JP6370103B2 - バッチ反応器中での環状窒化アルミニウム蒸着 - Google Patents

バッチ反応器中での環状窒化アルミニウム蒸着 Download PDF

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Description

本発明は、半導体装置の製造に関し、より具体的には、窒化アルミニウムの蒸着に関する。
窒化アルミニウム（ＡｌＮ）は種々の半導体装置を形成するために用いられる。例えば、ＡｌＮは、ＧａＮベース半導体装置においてパッシベーション膜として、または太陽電池において裏面電界層としてますます用いられている。しかしながら、ＡｌＮは、高い均一性で蒸着するのが難しい。結果的に、ＡｌＮを蒸着するプロセスに継続した要求がある。
第一態様において、窒化アルミニウムフィルムを蒸着するプロセスが提供される。当該プロセスは、高温壁プロセスチャンバーを有するバッチ加熱炉を提供する工程、当該プロセスチャンバーに複数の基板を充填する工程、および当該プロセスチャンバー中に複数の蒸着サイクルを実行する工程を含む。各サイクルは、アルミニウム前駆体パルスに基板を曝す工程、当該基板から離れてアルミニウム前駆体をパージする工程、窒素前駆体パルスに当該基板を曝す工程、および複数の基板から離れて、窒素前駆体をパージする工程を含む。当該サイクルの少なくともいくつかは、約３００℃〜約３７５℃の蒸着温度で実行される。アルミニウム前駆体は、アルキルアルミニウム化合物、アルキル置換塩化アルミニウム化合物、および水素化アルミニウム化合物からなる群から選択されてよい。
いくつかの実施形態において、蒸着温度および／または窒素前駆体パルスの継続期間は、時間とともに減少する。いくつかの実施形態において、蒸着温度は、蒸着サイクルの第一セットの間に約３５０℃±約２５℃の第一の値であり、蒸着サイクルの後続セットの間に約３００℃±約２５℃の第二の値である。
別の態様において、窒化アルミニウムを蒸着するプロセスが提供される。当該プロセスは、バッチプロセスチャンバー内に複数の半導体基板を提供する工程および複数の蒸着サイクルを実行することにより、バッチプロセスチャンバー内で半導体基板上に窒化アルミニウム層を蒸着する工程を含む。各蒸着サイクルは、バッチプロセスチャンバーにアルミニウム前駆体パルスをフローする工程、バッチプロセスチャンバーからアルミニウム前駆体を除去する工程、その後、バッチプロセスチャンバー内に窒素前駆体パルスをフローする工程、および窒素前駆体をフローした後かつアルミニウム前駆体の別パルスをフローする前にバッチプロセスチャンバーから窒素前駆体を除去する工程を含む。半導体基板は蒸着サイクルの間、プラズマに曝されない。
いくつかの実施形態において、プロセスチャンバーは高温壁チャンバーである。いくつかの実施形態において、蒸着された窒化アルミニウム層は、基板にわたって１σ＝０．２５％以下の不均一性を有する。蒸着圧力は、いくつかの実施形態において、約１００〜約７００ｍＴｏｒｒであってよい。
いくつかの実施形態に係るＡｌＮフィルムを形成するプロセスを概して説明するフローチャートである。 いくつかの実施形態に係るＴＭＡパルスの継続期間の関数として、蒸着されたフィルムの厚さを示すチャートである。 いくつかの実施形態に係る実施された蒸着サイクルの回数の関数として蒸着されたフィルムの厚さを示すチャートである。 いくつかの実施形態に係るＮＨ３パルスの継続期間の関数としての蒸着されたフィルムの厚さを示すチャートである。 いくつかの実施形態に係る種々のＮＨ３パルスの継続期間における、蒸着サイクルの回数の関数としての蒸着されたフィルムの厚さを示すチャートである。 いくつかの実施形態に係る異なる蒸着温度における、蒸着サイクルの回数の関数としての蒸着されたフィルムの厚さを示すチャートである。 いくつかの実施形態に係る蒸着されたＡｌＮフィルムの均一性を示す図である。
ＡｌＮフィルムは、典型的には、プラズマアシスト技術によって、基板上に蒸着されている。しかしながら、基板をプラズマに曝す工程は、層のパッシベーション特性に悪い影響を与える、および／またはプラズマは基板上の装置にダメージを与えるかもしれない、ということがわかった。
蒸着の間プラズマを使用しない熱蒸着は、Ｔ．Ｍ．Ｍａｙｅｒ，Ｊ．Ｗ．ＲｏｇｅｒｓおよびＴ．Ａ．Ｍｉｃｈａｌｓｋｅ，Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．１９９１，３，６４１−６４６，“Ｍｅｃｈａｎｉｓｍ ｏｆ Ｎｕｃｌｅａｔｉｏｎ ａｎｄ Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｇｒｏｗｔｈ ｏｆ ＡｌＮ ｏｎ Ｓｉ”に示唆されている。しかしながら、ＡｌＮフィルムの原子層堆積での試みは、半導体製造業において用いられる最新技術の単一ウエハ反応器においてさえ、基板の全域で均一である蒸着フィルムを提供していない。したがって、これらの熱蒸着は製造されるフィルムの容認し難いほどの均一性の乏しさのせいで、失敗していると考えられている。
理論に限定されないが、原子層堆積での上記試みは、基板の少なくともいくつかの部分に非自己制御的な蒸着および無制御蒸着をなし、これにより、基板にわたるフィルムの厚さにおいて大きな変化をもたらすと考えられる。したがって、ＡｌＮの単層蒸着により荒い単層を有する原子層成長が望まれ、当該蒸着はフィルム成長が非自己制御である強い化学気相成長成分を含有するという事実と思われる。結果として、熱蒸着の可制御性は基板にわたった蒸着に乏しくかつ不十分であると考えられ、特に、プラズマアシスト蒸着で達成しうる結果と比較して乏しくかつ不十分であると考えられている。
