JP2010161385A - 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその駆動方法 - Google Patents

Abstract

【課題】低電力消費であって、長期発光寿命が得られる有機ＥＬ表示装置、及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】上部電極（２０）及び下部電極（２２）の間に有機発光媒体（２４）を挟持して構成した有機ＥＬ素子（２６）と、該有機ＥＬ素子（２６）を駆動するための駆動回路（１４）とを備えた有機ＥＬ表示装置（３０）において、有機発光媒体（２４）が、ホスト化合物と、三重項関与性発光化合物とを含むとともに、駆動回路（１４）が、周波数３０Ｈｚ以上であって、デューティ比が１／５以下であるパルス波電圧又は電流を印加する。
【選択図】図１

Description

この発明は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置（以下、有機ＥＬ表示装置と称する場合がある。）及びその駆動方法に関する。より詳しくは、低電力消費であって、長期発光寿命が得られる有機ＥＬ表示装置、及びその駆動方法に関する。
尚、本願明細書において記載している「ＥＬ」は、「エレクトロルミネッセンス」を省略表記したものである。

従来、電極間に有機発光層を挟持した有機ＥＬ素子をＸＹマトリックス電極構造により駆動させる単純駆動型有機ＥＬ表示装置が知られており、例えば、特許文献１や特許文献２に開示されている。
このような単純駆動型有機ＥＬ発光装置では、いわゆる線順次駆動を行うので、走査線数が数百本ある場合には、要求される瞬間輝度が、観察輝度の数百倍となり、結果として、以下のような問題が生じていた。
（１）駆動電圧が、直流定常電圧の場合の２〜３倍以上と高くなるため、発光効率が低下したり、消費電力が大きくなったりする。
（２）瞬間的に流れる電流量が数百倍となるため、有機発光層が劣化しやすい。
（３）（２）と同様に、電流量が非常に大きいため、電極配線における電圧降下が大きくなる。
そのため、単純駆動型有機ＥＬ発光装置の有する問題点を解決すべく、薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴ（thin film transistor）と称する場合がある。）を備えて、有機ＥＬ素子を駆動させるアクティブ駆動型有機ＥＬ発光装置が提案されている。
このようなアクティブ駆動型有機ＥＬ発光装置は、単純駆動型有機ＥＬ発光装置と比較して、駆動電圧が大幅に低電圧化し、発光効率が向上し、しかも、消費電力が低減できる等の特徴がある。
しかしながら、このような効果を有するアクティブ駆動型有機ＥＬ発光装置においても、三重項関与性化合物、例えば、イリジウム錯体を含む有機発光媒体を有する場合には、高い発光輝度が得られる一方、発光寿命が短いという問題が見られた。即ち、三重項関与性化合物は、分子が励起及び緩和される時間が、一重項関与性化合物に比べて長いため、電荷が内部に蓄積し、結果として、正孔と、電子とのバランスがくずれやすくなるためである。よって、非特許文献１によれば、イリジウム錯体を含む有機発光媒体を有する有機ＥＬ発光装置の場合、発光輝度が５００ｃｄ／ｃｍ^２の条件において、発光効率は４０ルーメンス／Ｗ以上の値であるものの、半減期は２００時間以下の短い時間であった。

特開平２−３７３８５号公報 特開平３−２３３８９１号公報

ジャパン・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジクス（Ｊａｐａｎ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）誌 第３８巻 Ｌ１５０２−Ｌ１５０４頁（１９９９）

そこで、本発明の発明者らは上記問題を鋭意検討したところ、有機発光媒体として、ホスト化合物と、三重項関与性発光化合物との組み合わせを用いた場合であっても、適当な駆動回路を設けて駆動することにより、低消費電力であって、しかも長時間駆動の有機ＥＬ表示装置を提供することができ、そのためフラットパネルディスプレイ等の分野にも応用できることを見出した。
即ち、本発明の目的は、低消費電力であって、しかも長時間駆動した場合であっても発光輝度の低下が少ない有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
また、本発明の別の目的は、このような有機ＥＬ表示装置を低消費電力で、しかも長時間駆動することができる駆動方法を提供することにある。

本発明によれば、上部電極及び下部電極の間に、ホスト化合物と、燐光性発光化合物とを含む有機発光媒体を挟持して構成した有機ＥＬ素子と、周波数３０Ｈｚ以上であって、デューティ比が１／５以下であるパルス波電流又は電圧を印加せしめる、該有機ＥＬ素子を駆動するための駆動回路とを備えた有機ＥＬ表示装置が提供される。
このように有機ＥＬ表示装置を構成することにより、三重項関与性発光化合物を用いた場合であっても、低消費電力となり、しかも発光寿命を長くすることができる。
また、本発明を構成するにあたり、有機発光媒体を発光させるためにパルス波電圧又は電流を印加した後、有機エレクトロルミネッセンス素子の電極間にかかるパルス波の電圧（Ｖ１）とは逆方向の電圧（Ｖ２）を印加する駆動回路を有することが好ましい。
このように有機ＥＬ表示装置を構成することにより、有機発光媒体として、三重項関与性発光化合物を用いた場合であっても、内部に蓄積した電荷を除去できるため、発光寿命をさらに長くすることができる。
また、本発明を構成するにあたり、パルス波の電圧（Ｖ１）よりも小さい値の逆方向の電圧（Ｖ２）を印加するための駆動回路を有することが好ましい。
このように有機ＥＬ表示装置を構成することにより、三重項関与性発光化合物を用いた場合であっても、発光寿命をさらに長くすることができる。
また、本発明を構成するにあたり、三重項関与性発光化合物が、有機金属錯体であることが好ましい。
このように有機ＥＬ表示装置を構成することにより、より低消費電力とすることができる。
また、本発明を構成するにあたり、有機金属錯体が、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｐｂ、Ｂｉからなる群から選択される少なくとも一つの金属を含むことが好ましい。
このように有機ＥＬ表示装置を構成することにより、より低消費電力とすることができる。
また、本発明を構成するにあたり、有機発光媒体と、陰極との間に、正孔障壁層を有することが好ましい。
このように有機ＥＬ表示装置を構成することにより、三重項関与性発光化合物を用いた場合であっても、より低消費電力となり、しかも発光寿命をさらに長くすることができる。
また、本発明を構成するにあたり、正孔障壁層に、フェナントロリン誘導体を含むことが好ましい。
このように有機ＥＬ表示装置を構成することにより、三重項関与性発光化合物を用いた場合であっても、より低消費電力となり、しかも発光寿命をさらに長くすることができる。
また、本発明を構成するにあたり、駆動回路が、有機ＥＬ素子の発光制御用の薄膜トランジスタを含むことが好ましい。
このように有機ＥＬ表示装置を構成することにより、三重項関与性発光化合物を用いた場合であっても、より低消費電力となり、しかも発光寿命をさらに長くすることができる。
また、本発明の別の態様は、上部電極及び下部電極の間に有機発光媒体を挟持して構成した有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた有機エレクトロルミネッセンス表示装置の駆動方法であって、駆動回路により、周波数が３０Ｈｚ以上であって、デューティ比が１／５以下であるパルス波電流又は電圧を印加して、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を駆動することを含む有機エレクトロルミネッセンス表示装置の駆動方法である。好ましくは、パルス波電流を印加する。
このように有機ＥＬ表示装置を駆動することにより、三重項関与性発光化合物を用いた場合であっても、低消費電力となり、しかも発光寿命を長くすることができる。
また、本発明の駆動方法を実施するにあたり、駆動回路が、有機発光媒体を発光させるためにパルス波電圧又は電流を印加した後、有機エレクトロルミネッセンス素子の電極間にかかるパルス波の電圧（Ｖ１）とは逆方向の電圧（Ｖ２）を印加することが好ましい。

