に、プローブピン固定用セラミック薄板と接する多層セラミック基板の上面に存在する内部電極の位置を考慮してホールを形成し、その後に多層セラミック基板の上にプローブピン固定用セラミック薄板を積層することができる。
図１１は、図１０の実施例により製造されたスペーストランスフォーマーの正面図である。

本発明の一実施例に係るスペーストランスフォーマー１１２００は、積層された多層セラミック基板１１０３０及びプローブピン固定用セラミック薄板１１０５０を含むことができる。そして、前記多層セラミック基板を構成する複数のセラミック薄板それぞれは、ビア電極及び内部電極を含むことができる。前記プローブピン固定用セラミック薄板１１０５０は、プローブピン１１０１０の底面の形状を有するホール１１０８０及び前記ホールの側面に塗布され、前記プローブピン１１０１０を前記ホール１１０８０に固定させるための電極材料１１０４０を含むことができる。さらに、前記スペーストランスフォーマーは、ハンダ１１０２０及び前記電極材料１１０４０を介して前記ホールに固定される前記プローブピン１１０１０を含むことができる。具体的には、前記プローブピンは、前記ホールに形成されたハンダ１１０２０を熱処理することによって、多層セラミック基板１１０３０及びプローブピン固定用セラミック薄板１１０５０に固定されることができる。
前記スペーストランスフォーマーの製造方法についての詳細な説明は、図１０で前述した。

図１１の１１１００は、プローブピンを挿入及び圧着する直前の様子を示した図であり、１１２００は、プローブピンを挿入及び圧着してハンダを熱処理し、プローブピンをプローブピン固定用セラミック薄板に固定させた後の完成したスペーストランスフォーマーの様子を示した図である。１１０６０は、プローブピン固定用セラミック薄板を多層セラミック基板に接着するためのボンディング剤を示し、１１０３０は、多層セラミック基板を示す。残りの、図１１についての詳細な説明は、図１０の説明部分で前述した。
図１２は、図１０の実施例により製造されたスペーストランスフォーマーの上面図である。
図１２についての詳細な説明は、図１０の説明部分で前述した。

本発明の保護範囲は、以上で明示的に説明した実施例の記載と表現に制限されるものではない。また、本発明の属する技術分野において自明な変更や置換によって、本発明の保護範囲が制限されることもないことを改めて付言する。

本発明は、多層セラミック基板が使用されているすべての産業分野で利用されることができる。

Claims (4)

1. 複数の第１セラミックグリーンシートを焼成して、複数の第１セラミック薄板を生成する段階と、
   前記第１セラミックグリーンシートの素材と異なる素材を有する第２セラミックグリーンシートを焼成して、第２セラミック薄板を生成する段階と、
   前記複数の第１セラミック薄板及び前記第２セラミック薄板それぞれにビアホールを形成する段階と、
   前記複数の第１セラミック薄板及び前記第２セラミック薄板それぞれのビアホールに導電性ペーストを充填し、熱処理してビア電極を形成する段階と、
   前記複数の第１セラミック薄板及び前記第２セラミック薄板それぞれの端面に導電性ペーストでパターンを印刷し、熱処理して内部電極を形成する段階と、
   前記複数の第１セラミック薄板及び前記第２セラミック薄板のうち最上位セラミック薄板を除いた残りのセラミック薄板それぞれの端面にビアホールを避けてボンディング剤を塗布する段階と、
   前記ビア電極と前記内部電極を介して前記複数の第１セラミック薄板及び前記第２セラミック薄板それぞれが電気的に接続されるように前記複数の第１セラミック薄板及び前記第２セラミック薄板それぞれを整列して積層する段階、及び
   前記積層された複数の第１セラミック薄板及び前記第２セラミック薄板を焼成または熱処理する段階を含み、
   前記第２セラミック薄板は、前記第１セラミック薄板の素材と電気的物性または強度が異なる素材を有し、前記第２セラミック薄板は多層セラミック基板全体の曲げ強度、安定性及び設計の容易性を強化するために、多層セラミック基板の全体の層中に一層以上に配置される
   多層セラミック基板の製造方法。
2. 前記導電性ペーストはガラス成分を含み、
   前記第２セラミック薄板は、静電気放電現象を除去する機能またはパルスノイズ（ｐｕｌｓｅ ｎｏｉｓｅ）を除去する機能をする素材を有し、
   前記積層された複数の第１セラミック薄板及び前記第２セラミック薄板を前記ボンディング剤の融点より高く、前記第１セラミック薄板及び前記第２セラミック薄板の融点より低く、前記導電性ペーストの融点より低い温度で熱処理する請求項１に記載の多層セラミック基板の製造方法。
3. 前記ビア電極または前記内部電極の導電性を検査して、導電性に問題がある場合、前記ビアホールの導電性ペーストまたは前記パターンの導電性ペーストをエッチング溶液を用いてエッチングして前記ビアホールを再充填するか、前記パターンを再印刷する請求項１に記載の多層セラミック基板の製造方法。
4. 前記複数の第１セラミック薄板及び前記第２セラミック薄板それぞれの厚さは１０～５００ミクロンであり、前記ボンディング剤が形成するボンディング層の厚さは２～１００ミクロンであり、前記複数の第１セラミック薄板及び前記第２セラミック薄板それぞれの直径は１２インチ以上である請求項１に記載の多層セラミック基板の製造方法。

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