有利なことに、発明者らは、プラズマを使用しない場合でさえ、基板にわたって高い均一性を提供する熱的ＡｌＮ蒸着プロセスを開発した。いくつかの実施形態において、プロセスは、バッチプロセスチャンバー内に複数の半導体基板を提供する工程および蒸着サイクルの間、半導体基板をプラズマに曝すことなく、複数の蒸着サイクルを実行することによりバッチプロセスチャンバー内の半導体基板上に窒化アルミニウム層、またはフィルムを蒸着する工程を含む。各蒸着サイクルは、バッチプロセスチャンバー内にアルミニウム前駆体パルスをフローする工程、バッチプロセスチャンバーからアルミニウム前駆体を除去する工程、その後、バッチプロセスチャンバー内に窒素前駆体パルスをフローする工程、および窒素前駆体をフローした後かつアルミニウム前駆体の別パルスをフローする前にバッチプロセスチャンバーから窒素前駆体を除去する工程を含む。プロセスチャンバーは、高温壁プロセスチャンバーであってよく、蒸着は、約１Ｔｏｒｒ未満、約５０ｍＴｏｒｒ〜約９００ｍＴｏｒｒ、約１００ｍＴｏｒｒ〜約７００ｍＴｏｒｒ、または約１５０ｍＴｏｒｒ〜約５５０ｍＴｏｒｒの蒸着圧力で生じてよい。いくつかの実施形態において、蒸着温度は、約４００℃以下、約１５０℃〜約３７５℃、約２４０℃〜約３７５℃、または約２７５℃〜約３７５℃であってよい。
理論に限定されないが、単一ウエハ反応器に典型的には用いられる蒸着圧力は、アルミニウム前駆体間で副反応を起こし、これにより基板上のアルミニウムの非自己制御的な蒸着の原因となるかもしれないと考えられる。典型的な単一ウエハ反応器の蒸着圧力は、１〜１０ Ｔｏｒｒの範囲であってよい。いくつかの実施形態によれば、蒸着圧力は、約５０ｍＴｏｒｒ〜約９００ｍＴｏｒｒ、約１００ｍＴｏｒｒ〜約７００ｍＴｏｒｒ、または約１５０ｍＴｏｒｒ〜約５５０ｍＴｏｒｒであり、ＡｌＮ蒸着の非自己制御的な成分を減少してよい。例えば、３秒以上の比較的長い前駆体パルスの継続期間と併用して、低圧は、前駆体を含む基板表面の良好な飽和を可能とし、低レベルの非自己制御的な蒸着を提供する。高温壁に吸収された前駆体、またはプロセスチャンバーの壁上で不完全に反応した蒸着は、蒸着に悪影響を与え得、混入物質を生成するかもしれない。理論に限定されないが、高温壁バッチプロセスチャンバーの使用はチャンバーの壁上への質の低い蒸着の量を減少し得、これにより基板上の蒸着されたフィルムの質を改善すると考えられている。
有利なことに、いくつかの実施形態において蒸着されたＡｌＮフィルムは、基板にわたって異常な均一性を有しうる。いくつかの実施形態において、１σ＝１％以下、１σ＝０．５％以下、または１σ＝０．２５％以下のフィルム不均一性が基板にわたって達成される。
本明細書において、参照は図面においてなされ、図面中の数字などは全体にわたって同様の特徴部を言及する。
図１は、いくつかの実施形態に係るＡｌＮフィルムを形成するプロセス１００を概して説明するフローチャートである。プロセス１００は、バッチ反応器のプロセスチャンバー内で行われ、複数の基板、例えば２５個以上の基板または２５個〜１５０個の基板を収容してよい。いくつかの実施形態において、バッチプロセスチャンバーは高温壁チャンバーであり、当該チャンバーの壁はアクティブに、例えばプロセス温度に加熱される。本願明細書に記載されているように、高温壁プロセスチャンバーは均一なプロセス結果を達成する利点を提供しうる。バッチプロセスチャンバーで加工された基板は、半導体ウェーハなどのＡＩＮが蒸着された任意のワークピースであって、半導体から形成されたワークピースを包含している。
図１を参照して、複数の基板はブロック１１０でバッチプロセスチャンバー内に充填される。当該基板は、約４００℃以下、約１５０℃〜約３７５℃、約２４０℃〜約３７５℃、または約３００℃〜約３７５℃の蒸着温度に加熱されてよい。さらに、蒸着圧力はバッチプロセスチャンバー内で設定され、約５０ｍＴｏｒｒ〜約９００ｍＴｏｒｒ、約１００ｍＴｏｒｒ〜約７００ｍＴｏｒｒ、または約１５０ｍＴｏｒｒ〜約５５０ｍＴｏｒｒであってよい。
ブロック１２０で、基板は、アルミニウム前駆体パルス中のアルミニウム前駆体に曝されてよい。いくつかの実施形態において、アルミニウム前駆体のプロセスチャンバー内へのフローは、パルスの始まりで始まり、パルスの終わりで完全に終わる。いくつかの実施形態において、パルス継続期間は、約２秒以上、約２秒〜約２０秒、約３秒〜約１６秒、または約５秒〜約１０秒であってよい。理論に限定されないが、２秒以上または３秒以上を包含している秒のオーダーにおける継続期間は、アルミニウム前駆体を有する基板表面の自己制御的な高レベルの被覆を達成するために望ましいと考えられる。しかしながら、非常に長い継続期間は、他のアルミニウム前駆体分子と個々のアルミニウム前駆体分子との反応をもたらし、望まない非自己制御的な蒸着の原因となる。いくつかの実施形態において、アルミニウム前駆体パルスの継続期間は、約２０秒未満、または約１６秒未満、または約７秒であってよい。
アルミニウム前駆体の例は、有機アルミニウム前駆体（アルキルアルミニウム化合物およびアルキル置換塩化アルミニウム化合物、アルキル置換水素化アルミニウム化合物など）を包含する。有機アルミニウム前駆体は式ＡｌＲ３であってよく、式中、Ｒは、置換、分枝状、直線状または環状のＣ１〜Ｃ１０炭化水素から選択される。いくつかの実施形態において、０〜３のＲ基はメチルであり、残りはエチルである。いくつかの実施形態において、有機アルミニウム前駆体はトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）であってよい。いくつかの実施形態において、アルミニウム前駆体は、ハロゲン化物リガンドおよび有機リガンドの両方を有し、例えばＡｌＲｘＸ３−ｘであり、式中ｘは１〜２であり、Ｒは有機リガンド（アルキルまたはアルケニルなど）であり、Ｘはハロゲン化物（塩化物など）である。アルミニウム前駆体のこの種の例は、例えば、ジメチルアルミニウムクロライド（ＣＨ３）２ＡｌＣｌであってよい。いくつかの他の実施形態において、アルミニウム前駆体はＡｌハロゲン化物（ＡｌＣｌ３またはＡｌＩ３など）である。
ブロック１３０でのアルミニウム前駆体パルスを終了した後、基板は窒素前駆体パルス内の窒素前駆体に曝されてよい。窒素前駆体の例は、アンモニア、ヒドラジン、およびヒドラジン誘導体を包含する。いくつかの実施形態において、窒素前駆体のプロセスチャンバー内へのフローは、パルスの始まりで始まり、パルスの終わりで完全に終わる。いくつかの実施形態において、パルス継続期間は、約３秒以上、または約１０秒以上であってよい。いくつかの実施形態において、パルス継続期間は、約３秒〜約９０秒、約３秒〜約３０秒、または約３秒〜約１０秒であってよい。理論に限定されないが、約３秒〜約１０秒の継続期間は、望ましくは、窒素前駆体が基板表面上でアルミニウム前駆体と完全に反応することを可能とすると考えられる。より長い継続期間は蒸着されたフィルムの厚さを増加しうる。
