JP2004310056A - 超薄型電気光学表示装置の製造方法 - Google Patents

超薄型電気光学表示装置の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】 高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置の製造方法の提供。
【解決手段】 単結晶Ｓｉ基板の表面にＳｉＯ２層１１を形成し、表示領域のＳｉＯ２層１１を残して周辺回路領域のＳｉＯ２層１１を除去し、表示領域にポリＳｉ層１２を、周辺回路領域に単結晶Ｓｉ層１３をそれぞれ形成し、表示領域のポリＳｉ層１２に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶Ｓｉ層１３に周辺回路部を形成し、表示領域の画素開口部となる部分のポリＳｉ層１２を除去して画素開口部を形成し、表面保護した単結晶Ｓｉ基板の裏面側から超薄膜加工を行って超薄型電気光学表示素子基板を形成する。その後、超薄型電気光学表示素子基板に支持基板を貼り合わせ、支持基板の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分解する。
【選択図】 図７

Description

本発明は、特に表示部の画素開口部を光が透過することにより画像表示を行う透過型液晶表示装置や下面発光型有機ＥＬ表示装置等の超薄型電気光学表示装置、より詳しくは、強い入射光によるＴＦＴリーク電流を防止することにより高輝度、高精細、高機能を実現した超薄型電気光学表示装置の製造方法に関する。
高温多結晶シリコン（以下、「ポリＳｉ」と称す。）ＴＦＴ（Thin Film Transistor）ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）の場合、石英ガラスに減圧ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等により微結晶Ｓｉ薄膜を形成し、さらにＳｉイオン注入によりアモルファスＳｉ化した後に、例えば６２０℃１２時間の固相成長法により大粒径ポリＳｉ薄膜を形成し、その膜にＬＣＤ周辺回路および表示素子などを形成している。
また、低温ポリＳｉＴＦＴＬＣＤまたは有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置（以下、「有機ＥＬ」と称す。）の場合、ほうけい酸ガラスやアルミノけい酸ガラスなどの低歪点ガラスにプラズマＣＶＤ等によりアモルファスＳｉ薄膜を形成し、エキシマレーザーアニール（ＥＬＡ）による結晶化で大粒径ポリＳｉ薄膜を形成し、その膜にＬＣＤ周辺回路および表示素子、または有機ＥＬ周辺回路および表示素子などを形成している。
ところが、これらの高温ポリＳｉＴＦＴＬＣＤ、低温ポリＳｉＴＦＴＬＣＤまたは有機ＥＬの場合、単結晶Ｓｉよりも電子・正孔移動度が高くないポリＳｉ薄膜上に、ＬＣＤまたは有機ＥＬの周辺回路を形成するため、デバイス特性、特に高速動作性などが問題となる。
近年、ＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）と呼ばれる反射型ＬＣＤが、プロジェクタなどに採用されている。これは単結晶Ｓｉの高い電子・正孔移動度を利用したものである。ＬＣＯＳは、汎用ＭＯＳＬＳＩ技術によって単結晶Ｓｉ基板表面に周辺回路および表示素子のみならず、映像信号処理回路、メモリ回路、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＤＳＰ（Digital Signal Processor）などの機能を取り込んだものであり、高輝度、高精細、高機能という特徴を有する。
ただし、ＬＣＯＳに用いられる単結晶Ｓｉ基板は光を透過しないため、ＬＣＯＳは反射型のものしか作れない。そこで、本発明者は、特許文献１にて、単結晶Ｓｉ基板を用いて透過型ＬＣＤを作製する方法を提案している。この場合の透過型ＬＣＤは、単結晶Ｓｉ基板表面に周辺回路と反射膜を内蔵した透明樹脂埋め込みの画素表示部を形成し、その裏面を研削および研磨して単結晶Ｓｉ薄膜マトリックスアレイを形成し、色フィルタ基板と透明樹脂で貼り合わせるものである。
特許第３２１８８６１号公報
ところが、プロジェクタなどの強い光が入射する装置に、特許文献１に記載のような単結晶Ｓｉ基板表面に周辺回路と画素表示部とを形成した透過型ＬＣＤを用いた場合、単結晶Ｓｉ基板が高い電子・正孔移動度を有し、非常に高感度であることから、強い入射光によるＴＦＴリーク電流が問題となりやすい。同様に、表示部の画素開口部を光が透過することにより画像表示を行う下面発光型有機ＥＬ表示装置（以後 下面発光型有機ＥＬと称する）においても、同じく自発光の強い光が入射するため表示部のＴＦＴリーク電流が問題となる。
そこで、本発明においては、特に表示部の画素開口部を光が透過することにより画像表示を行う透過型ＬＣＤ、半透過型ＬＣＤ及び下面発光型有機ＥＬ、あるいは反射型ＬＣＤ、上面発光型有機ＥＬ等の超薄型電気光学表示装置であって、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明の第１の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体基板の表面に絶縁層を形成し、表示領域の絶縁層を残して周辺回路領域の絶縁層を除去する工程と、半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成する工程と、前記表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、表面保護した前記単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工を行い、超薄型電気光学表示素子基板を形成する工程と、前記超薄型電気光学表示素子基板に支持基板を貼り付ける工程と、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程とを含む。
本製造方法では、単結晶半導体基板の表面に絶縁層を形成し、表示領域の絶縁層を残して周辺回路領域の絶縁層を除去し、半導体エピタキシャル成長により、表示領域に多結晶半導体層を、周辺回路領域に単結晶半導体層を形成し、表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成するので、比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路を同一単結晶半導体の支持基板内に形成することができる。そして、表面保護した単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削、研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングにより超薄型電気光学表示素子基板を形成し、支持体を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
本発明の第２の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる種子基板に多孔質半導体層を形成する工程と、前記種子基板の多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、支持基板に絶縁層を形成する工程と、前記種子基板および支持基板を前記絶縁層の形成面で貼り合わせる工程と、前記種子基板を多孔質半導体層から分離する工程と、前記種子基板の分離により露出した前記単結晶半導体層の表面を少なくとも水素アニール処理によりエッチングして平坦化する工程と、前記単結晶半導体層表面に絶縁層を形成し、表示領域の絶縁層を残して周辺回路領域の絶縁層を除去する工程と、半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成する工程と、前記表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、表面保護した前記単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工を行い、超薄型電気光学表示素子基板を形成する工程と、前記超薄型電気光学表示素子基板に支持基板を接着剤で貼り付ける工程と、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程を含む。
本製造方法では、前記多孔質半導体層から分離した超薄型ＳＯＩ構造の単結晶半導体層表面に絶縁層を形成し、表示領域の絶縁層を残して周辺回路領域の絶縁層を除去し、半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成し、前記表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成するので、比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路を同一単結晶半導体の支持基板内に形成することができる。そして、表面保護した基板の裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削、研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングにより超薄型電気光学表示素子基板を形成し、支持体を接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
本発明の第３の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる種子基板にイオン注入層を形成する工程と、単結晶半導体からなる支持基板に絶縁層を形成する工程と、前記種子基板のイオン注入層と前記支持基板の絶縁層とを貼り合わせ、熱処理により前記イオン注入層と絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成する工程と、剥離用アニール処理を行い、前記種子基板を同種子基板のイオン注入層の歪み部から分離する工程と、少なくとも水素アニール処理により前記単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化する工程と、前記単結晶半導体層表面に絶縁層を形成し、表示領域の絶縁層を残して周辺回路領域の絶縁層を除去する工程と、半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成する工程と、前記表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、表面保護した前記単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工を行い、超薄型電気光学表示素子基板を形成する工程と、前記超薄型電気光学表示素子基板に支持基板を貼り付ける工程と、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程を含む。
本製造方法では、種子基板をイオン注入層の歪み部から分離した超薄型ＳＯＩ構造の単結晶半導体層表面に絶縁層を形成し、表示領域の絶縁層を残して周辺回路領域の絶縁層を除去し、半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成し、前記表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成するので、比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路を同一単結晶半導体の支持基板内に形成することができる。そして、表面保護した基板の裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削、研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングにより超薄型電気光学表示素子基板を形成し、支持基板を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
本発明の第４の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる種子基板に多孔質半導体層を形成する工程と、前記種子基板の多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、支持基板に絶縁層を形成する工程と、前記種子基板および支持基板を前記絶縁層の形成面で貼り合わせる工程と、前記種子基板を多孔質半導体層から分離する工程と、前記種子基板の分離により露出した前記単結晶半導体層の表面を少なくとも水素アニール処理によりエッチングして平坦化する工程と、前記単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させる工程と、半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成する工程と、前記表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、表面保護した前記単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工を行い、超薄型電気光学表示素子基板を形成する工程と、前記超薄型電気光学表示素子基板に支持基板を貼り付ける工程と、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程を含む。
本製造方法では、種子基板を多孔質半導体層から分離した超薄型ＳＯＩ構造の単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させ、半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成し、前記表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成するので、比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路を同一単結晶半導体の支持基板内に形成することができる。そして、表面保護した単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削、研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングにより超薄型電気光学表示素子基板を形成し、支持基板を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
本発明の第５の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる種子基板にイオン注入層を形成する工程と、単結晶半導体からなる支持基板に絶縁層を形成する工程と、前記種子基板のイオン注入層と前記支持基板の絶縁層とを貼り合わせ、熱処理により前記イオン注入層と絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成する工程と、剥離用アニール処理を行い、前記種子基板を同種子基板のイオン注入層の歪み部から分離する工程と、少なくとも水素アニール処理により前記単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化する工程と、前記単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させる工程と、半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成する工程と、前記表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、表面保護した前記単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工を行い、超薄型電気光学表示素子基板を形成する工程と、前記超薄型電気光学表示素子基板に支持基板を貼り付ける工程と、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程を含む。
本製造方法では、種子基板をイオン注入層の歪み部から分離した超薄型ＳＯＩ構造の単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させ、半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成し、前記表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成するので、比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路を同一単結晶半導体の支持基板内に形成することができる。そして、表面保護した単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削、研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングにより超薄型電気光学表示素子基板を形成し、支持基板を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
本発明の第６の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる種子基板に多孔質半導体層を形成する工程と、前記種子基板に前記多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、支持基板に絶縁層を形成する工程と、前記種子基板および支持基板を前記絶縁層の形成面で貼り合わせる工程と、前記種子基板を、同種子基板の多孔質半導体層から分離する工程と、前記種子基板の分離により露出した前記単結晶半導体層の表面を少なくとも水素アニール処理によりエッチングして平坦化する工程と、前記単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させる工程と、表示領域内の多結晶半導体表示素子の形成領域に遮光性金属層を形成する工程と、その上を絶縁層で覆う工程と、半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成する工程と、前記表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、表面保護した前記単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工を行い、超薄型電気光学表示素子基板を形成する工程と、前記超薄型電気光学表示素子基板に支持基板を貼り付ける工程と、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程を含む。
本製造方法では、種子基板を多孔質半導体層から分離した超薄型ＳＯＩ構造の単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させ、表示領域内の多結晶半導体表示素子の形成領域に遮光性金属層を形成し、その上を絶縁層で覆い、半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成し、前記表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成するので、比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一単結晶半導体の支持基板内に形成することができる。そして、表面保護した単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削、研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングにより超薄型電気光学表示素子基板を形成し、支持基板を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
本発明の第７の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる種子基板にイオン注入層を形成する工程と、単結晶半導体からなる支持基板に絶縁層を形成する工程と、前記種子基板のイオン注入層と前記支持基板の絶縁層とを貼り合わせ、熱処理により前記イオン注入層と絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成する工程と、剥離用アニール処理を行い、前記種子基板を同種子基板のイオン注入層の歪み部から分離する工程と、少なくとも水素アニール処理により前記単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化する工程と、前記単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させる工程と、表示領域内の多結晶半導体表示素子の形成領域に遮光性金属層を形成する工程と、その上を絶縁層で覆う工程と、半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成する工程と、前記表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、表面保護した前記単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工を行い、超薄型電気光学表示素子基板を形成する工程と、前記超薄型電気光学表示素子基板に支持基板を貼り付ける工程と、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程を含む。
本製造方法では、種子基板をイオン注入層の歪部から分離した超薄型ＳＯＩ構造の単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させ、表示領域内の多結晶半導体表示素子の形成領域に遮光性金属層を形成し、その上を絶縁層で覆い、半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成し、前記表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成するので、比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一単結晶半導体の支持基板内に形成することができる。そして、表面保護した単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削、研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングにより超薄型電気光学表示素子基板を形成し、支持基板を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
本発明の第８の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、前記第１〜第７の超薄型電気光学表示装置の製造方法において、前記半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成した後に、前記表示領域の多結晶半導体層をシリコン、錫、ゲルマニウム、鉛などの四族元素の少なくとも１種をイオン注入またはイオンドーピングして非晶質半導体層化した後に固相成長させて結晶粒径を制御した多結晶半導体層に形成する工程を含む。
本製造方法では、前記第１〜第７の超薄型電気光学表示装置の製造方法により表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成し、前記表示領域の多結晶半導体層をシリコン、錫、ゲルマニウム、鉛などの四族元素の少なくとも１種をイオン注入またはイオンドーピングして非晶質半導体層化した後に固相成長させて結晶粒径を制御した多結晶半導体層に形成し、前記表示領域の結晶粒径を制御した多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成するので、比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一単結晶半導体の支持基板内に形成することができる。そして、表面保護した単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削、研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングにより超薄型電気光学表示素子基板を形成し、支持体を接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
本発明の第９の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、前記第１〜第７の超薄型電気光学表示装置の製造方法において、前記半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成した後に、前記表示領域の多結晶半導体層を再結晶化させて結晶粒径を制御した多結晶半導体層に形成する工程を含む。
本製造方法では、前記第１〜第７の超薄型電気光学表示装置の製造方法により形成した表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成し、前記表示領域の多結晶半導体層をＸｅフラッシュランプアニール、あるいはパルス状又は連続波レーザーアニール例えばエキシマレーザー、非線形光学効果による光高調波変調遠紫外線又は／及び近紫外線レーザー、可視光レーザー、赤外線レーザーなど、あるいは集光ランプアニール例えば超高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、キセノンランプなどを照射して溶融又は半溶融又は非溶融状態の加熱と冷却により再結晶化させて結晶粒径を制御した多結晶半導体層に形成し、前記表示領域の結晶粒径を制御した多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成するので、比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路を同一単結晶半導体の支持基板内に形成することができる。そして、表面保護した単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削、研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングにより超薄型電気光学表示素子基板を形成し、支持体を接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
本発明の第１０の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、前記第１〜第７の超薄型電気光学表示装置の製造方法において、前記半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成した後に、前記表示領域の多結晶半導体層をシリコン、錫、ゲルマニウム、鉛などの四族元素の少なくとも１種をイオン注入またはイオンドーピングし、更に前記表示領域の多結晶半導体層を再結晶化させて結晶粒径を制御した多結晶半導体層に形成する工程を含む。
本製造方法では、前記第１〜第７の超薄型電気光学表示装置の製造方法により形成した表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成し、前記表示領域の多結晶半導体層をシリコン、錫、ゲルマニウム、鉛などの四族元素の少なくとも１種をイオン注入またはイオンドーピングし、更に前記表示領域の多結晶半導体層をＸｅフラッシュランプアニール、あるいはパルス状又は連続波レーザーアニール例えばエキシマレーザー、非線形光学効果による光高調波変調遠紫外線又は／及び近紫外線レーザー、可視光レーザー、赤外線レーザーなど、あるいは集光ランプアニール例えば超高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、キセノンランプなどを照射して溶融又は半溶融又は非溶融状態の加熱と冷却により再結晶化させて結晶粒径を制御した多結晶半導体層に形成し、前記表示領域の結晶粒径を制御した多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成するので、比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路を同一単結晶半導体の支持基板内に形成することができる。そして、表面保護した単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削、研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングにより超薄型電気光学表示素子基板を形成し、支持体を接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
本発明の第１１の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体基板表面に絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成する工程と、表示領域の絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を残して、周辺回路領域の少なくとも非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を除去する工程と、前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、表面保護した前記単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工を行い、超薄型電気光学表示素子基板を形成する工程と、前記超薄型電気光学表示素子基板に支持基板を貼り付ける工程と、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程とを含む。
本製造方法では、単結晶半導体基板表面に絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成し、表示領域の絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を残して、周辺回路領域の少なくとも非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を除去し、前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成するので、比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の非晶質半導体ＴＦＴまたは非晶質及び多結晶混在半導体ＴＦＴまたは多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一単結晶半導体の支持基板内に形成することができる。そして、表面保護した単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削、研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングにより超薄型電気光学表示素子基板を形成し、支持基板を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
本発明の第１２の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる種子基板に多孔質半導体層を形成する工程と、前記種子基板の多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、支持基板に絶縁層を形成する工程と、前記種子基板および支持基板を前記絶縁層の形成面で貼り合わせる工程と、前記種子基板を多孔質半導体層から分離する工程と、前記種子基板の分離により露出した前記単結晶半導体層の表面を少なくとも水素アニール処理によりエッチングして平坦化する工程と、前記単結晶半導体層の表面に絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成する工程と、表示領域の絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を残して、周辺回路領域の少なくとも非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を除去する工程と、前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、表面保護した前記単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工を行い、超薄型電気光学表示素子基板を形成する工程と、前記超薄型電気光学表示素子基板に支持基板を貼り付ける工程と、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程とを含む。
本製造方法では、種子基板を多孔質半導体層から分離した超薄型ＳＯＩ構造の単結晶半導体層表面に絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成し、表示領域の絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を残して、周辺回路領域の少なくとも非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を除去し、前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成するので、比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の非晶質半導体ＴＦＴまたは非晶質及び多結晶混在半導体ＴＦＴまたは多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一単結晶半導体の支持基板内に形成することができる。そして、表面保護した単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削、研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングにより超薄型電気光学表示素子基板を形成し、支持基板を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
本発明の第１３の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる種子基板にイオン注入層を形成する工程と、単結晶半導体からなる支持基板に絶縁層を形成する工程と、前記種子基板のイオン注入層と前記支持基板の絶縁層とを貼り合わせ、熱処理により前記イオン注入層と絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成する工程と、剥離用アニール処理を行い、前記種子基板を同種子基板のイオン注入層の歪み部から分離する工程と、少なくとも水素アニール処理により前記単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化する工程と、前記単結晶半導体層表面に絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成する工程と、表示領域の絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を残して、周辺回路領域の少なくとも非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を除去する工程と、前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、表面保護した前記単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工を行い、超薄型電気光学表示素子基板を形成する工程と、前記超薄型電気光学表示素子基板に支持基板を貼り付ける工程と、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程とを含む。
本製造方法では、種子基板をイオン注入層の歪み部から分離した超薄型ＳＯＩ構造の単結晶半導体層に形成した表示領域の絶縁層及び非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を残して、周辺回路領域の少なくとも非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を除去し、前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成するので、比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の非晶質半導体ＴＦＴまたは非晶質及び多結晶混在半導体ＴＦＴまたは多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一単結晶半導体の支持基板内に形成することができる。そして、表面保護した単結晶半導体基板の裏面から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削、研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングにより超薄型電気光学表示素子基板を形成し、支持基板を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
本発明の第１４の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる種子基板に多孔質半導体層を形成する工程と、前記種子基板の多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、支持基板に絶縁層を形成する工程と、前記種子基板および支持基板を前記絶縁層の形成面で貼り合わせる工程と、前記種子基板を多孔質半導体層から分離する工程と、前記種子基板の分離により露出した前記単結晶半導体層の表面を少なくとも水素アニール処理によりエッチングして平坦化する工程と、前記単結晶半導体層の表示領域のみをエッチングして絶縁層を露出させる工程と、全面に絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成する工程と、表示領域の絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を残して、周辺回路領域の少なくとも非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を除去する工程と、前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、表面保護した前記単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工を行い、超薄型電気光学表示素子基板を形成する工程と、前記超薄型電気光学表示素子基板に支持基板を貼り付ける工程と、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程とを含む。
本製造方法では、種子基板を多孔質半導体層から分離した超薄型ＳＯＩ構造の単結晶半導体層の表示領域のみをエッチングして絶縁層を露出させ、全面に絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成し、表示領域の絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を残して、周辺回路領域の少なくとも非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を除去し、前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成するので。比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の非晶質半導体ＴＦＴまたは非晶質及び多結晶混在半導体ＴＦＴまたは多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一単結晶半導体の支持基板内に形成することができる。そして、表面保護した単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削、研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングにより超薄型電気光学表示素子基板を形成し、支持基板を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
本発明の第１５の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる種子基板にイオン注入層を形成する工程と、単結晶半導体からなる支持基板に絶縁層を形成する工程と、前記種子基板のイオン注入層と前記支持基板の絶縁層とを貼り合わせ、熱処理により前記イオン注入層と絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成する工程と、剥離用アニール処理を行い、前記種子基板を同種子基板のイオン注入層の歪み部から分離する工程と、少なくとも水素アニール処理により前記単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化する工程と、前記単結晶半導体層の表示領域のみをエッチングして絶縁層を露出させる工程と、全面に絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成する工程と、表示領域の絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を残して、周辺回路領域の少なくとも非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を除去する工程と、前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、表面保護した前記単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工を行い、超薄型電気光学表示素子基板を形成する工程と、前記超薄型電気光学表示素子基板に支持基板を貼り付ける工程と、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程を含む。
