JP6580773B2

JP6580773B2 - 装置

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Publication number: JP6580773B2
Application number: JP2018220888A
Authority: JP
Inventors: 洋樹傳保; 厚宮口
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2006-11-16
Filing date: 2018-11-27
Publication date: 2019-09-25
Anticipated expiration: 2027-11-13
Also published as: EP1962408A2; US10634708B2; JP2017125854A; CN101183127A; US11656258B2; US20160041213A1; JP2021015807A; EP1962408A3; US8330607B2; US20200292604A1; US9176176B2; US20110275315A1; JP2013257344A; JP6792036B2; EP1962408B1; JP6087994B2; US20120025757A1; JP7009591B2; JP2015200669A; JP5427351B2

Description

本発明は、無線信号の電波強度を表示することができる電波強度測定装置に関する。特に
クロミック材料を利用して、該無線信号の電波強度に応じて色目を変化する電波強度測定
装置並びに当該電波強度測定装置を用いた電波強度検出器及び遊戯機器に関する。

近年、電子技術の発展や、高度情報化社会の到来によって、無線通信を利用した無線機器
が普及し、軍事、医療、通信、教育、商取引などあらゆる分野において利用されている。
電波を通信媒体として利用する無線通信は、時間と距離を克服して即時に情報を伝達でき
るという電波の特性を最大限に生かしたものであり、現代社会においては重要な生活・産
業基盤の一つとして位置づけられている。

電波は、電磁波の一種であり、電界と磁界がお互いにエネルギーをやり取りしながら、空
間を伝わっていく波である。電波が目に見えないことから、電波利用施設及び無線機器か
ら放射されている電波が、人体に影響を及ぼすのではないかという懸念が広がっており、
電波を発信する装置からの該電波の電波強度を簡便に測定し表示する装置が望まれている
。

電波強度を測定する方法としては様々な方法がある。たとえば特許文献１では、アンテナ
と、整流回路と、ランプとを接続し、ランプの光度によって電波強度を測定する電波検出
装置が提案されている。また、特許文献２では、アンテナと、蓄電手段と、報知手段とを
接続し、前記蓄電手段によって、前記報知手段を駆動することで電波強度を測定する電磁
波モニター装置が提案されている。

特許文献１に記載される電波強度測定装置の具体的な構成について図３８のブロック図を
用いて説明する。

図３８の電波強度測定装置３８００は、受信電波３８２０をアンテナ３８１０によって誘
導信号に変換し、前記誘導信号を整流回路３８１１に入力する。整流回路３８１１は前記
誘導信号を整流し、ランプ３８１２に電力を供給する。即ち、受信電波３８２０の強度に
比例した大きさの電力がランプに供給されるため、点灯するランプの光度に電波の強さが
現れる。

また、特許文献２の電磁波モニター装置においては、報知手段として発光ダイオード、放
電灯、液晶表示器を利用する構成について開示されている。

特開２００６−２３８１７号公報特開２００１−１６５９７３号公報

しかしながら、特許文献１の電波強度測定装置においては、長距離からの微弱な電波によ
ってランプを点灯するために十分な電力を確保することが難しく、前記微弱な電波を測定
出来ないという問題があった。また特許文献２の電磁波モニター装置においては、微弱な
電波を測定して報知手段である発光ダイオード、放電灯、液晶表示器を駆動するための電
力の確保をすることができても、太陽光下など環境光が非常に強いときには、報知手段の
点灯を視認しづらいという問題があった。

上記問題を鑑み、本発明は、微弱な電波を測定し、且つ太陽光下など環境光が非常に強い
ときであっても表示部の視認性を向上させることのできる電波強度測定装置を提案するこ
とを課題とする。

上述の諸問題を解決するため、本発明は電波強度測定装置における電力を供給するための
電源としてバッテリーを設ける。そして該電波強度測定装置を駆動するための電源は、受
信した電波から作り出してバッテリーへの充電を行う。前記受信した電波から得られた信
号の電位が、前記バッテリーの出力電位より大きいときには、その電力をバッテリーに蓄
え、前記受信した電波から得られた信号の電位が、前記バッテリーの出力電位より小さい
ときには、前記バッテリーの発生電力を、該電波強度測定装置を駆動する電源として用い
ることを特徴とする。

また、本発明の電波強度測定装置は、電波強度を表示するための素子としてサーモクロミ
ック材料（示温材料ともいう）またはエレクトロクロミック材料（ＥＣ材料ともいう）を
使用することを特徴とし、当該クロミック材料の色を変化させる手段として、抵抗素子ま
たは電圧印加端子を設けることを特徴とする。

本発明の電波強度測定装置の一は、受信した電波を誘導信号に変換するためのアンテナと
、前記誘導信号を整流して直流信号を出力する整流回路と、前記直流信号により充電を行
うバッテリーと、前記直流信号の電位とバッテリーの出力電位とを比較する制御回路と、
前記直流信号を増幅するアンプ回路と、前記アンプ回路によって増幅された前記直流信号
によって動作する表示素子と、を有し、前記制御回路は、前記直流信号の電位が前記バッ
テリーの出力電位より大きいときに前記直流信号により前記バッテリーを充電し、前記直
流信号の電位が前記バッテリーの出力電位より小さいときに前記バッテリーの電力を、前
記アンプ回路を駆動する電源として用いることを特徴とする。

また別の本発明の電波強度測定装置の一は、受信した電波を誘導信号に変換するためのア
ンテナと、前記誘導信号を整流して直流信号を出力する整流回路と、前記直流信号により
充電を行うバッテリーと、前記直流信号の電位とバッテリーの出力電位とを比較する制御
回路と、前記直流信号を増幅するアンプ回路と、前記アンプ回路によって増幅された前記
直流信号によって動作する表示素子と、を有し、前記制御回路は、前記直流信号の電位が
前記バッテリーの出力電位より大きいときに前記直流信号により前記バッテリーを充電し
、前記直流信号の電位が前記バッテリーの出力電位より小さいときに前記バッテリーの電
力を、前記アンプ回路を駆動する電源として用い、前記表示素子は、前記アンプ回路によ
って増幅された直流信号の大きさに応じて、色目が変化することを特徴とする。

また別の本発明の電波強度測定装置の一は、受信した電波を誘導信号に変換するためのア
ンテナと、前記誘導信号を整流して直流信号を出力する整流回路と、前記直流信号により
充電を行うバッテリーと、前記直流信号の電位とバッテリーの出力電位とを比較する制御
回路と、前記直流信号を増幅するアンプ回路と、前記アンプ回路によって増幅された前記
直流信号によって動作する表示素子と、を有し、前記制御回路は、前記直流信号の電位が
前記バッテリーの出力電位より大きいときに前記直流信号により前記バッテリーを充電し
、前記直流信号の電位が前記バッテリーの出力電位より小さいときに前記バッテリーの電
力を、前記アンプ回路を駆動する電源として用い、前記表示素子は、抵抗発熱体及びサー
モクロミック素子で構成されていることを特徴とする。

また別の本発明の電波強度測定装置の一は、受信した電波を誘導信号に変換するためのア
ンテナと、前記誘導信号を整流して直流信号を出力する整流回路と、前記直流信号により
充電を行うバッテリーと、前記直流信号の電位とバッテリーの出力電位とを比較する制御
回路と、前記直流信号を増幅するアンプ回路と、前記アンプ回路によって増幅された前記
直流信号によって動作する表示素子と、を有し、前記制御回路は、前記直流信号の電位が
前記バッテリーの出力電位より大きいときに前記直流信号により前記バッテリーを充電し
、前記直流信号の電位が前記バッテリーの出力電位より小さいときに前記バッテリーの電
力を、前記アンプ回路を駆動する電源として用い、前記表示素子は、抵抗発熱体及びサー
モクロミック素子で構成されており、前記アンプ回路によって増幅された直流信号の大き
さに応じて、色目が変化することを特徴とする。

また本発明におけるサーモクロミック素子は、サーモトロピック液晶を含むものであるこ
とを特徴とする。

また別の本発明の電波強度測定装置の一は、受信した電波を誘導信号に変換するためのア
ンテナと、前記誘導信号を整流して直流信号を出力する整流回路と、前記直流信号により
充電を行うバッテリーと、前記直流信号の電位とバッテリーの出力電位とを比較する制御
回路と、前記直流信号を増幅するアンプ回路と、前記アンプ回路によって増幅された前記
直流信号によって動作する表示素子と、を有し、前記制御回路は、前記直流信号の電位が
前記バッテリーの出力電位より大きいときに前記直流信号により前記バッテリーを充電し
、前記直流信号の電位が前記バッテリーの出力電位より小さいときに前記バッテリーの電
力を、前記アンプ回路を駆動する電源として用い、前記表示素子は、電圧印加素子及びエ
レクトロクロミック素子で構成されていることを特徴とする。

また別の本発明の電波強度測定装置の一は、受信した電波を誘導信号に変換するためのア
ンテナと、前記誘導信号を整流して直流信号を出力する整流回路と、前記直流信号により
充電を行うバッテリーと、前記直流信号の電位とバッテリーの出力電位とを比較する制御
回路と、前記直流信号を増幅するアンプ回路と、前記アンプ回路によって増幅された前記
直流信号によって動作する表示素子と、を有し、前記制御回路は、前記直流信号の電位が
前記バッテリーの出力電位より大きいときに前記直流信号により前記バッテリーを充電し
、前記直流信号の電位が前記バッテリーの出力電位より小さいときに前記バッテリーの電
力を、前記アンプ回路を駆動する電源として用い、前記表示素子は、電圧印加素子及びエ
レクトロクロミック素子で構成されており、前記アンプ回路によって増幅された直流信号
の大きさに応じて、色目が変化することを特徴とする。

また本発明におけるエレクトロクロミック素子は、金属酸化物を含むものであることを特
徴とする。

また本発明におけるバッテリーは、リチウム電池、リチウムポリマー電池、リチウムイオ
ン電池、ニッケル水素電池、ニカド電池、有機ラジカル電池、鉛蓄電池、空気二次電池、
ニッケル亜鉛電池、銀亜鉛電池、またはコンデンサーのいずれかであることを特徴とする
。

また本発明におけるコンデンサーは、電気二重層コンデンサーであることを特徴とする。

また本発明の電波強度検出器は、上記電波強度測定装置を具備し、物品に貼付されること
で電波の検出を行うことを特徴とする。

また本発明の遊戯機器は、上記電波強度検出器が貼付された板状電波強度検出器と、電波
発信器とを用い、前記電波発信器が発信する電波を用いて、前記板状電波強度検出器の色
目を変化させることを特徴とする。

なお、本発明において、接続されているとは、電気的に接続されているものとする。した
がって、本発明が開示する構成において、所定の接続関係に加え、その間に電気的な接続
を可能とする他の素子（例えば、スイッチやトランジスタや容量素子やインダクタや抵抗
素子やダイオードなど）が配置されていてもよい。

本発明により、長距離からの微弱な電波を測定することが可能な電波強度測定装置を提供
することができる。さらに本発明は、太陽光下など環境光が非常に強いときであっても、
視認性にすぐれた電波強度測定装置を提供することができる。

本発明の実施の形態１について説明する図。本発明の実施の形態１について説明する図。本発明の実施の形態１について説明する図。本発明の実施の形態１について説明する図。本発明の実施の形態１について説明する図。本発明の実施の形態１について説明する図。本発明の実施の形態１について説明する図。本発明の実施の形態１について説明する図。本発明の実施の形態１について説明する図。本発明の実施の形態１について説明する図。本発明の実施の形態１について説明する図。本発明の実施の形態１について説明する図。本発明の実施の形態２について説明する図。本発明の実施の形態２について説明する図。本発明の実施の形態２について説明する図。本発明の実施の形態２について説明する図。本発明の実施例１について説明する図。本発明の実施例１について説明する図。本発明の実施例１について説明する図。本発明の実施例１について説明する図。本発明の実施例１について説明する図。本発明の実施例２について説明する図。本発明の実施例２について説明する図。本発明の実施例２について説明する図。本発明の実施例３について説明する図。本発明の実施例３について説明する図。本発明の実施例３について説明する図。本発明の実施例３について説明する図。本発明の実施例４について説明する図。本発明の実施例４について説明する図。本発明の実施例４について説明する図。本発明の実施例４について説明する図。本発明の実施例４について説明する図。本発明の実施例４について説明する図。本発明の実施例４について説明する図。本発明の実施例４について説明する図。本発明の実施例５について説明する図。本発明の課題について説明する図。

以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。ただし、本発明は多くの異なる
態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその
形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。したがって、
本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明す
るための全図において、共通の符号は、同一部分又は同様な機能を有する部分を示してお
り、その繰り返しの説明は省略する。
（実施の形態１）

本実施の形態においては、本発明における電波強度測定装置の構成について説明する。

図１は本発明における電波強度測定装置のブロック図を示すものである。電波強度測定装
置１００は、アンテナ１１０、整流回路１１１、制御回路１１２、バッテリー１１３、ア
ンプ回路１１４、及び表示素子１１５を有する。なお、説明を簡略化するために、整流回
路１１１、制御回路１１２、及びアンプ回路１１４を合わせて信号処理回路１２０とする
。

図２には、アンテナ１１０が電波発信源３０１からの受信電波３０２を受信するブロック
図について示す。図２において、アンテナ１１０で受信した電波は誘導信号に変換され、
整流回路１１１に入力される。整流回路１１１は誘導信号を直流信号に変換して出力する
。また、図２において、整流回路１１１より出力される直流信号は制御回路１１２を介し
てバッテリー１１３に入力される。なお、整流回路１１１で直流信号の一部は、アンプ回
路１１４で増幅され、表示素子１１５に入力される。表示素子１１５は、アンプ回路１１
４で増幅された直流信号に応じて色目を変化させる。

整流回路１１１は、例えば図４に示すように、ダイオード５０３、ダイオード５０４、及
びコンデンサー５０５を有し、アンテナ１１０で受信した誘導信号をダイオード５０３及
びダイオード５０４によって半波整流し、コンデンサー５０５によって平滑化する。そし
て、整流回路１１１から出力される半波整流及び平滑化された直流信号は、制御回路１１
２に供給される。

制御回路１１２は、例えば図５に示すように、ダイオード６０４、ダイオード６０５、電
圧比較回路６０１、スイッチ６０２、及びスイッチ６０３を有している。

電圧比較回路６０１は、バッテリー１１３の出力電位と整流回路１１１から出力される直
流信号の電位とを比較する。整流回路１１１から出力される直流信号の電位がバッテリー
１１３の出力電位よりも十分に高いときには、電圧比較回路６０１はスイッチ６０２をオ
ンにし、スイッチ６０３をオフにする。すると、整流回路１１１からダイオード６０４と
スイッチ６０２を介してバッテリー１１３に電流が流れる。一方、整流回路１１１から出
力される直流信号の電位がバッテリー１１３の出力電位と比較して十分な高さでなくなる
と、電圧比較回路６０１はスイッチ６０２をオフにし、スイッチ６０３をオンにする。こ
のとき、整流回路１１１から出力された直流信号の電位がバッテリー１１３の出力電位よ
り高ければ、ダイオード６０５には電流が流れないが、整流回路１１１から出力された直
流信号の電位がバッテリー１１３の出力電位より低ければ、バッテリー１１３からスイッ
チ６０３とダイオード６０５を介してアンプ回路１１４に電流が流れる。

