JP6566539B2 - 集積されたスプリットゲート不揮発性メモリセルおよび論理構造 - Google Patents
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Description
図14には、注入領域1204〜1208の上に下部酸化物部分1402、1404、1406が形成された後の半導体構造100が示されている。酸化物部分1408も、NVM領域112と論理領域114との境界においてハードマスク806のポリシリコン層(図5の502)の露出した側壁に沿って形成される。下部酸化物部分1402、1404、1406、1408は、5〜15ナノメートル(50〜150オングストローム)または他の適切な厚さに及び、高温酸化を利用することにより形成される。
図25には、NVM領域112の上にフォトレジスト2502が堆積され、ウェットエッチングまたは他の適切な技法を使用することによりゲート誘電体110が除去された後の半導体構造100が示されている。
別の態様において、ハードマスクを形成する工程は、窒化物層の形成およびその窒化物層の上への第2の酸化物層(2206)の形成の前に第1の酸化物層(2202)を形成する工程をさらに含むことができる。
別の態様において、ダミーゲートを置き換える工程は、NVM領域の上にマスク(3202)を形成する工程と、ポリシリコンダミーゲートを除去する工程と、仕事関数金属(3302)を堆積する工程と、ゲート金属(3304)を堆積する工程とを含むことができる。
別の態様において、電荷蓄積層を形成する工程は、誘電材料によって囲まれているナノ結晶を備える層を形成する工程を含むことができる。
別の態様において、方法は、NVM領域における基板上に第1の熱酸化物層(400)を形成する工程をさらに備えることができ、選択ゲートを形成する工程は、その熱酸化物層上に形成されることをさらに含む。
別の態様において、不揮発性メモリ(NVM)部分(112)および論理領域(114)を有する基板を使用して半導体構造を作成する方法は、NVM領域において選択ゲート(804)を形成する工程と、NVM領域において基板の上に電荷蓄積層(1502)を形成する工程と、選択ゲートの第1の側面に隣接する制御ゲート(1806)を形成する工程と、NVM領域の上にハードマスク(2202、2204、2206)を形成する工程と、ハードマスクを形成した後に論理領域の上に高k誘電体(2602)を形成する工程と、高k誘電体の上にバリア金属(2604)を形成する工程と、バリア金属の上にダミーゲート(2606)を形成する工程と、ダミーゲートおよびバリア金属をパターニングする工程と、NVM領域の上からハードマスクを除去する工程と、化学機械研磨を実行する工程と、ダミーゲートを仕事関数金属(3302)に置き換える工程とを備えることができる。
別の態様において、方法は、電荷蓄積層をパターニングして、選択ゲートの上から電荷蓄積層の第1の部分を除去し、選択ゲートの上に電荷蓄積層の第2の部分を残す工程をさらに備えることができる。化学機械研磨を実行する工程は、電荷蓄積層の第2の部分を除去する。
本明細書および特許請求の範囲における「正面(front)」、「裏(back)」、「上部(top)」、「底(bottom)」、「上(over)」、「下(under)」などの用語は、存在する場合、説明を目的として使用されており、必ずしも永続的な相対位置を記述するために使用されてはいない。このように使用される用語は、本明細書に記載されている本開示の実施形態がたとえば、本明細書において例示または他の様態で記載されている以外の方向で動作することが可能であるように、適切な状況下で置き換え可能であることが理解されるであろう。
Claims (18)
- 不揮発性メモリ(NVM)領域および論理領域を有する基板を使用して半導体構造を作成する方法であって、
前記NVM領域において前記基板の上に選択ゲートを形成する、選択ゲート形成工程と、
前記論理領域および前記NVM領域の上を含む前記基板の上に電荷蓄積層を形成する工程であって、前記NVM領域の上は前記選択ゲートの上を含む、電荷蓄積層形成工程と、
前記論理領域および前記NVM領域の上を含む前記電荷蓄積層の上に共形導電層を形成する工程であって、前記NVM領域の上は前記選択ゲートの上を含む、共形導電層形成工程と、
前記共形導電層をエッチングして、前記選択ゲートの側壁に隣接する制御ゲートを形成する、制御ゲート形成工程と、
前記電荷蓄積層と、前記制御ゲートと、前記選択ゲートの一部分との上にマスクを形成する、マスク形成工程と、
前記マスクを使用して前記電荷蓄積層のパターン化エッチングを実行して、前記選択ゲートの上および前記制御ゲートの下に前記電荷蓄積層の一部分を残し、前記論理領域から前記電荷蓄積層を除去する、エッチング工程と、
誘電層によって囲まれているダミー論理ゲートを有するダミーゲート構造を前記論理領域において形成する、ダミーゲート構造形成工程と、
化学機械研磨を実行して前記選択ゲートの上の前記電荷蓄積層の部分を除去することによって、前記NVM領域の上面を前記論理領域の上面と同一平面になるようにする、化学機械研磨工程と、
