KR102569312B1 - 표시 장치 - Google Patents

표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102569312B1
KR102569312B1 KR1020180065629A KR20180065629A KR102569312B1 KR 102569312 B1 KR102569312 B1 KR 102569312B1 KR 1020180065629 A KR1020180065629 A KR 1020180065629A KR 20180065629 A KR20180065629 A KR 20180065629A KR 102569312 B1 KR102569312 B1 KR 102569312B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thickness
blocking portion
display area
insulating layer
overlapping
Prior art date
Application number
KR1020180065629A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190139357A (ko
Inventor
박도영
심승보
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020180065629A priority Critical patent/KR102569312B1/ko
Priority to US16/297,274 priority patent/US10670934B2/en
Publication of KR20190139357A publication Critical patent/KR20190139357A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102569312B1 publication Critical patent/KR102569312B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133528—Polarisers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133707—Structures for producing distorted electric fields, e.g. bumps, protrusions, recesses, slits in pixel electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133617—Illumination with ultraviolet light; Luminescent elements or materials associated to the cell
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • G02F1/13394—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136222—Colour filters incorporated in the active matrix substrate
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136231—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 상기 표시 영역 바깥에 위치하는 비표시 영역을 포함하는 제1 기판, 상기 제1 기판의 상기 표시 영역에 위치하는 제1 반도체, 상기 제1 기판의 상기 비표시 영역에 위치하는 제2 반도체, 상기 제1 반도체와 중첩하는 제1 데이터 도전체, 상기 제2 반도체와 중첩하는 제2 데이터 도전체, 상기 제1 반도체와 중첩하며 상기 제1 데이터 도전체 위에 위치하는 제1 차단부, 상기 제2 반도체와 중첩하며 상기 제2 데이터 도전체 위에 위치하는 제2 차단부, 그리고 상기 제1 차단부 및 상기 제2 차단부 위에 위치하는 절연층을 포함하고, 상기 제1 차단부의 제1두께보다 상기 제2 차단부의 제2두께가 더 크고, 상기 제1 차단부의 상기 제1두께를 가지는 부분에 대응하는 상기 절연층의 제1부분의 제3두께보다 상기 제2 차단부의 상기 제2두께를 가지는 부분에 대응하는 상기 절연층의 제3부분의 제4두께가 더 작다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 개시는 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치로 사용되는 액정 표시 장치는 두 개의 전기장 생성 전극과 액정층, 색필터, 그리고 편광층을 포함할 수 있다. 표시 장치의 편광층과 색필터에서는 광손실이 발생할 수 있다. 이에 광손실을 줄이고 높은 색재현율을 가지는 표시 장치를 구현하기 위하여 색변환 패널을 포함하는 표시 장치가 개발되고 있다.
본 실시예는 표시 장치의 얼룩을 개선하기 위한 것이다.
본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 상기 표시 영역 바깥에 위치하는 비표시 영역을 포함하는 제1 기판, 상기 제1 기판의 상기 표시 영역에 위치하는 제1 반도체, 상기 제1 기판의 상기 비표시 영역에 위치하는 제2 반도체, 상기 제1 반도체와 중첩하는 제1 데이터 도전체, 상기 제2 반도체와 중첩하는 제2 데이터 도전체, 상기 제1 반도체와 중첩하며 상기 제1 데이터 도전체 위에 위치하는 제1 차단부, 상기 제2 반도체와 중첩하며 상기 제2 데이터 도전체 위에 위치하는 제2 차단부, 그리고 상기 제1 차단부 및 상기 제2 차단부 위에 위치하는 절연층을 포함하고, 상기 제1 차단부의 제1두께보다 상기 제2 차단부의 제2두께가 더 크고, 상기 제1 차단부의 상기 제1두께를 가지는 부분에 대응하는 상기 절연층의 제1부분의 제3두께보다 상기 제2 차단부의 상기 제2두께를 가지는 부분에 대응하는 상기 절연층의 제3부분의 제4두께가 더 작다.
상기 제1두께는 상기 제1 반도체에 대응하는 상기 제1 차단부의 최소 두께이고, 상기 제2두께는 상기 제2 반도체에 대응하는 상기 제2 차단부의 최소 두께일 수 있다.
상기 제1두께와 제3두께의 합은 상기 제2두께와 상기 제4두께의 합과 동일할 수 있다.
상기 제1 차단부와 중첩하는 제1 스페이서, 그리고 상기 제2 차단부와 중첩하는 제2 스페이서를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 기판과 중첩하며 제1파장의 광을 방출하는 라이트 유닛을 더 포함하고, 상기 제1 차단부 및 상기 제2 차단부는 상기 제1파장의 광을 흡수할 수 있다.
상기 비표시 영역에 위치하며 상기 제2 반도체를 포함하는 제1 트랜지스터들을 포함하는 게이트 구동부를 더 포함하고, 상기 절연층은 상기 게이트 구동부와 중첩하는 적어도 하나의 두께 차등 영역을 포함하고, 상기 두께 차등 영역의 평균 두께는 상기 두께 차등 영역 이외의 상기 절연층의 평균 두께보다 작을 수 있다.
상기 게이트 구동부는 제1방향으로 배열된 복수의 스테이지를 포함하고, 하나의 상기 두께 차등 영역은 제1방향으로 길게 연장되어 상기 게이트 구동부와 중첩할 수 있다.
상기 절연층은 상기 게이트 구동부와 중첩하는 복수의 이격된 두께 차등 영역들을 포함할 수 있다.
상기 제1 차단부와 중첩하는 제1 스페이서, 그리고 상기 제2 차단부 및 상기 두께 차등 영역과 중첩하는 제2 스페이서를 더 포함할 수 있다.
상기 두께 차등 영역의 윗면은 요철을 포함할 수 있다.
상기 게이트 구동부에 위치하는 상기 절연층은 복수의 접촉 구멍을 포함하고, 상기 두께 차등 영역의 경계는 상기 접촉 구멍으로부터 이격되어 있을 수 있다.
상기 제1 기판과 나란한 제2 기판, 상기 절연층과 상기 제2 기판 사이에 위치하는 편광층, 그리고 상기 제2 기판과 상기 편광층 사이에 위치하는 색변환층을 더 포함하고, 상기 편광층은 반사성을 가지고, 상기 제1 차단부 및 상기 제2 차단부는 상기 편광층에서 반사되는 광이 상기 제1 반도체 및 상기 제2 반도체로 입사되는 것을 차단할 수 있다.
상기 절연층은 유기 물질을 포함할 수 있다.
한 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 상기 표시 영역 바깥에 위치하는 비표시 영역을 포함하는 제1 기판, 상기 제1 기판의 상기 표시 영역에 위치하는 제1 트랜지스터, 상기 제1 기판의 상기 비표시 영역에 위치하는 제2 트랜지스터, 상기 제1 트랜지스터와 중첩하는 제1 차단부, 상기 제2 트랜지스터와 중첩하는 제2 차단부, 그리고 상기 제1 차단부 및 상기 제2 차단부 위에 위치하는 절연층을 포함하고, 상기 제1 차단부와 상기 제2 차단부는 서로 동일한 층에 위치하고 서로 동일한 물질을 포함하고, 상기 제1 차단부와 중첩하는 상기 절연층의 최소 두께보다 상기 제2 차단부와 중첩하는 상기 절연층의 최소 두께가 더 작다.
상기 절연층은 상기 비표시 영역에 위치하는 적어도 하나의 두께 차등 영역을 포함하고, 상기 두께 차등 영역의 평균 두께는 상기 두께 차등 영역 이외의 상기 절연층의 평균 두께보다 작을 수 있다.
상기 제1 차단부와 중첩하는 제1 스페이서, 그리고 상기 제2 차단부 및 상기 두께 차등 영역과 중첩하는 제2 스페이서를 더 포함할 수 있다.
상기 두께 차등 영역의 윗면은 요철을 포함할 수 있다.
제1 차단부의 평균 두께보다 상기 제2 차단부의 평균 두께가 더 클 수 있다.
상기 절연층은 유기 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 기판과 나란한 제2 기판, 상기 절연층과 상기 제2 기판 사이에 위치하는 편광층, 그리고 상기 제2 기판과 상기 편광층 사이에 위치하는 색변환층을 더 포함하고, 상기 편광층은 반사성을 가지고, 상기 제1 차단부 및 상기 제2 차단부는 상기 편광층에서 반사되는 광이 상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터로 입사되는 것을 차단할 수 있다.
본 기재의 실시예들에 따르면, 표시 장치의 얼룩을 개선할 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 배치도이다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 복수의 화소에 대한 평면도이다.
도 3은 도 2에 도시한 표시 장치를 IIIa-IIIb 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 4, 도 5 및 도 6은 각각 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 비표시 영역에 대한 평면도이다.
도 7 및 도 8은 각각 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치를 도 4에 도시한 VIIa-VIIb 선 및 도 2에 도시한 VIIb-VIIc 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 9는 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치를 도 4에 도시한 IXa-IXb 선을 따라 잘라 도시한 단면도로서 절연층만을 도시한 단면도이다.