図１に継続する参照として、ブロック１２０および１３０は、蒸着サイクル１４０を構成する。蒸着サイクルは、所望の厚さの窒化アルミニウムフィルムを形成するため複数回繰り返されてよい。当該窒化アルミニウムフィルムは、基板を完全に被覆してよく、または基板上の別々の場所に配置されてよいと評価され、例えば、基板表面上の異なる領域を含むアルミニウム前駆体の反応性に応じる。
簡単な記載で説明されていないが、サイクル１４０は１以上の前駆体除去段階を包含しうるということがわかるであろう。例えば、ブロック１２０と１３０との間で、アルミニウム前駆体は、例えば、前駆体種をフローすることなく不活性ガスをプロセスチャンバー内にフローし、および／またはプロセスチャンバーを空にして当該チャンバーからアルミニウム前駆体を除去することにより基板付近から除去またはパージされうる。
同様に、ブロック１３０の後、かつアルミニウム前駆体に基板を再度曝す前に、窒素前駆体は近接する基板から除去されうる。これは、例えば、前駆体種をフローすることなく不活性ガスをプロセスチャンバー内に流し、および／またはプロセスチャンバーを排出して当該チャンバーから窒素前駆体を除去することにより達成され得る。したがって、いくつかの実施形態において、蒸着サイクルは、以下を包含してよい：
・基板をアルミニウム前駆体パルスに曝す工程、
・プロセスチャンバーからアルミニウム前駆体を除去する工程、
・基板を窒素前駆体パルスに曝す工程、および
・プロセスチャンバーから窒素前駆体を除去する工程。
アルミニウム前駆体および窒素前駆体の前駆体除去時間は同じであってもよいし異なっていてもよい。いくつかの実施形態において、アルミニウム前駆体のパージ時間は、約１〜約７秒であり、窒素前駆体のパージ時間は約７〜約３０秒、または約７〜約１５秒である。アルミニウム前駆体のパージ継続期間はフィルム均一性に強い影響を及ぼさないが、窒素前駆体のパージ継続期間はフィルム均一性により強い影響を及ぼす。いくつかの実施形態において、窒素前駆体のパージ継続期間は、アルミニウム前駆体のパージ継続期間の少なくとも約１．５、約２、または約３倍である。
本願明細書で述べられているように、蒸着サイクルは繰り返され、所望の長さのＡｌＮフィルムを形成しうる。いくつかの実施形態において、全サイクルは、同じ条件下、例えば、同じ蒸着温度および／または圧力で実行されてよい。いくつかの他の実施形態において、第一期間の間の１以上の蒸着サイクルの第一セットを実行するための条件は、第二期間の間の１以上の蒸着サイクルの第二セットを実行するための条件と異なり得る。
いくつかの実施形態において、蒸着サイクルの第一セットの蒸着温度は、蒸着サイクルの第二セットの蒸着温度より高い。理論に限定されないが、ＡｌＮフィルムの蒸着速度は、フィルムが蒸着される表面上に強く左右されると考えられる。ＡｌＮフィルムの蒸着速度は蒸着サイクルの初期セットの実行後に増加し、この低い初期速度は、近くのＡｌＮフィルムが基板表面上に形成されるとなくなる阻害期間の間の存在に起因すると考えられている。この阻害期間が蒸着速度を増加し、高いフィルム均一性を維持する間、蒸着温度を増加することが見いだされた。いくつかの実施形態において、蒸着サイクルを実行する第一期間の間の蒸着温度は、蒸着サイクルを実行する後続期間の間の蒸着温度より少なくとも約２５℃、少なくとも約２５℃〜約７５℃、または少なくとも約２５℃〜約５０℃高い。いくつかの実施形態において、第一期間の間の蒸着温度は約３５０℃±約２５℃、または約３５０℃±約１０℃であり、第二期間の蒸着温度は約３００℃±約２５℃、または約３００℃±約１０℃である。いくつかの実施形態において、第一期間は約１０以上の蒸着サイクル、約１０〜約５０蒸着サイクル、または約２０〜約４０蒸着サイクルを包含してよい。
蒸着速度は、阻害期間を経過した後、窒素前駆体パルス継続期間によりあまり影響を受けないということも見いだされた。いくつかの実施形態において、窒素前駆体パルス継続期間は、時間とともに減少する。例えば、蒸着サイクルを実行する第一期間における窒素前駆体パルス継続期間は、第二期間（例えば、阻害期間を経過した後の期間）においてより高くあり得る。例えば、第一期間の間の窒素前駆体パルス時間は約１０秒以上であってよく、第二期間において約３〜約１０秒または約３〜約５秒に落ち着く。
蒸着されたＡｌＮフィルムは種々の利用において用いられてよいということがわかるであろう。例えば、ＡｌＮフィルムはパッシベーション層（窒化ガリウム（ＧａＮ）上のパッシベーション層など）として用いられてよい。ＧａＮにおけるＡｌＮパッシベーション層の使用はインターフェース状態を強く減少させてよい。いくつかの実施形態において、ＡｌＮパッシベーション膜を蒸着させた後、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、またはこれらの酸化物の任意の組み合わせの２層もしくは３層またはナノラミネートのゲート誘電体は蒸着され得、基板を前駆体へ繰り返し曝す工程を用いる原子層堆積プロセスによって蒸着されてもよく、例えば、基板は異なる前駆体に異なる時間で曝されてよい。いくつかの実施形態において、ＡｌＮパッシベーション膜およびゲート誘電体は、同じプロセスチャンバー中で、インシチュで蒸着されうる。
ＡｌＮフィルムを、ＡＳＭ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ社（オランダ、アルメレ１３２２ ＡＰ、Ｖｅｒｓｔｅｒｋｅｒｓｔｒａａｔ ４）から購入したＡ４１２の垂直炉内で蒸着した。当該炉はライナーレスプロセスチャンバーを有し、アルミニウムおよび窒素前駆体はプロセスチャンバーに注入され、各気体は、分離した多孔注入器を通ってフローする。パージガスを多孔注入器に通して、および／または「ダンプ」注入器（中間に穴を有しない注入管であるが、プロセス管の最上部付近に開口端がある）を通して注入してよい。当該ガスを、プロセス管の底で排気する。プロセスチャンバーの内側の蒸着の間回転でき、ラック（ｒａｃｋ）または「ボート」中に基板を収容できる。プロセスチャンバーは高温壁チャンバーである。
トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）をアルミニウム前駆体として用い、ＮＨ３を窒素前駆体として用いた。特段の記載がない限り、蒸着を３５０℃で行い、７０サイクルの蒸着を行い、ボート回転を用い、以下のサイクルをおこなった。
