JP6181005B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

本発明は液晶表示装置に関するものである。

液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）は現在最も幅広く使用されている平板表示装置（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）のうちの一つであって、電極に電圧を印加して液晶層の液晶分子を再配列させることによって、透過する光の量を調節する表示装置である。

液晶表示装置は薄形化が容易であるという長所を有しているが、前面視認性に比べて側面視認性が落ちる短所があるため、これを克服するための様々な方式である液晶配列及び駆動方法が開発されている。このような広視野角を実現するための方法として、画素電極及び基準電極を一つの基板に形成する液晶表示装置が注目されている。

しかしながら、このような液晶表示装置の場合、画素電極と基準電極が一つの基板上に形成されているため、二つの電極とデータ線との寄生容量が大きくなる恐れがある。このような寄生容量を減らすために二つの電極とデータ線の間隔を広げる場合、透過率が減少する恐れがある。

一方、透明な物質で画素電極と基準電極を製造する過程において、二つの電極の還元反応によって透過率が減少する恐れがある。

特開２００８−１７０９８７号公報

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、製造工程を複雑にしないと共に画素電極及び基準電極とデータ線の間の寄生容量を減らす液晶表示装置を提供することにある。

また、本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、透明な物質で画素電極と基準電極を製造する過程において、二つの電極の還元反応による透過率減少を防止する液晶表示装置を提供することにある。

本発明の一実施形態に係る液晶表示装置は、第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置された二重保護膜と、を含み、前記二重保護膜は第１保護膜と第２保護膜を有し、前記第１保護膜の屈折率は前記第２保護膜の屈折率と異なることを特徴とする。

前記第１保護膜の窒素含有率は前記第２保護膜の窒素含有率と互いに異なってもよい。

前記第１保護膜の窒素含有率は前記第２保護膜の窒素含有率より大きくてもよい。

前記二重保護膜の厚さは５５００オングストローム以上６５００オングストローム以下であってもよい。

前記第１保護膜の屈折率は１．４以上１．６以下であり、前記第２保護膜の屈折率は１．６以上２．２以下であってもよい。

前記第２基板と前記二重保護膜との間に配置された液晶層と、前記第１基板と前記二重保護膜との間に配置された基準電極と、前記液晶層と前記二重保護膜との間に配置された画素電極とをさらに含んでもよい。

本発明の他の一実施形態に係る液晶表示装置は、第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置された液晶層と、前記第１基板と前記液晶層との間に配置されたゲート線と、前記第１基板と前記液晶層との間に配置されたデータ線と、前記第１基板と前記液晶層との間に配置された基準電極線と、前記ゲート線と前記データ線とに接続された画素とを含む。前記画素は、前記データ線の第１部分に接続された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続され、前記薄膜トランジスタと重なる開口部を有する第１電極と、前記第１電極と前記液晶層との間に配置された第２電極とを含む。前記第２電極は、前記データ線と実質的に平行に配置された第１接続部と、前記ゲート線と実質的に平行に配置され、前記第１接続部に接続された第２接続部と、枝電極と、を含み、前記枝電極は、第１部分と、前記第１部分に接続されている第２部分と、前記第１部分と前記第２接続部に接続された第３部分と、を含み、前記第２部分は前記第１部分と第１角度を成し、前記第３部分は前記第１部分と第２角度を成し、かつ、前記第２接続部と第３角度を成し、前記第２電極に形成され、前記データ線の第１部分と重なる第１開口部を有することを特徴とする。

前記第１接続部は前記データ線の第２部分と重なっていてもよい。

前記第２電極の第２接続部に形成され、前記データ線の第２部分と重なる第２開口部をさらに有しもよい。

前記画素は、前記データ線と前記第１基板との間に配置され、前記データ線の第２部分と重なる遮蔽電極をさらに含んでもよい。

前記遮蔽電極と前記画素電極との間の間隔と、前記遮蔽電極の幅との比が１０：１７であり、前記データ線の幅と前記遮蔽電極の幅との比が７：１７であり、前記基準電極の前記第２開口部の幅と前記遮蔽電極の幅との比が９：１７であり、前記基準電極の前記枝電極の幅と前記遮蔽電極の幅との比は９：１７であってもよい。

前記第１電極は画素電極であり、前記第２電極は基準電極であってもよい。

前記第１電極は基準電極であり、前記第２電極は画素電極であってもよい。

複数の画素をさらに含み、前記画素は前記ゲート線と前記データ線とに接続され、前記画素は緑色画素、赤色画素及び青色画素のうちの一つであってもよい。

前記基準電極線は前記ゲート線に隣接して配置され、前記赤色画素と前記青色画素のうちの少なくとも一つに接続された拡張部を有してもよい。

複数のゲート線をさらに含み、前記基準電極線は前記複数のゲート線のうちの隣接した二つのゲート線の間に配置され、前記緑色画素に接続された拡張部を有してもよい。

前記画素の前記第１電極と前記第２電極のうちの少なくとも一つは前記基準電極線の前記拡張部と重なっていなくてもよい。

前記緑色画素の面積は、前記赤色画素の面積と前記緑色画素の面積のうちの少なくとも一つより小さくてもよい。

前記基準電極と前記画素電極との間に配置された二重保護膜をさらに含み、前記二重保護膜は第１保護膜と、第２保護膜とを含み、前記第１保護膜の屈折率は前記第２保護膜の屈折率と異なってもよい。

本発明の他の一実施形態に係る液晶表示装置は、第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置された液晶層と、前記第１基板上に配置されたデータ線と、前記データ線に隣接して配置された画素とを含み、前記画素は、前記第１基板と前記液晶層との間に配置された基準電極と、前記第１基板と前記基準電極との間に配置された画素電極とを含むことを特徴とする。

前記基準電極及び前記画素電極は前記データ線と重なっていなくてもよい。

前記第１基板によって定義された平面に沿って測定された前記データ線と前記基準電極との間の間隔は、前記第１基板によって定義された平面に沿って測定された前記データ線と前記画素電極との間の間隔より短くてもよい。

前記データ線と前記基準電極との間の間隔は前記データ線と前記画素電極との間の間隔より約３μｍ短くてもよい。

前記データ線と前記基準電極の間の間隔は２．５μｍであり、前記データ線と前記画素電極の間の間隔は５．５μｍであってもよい。

複数の画素をさらに含み、前記複数の画素のうち、隣接した二つの画素の基準電極は接続部材を介して接続され、前記接続部材は前記基準電極の間に配置されたデータ線の少なくとも一部と重なっていてもよい。

本発明によれば、液晶表示装置の開口率の減少及び製造工程を複雑にせず、データ線と画素電極及び基準電極の間の寄生容量を減らす液晶表示装置を提供することができる。

また、本発明によれば、製造工程時に発生し得るヘイズ（Ｈａｚｅ）現象を改善することによって、ヘイズ現象による透過率減少を減らす液晶表示装置を提供することができる。

本発明の一実施形態に係る液晶表示装置を示した配置図である。 図１の液晶表示装置をＩＩＡ−ＩＩＡ線に沿って切断して示した断面図である。 図１の液晶表示装置をＩＩＢ−ＩＩＢ線に沿って切断して示した断面図である。 図１の液晶表示装置のＡ部分を拡大した拡大図である。 図１の液晶表示装置のＡ’部分を拡大した拡大図である。 図１の液晶表示装置のＡ’’部分を拡大した拡大図である。 本発明の他の一実施形態に係る液晶表示装置を示した配置図である。 本発明の他の一実施形態に係る液晶表示装置を示した配置図である。 本発明の他の一実施形態に係る液晶表示装置の一部を示した配置図である。 図６Ａの液晶表示装置をＶＩＢ−ＶＩＢ線に沿って切断して示した断面図である。 本発明の他の一実施形態に係る液晶表示装置の一部を示した配置図である。 図７Ａの液晶表示装置をＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ線に沿って切断して示した断面図である。 本発明の他の一実施形態に係る液晶表示装置を示す配置図である。 図８の液晶表示装置をＩＸ−ＩＸ線に沿って切断して示した断面図である。 図８の液晶表示装置の一部を拡大した拡大図である。 図８の液晶表示装置の一部を示した断面図である。 本発明の実施形態に係る液晶表示装置の一部を示した断面図である。 本発明の他の一実施形態に係る液晶表示装置を示す配置図である。 図１２の液晶表示装置の一部を示した断面図である。 本発明の他の一実施形態に係る液晶表示装置の一部を示した配置図である。 本発明の他の一実施形態に係る液晶表示装置の一部を示した配置図である。 本発明の他の一実施形態に係る液晶表示装置を示す配置図である。 図１６の液晶表示装置をＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿って切断して示した断面図である。 化学気相成長工程時に使用される窒素（Ｎ_２）ガス流量及び圧力が保護層の屈折率と反比例関係にあることを示すグラフである。 保護膜１８０の厚さによる液晶表示装置の透過率を示したグラフである。 保護膜１８０の屈折率による液晶表示装置の透過率を示したグラフである。 インジウム（Ｉｎｄｉｕｍ）を含む透明電極の断面を示した写真である。 インジウム（Ｉｎｄｉｕｍ）を含む透明電極の断面を示した写真である。 本発明の他の一実施形態に係る液晶表示装置を示す配置図である。 図２２の液晶表示装置をＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩ線に沿って切断して示した断面図である。

以下では、添付した図面を参照して、本発明の実施形態について本発明が属する技術分野にて通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。しかし、本発明は多様な相違した形態に具現されることができ、ここで説明する実施形態に限られない。