なお、制御回路は本実施形態に限定されず他の形式を用いても良い。

なお、本明細書で述べるスイッチは、トランジスタ（例えば、バイポーラトランジスタ、
ＭＯＳトランジスタなど）、ダイオード（例えば、ＰＮダイオード、ＰＩＮダイオード、
ショットキーダイオード、ＭＩＭ（ＭｅｔａｌＩｎｓｕｌａｔｏｒＭｅｔａｌ）ダイ
オード、ＭＩＳ（ＭｅｔａｌＩｎｓｕｌａｔｏｒＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）ダイ
オード、ダイオード接続のトランジスタなど）、サイリスタなどを用いることが出来る。
または、これらを組み合わせた論理回路をスイッチとして用いることができる。

また、電圧比較回路６０１の例を図６に示す。

電圧比較回路６０１は、バッテリー１１３から出力される電圧を抵抗７０１と抵抗７０２
で抵抗分割し、整流回路１１１から出力される電圧を抵抗７０３と抵抗７０４で抵抗分割
し、それぞれ抵抗分割した電圧をコンパレーター７０５に入力している。コンパレーター
７０５の出力にはインバータ形式のバッファ７０６及びバッファ７０７を直列に接続する
。そして、バッファ７０６の出力をスイッチ６０３の制御端子に入力し、バッファ７０７
の出力をスイッチ６０２の制御端子に入力し、図６のスイッチ６０２及びスイッチ６０３
のオンオフを制御する。なお、スイッチ６０２及びスイッチ６０３は制御端子に入力され
る信号がＨレベルのときオンし、Ｌレベルのときオフするものとする。

また、抵抗分割して、コンパレーター７０５に入力する電圧を調整することにより、バッ
テリー１１３から出力される電圧より整流回路から出力される電圧がどれだけ高くなった
ら、スイッチ６０２をオンにし、スイッチ６０３をオフにするかを制御することができる
。同様にバッテリー１１３から出力される電圧より整流回路から出力される電圧がどれだ
け低くなったら、スイッチ６０２をオフにし、スイッチ６０３をオンにするかを制御する
ことができる。

なお、電圧比較回路は本実施形態に限定されず他の形式を用いても良い。

次に図９に示すタイミングチャートを用いて、電圧比較回路の動作を説明する。第１の波
形１００１は、図６において抵抗７０１と抵抗７０２によって抵抗分割された後の電位の
変化である。第２の波形１００２は、図６において抵抗７０３と抵抗７０４によって抵抗
分割された後の電位の変化である。図６において第１の信号１０１０は、コンパレーター
７０５が出力し、バッファ７０６に入力される制御信号である。第２の信号１０１１は、
図６においてバッファ７０６が出力し、スイッチ６０３の制御端子に入力される制御信号
である。第３の信号１０１２は、図６においてバッファ７０７が出力し、スイッチ６０２
の制御端子に入力される制御信号である。なお、説明を容易にするために、アンテナ１１
０から整流回路１１１に入力される整流前の信号を整流前波形１０２０（誘導信号の波形
）として示す。

図９において、第１の波形１００１の電位が、第２の波形１００２の電位よりも高いとき
、即ち整流前の信号である整流前波形１０２０の振幅が大きいときに、第１の信号１０１
０は高電位レベル（以下、Ｈと略記する）、第２の信号１０１１は低電位レベル（以下、
Ｌと略記する）、第３の信号１０１２はＨとなる。従って、第２の信号１０１１のＬを入
力されたスイッチ６０３はオフに、第３の信号１０１２のＨを入力されたスイッチ６０２
はオンになるため、図１０のようにバッテリー１１３へ充電が行われる。前記期間を充電
期間１０３０とし、この期間にアンプ回路１１４は、整流回路１１１から出力された電力
を使用する。

図９において、第１の波形１００１の電位が、第２の波形１００２の電位よりも低いとき
、即ち整流前の信号である整流前波形１０２０の振幅が小さいときに、第１の信号１０１
０はＬ、第２の信号１０１１はＨ、第３の信号１０１２はＬとなる。従って、第２の信号
１０１１のＨを入力されたスイッチ６０３はオンに、第３の信号１０１２のＬを入力され
たスイッチ６０２はオフになるため、図１１のようにバッテリー１１３から放電が行われ
る。前記期間を放電期間１０３１とする。この期間にアンプ回路１１４は、バッテリー１
１３から出力された電力を使用する。

従って、アンプ回路１１４は、充電期間１０３０と放電期間１０３１のどちらであっても
、電力の供給を受けることが出来る。

バッテリー１１３にはリチウムイオン電池、リチウム二次電池、ニッケル水素電池、ニカ
ド電池、有機ラジカル電池などの二次電池が使用可能であるが、これには限定されない。
また大容量のコンデンサーなどを用いても良い。

なお、充電とはバッテリー１１３へ電流が流れることで、バッテリー１１３内に電力が蓄
積されることである。具体的に二次電池で言えば、充電とは、バッテリー１１３に入力さ
れた電気エネルギーを化学エネルギーへ変換して蓄積することをいう。一方、放電とはバ
ッテリー１１３内の化学エネルギーを電気エネルギーへ変換して電力を放出することであ
る。

なお、本発明のバッテリー１１３として用いることのできる大容量のコンデンサーとし
ては、電極の対向面積が大きいものであることが望ましい。活性炭、フラーレン、カーボ
ンナノチューブなど比表面積の大きい電極用材料を用いた電気二重層コンデンサーを用い
ることが好適である。コンデンサーは電池に較べ構成が単純であり薄膜化や積層化も容易
である。電気二重層コンデンサーは蓄電機能を有し、充放電の回数が増えても劣化が小さ
く、急速充電特性にも優れているため好適である。

表示素子１１５には、サーモクロミック材料、エレクトロクロミック材料などのクロミズ
ム現象を呈する材料を含む素子が使用可能であるが、これには限定されない。

次に図１２に示すタイミングチャートを用いて、電波強度測定装置の動作を説明する。第
１の波形１２０１は、図２における整流回路１１１において整流され、アンプ回路１１４
へ入力する直流信号の電位の変化である。第２の波形１２０２は、図２における制御回路
１１２から出力され、アンプ回路１１４へ電源として入力される信号の電位の変化である
。なお、第２の波形１２０２は、図９における第２の波形１００２と同じである。第３の
波形１２０３は、図２におけるアンプ回路１１４に入力された第１の波形１２０１をアン
プ回路１１４が増幅して出力し、表示素子１１５へ入力する電圧の電位の変化である。な
お、説明を容易にするために、アンテナ１１０から整流回路１１１に入力される整流前の
信号を整流前波形１２２０（誘導信号の波形）として示す。また、整流前波形１２２０が
小さい期間を弱電波期間１２２１、整流前波形１２２０が大きい期間を強電波期間１２２
２とし、表示素子１１５の最低動作電圧を１２２３として示す。なお、最低動作電圧とは
、表示素子１１５が人間の眼にわかる程度の色目の変化を起こす最小の電圧のことである
。

図１２において、弱電波期間１２２１のとき、第１の波形１２０１は第３の波形１２０３
のように増幅される。また、強電波期間１２２２のときも同様に第１の波形１２０１は第
３の波形１２０３のように増幅される。このとき、第１の波形１２０１から第３の波形へ
の増加比率（Ｖ_２／Ｖ_１）を増幅率という。なお、アンプ回路１１４は増幅後の第３の波
形が、最低動作電圧１２２３を超える増幅率を備えていれば良い。

従って、表示素子１１５は、弱電波期間１２２１と強電波期間１２２２のどちらであって
も、動作することが出来る。

次に、本発明の電波強度測定装置の模式図を図７（ａ）に示す。

図７（ａ）に示す電波強度測定装置は、基板８０１上に、アンテナ８１０、信号処理回路
８１１、バッテリー８１２、及び表示素子８１３を有している。アンテナ８１０は接続端
子８２０及び接続端子８２１を備えている。アンテナ８１０は、接続端子８２０及び接続
端子８２１のそれぞれが信号処理回路８１１と接続されている。

信号処理回路８１１に含まれるトランジスタは、様々な形態のトランジスタを適用させる
ことが出来る。よって、適用可能なトランジスタの種類に限定はない。したがって、非晶
質シリコンや多結晶シリコンに代表される非単結晶半導体膜を用いた薄膜トランジスタ（
ＴＦＴ）、半導体基板やＳＯＩ基板を用いて形成されるトランジスタ、ＭＯＳ型トランジ
スタ、接合型トランジスタ、バイポーラトランジスタ、ＺｎＯ、ａ−ＩｎＧａＺｎＯなど
の化合物半導体を用いたトランジスタ、有機半導体やカーボンナノチューブを用いたトラ
ンジスタ、その他のトランジスタを適用することができる。なお、非単結晶半導体膜には
水素またはハロゲンが含まれていてもよい。

基板８０１の種類は、様々なものを用いることができ、特定のものに限定されることはな
い。従って例えば、単結晶基板、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板
、紙基板、セロファン基板、石材基板などに形成することが出来る。また、ある基板に信
号処理回路８１１を形成し、その後、別の基板に信号処理回路８１１を移動させて、別の
基板上に配置するようにしてもよい。

アンテナ８１０の形状については、特に限定されない。たとえば図３（ａ）のように基板
４０１上の信号処理回路４０２の周りに一面のアンテナ４０３を配置しても良い。また、
図３（ｂ）のように基板４０１上の信号処理回路４０２の周りに細いアンテナ４０３を配
置しても良い。また、図３（ｃ）のように高周波の電磁波を受信するための形状をとって
もよい。また、図３（ｄ）のように１８０度無指向性の形状をとってもよい。また、図３
（ｅ）のように棒状に長く伸ばした形状をとってもよい。また、例えば、いわゆる、ダイ
ポールアンテナ、ループアンテナ、八木アンテナ、パッチアンテナ又は微小アンテナなど
の形状をとってもよい。

なお、図３においては、説明を簡単にするため、バッテリー、表示素子に相当するものは
記載されていないが本発明の実施の形態１に係る電波強度測定装置には、バッテリー、表
示素子が設けられる。

図７（ａ）に示すアンテナ８１０は、信号処理回路８１１が形成された基板上に形成され
ていてもよいし、信号処理回路８１１の形成された基板とは別の基板上に形成してもよい
。そして、アンテナ８１０を形成する基板の種類は、様々なものを用いることができ、特
定のものに限定されることはない。従って例えば、単結晶基板、ＳＯＩ基板、ガラス基板
、石英基板、プラスチック基板、紙基板、セロファン基板、石材基板などに形成すること
が出来る。そして、アンテナ８１０を信号処理回路８１１の形成された基板と同じ基板に
形成する場合には、スパッタリング法や、ＣＶＤ法、スピンコーティング法などにより導
電膜を形成し、導電膜をパターニングしてアンテナ８１０を形成してもよいし、インクジ
ェット法に代表される液滴吐出法又はスクリーン印刷法などによりアンテナ８１０を形成
してもよい。アンテナ８１０を信号処理回路８１１の形成された基板と別の基板に形成す
る場合にも上述した方法によりアンテナ８１０を形成することができるが、好ましくは、
特にスクリーン印刷法によりアンテナ８１０を形成するとよい。

なお、信号処理回路の形成された基板とアンテナとの接続方法については、特定に限定さ
れない。例えばアンテナと信号処理回路が形成された基板とをワイヤボンディング接続や
バンプ接続を用いて接続する、あるいはチップ化した信号処理回路の形成された基板一面
を電極にしてアンテナに貼り付けるという方法を取ってもよい。この方式では基板とアン
テナをＡＣＦ（ＡｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃＣｏｎｄｕｃｔｉｖｅＦｉｌｍ；異方性導電
性フィルム）を用いて貼り付けることができる。

また、アンテナに必要な長さは受信に用いる周波数によって異なる。例えば周波数が２．
４５ＧＨｚの場合、半波長ダイポールアンテナを設けるなら約６０ｍｍ（１／２波長）、
モノポールアンテナを設けるなら約３０ｍｍ（１／４波長）の長さとするとよい。

アンテナには、受信した信号の周波数を変更する手段を有していても良い。例えば、アン
テナ形状がループアンテナのとき、図８に示すように、アンテナ１１０を構成するアンテ
ナコイル９０１と、コンデンサー９０２とにより共振回路を形成していてもよい。

また、図７（ａ）において、アンテナ８１０は信号処理回路８１１と共に同じ基板上に積
層して設ける構成としているが、外付けのアンテナとして設けられるものであっても良い
。なお、図７（ａ）に示すようにアンテナ８１０を信号処理回路８１１と共に同じ基板８
０１上に積層して設ける場合には、好ましくは、アンテナ形状を微小ループアンテナや、
微小ダイポールアンテナなどの形状のアンテナとするとよい。

バッテリー８１２には、リチウムイオン電池、リチウム二次電池、ニッケル水素電池、ニ
カド電池、有機ラジカル電池、鉛蓄電池、空気二次電池、ニッケル亜鉛電池、銀亜鉛電池
などの二次電池が適用可能であるが、これには限定されない。また大容量のコンデンサー
などを適用してもよい。特に、リチウムイオン電池やリチウム二次電池は充放電容量が大
きいため、本発明の第１の実施の形態に係る電波強度測定装置に備えるバッテリーに適用
することで小型化を図ることができる。なお、リチウムイオン電池の活物質や電解質をス
パッタリング法により形成することにより、バッテリー８１２を信号処理回路８１１が形
成された基板上に形成してもよいし、アンテナ８１０が形成された基板上に形成されてい
てもよい。信号処理回路８１１やアンテナ８１０が形成された基板上にバッテリー８１２
を形成することにより、歩留まりが向上する。金属リチウム電池は、正極活物質にリチウ
ムイオン含有遷移金属酸化物、金属酸化物、金属硫化物、鉄系化合物、導電性ポリマー若
しくは有機イオウ系化合物等を用い、負極活物質にリチウム（合金）、電解質に有機系電
解液若しくはポリマー電解質などを用いることでより充放電容量の大きなバッテリー８１
２とすることができる。

表示素子８１３には、サーモクロミック材料、エレクトロクロミック材料などのクロミズ
ム現象を呈する材料を含む素子が使用可能であるが、これには限定されない。特に、サー
モクロミック材料を含む素子（サーモクロミック素子ともいう）としては、サーモトロピ
ック液晶（サーモクロミック液晶ともいう）、中でもコレステリック液晶を含むものが好
ましく、前記コレステリック液晶は、コレステリルオレイルカーボネート、コレステリル
ノナノエート、コレステリルベンゾエートを含むものであってもよい。また、前記エレク
トロクロミック材料を含む素子（エレクトロクロミック素子ともいう）としては、酸化タ
ングステンなどの金属酸化物および関連化合物を含むものであってもよい。

なお、本発明の実施の形態１に係る電波強度測定装置の構成としては、図７（ａ）に示す
ものに限られない。たとえば、図７（ｂ）には、アンテナ８１０とバッテリー８１２との
間に信号処理回路８１１が配置されている構成を示しているが、アンテナ８１０と信号処
理回路８１１との間にバッテリー８１２が配置されていてもよいし、バッテリー８１２と
信号処理回路８１１との間にアンテナ８１０が配置されていてもよい。また、アンテナ８
１０とバッテリー８１２と信号処理回路８１１との面積比も図７の例に限られるものでは
ない。つまり、本発明の実施の形態に係る電波強度測定装置は、断面から層別に見たとき
に、アンテナ８１０とバッテリー８１２と信号処理回路８１１との位置関係は限定されな
い。また、アンテナ８１０と信号処理回路８１１とがそれぞれ別の基板に形成されていて
もよいし、アンテナ８１０と信号処理回路８１１とバッテリー８１２とが同じ基板上に形
成されていてもよい。なお、表示素子８１３は視認性を良くするため最も上層に配置し、
広い面積をとること好ましい。