도 10은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 비표시 영역에 위치하는 컨택부 및 광마스크의 모양을 도시한 평면도이다.
도 11 및 도 12는 각각 도 10에 도시한 표시 장치를 XIa-XIb 선을 따라 잘라 도시한 단면도의 일부이다.
도 13은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 비표시 영역에 대한 평면도이다.
도 14는 도 13에 도시한 표시 장치를 XIVa-XIVb 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 15, 도 16 및 도 17은 각각 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 제조에 사용되는 광마스크의 평면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
명세서 전체에서, 평면 뷰(in a plan view)는 서로 교차하는 두 방향(예를 들어, 제1방향(DR1) 및 제2방향(DR2))에 평행한 면을 관찰하는 뷰를 의미하고("평면상"이라고도 표현함), 단면 뷰(in a cross-sectional view)는 제1방향(DR1) 및 제2방향(DR2)에 평행한 면에 수직인 방향(예를 들어, 제3방향(DR3))으로 자른 면을 관찰하는 뷰를 의미한다("단면상"이라고도 표현함). 또한, 두 구성 요소가 중첩한다고 할 때는 다른 언급이 없는 한 두 구성 요소가 제3방향(DR3)으로(예를 들어, 기판의 윗면에 수직인 방향으로) 중첩, 즉 평면상 중첩하는 것을 의미한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 배치도이고, 도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 복수의 화소에 대한 평면도이고, 도 3은 도 2에 도시한 표시 장치를 IIIa-IIIb 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치는 서로 합착되어 있는 표시 패널(100)과 색변환 패널(30)을 포함한다.
평면 뷰에서, 표시 장치는 주로 영상을 표시하는 영역인 표시 영역(DA), 그리고 표시 영역(DA) 바깥쪽에 위치하며 영상을 표시하지 않는 영역인 비표시 영역(PA)을 포함할 수 있다. 도 1에서 표시 영역(DA)은 점선으로 표시한 사각형의 안쪽 부분에 해당하고, 비표시 영역(PA)은 점선으로 표시한 사각형의 바깥쪽 부분에 해당할 수 있다.
표시 영역(DA)에는 복수의 화소(PX) 및 복수의 신호선들이 위치한다. 각 화소(PX)는 영상을 표시하는 단위로서 적어도 하나의 트랜지스터 및 트랜지스터에 연결된 적어도 하나의 표시 전극을 포함할 수 있다. 신호선들은 복수의 게이트선(121)들을 포함한다. 각 게이트선(121)은 제1방향(DR1)으로 연장되어 있을 수 있다. 게이트선(121)은 화소(PX)가 포함하는 트랜지스터의 제어 단자에 연결되어 있을 수 있다.
비표시 영역(PA)에는 구동부가 위치할 수 있다. 구동부의 예로서 게이트선(121)에 게이트 신호를 생성하여 인가할 수 있는 게이트 구동부(400)가 있다. 게이트 구동부(400)는 도 1에 도시한 바와 같이 표시 영역(DA)의 좌우 양측에 위치하는 제1 게이트 구동부(400a) 및 제2 게이트 구동부(400b)를 포함할 수 있다. 제1및 제2게이트 구동부(400a, 400b) 중 하나는 생략될 수도 있다.
게이트 구동부(400)는 복수의 트랜지스터들을 포함한다. 게이트 구동부(400)의 트랜지스터들은 표시 영역(DA)에 위치하는 트랜지스터들과 동일 공정을 통해 형성될 수 있다. 따라서 게이트 구동부(400)의 트랜지스터의 각 단자는 표시 영역(DA)에 위치하는 트랜지스터의 각 단자와 동일한 층에 위치하며 동일한 물질을 포함할 수 있다.
한 실시예에 따른 표시 장치는 라이트 유닛(500)을 더 포함할 수 있다. 라이트 유닛(500)은 소정 범위의 파장인 제1파장("제1색"이라고도 함)을 가지는 광("제1색광"이라 함)을 발생시키는 광원 및 광원에서 발생한 광을 전달받아 표시 패널(100) 및 색변환 패널(30)이 위치하는 방향으로 광을 가이드하는 도광판을 포함할 수 있다. 제1파장의 범위는 약 400 nm 내지 약 500 nm일 수 있으며 일례로 청색을 나타낼 수 있다. 구체적으로 라이트 유닛(500)은 청색을 방출하는 광원을 포함할 수 있다. 청색을 방출하는 어떠한 광원도 가능하고 한 예로 청색 발광 다이오드를 포함할 수 있다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 한 실시예에 따른 표시 장치는 아래부터 차례대로 배치된 라이트 유닛(500), 표시 패널(100), 액정층(3) 및 색변환 패널(30)을 포함할 수 있다. 라이트 유닛(500), 표시 패널(100), 액정층(3) 및 색변환 패널(30)은 평면 뷰에서 서로 중첩한다. 액정층(3)은 액정 분자(31)들을 포함한다.
표시 패널(100)은 절연성인 기판(110)을 포함하고, 기판(110)의 위쪽 면 위에 복수의 게이트선(121)을 포함하는 게이트 도전층이 위치한다. 각 게이트선(121)은 대체로 제1방향(DR1)으로 연장되어 있고 복수의 게이트 전극(124)들을 포함할 수 있다.
게이트 도전층 위에 산화규소, 질화규소, 질산화규소와 같은 절연 물질을 포함하는 게이트 절연층(140)이 위치하고, 그 위에 복수의 반도체(154)들이 위치할 수 있다. 반도체(154)는 비정질(amorphous) 주고, 다결정 규소, 산화물 반도체 물질 등 다양한 반도체 물질을 포함할 수 있다.
게이트 절연층(140)과 반도체(154) 위에 복수의 데이터선(171)들 및 복수의 드레인 전극(175)들을 포함하는 데이터 도전층이 위치할 수 있다. 각 데이터선(171)은 대체로 제2방향(DR2)으로 연장되어 있고 복수의 소스 전극(173)들을 포함할 수 있다. 드레인 전극(175)은 대응하는 소스 전극(173)과 마주하는 끝 부분 및 확장부를 포함할 수 있다. 소스 전극(173)과 드레인 전극(175)은 데이터 도전체라고도 한다.
게이트 전극(124), 반도체(154), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 함께 하나의 트랜지스터(Tr)를 이룰 수 있다. 반도체(154) 중 소스 전극(173)과 드레인 전극(175)의 사이에 위치하며 데이터 도전층과 중첩하지 않는 영역은 채널 영역이 될 수 있다.
데이터 도전층 위에 산화규소, 질화규소, 질산화규소와 같은 절연 물질을 포함하는 보호막(180)이 위치할 수 있다.
보호막(180) 위에는 복수의 차단부(230R)들이 위치한다.
차단부(230R)는 표시 패널(100)에 위치하는 트랜지스터를 덮는 부분을 포함하며, 특히 트랜지스터의 반도체(154), 특히 반도체(154)의 채널 영역을 덮을 수 있다. 차단부(230R)는 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(PA)에 위치하는 트랜지스터들과 중첩할 수 있다. 구체적으로, 차단부(230R)는 표시 영역(DA)에 위치하는 차단부("230R"로 표시함)와 비표시 영역(PA)에 위치하는 차단부(뒤에서, "230Rd"로 표시함)를 포함할 수 있다. 도 2는 표시 패널(100)의 표시 영역(DA)에 위치하는 화소(PX)의 트랜지스터(Tr)을 덮는 차단부(230R)들을 도시한다. 뒤에서 비표시 영역(PA)의 트랜지스터를 덮는 차단부에 대해서도 설명한다.
차단부(230R)는 제1파장의 광을 흡수하는 물질을 포함할 수 있다. 제1파장은 약 400 nm 내지 약 500 nm 범위일 수 있다. 예를 들어, 차단부(230R)는 청색의 광을 흡수할 수 있으며, 일례로 적색 색필터일 수 있다.
라이트 유닛(500)은 제1파장을 가지는 광을 방출할 수 있는데, 차단부(230R)는 방출된 라이트 유닛(500)으로부터의 광을 직접 흡수하거나 후술할 제2편광층(22)에 의해 반사된 광을 흡수할 수 있다. 이 밖에도, 차단부(230R)는 제1파장의 광을 흡수하는 어떠한 재질도 가능할 수 있다.
도 2를 참조하면, 표시 영역(DA)에서 차단부(230R)는 평면 뷰에서 제1방향(DR1)으로 이격된 복수의 부분들을 포함할 수 있고, 각 부분은 제1방향(DR1)으로 길게 연장되어 있으나 이에 한정되지 않는다. 차단부(230R)의 이격된 각 부분은 아일랜드 형태일 수 있다. 예를 들어, 차단부(230R)의 이격된 각 부분의 우측 부분은 한 화소(PX)의 트랜지스터(Tr)와 중첩하고 좌측 부분은 인접한 다른 화소(PX)와 중첩할 수 있다. 차단부(230R)의 이격된 각 부분은 드레인 전극(175)의 확장부와 중첩하지 않을 수 있다.