図面において、多様な層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体を通じて類似な部分については同一図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上に」あるとする場合、これは他の部分の「直上に」ある場合のみでなくその中間にまた他の部分がある場合も含む。反対に、ある部分が他の部分の「直上に」あるとする場合には中間に他の部分がないことを意味する。

以下、図面を参照して、本発明の実施形態に係る液晶表示装置について説明する。

図１は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置を示した配置図であり、図２Ａは、図１の液晶表示装置をＩＩＡ−ＩＩＡ線に沿って切断して示した断面図であり、図２Ｂは、図１の液晶表示装置をＩＩＢ−ＩＩＢ線に沿って切断して示した断面図である。

図１及び図２Ａ及びＢを参照すれば、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置は、互いに対向する下部表示板１００及び上部表示板２００とその間に配置される液晶層３を含む。

まず、下部表示板１００について説明する。

本実施形態に係る液晶表示装置は、透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板１１０の上にゲート線１２１及び基準電圧線１３１を含むゲート導電体が形成されている。ゲート線１２１は、ゲート電極１２４及び他の層または外部駆動回路（図示せず）との接続のための広い端部（図示せず）を含む。ゲート線１２１はアルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などのアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金などの銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金などの銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などのモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、及びチタニウム（Ｔｉ）などから形成されてもよい。しかし、ゲート線１２１は物理的性質が異なる少なくとも二つの導電膜を含む多重膜構造を有してもよい。

基準電圧線１３１は一定の基準電圧を伝達し、後述の基準電極２７０との接続のための拡張部１３５を含む。基準電圧線１３１は後述の基準電極２７０に接続されて、基準電極２７０に基準電圧を伝達する。基準電圧線１３１はゲート線１２１と第１方向に沿って実質的に平行に配置される。すなわち、基準電圧線１３１はゲート線１２１と水平方向（図１参照）に配置され、ゲート線１２１と同一物質から形成されるが本発明ではこれに限定されるわけではない。

ゲート線１２１及び基準電圧線１３１の上には、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。ゲート絶縁膜１４０は物理的性質が異なる少なくとも二つの絶縁層を含む多層膜構造を有してもよい。

ゲート絶縁膜１４０の上には、非晶質シリコン（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ：ａ−ｓｉ）または多結晶シリコン（ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ：ｐ−ｓｉ）などからなる半導体１５４が形成されている。半導体１５４はゲート電極１２４と少なくとも一部重なる。

半導体１５４の上にはオーミックコンタクト１６３、１６５が形成されている。オーミックコンタクト１６３、１６５はリン（ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ）などのｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ^＋水素化非晶質シリコンなどの物質から形成され、または、シリサイド（ｓｉｌｉｃｉｄｅ）から形成され、オーミックコンタクト１６３、１６５は対を成して半導体１５４の上に配置されてもよい。

オーミックコンタクト１６３、１６５及びゲート絶縁膜１４０の上には、ソース電極１７３を含むデータ線１７１とドレイン電極１７５を含むデータ導電体が形成されている。

データ線１７１は、他の層または外部駆動回路（図示せず）との接続のための広い端部（図示せず）を含む。データ線１７１はデータ信号を伝達し、主に縦方向（図１参照）に延びて、ゲート線１２１及び基準電圧線１３１と交差する。データ線１７１はゲート線１２１と共に画素領域を形成するが、本発明ではこれに限定されない。

本発明の実施形態に係るデータ線１７１は、液晶表示装置の最大透過率を得るために曲がっている形状を有する第１屈曲部を有してもよく、屈曲部は画素領域の中間領域で互いにＶ字形状を成してもよい。データ線１７１は、画素領域の中間領域には第１屈曲部と所定の角度を成すように曲がっている第２屈曲部をさらに含んでもよい。

データ線１７１の第１屈曲部は後述の配向膜のラビング方向と約７°程度の角度を成すように曲がっていてもよい。画素領域の中間領域に配置されている第２屈曲部は、第１屈曲部と約７°以上約１５°以下程度の角度を成すようにさらに曲がってもよい。

ソース電極１７３はデータ線１７１の一部であり、データ線１７１と同一線上に配置される。ドレイン電極１７５はソース電極１７３と実質的に並んで延びるように形成されている。したがって、ドレイン電極１７５はデータ線１７１の一部と並んでいる。

ゲート電極１２４、ソース電極１７３、及びドレイン電極１７５は半導体１５４と共に一つの薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）を成し、薄膜トランジスタのチャネル（ｃｈａｎｎｅｌ）はソース電極１７３とドレイン電極１７５との間の半導体１５４に形成される。

本発明の実施形態に係る液晶表示装置は、データ線１７１と同一線上に位置するソース電極１７３と、データ線１７１と並んで延びているドレイン電極１７５を含むことによって、データ導電体が占める面積を広げなくても薄膜トランジスタの幅を広げることができ、したがって液晶表示装置の開口率を増加することができる。

データ線１７１とドレイン電極１７５は、モリブデン、クロム、タンタル、及びチタニウム、銅などの金属またはこれらの合金から形成されてもよく、金属膜（図示せず）と低抵抗導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有してもよい。例えば、多重膜構造の例としては、クロムまたはモリブデン（合金）の下部膜とアルミニウム（合金）の上部膜の二重膜、チタニウム（合金）の下部膜と銅（合金）の上部膜の二重膜、モリブデン（合金）の下部膜とアルミニウム（合金）の中間膜とモリブデン（合金）の上部膜の三重膜などが挙げられる。しかし、データ線１７１及び／またはとドレイン電極１７５はその他にも多様な金属または導電体から形成されてもよい。データ線１７１の幅は約３．５μｍ±０．７５μｍ程度であってもよいが本発明はこれに限定されるわけではない。

ドレイン電極１７５の一部及びゲート絶縁膜１４０の上には画素電極１９１が形成されている。

画素電極１９１は、データ線１７１の第１屈曲部及び第２屈曲部とほとんど並んでいる一対の屈曲辺（ｃｕｒｖｅｄ ｅｄｇｅ）を含む。

画素電極１９１はドレイン電極１７５の一部を覆い、その上に配置されてドレイン電極１７５と物理的または電気的に直接接続される。

画素電極１９１は多結晶、単結晶または非晶質のＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、またはＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電物質で形成されてもよい。

データライン１７１、ドレイン電極１７５、露出した半導体１５４及び画素電極１９１の上には保護膜（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）１８０が形成されている。保護膜１８０は窒化ケイ素と酸化ケイ素などの無機絶縁物から形成されてもよい。しかし、保護膜１８０は有機絶縁物から形成されてもよく、表面が平坦になってもよい。保護膜１８０が有機絶縁物の場合、感光性（ｐｈｏｔｏｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ）を有してもよく、その誘電率（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｃｏｎｓｔａｎｔ）は約４．０以下であってもよい。保護膜１８０はまた、有機膜の優れた絶縁特性を生かしながらも、露出した半導体１５４部分に害が及ばないように下部無機膜と上部有機膜の二重膜構造を有してもよい。保護膜１８０の厚さは約５０００Å以上であってもよく、約６０００Å以上約８０００Å以下であってもよい。

保護膜１８０には、データ線１７１の端部を露出するコンタクトホール（ｃｏｎｔａｃｔ ｈｏｌｅ）（図示せず）が形成され、保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０には、基準電圧線１３１の拡張部１３５を露出するコンタクトホール１８３、及びゲート線１２１の端部を露出するコンタクトホール（図示せず）が形成されている。

保護膜１８０の上には基準電極２７０が形成されている。基準電極２７０は画素電極１９１と重なっており、複数の枝電極２７１と、複数の枝電極２７１を接続する横接続部２７２、及び横接続部２７２を接続する縦接続部２７３を含む。基準電極２７０は多結晶、単結晶または非晶質のＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、またはＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電物質からなる。隣接した画素に配置されている基準電極２７０は互いに接続されている。

基準電極２７０の枝電極２７１は、前述のデータ線１７１の第１屈曲部及び第２屈曲部と各々並んでいる第１部分２７１ａ（図１のＡ参照）及び第２部分２７１ｂ（図１のＡ’参照）を含む。第１部分２７１ａは後述の配向膜のラビング方向と約５°以上約１０°以下の角度を成し、より具体的には約７°の角度を成し、第２部分２７１ｂは第１部分２７１ａと約７°以上約１５°以下の角度を成すようにさらに曲がってもよい。

基準電極２７０の横接続部２７２はゲート線１２１とほとんど並んでおり、枝電極２７１を上と下で互いに接続する。画素領域の下部に配置される基準電極２７０の横接続部２７２は、薄膜トランジスタを成すゲート電極１２４、半導体１５４、ソース電極１７３を成すデータ線１７１及びドレイン電極１７５、基準電圧線１３１の一部を露出する第１開口部２７４を有する。基準電極２７０の横接続部２７２は、基準電圧線１３１の拡張部１３５に向かって延びた基準電極拡張部２７５を有する。互いに隣接する画素に配置される基準電極２７０は互いに接続されている。

基準電極２７０の枝電極２７１は、基準電極２７０の横接続部２７２に接続される部分に一定の角度で曲がっている第３部分２７１ｃ（図１のＡ’’参照）をさらに含むが、第３部分２７１ｃは第１部分２７１ａと約７°乃至約１５°の角度を成すようにさらに曲がってもよい。つまり、基準電極２７０の枝電極２７１の第１部分２７１ａが横接続部２７２と成す鋭角の角度は、第２部分２７１ｂが横接続部２７２と成す鋭角の角度または第３部分２７１ｃが横接続部２７２と成す鋭角の角度より約７°乃至約１５°程度より大きい。基準電極２７０の縦接続部２７３は、隣接する二つの画素の間に配置されているデータ線１７１の上に延びており、データ線１７１の一部の上に配置されている第１開口部２７４を有する。