本製造方法では、種子基板をイオン注入層の歪み部から分離した超薄型ＳＯＩ構造の単結晶半導体層の表示領域のみをエッチングして絶縁層を露出させ、全面に絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成し、表示領域の絶縁層及び非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を残して周辺回路領域の少なくとも非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を除去し、前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成するので、比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の非晶質半導体ＴＦＴまたは非晶質及び多結晶混在半導体ＴＦＴまたは多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一単結晶半導体の支持基板内に形成することができる。そして、表面保護した単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削、研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングにより超薄型電気光学表示素子基板を形成し、支持基板を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
本発明の第１６の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる種子基板に多孔質半導体層を形成する工程と、前記種子基板に前記多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、支持基板に絶縁層を形成する工程と、前記種子基板および支持基板を前記絶縁層の形成面で貼り合わせる工程と、前記種子基板を、同種子基板の多孔質半導体層から分離する工程と、前記種子基板の分離により露出した前記単結晶半導体層の表面を少なくとも水素アニール処理によりエッチングして平坦化する工程と、前記単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させる工程と、表示領域内の半導体表示素子形成領域に遮光性金属層を形成する工程と、全面に絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成する工程と、表示領域の絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を残して、周辺回路領域の少なくとも非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を除去する工程と、前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、表面保護した前記単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工を行い、超薄型電気光学表示素子基板を形成する工程と、前記超薄型電気光学表示素子基板に支持基板を貼り付ける工程と、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程を含む。
本製造方法では、種子基板を多孔質半導体層から分離した超薄型ＳＯＩ構造の単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させ、表示領域内の半導体表示素子形成領域に遮光性金属層を形成し、全面に絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶半混在半導体層または多結晶半導体層を形成し、表示領域の絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶半混在半導体層または多結晶半導体層を残して周辺回路領域の少なくとも非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を除去し、前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成するので、比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の非晶質半導体ＴＦＴまたは非晶質及び多結晶混在半導体ＴＦＴまたは多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路を同一単結晶半導体の支持基板内に形成することができる。そして、表面保護した単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削、研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングにより超薄型電気光学表示素子基板を形成し、支持基板を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
本発明の第１７の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる種子基板にイオン注入層を形成する工程と、単結晶半導体からなる支持基板に絶縁層を形成する工程と、前記種子基板のイオン注入層と前記支持基板の絶縁層とを貼り合わせ、熱処理により前記イオン注入層と絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成する工程と、剥離用アニール処理を行い、前記種子基板を同種子基板のイオン注入層の歪み部から分離する工程と、水素アニール処理により前記単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化する工程と、前記単結晶半導体層の表示領域のみをエッチングして絶縁層を露出させる工程と、表示領域内の半導体表示素子形成領域に遮光性金属層を形成する工程と、全面に絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成する工程と、表示領域の絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を残して周辺回路領域の少なくとも非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を除去する工程と、前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、表面保護した前記単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工を行い、超薄型電気光学表示素子基板を形成する工程と、前記超薄型電気光学表示素子基板に支持基板を貼り付ける工程と、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程を含む。
本製造方法では、種子基板をイオン注入層の歪み部から分離した超薄型ＳＯＩ構造の単結晶半導体層の表示領域のみをエッチングして絶縁層を露出させ、表示領域内の半導体表示素子形成領域に遮光性金属層を形成し、全面に絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成し、表示領域の絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を残して周辺回路領域の少なくとも非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を除去し、前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成するので、比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の非晶質半導体ＴＦＴまたは非晶質及び多結晶混在半導体ＴＦＴまたは多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路を同一単結晶半導体の支持基板内に形成することができる。そして、表面保護した単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削、研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングにより超薄型電気光学表示素子基板を形成し、支持基板を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
本発明の第１８の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、前記第１１〜１７の超薄型電気光学表示装置の製造方法において、前記表示領域に非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成した後に、前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層をシリコン、錫、ゲルマニウム、鉛などの四族元素の少なくとも１種をイオン注入またはイオンドーピングした後に固相成長させて結晶粒径を制御した多結晶半導体層を形成する工程を含む。
本製造方法では、前記表示領域に非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成し、前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層をシリコン、錫、ゲルマニウム、鉛などの四族元素の少なくとも１種をイオン注入またはイオンドーピングした後に固相成長させて結晶粒径を制御した多結晶半導体層を形成し、前記表示領域の結晶粒径を制御した多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成するので、比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一単結晶半導体の支持基板内に形成することができる。そして、表面保護した単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削、研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングにより超薄型電気光学表示素子基板を形成し、支持体を接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
本発明の第１９の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、前記第１１〜１７の超薄型電気光学表示装置の製造方法において、前記表示領域に非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成した後に、前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を再結晶化して結晶粒径を制御した多結晶半導体層に形成し、前記表示領域の結晶粒径を制御した多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、表面保護した前記単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工を行い、超薄型電気光学表示素子基板を形成する工程と、前記超薄型電気光学表示素子基板に支持基板を接着剤で貼り付ける工程と、超薄型電気光学表示装置に分割する工程を含む。
本製造方法では、前記表示領域に非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成し、前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層をＸｅフラッシュランプアニール、あるいはパルス状又は連続波レーザー例えばエキシマレーザー、非線形光学効果による光高調波変調遠紫外線又は／及び近紫外線レーザー、可視光レーザー、赤外線レーザーなど、あるいは集光ランプアニール例えば超高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、キセノンランプなどを照射して溶融又は半溶融又は非溶融状態の加熱と冷却により再結晶化して結晶粒径を制御した多結晶半導体層を形成し、前記表示領域の結晶粒径を制御した多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部に形成するので、比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一単結晶半導体の支持基板内に形成することができる。そして、表面保護した単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削、研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングにより超薄型電気光学表示素子基板を形成し、支持体を接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
本発明の第２０の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、前記第１１〜１７の超薄型電気光学表示装置の製造方法において、前記表示領域に非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成した後に、前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層をシリコン、錫、ゲルマニウム、鉛などの四族元素の少なくとも１種をイオン注入またはイオンドーピングし、更に前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を再結晶化して結晶粒径を制御した多結晶半導体層に形成し、前記表示領域の結晶粒径を制御した多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、表面保護した前記単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工を行い、超薄型電気光学表示素子基板を形成する工程と、前記超薄型電気光学表示素子基板に支持基板を接着剤で貼り付ける工程と、超薄型電気光学表示装置に分割する工程を含む。
本製造方法では、前記表示領域に非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成し、前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層をシリコン、錫、ゲルマニウム、鉛などの四族元素の少なくとも１種をイオン注入またはイオンドーピングし、更に前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層のみを選択的にＸｅフラッシュランプアニール、あるいはパルス状又は連続波レーザー例えばエキシマレーザー、非線形光学効果による光高調波変調遠紫外線又は／及び近紫外線レーザー、可視光レーザー、赤外線レーザーなど、あるいは集光ランプアニール例えば超高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、キセノンランプなどを照射して溶融又は半溶融又は非溶融状態の加熱と冷却により再結晶化して結晶粒径を制御した多結晶半導体層に形成し、前記表示領域の結晶粒径を制御した多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成するので、比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路を同一単結晶半導体の支持基板内に形成することができる。そして、表面保護した単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削、研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングにより超薄型電気光学表示素子基板を形成し、支持体を接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
また、本発明の前記第１〜２０の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、前記半導体エピタキシャル成長あるいはプラズマＣＶＤあるいは熱ＣＶＤあるいはスパッタリングあるいは蒸着により前記表示領域に多結晶半導体層あるいは非晶質半導体層あるいは非晶質及び多結晶混在半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成する工程と、前記表示領域の多結晶半導体層あるいは非晶質半導体層あるいは非晶質及び多結晶混在半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、表示領域の画素開口部となる部分の多結晶半導体層あるいは非晶質半導体層あるいは非晶質及び多結晶混在半導体層を除去して画素開口部を形成し、画素開口部を透光性材料により埋め込み表面平坦化し、その上に画素表示素子に接続した画素電極を形成する工程と、表面保護した前記単結晶半導体の支持基板裏面側から超薄膜加工を行い、画素開口部に埋め込んだ透光性材料を露出させ、透光性材料を露出させて超薄型電気光学表示素子基板を形成する工程と、前記超薄型電気光学表示素子基板に透明支持基板を透明接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することを含む。
本製造方法によれば、前記半導体エピタキシャル成長あるいはプラズマＣＶＤあるいは熱ＣＶＤあるいはスパッタリングあるいは蒸着により前記表示領域に多結晶半導体層あるいは非晶質半導体層あるいは非晶質及び多結晶混在半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成し、任意に制御にされた電子・正孔移動度で且つ低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴあるいは非晶質半導体ＴＦＴあるいは非晶質及び多結晶混在半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一単結晶半導体の支持基板上に形成することができる。
そして、表面保護した単結晶半導体の支持基板裏面側から超薄膜加工、たとえば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削、研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングを行い、画素開口部に埋め込んだ透光性材料を露出させ、透光性材料を露出させた面に透明支持基板を貼り付ける支持基板を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
また、本発明の前記第１〜２０の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、前記半導体エピタキシャル成長あるいはプラズマＣＶＤあるいは熱ＣＶＤあるいはスパッタリング、蒸着により前記表示領域に多結晶半導体層あるいは非晶質半導体層あるいは非晶質及び多結晶混在半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成する工程と、前記表示領域の多結晶半導体層あるいは非晶質半導体層あるいは非晶質及び多結晶混在半導体層のみに選択的に四族元素（Ｓｉ、Ｇｅ、錫、鉛など）の少なくとも１種、例えばＳｉイオン注入またはイオンドーピングした後に固相成長させて粒径制御した多結晶半導体層を形成する工程と、前記表示領域の結晶粒径を制御した多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、表示領域の画素開口部となる部分の多結晶半導体層あるいは非晶質半導体層あるいは非晶質及び多結晶混在半導体層を除去し、画素開口部を透光性材料により埋め込み表面平坦化し、埋め込んだ透光性材料の上に画素表示素子に接続した画素電極を形成する工程と、表面保護した前記単結晶半導体の支持基板裏面側から超薄膜加工を行い、画素開口部に埋め込んだ透光性材料を露出させて超薄型電気光学表示素子基板を形成する工程と、前記超薄型電気光学表示素子基板の透光性材料を露出させた面に透明支持基板を透明接着剤で貼り付け、超薄型電気光学表示素子基板に分割することを含む。
本製造方法によれば、前記半導体エピタキシャル成長あるいはプラズマＣＶＤあるいは熱ＣＶＤあるいはスパッタリングあるいは蒸着により前記表示領域に多結晶半導体層あるいは非晶質半導体層あるいは非晶質及び多結晶混在半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成する工程と、前記表示領域の多結晶半導体層あるいは非晶質半導体層あるいは非晶質及び多結晶混在半導体層のみに選択的に四族元素（Ｓｉ、Ｇｅ、錫、鉛など）の少なくとも１種をイオン注入またはイオンドーピング、例えばＳｉイオンを１×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上（３０ＫeＶ、１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ２、ＳｉＦ４など）注入した後に、６００〜６５０℃１２〜１５時間程度の固相成長により結晶粒径（電子・正孔移動度）を制御した多結晶半導体層を表示素子部に形成するので、任意に制御にされた電子・正孔移動度で且つ低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と，高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一単結晶半導体の支持基板上に形成することができる。
そして、表面保護した単結晶半導体の支持基板裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削、研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングを行い、画素開口部に埋め込んだ透光性材料を露出させて超薄型電気光学表示素子基板を形成し、透光性材料を露出させた面に透明支持基板を透明接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
尚、この固相成長により結晶粒径を制御した多結晶半導体層中に、Ｇｅ、錫、鉛などの四族元素の少なくとも１種の合計が適量（例えば１×１０１８〜１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｃ）含有させると、多結晶半導体の結晶粒界に存在する不整を低減し、その膜ストレスを低減するので、高キャリア移動度で高品質の多結晶半導体層が得られる。
さらに、本発明の前記第１〜２０の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、前記半導体エピタキシャル成長あるいはプラズマＣＶＤあるいは熱ＣＶＤあるいはスパッタリングあるいは蒸着により前記表示領域に多結晶半導体層あるいは非晶質半導体層あるいは非晶質及び多結晶混在半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成する工程と、前記表示領域の多結晶半導体層あるいは非晶質半導体層あるいは非晶質及び多結晶混在半導体層のみを選択的にフラッシュランプアニールあるいはレーザーアニールあるいは集光ランプアニールによる溶融又は半溶融又は非溶融状態の加熱と冷却により結晶粒径制御した多結晶半導体層を形成する工程と、前記表示領域の結晶粒径制御した多結晶半導体層に表示素子部を、、前記周辺回路領域に単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、前記表示領域の画素開口部となる部分の多結晶半導体層を除去して画素開口部を形成する工程と、画素開口部を透光性材料により埋め込み表面平坦化し、埋め込んだ透光性材料の上に画素表示素子に接続した画素電極を形成する工程と、表面保護した前記単結晶半導体の支持基板裏面側から超薄膜加工を行い、画素開口部に埋め込んだ透光性材料を露出させて超薄型電気光学表示素子基板を形成する工程と、前記超薄型電気光学表示素子基板の透光性材料を露出させた面に透明支持基板を透明接着剤で貼り付け、超薄型電気光学表示装置に分割することを含む。
本製造方法によれば、前記半導体エピタキシャル成長あるいはプラズマＣＶＤあるいは熱ＣＶＤあるいはスパッタリングあるいは蒸着により前記表示領域に多結晶半導体層あるいは非晶質半導体層あるいは非晶質及び多結晶混在半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成し、前記表示領域の多結晶半導体層あるいは非晶質半導体層あるいは非晶質及び多結晶混在半導体層のみに、選択的にＸｅフラッシュランプアニール、あるいはパルス状又は連続波レーザーアニール例えばエキシマレーザー、非線形光学効果による光高調波変調遠紫外線又は／及び近紫外線レーザー、可視光レーザー、赤外線レーザーなど、あるいは集光ランプアニール例えば超高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、キセノンランプなどを照射して再結晶化させることで結晶粒径を制御した多結晶半導体層を表示素子部に形成するので、任意に制御された電子・正孔移動度で且つ低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一単結晶半導体の支持基板上に形成することができる。
そして、表面保護した単結晶半導体の支持基板裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削、研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングを行い、画素開口部に埋め込んだ透光性材料を露出させ、透光性材料を露出させた面に透明支持基板を透明接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
尚、前記固相成長、レーザーアニール、集光ランプアニールなどによる表示領域の多結晶半導体層の改質は、その表面から５０〜１００ｎｍ深さの半導体活性層を対象とするそれぞれの条件（注入イオンの種類と注入深さ、レーザー種類の選択など）であってよい。
さらに、本発明の前記第１〜２０の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、前記半導体エピタキシャル成長あるいはプラズマＣＶＤあるいは熱ＣＶＤあるいはスパッタリングあるいは蒸着により前記表示領域に多結晶半導体層あるいは非晶質半導体層あるいは非晶質及び多結晶混在半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成する工程と、前記表示領域の多結晶半導体層あるいは非晶質半導体層あるいは非晶質及び多結晶混在半導体層のみを選択的に四族元素（Ｓｉ、Ｇｅ、錫、鉛など）の少なくとも１種のイオン注入またはイオンドーピングした後に、更に選択的にフラッシュランプアニールあるいはレーザーアニールあるいは集光ランプアニールによる溶融又は半溶融又は非溶融状態の加熱と冷却により結晶粒径制御した多結晶半導体層を形成し、前記表示領域の結晶粒径制御した多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、前記表示領域の画素開口部となる部分の多結晶半導体層を除去して画素開口部を形成する工程と、画素開口部を透光性材料により埋め込み表面平坦化し、埋め込んだ透光性材料の上に画素表示素子に接続した画素電極を形成する工程と、表面保護した前記単結晶半導体の支持基板裏面側から超薄膜加工を行い、画素開口部に埋め込んだ透光性材料を露出させて超薄型電気光学表示素子基板を形成する工程と、前記超薄型電気光学表示素子基板の透光性材料を露出させた面に透明支持基板を透明接着剤で貼り付け、超薄型電気光学表示装置に分割することを含む。
本製造方法によれば、前記半導体エピタキシャル成長あるいはプラズマＣＶＤあるいは熱ＣＶＤあるいはスパッタリングあるいは蒸着により前記表示領域に多結晶半導体層あるいは非晶質半導体層あるいは非晶質及び多結晶混在半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成し、前記表示領域の多結晶半導体層あるいは非晶質半導体層あるいは非晶質及び多結晶混在半導体層のみに、選択的に四族元素（Ｓｉ、Ｇｅ、錫、鉛など）の少なくとも１種をイオン注入またはイオンドーピング、例えばＳｉイオン注入した後に、更に選択的にＸｅフラッシュランプアニール、あるいはパルス状又は連続波レーザーアニール例えばエキシマレーザー、非線形光学効果による光高調波変調遠紫外線又は／及び近紫外線レーザー、可視光レーザー、赤外線レーザーなど、あるいは集光ランプアニール例えば超高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、キセノンランプなどを照射して再結晶化させることで結晶粒径を制御した多結晶半導体層を表示素子部に形成するので、任意に制御された電子・正孔移動度で且つ低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一単結晶半導体の支持基板上に形成することができる。
そして、表面保護した単結晶半導体の支持基板裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削、研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングを行い、画素開口部に埋め込んだ透光性材料を露出させ、透光性材料を露出させた面に透明支持基板を透明接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
ところで、この四族元素はイオン注入又はイオンドーピングによりアモルファスＳｉ膜またはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層またはポリＳｉ層中に含有させることが出来る。
また、ＣＶＤでのＳｉエピタキシャル成長、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤでの成膜時に、原料ガス中にガス成分として混合してアモルファスＳｉ層またはポリＳｉ層またはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層及び単結晶Ｓｉ膜中に四族元素、例えばＧｅ、錫などを含有させてもよい。
また、この四族元素例えばＧｅ、錫などを適量含有するＳｉターゲットをスパッタリングすることで、アモルファスＳｉ膜またはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層またはポリＳｉ層中に含有させることが出来る。
本発明の前記第１〜２０の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、歪みチャネルが誘起されるチャネル半導体層、例えばＳｉ層と、格子定数が前記チャネル半導体層のそれと異なり、前記チャネル半導体に歪みを印加する歪み印加半導体層としての単結晶半導体層、例えばＳｉＧｅ層を多孔質半導体層上に形成、または歪みチャネルが誘起されるチャネル半導体層と、格子定数が前記チャネル半導体層のそれと異なり、前記チャネル半導体に歪みを印加する歪み印加半導体層としての単結晶半導体層、例えばＳｉＧｅ層を単結晶半導体層上に形成、または歪みチャネルが誘起されるチャネル半導体層と、格子定数が前記チャネル半導体層のそれと異なり、前記チャネル半導体に歪みを印加する歪み印加半導体層としての単結晶半導体層、例えばＳｉＧｅ層を絶縁層上に形成し、その歪み印加半導体層上に半導体エピタキシャル成長により歪みチャネル層としての単結晶半導体層、例えば歪みＳｉ層を形成することで、従来の無歪みチャネル層の単結晶半導体層に比べ約１．７６倍の大幅な電子移動度の向上を達成したＭＯＳＴＦＴ周辺回路が実現するので、高性能、高精細、高品質の超薄型電気光学表示装置が実現する。
ここで、上記本発明の超薄型電気光学表示装置の製造方法において、表示素子部および周辺回路部を形成した支持基板に所定の液晶ギャップを介して対向基板を重ね合わせてシールした後に、対向基板側を表面保護した支持基板裏面側からの超薄膜加工を行い、超薄膜加工後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割後に液晶注入封止することにより、超薄型電気光学表示装置としての超薄型の反射型ＬＣＤが得られる。
あるいは、超薄型の反射型ＬＣＤは、表示素子部および周辺回路部を形成した支持基板に所定の液晶ギャップを介して対向基板を重ね合わせてシールした後に、対向基板側を表面保護した支持基板裏面側から超薄膜加工を行い、超薄膜加工後の超薄型電気光学表示素子基板内の良品チップに支持体の良品チップを接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割後に液晶注入封止することにより得られる。
また、上記本発明の超薄型電気光学表示装置の製造方法において、超薄膜加工後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を接着剤で貼り付けた後、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板を、配向膜形成および配向処理した電気光学表示素子基板に、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールし、各超薄型電気光学表示装置に分割後に液晶注入封止することにより、超薄型の反射型ＬＣＤが得られる。
また、超薄型の反射型ＬＣＤは、超薄膜加工後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を接着剤で貼り付けた後、透明電極形成して配向膜形成および配向処理して切断した対向基板の良品チップを、配向膜形成および配向処理した電気光学表示素子基板内の良品チップに、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールし、各超薄型電気光学表示装置に分割した後に液晶注入封止、あるいは液晶注入封止した後に各超薄型電気光学表示装置に分割することにより得られる。
あるいは、超薄型の反射型ＬＣＤは、超薄膜加工後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を接着剤で貼り付けた後、透明電極形成して配向膜形成および配向処理して切断した対向基板の良品チップを、配向膜形成および配向処理して切断した電気光学表示素子基板の良品チップに、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールし、液晶注入封止した後に各超薄型電気光学表示装置に分割することにより得られる。
また、超薄型の反射型ＬＣＤは、単結晶半導体層の電気光学表示素子基板内の良品チップに所定の液晶ギャップを介して対向基板の良品チップを重ね合わせてシールし、液晶注入封止した後に、対向基板側を表面保護した支持基板裏面側からの超薄膜加工を行い、超薄膜加工後の超薄型電気光学表示素子基板内に支持体を接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより得られる。
あるいは、超薄型の反射型ＬＣＤは、単結晶半導体層の電気光学表示素子基板内の良品チップに所定の液晶ギャップを介して対向基板の良品チップを重ね合わせてシールし、液晶注入封止した後に、対向基板側を表面保護した支持基板裏面側からの超薄膜加工を行い、超薄膜加工後の超薄型電気光学表示素子基板内の良品チップに支持体の良品チップを接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより得られる。
一方、超薄型電気光学表示装置としての超薄型の透過型ＬＣＤは、上記本発明の超薄型電気光学表示装置の製造方法において、電気光学表示素子基板の表示領域の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、この上に画素表示素子に接続した透明電極を形成して配向膜形成および配向処理した電気光学表示素子基板に、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板を、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールした後、対向基板側を表面保護した支持基板裏面側からの超薄膜加工を行い、超薄膜加工後の超薄型電気光学表示素子基板に透明な支持体を透明接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割後に液晶注入封止することにより得られる。
あるいは、超薄型の透過型ＬＣＤは、電気光学表示素子基板の表示領域の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、この上に画素表示素子に接続した透明電極を形成して配向膜形成および配向処理した電気光学表示素子基板に、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板を、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールした後、対向基板側を表面保護した支持基板裏面側からの超薄膜加工を行い、超薄膜加工後の超薄型電気光学表示素子基板内の良品チップに透明な支持体の良品チップを透明接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割後に液晶注入封止することにより得られる。
また、超薄型の透過型ＬＣＤは、電気光学表示素子基板の表示部の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、この上に画素表示素子に接続した透明電極を形成して配向膜形成および配向処理した電気光学表示素子基板内の良品チップに、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板の良品チップを、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールした後に液晶注入封止し、対向基板側を表面保護した支持基板裏面側からの超薄膜加工を行い、少なくとも表示部の画素開口部の光透過性材料を露出させ、この超薄膜加工後の超薄型電気光学表示素子基板に透明な支持体を透明接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより得られる。
あるいは、超薄型の透過型ＬＣＤは、電気光学表示素子基板の表示部の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、この上に画素表示素子に接続した透明電極を形成して配向膜形成および配向処理した電気光学表示素子基板内の良品チップに、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板の良品チップを、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールした後に液晶注入封止し、対向基板側を表面保護した支持基板裏面側からの超薄膜加工を行い、少なくとも表示部の画素開口部の光透過性材料を露出させ、この超薄膜加工後の超薄型電気光学表示素子基板内の良品チップに透明な支持体の良品チップを透明接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより得られる。
また、超薄型の透過型ＬＣＤは、配向膜形成および配向処理した電気光学表示素子基板内の良品チップに、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板の良品チップを、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールした後に液晶注入封止し、対向基板側を表面保護した支持基板裏面側からの超薄膜加工を行い、この超薄膜加工後の超薄型電気光学表示素子基板内に透明な支持体を透明接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより得られる。
あるいは、超薄型の透過型ＬＣＤは、配向膜形成および配向処理した前記電気光学表示素子基板内の良品チップに、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板の良品チップを、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールした後に液晶注入封止し、対向基板側を表面保護した支持基板裏面側からの超薄膜加工を行い、この超薄膜加工後の超薄型電気光学表示素子基板内の良品チップに透明な支持体の良品チップを透明接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより得られる。
また、超薄型の透過型ＬＣＤは、上記本発明の超薄型電気光学表示装置の製造方法において、超薄膜加工後の超薄型電気光学表示素子基板に透明な支持体を透明接着剤で貼り付けた後、電気光学表示素子基板の表示領域の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、この上に画素表示素子に接続した透明電極を形成して配向膜形成および配向処理した電気光学表示素子基板に、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板を、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールし、各超薄型電気光学表示装置に分割後に液晶注入封止することにより得られる。