パージ段階の間、５ｓｌｍのＮ２をダンプ注入器を通して注入した。さらに少しのＮ２フローを多孔注入器を通してフローした。チャンバー圧力を制御せず、しかし最大圧送およびチャンバーの排気も利用し、結果として１５０〜５５０ｍＴｏｒｒの範囲のチャンバー圧力となった。１５０ｍＴｏｒｒの圧力は、前駆体を曝す段階における圧力であり、５５０ｍＴｏｒｒの圧力はパージ段階における圧力である。
図２は、３５０℃の蒸着温度で７０サイクルのＴＭＡパルスの継続期間の関数としての蒸着されたフィルムの厚さを示すチャートである。当該チャートから、フィルム厚さはＴＭＡパルスの継続期間を増加させて飽和しなかったことが観測され得る。むしろ、パルスの継続期間の増加はＡｌＮフィルム厚さを増加させた。したがって、ＡｌＮ蒸着プロセスは純粋なＡＬＤを用いて生じるので、自己制御的ではないと考えられている。むしろ、ＡｌＮ蒸着は、サイクル毎に１．２５Ａｎｇの蒸着速度で自己制御的な成分（オープンダイアモンド）を、０．０４４Ａｎｇ／ｓの蒸着速度で、非自己制御的な成分（オープントライアングル）を含有する。自己制御的な成分は３秒以上のＴＭＡパルスの継続期間において明らかである。１６秒のＴＭＡパルス継続期間のため、蒸着されたフィルムの厚さに対する非自己制御的な成分および自己制御的な成分の寄与はほぼ同じ大きさである。約７秒のＴＭＡパルスの継続期間は良好な蒸着速度および高い均一性を与えることが分かった。
図３は、実行した蒸着サイクルの回数の関数として蒸着されたフィルムの厚さを示すチャートである。特に、最初の３０〜４０サイクルにわたって、効果的な蒸着速度は比較的低く、０．３１Ａｎｇ／サイクルであり、次いで１．２５Ａｎｇ／サイクルの自己制御的な成分は完全に発展し、総合的な蒸着速度は１．５６Ａｎｇ／サイクルに増加する。低い初期蒸着速度は、初期の阻害期間に課せられているＡｌＮの自己制御的な成分に起因すると考えられている。
図４は、ＮＨ３パルスの継続期間の関数として、蒸着されたフィルムの厚さ（３５０℃で７０サイクルの蒸着）を示すチャートである。ＮＨ３パルスの継続期間の増加をともなう蒸着されたフィルムの厚さにおける増加は、異なるウェーハ位で３つのウェーハのフィルム厚さを示し（Ｓ１５、Ｓ６５およびＳ１１５は、プロセスチャンバーの底、中心および最上部のそれぞれにおける基板である）、図５の補助を伴って理解されうる。チャートにおけるトライアングルおよびダイアモンドは実質的に重なり、炉の上でフィルム厚さの良好な均一性を示すということがわかるであろう。
図５は、種々のＮＨ３パルスの継続期間の蒸着サイクルの回数の関数として、蒸着されたフィルムの厚さを示すチャートである。種々のＮＨ３パルスの継続期間は、１０秒、３０秒、および９０秒であった。自己制御的な蒸着の阻害期間は、ＮＨ３パルスの継続期間の増加を伴って減少する、ということがわかった。当該阻害期間は、９０秒、３０秒、１０秒のＮＨ３パルスの継続期間のそれぞれの約１０サイクル、約３０サイクル、および約４５サイクルであった。このことは結果的に、より長いＮＨ３パルスの継続期間のより高効果的な蒸着速度という結果となった。しかしながら、阻害期間が経過した時、サイクル毎の蒸着速度は、実質的に全ＮＮＨ３パルスの継続期間と等しかった。このことは１０秒のＮＨ３パルスの継続期間でさえ、完全な自己制御的な蒸着が得られると示している。３秒のＮＨ３パルスの継続期間は、阻害期間を経過した後の完全な飽和、自己制御的な蒸着を得るために適切である。
図６は、異なる蒸着温度において、蒸着サイクルの回数の関数として蒸着されたフィルムの厚さを示すチャートである。ほとんどの蒸着を３５０℃で実行した。この温度で、１００サイクルは結果的に約１４ｎｍのフィルム厚さになった。蒸着温度が３００℃より低かったとき、１００サイクルは、結果的にたった約２ｎｍのフィルム厚さになった。しかしながら、第一５０サイクルを３５０℃で実施し、次いで蒸着が３００°のより低い温度で続けたとき、フィルムの厚さは１１ｎｍへわずかに減少したことが観測された。より低い温度で、阻害期間は、実質的により長く、結果的により小さい最後のフィルムの厚さになったと考えられる。閉じられたＡｌＮが形成された場合、しかしながら、サイクル毎の蒸着されたフィルムの厚さは蒸着温度にわずかに依存しているだけである。したがって、表面は、前駆体および膜形成プロセスの分解においてある役割を果たすと考えられている。これらの結果は、ＴＭＡの有用な蒸着温度の範囲は約３００℃〜約３７５℃であることを示している。３７５℃超の温度で、プロセスがもはや十分制御されないかもしれないほど、ＴＭＡの分解速度は大きくなっていると予測される。
図７は、蒸着されたＡｌＮフィルムの均一性を示す。このフィルムの蒸着条件は、上記実施例に記載された通りであった。ＡｌＮフィルムは、極めて均一であり、基板にわたって、１σ＝０．２５％のフィルムの不均一性を有することがわかった。良好な均一性は、当該プロセスが強く表面制御されたことを示すと考えられている。そのような表面制御は、典型的には自己制御的なプロセスと関連し、しかし本願明細書において、プロセスは非自己制御的な成分を有し、蒸着されたフィルムの厚さへのかなり寄与した。それにもかかわらず、蒸着プロセスは、有利なことに蒸着の良好な表面制御を与えた。
フィルム均一性におけるパージ時間の影響も評価した。ＴＭＡパージ段階に、１秒〜７秒の範囲の時間をかけ、フィルム均一性において影響を全く気付かなかった。ＮＨ３パージ段階の間、３秒〜３０秒の範囲のパージ時間が用いられた。３つの最も短いパージ時間（３、５、および７秒）において、かなり高い不均一性は、３秒のパージ時間で最も高い不均一性を有し、１５秒および３０秒のパージ時間まで観測され、不均一性は５秒および７秒のパージ時間で徐々に減少した。７秒以上、より好ましくは１５秒以上のＮＨ３パージ時間は、高い均一なＡｌＮフィルムを形成する利点を有するということが企図される。
上記の実施例はＴＭＡを用いれ実施したが、他の有機アルミニウム前駆体は同様の利点の結果を提供するだろうということが企図される。そのような前駆体は、上述しており、例えば、アルミニウムアルキル前駆体またはアルキル−置換塩化アルミニウムまたは十分な揮発性を有しＴＭＡと同様の分解温度を有する水素化物を包含しうる。表１はいくつかの前駆体の例を提示する。