이와 달리, 표시 영역(DA)에서 제1방향(DR1)으로 배열된 화소(PX)들에 대응하는 차단부(230R)들은 도 2에서 점선으로 연장한 바와 같이 게이트선(121)의 연장 방향(예를 들어 제1방향(DR1))으로 길게 연장되어 하나의 띠 형태를 이룰 수도 있다. 이 경우, 차단부(230R)는 게이트선(121)을 덮으며 게이트선(121)과 평행하게 연장되어 있을 수 있다.
차단부(230R)의 형태는 도시한 바에 한정되지 않고 다양한 형태를 가질 수 있다.
일반적인 차광 부재는 검정색을 가져 표시 장치의 제조 공정 중에 차광 부재로 가려진 트랜지스터를 검사하는 공정이 용이하지 않다. 그러나 본 발명의 실시예에 따르면, 검정색이 아닌 차단부(230R)가 제공되는 경우 표시 장치의 제조 공정에서 트랜지스터의 위치 파악 등이 용이하여 검사 공정이 단순화될 수 있다.
차단부(230R)는 후술할 제2편광층(22)에 의해 반사된 제1파장의 광이 비표시 영역(PA)의 트랜지스터 및 표시 영역(DA)의 트랜지스터(Tr)의 채널 영역에 입사되어 트랜지스터의 성능이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 라이트 유닛(500)에서 방출된 제1파장의 광의 일부는 제2편광층(22)에서 반사될 수 있고, 반사된 광 중 일부는 트랜지스터로 입사될 수 있다. 이렇게 입사된 광은 트랜지스터의 채널 영역에 영향을 미쳐 트랜지스터의 누설 전류가 증가할 수 있다. 그러나 본 발명의 한 실시예에 따르면, 차단부(230R)가 트랜지스터를 덮고 있어 트랜지스터의 채널 영역에 입사되는 제1파장의 광이 차단부(230R)에 흡수되므로, 트랜지스터의 누설 전류를 방지하고 신뢰성이 향상된 표시 장치를 제공할 수 있다.
차단부(230R) 위에는 절연층(240)이 위치할 수 있다. 절연층(240)은 유기 물질을 포함할 수 있고, 표시 패널(100)에서 절연층(240)의 아래에 적층된 층들에 의한 단차를 감소시키고 구성 요소들의 들뜸을 방지할 수 있다.
절연층(240)과 보호막(180)은 드레인 전극(175)의 확장부 위에 위치하는 접촉 구멍(185)을 포함할 수 있다. 차단부(230R)가 하나의 게이트선(121)을 따라 연속적으로 길게 형성되어 있는 경우, 차단부(230R)는 접촉 구멍(185)에서 제거되어 있다.
절연층(240) 위에 복수의 화소 전극(191)들이 위치할 수 있다. 각 화소 전극(191)은 접촉 구멍(185)을 통해 드레인 전극(175)과 전기적으로 연결될 수 있다. 화소 전극(191)은 면형으로 도시되어 있으나, 이에 제한되지 않고 복수의 슬릿을 포함하는 슬릿형 화소 전극일 수도 있다.
절연층(240) 및 화소 전극(191) 위에 제1배향막(11)이 위치할 수 있다.
제1배향막(11) 위에 액정층(3)의 제3방향(DR3)의 셀갭을 유지하기 위한 복수의 스페이서(CS)들이 위치할 수 있다. 스페이서(CS)는 표시 패널(100)과 색변환 패널(30) 사이의 거리인 셀갭과 실질적으로 동일한 높이를 가지는 메인 스페이서(MCS) 및 메인 스페이서(MCS)보다 작은 높이를 가지는 서브 스페이서(SCS) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 스페이서(CS)는 칼럼 스페이서일 수 있다. 평면 뷰에서 스페이서(CS)는 차단부(230R)와 중첩할 수 있다.
표시 패널(100)은 기판(110)의 아래쪽 면, 즉 라이트 유닛(500) 쪽에 위치하는 제1편광층(12)을 더 포함할 수 있다. 제1편광층(12)은 라이트 유닛(500)에서 방출된 광을 편광(예를 들어 선편광)시킬 수 있다. 제1편광층(12)은 코팅형 편광층, 와이어 그리드 편광층(wire grid polarizer) 등을 포함할 수 있고, 필름 형태, 도포 형태, 부착 형태 등 다양한 방법으로 표시 패널(100)의 일면에 위치할 수 있다.
색변환 패널(30)은 기판(110)과 중첩하며 나란한 면을 가지는 기판(310)을 포함한다.
기판(310)과 표시 패널(100) 사이에 차광 부재(320)가 위치할 수 있다. 즉, 기판(310)의 아래쪽 면 위에 차광 부재(320)가 위치할 수 있다. 차광 부재(320)와 표시 패널(100) 사이에는 복수의 색변환층(330R, 330G)들과 투과층(330B)이 위치할 수 있다.
차광 부재(320)는 이웃한 색변환층(330R, 330G)들과 투과층(330B) 사이, 예를 들어 제1색변환층(330R)과 제2색변환층(330G) 사이, 제2색변환층(330G)과 투과층(330B) 사이, 그리고 투과층(330B)과 제1색변환층(330R) 사이에 위치하여 제1색변환층(330R), 제2색변환층(330G) 및 투과층(330B) 사이를 구획할 수 있다.
차광 부재(320)는 입사되는 광을 흡수하는 물질을 포함하거나 광을 반사하는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 차광 부재(320)는 금속 물질을 포함할 수 있다. 차광 부재(320)는 제1색변환층(330R), 제2색변환층(330G) 및 투과층(330B)에서 차광 부재(320)를 향해 입사되는 광을 다시 제1색변환층(330R), 제2색변환층(330G) 및 투과층(330B)으로 반사시켜 광 효율을 향상시킬 수 있다.
제1색변환층(330R)은 제1 반도체 나노 결정(331R)을 포함하고, 제2색변환층(330G)은 제2 반도체 나노 결정(331G)을 포함할 수 있다. 제1색변환층(330R)으로 입사되는 제1파장의 광은 제1 반도체 나노 결정(331R)에 의해 제2파장의 광("제2색광"이라고도 함)으로 변환되어 제1색변환층(330R)으로부터 방출될 수 있다. 제2파장의 광은 적색광일 수 있다. 제2색변환층(330G)으로 입사되는 제1파장의 광은 제2 반도체 나노 결정(331G)에 의해 제3파장의 광("제3색광"이라고도 함) 변환되어 제2색변환층(330G)으로부터 방출될 수 있다. 제3파장의 광은 녹색광일 수 있다.
제1 반도체 나노 결정(331R)은 입사되는 제1파장의 광을 제2파장의 광으로 변환하는 형광체 및 양자점(quantum dot) 중 적어도 어느 하나를 포함한다. 제2 반도체 나노 결정(331G)은 입사되는 제1파장의 광을 제3파장의 광으로 변환하는 형광체 및 양자점 중 적어도 어느 하나를 포함한다.
양자점은 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, GaAlNP, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다.
이때, 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다. 양자점은 하나의 양자점이 다른 양자점을 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.
양자점은 약 45nm 이하, 바람직하게는 약 40nm 이하, 더욱 바람직하게는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며, 이 범위에서 색순도나 색재현성을 향상시킬 수 있다. 또한 이러한 양자점을 통해 발광되는 광은 전 방향으로 방출되는바, 광 시야각이 향상될 수 있다.
양자점의 형태는 당 기술 분야에서 일반적으로 사용하는 형태의 것으로 특별히 한정하지 않지만, 보다 구체적으로 구형, 피라미드형, 다중 가지형(multi-arm), 또는 입방체(cubic)의 나노 입자, 나노 튜브, 나노와이어, 나노 섬유, 나노 판상 입자 등의 형태의 것을 사용할 수 있다.
제2파장의 광(예를 들어, 적색광)을 방출하는 형광체는 (Ca, Sr, Ba)S, (Ca, Sr, Ba)2Si5N8, CaAlSiN3, CaMoO4, Eu2Si5N8 중 하나의 물질일 수 있으며 이에 제한되는 것은 아니다.
제3파자의 광(예를 들어, 녹색광)을 방출하는 형광체는 이트륨 알루미늄 가닛(yttrium aluminum garnet, YAG), (Ca, Sr, Ba)2SiO4, SrGa2S4, 바리움마그네슘알루미네이트(BAM), 알파 사이알론(α-SiAlON), 베타 사이알론(β-SiAlON), Ca3Sc2Si3O12, Tb3Al5O12, BaSiO4, CaAlSiON, (Sr1-xBax)Si2O2N2 중 하나의 물질일 수 있으며 이에 제한되는 것은 아니다. 제2색변환층(330G)은 적어도 한 종류의 녹색 형광체를 포함할 수 있다. 상기한 x는 0 내지 1 사이의 임의의 수일 수 있다.