このように有機ＥＬ表示装置を駆動することにより、三重項関与性発光化合物を用いた場合であっても、内部に蓄積した電荷を効果的に除去できるため、発光寿命をさらに長くすることができる。

図１は、本発明の有機ＥＬ表示装置の断面図である。 図２は、デューティ比と、半減期との関係を示す図である。 図３は、ＴＦＴを含む回路図である。 図４は、ＴＦＴを含む配置図である。 図５は、発光用のパルス波を印加する際のタイミングチャートである。 図６は、逆電圧を印加する際のタイミングチャートである。 図７は、逆電圧を印加する際のタイミングチャートである。 図８は、逆電圧を印加する際のタイミングチャートである。 図９は、逆電圧を印加する際のタイミングチャートである。

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について具体的に説明する。尚、参照する図面は、この発明が理解できる程度に各構成成分の大きさ、形状及び配置関係を概略的に示してあるに過ぎない。従って、この発明は図示例にのみ限定されるものではない。また、図面では、断面を表すハッチングを省略する場合がある。

［第１の実施形態］
第１の実施形態の有機ＥＬ発光装置は、図１に示すように、支持基板１０上に設けられた上部電極２０及び下部電極２２の間に有機発光媒体２４を挟持してなる有機ＥＬ素子２６と、該有機ＥＬ素子２６を駆動するための駆動回路１４と、を備えた有機ＥＬ表示装置３０において、有機発光媒体２４が、ホスト化合物と、三重項関与性発光化合物とを含むとともに、駆動回路１４が、周波数が３０Ｈｚ以上であって、デューティ比が１／５以下であるパルス波電圧（Ｖ１）又はパルス波電流を印加せしめることであり、このとき有機ＥＬ素子２６の電極間にかかる電圧（Ｖ１）を特徴とした有機ＥＬ表示装置である。
尚、図１において、ＴＦＴ回路が設けてあるが、かかるＴＦＴ回路を省略することもでき、ＴＦＴ回路を設けた有機ＥＬ表示装置においては、通常は直流駆動をするところを、本発明では、前記パルス波電圧又は電流を印加するものとする。
以下、本発明の有機ＥＬ発光装置の実施形態において、図１等を適宜参照しながら、その構成要素や駆動方法等について説明する。

１．支持基板
有機ＥＬ表示装置における支持基板（以下、基板と称する場合がある。）は、有機ＥＬ素子や、駆動回路等を支持するための部材であり、そのため機械的強度や、寸法安定性に優れていることが好ましい。
このような基板としては、具体的には、ガラス板、金属板、セラミックス板、あるいはプラスチック板（ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコン樹脂、フッ素樹脂等）等を挙げることができる。
また、これらの材料からなる基板は、有機ＥＬ表示装置内への水分の侵入を避けるために、さらに無機膜を形成したり、フッ素樹脂を塗布したりすることにより、防湿処理や疎水性処理を施してあることが好ましい。
従って、有機発光媒体への水分の侵入を避けるために、防湿処理や疎水性処理により、基板における含水率及びガス透過係数を小さくすることが好ましい。具体的に、支持基板の含水率を０．０００１重量％以下の値及びガス透過係数を１×１０^−１３ｃｃ・ｃｍ／ｃｍ^２・ｓｅｃ．ｃｍＨｇ以下の値とすることがそれぞれ好ましい。

２．有機ＥＬ素子
（１）有機発光媒体
有機発光媒体は、電子と正孔とが再結合して、ＥＬ発光が可能な有機発光層を含む媒体と定義することができる。かかる有機発光媒体は、例えば、下部電極上に、以下の各層を積層して構成することができる。そして、三重項関与性発光化合物は、以下のいずれの有機層に含まれていても良い。
(i) 有機発光層
(ii) 正孔輸送層／有機発光層
(iii) 有機発光層／電子注入層
(iv) 正孔輸送層／有機発光層／電子注入層
(v) 正孔輸送層／有機発光層／正孔障壁層／電子注入層
(vi) 正孔輸送層／電子障壁層／有機発光層／電子注入層

Ａ 構成材料１
有機発光媒体における発光材料（ホスト化合物）としては、例えば、カルバゾール誘導体、ｐ−クオーターフェニル誘導体、ｐ−クィンクフェニル誘導体、ベンゾチアゾール系化合物、ベンゾイミダゾール系化合物、ベンゾオキサゾール系化合物、金属キレート化オキシノイド化合物、オキサジアゾール系化合物、スチリルベンゼン系化合物、ジスチリルピラジン誘導体、ブタジエン系化合物、ナフタルイミド化合物、ペリレン誘導体、アルダジン誘導体、ピラジリン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ピロロピロール誘導体、スチリルアミン誘導体、クマリン系化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、８−キノリノール誘導体を配位子とする金属錯体、ポリフェニル系化合物等の１種単独又は２種以上の組み合わせが挙げられる。
また、これらのホスト化合物のうち、芳香族ジメチリディン系化合物としての、４，４´−ビス（２，２−ジ−ｔ−ブチルフェニルビニル）ビフェニル（ＤＴＢＰＢＢｉと略記する。）や、４，４´−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉと略記する。）、及びこれらの誘導体がより好ましい。
尚、ホスト化合物は、三重項関与性発光化合物によって得られる三重項励起エネルギーを利用できるように、そのエネルギー準位よりも大きな一重項励起エネルギーを有する化合物であることが好ましく、そのエネルギー準位よりも大きな三重項励起エネルギーを有する化合物であることがより好ましい。

Ｂ 構成材料２
一方、燐光性発光化合物としては、燐光を発生する化合物であり、励起状態の寿命が１００ｎｓ以上を保有し、発光緩和成分としてその寿命が観測できる化合物であれば良い。寿命の観測方法には時間分解発光測定法を用いることができる。
燐光性発光化合物としては、発光過程に三重項が関与する三重項関与性化合物が好ましく、特に、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｐｂ、Ｂｉからなる群から選択される少なくとも一つの金属を中心金属とし、それに下式（１）で表される骨格構造を有するＣＮ配位子を有する化合物及びその誘導体を使用することが好ましい。さらには、ＣＮ配位子を１配位又は２配位し、さらにＬｘ（ここで、Ｌｘ＝ＯＯ又はＯＮなど）を１配位させた混合配位子を有する錯体も好ましい。Ｌｘ配位子としては、アセチルアセトン誘導体（ａｃａｃ）、ピコリン誘導体（ｐｉｃ）などがある。このような三重項関与性発光化合物としては、例えば、イリジウム錯体、プラチナ錯体、パラジウム錯体、ルテニウム錯体、ルビジウム錯体、モリブテン錯体、レニウム錯体等の一種又は二種以上の組み合わせが挙げられる。

