JP6332557B2 - 発光素子の駆動方法および発光装置 - Google Patents

Description

本発明は、発光素子の駆動方法および発光装置に関する。

有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「発光素子」ともいう。）は、ディスプレイおよび照明の用途に好適に使用することが可能であり、研究開発が盛んに行われている。この発光素子は、発光層、電荷輸送層等の有機層を備える。

発光素子は、駆動時間の経過に伴って発光効率が低下し、発光効率の低下に伴って発光輝度が低下することが知られており、発光輝度が低下する時間が短いこと（すなわち、輝度寿命が短いこと）が問題となっている。

特許文献１には、低分子化合物である正孔輸送材料（具体的には、トリフェニルジアミン誘導体）からなる正孔輸送層と、低分子化合物である発光材料（具体的には、トリス（８−キノリノレート）アルミニウム錯体）からなる発光層とを有する発光素子を、順バイアス電圧（発光素子を発光させる方向の電圧）と逆バイアス電圧（発光素子を発光させる方向と逆方向の電圧）とを交互にスイッチングさせたパルス電圧により駆動する方法は、直流電圧駆動する方法に比べて、発光素子の輝度寿命を改善できることが記載されている。

また、特許文献２には、高分子化合物である導電性材料（具体的には、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリチオフェン・スルホン酸がドープされたポリエチレンジオキシチオフェン））からなる陽極バッファ層と、高分子化合物である発光材料（具体的には、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニレン誘導体等）からなる発光層とを有する発光素子を、順バイアス電圧と逆バイアス電圧とを交互にスイッチングさせたパルス電圧により駆動する方法は、直流電圧駆動する方法に比べて、発光素子の輝度寿命を改善できることが記載されている。

特開平９−２９３５８８号公報 特開２００６−２３５４９２号公報

しかしながら、上記の発光素子の駆動方法により得られる輝度寿命は、必ずしも十分ではなかった。

そこで、本発明は、発光素子の駆動方法であって、輝度寿命に優れる駆動方法を提供することを目的とする。また、本発明は、発光素子と、該駆動方法のための駆動装置とを備える発光装置を提供することを目的とする。

本発明は、以下の［１］〜［１３］を提供する。

［１］陽極と、
陰極と、
陽極および陰極の間に設けられた発光層と、
陽極および発光層の間に設けられており、架橋材料の架橋体を含有する正孔輸送層とを有する発光素子を、
発光素子の発光開始電圧以上の第１の電圧と、発光素子の発光開始電圧未満の第２の電圧とを交互にスイッチングさせたパルス電圧により駆動する、発光素子の駆動方法。
［２］前記架橋材料が、式（Ｘ）で表される構成単位と、架橋基を有する構成単位とを含む高分子化合物である、［１］に記載の発光素子の駆動方法。

［式中、
ａ^X1およびａ^X2は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
Ａｒ^X1およびＡｒ^X3は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^X2およびＡｒ^X4は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^X2およびＡｒ^X4が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^X1、Ｒ^X2およびＲ^X3は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^X2およびＲ^X3が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
［３］前記架橋基を有する構成単位が、架橋基Ａ群から選ばれる少なくとも１種の架橋基を有する構成単位である、［２］に記載の発光素子の駆動方法。

（架橋基Ａ群）

［式中、Ｒ^ＸＬは、メチレン基、酸素原子または硫黄原子を表し、ｎ^ＸＬは、０〜５の整数を表す。Ｒ^ＸＬが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、ｎ^ＸＬが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。＊１は結合位置を表す。これらの架橋基は置換基を有していてもよい。］
［４］前記架橋基を有する構成単位が、式（２）で表される構成単位または（３）で表される構成単位である、［３］に記載の発光素子の駆動方法。

［式中、
ｎＡは０〜５の整数を表し、ｎは１または２を表す。
Ａｒ^１は、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｌ^Ａは、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、−ＮＲ’−で表される基、酸素原子または硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ’は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｌ^Ａが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｘは、架橋基Ａ群から選ばれる架橋基を表す。Ｘが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

［式中、
ｍＡは０〜５の整数を表し、ｍは１〜４の整数を表し、ｃは０または１の整数を表す。ｍＡが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ^３は、芳香族炭化水素基、複素環基、または、少なくとも１種の芳香族炭化水素環と少なくとも１種の複素環とが直接結合した基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^２およびＡｒ^４は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^２、Ａｒ^３およびＡｒ^４はそれぞれ、当該基が結合している窒素原子に結合している当該基以外の基と、直接または酸素原子もしくは硫黄原子を介して結合して、環を形成していてもよい。
Ｋ^Ａは、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、−ＮＲ’−で表される基、酸素原子または硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ’は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｋ^Ａが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｘ’は、架橋基Ａ群から選ばれる架橋基、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。但し、少なくとも１つのＸ’は、架橋基Ａ群から選ばれる架橋基である。］
［５］前記式（Ｘ）で表される構成単位と、前記架橋基を有する構成単位とを含む高分子化合物が、式（Ｙ）で表される構成単位を更に含む、［２］〜［４］のいずれかに記載の発光素子の駆動方法。

［式中、Ａｒ^Y1は、アリーレン基、２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
［６］前記架橋材料が、
式（３）で表される構成単位を含む高分子化合物である、［１］に記載の発光素子の駆動方法。

［式中、
ｍＡは０〜５の整数を表し、ｍは１〜４の整数を表し、ｃは０または１の整数を表す。ｍＡが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ^３は、芳香族炭化水素基、複素環基、または、少なくとも１種の芳香族炭化水素環と少なくとも１種の複素環とが直接結合した基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^２およびＡｒ^４は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^２、Ａｒ^３およびＡｒ^４はそれぞれ、当該基が結合している窒素原子に結合している当該基以外の基と、直接または酸素原子もしくは硫黄原子を介して結合して、環を形成していてもよい。
Ｋ^Ａは、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、−ＮＲ’−で表される基、酸素原子または硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ’は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｋ^Ａが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｘ’は、上記架橋基Ａ群から選ばれる架橋基、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。但し、少なくとも１つのＸ’は、上記架橋基Ａ群から選ばれる架橋基である。］
［７］前記式（３）で表される構成単位を含む高分子化合物が、上記式（Ｙ）で表される構成単位を更に含む、［６］に記載の発光素子の駆動方法。
［８］前記架橋材料が、
式（Ｚ）で表される低分子化合物である、［１］に記載の発光素子の製造方法。

［式中、
ｍ^Ｂ１およびｍ^Ｂ２は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。複数存在するｍ^Ｂ１は、同一でも異なっていてもよい。
ｎ^Ｂ１は０以上の整数を表す。ｎ^Ｂ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ^５は、芳香族炭化水素基、複素環基、または、少なくとも１種の芳香族炭化水素環と少なくとも１種の複素環とが直接結合した基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^５が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｌ^Ｂ１は、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、−ＮＲ’−で表される基、酸素原子または硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ’は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｌ^Ｂ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｘ’’は、上記架橋基Ａ群から選ばれる架橋基、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＸ’’は、同一でも異なっていてもよい。但し、複数存在するＸ’’のうち、少なくとも１つは、上記架橋基Ａ群から選ばれる架橋基である。］
［９］前記第１の電圧が順バイアス電圧であり、前記第２の電圧が逆バイアス電圧であり、第１の電圧および第２の電圧の極性が異なる、［１］〜［８］のいずれかに記載の発光素子の駆動方法。
［１０］前記第２の電圧が、−１５Ｖ以上０Ｖ未満である、［９］に記載の発光素子の駆動方法。
［１１］前記パルス電圧の周波数が、０．１Ｈｚ以上１００Ｈｚ以下である、［１］〜［１０］のいずれかに記載の発光素子の駆動方法。
［１２］前記第１の電圧のパルス幅：Ｔ１と、前記第２の電圧のパルス幅：Ｔ２とが、式（１−１）を満たす、［１］〜［１１］のいずれかに記載の発光素子の駆動方法。

０．０５≦Ｔ１／（Ｔ１＋Ｔ２）≦０．９５ （１−１）

［１３］陽極と、
陰極と、
陽極および陰極の間に設けられた発光層と、
陽極および発光層の間に設けられ、架橋材料の架橋体を含有する正孔輸送層とを有する発光素子と、
発光素子の発光開始電圧以上の第１の電圧と、発光素子の発光開始電圧未満の第２の電圧とを交互にスイッチングさせたパルス電圧により駆動する駆動装置とを備える発光装置。

本発明によれば、発光素子の駆動方法であって、輝度寿命に優れる駆動方法を提供することができる。また、本発明によれば、発光素子と、該駆動方法のための駆動装置とを備える発光装置を提供することができる。

本発明の発光素子の駆動方法におけるパルス電圧の波形を示したものである。

以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。

＜共通する用語の説明＞
本明細書で共通して用いられる用語は、特記しない限り、以下の意味である。

Meはメチル基、Etはエチル基、Buはブチル基、i-Prはイソプロピル基、t-Buはtert-ブチル基を表す。

水素原子は、重水素原子であっても、軽水素原子であってもよい。

金属錯体を表す式中、中心金属との結合を表す実線は、共有結合または配位結合を意味する。

「高分子化合物」とは、分子量分布を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が１×10³〜１×10⁸である重合体を意味する。

「低分子化合物」とは、分子量分布を有さず、分子量が１×10⁴以下の化合物を意味する。

「構成単位」とは、高分子化合物中に１個以上存在する単位を意味する。

「アルキル基」は、直鎖および分岐のいずれでもよい。直鎖のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜50であり、好ましくは３〜30であり、より好ましくは４〜20である。分岐のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜50であり、好ましくは３〜30であり、より好ましくは４〜20である。
アルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、2-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、2-エチルブチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基、3-プロピルヘプチル基、デシル基、3,7-ジメチルオクチル基、2-エチルオクチル基、2-ヘキシルデシル基、ドデシル基、および、これらの基における水素原子が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられ、例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、3-フェニルプロピル基、3-(4-メチルフェニル）プロピル基、3-(3,5-ジ-ヘキシルフェニル)プロピル基、6-エチルオキシヘキシル基が挙げられる。
「シクロアルキル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜50であり、好ましくは３〜30であり、より好ましくは４〜20である。
シクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基が挙げられる。

「アリール基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。アリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜60であり、好ましくは６〜20であり、より好ましくは６〜10である。
アリール基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、1-ピレニル基、2-ピレニル基、4-ピレニル基、2-フルオレニル基、3-フルオレニル基、4-フルオレニル基、2-フェニルフェニル基、3-フェニルフェニル基、4-フェニルフェニル基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。

「アルコキシ基」は、直鎖および分岐のいずれでもよい。直鎖のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜40であり、好ましくは４〜10である。分岐のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜40であり、好ましくは４〜10である。
アルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、tert-ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、3,7-ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、および、これらの基における水素原子が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。
「シクロアルコキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜40であり、好ましくは４〜10である。
シクロアルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、シクロヘキシルオキシ基が挙げられる。

「アリールオキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜60であり、好ましくは６〜48である。
アリールオキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェノキシ基、1-ナフチルオキシ基、2-ナフチルオキシ基、1-アントラセニルオキシ基、9-アントラセニルオキシ基、1-ピレニルオキシ基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。

「ｐ価の複素環基」（ｐは、１以上の整数を表す。）とは、複素環式化合物から、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。ｐ価の複素環基の中でも、芳香族複素環式化合物から、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団である「ｐ価の芳香族複素環基」が好ましい。
「芳香族複素環式化合物」は、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、ジベンゾホスホール等の複素環自体が芳香族性を示す化合物、および、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、ベンゾピラン等の複素環自体は芳香族性を示さなくとも、複素環に芳香環が縮環されている化合物を意味する。

１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２〜60であり、好ましくは４〜20である。
１価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、ピペリジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基等で置換された基が挙げられる。

「ハロゲン原子」とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を示す。

「アミノ基」は、置換基を有していてもよく、置換アミノ基が好ましい。アミノ基が有する置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基が好ましい。
置換アミノ基としては、例えば、ジアルキルアミノ基、ジシクロアルキルアミノ基およびジアリールアミノ基が挙げられる。
アミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ビス(4-メチルフェニル)アミノ基、ビス(4-tert-ブチルフェニル)アミノ基、ビス(3,5-ジ-tert-ブチルフェニル)アミノ基が挙げられる。

「アルケニル基」は、直鎖および分岐のいずれでもよい。直鎖のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜30であり、好ましくは３〜20である。分岐のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜30であり、好ましくは４〜20である。
「シクロアルケニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜30であり、好ましくは４〜20である。
アルケニル基およびシクロアルケニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、ビニル基、1-プロペニル基、2-プロペニル基、2-ブテニル基、3-ブテニル基、3-ペンテニル基、4-ペンテニル基、1-ヘキセニル基、5-ヘキセニル基、7-オクテニル基、および、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。

「アルキニル基」は、直鎖および分岐のいずれでもよい。アルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常２〜20であり、好ましくは３〜20である。分岐のアルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４〜30であり、好ましくは４〜20である。
「シクロアルキニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４〜30であり、好ましくは４〜20である。
アルキニル基およびシクロアルキニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、エチニル基、1-プロピニル基、2-プロピニル基、2-ブチニル基、3-ブチニル基、3-ペンチニル基、4-ペンチニル基、1-ヘキシニル基、5-ヘキシニル基、および、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。

「アリーレン基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。アリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、６〜60であり、好ましくは６〜30であり、より好ましくは６〜18である。
アリーレン基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、ナフタセンジイル基、フルオレンジイル基、ピレンジイル基、ペリレンジイル基、クリセンジイル基、および、これらの基が置換基を有する基が挙げられ、好ましくは、式(A-1)〜式(A-20)で表される基である。アリーレン基は、これらの基が複数結合した基を含む。