本発明の第１の実施の形態に係る電波強度測定装置によれば、電力を蓄えるバッテリーを
有しているので、電池の交換が不要である。また、受信する信号が弱くても、バッテリー
から信号処理回路に電力を供給することができるので、電波強度測定装置を動作させ電波
強度の測定を行うことができる。つまり、弱い信号でも電波強度の測定が可能であるので
、電波強度測定装置の感度向上、及び安定した測定を行うことができる。

また、受信した信号が強ければ自動的にバッテリーに電力を蓄えることができるので、使
用者が意図的に充電作業を行わなくても充電を行うことができる。もちろん、バッテリー
に蓄えられた電力が小さくなれば、使用者が意図的に充電を行うことも容易にできる。
（実施の形態２）

本実施の形態においては、サーモクロミック材料を含む表示素子を形成する形態について
説明する。

図１３は本発明における表示素子の模式図を示すものである。表示素子２５００は、遮光
基板２５０１上に抵抗発熱体２５０２、サーモクロミック材料２５０３、透明基板２５０
４、接続端子２５１０、接続端子２５１１を備えている。接続端子２５１０または接続端
子２５１１のいずれか一方は電源端子へ接続される。たとえば、実施の形態１におけるア
ンプ回路１１４へ接続される。なお、接続端子２５１０または接続端子２５１１のうち、
電源端子に接続されていない一方は、ＧＮＤ端子へ接続する。

なお、本発明の実施の形態２に係る表示素子の構成としては、図１３に示すものに限られ
ない。たとえば、図１３には抵抗発熱体２５０２の上層にサーモクロミック材料２５０３
が配置されているが、サーモクロミック材料２５０３の上層に抵抗発熱体２５０２が配置
されていてもよい。また、抵抗発熱体２５０２とサーモクロミック材料２５０３の形状や
面積は、図１３に示すものに限られない。たとえば、くし型や凹凸形の形状をとっても良
い。なお、抵抗発熱体２５０２とサーモクロミック材料２５０３は、熱伝達効率を高める
ために、より広い面積で接することが好ましい。

本実施形態における、抵抗発熱体とは、電力によって発熱する素子全般を指す。接続端子
から抵抗発熱体に供給される電力量に応じて発熱量を変化させる。なお、本実施形態にお
ける抵抗発熱体の材料としては、様々な物質を適用できる。よって適用可能な抵抗発熱体
の材料の種類に限定は無い。

本実施形態における、サーモクロミック材料とは、サーモクロミズム現象を呈す物質全般
を指す。サーモクロミズム現象とは、該材料の色が熱刺激によって可逆的に変化する現象
のことである。したがって、抵抗発熱体２５０２から供給される熱量によって色目が変わ
る。即ち、当該表示素子に接続端子を介して供給される電力量に応じて色目が変わる。な
お、本実施形態における表示素子に含まれるサーモクロミック材料としては、様々な物質
を適用できる。よって適用可能なサーモクロミック材料の種類に限定は無い。

本実施形態に係るサーモクロミック材料の一例であるコレステリック液晶は、温度によっ
てらせんのねじれ具合を変化するという特徴を持つ。コレステリック液晶が、コレステリ
ック液晶を構成する分子構造と、コレステリック液晶が分子構造の変化によって色を変化
させる原理について、図１４及び図１５を用いて説明する。

コレステリック液晶は、たとえば図１４（ａ）のように、カルボネート基２１００の一方
にコレステリル基２１０１が結合し、かつもう一方に直鎖炭化水素基であるオレイル基２
１０２を有する分子が結合したコレステリルオレイルカーボネートを含むことが好ましい
。図１４（ａ）には、コレステリル基２１０１に、カルボネート基２１００及びオレイル
基２１０２が結合した化合物であるコレステリルオレイルカーボネートを示したが、カル
ボネート基２１００及びオレイル基２１０２の代わりに図１４（ｂ）に示したベンゾエー
ト基２１０３がコレステリル基２１０１に結合した化合物であるコレステリルベンゾエー
トや、カルボネート基２１００及びオレイル基２１０２の代わりに図１４（ｃ）に示した
ノナノエート基２１０４がコレステリル基２１０１に結合した化合物であるコレステリル
ノナノエートでも良い。コレステリルオレイルカーボネート、コレステリルノナノエート
、及びコレステリルベンゾエートの異なる直鎖炭化水素基によって構成された液晶分子の
混合比率を変化させることで、コレステリック液晶の色を変えることが出来る。

コレステリック液晶は、らせん状の分子構造を有し、入射した光の一部を反射するという
特性を持つ。この反射特性は、らせんのねじれ具合によって変化する。たとえば、周期Ｐ
を持つコレステリック液晶分子は、入射した光に含まれる波長の中で、λ＝ｎ（コレステ
リック液晶分子の屈折率）×Ｐにあたる波長のみを選択的に反射する。たとえば、図１５
（ａ）の液晶分子２００２は、透光電極２０００と遮光基板２００１の距離ｄ間において
、１／４周期に相当するねじれをもつため、入射光２００３に含まれる波長のλ＝ｎ×Ｐ
＝ｎ×４ｄにあたる波長のみを選択的に反射する。また、図１５（ｂ）の液晶分子２００
２は、距離ｄ間において、３／４周期に相当するねじれをもつため、入射光２００３に含
まれる波長のλ＝ｎ×Ｐ＝ｎ×４／３ｄにあたる波長のみを選択的に反射する。

人間の眼は、光の波長の違いを、色の違いとして認識する。したがって、図１５（ａ）の
反射光２００４と図１５（ｂ）の反射光２００４は、波長が異なるため、違う色として認
識される。

なお、図１５の透明基板２０００は、人間の眼で透明に見える基板であれば良い。すべて
の波長を透過する基板であればより好ましい。また、図１５の遮光基板は、人間の眼で黒
色に見える基板であればよい。すべての波長を吸収する基板であればより好ましい。

図１６に、サーモクロミック材料を含む表示素子であるサーモクロミック素子の断面図を
示す。遮光基板２２０１上に下地層２２０２を介して配線２２０３ａと配線２２０３ｂが
設けられている。配線２２０３ａと配線２２０３ｂは、それぞれ層間絶縁膜２２０４と絶
縁膜２２０５に開けられたコンタクト開口部２２０６とコンタクト開口部２２０７で抵抗
発熱体２２２９と接続されている。抵抗発熱体２２２９は、コンタクト開口部２２０６と
コンタクト開口部２２０７の間で流れる電流によって発熱し、サーモクロミック材料２２
１１を加熱する。なお、配線２２０３ａと配線２２０３ｂは、それぞれ図１３中の接続端
子に接続されている。

また、遮光基板２２０１に対向して、透明基板２２１４が配置されている。遮光基板２２
０１と、透明基板２２１４の間には、サーモクロミック材料２２１１が設けられている。
遮光基板２２０１と、透明基板２２１４との間隔は、スペーサ２２１０によって保持され
ている。遮光基板２２０１と透明基板２２１４の間にサーモクロミック材料２２１１が設
けられた後、遮光基板２２０１と、透明基板２２１４とはシール材２２２０によって固定
される。なお、遮光基板２２０１と、透明基板２２１４との間隔はより狭いほうが注入さ
れるサーモクロミック材料２２１１が少量で済み、且つ加熱されるサーモクロミック材料
２２１１の熱容量が小さくなり、すばやい色の変化が可能となるため好ましい。

このような表示素子は、抵抗発熱体２２２９への電圧印加によってサーモクロミック材料
２２１１に供給される熱量が変化することで、サーモクロミック材料２２１２の状態が変
化し、入射光２２３０に対して、反射光２２３１の色合いが変わる。

本実施例では、上記実施の形態で示した電波強度測定装置の作製方法の一例に関して、図
面を参照して説明する。本実施例においては、電波強度測定装置におけるアンテナと信号
処理回路を同一基板上に薄膜トランジスタを用いて設ける構成について説明する。なお、
基板上に一度にアンテナ、信号処理回路を形成することで、小型化を図ることができるた
め好適である。また、信号処理回路におけるバッテリーとしては薄膜の二次電池を用いた
例について説明する。もちろん、二次電池の他に電気二重層コンデンサー等のコンデンサ
ーで設けた構成とすることもできる。

まず、基板１３０１の一表面に絶縁膜１３０２を介して剥離層１３０３を形成し、続けて
下地膜として機能する絶縁膜１３０４と半導体膜１３０５（例えば、非晶質珪素を含む膜
）を積層して形成する（図１７（Ａ）参照）。なお、絶縁膜１３０２、剥離層１３０３、
絶縁膜１３０４および半導体膜１３０５は、連続して形成することができる。

基板１３０１は、ガラス基板、石英基板、金属基板（例えばセラミック基板またはステン
レス基板など）、Ｓｉ基板等の半導体基板などから選択されるものである。他にもプラス
チック基板として、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート
（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、アクリルなどの基板を選択することも
できる。なお、本工程では、剥離層１３０３は、絶縁膜１３０２を介して基板１３０１の
全面に設けているが、必要に応じて、基板１３０１の全面に剥離層を設けた後に、フォト
リソグラフィ法により選択的に設けてもよい。

絶縁膜１３０２、絶縁膜１３０４は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等を用いて、酸化シリ
コン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ＞０）、窒化酸化シリ
コン（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ＞０）等の絶縁材料を用いて形成する。例えば、絶縁膜１
３０２、１３０４を２層構造とする場合、第１層目の絶縁膜として窒化酸化シリコン膜を
形成し、第２層目の絶縁膜として酸化窒化シリコン膜を形成するとよい。また、第１層目
の絶縁膜として窒化シリコン膜を形成し、第２層目の絶縁膜として酸化シリコン膜を形成
してもよい。絶縁膜１３０２は、基板１３０１から剥離層１３０３又はその上に形成され
る素子に不純物元素が混入するのを防ぐブロッキング層として機能し、絶縁膜１３０４は
基板１３０１、剥離層１３０３からその上に形成される素子に不純物元素が混入するのを
防ぐブロッキング層として機能する。このように、ブロッキング層として機能する絶縁膜
１３０２、１３０４を形成することによって、基板１３０１からＮａなどのアルカリ金属
やアルカリ土類金属が、剥離層１３０３から剥離層に含まれる不純物元素がこの上に形成
する素子に悪影響を与えることを防ぐことができる。なお、基板１３０１として石英を用
いるような場合には絶縁膜１３０２、１３０４を省略してもよい。

剥離層１３０３は、金属膜や金属膜と金属酸化膜の積層構造等を用いることができる。金
属膜としては、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（
Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）
、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミ
ウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）から選択された元素または元素を主成分とする合金材
料若しくは化合物材料からなる膜を単層又は積層して形成する。また、これらの材料は、
スパッタ法やプラズマＣＶＤ法等の各種ＣＶＤ法等を用いて形成することができる。金属
膜と金属酸化膜の積層構造としては、上述した金属膜を形成した後に、酸素雰囲気下また
はＮ_２Ｏ雰囲気下におけるプラズマ処理、もしくは酸素雰囲気下またはＮ_２Ｏ雰囲気下に
おける加熱処理を行うことによって、金属膜表面に当該金属膜の酸化物または酸化窒化物
を設けることができる。例えば、金属膜としてスパッタ法やＣＶＤ法等によりタングステ
ン膜を設けた場合、タングステン膜にプラズマ処理を行うことによって、タングステン膜
表面にタングステン酸化物からなる金属酸化膜を形成することができる。また、この場合
、タングステンの酸化物は、ＷＯｘで表され、Ｘは２〜３であり、Ｘが２の場合（ＷＯ_２
）、Ｘが２．５の場合（Ｗ_２Ｏ_５）、Ｘが２．７５の場合（Ｗ_４Ｏ_１１）、Ｘが３の場合
（ＷＯ_３）などがある。タングステンの酸化物を形成するにあたり、上記に挙げたＸの値
に特に制約はなく、エッチングレート等を基に、どの酸化物を形成するかを決めるとよい
。他にも、例えば、金属膜（例えば、タングステン）を形成した後に、当該金属膜上にス
パッタ法で酸化珪素（ＳｉＯ_２）等の絶縁膜を設けると共に、金属膜上に金属酸化物（例
えば、タングステン上にタングステン酸化物）を形成してもよい。また、プラズマ処理と
して、例えば上述した高密度プラズマ処理を行ってもよい。また、金属酸化膜の他にも、
金属窒化物や金属酸化窒化物を用いてもよい。この場合、金属膜に窒素雰囲気下または窒
素と酸素雰囲気下でプラズマ処理や加熱処理を行えばよい。

非晶質半導体膜１３０５は、スパッタリング法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等によ
り、２５〜２００ｎｍ（好ましくは３０〜１５０ｎｍ）の厚さで形成する。

次に、非晶質半導体膜１３０５にレーザー光を照射して結晶化を行う。なお、レーザー光
の照射と、ＲＴＡ又はファーネスアニール炉を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属
元素を用いる熱結晶化法とを組み合わせた方法等により非晶質半導体膜１３０５の結晶化
を行ってもよい。その後、得られた結晶質半導体膜を所望の形状にエッチングして、結晶
質半導体膜１３０５ａ〜１３０５ｆを形成し、当該半導体膜１３０５ａ〜１３０５ｆを覆
うようにゲート絶縁膜１３０６を形成する（図１７（Ｂ）参照）。

ゲート絶縁膜１３０６は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等を用いて、酸化シリコン、窒化
シリコン、酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ＞０）、窒化酸化シリコン（Ｓｉ
ＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ＞０）等の絶縁材料を用いて形成する。例えば、ゲート絶縁膜１３０
６を２層構造とする場合、第１層目の絶縁膜として酸化窒化シリコン膜を形成し、第２層
目の絶縁膜として窒化酸化シリコン膜を形成するとよい。また、第１層目の絶縁膜として
酸化シリコン膜を形成し、第２層目の絶縁膜として窒化シリコン膜を形成してもよい。

結晶質半導体膜１３０５ａ〜１３０５ｆの作製工程の一例を以下に簡単に説明すると、ま
ず、プラズマＣＶＤ法を用いて、膜厚５０〜６０ｎｍの非晶質半導体膜を形成する。次に
、結晶化を助長する金属元素であるニッケルを含む溶液を非晶質半導体膜上に保持させた
後、非晶質半導体膜に脱水素化の処理（５００℃、１時間）と、熱結晶化の処理（５５０
℃、４時間）を行って結晶質半導体膜を形成する。その後、レーザー光を照射し、フォト
リソグラフィ法を用いることよって結晶質半導体膜１３０５ａ〜１３０５ｆを形成する。
なお、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化を行わずに、レーザー光の照射だけで
非晶質半導体膜の結晶化を行ってもよい。