また、これらの三重項関与性発光化合物のうち、より具体的には、トリス（２−フェニルピリジル）イリジウム（Ｉｒ(ｐｐｙ)_３と記する。）、ビス（２−フェニルピリジル）プラチナ、トリス（２−フェニルピリジル）パラジウム、トリス（２−フェニルピリジル）ルテニウム、トリス（２−フェニルピリジル）ルビジウム、トリス（２−フェニルピリジル）モリブテン、Ｉｒ(ｐｐｙ)_２(ａｃａｃ）、Ｉｒ(ｂｔｐ)_２(ａｃａｃ)、ＢｔｐＰｔ(ａｃａｃ)、Ｉｒ(ｂｏ)_２(ａｃａｃ)、Ｉｒ(ｂｔ)_２(ａｃａｃ)、Ｉｒ(ｐｐｙ)_２(Ｐｉｃ)、Ｉｒ(ｂｔｐ)_２(ｐｉｃ)がより好ましい。
これらの三重項関与性発光化合物であれば、室温状態においても、三重項に関与した発光特性が得られるためである。
また、これらの錯体は置換基を有しても良く、置換基の例としては、アルキル基、フッ素、アリール基などがある。
また、三重項関与性発光化合物のイオン化ポテンシャルを、ホスト化合物のイオン化ポテンシャルよりも大きな値とすることが好ましい。
このような三重項関与性発光化合物であれば、陽極から有機発光層へ移動した正孔を、有機発光層内に効率的に止め、発光効率をより高めることができるためである。
また、三重項関与性発光化合物の添加量を、有機発光媒体の全体量に対して、０．１〜５０重量％とすることが好ましい。
この理由は、かかる三重項関与性発光化合物の添加量が０．１重量％未満となると、添加効果が発揮されない場合があるためであり、一方、かかる三重項関与性発光化合物の添加量が５０重量％を超えると、半減期が過度に短くなる場合があるためである。
従って、三重項関与性発光化合物の添加量を、有機発光媒体の全体量に対して、１〜３０重量％とすることがより好ましく、５〜２０重量％とすることがさらに好ましい。

Ｃ 構成材料３
正孔輸送層を構成する正孔輸送材料としては、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、ポリシラン、アニリン系共重合体、導電性高分子オリゴマー（特に、チオフェンオリゴマー）等の一種又は二種以上の組み合わせが挙げられる。
より具体的には、これらの正孔輸送材料のうち、特に、ビス（ジアリールアミノ）アリーレン誘導体であり、アリールがポリフェニル、かつ、アリーレンがポリフェニレンである誘導体を使用することが寿命が特に長いので好ましい。
ここで、好ましいポリフェニルは、ビフェニル又はターフェニルであり、ポリフェニレンはビフェニルイル又はターフェニルイルである。

Ｄ 構成材料４
電子注入層を構成する電子注入材料としては、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（８−キノリノラート）ガリウム、ビス（１０−ベンゾ［ｈ］キノリノラート）ベリリウム、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアジン誘導体、ペリレン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレノン誘導体、チオピランジオキサイド誘導体等の一種又は二種以上の組み合わせが挙げられる。
また、かかる電子注入材料に、ドーパントとして、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ化合物、アルカリ土類化合物、希土類化合物、有機化合物が配位したアルカリ金属を添加することも好ましい。

Ｅ 厚さ
また、有機発光媒体の厚さについては特に制限はないが、例えば、厚さを５ｎｍ〜５μｍとすることが好ましい。
この理由は、有機発光媒体の厚さが５ｎｍ未満となると、発光輝度や耐久性が低下する場合があり、一方、有機発光媒体の厚さが５μｍを超えると、印加電圧の値が高くなる場合があるためである。
従って、有機発光媒体の厚さを１０ｎｍ〜３μｍとすることがより好ましく、２０ｎｍ〜１μｍとすることがさらに好ましい。

（２）電極
以下、上部電極及び下部電極について説明する。ただし、有機ＥＬ素子の構成に対応して、これらの上部電極及び下部電極が、陽極層及び陰極層に該当したり、あるいは、陰極層及び陽極層に該当したりする場合がある。
Ａ 下部電極
下部電極は、有機ＥＬ表示装置の構成に応じて陽極層あるいは陰極層に該当するが、例えば、陽極層に該当する場合には、仕事関数の大きい（例えば、４．０ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物又はこれらの混合物を使用することが好ましい。具体的に、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、ストロンチウム銅酸化物、酸化スズ、酸化亜鉛、金、白金、パラジウム等の電極材料を単独で使用するか、あるいはこれらの電極材料を二種以上組み合わせて使用することが好ましい。
これらの電極材料を使用することにより、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法、ＣＶＤ法（Chemical Vapor Deposition）、ＭＯＣＶＤ法（Metal Oxide Chemical Vapor Deposition）、プラズマＣＶＤ法（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）等の乾燥状態での成膜が可能な方法を用いて、均一な厚さを有する下部電極を形成することができる。
尚、本発明では、下部電極側からＥＬ発光を取り出す必要があるため、当該下部電極を透明電極とする必要がある。従って、上述した電極材料を使用して、ＥＬ発光の透過率を７０％以上の値とすることが好ましい。
また、下部電極の膜厚も特に制限されるものではないが、例えば、１０〜１，０００ｎｍとするのが好ましく、１０〜２００ｎｍとするのがより好ましい。
この理由は、下部電極の膜厚をこのような範囲内の値とすることにより、十分な導電性が得られるとともに、ＥＬ発光につき、７０％以上の高い透過率が得られるためである。

Ｂ 上部電極
一方、上部電極についても、有機ＥＬ表示装置の構成に対応して陽極層あるいは陰極層に該当するが、例えば、陰極層に該当する場合には、陽極層と比較して、仕事関数の小さい（例えば、４．０ｅＶ未満）金属、合金、電気伝導性化合物又はこれらの混合物あるいは含有物を使用することが好ましい。
具体的には、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、セシウム、マグネシウム、リチウム、マグネシウム−銀合金、アルミニウム、酸化アルミニウム、アルミニウム−リチウム合金、インジウム、希土類金属、これらの金属と有機発光媒体材料との混合物、及びこれらの金属と電子注入層材料との混合物等からなる電極材料を単独で使用するか、あるいはこれらの電極材料を２種以上組み合わせて使用することが好ましい。
また、上部電極の膜厚についても、特に制限されるものではないが、具体的に１０〜１，０００ｎｍとするのが好ましく、１０〜２００ｎｍとするのがより好ましい。
この理由は、上部電極の膜厚をこのような範囲内の値とすることにより、所定の面抵抗や、良好な電気接続信頼性を得ることができるためである。
また、上部電極２０は、図１に示すように、主電極１６と、より低抵抗材料からなる補助電極１８とから構成することが好ましい。
このように構成することにより、上部電極２０の面抵抗を著しく低下させることができる。よって、有機発光媒体に流れる電流密度が低減でき、結果として、有機発光媒体の寿命を著しく伸ばすことができる。

３．色変換媒体
また、有機ＥＬ素子の発光面に、色変換媒体を設けることが好ましい。このような色変換媒体としては、カラーフィルタや、ＥＬ発光とは異なる色を発光するための蛍光膜が挙げられるが、これらの組み合わせも好ましい。
（１）カラーフィルタ
カラーフィルタは、光を分解又はカットして色調整又はコントラストを向上するために設けられ、色素のみからなる色素層、又は色素をバインダー樹脂中に溶解又は分散させて構成した層状物として構成される。
また、カラーフィルタの構成として、青色、緑色、赤色の色素を含むことが好適である。このようなカラーフィルタと、白色発光の有機ＥＬ素子とを組み合わせることにより、青色、緑色、赤色の光の三原色が得られ、フルカラー表示が可能であるためである。
尚、カラーフィルタは、蛍光媒体と同様に、印刷法や、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることが好ましい。