また、超薄型の透過型ＬＣＤは、超薄膜加工後の超薄型電気光学表示素子基板に透明な支持体を透明接着剤で貼り付けた後、電気光学表示素子基板の表示領域の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、この上に画素表示素子に接続した透明電極を形成して配向膜形成および配向処理した電気光学表示素子基板内の良品チップに、透明電極形成して配向膜形成および配向処理して切断した対向基板の良品チップを、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールし、各超薄型電気光学表示装置に分割した後に液晶注入封止、あるいは液晶注入封止した後に各超薄型電気光学表示装置に分割することにより得られる。
あるいは、超薄型の透過型ＬＣＤは、超薄膜加工後の超薄型電気光学表示素子基板に透明な支持体を透明接着剤で貼り付けた後、電気光学表示素子基板の表示領域の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、この上に画素表示素子に接続した透明電極を形成し、さらに配向膜形成および配向処理して切断した電気光学表示素子基板の良品チップに、透明電極形成して配向膜形成および配向処理して切断した対向基板の良品チップを、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールし、液晶注入封止することにより得られる。
更に、プロジェクタ用透過型ＬＣＤは、超薄膜加工した超薄型電気光学表示素子基板に、例えば反射防止膜無しで直線透過率８０％以上の光学特性を満足する１（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上の高熱伝導性ガラス例えば石英ガラス、透明結晶化ガラス（ネオセラム、クリアセラム、ゼロデュアなど）など、更に反射防止膜無しで直線透過率８０％以上の光学特性を満足する１０（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上の高い熱伝導性ガラス例えば高透光性セラミック多結晶体｛酸化物結晶体の電融または焼結ＭｇＯ（マグネシア）、Ｙ２Ｏ３（イットリア）、ＣａＯ（カルシア）、ＡＬ２Ｏ３（単結晶サファイア）、ＢｅＯ（ベリリア）、多結晶サファイアなど、または複酸化物結晶体の単結晶または多結晶ＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet）、単結晶または多結晶ＭｇＡｌ２Ｏ４（スピネル）、３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３・ＳｉＯ２など｝、フッ化物単結晶体（フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、フッ化バリウムなど）、気相合成ダイヤモンド膜コートした高透光性セラミック多結晶体またはフッ化物単結晶体または透明結晶化ガラス、水晶などの透明基板を耐光性の透明接着剤で貼り合せることで、強い入射光に対して高い熱放散効果を発揮して高輝度化、高精細化、長寿命化を実現し、品質及び信頼性を高めたプロジェクタ用透過型ＬＣＤを実現できる。
尚、対向基板（マイクロレンズ基板、ブラックマスク基板などを含む）、入射側の反射防止膜形成の防塵ガラス、出射側の反射防止膜形成の防塵ガラスにも前記高熱伝導性ガラスを使用すること、たとえば、入射側より反射防止膜形成の単結晶サファイア防塵ガラス、単結晶サファイアの対向基板、液晶層、超薄型電気光学表示素子基板、単結晶サファイアの支持基板、反射防止膜形成の単結晶サファイア防塵ガラスの構造として相互を耐光性の透明接着剤で貼り合せることで、更に高い熱放散効果を期待できる。
さらに、プロジェクタ用反射型ＬＣＤの場合は対向基板（ブラックマスク基板を含む）材、入射側の反射防止膜形成の防塵ガラス材として上記同様の例えば反射防止膜無しで直線透過率８０％以上の光学特性を満足する１（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上の高熱伝導性ガラス例えば石英ガラス、透明結晶化ガラス（ネオセラム、クリアセラム、ゼロデュアなど）など、更に反射防止膜無しで直線透過率８０％以上の光学特性を満足する１０（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上の高い熱伝導性ガラス例えば高透光性セラミック多結晶体｛酸化物結晶体の電融または焼結ＭｇＯ（マグネシア）、Ｙ２Ｏ３（イットリア）、ＣａＯ（カルシア）、ＡＬ２Ｏ３（単結晶サファイア）、ＢｅＯ（ベリリア）、多結晶サファイアなど、または複酸化物結晶体の単結晶または多結晶ＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet）、単結晶または多結晶ＭｇＡｌ２Ｏ４（スピネル）、３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３・ＳｉＯ２など｝、フッ化物単結晶体（フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、フッ化バリウムなど）、気相合成ダイヤモンド膜コートした高透光性セラミック多結晶体またはフッ化物単結晶体または透明結晶化ガラス、水晶などの透明基板を耐光性の透明接着剤で貼り合せることで、強い入射光に対して高い熱放散効果を発揮して高輝度化、高精細化、長寿命化を実現し、品質及び信頼性を高めることが出来る。
なお、たとえば、入射側より反射防止膜形成した複屈折無しの単結晶または多結晶ＹＡＧ或いはスピネルの防塵ガラス、単結晶または多結晶ＹＡＧ或いはスピネルの対向基板、液晶層、超薄型電気光学表示素子基板、金属支持基板の構造とし、反射防止膜形成した単結晶または多結晶ＹＡＧ或いはスピネルの防塵ガラスと単結晶または多結晶ＹＡＧ或いはスピネルの対向基板を耐光性の透明接着剤で貼り合わせ、且つ超薄型電気光学表示素子基板と金属支持基板を高熱伝導性及び導電性接着剤で貼り合わせることで高い熱放散効果を期待できる。
ところで、透明電極及び配向膜を形成して配向処理した集光レンズとして機能するマイクロレンズアレイを形成した対向基板と、表示部の画素開口部をエッチングして光透過性材料を埋め込み表面平坦化し、画素表示素子に接続した透明電極及び及び配向膜を形成して配向処理を行った超薄型電気光学表示素子基板を重ね合わせてシールして液晶注入封止した後に、対向基板側を表面保護した支持基板裏面側から超薄膜加工を行い、光透過性材料を露出或いは透明絶縁層を介して光透過性材料を露出させた超薄型電気光学表示素子基板に、フィールドレンズとして機能するマイクロレンズアレイを形成した透明支持基板を透明接着剤で貼り合せたデュアルマイクロレンズ構造は、従来のシングルマイクロレンズ構造よりも高精度な二重のマイクロレンズ機能で集光させて光源光の利用効率を高めて画素の実効開口率を高めることが出来るので、更なる高輝度、高精細、長寿命のプロジェクタ用透過型ＬＣＤが実現できる。
更に、透明電極及び配向膜を形成して配向処理した集光レンズとして機能する各マイクロレンズ周囲に反射膜を形成したマイクロレンズアレイ形成の対向基板と、表示部の画素開口部をエッチングして光透過性材料を埋め込み表面平坦化し、画素表示素子に接続した透明電極及び配向膜を形成して配向処理を行った超薄型電気光学表示素子基板を重ね合わせてシールして液晶注入封止した後に、対向基板側を表面保護した支持基板裏面側から超薄膜加工を行い、光透過性材料を露出或いは透明絶縁層を介して光透過性材料を露出させた超薄型電気光学表示素子基板に、フィールドレンズとして機能する各マイクロレンズ周囲に低反射遮光膜を形成したマイクロレンズアレイ形成の透明支持基板を透明接着剤で貼り合せたデュアルマイクロレンズ構造は、高精度な二重のマイクロレンズ機能で集光させて光源光の利用効率を高めて画素の実効開口率を高め、且つ不要な入射光及び反射光を除去するので、更なる高輝度、高コントラスト、高精細、長寿命のプロジェクタ用透過型ＬＣＤが実現できる。
ところで、表示領域の画素開口部の多結晶半導体層または非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層を除去した後、絶縁膜および遮光性金属膜を順に形成してから光透過性材料を埋め込み表面平坦化することによって、遮光性金属膜の遮光作用により、特に黒色系金属膜の場合にはその低反射性によって、強い入射光による表示素子への漏れ光を防止できるため、画質を向上させることができる。
更に、白色系金属膜の場合には強い入射光の反射により温度上昇を抑え、液晶透過光が向上するので、高輝度化と長寿命化が期待できる。
このとき、各画素開口部内壁の遮光性金属膜をアース電位にしておくことで、強い入射光による各部のチャージアップを防止できるので、ＴＦＴのリーク電流が防止され、高輝度、高精細、高機能なプロジェクタ用透過型ＬＣＤが実現できる。
一方、超薄型電気光学表示装置としての超薄型の半透過型ＬＣＤは、上記本発明の超薄型電気光学表示装置の製造方法において、電気光学表示素子基板の表示部の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、そこに画素表示素子に接続した反射と透過の二領域の画素電極を形成して配向膜形成および配向処理した電気光学表示素子基板に、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板を、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールした後、対向基板側を表面保護した支持基板裏面側から超薄膜加工を行い、少なくとも表示部の画素開口部の光透過性材料を露出させ、この超薄膜加工後の超薄型電気光学表示素子基板に透明な支持体を透明接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割後に液晶注入封止することにより、光透過率が低く、十分に光透過しにくい超薄型電気光学表示素子基板の表示部の画素開口部を光透過性材料により形成した超薄型の半透過型ＬＣＤが得られる。
あるいは、超薄型の半透過型ＬＣＤは、電気光学表示素子基板の表示部の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、そこに画素表示素子に接続した反射と透過の二領域の画素電極を形成して配向膜形成および配向処理した電気光学表示素子基板に、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板を、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールした後、対向基板側を表面保護した支持基板裏面側から超薄膜加工を行い、少なくとも表示部の画素開口部の光透過性材料を露出させ、この超薄膜加工後の超薄型電気光学表示素子基板内の良品チップに透明な支持体の良品チップを透明接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割後に液晶注入封止することにより得られる。
また、超薄型の半透過型ＬＣＤは、電気光学表示素子基板の表示部の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、そこに画素表示素子に接続した反射と透過の二領域の画素電極を形成して配向膜形成および配向処理した電気光学表示素子基板内の良品チップに、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板の良品チップを、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールした後に液晶注入封止し、対向基板側を表面保護した支持基板裏面側から超薄膜加工を行い、少なくとも表示部の画素開口部の光透過性材料を露出させ、この超薄膜加工後の超薄型電気光学表示素子基板に透明な支持体を透明接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより得られる。
また、超薄型の半透過型ＬＣＤは、電気光学表示素子基板の表示部の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、そこに画素表示素子に接続した反射と透過の二領域の画素電極を形成して配向膜形成および配向処理した電気光学表示素子基板内の良品チップに、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板の良品チップを、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールした後に液晶注入封止し、対向基板側を表面保護した前記支持基板裏面側から超薄膜加工を行い、少なくとも表示部の画素開口部の光透過性材料を露出させた超薄型電気光学表示素子基板内の良品チップに透明な支持体の良品チップを透明接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより得られる。
また、超薄型の半透過型ＬＣＤは、画素表示素子に接続した反射と透過の二領域の画素電極を形成して配向膜形成および配向処理した電気光学表示素子基板内の良品チップに、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板の良品チップを、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールした後に液晶注入封止し、対向基板側を表面保護した支持基板裏面側から超薄膜加工で形成した超薄型電気光学表示素子基板内に透明な支持体を透明接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより得られる。
また、超薄型の半透過型ＬＣＤは、画素表示素子に接続した反射と透過の二領域の画素電極を形成して配向膜形成および配向処理した電気光学表示素子基板内の良品チップに、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板の良品チップを、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールした後に液晶注入封止し、対向基板側を表面保護した支持基板裏面側から超薄膜加工で形成した超薄型電気光学表示素子基板内の良品チップに透明な支持体の良品チップを透明接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより得られる。
また、上記本発明の超薄型電気光学表示装置の製造方法において、超薄膜加工後の超薄型電気光学表示素子基板に透明な支持体を透明接着剤で貼り付けた後、超薄型電気光学表示素子基板の表示部の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、そこに画素表示素子に接続した反射と透過の二領域の画素電極を形成して配向膜形成および配向処理した超薄型電気光学表示素子基板に、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板を、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールし、各超薄型電気光学表示装置に分割後に液晶注入封止することにより、光透過率が低く、十分に光透過しにくい超薄型電気光学表示素子基板の表示部の画素開口部を光透過性材料により形成した超薄型の半透過型ＬＣＤが得られる。
また、超薄型の半透過型ＬＣＤは、超薄膜加工後の超薄型電気光学表示素子基板に透明な支持体を透明接着剤で貼り付けた後、超薄型電気光学表示素子基板の表示部の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、そこに画素表示素子に接続した反射と透過の二領域の画素電極を形成して配向膜形成および配向処理した超薄型電気光学表示素子基板内の良品チップに、透明電極形成して配向膜形成および配向処理して切断した対向基板の良品チップを、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールし、各超薄型電気光学表示装置に分割後に液晶注入封止、あるいは液晶注入封止した後に各超薄型電気光学表示装置に分割することにより得られる。
あるいは、超薄型の半透過型ＬＣＤは、超薄膜加工後の超薄型電気光学表示素子基板に透明な支持体を透明接着剤で貼り付けた後、超薄型電気光学表示素子基板の表示部の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、そこに画素表示素子に接続した反射と透過の二領域の画素電極を形成して配向膜形成および配向処理して切断した電気光学表示素子基板の良品チップに、透明電極形成して配向膜形成および配向処理して切断した対向基板の良品チップを、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールし、液晶注入封止することにより得られる。
尚、超薄型の透過型または半透過型ＬＣＤにおいて、超薄型電気光学表示素子基板の表示領域の多結晶半導体層または非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層が例えば５０ｎｍ以下と薄い場合は、使用目的によっては必ずしも画素開口部をエッチングして光透過材料を埋め込む必要はなく、そのまま透明支持基板に透明接着剤で貼り合わせて、コストダウンを図ってもよい。
上記本発明の超薄型電気光学表示装置の製造方法において、表示素子部および周辺回路部を形成した支持基板に、画素表示素子に接続した陰極、有機ＥＬ発光層および陽極を形成し、耐湿性樹脂により封止した後に耐湿性樹脂側を表面保護した支持基板裏面側から超薄膜加工を行い、この超薄膜加工後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、超薄型電気光学表示装置としての超薄型の上面発光型有機ＥＬが得られる。
あるいは、超薄型の上面発光型有機ＥＬは、表示素子部および周辺回路部を形成した支持基板の画素表示素子に接続した陰極、有機ＥＬ発光層および陽極を形成し、耐湿性樹脂により封止した後に耐湿性樹脂側を表面保護した支持基板裏面側から超薄膜加工を行い、この超薄膜加工後の超薄型電気光学表示素子基板内の良品チップに支持体の良品チップを接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより得られる。
また、上記本発明の超薄型電気光学表示装置の製造方法において、超薄膜加工後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を接着剤で貼り付けた後、画素表示素子に接続した陰極、有機ＥＬ発光層および陽極を形成し、耐湿性樹脂により封止した後に各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、超薄型の上面発光型有機ＥＬが得られる。
一方、超薄型電気光学表示装置としての超薄型の下面発光型有機ＥＬは、上記本発明の超薄型電気光学表示装置の製造方法において、電気光学表示素子基板の表示領域の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、この上に画素表示素子に接続した陽極、有機ＥＬ発光層および陰極を形成し、耐湿性樹脂により封止した後に耐湿性樹脂側を表面保護した支持基板裏面側から超薄膜加工を行い、この超薄膜加工後の超薄型電気光学表示素子基板に透明な支持体を透明接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより得られる。
あるいは、超薄型の下面発光型有機ＥＬは、電気光学表示素子基板の表示領域の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、この上に画素表示素子に接続した陽極、有機ＥＬ発光層および陰極を形成し、耐湿性樹脂により封止した後に耐湿性樹脂側を表面保護した支持基板裏面側から超薄膜加工を行い、この超薄膜加工後の超薄型電気光学表示素子基板内の良品チップに透明な支持体の良品チップを透明接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより得られる。
また、超薄型の下面発光型有機ＥＬは、上記本発明の超薄型電気光学表示装置の製造方法において、超薄膜加工後の超薄型電気光学表示素子基板に透明な支持体を透明接着剤で貼り付けた後、超薄型電気光学表示素子基板の表示領域の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、この上に画素表示素子に接続した陽極、有機ＥＬ発光層および陰極を形成し、耐湿性樹脂により封止した後に各超薄型電気光学表示装置に分割することにより得られる。
超薄型の反射型ＬＣＤや上面発光型有機ＥＬでは、画素表示部の反射電極下の単結晶半導体層にも表示回路以外のメモリー回路等含む周辺回路の一部を形成することで、集積度を高めて高精細、高機能、高品質で安価な超薄型電気光学表示装置が実現する。
また、単結晶半導体層に多層配線構造の周辺回路或いは表示回路及び周辺回路を形成することで、集積度を高めて高精細、高機能、高品質で安価な超薄型電気光学表示装置が実現する。
更に、シール領域の単結晶半導体層にも周辺回路を形成することで、ＬＣＤパネルサイズのシュリンクによるウエーハ１枚当たりの取り個数が増加してコストダウンが実現する。
ところで、例えば単結晶Ｓｉ層の格子定数と異なり、前記単結晶Ｓｉ層に歪みを印加する歪み印加半導体のシリコンゲルマニウム混晶層（以後、ＳｉＧｅ層と称する）層を多孔質Ｓｉ層上に形成し、全面に絶縁層を形成して表示領域の絶縁層を残し、周辺回路領域の絶縁層をエッチングした後に、半導体エピタキシャル成長により表示領域にポリＳｉ層を形成し、周辺回路領域に歪み印加半導体のＳｉＧｅ層をシードに歪みチャネル層の単結晶Ｓｉ層（以後、歪みＳｉ層と称する）による超薄型歪みＳＯＩ層を形成、あるいは半導体エピタキシャル成長により単結晶Ｓｉ基板上に歪み印加半導体のＳｉＧｅ層を形成し、全面に絶縁層を形成して表示領域の絶縁層を残し、周辺回路領域の絶縁層をエッチングした後に、半導体エピタキシャル成長により表示領域にポリＳｉ層を形成し、周辺回路領域に歪み印加半導体のＳｉＧｅ層をシードに歪みチャネル層の歪みＳｉ層による超薄型歪みＳＯＩ層を形成、あるいは絶縁層上に歪み印加半導体のＳｉＧｅ層を形成し、表示領域のＳｉＧｅ層をエッチングして絶縁層を露出させた後に、Ｓｉエピタキシャル成長により表示領域にポリＳｉ層を、周辺回路領域には歪み印加半導体のＳｉＧｅ層をシードに歪みチャネル層の歪みＳｉ層による超薄型歪みＳＯＩ層を形成することにより、歪みチャネル半導体層に歪みをかけるとそのバンド構造が変化し、その結果、縮退が解けて電子散乱が抑制され、更に電子移動度を高めることが出来るので、例えば無歪みチャネル層の単結晶Ｓｉ層に比べ約１．７６倍の大幅な高い電子移動度が実現し、高い電子・正孔移動度で高い駆動能力を有するＭＯＳＴＦＴの表示部及び周辺回路からなる高性能、高精細、高品質の超薄型電気光学表示装置が可能となる。
このＧｅ組成比は大きい方が良く、０．２を大きく下回る場合はＭＯＳＴＦＴの移動度の顕著な向上は期待できず、また、０．５を大きく超える場合はＳｉＧｅ層表面凹凸の増加や膜質低下等の問題があり、０．３程度が好ましい。また、Ｇｅ濃度はＳｉＧｅ層の中で徐徐に増加させ、表面で所望濃度となる傾斜組成とし、この傾斜組成ＳｉＧｅ層上に歪みチャネル層としての単結晶Ｓｉ層を順次形成することが好ましい。
つまり、歪み印加半導体層中のゲルマニウム濃度は、多孔質Ｓｉ層の接触面から、あるいは単結晶Ｓｉ基板の接触面から、あるいは絶縁層の接触面から徐徐に増加して歪み印加半導体層のＳｉＧｅ層表面で所望濃度例えばＧｅ濃度２０〜３０％となる傾斜組成とすると、所望の大幅に高い電子移動度の歪みＳｉ層が実現する。
なお、本発明の超薄型電気光学表示装置の製造方法において、超薄膜加工は紫外線照射硬化型テープにより表面保護及び保持した状態で行うことが望ましい。紫外線照射硬化型テープは粘着力が強いため、この紫外線照射硬化型テープにより強固に保持および表面保護した状態で、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削、研磨及び化学的エッチングのみを行うことができる。
さらに、紫外線照射硬化型テープは紫外線の照射によって粘着力が弱まり剥離しやすくなるため、超薄膜加工後は糊残りなく容易に除去することができる。
その上、帯電防止の紫外線照射硬化型テープであれば、電気光学表示素子基板内に形成した半導体デバイスが研削または研磨または化学的エッチング時に静電気ダメージを受けるのを防止することができる。なお、用途に応じて糊残りのない帯電防止の熱膨張剥離型粘着剤のテープを用いることもできる。
研削は紫外線照射硬化型テープなどで表面保護した単結晶半導体の支持基板裏面側から砥石、ダイヤモンドホイールなどで研削加工を行う。その後、必要に応じて酸化セリウム等でのバフ研磨またはＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）、さらに必要に応じて軽い化学的エッチング（フッ酸系エッチング液など）を行って、所望の膜厚を得ることができる。この軽い化学的エッチングにより研削及び研磨加工時の微小歪みを除去して、マイクロクラック、ひび割れ、欠けを防止して超薄膜の強度を維持向上できる。
但し、特に化学的エッチングのみの場合は耐酸性の紫外線照射硬化型テープさらには紫外線照射硬化型テープ上を耐酸性のワックス例えば水溶性接着剤などにより覆って保持した状態で行うことが望ましい。
ところで、ＳＯＩ構造を構成する絶縁層は、少なくとも酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜、酸化シリコンと窒化シリコンとの積層膜、窒化シリコン膜、酸化シリコンと窒化シリコンと酸化シリコンとを順に積層した積層膜、および、酸化アルミニウム膜のうち少なくとも一種を含むものとするのが望ましいが、特に窒化系シリコン膜を含むものとするのが望ましい。これにより、単結晶半導体層への表示素子および周辺回路の形成プロセス中に、支持基板側から単結晶半導体層への特性悪化元素、例えばハロゲン元素の浸透を防止することができる。また、この表示素子および周辺回路の形成プロセス中、単結晶半導体層が、支持基板に形成した多孔質半導体層の熱膨張の悪影響例えば反り歪を受けるのを防止することができる。
更に、化学的エッチングの伴う超薄膜加工の場合は、化学的エッチングストッパー作用を有する窒化系シリコン膜を含む絶縁層が好ましい。
本発明の超薄型電気光学表示装置の製造方法において、表示領域の画素開口部の多結晶半導体層または非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層を除去した後、絶縁膜および遮光性金属膜を順に形成してから透光性材料を埋め込み表面平坦化し、表示素子部を形成した多結晶半導体層の側部あるいは上部とを絶縁膜を介した遮光性金属膜を覆うことによって、遮光性金属膜の遮光作用より、特に黒色系金属膜の場合にはその低反射性によって、強い入射光による表示素子への漏れ光を防止できるため、画質を向上させることができる。
更に、白色系金属膜の場合には強い入射光の反射により温度上昇を抑え、液晶透過光が向上するので、高輝度化と長寿命化が期待できる。
更に、表示領域の表示素子部を形成した多結晶半導体層または非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層の側部あるいは上部とを絶縁膜を介した遮光性金属膜をアース電位にしておくことで、強い入射光による各部のチャージアップを防止できるので、ＴＦＴのリーク電流が防止され、高輝度、高精細、高機能な超薄型のプロジェクタ用透過型ＬＣＤが実現できる。
また、このとき、表示領域の画素開口部底面の遮光性金属膜を除去してから透光性材料を埋め込むことによって、表示領域の画素開口部の底が光透過するため、透過型ＬＣＤが得られる。
また、画素開口部に埋め込んだ透光性材料を研削、研磨および化学的エッチングから保護するために、画素開口部の底の遮光性金属膜を残して研削、研磨および化学的エッチングを行い、その後に遮光性金属膜を除去することも可能である。
ところで、超薄型電気光学表示素子基板の表示領域内の画素開口部以外に対応する部分および周辺回路全域に対応する対向基板の液晶側には白色系反射膜を形成し、超薄型電気光学表示素子基板の表示領域内の画素開口部以外に対応する部分および周辺回路全域に対応する透明支持基板表面には黒色系低反射遮光膜を形成することで、強い入射光の不要部分を反射させてコントラストを高め、液晶温度上昇を低減するのでＬＣＤパネルの寿命を長くする。
更に、裏面からの反射光漏れを黒色系低反射遮光膜で防ぐのでＴＦＴのリーク電流を防止し画質を高める。
そして、前記多孔質半導体層分離法、イオン注入層分離法において、種子基板分離した後の超薄型ＳＯＩ層を含む支持基板表面の周辺部をＣ面取りすることで、周辺部の超薄型ＳＯＩ層などの欠け、クラック、割れを防止することが出来る。
Ｃ面取りの角度と幅は任意に設定でき、砥石、ダイヤモンドホイール、レーザーなどで行うのが好ましい。更に、必要に応じてＳｉダストやマイクロクラックを除去する為に、フッ酸系エッチャントでライトエッチングしてもよい。
そして、前記表示領域の画素開口部となる部分の多結晶半導体層あるいは非晶質半導体層あるいは非晶質及び多結晶混在半導体層を除去して画素開口部を形成し、絶縁膜および遮光性金属膜を順に形成し、画素開口部の底の遮光性金属膜を除去してから透光性材料を埋め込み表面平坦化し、画素表示素子に接続した画素電極を形成する。
これにより、画素開口部の内壁に絶縁膜を介して遮光性金属膜が形成された超薄型電気光学表示装置が得られる。さらに、表面保護した単結晶半導体の支持基板裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削、研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングを行って超薄型電気光学表示基板を形成し、画素開口部に埋め込んだ透光性材料を露出させて透明支持基板に透明接着剤で貼り付けることにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ強い入射光エネルギーにより励起され発生した電子でのチャージアップによるＴＦＴ特性変動が防止され、更に漏れ光によるＴＦＴリーク電流が防止された高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
本発明により、以下の効果を奏することができる。
（１）単結晶半導体基板表面あるいは多孔質層分離法による超薄型ＳＯＩ構造の単結晶半導体層表面あるいはイオン注入層分離法による超薄型ＳＯＩ構造の単結晶半導体層表面に絶縁層を形成し、表示領域の絶縁層を残して周辺回路領域の絶縁層を除去し、半導体エピタキシャル成長により表示領域に多結晶半導体層を、周辺回路領域に単結晶半導体層を形成し、必要に応じて四族元素（Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ）の内少なくとも１種をイオン注入あるいはイオンドーピングして固相成長法あるいはフラッシュランプアニール法あるいはレーザーアニール法あるいは集光ランプアニール法により、任意の結晶粒径（電子・正孔移動度）に制御を行った表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成するので、任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一単結晶半導体の支持基板上の電気光学表示素子基板層内に形成し、ＵＶテープ等で表面保護した支持基板裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削及び研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングのみにより超薄型電気光学表示素子基板を形成し、支持体を接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した、高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
（２）多孔質層分離法による超薄型ＳＯＩ構造の単結晶半導体層の表示領域のみをエッチングして絶縁層を露出させ、半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成し、必要に応じて四族元素（Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ）の内少なくとも１種をイオン注入あるいはイオンドーピングして固相成長法あるいはフラッシュランプアニール法あるいはレーザーアニール法あるいは集光ランプアニール法により、任意の結晶粒径（電子・正孔移動度）に制御を行った表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成するので、これにより任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一単結晶半導体の支持基板上の超薄型ＳＯＩ構造による超薄型電気光学表示素子基板層内に形成し、ＵＶテープ等で表面保護した支持基板裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削及び研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングのみにより超薄型電気光学表示素子基板を形成し、支持体を接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した、高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
さらに、表示領域のみならず周辺回路領域下も絶縁膜で保護されるので、単結晶半導体基板裏面からの前記超薄膜加工でもダメージを受けない超薄型電気光学表示素子基板が形成される。
（３）多孔質層分離法による超薄型ＳＯＩ構造の単結晶半導体層の表示領域のみをエッチングして絶縁層を露出させ、表示領域内の多結晶半導体表示素子形成領域に遮光性金属層を形成し、その上を絶縁層で覆い、半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成し、必要に応じて四族元素（Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ）の内少なくとも１種をイオン注入あるいはイオンドーピングして固相成長法あるいはフラッシュランプアニール法あるいはレーザーアニール法あるいは集光ランプアニール法により、任意の結晶粒径（電子・正孔移動度）に制御を行った表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成するので、遮光性金属層で裏面反射光が遮断されて任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路を同一の支持基板上の超薄型ＳＯＩ構造による超薄型電気光学表示素子基板層内に形成し、ＵＶテープ等で表面保護した単結晶Ｓｉの支持基板裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削及び研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングのみにより超薄型電気光学表示素子基板を形成し、支持体を接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した、高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
さらに、表示領域のみならず周辺回路領域下も絶縁膜で保護されるので、単結晶半導体基板裏面からの前記超薄膜加工でもダメージを受けない超薄型電気光学表示素子基板が形成される。
（４）イオン注入層分離法による超薄型ＳＯＩ構造の単結晶半導体層の表示領域のみをエッチングして絶縁層を露出させ、半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成し、必要に応じて四族元素（Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ）の内少なくとも１種をイオン注入あるいはイオンドーピングして固相成長法あるいはフラッシュランプアニール法あるいはレーザーアニール法あるいは集光ランプアニール法により、任意の結晶粒径（電子・正孔移動度）に制御を行った表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成するので、これにより任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一の単結晶半導体の支持基板上の超薄型ＳＯＩ構造による超薄型電気光学表示素子基板層内に形成し、ＵＶテープ等で表面保護した単結晶Ｓｉの支持基板裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削及び研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングのみにより超薄型電気光学表示素子基板を形成し、支持体を接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した、高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
さらに、表示領域のみならず周辺回路領域下も絶縁膜で保護されるので、単結晶半導体基板裏面からの前記超薄膜加工でもダメージを受けない超薄型電気光学表示素子基板が形成される。
（５）イオン注入層分離法による超薄型ＳＯＩ構造の単結晶半導体基板の表示領域のみをエッチングして絶縁層を露出させ、表示領域内の多結晶半導体表示素子形成領域に遮光性金属層を形成し、その上を絶縁層で覆い、半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成し、必要に応じて四族元素（Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ）の内少なくとも１種をイオン注入あるいはイオンドーピングして固相成長法あるいはフラッシュランプアニール法あるいはレーザーアニール法あるいは集光ランプアニール法により任意の結晶粒径（電子・正孔移動度）に制御を行った表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成するので、遮光性金属層で裏面反射光が遮断されて任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一単結晶半導体の支持基板上の超薄型ＳＯＩ構造による超薄型電気光学表示素子基板層内に形成し、ＵＶテープ等で表面保護した単結晶Ｓｉの支持基板裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削及び研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングのみにより超薄型電気光学表示素子基板を形成し、支持体を接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した、高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
さらに、表示領域のみならず周辺回路領域下も絶縁膜で保護されるので、単結晶半導体基板裏面からの前記超薄膜加工でもダメージを受けない超薄型電気光学表示素子基板が形成される。
（６）例えば歪みチャネルが誘起されるチャネル半導体層、例えばＳｉ層と、格子定数が前記チャネル半導体層のそれと異なり、前記単結晶Ｓｉ層に歪みを印加する歪み印加半導体の例えばＳｉＧｅ層を多孔質Ｓｉ層上に形成し、全面に絶縁層を形成して表示領域の絶縁層を残し、周辺回路領域の絶縁層をエッチングした後に、半導体エピタキシャル成長により表示領域にポリＳｉ層を形成し、周辺回路領域に歪み印加半導体のＳｉＧｅ層をシードに歪みチャネル層の歪みＳｉ層による超薄型歪みＳＯＩ層を形成、あるいは半導体エピタキシャル成長により単結晶Ｓｉ基板上に歪み印加半導体のＳｉＧｅ層を形成し、全面に絶縁層を形成して表示領域の絶縁層を残し、周辺回路領域の絶縁層をエッチングした後に、半導体エピタキシャル成長により表示領域にポリＳｉ層を形成し、周辺回路領域に歪み印加半導体のＳｉＧｅ層をシードに歪みチャネル層の歪みＳｉ層による超薄型歪みＳＯＩ層を形成、あるいは絶縁層上に歪み印加半導体のＳｉＧｅ層を形成し、表示領域のＳｉＧｅ層をエッチングして絶縁層を露出させた後に、Ｓｉエピタキシャル成長により表示領域にポリＳｉ層を、周辺回路領域には歪み印加半導体のＳｉＧｅ層をシードに歪みチャネル層の歪みＳｉ層による超薄型歪みＳＯＩ構造層を形成することにより、歪みチャネル半導体層に歪みをかけるとそのバンド構造が変化し、その結果、縮退が解けて電子散乱が抑制され、更に電子移動度を高めることが出来るので、例えば無歪みチャネル層の単結晶Ｓｉ層に比べ約１．７６倍の大幅な高い電子移動度が実現し、高い電子・正孔移動度で高い駆動能力を有するＭＯＳＴＦＴの表示部及び周辺回路からなる高性能、高精細、高品質の超薄型電気光学表示装置が可能となる。
この時に、歪み印加半導体層中のゲルマニウム濃度は、単結晶Ｓｉ層の接触面から徐徐に増加して前記歪み印加半導体層表面で所望濃度例えば２０〜３０％となる傾斜組成とすることで、所望の大幅な電子移動度の向上が実現する。
あるいは、多孔質Ｓｉ層分離した超薄型ＳＯＩ構造の単結晶Ｓｉ表面のゲルマニウム濃度あるいは水素イオン注入層の歪み部から分離した超薄膜ＳＯＩ構造の単結晶Ｓｉ表面のゲルマニウム濃度が、例えば２０〜３０％の所望濃度となる傾斜組成のＳｉＧｅ層からなる歪み印加半導体層の単結晶Ｓｉ層上に、歪みチャネル層としての単結晶Ｓｉ層を形成することで、所望の大幅な電子移動度の向上が実現する。
（７）画素表示部の反射電極下の単結晶半導体層に表示部または表示部及び周辺回路の一部を形成、あるいはシール領域の単結晶半導体層にも周辺回路を形成、更に単結晶半導体層に多層配線構造の表示部及び周辺回路を形成することで、ＬＣＤパネル内周辺回路の集積度が高まり、外付け周辺ＩＣ機能を取り込むことで、大幅な高機能化及びコストダウンが実現する。