基準電極２７０の第１開口部２７４はソース電極１７３を成すデータ線１７１を露出し、約３０μｍ以上約６０μｍ以下程度の縦幅を有してもよい。

基準電極２７０の拡張部２７５は、保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０に形成されるコンタクトホール１８３を通して基準電圧線１３１と物理的または電気的に接続される。

本実施形態においては、図示はしないが、基準電極２７０及び保護膜１８０の上には配向膜（ａｌｉｇｎｍｅｎｔ ｌａｙｅｒ）が塗布され、配向膜は水平配向膜であり、一定の方向にラビングされている。より具体的には、配向膜のラビング方向は、基準電極２７０の枝電極の第１部分２７１ａが延びている方向と約５°以上１０°以下の角度成す。他の実施系地では約７°程度の角度を成す。

次に、上部表示板２００について説明する。

透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板２１０の上に遮光部材（ｌｉｇｈｔ ｂｌｏｃｋｉｎｇ ｍｅｍｂｅｒ）２２０が形成されている。遮光部材２２０はブラックマトリックス（ｂｌａｃｋ ｍａｔｒｉｘ）ともいい、光漏れを防ぐ。

絶縁基板２１０の上にはまたカラーフィルタ２３０が形成されている。カラーフィルタ２３０は遮光部材２２０に囲まれた領域内に存在し、画素電極１９１の列に沿って縦方向に長く延びている。各カラーフィルタ２３０は赤色、緑色、及び青色の三原色など基本色（ｐｒｉｍａｒｙ ｃｏｌｏｒ）のうちの一つを表示する。

カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０の上にはオーバーコート（ｏｖｅｒｃｏａｔ）２５０が形成されている。オーバーコート２５０は有機絶縁物から形成されてもよく、カラーフィルタ２３０が露出されることを防止し、平坦面を提供する。オーバーコート２５０は省略することができる。

液晶層３は正（ｐｏｓｉｔｉｖｅ）の誘電率異方性を有するネマチック（ｎｅｍａｔｉｃ）液晶物質を含む。液晶層３の液晶分子３１はその長軸方向が上部表示板１００及び下部表示板２００に平行に配列され、その方向が下部表示板１００の配向膜のラビング方向から上部表示板２００に至るまで螺旋状で９０°捩じれた構造を有する。

画素電極１９１はドレイン電極１７５からデータ電圧が供給され、基準電極２７０は基準電圧線１３１から一定の大きさの基準電圧が供給される。基準電極２７０は互いに接続されて、表示領域外部に配置されている基準電圧供給部（図示せず）から基準電圧の供給を受けるが、表示領域内で電圧降下などを防止するために、基準電圧線１３１から同じ大きさの基準電圧が供給される。

データ電圧が供給された画素電極１９１は基準電圧が供給される基準電極２７０と共に電場を生成することによって、画素電極１９１及び共通電極２７０の上に位置する液晶層３の液晶分子３１は電場の方向と平行な方向に回転する。このように決定された液晶分子３１の回転方向により、液晶層を通過する光の偏光が変わる。

このように、基準電極２７０の枝電極２７１の端部と画素電極１９１の間に形成される電場によって、液晶表示装置の液晶層３の液晶分子３１は回転する。この時、本発明の実施形態に係る液晶表示装置は、液晶層３の液晶分子３１が所定の角度にプレチルト（ｐｒｅ−ｔｉｌｔ）を成すように配向膜がラビングされており、このラビング角度は基準電極２７０の枝電極２７１と約５°乃至約１０°の角度を成し、より具体的に約７°の角度を成すので、液晶分子３１はプレチルトされた方向に迅速に回転する。

本発明の実施形態に係る液晶表示装置の画素電極１９１はゲート絶縁膜１４０と保護膜１８０の間に配置され、ドレイン電極１７５の一部を覆って、物理的または電気的に直接接続されるので、コンタクトホールを通して接続される従来の液晶表示装置に比べて開口率が実質的に増加する。

また、本発明の実施形態に係る液晶表示装置は、データ線１７１と同一線上に位置するソース電極１７３と、データ線１７１の一部と実質的に並んで延びているドレイン電極１７５を含むことによって、データ導電体が占める面積を広げなくても薄膜トランジスタの幅を広げて、液晶表示装置の開口率が増加する。

また、本発明の実施形態に係る液晶表示装置において、保護膜１８０の上に配置される基準電極２７０は、薄膜トランジスタを成すゲート電極１２４、半導体１５４、ソース電極１７３を成すデータ線１７１の一部及びドレイン電極１７５を露出する開口部２７４を有することにより、データ線１７１と基準電極２７０の間の寄生容量を実質的に減らしている。

本発明の一実験例による液晶表示装置のデータ線１７１と基準電極２７０の間の寄生容量について説明する。表１は、本発明の一実験例による液晶表示装置のデータ線１７１と基準電極２７０の間の寄生容量を比較した結果である。本実験例において、液晶表示装置の薄膜トランジスタを成すデータ線１７１とドレイン電極１７５の形状、基準電極２７０の開口部、データ線１７１の線幅と保護膜１８０の厚さを変化させながら、データ線１９１と基準電極２７０の間の寄生容量を比較した。

表１は従来のＵ字型ドレイン電極を含み、基準電極とデータ線との間に有機絶縁膜を含む一般的な液晶表示装置の基準電極２７０とデータ線１７１の間の寄生容量を基準にして、各場合に対して寄生容量の比を計算した結果である。グループＡは、本発明の実施形態に係る液晶表示装置と同様に、データ線１７１と同一線上に位置するソース電極１７３と、データ線１７１と並んで延びているドレイン電極１７５を含み、基準電極２７０が薄膜トランジスタを成すゲート電極１２４、半導体１５４、ソース電極１７３を成すデータ線１７１の一部及びドレイン電極１７５、基準電圧線１３１の一部を露出する開口部２７４を有する場合である。グループＢは、グループＡに追加して、データ線の線幅を約３．５μｍに形成した場合であり、グループＣは、グループＢに追加して、保護膜１８０の厚さを約８０００Åに形成した場合である。

表１を参照すれば、本発明の実施形態に係る液晶表示装置の場合、従来の液晶表示装置に比べて、グループＡでは、基準電極２７０とデータ線１７１の寄生容量が約７１．０％に減っていることが分かり、グループＢでは、データ線１７１の線幅を調節することによって約６２．１％程度に減少し、グループＣでは、保護膜１８０の厚さを調節することによって約４９．６％程度に減少していることが分かった。

このように、本発明の実施形態に係る液晶表示装置は、液晶表示装置の開口率を減少させて、製造工程を複雑にしなくてもデータ線１７１と基準電極２７０の間の寄生容量を減らし、寄生容量による画質低下を減らすことができる。

以下では、本発明の実施形態に係る液晶表示装置の基準電極２７０の枝電極２７１について、図３Ａ〜図３Ｃを参照して説明する。図３Ａは、図１のＡ部分の拡大図であり、基準電極２７０の第１部分２７１ａを示し、図３Ｂは、図１のＡ’部分の拡大図であり、基準電極２７０の第２部分２７１ｂを示し、図３Ｃは、図１のＡ’’部分の拡大図であり、基準電極２７０の第３部分２７１ｃを示す。

まず、図３Ａを参照すれば、基準電極２７０の枝電極２７１の第１部分２７１ａは下部表示板１００の上に配置されている配向膜のラビング方向と第１角度θ１を成すように傾いている。前述のように、第１角度θ１は約５°以上約１０°以下の角度であってもよく、より具体的には約７°の角度であってもよい。図３Ｂを参照すれば、基準電極２７０の枝電極２７１の第２部分２７１ａは第１部分２７１ａと第２角度θ２を成すように曲がっており、図３Ｃを参照すれば、基準電極２７０の第３部分２７１ｃは第１部分２７１ａと第２角度θ２を成すように曲がっている。第２角度θ２は約７°以上約１５°以下の角度であってもよい。

このように、基準電極２７０の枝電極２７１を第１部分２７１ａ、第２部分２７１ｂ、第３部分２７１ｃに区分して形成することによって、画素領域の中央部と端部部分の電場生成方向を変化させることができる。一般に、枝電極２７１の端部の電場の方向は枝電極２７１の中央部と異なって、液晶層３に電場が供給される時、液晶の回転方向が不規則となって画像に好ましくないテクスチャ（ｔｅｘｔｕｒｅ）が発生する。しかし、本発明の実施形態に係る液晶表示装置は、枝電極２７１の第１部分２７１ａの端部に配置され、第１部分２７１ａよりもっと大きい角度に曲がっている第２部分２７１ｂ及び第３部分２７１ｃを含むことによって液晶層３に印加される電場の方向を変化させ、液晶層３の液晶分子が一定の方向に回転できるようにする。また、第１部分２７１ａよりもっと大きい角度に曲がっている第２部分２７１ｂ及び第３部分２７１ｃを含むことにより、液晶分子３１の回転時に回転方向を決定することができる。