結晶化に用いるレーザー発振器としては、連続発振型のレーザービーム（ＣＷレーザービ
ーム）やパルス発振型のレーザービーム（パルスレーザービーム）を用いることができる
。ここで用いることができるレーザービームは、Ａｒレーザー、Ｋｒレーザー、エキシマ
レーザーなどの気体レーザー、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ_４、フォルステライト（Ｍｇ_２Ｓ
ｉＯ_４）、ＹＡｌＯ_３、ＧｄＶＯ_４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ_２Ｏ_３
、ＹＶＯ_４、ＹＡｌＯ_３、ＧｄＶＯ_４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈ
ｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザー
、ガラスレーザー、ルビーレーザー、アレキサンドライトレーザー、Ｔｉ：サファイアレ
ーザー、銅蒸気レーザーまたは金蒸気レーザーのうち一種または複数種から発振されるも
のを用いることができる。このようなレーザービームの基本波、及びこれらの基本波の第
２高調波から第４高調波のレーザービームを照射することで、大粒径の結晶を得ることが
できる。例えば、Ｎｄ：ＹＶＯ_４レーザー（基本波１０６４ｎｍ）の第２高調波（５３２
ｎｍ）や第３高調波（３５５ｎｍ）を用いることができる。このときレーザーのパワー密
度は０．０１〜１００ＭＷ／ｃｍ^２程度（好ましくは０．１〜１０ＭＷ／ｃｍ^２）が必要
である。そして、走査速度を１０〜２０００ｃｍ／ｓｅｃ程度として照射する。なお、単
結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ_４、フォルステライト（Ｍｇ_２ＳｉＯ_４）、ＹＡｌＯ_３、ＧｄＶＯ
_４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ_２Ｏ_３、ＹＶＯ_４、ＹＡｌＯ_３、ＧｄＶ
Ｏ_４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種
または複数種添加されているものを媒質とするレーザー、Ａｒイオンレーザー、またはＴ
ｉ：サファイアレーザーは、連続発振をさせることが可能であり、Ｑスイッチ動作やモー
ド同期などを行うことによって１０ＭＨｚ以上の発振周波数でパルス発振をさせることも
可能である。１０ＭＨｚ以上の発振周波数でレーザービームを発振させると、半導体膜が
レーザーによって溶融してから固化するまでの間に、次のパルスが半導体膜に照射される
。従って、発振周波数が低いパルスレーザーを用いる場合と異なり、半導体膜中において
固液界面を連続的に移動させることができるため、走査方向に向かって連続的に成長した
結晶粒を得ることができる。

また、ゲート絶縁膜１３０６は、半導体膜１３０５ａ〜１３０５ｆに対し前述の高密度プ
ラズマ処理を行い、表面を酸化又は窒化することで形成しても良い。例えば、Ｈｅ、Ａｒ
、Ｋｒ、Ｘｅなどの希ガスと、酸素、酸化窒素（ＮＯ_２）、アンモニア、窒素、水素など
の混合ガスを導入したプラズマ処理で形成する。この場合のプラズマの励起は、マイクロ
波の導入により行うと、低電子温度で高密度のプラズマを生成することができる。この高
密度プラズマで生成された酸素ラジカル（ＯＨラジカルを含む場合もある）や窒素ラジカ
ル（ＮＨラジカルを含む場合もある）によって、半導体膜の表面を酸化又は窒化すること
ができる。

このような高密度プラズマを用いた処理により、１〜２０ｎｍ、代表的には５〜１０ｎｍ
の絶縁膜が半導体膜に形成される。この場合の反応は、固相反応であるため、当該絶縁膜
と半導体膜との界面準位密度はきわめて低くすることができる。このような、高密度プラ
ズマ処理は、半導体膜（結晶性シリコン、或いは多結晶シリコン）を直接酸化（若しくは
窒化）するため、形成される絶縁膜の厚さは理想的には、ばらつきをきわめて小さくする
ことができる。加えて、結晶性シリコンの結晶粒界でも酸化が強くされることがないため
、非常に好ましい状態となる。すなわち、ここで示す高密度プラズマ処理で半導体膜の表
面を固相酸化することにより、結晶粒界において異常に酸化反応をさせることなく、均一
性が良く、界面準位密度が低い絶縁膜を形成することができる。

ゲート絶縁膜は、高密度プラズマ処理によって形成される絶縁膜のみを用いても良いし、
それにプラズマや熱反応を利用したＣＶＤ法で酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリ
コンなどの絶縁膜を堆積し、積層させても良い。いずれにしても、高密度プラズマで形成
した絶縁膜をゲート絶縁膜の一部又は全部に含んで形成されるトランジスタは、特性のば
らつきを小さくすることができる。

また、半導体膜に対し、連続発振レーザー若しくは１０ＭＨｚ以上の周波数で発振するレ
ーザービームを照射しながら一方向に走査して結晶化させて得られた半導体膜１３０５ａ
〜１３０５ｆは、そのビームの走査方向に結晶が成長する特性がある。その走査方向をチ
ャネル長方向（チャネル形成領域が形成されたときにキャリアが流れる方向）に合わせて
トランジスタを配置し、上記ゲート絶縁層を組み合わせることで、特性ばらつきが小さく
、しかも電界効果移動度が高い薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を得ることができる。

次に、ゲート絶縁膜１３０６上に、第１の導電膜と第２の導電膜とを積層して形成する。
ここでは、第１の導電膜は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等により、２０〜１００ｎｍの
厚さで形成する。第２の導電膜は、１００〜４００ｎｍの厚さで形成する。第１の導電膜
と第２の導電膜は、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデ
ン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、ニオブ（Ｎｂ）等か
ら選択された元素又はこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成す
る。または、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶珪素に代表される半導体材料に
より形成する。第１の導電膜と第２の導電膜の組み合わせの例を挙げると、窒化タンタル
膜とタングステン膜、窒化タングステン膜とタングステン膜、窒化モリブデン膜とモリブ
デン膜等が挙げられる。タングステンや窒化タンタルは、耐熱性が高いため、第１の導電
膜と第２の導電膜を形成した後に、熱活性化を目的とした加熱処理を行うことができる。
また、２層構造ではなく、３層構造の場合は、モリブデン膜とアルミニウム膜とモリブデ
ン膜の積層構造を採用するとよい。

次に、フォトリソグラフィ法を用いてレジストからなるマスクを形成し、ゲート電極とゲ
ート線を形成するためのエッチング処理を行って、半導体膜１３０５ａ〜１３０５ｆの上
方にゲート電極１３０７を形成する。ここでは、ゲート電極１３０７として、第１の導電
膜１３０７ａと第２の導電膜１３０７ｂの積層構造で設けた例を示している。

次に、ゲート電極１３０７をマスクとして半導体膜１３０５ａ〜１３０５ｆに、イオンド
ープ法またはイオン注入法により、ｎ型を付与する不純物元素を低濃度に添加し、その後
、フォトリソグラフィ法によりレジストからなるマスクを選択的に形成して、ｐ型を付与
する不純物元素を高濃度に添加する。ｎ型を示す不純物元素としては、リン（Ｐ）やヒ素
（Ａｓ）等を用いることができる。ｐ型を示す不純物元素としては、ボロン（Ｂ）やアル
ミニウム（Ａｌ）やガリウム（Ｇａ）等を用いることができる。ここでは、ｎ型を付与す
る不純物元素としてリン（Ｐ）を用い、１×１０^１５〜１×１０^１９／ｃｍ^３の濃度で含
まれるように半導体膜１３０５ａ〜１３０５ｆに選択的に導入し、ｎ型を示す不純物領域
１３０８を形成する。また、ｐ型を付与する不純物元素としてボロン（Ｂ）を用い、１×
１０^１９〜１×１０^２０／ｃｍ^３の濃度で含まれるように選択的に半導体膜１３０５ｃ、
１３０５ｅに導入し、ｐ型を示す不純物領域１３０９を形成する（図１７（Ｃ）参照）。

続いて、ゲート絶縁膜１３０６とゲート電極１３０７を覆うように、絶縁膜を形成する。
絶縁膜は、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等により、珪素、珪素の酸化物又は珪素
の窒化物の無機材料を含む膜や、有機樹脂などの有機材料を含む膜を、単層又は積層して
形成する。次に、絶縁膜を、垂直方向を主体とした異方性エッチングにより選択的にエッ
チングして、ゲート電極１３０７の側面に接する絶縁膜１３１０（サイドウォールともよ
ばれる）を形成する。絶縁膜１３１０は、ＬＤＤ（ＬｉｇｈｔｌｙＤｏｐｅｄｄｒａ
ｉｎ）領域を形成する際のドーピング用のマスクとして用いる。

続いて、フォトリソグラフィ法により形成したレジストからなるマスクと、ゲート電極１
３０７および絶縁膜１３１０をマスクとして用いて、半導体膜１３０５ａ、１３０５ｂ、
１３０５ｄ、１３０５ｆにｎ型を付与する不純物元素を高濃度に添加して、ｎ型を示す不
純物領域１３１１を形成する。ここでは、ｎ型を付与する不純物元素としてリン（Ｐ）を
用い、１×１０^１９〜１×１０^２０／ｃｍ^３の濃度で含まれるように半導体膜１３０５ａ
、１３０５ｂ、１３０５ｄ、１３０５ｆに選択的に導入し、不純物領域１３０８より高濃
度のｎ型を示す不純物領域１３１１を形成する。

以上の工程により、ｎチャネル型薄膜トランジスタ１３００ａ、１３００ｂ、１３００ｄ
、１３００ｆとｐチャネル型薄膜トランジスタ１３００ｃ、１３００ｅが形成される（図
１７（Ｄ）参照）。

ｎチャネル型薄膜トランジスタ１３００ａは、ゲート電極１３０７と重なる半導体膜１３
０５ａの領域にチャネル形成領域が形成され、ゲート電極１３０７及び絶縁膜１３１０と
重ならない領域にソース領域又はドレイン領域を形成する不純物領域１３１１が形成され
、絶縁膜１３１０と重なる領域であってチャネル形成領域と不純物領域１３１１の間に低
濃度不純物領域（ＬＤＤ領域）が形成されている。また、ｎチャネル型薄膜トランジスタ
１３００ｂ、１３００ｄ、１３００ｆも同様にチャネル形成領域、低濃度不純物領域及び
不純物領域１３１１が形成されている。

ｐチャネル型薄膜トランジスタ１３００ｃは、ゲート電極１３０７と重なる半導体膜１３
０５ｃの領域にチャネル形成領域が形成され、ゲート電極１３０７と重ならない領域にソ
ース領域又はドレイン領域を形成する不純物領域１３０９が形成されている。また、ｐチ
ャネル型薄膜トランジスタ１３００ｅも同様にチャネル形成領域及び不純物領域１３０９
が形成されている。なお、ここでは、ｐチャネル型薄膜トランジスタ１３００ｃ、１３０
０ｅには、ＬＤＤ領域を設けていないが、ｐチャネル型薄膜トランジスタにＬＤＤ領域を
設けてもよいし、ｎチャネル型薄膜トランジスタにＬＤＤ領域を設けない構成としてもよ
い。

次に、半導体膜１３０５ａ〜１３０５ｆ、ゲート電極１３０７等を覆うように、絶縁膜を
単層または積層して形成し、当該絶縁膜上に薄膜トランジスタ１３００ａ〜１３００ｆの
ソース領域又はドレイン領域を形成する不純物領域１３０９、１３１１と電気的に接続す
る導電膜１３１３を形成する（図１８（Ａ）参照）。絶縁膜は、ＣＶＤ法、スパッタ法、
ＳＯＧ法、液滴吐出法、スクリーン印刷法等により、珪素の酸化物や珪素の窒化物等の無
機材料、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、アクリル、エポキシ等の有機材
料やシロキサン材料等により、単層または積層で形成する。ここでは、当該絶縁膜を２層
で設け、１層目の絶縁膜１３１２ａとして窒化酸化珪素膜で形成し、２層目の絶縁膜１３
１２ｂとして酸化窒化珪素膜で形成する。また、導電膜１３１３は、薄膜トランジスタ１
３００ａ〜１３００ｆのソース電極又はドレイン電極を形成しうる。

なお、絶縁膜１３１２ａ、１３１２ｂを形成する前、または絶縁膜１３１２ａ、１３１２
ｂのうちの１つまたは複数の薄膜を形成した後に、半導体膜の結晶性の回復や半導体膜に
添加された不純物元素の活性化、半導体膜の水素化を目的とした加熱処理を行うとよい。
加熱処理には、熱アニール、レーザーアニール法またはＲＴＡ法などを適用するとよい。

導電膜１３１３は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等により、アルミニウム（Ａｌ）、タン
グステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（
Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、マンガン（Ｍｎ）、ネオ
ジム（Ｎｄ）、炭素（Ｃ）、シリコン（Ｓｉ）から選択された元素、又はこれらの元素を
主成分とする合金材料若しくは化合物材料で、単層又は積層で形成する。アルミニウムを
主成分とする合金材料とは、例えば、アルミニウムを主成分としニッケルを含む材料、又
は、アルミニウムを主成分とし、ニッケルと、炭素と珪素の一方又は両方とを含む合金材
料に相当する。導電膜１３１３は、例えば、バリア膜とアルミニウムシリコン（Ａｌ−Ｓ
ｉ）膜とバリア膜の積層構造、バリア膜とアルミニウムシリコン（Ａｌ−Ｓｉ）膜と窒化
チタン膜とバリア膜の積層構造を採用するとよい。なお、バリア膜とは、チタン、チタン
の窒化物、モリブデン、又はモリブデンの窒化物からなる薄膜に相当する。アルミニウム
やアルミニウムシリコンは抵抗値が低く、安価であるため、導電膜１３１３を形成する材
料として最適である。また、上層と下層のバリア層を設けると、アルミニウムやアルミニ
ウムシリコンのヒロックの発生を防止することができる。また、還元性の高い元素である
チタンからなるバリア膜を形成すると、結晶質半導体膜上に薄い自然酸化膜ができていた
としても、この自然酸化膜を還元し、結晶質半導体膜と良好なコンタクトをとることがで
きる。

次に、導電膜１３１３を覆うように、絶縁膜１３１４を形成し、当該絶縁膜１３１４上に
、薄膜トランジスタ１３００ａ、１３００ｆのソース電極又はドレイン電極を形成する導
電膜１３１３とそれぞれ電気的に接続する導電膜１３１５ａ、１３１５ｂを形成する。ま
た、薄膜トランジスタ１３００ｂ、１３００ｅのソース電極又はドレイン電極を形成する
導電膜１３１３とそれぞれ電気的に接続する導電膜１３１６を形成する。なお、導電膜１
３１５ａ、１３１５ｂと導電膜１３１６は同一の材料で同時に形成してもよい。導電膜１
３１５ａ、１３１５ｂと導電膜１３１６は、上述した導電膜１３１３で示したいずれかの
材料を用いて形成することができる。

続いて、導電膜１３１６にアンテナとして機能する導電膜１３１７が電気的に接続される
ように形成する（図１８（Ｂ）参照）。

絶縁膜１３１４は、ＣＶＤ法やスパッタ法等により、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（
ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ＞０）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯ
ｙ）（ｘ＞ｙ＞０）等の酸素または窒素を有する絶縁膜やＤＬＣ（ダイヤモンドライクカ
ーボン）等の炭素を含む膜、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノール
、ベンゾシクロブテン、アクリル等の有機材料またはシロキサン樹脂等のシロキサン材料
からなる単層または積層構造で設けることができる。なお、シロキサン材料とは、Ｓｉ−
Ｏ−Ｓｉ結合を含む材料に相当する。シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との
結合で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアル
キル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いることもでき
る。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい
。

導電膜１３１７は、ＣＶＤ法、スパッタリング法、スクリーン印刷やグラビア印刷等の印
刷法、液滴吐出法、ディスペンサ法、メッキ法等を用いて、導電性材料により形成する。
導電性材料は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（
Ａｕ）、白金（Ｐｔ）ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリ
ブデン（Ｍｏ）から選択された元素、又はこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは
化合物材料で、単層構造又は積層構造で形成する。