（８）支持基板裏面側の超薄膜加工を、糊残りのない帯電防止のＵＶテープにより対向基板側あるいは耐湿性樹脂側あるいは支持基板の表面を保護して強力に保持した状態で超薄膜加工、例えば研削または研削及び研磨または研削及び化学的エッチングまたは研削、研磨及び化学的エッチングまたは化学的エッチングして超薄型電気光学表示素子基板を形成し、超薄膜加工後はＵＶ照射硬化によって糊残りなく容易に紫外線照射硬化型テープを除去することができるため、歩留および生産性を高めることができる。
また、紫外線照射硬化型テープが帯電防止機能を有することによって、超薄膜加工時の支持基板上の多結晶半導体ＴＦＴ回路と単結晶半導体ＴＦＴ回路などの静電気ダメージによる特性不良発生を防止することができる。
（９）紫外線照射硬化型テープが耐酸性を有することで、化学的エッチング時の対向基板あるいは耐湿性樹脂あるいは支持基板表面などのダメージを防止することができる。
（１０）表示領域の画素開口部の多結晶半導体層あるいは非晶質半導体層あるいは非晶質及び多結晶混在半導体層を除去した後、透明絶縁膜および遮光性金属膜を順に形成してから透光性材料を埋め込み表面平坦化することによって、遮光性金属膜の遮光作用により、特に黒色系金属膜の場合にはその低反射性によって、強い入射光による表示素子部のＴＦＴへの漏れ光を防止できるため、画質を向上させることができる。
更に、白色系金属膜の場合には強い入射光の反射により温度上昇を抑え、液晶透過光が向上するので、高輝度化と長寿命化が期待できる。
このとき、各画素開口部内側及びＴＦＴ上部などの遮光性金属膜をアース電位にしておくことで、強い入射光により励起され発生した電子でのチャージアップによる表示素子部のＴＦＴ特性変動、ＴＦＴリーク電流が防止され、高輝度、高精細、高機能な透過型の超薄型電気光学表示装置が得られる。
（１１）絶縁層に窒化系Ｓｉ膜を含むものとすることによって、この窒化系Ｓｉ膜が超薄膜加工時の化学的エッチングストッパーとして機能するため、化学的エッチングむらを防止することができ、また、ＬＣＤ組立時や半導体デバイスプロセス中に、支持基板側から半導体層（多結晶半導体層および単結晶半導体層）への特性悪化元素例えばハロゲン元素の浸透を防止することができる。さらに、半導体デバイスプロセス中、半導体層が、支持基板に形成した多孔質層の膨張の影響を受けて、反り歪みするのを低減または防止することができる。これらにより、歩留および品質が向上する。
更に、超薄膜加工後の超薄型ＳＯＩ構造に窒化系Ｓｉ膜の絶縁膜があると、その高剛性により超薄型電気光学表示素子基板層のクラック、欠け、割れなどを防止できる。また、ＬＣＤの場合は、その高剛性により液晶ギャップムラを低減できる。
（１２）表示領域の多結晶半導体層あるいは非晶質半導体層あるいは非晶質及び多結晶混在半導体層の画素開口部に透明樹脂、ガラス、ＳｉＯ２などの高透過率で紫外線耐光性の透光性材料を埋め込み表面平坦化しているため、光透過率の高い紫外線耐光性の超薄型電気光学表示素子基板によるプロジェクタ用透過型ＬＣＤが実現できる。
（１３）超薄膜加工後の超薄型電気光学表示素子基板に、反射防止膜無しで直線透過率８０％以上の光学特性を満足する１（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上の高い熱伝導性ガラス例えば石英ガラス、透明結晶化ガラスなど、更に反射防止膜無しで直線透過率８０％以上の光学特性を満足する１０（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上の高い熱伝導性ガラス例えば高透光性セラミック多結晶体（単結晶サファイア、単結晶ＭｇＯなどの酸化物結晶体、単結晶または多結晶ＹＡＧ及びスピネルなどの複酸化物結晶体など）、フッ化物単結晶体（フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、フッ化バリウムなど）、気相合成ダイヤモンド膜コートした高透光性セラミック多結晶体またはフッ化物単結晶体または透明結晶化ガラス、水晶などを少なくとも透明支持体として、耐光性の透明接着剤で貼り合せることで冷却効果が高まり、高輝度、高精細、長寿命のプロジェクタ用ＬＣＤが実現できる。
（１４）集光レンズとして機能するマイクロレンズアレイ形成した対向基板を重ね合わせた後に高精度な超薄膜加工で形成した超薄型電気光学表示素子基板に、フィールドレンズとして機能するマイクロレンズアレイ形成した透明支持基板を貼り合せるデュアルマイクロレンズ構造は、従来のシングルマイクロレンズ構造よりも高精度な二重のマイクロレンズ機能で集光させて光源光の利用効率を高めて画素の実効開口率を高めることが出来るので、更なる高輝度、高精細、長寿命の超薄型電気光学表示素子基板によるプロジェクタ用透過型ＬＣＤが実現できる。
（１５）集光レンズとして機能する各マイクロレンズ周囲に反射膜形成したマイクロレンズアレイ形成の対向基板を重ね合わせた後に高精度な超薄膜加工で形成した超薄型電気光学表示素子基板に、フィールドレンズとして機能する各マイクロレンズ周囲に低反射遮光膜形成したマイクロレンズアレイ形成の透明支持基板を貼り合せるデュアルマイクロレンズ構造は、高精度な二重のマイクロレンズ機能で集光させて光源光の利用効率を高めて画素の実効開口率を高め、且つ不要な入射光及び反射光を除去するので、更なる高輝度、高コントラスト、高精細、長寿命の超薄型電気光学表示素子基板によるプロジェクタ用透過型ＬＣＤが実現できる。
（１６）超薄型の多結晶半導体ＴＦＴあるいはあるいは非晶質半導体ＴＦＴあるいは非晶質及び多結晶混在半導体ＴＦＴの表示素子と、超薄型の単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一基板内に超薄型の電気光学表示素子基板として形成することができるため、例えば約１００μｍの透明ガラスや樹脂フィルムなどの対向基板を重ね合わせ、約１００μｍの透明ガラスや樹脂フィルムなどの支持基板に貼り合せることにより、高輝度、高精細、高機能、超薄型のＬＣＤ（透過型、半透過型、反射型）や上面発光型有機ＥＬまたは下面発光型有機ＥＬなどの超薄型電気光学表示装置が実現できる。
（１７）上記のように得られた直視型で超薄型の透過型ＬＣＤ、反射型ＬＣＤ、半透過型ＬＣＤ、上面発光型有機ＥＬ、下面発光型有機ＥＬなどを用いることで、腕時計、名刺、カード、眼鏡、切手やヘッドマウントタイプの超薄型電気光学表示装置と、これによる超薄型デジタルスチルカメラ、超薄型デジタルムービーカメラ、超薄型カムコーダー、超薄型音響機器(ＣＤ、ＭＤなど)、超薄型携帯電話、超薄型携帯テレビ、超薄型テレビモニターなどの超薄型、超小型、超軽量のエレクトロニクス製品が実現可能となる。さらに
、高輝度、高精細、高機能で超薄型の透過型あるいは反射型ＬＣＤにより超薄型、超小型、超軽量のデータ或いはＡＶ（Audio Visual）用プロジェクタＬＣＤ製品が実現可能となる。
（Ａ）超薄膜加工の場合
図１から図１１に示す製造工程図を参照して、本発明の実施の形態における超薄膜加工による超薄型電気光学表示装置の製造方法について説明する。
（１）単結晶半導体基板としての例えば１２インチφ、１．２ｍｍ厚のｐ型（抵抗率０．０１〜０．０２Ω・ｃｍ）単結晶Ｓｉ基板（以下「Ｓｉ基板」とも称す）１０の表面を１０５０℃で熱酸化して絶縁層としての約５００ｎｍ厚のＳｉＯ２（酸化シリコン）層１１を形成し、表示領域のＳｉＯ２層１１を残して周辺回路領域のＳｉＯ２層１１をエッチングにより除去する。そして、ＣＶＤ法の半導体（シリコン）エピタキシャル成長により表示領域に１０〜２０μｍ厚のポリＳｉ層１２を、周辺回路領域に１０〜２０μｍ厚の単結晶Ｓｉ層１３をそれぞれ形成する（図１参照）。
絶縁膜は熱酸化の酸化シリコン膜ＳｉＯ２以外に、減圧ＣＶＤでＳｉ基板上に窒化シリコン膜（Ｓｉ３Ｎ４）または窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜を形成し熱酸化することで、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜の積層膜、または酸化シリコン膜と窒化シリコン膜と酸化シリコン膜の積層膜、例えばＳｉＯ２；２００ｎｍとＳｉ３Ｎ４；５０ｎｍとＳｉＯ２；２００ｎｍとしてもよい。さらに、酸窒化シリコン膜（ＳｉＯＮ）としてもよい。なお、ＣＶＤ法、スパッタリング法、ＭＢＥ法などにより、上記単層膜や多層膜の絶縁膜を形成してもよい。
ＣＶＤ法の単結晶Ｓｉ層については、水素雰囲気中１００〜１１００℃程度でプリベークを行った後、１０２０℃まで降温し、モノシランなどを原料ガスとするＣＶＤにより成膜を行う。
なお、気相エピタキシーであるＣＶＤ法での単結晶Ｓｉ層形成には、水素化物原料のモノシラン（ＳｉＨ４）以外に、同じく水素化物原料のジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、トリシラン（Ｓｉ３Ｈ８）、テトラシラン（Ｓｉ４Ｈ１０）や、ハロゲン化物原料のジクロルシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）、トリクロルシラン（ＳｉＨＣｌ３）、四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）などの原料ガスを用いることができる。また、単結晶Ｓｉ層の形成方法としては、ＣＶＤ法に限らず、ＭＢＥ（MolecularBeam Epitaxy；分子線エピタキシー）法、スパッター法等でもよい。
ところで、このＣＶＤ法の半導体エピタキシャル成長では単結晶Ｓｉ層１３とポリＳｉ層１２を同一成膜条件で形成するので、単結晶Ｓｉ層１３の結晶性（電子・正孔移動度）を重視すると、ポリＳｉ層１２の結晶性（電子・正孔移動度）を十分に制御できない場合がある。
そこで、単結晶Ｓｉ層１３の周辺回路部をフォトレジスト膜で覆い、開口したポリＳｉ層１２に四族元素（Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ）の内少なくとも１種、例えばＳｉイオンを、例えば３０ＫｅＶ，１〜３×１０１５atoms／ｃｍ２で高濃度注入してアモルファスＳｉ膜化する。そして、フォトレジスト膜を剥離した後に、例えば窒素ガス雰囲気中の６００〜６５０℃で１２〜１５時間のアニールによる固相成長で、結晶粒径を制御したポリＳｉ層１２を形成する。このとき、Ｓｉイオン注入の濃度および深さを調整することで、任意の結晶粒径による任意の電子・正孔移動度のポリＳｉ層１２を得ることが好ましい。
尚、この固相成長により結晶粒径を制御したポリＳｉ層中に、Ｇｅ、錫、鉛などの四族元素の少なくとも１種の合計が適量（例えば１×１０１８〜１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｃ）含有させると、ポリＳｉの結晶粒界に存在する不整を低減し、その膜ストレスを低減するので、高キャリア移動度で高品質のポリＳｉ層が得られる。
あるいは、ポリＳｉ層１２のみを選択的にフラッシュランプアニール、あるいはパルス状または連続波レーザーアニール、例えばＸｅＣｌエキシマレーザー、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーの光高調波変調の遠紫外線または近紫外線レーザー、可視光レーザー、赤外線レーザーなど、あるいは集光ランプアニール、例えば超高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、キセノンランプなどの集光を照射して溶融、半溶融または非溶融状態の加熱と冷却により再結晶化させることで結晶粒径を制御したポリＳｉ層１２を形成する。
このとき、膜ストレス低減のために適温（例えば２００〜４００℃）にＳｉ基板１０を加熱した状態において、再結晶化させるフラッシュランプアニール、レーザーアニール、集光ランプアニールの照射強度（ポリＳｉ層１２表面からの深さおよび時間など）を調整することで、任意の結晶粒径による任意の電子・正孔移動度のポリＳｉ層１２を得ることが好ましい。
また、ポリＳｉ層１２のみを選択的に四族元素（Ｓｉ，Ｇｅ，錫，鉛）の内少なくとも１種、例えばＳｉイオンを例えば３０ＫｅＶ，１〜３×１０１５atoms／ｃｍ２で高濃度注入し、更にポリＳｉ層１２のみを選択的にＸｅフラッシュランプアニール、あるいはパルス状または連続波レーザーアニール例えばＸｅＣｌエキシマレーザー、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーの光高調波変調の遠紫外線または近紫外線レーザー、可視光レーザー、赤外線レーザーなど、あるいは集光ランプアニール例えば超高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、キセノンランプなどを照射して溶融、半溶融または非溶融状態の加熱と冷却により再結晶化させることで結晶粒径を制御したポリＳｉ層１２を形成する。
尚、この再結晶化により結晶粒径を制御したポリＳｉ層中に、Ｇｅ、錫、鉛などの四族元素の少なくとも１種の合計が適量（例えば１×１０１８〜１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｃ）含有させると、ポリＳｉの結晶粒界に存在する不整を低減し、その膜ストレスを低減するので、高キャリア移動度で高品質のポリＳｉ層が得られる。
以上のように、ポリＳｉ層全体を再結晶化する必要はなく、少なくとも表面から５０〜２００ｎｍの深さの結晶粒径を制御したポリＳｉ層内にポリＳｉＴＦＴ部を形成するように、上記の再結晶化処理の条件を最適化するのが好ましい。
ところで、電子移動度を高める手段のひとつとして、チャネル半導体層に歪みをかける技術が知られている。これはチャネル半導体層に歪みをかけると、そのバンド構造が変化し、その結果、縮退が解けて電子散乱が抑制されるので電子移動度を高めることが出来る。具体的には、単結晶Ｓｉ基板上にＳｉよりも格子定数の大きい材料からなる混晶層の歪み印加半導体層、例えば、Ｇｅ濃度２０〜３０％のＳｉＧｅ層を形成し、このＳｉＧｅ層上にチャネル半導体層としての単結晶Ｓｉ層を形成すると、格子定数の違いにより歪みのかかった歪みチャネル層の単結晶Ｓｉ層、いわゆる歪みＳｉ層が形成される。この歪みチャネル層を用いると、無歪みチャネル層を用いた場合に比べ約１．７６倍の大幅な電子移動度の向上を達成できることが報告されている。（Ｊ．Welser，J．L．Hoyt，S．Takagi，and J．F．Gibbons，ＩＥＤＭ94-373）
そこで、例えば、Ｓｉ基板１０に半導体エピタキシャル成長によりＧｅ濃度２０〜３０％のＳｉＧｅ層である歪み印加半導体層としての単結晶Ｓｉ層を形成し、その上に歪みチャネル層としての歪みＳｉ層１３を形成すると、従来の無歪みチャネル層の単結晶Ｓｉ層に比べ約１．７６倍の大幅な電子移動度の向上を達成したＭＯＳＴＦＴ周辺回路が実現するので、高性能、高精細、高品質の超薄型電気光学表示装置が実現する。
このＧｅ組成比は大きい方が良く、０．２を大きく下回る場合はＭＯＳＴＦＴの移動度の顕著な向上は期待できず、また、０．５を大きく超える場合はＳｉＧｅ層表面凹凸の増加や膜質低下等の問題があり、０．３程度が好ましい。
また、Ｇｅ濃度はＳｉＧｅ層の中で徐徐に増加させ、表面で所望濃度となる傾斜組成とし、この傾斜組成ＳｉＧｅ層上に歪みチャネル層としての単結晶Ｓｉ層を順次形成することが好ましい。
尚、ＳｉＧｅ層の成膜方法としては、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法等のエピタキシャル成長法や、ＬＰＥ（Liqud Phase Epitaxy）法等の液相成長法、ポリＳｉＧｅ層やアモルファスＳｉＧｅ層の固相成長法などがあるが、Ｇｅ組成比の制御が可能な結晶成長方法であれば、他の成長方法でもよい。
また、Ｓｉ原料としては水素化物原料のモノシラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、トリシラン（Ｓｉ３Ｈ８）、テトラシラン（Ｓｉ４Ｈ１０）や、ハロゲン化物原料のジクロルシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）、トリクロルシラン（ＳｉＨＣｌ３）、四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）など、Ｇｅ原料としてはゲルマン（ＧｅＨ４）、四塩化ゲルマニウム（ＧｅＣＬ４）、四フッ化ゲルマニウム（ＧｅＦ４）などが適している。
尚、歪み半導体層としてＳｉＧｅ層の代わりに、ＳｉＣやＳｉＮ等のようにＳｉと他の元素との混晶層、ＺｎＳｅ層等の二―六族混晶層もしくはＧａＡｓやＩｎＰ等の三―五族混晶層などの互いに格子定数の異なる材料からなる混晶層でもよい。
ところで、単結晶Ｓｉ基板表面にプラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着により絶縁層１１とアモルファスＳｉ層またはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層またはポリＳｉ層１２を形成し、表示領域の絶縁層１１とアモルファスＳｉ層またはアモルファス及びポリＳｉ混在層またはポリＳｉ層１２を残して周辺回路領域の少なくともアモルファスＳｉ層またはアモルファス及びポリＳｉ混在層またはポリＳｉ層１２を除去し、前記表示領域のアモルファスＳｉ層またはアモルファス及びポリＳｉ混在層またはポリＳｉ層１２に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶Ｓｉ基板表面に周辺回路部をそれぞれ形成してもよい。
さらに、このアモルファスＳｉ層またはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層またはポリＳｉ層１２のみを選択的にフラッシュランプアニール、あるいはパルス状または連続波レーザーアニール例えばＸｅＣｌエキシマレーザー、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーの光高調波変調の遠紫外線または近紫外線レーザー、可視光レーザー、赤外線レーザーなど、あるいは集光ランプアニール例えば超高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、キセノンランプなどを照射して溶融、半溶融または非溶融状態の加熱と冷却により再結晶化させることで結晶粒径を制御したポリＳｉ層１２してもよい。
また、このアモルファスＳｉ層またはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層またはポリＳｉ層１２のみを選択的に四族元素（Ｓｉ，Ｇｅ，錫，鉛）の内少なくとも１種、例えばＳｉイオンを例えば３０ＫｅＶ，１〜３×１０１５atoms／ｃｍ２で高濃度注入し、更にアモルファスＳｉ層またはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層またはポリＳｉ層１２のみを選択的にフラッシュランプアニール、あるいはパルス状または連続波レーザーアニール例えばＸｅＣｌエキシマレーザー、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーの光高調波変調の遠紫外線または近紫外線レーザー、可視光レーザー、赤外線レーザーなど、あるいは集光ランプアニール例えば超高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、キセノンランプなどを照射して溶融、半溶融または非溶融状態の加熱と冷却により再結晶化させることで結晶粒径を制御したポリＳｉ層１２を形成してもよい。
尚、この再結晶化により結晶粒径を制御したポリＳｉ層中に、Ｇｅ、錫、鉛などの四族元素の少なくとも１種の合計が適量（例えば１×１０１８〜１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｃ）含有させると、ポリＳｉ層の結晶粒界に存在する不整を低減し、その膜ストレスを低減するので、高キャリア移動度で高品質のポリＳｉ膜が得られ易くなる。
（２）汎用技術により、結晶粒径を制御したポリＳｉ層１２に表示素子部としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor）部１４ａ（図２（ａ）参照）、配線（図示せず）などを、単結晶Ｓｉ層１３に周辺回路部としてのＴＦＴ部１４ｂ（図２（ｂ）参照）、ダイオード、抵抗、キャパシタ、配線などの半導体素子および半導体集積回路のいずれかまたは両方をそれぞれ作製する。
この時に、単結晶半導体層に多層構造の周辺回路を形成することで、集積度を高めて高精細、高機能、高品質で安価な超薄型電気光学表示装置が実現する。
更に、シール領域の単結晶半導体層にも周辺回路を形成することで、ＬＣＤパネルサイズシュリンクによるウエーハ１枚当たりの取り個数が増加してコストダウンが実現する。
ここで、単結晶Ｓｉ層１３は、Ｓｉ基板同様の高い電子・正孔移動度を有するので、映像信号処理回路、メモリ回路、ＣＰＵ（Central Processing Unit）回路、ＤＳＰ（Digital Signal Processor）回路や画質補正回路などを取り込んでもよい。なお、ダイオード、抵抗、キャパシタ、配線等については図示を省略している。
なお、同時に、超薄型の電気光学表示素子基板層の周辺回路に接続する半田バンプなどの外部取り出し電極３５を形成するが、ＬＣＤパネル形成後に異方性導電膜接合や超音波接合、半田付けなどでフレキシブル基板との接合やＰＣＢ（Printed Circuit Board）へのマウントするのが好ましい。
（３）表示領域の画素開口部となる部分のポリＳｉ層１２をエッチングにより除去して画素開口部１２ａを形成する。エッチングは、ＳＦ６、ＣＦ４、ＣＣｌ４、Ｃｌ+Ｏ２、ＨＢr＋Ｏ２などのプラズマエッチングなどにより行う（図３参照）。
尚、透過型ＬＣＤ、半透過型ＬＣＤ及び下面発光型有機ＥＬの場合は表示領域の画素開口部をエッチングして形成するが、反射型ＬＣＤ及び上面発光型有機ＥＬの場合は形成しなくてもよい。
（４）ＣＶＤ、スパッタリング法などにより、１００〜２００ｎｍ厚の絶縁膜としてのＳｉＯ２膜１５および１００〜２００ｎｍ厚の遮光性金属膜（以下、「金属膜」と称す。）１７をそれぞれ順に形成し、画素開口部１２ａ底面及びＴＦＴ用電極取り出し部などの金属膜１７をＣＣｌ４などのプラズマエッチングによりエッチング、または金属膜に応じたエッチング液でのエッチングにより除去した後、画素開口部１２ａに透明樹脂１６を埋め込み、ＣＭＰなどにより表面平坦化する（図４参照）。
ここで、金属膜１７は、ＷＳｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｏ−Ｔａなどの低反射の金属膜が好ましい。なお、画素開口部底面の金属膜１７は、後述する（７）のＳｉ基板１０の裏面研削後のエッチングにより除去してもよい。
なお、ＴＦＴ部１４ａのドレイン用窓開け部７２のみエッチングしてポリＳｉ層上部の金属膜１７を残し、漏れ光入射を防止してＴＦＴリーク電流を防止してもよい。
なお、ＳｉＯ２膜以外の絶縁膜として、窒化シリコン膜、酸窒化シリコン膜、酸化シリコンと窒化シリコンとの積層膜、酸化シリコンと窒化シリコンと酸化シリコンとを順に積層した積層膜、および、酸化アルミニウム膜のうち一種以上を含むものとすることもできる。
透明樹脂１６は、全面に例えば２５〜３０μｍ形成して画素開口部１２ａを埋め込むようにし、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）などにより金属膜１７上まで除去して表面平坦化する。透明樹脂１６は、スピンコートなどで塗布し、所定温度で硬化させる。なお、透明樹脂１６に代えて、ガラス膜やＳｉＯ２膜、ＰＳＧ（PhosphoSilicate Glass）膜、ＢＳＧ（BoroSilicate Glass）膜、ＢＰＳＧ（Boro-PhosphoSilicate Glass）膜あるいはこれらの複合膜などの透光性材料を用いることも可能である。
ガラス膜の場合、溶剤に分散させた微粉末ガラスパウダを塗布して画素開口部１２ａに充填し、適当な温度、例えば４００〜６００℃で溶融させてガラス厚膜を形成する。ＳｉＯ２膜、ＰＳＧ膜、ＢＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜あるいはこれらの複合膜の場合、ＣＶＤ、スパッタリング、真空蒸着などにより厚膜を形成する。その後、ＣＭＰなどにより表面平坦化する。
（５）表示領域のＴＦＴ部１４ａ上の透明樹脂１６の窓開けを行い、ＴＦＴ部１４ａのドレインと接続した画素電極としてのＩＴＯ（酸化インジュウム−酸化錫系透明導電膜）、ＩＺＯ（酸化インジュウム−酸化亜鉛系透明導電膜）などの透明電極１８ａや金属膜１７と接続したアース電位の配線（図示せず）などを形成する（図５参照）。
（６）対向基板２１と重ね合わせる（図６参照）。
[１]少なくとも１パネルごとにポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜を形成し、バフラビング等の配向処理を行い、必要に応じてＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等による有機洗浄を行うことにより、配向膜２０ａを形成する。なお、ＳｉＯｘなどの無機材料を斜方蒸着して無機系配向膜を形成してもよい。
[２]Ｓｉ基板１０の超薄型ＴＦＴ基板層の１パネルごとにシール剤２２（図７参照）およびコモン電極剤（図示せず）を塗布し、例えば１２インチφの対向基板２１を所定の液晶ギャップ例えば２μｍで重ね合わせて封止固着する、いわゆる面面液晶組立｛基板状態（面）の単結晶Ｓｉ基板１０と、同じく基板状態（面）の対向基板２１とを重ね合わせてシールする。｝を行う（図６参照）。ただし、液晶注入口（図示せず。）は空けておく。
なお、対向基板２１にも、同様に透明電極１８ｂや配向膜２０ｂが形成されバフラビング等の配向処理されているものとする。
また、同様に、ＳｉＯｘなどの無機材料を斜方蒸着して無機系配向膜を形成してもよい。
ところでシール剤とコモン剤は、可視光照射硬化型接着剤、熱硬化併用の可視光照射硬化型接着剤、若しくは紫外線照射硬化型接着剤、熱硬化併用の紫外線照射硬化型接着剤、熱硬化型接着剤のいずれでもよいが、特性及び作業面から同じタイプとするのが好ましい。
具体的なシール剤及びコモン剤は、例えばシール剤及びコモン剤の主成分で硬化後の基本特性を出現する変性アクリレートオリゴマー、液の粘度調整するアクリレートモノマー、可視光硬化またはＵＶ硬化部分を硬化する光開始剤、シール剤及びコモン剤の主成分で硬化後の基本特性を出現するエポキシ樹脂、エポキシ樹脂を硬化させる硬化剤、シール剤中には外気からの水分進入を防ぐ充填フィラー（シリカ真球など）、液晶ギャップ相当のファイバーなどから構成されている。
ＴＦＴ基板チップ内のコモンパッド部に塗布されるコモン剤中には液晶ギャップより大きい（例、液晶ギャップより約１ｕｍ大きい約３ｕｍΦ）金メッキ樹脂のミクロパールを混入し、ＴＦＴ基板チップと対向基板チップの重ね合わせ時の加圧でミクロパールが破砕されて、破砕された金メッキ樹脂が双方の透明導電膜を電気的に導通させる。
また、シール領域にポリイミド、ポリアミド等の液晶配向膜がある場合は、その膜を破砕された金メッキ樹脂が貫通して双方の透明導電膜を電気的に導通させるように、ミクロパールの材料、大きさなどを工夫する必要がある。
更に、スピンコーティングなどでＴＦＴ基板チップまたは／及び対向基板チップのシール領域にポリイミド等の有機系液晶配向膜形成されている場合は、シール剤中への外気からの水分進入を防ぐフィラー充填は重要で、ＬＣＤパネルサイズによりフィラー充填率の最適化が必要であり、例えば１インチサイズ程度のプロジェクタ用ＬＣＤパネルでは１０〜３０％程度のフィラー充填率が好ましいが、ディスペンス塗布し易さと水分進入率との兼ね合いで決定するのが好ましい。
この時に超薄型の電気光学表示素子基板層内の１チップと対向基板２１間の電気的導通をとる為に、その１チップ内の少なくとも２箇所のコモンパッド部に金メッキ樹脂のミクロパール混入したコモン剤をディスペンサーで塗布する。
また、同様に超薄型の電気光学表示素子基板層内の１チップ毎にシール領域に液晶ギャップ相当のファイバー（ギャップ剤）を添加したシール剤２２を塗布する。
ところでこの時に直視型の場合は、マイクロスペーサを全画面内に散布することにより液晶ギャップを確保してもよい。
さらに、対向基板２１または超薄型ＴＦＴ基板層の画素開口部周辺に、液晶ギャップに相当する樹脂等で形成した突起（ＯＣＳ；On Chip Spacer）を任意の個数形成してもよい。
ここで、超薄型ＴＦＴ基板層や対向基板２１に「少なくとも１チップごと」としたのは、全面に有機または無機の配向膜２０ａ，２０ｂを形成してもよい場合があるからである。また、本明細書中において、超薄型ＴＦＴ基板層の１チップと対向基板２１の１チップを重ね合わせて１パネルのＬＣＤと定義する。
なお、上記面面液晶組立に対して、透明電極１８ｂが形成され配向処理された有機または無機の配向膜２０ｂが形成された対向基板の良品チップを超薄型のＴＦＴ基板層内の良品チップに選択的に重ね合わせてシールする、いわゆる面単液晶組立（基板状態（面）の単結晶Ｓｉ基板１０と、チップ状態（単個）の対向基板とを重ね合わせてシールする。）としてもよい。
面面液晶組立は不良チップを含むＴＦＴ基板層と、不良チップを含む対向基板２１を重ね合わせてシールすることもあるので、不良ＬＣＤパネルが発生し、コストアップとなる可能性がある。これに対して、面単液晶組立は、良品の対向基板チップを超薄型のＴＦＴ基板層内の良品チップに選択的に重ね合わせてシールするので不良ＬＣＤパネル発生が少なく、コストダウンすることができる。
（７）対向基板２１上を少なくとも糊残りのない帯電防止の紫外線照射硬化型テープ（以下「ＵＶテープ」と称す）２３などで覆い、ＵＶテープ側を研削装置または／及び研磨装置のステージに真空吸着で保持した状態で、Ｓｉ基板１０の裏面側から砥石、ダイヤモンドホイールなどの研削を行う。例えば、１軸は＃３２０または＃４００、２軸は＃１５００または＃２０００のダイヤモンドホイールで研削を行う。
その後、必要に応じて酸化セリウム等でのバフ研磨またはＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）、さらに必要に応じて化学的エッチングあるいは化学的エッチングのみで、Ｓｉ基板１０を除去し、ＳｉＯ２膜１５、ＳｉＯ２層１１を介して画素開口部１２ａに埋め込んだ透明樹脂１６を露出させる。（図７（ａ）は基板全体を、同図（ｂ）は表示領域をそれぞれ示している。）。
なお、画素開口部１２ａの底の金属膜１７を先にエッチングしておく場合には、ＳｉＯ２層１１、ＳｉＯ２膜１５は光学的問題がない限り除去する必要はない。
また、必要に応じて化学的エッチング液（ＨＦ＋ＨＮＯ３＋ＣＨ３ＣＯＯＨ混合液などの酸性系エッチング液、水酸化ナトリウム液などのアルカリ系エッチング液など）に対する耐薬品性向上のために、ＵＶテープ２３をワックス例えば水溶性接着剤で覆ってもよい。
水溶性接着剤としては、ホットメルト系水溶性固形ワックス（例えば、日化精工社製のアクアワックス２０／５０／８０（商品名）（主成分は脂肪酸グリセリド）、アクアワックス５５３／５３１／４４２／ＳＥ（商品名）（主成分はポリエチレングリコール、ビニルピロリドン共重合物、グリセリンポリエーテル）、ＰＥＧワックス２０（商品名）（主成分はポリエチレングリコール）など）、または水溶性液状ワックス（例えば、日化精工社製の合成樹脂系液状接着剤のアクアリキッドＷＡ−３０２（商品名）（主成分はポリエチレングリコール、ビニルピロリドン誘導体、メタノール）、ＷＡ−２０５１１／ＱＡ−２０５６６（商品名）（主成分はポリエチレングリコール、ビニルピロリドン誘導体、ＩＰＡ、水）など）を使用することができる。そして、化学的エッチング後に、５０〜６０℃の温水洗浄でワックスを除去し、ＵＶ照射硬化してＵＶテープ２３を剥離することで、表面保護することができる。
なお、必要に応じてＳｉ基板１０は、所定膜厚の研削後、または、研削および研磨後に、ＨＦ＋Ｈ２Ｏ２＋Ｈ２Ｏ混合液やＨＦ＋ＨＮＯ３＋ＣＨ３ＣＯＯＨ混合液などの化学的エッチング液によりライトエッチングする。
あるいは、ＨＦ＋Ｈ２Ｏ２＋Ｈ２Ｏ混合液やＨＦ＋ＨＮＯ３＋ＣＨ３ＣＯＯＨ混合液などの化学的エッチング液のみでＳｉ基板１０を除去してもよい。
この時に、ＵＶテープ２３表面から高速ガス流（例えば高速空気流）を噴出しながら回転する公知のベルヌイチャックにより保持すると、化学的エッチング液にＵＶテープ２３表面が晒されないので、耐酸性のＵＶテープでなくてもよい。
更に、この条件最適化により、ＵＶテープなしで直に対向基板側をベルヌイチャックで保持してＳｉ基板１０を化学的エッチング液によりエッチングしてもよい。
また、Ｓｉ基板１０の所定膜厚の研削後、または研削および研磨後に化学的エッチングまたは化学的エッチングのみする場合は、エッチングむら低減のために、ＳｉＯ２層１１を耐エッチング液作用を有する窒化シリコン膜、酸窒化シリコン膜、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜の積層膜などの窒化系透明絶縁膜とするのが望ましい。
また、ＵＶテープ２３は、ポリオレフィンなどのＵＶテープ基材および強い接着力で糊残りのない帯電防止のアクリル系などのＵＶ照射硬化型接着剤からなるものである。ＵＶ照射硬化型接着剤は接着力が強いため、このＵＶテープ２３により対向基板２１を強固に保持および表面保護した状態で、裏面研削、研磨および化学的エッチングを行うことができる。
この帯電防止機能により製造工程中の静電破壊を防止することができるため、静電気ダメージによる半導体特性不良を防止することができる。なお、ＵＶ照射硬化型接着剤の硬化前および硬化後の表面抵抗は、１０６〜１０１２Ω／□程度の静電気ダメージを防止するレベルであることが望ましい。
なお、化学的エッチングを行う場合、ＵＶテープ２３はフッ酸に対する耐酸性を有することが必要である。これにより、化学的エッチング時の対向基板２１などのダメージを防止する。また、ＵＶ照射硬化型接着剤は、紫外線の照射によって粘着力が弱まるため、研削等の後はＵＶテープ２３を糊残りなく剥離することができる。
（８）透明樹脂１６の露出面に、ガラスや透明樹脂などの透明支持基板２４を、シリコーン系、エポキシ系やアクリル系などの耐熱性、耐光性の透明接着剤２５を用いて貼り付ける（図８参照）。透明接着剤２５は、ＵＶ照射硬化型および熱硬化型のいずれかまたは両方の性質を有するものでもよい。
尚、透明支持基板としては、例えば反射防止膜無しで直線透過率８０％以上の光学特性を満足する石英ガラス、透明結晶化ガラス（ネオセラム、クリアセラム、ゼロデュアなど）、ほうけい酸ガラス、アルミノけい酸ガラス、マイクロシートガラス、透明プラスティックなどの材料が用いられる。
更に、超薄膜加工した超薄型電気光学表示素子基板に、例えば反射防止膜無しで直線透過率８０％以上の光学特性を満足する１０（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上の高熱伝導性ガラス、例えば高透光性セラミック多結晶体｛酸化物結晶体の電融または焼結ＭｇＯ（マグネシア）、Ｙ２Ｏ３（イットリア）、ＣａＯ（カルシア）、ＡＬ２Ｏ３（単結晶サファイア）、ＢｅＯ（ベリリア）、多結晶サファイアなど、または複酸化物結晶体の単結晶または多結晶ＹＡＧ、単結晶または多結晶スピネル、３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３・ＳｉＯ２など｝、フッ化物単結晶体（フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、フッ化バリウムなど）、気相合成ダイヤモンド膜コートした高透光性セラミック多結晶体またはフッ化物単結晶体または透明結晶化ガラス、水晶などの透明基板を透明支持基板として耐光性の透明接着剤で貼り合せることで、強い入射光に対して高い熱放散効果を発揮して高輝度化、高精細化、長寿命化を実現し、品質及び信頼性を高めたプロジェクタ用透過型ＬＣＤを実現できる。
尚、対向基板（マイクロレンズ基板、ブラックマスク基板などを含む）、入射側の反射防止膜形成の防塵ガラス、出射側の反射防止膜形成の防塵ガラスにも前記高熱伝導性ガラスを使用すること、たとえば、入射側より反射防止膜形成の単結晶サファイア防塵ガラス、単結晶サファイアの対向基板（マイクロレンズ基板、ブラックマスク基板などを含む）、液晶層、超薄型電気光学表示素子基板、単結晶サファイアの支持基板、反射防止膜形成の単結晶サファイア防塵ガラスの構造として相互を耐光性の透明接着剤で貼り合せることで、更に高い熱放散効果を期待できる。
ここで、透明支持基板２４の表示領域のＴＦＴ部１４ａに相当する部分および周辺回路全域に相当する部分と、このＴＦＴ部１４ａおよび周辺回路全域に相当する対向基板２１の部分とには、予めそれぞれ遮光膜２６ａ，反射膜２６ｂを形成しておくのが望ましい。つまり、画素開口部以外に相当する部分の対向基板２１には反射膜、透明支持基板２４には遮光膜を形成しておくのが望ましい。
この反射膜は画素開口部以外の強い入射光を反射させてＬＣＤパネルの温度上昇を低減し、且つコントラストを高める効果があり、高い反射率の白色系金属膜、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、ニッケル、ニッケル合金などが好ましい。
また、この遮光膜は裏面からの反射光を遮断することによるＴＦＴリーク電流防止の効果があり、ＷＳｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｏ−Ｔａなどの低反射の金属膜や、カーボンなどの黒系混合物の接着剤付き樹脂フィルムなどでよい。
また、金属膜１７は、アース電位に落として強い入射光によるチャージアップを防止しておくのが望ましい（図９（ａ）を参照）。
（９）ＵＶ照射硬化してＵＶテープ２３を剥離し、スクライブライン内の分割境界線に沿って対向基板２１、電気光学表示素子基板層及び透明支持基板２４を切断する。なお、対向基板２１および透明支持基板２４の材質に応じてブレードダイシング、レーザー切断加工（炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等の熱加工及びアブレーション加工、Ｎｄ：ＹＡＧレーザー、Ｎｄ：ＹＶＯ4レーザー、Ｎｄ：ＹＬＦレーザー、チタンサファイアレーザー等の多光子吸収改質レーザー加工等）、ダイアモンドカッター、超硬合金カッター、超音波カッター、高圧流体ジェット噴射切断加工、レーザーウオータージェット切断加工などを使い分けて分割切断してもよい。
その後、液晶注入口から電界印加方法および配向膜に応じた液晶２８、例えばネマティック液晶｛ＴＮモード液晶、ＶＡ（垂直配向）モード液晶など｝、スメティック液晶（強誘電性液晶、反強誘電性液晶など）、高分子分散型液晶またはその他の液晶を注入封止し、必要に応じて加熱急冷却処理して液晶配向処理することにより透過型ＬＣＤが得られる。
この時に、配向膜と配向処理及び液晶の関係は下記のような組み合わせが好ましい。
[１]５〜５０ｎｍ厚のポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜の場合は、ラビング処理して正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[２]５〜５０ｎｍ厚のポリイミド、ポリアミド等の垂直配向剤添加した有機系配向膜の場合は、ラビング処理が不要で負の誘電異方性のＴＮモード液晶（ＶＡモード液晶）を用いる。
[３]５〜５０ｎｍ厚のポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜の場合は、アルゴンイオンビームを基板に対して１５〜２０°の角度から３００〜４００ｅＶの加速電圧でイオンビーム照射処理して正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[４]５〜５０ｎｍ厚のポリイミド、ポリビニルシンナメート等の有機系配向膜の場合は、２５７ｎｍの直線偏光した紫外線を基板に対して垂直に照射する光配向処理して正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[５]５〜５０ｎｍ厚のポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜の場合は、２６６ｎｍのＹＡＧレーザーを基板に対して任意の角度例えば４５°で照射するレーザー配向処理して正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[６]シリコン原子と酸素原子が錯体を形成したアルキル基がシリコン原子に結合しているシラン系配向膜の場合は、配向処理が不要であり、負の誘電異方性のＴＮモード（ＶＡモード）液晶を用いる。
[７]アミノシラン系配向膜の場合は、ラビング処理して正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[８]１０〜３０ｎｍ厚ＳｉＯｘの斜方蒸着膜の無機系系配向膜の場合は、基板の垂直方向からの蒸着角を調整して配向処理を行い、正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[９]蒸着あるいはスパッタによる１０〜３０ｎｍ厚ＳｉＯｘの無機系系配向膜の場合は、アルゴンイオンビームを基板に対して１５〜２０°の角度から３００〜４００ｅＶの加速電圧でイオンビーム照射処理して正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[１０]ミラートロンスパッタリング（指向性スパッタリング）による１０〜３０ｎｍ厚ＳｉＯｘの無機系配向膜の場合は、基板に対するスパッタリング角度を調整して配向処理を行い、正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[１１]ＣＶＤ法による５〜２０ｎｍ厚のＤＬＣ（Diamond Like Carbon）膜の無機系配向膜の場合は、基板に対して例えば４５°の方向から３００〜４００ｅＶの加速電圧でアルゴンイオンビーム照射してイオンビーム配向処理を行い、正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[１２]上記[１]〜[１１]の処理を行った第１配向膜の上に、イオン蒸着により約５０ｎｍのＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）膜の第２配向膜を形成し、正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[１３]上記１〜１１の処理を行った第１配向膜の上に、イオン蒸着により約５０ｎｍのＰＥ（ポリエチレン）膜の第２配向膜を形成し、正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[１４]上記１〜１１の処理を行った第１配向膜の上に、イオン蒸着により約５０ｎｍビフェニルー４，４'−ジメタクリレートのポリマー化した第２配向膜を形成し、正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[１５]ポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜の場合は、ラビング配向或いは２５７ｎｍ直線偏光ＵＶ照射の光配向或いはアルゴンイオンビーム照射のイオンビーム配向或いは２６６ｎｍのＹＡＧレーザー照射のレーザー配向処理をして強誘電性（ＦＬＣ）液晶を用いる。