したがって、画素領域の中央部または上下境界部での液晶分子３１の不規則な回転によるテクスチャを防止することができる。

また、基準電極２７０の枝電極２７１を第１部分２７１ａ、第２部分２７１ｂ、第３部分２７１ｃに区分して形成することによって、液晶分子３１の回転角度を互いに異なるように設定するため、液晶表示装置の視野角を高め、カラートーンを補償するようにできる。

以下、図４を参照して、本発明の他の一実施形態に係る液晶表示装置について説明する。図４は本発明の他の一実施形態に係る液晶表示装置を示す配置図であって、複数の画素を示す。

図４に示した液晶表示装置の構造は図１及び図２に示した液晶表示装置とほとんど同一である。したがって、具体的な説明は省略する。

図４を参照すれば、本実施形態に係る液晶表示装置は互いに隣接する少なくとも３個の画素を含み、互いに隣接する３個の画素のうちの少なくとも一つの画素にはスペーサ３２５が形成されている。スペーサ３２５は基準電圧線１３１の拡張部１３５の上に配置され、スペーサ３２５は基準電圧線１３１と基準電極２７０を接続するためのコンタクトホール１８３よりさらに大きい。

互いに隣接する３個の画素のうち、スペーサ３２５が配置される画素には基準電圧線１３１と基準電極２７０を接続するためのコンタクトホール１８３が形成されず、残りの画素にのみコンタクトホール１８３が形成されてもよい。したがって、スペーサ３２５が配置されていない画素領域内のみで、基準電圧線１３１と基準電極２７０がコンタクトホール１８３を通して接続される。スペーサ３２５がコンタクトホール１８３の上に形成される場合、コンタクトホール１８３による段差が発生するため正確なセル間隔を維持することは難しい。しかし、本実施形態では基準電圧線１３１と基準電極２７０との間を接続するためのコンタクトホール１８３が形成されていない画素にのみスペーサ３２５を形成することによって、セル間隔の正確度が高くなる。

互いに隣接する３個の画素のうち、スペーサ３２５が配置されている画素に形成されている遮光部材２２０はスペーサ３２５に対応する部分で一部拡張され、スペーサ３２５を全て覆うようにしてもよい。したがって、スペーサ３２５が配置されている画素の開口率が残りの画素に比べて多少小さくなることがある。

互いに隣接する３個の画素は互いに異なる色を表示して、スペーサ３２５が配置されることによって開口率が一番小さい画素は緑色画素である。このように、他の色を表示する画素に比べて緑色画素の開口率が小さくなるようにすれば、液晶表示装置の黄色化（ｙｅｌｌｏｗｉｓｈ）を防止する。

先に図１及び図２を参照して説明した液晶表示装置の多くの特徴は図４に示した実施形態に全て適用可能である。

以下、図５を参照して、本発明の他の一実施形態に係る液晶表示装置について説明する。図５は本発明の他の一実施形態に係る液晶表示装置を示す配置図であって、複数の画素を示す。

図５に示した液晶表示装置の構造は図１及び図２に示した液晶表示装置とほとんど同一である。したがって、具体的な説明は省略する。

しかし、図５に示した本実施形態に係る液晶表示装置は図１及び図２に示した液晶表示とは異なって、基準電圧線１３１が画素領域の中央部に配置される。また、基準電圧線１３１の拡張部１３５も画素領域の中央部に配置され、基準電極拡張部２７５も画素領域の中央部に配置される。

互いに隣接する３個の画素のうちの一つの画素にのみ基準電圧線１３１と基準電極２７０を接続するためのコンタクトホール１８３、基準電圧線１３１の拡張部１３５、そして基準電極２７０の拡張部２７５を形成してもよく、残りの画素にはコンタクトホール１８３が形成されないこともある。したがって、互いに隣接する３個の画素のうちの一つの画素領域内のみで、基準電圧線１３１と基準電極２７０がコンタクトホール１８３を通して接続される。基準電圧線１３１と基準電極２７０の接触部分は画素領域のうちのデータ線１７１に隣接した領域に配置されることができる。

互いに隣接する３個の画素のうち、基準電圧線１３１と基準電極２７０がコンタクトホール１８３を通して接続されている画素において、画素電極１９１は基準電圧線１３１の拡張部１３５、コンタクトホール１８３、基準電極２７０の拡張部２７５に対応する位置より除去され、画素電極１９１の端部のうちのデータ線１７１に隣接した一つは基準電圧線１３１と基準電極２７０の接触部分を囲む凹部１９２を有する。これによって、基準電圧線１３１と基準電極２７０の間に配置される画素電極１９１は基準電圧線１３１と基準電極２７０の接触部より除去され、基準電極２７０と画素電極１９１の短絡（ｓｈｏｒｔ）を防止する。

互いに隣接する３個の画素のうちの一つの画素にのみ基準電圧線１３１と基準電極２７０を接続するためのコンタクトホール１８３、基準電圧線１３１の拡張部１３５、基準電極２７０の拡張部２７５が形成されるので、基準電圧線１３１と基準電極２７０が物理的電気的に接続される画素の開口率が残りの画素に比べて多少小さくなる。

互いに隣接する３個の画素は互いに異なる色を表示して、基準電圧線１３１と基準電極２７０が物理的または電気的に接続されることによって開口率が一番小さい画素は緑色画素である。

このように、一部の画素のみで基準電圧線１３１と基準電極２７０を互いに接続することによって、残りの画素の開口率を高めることができ、液晶表示装置の全体開口率が増加することができる。また、他の色を表示する画素に比べて緑色画素の開口率が小さくなるようにすれば、液晶表示装置の黄色化（ｙｅｌｌｏｗｉｓｈ）を防止することができる。

先に図１及び図２、そして図４を参照して説明した液晶表示装置の多くの特徴は図５に示した実施形態に全て適用可能である。

以下、図６Ａ及び図６Ｂを参照して、本発明の他の一実施形態に係る液晶表示装置について説明する。図６Ａは、本発明の他の一実施形態に係る液晶表示装置の一部を示した配置図であり、図６Ｂは、図６Ａの液晶表示装置をＶＩＢ−ＶＩＢ線に沿って切断して示した断面図である。

図６Ａ及び図６Ｂに示した液晶表示装置の層構造は図１及び図２に示した液晶表示装置とほとんど同一である。具体的な説明は省略する。

しかし、図６Ａ及び図６Ｂに示した液晶表示装置の場合、図１及び図２に示した液晶表示装置とは異なって、データ線１７１の下部には遮蔽電極８８が形成されており、データ線１７１の上に延びている基準電極２７０の縦接続部２７３はデータ線１７１の上に配置されている第２開口部２７６を有する。遮蔽電極８８はゲート導電体と同一層からなり、フローティングされている。遮蔽電極８８は光漏れを防止する。データ線１７１の上に配置される基準電極２７０の第２開口部２７６は一つの画素領域に配置されるデータ線１７１の縦長さの約５０％以上である。このように、データ線１７１の上に配置されている基準電極２７０に第２開口部２７６を形成し、除去することによって、データ線１７１と基準電極２７０の間の寄生容量を減少させることができる。

図６Ｂを参照すれば、遮蔽電極８８の幅ｄ１は約８．２μｍ以上約８．８μｍ以下であってもよく、遮蔽電極８８と画素電極１９１の間の間隔ｄ２は約４．７μｍ以上約５．３μｍ以下であってもよい。データ線１７１の幅ｄ３は約３．２μｍ以上約３．８μｍ以下であってもよく、データ線１７１の上に配置される基準電極２７０に第２開口部２７６の幅ｄ４は約４．２μｍ以上約４．８μｍ以下であってもよい。このように、データ線１７１の幅ｄ３よりデータ線１７１の上に配置される基準電極２７０に第２開口部２７６の幅ｄ４が大きいため、第２開口部２７６によってデータ線１７１と基準電極２７０は互いにオーバーラップしないようにできるので、データ線１７１と基準電極２７０のオーバーラップによる寄生容量を減らすことができる。また、基準電極２７０の枝電極２７１の幅ｄ５は約４．２μｍ以上約４．８μｍ以下であってもよく、データ線１７１に隣接した枝電極２７１と遮蔽電極８８は互いに一部オーバーラップしてもよく、このオーバーラップ部の幅ｄ６は約１．７μｍ以上約２．３μｍ以下であってもよい。

図１及び図２、図４、そして図５に示した実施形態の多くの特徴は図６に示した実施形態に全て適用可能である。

以下、図７Ａ及び図７Ｂを参照して、本発明の他の一実施形態に係る液晶表示装置について説明する。図７Ａは、本発明の他の一実施形態に係る液晶表示装置の一部を示した配置図であり、図７Ｂは、図７Ａの液晶表示装置をＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ線に沿って切断して示した断面図である。

図７Ａ及び図７Ｂに示した液晶表示装置の層構造は図１及び図２に示した液晶表示装置とほとんど同一である。

図７Ａ及び図７Ｂに示した液晶表示装置は、絶縁基板１１０の上にゲート電極１２４を含むゲート線１２１及び基準電圧線１３１が配置され、ゲート線１２１及び基準電圧線１３１の上にはゲート絶縁膜１４０が配置されている。ゲート絶縁膜１４０の上には半導体１５４及びオーミックコンタクト１６３、１６５が配置され、ゲート絶縁膜１４０及びオーミックコンタクト１６３、１６５の上にはソース電極１７３を含むデータ線１７１及びドレイン電極１７５が配置されている。ゲート絶縁膜１４０とドレイン電極１７５の一部の上には画素電極１９１が配置され、画素電極１９１、データ線１７１、ドレイン電極１７５、及び露出された半導体１５４の上にはコンタクトホール１８３を有する保護膜１８０が配置されている。保護膜１８０の上には、画素電極１９１と重なり、枝電極２７１を有する基準電極２７０が配置されている。