［式中、ＲおよびＲ^aは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表す。複数存在するＲおよびＲ^aは、各々、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^a同士は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。］

２価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２〜60であり、好ましくは、３〜20であり、より好ましくは、４〜15である。
２価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、ピリジン、ジアザベンゼン、トリアジン、アザナフタレン、ジアザナフタレン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾシロール、フェノキサジン、フェノチアジン、アクリジン、ジヒドロアクリジン、フラン、チオフェン、アゾール、ジアゾール、トリアゾールから、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうち２個の水素原子を除いた２価の基が挙げられ、好ましくは、式(AA-1)〜式(AA-34)で表される基である。２価の複素環基は、これらの基が複数結合した基を含む。

［式中、ＲおよびＲ^aは、前記と同じ意味を表す。］

「架橋基」とは、加熱、紫外線照射、近紫外線照射、可視光照射、赤外線照射、ラジカル反応等に供することにより、新たな結合を生成することが可能な基であり、好ましくは、架橋基Ａ群の式(XL-1)〜(XL-17)で表される架橋基である。

「置換基」とは、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、置換アミノ基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基またはシクロアルキニル基を表す。置換基は架橋基であってもよい。

本発明は、
陽極と、陰極と、陽極および陰極の間に設けられた発光層と、陽極および発光層の間に設けられ、架橋材料の架橋体を含有する正孔輸送層とを有する発光素子を、
発光素子の発光開始電圧以上の第１の電圧と、発光素子の発光開始電圧未満の第２の電圧とを交互にスイッチングさせたパルス電圧により駆動する、発光素子の駆動方法である。

＜駆動方法＞
発光素子の発光開始電圧は、通常、２Ｖ〜４Ｖである。すなわち、発光素子の発光開始電圧以上の第１の電圧は、順バイアス電圧である。

発光素子の発光開始電圧未満の第２の電圧は、発光素子の発光開始電圧未満であれば、順バイアス電圧であっても逆バイアス電圧であってもよいが、本発明の駆動方法により駆動される発光素子の輝度寿命がより優れるので、逆バイアス電圧であることが好ましい。

本発明の駆動方法により駆動される発光素子の輝度寿命がより優れるので、第１の電圧が順バイアス電圧であり、第２の電圧が逆バイアス電圧であり、第１の電圧および第２の電圧の極性が異なることが好ましい。

第２の電圧は、本発明の駆動方法により駆動される発光素子の輝度寿命がより優れるので、−１５Ｖ以上０Ｖ未満であることが好ましく、−１０Ｖ以上―５Ｖ以下であることがより好ましい。

第１の電圧と、第２の電圧とを交互にスイッチングさせたパルス電圧の波形は、通常、矩形波である。

パルス電圧の周波数は、本発明の駆動方法により駆動される発光素子の輝度寿命がより優れるので、０．１Ｈｚ以上１００Ｈｚ以下であることが好ましい。

第１の電圧のパルス幅：Ｔ１は、通常、０．５ｍｓｅｃ〜９５００ｍｓｅｃであり、好ましくは５ｍｓｅｃ〜９０００ｍｓｅｃである。

第２の電圧のパルス幅：Ｔ２は、通常、０．５ｍｓｅｃ〜９５００ｍｓｅｃであり、好ましくは５ｍｓｅｃ〜５００ｍｓｅｃである。

第１の電圧のパルス幅：Ｔ１と、第２の電圧のパルス幅：Ｔ２とは、本発明の駆動方法により駆動される発光素子の輝度寿命がより優れるので、式（１−１）を満たすことが好ましいく、式（１−２）を満たすことがより好ましく、式（１−３）を満たすことが更に好ましい。

０．０５≦Ｔ１／（Ｔ１＋Ｔ２）≦０．９５ （１−１）
０．５０≦Ｔ１／（Ｔ１＋Ｔ２）≦０．９５ （１−２）
０．７５≦Ｔ１／（Ｔ１＋Ｔ２）≦０．９０ （１−３）

＜発光層＞
発光層は、発光材料を含有する層である。発光層に含有される発光材料は、１種のみ含有されていても、２種以上含有されていてもよい。

［発光材料］
発光材料は、蛍光発光材料と、燐光発光材料とに分類される。発光材料は、架橋基を有していてもよい。

［蛍光発光材料］
低分子化合物である蛍光発光材料としては、例えば、ナフタレンおよびその誘導体、アントラセンおよびその誘導体、ペリレンおよびその誘導体が挙げられる。

高分子化合物である蛍光発光材料としては、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、フルオレンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、後述する式（Ｘ）で表される基、カルバゾールジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基、アントラセンジイル基、ピレンジイル基等を含む高分子化合物が挙げられる。

高分子化合物である蛍光発光材料は、式（Ｘ）で表される構成単位および式（Ｙ）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む高分子化合物であることが好ましく、式（Ｘ）で表される構成単位および式（Ｙ）で表される構成単位を含む高分子化合物であることがより好ましい。

［式（Ｘ）で表される構成単位］

ａ^X1は、発光素子の発光効率が優れるので、好ましくは２以下の整数であり、より好ましくは１である。

ａ^X2は、発光素子の発光効率が優れるので、好ましくは２以下の整数であり、より好ましくは０である。

Ｒ^X1、Ｒ^X2およびＲ^X3は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^X1およびＡｒ^X3で表されるアリーレン基は、より好ましくは式(A-1)または式(A-9)で表される基であり、更に好ましくは式(A-1)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^X1およびＡｒ^X3で表される２価の複素環基は、より好ましくは式(AA-1)、式(AA-2)または式(AA-7)-(AA-26)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^X1およびＡｒ^X3は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。

Ａｒ^X2およびＡｒ^X4で表されるアリーレン基としては、より好ましくは式(A-1)、式(A-6)、式(A-7)、式(A-9)-(A-11)または式(A-19)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^X2およびＡｒ^X4で表される２価の複素環基のより好ましい範囲は、Ａｒ^X1およびＡｒ^X3で表される２価の複素環基のより好ましい範囲と同じである。

Ａｒ^X2およびＡｒ^X4で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、Ａｒ^X1およびＡｒ^X3で表されるアリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲と同様である。

Ａｒ^X2およびＡｒ^X4で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基としては、例えば、下記式で表される基が挙げられ、これらは置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^XXは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^XXは、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^X2およびＡｒ^X4は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。

Ａｒ^X1〜Ａｒ^X4およびＲ^X1〜Ｒ^X3で表される基が有してもよい置換基としては、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

式(Ｘ)で表される構成単位は、好ましくは式(X-1)-(X-7)で表される構成単位であり、より好ましくは式(X-1)-(X-6)で表される構成単位であり、更に好ましくは式(X-3)-(X-6)で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^X4およびＲ^X5は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基またはシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^X4は、同一でも異なっていてもよい。複数存在するＲ^X5は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^X5同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］

式(Ｘ)で表される構成単位は、発光素子の正孔輸送性が優れるので、高分子化合物中に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.1〜50モル％であり、より好ましくは１〜40モル％であり、更に好ましくは５〜30モル％である。

式(Ｘ)で表される構成単位としては、例えば、式(X1-1)-(X1-11)で表される構成単位が挙げられ、好ましくは式(X1-3)-(X1-10)で表される構成単位である。

式(Ｘ)で表される構成単位は、高分子化合物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。

［式（Ｙ）で表される構成単位］

Ａｒ^Y1で表されるアリーレン基は、より好ましくは、式(A-1)、式(A-2)、式(A-6)-(A-10)、式(A-19)または式(A-20)で表される基であり、更に好ましくは、式(A-1)、式(A-2)、式(A-7)、式(A-9)または式(A-19)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Y1で表される２価の複素環基は、より好ましくは、式(AA-1)-(AA-4)、式(AA-10)-(AA-15)、式(AA-18)-(AA-21)、式(AA-33)または式(AA-34)で表される基であり、更に好ましくは、式(AA-4)、式(AA-10)、式(AA-12)、式(AA-14)または式(AA-33)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Y1で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、前述のＡｒ^Y1で表されるアリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲と同様である。

Ａｒ^Y1で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基としては、式(Ｘ)のＡｒ^X2およびＡｒ^X4で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基と同様のものが挙げられる。

Ａｒ^Y1で表される基が有してもよい置換基は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

式(Ｙ)で表される構成単位としては、例えば、式(Y-1)-(Y-10)で表される構成単位が挙げられ、発光素子の輝度寿命の観点からは、好ましくは式(Y-1)-(Y-3)で表される構成単位であり、発光素子の電子輸送性の観点からは、好ましくは式(Y-4)-(Y-7)で表される構成単位であり、発光素子の発光効率および正孔輸送性の観点からは、好ましくは式(Y-8)-(Y-10)で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^Y1は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Y1は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^Y1同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］

Ｒ^Y1は、好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式(Y-1)で表される構成単位は、好ましくは、式(Y-1')で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^Y11は、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Y11は、同一でも異なっていてもよい。］

Ｒ^Y11は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、より好ましくは、アルキル基またはシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、
Ｒ^Y1は、前記と同じ意味を表す。
Ｘ^Y1は、−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−、−Ｃ(Ｒ^Y2)＝Ｃ(Ｒ^Y2)−または−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−で表される基を表す。Ｒ^Y2は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Y2は、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^Y2同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］

Ｒ^Y2は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Y1において、−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−で表される基中の２個のＲ^Y2の組み合わせは、好ましくは両方がアルキル基もしくはシクロアルキル基、両方がアリール基、両方が１価の複素環基、または、一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基で他方がアリール基若しくは１価の複素環基であり、より好ましくは一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。２個存在するＲ^Y2は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、Ｒ^Y2が環を形成する場合、−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−で表される基としては、好ましくは式(Y-A1)-(Y-A5)で表される基であり、より好ましくは式(Y-A4)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Y1において、−Ｃ(Ｒ^Y2)＝Ｃ(Ｒ^Y2)−で表される基中の２個のＲ^Y2の組み合わせは、好ましくは両方がアルキル基もしくはシクロアルキル基、または、一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Y1において、−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−で表される基中の４個のＲ^Y2は、好ましくは置換基を有していてもよいアルキル基またはシクロアルキル基である。複数あるＲ^Y2は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、Ｒ^Y2が環を形成する場合、−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−で表される基は、好ましくは式(Y-B1)-(Y-B5)で表される基であり、より好ましくは式(Y-B3)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^Y2は前記と同じ意味を表す。］

式(Y-2)で表される構成単位は、式(Y-2')で表される構成単位であることが好ましい。

［式中、Ｒ^Y1およびＸ^Y1は、前記と同じ意味を表す。］

［式中、Ｒ^Y1およびＸ^Y1は、前記と同じ意味を表す。］

式(Y-3)で表される構成単位は、式(Y-3')で表される構成単位であることが好ましい。

［式中、Ｒ^Y11およびＸ^Y1は、前記と同じ意味を表す。］

［式中、
Ｒ^Y1は、前記と同じ意味を表す。
Ｒ^Y3は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^Y3は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式(Y-4)で表される構成単位は、式(Y-4')で表される構成単位であることが好ましく、式(Y-6)で表される構成単位は、式(Y-6')で表される構成単位であることが好ましい。

［式中、Ｒ^Y1およびＲ^Y3は、前記と同じ意味を表す。］

［式中、
Ｒ^Y1は、前記を同じ意味を表す。
Ｒ^Y4は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^Y4は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式(Ｙ)で表される構成単位としては、例えば、式(Y-101)-(Y-121)で表されるアリーレン基からなる構成単位、式(Y-201)-(Y-206)で表される２価の複素環基からなる構成単位、式(Y-301)-(Y-304)で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基からなる構成単位が挙げられる。

式(Ｙ)で表される構成単位であって、Ａｒ^Y1がアリーレン基である構成単位は、発光素子の輝度寿命が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.5〜90モル％であり、より好ましくは30〜80モル％である。

式(Ｙ)で表される構成単位であって、Ａｒ^Y1が２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基である構成単位は、発光素子の発光効率、正孔輸送性または電子輸送性が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.5〜50モル％であり、より好ましくは３〜30モル％である。

式(Ｙ)で表される構成単位は、高分子化合物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。

蛍光発光材料である高分子化合物としては、例えば、表１に示す高分子化合物(P-101)〜(P-107)が挙げられる。ここで、その他の構成単位とは、式（Ｙ）で表される構成単位、式（Ｘ）で表される構成単位以外の構成単位を意味する。

［表中、ｐ、ｑ、ｒ、ｓおよびｔは、各構成単位のモル比率を示す。ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＋ｔ＝100であり、かつ、100≧ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ≧70である。］

高分子化合物(P-101)〜(P-107)における、式（Ｙ）および式（Ｘ）で表される構成単位の例および好ましい範囲は、上述のとおりである。

蛍光発光材料である高分子化合物としては、
式（Ｙ−８）で表される構成単位、式（Ｙ−９）で表される構成単位および式（Ｙ−１０）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む高分子化合物であることが好ましく、
式（Ｙ−８）で表される構成単位および式（Ｙ−９）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む高分子化合物であることがより好ましく、
式（Ｙ−８）で表される構成単位を含む高分子化合物であることが更に好ましい。

また、蛍光発光材料である高分子化合物としては、
式（Ｙ−８）で表される構成単位、式（Ｙ−９）で表される構成単位および式（Ｙ−１０）で表される構成単位以外の構成単位として、
式（Ｙ−１）で表される構成単位、式（Ｙ−２）で表される構成単位、式（Ｙ−３）で表される構成単位および式（Ｘ）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む高分子化合物であることが好ましく、
式（Ｙ−１）で表される構成単位、式（Ｙ−２）で表される構成単位および式（Ｘ）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む高分子化合物であることがより好ましく、
式（Ｙ−２）で表される構成単位および式（Ｘ）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む高分子化合物であることが更に好ましく、
式（Ｙ−２）で表される構成単位および式（Ｘ）で表される構成単位を含む高分子化合物であることが特に好ましい。