[１６]５〜５０ｎｍ厚のポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜の場合は、ラビング配向或いは２５７ｎｍ直線偏光ＵＶ照射の光配向或いはアルゴンイオンビーム照射のイオンビーム配向或いは２６６ｎｍのＹＡＧレーザー照射のレーザー配向処理をして電界効果複屈折型（ＥＣＢ）型液晶を用いる。
あるいは、Ｓｉ基板１０を分離する前に、超薄型ＴＦＴ基板層の表示部の画素開口部に相当する部分のポリＳｉ層１４をエッチングにより除去し、必要に応じてポリＳｉＴＦＴ部上及び画素開口部内壁に透明絶縁膜を介して遮光性金属膜を形成し、この遮光性金属膜除去した画素開口部内を光透過性材料としての透明樹脂１６等により埋め込み表面平坦化し、その上に表示用ポリＳｉＴＦＴ１５ａのドレインに接続した透明電極１８ａを形成し、配向膜２０ａを形成して配向処理スクライブライン内の分割境界線に沿ってレーザーなどにより切断し、液晶注入口から電界印加方法および配向膜に応じた液晶２８、例えばネマティック液晶（ＴＮ（ツイストネマティック）型液晶、垂直配向型液晶など）、スメティック液晶（強誘電性液晶、反強誘電性液晶など）またはその他の液晶を注入して封止し、必要に応じて加熱急冷却処理して液晶配向処理することにより超薄型の透過型ＬＣＤが得られる（図１０参照）。
ところで、超薄型の半透過型ＬＣＤを製造する場合、前記超薄型の透過型ＬＣＤの（１）〜（４）までの工程については同じである。
この後に、表示領域のポリＳｉＴＦＴ部１４ａ上の透明樹脂１６に窓開けを行い、ポリＳｉＴＦＴ部１４ａドレインに接続した反射と透過の二領域の画素電極を画素開口部に形成することにより電気光学表示素子基板層を形成する（図１１参照）。
半透過型ＬＣＤの場合は一画素内に反射と透過の二領域を持たせる画素電極を形成する為に、例えば、図１１（ａ）のように、画素開口部に表示用ポリＳｉＴＦＴ１４ａのドレインに接続したＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明電極１８ａを形成し、透明電極１８ａの一部に汎用リソグラフィ技術により適度な凹凸形状の感光性樹脂膜７１を形成し、加熱でリフローした後に、透明電極と接続した高反射率のアルミニウム膜を形成して適度な凹凸形状の反射電極７０を形成することで一画素内に反射及び透過の二領域を持たせた画素電極を形成する。
又は、図１１（ｂ）のように、画素開口部の一部に汎用リソグラフィ技術により適度な凹凸形状の感光性樹脂膜７１を形成し、加熱でリフローした後に、表示用ポリＳｉＴＦＴ１４ａのドレインに接続した高反射率のアルミニウム膜を形成して適度な凹凸形状の反射電極７０を形成し、アルミニウム膜を含む画素開口部に透明電極１８ａを形成することで一画素内に反射と透過の二領域を持たせた画素電極を形成する。
この透過と反射の画素面積比をコントロールすることにより、透過と反射の光学特性のバランスを取ることができる。
この半透過型ＬＣＤの透過表示には透過型ＬＣＤと同様にバックライト光源を用い、反射表示には反射型ＬＣＤと同様に太陽光を用いるのは言うまでもない。
そして、半透過型ＬＣＤではより明るい表示のために、反射電極を配線やＴＦＴの上などの不透明領域にも覆い被せて開口率を高め、透明電極を不透明配線がない部分に配置し、全体の開口率を高くするなどの工夫が必要である。
又、反射型ＬＣＤ及び半透過型ＬＣＤでのペーパーホワイトの見栄えを実現する為に、反射光の正反射成分を減らして光を拡散散乱させる機能として、反射電極に形成した凹凸形状の傾斜角度を特定の範囲内に限定し、角度の分布形状を最適化する必要がある。
又、凹凸を規則的に配置すると太陽光下で反射画像に虹色の光干渉が発生し、視認性低下するので、フィボナッチ数列で表される配列を凹凸パターンに適用するなどで凹凸配置をランダム化する必要がある。
その後の工程については上記の超薄型の透過型ＬＣＤの（６）以降と同じである。
尚、超薄型の反射型ＬＣＤの場合は、上記の超薄型の透過型ＬＣＤの（３）〜（４）以外の工程は同じで、単結晶Ｓｉの支持基板裏面から前記同様の超薄膜加工した後に、高熱伝導性接着剤で金属支持基板などに貼り付けた後にスクライブライン内の分割境界線に沿ってレーザーなどにより切断し、液晶注入口から電界印加方法および配向膜に応じた液晶、例えば上記のようにネマティック液晶（ＴＮ型液晶、垂直配向型液晶など）、スメティック液晶（強誘電性液晶、反強誘電性液晶など）またはその他の液晶を注入封止し、必要に応じて加熱急冷却処理して液晶配向処理することにより、超薄型の反射型ＬＣＤを形成する。
そして、直視型ＬＣＤの反射電極は半透過型ＬＣＤと同様に、ペーパーホワイトの見栄えを実現する為に、反射光の正反射成分を減らして光を拡散散乱させる機能として、高反射率の反射電極に形成した凹凸形状の傾斜角度を特定の範囲内に限定し、角度の分布形状を最適化する必要がある。又、凹凸を規則的に配置すると太陽光下で反射画像に虹色の光干渉が発生し、視認性低下するので、フィボナッチ数列で表される配列を凹凸パターンに適用するなどで凹凸配置をランダム化する必要があるが、プロジェクタ用ＬＣＤの反射電極は高平坦性に形成した金属膜が望ましい。
尚、高反射率の金属電極として、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、ニッケル、ニッケル合金などの白系金属膜が好ましい。
ここで、有機ＥＬの構造と製法について詳細に説明する。
有機ＥＬ層には、単層型、二層型、三層型があるが、低分子化合物の三層型を示すとその構造は、陽極とホール輸送層と発光層と電子輸送層と陰極、または、陽極とホール輸送性発光層とキャリアブロック層と電子輸送性発光層と陰極となる。
たとえば、下面発光型有機ＥＬの電気光学表示素子基板の表示部は、各画素毎の電流駆動用ＴＦＴのソースに接続されたＩＴＯ膜などの陽極（透明電極）上に、各画素毎に赤、青、緑などの有機ＥＬ発光層が被着され、その上部にＬｉ−ＡＬやＭｇ−Ａｇなどの陰極（金属電極）が形成され（必要に応じて全面に陰極が形成される。）、さらに全面を耐湿性樹脂で覆っている構造となっている。この密封により、外部からの湿気浸入が防止でき、湿気に弱い有機ＥＬ発光層の劣化や電極酸化を防止し、長寿命、高品質、高信頼性が可能となる。
ところで、本発明の超薄型の下面発光型有機ＥＬの場合は、超薄型の透過型ＬＣＤとほぼ同様の工程によるが、Ｓｉ基板１０裏面を超薄膜加工する前に、超薄型ＴＦＴ基板の表示領域の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、必要に応じて画素開口部内に透明絶縁膜と金属膜１７を形成した後に画素開口部底の金属膜１７を除去し、この除去した画素開口部内を光透過性材料としての透明樹脂１６等により埋めて表面平坦化し、表示領域のポリＳｉ層１２の画素毎の電流駆動用ポリＳｉＴＦＴ部１４ａのソースに接続されたＩＴＯ膜などの陽極（透明電極）１８ａをこの平坦化膜上に形成し、さらに画素毎に赤、青、緑などの有機ＥＬ発光層３２を被着し、その上部にＬｉ−ＡＬやＭｇ−Ａｇなどの陰極（金属電極）１９を形成し（必要に応じて全面に陰極を形成する。）、さらに全面を耐湿性透明樹脂３３で覆う。
その後、耐湿性透明樹脂表面を少なくとも糊残りのない帯電防止のＵＶテープ２３などで覆い、Ｓｉ基板裏面から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削、研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングを行って、ＳｉＯ２層１１、ＳｉＯ２膜１５などの透明絶縁層を介して表示領域の画素開口部に埋め込まれた透明樹脂１６を露出させた超薄型電気光学表示素子基板を形成し、透明支持基板２４に透明接着剤２５で貼り付けて超薄型の下面発光型有機ＥＬを形成する（図２１参照）。
また、上面発光型有機ＥＬの電気光学表示素子基板の表示部は、各画素毎の電流駆動用ポリＳｉＴＦＴ部１４ａのドレインに接続されたＬｉ−ＡｌやＭｇ−Ａｇなどの陰極（反射電極）１９上に、各画素毎に赤、青、緑などの有機ＥＬ発光層３２が被着され、その上部にＩＴＯ膜などの陽極（透明電極）１８ａが形成され（必要に応じて全面に陽極が形成される。）、全面を耐湿性透明樹脂３３で覆っている構造となっている。
上面発光型有機ＥＬの場合は、表示用ポリＳｉＴＦＴ部１４ａのドレインに接続されたＬｉ−ＡｌやＭｇ−Ａｇなどの陰極（反射電極）１９を画素表示部に形成する。このとき、陰極が電流駆動用ＭＯＳＴＦＴ上を覆っている場合は発光面積が大きくなり、陰極が遮光膜となるため、自発光光等がＭＯＳＴＦＴに入射しない。そのため、リーク電流発生がなく、ＴＦＴ特性悪化が避けられる。
本発明の超薄型の上面発光型有機ＥＬの場合は、上記の超薄型の透過型ＬＣＤの（３）〜（４）以外の工程は同じで、前記のポリＳｉＴＦＴからなる表示部が形成され、周辺回路領域の単結晶Ｓｉ基板表面に単結晶ＳｉＴＦＴからなる周辺回路が形成され、耐湿性透明樹脂３３表面を少なくとも糊残りのない帯電防止のＵＶテープ２３などで覆い、Ｓｉ基板裏面から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削、研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングを行って超薄型電気光学表示素子基板を形成した後に、導電性接着剤で金属支持基板に貼り付けて超薄型の上面発光型有機ＥＬを形成する。
以上のように、本実施形態における製造方法では、Ｓｉ基板１０の表面を熱酸化してＳｉＯ２層１１を形成し、表示領域のＳｉＯ２層１１を残して周辺回路領域のＳｉＯ２層１１を除去し、Ｓｉエピタキシャル成長により表示領域にポリＳｉ層１２を、周辺回路領域に単結晶Ｓｉ層１３をそれぞれ形成し、必要に応じて固相成長法またはフラッシュランプアニール法あるいはパルス状または連続波レーザーアニール法あるいは集光ランプアニール法により任意の結晶粒径（電子・正孔移動度）の制御を行った表示領域のポリＳｉ層１２に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶Ｓｉ層１３に周辺回路部をそれぞれ形成するので、任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性のポリＳｉＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路とを同一Ｓｉ基板１０内に形成し、表面保護した単結晶Ｓｉの支持基板裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削、研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングのみをを行って超薄型電気光学表示素子基板を形成し、支持基板を接着剤で貼り付け、超薄型電気光学表示装置に分割することで、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置を得ることができる。
また、前記表示領域のポリＳｉ層１２のみを選択的にシリコン、錫、ゲルマニウム、鉛などの四族元素の少なくとも１種をイオン注入またはイオンドーピングし、更に固相成長法またはフラッシュランプアニール法またはパルス状または連続波レーザーアニール法または集光ランプアニール法により結晶粒径を制御したポリＳｉ層１２に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶Ｓｉ層１３に周辺回路部をそれぞれ形成するので、任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性のポリＳｉＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路とを同一Ｓｉ基板１０内に形成し、表面保護したＳｉ基板１０裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削、研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングのみを行って超薄型電気光学表示素子基板を形成し、支持基板を接着剤で貼り付け、超薄型電気光学表示装置に分割することで、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置を得ることができる。
この時に、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着により前記表示領域をアモルファスＳｉ層またはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層またはポリＳｉ層とし、必要に応じて選択的にＳｉ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｐｂなどの四族元素の少なくとも１種をイオン注入またはイオンドーピングした後に、固相成長法またはフラッシュランプアニール法またはパルス状または連続波レーザーアニール法または集光ランプアニール法により結晶粒径を制御したポリＳｉ層、あるいはアモルファスＳｉ層またはアモルファスＳｉ及びポリ混在Ｓｉ層１２に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶Ｓｉ層１３に周辺回路部をそれぞれ形成するので、任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性のポリＳｉＴＦＴあるいはアモルファスＳｉＴＦＴまたはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴの表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路とを同一Ｓｉ基板１０内に形成し、表面保護したＳｉ基板１０裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削、研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングのみを行って超薄型電気光学表示素子基板を形成し、支持基板を接着剤で貼り付け、超薄型電気光学表示装置に分割することで、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置を得ることができる。
尚、この再結晶化により結晶粒径を制御したポリＳｉ層中に、Ｇｅ、錫、鉛などの四族元素の少なくとも１種の合計が適量（例えば１×１０１８〜１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｃ）含有させると、ポリＳｉ膜の結晶粒界に存在する不整を低減し、その膜ストレスを低減するので、高キャリア移動度で高品質のポリＳｉＴＦＴが得られる。
更に、例えばＳｉ基板１０にＳｉエピタキシャル成長によりＧｅ濃度２０〜３０％のＳｉＧｅ層である歪み印加半導体層としての単結晶Ｓｉ層１３を形成し、その上に歪みチャネル層としての歪みＳｉ層１４を形成すると、従来の無歪みチャネル層の単結晶Ｓｉ層１３に比べ約１．７６倍の大幅な電子移動度の向上を達成した単結晶Ｓｉ層のＴＦＴ周辺回路が実現するので、高性能、高精細、高品質の超薄型電気光学表示装置が実現する。
また、本実施形態における超薄型の透過型ＬＣＤは、前記表示領域の画素開口部となる部分のポリＳｉ層あるいはアモルファスＳｉ層あるいはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層を除去して絶縁層を露出させ、その画素開口部を透光性材料により埋め込み表面平坦化し、埋め込んだ透光性材料の上に表示素子に接続した画素電極を形成し、対向基板を重ね合わせてシールした後に、ＵＶテープ等で表面保護した単結晶Ｓｉの支持基板裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削、研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングのみを行い、絶縁層を介して画素開口部に埋め込んだ透光性材料を露出させて超薄型電気光学表示素子基板を形成し、透光性材料を露出させた面に透明支持基板を透明接着剤で貼り付け、超薄型の透過型ＬＣＤに分割して液晶注入封止する。
これにより、任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性のポリＳｉＴＦＴあるいはアモルファスＳｉＴＦＴまたはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴの表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路からなる高輝度、高精細で高機能の超薄型の透過型ＬＣＤを得ることができる。
この時に、表示領域のポリＳｉＴＦＴ部１４ａ上部及び画素開口部内壁を絶縁膜のＳｉＯ２膜１５を介した遮光性の例えば黒色系の金属膜１７でカバーし、さらにこの金属膜１７をアース電子に落としているため、強い入射光によるチャージアップの防止と、漏れ光による表示領域のポリＳｉＴＦＴリーク電流の防止が可能であり、高輝度な超薄型の透過型ＬＣＤが実現できる。
さらに、本実施形態における超薄型の透過型ＬＣＤは、透明支持基板２４および対向基板２１の表示領域のＴＦＴ部１４ａに相当する部分および周辺回路領域の全域に相当する部分に、予めそれぞれ遮光膜２６ａ，反射膜２６ｂを形成、つまり、画素開口部以外に相当する部分の対向基板２１および透明支持基板２４に反射膜及び遮光膜を形成しているため、漏れ光によるＴＦＴリーク電流が防止され、パネル温度上昇低減による長寿命化、高コントラストによる画質向上、さらなる高輝度化が可能となる。
（Ｂ）多孔質半導体層分離及び超薄膜加工法の場合
本実施形態においては、種子用半導体基板に形成した多孔質半導体層から種子用半導体基板を分離し、支持用半導体基板裏面からの超薄膜加工により形成する超薄型ＳＯＩ構造の超薄型電気光学表示装置の製造方法について説明する。
図１２、１３は、本発明の実施の形態における多孔質Ｓｉ層分離及び超薄膜加工法による超薄型ＳＯＩ構造の超薄型電気光学表示装置の製造工程図である。
（１）単結晶Ｓｉの種子基板３１に陽極化成法で多孔質Ｓｉ層を形成する（図１２ａ参照）。
[１]まず、ｐ型単結晶Ｓｉ（抵抗率０．０１〜０．０２Ω・ｃｍ）の種子基板３１に、モノシランガス、ジボランガスなどのＣＶＤ法によりボロン１×１０１９atoms／ｃｍ３程度の濃度でｐ型不純物を添加し、約１０μｍ厚の高濃度の半導体エピタキシャル成長の単結晶Ｓｉ層（後述する低多孔質Ｓｉ層３１ａに相当する）を形成する。
[２]この高濃度層表面に、モノシランガス、ジボランガスなどのＣＶＤ法によりボロン５×１０１４atoms／ｃｍ３程度の濃度でｐ型不純物を添加し、約２０μｍ厚の低濃度の半導体エピタキシャル成長の単結晶Ｓｉ層（後述する高多孔質Ｓｉ層３１ｂに相当する）を形成する。
[３]さらに、この低濃度層表面に、モノシランガス、ジボランガスなどのＣＶＤ法によりボロン５×１０１９atoms／ｃｍ３程度の濃度でｐ型不純物を添加し、約１０μｍの高濃度の半導体エピタキシャル成長の単結晶Ｓｉ層（後述する低多孔質Ｓｉ層３１ｃに相当する）を形成する。
なお、ＣＶＤ法での単結晶Ｓｉ層形成には、水素化物原料のモノシラン（ＳｉＨ４）以外に、同じく水素化物原料のジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、トリシラン（Ｓｉ３Ｈ８）、テトラシラン（Ｓｉ４Ｈ１０）や、ハロゲン化物原料のジクロルシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）トリクロルシラン（ＳｉＨＣｌ３）四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）などの原料ガスを用いることができる。また、単結晶Ｓｉ層の形成方法としては、ＣＶＤ法に限らず、ＭＢＥ法、スパッター法等でもよい。
[４]その後、陽極化成法により、例えば電解液に５０％フッ化水素溶液とエチルアルコールとを２：１の体積割合で混合した混合液を用い、例えば約１０ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で５〜１０分間電流を流し、高濃度層に多孔率の低い低多孔質Ｓｉ層３１ａ，３１ｃ、低濃度層に多孔率の高い高多孔質Ｓｉ層３１ｂを形成する。
なお、このように、陽極化成法により多孔質層を形成する場合は、多孔質層を多孔率の異なる複数の層で構成することができる。例えば、上記のように、種子基板３１上に第１の低多孔質Ｓｉ層３１ａ、高多孔質Ｓｉ層３１ｂ、第２の低多孔質Ｓｉ層３１ｃを順に形成した３層構造とするほか、種子基板３１の上に高多孔質Ｓｉ層３１ｂと低多孔質Ｓｉ層３１ｃとを順に形成した２層構造としてもよい。
このとき、高多孔質Ｓｉ層の多孔率は４０〜８０％の範囲で、低多孔質Ｓｉ層の多孔率は１０〜３０％の範囲とする。このように異なる多孔率の複数の層のそれぞれの厚みは、陽極化成時の電流密度および時間や、陽極化成時の溶液の種類または濃度を変えることで任意に調整することができる。
なお、多孔質Ｓｉ層の形成後、約４００℃でドライ酸化することにより、多孔質Ｓｉの孔の内壁を１〜３ｎｍほど酸化するのが好ましい。これにより、多孔質Ｓｉが後の高温処理により構造変化を起こすのを防止することができる。
また、低多孔質Ｓｉ層３１ｃは、不純物濃度を高く（１×１０１９atoms／ｃｍ３以上）し、かつ可能な限り多孔率を低く（１０〜３０％程度）しておくのが好ましい。これらの低多孔質Ｓｉ層３１ｃの上には、後述する半導体デバイス形成のために優れた結晶性の単結晶Ｓｉ層を形成する必要があるからである。
なお、陽極化成におけるＳｉの溶解反応ではフッ化水素溶液中のＳｉの陽極反応には正孔が必要であるため、基板には多孔質化しやすいＰ型Ｓｉを用いるのが望ましいが、これに限るものではない。
また、種子基板３１および支持基板１０は、ＣＺ（Czochralski）法、ＭＣＺ（Magnetic Field Applied Czochralski）法やＦＺ（Floating Zone）法などで作成された単結晶Ｓｉ基板のみならず、基板表面が水素アニール処理された単結晶Ｓｉ基板、あるいはエピタキシャル単結晶Ｓｉ基板などを用いることができる。もちろん、単結晶Ｓｉ基板に代えて単結晶ＳｉＧｅ基板、ＳｉＣ基板、ＧａＡｓ基板やＩｎＰ基板等の単結晶化合物半導体基板を用いることもできる。
（２）種子基板３１の低多孔質Ｓｉ層３１ｃに半導体エピタキシャル成長の単結晶Ｓｉ層１３を形成する。
まず、ＣＶＤ半導体エピタキシャル成長装置内において、水素雰囲気中１０００〜１１００℃程度でプリベークを行い、低多孔質Ｓｉ層３１ｃの表面の孔を封止して表面を平坦化する。この後、１０２０℃まで降温し、シランガスを原料ガスとするＣＶＤを行い、１〜１０μｍ厚さの半導体エピタキシャル成長の単結晶Ｓｉ層１３を形成する。
なお、前記同様に、ＣＶＤ法での単結晶Ｓｉ層形成には、水素化物原料のモノシラン（ＳｉＨ４）以外に、同じく水素化物原料のジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、トリシラン（Ｓｉ３Ｈ８）、テトラシラン（Ｓｉ４Ｈ１０）や、ハロゲン化物原料のジクロルシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）トリクロルシラン（ＳｉＨＣｌ３）四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）などの原料ガスを用いることができる。また、単結晶Ｓｉ層の形成方法としては、ＣＶＤ法に限らず、ＭＢＥ法、スパッター法等でもよい。
（３）支持基板１０に、絶縁層１１としてのＳｉＯ２酸化膜またはＳｉＯ２とＳｉ３Ｎ４とＳｉＯ２積層膜５００ｎｍを形成する（図１２（ａ）参照）。
絶縁膜１１は熱酸化の酸化シリコン膜ＳｉＯ２以外に、減圧熱ＣＶＤで支持基板１０上に窒化シリコン膜または窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜を形成して熱酸化することで、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜の積層膜、または酸化シリコン膜と窒化シリコン膜と酸化シリコン膜の積層膜、例えばＳｉＯ２；２００ｎｍとＳｉ３Ｎ４；５０ｎｍとＳｉＯ２；２００ｎｍ）としてもよい。
さらに、酸窒化シリコン膜（ＳｉＯＮ）としてもよい。なお、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法、ＭＢＥ法などにより、上記単層膜や多層膜の絶縁膜を形成してもよい。
このように適当な膜厚の窒化系シリコン膜があることで、後の工程におけるＬＣＤ組立時や半導体デバイスプロセス中に、支持基板１０側からハロゲン元素が浸透し、単結晶Ｓｉ層１３を汚染するのを防止することができる。さらに、この窒化系シリコン膜は、単結晶Ｓｉ基板のエッチング時にエッチングストッパーとして機能するため、エッチングむらを防止することができる。
（４）種子基板３１と支持基板１０を貼り合わせる（図１２（ａ）参照）。
室温で種子基板３１の単結晶Ｓｉ層１３と支持基板１０の絶縁層１１の表面同士を接触させ、ファンデアワールス力により結合させる。この後、４００℃３０分間の熱処理を行って共有結合させ、貼り合せを強固にする。尚、必要に応じて前記よりも高い温度例えば１０００℃３０〜６０分の熱処理を追加してより強固な貼り合せにしてもよい。
熱処理は、窒素中、不活性ガス中、または、窒素と不活性ガスの混合ガス中で行う。
このとき、双方の基板の表面に塵や汚れ付着がないことを確認する。なお、異物があった時は、剥離洗浄する。
あるいは、減圧熱処理炉に重ね合わせた２枚の基板をセットし、真空引きで所定圧力（例えば１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）以下）に保持し、一定時間経過後に大気圧にブレークしたときの加圧で密着させ、連続して窒素中、不活性ガス中、または、窒素と不活性ガスの混合ガス中で昇温加熱して熱処理接合する連続作業をしてもよい。
また、接合面を接合に先立って室温の真空中でアルゴンなどの不活性ガスイオンビームまたは不活性ガス高速原子ビームで照射してスパッタエッチングにより、表面の塵や汚れ付着等を除去して表面に接合するための結合力を付与して表面平滑度を高めて貼り合せを強固にしてもよい。
（５）高多孔質Ｓｉ層３１ｂから種子基板３０を分離する。
ウオータージェット、エアージェット、ウオーターエアージェットなどの高圧流体ジェット噴射剥離法またはレーザー加工剥離法またはレーザーウオータージェット加工剥離法により、高多孔質Ｓｉ層３１ｂから種子基板３１を分離する。
なお、分離した種子基板３１の単結晶Ｓｉ基板は、必要に応じて表面再研磨、エッチング、水素を含む雰囲気下での熱処理等を行い、再使用することができる。
なお、高多孔質Ｓｉ層３１ｂからの分離を、ウオータージェット、エアージェット、ウオーターエアージェットなどの高圧流体ジェット噴射剥離法により行う場合、図２２に示す高圧流体ジェット噴射剥離装置を用いる。図２２は本発明の実施の形態における高圧流体ジェット噴射剥離装置の概略断面図である。
図２２に示す高圧流体ジェット噴射剥離装置は、上下から基板を真空吸着して回転させる一対のホルダ８１ａ，８１ｂと、高圧流体ジェット８２を噴射する微細ノズル８３とを備える。ガードリングストッパ８０は、ホルダ８１ａ，８１ｂの周囲を囲む円筒状の治具である。ガードリングストッパ８０には、微細ノズル８３から噴射される高圧流体ジェット８２の幅を制限して通過させる１０〜５０μｍ程度の径のスリット孔８４が形成されている。なお、スリット孔８４の径については、高圧流体ジェット８２の水圧および風圧との相関によって決定する。
このような高圧流体ジェット噴射剥離装置において、例えば、ホルダ８１ａ，８１ｂ間に図１２（ａ）に示すＳｉ基板１０と種子基板３１を貼り合わせた基板を挟持する。ここで分離したい層（分離層）は高多孔質Ｓｉ層３１ｂである。なお、図２２においては簡単のため、Ｓｉ基板１０、高多孔質Ｓｉ層３１ｂおよび種子基板３１以外については図示を省略している。
ここで、ガードリングストッパ８０の高さと、ホルダ８１ａ，８１ｂで挟持するＳｉ基板１０および種子基板３１の高さを調整し、微細ノズル８３から噴射される高圧流体ジェット８２が分離したい高多孔質Ｓｉ層３１ｂに正確に当たるように微調整する。その後、ホルダ８１ａ，８１ｂを回転させ、微細ノズル８３から噴射する高圧流体ジェット８２の圧力を高多孔質Ｓｉ層３１ｂに作用させてＳｉ基板１０を分離する。
このとき、微細ノズル８３から噴射する高圧流体ジェット８２は、ガードリングストッパ８０のスリット孔８４によってその幅が制御されるうえ、分離したい高多孔質Ｓｉ層３１ｂに正確に当たるようにその高さが微調整されているため、狙った高多孔質Ｓｉ層３１ｂ以外の部分には分離するほど強く当たらない。
また、高圧流体ジェット８２は、ウオータージェット、エアージェットの他、水、エッチング液やアルコールなどの液体、空気、窒素ガスやアルゴンガスなどの気体や、前記液体に前記気体を適当比率で混在させた液体と気体との混合体などのジェットの噴射により行うこともできる。特に液体と気体との混合体のジェットの噴射、いわゆるウオーターエアージェットでは、液体に気体のバブルが混入し、このバブル破裂時の衝撃作用によってより効果的に分離を行える。
また、高圧流体ジェット８２を吹き付ける場合には、流体に超音波を印加すると、超音波振動が多孔質層に作用するため、より効果的に多孔質層からの分離を行える。さらに、この高圧流体ジェット８２に、さらに微細な固体としての粒体や粉体（研磨剤、氷、プラスチック片など）の超微粉末を添加してもよい。このように高圧流体ジェット８２に、微細な固体を添加すれば、この微細な固体が高多孔質Ｓｉ層３１ｂに直に衝突することによって、より効果的に分離を行える。
そして、この高圧流体ジェット８２に粒体や粉体の超微粉末を添加し、さらに超音波を印加すれば、さらに効果的に分離を行える。
あるいは、回転中の基板の分離層にレーザー出力部から照射するレーザー光を当てて分離するレーザー加工剥離装置（図示せず）を用いることもできる。なお、このレーザー加工剥離装置と前述の高圧流体ジェット噴射剥離装置との違いは、レーザー出力部が前述の微細ノズル８３とスリット孔８４を組み合わせたものに相当することのみであり、他はほとんど同じ構成である。
このレーザー加工剥離装置では、回転中の基板の高多孔質Ｓｉ層３１ｂの横方向から一つ以上のレーザー照射によるレーザー加工（アブレーション加工、熱加工など）によって、この高多孔質Ｓｉ層３１ｂから分離することができる。
ここで、レーザーとしては、炭酸ガスレーザー、ＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet）レーザー、エキシマレーザー、高調波変調レーザーなどからなる可視光、近紫外線、遠紫外線、近赤外線、遠赤外線などのレーザー光を使用できる。
レーザー加工では、加工対象物が吸収する少なくとも一つ以上のパルス波または連続波のレーザー光を照射して、熱加工やアブレーション加工で分離する方法と、加工対象物に対して透過する波長を有する少なくとも一つ以上のパルス波または連続波の近赤外線レーザー（Ｎｄ：ＹＡＧレーザー、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザー、Ｎｄ：ＹＬＦレーザー、チタンサファイアレーザーなど）を加工対象物内部に焦点を合わせて照射し、多光子吸収による光学的損傷現象を発生させて改質領域（例えばクラック領域、溶融処理領域、屈折率変化領域など）を形成し、そこを起点として比較的小さな力で分離する方法とがある。
一般的に、後者の場合は加工対象物例えば単結晶半導体基板の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー密度（パルスレーザー光の集光点の電界強度）が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上で且つパルス幅が１μS以下の条件でレーザー光を照射すると、加工対象物内部には多光子吸収による光学的損傷現象が発生し、この光学的損傷により内部に熱ひずみが誘起され、これにより内部に改質領域例えばクラック領域が形成され、そこを起点として比較的小さな力で分離させる方法であるが、単結晶半導体基板に比べ、本発明の多孔質半導体層や後述するイオン注入層の単結晶半導体層の場合は、上記のピークパワー密度以下により多光子吸収による光学的損傷現象を発生させて改質領域（例えばクラック領域、溶融処理領域、屈折率変化領域など）の形成が可能であり、このレーザー加工による多孔質半導体層や後述するイオン注入層からの分離が容易である。
レーザー加工の場合は、上記のいずれの方法でもレーザー光線を集光レンズで加工対象物内部(つまり多孔質半導体層や後述するイオン注入層の内部)に焦点を合せ、その焦点を徐々に回転中の加工対象物内部に移動させることで分離することができる。特に、本発明の場合は、加工対象物が多孔質Ｓｉ層やイオン注入層なので、このレーザー光による分離加工を高精度で効率良く行うことができる。このとき、必要に応じて流体冷却した支持治具を用いて、ＵＶテープを介して種子基板３１側を冷却しながら多孔質Ｓｉ層からＳｉ基板１０を分離してもよい。
また、回転中の基板の高多孔質Ｓｉ層３１ｂに、出力部からレーザー光とウオータージェットを組み合わせたレーザーウオータージェットを照射して分離するレーザーウオータージェット加工剥離装置（図示せず）を用いることもできる。なお、このレーザーウオータージェット加工剥離装置と前述のレーザー加工剥離装置および高圧流体ジェット噴射剥離装置との違いは、レーザーウオータージェット出力部が前述の微細ノズル８３とスリット孔８４を組み合わせたものに相当することのみであり、他はほとんど同じ構成である。
レーザーウオータージェット加工剥離法は、ウオータージェットとレーザーの利点を組み合わせ、水と空気の境界面でレーザー光が完全に反射することを利用し、グラスファイバー内と同じようにウオータージェットがレーザー光を全反射して平行にガイドし、このレーザー光の吸収による熱加工やアブレーション加工で分離する方法である。従来の熱変形が問題となるレーザー加工法と違い、レーザーウオータージェットは常時水による冷却がされているので、分離面の熱影響、例えば熱変形などが低減される。
このレーザーウオータージェット加工剥離法では、例えば、少なくとも一つ以上のパルス波または連続波の近赤外線レーザー（Ｎｄ：ＹＡＧレーザー、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザー、Ｎｄ：ＹＬＦレーザー、チタンサファイアレーザーなど）が任意の水圧の純水または超純水の水柱内に封じ込まれた一つ以上のレーザーウオータージェットを、回転中の基板の高多孔質Ｓｉ層３１ｂの横方向から照射する加工（アブレーション加工、熱加工など）によって、この高多孔質Ｓｉ層３１ｂから分離することができる。
なお、レーザーとしては、炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー、高調波変調レーザーなどからなる可視光、近赤外線、遠赤外線、近紫外線、遠紫外線などのレーザー光を使用できる。また、任意の水圧のウオータージェットの水柱は水道水でもよいが、レーザーの種類によってはレーザーを乱反射で散乱させずに減衰させない純水または超純水によるウオータージェットの水柱が望ましい。
なお、上記の高圧流体ジェット噴射剥離法、レーザー加工剥離法およびレーザーウオータージェット加工剥離法は、超薄型半導体層或いは超薄型ＳＯＩ半導体層の剥離による映像信号処理ＬＳＩ、メモリＬＳＩ、ＣＰＵＬＳＩ、ＤＳＰＬＳＩ、音声信号処理ＬＳＩ、ＣＣＤ、ＣＭＯＳセンサ、ＢiＣＭＯＳなどの半導体デバイスの製造にも使用できる。さらに、高圧流体ジェット噴射法、レーザー加工法およびレーザーウオータージェット加工法により、単結晶あるいは多結晶半導体基板あるいは透明または不透明支持基板の切断や、回転中の単結晶あるいは多結晶半導体インゴットのスライシングなどにも使用できる。
そして、種子基板分離した後の単結晶半導体層１３を含む支持基板１０表面の周辺部をＣ面取り化することで、周辺部の超薄型ＳＯＩ層などの欠け、クラック、割れを防止するので、歩留、品質が向上してコストダウンが実現する。
更に、必要に応じてＳｉダストやマイクロクラックを除去する為に、フッ酸系エッチャントでライトエッチングしてもよい。
（６）剥離残りの高多孔質Ｓｉ層３１ｂおよび低多孔質Ｓｉ層３１ｃをＨＦ＋Ｈ２Ｏ２＋Ｈ２Ｏ混合液、ＨＦ＋ＨＮＯ３＋ＣＨ３ＣＯＯＨ混合液などのフッ酸系エッチャント又はアルカリ系エッチャントでウエットエッチングする。
尚、物理的剥離である高圧流体ジェット噴射剥離法の場合は多孔質Ｓｉ層剥離残りしやすいので前記ウエットエッチングが必要であるが、レーザー加工剥離法或いはレーザーウオータージェット加工剥離法の場合は局部的加熱溶融による剥離なので、前記多孔質Ｓｉ層の剥離残りが発生しにくく必ずしもウエットエッチングは必要ではなく、水素アニール処理によるドライエッチングのみでもよい。
この後に、水素アニール処理により単結晶Ｓｉ層をドライエッチングし、所望の厚みと高平坦性の、例えば１μｍ厚の単結晶Ｓｉ層１３の超薄型ＳＯＩ構造を形成する。水素アニールは、１０５０℃で０．００１３ｎｍ／ｍｉｎ、１１００℃で０．００２２ｎｍ／ｍｉｎのエッチング速度で行う。
（７）単結晶Ｓｉ層１３の表示領域の画素開口部領域をエッチングして絶縁層１１を露出させる。（図１２（ｃ）参照）。
汎用リソグラフィ及びエッチング技術により、例えばプラズマエッチング、ウエットエッチングで単結晶Ｓｉ層１３の表示領域の画素開口部領域をエッチングして絶縁層１１を露出させる。
（８）半導体エピタキシャル成長により、表示領域の露出した絶縁層にポリＳｉ層１２の５０〜２００ｎｍ厚を形成し、周辺回路領域に単結晶Ｓｉ層１４の５０〜２００ｎｍ厚を形成する（図１２（ｄ）参照）。
ところで前記（Ａ）のように、この時に、例えば種子基板３１の低多孔質Ｓｉ層上に半導体エピタキシャル成長によりＧｅ濃度２０〜３０％のＳｉＧｅ層である歪み印加半導体層としての単結晶Ｓｉ層１３を形成し、その上に歪みチャネル層としての歪みＳｉ層１４を形成すると、従来の無歪みチャネル層の単結晶Ｓｉ層に比べ約１．７６倍の大幅な電子移動度の向上を達成したＭＯＳＴＦＴ周辺回路が実現するので、高性能、高精細、高品質の超薄型電気光学表示装置が実現する。
このＧｅ組成比は大きい方が良く、０．２を大きく下回る場合はＭＯＳＴＦＴの移動度の顕著な向上は期待できず、また、０．５を大きく超える場合はＳｉＧｅ層表面凹凸の増加や膜質低下等の問題があり、０．３程度が好ましい。
また、Ｇｅ濃度はＳｉＧｅ層の中で徐徐に増加させ、表面で所望濃度となる傾斜組成とし、この傾斜組成ＳｉＧｅ層上に歪みチャネル層としての歪みＳｉ層を順次形成することが好ましい。
つまり、歪み印加半導体層の単結晶Ｓｉ層１３は絶縁層１１に接した部分から傾斜組成してＧｅ濃度が徐徐に増加して表面濃度が例えばＧｅ濃度２０〜３０％となるようにすることが好ましい。
尚、ＳｉＧｅ層の成膜方法としては、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法等のエピタキシャル成長法や、ＬＰＥ（Liqud Phase Epitaxy）法等の液相成長法、ポリＳｉＧｅ層やアモルファスＳｉＧｅ層の固相成長法などがあるが、Ｇｅ組成比の制御が可能な結晶成長方法であれば、他の成長方法でもよい。
なお、このときは前記同様に、ＣＶＤ法での単結晶Ｓｉ層形成には、水素化物原料のモノシラン（ＳｉＨ４）以外に、同じく水素化物原料のジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、トリシラン（Ｓｉ３Ｈ８）、テトラシラン（Ｓｉ４Ｈ１０）や、ハロゲン化物原料のジクロルシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ2）トリクロルシラン（ＳｉＨＣｌ３）四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）などの原料ガスを用いることができる。
Ｇｅ原料としてはゲルマン（ＧｅＨ４）、四塩化ゲルマニウム（ＧｅＣＬ４）、四フッ化ゲルマニウム（ＧｅＦ４）などが適している。
尚、歪み半導体層としてＳｉＧｅ層の代わりに、ＳｉＣやＳｉＮ等のようにＳｉと他の元素との混晶層、ＺｎＳｅ層等の二―六族混晶層もしくはＧａＡｓやＩｎＰ等の三―五族混晶層などの互いに格子定数の異なる材料からなる混晶層でもよい。
必要に応じて、固相成長法またはフラッシュランプアニールまたはレーザーアニール法または集光ランプアニール法などにより表示領域のポリＳｉ層１２の結晶粒径（電子・正孔移動度）を任意に制御する場合の各条件は、（Ａ）に準ずる。
あるいは、図１３のように必要に応じて表示領域のポリＳｉ層１２のＴＦＴ部下に遮光性金属膜を形成し、固相成長法またはフラッシュランプアニール法またはレーザーアニール法または集光ランプアニール法などにより表示領域のポリＳｉ層１２の結晶粒径（電子・正孔移動度）を任意に制御する場合の各条件は、（Ａ）に準ずる。
このとき、図１３（ｃ）のように、液晶ギャップ幅以下の膜厚の単結晶Ｓｉ層１３の表示領域をエッチングして絶縁層のＳｉＯ２層１１を露出させ、次に図１３（ｄ）のように表示領域内の画素表示用ポリＳｉＴＦＴ領域に、ＣＶＤとエッチングによりＷＳｉ２（タングステンシリサイド）、ＴｉＳｉ２（チタンシリサイド）、ＭｏＳｉ２（モリブデンシリサイド）などの遷移金属シリサイドなどの遮光性金属層３７を形成し、その上をＳｉＯ２などの透明絶縁層９０で覆い、周辺回路領域の単結晶Ｓｉ層１３表面のＳｉＯ２などの透明絶縁層は除去する。
そして、ＣＶＤ法などの半導体エピタキシャル成長により表示領域のＳｉＯ２などの透明絶縁層９０上に５０〜２００ｎｍ厚のポリＳｉ層１２を、周辺回路領域上の単結晶Ｓｉ層１３に５０〜２００ｎｍ厚の単結晶Ｓｉ層１４をそれぞれ形成してもよい（図１３（ｄ）参照）。
そして、必要に応じて固相成長法またはフラッシュランプアニールまたはレーザーアニール法あるいは集光ランプアニール法などにより表示領域のポリＳｉ層１２の結晶粒径（電子・正孔移動度）を任意に制御する場合の各条件は、（Ａ）に準ずる。