（２）蛍光媒体
有機ＥＬ表示装置における蛍光媒体は、有機ＥＬ素子の発光を吸収して、より長波長の蛍光を発光する機能を有しており、平面的に分離配置された層状物として構成されている。各蛍光媒体は、有機ＥＬ素子の発光領域、例えば下部電極と上部電極との交差部分の位置に対応して配置してあることが好ましい。このように構成することにより、下部電極と上部電極との交差部分における有機発光層が発光した場合に、その光を各蛍光媒体が受光して、異なる色（波長）の発光を外部に取り出すことが可能になる。特に、有機ＥＬ素子が青色発光するとともに、蛍光媒体によって、緑色、赤色発光に変換可能な構成とすると、一つの有機ＥＬ素子であっても、青色、緑色、赤色の光の三原色が得られ、フルカラー表示が可能であることから好適である。
また、各蛍光媒体間に、有機ＥＬ素子の発光及び各蛍光媒体からの光を遮断して、コントラストを向上させ、視野角依存性を低減するための遮光層（ブラックマトリックス）を配置することも好ましい。
尚、蛍光媒体は、外光によるコントラストの低下を防止するため、上述したカラーフィルタと組み合わせて構成してもよい。

４．駆動回路
（１）電圧
また、電圧を印加する（又は電流を注入する）際の電圧値を１〜２０Ｖとすることが好ましい。
この理由は、かかる電圧値が１Ｖ未満となると、所望の発光輝度が得られないためであり、一方、かかる電圧値が２０Ｖを超えると、消費電力が大きくなる場合があるためである。
従って、電圧を印加又は電流を注入する際の電圧値を３〜１５Ｖとすることが好ましく、８〜１３Ｖとすることがさらに好ましい。

（２）周波数
また、電圧を印加又は電流を注入する際に、パルス波を用い、その周波数を３０Ｈｚ以上の値とする必要がある。
この理由は、かかる周波数が３０Ｈｚ未満となると、得られるＥＬ表示がちらつくためである。ただし、周波数の値が過度に大きくなると、有機発光媒体の劣化が促進されて、発光寿命が低下するという問題が生じる場合がある。
従って、電圧を印加又は電流を注入する際の周波数を４０〜１２０Ｈｚとすることが好ましく、５０〜１００Ｈｚとすることがさらに好ましい。

（３）デューティ比
また、電圧を印加する（又は電流を注入する）際のパルス波におけるデューティ比（図５のｔ１／Ｔに相当する。）を１／５以下の値とする必要がある。
この理由は、かかるデューティ比が１／５を超えると、有機ＥＬ表示装置の半減期が短くなるためである。ただし、かかるデューティ比が過度に小さくなると、発光輝度が低下するという問題が生じる場合がある。
従って、電圧を印加又は電流を注入する際のデューティ比を１／１０００〜１／１０とすることが好ましく、１／５００〜１／２０とすることがさらに好ましい。

ここで、図２を参照して、デューティ比と、半減期との関係をさらに詳細に説明する。図２の横軸には、デューティ比（−）が採って示してあり、縦軸には、実施例１等の有機ＥＬ表示装置における半減期（Ｈｒｓ）が採って示してある。
この図２から容易に理解されるように、デューティ比が大きい程、半減期が短くなる傾向があり、デューティ比が０．１〜０．２の範囲で大きく変化し、デューティ比が０．１の場合には、４００Ｈｒｓ程度であった半減期が、０．２を超えると、２００Ｈｒｓ程度にまで低下している。逆に、かかるデューティ比を、１／５以下の値、即ち、０．２以下の値とすれば、比較的長い半減期が得られることになる。また、かかるデューティ比を、０．１以下の値とすれば、さらに長い半減期が得られるものの、半減期の値が飽和する傾向が見られた。
よって、図２からも、上述したとおり、長い半減期を得るためには、デューティ比を１／５以下の値とする必要があり、１／１０００〜１／１０とすることが好ましく、１／５００〜１／２０とすることがさらに好ましいという結論を得ることができる。この結果が、本来には直流駆動するアクティブ駆動においても、あえて上記のデューティー比を採用する理由である。

（４）薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
Ａ 構成
また、本発明の有機ＥＬ表示装置は、図１に示されるように、支持基板１０上に、少なくとも一つのＴＦＴ１４と、このＴＦＴ１４により駆動される有機ＥＬ素子２６とを有していることが好ましい。
即ち、ＴＦＴ１４と、有機ＥＬ素子２６の下部電極２２との間には、平坦化された層間絶縁膜１３及び色変換媒体６０が配設してあり、かつＴＦＴ１４のドレイン４７と、有機ＥＬ素子２６の下部電極２２とが、層間絶縁膜１３及び色変換媒体６０の境界に設けられた電気接続部材２８を介して電気的に接続されている。
また、図３のＴＦＴを含む回路図及び図４のＴＦＴを含む配置図が示すように、ＴＦＴ１４には、ＸＹマトリックス状に配設された複数（ｎ本、ｎは、例えば１〜１、０００）の走査電極線（Ｙj〜Ｙj+n）５０と信号電極線（Ｘi〜Ｘi+n）５１が電気接続されており、さらに、この信号電極線５１に対して平行に設けられた共通電極線（Ｃi〜Ｃi+n）５２が、ＴＦＴ１４に電気接続してある。
そして、これらの電極線５０、５１、５２が、ＴＦＴ１４に電気接続されており、コンデンサ５７とともに、有機ＥＬ素子２６を駆動させるための電気スイッチを構成していることが好ましい。即ち、かかる電気スイッチは、走査電極線５０及び信号電極線５１等に電気接続されているとともに、例えば、１個以上の第１のトランジスタ（以下、Ｔｒ１と称する場合がある。）５５と、第２のトランジスタ（以下、Ｔｒ２と称する場合がある。）５６と、コンデンサ５７とから構成してあることが好ましい。
尚、第１のトランジスタ５５は、発光画素を選択する機能を有し、第２のトランジスタ５６は、有機ＥＬ素子を駆動する機能を有していることが好ましい。
また、図１に示すように、第１のトランジスタ（Ｔｒ１）５５及び第２のトランジスタ（Ｔｒ２）５６の活性層４４は、ｎ型にドーピングされた半導体領域４５、４７、及びドーピングされていない半導体領域４６から構成されており、ｎ+／ｉ／ｎ+と表すことができる。
そして、ｎ型にドーピングされた半導体領域が、それぞれソース４５及びドレイン４７となり、ドーピングされていない半導体領域の上方にゲート酸化膜１２を介して設けられたゲート４３とともに、全体として、トランジスタ５５、５６を構成することになる。
尚、活性層４４において、ｎ型にドーピングされた半導体領域４５、４７を、ｐ型にドーピングして、ｐ+／ｉ／ｐ+とした構成であっても良い。また、第１のトランジスタ（Ｔｒ１）５５及び第２のトランジスタ（Ｔｒ２）５６の活性層４４は、ポリシリコン等の無機半導体や、チオフェンオリゴマー、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）等の有機半導体から構成してあることが好ましい。特に、ポリシリコンは、アモルファスＳｉ（α−Ｓｉ）に比べて、通電に対し充分な安定性を示すことから、好ましい材料である。