例えば、スクリーン印刷法を用いてアンテナとして機能する導電膜１３１７を形成する場
合には、粒径が数ｎｍから数十μｍの導電体粒子を有機樹脂に溶解または分散させた導電
性のペーストを選択的に印刷することによって設けることができる。導電体粒子としては
、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム
（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）およびチタン（Ｔｉ）等のいずれか一
つ以上の金属粒子やハロゲン化銀の微粒子、または分散性ナノ粒子を用いることができる
。また、導電性ペーストに含まれる有機樹脂は、金属粒子のバインダー、溶媒、分散剤お
よび被覆材として機能する有機樹脂から選ばれた一つまたは複数を用いることができる。
代表的には、エポキシ樹脂、珪素樹脂等の有機樹脂が挙げられる。また、導電膜の形成に
あたり、導電性のペーストを押し出した後に焼成することが好ましい。例えば、導電性の
ペーストの材料として、銀を主成分とする微粒子（例えば粒径１ｎｍ以上１００ｎｍ以下
）を用いる場合、１５０〜３００℃の温度範囲で焼成することにより硬化させて導電膜を
得ることができる。また、はんだや鉛フリーのはんだを主成分とする微粒子を用いてもよ
く、この場合は粒径２０μｍ以下の微粒子を用いることが好ましい。はんだや鉛フリーの
はんだは、低コストであるといった利点を有している。

また、導電膜１３１５ａ、１３１５ｂは、後の工程において本発明の電波強度測定装置に
含まれる二次電池と電気的に接続される配線として機能しうる。また、アンテナとして機
能する導電膜１３１７を形成する際に、導電膜１３１５ａ、１３１５ｂに電気的に接続す
るように別途導電膜を形成し、当該導電膜を二次電池に接続する配線として利用してもよ
い。

次に、導電膜１３１７を覆うように絶縁膜１３１８を形成した後、薄膜トランジスタ１３
００ａ〜１３００ｆ、導電膜１３１７等を含む層（以下、「素子形成層１３１９」と記す
）を基板１３０１から剥離する。ここでは、レーザー光（例えばＵＶ光）を照射すること
によって、薄膜トランジスタ１３００ａ〜１３００ｆを避けた領域に開口部を形成後（図
１８（Ｃ）参照）、物理的な力を用いて基板１３０１から素子形成層１３１９を剥離する
ことができる。また、基板１３０１から素子形成層１３１９を剥離する前に、形成した開
口部にエッチング剤を導入して、剥離層１３０３を選択的に除去してもよい。エッチング
剤は、フッ化ハロゲンまたはハロゲン間化合物を含む気体又は液体を使用する。例えば、
フッ化ハロゲンを含む気体として三フッ化塩素（ＣｌＦ_３）を使用する。そうすると、素
子形成層１３１９は、基板１３０１から剥離された状態となる。なお、剥離層１３０３は
、全て除去せず一部分を残存させてもよい。こうすることによって、エッチング剤の消費
量を抑え剥離層の除去に要する処理時間を短縮することが可能となる。また、剥離層１３
０３の除去を行った後にも、基板１３０１上に素子形成層１３１９を保持しておくことが
可能となる。また、素子形成層１３１９が剥離された基板１３０１を再利用することによ
って、コストの削減をすることができる。

絶縁膜１３１８は、ＣＶＤ法やスパッタ法等により、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（
ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ＞０）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯ
ｙ）（ｘ＞ｙ＞０）等の酸素または窒素を有する絶縁膜やＤＬＣ（ダイヤモンドライクカ
ーボン）等の炭素を含む膜、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノール
、ベンゾシクロブテン、アクリル等の有機材料またはシロキサン樹脂等のシロキサン材料
からなる単層または積層構造で設けることができる。

本実施例では、レーザー光の照射により素子形成層１３１９に開口部を形成した後に、当
該素子形成層１３１９の一方の面（絶縁膜１３１８の露出した面）に第１のシート材１３
２０を貼り合わせた後、基板１３０１から素子形成層１３１９を剥離する（図１９（Ａ）
参照）。

次に、素子形成層１３１９の他方の面（剥離により露出した面）に、第２のシート材１３
２１を貼り合わせた後、加熱処理と加圧処理の一方又は両方を行って第２のシート材１３
２１を貼り合わせる（図１９（Ｂ）参照）。第１のシート材１３２０、第２のシート材１
３２１として、ホットメルトフィルム等を用いることができる。

また、第１のシート材１３２０、第２のシート材１３２１として、静電気等を防止する帯
電防止対策を施したフィルム（以下、帯電防止フィルムと記す）を用いることもできる。
帯電防止フィルムとしては、帯電防止可能な材料を樹脂中に分散させたフィルム、及び帯
電防止可能な材料が貼り付けられたフィルム等が挙げられる。帯電防止可能な材料が設け
られたフィルムは、片面に帯電防止可能な材料を設けたフィルムであってもよいし、両面
に帯電防止可能な材料を設けたフィルムであってもよい。さらに、片面に帯電防止可能な
材料が設けられたフィルムは、帯電防止可能な材料が設けられた面をフィルムの内側にな
るように層に貼り付けてもよいし、フィルムの外側になるように貼り付けてもよい。なお
、帯電防止可能な材料はフィルムの全面、あるいは一部に設けてあればよい。ここでの帯
電防止可能な材料としては、金属、インジウムと錫の酸化物（ＩＴＯ）、両性界面活性剤
や陽イオン性界面活性剤や非イオン性界面活性剤等の界面活性剤用いることができる。ま
た、他にも帯電防止材料として、側鎖にカルボキシル基および４級アンモニウム塩基をも
つ架橋性共重合体高分子を含む樹脂材料等を用いることができる。これらの材料をフィル
ムに貼り付けたり、練り込んだり、塗布することによって帯電防止フィルムとすることが
できる。帯電防止フィルムで封止を行うことによって、商品として取り扱う際に、外部か
らの静電気等によって半導体素子に悪影響が及ぶことを抑制することができる。

なお、バッテリーは、薄膜の二次電池を導電膜１３１５ａ、１３１５ｂに接続して形成さ
れるが、二次電池との接続は、基板１３０１から素子形成層１３１９を剥離する前（図１
８（Ｂ）又は図１８（Ｃ）の段階）に行ってもよいし、基板１３０１から素子形成層１３
１９を剥離した後（図１９（Ａ）の段階）に行ってもよいし、素子形成層１３１９を第１
のシート材及び第２のシート材で封止した後（図１９（Ｂ）の段階）に行ってもよい。以
下に、素子形成層１３１９と二次電池を接続して形成する一例を図２０、図２１を用いて
説明する。

図１８（Ｂ）において、アンテナとして機能する導電膜１３１７と同時に導電膜１３１５
ａ、１３１５ｂにそれぞれ電気的に接続する導電膜１３３１ａ、１３３１ｂを形成する。
続けて、導電膜１３１７、導電膜１３３１ａ、１３３１ｂを覆うように絶縁膜１３１８を
形成した後、導電膜１３３１ａ、１３３１ｂの表面が露出するように開口部１３３２ａ、
１３３２ｂを形成する。その後、レーザー光の照射により素子形成層１３１９に開口部を
形成した後に、当該素子形成層１３１９の一方の面（絶縁膜１３１８の露出した面）に第
１のシート材１３２０を貼り合わせた後、基板１３０１から素子形成層１３１９を剥離す
る（図２０（Ａ）参照）。

次に、素子形成層１３１９の他方の面（剥離により露出した面）に、第２のシート材１３
２１を貼り合わせた後、素子形成層１３１９を第１のシート材１３２０から剥離する。従
って、ここでは第１のシート材１３２０として粘着力が弱いものを用いる。続けて、開口
部１３３２ａ、１３３２ｂを介して導電膜１３３１ａ、１３３１ｂとそれぞれ電気的に接
続する導電膜１３３４ａ、１３３４ｂを選択的に形成する（図２０（Ｂ）参照）。

導電膜１３３４ａ、導電膜１３３４ｂは、ＣＶＤ法、スパッタリング法、スクリーン印刷
やグラビア印刷等の印刷法、液滴吐出法、ディスペンサ法、メッキ法等を用いて、導電性
材料により形成する。導電膜１３３４ａ、導電膜１３３４ｂは、アルミニウム（Ａｌ）、
チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）ニッケル（Ｎｉ）
、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）から選択された元素、又
はこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で、単層構造又は積層構造で
形成する。

なお、ここでは、基板１３０１から素子形成層１３１９を剥離した後に導電膜１３３４ａ
、１３３４ｂを形成する例を示しているが、導電膜１３３４ａ、１３３４ｂを形成した後
に基板１３０１から素子形成層１３１９の剥離を行ってもよい。

次に、基板上に複数の素子を形成している場合には、素子形成層１３１９を素子ごとに分
断する（図２１（Ａ）参照）。分断は、レーザー照射装置、ダイシング装置、スクライブ
装置等を用いることができる。ここでは、レーザー光を照射することによって１枚の基板
に形成された複数の素子を各々分断する。

次に、分断された素子を二次電池と電気的に接続する（図２１（Ｂ）参照）。本実施例に
おいては、バッテリーとしては薄膜の二次電池が用いられ、集電体薄膜、負極活物質層、
固体電解質層、正極活物質層、集電体薄膜の薄膜層が順次積層される。

導電膜１３３６ａ、導電膜１３３６ｂは、ＣＶＤ法、スパッタリング法、スクリーン印刷
やグラビア印刷等の印刷法、液滴吐出法、ディスペンサ法、メッキ法等を用いて、導電性
材料により形成する。導電膜１３３６ａ、導電膜１３３６ｂは、アルミニウム（Ａｌ）、
チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）ニッケル（Ｎｉ）
、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）から選択された元素、又
はこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で、単層構造又は積層構造で
形成する。導電性材料としては、負極活物質と密着性がよく、抵抗が小さいことが求めら
れ、特にアルミニウム、銅、ニッケル、バナジウムなどが好適である。

薄膜の二次電池の構成について次いで詳述すると、導電膜１３３６ａ上に負極活物質層１
３８１を成膜する。一般には酸化バナジウム（Ｖ_２Ｏ_５）などが用いられる。次に負極活
物質層１３８１上に固体電解質層１３８２を成膜する。一般にはリン酸リチウム（Ｌｉ_３
ＰＯ_４）などが用いられる。次に固体電解質層１３８２上に正極活物質層１３８３を成膜
する。一般にはマンガン酸リチウム（ＬｉＭｎ_２Ｏ_４）などが用いられる。コバルト酸リ
チウム（ＬｉＣｏＯ_２）やニッケル酸リチウム（ＬｉＮｉＯ_２）を用いても良い。次に正
極活物質層１３８３上に電極となる集電体薄膜１３８４を成膜する。集電体薄膜１３８４
は正極活物質層１３８３と密着性がよく、抵抗が小さいことが求められ、アルミニウム、
銅、ニッケル、バナジウムなどを用いることができる。

上述の負極活物質層１３８１、固体電解質層１３８２、正極活物質層１３８３、集電体薄
膜１３８４の各薄膜層はスパッタ技術を用いて形成しても良いし、蒸着技術を用いても良
い。それぞれの層の厚さは０．１μｍ〜３μｍが望ましい。

次に樹脂を塗布し、層間膜１３８５を形成する。そしてその層間膜をエッチングしコンタ
クトホールを形成する。層間膜は樹脂には限定せず、ＣＶＤ酸化膜など他の膜であっても
良いが、平坦性の観点から樹脂であることが望ましい。また、感光性樹脂を用いて、エッ
チングを用いずにコンタクトホールを形成しても良い。次に層間膜上に配線層１３８６を
形成し、導電膜１３３６ｂと接続することにより、二次電池の電気接続を確保する。

ここでは、素子形成層１３１９に設けられた導電膜１３３４ａ、１３３４ｂと予め別に形
成した薄膜の二次電池１３８９の接続端子となる導電膜１３３６ａ、１３３６ｂとをそれ
ぞれ接続する。ここで、導電膜１３３４ａと導電膜１３３６ａとの接続、又は導電膜１３
３４ｂと導電膜１３３６ｂとの接続は、異方導電性フィルム（ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏ
ｐｉｃＣｏｎｄｕｃｔｉｖｅＦｉｌｍ））や異方導電性ペースト（ＡＣＰ（Ａｎｉｓ
ｏｔｒｏｐｉｃＣｏｎｄｕｃｔｉｖｅＰａｓｔｅ））等の接着性を有する材料を介し
て圧着させることにより電気的に接続する場合を示している。ここでは、接着性を有する
樹脂１３３７に含まれる導電性粒子１３３８を用いて接続する例を示している。また、他
にも、銀ペースト、銅ペーストまたはカーボンペースト等の導電性接着剤や半田接合等を
用いて接続を行うことも可能である。

なお、トランジスタの構成は、様々な形態をとることができる。本実施例で示した特定の
構成に限定されない。例えば、ゲート電極が２個以上になっているマルチゲート構造を用
いてもよい。マルチゲート構造にすると、チャネル領域が直列に接続されるような構成と
なるため、複数のトランジスタが直列に接続されたような構成となる。マルチゲート構造
にすることにより、オフ電流を低減し、トランジスタの耐圧を向上させて信頼性を良くし
、飽和領域で動作する時に、ドレインとソース間電圧が変化しても、ドレインとソース間
電流があまり変化せず、フラットな特性にすることなどができる。また、チャネルの上下
にゲート電極が配置されている構造でもよい。チャネルの上下にゲート電極が配置されて
いる構造にすることにより、チャネル領域が増えるため、電流値を大きくし、空乏層がで
きやすくなってＳ値をよくすることができる。チャネルの上下にゲート電極が配置される
と、複数のトランジスタが並列に接続されたような構成となる。

また、チャネルの上にゲート電極が配置されている構造でもよいし、チャネルの下にゲー
ト電極が配置されている構造でもよいし、正スタガ構造であってもよいし、逆スタガ構造
でもよいし、チャネル領域が複数の領域に分かれていてもよいし、複数のチャネル領域が
並列または直列に接続されていてもよい。また、チャネル（もしくはその一部）にソース
電極やドレイン電極が重なっていてもよい。チャネル（もしくはその一部）にソース電極
やドレイン電極が重なっている構造にすることにより、チャネルの一部に電荷がたまって
、動作が不安定になることを防ぐことができる。また、ＬＤＤ領域があってもよい。ＬＤ
Ｄ領域を設けることにより、オフ電流を低減し、トランジスタの耐圧を向上させて信頼性
を良くし、飽和領域で動作する時に、ドレイン・ソース間電圧が変化しても、ドレイン・
ソース間電流があまり変化せず、フラットな特性にすることができる。

なお、本実施例の電波強度測定装置の作製方法は、本明細書に記載した他の実施例の電波
強度測定装置に適用することができる。

本実施例では、上記実施の形態で示した電波強度測定装置の作製方法の一例に関して、図
面を参照して説明する。本実施例においては、電波強度測定装置におけるアンテナと信号
処理回路を同一基板上に設ける構成について説明する。なお、同一基板上に一度にアンテ
ナ、信号処理回路を単結晶基板にチャネル形成領域が形成されたトランジスタを用いて形
成する。単結晶基板に形成されたトランジスタとすることで、トランジスタ特性のばらつ
きが少ないトランジスタで電波強度測定装置を構成することができるため好適である。ま
た、信号処理回路におけるバッテリーとしては上記実施例１で説明した薄膜二次電池を用
いた例について説明する。

まず、半導体基板２３００に素子を分離した領域２３０４、２３０６（以下、領域２３０
４、２３０６とも記す）を形成する（図２２（Ａ）参照）。半導体基板２３００に設けら
れた領域２３０４、２３０６は、それぞれ絶縁膜２３０２（フィールド酸化膜ともいう）
によって分離されている。また、ここでは、半導体基板２３００としてｎ型の導電型を有
する単結晶Ｓｉ基板を用い、半導体基板２３００の領域２３０６にｐウェル２３０７を設
けた例を示している。