このときに、種子基板に多孔質Ｓｉ層を介して歪み印加半導体層、例えばＧｅ濃度２０〜３０％のの歪み印加半導体層としてのＳｉＧｅ層１３を形成し、熱酸化してＳｉＯ２層１１を形成し支持基板１０と貼り合せ、種子基板を多孔質Ｓｉ層から分離し、少なくとも水素アニールして表面平坦化した後に、表示領域のＳｉＧｅ層１３をエッチングして絶縁層１１を露出させ、ＣＶＤ法などのＳｉエピタキシャル成長により、表示領域にポリＳｉ層１２を、周辺回路領域に歪み印加半導体層としてのＳｉＧｅ層１３をシードに歪みチャネル層としての歪みＳｉ層１４を形成してもよい。
また、（Ａ）と同様に、このポリＳｉ層１２にＧｅ、錫、鉛等の四族元素の少なくとも１種をイオン注入あるいはイオンドーピングなどで適量（合計が例えば１０１７〜１０２２atom/cc、好ましくは１０１８〜１０２０atom/cc）を含有させ、この状態で前記の固相成長あるいはフラッシュランプアニールあるいはパルス状または連続波レーザーアニールあるいは集光ランプアニールなどで再結晶化させ結晶粒径を制御したポリＳｉ薄膜にポリＳｉＴＦＴの表示部を作製してもよい。
これにより、ポリＳｉ薄膜の結晶粒界に存在する不整を低減し、その膜ストレスを低減して高キャリア移動度、高品質のポリＳｉＴＦＴが得られ易くなる。
尚、上記は表示領域にポリＳｉ層を形成してポリＳｉＴＦＴ部を作製する実施例を示したが、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、スパッタリングまたは蒸着などにより表示領域にアモルファスＳｉ層あるいはアモルファス及びポリＳｉ混在層あるいはポリＳｉ層を形成してアモルファスＳｉＴＦＴあるいはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴあるいはポリＳｉＴＦＴを作製してもよい。
この時も（Ａ）と同様に、このアモルファスＳｉ層あるいはアモルファス及びポリＳｉ混在層あるいはポリＳｉ層１２にＧｅ、錫、鉛等の四族元素の少なくとも１種をイオン注入あるいはイオンドーピングなどで適量（合計が例えば１０１７〜１０２２atom/cc、好ましくは１０１８〜１０２０atom/cc）を含有させ、この状態で前記の固相成長あるいはフラッシュランプアニールあるいはパルス状または連続波レーザーアニールあるいは集光ランプアニールなどで再結晶化させ結晶粒径を制御したポリＳｉ膜にポリＳｉＴＦＴの表示部を作製してもよい。
これにより、ポリＳｉ薄膜の結晶粒界に存在する不整を低減し、その膜ストレスを低減して高キャリア移動度、高品質のポリＳｉＴＦＴが得られ易くなる。
ところで、この四族元素はイオン注入又はイオンドーピングによりアモルファスＳｉ膜またはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層またはポリＳｉ層中に含有させることが出来る。
また、ＣＶＤでのＳｉエピタキシャル成長、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤでの成膜時に、原料ガス中にガス成分として混合してアモルファスＳｉ膜またはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層またはポリＳｉ層または単結晶Ｓｉ層中に四族元素、例えばＧｅ、錫などを含有させてもよい。
また、この四族元素を適量含有するＳｉターゲットをスパッタリングして、この四族元素を適量含有するアモルファスＳｉ膜またはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層またはポリＳｉ層を形成してもよい。
（９）汎用技術によりポリＳｉ層１２の例えば５０〜２００ｎｍ厚の任意に結晶粒径を制御した表面層に表示素子部としてのポリＳｉＴＦＴ部１４ａ（図１６（ａ）参照）、配線等を、単結晶Ｓｉ層１４に周辺回路部としての単結晶ＳｉＴＦＴ部１４ｂ（図１６（ｂ）参照）、ダイオード、抵抗、キャパシタ、コイルや配線等の半導体素子および半導体集積回路のいずれかまたは両方をそれぞれ作製して超薄型の電気光学表示素子基板層を作製する。
尚、単結晶Ｓｉ層１４は、Ｓｉ基板同様の高い電子・正孔移動度を有するので、周辺駆動回路のみならず映像信号処理回路、画質補正回路、メモリ回路、ＣＰＵ（Central Processing Unit）回路やＤＳＰ（Digital Signal Processor）回路などを取り込んでもよい。条件は、（Ａ）に準ずる。
また同時に、超薄型の電気光学表示素子基板層の周辺回路に接続する外部取り出し電極３５（半田バンプ含む）を形成するが、ＬＣＤパネル形成後に異方性導電膜接合や超音波接合、半田付けなどでフレキシブル基板との接合やＰＣＢへのマウントを行うのが好ましい。なお、ダイオード、抵抗、キャパシタ、コイルや配線等については図示を省略している。
（１０）表示領域の画素開口部のポリＳｉ層１２をエッチングにより除去する。なお、条件は（Ａ）に準ずる。
（１１）表示領域の画素開口部内にＳｉＯ２膜１３ｂおよび低反射の金属膜１７を形成し、画素開口部底面の金属膜１７をエッチングして画素開口部内に透明樹脂１６などを埋め込み、ＣＭＰなどにより表面平坦化する（図１７参照）。条件は、（Ａ）に準ずる。
（１２）表示領域のポリＳｉＴＦＴ部１４ａドレイン上の透明樹脂に窓開けを行い、ＩＴＯ（酸化インジウム−酸化錫系透明導電膜）、ＩＺＯ（酸化インジウム−酸化亜鉛系透明導電膜）などの画素電極としての透明電極１８ａなどを形成することにより超薄型電気光学表示素子基板層を形成する（図１７参照）。条件は、（Ａ）に準ずる。
なお、プロジェクタ用などの強い入射光の裏面反射光によるＴＦＴリーク電流対策として、表示部のポリＳｉＴＦＴ部１４ａの下に、例えば２００〜３００ｎｍ厚のＷＳｉ２（タングステンシリサイド）、ＴｉＳｉ２（チタンシリサイド）、ＭｏＳｉ２（モリブデンシリサイド）などの遷移金属シリサイドの遮光性金属層３７をＣＶＤ等で形成してパターニングした場合の表示領域を図１７に示す。
このように、表示領域のポリＳｉＴＦＴ部１４ａ上部および下部、画素開口部内側を遮光性金属層３７および金属膜１７で覆うことで漏れ光を完全に遮蔽することが好ましい。
（１３）単結晶Ｓｉの支持基板１０上の超薄型電気光学表示素子基板層および対向基板２１にそれぞれ配向膜２０ａ，２０ｂを形成して配向処理し、いずれかの一方にシール剤及びコモン剤（図示せず）塗布し、所定の液晶ギャップ例えば２μｍで重ね合わせてシールする。条件は、（Ａ）に準ずる。
（１４）対向基板２１に少なくとも糊残りのない帯電防止のＵＶテープ２３を貼り合せ、ＵＶテープ側を研削装置または／及び研磨装置のステージに真空吸着で保持した状態で、単結晶Ｓｉの支持基板１０の裏面を超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削、研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングのみを行い、絶縁膜を介して画素開口部内に埋め込んだ透光性材料を露出させた超薄型の電気光学表示素子基板を形成する。
その後に、露出した透光性材料面に透明支持基板を透明接着剤で貼り付け、超薄型の電気光学表示装置に分割した後に、液晶注入封止する。
この時の、配向膜と配向処理及び液晶の組み合わせは前記（Ａ）に準ずる。
このときに、単結晶Ｓｉの支持基板１０上の超薄型電気光学表示素子基板内の良品チップに配向膜２０ａを形成して配向処理した後にシール剤及びコモン剤塗布し、透明電極形成し配向膜２０ｂを形成して配向処理した対向基板２１の良品チップを重ね合わせてシールし、液晶注入封止した後に、対向基板２１に少なくとも糊残りのない帯電防止のＵＶテープ２３を貼り合せ、単結晶Ｓｉの支持基板１０の裏面から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削、研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングのみを行い、埋め込んだ透光性材料を露出させた超薄型の電気光学表示素子基板を形成する。
その後に、露出した透光性材料面に透明支持基板を透明接着剤で貼り付け、超薄型の電気光学表示装置に分割してもよい。
なお、超薄型の反射型ＬＣＤを製造する場合、上記（１）〜（９）までの工程（図１２、図１３）については同じである。その後、周辺回路領域に配線層を形成し、保護膜を形成した後、表示領域のＴＦＴ部１４ａのドレイン窓開けしてアルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、ニッケル、ニッケル合金などの高反射率の反射電極１９を形成する。
反射電極１９は、直視用の反射型ＬＣＤの場合は適度な光の散乱効果を与え表示の見易さを改善するためにこの電極に適当な凹凸形状を設けておくが、プロジェクタ用の反射型ＬＣＤの場合は高平坦性の電極形状とするのが好ましい。
そして、配向膜形成して配向処理した後にシール剤及びコモン剤を塗布し、さらに透明電極および配向膜形成して配向処理した対向基板を所定の液晶ギャップ例えば２μｍで重ね合わせてシールする。その後の工程については（Ａ）と同様である。
尚、超薄型の半透過型ＬＣＤを製造する場合、（１）〜（９）までについては超薄型の透過型ＬＣＤと同じであり、その後の工程についてはそれぞれ（Ａ）と同様である。
また、超薄型の下面発光型有機ＥＬおよび上面発光型有機ＥＬについても、（１）〜（９）までの工程については超薄型の透過型ＬＣＤと同じであり、その後の工程については、（Ａ）と同様である。
以上のように、本実施形態における多孔質Ｓｉ層分離及び超薄膜加工法では、単結晶Ｓｉからなる種子基板３１に多孔質Ｓｉ層３１ａ，３１ｂ，３１ｃを形成し、この多孔質Ｓｉ層を介して単結晶Ｓｉ層１３を形成し、単結晶Ｓｉからなる支持基板１０にＳｉＯ２の絶縁層１１を形成し、種子基板３１の単結晶Ｓｉ層１３と支持基板１０の絶縁層１１の形成面で貼り合わせた後に種子基板３１を多孔質Ｓｉ層３１ｂから分離し、少なくとも水素アニール処理によりエッチングして平坦化した超薄型ＳＯＩ構造の単結晶Ｓｉ層１３を熱酸化してＳｉＯ２層を形成し、表示領域のＳｉＯ２層を残して周辺回路領域のＳｉＯ２層を除去し、ＣＶＤ等のＳｉエピタキシャル成長により、表示領域にポリＳｉ層１２を、周辺回路領域に単結晶Ｓｉ層１４をそれぞれ形成し、必要に応じて表示領域のポリＳｉ層１２のみを選択的に四族元素（Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ）の少なくとも１種をイオン注入あるいはイオンドーピングして固相成長法、あるいはフラッシュランプアニール法またはレーザーアニール法または集光ランプアニール法などでの溶融又は半溶融又は非溶融状態の加熱と冷却により任意の結晶粒径（電子・正孔移動度）の制御を行った表示領域のポリＳｉ層１２に表示素子部としてのポリＳｉＴＦＴ部１４ａを、周辺回路領域の単結晶Ｓｉ層１４に周辺回路部としての単結晶ＳｉＴＦＴ部１４ｂ等の半導体素子および半導体集積回路のいずれか一方または両方をそれぞれ形成するので、任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性のポリＳｉＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路とを同一単結晶Ｓｉの支持基板１０上の超薄型ＳＯＩ構造による電気光学表示素子基板層内に形成し、ＵＶテープ等で表面保護した単結晶Ｓｉの支持基板１０の裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削及び研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングのみにより超薄型電気光学表示素子基板を形成し、支持体を接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
あるいは、本実施形態における別の多孔質Ｓｉ層分離及び超薄膜加工法では、支持基板１０上の多孔質Ｓｉ層分離による超薄型ＳＯＩ構造の前記単結晶Ｓｉ層１３の表示領域をエッチングしてＳｉＯ２層１１の絶縁層を露出させ、Ｓｉエピタキシャル成長により表示領域にポリＳｉ層１２を、周辺回路領域に単結晶Ｓｉ層１４をそれぞれ形成し、必要に応じて表示領域のポリＳｉ層１２のみを選択的に四族元素（Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ）の少なくとも１種をイオン注入あるいはイオンドーピングして固相成長法、またはフラッシュランプアニール法またはレーザーアニール法または集光ランプアニール法などでの溶融又は半溶融又は非溶融状態の加熱と冷却により任意の結晶粒径（電子・正孔移動度）の制御を行った表示領域のポリＳｉ層１２に表示素子部としてのポリＳｉＴＦＴ部１４ａを、単結晶Ｓｉ層１４に周辺回路部としての単結晶ＳｉＴＦＴ部１４ｂ等の半導体素子および半導体集積回路のいずれか一方または両方をそれぞれ形成するので、任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性のポリＳｉＴＦＴ表示素子と，高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路とを同一単結晶Ｓｉの支持基板１０上の超薄型ＳＯＩ構造による電気光学表示素子基板層内に形成し、ＵＶテープ等で表面保護した単結晶Ｓｉの支持基板１０の裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削及び研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングのみにより超薄型電気光学表示素子基板を形成し、支持体を接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
あるいは、本実施形態におけるさらに別の多孔質Ｓｉ層分離及び超薄膜加工法では、支持基板１０上の多孔質Ｓｉ層分離による超薄型ＳＯＩ構造の前記単結晶Ｓｉ層１３の表示領域をエッチングしてＳｉＯ２層１１の絶縁層を露出させ、表示領域のＳｉＯ２層１１のポリＳｉＴＦＴ形成領域にＣＶＤとエッチングにより遮光性金属層３７を形成し、その上に絶縁層を形成し、Ｓｉエピタキシャル成長により表示領域に絶縁層を介してポリＳｉ層１２を、周辺回路領域に単結晶Ｓｉ層１４をそれぞれ形成し、必要に応じて表示領域のポリＳｉ層１２のみを選択的に四族元素（Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ）の少なくとも１種をイオン注入あるいはイオンドーピングして固相成長法、あるいはフラッシュランプアニール法またはレーザーアニール法または集光ランプアニール法などでの溶融又は半溶融又は非溶融状態の加熱と冷却により任意の結晶粒径（電子・正孔移動度）の制御を行った表示領域のポリＳｉ層１２に表示素子部としてのポリＳｉＴＦＴ部１４ａを、単結晶Ｓｉ層１４に周辺回路部としての単結晶ＳｉＴＦＴ部１４ｂ等の半導体素子および半導体集積回路のいずれか一方または両方をそれぞれ形成するので、遮光性金属層で裏面反射光が遮光され、かつ任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性のポリＳｉＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路とを同一単結晶Ｓｉの支持基板１０上の超薄型ＳＯＩ構造による電気光学表示素子基板層内に形成し、ＵＶテープ等で表面保護した単結晶Ｓｉの支持基板１０の裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削及び研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングのみにより超薄型電気光学表示素子基板を形成し、支持体を接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
以上のポリＳｉ層１２にＧｅ、錫、鉛等の四族元素の少なくとも１種をイオン注入あるいはイオンドーピングあるいはＣＶＤ等での成膜中に適量（合計が例えば１０１７〜１０２２atom/cc、好ましくは１０１８〜１０２０atom/cc）含有させ、この状態で前記の固相成長、フラッシュランプアニール、パルス状または連続波レーザーアニール、集光ランプアニールなどで再結晶化させたポリＳｉ薄膜のポリＳｉＴＦＴ表示素子とすると、例えばポリＳｉ薄膜の結晶粒界に存在する不整を低減し、その膜ストレスを低減して高キャリア移動度、高品質のポリＳｉＴＦＴが得られ易くなる。
又、本実施形態における多孔質Ｓｉ層分離及び超薄膜加工法では、支持基板１０上の多孔質Ｓｉ層分離した超薄型ＳＯＩ構造の単結晶Ｓｉ層１３を熱酸化してＳｉＯ２層を形成し、全面にプラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、スパッタリングまたは蒸着などによりアモルファスＳｉ膜あるいはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ膜あるいはポリＳｉ膜１２を形成し、周辺回路領域の少なくともアモルファスＳｉ膜あるいはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ膜あるいはポリＳｉ膜１２をエッチングし、必要に応じて表示領域のアモルファスＳｉ膜あるいはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ膜あるいはポリＳｉ膜１２のみを選択的に四族元素（Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ）の少なくとも１種をイオン注入あるいはイオンドーピングして固相成長法、あるいはフラッシュランプアニール法またはレーザーアニール法または集光ランプアニール法などでの溶融又は半溶融又は非溶融状態の加熱と冷却により任意の結晶粒径（電子・正孔移動度）の制御を行ったポリＳｉ層１２に表示素子部としてのポリＳｉＴＦＴ部１４ａを、あるいは表示領域のアモルファスＳｉ層あるいはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ膜１２に表示素子部としてのアモルファスＳｉＴＦＴあるいはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴ部１４ａを、周辺回路領域の単結晶Ｓｉ層１３に周辺回路部としての単結晶ＳｉＴＦＴ部１４ｂ等の半導体素子および半導体集積回路のいずれか一方または両方をそれぞれ形成するので、任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性のアモルファスＳｉＴＦＴあるいはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴあるいはポリＳｉＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路とを同一単結晶Ｓｉの支持基板１０上の超薄型ＳＯＩ構造による超薄型電気光学表示素子基板層内に形成し、ＵＶテープ等で表面保護した単結晶Ｓｉの支持基板１０の裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削及び研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングのみにより超薄型電気光学表示素子基板を形成し、支持体を接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
あるいは、本実施形態における別の多孔質Ｓｉ層分離及び超薄膜加工法では、支持基板１０上の多孔質Ｓｉ層分離した超薄型ＳＯＩ構造の単結晶Ｓｉ層１３の表示領域をエッチングしてＳｉＯ２層１１の絶縁層を露出させ、全面にプラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、スパッタリングまたは蒸着などにより絶縁層とアモルファスＳｉ層あるいはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ膜あるいはポリＳｉ層１２形成し、必要に応じて表示領域のアモルファスＳｉ膜あるいはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ膜あるいはポリＳｉ層１２のみを選択的に四族元素（Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ）の少なくとも１種をイオン注入あるいはイオンドーピングして固相成長法、あるいはフラッシュランプアニール法またはレーザーアニール法または集光ランプアニール法などでの溶融又は半溶融又は非溶融状態の加熱と冷却により任意の結晶粒径（電子・正孔移動度）の制御を行った表示領域のポリＳｉ層１２に表示素子部としてのポリＳｉＴＦＴ部１４ａを、あるいは表示領域のアモルファスＳｉ層あるいはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層あるいはポリＳｉ層１２に表示素子部としてのアモルファスＳｉＴＦＴあるいはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴあるいはポリＳｉＴＦＴ部１４ａを、そして少なくともアモルファスＳｉ層あるいはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層あるいはポリＳｉ層１２をエッチングした単結晶Ｓｉ層１３に周辺回路部としての単結晶ＳｉＴＦＴ部１４ｂ等の半導体素子および半導体集積回路のいずれか一方または両方をそれぞれ形成するので、任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性のポリＳｉＴＦＴあるいはアモルファスＳｉＴＦＴあるいはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路とを同一単結晶Ｓｉの支持基板１０上の超薄型ＳＯＩ構造による超薄型電気光学表示素子基板層内に形成し、ＵＶテープ等で表面保護した単結晶Ｓｉの支持基板１０の裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削及び研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングのみにより超薄型電気光学表示素子基板を形成し、支持体を接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
あるいは、本実施形態における更に別の多孔質Ｓｉ層分離及び超薄膜加工法では、支持基板１０上の多孔質Ｓｉ層分離による超薄型ＳＯＩ構造の単結晶Ｓｉ層１３の表示領域をエッチングしてＳｉＯ２層１１の絶縁層を露出させ、表示領域のＳｉＯ２層１１の表示素子形成領域にＣＶＤ及びエッチングにより遮光性金属層３７を形成し、全面にプラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、スパッタリングまたは蒸着などにより絶縁層とアモルファスＳｉ層あるいはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層あるいはポリＳｉ層１２形成し、必要に応じて表示領域のアモルファスＳｉ膜あるいはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ膜あるいはポリＳｉ層１２のみを選択的に四族元素（Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ）の少なくとも１種をイオン注入あるいはイオンドーピングして固相成長法、またはフラッシュランプアニール法またはレーザーアニール法または集光ランプアニール法などでの溶融又は半溶融又は非溶融状態の加熱と冷却により任意に結晶粒径（電子・正孔移動度）の制御を行った表示領域のポリＳｉ層１２に表示素子部としてのポリＳｉＴＦＴ部１４ａを、あるいは表示領域のアモルファスＳｉ層あるいはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層あるいはポリＳｉ層１２に表示素子部としてのアモルファスＳｉＴＦＴあるいはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴあるいはポリＳｉＴＦＴ部１４ａを、そして少なくともアモルファスＳｉ層あるいはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ膜あるいはポリＳｉ層１２をエッチングした単結晶Ｓｉ層１３に周辺回路部としての単結晶ＳｉＴＦＴ部１４ｂ等の半導体素子および半導体集積回路のいずれか一方または両方をそれぞれ形成するので、遮光性金属層で裏面反射光が遮光され、かつ任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性のポリＳｉＴＦＴあるいはアモルファスＳｉＴＦＴあるいはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路とを同一単結晶Ｓｉの支持基板１０上の超薄型ＳＯＩ構造による電気光学表示素子基板層内に形成し、ＵＶテープ等で表面保護した単結晶Ｓｉの支持基板１０の裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削及び研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングのみにより超薄型電気光学表示素子基板を形成し、支持体を接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
以上のアモルファスＳｉ層あるいはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層あるいはポリＳｉ層１２に、必要に応じてＧｅ、錫、鉛等の四族元素の少なくとも１種をイオン注入あるいはイオンドーピングあるいはＣＶＤ等での成膜中に適量（合計が例えば１０１７〜１０２２atom/cc、好ましくは１０１８〜１０２０atom/cc）含有させ、この状態で固相成長法あるいはフラッシュランプアニール法またはレーザーアニール法または集光ランプアニール法などにより任意の結晶粒径（電子・正孔移動度）の制御を行ったポリＳｉ膜とすることで、ポリＳｉ膜の結晶粒界に存在する不整を低減し、その膜ストレスを低減して高キャリア移動度、高品質のポリＳｉＴＦＴが得られ易くなる。
ところで、上記の各実施形態における多孔質Ｓｉ層分離及び超薄膜加工法では、種子基板に多孔質Ｓｉ層を介してＧｅ濃度２０〜３０％の歪み印加半導体層としてのＳｉＧｅ層１３を形成し、種子基板３１分離後の超薄型ＳＯＩ構造のＳｉＧｅ層１３を熱酸化してＳｉＯ２層を形成し、表示領域のＳｉＯ２層を残して周辺回路領域のＳｉＯ２層を除去し、ＣＶＤ等のＳｉエピタキシャル成長により表示領域にポリＳｉ層１２を、周辺回路領域に歪みチャネル層としての歪みＳｉ層１４を形成してもよい。
また、種子基板に多孔質Ｓｉ層を介してＧｅ濃度２０〜３０％の歪み印加半導体層としてのＳｉＧｅ層１３を形成し、種子基板３１分離後の超薄型ＳＯＩ構造であるＳｉＧｅ層１３の表示領域をエッチングして絶縁層のＳｉＯ２層１１を露出させ、ＣＶＤ等のＳｉエピタキシャル成長により、表示領域にポリＳｉ層１２を、周辺回路領域に歪みチャネル層の歪みＳｉ層１４を形成してもよい。
更に、種子基板に多孔質Ｓｉ層を介してＧｅ濃度２０〜３０％の歪み印加半導体層としてのＳｉＧｅ層１３を形成し、種子基板３１分離後の超薄型ＳＯＩ構造であるＳｉＧｅ層１３の表示領域をエッチングして絶縁層のＳｉＯ２層１１を露出させ、表示素子形成領域に遮光性金属層３７を形成し、その上に絶縁層を形成し、ＣＶＤ等のＳｉエピタキシャル成長により表示領域にポリＳｉ層１２を、周辺回路領域に歪みチャネル層としての歪みＳｉ層１４を形成してもよい。
これにより、従来の無歪みチャネル層の単結晶Ｓｉ層に比べ約１．７６倍の大幅な電子移動度の向上を達成した駆動能力の高い単結晶Ｓｉ層のＭＯＳＴＦＴ周辺回路が実現するので、従来に比べ高性能、高精細、高品質の超薄型電気光学表示装置を得ることができる。
（Ｃ）イオン注入層分離＋超薄膜加工
本実施形態においては、種子用半導体基板に形成したイオン注入層から種子用半導体基板を分離し、支持用半導体基板裏面を超薄型加工により形成する超薄型ＳＯＩ構造の超薄型電気光学表示装置の製造方法について説明する。
図１４、図１５は、本発明の実施の形態におけるイオン注入層分離及び超薄膜加工法による超薄型ＳＯＩ構造の超薄型電気光学表示装置の製造工程図である。
（１）単結晶Ｓｉからなる例えば１２インチφ、１．２ｍｍ厚の種子基板３０に水素イオンを高濃度注入し、水素イオン注入層（単結晶Ｓｉ層）１３を形成する。
なお、水素イオンは、約３００ｋｅＶ，５×１０１６〜１×１０１７atoms／cm２のドーズ量で、深さ約３μｍに注入する（図１４（ａ），図１５（ａ）参照）。
このときに、剥離した水素イオン注入層（単結晶Ｓｉ層）１３が歪み印加半導体層となるように、種子基板の単結晶Ｓｉ基板３０の表面にＣＶＤ等のＳｉエピタキシャル成長によりＧｅ濃度２０〜３０％の歪み印加半導体層としてのＳｉＧｅ層１３を形成してもよい。そして、この厚み（深さ）に前記の水素イオンを高濃度注入し、水素イオン注入層１３としてもよい。
このとき、ＳｉＧｅ層中で水素イオン注入層の歪み部でＧｅ濃度が所望濃度となる傾斜組成とすることで、種子基板分離後の歪み印加半導体層としてのＳｉＧｅ層１３表面のＧｅ濃度が所望濃度となるように設定し、この傾斜組成のＳｉＧｅ層上に歪みチャネル層としての歪みＳｉ層１４を順次形成することが好ましい。
つまり、歪み印加半導体層のＳｉＧｅ層１３は絶縁層のＳｉＯ２膜１１に接した部分から傾斜組成してＧｅ濃度が徐徐に増加して表面で所望濃度例えばＧｅ濃度２０〜３０％となるようにすることが好ましい。
あるいは、Ｇｅ濃度２０〜３０％の歪み印加半導体としてのＳｉＧｅの種子基板３０に水素イオンを高濃度注入し、水素イオン注入層（ＳｉＧｅ層）１３を形成してもよい。
（２）単結晶Ｓｉからなる例えば１２インチφ、１．２ｍｍ厚の支持基板１０を熱酸化してＳｉＯ２膜またはＳｉＯ２とＳｉ３Ｎ４とＳｉＯ２の積層膜からなる絶縁層１１を形成する（図１４（ａ）、図１５（ａ）参照）。
絶縁膜１１は熱酸化の酸化シリコン膜ＳｉＯ２以外に、減圧熱ＣＶＤで単結晶Ｓｉ基板１０上に窒化シリコン膜または窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜を形成して熱酸化することで、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜の積層膜、または酸化シリコン膜と窒化シリコン膜と酸化シリコン膜の積層膜、例えばＳｉＯ２；２００ｎｍとＳｉ３Ｎ４；５０ｎｍとＳｉＯ２；２００ｎｍ）としてもよい。
さらに、酸窒化シリコン膜（ＳｉＯＮ）としてもよい。なお、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法、ＭＢＥ法などにより、上記単層膜や多層膜の絶縁膜を形成してもよい。
（３）種子基板３０と支持基板１０を貼り合わせる。
支持基板１０と種子基板３０を洗浄後、室温で種子基板３０の水素イオン注入層１３と支持基板１０の絶縁層１１の表面同士を接触させ、ファンデルワールス力により結合させる。この後、４００℃，３０分間の熱処理を行って共有結合させ、貼り合わせを強固なものにする。この時の熱処理は水素イオン離脱温度以下の処理温度および処理時間に設定することが必要である。
また、接合面を接合に先立って室温の真空中でアルゴンなどの不活性ガスイオンビームまたは不活性ガス高速原子ビームで照射してスパッタエッチングにより、表面の塵や汚れ付着等を除去して表面に接合するための結合力を付与して表面平滑度を高めて貼り合せを強固にしてもよい。
（４）剥離用アニールにより、イオン注入した高濃度水素を熱膨張させ、微小気泡内の圧力小および結晶再配列作用により水素イオン注入層１３に歪み層３９を発生させ、種子基板３０および支持基板１０の両基板にＵＶテープ２３を貼り合わせ、引っ張り剥離或いは高圧流体ジェット噴射剥離する。
剥離用アニールは、４００〜６００℃、１０〜２０分間の熱処理、または急加熱急冷却のＲＴＡ（Rapid Thermal Anneal；ラピッドサーマルアニール）、例えばハロゲンランプ８００℃数秒、Ｘｅフラッシュランプアニール１０００℃数ミリ秒、炭酸ガス等のレーザーアブレーションなどの熱処理により行う。これにより、イオン注入した水素が膨張し、微小気泡内の圧力作用および結晶再配列作用により水素イオン注入層１３に歪み層３９（図１４（ａ）、図１５（ａ）参照）が発生する。
その後、ＵＶ照射硬化して、支持基板１０および種子基板３０からＵＶテープ２３を剥離する。あるいは剥離用アニールせずに、水素イオン注入層１３をレーザー加工剥離あるいはレーザーウオータージェット加工剥離することで分離してもよい。
この後に、種子基板３０を分離した後に、単結晶Ｓｉ層（水素イオン注入層）１３、ＳｉＯ２層１１及び支持基板１０の表面の周辺部をＣ面取り化することで、周辺部の超薄型ＳＯＩ層などの欠け、クラック、割れを防止するので、歩留、品質が向上してコストダウンが実現する。更に、必要に応じてＳｉダストやマイクロクラックを除去する為に、フッ酸系エッチャントでライトエッチングしてもよい。
なお、分離した種子基板３０の単結晶Ｓｉ基板は、必要に応じて表面再研磨、エッチング、水素を含む雰囲気下での熱処理等を行い、再使用することができる。
（５）剥離した水素イオン注入層（単結晶Ｓｉ層）１３の表面を必要に応じてフッ酸系エッチャントで単結晶Ｓｉ層１３表面の一部をエッチングし、更に水素アニール処理によりエッチングし、所望の厚みと高平坦性の、例えば１μｍの単結晶Ｓｉ層１３の超薄型ＳＯＩ構造を形成する。水素アニールは、１０５０℃で０．００１３ｎｍ／ｍｉｎ、１１００℃で０．００２２ｎｍ／ｍｉｎのエッチング速度で行う。
（６）単結晶Ｓｉ層１３を熱酸化して１００〜２００ｎｍ厚のＳｉＯ２層を形成し、表示領域のＳｉＯ２層を残して周辺回路領域のＳｉＯ２層をエッチングにより除去する。そして、ＣＶＤ法などのＳｉエピタキシャル成長により表示領域に５０〜１００ｎｍのポリＳｉ層１２を、周辺回路領域に５０〜１００ｎｍの単結晶Ｓｉ層１４をそれぞれ形成する。このときの各条件は（Ａ）に準ずる。
このときに、上記（１）で述べたように、歪み印加半導体層のＳｉＧｅ層としての単結晶Ｓｉ層１３を形成し、その上に歪みチャネル層としての歪みＳｉ層１４を形成すると、従来の無歪みチャネル層の単結晶Ｓｉ層に比べ約１．７６倍の大幅な電子移動度の向上を達成したＭＯＳＴＦＴ周辺回路が実現する。
必要に応じて固相成長法またはフラッシュランプアニール法またはレーザーアニール法または集光ランプアニール法などにより表示領域のポリＳｉ層１２の結晶粒径（電子・正孔移動度）を任意に制御する場合の各条件は、（Ａ）に準ずる。
このとき、図１４（ｃ）のように、液晶ギャップ幅以下の膜厚の単結晶Ｓｉ層１３の表示領域をエッチングして絶縁層のＳｉＯ２層１１を露出させ、周辺回路領域の単結晶Ｓｉ層１３は残す。そして、ＣＶＤ法などのＳｉエピタキシャル成長により表示領域の絶縁層上に５０〜２００ｎｍのポリＳｉ層１２を、周辺回路領域上の単結晶Ｓｉ層１３上に５０〜２００ｎｍの単結晶Ｓｉ層１４をそれぞれ形成してもよい。
このときも、、歪み印加半導体層のＳｉＧｅ層としての単結晶Ｓｉ層１３を形成し、その上に歪みチャネル層としての歪みＳｉ層１４を形成すると、従来の無歪みチャネル層の単結晶Ｓｉ層に比べ約１．７６倍の大幅な電子移動度の向上を達成したＭＯＳＴＦＴ周辺回路が実現する。
そして、必要に応じて固相成長法またはフラッシュランプアニール法またはレーザーアニール法あるいは集光ランプアニール法などにより表示領域のポリＳｉ層１２の結晶粒径（電子・正孔移動度）を任意に制御する場合の各条件は、（Ａ）に準ずる。
あるいは、図１５（ｄ）のように、必要に応じて表示領域のポリＳｉ層１２のＴＦＴ部下に遮光性金属層３７を形成し、固相成長法またはフラッシュランプアニール法またはレーザーアニール法または集光ランプアニール法などにより表示領域のポリＳｉ層１２の結晶粒径（電子・正孔移動度）を任意に制御する場合の各条件は、（Ａ）に準ずる。
このとき、液晶ギャップ幅以下の膜厚の単結晶Ｓｉ層１３の表示領域をエッチングして絶縁層のＳｉＯ２層１１を露出させ、表示領域内の画素表示用ポリＳｉＴＦＴ形成領域に、ＣＶＤとエッチングによりＷＳｉ２（タングステンシリサイド）、ＴｉＳｉ２（チタンシリサイド）、ＭｏＳｉ２（モリブデンシリサイド）などの遷移金属シリサイドなどの遮光性金属層３７を形成し、その上をＳｉＯ２などの透明絶縁層９０で覆い、周辺回路領域の単結晶Ｓｉ層１３表面のＳｉＯ２などの透明絶縁層は除去する。
そして、ＣＶＤ法などのＳｉエピタキシャル成長により表示領域のＳｉＯ２などの透明絶縁層９０上に５０〜２００ｎｍ厚のポリＳｉ層１２を、周辺回路領域上の単結晶Ｓｉ層１３に５０〜２００ｎｍ厚の単結晶Ｓｉ層１４をそれぞれ形成してもよい。
そして、必要に応じて固相成長法またはフラッシュランプアニール法またはレーザーアニール法あるいは集光ランプアニール法などにより表示領域のポリＳｉ層１２の結晶粒径（電子・正孔移動度）を任意に制御する場合の各条件は、（Ａ）に準ずる。
このときも、歪み印加半導体層のＳｉＧｅ層としての単結晶Ｓｉ層１３を形成し、その上に歪みチャネル層としての歪みＳｉ層１４を形成すると、従来の無歪みチャネル層の単結晶Ｓｉ層に比べ約１．７６倍の大幅な電子移動度の向上を達成したＭＯＳＴＦＴ周辺回路が実現する。
また、（Ａ）と同様に、このポリＳｉ層１２にＧｅ、錫、鉛等の四族元素の少なくとも１種をイオン注入あるいはイオンドーピングで適量（合計が例えば１０１７〜１０２２atom/cc、好ましくは１０１８〜１０２０atom/cc）含有させ、この状態で前記の固相成長、フラッシュランプアニール、パルス状または連続波レーザーアニール、集光ランプアニールなどで再結晶化させて結晶粒径を制御したポリＳｉ膜にポリＳｉＴＦＴ部を作製してもよい。
これにより、ポリＳｉ膜の結晶粒界に存在する不整を低減し、その膜ストレスを低減して高キャリア移動度、高品質のポリＳｉＴＦＴが得られ易くなる。
尚、上記は表示領域にポリＳｉ層を形成してポリＳｉＴＦＴ部を作製する実施例を示したが、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着などにより表示領域にアモルファスＳｉ層またはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層またはポリＳｉ層を形成してアモルファスＳｉＴＦＴまたはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴまたはポリＳｉＴＦＴ部を作製してもよい。
ところで、この四族元素はイオン注入又はイオンドーピングによりアモルファスＳｉ膜またはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層またはポリＳｉ層中に含有させることが出来る。
また、ＣＶＤでのＳｉエピタキシャル成長、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤでの成膜時に、原料ガス中にガス成分として混合してアモルファスＳｉ層またはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層、ポリＳｉ層及び単結晶Ｓｉ層などの内部に四族元素、例えばＧｅ、錫などを任意の濃度で含有させてもよい。
また、この四族元素例えばＧｅ、錫などを適量含有するＳｉターゲットをスパッタリングすることで、アモルファスＳｉ膜またはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層またはポリＳｉ層中に含有させることが出来る。
（７）汎用技術により結晶粒径制御したポリＳｉ層１２に表示素子部としてのポリＳｉＴＦＴ部１４ａ（図１６（ａ）参照）、配線等を、単結晶Ｓｉ層１４に周辺回路部としての単結晶ＳｉＴＦＴ部１４ｂ（図１６（ｂ）参照）、ダイオード、抵抗、キャパシタ、コイルや配線等の半導体素子および半導体集積回路のいずれかまたは両方をそれぞれ作製する。条件は、（Ａ）に準ずる。なお、ダイオード、抵抗、キャパシタ、コイルや配線等については図示を省略している。
なお、単結晶Ｓｉ層１４は、単結晶Ｓｉ基板同様の高い電子・正孔移動度を有するので、周辺駆動回路のみならず映像信号処理回路、画質補正回路、メモリ回路、ＣＰＵ（Central Processing Unit）回路やＤＳＰ（Digital Signal Processor）回路などを取り込んでもよい。条件は、（Ａ）に準ずる。
前述のように、歪み印加半導体層のＳｉＧｅ層としての単結晶Ｓｉ層１３を形成し、その上に歪みチャネル層としての歪みＳｉ層１４を形成すると、従来の無歪みチャネル層の単結晶Ｓｉ層に比べ約１．７６倍の大幅な電子移動度の向上を達成したＭＯＳＴＦＴ周辺回路が実現する。
また、同時に、超薄型の電気光学表示素子基板層の周辺回路に接続する外部取り出し電極（半田バンプ含む）３５を形成するが、ＬＣＤパネル形成後に異方性導電膜接合や超音波接合、半田付けなどでフレキシブル基板との接合やＰＣＢへのマウントを行うのが好ましい。
（８）表示領域の画素開口部のポリＳｉ層１２をエッチングにより除去する（図１７参照）。条件は、（Ａ）に準ずる。
（９）表示領域の画素開口部内にＳｉＯ２膜および低反射の金属膜１７を形成し、画素開口部底の金属膜１７をエッチングし、表示領域の画素開口部に透明樹脂１６などを埋め込み、ＣＭＰなどにより表面平坦化する。そして、表示領域のポリＳｉＴＦＴ部１４ａドレイン上の透明樹脂１６に窓開けを行い、ＩＴＯ（酸化インジウム−酸化錫系透明導電膜）、ＩＺＯ（酸化インジウムー酸化亜鉛系透明導電膜）などの画素電極としての透明電極１８ａなどを形成することにより超薄型電気光学表示素子基板層を形成する（図１７参照）。条件は、（Ａ）に準ずる。
これ以降の工程については、（Ａ）に準ずる。
なお、超薄型の反射型ＬＣＤ、超薄型の半透過型ＬＣＤ、超薄型の下面発光型有機ＥＬ及びを製造する場合、（１）〜（７）までの工程については超薄型の透過型ＬＣＤと同じであり、その後の工程については、（Ａ）と同じである。
なお、本実施形態においては、高濃度に注入するイオンとして水素イオンを用いた例について説明しているが、注入するイオンはこれに限定されるものではなく、窒素、ヘリウムなどの希ガス等のイオンを用いることも可能である。
尚、例えば水素イオン注入は、水素イオンビームを質量分離、走査するイオン注入装置（従来のボロン、燐などの不純物をＳｉ基板に注入するイオン注入装置と同じ）以外に、プラズマ生成手段によって水素を含むプラズマ発生させ、このプラズマから水素負イオンビームを引き出し、この水素負イオンを所定の深さに注入する水素負イオンビーム注入装置でもよい。