［燐光発光材料］
燐光発光材料としては、イリジウム、白金またはユーロピウムを中心金属とする三重項発光錯体が挙げられる。

三重項発光錯体としては、式Ir-1〜Ir-5で表される金属錯体等のイリジウム錯体が好ましい。

［式中、
Ｒ^D1〜Ｒ^D8、Ｒ^D11〜Ｒ^D20、Ｒ^D21〜Ｒ^D26およびＲ^D31〜Ｒ^D37は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^D1〜Ｒ^D8、Ｒ^D11〜Ｒ^D20、Ｒ^D21〜Ｒ^D26およびＲ^D31〜Ｒ^D37が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
−Ａ^D1---Ａ^D2−は、アニオン性の２座配位子を表し、Ａ^D1およびＡ^D2は、それぞれ独立に、イリジウム原子と結合する炭素原子、酸素原子または窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。−Ａ^D1---Ａ^D2−が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ｎ_D1は、１、２または３を表し、ｎ_D2は、１または２を表す。］

式Ir-1で表される金属錯体において、Ｒ^D1〜Ｒ^D8の少なくとも１つは、好ましくは、式(D-A)で表される基である。

式Ir-2で表される金属錯体において、好ましくはＲ^D11〜Ｒ^D20の少なくとも１つは式(D-A)で表される基である。

式Ir-3で表される金属錯体において、好ましくはＲ^D1〜Ｒ^D8およびＲ^D11〜Ｒ^D20の少なくとも１つは式(D-A)で表される基である。

式Ir-4で表される金属錯体において、好ましくはＲ²¹〜Ｒ^D26の少なくとも１つは式(D-A)で表される基である。

式Ir-5で表される金属錯体において、好ましくはＲ^D31〜Ｒ^D37の少なくとも１つは式(D-A)で表される基である。

［式中、
ｍ^DA1、ｍ^DA2およびｍ^DA3は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
Ｇ^DAは、窒素原子、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2およびＡｒ^DA3は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2およびＡｒ^DA3が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｔ^DAは、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＴ^DAは、同一でも異なっていてもよい。］

ｍ^DA1、ｍ^DA2およびｍ^DA3は、通常10以下の整数であり、好ましくは5以下の整数であり、より好ましくは0または1である。ｍ^DA1、ｍ^DA2およびｍ^DA3は、同一の整数であることが好ましい。

Ｇ^DAは、好ましくは式(GDA-11)〜(GDA-15)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、
＊、＊＊および＊＊＊は、各々、Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2、Ａｒ^DA3との結合を表す。
Ｒ^DAは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は更に置換基を有していてもよい。Ｒ^DAが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

Ｒ^DAは、好ましくは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基またはシクロアルコキシ基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基またはシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2およびＡｒ^DA3は、好ましくは式(ArDA-1)〜(ArDA-3)で表される基である。

［式中、
Ｒ^DAは前記と同じ意味を表す。
Ｒ^DBは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^DBが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

Ｔ^DAは、好ましくは式(TDA-1)〜(TDA-3)で表される基である。

［式中、Ｒ^DAおよびＲ^DBは前記と同じ意味を表す。］

式(D-A)で表される基は、好ましくは式(D-A1)〜(D-A3)で表される基である。

［式中、
Ｒ^p1、Ｒ^p2およびＲ^p3は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基またはハロゲン原子を表す。Ｒ^p1およびＲ^p2が複数ある場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
ｎｐ１は、０〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０または１を表す。複数あるｎｐ１は、同一でも異なっていてもよい。］

ｎｐ１は、好ましくは０〜３の整数であり、より好ましくは１〜３の整数であり、更に好ましくは１である。ｎｐ２は、好ましくは０または１であり、より好ましくは０である。ｎｐ３は好ましくは０である。

Ｒ^p1、Ｒ^p2およびＲ^p3は、好ましくはアルキル基またはシクロアルキル基である。

−Ａ^D1---Ａ^D2−で表されるアニオン性の２座配位子としては、例えば、下記式で表される配位子が挙げられる。

［式中、＊は、Ｉｒと結合する部位を表す。］

式Ir-1で表される金属錯体としては、好ましくは式Ir-11〜Ir-13で表される金属錯体である。式Ir-2で表される金属錯体としては、好ましくは式Ir-21で表される金属錯体である。式Ir-3で表される金属錯体としては、好ましくは式Ir-31〜Ir-33で表される金属錯体である。式Ir-4で表される金属錯体としては、好ましくは式Ir-41〜Ir-43で表される金属錯体である。式Ir-5で表される金属錯体としては、好ましくは式Ir-51〜Ir-53で表される金属錯体である。

［式中、
ｎ_D2は、１または２を表す。
Dは、式(D-A)で表される基を表す。複数存在するDは、同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^ＤＣは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^ＤＣは、同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^ＤＤは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^ＤＤは、同一でも異なっていてもよい。］

三重項発光錯体としては、例えば、以下に示す金属錯体が挙げられる。

燐光発光材料は、正孔輸送性、正孔注入性、電子輸送性および電子注入性からなる群から選ばれる少なくとも１つの機能を有するホスト材料と併用することで、発光素子の発光効率が優れたものとなる。すなわち、発光層が燐光発光材料を含有する場合、発光層は、燐光発光材料とホスト材料とを含有することが好ましい。
発光層がホスト材料を含有される場合、ホスト材料は、１種単独で含有されていてもよく、２種以上含有されていてもよい。

発光層が、燐光発光材料とホスト材料とを含有する場合、燐光発光材料の含有量は、燐光発光材料とホスト材料との合計含有量を100重量部とした場合、通常、0.05〜80重量部であり、好ましくは0.1〜50重量部であり、より好ましくは0.5〜40重量部である。

ホスト材料の有する最低励起三重項状態(Ｔ₁)は、発光素子の発光効率が優れるので、燐光発光材料の有するＴ₁と同等のエネルギー準位、または、より高いエネルギー準位であることが好ましい。

ホスト材料は、低分子化合物（以下、「低分子ホスト」ともいう。）と高分子化合物（以下、「高分子ホスト」ともいう。）に分類され、低分子ホストおよび高分子ホストのいずれであってもよいが、高分子ホストであることが好ましい。

低分子ホストとしては、例えば、カルバゾール構造を有する化合物、トリアリールアミン構造を有する化合物、フェナントロリン構造を有する化合物、トリアリールトリアジン構造を有する化合物、アゾール構造を有する化合物、ベンゾチオフェン構造を有する化合物、ベンゾフラン構造を有する化合物、フルオレン構造を有する化合物、スピロフルオレン構造を有する化合物等が挙げられる。

低分子ホストの具体例としては、下記式で表される化合物が挙げられる。

高分子ホストとしては、前述した式（Ｘ）で表される構成単位および式（Ｙ）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む高分子化合物が好ましい。

これらの中でも、高分子ホストとしては、
式（Ｙ−４）で表される構成単位、式（Ｙ−５）で表される構成単位、式（Ｙ−６）で表される構成単位および式（Ｙ−７）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む高分子化合物であることが好ましく、
式（Ｙ−４）で表される構成単位および式（Ｙ−６）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む高分子化合物であることがより好ましく、
式（Ｙ−４）で表される構成単位を含む高分子化合物であることが更に好ましい。

また、高分子ホストとしては、式（Ｙ−４）で表される構成単位、式（Ｙ−５）で表される構成単位、式（Ｙ−６）で表される構成単位および式（Ｙ−７）で表される構成単位以外の構成単位として、
式（Ｙ−１）で表される構成単位、式（Ｙ−２）で表される構成単位、式（Ｙ−３）で表される構成単位および式（Ｘ）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む高分子化合物であることが好ましく、
式（Ｙ−１）で表される構成単位、式（Ｙ−２）で表される構成単位および式（Ｘ）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む高分子化合物であることがより好ましい。

［蛍光発光材料である高分子化合物および高分子ホストの製造方法］
蛍光発光材料である高分子化合物および高分子ホストは、ケミカルレビュー(Chem. Rev.)，第109巻，897-1091頁(2009年)等に記載の公知の重合方法を用いて製造することができ、Suzuki反応、Yamamoto反応、Buchwald反応、Stille反応、Negishi反応およびKumada反応等の遷移金属触媒を用いるカップリング反応により重合させる方法が例示される。

前記重合方法において、単量体を仕込む方法としては、単量体全量を反応系に一括して仕込む方法、単量体の一部を仕込んで反応させた後、残りの単量体を一括、連続または分割して仕込む方法、単量体を連続または分割して仕込む方法等が挙げられる。

遷移金属触媒としては、パラジウム触媒、ニッケル触媒等が挙げられる。

重合反応の後処理は、公知の方法、例えば、分液により水溶性不純物を除去する方法、メタノール等の低級アルコールに重合反応後の反応液を加えて、析出させた沈殿をろ過した後、乾燥させる方法等を単独または組み合わせて行う。高分子化合物の純度が低い場合、例えば、再結晶、再沈殿、ソックスレー抽出器による連続抽出、カラムクロマトグラフィー等の通常の方法にて精製することができる。

［発光層の組成物］
発光層は、前述の発光材料と、前述のホスト材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料および酸化防止剤からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料とを含む組成物（以下、「発光層の組成物」ともいう。）を含有する層であってもよい。

［正孔輸送材料］
正孔輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類され、好ましくは高分子化合物である。正孔輸送材料は、架橋基を有していてもよい。

高分子化合物としては、例えば、ポリビニルカルバゾールおよびその誘導体；側鎖または主鎖に芳香族アミン構造を有するポリアリーレンおよびその誘導体が挙げられる。高分子化合物は、電子受容性部位が結合された化合物でもよい。電子受容性部位としては、例えば、フラーレン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン、トリニトロフルオレノン等が挙げられ、好ましくはフラーレンである。

発光層の組成物において、正孔輸送材料の配合量は、発光材料を100重量部とした場合、通常、1〜400重量部であり、好ましくは5〜150重量部である。

正孔輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［電子輸送材料］
電子輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。電子輸送材料は、架橋基を有していてもよい。

低分子化合物としては、例えば、8-ヒドロキシキノリンを配位子とする金属錯体、オキサジアゾール、アントラキノジメタン、ベンゾキノン、ナフトキノン、アントラキノン、テトラシアノアントラキノジメタン、フルオレノン、ジフェニルジシアノエチレンおよびジフェノキノン、並びに、これらの誘導体が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、ポリフェニレン、ポリフルオレン、および、これらの誘導体が挙げられる。高分子化合物は、金属でドープされていてもよい。

発光層の組成物において、電子輸送材料の配合量は、発光材料を100重量部とした場合、通常、1〜400重量部であり、好ましくは5〜150重量部である。

電子輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［正孔注入材料および電子注入材料］
正孔注入材料および電子注入材料は、各々、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。正孔注入材料および電子注入材料は、架橋基を有していてもよい。

低分子化合物としては、例えば、銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン；カーボン；モリブデン、タングステン等の金属酸化物；フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化セシウム、フッ化カリウム等の金属フッ化物が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリキノリンおよびポリキノキサリン、並びに、これらの誘導体；芳香族アミン構造を主鎖または側鎖に含む重合体等の導電性高分子が挙げられる。

発光層の組成物において、正孔注入材料および電子注入材料の配合量は、各々、発光材料を100重量部とした場合、通常、1〜400重量部であり、好ましくは5〜150重量部である。

電子注入材料および正孔注入材料は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［イオンドープ］
正孔注入材料または電子注入材料が導電性高分子を含む場合、導電性高分子の電気伝導度は、好ましくは、１×10^-5S/cm〜１×10³S/cmである。導電性高分子の電気伝導度をかかる範囲とするために、導電性高分子に適量のイオンをドープすることができる。

ドープするイオンの種類は、正孔注入材料であればアニオン、電子注入材料であればカチオンである。アニオンとしては、例えば、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンが挙げられる。カチオンとしては、例えば、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンが挙げられる。

ドープするイオンは、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［酸化防止剤］
酸化防止剤は、発光材料と同じ溶媒に可溶であり、発光および電荷輸送を阻害しない化合物であればよく、例えば、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤が挙げられる。

発光層の組成物において、酸化防止剤の配合量は、発光材料を100重量部とした場合、通常、0.001〜10重量部である。

酸化防止剤は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［発光層のインク］
発光材料と、溶媒とを含有する発光層の組成物（以下、「発光層のインク」ともいう。）は、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、キャピラリ−コート法、ノズルコート法等の塗布法に好適に使用することができる。

発光層のインクの粘度は、塗布法の種類によって調整すればよいが、インクジェット印刷法等の溶液が吐出装置を経由する印刷法に適用する場合には、吐出時の目づまりと飛行曲がりが起こりづらいので、好ましくは25℃において１〜20mPa・sである。

発光層のインクに含有される溶媒は、好ましくは、インク中の固形分を溶解または均一に分散できる溶媒である。溶媒としては、例えば、1,2-ジクロロエタン、1,1,2-トリクロロエタン、クロロベンゼン、o-ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒；THF、ジオキサン、アニソール、4-メチルアニソール等のエーテル系溶媒；トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、n-ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、n-ペンタン、n-ヘキサン、n-へプタン、n-オクタン、n-ノナン、n-デカン、n-ドデカン、ビシクロヘキシル等の脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒；エチレングリコール、グリセリン、1,2-ヘキサンジオール等の多価アルコール系溶媒；イソプロピルアルコール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が挙げられる。溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

