JP2015133362A - 有機電界発光素子 - Google Patents
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Abstract
Description
HOMOED-0.2eV ≦ HOMOHT ≦ HOMOED+0.1eV (1)
式(2)中、Ar1、Ar2、Ar3は、それぞれ独立的に、置換若しくは無置換のアリール基、又は置換若しくは無置換のヘテロアリール基である。
基板102は、有機電界発光素子の支持体となるものであり、機械的強度や、寸法安定性に優れていることが好ましい。例えば、石英、透明ガラス基板や、シリコン、金属板、セラミック板、プラスティック板(ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリメタクリレート樹脂、シリコン樹脂、フッ素樹脂等を挙げることができるができるが、これらに限定されるものではない。。
陽極104は、基板102上に配置され、発光層110側の層へ正孔注入の役割を果たすものである。具体的には、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、酸化インジウムスズ(ITO)やインジウム亜鉛酸化物(IZO)、ヨウ化銅などのハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ(3−メチルチオフェン)、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子などを用いて形成することができるが、これらに限定されるものではない。陽極の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより行われることが多い。陽極に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的に、陽極表面を紫外線(UV)/オゾン処理したり、酸素プラズマ処理、窒素プラズマ処理、若しくはアルゴンプラズマ処理したり、これらを組み合わせた処理をすることが好ましい。
正孔注入層106は、陽極104上に配置され、正孔輸送性を有する化合物であれば、低分子化合物で形成されてもよく、高分子化合物で形成されてもよい。陽極からの注入性の観点より、4.5eV〜6.0eVのイオン化ポテンシャルを有する化合物で形成されるのが好ましい。例えば、芳香族アミン化合物、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ポルフィリン誘導体、ポリチオフェン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、フルオレノン誘導体、ベンジルフェニル誘導体、スチルベン誘導体、シラザン化合物、フタロシアニン誘導体等を用いて形成される。例えば、4,4′,4′′-Tris[2-naphthyl(phenyl)amino]triphenylamine(2-TNATA)、N,N,N′,N′-Tetrakis(3-methylphenyl)-3,3′-dimethylbenzidine(HMTPD)等を用いることができる。また、正孔注入層106は、後述するように、発光材料とHOMOの関係が関係式(1)の関係を満たす含窒素化合物を用いて形成されてもよい。
正孔輸送層108は、正孔注入層106上に配置され、下記関係式(1)を満たし、正孔輸送性を有する化合物であれば、低分子化合物で形成されてもよく、高分子化合物で形成されてもよい。陽極からの注入性の観点より、4.5eV〜6.0eVのイオン化ポテンシャルを有する化合物で形成されるのが好ましい。正孔輸送層108は、例えば、芳香族アミン化合物、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ポルフィリン誘導体、ポリチオフェン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、フルオレノン誘導体、ベンジルフェニル誘導体、スチルベン誘導体、シラザン化合物、フタロシアニン誘導体等が挙げられる。
発光層110は、正孔輸送層108上に配置され、発光層ホスト材料に、本発明に係る発光材料(ドーパント)をドープして形成される。発光層ホスト材料として、例えば、カルバゾール系化合物、アントラセン系化合物、ピレン系化合物、ピリジン系化合物、フェナントロリン系化合物、オキサジアゾール系化合物、シロール系化合物、キナクリドン系化合物、ブダジエン系化合物芳香族アミン系化合物、フタロシアニン系化合物等を用いることができる。より具体的には、例えば、9,10-Di(2-naphthyl)anthracene(ADN)等を用いることができるが、これに限定されるものではない。
発光材料として、下記関係式(1)を満たし、単一の分子量で規定される発光の性質を有する化合物であれば特に制限はなく、公知の材料を適応可能である。発光材料は、例えば、蛍光発光性低分子化合物であっても、燐光発光性低分子化合物であってもよい。蛍光発光性低分子の例を以下に挙げるが、蛍光発光性化合物は以下の例示物に限定されるものではない。蛍光発光性低分子化合物としては、例えば、ナフタレン、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリン、クリセン、p−ビス(2−フェニルエステル)ベンゼン、キナクリドン、クマリン、ルブレン、ペリミドン、M(4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(p-dimethylaminostyryl)-4H-pyran)、ベンゾピラン、ローダミン、ベンゾチオオキサンテン、アルミニウム錯体、及びそれらの誘導体があげられる。
HOMOED - 0.2eV ≦ HOMOHT ≦ HOMOED + 0.1eV (1)
式(2)中、Ar1〜Ar3はそれぞれ独立的に、置換若しくは無置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、又は置換若しくは無置換の環形成炭素数3以上20以下のヘテロアリール基である。