また、半導体基板２３００は、半導体基板であれば特に限定されず用いることができる。
例えば、ｎ型又はｐ型の導電型を有する単結晶Ｓｉ基板、化合物半導体基板（ＧａＡｓ基
板、ＩｎＰ基板、ＧａＮ基板、ＳｉＣ基板、サファイア基板、ＺｎＳｅ基板等）、貼り合
わせ法またはＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩｍｐｌａｎｔｅｄＯｘｙｇ
ｅｎ）法を用いて作製されたＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎｏｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）基板
等を用いることができる。

素子分離領域２３０４、２３０６は、選択酸化法（ＬＯＣＯＳ（ＬｏｃａｌＯｘｉｄａ
ｔｉｏｎｏｆＳｉｌｉｃｏｎ）法）又はトレンチ分離法等を適宜用いることができる
。

また、半導体基板２３００の領域２３０６に形成されたｐウェルは、半導体基板２３００
にｐ型の導電型を有する不純物元素を選択的に導入することによって形成することができ
る。ｐ型を示す不純物元素としては、ボロン（Ｂ）やアルミニウム（Ａｌ）やガリウム（
Ｇａ）等を用いることができる。

なお、本実施例では、半導体基板２３００としてｎ型の導電型を有する半導体基板を用い
ているため、領域２３０４には不純物元素の導入を行っていないが、ｎ型を示す不純物元
素を導入することにより領域２３０４にｎウェルを形成してもよい。ｎ型を示す不純物元
素としては、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）等を用いることができる。一方、ｐ型の導電型を
有する半導体基板を用いる場合には、領域２３０４にｎ型を示す不純物元素を導入してｎ
ウェルを形成し、領域２３０６には不純物元素の導入を行わない構成としてもよい。

次に、領域２３０４、２３０６を覆うように絶縁膜２３３２、２３３４をそれぞれ形成す
る（図２２（Ｂ）参照）。

絶縁膜２３３２、２３３４は、例えば、熱処理を行い半導体基板２３００に設けられた領
域２３０４、２３０６の表面を酸化させることにより酸化珪素膜で絶縁膜２３３２、２３
３４を形成することができる。また、熱酸化法により酸化珪素膜を形成した後に、窒化処
理を行うことによって酸化珪素膜の表面を窒化させることにより、酸化珪素膜と酸素と窒
素を有する膜（酸窒化珪素膜）との積層構造で形成してもよい。

他にも、上述したように、プラズマ処理を用いて絶縁膜２３３２、２３３４を形成しても
よい。例えば、半導体基板２３００に設けられた領域２３０４、２３０６の表面に高密度
プラズマ処理により酸化処理又は窒化処理を行うことにより、絶縁膜２３３２、２３３４
として酸化珪素（ＳｉＯｘ）膜又は窒化珪素（ＳｉＮｘ）膜で形成することができる。ま
た、高密度プラズマ処理により領域２３０４、２３０６の表面に酸化処理を行った後に、
再度高密度プラズマ処理を行うことによって窒化処理を行ってもよい。この場合、領域２
３０４、２３０６の表面に接して酸化珪素膜が形成され、当該酸化珪素膜上に酸窒化珪素
膜が形成され、絶縁膜２３３２、２３３４は酸化珪素膜と酸窒化珪素膜とが積層された膜
となる。また、熱酸化法により領域２３０４、２３０６の表面に酸化珪素膜を形成した後
に高密度プラズマ処理により酸化処理又は窒化処理を行ってもよい。

また、半導体基板２３００の領域２３０４、２３０６に形成された絶縁膜２３３２、２３
３４は、後に完成するトランジスタにおいてゲート絶縁膜として機能する。

次に、領域２３０４、２３０６の上方に形成された絶縁膜２３３２、２３３４を覆うよう
に導電膜を形成する（図２２（Ｃ）参照）。ここでは、導電膜として、導電膜２３３６と
導電膜２３３８を順に積層して形成した例を示している。もちろん、導電膜は、単層又は
３層以上の積層構造で形成してもよい。

導電膜２３３６、２３３８としては、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（
Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、ニ
オブ（Ｎｂ）等から選択された元素またはこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは
化合物材料で形成することができる。また、これらの元素を窒化した金属窒化膜で形成す
ることもできる。他にも、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶珪素に代表される
半導体材料により形成することもできる。

ここでは、導電膜２３３６として窒化タンタルを用いて形成し、その上に導電膜２３３８
としてタングステンを用いて積層構造で設ける。また、他にも、導電膜２３３６として、
窒化タングステン、窒化モリブデン又は窒化チタンから選ばれた単層又は積層膜を用い、
導電膜２３３８として、タンタル、モリブデン、チタンから選ばれた単層又は積層膜を用
いることができる。

次に、積層して設けられた導電膜２３３６、２３３８を選択的にエッチングして除去する
ことによって、領域２３０４、２３０６の上方の一部に導電膜２３３６、２３３８を残存
させ、それぞれゲート電極２３４０、２３４２を形成する（図２３（Ａ）参照）。

次に、領域２３０４を覆うようにレジストマスク２３４８を選択的に形成し、当該レジス
トマスク２３４８、ゲート電極２３４２をマスクとして領域２３０６に不純物元素を導入
することによって不純物領域を形成する（図２３（Ｂ）参照）。不純物元素としては、ｎ
型を付与する不純物元素又はｐ型を付与する不純物元素を用いる。ｎ型を示す不純物元素
としては、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）等を用いることができる。ｐ型を示す不純物元素と
しては、ボロン（Ｂ）やアルミニウム（Ａｌ）やガリウム（Ｇａ）等を用いることができ
る。ここでは、不純物元素として、リン（Ｐ）を用いる。

図２３（Ｂ）においては、不純物元素を導入することによって、領域２３０６にソース領
域又はドレイン領域を形成する不純物領域２３５２とチャネル形成領域２３５０が形成さ
れる。

次に、領域２３０６を覆うようにレジストマスク２３６６を選択的に形成し、当該レジス
トマスク２３６６、ゲート電極２３４０をマスクとして領域２３０４に不純物元素を導入
することによって不純物領域を形成する（図２３（Ｃ）参照）。不純物元素としては、ｎ
型を付与する不純物元素又はｐ型を付与する不純物元素を用いる。ｎ型を示す不純物元素
としては、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）等を用いることができる。ｐ型を示す不純物元素と
しては、ボロン（Ｂ）やアルミニウム（Ａｌ）やガリウム（Ｇａ）等を用いることができ
る。ここでは、図２３（Ｂ）で領域２３０６に導入した不純物元素と異なる導電型を有す
る不純物元素（例えば、ボロン（Ｂ））を導入する。その結果、領域２３０４にソース領
域又はドレイン領域を形成する不純物領域２３７０とチャネル形成領域２３６８を形成さ
れる。

次に、絶縁膜２３３２、２３３４、ゲート電極２３４０、２３４２を覆うように第２の絶
縁膜２３７２を形成し、当該第２の絶縁膜２３７２上に領域２３０４、２３０６にそれぞ
れ形成された不純物領域２３５２、２３７０と電気的に接続する配線２３７４を形成する
（図２４（Ａ）参照）。

第２の絶縁膜２３７２は、ＣＶＤ法やスパッタ法等により、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化
珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ＞０）、窒化酸化珪素（Ｓｉ
ＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ＞０）等の酸素または窒素を有する絶縁膜やＤＬＣ（ダイヤモンドラ
イクカーボン）等の炭素を含む膜、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェ
ノール、ベンゾシクロブテン、アクリル等の有機材料またはシロキサン樹脂等のシロキサ
ン材料からなる単層または積層構造で設けることができる。なお、シロキサン材料とは、
Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む材料に相当する。シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ
）との結合で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例え
ばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いること
もできる。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いて
もよい。

配線２３７４は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等により、アルミニウム（Ａｌ）、タング
ステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎ
ｉ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、マンガン（Ｍｎ）、ネオジ
ム（Ｎｄ）、炭素（Ｃ）、シリコン（Ｓｉ）から選択された元素、又はこれらの元素を主
成分とする合金材料若しくは化合物材料で、単層又は積層で形成する。アルミニウムを主
成分とする合金材料とは、例えば、アルミニウムを主成分としニッケルを含む材料、又は
、アルミニウムを主成分とし、ニッケルと、炭素と珪素の一方又は両方とを含む合金材料
に相当する。配線２３７４は、例えば、バリア膜とアルミニウムシリコン（Ａｌ−Ｓｉ）
膜とバリア膜の積層構造、バリア膜とアルミニウムシリコン（Ａｌ−Ｓｉ）膜と窒化チタ
ン膜とバリア膜の積層構造を採用するとよい。なお、バリア膜とは、チタン、チタンの窒
化物、モリブデン、又はモリブデンの窒化物からなる薄膜に相当する。アルミニウムやア
ルミニウムシリコンは抵抗値が低く、安価であるため、配線２３７４を形成する材料とし
て最適である。また、上層と下層のバリア層を設けると、アルミニウムやアルミニウムシ
リコンのヒロックの発生を防止することができる。また、還元性の高い元素であるチタン
からなるバリア膜を形成すると、結晶質半導体膜上に薄い自然酸化膜ができていたとして
も、この自然酸化膜を還元し、結晶質半導体膜と良好なコンタクトをとることができる。

なお本発明のトランジスタを構成するトランジスタの構造は図示した構造に限定されるも
のではないことを付記する。例えば、逆スタガ構造、フィンＦＥＴ構造等の構造のトラン
ジスタの構造を取り得る。フィンＦＥＴ構造であることでトランジスタサイズの微細化に
伴う短チャネル効果を抑制することができるため好適である。

また本発明の電波強度測定装置においては、信号処理回路に電力を蓄積できるバッテリー
を具備することを特徴とする。バッテリーとしては、電気二重層コンデンサー等のコンデ
ンサーや薄膜の二次電池を用いることが好ましい。そこで本実施例においては、本実施例
において作製したトランジスタにおいて、薄膜の二次電池との接続について説明する。

本実施例において二次電池は、トランジスタに接続された配線２３７４上に積層して形成
される。二次電池は、集電体薄膜、負極活物質層、固体電解質層、正極活物質層、集電体
薄膜の薄膜層が順次積層される（図２４（Ｂ））。そのため、二次電池の集電体薄膜と兼
用される配線２３７４の材料は、負極活物質と密着性がよく、抵抗が小さいことが求めら
れ、特にアルミニウム、銅、ニッケル、バナジウムなどが好適である。

薄膜二次電池の構成について次いで詳述すると、配線２３７４上に負極活物質層２３９１
を成膜する。一般には酸化バナジウム（Ｖ_２Ｏ_５）などが用いられる。次に負極活物質層
２３９１上に固体電解質層２３９２を成膜する。一般にはリン酸リチウム（Ｌｉ_３ＰＯ_４
）などが用いられる。次に固体電解質層２３９２上に正極活物質層２３９３を成膜する。
一般にはマンガン酸リチウム（ＬｉＭｎ_２Ｏ_４）などが用いられる。コバルト酸リチウム
（ＬｉＣｏＯ_２）やニッケル酸リチウム（ＬｉＮｉＯ_２）を用いても良い。次に正極活物
質層２３９３上に電極となる集電体薄膜２３９４を成膜する。集電体薄膜２３９４は正極
活物質層２３９３と密着性がよく、抵抗が小さいことが求められ、アルミニウム、銅、ニ
ッケル、バナジウムなどを用いることができる。

上述の負極活物質層２３９１、固体電解質層２３９２、正極活物質層２３９３、集電体薄
膜２３９４の各薄膜層はスパッタ技術を用いて形成しても良いし、蒸着技術を用いても良
い。また、それぞれの層の厚さは０．１μｍ〜３μｍが望ましい。

次に樹脂を塗布し、層間膜２３９６を形成する。そして層間膜２３９６をエッチングしコ
ンタクトホールを形成する。層間膜は樹脂には限定せず、ＣＶＤ酸化膜など他の膜であっ
ても良いが、平坦性の観点から樹脂であることが望ましい。また、感光性樹脂を用いて、
エッチングを用いずにコンタクトホールを形成しても良い。次に層間膜２３９６上に配線
層２３９５を形成し、配線２３９７と接続することにより、二次電池の電気接続を確保す
る。

以上のような構成にすることにより、本発明の電波強度測定装置においては、単結晶基板
上にトランジスタを形成し、その上に薄膜二次電池を有する構成を取り得る。故に本発明
の電波強度測定装置においては、極薄化、小型化を達成した柔軟性を達成することができ
る。

なお、本実施例の電波強度測定装置の作製方法は、本明細書に記載した他の実施の形態の
電波強度測定装置に適用することができる。

本実施例では、上記実施例２と異なる電波強度測定装置の作製方法の一例に関して、図面
を参照して説明する。

まず、基板２６００上に絶縁膜を形成する。ここでは、ｎ型の導電型を有する単結晶Ｓｉ
を基板２６００として用い、当該基板２６００上に絶縁膜２６０２と絶縁膜２６０４を形
成する（図２５（Ａ）参照）。例えば、基板２６００に熱処理を行うことにより絶縁膜２
６０２として酸化珪素（ＳｉＯｘ）を形成し、当該絶縁膜２６０２上にＣＶＤ法を用いて
窒化珪素（ＳｉＮｘ）を成膜する。

また、基板２６００は、半導体基板であれば特に限定されず用いることができる。例えば
、ｎ型又はｐ型の導電型を有する単結晶Ｓｉ基板、化合物半導体基板（ＧａＡｓ基板、Ｉ
ｎＰ基板、ＧａＮ基板、ＳｉＣ基板、サファイア基板、ＺｎＳｅ基板等）、貼り合わせ法
またはＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔｅｄＯＸｙｇｅｎ）
法を用いて作製されたＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎｏｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）基板等を用
いることができる。

また、絶縁膜２６０４は、絶縁膜２６０２を形成した後に高密度プラズマ処理により当該
絶縁膜２６０２を窒化することにより設けてもよい。なお、基板２６００上に設ける絶縁
膜は単層又は３層以上の積層構造で設けてもよい。

次に、絶縁膜２６０４上に選択的にレジストマスク２６０６のパターンを形成し、当該レ
ジストマスク２６０６をマスクとして選択的にエッチングを行うことによって、基板２６
００に選択的に凹部２６０８を形成する（図２５（Ｂ）参照）。基板２６００、絶縁膜２
６０２、２６０４のエッチングとしては、プラズマを利用したドライエッチングにより行
うことができる。

次に、レジストマスク２６０６のパターンを除去した後、基板２６００に形成された凹部
２６０８を充填するように絶縁膜２６１０を形成する（図２５（Ｃ）参照）。

絶縁膜２６１０は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等を用いて、酸化シリコン、窒化シリコ
ン、酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ＞０）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮｘＯ
ｙ）（ｘ＞ｙ＞０）等の絶縁材料を用いて形成する。ここでは、絶縁膜２６１０として、
常圧ＣＶＤ法または減圧ＣＶＤ法によりＴＥＯＳ（テトラエチルオルソシリケート）ガス
を用いて酸化珪素膜を形成する。

次に、研削処理、研磨処理又はＣＭＰ（ＣｈｅｍｉｃａｌＭｅｃｈａｎｉｃａｌＰｏ
ｌｉｓｈｉｎｇ）処理を行うことによって、基板２６００の表面を露出させる。ここでは
、基板２６００の表面を露出させることにより、基板２６００の凹部２６０８に形成され
た絶縁膜２６１１間に領域２６１２、２６１３が設けられる。なお、絶縁膜２６１１は、
基板２６００の表面に形成された絶縁膜２６１０が研削処理、研磨処理又はＣＭＰ処理に
より除去されることにより得られたものである。続いて、ｐ型の導電型を有する不純物元
素を選択的に導入することによって、基板２６００の領域２６１３にｐウェル２６１５を
形成する（図２６（Ａ）参照）。