以上のように、本実施形態におけるイオン注入層分離及び超薄膜加工法では、単結晶Ｓｉからなる種子基板３０にイオン注入層１３を形成し、単結晶Ｓｉからなる支持基板１０に絶縁層のＳｉＯ２層１１を形成し、前記種子基板のイオン注入層１３と前記支持基板の絶縁層のＳｉＯ２層１１とを貼り合わせ、熱処理により前記イオン注入層１３と絶縁層のＳｉＯ２層１１とを共有結合させて単結晶Ｓｉ層１３を形成し、剥離用アニール処理を行い、前記種子基板を同種子基板のイオン注入層の歪み層３９から分離し、少なくとも水素アニール処理により前記単結晶Ｓｉ層の表面をエッチングして平坦化した超薄型ＳＯＩ構造の単結晶Ｓｉ層１３表面に絶縁層のＳｉＯ２層を形成し、表示領域の絶縁層のＳｉＯ２層を残して周辺回路領域の絶縁層のＳｉＯ２層を除去し、ＣＶＤ等のＳｉエピタキシャル成長により、表示領域にポリＳｉ層１２を、周辺回路領域に単結晶Ｓｉ層１４ｂをそれぞれ形成し、必要に応じて表示領域のポリＳｉ層１２のみを選択的に四族元素（Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ）の少なくとも１種をイオン注入あるいはイオンドーピングして固相成長法、あるいはフラッシュランプアニール法またはレーザーアニール法または集光ランプアニール法などでの溶融又は半溶融又は非溶融状態の加熱と冷却により任意の結晶粒径（電子・正孔移動度）の制御を行った表示領域のポリＳｉ層１２に表示素子部としてのポリＳｉＴＦＴ部１４ａを、周辺回路領域の単結晶Ｓｉ層１４に周辺回路部としての単結晶ＳｉＴＦＴ部１４ｂ等の半導体素子および半導体集積回路のいずれか一方または両方をそれぞれ形成するので、任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性のポリＳｉＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板１０上の電気光学表示素子基板層内に形成し、ＵＶテープ等で表面保護した単結晶Ｓｉの支持基板１０の裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削及び研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングのみにより超薄型電気光学表示素子基板を形成し、支持体を接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
あるいは、本実施形態における別のイオン注入層分離及び超薄膜加工法では、単結晶Ｓｉからなる支持基板上のイオン注入層分離による超薄型ＳＯＩ構造の単結晶Ｓｉ層１３の表示領域をエッチングしてＳｉＯ２層の絶縁層１１を露出させ、Ｓｉエピタキシャル成長により表示領域にポリＳｉ層１２を、周辺回路領域に単結晶Ｓｉ層１４をそれぞれ形成し、必要に応じて表示領域のポリＳｉ層１２のみを選択的に四族元素（Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ）の少なくとも１種をイオン注入あるいはイオンドーピングして固相成長法、またはフラッシュランプアニール法またはレーザーアニール法または集光ランプアニール法などでの溶融又は半溶融又は非溶融状態の加熱と冷却により任意の結晶粒径（電子・正孔移動度）の制御を行った表示領域のポリＳｉ層１２に表示素子部としてのポリＳｉＴＦＴ部１４ａを、単結晶Ｓｉ層１４に周辺回路部としての単結晶ＳｉＴＦＴ部１４ｂ等の半導体素子および半導体集積回路のいずれか一方または両方をそれぞれ形成するので、任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性のポリＳｉＴＦＴ表示素子と，高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路とを同一単結晶Ｓｉの支持基板１０上の超薄型ＳＯＩ構造による電気光学表示素子基板層内に形成し、ＵＶテープ等で表面保護した単結晶Ｓｉの支持基板１０の裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削及び研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングのみにより超薄型電気光学表示素子基板を形成し、支持体を接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
あるいは、本実施形態におけるさらに別のイオン注入層分離及び超薄膜加工法では、単結晶Ｓｉからなる支持基板上のイオン注入層分離による超薄型ＳＯＩ構造の単結晶Ｓｉ層１３の表示領域をエッチングしてＳｉＯ２層の絶縁層１１を露出させ、表示領域のＳｉＯ２層１１のポリＳｉＴＦＴ形成領域にＣＶＤとエッチングにより遮光性金属層３７を形成し、その上に絶縁層を形成し、Ｓｉエピタキシャル成長により表示領域に絶縁層を介してポリＳｉ層１２を、周辺回路領域に単結晶Ｓｉ層１４をそれぞれ形成し、必要に応じて表示領域のポリＳｉ層１２のみを選択的に四族元素（Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ）の少なくとも１種をイオン注入あるいはイオンドーピングして固相成長法、あるいはフラッシュランプアニール法またはレーザーアニール法または集光ランプアニール法などでの溶融又は半溶融又は非溶融状態の加熱と冷却により任意の結晶粒径（電子・正孔移動度）の制御を行った表示領域のポリＳｉ層１２に表示素子部としてのポリＳｉＴＦＴ部１４ａを、単結晶Ｓｉ層１４に周辺回路部としての単結晶ＳｉＴＦＴ部１４ｂ等の半導体素子および半導体集積回路のいずれか一方または両方をそれぞれ形成するので、遮光性金属層で裏面反射光が遮光され、かつ任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性のポリＳｉＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路とを同一単結晶Ｓｉの支持基板１０上の超薄型ＳＯＩ構造による電気光学表示素子基板層内に形成し、ＵＶテープ等で表面保護した単結晶Ｓｉの支持基板１０の裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削及び研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングのみにより超薄型電気光学表示素子基板を形成し、支持体を接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
以上のポリＳｉ層１２にＧｅ、錫、鉛等の四族元素の少なくとも１種をイオン注入あるいはイオンドーピングあるいはＣＶＤ等での成膜中に適量（合計が例えば１０１７〜１０２２atom/cc、好ましくは１０１８〜１０２０atom/cc）含有させ、この状態で前記の固相成長、フラッシュランプアニール、パルス状または連続波レーザーアニール、集光ランプアニールなどで再結晶化させたポリＳｉ薄膜のポリＳｉＴＦＴ表示素子とすると、例えばポリＳｉ膜の結晶粒界に存在する不整を低減し、その膜ストレスを低減して高キャリア移動度、高品質のポリＳｉＴＦＴが得られ易くなる。
又、本実施形態におけるイオン注入層分離及び超薄膜加工法では、単結晶Ｓｉからなる支持基板１０上のイオン注入層分離による超薄型ＳＯＩ構造の単結晶Ｓｉ層１３を熱酸化してＳｉＯ２層を形成し、全面にプラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、スパッタリングまたは蒸着などによりアモルファスＳｉ膜あるいはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ膜あるいはポリＳｉ膜１２を形成し、周辺回路領域の少なくともアモルファスＳｉ膜あるいはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ膜あるいはポリＳｉ膜１２をエッチングし、必要に応じて表示領域のアモルファスＳｉ膜あるいはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ膜あるいはポリＳｉ膜１２のみを選択的に四族元素（Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ）の少なくとも１種をイオン注入あるいはイオンドーピングして固相成長法、あるいはフラッシュランプアニール法またはレーザーアニール法または集光ランプアニール法などでの溶融又は半溶融又は非溶融状態の加熱と冷却により任意の結晶粒径（電子・正孔移動度）の制御を行ったポリＳｉ層１２に表示素子部としてのポリＳｉＴＦＴ部１４ａを、あるいは表示領域のアモルファスＳｉ層あるいはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ膜に表示素子部としてのアモルファスＳｉＴＦＴあるいはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴ部を、周辺回路領域の単結晶Ｓｉ層に周辺回路部としての単結晶ＳｉＴＦＴ部１４ｂ等の半導体素子および半導体集積回路のいずれか一方または両方をそれぞれ形成するので、任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性のアモルファスＳｉＴＦＴあるいはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴあるいはポリＳｉＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路を同一単結晶Ｓｉの支持基板１０上の超薄型ＳＯＩ構造による超薄型電気光学表示素子基板層内に形成し、ＵＶテープ等で表面保護した単結晶Ｓｉの支持基板１０の裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削及び研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングのみにより超薄型電気光学表示素子基板を形成し、支持体を接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
あるいは、本実施形態における別のイオン注入層分離及び超薄膜加工法では、単結晶Ｓｉの支持基板上のイオン注入層分離による超薄型ＳＯＩ構造の単結晶Ｓｉ層１３の表示領域をエッチングしてＳｉＯ２層１１の絶縁層を露出させ、全面にプラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、スパッタリングまたは蒸着などにより絶縁層とアモルファスＳｉ層あるいはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ膜あるいはポリＳｉ層１２形成し、必要に応じて表示領域のアモルファスＳｉ膜あるいはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ膜あるいはポリＳｉ層１２のみを選択的に四族元素（Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ）の少なくとも１種をイオン注入あるいはイオンドーピングして固相成長法、あるいはフラッシュランプアニール法またはレーザーアニール法または集光ランプアニール法などでの溶融又は半溶融又は非溶融状態の加熱と冷却により任意の結晶粒径（電子・正孔移動度）の制御を行った表示領域のポリＳｉ層１２に表示素子部としてのポリＳｉＴＦＴ部１４ａを、あるいは表示領域のアモルファスＳｉ層あるいはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層あるいはポリＳｉ層１２に表示素子部としてのアモルファスＳｉＴＦＴあるいはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴあるいはポリＳｉＴＦＴ部１４ａを、そして少なくともアモルファスＳｉ層あるいはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層あるいはポリＳｉ層１２をエッチングした単結晶Ｓｉ層１４に周辺回路部としての単結晶ＳｉＴＦＴ部１４ｂ等の半導体素子および半導体集積回路のいずれか一方または両方をそれぞれ形成するので、任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性のポリＳｉＴＦＴあるいはアモルファスＳｉＴＦＴあるいはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路とを同一単結晶Ｓｉの支持基板１０上の超薄型ＳＯＩ構造による超薄型電気光学表示素子基板層内に形成し、ＵＶテープ等で表面保護した単結晶Ｓｉの支持基板１０の裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削及び研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングのみにより超薄型電気光学表示素子基板を形成し、支持体を接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
あるいは、本実施形態における更に別のイオン注入層分離及び超薄膜加工法では、単結晶Ｓｉからなる支持基板１０上のイオン注入層分離による超薄型ＳＯＩ構造の単結晶Ｓｉ層１３の表示領域をエッチングしてＳｉＯ２層１１の絶縁層を露出させ、表示領域のＳｉＯ２層１１の表示素子形成領域にＣＶＤ及びエッチングにより遮光性金属層３７を形成し、全面にプラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、スパッタリングまたは蒸着などにより絶縁層とアモルファスＳｉ層あるいはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層あるいはポリＳｉ層１２形成し、必要に応じて表示領域のアモルファスＳｉ膜あるいはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ膜あるいはポリＳｉ層１２のみを選択的に四族元素（Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ）の少なくとも１種をイオン注入あるいはイオンドーピングして固相成長法、またはフラッシュランプアニール法またはレーザーアニール法または集光ランプアニール法などでの溶融又は半溶融又は非溶融状態の加熱と冷却により任意に結晶粒径（電子・正孔移動度）の制御を行った表示領域のポリＳｉ層１２に表示素子部としてのポリＳｉＴＦＴ部１５ａを、あるいは表示領域のアモルファスＳｉ層あるいはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層あるいはポリＳｉ層１２に表示素子部としてのアモルファスＳｉＴＦＴあるいはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴあるいはポリＳｉＴＦＴ部１４ａを、そして少なくともアモルファスＳｉ層あるいはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ膜あるいはポリＳｉ層１２をエッチングした単結晶Ｓｉ層１３に周辺回路部としての単結晶ＳｉＴＦＴ部１４ｂ等の半導体素子および半導体集積回路のいずれか一方または両方をそれぞれ形成するので、遮光性金属層で裏面反射光が遮光され、かつ任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性のポリＳｉＴＦＴあるいはアモルファスＳｉＴＦＴあるいはアモルファスＳｉ及びポリ混在ＳｉＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路とを同一単結晶Ｓｉの支持基板１０上の超薄型ＳＯＩ構造による電気光学表示素子基板層内に形成し、ＵＶテープ等で表面保護した単結晶Ｓｉの支持基板１０の裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削及び研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングのみにより超薄型電気光学表示素子基板を形成し、支持体を接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
以上のアモルファスＳｉ層あるいはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層あるいはポリＳｉ層１２に、必要に応じてＧｅ、錫、鉛等の四族元素の少なくとも１種をイオン注入あるいはイオンドーピングあるいはＣＶＤ等での成膜中に適量（合計が例えば１０１７〜１０２２atom/cc、好ましくは１０１８〜１０２０atom/cc）含有させ、この状態で固相成長法あるいはフラッシュランプアニール法またはレーザーアニール法または集光ランプアニール法などにより任意の結晶粒径（電子・正孔移動度）の制御を行ったポリＳｉ膜とすることで、ポリＳｉ膜の結晶粒界に存在する不整を低減し、その膜ストレスを低減して高キャリア移動度、高品質のポリＳｉＴＦＴが得られ易くなる。
例えば、表示領域内の画素開口部に相当するポリＳｉ層あるいはアモルファスＳｉ層あるいはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層をエッチングして絶縁層１１を露出させ、画素開口部を透光性材料により埋め込み表面平坦化し、埋め込んだ透光性材料の上に画素表示素子に接続した透明画素電極を形成した超薄型電気光学表示素子基板に配向膜形成及び配向処理してシール剤及びコモン剤塗布し、透明電極形成して配向膜形成及び配向処理した対向基板と重ね合わせてシールし、ＵＶテープ等で対向基板側を表面保護した支持基板１０の裏面側から超薄膜加工、例えば例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削、研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングにより、透明絶縁層を介して画素開口部に埋め込んだ透光性材料を露出させて超薄型電気光学表示素子基板を形成し、この透光性材料を露出させた面に透明支持基板を透明接着剤で貼り付けて超薄型電気光学表示素子基板を形成して分割し、液晶注入封止することで、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型の透過型ＬＣＤ、半透過型ＬＣＤが得られる。
ところで、上記の本実施形態におけるイオン注入層分離及び超薄膜加工法では、支持基板１０に絶縁層のＳｉＯ２層１１を介してＧｅ濃度２０〜３０％の歪み印加半導体層としての超薄型ＳＯＩ構造のＳｉＧｅ層１３を形成し、熱酸化してＳｉＯ２層を形成し、表示領域のＳｉＯ２層を残して周辺回路領域のＳｉＯ２層を除去し、ＣＶＤ等のＳｉエピタキシャル成長により表示領域にポリＳｉ層１２を、周辺回路領域に歪みチャネル層としての歪みＳｉ層１４を形成してもよい。
また、支持基板１０に絶縁層のＳｉＯ２層１１を介してＧｅ濃度２０〜３０％の歪み印加半導体層としての超薄型ＳＯＩ構造のＳｉＧｅ層１３を形成し、表示領域のＳｉＧｅ層１３をエッチングして絶縁層のＳｉＯ２層１１を露出させ、ＣＶＤ等のＳｉエピタキシャル成長により表示領域にポリＳｉ層１２を、周辺回路領域に歪みチャネル層としての歪みＳｉ層１４を形成してもよい。
更に、支持基板１０に絶縁層のＳｉＯ２層１１を介してＧｅ濃度２０〜３０％の歪み印加半導体層としての超薄型ＳＯＩ構造のＳｉＧｅ層１３を形成し、表示領域のＳｉＧｅ層１３をエッチングして絶縁層のＳｉＯ２層１１を露出させ、表示素子形成領域に遮光性金属層３７を形成し、その上にＳｉＯ２などの透明絶縁層を形成し、ＣＶＤ等のＳｉエピタキシャル成長により表示領域にポリＳｉ層１２を、周辺回路領域に歪みチャネル層としての歪みＳｉ層１４を形成してもよい。
これにより、従来の無歪みチャネル層の単結晶Ｓｉ層に比べ、約１．７６倍の大幅な電子移動度の向上を達成した駆動能力の高い単結晶ＳｉＭＯＳＴＦＴ周辺回路が実現するので、従来に比べ高性能、高精細、高品質の超薄型の電気光学表示装置を得ることができる。
（Ｄ）超薄型ＬＣＤ及び有機ＥＬの組立方法
上記（Ａ）〜（Ｃ）では、基板同士の重ね合わせを、それぞれ基板状態（面）のまま行う、いわゆる面面組立により行う例について主に説明したが、この基板同士の重ね合わせを予めチップ状態（単個）として行う、いわゆる面単組立により行うことも可能である。以下、上記（Ａ）〜（Ｃ）の各方法により形成した超薄型電気光学表示素子基板から、それぞれ超薄型の反射型ＬＣＤ、透過型ＬＣＤ、半透過型ＬＣＤ、上面発光型有機ＥＬおよび下面発光型有機ＥＬを組立てる代表的な各方法について概略を説明する。
（反射型ＬＣＤ）
上記（Ａ）〜（Ｃ）により、ポリＳｉＴＦＴまたはアモルファスＳｉＴＦＴまたはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴの表示部と単結晶ＳｉＴＦＴの周辺回路を形成して配向膜形成および配向処理した超薄型電気光学表示素子基板層と、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板と所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールした後、ＵＶテープ等で対向基板側を表面保護した支持基板裏面側から超薄膜加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削、研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングにより超薄型電気光学表示素子基板を形成する。その後、接着剤で支持体を貼り合わせ、各超薄型電気光学表示装置に切断分割した後に液晶注入封止する。または、超薄膜加工後の超薄型電気光学表示素子基板内の良品チップに支持体の良品チップを接着剤で貼り合わせ、切断分割後に液晶注入封止して超薄型の反射型ＬＣＤを形成する。この時に、重ね合わせてシールして液晶注入封止した後に、対向基板側を表面保護した支持基板裏面側から超薄膜加工してもよい。
あるいは、上記（Ａ）〜（Ｃ）により、ポリＳｉＴＦＴまたはアモルファスＳｉＴＦＴまたはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴの表示部と単結晶ＳｉＴＦＴの周辺回路部の超薄型電気光学表示素子基板層を形成し、ＵＶテープ等で表面保護した支持基板裏面側から前記の超薄膜加工を行い、支持体を接着剤で貼り付けて電気光学表示素子基板を形成する。その後、面面組立方式の場合は、この電気光学表示素子基板に配向膜形成および配向処理し、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板と、所定の液晶ギャップで重ね合わせてシールし、切断分割後に液晶注入封止して超薄型の反射型ＬＣＤを形成する。
また、面単組立方式の場合は、透明電極形成して配向膜形成および配向処理して切断した対向基板の良品チップを、配向膜形成および配向処理した超薄型電気光学表示素子基板内の良品チップと、所定の液晶ギャップで重ね合わせてシールし、液晶注入封止した後に、ＵＶテープ等で対向基板側を表面保護した支持基板裏面側から前記の超薄膜加工を行い、支持体を接着剤で貼り付けて電気光学表示素子基板を形成し、切断分割して超薄型の反射型ＬＣＤを形成する。または、別の面単組立方式の場合は、透明電極形成して配向膜形成および配向処理して切断した対向基板の良品チップを、配向膜形成および配向処理して切断した電気光学表示素子基板の良品チップと、所定の液晶ギャップで重ね合わせてシールした後に液晶注入封止する。その後に、ＵＶテープ等で対向基板側を表面保護した支持基板裏面側から前記の超薄膜加工した後に支持体を接着剤で貼り付けて超薄型の反射型ＬＣＤを形成する。
（透過型ＬＣＤ）
上記（Ａ）〜（Ｃ）により、ポリＳｉＴＦＴまたはアモルファスＳｉＴＦＴまたはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴの表示部と単結晶ＳｉＴＦＴの周辺回路の超薄型電気光学表示素子基板層を形成した後に、表示部の画素開口部をエッチングして透明材料で埋め込み平坦化し、そこにＴＦＴのドレインに接続する透明電極を形成してこれに配向膜形成および配向処理し、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板と所定の液晶ギャップで重ね合わせてシールした後に、ＵＶテープ等で対向基板側を表面保護した支持基板裏面側から前記の超薄膜加工を行い、超薄型電気光学表示表示素子基板を形成する。その後、透明接着剤で透明な支持体を貼り合わせ、切断分割後に液晶注入封止して超薄型の透過型ＬＣＤを形成する。または、前記超薄膜加工後の超薄型電気光学表示素子基板内の良品チップに透明な支持体の良品チップを透明接着剤で貼り合わせ、切断分割後に液晶注入封止して超薄型の透過型ＬＣＤを形成する。
あるいは、上記（Ａ）〜（Ｃ）により、ポリＳｉＴＦＴまたはアモルファスＳｉＴＦＴまたはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴの表示部と単結晶ＳｉＴＦＴ部の周辺回路の超薄型電気光学表示素子基板層を形成し、ＵＶテープ等で表面保護した支持基板裏面側から前記の超薄膜加工を行って電気光学表示素子基板を形成し、透明な支持体を透明接着剤で貼り付けて電気光学表示素子基板を形成する。
その後、面面組立方式の場合は、この電気光学表示素子基板の表示部の画素開口部をエッチングして透明材料で埋め込み表面平坦化し、ＴＦＴのドレインに接続する透明電極を形成した後に配向膜形成および配向処理し、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板と、所定の液晶ギャップで重ね合わせてシールし、切断分割後に液晶注入封止して超薄型の透過型ＬＣＤを形成する。
また、別の面単組立方式の場合は、透明電極形成して配向膜形成および配向処理して切断した対向基板の良品チップを、表示部の画素開口部をエッチングして透明材料で埋め込み表面平坦化し、そこにＴＦＴのドレインに接続する透明電極を形成した後に配向膜形成および配向処理した電気光学表示素子基板内の良品チップと、所定の液晶ギャップで重ね合わせてシールした後に液晶注入封止し、切断分割する。または、透明電極形成して配向膜形成および配向処理して切断した対向基板の良品チップを、表示部の画素開口部をエッチングして透明材料で埋め込み表面平坦化し、そこにＴＦＴのドレインに接続する透明電極を形成した後に配向膜形成および配向処理して切断した電気光学表示素子基板の良品チップと、所定の液晶ギャップで重ね合わせてシールした後に液晶注入封止する。
その後、ＵＶテープ等で対向基板表面を保護した支持基板裏面側から前記の超薄膜加工を行って電気光学表示素子基板を形成し、透明な支持体を透明接着剤で貼り付けて超薄型の透過型ＬＣＤを形成する。
（半透過型ＬＣＤ）
上記（Ａ）〜（Ｃ）により、ポリＳｉＴＦＴまたはアモルファスＳｉＴＦＴまたはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴの表示部と単結晶ＳｉＴＦＴの周辺回路の超薄型電気光学表示素子基板層を形成した後に、表示部の画素開口部をエッチングして透明材料で埋め込み表面平坦化し、そこにＴＦＴのドレインに接続する反射及び透明電極を形成してこれに配向膜形成および配向処理し、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板と所定の液晶ギャップで重ね合わせてシールした後に、ＵＶテープ等で対向基板表面を保護した支持基板裏面側から前記の超薄膜加工を行って超薄型電気光学表示表示素子基板を形成する。その後、透明接着剤で透明な支持体を貼り合わせ、切断分割後に液晶注入封止する。または、前記の超薄膜加工後に電気光学表示素子基板内の良品チップに透明な支持体チップを透明接着剤で貼り合わせ、切断分割後に液晶注入封止して超薄型の半透過型ＬＣＤを形成する。
あるいは、上記（Ａ）〜（Ｃ）により、ポリＳｉＴＦＴまたはアモルファスＳｉＴＦＴまたはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴの表示部と単結晶ＳｉＴＦＴ部の周辺回路を形成した後に、ＵＶテープ等で表面保護した支持基板裏面側から前記の超薄膜加工を行って超薄型電気光学表示表示素子基板を形成し、透明な支持体を透明接着剤で貼り付けて電気光学表示素子基板を形成する。その後、面面組立方式の場合は、この電気光学表示素子基板の表示部の画素開口部をエッチングして透明材料で埋め込み表面平坦化し、ＴＦＴのドレインに接続する反射及び透明電極を形成した後に配向膜形成および配向処理し、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板と、所定の液晶ギャップで重ね合わせてシールし、切断分割後に液晶注入封止して超薄型の半透過型ＬＣＤを形成する。
また、面単組立方式の場合は、透明電極形成して配向膜形成および配向処理して切断した対向基板の良品チップを、表示部の画素開口部をエッチングして透明材料で埋め込み表面平坦化し、ＴＦＴのドレインに接続する反射及び透明電極を形成した後に配向膜形成および配向処理した電気光学表示素子基板内の良品チップと、所定の液晶ギャップで重ね合わせてシールした後に液晶注入封止し、切断分割する。または、透明電極形成して配向膜形成および配向処理して切断した対向基板の良品チップを、表示部の画素開口部をエッチングして透明材料で埋め込み表面平坦化し、ＴＦＴのドレインに接続する反射及び透明電極を形成した後に配向膜形成および配向処理して切断した電気光学表示素子基板の良品チップと、所定の液晶ギャップで重ね合わせてシールした後に液晶注入封止する。
その後、ＵＶテープ等で対向基板表面を保護した支持基板裏面側から前記の超薄膜加工を行って電気光学表示素子基板を形成し、透明な支持体を透明接着剤で貼り付けて超薄型の半透過型ＬＣＤを形成する。
（上面発光型有機ＥＬ）
上記（Ａ）〜（Ｃ）により、ポリＳｉＴＦＴまたはアモルファスＳｉＴＦＴまたはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴの表示部と単結晶ＳｉＴＦＴの周辺回路の超薄型電気光学表示素子基板層を形成する。ここで、表示部は各画素の電流駆動用ＭＯＳＴＦＴのドレインに接続された陰極（Ｌｉ−ＡＬ、Ｍｇ−Ａｇなど）上に、画素毎に赤、青、緑などの有機ＥＬ発光層を被着し、その上部に陽極（ＩＴＯ膜など）を形成し、必要に応じて全面に陽極を形成し、全面を耐湿性透明樹脂で覆った構造を形成する。そして、ＵＶテープ等で耐湿性透明樹脂表面を保護した支持基板裏面側から前記の超薄膜加工を行って超薄型電気光学表示素子基板を形成し、支持体を接着剤で貼り付けた後に切断分割して超薄型の上面発光型有機ＥＬを形成する。または、前記の超薄膜加工した超薄型電気光学表示素子基板内の良品チップに支持基板の良品チップを接着剤で貼り合わせて切断分割して超薄型の上面発光型有機ＥＬを形成する。
あるいは上記（Ａ）〜（Ｃ）により、ポリＳｉＴＦＴまたはアモルファスＳｉＴＦＴまたはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴの表示部と単結晶ＳｉＴＦＴの周辺回路の超薄型電気光学表示素子基板層を形成し、ＵＶテープ等で表面保護した支持基板裏面側から前記の超薄膜加工を行って超薄型電気光学表示素子基板を形成し、支持体を接着剤で貼り付けて電気光学表示素子基板を形成する。
ここで、表示部は各画素の電流駆動用ＴＦＴのドレインに接続された陰極（Ｌｉ−ＡＬ，Ｍｇ−Ａｇなど）上に、画素毎に赤、青、緑などの有機ＥＬ発光層を被着し、その上部に陽極（ＩＴＯ膜など）を形成し、必要に応じて全面に陽極を形成し、全面を耐湿性透明樹脂で覆った構造を形成する。その後、切断分割して超薄型の上面発光型有機ＥＬを形成する。
（下面発光型有機ＥＬ）
上記（Ａ）〜（Ｃ）により、ポリＳｉＴＦＴまたはアモルファスＳｉＴＦＴまたはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴの表示部と単結晶ＳｉＴＦＴの周辺回路の超薄型電気光学表示素子基板層を形成した後に、表示部の画素開口部をエッチングして透明材料で埋め込み表面平坦化する。この上に各画素の電流駆動用ＭＯＳＴＦＴのソースに接続された陽極（ＩＴＯ膜など）を形成し、さらに画素毎に赤、青、緑などの有機ＥＬ発光層を被着し、その上部に陰極（Ｌｉ−ＡＬ，Ｍｇ−Ａｇなど）を形成し、必要に応じて全面に陰極を形成し、さらに全面を耐湿性透明樹脂で覆っている構造を形成する。そして、ＵＶテープ等で耐湿性透明樹脂表面を保護した支持基板裏面側から前記の超薄膜加工をして超薄型電気光学表示素子基板を形成する。その後、透明接着剤で透明な支持基板を貼り合わせて切断分割して超薄型の下面発光型有機ＥＬを形成する。
または、前記超薄膜加工後の電気光学表示素子基板内の良品チップに透明支持体の良品チップを透明接着剤で貼り合わせて切断分割して超薄型の下面発光型有機ＥＬを形成する。
あるいは、上記（Ａ）〜（Ｃ）により、ポリＳｉＴＦＴまたはアモルファスＳｉＴＦＴまたはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴの表示部と単結晶ＳｉＴＦＴの周辺回路の超薄型電気光学表示素子基板層を形成し、ＵＶテープ等で表面保護した支持基板裏面側から前記の超薄膜加工を行って超薄型電気光学表示素子基板を形成し、透明な支持体を透明接着剤で貼り付けて電気光学表示素子基板を形成する。
この電気光学表示素子基板の表示部の画素開口部をエッチングして透明材料で埋め込み表面平坦化する。この上に画素毎の電流駆動用ＴＦＴのソースに接続された陽極（ＩＴＯ膜など）を形成し、さらに画素毎に赤、青、緑などの有機ＥＬ発光層を被着し、その上部に陰極（Ｌｉ−ＡＬ，Ｍｇ−Ａｇなど）を形成し、必要に応じて全面に陰極を形成し、さらに全面を耐湿性透明樹脂で覆った構造を形成する。その後、切断分割して超薄型の下面発光型有機ＥＬを形成する。
以上の組立方法を（Ａ）〜（Ｃ）の超薄膜加工別にまとめてそれぞれ図２４から図２６に示す。図２４は（Ａ）の単結晶半導体の超薄膜加工法によるＬＣＤおよび有機ＥＬの組立法、図２５は（Ｂ）の多孔質半導体層分離＋超薄膜加工法によるＬＣＤおよび有機ＥＬの組立法、図２６は（Ｃ）のイオン注入層分離＋超薄膜加工法によるＬＣＤおよび有機ＥＬの組立法を示している。なお、ここでＴＦＴ基板層とは電気光学表示素子基板層のことである。
ここでは、面面液晶組立を面面組立、面単液晶組立を面単組立と省略して記載している。
尚、上記の組立方法を応用展開して、別のいろいろな組立方法を実施できるのは言うまでもない。
図９（ｂ）は対向基板および透明支持基板に高屈折率材料、例えば高屈折率透明樹脂によりマイクロレンズアレイを形成し、入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板と出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き透明支持基板で高精度の膜厚の超薄型電気光学表示素子基板を挟む構造、いわゆるデュアルマイクロレンズ（ダブルマイクロレンズとも言う）構造のプロジェクタ用透過型ＬＣＤの実施例を示している。尚、マイクロレンズアレイは無機系高屈折率透明膜で形成してもよいことは言うまでもない。
この実施の具体例として例えば図９（ｂ）のように、
[１]汎用リソグラフィ及びエッチング法により、対向基板２１の石英ガラス、ネオセラム基板等に所定の凹形状のマイクロレンズ部を複数作成する。
[２]複数のマイクロレンズ部に高屈折率透明樹脂２７を充填し、石英ガラス、ネオセラム等の透明ガラス基板２９を透明接着剤２５で貼り合わせる。この時に透明ガラス基板２９を高屈折率透明樹脂２７で対向基板２１に貼り合せて、透明接剤２５を使用しないでもよい。
[３]３．片面研削及び研磨または両面研削及び研磨により、約２０μｍの透明基板２９（スタック厚み）でカバーしたマイクロレンズアレイ付き対向基板を作成する。
この時に、エッチング法の場合は各マイクロレンズ周囲に相当する領域にアルミニウムなどのブラックマスク作用の反射膜形成した透明ガラス基板２９の反射膜形成面側と、所定凹形状のマイクロレンズ内に高屈折率透明樹脂を充填させた対向基板とを透明接着剤で貼り合せて、片面研磨又は両面研磨により約２０μｍの透明ガラス基板２９（スタック基板）でカバーした各マイクロレンズ周囲をブラックマスク作用の反射膜で遮光したマイクロレンズアレイ形成の対向基板を作成してもよい。
尚、約２０μｍの透明ガラス基板２９（スタック基板）でカバーしたマイクロレンズアレイ対向基板を作成した後に、透明ガラス基板２９（スタック基板）表面の各マイクロレンズ周囲に相当する領域にアルミニウム等のブラックマスク作用の反射膜形成してもよい。
つまり、各マイクロレンズ周囲に相当する透明ガラス基板２９（スタック基板）の表面または裏面のいずれか一方にブラックマスク作用の反射膜形成してもよい。
この時に、スタンプ法で石英ガラス、ネオセラム等の対向基板２１に所定の凹凸形状のマイクロレンズを複数作成してもよい。
これは、汎用リソグラフィ技術でフォトレジストのマイクロレンズパターンを複数形成し、加熱リフローで所望の凸形状のマイクロレンズを複数形成する。
ついで、この凸形状の上に無電解メッキでニッケル等の金属膜を被着し、樹脂及び支持台で型を転写して凹形状のスタンパを作成する。そして、対向基板上に塗布された高屈折率透明樹脂へスタンパを転写して凸形状のマイクロレンズを複数形成し、マイクロレンズ間の凹部に低屈折率透明樹脂を充填して所定厚みの石英ガラス或いはネオセラム等の透明ガラス基板を貼り合せ、片面研磨又は両面研磨により、約２０μｍの透明ガラス基板２９（スタック基板）でカバーしたマイクロレンズアレイ形成の対向基板を作成してもよい。
さらに、スタンプ法の場合はそれぞれのマイクロレンズ周囲に相当する対向基板の表面にアルミニウム等のブラックマスク作用の反射膜を形成し、対向基板上に塗布された高屈折率透明樹脂にスタンパを転写して凸形状のマイクロレンズを複数形成し、各マイクロレンズ間の凹部に低屈折率透明樹脂を充填して所定厚みの石英ガラス或いはネオセラム等の透明ガラス基板を貼り合せ、片面研磨又は両面研磨により、約２０μｍの透明ガラス基板２９（スタック基板）でカバーしたマイクロレンズ周囲に反射膜形成したマイクロレンズアレイ形成の対向基板を作成してもよい。
尚、片面研磨または両面研磨による透明ガラス膜厚精度が問題となる場合には、所定凹形状のマイクロレンズ内に高屈折率透明樹脂を充填させた後に、スピンコーティング等により所定膜厚の透明樹脂膜を形成し、この透明樹脂膜表面のマイクロレンズ周囲に相当する領域にブラックマスク作用のアルミニウム等の反射膜或いはクロムまたは酸化クロム等の低反射遮光膜を形成してもよい。
このように、超薄型電気光学表示素子基板の表示素子領域及び画素開口部に対応する各マイクロレンズ周囲にブラックマスク作用のアルミニウムなどの反射膜を形成し、強い入射光の不要な部分を反射させ、且つ液晶への遮光作用をさせることで、コントラストを高めて画質向上させ、液晶温度上昇を低減させてＬＣＤの高輝度化、長寿命化を図るのが好ましい。を作成する。
[４]透明電極１８ｂ、配向膜２０ｂを形成した前記マイクロレンズアレイ付き対向基板と、表示部の画素開口部をエッチングして光透過性材料１６を埋め込み表面平坦化し、表示素子に接続した透明電極１８ａと配向膜２０ａを形成して配向処理した超薄型電気光学表示素子基板層と重ね合わせてシールし、その後に液晶注入封止したシングルマイクロレンズ構造の透過型ＬＣＤを作成する。
[５]マイクロレンズアレイ付き対向基板側をＵＶテープで保護し、研磨装置または／及び研磨装置のステージに真空吸着で保持した状態で単結晶Ｓｉの支持基板裏面を超薄型加工、例えば研削あるいは研削及び研磨あるいは研削及び化学的エッチングあるいは研削、研磨及び化学的エッチングあるいは化学的エッチングのみを行い、ＳｉＯ２膜１５、ＳｉＯ２層１１を介して光透過性材料１６を露出させて超薄型電気光学表示素子基板層を形成する。
[６]この超薄型電気光学表示素子基板層に前記３と同様に作製した、例えば各マイクロレンズ周囲に相当する透明ガラス基板２９表面または裏面のいずれか一方にクロムまたは酸化クロムなどのブラックマスク作用の低反射遮光膜を形成した約２０μｍの透明ガラス基板２９（スタック基板）でカバーした低反射遮光膜及びマイクロレンズアレイ付き透明支持基板を透明接着剤で貼り合せてデュアルマイクロレンズ構造の透過型ＬＣＤを得る。
この時に、表示素子部のポリＳｉ層等の上部、側面及び下部の遮光膜形成のみならず、この表示素子部に対応するマイクロレンズ周囲に相当する領域の透明ガラス基板の、入射側では反射膜、出射側では低反射遮光膜のブラックマスクを形成しておけば、プロジェクタなどの強い入射光漏れによるＴＦＴリーク電流を防止出来てコントラストが高まり、更なる高輝度化、高コントラスト化での画質向上及び長寿命化を図ることが出来る。
以上のように、集光レンズとして機能するマイクロレンズアレイ形成の対向基板を重ね合わせた後に超薄膜加工で形成した超薄型電気光学表示素子基板層に、フィールドレンズとして機能するマイクロレンズアレイ形成の透明支持基板を貼り合せることで、従来のシングルマイクロレンズ構造よりも高精度な二重のマイクロレンズ機能で集光させて光源光の利用効率を高めることが出来るので、更なる高輝度、高精細、長寿命のデュアルマイクロレンズ構造のプロジェクタ用透過型ＬＣＤが実現できる。
更に、集光レンズとして機能する各マイクロレンズ周囲に相当する領域にブラックマスク作用の反射膜形成したマイクロレンズアレイの対向基板を重ね合わせた後に超薄膜加工で形成した超薄型電気光学表示素子基板層に、フィールドレンズとして機能する各マイクロレンズ周囲に相当する領域にブラックマスク作用の低反射遮光膜形成したマイクロレンズアレイの透明支持基板を貼り合せることで、高精度な二重のマイクロレンズ機能で集光させて光源光の光利用効率を高め、且つ不要な入射光及び反射光を除去するので、高輝度、高コントラスト、高精細、長寿命のデュアルマイクロレンズ構造のプロジェクタ用透過型ＬＣＤが実現できる。
図２３は、プロジェクタ用透過型ＬＣＤ及び反射型ＬＣＤの実装例を示す。
図２３（ａ）はプロジェクタ用透過型ＬＣＤの実装例であり、超薄型電気光学表示素子基板層と対向基板２１を重ね合わせてシールして液晶注入封止し、対向基板側を表面保護した支持基板裏面側を超薄膜加工して絶縁層を介して露出した光透過材料面に、透明支持基板２４を透明接着剤２５で貼り合わせた超薄型電気光学表示素子基板からなるＬＣＤパネルの外部取り出し電極３５にフレキ基板４０を取り付ける。そして、入射側の対向基板に低反射膜付き防塵ガラス４１を透明接着剤で貼り合わせ、出射側の透明支持基板にも低反射膜付き防塵ガラス４１を透明接着剤で貼り合せる。その後に、アルマイト黒化処理したアルミニウム製金属枠４２に高熱伝導性モールド樹脂４３で固着させる。その後に、入射側に見切り板７３を取り付ける。
