JP4578938B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
本発明の実施の形態の前に、本発明の予備的事項について説明する。
次に、図9に示すように、第1周辺回路領域Iとセル領域IIのそれぞれに第1、第2レジスト部16a、16bを備えた第3レジストパターン16を反射防止膜14の上に形成する。
図42〜図62は、本発明の第1実施形態に係る半導体装置の製造途中の断面図であり、図78〜図87はその平面図である。本実施形態ではFPGA等のロジック混載メモリが作製される。
上記した三回の熱酸化により、高電圧トランジスタ形成領域IIIH、中電圧トランジスタ形成領域IIIM、及び低電圧トランジスタ形成領域IIILには、最終的な厚さがそれぞれ16nm、7.5nm、及び2.2nmの熱酸化膜よりなる第3絶縁膜71が形成されたことになる。更に、上記の三回目の熱酸化で低電圧トランジスタ形成領域IIILに第3絶縁膜71を形成する際には、第1開口69d内に露出する第1導電膜67の上面にも熱酸化膜が形成され、その熱酸化膜で構成される第3絶縁膜71が第1開口69d内に形成される。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。
前記半導体基板の第1領域に第1絶縁膜を介して形成された第1導電体と、
前記第1導電体上に形成され、該第1導電体のコンタクト領域の上に第1開口を備えた第2絶縁膜と、
前記第1絶縁膜と同じ材料よりなるトンネル絶縁膜、前記第1導電体と同じ材料よりなるフローティングゲート、前記第2絶縁膜と同じ材料よりなる中間絶縁膜、及びコントロールゲートを前記半導体基板の第2領域に順に形成してなるフラッシュメモリセルと、
前記第1導電体の前記コンタクト領域上にホールを備えた層間絶縁膜と、
前記ホール内に形成されて前記第1導電体の前記コンタクト領域と電気的に接続された導電性プラグと、
を有することを特徴とする半導体装置。
前記第1絶縁性サイドウォールの横の前記第2絶縁膜上に形成され、曲面状の側面が前記第2絶縁膜の前記第1開口から後退した第2絶縁性サイドウォールとを有することを特徴とする付記1に記載の半導体装置。
前記第1、第3絶縁膜の上に形成されると共に、前記コントロールゲートと同じ材料で構成され、前記コンタクト領域の上に第2開口を備えた第2導電体とを有し、
前記コンタクト領域の上の前記第3絶縁膜に第3開口が形成されたことを特徴とする付記1に記載の半導体装置。
前記第1ゲート電極が、ゲート部と、前記素子分離絶縁膜上に延在するパッド部とを備え、
前記コンタクト領域が前記パッド部に位置することを特徴とする付記7に記載の半導体装置。
前記第1絶縁膜上に第1導電膜を形成する工程と、
前記第1導電膜上に第2絶縁膜を形成する工程と、
前記第1領域における前記第1導電膜のコンタクト領域の上に第1窓を有する第1レジストパターンを前記第2絶縁膜の上に形成する工程と、
前記第1レジストパターンをマスクにして前記第2絶縁膜をエッチングすることにより、該第2絶縁膜を前記第2領域に残しながら、前記コンタクト領域が露出する第1開口を前記第1窓の下の前記第2絶縁膜に形成する工程と、
前記第1レジストパターンを除去する工程と、
前記第1開口から露出する前記第1導電膜上に第3絶縁膜を形成する工程と、
前記第2、第3絶縁膜の上に第2導電膜を形成する工程と、
前記第1開口を覆う大きさの第1レジスト部を前記第1領域に有し、且つ前記第2領域に第2レジスト部を有する第2レジストパターンを前記第2導電膜上に形成する工程と、
前記第2レジストパターンをマスクにして前記第1、第2導電膜と前記第2絶縁膜とをエッチングすることにより、前記第1レジスト部の下の前記第1、第2導電膜をそれぞれ第1、第2導電体にすると共に、前記第2レジスト部の下の前記第1、第2導電膜をそれぞれフローティングゲートとコントロールゲートにし、且つ前記第2絶縁膜を中間絶縁膜にする工程と、
前記第2レジストパターンを除去する工程と、
前記第1導電体の前記コンタクト領域を含む大きさの第2窓を前記第1領域上に有する第3レジストパターンを前記第1、第2領域に形成する工程と、
前記第3レジストパターンをマスクにして前記第2導電体をエッチングすることにより、前記第2窓の下の前記第2導電体を選択的に除去する工程と、
前記第3レジストパターンを除去する工程と、
前記第1導電体の前記コンタクト領域上の前記第3絶縁膜を除去し、該コンタクト領域を露出させる工程と、