しかし、図１及び図２に示した液晶表示装置とは異なり、図７Ａに示すように、本実施形態に係る液晶表示装置の基準電極２７０は画素電極１９１と重なり、複数の枝電極２７１と複数の枝電極２７１を接続する第１接続部２７２、及び隣接する画素領域の基準電極２７０を互いに接続する第２接続部２７３を含む。

基準電極２７０の枝電極２７１はゲート線１２１とほとんど平行な方向に延びており、ゲート線１２１と約５°以上約２０°以下の角度を成すように配置されてもよい。また、基準電極２７０の枝電極２７１は配向膜のラビング方向と約７°以上約１３°以下の角度を成し、より具体的には約１０°の角度を成すように配置されてもよい。

基準電極２７０の枝電極２７１は、一定の方向に延びている第１部分２７１ａと、第１接続部２７２に隣接した部分に配置され、第１部分２７１ａの両端に配置される第２部分２７１ｂを含む。

基準電極２７０の枝電極２７１の第１部分２７１ａは後述の配向膜のラビング方向と約１０°の角度を成し、第２部分２７１ｂは第１部分２７１ａと約７°以上約１５°以下の角度を成すようにさらに曲がって配置されてもよい。

図１及び図２、図４、図５、そして図６Ａ及び図６Ｂに示した実施形態の多くの特徴は図７Ａ及び図７Ｂに示した実施形態に全て適用可能である。

以下、図８乃至図１０を参照して、本発明の他の一実施形態に係る液晶表示装置について説明する。図８は、本発明の他の一実施形態に係る液晶表示装置を示す配置図であり、図９は、図８の液晶表示装置をＩＸ−ＩＸ線に沿って切断して示した断面図であり、図１０は、図８の液晶表示装置をＸ−Ｘ線に沿って切断して示した断面図である。

図８乃至図１０を参照すれば、本実施形態に係る液晶表示装置は、互いに対向する下部表示板１００及び上部表示板２００とその間注入されている液晶層３を含む。

まず、下部表示板１００について説明する。

本実施形態に係る液晶表示装置は、透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板１１０の上にゲート線１２１及び基準電圧線１３１を含むゲート導電体が配置される。ゲート線１２１は、ゲート電極１２４及び他の層または外部駆動回路との接続のための広い端部（図示せず）を含む。基準電圧線１３１は一定の基準電圧を伝達し、後述の基準電極２７０との接続のための拡張部１３５を含む。基準電圧線１３１は後述の基準電極２７０に接続され、基準電極２７０に基準電圧を伝達する。基準電圧線１３１はゲート線１２１と平行に配置してもよく、ゲート線１２１と同一物質から形成してもよい。

ゲート導電体のゲート線１２１及び基準電圧線１３１の上には窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。ゲート絶縁膜１４０は、物理的性質が異なる少なくとも二つの絶縁層を含む多層膜構造を有してもよい。

ゲート絶縁膜１４０には、水素化非晶質シリコン（ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｅｄ ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ）（非晶質シリコンは略称ａ−Ｓｉという）または多結晶シリコン（ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ）などからなる複数のストライプ状半導体１５１が形成されている。ストライプ状半導体１５１は実質的に縦方向に延びており、ゲート電極１２４に向かって延びた複数の半導体の突出部（ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ）１５４を含む。

ストライプ状半導体１５１の上には、複数のストライプ状オーミックコンタクト１６１及び島型オーミックコンタクト１６５が形成される。ストライプ状オーミックコンタクト１６１及び島型オーミックコンタクト１６５はリンなどのｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ^＋水素化非晶質シリコンなどの物質から形成され、シリサイド（ｓｉｌｉｃｉｄｅ）から形成される。ストライプ状オーミックコンタクト１６１は複数の突出部１６３を有しており、この突出部１６３と島型オーミックコンタクト１６５は対を成して半導体１５４の上に配置される。

ストライプ状オーミックコンタクト１６１、島型オーミックコンタクト１６５及びゲート絶縁膜１４０の上には、複数のデータ線１７１と複数のドレイン電極１７５が形成されている。

データ線１７１はデータ信号を伝達し、実質的に縦方向に延びてゲート線１２１及び基準電圧線１３１と交差する。

データ線１７１は、ゲート電極１２４に向かって延びたソース電極１７３と他の層または外部駆動回路との接続のために面積が広い端部（図示せず）を含む。

データ線１７１は、ゲート線１２１及び基準電圧線１３１の隣接した部分で拡張されて断線を防止する。

ドレイン電極１７５はデータ線１７１と分離され、ゲート電極１２４を中心にソース電極１７３と対向する。

ドレイン電極１７５は、棒状の一側端部と面積が広い拡張部を含む。棒状端部は曲がったソース電極１７３で一部囲まれている。

ゲート電極１２４、ソース電極１７３、及びドレイン電極１７５は半導体１５４と共に一つの薄膜トランジスタを成し、薄膜トランジスタのチャネルはソース電極１７３とドレイン電極１７５の間の半導体１５４に形成される。

ドレイン電極１７５の拡張部及びゲート絶縁膜１４０の上には画素電極１９１が形成されている。

画素電極１９１はデータ線１７１及びゲート線１２１とほとんど並んでいる周縁を有し、ほとんど四角形の形状を有する。

画素電極１９１はドレイン電極１７５の拡張部を覆い、その上に配置され、ドレイン電極１７５と物理的または電気的に直接接続される。

画素電極１９１は、多結晶、単結晶または非晶質のＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、またはＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電物質からなってもよい。

データ線１７１、ドレイン電極１７５、露出した半導体１５４及び画素電極１９１の上には保護膜１８０が配置される。保護膜１８０は窒化ケイ素または酸化ケイ素などの無機絶縁物から形成されてもよい。しかし、保護膜１８０は有機絶縁物から形成されてもよく、表面が平坦であってもよい。有機絶縁物の場合、感光性を有してもよく、誘電率は約４．０以下であってもよい。保護膜１８０はまた、有機膜の優れた絶縁特性を生かしながらも露出された半導体１５４の部分に害が及ばないように、下部無機膜と上部有機膜の二重膜構造を有してもよい。

保護膜１８０にはデータ線１７１の端部を露出するコンタクトホール（ｃｏｎｔａｃｔ ｈｏｌｅ）（図示せず）が形成されており、保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０には、基準電圧線１３１の拡張部１３５を露出するコンタクトホール１８３、及びゲート線１２１の端部を露出するコンタクトホール（図示せず）が形成されている。

保護膜１８０の上には基準電極２７０が形成されている。基準電極２７０は画素電極１９１と重なり、複数の枝電極２７１を互いに接続する第１接続部２７２、及び隣接する画素領域の基準電極２７０を互いに接続する第２接続部２７３を含む。基準電極２７０は、多結晶、単結晶または非晶質のＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、またはＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎ ｃｏｘｉｄｅ）などの透明な導電物質からなってもよい。

基準電極２７０の枝電極２７１はゲート線１２１とほとんど平行な方向に延びており、ゲート線１２１と約５°以上約２０°以下の角度を成すように配置されてもよい。また、基準電極２７０の枝電極２７１は後述の配向膜のラビング方向と約７°以上約１３°以下の角度を成し、より具体的には約１０°の角度を成すように配置されてもよい。

基準電極２７０の枝電極２７１は、一定の方向に延びている第１部分２７１ａ（図８のＡ参照）と、第１接続部２７２に隣接した部分に配置され、第１部分２７１ａの両端に配置される第２部分２７１ｂ（図８のＡ’参照）を含む。

基準電極２７０の枝電極２７１の第１部分２７１ａは後述の配向膜のラビング方向と約７°以上約１３°以下の角度を成し、より具体的には約１０°の角度を成し、第２部分２７１ｂは第１部分２７１ａと約７°以上約１５°以下の角度を成すようにさらに曲がっていってもよい。

枝電極２７１の第１部分２７１ａ及び第２部分２７１ｂについて、図１１Ａ及び図１１Ｂを参照して具体的に説明する。図１１Ａ及び図１１Ｂは、図１の液晶表示装置の一部を各々拡大した拡大図である。図１１Ａは、図８のＡ部分の拡大図であり、基準電極の第１部分２７１ａを示し、図１１Ｂは、図８のＡ’部分の拡大図であり、基準電極の第２部分２７１ｂを示す。

まず、図１１Ａ及び図１１Ｂを参照すれば、基準電極２７０の枝電極２７１の第１部分２７１ａは、下部表示板１００に配置されている配向膜のラビング方向と第１角度θ１を成すように傾いている。前述のように、第１角度θ１は約７°以上約１３°以下の角度を成し、より具体的には約１０°の角度であってもよい。また、基準電極２７０の枝電極２７１の第２部分２７１ａは第１部分２７１ａと第２角度θ２を成すように曲がっている。第２角度θ２は約７°以上約１５°以下の角度でもよい。