투과층(330B)은 입사되는 광을 통과시킬 수 있다. 즉, 투과층(330B)은 제1파장의 광을 투과시킬 수 있다. 투과층(330B)은 라이트 유닛(500)에서 공급된 제1파장의 광을 투과시키는 폴리머 물질을 포함할 수 있다. 투과층(330B)이 위치하는 영역은 청색을 방출하는 영역에 해당할 수 있고, 투과층(330B)은 별도의 반도체 나노 결정을 포함하지 않고 입사된 제1파장의 광을 그대로 통과시킬 수 있다.
투과층(330B)은 산란체(332)를 포함할 수 있다. 산란체(332)는 투과층(330B)에 입사되는 광을 산란시켜 투과층(330B)에서 방출되는 광량을 증가시키거나 정면 휘도와 측면 휘도를 균일하게 만들 수 있다.
도시하지 않았으나, 입사되는 광을 산란시키기 위해 제1색변환층(330R)과 제2색변환층(330G) 중 적어도 하나는 산란체를 더 포함할 수 있다. 산란체는 일례로써 TiO2, Al2O3 및 SiO2 중 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있으며 이에 제한되는 것은 아니다.
투과층(330B)은 제1파장의 색(예를 들어, 청색)의 안료 및 염료 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 투과층(330B)이 포함하는 청색 안료 및 염료는 외광에 포함된 적색광과 녹색광 중 적어도 하나를 흡수할 수 있으므로 외광 반사에 따른 색 재현율 저하를 방지할 수 있다.
기판(310) 및 차광 부재(320)와 색변환층(330R, 330G) 사이에 제1색광 컷팅 필터(325)가 위치할 수 있다. 제1색광 컷팅 필터(325)는 제1색변환층(330R) 및 제2색변환층(330G)과 중첩하는 영역에만 존재하고 투과층(330B)과 중첩하는 영역에는 위치하지 않을 수 있다. 제1색광은 청색광일 수 있다.
제1색광 컷팅 필터(325)는 도 3에 도시된 바와 같이 제1색변환층(330R)과 중첩하는 부분 및 제2색변환층(330G)과 중첩하는 부분 사이가 연결되어 있을 수 있다. 그러나, 이에 제한되지 않고 제1색변환층(330R)과 중첩하는 제1색광 컷팅 필터(325) 및 제2색변환층(330G)과 중첩하는 제1색광 컷팅 필터(325)는 서로 분리되어 이격되어 있을 수도 있다.
제1색광 컷팅 필터(325)는 라이트 유닛(500)으로부터 공급되는 제1파장의 광을 차단 또는 흡수할 수 있다. 라이트 유닛(500)으로부터 색변환 패널(30)로 입사되는 광은 제1색변환층(330R)과 제2색변환층(330G)에서 반도체 나노 결정(331R, 331G)에 의해 제1파장의 색과 다른 색(예를 들어, 적색 또는 녹색)의 광으로 변환되는데, 이때 일부 제1파장의 광은 변화되지 않고 기판(310)을 통과하여 출광될 수 있다. 제1색광 컷팅 필터(325)는 이를 방지하기 위한 것으로 단일층 또는 복수 층으로 적층된 구조를 가질 수 있다. 이 경우, 제1색광 컷팅 필터(325)는 적색 및 녹색을 방출하는 영역에만 위치하고, 청색을 방출하는 영역에는 위치하지 않을 수 있다.
제1색광 컷팅 필터(325)는 전술한 효과를 수행하기 위한 어떠한 물질도 포함할 수 있으며, 한 예로 황색 색필터(yellow color filter)를 포함할 수 있다.
제1색변환층(330R), 제2색변환층(330G) 및 투과층(330B)과 액정층(3) 사이에 캡핑층(340)이 위치할 수 있다.
캡핑층(340)은 제1색변환층(330R), 제2색변환층(330G) 및 투과층(330B)을 형성한 이후의 공정들에 의해 제1색변환층(330R), 제2색변환층(330G) 및 투과층(330B)이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 제1색변환층(330R) 및 제2색변환층(330G)이 포함하는 반도체 나노 결정(331R, 331G)은 수분 및 고온 공정들에 의해 손상 또는 소광될 수 있는데, 캡핑층(340)은 이러한 문제를 방지할 수 있다.
캡핑층(340)과 액정층(3) 사이에 광필터층(350)이 위치할 수 있다. 광필터층(350)은 제1색변환층(330R) 및 제2색변환층(330G)에서 발생된 광을 반사시켜 광효율을 높일 수 있다.
광필터층(350)은 복수의 층을 포함할 수 있다. 이 경우, 복수의 층은 굴절률이 서로 다른 층들이 기판(310)에 실질적으로 수직인 방향을 따라 교대 배열된 구조를 가질 수 있다. 굴절률이 서로 다른 층들이 교대 배열되어 형성된 광필터층(350)은 약 10층 내지 20층의 다층 구조를 포함할 수 있으며 이에 제한되는 것은 아니다.
캡핑층(340) 및 광필터층(350) 중 적어도 하나는 실시예에 따라 생략될 수도 있다. 특히 광필터층(350)을 이루는 복수의 층 가운데 캡핑층(340)과 가장 인접한 층이 질화규소의 층으로 형성된 경우 캡핑층(340)은 생략될 수도 있다.
광필터층(350)과 액정층(3) 사이에 평탄막(360)이 위치할 수 있다. 평탄막(360)은 평탄막(360)과 기판(310) 사이에 위치하는 구성 요소의 단차를 줄여 아래쪽 면을 평탄화시킬 수 있다.
평탄막(360)과 액정층(3) 사이에 제2편광층(22)이 위치할 수 있다. 제2편광층(22)은 라이트 유닛(500), 표시 패널(100) 및 액정층(3)을 통과한 광을 편광시킬 수 있다. 제2편광층(22)은 코팅형 편광층, 와이어 그리드 편광층(wire grid polarizer) 등일 수 있다.
제2편광층(22)은 금속 물질을 포함할 수 있으며 반사성을 가질 수 있다. 제2편광층(22)은 실시예에 따라 복수의 나노 패턴을 포함할 수 있고, 각각의 나노 패턴의 폭은 수 나노 단위일 수 있다. 제2편광층(22)은, 금속 물질의 층의 위 및/또는 아래에 위치하는 무기 물질층(예를 들어 산화규소, 질화규소)을 더 포함할 수도 있다.
제2편광층(22)이 금속 물질을 포함하므로, 라이트 유닛(500)에서 방출되는 제1파장의 광은 제2편광층(22)에 의해 다시 표시 패널(100) 방향으로 반사될 수 있다. 반사되는 광 중 일부는 트랜지스터 쪽으로 입사될 수 있다. 그러나 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 패널(100)은 트랜지스터를 덮는 차단부(230R)를 포함하므로 트랜지스터 방향으로 반사된 제1파장의 광을 흡수할 수 있다. 따라서, 제1파장의 광이 트랜지스터의 채널 영역에 영향을 주어 누설 전류가 발생되는 문제를 방지하고 신뢰성이 향상된 표시 장치를 제공할 수 있다.
제2편광층(22)과 액정층(3) 사이에는 공통 전극(270) 및 제2배향막(21)이 차례로 위치할 수 있다. 공통 전압을 인가받는 공통 전극(270)은 화소 전극(191)과 함께 액정층(3)에 전기장을 형성할 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 공통 전극(270)은 표시 패널(100)에 위치할 수도 있다. 제2배향막(21)은 제1배향막(11)과 동일한 물질을 포함할 수 있으며 동일 공정을 통해 제조될 수 있다.
이와 같이, 한 실시예에 따른 표시 장치는 청색광일 수 있는 제1파장의 광을 제공하는 라이트 유닛(500)과 색변화을 통해 적색광 및 녹색광일 수 있는 제2파장 및 제3파장의 광을 방출하는 색변환층(330R, 330G)을 포함함으로써 색순도가 향상된 광을 제공할 수 있다. 또한 색변환 패널(30)이 포함하는 제2편광층(22)은 수 나노 단위의 얇은 두께로 제공되므로 광이 통과하는 경로가 짧아 광의 왜곡을 최소화할 수 있다. 또한 제2편광층(22)에서 반사되어 표시 패널(100)의 트랜지스터로 입사될 수 있는 제1파장의 광은 트랜지스터를 덮고 있는 차단부(230R)에 의해 흡수되어 트랜지스터의 성능 저하를 방지할 수 있다.
도 1 내지 도 3과 함께 도 4 내지 도 6을 참조하여 표시 패널(100)의 비표시 영역(PA)에 대해 설명한다.
도 4, 도 5 및 도 6은 각각 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 비표시 영역에 대한 평면도이다.