当業者は、種々の修飾および変形は本発明の範囲から逸脱せずになされうるということを理解するであろう。同様に他の修飾および変形は、添付する特許請求の範囲によって定められ、本発明の範囲内にあることが意図されている。

Claims (24)

  1. 高温壁プロセスチャンバーを有するバッチ加熱炉を提供する工程、
    前記プロセスチャンバー内に複数の基板を充填する工程、
    前記プロセスチャンバー内の前記複数の基板上で複数の蒸着サイクルを実行する工程、
    を含む窒化アルミニウムフィルムを蒸着するプロセスであって、各蒸着サイクルが、
    アルキルアルミニウム化合物、アルキル置換塩化アルミニウム化合物、およびアルキル置換水素化アルミニウム化合物からなる群から選択されるアルミニウム前駆体パルスに前記基板の表面を曝す工程、および
    前記アルミニウム前駆体パルスの終了後、前記基板の表面を窒素前駆体パルスに曝して、前記窒素前駆体を前記基板表面上で前記アルミニウム前駆体と反応させる工程、を含み、
    ここで、前記サイクルの少なくともいくつかは、約３００℃〜約３７５℃の蒸着温度で実行され、
    前記複数の蒸着サイクルを実行する初期期間の間の蒸着温度が、前記複数の蒸着サイクルを実行する後続期間の間の蒸着温度より少なくとも２５℃高い、
    窒化アルミニウムフィルムを蒸着するプロセス。
  2. 前記蒸着温度が時間とともに降下する、請求項１に記載のプロセス。
  3. 前記蒸着温度が、蒸着サイクルの第一セットの間３５０℃±２５℃の第一の値であり、および蒸着サイクルの後続セットの間３００℃±２５℃の第二の値である、請求項２に記載のプロセス。
  4. 前記高温壁プロセスチャンバーにおける蒸着圧力が１Ｔｏｒｒ未満である、請求項１に記載のプロセス。
  5. 前記アルミニウム前駆体パルスの継続期間が３秒以上である、請求項１に記載のプロセス。
  6. 前記アルミニウム前駆体パルスの継続期間が約５秒〜約１０秒である、請求項５に記載のプロセス。
  7. 前記窒素前駆体パルスの継続期間が３秒以上である、請求項５に記載のプロセス。
  8. 前記窒素前駆体パルスの継続期間が１０秒以上である、請求項７に記載のプロセス。
  9. 前記窒素前駆体パルスの継続期間を、複数の蒸着サイクルを実行する間に、第一の値から第二の値に減少させる工程をさらに有する、請求項７に記載のプロセス。
  10. 前記基板の付近から、前記アルミニウム前駆体をパージして前記アルミニウム前駆体を除去する工程をさらに有し、
    前記アルミニウム前駆体のパージが１秒以上の間実行される、請求項１に記載のプロセス。
  11. 前記基板の付近から、前記窒素前駆体をパージして前記窒素前駆体を除去する工程をさらに有し、
    前記窒素前駆体のパージが７秒以上の間実行される、請求項１に記載のプロセス。
  12. 前記窒素前駆体がＮＨ３である、請求項１に記載のプロセス。
  13. 前記窒素前駆体がヒドラジンである、請求項１に記載のプロセス。
  14. バッチプロセスチャンバー内に複数の半導体基板を提供する工程、
    前記プロセスチャンバーの壁を蒸着温度にアクティブに加熱する工程、
    複数の蒸着サイクルを実行することにより、前記バッチプロセスチャンバーにおける前記半導体基板上に窒化アルミニウム層を蒸着する工程、
    を含む窒化アルミニウムを蒸着するプロセスであって、
    各蒸着サイクルが、
    前記バッチプロセスチャンバー内にアルミニウム前駆体パルスをフローする工程、
    前記バッチプロセスチャンバーからアルミニウム前駆体を除去する工程、
    その後、前記バッチプロセスチャンバー内に窒素前駆体パルスをフローする工程、ならびに
    前記窒素前駆体をフローする工程後かつ前記アルミニウム前駆体の別パルスをフローする工程前に前記バッチプロセスチャンバーから窒素前駆体を除去する工程、を含み、
    ここで、前記半導体基板は、前記蒸着サイクルの間、プラズマに曝されず、
    前記複数の蒸着サイクルを実行する初期期間の間の蒸着温度が、前記複数の蒸着サイクルを実行する後続期間の間の蒸着温度より少なくとも２５℃高い、
    窒化アルミニウムを蒸着するプロセス。
  15. 前記窒化アルミニウム層を蒸着するための蒸着圧力が、１００〜７００ｍＴｏｒｒである、請求項１４に記載のプロセス。
  16. 前記初期期間の間の蒸着温度が、前記後続期間の間の蒸着温度より少なくとも５０℃高い、請求項１４に記載のプロセス。
  17. 前記初期期間の間の蒸着温度が３５０℃±２５℃であり、前記後続期間の間の蒸着温度が３００℃±２５℃である、請求項１４に記載のプロセス。
  18. 前記窒素前駆体をパージする継続期間が、前記アルミニウム前駆体をパージする継続期間の少なくとも約１．５倍である、請求項１４に記載のプロセス。
  19. 前記アルミニウム前駆体を除去する工程と前記窒素前駆体を除去する工程が、前記バッチプロセスチャンバーをパージする工程を含む、請求項１４に記載のプロセス。
  20. 前記半導体基板が窒化ガリウムを含み、前記窒化アルミニウム層が、前記窒化ガリウムに蒸着される、請求項１４に記載のプロセス。
  21. 前記窒化アルミニウム層上にゲート誘電体を形成する工程をさらに含む、請求項２０に記載のプロセス。
  22. 前記ゲート誘電体が、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、またはこれらの組み合わせを含む、請求項２１に記載のプロセス。
  23. 前記組み合わせが２層もしくは３層またはナノラミネートであり、前記２層もしくは３層またはナノラミネートの各層が、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、または酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）の１つを含む、請求項２２に記載のプロセス。
  24. 前記ゲート誘電体を形成する工程が、前記バッチプロセスチャンバーの中でインシチュで実行される、請求項２１に記載のプロセス。