ｐ型を示す不純物元素としては、ボロン（Ｂ）やアルミニウム（Ａｌ）やガリウム（Ｇａ
）等を用いることができる。ここでは、不純物元素として、ボロン（Ｂ）を領域２６１３
に導入する。

なお、本実施例では、基板２６００としてｎ型の導電型を有する半導体基板を用いている
ため、領域２６１２には不純物元素の導入を行っていないが、ｎ型を示す不純物元素を導
入することにより領域２６１２にｎウェルを形成してもよい。ｎ型を示す不純物元素とし
ては、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）等を用いることができる。

一方、ｐ型の導電型を有する半導体基板を用いる場合には、領域２６１２にｎ型を示す不
純物元素を導入してｎウェルを形成し、領域２６１３には不純物元素の導入を行わない構
成としてもよい。

次に、基板２６００の領域２６１２、２６１３の表面上に絶縁膜２６３２、２６３４をそ
れぞれ形成する（図２６（Ｂ）参照）。

絶縁膜２６３２、２６３４は、例えば、熱処理を行い基板２６００に設けられた領域２６
１２、２６１３の表面を酸化させることにより酸化珪素膜で絶縁膜２６３２、２６３４を
形成することができる。また、熱酸化法により酸化珪素膜を形成した後に、窒化処理を行
うことによって酸化珪素膜の表面を窒化させることにより、酸化珪素膜と酸素と窒素を有
する膜（酸窒化珪素膜）との積層構造で形成してもよい。

他にも、上述したように、プラズマ処理を用いて絶縁膜２６３２、２６３４を形成しても
よい。例えば、基板２６００に設けられた領域２６１２、２６１３の表面に高密度プラズ
マ処理により酸化処理又は窒化処理を行うことにより、絶縁膜２６３２、２６３４として
酸化珪素（ＳｉＯｘ）膜又は窒化珪素（ＳｉＮｘ）膜で形成することができる。また、高
密度プラズマ処理により領域２６１２、２６１３の表面に酸化処理を行った後に、再度高
密度プラズマ処理を行うことによって窒化処理を行ってもよい。この場合、領域２６１２
、２６１３の表面に接して酸化珪素膜が形成され、当該酸化珪素膜上に（酸窒化珪素膜）
が形成され、絶縁膜２６３２、２６３４は酸化珪素膜と酸窒化珪素膜とが積層された膜と
なる。また、熱酸化法により領域２６１２、２６１３の表面に酸化珪素膜を形成した後に
高密度プラズマ処理により酸化処理又は窒化処理を行ってもよい。

なお、基板２６００の領域２６１２、２６１３に形成された絶縁膜２６３２、２６３４は
、後に完成するトランジスタにおいてゲート絶縁膜として機能する。

次に、基板２６００に設けられた領域２６１２、２６１３の上方に形成された絶縁膜２６
３２、２６３４を覆うように導電膜を形成する（図２６（Ｃ）参照）。ここでは、導電膜
として、導電膜２６３６と導電膜２６３８を順に積層して形成した例を示している。もち
ろん、導電膜は、単層又は３層以上の積層構造で形成してもよい。

導電膜２６３６、２６３８としては、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（
Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、ニ
オブ（Ｎｂ）等から選択された元素またはこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは
化合物材料で形成することができる。また、これらの元素を窒化した金属窒化膜で形成す
ることもできる。他にも、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶珪素に代表される
半導体材料により形成することもできる。

ここでは、導電膜２６３６として窒化タンタルを用いて形成し、その上に導電膜２６３８
としてタングステンを用いて積層構造で設ける。また、他にも、導電膜２６３６として、
窒化タンタル、窒化タングステン、窒化モリブデン又は窒化チタンから選ばれた単層又は
積層膜を用い、導電膜２６３８として、タングステン、タンタル、モリブデン、チタンか
ら選ばれた単層又は積層膜を用いることができる。

次に、積層して設けられた導電膜２６３６、２６３８を選択的にエッチングして除去す
ることによって、基板２６００の領域２６１２、２６１３の上方の一部に導電膜２６３６
、２６３８を残存させ、それぞれゲート電極として機能する導電膜２６４０、２６４２を
形成する（図２７（Ａ）参照）。また、ここでは、基板２６００において、導電膜２６４
０、２６４２と重ならない領域２６１２、２６１３の表面が露出するようにする。

具体的には、基板２６００の領域２６１２において、導電膜２６４０の下方に形成された
絶縁膜２６３２のうち当該導電膜２６４０と重ならない部分を選択的に除去し、導電膜２
６４０と絶縁膜２６３２の端部が概略一致するように形成する。また、基板２６００の領
域２６１３において、導電膜２６４２の下方に形成された絶縁膜２６３４のうち当該導電
膜２６４２と重ならない部分を選択的に除去し、導電膜２６４２と絶縁膜２６３４の端部
が概略一致するように形成する。

この場合、導電膜２６４０、２６４２の形成と同時に重ならない部分の絶縁膜等を除去し
てもよいし、導電膜２６４０、２６４２を形成後残存したレジストマスク又は当該導電膜
２６４０、２６４２をマスクとして重ならない部分の絶縁膜等を除去してもよい。

次に、基板２６００の領域２６１２、２６１３に不純物元素を選択的に導入する（図２７
（Ｂ）参照）。ここでは、領域２６１３に導電膜２６４２をマスクとしてｎ型を付与する
低濃度の不純物元素を選択的に導入し、領域２６１２に導電膜２６４０をマスクとしてｐ
型を付与する低濃度の不純物元素を選択的に導入する。ｎ型を付与する不純物元素として
は、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）等を用いることができる。ｐ型を付与する不純物元素とし
ては、ボロン（Ｂ）やアルミニウム（Ａｌ）やガリウム（Ｇａ）等を用いることができる
。

次に、導電膜２６４０、２６４２の側面に接するサイドウォール２６５４を形成する。具
体的には、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等により、珪素、珪素の酸化物又は珪素
の窒化物の無機材料を含む膜や、有機樹脂などの有機材料を含む膜を、単層又は積層して
形成する。そして、当該絶縁膜を、垂直方向を主体とした異方性エッチングにより選択的
にエッチングして、導電膜２６４０、２６４２の側面に接するように形成することができ
る。なお、サイドウォール２６５４は、ＬＤＤ（ＬｉｇｈｔｌｙＤｏｐｅｄｄｒａｉ
ｎ）領域を形成する際のドーピング用のマスクとして用いる。また、ここでは、サイドウ
ォール２６５４は、導電膜２６４０、２６４２の下方に形成された絶縁膜の側面にも接す
るように形成されている。

続いて、当該サイドウォール２６５４、導電膜２６４０、２６４２をマスクとして基板２
６００の領域２６１２、２６１３に不純物元素を導入することによって、ソース領域又は
ドレイン領域として機能する不純物領域を形成する（図２７（Ｃ）参照）。ここでは、基
板２６００の領域２６１３にサイドウォール２６５４と導電膜２６４２をマスクとして高
濃度のｎ型を付与する不純物元素を導入し、領域２６１２にサイドウォール２６５４と導
電膜２６４０をマスクとして高濃度のｐ型を付与する不純物元素を導入する。

その結果、基板２６００の領域２６１２には、ソース領域又はドレイン領域を形成する不
純物領域２６５８と、ＬＤＤ領域を形成する低濃度不純物領域２６６０と、チャネル形成
領域２６５６が形成される。また、基板２６００の領域２６１３には、ソース領域又はド
レイン領域を形成する不純物領域２６６４と、ＬＤＤ領域を形成する低濃度不純物領域２
６６６と、チャネル形成領域２６６２が形成される。

なお、本実施例では、導電膜２６４０、２６４２と重ならない基板２６００の領域２６１
２、２６１３を露出させた状態で不純物元素の導入を行っている。従って、基板２６００
の領域２６１２、２６１３にそれぞれ形成されるチャネル形成領域２６５６、２６６２は
導電膜２６４０、２６４２と自己整合的に形成することができる。

次に、基板２６００の領域２６１２、２６１３上に設けられた絶縁膜や導電膜等を覆うよ
うに第２の絶縁膜２６７７を形成し、当該絶縁膜２６７７に開口部２６７８を形成する（
図２８（Ａ）参照）。

第２の絶縁膜２６７７は、ＣＶＤ法やスパッタ法等により、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化
珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ＞０）、窒化酸化珪素（Ｓｉ
ＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ＞０）等の酸素または窒素を有する絶縁膜やＤＬＣ（ダイヤモンドラ
イクカーボン）等の炭素を含む膜、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェ
ノール、ベンゾシクロブテン、アクリル等の有機材料またはシロキサン樹脂等のシロキサ
ン材料からなる単層または積層構造で設けることができる。なお、シロキサン材料とは、
Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む材料に相当する。シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ
）との結合で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例え
ばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いること
もできる。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いて
もよい。

次に、ＣＶＤ法を用いて開口部２６７８に導電膜２６８０を形成し、当該導電膜２６８０
と電気的に接続するように絶縁膜２６７７上に導電膜２６８２ａ〜２６８２ｄを選択的に
形成する（図２８（Ｂ）参照）。

導電膜２６８０、２６８２ａ〜２６８２ｄは、ＣＶＤ法やスパッタリング法等により、ア
ルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブ
デン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）
、マンガン（Ｍｎ）、ネオジム（Ｎｄ）、炭素（Ｃ）、シリコン（Ｓｉ）から選択された
元素、又はこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で、単層又は積層で
形成する。アルミニウムを主成分とする合金材料とは、例えば、アルミニウムを主成分と
しニッケルを含む材料、又は、アルミニウムを主成分とし、ニッケルと、炭素と珪素の一
方又は両方とを含む合金材料に相当する。導電膜２６８０、２６８２ａ〜２６８２ｄは、
例えば、バリア膜とアルミニウムシリコン（Ａｌ−Ｓｉ）膜とバリア膜の積層構造、バリ
ア膜とアルミニウムシリコン（Ａｌ−Ｓｉ）膜と窒化チタン膜とバリア膜の積層構造を採
用するとよい。なお、バリア膜とは、チタン、チタンの窒化物、モリブデン、又はモリブ
デンの窒化物からなる薄膜に相当する。アルミニウムやアルミニウムシリコンは抵抗値が
低く、安価であるため、導電膜２６８０、２６８２ａ〜２６８２ｄを形成する材料として
最適である。また、上層と下層のバリア層を設けると、アルミニウムやアルミニウムシリ
コンのヒロックの発生を防止することができる。また、還元性の高い元素であるチタンか
らなるバリア膜を形成すると、結晶質半導体膜上に薄い自然酸化膜ができていたとしても
、この自然酸化膜を還元し、結晶質半導体膜と良好なコンタクトをとることができる。こ
こでは、導電膜２６８０、２６８２ａ〜２６８２ｄはＣＶＤ法によりタングステン（Ｗ）
を選択成長することにより形成することができる。

以上の工程により、基板２６００の領域２６１２に形成されたｐ型のトランジスタと、領
域２６１３に形成されたｎ型のトランジスタとを得ることができる。

なお、本発明の電波強度測定装置を構成するトランジスタの構造は図示した構造に限定さ
れるものではないことを付記する。例えば、逆スタガ構造、フィンＦＥＴ構造等の構造の
トランジスタの構造を取り得る。フィンＦＥＴ構造であることでトランジスタサイズの微
細化に伴う短チャネル効果を抑制することができるため好適である。

また本発明における電波強度測定装置においては、信号処理回路に電力を蓄積できるバッ
テリーを具備することを特徴とする。バッテリーとしては、電気二重層コンデンサーや薄
膜の二次電池を用いることが好ましい。そこで本実施例においては、本実施例において作
製したトランジスタにおいて、薄膜の二次電池との接続について説明する。

本実施例において二次電池は、トランジスタに接続された導電膜２６８２ｄ上に積層して
形成される。二次電池は、集電体薄膜、負極活物質層、固体電解質層、正極活物質層、集
電体薄膜の薄膜層が順次積層される（図２８（Ｂ））。そのため、二次電池の集電体薄膜
と兼用される導電膜２６８２ｄの材料は、負極活物質と密着性がよく、抵抗が小さいこと
が求められ、特にアルミニウム、銅、ニッケル、バナジウムなどが好適である。

薄膜二次電池の構成について次いで詳述すると、導電膜２６８２ｄ上に負極活物質層２６
９１を成膜する。一般には酸化バナジウム（Ｖ_２Ｏ_５）などが用いられる。次に負極活物
質層２６９１上に固体電解質層２６９２を成膜する。一般にはリン酸リチウム（Ｌｉ_３Ｐ
Ｏ_４）などが用いられる。次に固体電解質層２６９２上に正極活物質層２６９３を成膜す
る。一般にはマンガン酸リチウム（ＬｉＭｎ_２Ｏ_４）などが用いられる。コバルト酸リチ
ウム（ＬｉＣｏＯ_２）やニッケル酸リチウム（ＬｉＮｉＯ_２）を用いても良い。次に正極
活物質層２６９３上に電極となる集電体薄膜２６９４を成膜する。集電体薄膜２６９４は
正極活物質層２６９３と密着性がよく、抵抗が小さいことが求められ、アルミニウム、銅
、ニッケル、バナジウムなどを用いることができる。

上述の負極活物質層２６９１、固体電解質層２６９２、正極活物質層２６９３、集電体薄
膜２６９４の各薄膜層はスパッタ技術を用いて形成しても良いし、蒸着技術を用いても良
い。また、それぞれの層の厚さは０．１μｍ〜３μｍが望ましい。

次に樹脂を塗布し、層間膜２６９６を形成する。そして層間膜２６９６をエッチングしコ
ンタクトホールを形成する。層間膜２６９６は樹脂には限定せず、ＣＶＤ酸化膜など他の
膜であっても良いが、平坦性の観点から樹脂であることが望ましい。また、感光性樹脂を
用いて、エッチングを用いずにコンタクトホールを形成しても良い。次に層間膜２６９６
上に配線層２６９５を形成し、配線２６９７と接続することにより、薄膜二次電池の電気
接続を確保する。

本実施例では、本発明の電波強度測定装置の用途について説明する。本発明の電波強度測
定装置は、医療機器、ペースメーカーなどの電波によって誤動作する可能性が高い物品を
保護するため、前記物品の周囲の電波強度が強いことを視覚的に訴える、いわゆる電波強
度検出器として使用することが出来る。

本実施例では、図２９〜３６を参照して、本発明の応用例、及びそれらを付した商品の一
例について説明する。

図２９（ａ）は、本発明に係る電波強度検出器の完成品の状態の一例である。管理バッジ
３０００上に、電波強度測定装置３００１が形成されている。また、管理バッジ３０００
上には、管理バッジを装着する作業者のＩＤ３００２及び写真３００３が貼り付けされて
いる。このような管理バッジ３０００は、たとえば図２９（ｂ）に示すように作業者が着
衣している作業服３００４上に装着して使用する。作業者は、電波強度検出器を所持して
電波強度が著しく強いエリアに侵入したときに、電波強度測定装置３００１の色の変化を
確認することで、電波強度を知ることができる。本発明の電波強度測定装置は長距離から
の微弱な電波を測定することができ、且つ太陽光下など環境光が非常に強いときであって
も、視認性に優れている。そのため、図２９（ａ）の電波強度検出器においても、作業者
は、長距離からの微弱な電波を測定することができ、且つ太陽光下など環境光が非常に強
いときであっても、視認性の優れたものを用いることができる。