このように、基準電極２７０の枝電極２７１を第１部分２７１ａ及び第２部分２７１ｂに区分して形成することによって、画素領域の中央部と端部の電場生成方向を変化させる。一般に、液晶表示装置において、枝電極２７１の端部の電場の方向は枝電極２７１の中央部と異なって、液晶層３に電場が生成される時に液晶の回転方向が不規則となり、テクスチャが発生する。しかし、本発明の実施形態に係る液晶表示装置は、枝電極２７１の第１部分２７１ａの端部に配置され、第１部分２７１ａよりもっと大きい角度に曲がっている第２部分２７１ｂを含むことによって液晶層３に供給される電場の方向を変化させ、液晶層３の液晶分子が一定の方向に回転できるようにする。また、第１部分２７１ａよりもっと大きい角度に曲がっている第２部分２７１ｂを含むことによって、液晶分子３１の回転時に回転方向を決定する。したがって、画素領域の左右境界部での液晶分子３１の不規則な回転によるテクスチャを防止する。また、基準電極２７０の枝電極２７１を第１部分２７１ａ及び第２部分２７１ｂに区分して形成することによって、液晶分子３１の回転角度を互いに異なるように設定するので、液晶表示装置の視野角を高め、カラートーンを補償する。

再び、図８乃至図１０を参照すれば、互いに隣接する画素に配置される基準電極２７０は第２接続部２７３によって互いに接続され、第２接続部２７３はデータ線１７１の一部を覆っている。第２接続部２７３が覆っているデータ線１７１の長さは、一つの画素領域に配置されるデータ線１７１の全体長さに比べて非常に短い。

基準電極２７０は、保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０に形成されるコンタクトホール１８３を通して基準電圧線１３１と物理的または電気的に接続される。

図示してはいないが、基準電極２７０及び保護膜１８０の上には配向膜が塗布され、配向膜は水平配向膜であり、一定の方向にラビングされている。配向膜のラビング方向は、基準電極２７０の枝電極の第１部分２７１ａが延びている方向と約１０°程度の角度を成すようにする。

以下、上部表示板２００について説明する。

透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板２１０の上に遮光部材（ｌｉｇｈｔ ｂｌｏｃｋｉｎｇ ｍｅｍｂｅｒ）２２０が形成されている。遮光部材２２０はブラックマトリックス（ｂｌａｃｋ ｍａｔｒｉｘ）ともいい、光漏れを防ぐ。

絶縁基板２１０の上には複数のカラーフィルタ２３０が配置される。カラーフィルタ２３０は遮光部材２２０に囲まれた領域内に大部分存在し、画素電極１９１の列に沿って縦方向に長く延びてもよい。各カラーフィルタ２３０は赤色、緑色、及び青色の三原色など基本色（ｐｒｉｍａｒｙ ｃｏｌｏｒ）のうちの一つを表示する。

カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０の上にはオーバーコート（ｏｖｅｒｃｏａｔ）２５０が形成されている。オーバーコート２５０は（有機）絶縁物からなってもよく、カラーフィルタ２３０が露出されることを防止し、平坦面を提供する。オーバーコート２５０は省略してもよいが、本発明はこれに限定されるわけではない。

液晶層３は、正の誘電率異方性を有するネマチック（ｎｅｍａｔｉｃ）液晶物質を含む。液晶層３の液晶分子はその長軸方向が上部表示板１００及び下部表示板２００に平行に配列され、その方向が下部表示板１００の配向膜のラビング方向から上部表示板２００に至るまで螺旋状で９０°捩じれた構造を有する。

画素電極１９１はドレイン電極１７５からデータ電圧の印加を受け、基準電極２７０は基準電圧線１３１から一定の大きさの基準電圧の印加を受ける。

データ電圧が印加された画素電極１９１は基準電圧の印加を受ける基準電極１３１と共に電場を生成することにより、二つの画素電極１９１及び基準電極２７０の上に位置する液晶層３の液晶分子は電場の方向と平行な方向に回転する。このように決定された液晶分子の回転方向によって液晶層を通過する光の偏光が変わる。

このように、基準電極２７０の枝電極２７１の端部と画素電極１９１との間に生成される電場によって、対応する液晶表示装置の液晶層３の液晶分子３１は回転するようになる。この時、本発明の実施形態に係る液晶表示装置は、液晶層３の液晶分子３１が所定の角度にプレチルトを成すように配向膜がラビングされ、このラビング角度は基準電極２７０の枝電極２７１と約１０°の角度を成すので、液晶分子３１はプレチルトされた方向に迅速に回転できるようになる。

本発明の実施形態に係る液晶表示装置の画素電極１９１はゲート絶縁膜１４０と保護膜１８０との間に配置され、ドレイン電極１７５の一部を覆って直接物理的または電気的に接続されるので、コンタクトホールを通して接続される従来の液晶表示装置に比べて開口率が増加する。

また、本発明の実施形態に係る液晶表示装置は、基準電極２７０の枝電極２７１を互いに接続する第１接続部２７２がデータ線１７１と平行に配置されるので、画素電極１９１とデータ線１７１の間の寄生容量を減らしながらも、液晶表示装置の開口率を高める。

データ線１７１と基準電極２７０及び画素電極１９１との関係について、図１０を参照して説明する。

図１０を参照すれば、本発明の実施形態に係る液晶表示装置は、ゲート絶縁膜１４０の上に配置され、第１間隔Ｗ１の分だけ離隔している画素電極１９１及びデータ線１７１を含み、データ線１７１と画素電極１９１の上に配置される保護膜１８０、保護膜１８０の上に配置され、枝電極２７１と枝電極２７１の接続部２７２を含み、データ線１７１と第２間隔Ｗ２の分だけ離隔している基準電極２７０が配置されている。

画素電極と１９１とデータ線１７１との第１間隔Ｗ１は、基準電極２７０とデータ線１７１の第２間隔Ｗ２よりもっと広い。

しかし、本発明の実施形態に係る液晶表示装置は、保護膜１８０の上に配置され、枝電極２７１を有する基準電極２７０を含むことによって、基準電極２７０の枝電極２７１を接続する接続部２７２の幅Ｗ３の一部は画素電極１９１とデータ線１７１の間の第１間隔Ｗ１と重なってもよい。

したがって、液晶表示装置のデータ線１７１に隣接して配置され映像が表示されていない部分のうち、画素電極１９１とデータ線１７１の間の第１間隔Ｗ１と、基準電極２７０の枝電極２７１を接続する接続部２７２の幅Ｗ３は一部重なるようになる。

これによって、本発明の実施形態に係る液晶表示装置は液晶表示装置の開口率を増加させると同時に、データ線１７１と基準電極２７０または画素電極１９１の間の寄生容量を減らす。

以下、図１２及び図１３を参照して、本発明の他の一実施形態に係る液晶表示装置について説明する。図１２は、本発明の他の一実施形態に係る液晶表示装置を示す配置図であり、図１３は、図１２に示した液晶表示装置をＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿って切断して示した断面図である。

図１２及び図１３に示した液晶表示装置の層構造は図８乃至図１０に示した液晶表示装置とほとんど類似している。したがって、具体的な説明は省略する。

しかし、図１２及び図１３に示した液晶表示装置は図８乃至図１０に示した液晶表示装置とは異なって、データ線１７１の下に配置される遮蔽電極８８をさらに含む。遮蔽電極８８はゲート導電体と同一層からなってもよく、フローティングされてもよい。また、遮蔽電極８８の幅はデータ線１７１またはストライプ状半導体１５１の幅より広くてもよい。

遮蔽電極８８は、データ線１７１の下に配置されているストライプ状半導体１５１に光が流入することを防止する役割を果たすことによって、ストライプ状半導体１５１が光によって不要に活性化することを防止する。

図８乃至図１０に示した実施形態に係る液晶表示装置の多くの特徴は図１２及び図１３に示した液晶表示装置にも適用可能である。

以下、図１４を参照して、本発明の他の一実施形態に係る液晶表示装置について説明する。図１４は、本発明の他の一実施形態に係る液晶表示装置の一部を示した配置図である。

図１４に示した液晶表示装置の層構造は図８乃至図１０に示した液晶表示装置とほとんど同一である。したがって、具体的な説明は省略する。

図１４に示した実施形態に係る液晶表示装置は図８〜図１０示した液晶表示とは異なって、基準電圧線１３１が画素領域の中央部に配置される。また、基準電圧線１３１の拡張部１３５も画素領域の中央部に配置され、基準電極拡張部２７５も画素領域の中央部に配置される。

また、画素の画素電極１９１は基準電圧線１３１の拡張部１３５、コンタクトホール１８３、基準電極２７０の拡張部２７５に対応する位置より除去されていて、画素電極１９１の端部のうちデータ線１７１に隣接した一つは、基準電圧線１３１と基準電極２７０の接触部分を囲む凹部１９２を有してもよい。これによって、基準電圧線１３１と基準電極２７０との間に配置される画素電極１９１は基準電圧線１３１と基準電極２７０の接触領域より除去され、基準電極２７０と画素電極１９１との間の短絡（ｓｈｏｒｔ）を防止する。

先に図８乃至図１０、そして図１２及び図１３を参照して説明した液晶表示装置の多くの特徴は、図１４に示した実施形態に全て適用可能である。

以下、図１５を参照して、本発明の他の一実施形態に係る液晶表示装置について説明する。図１５は、本発明の他の一実施形態に係る液晶表示装置の一部を示した配置図である。

図１５に示した液晶表示装置の層構造は図８乃至図１０に示した液晶表示装置とほとんど同一である。

本実施形態に係る液晶表示装置は、絶縁基板１１０の上にゲート電極１２４を含むゲート線１２１及び基準電圧線１３１が配置され、ゲート線１２１及び基準電圧線１３１の上にはゲート絶縁膜１４０が配置され、ゲート絶縁膜１４０の上には半導体１５４及びオーミックコンタクト１６３、１６５が配置され、ゲート絶縁膜１４０及びオーミックコンタクト１６３、１６５の上にはソース電極１７３を含むデータ線１７１、及びドレイン電極１７５が配置される。ゲート絶縁膜１４０とドレイン電極１７５の一部の上には画素電極１９１が配置され、画素電極１９１、データ線１７１、ドレイン電極１７５、及び露出された半導体１５４の上にはコンタクトホール１８３を有する保護膜１８０が配置される。保護膜１８０の上には、画素電極１９１と重なり、枝電極２７１を有する基準電極２７０が配置されている。