前記第1導電体を覆う層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第1導電体の前記コンタクト領域上の前記層間絶縁膜にホールを形成する工程と、
前記第1導電体の前記コンタクト領域と電気的に接続される導電性プラグを前記ホールの中に形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記第3絶縁膜を形成する工程において、前記第1開口から露出する前記第1導電膜の表面を熱酸化して酸化膜を形成し、該酸化膜を前記第3絶縁膜とすることを特徴とする付記11に記載の半導体装置の製造方法。
前記第1、第2導電体を形成する工程において、ゲート部と、前記素子分離絶縁膜上に延在するパッド部とで前記第1ゲート電極を構成することを特徴とする付記14に記載の半導体装置の製造方法。
前記第2窓の下の前記第2導電体を選択的に除去する工程において、前記パッド部上の前記第2導電体の全てを除去することを特徴とする付記15に記載の半導体装置の製造方法。
前記第2絶縁膜を形成する工程において、前記第3領域の前記第1絶縁膜上にも該第2絶縁膜を形成し、
前記第2絶縁膜に前記第1開口を形成する工程において、前記第3領域における前記第1、第2絶縁膜を除去し、
前記第3絶縁膜を形成する工程において、前記第3領域における前記半導体基板上にも該第3絶縁膜を形成し、
前記第3レジストパターンを形成する工程において、前記第3領域の上に該第3レジストパターンの第3レジスト部を形成し、
前記第3レジストパターンをマスクにして前記第2導電体をエッチングする工程において、前記第3レジスト部の下の前記第2導電膜を第1ゲート電極にすることを特徴とする付記11に記載の半導体装置の製造方法。
前記第3絶縁膜を形成する工程において、前記第1導電膜と、前記第3領域における前記半導体基板のそれぞれの表面を熱酸化して酸化膜を形成し、該酸化膜を前記第3絶縁膜とすることを特徴とする付記17に記載の半導体装置の製造方法。
前記第2窓の下の前記第2導電体を選択的に除去する工程において、該第2窓の下の前記第2導電体に第2開口を形成することを特徴とする付記11に記載の半導体装置。
Claims (2)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の第1領域に第1絶縁膜を介して形成された第1導電体と、
前記第1導電体上に順に第1酸化シリコン膜、窒化シリコン膜及び第2酸化シリコン膜を積層したONO膜よりなり、前記第1導電体のコンタクト領域の上に第1開口を備えた第2絶縁膜と、
前記第1絶縁膜と同じ材料よりなるトンネル絶縁膜、前記第1導電体と同じ材料よりなるフローティングゲート、前記第2絶縁膜と同じ材料よりなる中間絶縁膜、及びコントロールゲートを前記半導体基板の第2領域に順に形成してなるフラッシュメモリセルと、
前記第1導電体の側面に該第1導電体の上面よりも高く形成された第1絶縁性サイドウォールと、
前記第1絶縁性サイドウォールの横の前記第2絶縁膜上に形成され、曲面状の側面が前記第2絶縁膜の前記第1開口から後退した第2絶縁性サイドウォールと、
前記第1導電体の前記コンタクト領域上にホールを備えた層間絶縁膜と、
前記ホール内に形成されて前記第1導電体の前記コンタクト領域と電気的に接続された導電性プラグと、
を有することを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板と、
前記半導体基板の第1領域に第1絶縁膜を介して形成された第1導電体と、
前記第1導電体上に順に第1酸化シリコン膜、窒化シリコン膜及び第2酸化シリコン膜を積層したONO膜よりなり、前記第1導電体のコンタクト領域の上に第1開口を備えた第2絶縁膜と、
前記第1絶縁膜と同じ材料よりなるトンネル絶縁膜、前記第1導電体と同じ材料よりなるフローティングゲート、前記第2絶縁膜と同じ材料よりなる中間絶縁膜、及びコントロールゲートを前記半導体基板の第2領域に順に形成してなるフラッシュメモリセルと、
前記第1導電体の前記コンタクト領域上にホールを備えた層間絶縁膜と、
前記ホール内に形成されて前記第1導電体の前記コンタクト領域と電気的に接続された導電性プラグと、
前記第1開口内の前記第1導電体上に形成された第3絶縁膜と、
前記第2、第3絶縁膜の上に形成されると共に、前記コントロールゲートと同じ材料で構成され、前記コンタクト領域の上に第2開口を備えた第2導電体とを有し、
前記コンタクト領域の上の前記第3絶縁膜に第3開口が形成されたことを特徴とする半導体装置。
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