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Families Citing this family (292)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9112003B2 (en) 2011-12-09 2015-08-18 Asm International N.V. Selective formation of metallic films on metallic surfaces
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
TWI739285B (zh) 2014-02-04 2021-09-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 金屬、金屬氧化物與介電質的選擇性沉積
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10047435B2 (en) 2014-04-16 2018-08-14 Asm Ip Holding B.V. Dual selective deposition
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9799509B2 (en) 2014-11-26 2017-10-24 Asm Ip Holding B.V. Cyclic aluminum oxynitride deposition
US9837281B2 (en) 2014-11-26 2017-12-05 Asm Ip Holding B.V. Cyclic doped aluminum nitride deposition
US9490145B2 (en) 2015-02-23 2016-11-08 Asm Ip Holding B.V. Removal of surface passivation
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10428421B2 (en) 2015-08-03 2019-10-01 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition on metal or metallic surfaces relative to dielectric surfaces
US10566185B2 (en) 2015-08-05 2020-02-18 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of aluminum and nitrogen containing material
US10121699B2 (en) 2015-08-05 2018-11-06 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of aluminum and nitrogen containing material
US10695794B2 (en) 2015-10-09 2020-06-30 Asm Ip Holding B.V. Vapor phase deposition of organic films
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10204782B2 (en) 2016-04-18 2019-02-12 Imec Vzw Combined anneal and selective deposition process
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11081342B2 (en) 2016-05-05 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition using hydrophobic precursors
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10373820B2 (en) 2016-06-01 2019-08-06 Asm Ip Holding B.V. Deposition of organic films
US10453701B2 (en) 2016-06-01 2019-10-22 Asm Ip Holding B.V. Deposition of organic films
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11430656B2 (en) 2016-11-29 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Deposition of oxide thin films
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
JP7169072B2 (ja) 2017-02-14 2022-11-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 選択的パッシベーションおよび選択的堆積
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10373906B2 (en) * 2017-04-20 2019-08-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Structure and formation method of interconnection structure of semiconductor device
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US11501965B2 (en) 2017-05-05 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Plasma enhanced deposition processes for controlled formation of metal oxide thin films
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