しかし、図８乃至図１０に示した液晶表示装置とは異なって、本実施形態に係る液晶表示装置のデータ線１７１は、液晶表示装置の最大透過率を得るために曲がっている形状を有する第１屈曲部を有し、屈曲部は画素領域の中間領域でＶ字形状を有してもよい。画素領域の中間領域には第１屈曲部と所定の角度に曲がっている第２屈曲部をさらに含んでもよい。データ線１７１の第１屈曲部は、後述の配向膜のラビング方向と約５°以上約１０°以下の角度を成し、より具体的には約７°程度の角度を成すように曲がってもよい。画素領域の中間領域に配置される第２屈曲部は、第１屈曲部と約７°以上約１５°以下程度の角度を成すようにさらに曲がっていてもよい。

また、基準電極２７０の枝電極２７１は前述のデータ線１７１の第１屈曲部及び第２屈曲部と各々並んでいる第１部分２７１ａと第２部分２７１ｂを含む。第１部分２７１ａは、配向膜のラビング方向と約７°程度の角度を成すように曲がってもよく、第２部分２７１ｂは第１部分２７１ａと約７°以上約１５°以下の角度を成すようにさらに曲がってもよい。

先に図８乃至図１０、図１２及び図１３、そして図１４を参照して説明した液晶表示装置の多くの特徴は、図１５に示した実施形態に全て適用可能である。

以下、図１６及び図１７を参照して、本発明の他の一実施形態に係る液晶表示装置について説明する。図１６は、本発明の他の一実施形態に係る液晶表示装置の配置図であり、図１７は、図１６に示した液晶表示装置をＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿って切断して示した断面図である。

図１６及び図１７に示した液晶表示装置の層構造は図１、図２Ａ及び図２Ｂに示した液晶表示装置と類似している。

本実施形態に係る液晶表示装置は、絶縁基板１１０の上にゲート電極１２４を含むゲート線１２１及び基準電圧線１３１が配置され、ゲート線１２１及び基準電圧線１３１の上にはゲート絶縁膜１４０が配置され、ゲート絶縁膜１４０の上には半導体１５４及びオーミックコンタクト１６３、１６５が配置され、ゲート絶縁膜１４０及びオーミックコンタクト１６３、１６５の上にはソース電極１７３を含むデータ線１７１及びドレイン電極１７５が配置される。ゲート絶縁膜１４０とドレイン電極１７５の一部の上には画素電極１９１が配置される。画素電極１９１の厚さは約４００Å以上約５００Å以下であってもよい。画素電極１９１、データ線１７１、ドレイン電極１７５、及び露出された半導体１５４の上にはコンタクトホール１８３を有する保護膜１８０が配置される。保護膜１８０の上には、画素電極１９１と重なり、枝電極２７１を有する基準電極２７０が配置される。

図１７に示すように、本実施形態に係る液晶表示装置は図１及び図２に示した液晶表示装置とは異なって、第１保護膜１８０ｐ及び第２保護膜１８０ｑを含む二重膜構造の保護膜１８０を備える。

第１保護膜１８０ｐ及び第２保護膜１８０ｑは互いに異なる屈折率を有してもよい。第１保護膜１８０ｐの屈折率は約１．４以上約１．６以下であってもよく、第２保護膜１８０ｑの屈折率は約１．６以上約２．２以下であってもよい。第１保護膜１８０ｐ及び第２保護膜１８０ｑは無機絶縁物からなってもよく、無機絶縁物の例としては窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）が挙げられる。また、第１保護膜１８０ｐ及び第２保護膜１８０ｑは同一な無機物質から形成してもよく、各々互いに異なる無機物質から形成してもよい。また、保護膜１８０の厚さは約５５００Å以上約６５００Å以下であってもよい。また、保護膜１８０の第１保護膜１８０ｐ及び第２保護膜１８０ｑの厚さは約２８００Å以上約３２００Å以下であってもよい。

第１保護膜１８０ｐと第２保護膜１８０ｑを形成する工程において、化学気相成長法（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）の工程時に用いる窒素（Ｎ_２）ガスの流量及び圧力を調整すれば、第１保護膜１８０ｐと第２保護膜１８０ｑの屈折率を調整することができる。

図１８は、化学気相成長法の工程時に用いる窒素（Ｎ_２）ガスの流量及び圧力が保護層の屈折率と反比例関係にあることを示すグラフである。図１８に示したように、窒素（Ｎ_２）ガスの流量及び圧力を調節すれば、第１保護膜１８０ｐと第２保護膜１８０ｑの屈折率を互いに異なるようにしてもよい。具体的に、本発明の実施形態に係る液晶表示装置の第１保護膜１８０ｐと第２保護膜１８０ｑ内の窒素含有量は互いに異なり、第１保護膜１８０ｐ内の窒素含有量が第２保護膜１８０ｑ内の窒素含有量より大きい。

このように、第１保護膜１８０ｐと第２保護膜１８０ｑ内の窒素含有量を調節することによって、保護膜１８０を互いに異なる屈折率を有する第１保護膜１８０ｐ及び第２保護膜１８０ｑを含む二重膜構造に形成し、これによって、液晶表示装置の製造工程で透明な物質からなる画素電極１９１または基準電極２７０の結晶化によるヘイズ（Ｈａｚｅ）効果のために生じる透過率低下を防止することができる。

これについて、図１９及び図２０を参照して説明する。図１９は、保護膜１８０の厚さによる液晶表示装置の透過率を示したグラフであり、図２０は、第１保護膜１８０ｐと第２保護膜１８０ｑの屈折率による液晶表示装置の透過率を示したグラフである。

図１９に示すように、保護膜１８０の厚さが変わることによって液晶表示装置の透過率が変わることが分かる。保護膜１８０の厚さが約２８００Å以上約３２００Å以下または約５５００Å以上約６５００Å以下である場合、液晶表示装置の透過率は向上することが分かる。したがって、本発明の実施形態に係る液晶表示装置のように、保護膜１８０の厚さを約５５００Å以上約６５００Å以下に形成した場合に液晶表示装置の透過率は向上することが分かった。

図２０において、保護膜１８０の第１保護膜１８０ｐと第２保護膜１８０ｑの厚さが変わることによって液晶表示装置の透過率が変わることが分かる。保護膜１８０の厚さが約２８００Å以上約３２００Å以下または約５５００Å以上約６５００Å以下である場合、液晶表示装置の透過率は向上することが分かる。したがって、本発明の実施形態に係る液晶表示装置のように、保護膜１８０の厚さを約５５００Å以上約６５００Å以下に形成した場合に液晶表示装置の透過率は向上することが分かった。

図２０に示したように、保護膜１８０の第１保護膜１８０ｐと第２保護膜１８０ｑの屈折率によって液晶表示装置の透過率が変わる。保護膜１８０を単一層に形成した場合には液晶表示装置の透過率が約０．８２０以上約０．８４０以下の水準であるが、本発明の実施形態に係る液晶表示装置のように約１．４以上約１．６以下の屈折率を有する第１保護膜１８０ｐと約１．６以上約２．２以下の屈折率を有する第２保護膜１８０ｑを含む二重膜構造の保護膜１８０を形成した場合、液晶表示装置の透過率が約０．９００以上約０．９２０以下に向上することが分かった。

次に、本発明の他の一実験例の結果を参照して、本発明の実施形態に係る液晶表示装置の透過率の変化について説明する。本実験例では、保護膜１８０を単一膜に形成した場合（Ａ）と、本発明の実施形態に係る液晶表示装置のように互いに異なる屈折率を有する第１保護膜１８０ｐ及び第２保護膜１８０ｑを含む二重膜構造の保護膜１８０を形成した場合（Ｂ）に対し、ヘイズ現象を測定した。

下記の表２は、本実験例で使用した第１保護層及び第２保護層の化学気相成長法の工程の条件とヘイズ現状の結果を示したものである。

図２１Ａ及び図２１Ｂは、各々、保護膜１８０を単一膜に形成した場合と、本発明の実施形態に係る液晶表示装置のように互いに異なる屈折率を有する第１保護膜１８０ｐ及び第２保護膜１８０ｑを含む二重膜構造の保護膜１８０を形成した場合のインジウム（Ｉｎｄｉｕｍ）を含む透明電極の断面を示した写真である。

表２と共に図２１Ａ及び図２１Ｂを参照すれば、保護膜１８０を単一膜に形成した従来の場合と比べて、本発明の実施形態に係る液晶表示装置のように互いに異なる屈折率を有する第１保護膜１８０ｐ及び第２保護膜１８０ｑを含む二重膜構造の保護膜１８０を形成した場合にヘイズ（Ｈａｚｅ）現象が改善されたことが分かる。したがって、本発明の実施形態に係る液晶表示装置は画素電極１９１基準電極２７０のヘイズ現象による透過率減少を減らせることが分かった。