図２３（ｂ）はプロジェクタ用反射型ＬＣＤの実装例であり、超薄型電気光学表示素子基板層と対向基板２１を重ね合わせてシールして液晶注入封止し、対向基板側を表面保護した支持基板裏面側を超薄膜加工した後に、金属支持基板４５を高熱伝導性及び導電性接着剤４６で貼り合わせた超薄型電気光学表示素子基板からなるＬＣＤパネルの外部取り出し電極３５にフレキ基板４０を取り付ける。そして、入射側の対向基板に低反射膜付き防塵ガラス４１を透明接着剤で貼り合わせ、アルマイト黒化処理したアルミニウム製金属枠４２に高熱伝導性モールド樹脂で固着させる。その後に、入射側に見切り板７３を取り付ける。
ところで、少なくとも入射側の防塵ガラスとして、例えば反射防止膜無しで直線透過率８０％以上の光学特性を満足する１（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上の高熱伝導性ガラス例えば石英ガラス、透明結晶化ガラス（ネオセラム、クリアセラム、ゼロデュアなど）など、更に反射防止膜無しで直線透過率８０％以上の光学特性を満足する１０（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上の高い熱伝導性ガラス例えば高透光性セラミック多結晶体｛酸化物結晶体の電融及び焼結ＭｇＯ（マグネシア）、Ｙ２Ｏ３（イットリア）、ＣａＯ（カルシア）、ＡＬ２Ｏ３（サファイア）、ＢｅＯ（ベリリア）、多結晶サファイアなど、または複酸化物結晶体の単結晶または多結晶ＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet）、単結晶または多結晶ＭｇＡｌ２Ｏ４（スピネル）、３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３・ＳｉＯ２など｝、フッ化物単結晶体（フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、フッ化バリウムなど）、気相合成ダイヤモンド膜コートした高透光性セラミック多結晶体またはフッ化物単結晶体または透明結晶化ガラス、水晶などの透明基板を透明接着剤で貼り合せれば、熱冷却が促進されて高輝度化のプロジェクタ用透過型ＬＣＤ及び反射型ＬＣＤが実現する。
例えば、入射側から反射防止膜形成した高熱伝導性ガラスの対向基板（マイクロレンズ基板、画素開口部以外に反射膜形成したブラックマスク基板などを含む）、液晶、超薄型電気光学表示素子基板、出射側に反射防止膜形成した高熱伝導性ガラスの透明支持基板の材料構成、又は反射防止膜形成した高熱伝導性ガラスの防塵ガラス、高熱伝導性ガラスの対向基板（マイクロレンズ基板、画素開口部以外に反射膜形成したブラックマスク基板などを含む）、液晶、超薄型電気光学表示素子基板、高熱伝導性ガラスの透明支持基板、出射側に反射防止膜形成した高熱伝導性ガラスの防塵ガラスの材料構成とすれば、熱冷却が促進されて高輝度化、高精細化のプロジェクタ用透過型ＬＣＤが実現する。
更に、例えば入射側から反射防止膜形成した高熱伝導性ガラスの対向基板（ブラックマスク基板含む）、液晶、超薄型電気光学表示素子基板、金属支持基板の材料構成、又は反射防止膜形成した高熱伝導性ガラスの防塵ガラス、高熱伝導性ガラスの対向基板（ブラックマスク基板含む）、液晶、超薄型電気光学表示素子基板、金属支持基板の材料構成とすれば、熱冷却が促進されて高輝度化、高精細化のプロジェクタ用反射型ＬＣＤが実現する。
図１８及び図１９に、本発明の直視用の超薄型電気光学表示装置を用いた実装例を示す。
（a）直視用の超薄型透過または半透過型ＬＣＤの場合
バックライト内臓のバックライトモジュール５０表面に光ムラ防止の光拡散板５１を透明接着剤で貼り合せる。対向基板に直接偏光板５２を透明接着剤で貼り合せ、且つ透明支持体裏面に直接偏光板を透明接着剤で貼り合せた超薄型の透過または半透過型ＬＣＤ５３を透明接着剤で光拡散板に貼り合わせてモールド樹脂封止して透過または半透過型ＬＣＤモジュールを作成する。そして、ＰＣＢ（Printed Circuit Board）５４の所定位置にセットして、ＰＣＢの配線用バンプ電極５５と超薄型の透過または半透過型ＬＣＤの外部取り出し用バンプ電極を接合させ、且つバックライト用配線５６をＰＣＢの配線用バンプ電極に接続した後にモールド樹脂５８固着する。
(b)直視用の超薄型反射型ＬＣＤの場合
対向基板に直接偏光板５２を透明接着剤で貼り合せた超薄型の反射型ＬＣＤ６０をＰＣＢ５４の所定位置にセットし、その外部取り出し用バンプ電極とＰＣＢの配線用バンプ電極５５を接合させた後にモールド樹脂５８固着する。
(ｃ)直視用の超薄型下面発光型有機ＥＬの場合
ＰＣＢ５４の所定位置に超薄型の下面発光型有機ＥＬパネル５９の耐湿性樹脂側をセットし、その外部取り出し用バンプ電極とＰＣＢの配線用バンプ電極５５を接合させた後にモールド樹脂５８固着する。
(ｄ)直視用の超薄型上面発光型有機ＥＬの場合
ＰＣＢ５４の所定位置に超薄型の上面発光型有機ＥＬパネル６１の透明樹脂側をセットし、その外部取り出し用バンプ電極とＰＣＢの配線用バンプ電極５５を接合させた後にモールド樹脂５８固着する。
更に、図２０のように本発明を使用した超薄型エレクトロニクス製品の具体例を示す。
名刺或いはキャッシュカード型超薄型携帯電話（音声入力タイプ）の場合は、多層ＰＣＢ６５の表面に、本発明の超薄型電気光学表示装置６６の例えば直視用半透過型ＬＣＤ、本発明を応用した超薄型ＭＯＳＬＳＩ７７（ＤＳＰ回路，ＣＰＵ回路，映像及び音声メモリ回路、映像信号処理回路、画質補正回路、音声信号処理回路、音声補正回路など）、本発明を応用した超薄型ＣＣＤ６７、超薄型マイク６８、超薄型スピーカー６９、アンテナ７５などをマウントし、その裏面に電源回路内臓リチウムイオンポリマー電池パック７６をマウントし、多層ＰＣＢ間を適当な配線とスルーホールで接続する。
本発明の実施の形態における超薄膜加工による超薄型電気光学表示装置の製造工程を示す断面図（１）である。 本発明の実施の形態における超薄膜加工による超薄型電気光学表示装置の製造工程を示す断面図（２）であって、（ａ）は表示領域を示す図、（ｂ）は周辺回路領域を示す図である。 本発明の実施の形態における超薄膜加工による超薄型電気光学表示装置の製造工程を示す断面図（３）である。 本発明の実施の形態における超薄膜加工による超薄型電気光学表示装置の製造工程を示す断面図（４）である。 本発明の実施の形態における超薄膜加工による超薄型電気光学表示装置の製造工程を示す断面図（５）である。 本発明の実施の形態における超薄膜加工による超薄型電気光学表示装置の製造工程を示す断面図（６）である。 本発明の実施の形態における超薄膜加工による超薄型電気光学表示装置の製造工程を示す断面図（７）であって、（ａ）は基板全体を示す図、（ｂ）は表示領域を示す図である。 本発明の実施の形態における超薄膜加工による超薄型電気光学表示装置の製造工程を示す断面図（８）である。 （ａ）本発明の実施の形態における超薄膜加工による超薄型電気光学表示装置の製造工程を示す断面図（８）であって、（ｂ）はデュアルマイクロレンズを形成した例を示す断面図である。 本実施形態における製造方法により作製された透過型ＬＣＤの断面図である。 本実施形態における半透過型ＬＣＤの製造工程を示す断面図である。 本発明の実施の形態における多孔質Ｓｉ層分離及び超薄膜加工法による超薄型ＳＯＩ構造の超薄型電気光学表示装置の製造工程を示す断面図（１）である。 本発明の実施の形態における多孔質Ｓｉ層分離及び超薄膜加工法による超薄型ＳＯＩ構造の超薄型電気光学表示装置の製造工程を示す断面図（２）である。 本発明の実施の形態におけるイオン注入層分離及び超薄膜加工法による超薄型ＳＯＩ構造の超薄型電気光学表示装置の製造工程を示す断面図（１）である。 本発明の実施の形態におけるイオン注入層分離及び超薄膜加工法による超薄型ＳＯＩ構造の超薄型電気光学表示装置の製造工程を示す断面図（２）である。 本発明の実施の形態におけるイオン注入層分離及び超薄膜加工法による超薄型ＳＯＩ構造の超薄型電気光学表示装置の製造工程を示す断面図（３）である。 本発明の実施の形態におけるイオン注入層分離及び超薄膜加工法による超薄型ＳＯＩ構造の超薄型電気光学表示装置の製造工程を示す断面図（４）である。 本発明の直視用の超薄型電気光学表示装置を用いた実装例を説明する図（１）である。 本発明の直視用の超薄型電気光学表示装置を用いた実装例を説明する図（２）である。 本発明を使用した超薄型エレクトロニクス製品の具体例を示す図である。 超薄型の下面発光型有機ＥＬを説明するための図である。 本発明の実施の形態における高圧流体ジェット噴射剥離装置の概略断面図である。 プロジェクタ用透過型ＬＣＤ及び反射型ＬＣＤの実装例を示す図である。 単結晶半導体の超薄膜加工法によるＬＣＤおよび有機ＥＬの組立法を示す図である。 多孔質半導体層分離＋超薄膜加工法によるＬＣＤおよび有機ＥＬの組立法を示す図である。 イオン注入層分離＋超薄膜加工法によるＬＣＤおよび有機ＥＬの組立法を示す図である。
符号の説明
１０ Ｓｉ基板
１１ ＳｉＯ２層
１２ ポリＳｉ層
１２ａ 画素開口部
１３ 単結晶Ｓｉ層
１４ 単結晶Ｓｉ層
１４ａ ポリＳｉＴＦＴ部
１４ｂ 単結晶ＳｉＴＦＴ部
１５ ＳｉＯ２膜
１６ 透明樹脂
１７ 金属膜
１８ａ，１８ｂ 透明電極
１９ 金属電極
２０ａ，２０ｂ 配向膜
２１ 対向基板
２２ シール剤
２３ ＵＶテープ
２４ 透明支持基板
２５ 透明接着剤
２６ａ 遮光膜
２６ｂ 反射膜
２７ 高屈折率透明樹脂
２８ 液晶
２９ 透明ガラス基板
３０，３１ 種子基板
３１ａ，３１ｂ，３１ｃ 多孔質Ｓｉ層
３２ 有機ＥＬ発光層
３３ 耐湿性樹脂
３５ 外部取り出し電極
３７ 遮光性金属層
３９ 歪み層
４０ フレキ基板
４１ 低反射膜付き防塵ガラス
４２ 金属枠
４３ 高熱伝導性モールド樹脂
４５ 金属支持基板
４６ 接着剤
５０ バックライトモジュール
５１ 光拡散板
５２ 偏光板
５３ 超薄型の透過または半透過型ＬＣＤ
５４ ＰＣＢ
５５ ＰＣＢの配線用バンプ電極
５６ バックライト用配線
５８ モールド樹脂
５９ 超薄型の下面発光型有機ＥＬパネル
６０ 超薄型の反射型ＬＣＤ
６１ 超薄型の上面発光型有機ＥＬパネル
６５ 多層ＰＣＢ
６６ 本発明の超薄型電気光学表示装置
６７ 本発明を応用した超薄型ＣＣＤ
６８ 超薄型マイク
６９ 超薄型スピーカー
７０ 適度な凹凸形状の反射電極
７１ 適度な凹凸形状の感光性樹脂膜
７２ ドレイン用窓開け部
７３ 見切り板
７５ アンテナ
７６ 電源回路内臓リチウムイオンポリマー電池パック
７７ 本発明を応用した超薄型ＭＯＳＬＳＩ
８０ ガードリング本発明を応用した超薄型ＭＯＳＬＳＩストッパ
８１ａ，８１ｂ ホルダ
８２ 高圧流体ジェット
８３ 微細ノズル
８４ スリット孔
９０ 透明絶縁層
９１ ＳｉＯ２層

Claims (30)

  1. 単結晶半導体基板の表面に絶縁層を形成し、表示領域の絶縁層を残して周辺回路領域の絶縁層を除去する工程と、
    半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成する工程と、
    前記表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、
    表面保護した前記単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工を行い、超薄型電気光学表示素子基板を形成する工程と、
    前記超薄型電気光学表示素子基板に支持基板を貼り付ける工程と、
    各超薄型電気光学表示装置に分割する工程を含む
    ことを特徴とする超薄型電気光学表示装置の製造方法。
  2. 単結晶半導体からなる種子基板に多孔質半導体層を形成する工程と、
    前記種子基板の多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、
    支持基板に絶縁層を形成する工程と、
    前記種子基板および支持基板を前記絶縁層の形成面で貼り合わせる工程と、
    前記種子基板を多孔質半導体層から分離する工程と、
    前記種子基板の分離により露出した前記単結晶半導体層の表面を少なくとも水素アニール処理によりエッチングして平坦化する工程と、
    前記単結晶半導体層表面に絶縁層を形成し、表示領域の絶縁層を残して周辺回路領域の絶縁層を除去する工程と、
    半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成する工程と、
    前記表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、
    表面保護した前記単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工を行い、超薄型電気光学表示素子基板を形成する工程と、
    前記超薄型電気光学表示素子基板に支持基板を貼り付ける工程と、
    各超薄型電気光学表示装置に分割する工程を含む
    ことを特徴とする超薄型電気光学表示装置の製造方法。
  3. 単結晶半導体からなる種子基板にイオン注入層を形成する工程と、
    単結晶半導体からなる支持基板に絶縁層を形成する工程と、
    前記種子基板のイオン注入層と前記支持基板の絶縁層とを貼り合わせ、熱処理により前記イオン注入層と絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成する工程と、
    剥離用アニール処理を行い、前記種子基板を同種子基板のイオン注入層の歪み部から分離する工程と、
    少なくとも水素アニール処理により前記単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化する工程と、
    前記単結晶半導体層表面に絶縁層を形成し、表示領域の絶縁層を残して周辺回路領域の絶縁層を除去する工程と、
    半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成する工程と、
    前記表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、
    表面保護した前記単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工を行い、超薄型電気光学表示素子基板を形成する工程と、
    前記超薄型電気光学表示素子基板に支持基板を貼り付ける工程と、
    各超薄型電気光学表示装置に分割する工程を含む
    ことを特徴とする超薄型電気光学表示装置の製造方法。
  4. 単結晶半導体からなる種子基板に多孔質半導体層を形成する工程と、
    前記種子基板の多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、
    支持基板に絶縁層を形成する工程と、
    前記種子基板および支持基板を前記絶縁層の形成面で貼り合わせる工程と、
    前記種子基板を多孔質半導体層から分離する工程と、
    前記種子基板の分離により露出した前記単結晶半導体層の表面を少なくとも水素アニール処理によりエッチングして平坦化する工程と、
    前記単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させる工程と、
    半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成する工程と、
    前記表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、
    表面保護した前記単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工を行い、超薄型電気光学表示素子基板を形成する工程と、
    前記超薄型電気光学表示素子基板に支持基板を貼り付ける工程と、
    各超薄型電気光学表示装置に分割する工程を含む
    ことを特徴とする超薄型電気光学表示装置の製造方法。
  5. 単結晶半導体からなる種子基板にイオン注入層を形成する工程と、
    単結晶半導体からなる支持基板に絶縁層を形成する工程と、
    前記種子基板のイオン注入層と前記支持基板の絶縁層とを貼り合わせ、熱処理により前記イオン注入層と絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成する工程と、
    剥離用アニール処理を行い、前記種子基板を同種子基板のイオン注入層の歪み部から分離する工程と、
    少なくとも水素アニール処理により前記単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化する工程と、
    前記単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させる工程と、
    半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成する工程と、
    前記表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、
    表面保護した前記単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工を行い、超薄型電気光学表示素子基板を形成する工程と、
    前記超薄型電気光学表示素子基板に支持基板を貼り付ける工程と、
    各超薄型電気光学表示装置に分割する工程を含む
    ことを特徴とする超薄型電気光学表示装置の製造方法。
  6. 単結晶半導体からなる種子基板に多孔質半導体層を形成する工程と、
    前記種子基板に前記多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、
    支持基板に絶縁層を形成する工程と、
    前記種子基板および支持基板を前記絶縁層の形成面で貼り合わせる工程と、
    前記種子基板を、同種子基板の多孔質半導体層から分離する工程と、
    前記種子基板の分離により露出した前記単結晶半導体層の表面を少なくとも水素アニール処理によりエッチングして平坦化する工程と、
    前記単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させる工程と、
    表示領域内の多結晶半導体表示素子の形成領域に遮光性金属層を形成する工程と、
    その上を絶縁層で覆う工程と、
    半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成する工程と、
    前記表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、
    表面保護した前記単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工を行い、超薄型電気光学表示素子基板を形成する工程と、
    前記超薄型電気光学表示素子基板に支持基板を貼り付ける工程と、
    各超薄型電気光学表示装置に分割する工程を含む
    ことを特徴とする超薄型電気光学表示装置の製造方法。
  7. 単結晶半導体からなる種子基板にイオン注入層を形成する工程と、
    単結晶半導体からなる支持基板に絶縁層を形成する工程と、
    前記種子基板のイオン注入層と前記支持基板の絶縁層とを貼り合わせ、熱処理により前記イオン注入層と絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成する工程と、
    剥離用アニール処理を行い、前記種子基板を同種子基板のイオン注入層の歪み部から分離する工程と、
    少なくとも水素アニール処理により前記単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化する工程と、
    前記単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させる工程と、
    表示領域内の多結晶半導体表示素子の形成領域に遮光性金属層を形成する工程と、
    その上を絶縁層で覆う工程と、
    半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成する工程と、
    前記表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、
    表面保護した前記単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工を行い、超薄型電気光学表示素子基板を形成する工程と、
    前記超薄型電気光学表示素子基板に支持基板を貼り付ける工程と、
    各超薄型電気光学表示装置に分割する工程を含む
    ことを特徴とする超薄型電気光学表示装置の製造方法。
  8. 前記半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成した後に、前記表示領域の多結晶半導体層を四族元素の少なくとも１種をイオン注入あるいはイオンドーピングして非晶質半導体層化した後に固相成長させて結晶粒径を制御した多結晶半導体層に形成する工程を含む
    ことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
  9. 前記半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成した後に、前記表示領域の多結晶半導体層を再結晶化させて結晶粒径を制御した多結晶半導体層に形成する工程を含む
    ことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
  10. 前記半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成した後に、前記表示領域の多結晶半導体層を四族元素の少なくとも１種をイオン注入あるいはイオンドーピングし、
    更に前記表示領域の多結晶半導体層を再結晶化させて結晶粒径を制御した多結晶半導体層に形成する工程を含む
    ことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
  11. 単結晶半導体基板表面に絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成する工程と、
    表示領域の絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を残して、周辺回路領域の少なくとも非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を除去する工程と、
    前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、
    表面保護した前記単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工を行い、超薄型電気光学表示素子基板を形成する工程と、
    前記超薄型電気光学表示素子基板に支持基板を貼り付ける工程と、
    各超薄型電気光学表示装置に分割する工程を含む
    ことを特徴とする超薄型電気光学表示装置の製造方法。
  12. 単結晶半導体からなる種子基板に多孔質半導体層を形成する工程と、
    前記種子基板の多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、
    支持基板に絶縁層を形成する工程と、
    前記種子基板および支持基板を前記絶縁層の形成面で貼り合わせる工程と、
    前記種子基板を多孔質半導体層から分離する工程と、
    前記種子基板の分離により露出した前記単結晶半導体層の表面を少なくとも水素アニール処理によりエッチングして平坦化する工程と、
    前記単結晶半導体層の表面に絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成する工程と、
    表示領域の絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を残して周辺回路領域の少なくとも非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を除去する工程と、
    前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、
    表面保護した前記単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工を行い、超薄型電気光学表示素子基板を形成する工程と、
    前記超薄型電気光学表示素子基板に支持基板を貼り付ける工程と、
    各超薄型電気光学表示装置に分割する工程を含む
    ことを特徴とする超薄型電気光学表示装置の製造方法。
  13. 単結晶半導体からなる種子基板にイオン注入層を形成する工程と、
    単結晶半導体からなる支持基板に絶縁層を形成する工程と、
    前記種子基板のイオン注入層と前記支持基板の絶縁層とを貼り合わせ、熱処理により前記イオン注入層と絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成する工程と、
    剥離用アニール処理を行い、前記種子基板を同種子基板のイオン注入層の歪み部から分離する工程と、
    少なくとも水素アニール処理により前記単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化する工程と、
    前記単結晶半導体層表面に絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成する工程と、
    表示領域の絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を残して、周辺回路領域の少なくとも非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を除去する工程と、
    前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、
    表面保護した前記単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工を行い、超薄型電気光学表示素子基板を形成する工程と、
    前記超薄型電気光学表示素子基板に支持基板を貼り付ける工程と、
    各超薄型電気光学表示装置に分割する工程を含む
    ことを特徴とする超薄型電気光学表示装置の製造方法。
  14. 単結晶半導体からなる種子基板に多孔質半導体層を形成する工程と、
    前記種子基板の多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、
    支持基板に絶縁層を形成する工程と、
    前記種子基板および支持基板を前記絶縁層の形成面で貼り合わせる工程と、
    前記種子基板を多孔質半導体層から分離する工程と、
    前記種子基板の分離により露出した前記単結晶半導体層の表面を少なくとも水素アニール処理によりエッチングして平坦化する工程と、
    前記単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させる工程と、
    全面に絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成する工程と、
    表示領域の絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を残して、周辺回路領域の少なくとも非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を除去する工程と、
    前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、
    表面保護した前記単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工を行い、超薄型電気光学表示素子基板を形成する工程と、
    前記超薄型電気光学表示素子基板に支持基板を貼り付ける工程と、
    各超薄型電気光学表示装置に分割する工程を含む
    ことを特徴とする超薄型電気光学表示装置の製造方法。
  15. 単結晶半導体からなる種子基板にイオン注入層を形成する工程と、
    単結晶半導体からなる支持基板に絶縁層を形成する工程と、
    前記種子基板のイオン注入層と前記支持基板の絶縁層とを貼り合わせ、熱処理により前記イオン注入層と絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成する工程と、
    剥離用アニール処理を行い、前記種子基板を同種子基板のイオン注入層の歪み部から分離する工程と、
    少なくとも水素アニール処理により前記単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化する工程と、
    前記単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させる工程と、
    全面に絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成する工程と、
    表示領域の絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を残して、周辺回路領域の少なくとも非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を除去する工程と、
    前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、
    表面保護した前記単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工を行い、超薄型電気光学表示素子基板を形成する工程と、
    前記超薄型電気光学表示素子基板に支持基板を貼り付ける工程と、
    各超薄型電気光学表示装置に分割する工程を含む
    ことを特徴とする超薄型電気光学表示装置の製造方法。
  16. 単結晶半導体からなる種子基板に多孔質半導体層を形成する工程と、
    前記種子基板に前記多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、
    支持基板に絶縁層を形成する工程と、
    前記種子基板および支持基板を前記絶縁層の形成面で貼り合わせる工程と、
    前記種子基板を、同種子基板の多孔質半導体層から分離する工程と、
    前記種子基板の分離により露出した前記単結晶半導体層の表面を少なくとも水素アニール処理によりエッチングして平坦化する工程と、
    前記単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させる工程と、
    表示領域内の半導体表示素子形成領域に遮光性金属層を形成する工程と、
    全面に絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成する工程と、
    表示領域の絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を残して、周辺回路領域の少なくとも非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を除去する工程と、
    前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、
    表面保護した前記単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工を行い、超薄型電気光学表示素子基板を形成する工程と、
    前記超薄型電気光学表示素子基板に支持基板を貼り付ける工程と、
    各超薄型電気光学表示装置に分割する工程を含む
    ことを特徴とする超薄型電気光学表示装置の製造方法。
  17. 単結晶半導体からなる種子基板にイオン注入層を形成する工程と、
    単結晶半導体からなる支持基板に絶縁層を形成する工程と、
    前記種子基板のイオン注入層と前記支持基板の絶縁層とを貼り合わせ、熱処理により前記イオン注入層と絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成する工程と、
    剥離用アニール処理を行い、前記種子基板を同種子基板のイオン注入層の歪み部から分離する工程と、
    水素アニール処理により前記単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化する工程と、
    前記単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させる工程と、
    表示領域内の半導体表示素子形成領域に遮光性金属層を形成する工程と、
    全面に絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成する工程と、
    表示領域の絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を残して、周辺回路領域の少なくとも非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を除去する工程と、
    前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、
    表面保護した前記単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工を行い、超薄型電気光学表示素子基板を形成する工程と、
    前記超薄型電気光学表示素子基板に支持基板を貼り付ける工程と、
    各超薄型電気光学表示装置に分割する工程を含む
    ことを特徴とする超薄型電気光学表示装置の製造方法。
  18. 前記表示領域に非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成した後に、前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を四族元素の少なくとも１種をイオン注入またはイオンドーピングした後に固相成長させて結晶粒径を制御した多結晶半導体層に形成する工程を含む
    ことを特徴とする請求項１１から請求項１７のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
  19. 前記表示領域に非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成した後に、前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を再結晶化させて結晶粒径を制御した多結晶半導体層に形成する工程を含む
    ことを特徴とする請求項１１から請求項１７のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
  20. 前記表示領域に非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成した後に、前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を四族元素の少なくとも１種をイオン注入またはイオンドーピングし、
    更に前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を再結晶化させて結晶粒径を制御した多結晶半導体層に形成する工程を含む
    ことを特徴とする請求項１１から請求項１７のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
  21. 歪みチャネルが誘起されるチャネル半導体層と、格子定数が前記チャネル半導体層の格子定数と異なり、前記チャネル半導体に歪みを印加する歪み印加半導体層の単結晶半導体層を半導体エピタキシャル成長により前記単結晶半導体層上に形成する工程と、
    前記単結晶半導体基板の表面に絶縁層を形成し、表示領域の絶縁層を残して周辺回路領域の絶縁層を除去する工程と、
    半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に歪み印加半導体の前記単結晶半導体層をシードに歪みチャネル層の単結晶半導体層を形成する工程を含む
    ことを特徴とする請求項１に記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
  22. 前記種子基板の多孔質半導体層を介して、歪みチャネルが誘起されるチャネル半導体層と、格子定数が前記チャネル半導体層の格子定数と異なり、前記チャネル半導体に歪みを印加する歪み印加半導体層の単結晶半導体層を形成する工程と、
    半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に歪み印加半導体の前記単結晶半導体層をシードに歪みチャネル層の単結晶半導体層による超薄型歪みＳＯＩ層を形成する工程を含む
    ことを特徴とする請求項２、請求項４または請求項６に記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
  23. 歪みチャネルが誘起されるチャネル半導体層と、格子定数が前記チャネル半導体層の格子定数と異なり、前記チャネル半導体に歪みを印加する歪み印加半導体層の単結晶半導体層を半導体エピタキシャル成長により前記種子基板上に形成する工程と、
    半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に歪み印加半導体の前記単結晶半導体層をシードに歪みチャネル層の単結晶半導体層による超薄型歪みＳＯＩ層を形成する工程を含む
    ことを特徴とする請求項３、請求項５または請求項７に記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
  24. 前記チャネル半導体層はシリコン層、前記歪み印加半導体層はシリコンゲルマニウム層である
    ことを特徴とする請求項２１、請求項２２または請求項２３に記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
  25. 前記歪み印加半導体層中のゲルマニウム濃度は、前記多孔質半導体層の接触面から、あるいは前記単結晶半導体層の接触面から、あるいは前記絶縁層の接触面から徐徐に増加して前記歪み印加半導体層表面で所望濃度となる傾斜組成である
    ことを特徴とする請求項２４に記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
  26. 前記絶縁層は、
    酸化シリコン膜、
    酸窒化シリコン膜、
    酸化シリコンと窒化シリコンとの積層膜、
    窒化シリコン膜、
    酸化シリコンと窒化シリコンと酸化シリコンとを順に積層した積層膜、
    および、酸化アルミニウム膜
    のうち少なくとも一種を含むものである
    ことを特徴とする請求項１から請求項２０のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
  27. 表面保護した前記単結晶半導体の支持基板裏面からの超薄膜加工は、
    前記単結晶半導体基板裏面から研削すること、
    前記単結晶半導体基板裏面から研削さらに研磨すること、
    前記単結晶半導体基板裏面から研削さらに化学的エッチングすること、
    または、前記単結晶半導体基板裏面から研削さらに研磨および化学的エッチングすること
    あるいは前記単結晶半導体基板裏面から化学的エッチングすること
    を特徴とする請求項１から請求項２０のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
  28. 前記支持基板表面の電気光学表示素子基板層と重ね合わせた対向基板上を紫外線照射硬化型テープあるいは紫外線照射硬化型テープ及びワックスにより覆ってから、
    前記支持基板裏面から研削すること、
    前記支持基板裏面から研削さらに研磨すること、
    前記支持基板裏面から研削さらに化学的エッチングすること、
    または、前記支持基板裏面から研削さらに研磨および化学的エッチングすること
    あるいは前記支持基板裏面から化学的エッチングすること
    を特徴とする請求項１から請求項２０のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
  29. 前記支持基板表面の電気光学表示素子基板層の耐湿性樹脂上を紫外線照射硬化型テープあるいは紫外線照射硬化型テープ及びワックスにより覆ってから、
    前記支持基板裏面から研削すること、
    前記支持基板裏面から研削さらに研磨すること、
    前記支持基板裏面から研削さらに化学的エッチングすること、
    または、前記支持基板裏面から研削さらに研磨および化学的エッチングすること
    あるいは前記支持基板裏面から化学的エッチングすること
    を特徴とする請求項１から請求項２０のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
  30. 前記支持基板表面の電気光学表示素子基板層上を紫外線照射硬化型テープあるいは紫外線照射硬化型テープ上及びワックスにより覆ってから、
    前記支持基板裏面から研削すること、
    前記支持基板裏面から研削さらに研磨すること、
    前記支持基板裏面から研削さらに化学的エッチングすること、
    または、前記支持基板裏面から研削さらに研磨および化学的エッチングすること
    あるいは前記支持基板裏面から化学的エッチングすること
    を特徴とする請求項１から請求項２０のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
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