비표시 영역(PA)에는 앞에서 설명한 바와 같이 게이트 구동부(400a, 400b)가 위치하고, 게이트 구동부(400a, 400b)와 기판(110)의 가장자리 사이에 액정층(3)을 밀봉하기 위한 실런트(33)가 위치할 수 있다. 실런트(33)는 표시 영역(DA)의 주위를 따라 연속적으로 형성되어 폐곡선 형태를 이룰 수 있다. 게이트 구동부(400a, 400b)와 표시 영역(DA) 사이에 게이트 구동부(400a, 400b)와 연결된 신호선들이 위치하는 신호선 배치부(FOU)가 위치할 수 있다. 신호선 배치부(FOU)와 표시 영역(DA) 사이에는 화소 전극(191)을 포함하는 더미 화소(DPX)가 위치할 수 있다. 더미 화소(DPX)들은 제2방향(DR2)으로 배열되어 하나 또는 그 이상의 열(column)을 이룰 수 있다.
도 4 내지 도 6은 각각 게이트 구동부(400a, 400b) 중 좌측에 위치하는 게이트 구동부(400a)를 예시적으로 도시한다. 이하의 설명은 게이트 구동부(400a)를 참조로 설명하지만 같은 내용이 게이트 구동부(400b)에도 동일하게 적용될 수 있다.
게이트 구동부(400a)는 제2방향(DR2)으로 배열되어 있는 복수의 스테이지를 포함하고, 각 스테이지는 복수의 트랜지스터(Trd)와 적어도 하나의 커패시터(Cst), 그리고 게이트 신호를 출력할 수 있는 출력단(OUT)을 포함한다. 도 4 내지 도 6에는 대략 3개의 스테이지와 3개의 출력단(OUT)이 도시되어 있다. 출력단(OUT)과 연결되어 있는 신호선은 신호선 배치부(FOU)를 거쳐 표시 영역(DA)에 위치하는 게이트선과 연결될 수 있다.
도 7 및 도 8은 각각 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치를 도 4에 도시한 VIIa-VIIb 선 및 도 2에 도시한 VIIb-VIIc 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 2, 도 4 내지 도 6과 함께 도 7 및 도 8을 참조하면, 게이트 도전층은 비표시 영역(PA)에 위치하는 게이트 전극(124a, 124b)을 포함하고, 게이트 절연층(140) 위에는 표시 영역(DA)의 반도체(154)와 같은 층에 위치하는 반도체(154a, 154b)가 위치하고, 데이터 도전층은 반도체(154a, 154b)와 중첩하는 데이터 도전체(170a, 170b)를 포함할 수 있다.
서로 중첩하는 게이트 전극(124a), 반도체(154a), 그리고 데이터 도전체(170a)는 함께 하나의 트랜지스터(Trd)를 이루고, 서로 중첩하는 게이트 전극(124b), 반도체(154b), 그리고 데이터 도전체(170b)는 함께 다른 트랜지스터(Trd)를 이룰 수 있다.
도 4 내지 도 6에서 복수의 세로 줄로 도시된 부분이 트랜지스터(Trd)가 형성된 영역으로서 특히 트랜지스터(Trd)의 반도체(154a, 154b)와 중첩하는 데이터 도전체(170a, 170b)가 형성된 영역이다. 하나의 트랜지스터(Trd)에 포함된 데이터 도전체(170a, 170b) 중 일부는 소스 전극으로 기능하고 나머지는 드레인 전극으로 기능할 수 있다. 반도체(154a, 154b) 중 서로 마주하는 데이터 도전체(170a, 170b) 사이에 위치하는 영역이 트랜지스터(Trd)의 채널 영역이 될 수 있다.
표시 영역(DA)의 트랜지스터(Tr)와 비표시 영역(PA)의 트랜지스터(Trd)는 같은 공정에서 동시에 형성될 수 있다.
데이터 도전체(170a, 170b) 위에 보호막(180)이 위치하고, 보호막(180) 위에는 복수의 차단부(230Rd)들이 위치한다. 차단부(230Rd)는 표시 영역(DA)에 위치하는 차단부(230R)와 동일한 층에 위치하고 동일한 물질을 포함하며 동일한 공정에서 형성될 수 있다. 차단부(230Rd)는 표시 영역(DA)에 위치하는 차단부(230R)와 유사하게 트랜지스터(Trd)를 덮고, 특히 트랜지스터의 반도체(154a, 154b)와 중첩하며 반도체(154a, 154b)를 덮을 수 있다.
도 4를 참조하면, 평면 뷰에서 차단부(230Rd)는 게이트 구동부(400a)가 포함하는 트랜지스터(Trd)들의 대부분의 영역과 중첩할 수 있고, 인접한 트랜지스터(Trd)들 각각과 중첩하는 차단부(230Rd)들은 실질적으로 서로 연결되어 있을 수 있다. 차단부(230Rd)는 하나 또는 복수의 인접한 접촉 구멍들이 모여 있는 컨택부(CNTA)에서 제거되어 컨택부(CNTA)와 중첩하는 개구부(235)를 포함할 수 있다.
도 5를 참조하면, 도 4에 도시한 실시예와 달리 인접한 트랜지스터(Trd)들 각각과 중첩하는 차단부(230Rd)들은 서로 분리되어 있을 수도 있다. 인접한 트랜지스터(Trd)들 각각과 중첩하는 차단부(230Rd)들이 서로 연결되어 있으나 그 사이의 경계에서 차단부(230Rd)의 윗면은 오목할 수도 있다.
도 6을 참조하면, 평면 뷰에서 연속한 하나의 차단부(230Rd)가 하나의 게이트 구동부(400a)가 포함하는 대부분의 트랜지스터(Trd)들과 중첩할 수 있다. 차단부(230Rd)는 하나 또는 복수의 인접한 접촉 구멍들이 모여 있는 컨택부(CNTA)에서 제거되어 컨택부(CNTA)와 중첩하는 개구부(235)를 포함할 수 있다.
차단부(230Rd)들이 형성된 영역의 가장자리 중 기판(110)의 가장자리에 가까운 가장자리(ER1)와 실런트(33) 사이의 이격 거리는 예를 들어 대략 200 마이크로미터 내지 대략 300 마이크로미터일 수 있으며, 이 수치는 설계 조건에 따라 변경될 수 있다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 비표시 영역(PA)에 위치하며 트랜지스터(Trd)와 중첩하는 차단부(230Rd)의 제3방향(DR3)의 두께(TK1)는 표시 영역(DA)에 위치하며 트랜지스터(Tr)와 중첩하는 차단부(230R)의 제3방향(DR3)의 두께(TK2)보다 클 수 있다. 차단부(230Rd)의 비표시 영역(PA)에서의 평균 두께는 표시 영역(DA)의 차단부(230R)의 평균 두께보다 클 수 있다. 더 구체적으로, 비표시 영역(PA)에서 반도체(154a, 154b)에 대응하는 차단부(230Rd)의 최소 두께(TK1)(트랜지스터(Trd)의 반도체 및 데이터 도전체와 중첩하는 부분일 수 있으며 0은 아님)가 표시 영역(DA)에 위치하는 반도체(154)에 대응하는 차단부(230R)의 최소 두께(TK2)(트랜지스터(Tr)의 반도체 및 소스/드레인 전극과 중첩하는 부분일 수 있으며 0은 아님)보다 클 수 있다. 즉, 비표시 영역(PA)에서 차단부(230Rd)의 윗면 중 기판(110)과의 거리가 가장 먼 윗면에 대응하는 차단부(230Rd)의 두께(TK1)(트랜지스터(Trd)의 반도체 및 데이터 도전체와 중첩하는 부분일 수 있음)가 표시 영역(DA)에 위치하는 차단부(230R)의 윗면 중 기판(110)과의 거리가 가장 먼 윗면에 대응하는 차단부(230R)의 두께(TK2)(트랜지스터(Tr)의 반도체 및 소스/드레인 전극과 중첩하는 부분일 수 있음)보다 클 수 있다.
그 원인 중 하나를 살펴보면, 도 2, 도 4 내지 도 6에 도시한 바와 같이 표시 영역(DA)에 위치하는 트랜지스터(Tr)가 차지하는 영역의 밀도에 비해 비표시 영역(PA)에서 게이트 구동부(400a)에 위치하는 트랜지스터(Trd)가 차지하는 영역의 밀도가 상당히 높기 때문에, 사진 공정으로 차단부(230R, 230Rd)를 형성 시 현상 단계에서 차단부(230Rd)가 남는 양이 차단부(230R)에 비해 많을 수 있다. 따라서 차단부(230Rd)의 두께(TK1)가 차단부(230R)의 두께(TK2)보다 클 확률이 크다.
이 밖에 차단부(230Rd)의 특징 및 효과는 앞에서 설명한 차단부(230R)의 특징 및 효과와 동일할 수 있다. 즉, 차단부(230Rd)는 제1파장의 광을 흡수하는 물질을 포함할 수 있고, 일례로 적색 색필터일 수 있다. 또한 차단부(230Rd)는 라이트 유닛(500)으로부터의 광을 직접 흡수하거나 제2편광층(22)에 의해 반사된 광을 흡수할 수 있다.