KR20240112368A (ko) 2017-05-16 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 유전체 상에 옥사이드의 선택적 peald
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
US10900120B2 (en) 2017-07-14 2021-01-26 Asm Ip Holding B.V. Passivation against vapor deposition
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
JP7146690B2 (ja) 2018-05-02 2022-10-04 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 堆積および除去を使用した選択的層形成
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) * 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) * 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
KR20200038184A (ko) 2018-10-01 2020-04-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 유지 장치, 장치를 포함하는 시스템, 및 이를 이용하는 방법
JP2020056104A (ja) 2018-10-02 2020-04-09 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 選択的パッシベーションおよび選択的堆積
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11965238B2 (en) 2019-04-12 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of metal oxides on metal surfaces
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
EP4010916A4 (en) * 2019-08-09 2023-08-09 Applied Materials, Inc. MULTI-LAYER PROTECTIVE LAYER FOR THE PROCESSING OF CHAMBER COMPONENTS
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
US11139163B2 (en) 2019-10-31 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of SiOC thin films
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202142733A (zh) 2020-01-06 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
TW202204658A (zh) 2020-03-30 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 在兩不同表面上同時選擇性沉積兩不同材料
TW202140832A (zh) 2020-03-30 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽在金屬表面上之選擇性沉積
TW202140833A (zh) 2020-03-30 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 相對於金屬表面在介電表面上之氧化矽的選擇性沉積
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0674502B2 (ja) * 1990-03-29 1994-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JPH0574724A (ja) * 1991-09-12 1993-03-26 Toppan Printing Co Ltd アルミニウム化合物の原子層成長方法
US5915164A (en) * 1995-12-28 1999-06-22 U.S. Philips Corporation Methods of making high voltage GaN-A1N based semiconductor devices
US6197683B1 (en) * 1997-09-29 2001-03-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming metal nitride film by chemical vapor deposition and method of forming metal contact of semiconductor device using the same
US6297538B1 (en) * 1998-03-23 2001-10-02 The University Of Delaware Metal-insulator-semiconductor field effect transistor having an oxidized aluminum nitride gate insulator formed on a gallium nitride or silicon substrate
US6218293B1 (en) * 1998-11-13 2001-04-17 Micron Technology, Inc. Batch processing for semiconductor wafers to form aluminum nitride and titanium aluminum nitride