発光層のインクにおいて、溶媒の配合量は、発光材料を100重量部とした場合、通常、1000〜100000重量部であり、好ましくは2000〜20000重量部である。

＜正孔輸送層＞
正孔輸送層は、架橋材料の架橋体を含有する。ここで、架橋材料の架橋体とは、架橋材料が、分子内もしくは分子間、または、分子内および分子間で架橋した架橋体である。正孔輸送層に含有される架橋材料の架橋体は、架橋材料と、他の化合物とが、分子間で架橋した架橋体であってもよい。

正孔輸送層に含有される架橋材料の架橋体は、高分子化合物（以下、「正孔輸送層の高分子化合物」ともいう。）の架橋体であっても、低分子化合物（以下、「正孔輸送層の低分子化合物」ともいう。）の架橋体であってもよいが、発光素子の製造が容易になるため、高分子化合物の架橋体であることが好ましい。

正孔輸送層の高分子化合物の架橋体を含有する層は、正孔輸送層の高分子化合物を含有する層を、加熱、光照射等の外部刺激により架橋させて得られる層である。正孔輸送層の高分子化合物の架橋体を含有する層は、溶媒に対して実質的に不溶化されているため、後述する発光素子の積層化に好適に使用することができる。

正孔輸送層の低分子化合物の架橋体を含有する層は、正孔輸送層の低分子化合物を含有する層を、加熱、光照射等の外部刺激により架橋させて得られる層である。正孔輸送層の低分子化合物の架橋体を含有する層は、溶媒に対して実質的に不溶化されているため、後述する発光素子の積層化に好適に使用することができる。

［正孔輸送層の高分子化合物］
正孔輸送層の高分子化合物は、発光素子の輝度寿命が優れるので、式（Ｘ）で表される構成単位と、架橋基を有する構成単位とを含む高分子化合物（以下、「正孔輸送層の第１の高分子化合物」ともいう。）、または、式（３）で表される構成単位を含む高分子化合物（以下、「正孔輸送層の第２の高分子化合物」ともいう。）であることが好ましい。

［式（Ｘ）で表される構成単位］
正孔輸送層の第１の高分子化合物に含まれる式（Ｘ）で表される構成単位の定義および例は、蛍光発光材料である高分子化合物に含まれていてもよい式（Ｘ）で表される構成単位の定義および例と同じである。

式（Ｘ）で表される構成単位は、発光素子の輝度寿命が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは20〜90モル％であり、より好ましくは25〜70モル％であり、更に好ましくは30〜50モル％である。

式（Ｘ）で表される構成単位は、正孔輸送層の第１の高分子化合物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。

［架橋基を有する構成単位］
正孔輸送層の第１の高分子化合物に含まれる、架橋基を有する構成単位は、正孔輸送層の第１の高分子化合物の架橋性が優れるので、架橋基Ａ群から選ばれる少なくとも１種の架橋基を有する構成単位であることが好ましく、式(XL-1)、(XL-3)、(XL-5)、(XL-7)、(XL-16)または(XL-17)で表される架橋基を有する構成単位であることがより好ましく、式(XL-1)または式(XL-17)で表される架橋基を有する構成単位であることが更に好ましい。

架橋基を有する構成単位は、後述する式（２）で表される構成単位または式（３）で表される構成単位であることが好ましいが、下記式で表される構成単位であってもよい。

架橋基Ａ群から選ばれる少なくとも１種の架橋基を有する構成単位は、式（２）で表される構成単位または式（３）で表される構成単位であることが好ましい。

［式（２）で表される構成単位］

ｎＡは、発光素子の輝度寿命が優れるので、好ましくは０または１であり、より好ましくは０である。

ｎは、発光素子の輝度寿命が優れるので、好ましくは２である。

Ａｒ^１は、発光素子の輝度寿命が優れるので、好ましくは置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基である。

Ａｒ^１で表される芳香族炭化水素基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜３０であり、より好ましくは６〜１８である。
Ａｒ^１で表される芳香族炭化水素基のｎ個の置換基を除いたアリーレン基部分としては、好ましくは、式(A-1)〜式(A-20)で表される基であり、より好ましくは、式(A-1)、式(A-2)、式(A-6)〜式(A-10)、式(A-19)または式(A-20)で表される基であり、さらに好ましくは、式(A-1)、式(A-2)、式(A-7)、式(A-9)または式(A-19)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^１で表される複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜６０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜１８である。
Ａｒ^１で表される複素環基のｎ個の置換基を除いた２価の複素環基部分としては、好ましくは、式(AA-1)〜式(AA-34)で表される基である。

Ａｒ^１で表される芳香族炭化水素基および複素環基は置換基を有していてもよく、置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基およびシアノ基が挙げられる。

Ｌ^Ａで表されるアルキレン基は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜２０であり、好ましくは１〜１５であり、より好ましくは１〜１０である。Ｌ^Ａで表されるシクロアルキレン基は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜２０である。
アルキレン基およびシクロアルキレン基は、置換基を有していてもよく、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、シクロヘキシレン基、オクチレン基が挙げられる。

Ｌ^Ａで表されるアルキレン基およびシクロアルキレン基は、置換基を有していてもよい。アルキレン基およびシクロアルキレン基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、ハロゲン原子およびシアノ基が挙げられる。

Ｌ^Ａで表されるアリーレン基は、置換基を有していてもよい。アリーレン基としては、ｏ−フェニレン、ｍ−フェニレン、ｐ−フェニレンが挙げられる。アリーレン基が有してもよい置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、ハロゲン原子、シアノ基および架橋基Ａ群から選ばれる架橋基が挙げられる。

Ｌ^Ａは、正孔輸送層の第１の高分子化合物の製造が容易になるため、好ましくはフェニレン基またはアルキレン基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘで表される架橋基としては、正孔輸送層の第１の高分子化合物の架橋性が優れるので、好ましくは式(XL-1)、(XL-3)、(XL-5)、(XL-7)、(XL-16)または(XL-17)で表される架橋基であり、より好ましくは式(XL-1)または式(XL-17)で表される架橋基である。

式（２）で表される構成単位は、正孔輸送層の第１の高分子化合物の安定性および架橋性が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.5〜50モル％であり、より好ましくは3〜30モル％であり、更に好ましくは3〜20モル％である。

式（２）で表される構成単位は、正孔輸送層の第１の高分子化合物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。

［式（３）で表される構成単位］

ｍＡは、発光素子の輝度寿命が優れるので、好ましくは０または１であり、より好ましくは０である。

ｍは、発光素子の輝度寿命が優れるので、好ましくは２である。

ｃは、正孔輸送層の第１の高分子化合物の製造が容易になり、かつ、発光素子の輝度寿命が優れるので、好ましくは０である。

Ａｒ^３は、発光素子の輝度寿命が優れるので、好ましくは置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基である。

Ａｒ^３で表される芳香族炭化水素基のｍ個の置換基を除いたアリーレン基部分の定義や例は、前述した式（Ｘ）におけるＡｒ^X2で表されるアリーレン基の定義や例と同じである。

Ａｒ^３で表される複素環基のｍ個の置換基を除いた２価の複素環基部分の定義や例は、前述した式（Ｘ）におけるＡｒ^X2で表される２価の複素環基部分の定義や例と同じである。

Ａｒ^３で表される少なくとも１種の芳香族炭化水素環と少なくとも１種の複素環が直接結合した基のｍ個の置換基を除いた２価の基の定義や例は、前述した式（Ｘ）におけるＡｒ^X2で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基の定義や例と同じである。

Ａｒ^２およびＡｒ^４は、発光素子の輝度寿命が優れるので、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。

Ａｒ^２およびＡｒ^４で表されるアリーレン基の定義や例は、前述した式（Ｘ）におけるＡｒ^X1およびＡｒ^X3で表されるアリーレン基の定義や例と同じである。

Ａｒ^２およびＡｒ^４で表される２価の複素環基の定義や例は、前述した式（Ｘ）におけるＡｒ^X1およびＡｒ^X3で表される２価の複素環基の定義や例と同じである。

Ａｒ^２、Ａｒ^３およびＡｒ^４で表される基は置換基を有していてもよく、置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基およびシアノ基が挙げられる。

Ｋ^Ａで表されるアルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基の定義や例は、それぞれ、Ｌ^Ａで表されるアルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基の定義や例と同じである。

Ｋ^Ａは、正孔輸送層の第１の高分子化合物の製造が容易になるので、フェニレン基またはメチレン基であることが好ましい。

Ｘ’で表される架橋基としては、正孔輸送層の第１の高分子化合物の架橋性が優れるので、好ましくは式(XL-1)、(XL-3)、(XL-5)、(XL-7)、(XL-16)または(XL-17)で表される架橋基であり、より好ましくは式(XL-1)または式(XL-17)で表される架橋基である。

式（３）で表される構成単位は、正孔輸送層の第１の高分子化合物の安定性が優れ、かつ、正孔輸送層の第１の高分子化合物の架橋性が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.5〜50モル％であり、より好ましくは3〜30モル％であり、更に好ましくは3〜20モル％である。

式（３）で表される構成単位は、正孔輸送層の第１の高分子化合物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。

［式（２）または（３）で表される構成単位の好ましい態様］
式（２）で表される構成単位としては、例えば、式（２−１）〜式（２−３０）で表される構成単位が挙げられ、式（３）で表される構成単位としては、例えば、式（３−１）〜式（３−９）で表される構成単位が挙げられる。これらの中でも、正孔輸送層の第１の高分子化合物の架橋性が優れるので、好ましくは式（２−１）〜式（２−３０）で表される構成単位であり、より好ましくは式（２−１）〜式（２−１５）、式（２−１９）、式（２−２０）、式（２−２３）、式（２−２５）または式（２−３０）で表される構成単位であり、更に好ましくは式（２−１）〜式（２−９）または式（２−３０）で表される構成単位である。

［式（Ｙ）で表される構成単位］
正孔輸送層の第１の高分子化合物は、発光素子の輝度寿命が優れるので、式（Ｙ）で表される構成単位を更に含むことが好ましい。

正孔輸送層の第１の高分子化合物に含まれていてもよい式（Ｙ）で表される構成単位の定義および例は、蛍光発光材料である高分子化合物に含まれていてもよい式（Ｙ）で表される構成単位の定義および例と同じである。

式（Ｙ）で表される構成単位であって、Ａｒ^Y1がアリーレン基である構成単位は、発光素子の輝度寿命が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.5〜80モル％であり、より好ましくは30〜60モル％である。

式（Ｙ）で表される構成単位であって、Ａｒ^Y1が２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基である構成単位は、発光素子の電荷輸送性が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.5〜40モル％であり、より好ましく3〜30モル％である。

式（Ｙ）で表される構成単位は、正孔輸送層の第１の高分子化合物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。

正孔輸送層の第１の高分子化合物としては、例えば、表２に示す高分子化合物(P-201)〜(P-206)が挙げられる。ここで、「その他の構成単位」とは、式（Ｘ）、式（２）、式（３）および式（Ｙ）で表される構成単位以外の構成単位を意味する。

［表中、ｐ'、ｑ'、ｒ'、ｓ'およびｔ'は、各構成単位のモル比率を表す。ｐ'＋ｑ'＋ｒ'＋ｓ'＋ｔ'＝100であり、かつ、70≦ｐ'＋ｑ'＋ｒ'＋ｓ'≦100である。］

高分子化合物(P-201)〜(P-206)における、式（Ｘ）、式（２）、式（３）および式（Ｙ）で表される構成単位の例および好ましい範囲は、上述のとおりである。

［式（３）で表される構成単位］
正孔輸送層の第２の高分子化合物に含まれる式（３）で表される構成単位の定義および例は、正孔輸送層の第１の高分子化合物に含まれていてもよい式（３）で表される構成単位の定義および例と同じである。

式（３）で表される構成単位は、正孔輸送層の第２の高分子化合物の安定性が優れ、かつ、正孔輸送層の第２の高分子化合物の架橋性が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.5〜50モル％であり、より好ましくは3〜30モル％であり、更に好ましくは3〜20モル％である。

式（３）で表される構成単位は、正孔輸送層の第２の高分子化合物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。

［式（２）で表される構成単位］
正孔輸送層の第２の高分子化合物は、式（２）で表される構成単位を更に含んでいてもよい。

正孔輸送層の第２の高分子化合物に含まれていてもよい式（２）で表される構成単位の定義および例は、正孔輸送層の第１の高分子化合物に含まれていてもよい式（２）で表される構成単位の定義および例と同じである。

式（２）で表される構成単位は、正孔輸送層の第２の高分子化合物の安定性および架橋性が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.5〜50モル％であり、より好ましくは3〜30モル％であり、更に好ましくは3〜20モル％である。

式（２）で表される構成単位は、正孔輸送層の第２の高分子化合物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。

［式（Ｙ）で表される構成単位］
正孔輸送層の第２の高分子化合物は、発光素子の輝度寿命が優れるので、式（Ｙ）で表される構成単位を更に含むことが好ましい。

正孔輸送層の第２の高分子化合物に含まれていてもよい式（Ｙ）で表される構成単位の定義および例は、蛍光発光材料である高分子化合物に含まれていてもよい式（Ｙ）で表される構成単位の定義および例と同じである。

式（Ｙ）で表される構成単位であって、Ａｒ^Y1がアリーレン基である構成単位は、発光素子の輝度寿命が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.5〜80モル％であり、より好ましくは30〜60モル％である。

式（Ｙ）で表される構成単位であって、Ａｒ^Y1が２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基である構成単位は、発光素子の電荷輸送性が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.5〜40モル％であり、より好ましく3〜30モル％である。