차단부(230Rd) 위에는 절연층(240)이 위치할 수 있다. 절연층(240)은 부분적으로 제거된 부분을 제외하고 표시 영역(DA)과 비표시 영역(PA)에서 연속적으로 형성되어 있을 수 있다. 절연층(240)은 컨택부(CNTA)의 접촉 구멍에서 제거되어 있을 수 있다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 비표시 영역(PA)에 위치하는 절연층(240)의 제3방향(DR3)의 두께(TK3)는 표시 영역(DA)에 위치하는 절연층(240)의 제3방향(DR3)의 두께(TK4)보다 작을 수 있다. 비표시 영역(PA)에 위치하는 절연층(240)의 제3방향(DR3)의 평균 두께는 표시 영역(DA)에 위치하는 절연층(240)의 제3방향(DR3)의 평균 두께보다 작을 수 있다. 더 구체적으로, 비표시 영역(PA)에서 절연층(240)의 최소 두께(TK3)가 표시 영역(DA)에 위치하는 절연층(240)의 최소 두께(TK4)보다 작을 수 있다. 두께(TK3)와 두께(TK4)의 차이는 예를 들어 대략 0.5 마이크로미터 내지 대략 1.5 마이크로미터일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 비표시 영역(PA)에서 기판(110)과의 거리가 가장 먼 윗면을 가지는 차단부(230Rd) 위의 절연층(240)의 두께(TK3)가 표시 영역(DA)에서 기판(110)과의 거리가 가장 먼 윗면을 가지는 차단부(230R) 위의 절연층(240)의 두께(TK4)보다 작을 수 있다.
절연층(240)의 제3방향(DR3)의 두께는 표시 패널(100)에서의 위치에 따라 다를 수 있는데, 특히 비표시 영역(PA) 안에서도 위치에 따라 절연층(240)의 두께가 다를 수 있다.
앞에서 설명한 도 1과 함께 도 4 내지 도 6을 참조하면, 게이트 구동부(400a, 400b)가 위치하는 영역의 일부 또는 전부에 대응하는 영역이 절연층(240)의 두께 차등 영역(240S)일 수 있다. 비표시 영역(PA) 중 두께 차등 영역(240S)에서 절연층(240)의 제3방향(DR3)의 평균 두께는 두께 차등 영역(240S) 이외의 영역에서의 절연층(240)의 제3방향(DR3)의 평균 두께보다 작을 수 있다. 또한, 두께 차등 영역(240S)에서 절연층(240)의 제3방향(DR3)의 평균 두께는 표시 영역(DA)에서 절연층(240)의 제3방향(DR3)의 평균 두께보다 작을 수 있다.
두께 차등 영역(240S)에서 차단부(230Rd)의 최소 두께(TK1)와 절연층(240)의 최소 두께(TK3)의 합은, 표시 영역(DA)에서 차단부(230R)의 최소 두께(TK2)와 절연층(240)의 최소 두께(TK4)의 합과 실질적으로 동일할 수 있다. 궁극적으로는, 비표시 영역(PA)에 위치하는 두께 차등 영역(240S)에서 차단부(230Rd)와 평면상 중첩하는 절연층(240)의 윗면부터 기판(110)의 윗면까지의 제3방향(DR3) 거리(H1)는, 표시 영역(DA)에서 차단부(230R)와 평면상 중첩하는 절연층(240)의 윗면부터 기판(110)의 윗면까지의 제3방향(DR3) 거리(H2)와 실질적으로 동일할 수 있다.
도 1 및 도 4를 참조하면, 두께 차등 영역(240S)은 게이트 구동부(400a)가 포함하는 대부분의 트랜지스터(Trd)들과 중첩하며 연속적으로 형성되어 있을 수 있고, 제2방향(DR2)을 따라 길게 형성되어 있을 수 있다.
차단부(230Rd)의 한 가장자리(ER1)와 이에 인접한 두께 차등 영역(240S)의 가장자리 사이의 거리(D1), 그리고 차단부(230Rd)의 다른 쪽 가장자리(ER2)와 이에 인접한 두께 차등 영역(240S)의 가장자리 사이의 거리(D2)는 예를 들어 대략 10 마이크로미터 내지 대략 30 마이크로미터일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 특히 두께 차등 영역(240S)의 가장자리 중 표시 영역(DA)과 가까운 가장자리는 차단부(230Rd)의 가장자리(ER2)보다 표시 영역(DA)에 더 가까울 수 있다. 즉, 차단부(230Rd)의 가장자리(ER2)는 두께 차등 영역(240S)의 내부에 위치할 수 있다.
도 1, 도 4 내지 도 6을 참조하면, 두께 차등 영역(240S)은 표시 영역(DA)을 기준으로 양쪽에 각각 하나씩 위치할 수 있고, 각 두께 차등 영역(240S)은 대체로 제2방향(DR2)으로 길게 연장되어 있을 수 있다.
도시하지 않았으나, 비표시 영역(PA)에서 절연층(240) 위에 화소 전극(191)과 동일한 층에 위치하는 복수의 도전성 연결 부재가 위치하고, 도전성 연결 부재는 컨택부(CNTA)의 접촉 구멍을 통해 서로 다른 두 도전층을 서로 전기적으로 연결할 수 있다.
앞에서 설명한 도 2와 함께 도 4, 도 7 및 도 8을 참조하면, 제1배향막(11) 위에 위치하는 스페이서(CS)들은 표시 영역(DA)과 비표시 영역(PA)에 위치하는 복수의 메인 스페이서(MCS)들과 서브 스페이서(SCS)들을 포함한다.
비표시 영역(PA)에서 게이트 구동부(400a)와 중첩하는 스페이서(MCS, SCS)들은 대부분 트랜지스터(Trd), 차단부(230Rd) 및 두께 차등 영역(240S)과 중첩할 수 있다. 트랜지스터(Trd)와 중첩하는 스페이서(MCS, SCS)는 두께 차등 영역(240S)과 중첩할 수 있다.
표시 영역(DA)에 위치하는 메인 스페이서(MCS)의 제3방향(DR3)의 높이와 비표시 영역(PA)에 위치하는 메인 스페이서(MCS)의 제3방향(DR3)의 높이는 서로 대략 같을 수 있다. 표시 영역(DA)에 위치하는 서브 스페이서(SCS)의 제3방향(DR3)의 높이와 비표시 영역(PA)에 위치하는 서브 스페이서(SCS)의 제3방향(DR3)의 높이는 서로 대략 같을 수 있다.
앞에서 설명한 바와 같이, 비표시 영역(PA)에서 트랜지스터(Trd)의 밀집된 배치에 따라 트랜지스터(Trd) 위에 위치하는 차단부(230Rd)의 제3방향(DR3)의 두께(TK1)와 표시 영역(DA)의 트랜지스터(Tr) 위에 위치하는 차단부(230R)의 제3방향(DR3)의 두께(TK2)보다 두꺼울 수 있다.
만약 두께 차등 영역(240S)이 없을 경우, 게이트 구동부(400a)의 영역에서 트랜지스터(Trd)와 중첩하는 차단부(230Rd)의 두께가 표시 영역(DA)의 차단부(230R)보다 두껍고, 차단부(230R, 230Rd) 위에 위치하는 절연층(240)의 두께도 표시 영역(DA)과 비표시 영역(PA)에서 실질적으로 동일하게 형성된다. 따라서, 비표시 영역(PA)에서 트랜지스터(Trd) 위에 위치하는 스페이서(MCS, SCS)의 윗면의 높이가 표시 영역(DA)의 스페이서(MCS, SCS)의 윗면의 높이보다 높게 되어, 표시 패널(100)의 비표시 영역(PA)과 표시 영역(DA)의 경계 부근에서 액정층(3)의 셀갭의 차이로 인해 얼룩 불량이 발생할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 비표시 영역(PA)에 위치하는 차단부(230Rd)와 중첩하는 절연층(240)은 상대적으로 얇게 형성되므로 기판(110)의 윗면을 기준으로 한 절연층(240)의 윗면의 높이가 표시 영역(DA)과 비표시 영역(PA)에서 일정할 수 있다. 이에 따라, 비표시 영역(PA)에서 트랜지스터(Trd)와 중첩하는 메인 스페이서(MCS)의 윗면의 높이(기판(110)의 윗면을 기준으로 함)는 표시 영역(DA)에 위치하는 메인 스페이서(MCS)의 윗면의 높이(기판(110)의 윗면을 기준으로 함)와 실질적으로 동일할 수 있다. 따라서 비표시 영역(PA)에서 액정층(3)의 제3방향(DR3)의 셀갭이 표시 영역(DA)에서 액정층(3)의 제3방향(DR3)의 셀갭과 실질적으로 동일할 수 있고, 비표시 영역(PA)과 표시 영역(DA)의 경계 부근에서 액정층(3)의 셀갭의 차이로 인한 얼룩 불량 등의 발생을 방지할 수 있다.