Ｂ 駆動方法
次に、ＴＦＴによる有機ＥＬ素子の駆動方法について説明する。かかるＴＦＴは、図３に示す回路図のように、第１のトランジスタ（Ｔｒ１）５５及び第２のトランジスタ（Ｔｒ２）５６を含んでいるととともに、電気スイッチを構成していることが好ましい。
即ち、このように電気スイッチを構成することにより、ＸＹマトリックスの電極を介して走査信号パルス及び信号パルスを入力し、スイッチ動作を行わせることにより、有機ＥＬ素子２６を駆動させることができる。
より具体的に言えば、電気スイッチにより、有機ＥＬ素子２６を発光させたり、あるいは発光を停止させたりすることにより、画像表示を行うことが可能である。
このように電気スイッチによって有機ＥＬ素子２６を駆動させるに際し、走査電極線（ゲート線と称する場合がある。）（Ｙj〜Ｙj+n）５０を介して伝達される走査パルスと、信号電極線（Ｘi〜Ｘi+n）５１を介して伝達される走査パルスによって、所望の第１のトランジスタ（Ｔｒ１）５５が選択され、共通電極線（Ｃi〜Ｃi+n）５２と第１のトランジスタ（Ｔｒ１）５５のソース４５との間に形成してあるコンデンサ５７に所定の電荷が充電されることになる。
これにより第２のトランジスタ（Ｔｒ２）５６のゲート電圧が一定値となり、第２のトランジスタ（Ｔｒ２）５６はＯＮ状態となる。そして、このＯＮ状態において、次にゲートパルスが伝達されるまでゲート電圧がホールドされるため、第２のトランジスタ（Ｔｒ２）５６のドレイン４７に接続されている有機ＥＬ素子２６の下部電極２２に電流を供給し続けることになる。
従って、供給された電流により、有機ＥＬ素子２６を駆動することが可能になり、有機ＥＬ素子２６の駆動電圧を大幅に低下させるとともに、発光効率が向上し、しかも、消費電力を低減することができるようになる。

５．封止用部材
また、有機ＥＬ表示装置において、封止用部材を設けることが好ましい。このような封止用部材は、内部への水分侵入を防止するために当該有機ＥＬ表示装置の周囲に設けるか、さらには、このように設けた封止用部材と、有機ＥＬ表示装置との間に、公知の封止媒体、例えば、乾燥剤、ドライガス、フッ化炭化水素等の不活性液体を封入することが好ましい。
また、かかる封止用部材は、蛍光媒体や、カラーフィルタを上部電極の外部に設ける場合の、支持基板としても使用することができる。
このような封止用部材としては、支持基板と同種の材料、例えば、ガラス板を用いることができる。また、酸化物、酸窒化物、窒化物、硫化物などの薄膜層を用いることもできる。好ましい材質としては、ＳｉＯ_ｘ（１＜ｘ≦２）、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ（１＜ｘ＜２、０＜ｙ＜１．５）、ＡｌＯ_ｘ（０．６＜ｘ≦１．５）、ＡｌＯＮ、ＳｉＡｌＯＮ、ＳｉＣ、ＳｉＣＮなどがある。（ｘ、ｙは組成比を示すが、明示がない場合のＳｉＡｌＯＮなどは任意の組成比を示す。）また、封止用部材の形態についても、特に制限されるものでなく、例えば、板状やキャップ状とすることが好ましい。そして、例えば、板状とした場合、その厚さを、０．０１〜５ｍｍとすることが好ましい。
さらに、封止用部材は、有機ＥＬ表示装置の一部に溝等を設けておき、それに圧入して固定することも好ましいし、あるいは、光硬化型の接着剤等を用いて、有機ＥＬ表示装置の一部に固定することも好ましい。

［第２の実施形態］
第２の実施形態は、上部電極及び下部電極の間に有機発光媒体を挟持して構成した有機ＥＬ素子と、該有機ＥＬ素子を駆動するための駆動回路とを備えた有機ＥＬ表示装置において、有機発光媒体が、ホスト化合物と、三重項関与性発光化合物と、を含むとともに、駆動回路が、周波数３０Ｈｚ以上であって、デューティ比が１／５以下であるパルス波電圧又は電流を印加せしめ、さらには有機発光媒体を発光させるためにパルス波電圧又は電流を印加した後、有機ＥＬ素子の電極間にかかるパルス波の電圧（Ｖ１）とは逆方向の電圧（Ｖ２）を印加することを特徴とする有機ＥＬ表示装置である。
以下、第２の実施形態において、第１の実施形態と異なる逆方向電圧の印加条件等について、中心に説明する。

１．逆電圧値１
駆動回路が、有機発光媒体に対して、有機発光媒体を発光させるためにパルス波電圧又は電流を印加した後、即ち、パルス波電圧又は電流の非印加時に、発光時に印加するパルス波の電圧（Ｖ１）とは逆方向の電圧（Ｖ２）を印加することが好ましい。例えば、発光時にプラス方向の電圧を印加した場合には、電圧非印加時においては、マイナス方向の電圧を有機発光媒体に対して印加することになる。
このように有機ＥＬ表示装置に電圧を印加することにより、三重項関与性発光化合物を用いた場合であっても、より低消費電力となり、しかも発光寿命をさらに長くすることができる。即ち、三重項関与性発光化合物は、電荷が内部に蓄積されやすく、そのため、内部電界強度に経時変化が生じ、正孔と電子とのバランスが崩れて、発光性能が変化しやすいという問題がある。そこで、このように逆電圧を印加することにより、三重項関与性発光化合物の内部に蓄積された電荷を除去することができるためである。
よって、有機発光媒体に対して逆電圧を印加することにより、三重項関与性発光化合物を用いた場合であっても、電荷の内部蓄積の問題を解消し、より低消費電力となり、しかも発光寿命をさらに長くすることができる。尚、発光時に電流を印加する場合は、この電流を与えるに必要な電圧をＶ１とする。

２．逆電圧値２
また、パルス波電圧又は電流の非印加時に印加する逆電圧の値を０．０１〜１５Ｖとすることが好ましい。
この理由は、かかる逆電圧値が０．０１Ｖ未満となると、三重項関与性発光化合物に蓄積された電荷を除去することが不十分となり、逆電圧印加効果が得られない場合があるためである。一方、かかる逆電圧値が１５Ｖを超えると、有機発光媒体が劣化したり、破壊されたりする場合があるためである。
従って、逆電圧値を０．１〜１０Ｖとすることが好ましく、０．５〜５Ｖとすることがさらに好ましい。
尚、逆電圧の印加には、直流及び交流（パルス波を含む。）、あるいはいずれか一方の電圧を使用することができるが、三重項関与性発光化合物に蓄積された電荷を効果的に除去できることから、パルス波を使用することが好ましい。
また、電流についても、直流及び交流（パルス波を含む。）、あるいはいずれか一方の電流を使用することができる