図３０（ａ）は、本発明に係る電波強度検出器の完成品の状態の一例である。シール３１
００上には、電波を発信する装置の使用を禁止する警告マーク３１０１と共に、電波強度
測定装置３１０２が形成されている。このようなシール３１００は、たとえば図３０（ｂ
）に示すように病院内の医療機器３１０３に貼り付けて使用する。面会者および入院患者
が、所持している電波を発信する装置の電源を切らず近づくと、電波強度測定装置３１０
２の色が変わり、視覚的に危険性を警告し、電波を発信する装置の電源を切るよう促す。
本発明の電波強度測定装置は長距離からの微弱な電波を測定することができ、且つ太陽光
下など環境光が非常に強いときであっても、視認性に優れている。そのため、図３０（ａ
）の電波強度検出器においても、面会者および入院患者は、長距離からの微弱な電波を測
定することができ、且つ太陽光下など環境光が非常に強いときであっても、視認性の優れ
たものを用いることができる。

図３１（ａ）は、本発明に係る電波強度検出器の完成品の状態の一例である。シール３２
００上には、携帯電話の使用を禁止する警告マーク３２０１と共に、電波強度測定装置３
２０２が形成されている。このようなシール３２００は、たとえば図３１（ｂ）に示すよ
うに電車内の優先席付近のつり革３２０３に貼り付けて使用する。乗客が、所持する携帯
電話３２０４の電源を切らず、携帯電話３２０４に具備されたアンテナ３２０５が、電波
を発信していれば、当該電波を受けて電波強度測定装置３２０２の色が変わり、視覚的に
危険性を警告し、乗客に対し携帯電話の電源を切るよう促す。また、ペースメーカー等の
電波によって誤動作する可能性が高い物品を所持若しくは装着している人は、電波強度測
定装置の色から危険性を察知し、電波発信源からの退避行動をとることが出来る。本発明
の電波強度測定装置は長距離からの微弱な電波を測定することができ、且つ太陽光下など
環境光が非常に強いときであっても、視認性に優れている。そのため、図３１（ａ）の電
波強度検出器においても、乗客は、長距離からの微弱な電波を測定することができ、且つ
太陽光下など環境光が非常に強いときであっても、視認性の優れたものを用いることがで
き、そのため、公共機関のセキュリティー機器として機能する。

図３２（ａ）は、本発明に係る電波強度検出器の完成品の状態の一例である。警告灯３３
００上には、本発明に係る電波強度測定装置を内蔵した警告マーク３３０１が形成されて
いる。このような警告灯は、たとえば図３２（ｂ）に示すような飛行機３３０２内で使用
する。具体的には図３２（ｃ）に示すように座席３３０３上部の警告灯として設置する。
飛行機が離着陸する際に客室乗務員が警告灯を確認し、周囲に電波発信源があれば、乗客
に注意を促すことが出来る。本発明の電波強度測定装置は長距離からの微弱な電波を測定
することができ、且つ太陽光下など環境光が非常に強いときであっても、視認性に優れて
いる。そのため、図３２（ａ）の電波強度検出器においても、客室乗務員は、長距離から
の微弱な電波を測定することができ、且つ太陽光下など環境光が非常に強いときであって
も、視認性の優れたものを用いることができる。

図３３（ａ）は、本発明に係る電波強度検出器の完成品の状態の一例である。警告灯３４
００上には、本発明に係る電波強度測定装置を内蔵した警告マーク３４０１が形成されて
いる。このような警告灯は、たとえば図３３（ｂ）に示すような電磁調理器３４０２に組
み込まれる。警告灯は、電磁調理器３４０２が壊れ、周囲に危険な電磁波を出力したとき
に色を変え、周囲に危険を知らせる。本発明の電波強度測定装置は長距離からの微弱な電
波を測定することができ、且つ太陽光下など環境光が非常に強いときであっても、視認性
に優れている。そのため、図３３（ａ）の電波強度検出器においても、使用者は、長距離
からの微弱な電波を測定することができ、且つ太陽光下など環境光が非常に強いときであ
っても、視認性の優れたものを用いることができる。

図３４（ａ）は、本発明に係る電波強度検出器の完成品の状態の一例である。表示部３４
０５上には、本発明に係る電波強度測定装置を内蔵した警告マーク３４０６が形成されて
いる。このような表示部は、たとえば図３４（ｂ）に示すような電子レンジ３４０７に組
み込まれる。警告灯は、電子レンジ３４０７が壊れ、周囲に危険な電磁波を出力したとき
に色を変え、周囲に危険を知らせる。本発明の電波強度測定装置は長距離からの微弱な電
波を測定することができ、且つ太陽光下など環境光が非常に強いときであっても、視認性
に優れている。そのため、図３４（ａ）の電波強度検出器においても、使用者は、長距離
からの微弱な電波を測定することができ、且つ太陽光下など環境光が非常に強いときであ
っても、視認性の優れたものを用いることができる。

図３５（ａ）は、本発明に係る電波強度検出器の完成品の状態の一例である。シール３５
００上に、電波強度測定装置３５０１が形成されている。このようなシール３５００は、
たとえば図３５（ｂ）に示すようにコンピュータ３５０２上に装着して使用する。コンピ
ュータの使用者は、無線通信の電波レベルの強弱を、電波強度測定装置３５０１の色の変
化から知ることが出来る。本発明の電波強度測定装置は長距離からの微弱な電波を測定す
ることができ、且つ太陽光下など環境光が非常に強いときであっても、視認性に優れてい
る。そのため、図３５（ａ）の電波強度検出器においても、使用者は、長距離からの微弱
な電波を測定することができ、且つ太陽光下など環境光が非常に強いときであっても、視
認性の優れたものを用いることができる。

図３６（ａ）は、本発明に係る電波強度検出器の完成品の状態の一例である。板３６００
上に、電波強度測定装置３６０１が形成されている。このような板３６００は、たとえば
図３６（ｂ）に示すように電波測定室３６０２の内壁に貼り付けて使用する。アンテナ設
計技術者は、コンピュータ３６０３によってアンテナ３６０４を介して電波を発信し、電
波測定室３６０２の内壁の色の変化を確認することで、視覚的に電波強度の分布を観測し
、アンテナ３６０４の性能を測ることが出来る。本発明の電波強度測定装置は長距離から
の微弱な電波を測定することができ、且つ太陽光下など環境光が非常に強いときであって
も、視認性に優れている。そのため、図３６（ａ）の電波強度検出器においても、使用者
は、長距離からの微弱な電波を測定することができ、且つ太陽光下など環境光が非常に強
いときであっても、視認性の優れたものを用いることができる。

以上、本発明の電波強度検出器は電波レベルを検出したいもの（生き物を含む）であれば
どのようなものにでも設けて使用することができる。

本実施例は、本発明のほかの実施の形態及び実施例と自由に組み合わせることができる。
すなわち本発明の電波強度測定装置を具備する電波強度検出器は、長距離からの微弱な電
波を測定することができ、且つ太陽光下など環境光が非常に強いときであっても、視認性
に優れたものとすることができる。

本実施例では、本発明の電波強度検出器の用途について説明する。本発明の電波強度測定
装置を具備する電波強度検出器は、電波を色彩にする、いわゆる遊戯機器として使用する
ことができる。

本実施例では、図３７を参照して、本発明の応用例、及びそれらを付した商品の一例につ
いて説明する。

図３７（ａ）は、本発明に係る電波強度検出器の完成品の状態の一例である。板３７００
上に、電波強度測定装置３７０１が形成されている。なお、板３７００として薄型のプラ
スチック板を用い、電波強度測定装置を構成するトランジスタを当該薄膜のプラスチック
板上に形成することで曲面状に加工することができる。

本実施例の遊戯機器は、図３７（ａ）の板３７００を複数組み合わせることにより、図３
７（ｂ）に示すように人間の背丈程度の板状電波強度検出器３７１０にして使用する。ユ
ーザー３７０２は、電波発振器３７０３を具備したスティック３７０４を振り回すことで
電波を発信し、板状電波強度検出器３７１０の色彩の変化を楽しむ。

なお、ユーザーによる電波の発信は、スティック３７０４に内蔵された加速度センサまた
はマイクロフォン等を含む圧電センサのセンサを組み合わせて、ユーザー３７０２の動き
に連動させることにより、娯楽性を高めることができる。また図３７（ｂ）では、電波発
信器を具備する部材としてスティック３７０４を示したが、スティック形状に限定される
ものではなく、身体の動きに連動して操作可能であればよい。

なお、本実施例では、板状電波強度検出器３７１０の形状を平面板状にして説明したがそ
の他の形状として、球面状、凸凹面状にして色彩の変化を楽しむ構成としてもよい。また
、液晶表示装置または発光装置と組み合わせて視覚的に変化に富んだ遊戯機器の構成とし
てもよい。

以上、本発明の電波強度測定装置は無線通信の電波レベルを検出したいもの（生き物を含
む）であればどのようなものにでも設けて使用することができる。

本実施例は、本発明のほかの実施の形態及び実施例と自由に組み合わせることができる。
すなわち本発明の電波強度測定装置を具備する電波強度検出器は、長距離からの微弱な電
波を測定することができ、且つ太陽光下など環境光が非常に強いときであっても、視認性
に優れたとすることができる。

１００電波強度測定装置
１１０アンテナ
１１１整流回路
１１２制御回路
１１３バッテリー
１１４アンプ回路
１１５表示素子
１２０信号処理回路
３０１電波発信源
３０２受信電波
４０１基板
４０２信号処理回路
４０３アンテナ
５０３ダイオード
５０４ダイオード
５０５コンデンサー
６０１電圧比較回路
６０２スイッチ
６０３スイッチ
６０４ダイオード
６０５ダイオード
７０１抵抗
７０２抵抗
７０３抵抗
７０４抵抗
７０５コンパレーター
７０６バッファ
７０７バッファ
８０１基板
８１０アンテナ
８１１信号処理回路
８１２バッテリー
８１３表示素子
８２０接続端子
８２１接続端子
９０１アンテナコイル
９０２コンデンサー
１００１第１の波形
１００２第２の波形
１０１０第１の信号
１０１１第２の信号
１０１２第３の信号
１０２０整流前波形
１０３０充電期間
１０３１放電期間
１２０１第１の波形
１２０２第２の波形
１２０３第３の波形
１２２０整流前波形
１２２１弱電波期間
１２２２強電波期間
１２２３最低動作電圧
１３０１基板
１３０２絶縁膜
１３０３剥離層
１３０４絶縁膜
１３０５半導体膜
１３０６ゲート絶縁膜
１３０７ゲート電極
１３０８不純物領域
１３０９不純物領域
１３１０絶縁膜
１３１１不純物領域
１３１３導電膜
１３１４絶縁膜
１３１６導電膜
１３１７導電膜
１３１８絶縁膜
１３１９素子形成層
１３２０シート材
１３２１シート材
１３３７樹脂
１３３８導電性粒子
１３８１負極活物質層
１３８２固体電解質層
１３８３正極活物質層
１３８４集電体薄膜
１３８５層間膜
１３８６配線層
１３８９二次電池
２０００透明基板
２００１遮光基板
２００２液晶分子
２００３入射光
２００４反射光
２１００カルボネート基
２１０１コレステリル基
２１０２オレイル基
２１０３ベンゾエート基
２１０４ノナノエート基
２２０１遮光基板
２２０２下地層
２２０４層間絶縁膜
２２０５絶縁膜
２２０６コンタクト開口部
２２０７コンタクト開口部
２２１０スペーサ
２２１１サーモクロミック材料
２２１２サーモクロミック材料
２２１４透明基板
２２２０シール材
２２２９抵抗発熱体
２２３０入射光
２２３１反射光
２３００半導体基板
２３０２絶縁膜
２３０４領域
２３０６領域
２３０７ｐウェル
２３３２絶縁膜
２３３６導電膜
２３３８導電膜
２３４０ゲート電極
２３４２ゲート電極
２３４８レジストマスク
２３５０チャネル形成領域
２３５２不純物領域
２３６６レジストマスク
２３６８チャネル形成領域
２３７０不純物領域
２３７２絶縁膜
２３７４配線
２３９１負極活物質層
２３９２固体電解質層
２３９３正極活物質層
２３９４集電体薄膜
２３９５配線層
２３９６層間膜
２３９７配線
２５００表示素子
２５０１遮光基板
２５０２抵抗発熱体
２５０３サーモクロミック材料
２５０４透明基板
２５１０接続端子
２５１１接続端子
２６００基板
２６０２絶縁膜
２６０４絶縁膜
２６０６レジストマスク
２６０８凹部
２６１０絶縁膜
２６１１絶縁膜
２６１２領域
２６１３領域
２６１４領域
２６１５ｐウェル
２６３２絶縁膜
２６３４絶縁膜
２６３６導電膜
２６３８導電膜
２６４０導電膜
２６４２導電膜
２６５４サイドウォール
２６５６チャネル形成領域
２６５８不純物領域
２６６０低濃度不純物領域
２６６２チャネル形成領域
２６６４不純物領域
２６６６低濃度不純物領域
２６７７絶縁膜
２６７８開口部
２６８０導電膜
２６９１負極活物質層
２６９２固体電解質層
２６９３正極活物質層
２６９４集電体薄膜
２６９５配線層
２６９６層間膜
２６９７配線
３０００管理バッジ
３００１電波強度測定装置
３００２ＩＤ
３００３写真
３００４作業服
３１００シール
３１０１警告マーク
３１０２電波強度測定装置
３１０３医療機器
３２００シール
３２０１警告マーク
３２０２電波強度測定装置
３２０３つり革
３２０４携帯電話
３２０５アンテナ
３３００警告灯
３３０１警告マーク
３３０２飛行機
３３０３座席
３４００警告灯
３４０１警告マーク
３４０２電磁調理器
３４０５表示部
３４０６警告マーク
３４０７電子レンジ
３５００シール
３５０１電波強度測定装置
３５０２コンピュータ
３６００板
３６０１電波強度測定装置
３６０２電波測定室
３６０３コンピュータ
３６０４アンテナ
３７００板
３７０１電波強度測定装置
３７０２ユーザー
３７０３電波発振器
３７０４スティック
３７１０板状電波強度検出器
３８００電波強度測定装置
３８１０アンテナ
３８１１整流回路
３８１２ランプ
３８２０受信電波
１３００ａ薄膜トランジスタ
１３００ｂ薄膜トランジスタ
１３００ｃ薄膜トランジスタ
１３００ｅ薄膜トランジスタ
１３０５ａ半導体膜
１３０５ｃ半導体膜
１３０７ａ導電膜
１３０７ｂ導電膜
１３１２ａ絶縁膜
１３１２ｂ絶縁膜
１３１５ａ導電膜
１３３１ａ導電膜
１３３２ａ開口部
１３３４ａ導電膜
１３３４ｂ導電膜
１３３６ａ導電膜
１３３６ｂ導電膜
２２０３ａ配線
２２０３ｂ配線
２６８２ａ導電膜
２６８２ｄ導電膜

Claims

アンテナと複数のトランジスタとを有する素子形成層と、
異方性導電層を介して、前記複数のトランジスタのうちの第１のトランジスタ及び第２のトランジスタと電気的に接続する二次電池と、を有し、
前記二次電池は、第１の活物質層と、固体電解質層と、第２の活物質層と、集電体薄膜とが積層されており、
前記二次電池は、前記第１の活物質層に接する第１の導電膜と電気的に接続され、
前記二次電池は、前記集電体薄膜に接する配線層を介して第２の導電膜と電気的に接続され、
前記第１の導電膜は、前記異方性導電層を介して前記第１のトランジスタと電気的に接続され、
前記第２の導電膜は、前記異方性導電層を介して前記第２のトランジスタと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタは、前記二次電池と重なる領域にあり、
前記第２のトランジスタは、前記二次電池と重ならない領域にある装置。