US6200893B1 (en) * 1999-03-11 2001-03-13 Genus, Inc Radical-assisted sequential CVD
KR100387259B1 (ko) 2000-12-29 2003-06-12 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 제조 방법
US6759081B2 (en) 2001-05-11 2004-07-06 Asm International, N.V. Method of depositing thin films for magnetic heads
US7071519B2 (en) * 2003-01-08 2006-07-04 Texas Instruments Incorporated Control of high-k gate dielectric film composition profile for property optimization
US8012442B2 (en) * 2006-03-31 2011-09-06 Tokyo Electron Limited Method of forming mixed rare earth nitride and aluminum nitride films by atomic layer deposition
JP4952055B2 (ja) * 2006-05-19 2012-06-13 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体を成長する方法、およびｉｉｉ族窒化物半導体装置を作製する方法
US7494937B2 (en) * 2007-03-30 2009-02-24 Tokyo Electron Limited Strained metal silicon nitride films and method of forming
US8329541B2 (en) * 2007-06-15 2012-12-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. InP-based transistor fabrication
WO2009073866A1 (en) * 2007-12-07 2009-06-11 The Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Gate after diamond transistor
US20100006895A1 (en) * 2008-01-10 2010-01-14 Jianjun Cao Iii-nitride semiconductor device
JP5513767B2 (ja) 2008-06-25 2014-06-04 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置および半導体装置
US7985680B2 (en) * 2008-08-25 2011-07-26 Tokyo Electron Limited Method of forming aluminum-doped metal carbonitride gate electrodes
JP5587564B2 (ja) * 2009-06-19 2014-09-10 ルネサスエレクトロニクス株式会社 電界効果トランジスタおよび電界効果トランジスタの製造方法
WO2011008531A2 (en) * 2009-06-30 2011-01-20 University Of Florida Research Foundation, Inc. Enhancement mode hemt for digital and analog applications
JP5410174B2 (ja) * 2009-07-01 2014-02-05 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理システム
JP5036849B2 (ja) * 2009-08-27 2012-09-26 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置
US8390000B2 (en) * 2009-08-28 2013-03-05 Transphorm Inc. Semiconductor devices with field plates
US20110083735A1 (en) 2009-10-13 2011-04-14 Ips Ltd. Solar cell and method of fabricating the same
US8389977B2 (en) * 2009-12-10 2013-03-05 Transphorm Inc. Reverse side engineered III-nitride devices
JP2011192834A (ja) * 2010-03-15 2011-09-29 Advanced Power Device Research Association 半導体装置および半導体装置の製造方法
US8383471B1 (en) * 2011-04-11 2013-02-26 Hrl Laboratories, Llc Self aligned sidewall gate GaN HEMT
US10707082B2 (en) * 2011-07-06 2020-07-07 Asm International N.V. Methods for depositing thin films comprising indium nitride by atomic layer deposition
US8653558B2 (en) * 2011-10-14 2014-02-18 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor device and method of making
JP5842750B2 (ja) * 2012-06-29 2016-01-13 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体

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