도 4를 참조하면, 기판(110)의 가장자리에 가장 가까이 위치하는 스페이서(SCSa)와 차단부(230Rd)의 가장자리(ER1) 사이의 제1방향(DR1)의 거리는 0보다 크며, 예를 들어 대략 50 마이크로미터 내지 대략 150 마이크로미터일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 차단부(230Rd)의 오른쪽 가장자리(ER2)가 두께 차등 영역(240S)의 내부에 위치하고 있으므로, 차단부(230Rd)의 가장자리(ER2)와 중첩하는 스페이서(SCSb)의 가장 높은 윗면도 스페이서(SCSa)의 윗면보다 높지 않을 수 있다.
도 8을 참조하면, 도 2에 도시한 스페이서(CS)는 메인 스페이서(MCS)가 아닌 서브 스페이서(SCS)일 수도 있다.
도 9는 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치를 도 4에 도시한 IXa-IXb 선을 따라 잘라 도시한 단면도로서 절연층(240)만을 도시한 단면도이다.
도 9를 참조하면, 두께 차등 영역(240S)에서 절연층(240)의 윗면은 실질적으로 평탄할 수도 있으나, 소정 방향을 따라 자른 단면에서는 오목부(DPR)와 볼록부(PRT)를 포함하는 요철을 포함할 수도 있다. 복수의 오목부(DPR)와 복수의 볼록부(PRT)가 교대로 배열된 방향은 예를 들어 제2방향(DR2)일 수나 이에 한정되지 않는다.
도 10은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 비표시 영역(PA)에 위치하는 컨택부 및 광마스크의 모양을 도시한 평면도이고, 도 11 및 도 12는 각각 도 10에 도시한 표시 장치를 XIa-XIb 선을 따라 잘라 도시한 단면도의 일부이다.
도 10은 도 4에 도시한 게이트 구동부(400a)의 영역에서 인접한 접촉 구멍(245)들을 포함하는 컨택부(CNTA)의 평면 구조 및 절연층(240)의 형성을 위한 광마스크(10)의 평면 구조를 함께 도시한다.
게이트 구동부(400a)에서 서로 다른 층에 위치하는 두 도전층(120a, 170a)들은 접촉 구멍(245)에서 화소 전극(191)과 동일한 층에 위치하는 연결 부재(190a)를 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
컨택부(CNTA) 및 그 주위의 일정 영역에서 차단부(230Rd)는 제거되어 개구부(235)를 형성할 수 있다. 접촉 구멍(245)과 차단부(230Rd)의 개구부(235)의 가장자리 사이의 거리(W1)는 0보다 크며 예를 들어 대략 5 마이크로미터 내지 대략 10 마이크로미터일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
절연층(240)을 형성할 때 광마스크(10)를 사용한 사진 공정을 이용할 수 있는데, 본 발명의 한 실시예에 따라 차단부(230Rd)와 중첩하는 부분의 절연층(240)의 두께를 줄이기 위해 두께 차등 영역(240S)에 대응하는 광마스크(10)는 슬릿 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 두께 차등 영역(240S)에 대응하는 광마스크(10)는 교대로 배열된 차광부(OP) 및 투명한 슬릿부(SL)를 포함할 수 있다. 슬릿부(SL)는 예를 들어 제1방향(DR1)에 나란하게 연장되어 있을 수 있다.
도 10에서 사선 해칭으로 표시한 부분이 광마스크(10)의 차광부(OP, OPa)에 대응하고, 접촉 구멍(245)에 대응하는 광마스크(10)는 투명할 수 있다. 이는 광마스크(10)를 통해 빛에 노출된 부분에 대응하는 절연층(240)이 제거되는 경우의 조건이고, 광마스크(10)를 통해 빛에 노출된 부분에 대응하는 절연층(240)이 남는 경우에는 광마스크(10)의 투명부와 차광부가 서로 바뀔 수 있다.
광마스크(10)의 슬릿부(SL)와 차광부(OP)가 교대로 위치하는 영역은 절연층(240)의 두께 차등 영역(240S)에 대응하고, 두께 차등 영역(240S)의 경계(경계(10SN)에 대응함)는 접촉 구멍(245)과 일정 거리 이격되어 있고, 그 일정 거리는 거리(W1)와 같을 수 있다.
광마스크(10)의 슬릿부(SL)와 차광부(OP)가 교대로 위치하는 영역과 접촉 구멍(245) 주변에 위치하는 광마스크(10)의 차광부(OPa) 사이의 경계(10SN)는 차단부(230Rd)의 개구부(235)의 가장자리와 대략 일치할 수 있다.
광마스크(10)의 슬릿부(SL)와 차광부(OP)가 교대로 위치하는 영역에서 차광부(OP)의 폭(Wa)과 슬릿부(SL)의 폭(Wb)의 비는 예를 들어 대략 1.7:1.2일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
도 10에 도시한 바와 같이 슬릿 구조를 가지는 광마스크(10)를 이용해 형성된 절연층(240)의 단면 구조는 앞에서 설명한 도 9 및 도 12에 도시한 바와 같이 제2방향(DR2)으로 교대로 배열된 오목부(DPR)와 볼록부(PRT)를 포함하는 요철을 나타낼 수도 있고, 공정 조건에 따라 도 11에 도시한 바와 같이 두께 차등 영역(240S)의 절연층(240)의 두께는 작아졌지만 실질적인 요철은 나타내지 않고 절연층(240)의 윗면은 평탄할 수도 있다.
도 13은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 비표시 영역에 대한 평면도이고, 도 14는 도 13에 도시한 표시 장치를 XIVa-XIVb 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 13을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치는 앞에서 설명한 실시예와 대부분 동일하나 게이트 구동부(400a)와 중첩하는 두께 차등 영역이 연속적으로 형성되어 있지 않을 수 있다. 즉, 절연층(240)은 게이트 구동부(400a)의 트랜지스터(Trd)들과 중첩하는 복수의 이격된 두께 차등 영역(240Sd)을 포함할 수 있다. 각 두께 차등 영역(240Sd)은 하나 또는 그 이상의 스페이서(MCS, SCS)와 중첩할 수 있다. 예를 들어 도 13에 도시한 바와 같이 하나의 두께 차등 영역(240Sd)은 하나의 서브 스페이서(SCS)와 중첩하거나 하나의 서브 스페이서(SCS) 및 하나의 메인 스페이서(MCS)와 동시에 중첩할 수 있다.
도 13 및 도 14를 참조하면, 절연층(240)의 두께 차등 영역(240Sd)의 두께는 나머지 절연층(240)의 두께보다 작다. 이웃한 두께 차등 영역(240Sd) 사이에 위치하는 절연층(240)은 상대적으로 두께가 두꺼워 돌출부(240Sp)를 형성할 수 있다.
비표시 영역(PA)의 게이트 구동부(400a)에 위치하는 스페이서(MCS, SCS)들은 모두 두께 차등 영역(240Sd)과 중첩하여, 앞에서 설명한 실시예와 같이 비표시 영역(PA)과 표시 영역(DA)의 경계 부근에서 액정층(3)의 셀갭의 차이로 인한 얼룩 불량 등의 발생을 방지할 수 있다.
도 15, 도 16 및 도 17은 각각 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 제조에 사용되는 광마스크(10a, 10b, 10c)의 평면도이다.
절연층(240)을 사진 공정으로 형성하는 데 사용되는 광마스크(10a)가 포함하는 슬릿부(SL)는 앞에서 설명한 도 10 및 도 15에 도시한 실시예와 같이 대략 제1방향(DR1)에 나란하게 연장되어 있을 수 있고, 슬릿부(SL)와 차광부(OP)는 제2방향(DR2)으로 교대로 배열되어 있을 수 있다.
다른 실시예에 따르면, 광마스크(10a)가 포함하는 슬릿부(SL)는 도 16에 도시한 실시예와 같이 대략 제2방향(DR2)에 나란하게 연장되어 있을 수 있고, 슬릿부(SL)와 차광부(OP)는 제1방향(DR1)으로 교대로 배열되어 있을 수 있다.
다른 실시예에 따르면, 광마스크(10a)가 포함하는 슬릿부(SL)는 도 17에 도시한 실시예와 같이 제1방향(DR1) 및 제2방향(DR2)에 비스듬한 방향으로 연장되어 있을 수 있다.
이에 대응하여, 절연층(240)의 윗면에 요철이 형성되어 있는 실시예의 경우, 광마스크(10a, 10b, 10c)의 슬릿부(SL)와 차광부(OP)가 교대로 배열된 방향으로 절연층(240)의 돌출부와 오목부가 교대로 배열되어 있는 형태로 나타날 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

Claims (20)

  1. 표시 영역 및 상기 표시 영역 바깥에 위치하는 비표시 영역을 포함하는 제1 기판,
    상기 제1 기판의 상기 표시 영역에 위치하는 제1 반도체,
    상기 제1 기판의 상기 비표시 영역에 위치하는 제2 반도체,
    상기 제1 반도체와 중첩하는 제1 데이터 도전체,
    상기 제2 반도체와 중첩하는 제2 데이터 도전체,
    상기 제1 반도체와 중첩하며 상기 제1 데이터 도전체 위에 위치하는 제1 차단부,
    상기 제2 반도체와 중첩하며 상기 제2 데이터 도전체 위에 위치하는 제2 차단부, 그리고
    상기 제1 차단부 및 상기 제2 차단부 위에 위치하는 절연층
    을 포함하고,
    상기 제1 차단부의 최소 두께인 제1두께보다 상기 제2 차단부의 최소 두께인 제2두께가 더 크고,
    상기 제1 차단부의 상기 제1두께를 가지는 부분에 대응하는 상기 절연층의 제1부분의 제3두께보다 상기 제2 차단부의 상기 제2두께를 가지는 부분에 대응하는 상기 절연층의 제3부분의 제4두께가 더 작은
    표시 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에서,
    상기 제1두께와 제3두께의 합은 상기 제2두께와 상기 제4두께의 합과 동일한 표시 장치.