式（Ｙ）で表される構成単位は、正孔輸送層の第２の高分子化合物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。

正孔輸送層の第２の高分子化合物としては、例えば、表２に示す高分子化合物(P-301)〜(P-303)が挙げられる。ここで、「その他の構成単位」とは、式（３）、式（２）および式（Ｙ）で表される構成単位以外の構成単位を意味する。

［表中、ｐ''、ｑ''、ｒ''およびｓ''は、各構成単位のモル比率を表す。ｐ''＋ｑ''＋ｒ''＋ｓ''＝100であり、かつ、70≦ｐ''＋ｑ''＋ｒ''≦100である。］

高分子化合物(P-301)〜(P-303)における、式（３）、式（２）および式（Ｙ）で表される構成単位の例および好ましい範囲は、上述のとおりである。

［正孔輸送層の第１および第２の高分子化合物の製造方法］
正孔輸送層の第１および第２の高分子化合物は、前述の蛍光発光材料である高分子化合物および高分子ホストの製造方法と同様の方法で製造することができる。

［正孔輸送層の低分子化合物］
正孔輸送層の低分子化合物は、正孔輸送層の低分子化合物の架橋性が優れるので、架橋基Ａ群から選ばれる少なくとも１種の架橋基を有する低分子化合物であることが好ましく、式(XL-1)、(XL-3)、(XL-5)、(XL-7)、(XL-16)または(XL-17)で表される架橋基を有する低分子化合物であることがより好ましく、式(XL-1)または式(XL-17)で表される架橋基を有する低分子化合物であることが更に好ましい。

架橋基Ａ群から選ばれる少なくとも１種の架橋基を有する低分子化合物は、式（Ｚ）で表される低分子化合物であることがより好ましい。

ｍ^Ｂ１は、通常、０〜１０の整数であり、正孔輸送層の低分子化合物の合成が容易になるため、好ましくは０〜５の整数であり、より好ましくは０〜２の整数であり、更に好ましくは０または１であり、特に好ましくは０である。

ｍ^Ｂ２は、通常、０〜１０の整数であり、正孔輸送層の低分子化合物の合成が容易となり、かつ、発光素子の輝度寿命が優れるため、好ましくは１〜５の整数であり、より好ましくは１〜３の整数であり、更に好ましくは１または２であり、特に好ましくは１である。

ｎ^Ｂ１は、通常、０〜５の整数であり、正孔輸送層の低分子化合物の合成が容易になるため、好ましくは０〜４の整数であり、より好ましくは０〜２の整数であり、更に好ましくは０である。

Ａｒ^５で表される芳香族炭化水素基のｎ^Ｂ１個の置換基を除いたアリーレン基部分の定義や例は、前述の式（Ｘ）におけるＡｒ^X2で表されるアリーレン基の定義や例と同じである。

Ａｒ^５で表される複素環基のｎ^Ｂ１個の置換基を除いた２価の複素環基部分の定義や例は、前述の式（Ｘ）におけるＡｒ^X2で表される２価の複素環基部分の定義や例と同じである。

Ａｒ^５で表される少なくとも１種の芳香族炭化水素環と少なくとも１種の複素環が直接結合した基のｎ^Ｂ１個の置換基を除いた２価の基の定義や例は、前述の式（Ｘ）におけるＡｒ^X2で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基の定義や例と同じである。

Ａｒ^５は、発光素子の輝度寿命が優れるので、好ましくは芳香族炭化水素基である。

Ｌ^Ｂ１で表されるアルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基の定義や例は、それぞれ、前述のＬ^Ａで表されるアルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基の定義や例と同じである。

Ｌ^Ｂ１は、正孔輸送層の低分子化合物の合成が容易になるため、好ましくは、アルキレン基、アリーレン基または酸素原子であり、より好ましくはアルキレン基またはアリーレン基であり、更に好ましくはフェニレン基、フルオレンジイル基またはアルキレン基であり、特に好ましくはフェニレン基またはアルキレン基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ’’で表される架橋基としては、正孔輸送層の低分子化合物の架橋性が優れるので、好ましくは式(XL-1)、(XL-3)、(XL-5)、(XL-7)、(XL-16)または(XL-17)で表される架橋基であり、より好ましくは式(XL-1)または式(XL-17)で表される架橋基である。

正孔輸送層の低分子化合物としては、例えば、式（Ｚ−１）〜（Ｚ−１６）で表される低分子化合物が挙げられ、好ましくは、式（Ｚ−１）〜（Ｚ−１０）で表される低分子化合物であり、より好ましくは、式（Ｚ−５）〜（Ｚ−９）で表される低分子化合物である。

正孔輸送層の低分子化合物は、Ａｌｄｒｉｃｈ、Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏｒｐ．、Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｄｙｅ Ｓｏｕｒｃｅ等から入手可能である。
また、上記以外の入手方法として、例えば、国際公開第１９９７／０３３１９３号、国際公開第２００５／０３５２２１号、国際公開第２００５／０４９５４８に記載されている方法に従って合成することができる。

［正孔輸送層の組成物］
正孔輸送層は、架橋材料の架橋体と、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料および酸化防止剤からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料とを含む組成物（以下、「正孔輸送層の組成物」ともいう。）を含有する層であってもよい。

正孔輸送層の組成物に含有される正孔輸送材料、電子輸送材料、正孔注入材料、電子注入材料および発光材料の例および好ましい範囲は、発光層の組成物に含有される正孔輸送材料、電子輸送材料、正孔注入材料、電子注入材料および発光材料の例および好ましい範囲と同じである。正孔輸送層の組成物において、正孔輸送材料、電子輸送材料、正孔注入材料、電子注入材料および発光材料の配合量は、各々、架橋材料の架橋体を100重量部とした場合、通常、1〜400重量部であり、好ましくは5〜150重量部である。

正孔輸送層の組成物に含有される酸化防止剤の例および好ましい範囲は、発光層の組成物に含有される酸化防止剤の例および好ましい範囲と同じである。正孔輸送層の組成物において、酸化防止剤の配合量は、架橋材料の架橋体を100重量部とした場合、通常、0.001〜10重量部である。

［正孔輸送層のインク］
架橋材料と、溶媒とを含有する正孔輸送層の組成物（以下、「正孔輸送層のインク」ともいう。）は、発光層のインクと同様に、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、キャピラリ−コート法、ノズルコート法等の塗布法に好適に使用することができる。

正孔輸送層のインクの粘度の好ましい範囲は、発光層のインクの粘度の好ましい範囲と同じである。

正孔輸送層のインクに含有される溶媒の例および好ましい範囲は、発光層のインクに含有される溶媒の例および好ましい範囲と同じである。

正孔輸送層のインクにおいて、溶媒の配合量は、架橋材料を100重量部とした場合、通常、1000〜100000重量部であり、好ましくは2000〜20000重量部である。

＜発光素子の層構成＞
発光素子は、陽極、陰極、発光層および正孔輸送層以外の層（以下、「その他の層」ともいう。）を有していてもよい。その他の層としては、例えば、正孔注入層、電子輸送層および電子注入層が挙げられる。正孔注入層、電子輸送層および電子注入層は、正孔注入材料、電子輸送材料および電子注入材料をそれぞれ含み、正孔注入材料、電子輸送材料および電子注入材料を用いてそれぞれ形成することができる。

積層する層の順番、数および厚さは、外部量子効率および輝度寿命を勘案して調整する。

発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層および電子注入層の厚さは、通常、１ｎｍ〜10μｍである。

発光素子は、正孔注入性の観点からは、陽極と正孔輸送層との間に、正孔注入層を有することが好ましく、電子注入性および電子輸送性の観点からは、陰極と発光層の間に、電子注入層および電子輸送層の少なくとも１層を有することが好ましい。

発光素子において、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層および電子注入層の形成方法としては、低分子化合物を用いる場合、例えば、粉末からの真空蒸着法、溶液または溶融状態からの成膜による方法が挙げられる。また、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層および電子注入層の形成方法としては、高分子化合物を用いる場合、例えば、溶液または溶融状態からの成膜による方法が挙げられる。

正孔注入層、電子輸送層および電子注入層は、正孔注入材料、電子輸送材料および電子注入材料をそれぞれ含有するインクを用いて、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、キャピラリ−コート法、ノズルコート法により作製することができる。

インクの粘度の好ましい範囲は、発光層のインクの粘度の好ましい範囲と同じである。

インクに含有される溶媒の例および好ましい範囲は、発光層のインクに含有される溶媒の例および好ましい範囲と同じである。

インクにおいて、溶媒の配合量は、正孔注入材料、電子輸送材料または電子注入材料100重量部に対して、通常、1000〜100000重量部であり、好ましくは2000〜20000重量部である。

正孔輸送層の材料、電子輸送層の材料および発光層の材料は、発光素子の作製において、各々、正孔輸送層、電子輸送層および発光層に隣接する層の形成時に使用される溶媒に溶解する場合、該溶媒に該材料が溶解することを回避するために、該材料が架橋基を有することが好ましい。架橋基を有する材料を用いて各層を形成した後、該架橋基を架橋させることにより、該層を不溶化させることができる。

各層を架橋させるための加熱の温度は、通常、25〜300℃であり、発光素子の輝度寿命が優れるので、好ましくは50〜250℃であり、より好ましくは150〜200℃である。

各層を架橋させるための光照射に用いられる光の種類は、例えば、紫外光、近紫外光、可視光である。

［基板/電極］
発光素子における基板は、電極を形成することができ、かつ、有機層を形成する際に化学的に変化しない基板であればよく、例えば、ガラス、プラスチック、シリコン等の材料からなる基板である。不透明な基板の場合には、基板から最も遠くにある電極が透明または半透明であることが好ましい。

陽極の材料としては、例えば、導電性の金属酸化物、半透明の金属が挙げられ、好ましくは、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ；インジウム・スズ・オキサイド(ITO)、インジウム・亜鉛・オキサイド等の導電性化合物；銀とパラジウムと銅との複合体(APC)；NESA、金、白金、銀、銅である。

陰極の材料としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム等の金属；それらのうち２種以上の合金；それらのうち１種以上と、銀、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１種以上との合金；並びに、グラファイトおよびグラファイト層間化合物が挙げられる。合金としては、例えば、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金が挙げられる。
陽極および陰極は、各々、２層以上の積層構造としてもよい。

［用途］
発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。パターン状の発光を得るためには、面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部にしたい層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極もしくは陰極、または、両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にON/OFFできるように配置することにより、数字、文字等を表示できるセグメントタイプの表示装置が得られる。ドットマトリックス表示装置とするためには、陽極と陰極を共にストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法、カラーフィルターまたは蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス表示装置は、パッシブ駆動も可能であるし、TFT等と組み合わせてアクティブ駆動も可能である。これらの表示装置は、コンピュータ、テレビ、携帯端末等のディスプレイに用いることができる。面状の発光素子は、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、または、面状の照明用光源として好適に用いることができる。フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源および表示装置としても使用できる。

＜発光装置＞
本発明の発光装置は、
陽極と、陰極と、陽極および陰極の間に設けられた発光層と、陽極および発光層の間に設けられ、架橋材料の架橋体を含有する正孔輸送層とを有する発光素子と、
発光素子の発光開始電圧以上の第１の電圧と、発光素子の発光開始電圧未満の第２の電圧とを交互にスイッチングさせたパルス電圧により駆動する駆動装置とを備える発光装置である。

発光素子の発光開始電圧以上の第１の電圧と、発光素子の発光開始電圧未満の第２の電圧とを交互にスイッチングさせたパルス電圧により駆動する駆動装置としては、例えば、マイクレル社製の有機ＥＬドライバーＭＩＣ４８２６、Ｃｒｙｓｔａｌｆｏｎｔｚ社製のＬＧＤＰ４２１６が挙げられる。

本発明の発光装置としては、例えば、セグメントタイプの表示装置、ドットマトリックス表示装置の表示部、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、面状の照明用光源が挙げられる。

以下、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

実施例において、高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量(Mn)およびポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)は、移動相にテトラヒドロフランを用い、下記のサイズエクスクルージョンクロマトグラフィー(SEC)のいずれかにより求めた。なお、SECの各測定条件は、次のとおりである。

＜測定条件１＞
測定する高分子化合物を約０．０５重量％の濃度でテトラヒドロフランに溶解させ、ＳＥＣに１０μＬ注入した。移動相は、２．０ｍＬ／分の流量で流した。カラムとして、ＰＬｇｅｌ ＭＩＸＥＤ−Ｂ（ポリマーラボラトリーズ製）を用いた。検出器にはＵＶ−ＶＩＳ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ−１０Ａｖｐ）を用いた。

＜測定条件２＞
測定する高分子化合物を約０．０５重量％の濃度でテトラヒドロフランに溶解させ、ＳＥＣに１０μＬ注入した。移動相は、１．０ｍＬ／分の流量で流した。カラムとして、ＰＬｇｅｌ ＭＩＸＥＤ−Ｂ（ポリマーラボラトリーズ製）を用いた。検出器にはＵＶ−ＶＩＳ検出器（東ソー製、商品名：ＵＶ−８３２０ＧＰＣ）を用いた。

＜測定条件３＞
測定する高分子化合物を約０．０５重量％の濃度でテトラヒドロフランに溶解させ、ＳＥＣに１０μＬ注入した。移動相は、０．６ｍＬ／分の流量で流した。カラムとして、ＴＳＫｇｕａｒｄｃｏｌｕｍｎ ＳｕｐｅｒＡＷ−Ｈと、ＴＳＫｇｅｌ Ｓｕｐｅｒ ＡＷＭ−Ｈと、ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＡＷ３０００（いずれも東ソー製）の各１本を直列につないで用いた。検出器にはＵＶ−ＶＩＳ検出器（東ソー製、商品名：ＵＶ−８３２０ＧＰＣ）を用いた。