３．逆電圧値３
また、逆電圧の絶対値（Ｖ２）を、有機発光媒体の発光時に印加する電圧（Ｖ１）の値を考慮して定めることが好ましい。即ち、逆電圧の絶対値（Ｖ２）を、有機発光媒体の発光時に印加する電圧（Ｖ１）の１〜９０％とすることが好ましい。
この理由は、かかる逆電圧の絶対値が、Ｖ１の１％未満となると、三重項関与性発光化合物に蓄積された電荷を除去することが不十分となり、逆電圧の印加効果が得られない場合があるためである。
一方、かかる逆電圧の絶対値が、Ｖ１の９０％を超えた値となると、有機発光媒体が劣化したり、破壊されたりする場合があるためである。
従って、かかる逆電圧の絶対値を、Ｖ１の５〜８０％とすることが好ましく、１０〜５０％とすることがさらに好ましい。

４．周波数
また、逆電圧を印加する際にも、パルス波を使用することが好ましく、その場合、パルス電圧の周波数を１０〜１２０Ｈｚとすることが好ましい。
この理由は、かかる周波数が１０Ｈｚ未満となると、蓄積電荷の除去が不充分であるという問題が生じる場合があるためである。一方、かかる周波数の値が１２０Ｈｚより大きくなると、有機発光媒体の劣化が促進されて、発光寿命が低下する場合があるためである。
従って、逆電圧におけるパルス波の周波数を２０〜１００Ｈｚとすることが好ましく、３０〜８０Ｈｚとすることがさらに好ましい。

５．デューティ比
また、逆電圧を印加する際のパルス波のデューティ比を１／２０〜１−順方向のパルス波のデューティー比とすることが好ましい。
この理由は、かかるデューティ比が１／２０未満となると、三重項関与性発光化合物に蓄積された電荷を除去することが不十分となり、逆電圧印加効果が得られない場合があるためである。
一方、かかるデューティ比が、１−順方向のパルス波のデューティー比より大きくすることはできない。
従って、逆電圧を印加する際のパルス波のデューティ比を前記した範囲とすることが好ましく、１／１０〜９０／１００とすることがさらに好ましい。

６．逆電圧の印加タイミング
また、逆電圧を印加する際のタイミングは、有機ＥＬ素子を発光させるためにパルス波の電圧又は電流を印加している以外の時、即ち、非電圧印加時であれば、有機ＥＬ素子の発光継続時であっても、非発光時であっても特に問題となることはない。
ただし、有機発光媒体の劣化を促進させることなく、三重項関与性発光化合物に蓄積された電荷を効果的に除去できることから、図６〜図９に示すタイミングチャートに沿って、逆電圧を印加することが好ましい。
即ち、図６は、有機ＥＬ素子を発光させるために電圧を印加した後、さらにｔ２の時間が経過した時に、ｔ３の時間、パルス波によって逆電圧を印加し、さらにｔ４の時間が経過した時に再び電圧を印加することを示しており、図７は、有機ＥＬ素子の非電圧印加時ｔ５にわたって、直流の逆電圧を印加することを示している。
また、図８は、有機ＥＬ素子の非電圧印加時に、ｔ６の時間、ｔ７の時間、及びｔ８の時間と、パルス波により逆電圧を複数回印加することを示している。尚、図８に示す例では、逆電圧の値を、時間の経過とともに序々に高めてあるため、逆電圧による有機発光媒体の損傷のおそれが少なくなる。
さらに、図９は、有機ＥＬ素子の非電圧印加時に、交流波の逆電圧を印加することを示している。尚、図示はしないが、かかる交流波と、上述したパルス波を適宜組み合わせることも好ましい。
特に好ましいものは、ｔ２の時間を０以上、三重項関与性の発光化合物の発光寿命以下とする。これは特に蓄積電荷の除去に効果があるからである。

［第３の実施形態］
第３の実施形態は、上部電極及び下部電極の間に有機発光媒体を挟持して構成した有機ＥＬ素子と、該有機ＥＬ素子を駆動するための駆動回路とを備えた有機ＥＬ表示装置において、有機発光媒体が、ホスト化合物と、三重項関与性発光化合物とを含むとともに、駆動回路が、周波数３０Ｈｚ以上であって、デューティ比が１／５以下であるパルス波電圧又は電流を印加し、さらには、有機発光媒体と、陰極との間に、正孔障壁層が設けてある有機ＥＬ表示装置である。
以下、第１及び第２の実施形態と異なる正孔障壁層について、中心に説明する。

１．種類
正孔障壁層を構成する化合物としては、有機発光層よりも大きなイオン化ポテンシャルを有する化合物を使用することが好ましい。本発明では、正孔障壁層を有する素子において、特に蓄積電荷の除去に効果があることが認められた。これは有機発光層と正孔障壁層の界面に電荷が蓄積するので、本発明の効果が生じやすいからである。このような正孔障壁層を構成する化合物としては、例えば、下記式（２）〜（５）で表されるフェナントロリン誘導体が挙げられる。

［各式において、Ｒ^１〜Ｒ^１０は、水素、ハロゲン原子、水酸基、ＮＯ_２、ＣＮ、あるいは無置換又は置換基を有するアルキル基、アリール基、又はアミノ基である。］

また、他の好ましい例としては、８−ヒドロキシキノリン誘導体を配位子とする金属錯体がある。特に好ましくは、エネルギーギャップが２．８ｅＶ以上の前記金属錯体である。

２．イオン化ポテンシャル
また、正孔障壁層のイオン化ポテンシャルを、優れた正孔障壁性を示すために、有機発光媒体のイオン化ポテンシャルの値よりも大きくすることが好ましい。
特に、有機発光層に、三重項関与性発光化合物を用いて、発光効率を高めるためには、正孔障壁層のイオン化ポテンシャルを、有機発光媒体のイオン化ポテンシャルの値よりも０．１〜１ｅＶの範囲で大きくすることが好ましい。

３．厚さ
また、正孔障壁層の厚さについては特に制限はないが、例えば、厚さを１ｎｍ〜１μｍとすることが好ましい。
この理由は、正孔障壁層の厚さが１ｎｍ未満となると、発光輝度や耐久性が低下する場合があり、一方、正孔障壁層の厚さが１μｍを超えると、印加電圧の値が高くなる場合があるためである。
従って、正孔障壁層の厚さを３ｎｍ〜５００ｎｍとすることがより好ましく、５ｎｍ〜１００ｎｍとすることがさらに好ましい。

４．形成方法
正孔障壁層の形成方法は特に制限されるものではないが、例えば、スピンコート法、キャスト法、スクリーン印刷法等の方法を用いて成膜するか、あるいは、スパッタリング法、蒸着法、化学蒸着法（ＣＶＤ法）、イオンプレーティング法等の方法で成膜することが好ましい。

［実施例１］
（１）有機ＥＬ素子の作製
１．陽極（下部電極）の形成
縦１１２ｍｍ、横１４３ｍｍ、厚さ１．１ｍｍのガラス基板（ＯＡ２ガラス、日本電気硝子（株）製）上に、膜厚１３０ｎｍのＩＴＯ膜をスパッタリング法により全面的に成膜した。このＩＴＯ膜上に、ポジ型レジストＨＰＲ２０４（富士ハントエレクトロニクステクノロジー（株）製）をスピンコートし、温度８０℃、時間１５分の条件で乾燥した。
次いで、ストライプ状パターン（ライン幅９０μｍ、ギャップ幅２０μｍ）を有するフォトマスクを介して、露光量が１００ｍＪ／ｃｍ^２となるように、高圧水銀灯を光源としたコンタクト露光を行った。現像液としてＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）を用いて現像した。
次いで、オーブンを用いて、温度１３０℃の条件でポストベーク処理した後、臭化水素酸水溶液（濃度４７重量％）をエッチャントとして用いて、ＩＴＯ膜をエッチングした。その後、剥離液Ｎ３０３（長瀬産業（株）製）を用いてポジ型レジストを除去し、陽極（下部電極）としてのストライプ状のＩＴＯパターン（ライン数９６０本）を形成した。