電子輸送層112は、発光層110上に配置され、例えば、トリス(8-キノリノラト)アルミニウム(Alq3)、トリス(4-メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(Almq3)、ビス(10-ヒドロキシベンゾ[h]-キノリナト)アルミニウム(BeBq2)、ビス(2-メチル-8キノリノラト)-(4-ヒドロキシ-ビフェニル)-アルミニウム(BAlq)など、キノリン骨格、またはベンゾキノン骨格を有する金属錯体などを用いることが出来る。また、オキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることが出来る。さらに、金属錯体以外にも、1,3ビス[5-(p-tert-ブチルフェニル)-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン(OXD-7)、バソフェナントロリン(BPhen)、バソキュプロイン(BCP)などを用いることも出来る。
電子注入層114は、電子輸送層112上に配置され、例えば、酸化リチウム(Li2O)、酸化マグネシウム(MgO)、アルミナ(Al2O3)、フッ化リチウム(LiF)、フッ化マグネシウム(MgF2)、フッ化ストロンチウム(SrF2)などを用いることが出来る。
陰極116は、電子注入層114上に配置され、仕事関数が小さい金属、合金、導電性化合物、及びこれらの混合物をなどを用いることが好ましい。具体的には、リチウム(Li)、セシウム(Cs)、バリウム(Ba)、マグネシウム(Mg)、アルミニウム(Al)、銀(Ag),及びこれらの合金等(MgAg、AlLi)が挙げられる。また、酸化インジウムスズ(ITO)やインジウム亜鉛酸化物(IZO)等の透明材料によって形成してもよい。
以下に、本発明に係る有機電界発光素子100の駆動方法について説明する。なお、以下に説明する駆動方法は一例であって、本発明はこれらに限定されるものではない。
有機電界発光素子100の電圧印加時にはパルス波を用い、その周波数を30Hz以上とすることが好ましい。これは、周波数が30Hz未満になると、得られるEL表示にちらつきが発生する可能性があるためである。
有機電界発光素子100への電圧印加はパルス波で行い、電圧印加時のパルス波のデューティー比を、Von、Voffそれぞれに対してTon、Toffとすると、Ton>1/2 にすることが好ましい。これはデューティー比Tonが1/2を下回ると、同様の構造をディスプレイに適応し、駆動させた場合に、人間の目にちらつきとして認識されてしまう可能性が出てくるためである。特に、前項の周波数の値が小さい場合にはちらつきが顕著に現れる可能性がある。
上述のVoffの値について、−0.01〜−20Vが好ましい。逆方向電圧が−0.01V以上であれば、発光材料上に滞在している電荷を十分に除去できないと考えられる。また、−25Vを超えると有機電界発光素子100が劣化、破壊される可能性もあるためである。そのため、より好ましくは−0.1〜−15V、さらに好ましくは−0.5〜−10Vである。
実施例1〜4及び比較例2〜5の発光材料1として、D−1を用いた。また、比較例1の発光材料2として、D−2を用いた。表1に示すように、発光材料2は発光材料1よりもHOMOが浅い材料である。
実施例1の有機電界発光素子を以下のように作製した。基板202には透明ガラス基板を用い、150nmの膜厚のITO(酸化インジウムスズ)で陽極204を形成したものを使用した。この基板202に対して、UV/O3洗浄を行った。洗浄後、透明電極ライン付き、ガラス基板202を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、真空蒸着装置中にて、60nmの膜厚の2-TNATAで正孔注入層206を形成した。30nmの膜厚の化合物2で正孔輸送層208を形成した。その後、ADNに発光材料1を3%ドープした25nmの膜厚の発光層210を形成し、30nmの膜厚のAlq3で電子輸送層212を形成し、1nmの膜厚のLiF(フッ化リチウム)で電子注入層214を形成し、120nmの膜厚のAl(アルミニウム)で陰極216を形成した。
正孔注入層206を形成した後、化合物6を正孔輸送層208として30nm形成したこと以外は実施例1と同様に作製した。
正孔注入層206を形成した後、化合物12を正孔輸送層208として30nm形成したこと以外は実施例1と同様に作製した。
正孔注入層206を形成した後、化合物13を正孔輸送層208として30nm形成したこと以外は実施例1と同様に作製した。
正孔注入層206を形成した後、化合物2を正孔輸送層208として30nm形成し、ADNに発光材料2を3%ドープした25nmの膜厚の発光層210を形成したこと以外は実施例1と同様に作製した。
正孔注入層206を形成した後、化合物3を正孔輸送層208として30nm形成したこと以外は実施例1と同様に作製した。
正孔注入層206を形成した後、化合物10を正孔輸送層208として30nm形成したこと以外は実施例1と同様に作製した。
正孔注入層206を形成した後、化合物25を正孔輸送層208として30nm形成したこと以外は実施例1と同様に作製した。
正孔注入層206を形成した後、化合物30を正孔輸送層208として30nm形成したこと以外は実施例1と同様に作製した。
Claims (3)
- 陽極及び陰極の間に有機材料層を有する有機電界発光素子において、
前記有機材料層が、発光材料及び電荷輸送材料を含む発光層と、正孔輸送層と、電子輸送層と、を含み、
前記正孔輸送層を構成する正孔輸送材料のHOMO(HOMOHT)と前記発光材料のHOMO(HOMOED)との関係が関係式(1)を満たし、
前記有機電界発光素子はデューティー駆動で駆動し、順方向のバイアス及び逆方向のバイアスをかけて駆動することを特徴する有機電界発光素子。
HOMOED-0.2eV ≦ HOMOHT ≦ HOMOED+0.1eV (1)
- 前記発光材料が含窒素化合物であることを特徴とする請求項1記載の有機電界発光素子。
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