図１、図２Ａ、及び図２Ｂを参照して説明した液晶表示装置の多くの特徴は本実施形態に係る液晶表示装置に全て適用可能である。

以下、本発明の他の一実施形態に係る液晶表示装置について、図２２及び図２３を参照して説明する。図２２は、本発明の他の一実施形態に係る液晶表示装置の配置図であり、図２３は、図２２の液晶表示装置をＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩ線に沿って切断して示した断面図である。

図２２及び図２３に示した液晶表示装置の層構造は図８乃至図１０に示した液晶表示装置と類似している。

本実施形態に係る液晶表示装置は、絶縁基板１１０の上にゲート電極１２４を含むゲート線１２１及び基準電圧線１３１が配置され、ゲート線１２１及び基準電圧線１３１の上にはゲート絶縁膜１４０が配置され、ゲート絶縁膜１４０の上には半導体１５４及びオーミックコンタクト１６３、１６５が配置され、ゲート絶縁膜１４０及びオーミックコンタクト１６３、１６５の上にはソース電極１７３を含むデータ線１７１及びドレイン電極１７５が配置される。ゲート絶縁膜１４０とドレイン電極１７５の一部の上には画素電極１９１が配置され、画素電極１９１、データ線１７１、ドレイン電極１７５、及び露出された半導体１５４の上にはコンタクトホール１８３を有する保護膜１８０が配置される。保護膜１８０の上には画素電極１９１と重なり、枝電極２７１を有する基準電極２７０が形成される。

しかし、本実施形態に係る液晶表示装置は図８及び図９に示した液晶表示装置とは異なって、第１保護膜１８０ｐ及び第２保護膜１８０ｑを含む二重膜構造の保護膜１８０を備える。

第１保護膜１８０ｐ及び第２保護膜１８０ｑは互いに異なる屈折率を有してもよい。第１保護膜１８０ｐの屈折率は約１．４以上約１．６以下であってもよく、第２保護膜１８０ｑの屈折率は約１．６以上約２．２以下であってもよい。第１保護膜１８０ｐ及び第２保護膜１８０ｑは無機絶縁物から形成され、無機絶縁物の例としては窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）が挙げられる。また、第１保護膜１８０ｐ及び第２保護膜１８０ｑは同一な無機物質から形成してもよく、各々互いに異なる無機物質から形成してもよい。また、保護膜１８０の厚さは約５５００Å以上約６５００Å以下であってもよい。また、保護膜１８０の第１保護膜１８０ｐ及び第２保護膜１８０ｑの厚さは約２８００Å以上約３２００Å以下であってもよい。

第１保護膜１８０ｐ及び第２保護膜１８０ｑを形成する過程において、化学気相成長法の工程時に用いる窒素（Ｎ_２）ガスの流量及び圧力を調整すれば第１保護膜１８０ｐ及び第２保護膜１８０ｑの屈折率を変化させることができる。

このように、保護膜１８０を互いに異なる屈折率を有する第１保護膜１８０ｐ及び第２保護膜１８０ｑを含む二重膜構造に形成することによって、液晶表示装置の製造工程で透明な物質からなる画素電極１９１及び／または基準電極２７０の結晶化によるヘイズ（Ｈａｚｅ）効果のために生じる透過率低下を防止する。

図８乃至図１０、そして図１６及び図１７を参照して説明した液晶表示装置の多くの特徴は本実施形態に係る液晶表示装置に全て適用可能である。

以上、本発明の実施形態では、画素電極が画素領域内で別途のパターンがない面形状を有し、基準電極が複数の線状枝電極とこれらを接続する枝電極接続部からなることを例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるわけではない。つまり、基準電極が画素領域内で別途のパターンがない面形状を有し、画素電極が複数の線状枝電極とこれらを接続する枝電極接続部からなることもできる。また、カラーフィルタ及び光遮断膜が上板に形成される場合のみでなく、絶縁基板の上にカラーフィルタ及び光遮断膜が位置する全ての場合にも適用可能である。

３…液晶層、３１…液晶分子、８８…遮蔽電極、１００…下部表示板、１２１…ゲート線、１２４…ゲート電極、１３１…基準電圧線、１３５…拡張部、１４０…ゲート絶縁膜、１５１、１５４…半導体、１６３、１６５…オーミックコンタクト、１７１…データ線、１７３…ソース電極、１７５…ドレイン電極、１８０…保護膜、１８０ｐ…第１保護膜、１８０ｑ…第２保護膜、１８３…コンタクトホール、１９１…画素電極、１９２…凹部、２００…上部表示板、２１０…絶縁基板、２２０…遮光部材、２３０…カラーフィルタ、２５０…オーバーコート、２７０…基準電極、２７１…枝電極、２７１ａ…第１部分、２７１ｂ…第２部分、２７１ｃ…第３部分、２７２…横接続部（第１接続部）、２７３…縦接続部（第２接続部）、２７４…第１開口部、２７５…基準電極拡張部、２７６…第２開口部、３２５…スペーサ。

Claims (19)

1. 第１基板と、
   前記第１基板と対向する第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に配置された液晶層と、
   前記第１基板と前記液晶層との間に配置されたゲート線と、
   前記第１基板と前記液晶層との間に配置されたデータ線と、
   前記第１基板と前記液晶層との間に配置され、第２電極に基準電圧を伝達する基準電圧線と、
   前記ゲート線と前記データ線とに接続された画素と、を含み、
   前記画素は、
   前記データ線の第１の部分に接続された薄膜トランジスタと、
   前記薄膜トランジスタに接続される第１電極と、
   前記第１電極と前記液晶層との間に配置された前記第２電極と、を含み、
   前記第２電極は、
   前記データ線と実質的に平行に配置された第１接続部と、
   前記ゲート線と実質的に平行に配置され、前記第１接続部に接続された第２接続部と、
   前記データ線と平面視において平行に配置された枝電極と、を含み、
   前記枝電極は、第１部分と、
   前記画素の中央部に位置し、前記第１部分に接続された第２部分と、
   前記第１部分に接続された第３部分と、を含み、
   前記第２部分は前記第１部分と第１角度を成し、
   前記第３部分は前記第１部分と第２角度を成し、かつ、前記第２部分と第３角度を成し、
   前記第１角度、前記第２角度、及び前記第３角度はそれぞれ異なる角度であり、
   前記第２電極の第１接続部に形成され、前記データ線の第２の部分と重なる第２開口部を含み、
   前記データ線は、前記データ線の前記第１の部分と平行でなく、前記枝電極の第１部分と平行である前記データ線の前記第２の部分を含み、
   前記データ線と前記第１基板の間に配置され、前記データ線の前記第２の部分と重なる遮蔽電極をさらに含み、
   前記データ線の幅は前記遮蔽電極の幅より狭く、
   前記第２電極の前記第２開口部の幅は前記遮蔽電極の幅より狭く、
   前記第２電極に形成され、前記薄膜トランジスタ及び前記データ線の前記第１の部分と重なる第１開口部を有することを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記第１接続部は前記データ線の前記第２の部分と重なることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記第１電極は画素電極であり、前記第２電極は基準電極であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
4. 前記第１電極は基準電極であり、前記第２電極は画素電極であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
5. 複数の画素をさらに含み、
   前記画素は前記ゲート線と前記データ線とに接続され、前記画素は緑色画素、赤色画素及び青色画素のうちの一つであることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
6. 前記基準電圧線は前記ゲート線に隣接して配置され、前記赤色画素と前記青色画素のうちの少なくとも一つに接続された拡張部を有することを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
7. 複数のゲート線をさらに含み、
   前記基準電圧線は前記複数のゲート線のうちの隣接した二つのゲート線の間に配置され、前記緑色画素に接続された拡張部を有することを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
8. 前記画素の前記第１電極は前記基準電圧線の前記拡張部と重なっていないことを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
9. 前記緑色画素の面積は、前記赤色画素の面積と前記緑色画素の面積のうちの少なくとも一つより小さいことを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
10. 前記基準電極と前記画素電極の間に配置された二重保護膜をさらに含み、
    前記二重保護膜は、第１保護膜と、第２保護膜と、を含み、
    前記第１保護膜の屈折率は前記第２保護膜の屈折率と異なることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
11. 前記第１保護膜の窒素含有率は前記第２保護膜の窒素含有率と異なることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
12. 前記第１保護膜の窒素含有率は前記第２保護膜の窒素含有率より大きいことを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置。
13. 前記二重保護膜の厚さは５５００オングストローム以上６５００オングストローム以下であることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
14. 前記第１保護膜の屈折率は１．４以上１．６以下であり、
    前記第２保護膜の屈折率は１．６以上２．２以下であることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
15. 前記基準電極と前記画素電極の間に配置された二重保護膜をさらに含み、
    前記二重保護膜は、第１保護膜と、第２保護膜と、を含み、
    前記第１保護膜の屈折率は前記第２保護膜の屈折率と異なることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
16. 前記第１保護膜の窒素含有率は前記第２保護膜の窒素含有率と異なることを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置。
17. 前記第１保護膜の窒素含有率は前記第２保護膜の窒素含有率より大きいことを特徴とする請求項１６に記載の液晶表示装置。
18. 前記二重保護膜の厚さは５５００オングストローム以上６５００オングストローム以下であることを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置。
19. 前記第１保護膜の屈折率は１．４以上１．６以下であり、
    前記第２保護膜の屈折率は１．６以上２．２以下であることを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置。