２．第１の層間絶縁膜の形成
次いで、ＩＴＯパターン上に、アクリル酸系のネガ型レジストＶ２５９ＰＡ（新日鉄化学（株）製）をスピンコートし、温度８０℃、時間１５分の条件で乾燥した後、ＩＴＯが７０μｍ×２９０μｍの長方形状に露出するようなフォトマスクを介して、高圧水銀灯を光源としたコンタクト露光を行った（露光量：３００ｍＪ／ｃｍ^２）。
次いで、現像液としてＴＭＡＨを用いて現像し、さらに、オーブンを用いて、温度１６０℃の条件でポストベーク処理して、第１の層間絶縁膜とした。

３．第２の層間絶縁膜の形成
次いで、第１の層間絶縁膜の上から、ノボラック樹脂系のネガ型レジストＺＰＮ１１００（日本ゼオン（株）製）をスピンコートした。温度８０℃、時間１５分の条件で乾燥した後、下部電極であるＩＴＯパターンに対して直交するストライプ状パターン（ライン幅２０μｍ、ギャップ幅３１０μｍ）が得られるフォトマスクを介して、高圧水銀灯を光源としたコンタクト露光を行い（露光量：７０ｍＪ／ｃｍ^２）、次に温度９０℃、時間１５分でベークした。
次いで、現像液としてＴＭＡＨを用いて現像し、隔壁としての第２の層間絶縁膜（ライン幅２０μｍ、ギャップ幅３１０μｍ、膜厚５μｍ）とした。

４．脱水工程
次いで、ＩＴＯパターン等が形成されたガラス基板（以下、単にガラス基板と称する場合がある。）に対して、イソプロピルアルコール洗浄及び紫外線洗浄を施した後、このガラス基板を、脱水工程を実施するための脱水ユニットに移動した。即ち、ガラス基板を、不活性ガス（窒素）循環部と、露点制御部と、加熱装置部（ホットプレート）とを具備したドライボックス内に収容した。
そして、ドライボックス内のガラス基板を、ホットプレートを用いて６０℃に加熱し、その状態で乾燥窒素を導入しながら、露点を−５０℃まで低下させて、約２時間放置し、第１及び第２の層間絶縁膜中の水分並びにガラス基板表面等に付着している水分を除去した。

５．有機発光媒体の形成
ホットプレートの加熱を停止し、ガラス基板の温度が室温まで低下した後、大気にさらすことなく露点を維持して真空蒸着装置（日本真空技術（株）製）内の基板ホルダーに固定した。
そして、真空蒸着装置内のモリブテン製の加熱ボードに、以下の材料をそれぞれ充填した。
正孔輸送材料：４，４′−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］−ビフェニル（以下、ＮＰＤ）
有機発光材料：４，４′−Ｎ，Ｎ′−ジカルバゾールビフェニル（以下、ＣＢＰ）／トリス（２−フェニルピリジル）イリジウム（以下、Ｉｒ（Ｐｐｙ）_３、含有量８ｗｔ．％）
電子注入材料：トリス（８−キノリノール）アルミニウム（以下、Ａｌｑ）
対向電極（陰極）：Ａｌ
次いで、真空蒸着装置の真空度を６６５×１０^−７Ｐａ（５×１０^−７Ｔｏｒｒ）まで減圧し、以下の蒸着速度及び膜厚となるように、正孔輸送層から陰極の形成まで、途中で真空状態を破らず、一回の真空引きで積層して、有機発光媒体等を形成した。
ＮＰＤ ：蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／秒、膜厚５０ｎｍ
ＣＢＰ・Ｉｒ(Ｐｐｙ)_３：蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／秒、合計膜厚４０ｎｍ
（ＣＢＰとＩｒ(Ｐｐｙ)_３を混合蒸着する。）
Ａｌｑ ：蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／秒、膜厚２０ｎｍ
Ａｌｑ・Ｌｉ ：蒸着速度０．５〜１．０ｎｍ／秒、合計膜厚１０ｎｍ
（ＡｌｑとＬｉを混合蒸着する。）
Ａｌ ：蒸着速度０．５〜１．０ｎｍ／秒、膜厚１５０ｎｍ

６．封止工程
次いで、乾燥窒素を導入した封止ユニット内で、封止用ガラス基板（青板ガラス、ジオマテック（株）製）を陰極側に積層して、その周囲を光硬化型接着剤ＴＢ３１０２（スリーボンド（株）製）により封止して、発光性能測定用の有機ＥＬ表示装置とした。

（２）有機ＥＬ素子の評価
得られた有機ＥＬ表示装置の下部電極（ＩＴＯパターン、陽極）と、対向電極である上部電極（陰極）との間に、駆動回路により、周波数６０Ｈｚ、デューティ比１／１０、電流値２４ｍＡ／ｃｍ^２のパルス電流を印加して、各電極の交差部分である各画素（約２３万画素）を発光させた。そして、色彩色差計ＣＳ１００（ミノルタ（株）製）を用いて発光輝度を測定したところ、５００ｃｄ／ｍ^２という値が得られた。この時のパルス電流を与えるに必要な電圧は１０Ｖであった。
また、同様条件で有機ＥＬ装置の各画素を発光させてＣＩＥ色度を測定したところ、ＣＩＥ色度座標において、ＣＩＥｘ＝０．３０、ＣＩＥｙ＝０．６３である青色発光が得られることを確認した。
次いで、得られた有機ＥＬ表示装置を、大気中、室温（２５℃）の条件に放置して、連続駆動させて、半減期を測定した。その結果、半減期は４００時間であった。
即ち、有機発光媒体に、三重項関与性発光化合物であるＩｒ（Ｐｐｙ）_３をドープした場合であっても、特定の駆動回路を用いることにより、１０Ｖ以下の電圧駆動が可能で低消費電力となり、しかも発光寿命を長くすることが可能となった。

［実施例２］
実施例１における有機ＥＬ表示装置の発光層と、電子注入層との間に、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリンからなる正孔障壁層（膜厚：１０ｎｍ）を設けたほかは、実施例１と同様に、有機ＥＬ素子を作製し、駆動回路により、周波数６０Ｈｚ、デューティ比１／１０、電流値２０ｍＡ／ｃｍ^２のパルス電流を印加して評価した。
その結果、発光輝度は、５００ｃｄ／ｍ^２という値が得られ、ＣＩＥ色度は、ＣＩＥｘ＝０．３０、ＣＩＥｙ＝０．６３であった。さらに、半減期は４００時間であった。
即ち、正孔障壁層を設けたことにより、半減期は４００時間と変わらないものの、ピーク電圧が８Ｖまで低下し、消費電力を低下できることが判明した。

［実施例３］
実施例２における駆動電圧のデューティ比を１／１０から、１／１００へと変更したほかは、実施例２と同様に、駆動回路により、周波数６０Ｈｚ、電流値４１０ｍＡ／ｃｍ^２のパルス電流を印加して、有機ＥＬ素子の評価を行った。
その結果、発光輝度は、５００ｃｄ／ｍ^２という値が得られ、ＣＩＥ色度は、ＣＩＥｘ＝０．３０、ＣＩＥｙ＝０．６３であった。さらに、半減期は４００時間であった。
即ち、デューティ比を小さくし、瞬間の電流値が実施例２に比較して非常に大きくなったが、半減期は４００時間と変わらなかった。通常、このように瞬間の電流値が大きいデューティー比の大きな駆動においては、寿命が短くなることが知られているが、寿命を維持できることが判明した。

［実施例４］
実施例２における素子と同じ駆動電圧のデューティ比を１／１０から１／１００へ、周波数を６０Ｈｚから５００Ｈｚへと変更した。さらにパルス電圧（ピーク電圧１４Ｖ）を印加して有機ＥＬ素子の評価を行なったほかは、実施例２と同様に評価した。
その結果、発光輝度は、５００ｃｄ／ｍ^２という値が得られ、ＣＩＥ色度は、ＣＩＥｘ＝０．３０、ＣＩＥｙ＝０．６３であった。さらに、半減期は４６０時間であった。
即ち、デューティ比を小さくした場合でも、周波数を大きくしたことにより、半減期が実施例１及び２の１５％も増加することが判明した。

［実施例５］
実施例２において、非発光時に、逆電圧１Ｖを印加したほかは、実施例２と同様に、駆動回路により、周波数６０Ｈｚ、デューティ比１／１０、電流値２０ｍＡ／ｃｍ^２を印加して、有機ＥＬ素子の評価を行った。
その結果、発光輝度は、５００ｃｄ／ｍ^２という値が得られ、ＣＩＥ色度は、ＣＩＥｘ＝０．３０、ＣＩＥｙ＝０．６３であった。さらに、半減期は６００時間であった。
即ち、逆電圧を負荷することにより、半減期が実施例１及び２の５０％も増加することが判明した。

［実施例６］
実施例２における駆動電圧のデューティ比を１／１０から、１／７へと変更したほかは、実施例２と同様に、駆動回路により、周波数６０Ｈｚ、電流値１２ｍＡ／ｃｍ^２を印加して、有機ＥＬ素子の評価を行った。
その結果、発光輝度は、５００ｃｄ／ｍ^２という値が得られ、ＣＩＥ色度は、ＣＩＥｘ＝０．３０、ＣＩＥｙ＝０．６３であった。さらに、半減期は２８０時間であった。
即ち、デューティ比を若干大きくすることにより、電流値は低下し、半減期は低下することが分かった。

［実施例７］
実施例２における正孔輸送材料のＮＰＤのかわりに、下記式（６）で表されるビス（アリールアミノ）ビフェニル誘導体化合物を用いたほかは、実施例２と同様に、有機ＥＬ素子を作製し、駆動回路により、周波数６０Ｈｚ、デューティ比１／１０、電流値１８．５ｍＡ／ｃｍ^２を印加して、評価した。

その結果、発光輝度は、５００ｃｄ／ｍ^２という値が得られ、ＣＩＥ色度は、ＣＩＥｘ＝０．３０、ＣＩＥｙ＝０．６３であった。さらに、半減期は３，０００時間であった。
即ち、有機発光媒体の種類を変更することにより、半減期を極めて大きく増加できることが判明した。

［比較例１］
実施例２において、駆動回路により、一定電流１．２ｍＡ／ｃｍ^２を印加して、評価した。
その結果、発光輝度は、５００ｃｄ／ｍ^２という値が得られ、ＣＩＥ色度は、ＣＩＥｘ＝０．３０、ＣＩＥｙ＝０．６３であったが、半減期は２００時間であり、実施例１及び２の５０％程度の長さであった。
即ち、デューティ比が過度に大きくなると（Ｄ＝１／１）、半減期がそれにつれて大きく低下することが判明した。

［比較例２］
実施例２において、駆動回路により、周波数５０Ｈｚ、デューティ比１／４、電流値５．８ｍＡ／ｃｍ^２を印加して、評価した。
その結果、発光輝度は、５００ｃｄ／ｍ^２という値が得られ、ＣＩＥ色度は、ＣＩＥｘ＝０．３０、ＣＩＥｙ＝０．６３であったが、半減期は２００時間であり、実施例１及び２の５０％程度の長さであった。
即ち、デューティ比が過度に大きくなると（Ｄ＝１／４）、半減期がそれにつれて大きく低下することが判明した。

本発明の有機ＥＬ表示装置によれば、有機発光媒体に三重項関与性発光化合物を用いた場合であっても、低消費電力となり、しかも発光寿命を長くすることが可能となる。
また、本発明の有機ＥＬ表示装置の駆動方法によれば、有機発光媒体に三重項関与性発光化合物を用いた有機ＥＬ表示装置を発光させる場合であっても、低消費電力となり、しかも発光寿命を長くすることが可能となる。

Claims (11)

1. 上部電極および下部電極の間に、ホスト化合物と、燐光性発光化合物とを含む有機発光媒体を挟持して構成した有機エレクトロルミネッセンス素子と、
   周波数３０Ｈｚ以上であって、デューティ比が１／５以下であるパルス波電流又は電圧を印加せしめる、該有機エレクトロルミネッセンス素子を駆動するための駆動回路と、
   を備えた有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
2. 前記燐光性発光化合物が三重項関与性発光化合物である請求の範囲第１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
3. 前記駆動回路が、前記有機発光媒体を発光させるためにパルス波電圧又は電流を印加した後、前記有機エレクトロルミネッセンス素子の電極間にかかるパルス波の電圧（Ｖ１）とは逆方向の電圧（Ｖ２）を印加する請求の範囲第１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
4. 前記駆動回路が、前記パルス波の電圧（Ｖ１）よりも小さい値の逆方向の電圧（Ｖ２）を印加する請求の範囲第３項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
5. 前記三重項関与性発光化合物が、有機金属錯体である請求の範囲第２項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
6. 前記有機金属錯体が、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｐｂ、Ｂｉからなる群から選択される少なくとも一つの金属を含む請求の範囲第５項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
7. 前記有機発光媒体と、陰極との間に、正孔障壁層を有する請求の範囲第１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
8. 前記正孔障壁層に、フェナントロリン誘導体を含む請求の範囲第７項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
9. 前記駆動回路が、前記有機エレクトロルミネッセンス素子の発光制御用の薄膜トランジスタを含む請求の範囲第１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
10. 上部電極及び下部電極の間に有機発光媒体を挟持して構成した有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた有機エレクトロルミネッセンス表示装置の駆動方法であって、
    駆動回路により、周波数が３０Ｈｚ以上であって、デューティ比が１／５以下であるパルス波電流又は電圧を印加して、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を駆動すること
    を含む有機エレクトロルミネッセンス表示装置の駆動方法。
11. 前記駆動回路が、前記有機発光媒体を発光させるためにパルス波電圧又は電流を印加した後、前記有機エレクトロルミネッセンス素子の電極間にかかるパルス波の電圧（Ｖ１）とは逆方向の電圧（Ｖ２）を印加する請求の範囲第１０項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の駆動方法。

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