前記ダミーゲート構造の一部分を金属ゲートに置換える、ダミーゲート置き換え工程と、
前記エッチングを実行した後で、かつ前記論理領域において前記ダミーゲート構造を形成する前に、前記NVM領域の上にハードマスクを形成する、ハードマスク形成工程とを備え、
前記ダミーゲート構造を形成する工程は、
前記論理領域の上に高k誘電体を形成する工程と、
前記高k誘電体の上にバリア層を形成する工程と、
前記バリア層をパターニングする工程とを含む、方法。 - 前記ダミーゲート構造を形成する工程は、
前記バリア層の上にポリシリコン層を形成する工程と、
前記ポリシリコン層および前記高k誘電体をパターニングする工程とをさらに含み、前記ポリシリコン層および前記高k誘電体の前記パターニングは、前記バリア層の前記パターニングと整合されてポリシリコンダミーゲートが残される、請求項1に記載の方法。 - 前記ハードマスク形成工程は、窒化物層を形成する工程を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記ハードマスク形成工程は、前記窒化物層の形成および該窒化物層の上への第2の酸化物層の形成の前に第1の酸化物層を形成する工程をさらに含む、請求項3に記載の方法。
- 前記化学機械研磨工程の前に前記ハードマスクを除去する工程をさらに備える、請求項1に記載の方法。
- 前記ダミーゲート置き換え工程は、
前記NVM領域の上にマスクを形成する工程と、
前記ポリシリコンダミーゲートを除去する工程と、
仕事関数金属を堆積する工程と、
ゲート金属を堆積する工程とを含む、請求項2に記載の方法。 - 前記ダミーゲート置き換え工程は、前記ゲート金属および前記仕事関数金属に対して化学機械研磨を実行する工程をさらに含む、請求項6に記載の方法。
- 前記電荷蓄積層形成工程は、誘電材料によって囲まれているナノ結晶を備える層を形成する工程を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記共形導電層形成工程は、ポリシリコン層を堆積する工程と、前記ポリシリコン層に注入する工程とを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記NVM領域における前記基板上に第1の熱酸化物層を形成する工程をさらに備え、前記選択ゲート形成工程は、前記第1の熱酸化物層上に形成されることをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の熱酸化物層のうち前記選択ゲートに隣接する一部分を除去する工程と、
前記共形導電層形成工程の前に、前記選択ゲートに隣接する第2の熱酸化物層を形成する、第2熱酸化物層形成工程とをさらに備え、前記電荷蓄積層は前記第2の熱酸化物層上に形成される、請求項10に記載の方法。 - 前記第2熱酸化物層形成工程の前に、前記選択ゲートに隣接する前記基板をエッチングする工程をさらに備える、請求項11に記載の方法。
- 不揮発性メモリ(NVM)領域および論理領域を有する基板を使用して半導体構造を作成する方法であって、
前記NVM領域において選択ゲートを形成する工程と、
前記NVM領域において前記基板の上に電荷蓄積層を形成する工程と、
前記選択ゲートの第1の側面に隣接する制御ゲートを形成する工程と、
前記NVM領域の上にハードマスクを形成する工程と、
前記ハードマスクを形成した後に前記論理領域の上に高k誘電体を形成する工程と、
前記高k誘電体の上にバリア金属を形成する工程と、
前記バリア金属の上にダミーゲート構造を形成する工程と、
前記ダミーゲート構造および前記バリア金属をパターニングする工程と、
前記NVM領域の上から前記ハードマスクを除去する工程と、
化学機械研磨を実行する工程と、
前記ダミーゲート構造を仕事関数金属に置き換える工程とを備える、方法。 - 前記化学機械研磨を実行する前に前記ダミーゲート構造の周囲に層間誘電体を形成する工程をさらに備える、請求項13に記載の方法。
- 前記電荷蓄積層をパターニングして、前記選択ゲートの上から前記電荷蓄積層の第1の部分を除去し、前記選択ゲートの上に前記電荷蓄積層の第2の部分を残す工程をさらに備え、前記化学機械研磨を実行する工程は、前記電荷蓄積層の第2の部分を除去する、請求項13に記載の方法。
- 前記電荷蓄積層を形成する工程は、ナノ結晶層を形成することを含み、前記ナノ結晶層は、前記化学機械研磨を実行することによって前記選択ゲートの上から除去される、請求項15に記載の方法。
- 前記選択ゲートを形成する前に前記基板上に第1の熱酸化を実行する工程と、
前記選択ゲートを形成する前後に前記基板から酸化物を除去する工程と、
前記制御ゲートを形成する前に第2の熱酸化を実行する工程とをさらに備え、
前記制御ゲートは、前記第2の熱酸化によって形成される酸化物上に形成される、請求項16に記載の方法。 - 前記ハードマスクを形成する工程は、
第1の酸化物層を形成する工程と、
前記第1の酸化物層の上に窒化物層を形成する工程と、
前記窒化物層の上に第2の酸化物層を形成する工程とを備える、請求項17に記載の方法。
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