ＮＭＲは、下記の方法で測定した。
５〜１０ｍｇの測定試料を約０．５ｍＬの重クロロホルム（ＣＤＣｌ₃）、重テトラヒドロフラン、重ジメチルスルホキシド、重アセトン、重Ｎ,Ｎ-ジメチルホルムアミド、重トルエン、重メタノール、重エタノール、重２−プロパノールまたは重塩化メチレンに溶解させ、ＮＭＲ装置（Ａｇｉｌｅｎｔ製、商品名：ＩＮＯＶＡ３００またはＭＥＲＣＵＲＹ ４００ＶＸ）を用いて測定した。

化合物の純度の指標として、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）面積百分率の値を用いた。この値は、特に記載がない限り、ＨＰＬＣ（島津製作所製、商品名：ＬＣ−２０Ａ）でのＵＶ＝２５４ｎｍにおける値とする。この際、測定する化合物は、０．０１〜０．２重量％の濃度になるようにテトラヒドロフランまたはクロロホルムに溶解させ、濃度に応じてＨＰＬＣに１〜１０μＬ注入した。ＨＰＬＣの移動相には、アセトニトリル／テトラヒドロフランの比率を１００／０〜０／１００（容積比）まで変化させながら用い、１.０ｍＬ／分の流量で流した。カラムは、Ｋａｓｅｉｓｏｒｂ ＬＣ ＯＤＳ ２０００（東京化成工業製）または同等の性能を有するＯＤＳカラムを用いた。検出器には、フォトダイオードアレイ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ−Ｍ２０Ａ）を用いた。

実施例において、発光素子のパルス電圧駆動は、下記のパルス電圧駆動条件１を用いて行った。なお、発光素子のパルス電圧駆動において、発光素子の輝度が初期輝度の９５％または６０％となるまでの時間は、パルス電圧駆動における第１の電圧が印加された積算時間とした。

＜パルス電圧駆動条件１＞
第１の電圧は、発光素子の初期輝度が所定の輝度となるように設定された電流値を定電流で与える電圧に設定した。第２の電圧は、−１０Ｖに設定した。パルス電圧は、第１の電圧と第２の電圧とが交互にスイッチングする矩形波を設定した。パルス電圧の周波数は、１Ｈｚを設定した。第１の電圧のパルス幅：Ｔ１と、第２の電圧のパルス幅：Ｔ２とは、Ｔ１／（Ｔ１＋Ｔ２）＝０．９となるように設定した。

＜合成例１：イリジウム錯体Ｍ１〜Ｍ２、並びに、単量体ＣＭ１〜ＣＭ１３およびＣＭ１５〜ＣＭ１７の合成＞
イリジウム錯体Ｍ１は、国際公開第２００９／１３１２５５号記載の方法に従って合成した。
イリジウム錯体Ｍ２は、特開２０１１−１０５７０１号公報記載の方法に従って合成した。
単量体ＣＭ１は、特開２０１１-１７４０６２号公報記載の方法に従って合成した。
単量体ＣＭ２は、国際公開第２００５／０４９５４６号記載の方法に従って合成した。
単量体ＣＭ３は、市販品を用いた。
単量体ＣＭ４は、特開２００８−１０６２４１号公報記載の方法に従って合成した。
単量体ＣＭ５は、特開２０１１−１７４０６２号公報記載の方法に従って合成した。
単量体ＣＭ６は、特開２０１２−１４４７２２号公報記載の方法に従って合成した。
単量体ＣＭ７は、特開２００４−１４３４１９号公報記載の方法に従って合成した。
単量体ＣＭ８は、特開２０１０−０３１２５９号公報記載の方法に従って合成した。
単量体ＣＭ９は、市販品を用いた。
単量体ＣＭ１０は、特開２０１０−１８９６３０号公報記載の方法に従って合成した。
単量体ＣＭ１１は、国際公開第２０１２／８６６７１号記載の方法に従って合成した。
単量体ＣＭ１２は、特開２０１０−１８９６３０号公報記載の方法に従って合成した。
単量体ＣＭ１３は、国際公開第２００９／１３１２５５号記載の方法に従って合成した。
単量体ＣＭ１５は、国際公開第２０００／４６３２１号記載の方法に従って合成した。
単量体ＣＭ１６は、国際公開第２０００／４６３２１号記載の方法に従って合成した。
単量体ＣＭ１７は、特開２００７−５１１６３６号公報記載の方法に従って合成した。

＜合成例２：単量体ＣＭ１４の合成＞

化合物ＣＭ１４ａは、国際公開第２０１２／０８６６７１号に記載の方法に従って合成した。

＜Ｓｔｅｐ１＞
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、４−ブロモ−ｎ−オクチルベンゼン（２５０ｇ）およびテトラヒドロフラン（脱水品、２．５Ｌ）を加え、−７０℃以下に冷却した。その後、そこへ、２．５ｍｏｌ／Ｌ濃度のｎ−ブチルリチウム−ヘキサン溶液（３５５ｍＬ）を滴下し、−７０℃以下にて３時間攪拌した。その後、そこへ、テトラヒドロフラン（脱水品、４００ｍＬ）に化合物ＣＭ１４ａ（１４８ｇ）を溶解させた溶液を滴下した後、室温まで昇温し、室温にて一晩攪拌した。得られた反応混合物を０℃に冷却した後、水（１５０ｍＬ）を加えて攪拌した。得られた反応混合物を減圧濃縮し、有機溶媒を除去した。得られた反応混合物に、ヘキサン（１Ｌ）および水（２００ｍＬ）を加え、分液操作によって水層を除去した。得られた有機層を飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムを加えて乾燥した。得られた混合物をろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することで、化合物ＣＭ１４ｂ（３３０ｇ）を黄色油状物として得た。

＜Ｓｔｅｐ２＞
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物ＣＭ１４ｂ（３３０ｇ）およびジクロロメタン（９００ｍＬ）を加え、５℃以下に冷却した。その後、そこへ、２．０ｍｏｌ／Ｌ濃度の三フッ素化ホウ素ジエチルエーテル錯体（２４５ｍＬ）を滴下した。その後、室温まで昇温し、室温にて一晩攪拌した。得られた反応混合物を、氷水（２Ｌ）の入った容器に加え、３０分間攪拌した後、水層を除去した。得られた有機層を、１０重量％濃度のリン酸カリウム水溶液（１Ｌ）で１回、水（１Ｌ）で２回洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた混合物をろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することで油状物を得た。得られた油状物をトルエン（２００ｍＬ）に溶解させた後、シリカゲルを敷いたろ過器に通液することでトルエン溶液１を得た。トルエン溶液１を得た後、シリカゲルを敷いたろ過器に更にトルエン（約３Ｌ）を通液することでトルエン溶液２を得た。トルエン溶液１とトルエン溶液２を合一した後、減圧濃縮することで油状物を得た。得られた油状物にメタノール（５００ｍＬ）を加え、攪拌した。得られた反応混合物をろ過することで固体を得た。得られた固体に、酢酸ブチルおよびメタノールの混合溶媒を加え、再結晶を繰り返すことにより、単量体ＣＭ１４ｃ（１５１ｇ）を白色固体として得た。得られた単量体ＣＭ１４ｃのＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２８０ｎｍ）は９９．０％以上を示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．５６（ｄ，２Ｈ），７．４９（ｄ，２Ｈ），７．４６（ｄｄ，２Ｈ），７．０６〜７．０１（ｍ，８Ｈ），２．５５（ｔ，４Ｈ），１．６１〜１．５４（ｍ，４Ｈ），１．３０〜１．２６（ｍ，２０Ｈ），０．８７（ｔ，６Ｈ）．

＜Ｓｔｅｐ３＞
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、単量体ＣＭ１４ｃ（１００ｇ）およびテトラヒドロフラン（脱水品、１０００ｍＬ）を加え、−７０℃以下に冷却した。その後、そこへ、２．５ｍｏｌ／Ｌ濃度のｎ−ブチルリチウム−ヘキサン溶液（１２６ｍＬ）を滴下し、−７０℃以下にて５時間攪拌した。その後、そこへ、２−イソプロポキシ−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（８１ｍＬ）を滴下した。その後、室温まで昇温し、室温にて一晩攪拌した。得られた反応混合物を−３０℃に冷却し、２．０ｍｏｌ／Ｌの塩酸−ジエチルエーテル溶液（１４３ｍＬ）を滴下した。その後、室温まで昇温し、減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体にトルエン（１．２Ｌ）を加え、室温にて１時間攪拌した後、シリカゲルを敷いたろ過器に通液することによりろ液を得た。得られたろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体にメタノールを加えて攪拌した後、ろ過することにより固体を得た。得られた固体に対して、イソプロピルアルコールを用いた再結晶を繰り返すことにより精製した後、５０℃にて一晩減圧乾燥することにより、単量体ＣＭ１４（７２ｇ）を白色固体として得た。得られた単量体ＣＭ１４のＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２８０ｎｍ）は９９．０％以上を示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．８２（ｄ，２Ｈ），７．８１（ｓ，２Ｈ），７．７６（ｄ，２Ｈ），７．１１（ｄ，４Ｈ）、７．００（ｄ，４Ｈ），２．５２（ｔ，４Ｈ），１．５９〜１．５４（ｍ，４Ｈ），１．３６〜１．２６（ｍ，２０Ｈ），１．３１（ｓ，２４Ｈ），０．８７（ｔ，６Ｈ）．

＜合成例３：高分子化合物Ｐ１の合成＞
高分子化合物Ｐ１は、下記表４に示される単量体を用いて、特開２０１２−１４４７２２号公報記載の方法に従って合成した。高分子化合物Ｐ１のＭｎは８．４×１０^４であり、Ｍｗは３．４×１０^５であった。高分子化合物Ｐ１は、仕込み原料から求めた理論値では、それぞれの単量体から誘導される構成単位が、下記表４に示されるモル比で構成されてなる共重合体である。

＜合成例４：高分子化合物Ｐ２の合成＞
高分子化合物Ｐ２は、下記表５に示される単量体を用いて、特開２０１２−１４４７２２号公報記載の方法に従って合成した。高分子化合物Ｐ２のＭｎは８．４×１０^４であり、Ｍｗは２．３×１０^５であった。高分子化合物Ｐ２は、仕込み原料から求めた理論値では、それぞれの単量体から誘導される構成単位が、下記表５に示されるモル比で構成されてなる共重合体である。

＜合成例５：高分子化合物Ｐ３の合成＞
高分子化合物Ｐ３は、下記表６に示される単量体を用いて、特開２０１２−１４４７２２号公報記載の方法に従って合成した。高分子化合物Ｐ３のＭｎは１．２×１０^５であり、Ｍｗは３．１×１０^５であった。高分子化合物Ｐ３は、仕込み原料から求めた理論値では、それぞれの単量体から誘導される構成単位が、下記表６に示されるモル比で構成されてなる共重合体である。

＜合成例６：高分子化合物Ｐ４の合成＞
高分子化合物Ｐ４は、下記表７に示される単量体を用いて、特開２０１２−３６３８８号公報記載の方法に従って合成した。高分子化合物Ｐ４のＭｎは９．２×１０^４であり、Ｍｗは２．３×１０^５であった。高分子化合物Ｐ４は、仕込み原料から求めた理論値では、それぞれの単量体から誘導される構成単位が、下記表７に示されるモル比で構成されてなる共重合体である。

＜合成例７：高分子化合物Ｐ５の合成＞
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物ＣＭ１４（４．７６８６ｇ）、化合物ＣＭ１１（０．７７３４ｇ）、化合物ＣＭ３（１．９７４４ｇ）、化合物ＣＭ１３（０．３３０８ｇ）、化合物ＣＭ７（０．４４３２ｇ）およびトルエン（６７ｍＬ）を加えて、１０５℃に加熱しながら攪拌した。その後、そこへ、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド（４．２ｍｇ）を加え、次いで、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２０ｍＬ）を滴下した後、還流下で３時間攪拌した。
その後、そこへ、フェニルボロン酸（０．０７７ｇ）、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド（４．２ｍｇ）、トルエン（６０ｍＬ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２０ｍＬ）を加え、還流下で２４時間攪拌した。
有機層を水層と分離した後、得られた有機層に、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（３．３３ｇ）およびイオン交換水（６７ｍＬ）を加え、８５℃で２時間攪拌した。有機層を水層と分離した後、得られた有機層を、イオン交換水（７８ｍＬ）で２回、３重量％酢酸水溶液（７８ｍＬ）で２回、イオン交換水（７８ｍＬ）で２回の順番で洗浄した。
有機層を水層と分離した後、得られた有機層をメタノールに滴下することで固体を沈殿させ、ろ取し、乾燥させることにより、固体を得た。得られた固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したシリカゲルカラムおよびアルミナカラムに通液させた。得られた溶液をメタノールに滴下することで固体を沈殿させ、ろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物Ｐ５（４．９５ｇ）を得た。高分子化合物Ｐ５のＭｎは１．４×１０^５であり、Ｍｗは４．１×１０^５であった。

高分子化合物Ｐ５は、仕込み原料から求めた理論値では、それぞれの単量体から誘導される構成単位が、下記表８に示されるモル比で構成されてなる共重合体である。

＜合成例８：高分子化合物Ｐ６の合成＞
高分子化合物Ｐ６は、下記表８に示される単量体を用いて、特許第５５１６３１７号公報記載の方法に従って合成した。高分子化合物Ｐ６のＭｎは６．０×１０^４であり、Ｍｗは４．０×１０^５であった。高分子化合物Ｐ６は、仕込み原料から求めた理論値では、それぞれの単量体から誘導される構成単位が、下記表８に示されるモル比で構成されてなる共重合体である。

＜素子作製例１：発光素子１の作製および発光特性評価＞
（陽極および正孔注入層の形成）
ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、ポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入剤であるＡＱ−１２００（Ｐｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社製）をスピンコート法により３５ｎｍの厚さで成膜し、大気雰囲気下において、ホットプレート上で１７０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。

（正孔輸送層の形成）
キシレンに、高分子化合物Ｐ１を０．７重量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上に、スピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱することにより正孔輸送層を形成した。

（発光層の形成）
キシレンに、高分子化合物Ｐ２および高分子化合物Ｐ３を１．２重量％の濃度で溶解させた（高分子化合物Ｐ２／高分子化合物Ｐ３＝８０重量％／２０重量％）。得られたキシレン溶液を用いて、正孔輸送層の上に、スピンコート法により６０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１５０℃、１０分加熱することにより発光層を形成した。

（陰極の形成）
発光層を形成した基板を蒸着機内において、１×１０^−４Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、発光層の上に、フッ化ナトリウムを約７ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上に、アルミニウムを約１２０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子１を作製した。

（発光素子の発光特性評価）
発光素子１に電圧を印加することにより、４６０ｎｍに発光スペクトルの最大ピーク波長を有するＥＬ発光が観測された。発光素子１の発光開始電圧は２．８Ｖであり、１０００ｃｄ／ｍ^２における発光効率は１０．４ｃｄ／Ａであった。

＜比較例１：発光素子１の直流電圧駆動＞
発光素子１の初期輝度が１０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度が初期輝度の９５％となるまでの時間（以下、「ＬＴ９５」ともいう。）は、３．３時間であった。

＜実施例１：発光素子１のパルス電圧駆動＞
発光素子１の初期輝度が１０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、上記のパルス電圧駆動条件１で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、ＬＴ９５は、５．５時間であった。実施例１のＬＴ９５は、比較例１のＬＴ９５の１．６７倍であった。

＜素子作製例２：発光素子２の作製および発光特性評価＞
（陽極および正孔注入層の形成）
ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、ポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入剤であるＡＱ−１２００（Ｐｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社製）をスピンコート法により６５ｎｍの厚さで成膜し、大気雰囲気下において、ホットプレート上で１７０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。

（正孔輸送層の形成）
キシレンに、高分子化合物Ｐ１を０．７重量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上に、スピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱することにより正孔輸送層を形成した。

（発光層の形成）
キシレンに、高分子化合物Ｐ４およびイリジウム錯体Ｍ１を１．８重量％の濃度で溶解させた（高分子化合物Ｐ４／イリジウム錯体Ｍ１＝８０重量％／２０重量％）。得られたキシレン溶液を用いて、正孔輸送層の上に、スピンコート法により８０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１５０℃、１０分加熱することにより発光層を形成した。

（陰極の形成）
発光層を形成した基板を蒸着機内において、１×１０^−４Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、発光層の上に、フッ化ナトリウムを約７ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上に、アルミニウムを約１２０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子２を作製した。

（発光素子の発光特性評価）
発光素子２に電圧を印加することにより、５２０ｎｍに発光スペクトルの最大ピーク波長を有するＥＬ発光が観測された。発光素子２の発光開始電圧は３．１Ｖであり、１０００ｃｄ／ｍ^２における発光効率は４３．５ｃｄ／Ａであった。

＜比較例２：発光素子２の直流電圧駆動＞
発光素子２の初期輝度が３０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、ＬＴ９５は、１４．３時間であった。

＜実施例２：発光素子２のパルス電圧駆動＞
発光素子２の初期輝度が３０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、上記のパルス電圧駆動条件１で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、ＬＴ９５は、２０．３時間であった。実施例２のＬＴ９５は、比較例２のＬＴ９５の１．４１倍であった。

＜素子作製例３：発光素子３の作製および発光特性評価＞
素子作製例２における、高分子化合物Ｐ４およびイリジウム錯体Ｍ１のキシレン溶液（１．８重量％）（高分子化合物Ｐ４／イリジウム錯体Ｍ１＝８０重量％／２０重量％）に代えて、高分子化合物Ｐ４およびイリジウム錯体Ｍ１のキシレン溶液（１．８重量％）（高分子化合物Ｐ４／イリジウム錯体Ｍ１＝７０重量％／３０重量％）を用いた以外は、素子作製例２と同様にして、発光素子３を作製した。
発光素子３に電圧を印加することにより、５２０ｎｍに発光スペクトルの最大ピーク波長を有するＥＬ発光が観測された。発光素子３の発光開始電圧は２．９Ｖであり、１０００ｃｄ／ｍ^２における発光効率は５５．３ｃｄ／Ａであった。

＜比較例３：発光素子３の直流電圧駆動＞
発光素子３の初期輝度が３０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、ＬＴ９５は、５．８時間であった。

＜実施例３：発光素子３のパルス電圧駆動＞
発光素子３の初期輝度が３０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、上記のパルス電圧駆動条件１で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、ＬＴ９５は、１９．４時間であった。実施例３のＬＴ９５は、比較例３のＬＴ９５の３．３４倍であった。

＜素子作製例４：発光素子４の作製および発光特性評価＞
素子作製例２における、高分子化合物Ｐ４およびイリジウム錯体Ｍ１のキシレン溶液（１．８重量％）（高分子化合物Ｐ４／イリジウム錯体Ｍ１＝８０重量％／２０重量％）に代えて、高分子化合物Ｐ５およびイリジウム錯体Ｍ２のキシレン溶液（１．８重量％）（高分子化合物Ｐ５／イリジウム錯体Ｍ２＝９２．５重量％／７．５重量％）を用いた以外は、素子作製例２と同様にして、発光素子４を作製した。
発光素子４に電圧を印加することにより、６１５ｎｍに発光スペクトルの最大ピーク波長を有するＥＬ発光が観測された。発光素子４の発光開始電圧は２．７Ｖであり、１０００ｃｄ／ｍ^２における発光効率は１８．２ｃｄ／Ａであった。

＜比較例４：発光素子４の直流電圧駆動＞
発光素子４の初期輝度が３０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、ＬＴ９５は、２２．３時間であった。

＜実施例４：発光素子４のパルス電圧駆動＞
発光素子４の初期輝度が３０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、上記のパルス電圧駆動条件１で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、ＬＴ９５は、３１．１時間であった。実施例４のＬＴ９５は、比較例４のＬＴ９５の１．３９倍であった。

＜素子作製例５：発光素子５の作製および発光特性評価＞
素子作製例２における、高分子化合物Ｐ４およびイリジウム錯体Ｍ１のキシレン溶液（１．８重量％）（高分子化合物Ｐ４／イリジウム錯体Ｍ１＝８０重量％／２０重量％）に代えて、高分子化合物Ｐ５およびイリジウム錯体Ｍ２のキシレン溶液（１．８重量％）（高分子化合物Ｐ５／イリジウム錯体Ｍ２＝８５重量％／１５重量％）を用いた以外は、素子作製例２と同様にして、発光素子５を作製した。
発光素子５に電圧を印加することにより、６１５ｎｍに発光スペクトルの最大ピーク波長を有するＥＬ発光が観測された。発光素子５の発光開始電圧は２．６Ｖであり、１０００ｃｄ／ｍ^２における発光効率は１６．６ｃｄ／Ａであった。

＜比較例５：発光素子５の直流電圧駆動＞
発光素子５の初期輝度が３０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、ＬＴ９５は、２０．３時間であった。

＜実施例５：発光素子５のパルス電圧駆動＞
発光素子５の初期輝度が３０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、上記のパルス電圧駆動条件１で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、ＬＴ９５は、４１．５時間であった。実施例５のＬＴ９５は、比較例５のＬＴ９５の２．０４倍であった。

＜素子作製例６：発光素子６の作製および発光特性評価＞
素子作製例２における、高分子化合物Ｐ４およびイリジウム錯体Ｍ１のキシレン溶液（１．８重量％）（高分子化合物Ｐ４／イリジウム錯体Ｍ１＝８０重量％／２０重量％）に代えて、高分子化合物Ｐ５およびイリジウム錯体Ｍ２のキシレン溶液（１．８重量％）（高分子化合物Ｐ５／イリジウム錯体Ｍ２＝７０重量％／３０重量％）を用いた以外は、素子作製例２と同様にして、発光素子６を作製した。
発光素子６に電圧を印加することにより、６１５ｎｍに発光スペクトルの最大ピーク波長を有するＥＬ発光が観測された。発光素子６の発光開始電圧は２．４Ｖであり、１０００ｃｄ／ｍ^２における発光効率は１５．６ｃｄ／Ａであった。

＜比較例６：発光素子６の直流電圧駆動＞
発光素子６の初期輝度が３０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、ＬＴ９５は、１０．５時間であった。

＜実施例６：発光素子６のパルス電圧駆動＞
発光素子６の初期輝度が３０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、上記のパルス電圧駆動条件１で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、ＬＴ９５は、１４．５時間であった。実施例６のＬＴ９５は、比較例６のＬＴ９５の１．３８倍であった。

＜素子作製例７：発光素子７の作製および発光特性評価＞
（陽極および正孔注入層の形成）
ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、ポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入剤であるＡＱ−１２００（Ｐｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社製）をスピンコート法により３５ｎｍの厚さで成膜し、大気雰囲気下において、ホットプレート上で１７０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。

（発光層の形成）
キシレンに、高分子化合物Ｐ２および高分子化合物Ｐ３を１．２重量％の濃度で溶解させた（高分子化合物Ｐ２／高分子化合物Ｐ３＝９０重量％／１０重量％）。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上に、スピンコート法により６０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１５０℃、１０分加熱することにより発光層を形成した。

（陰極の形成）
発光層を形成した基板を蒸着機内において、１×１０^−４Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、発光層の上に、フッ化ナトリウムを約７ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上に、アルミニウムを約１２０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子７を作製した。

（発光素子の発光特性評価）
発光素子７に電圧を印加することにより、４６０ｎｍに発光スペクトルの最大ピーク波長を有するＥＬ発光が観測された。発光素子７の発光開始電圧は２．８Ｖであり、１０００ｃｄ／ｍ^２における発光効率は１．９ｃｄ／Ａであった。

＜比較例７−１：発光素子７の直流電圧駆動＞
発光素子７の初期輝度が１０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、ＬＴ９５は、０．１時間であった。

＜比較例７−２：発光素子７のパルス電圧駆動＞
発光素子７の初期輝度が１０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、上記のパルス電圧駆動条件１で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、ＬＴ９５は、０．１時間であった。比較例７−２のＬＴ９５は、比較例７−１のＬＴ９５の１．００倍であった。

＜素子作製例８：発光素子８の作製および発光特性評価＞
（陽極の形成）
ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。

（正孔輸送層の形成）
陽極を形成した基板を蒸着機内において、１×１０^−５Ｐａ以下にまで減圧した後、陽極の上に、下記式（ＨＭ−１）で表される正孔輸送材料（Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製、ＬＴ−Ｅ１１５）を真空蒸着法により、蒸着レート：１．５Å／ｓｅｃにて、６０ｎｍの厚さで成膜することにより正孔輸送層を形成した。

（発光層の形成）
正孔輸送層を形成した基板を蒸着機内において、１×１０^−５Ｐａ以下にまで減圧した後、正孔輸送層の上に、下記式（ＥＭ−１）で表される発光材料（Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製、ＬＴ−Ｅ４０１）を真空蒸着法により、蒸着レート：１．５Å／ｓｅｃにて、４０ｎｍの厚さで成膜することにより発光層を形成した。

（陰極の形成）
発光層を形成した基板を蒸着機内において、１×１０^−４Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、発光層の上に、フッ化ナトリウムを約０．５ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上に、アルミニウムを約１５０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子８を作製した。

（発光素子の発光特性評価）
発光素子８に電圧を印加することにより、５２５ｎｍに発光スペクトルの最大ピーク波長を有するＥＬ発光が観測された。発光素子８の発光開始電圧は２．９Ｖであり、１０００ｃｄ／ｍ^２における発光効率は０．９９ｃｄ／Ａであった。

＜比較例８−１：発光素子８のパルス電圧駆動＞
発光素子８の初期輝度が２００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度が初期輝度の６０％となるまでの時間（以下、「ＬＴ６０」ともいう。）は、４５４．９時間であった。

＜比較例８−２：発光素子８のパルス電圧駆動＞
発光素子８の初期輝度が２００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、上記のパルス電圧駆動条件１で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、ＬＴ６０は、４９３．２時間であった。比較例８−２のＬＴ６０は、比較例８−１のＬＴ９５の１．０８倍であった。

＜素子作製例９：発光素子９の作製および発光特性評価＞
（陽極および正孔注入層の形成）
ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、ポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入剤であるＡＱ−１２００（Ｐｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社製）をスピンコート法により６５ｎｍの厚さで成膜し、大気雰囲気下において、ホットプレート上で１７０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。

（正孔輸送層の形成）
キシレンに、高分子化合物Ｐ１を０．７重量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上に、スピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱することにより正孔輸送層を形成した。

（発光層の形成）
正孔輸送層を形成した基板を蒸着機内において、１×１０^−５Ｐａ以下にまで減圧した後、正孔輸送層の上に、上記式（ＥＭ−１）で表される発光材料を真空蒸着法により、蒸着レート：１．５Å／ｓｅｃにて、４０ｎｍの厚さで成膜することにより発光層を形成した。

（陰極の形成）
発光層を形成した基板を蒸着機内において、１×１０^−４Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、発光層の上に、フッ化ナトリウムを約０．５ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上に、アルミニウムを約１５０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子９を作製した。

（発光素子の発光特性評価）
発光素子９に電圧を印加することにより、５２５ｎｍに発光スペクトルの最大ピーク波長を有するＥＬ発光が観測された。発光素子９の発光開始電圧は３．７Ｖであり、１０００ｃｄ／ｍ^２における発光効率は３．５ｃｄ／Ａであった。

＜比較例９：発光素子９の直流電圧駆動＞
発光素子９の初期輝度が２００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度が初期輝度の６０％となるまでの時間（以下、「ＬＴ６０」ともいう。）は、４５８．２時間であった。

＜実施例９：発光素子９のパルス電圧駆動＞
発光素子９の初期輝度が２００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、上記のパルス電圧駆動条件１で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、ＬＴ６０は、６６８．７時間であった。実施例９のＬＴ９５は、比較例９のＬＴ６０の１．４６倍であった。

＜素子作製例１０：発光素子１０の作製および発光特性評価＞
（陽極および正孔注入層の形成）
ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、ポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入剤であるＡＱ−１２００（Ｐｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社製）をスピンコート法により６５ｎｍの厚さで成膜し、大気雰囲気下において、ホットプレート上で１７０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。

（正孔輸送層の形成）
正孔輸送層を形成した基板を蒸着機内において、１×１０^−５Ｐａ以下にまで減圧した後、陽極の上に、上記式（ＨＭ−１）で表される正孔輸送材料を真空蒸着法により、蒸着レート：１．５Å／ｓｅｃにて、６０ｎｍの厚さで成膜することにより正孔輸送層を形成した。

（発光層の形成）
正孔輸送層を形成した基板を蒸着機内において、１×１０^−５Ｐａ以下にまで減圧した後、正孔輸送層の上に、上記式（ＥＭ−１）で表される発光材料を真空蒸着法により、蒸着レート：１．５Å／ｓｅｃにて、４０ｎｍの厚さで成膜することにより発光層を形成した。

（陰極の形成）
発光層を形成した基板を蒸着機内において、１×１０^−４Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、発光層の上に、フッ化ナトリウムを約０．５ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上に、アルミニウムを約１５０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子１０を作製した。

（発光素子の発光特性評価）
発光素子１０に電圧を印加することにより、５３５ｎｍに発光スペクトルの最大ピーク波長を有するＥＬ発光が観測された。発光素子１０の発光開始電圧は４．３Ｖであり、１０００ｃｄ／ｍ^２における発光効率は３．７ｃｄ／Ａであった。

＜比較例１０−１：発光素子１０の直流電圧駆動＞
発光素子１０の初期輝度が２００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、ＬＴ６０は、３８８８．８時間であった。

＜比較例１０−２：発光素子１０のパルス電圧駆動＞
発光素子１０の初期輝度が２００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、上記のパルス電圧駆動条件１で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、ＬＴ６０は、２２７１．６時間であった。比較例１０−２のＬＴ６０は、比較例１０−１のＬＴ６０の０．５４倍であった。

＜素子作製例１１：発光素子１１の作製および発光特性評価＞
素子作製例３における正孔輸送層を形成しなかったこと以外は、素子作製例３と同様にして、発光素子１１を作製した。
発光素子１１に電圧を印加することにより、５２０ｎｍに発光スペクトルの最大ピーク波長を有するＥＬ発光が観測された。発光素子１１の発光開始電圧は２．７Ｖであり、１０００ｃｄ／ｍ^２における発光効率は５１．７ｃｄ／Ａであった。

＜比較例１１−１：発光素子１１の直流電圧駆動＞
発光素子１１の初期輝度が３０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、ＬＴ９５は、０．６８５時間であった。

＜比較例１１−２：発光素子１１のパルス電圧駆動＞
発光素子１１の初期輝度が３０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、上記のパルス電圧駆動条件１で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、ＬＴ９５は、０．６７７時間であった。比較例１１−２のＬＴ９５は、比較例１１−１のＬＴ９５の０．９９倍であった。

＜素子作製例１２：発光素子１２の作製および発光特性評価＞
素子作製例６における正孔輸送層を形成しなかったこと以外は、素子作製例６と同様にして、発光素子１２を作製した。
発光素子１２に電圧を印加することにより、６２０ｎｍに発光スペクトルの最大ピーク波長を有するＥＬ発光が観測された。発光素子１２の発光開始電圧は２．５Ｖであり、１０００ｃｄ／ｍ^２における発光効率は５．０ｃｄ／Ａであった。

＜比較例１２−１：発光素子１２の直流電圧駆動＞
発光素子１２の初期輝度が３０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、ＬＴ９５は、０．０２７８時間であった。

＜比較例１２−２：発光素子１２のパルス電圧駆動＞
発光素子１２の初期輝度が３０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、上記のパルス電圧駆動条件１で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、ＬＴ９５は、０．０２９７時間であった。比較例１２−２のＬＴ９５は、比較例１２−１のＬＴ９５の１．０６倍であった。

＜素子作製例１３：発光素子１３の作製および発光特性評価＞
素子作製例２における、高分子化合物Ｐ１に代えて、高分子化合物Ｐ６を用いたこと、および、高分子化合物Ｐ４およびイリジウム錯体Ｍ１のキシレン溶液（１．８重量％）（高分子化合物Ｐ４／イリジウム錯体Ｍ１＝８０重量％／２０重量％）に代えて、高分子化合物Ｐ４およびイリジウム錯体Ｍ１のキシレン溶液（１．８重量％）（高分子化合物Ｐ４／イリジウム錯体Ｍ１＝６０重量％／４０重量％）を用いたこと以外は、素子作製例２と同様にして、発光素子１３を作製した。
発光素子１３に電圧を印加することにより、５２０ｎｍに発光スペクトルの最大ピーク波長を有するＥＬ発光が観測された。発光素子１３の発光開始電圧は２．８Ｖであり、１０００ｃｄ／ｍ^２における発光効率は５４．０ｃｄ／Ａであった。

＜比較例１３：発光素子１３の直流電圧駆動＞
発光素子１３の初期輝度が３０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、ＬＴ９５は、９．８時間であった。

＜実施例１３：発光素子１３のパルス電圧駆動＞
発光素子１３の初期輝度が３０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、上記のパルス電圧駆動条件１で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、ＬＴ９５は、２４．８時間であった。実施例１３のＬＴ９５は、比較例１３のＬＴ９５の２．５３倍であった。

＜素子作製例１４：発光素子１４の作製および発光特性評価＞
素子作製例１３における、高分子化合物Ｐ６のキシレン溶液（０．７重量％）に代えて、下記式（ＨＭ−２）で表される正孔輸送材料（Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製、ＬＴ−Ｎ１５７）のクロロベンゼン溶液（０．９重量％）を用いたこと以外は、素子作製例１３と同様にして、発光素子１４を作製した。

（発光素子の発光特性評価）
発光素子１４に電圧を印加することにより、５２０ｎｍに発光スペクトルの最大ピーク波長を有するＥＬ発光が観測された。発光素子１４の発光開始電圧は３．１Ｖであり、１０００ｃｄ／ｍ^２における発光効率は４５．９ｃｄ／Ａであった。

＜比較例１４：発光素子１４の直流電圧駆動＞
発光素子１４の初期輝度が３０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、ＬＴ９５は、０．４０時間であった。

＜実施例１４：発光素子１４のパルス電圧駆動＞
発光素子１４の初期輝度が３０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、上記のパルス電圧駆動条件１で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、ＬＴ９５は、０．７０時間であった。実施例１４のＬＴ９５は、比較例１４のＬＴ９５の１．９０倍であった。

本発明によれば、発光素子の駆動方法であって、輝度寿命に優れる駆動方法を提供することができる。また、本発明によれば、発光素子と、該駆動方法のための駆動装置とを備える発光装置を提供することができる。

Claims (8)

1. 陽極と、
   陰極と、
   陽極および陰極の間に設けられた発光層と、
   陽極および発光層の間に設けられており、架橋材料の架橋体を含有する正孔輸送層と、
   陽極および正孔輸送層の間に設けられた正孔注入層とを有する発光素子を、
   発光素子の発光開始電圧以上の第１の電圧と、発光素子の発光開始電圧未満の第２の電圧とを交互にスイッチングさせたパルス電圧により駆動する、発光素子の駆動方法であって、
   前記発光層が式Ir-1〜Ir-3で表されるイリジウム錯体を含有し、
   前記架橋材料が式（Ｘ）で表される構成単位と、式（ＸＬ−１）または式（ＸＬ−１７）で表される架橋基を有する構成単位とを含む高分子化合物である、前記発光素子の駆動方法。
   

   

   

   ［式中、
   Ｒ ^D1 〜Ｒ ^D8 およびＲ ^D11 〜Ｒ ^D20 は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ ^D1 〜Ｒ ^D8 およびＲ ^D11 〜Ｒ ^D20 が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。但し、前記式Ir-1で表される金属錯体において、Ｒ ^D1 〜Ｒ ^D8 の少なくとも１つは、式(D-A)で表される基であり、前記式Ir-2で表される金属錯体において、Ｒ ^D11 〜Ｒ ^D20 の少なくとも１つは式(D-A)で表される基であり、前記式Ir-3で表される金属錯体において、Ｒ ^D1 〜Ｒ ^D8 およびＲ ^D11 〜Ｒ ^D20 の少なくとも１つは式(D-A)で表される基である。
   −Ａ ^D1 ---Ａ ^D2 −は、アニオン性の２座配位子を表し、Ａ ^D1 およびＡ ^D2 は、それぞれ独立に、イリジウム原子と結合する炭素原子、酸素原子または窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。−Ａ ^D1 ---Ａ ^D2 −が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   ｎ _D1 は、１、２または３を表し、ｎ _D2 は、１または２を表す。］
   

   

   ［式中、
   ｍ ^DA1 、ｍ ^DA2 およびｍ ^DA3 は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
   Ｇ ^DA は、窒素原子、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
   Ａｒ ^DA1 、Ａｒ ^DA2 およびＡｒ ^DA3 は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ ^DA1 、Ａｒ ^DA2 およびＡｒ ^DA3 が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
   Ｔ ^DA は、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＴ ^DA は、同一でも異なっていてもよい。］
   

   

   ［式中、
   ａ ^X1 およびａ ^X2 は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
   Ａｒ ^X1 およびＡｒ ^X3 は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
   Ａｒ ^X2 およびＡｒ ^X4 は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ ^X2 およびＡｒ ^X4 が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   Ｒ ^X1 、Ｒ ^X2 およびＲ ^X3 は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ ^X2 およびＲ ^X3 が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
   

   

   ［式中、＊１は結合位置を表す。これらの架橋基は置換基を有していてもよい。］
2. 前記架橋基を有する構成単位が、式（２）で表される構成単位または（３）で表される構成単位である、請求項１に記載の発光素子の駆動方法。
   

   

   ［式中、
   ｎＡは０〜５の整数を表し、ｎは１または２を表す。
   Ａｒ^１は、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
   Ｌ^Ａは、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、−ＮＲ’−で表される基、酸素原子または硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ’は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｌ^Ａが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   Ｘは、前記式（ＸＬ−１）または前記式（ＸＬ−１７）で表される架橋基を表す。Ｘが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
   

   

   ［式中、
   ｍＡは０〜５の整数を表し、ｍは１〜４の整数を表し、ｃは０または１の整数を表す。ｍＡが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   Ａｒ^３は、芳香族炭化水素基、複素環基、または、少なくとも１種の芳香族炭化水素環と少なくとも１種の複素環とが直接結合した基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
   Ａｒ^２およびＡｒ^４は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
   Ａｒ^２、Ａｒ^３およびＡｒ^４はそれぞれ、当該基が結合している窒素原子に結合している当該基以外の基と、直接または酸素原子もしくは硫黄原子を介して結合して、環を形成していてもよい。
   Ｋ^Ａは、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、−ＮＲ’−で表される基、酸素原子または硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ’は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｋ^Ａが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   Ｘ’は、前記式（ＸＬ−１）または前記式（ＸＬ−１７）で表される架橋基、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。但し、少なくとも１つのＸ’は、前記式（ＸＬ−１）または前記式（ＸＬ−１７）で表される架橋基である。］
3. 前記式（Ｘ）で表される構成単位と、前記式（ＸＬ−１）または前記式（ＸＬ−１７）で表される架橋基を有する構成単位とを含む高分子化合物が、式（Ｙ）で表される構成単位を更に含む、請求項１または２に記載の発光素子の駆動方法。
   

   

   ［式中、Ａｒ^Y1は、アリーレン基、２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
4. 前記第１の電圧が順バイアス電圧であり、前記第２の電圧が逆バイアス電圧であり、第１の電圧および第２の電圧の極性が異なる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光素子の駆動方法。
5. 前記第２の電圧が、−１５Ｖ以上０Ｖ未満である、請求項４に記載の発光素子の駆動方法。
6. 前記パルス電圧の周波数が、０．１Ｈｚ以上１００Ｈｚ以下である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の発光素子の駆動方法。
7. 前記第１の電圧のパルス幅：Ｔ１と、前記第２の電圧のパルス幅：Ｔ２とが、式（１−１）を満たす、請求項１〜６のいずれか一項に記載の発光素子の駆動方法。
   
   ０．０５≦Ｔ１／（Ｔ１＋Ｔ２）≦０．９５ （１−１）
   
8. 前記第１の電圧のパルス幅：Ｔ１と、前記第２の電圧のパルス幅：Ｔ２とが、式（１−３）を満たす、請求項７に記載の発光素子の駆動方法。
   
   ０．７５≦Ｔ１／（Ｔ１＋Ｔ２）≦０．９０ （１−３）

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