  4. 제1항에서,
    상기 제1 차단부와 중첩하는 제1 스페이서, 그리고
    상기 제2 차단부와 중첩하는 제2 스페이서를 더 포함하는 표시 장치.
  5. 제4항에서,
    상기 제1 기판과 중첩하며 제1파장의 광을 방출하는 라이트 유닛을 더 포함하고,
    상기 제1 차단부 및 상기 제2 차단부는 상기 제1파장의 광을 흡수할 수 있는
    표시 장치.
  6. 제4항에서,
    상기 비표시 영역에 위치하며 상기 제2 반도체를 포함하는 제1 트랜지스터들을 포함하는 게이트 구동부를 더 포함하고,
    상기 절연층은 상기 게이트 구동부와 중첩하는 적어도 하나의 두께 차등 영역을 포함하고,
    상기 두께 차등 영역의 평균 두께는 상기 두께 차등 영역 이외의 상기 절연층의 평균 두께보다 작은
    표시 장치.
  7. 제6항에서,
    상기 게이트 구동부는 제1방향으로 배열된 복수의 스테이지를 포함하고,
    하나의 상기 두께 차등 영역은 제1방향으로 길게 연장되어 상기 게이트 구동부와 중첩하는
    표시 장치.
  8. 제6항에서,
    상기 절연층은 상기 게이트 구동부와 중첩하는 복수의 이격된 두께 차등 영역들을 포함하는 표시 장치.
  9. 제6항에서,
    상기 제1 차단부와 중첩하는 제1 스페이서, 그리고
    상기 제2 차단부 및 상기 두께 차등 영역과 중첩하는 제2 스페이서를 더 포함하는 표시 장치.
  10. 제6항에서,
    상기 두께 차등 영역의 윗면은 요철을 포함하는 표시 장치.
  11. 제6항에서,
    상기 게이트 구동부에 위치하는 상기 절연층은 복수의 접촉 구멍을 포함하고,
    상기 두께 차등 영역의 경계는 상기 접촉 구멍으로부터 이격되어 있는
    표시 장치.
  12. 제1항에서,
    상기 제1 기판과 나란한 제2 기판,
    상기 절연층과 상기 제2 기판 사이에 위치하는 편광층, 그리고
    상기 제2 기판과 상기 편광층 사이에 위치하는 색변환층을 더 포함하고,
    상기 편광층은 반사성을 가지고,
    상기 제1 차단부 및 상기 제2 차단부는 상기 편광층에서 반사되는 광이 상기 제1 반도체 및 상기 제2 반도체로 입사되는 것을 차단할 수 있는
    표시 장치.
  13. 제1항에서,
    상기 절연층은 유기 물질을 포함하는 표시 장치.
  14. 표시 영역 및 상기 표시 영역 바깥에 위치하는 비표시 영역을 포함하는 제1 기판,
    상기 제1 기판의 상기 표시 영역에 위치하는 제1 트랜지스터,
    상기 제1 기판의 상기 비표시 영역에 위치하는 제2 트랜지스터,
    상기 제1 트랜지스터와 중첩하는 제1 차단부,
    상기 제2 트랜지스터와 중첩하는 제2 차단부, 그리고
    상기 제1 차단부 및 상기 제2 차단부 위에 위치하는 절연층
    을 포함하고,
    상기 제1 차단부와 상기 제2 차단부는 서로 동일한 층에 위치하고 서로 동일한 물질을 포함하고,
    상기 제1 차단부와 중첩하는 상기 절연층의 최소 두께보다 상기 제2 차단부와 중첩하는 상기 절연층의 최소 두께가 더 작은
    표시 장치.
  15. 제14항에서,
    상기 절연층은 상기 비표시 영역에 위치하는 적어도 하나의 두께 차등 영역을 포함하고,
    상기 두께 차등 영역의 평균 두께는 상기 두께 차등 영역 이외의 상기 절연층의 평균 두께보다 작은
    표시 장치.
  16. 제15항에서,
    상기 제1 차단부와 중첩하는 제1 스페이서, 그리고
    상기 제2 차단부 및 상기 두께 차등 영역과 중첩하는 제2 스페이서를 더 포함하는 표시 장치.
  17. 제15항에서,
    상기 두께 차등 영역의 윗면은 요철을 포함하는 표시 장치.
  18. 제14항에서,
    제1 차단부의 평균 두께보다 상기 제2 차단부의 평균 두께가 더 큰 표시 장치.
  19. 제14항에서,
    상기 절연층은 유기 물질을 포함하는 표시 장치.
  20. 제14항에서,
    상기 제1 기판과 나란한 제2 기판,
    상기 절연층과 상기 제2 기판 사이에 위치하는 편광층, 그리고
    상기 제2 기판과 상기 편광층 사이에 위치하는 색변환층을 더 포함하고,
    상기 편광층은 반사성을 가지고,
    상기 제1 차단부 및 상기 제2 차단부는 상기 편광층에서 반사되는 광이 상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터로 입사되는 것을 차단할 수 있는
    표시 장치.
KR1020180065629A 2018-06-07 2018-06-07 표시 장치 KR102569312B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180065629A KR102569312B1 (ko) 2018-06-07 2018-06-07 표시 장치
US16/297,274 US10670934B2 (en) 2018-06-07 2019-03-08 Display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180065629A KR102569312B1 (ko) 2018-06-07 2018-06-07 표시 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190139357A KR20190139357A (ko) 2019-12-18
KR102569312B1 true KR102569312B1 (ko) 2023-08-22

Family

ID=68764814

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180065629A KR102569312B1 (ko) 2018-06-07 2018-06-07 표시 장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10670934B2 (ko)
KR (1) KR102569312B1 (ko)

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101093226B1 (ko) 2005-01-11 2011-12-13 삼성전자주식회사 박막트랜지스터 기판 및 이의 제조방법
KR20100019666A (ko) * 2008-08-11 2010-02-19 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판, 이를 포함하는 액정 표시 장치, 그리고 액정 표시 장치의 제조 방법
KR101513645B1 (ko) * 2008-09-17 2015-04-21 삼성디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 이의 제조 방법
US8804081B2 (en) * 2009-12-18 2014-08-12 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display device with electrode having opening over thin film transistor
KR101724558B1 (ko) 2010-04-19 2017-04-10 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR102016567B1 (ko) 2012-08-28 2019-08-30 엘지디스플레이 주식회사 컬러 필터층을 포함하는 박막 트랜지스터 기판을 구비하는 평판 표시장치 및 그 제조 방법
KR20160028580A (ko) 2014-09-03 2016-03-14 삼성디스플레이 주식회사 컬러 변환층을 포함하는 표시장치
KR102273500B1 (ko) 2014-12-30 2021-07-06 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이를 이용한 표시 장치
KR102208432B1 (ko) * 2014-12-31 2021-01-27 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR20160084550A (ko) * 2015-01-05 2016-07-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102299113B1 (ko) * 2015-06-02 2021-09-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102469692B1 (ko) * 2015-10-19 2022-11-21 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR102570314B1 (ko) * 2016-06-08 2023-08-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102392670B1 (ko) 2017-06-07 2022-04-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US10670934B2 (en) 2020-06-02
KR20190139357A (ko) 2019-12-18
US20190377233A1 (en) 2019-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11608944B2 (en) Color conversion panel and display device including color conversion panel
KR102618811B1 (ko) 색변환 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
US10249689B2 (en) Color-conversion panel, method of manufacturing the panel, and display device including the panel
US9989806B2 (en) Color conversion panel and display device including the same
US11829023B2 (en) Display device having improved light emission and color reproducibility
KR102527215B1 (ko) 색변환 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
US10330974B2 (en) Color conversion panel and display device including the same
US10775666B2 (en) Display device
KR102584304B1 (ko) 색변환 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
US11567367B2 (en) Color conversion panel and display device including the same
US11073718B2 (en) Color conversion panel having blue light cutting filter and display device including the same
KR102555322B1 (ko) 색변환 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20190007130A (ko) 표시 장치
US11067844B2 (en) Color conversion panel and display device including the same
KR102540337B1 (ko) 색변환 패널, 이를 포함하는 표시 장치 및 색변환 패널의 제조 방법
US10707276B2 (en) Display device
KR102569312B1 (ko) 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant