JP6088295B2 - スズ合金めっき液 - Google Patents

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Description

本発明はスズ合金めっき液に関し、より詳細には、経時安定性に優れた非シアン系のスズ合金めっき液、及びスズ合金めっきを導電性物体上に析出させる方法に関する。
導電性物体にスズ合金めっき皮膜、例えばスズ−銀合金めっき皮膜を形成するために使用するスズ合金めっき浴(液)は、浴中のスズイオンと他の金属イオン(例えば銀イオン)の酸化還元電位が大きく異なる場合、スズよりも貴な金属イオンがめっき浴中で不溶性の塩を生成して析出しやすく、安定的に浴を保持することが困難であることが知られている。このため、従来は、例えばスズ−銀合金めっき液として、シアン化合物を含有するめっき液が使用されていた。しかしながら、この浴は有毒なシアン化合物を含有しているため、極めて毒性が高く、取り扱い上種々の問題を生じる。
シアン化合物を含有しないスズ合金めっき浴としては、チオ尿素またはチオ尿素誘導体を含有するスズ−銀合金めっき浴(特許文献1)、メルカプトコハク酸などのチオール化合物を含有するスズ−銀合金めっき浴(特許文献2)、脂肪族スルフィド類または脂肪族メルカプタン類を含有するスズ−銀合金めっき浴(特許文献3)などが開示されている。
しかし、本発明者らの実験によると、これらの浴では銀を長期間安定に溶解させておくことができず、めっき浴調製直後またはめっき浴調製後24時間程度で銀が析出する、いわゆる浴の分解が生じ、めっき浴を長期間安定的に使用することが困難であった。また、スズ合金析出物中のスズと他の金属との比率が、電気めっきを行う際の電流密度の変化により大きく変化し、一定の析出率を保てない場合もあった。
このため、シアン化合物を含有せずに、経時安定性の高いスズ合金めっき浴の開発が望まれている。
特開平9−302498号公報 特開平9−170094号公報 特開2006−265572号公報
従って、本発明の主な目的は、経時安定性が高く、電流密度の変化によるスズと合金金属との共析比率が変化しにくく、かつシアン化合物を実質的に含有しないスズ合金めっき液を提供することにある。
本発明者らは、鋭意検討した結果、システイン残基を有するペプチドをめっき浴中に含有させることにより、スズよりも貴な金属イオンがめっき浴中に含まれている場合でもめっき浴を長期安定的に使用でき、また電流密度の増減に対してスズと金属イオンの共析比率がほとんど変わらないめっき浴が得られることを見出した。
すなわち、本発明のスズ合金めっき液は、スズイオンと、銀、銅、ビスマス、インジウム、パラジウム、鉛、亜鉛、及びニッケルからなる群から選択される1種以上の他の金属のイオンとを含有し、さらにシステイン残基を有するペプチドを含有する。
システイン残基を有するペプチドは、好ましくは2〜20個のアミノ酸残基を有するペプチドであり、より好ましくはグルタチオンである。他の金属のイオンは好ましくは銀イオンを含む金属イオンであり、より好ましくは銀イオンである。また、スズ合金めっき液は好ましくは酸性である。
本発明のスズ合金めっきを導電性物体上に析出させる方法は、(A)スズイオンと、銀、銅、ビスマス、インジウム、パラジウム、鉛、亜鉛、及びニッケルからなる群から選択される1種以上の他の金属のイオンとを含有し、さらにシステイン残基を有するペプチドを含有するスズ合金めっき液に、導電性物体を接触させ、(B)電極と該導電性物体の間に電流を流す工程を有する。
本明細書において、用語「めっき液」及び「めっき浴」は互いに交換可能に用いられる。℃は摂氏度、g/Lはグラムパーリットル、ml/Lはミリリットルパーリットル、μmはマイクロメートル、m/minはメートルパー分、A/dm及びASDはアンペアパー平方デシメートルを意味する。
本発明は、システイン残基を有するペプチドを含有するスズ合金めっき液に関する。ここで、ペプチドとは、複数のアミノ酸がペプチド結合(またはアミド結合)によって結合したものをいう。アミノ酸の例としては、グルタミン酸、グリシン、システイン、チロシン、メチオニン、アスパラギン酸などが挙げられる。
これらのうちでも、本発明で用いるペプチドは、システイン残基を有することが必要である。システインは下記構造式で示されるアミノ酸であり、分子内にチオール基(−SH)を有する。
Figure 0006088295
システイン残基を有するペプチドは、好ましくは2〜50個、より好ましくは2〜20個のアミノ酸残基を有するペプチドであり、例えばグルタチオン、カルシトニン、バソプレシン、オキシトシン、フィトケラチンなどが挙げられる。システイン残基を有するペプチドがスズ合金めっき液に存在することにより、経時安定性の高いスズ合金めっき液とすることができる。理論に拘束されるものではないが、システイン残基を有するペプチド中のチオール基の強い求核性により、めっき液中の銀イオンなどの貴な金属イオンと錯体を形成し、当該錯体の析出電位(depositional potential)がスズイオンのそれと近くなるため、金属イオンが安定的に浴中に存在でき、さらに一定の共析比率を保つことができるものと考えられる。
システイン残基を有するペプチドのうちでも、グルタチオンが特に好ましい。グルタチオンは、グルタミン酸、システイン及びグリシンがこの順にペプチド結合したトリペプチドであり、下記構造を有する。
Figure 0006088295
なお、グルタチオンには上記の還元型(GSHと略される)の他、グルタチオンのチオール基がジスルフィド結合によってつながった、下記構造式で示される酸化型(GSSGと略される)が存在する。
Figure 0006088295
酸化型グルタチオンは、中性または酸性で還元型グルタチオンとなる。よって本発明では、上記酸化型グルタチオン(GSSG)を中性または酸性のめっき液に用いることにより、めっき液中で還元型グルタチオン(GSH)としてもよい。なお、本明細書では特に断らない限り、単に「グルタチオン」と記載するものは、還元型グルタチオンを指す。
システイン残基を有するペプチドのめっき液中での濃度は、使用するスズ合金めっき液中の金属イオンの種類及び量によるが、通常0.1〜70g/Lであり、好ましくは0.2〜20g/Lである。例えば、銀の共析比率が1〜5%のスズ−銀合金めっき液の場合は、システイン残基を有するペプチドを好ましくは0.1〜50g/L、さらに好ましくは1〜15g/Lの範囲で使用することができる。
本発明で用いるシステイン残基を有するペプチドは、銀イオンに対して等モル程度の使用でも浴の早期分解を抑制する効果を発揮する点に特徴がある。例えば、通常のスズ−銀めっき液で用いられる銀の錯化剤は、銀イオンに対して少なくとも2倍モル以上用いることにより、浴中の銀イオンを安定化することができる。ところが、本発明で用いるシステイン残基を有するペプチドは、従来考えられていたものの半分程度の使用量でも浴中の銀イオンを安定化することができる。システイン残基を有するペプチドの好ましい範囲は、銀イオンに対して0.3〜1.8倍モル、さらに好ましくは0.5〜1.5倍モルである。
本発明のスズ合金めっき液は、スズイオンの他、銀、銅、ビスマス、インジウム、パラジウム、鉛、亜鉛、及びニッケルから選択される1種以上の金属のイオンを含有する。スズ合金めっき液はスズイオンと上記1種以上の他の金属のイオンとの任意の組み合わせからなる合金めっき液であってよく、2成分金属からなるめっき液、または3成分以上の金属からなるめっき液が挙げられる。2成分金属からなる合金めっき液の好ましい例としては、スズ−銀合金めっき液、スズ−銅合金めっき液、スズ−ビスマス合金めっき液などが挙げられる。3成分以上の金属からなるめっき液の好ましい例としては、例えばスズ−銀−銅合金めっき液、スズ−銀−パラジウム合金めっき液、スズ−銀−ビスマス合金めっき液、スズ−亜鉛−ビスマス合金めっき液、スズ−銀−インジウム−ビスマス合金めっき液などが挙げられる。これらのうちでもスズ−銀合金めっき液、スズ−銀−銅合金めっき液、及びスズ−銀−ビスマス合金めっき液が特に好ましい。
スズイオンは、めっき液中でスズイオンを形成するスズ化合物をめっき液に添加することにより得られる。スズ化合物としては、スズと無機酸または有機酸との塩、スズの酸化物、ハロゲン化物などが挙げられ、好ましい具体例としては、硫酸スズ、硝酸スズ、塩化第一スズ、メタンスルホン酸第一スズ、酸化第一スズ、ホウフッ化第一スズ、2−プロパノールスルホン酸第一スズなどが挙げられる。これらのうちでも硫酸スズ、メタンスルホン酸第一スズ、または2−プロパノールスルホン酸第一スズが特に好ましい。
スズ合金めっき液を形成するスズ以外の金属イオンは、スズイオンと同様にめっき液中で金属イオンを形成する金属化合物をめっき液に添加することにより得られる。例えば、スズ以外の金属イオンが銀イオンの場合、銀化合物としては、酸化銀、硫酸銀、塩化銀、硝酸銀、メタンスルホン酸銀などが挙げられ、これらのうちでもメタンスルホン酸銀が特に好ましい。また、銅化合物としては、硫酸第二銅、酸化第二銅、メタンスルホン酸銅などが挙げられ、これらのうちでも硫酸第二銅が特に好ましい。
その他の金属イオンの供給源としては公知の化合物を用いることができる。例えば硝酸ビスマス、硫酸ビスマス、硫酸インジウム、硫酸亜鉛、硫酸パラジウム、酢酸パラジウム、メタンスルホン酸ビスマス、塩化パラジウムなどが挙げられる。
めっき液中のスズ及び他の金属イオンの濃度は特に制限されないが、通常スズとして5〜100g/L、他の金属イオンとして0.05〜6g/Lである。例えばスズ−銀合金めっき液であれば、好ましくはスズとして5〜100g/L、銀として0.05〜5g/Lであり、さらに好ましくはスズとして20〜80g/L、銀として0.1〜3.5g/Lである。また、スズ−銀−銅めっき液であれば、好ましくはスズとして5〜100g/L、銀として0.05〜5g/L、及び銅として0.1〜1g/Lであり、さらに好ましくはスズとして20〜80g/L、銀として0.1〜3.5g/L、及び銅として0.15〜0.35g/Lである。
本発明のめっき浴は酸性浴であることが好ましい。浴が中性またはアルカリ性であると、システイン残基を有するペプチド中のチオール基がジスルフィド結合を形成しやすく、例えば、システイン残基を有するペプチドがグルタチオンである場合には、中性またはアルカリ性で酸化型グルタチオンとなり、本発明の効果を奏しにくくなる。好ましいめっき浴のpHは4以下、さらに好ましくは1以下である。
本発明のスズ合金めっき液は酸を含有することができる。酸はめっき液の液性を酸性にする他、導電性化合物としても作用する。酸は有機酸または無機酸のどちらでもよい。有機酸としてはメタンスルホン酸、エタンスルホン酸などのアルカンスルホン酸、ヒドロキシルプロピルスルホン酸などのヒドロキシアルカンスルホン酸、イソプロパノールスルホン酸などのアルカノールスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、フェノールスルホン酸などが挙げられ、無機酸としては、硫酸、塩酸、硝酸などが挙げられる。
酸の濃度は目的とするスズ合金めっき液の成分によるが、例えば酸性スズ銀合金めっき液である場合には、好ましくは1〜300g/L、さらに好ましくは10〜200g/Lである。
本発明のスズ合金めっき液は界面活性剤を含有することができる。界面活性剤としては、ノニオン系、アニオン型、カチオン型、または両性の各種界面活性剤を必要に応じて使用することができる。めっき液中の界面活性剤の濃度は、好ましくは0.05〜25g/L、さらに好ましくは0.1〜10g/Lである。
ノニオン系界面活性剤の具体例としては、C〜C20アルカノール、フェノール、ナフトール、ビスフェノール類、C〜C25アルキルフェノール、アリールアルキルフェノール、C〜C25アルキルナフトール、C〜C25アルコキシル化リン酸(塩)、ソルビタンエステル、スチレン化フェノール、ポリアルキレングリコール、C〜C22脂肪族アミン、C〜C22脂肪族アミドなどにエチレンオキシド(EO)及び/又はプロピレンオキシド(PO)を2〜300モル付加縮合させたものや、C〜C25アルコキシル化リン酸(塩)などが挙げられる。
エチレンオキシド(EO)及び/又はプロピレンオキシド(PO)を付加縮合させるC〜C20アルカノールとしては、オクタノール、デカノール、ラウリルアルコール、テトラデカノール、ヘキサデカノール、ステアリルアルコール、エイコサノール、セチルアルコール、オレイルアルコール、ドコサノールなどが挙げられる。ビスフェノール類としては、ビスフェノールA、ビスフェノールB、ビスフェノールFなどが挙げられる。C〜C25アルキルフェノールとしては、モノ、ジ、若しくはトリアルキル置換フェノール、例えば、p−メチルフェノール、p−ブチルフェノール、p−イソオクチルフェノール、p−ノニルフェノール、p−ヘキシルフェノール、2,4−ジブチルフェノール、2,4,6−トリブチルフェノール、ジノニルフェノール、p−ドデシルフェノール、p−ラウリルフェノール、p−ステアリルフェノールなどが挙げられる。アリールアルキルフェノールとしては、2−フェニルイソプロピルフェノール、クミルフェノールなどが挙げられる。また、C〜C25アルキルナフトールのアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、ブチルヘキシル、オクチル、デシル、ドデシル、オクタデシルなどが挙げられる。
ソルビタンエステルとしては、モノ、ジ又はトリエステル化した1,4−、1,5−又は3,6−ソルビタン、例えばソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンジステアレート、ソルビタンジオレエート、ソルビタン混合脂肪酸エステルなどが挙げられる。C〜C22脂肪族アミンとしては、プロピルアミン、ブチルアミン、ヘキシルアミン、オクチルアミン、デシルアミン、ラウリルアミン、ミリスチルアミン、ステアリルアミン、オレイルアミン、牛脂アミン、エチレンジアミン、プロピレンジアミンなどの飽和及び不飽和脂肪酸アミンなどが挙げられる。C〜C22脂肪族アミドとしては、プロピオン酸、酪酸、カプリル酸、カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸、ベヘン酸、ヤシ油脂肪酸、牛脂脂肪酸などのアミドが挙げられる。
さらに、ノニオン系界面活性剤としてアミンオキシドを用いることができる。ノニオン系界面活性剤は2つ以上を混合しても良い。ノニオン系界面活性剤のめっき液中の濃度は、好ましくは0.05〜25g/L、さらに好ましくは0.1〜10g/Lである。
カチオン系界面活性剤としては、第4級アンモニウム塩、ピリジニウム塩などが挙げられ、具体的な例としては、ラウリルトリメチルアンモニウム塩、ステアリルトリメチルアンモニウム塩、ラウリルジメチルエチルアンモニウム塩、オクタデシルジメチルエチルアンモニウム塩、ジメチルベンジルラウリルアンモニウム塩、セチルジメチルベンジルアンモニウム塩、オクタデシルジメチルベンジルアンモニウム塩、トリメチルベンジルアンモニウム塩、トリエチルベンジルアンモニウム塩、ヘキサデシルピリジニウム塩、ラウリルピリジニウム塩、ドデシルピリジニウム塩、ステアリルアミンアセテート、ラウリルアミンアセテート、オクタデシルアミンアセテートなどが挙げられる。
アニオン系界面活性剤としては、アルキル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、(モノ、ジ、トリ)アルキルナフタレンスルホン酸塩などが挙げられる。アルキル硫酸塩としては、ラウリル硫酸ナトリウム、オレイル硫酸ナトリウムなどが挙げられる。ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩としては、ポリオキシエチレン(EO12)ノニルエーテル硫酸ナトリウム、ポリオキシエチレン(EO15)ドデシルエーテル硫酸ナトリウムなどが挙げられる。ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩としては、ポリオキシエチレン(EO15)ノニルフェニルエーテル硫酸塩などが挙げられる。アルキルベンゼンスルホン酸塩としては、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウムなどが挙げられる。また、(モノ、ジ、トリ)アルキルナフタレンスルホン酸塩としては、ジブチルナフタレンスルホン酸ナトリウムなどが挙げられる。
両性界面活性剤としては、カルボキシベタイン、イミダゾリンベタイン、スルホベタイン、アミノカルボン酸などが挙げられる。また、エチレンオキシド及び/又はプロピレンオキシドとアルキルアミン又はジアミンとの縮合生成物の硫酸化、又はスルホン酸化付加物も使用できる。
代表的なカルボキシベタイン及びイミダゾリンベタインとしては、ラウリルジメチルアミノ酢酸ベタイン、ミリスチルジメチルアミノ酢酸ベタイン、ステアリルジメチルアミノ酢酸ベタイン、ヤシ油脂肪酸アミドプロピルジメチルアミノ酢酸ベタイン、2−ウンデシル−1−カルボキシメチル−1−ヒドロキシエチルイミダゾリニウムベタイン、2−オクチル−1−カルボキシメチル−1−カルボキシエチルイミダゾリニウムベタインなどが挙げられ、硫酸化及びスルホン酸化付加物としてはエトキシル化アルキルアミンの硫酸付加物、スルホン酸化ラウリル酸誘導体ナトリウム塩などが挙げられる。
スルホベタインとしては、ヤシ油脂肪酸アミドプロピルジメチルアンモニウム−2−ヒドロキシプロパンスルホン酸、N−ココイルメチルタウリンナトリウム、N−パルミトイルメチルタウリンナトリウムなどが挙げられる。アミノカルボン酸としては、ジオクチルアミノエチルグリシン、N−ラウリルアミノプロピオン酸、オクチルジ(アミノエチル)グリシンナトリウム塩などが挙げられる。
本発明のスズ合金めっき液は、その他必要に応じて酸化防止剤、光沢剤、平滑化剤、pH調整剤、結晶微細化剤(グレインリファイナー)、補助錯化剤などの一般にめっき液に用いられる添加剤を含有することができる。
本発明のスズ合金めっき液に用いる溶媒は好ましくは水であるが、メタノールやエタノールなどのアルコール類、アセトンなどの有機溶媒を含む水であってもよい。
本発明のスズ合金めっき浴を用いて、導電性物体上にスズ合金めっき析出を形成することができる。導電性物体は、その表面の少なくとも一部に導電性を有する材料を有する物体である。導電性物体の具体例としては、チップなどの電子部品、表面に導電性材料を有するプラスチックス、プリント配線基板、半導体ウエハー、水晶振動子、リード線、モジュールなどを挙げることができる。また導電性材料としては、銅、銅合金、ニッケル、ニッケル合金、ニッケル鉄などを例示することができる。
本発明のスズ合金めっき液を用いて、スズ合金めっきを導電性物体上に析出させる方法は、(A)スズイオンと、銀、銅、ビスマス、インジウム、パラジウム、鉛、亜鉛及びニッケルからなる群から選択される1種以上の他の金属イオンとを含有し、さらにシステイン残基を有するペプチドを含有するスズ合金めっき液に導電性物体を接触させ、(B)電極と導電性物体の間に電流を流す工程を有する。
スズ合金めっき浴の温度は、好ましくは10〜50℃、さらに好ましくは15〜35℃である。また、めっきを行う際の電流は直流電流でもよいし、パルス電流でもよい。電流密度は好ましくは0.5〜10A/dm、さらに好ましくは1〜8A/dmである。
また、めっき方法は、水平めっき、垂直めっき、バレルめっき、ラックめっき、ジェットめっきなどの高速めっきなど、どのような方法も用いることができる。
以下本発明を実施例に基づいて説明するが、これらの実施例は本発明を限定するものではない。
実施例1
以下の組成のスズ−銀合金めっき液を調製した。
<めっき液組成>
メタンスルホン酸スズ (スズイオンとして) 20g/L
メタンスルホン酸銀 (銀イオンとして) 0.5g/L
メタンスルホン酸(70%水溶液) 40ml/L
ノニオン性界面活性剤(商品名「ペグノールD−210Y」、ポリオキリエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテル、東邦化学株式会社製) 0.5g/L
グルタチオン 1.4g/L
カテコール 2g/L
残部 脱イオン水
<めっき浴の安定性試験>
めっき液を調製後、室温にて放置し、めっき液ににごりや沈殿が生じているかを24時間毎に肉眼で観察した。また、にごりまたは沈殿が生じた日を記録した。
試験片(2cm×3cmサイズの両面銅張ガラスエポキシ基板(日立化成:MCL−E67))を7%メタンスルホン酸溶液に1分間浸し、その後1分間水洗し、調製直後の上記めっき液に浸漬した。不溶性白金電極を陽極として用い、1,2,6及び8A/dmの各電流密度でそれぞれ総電気量が90Cとなるよう時間を調整して、浴温25℃で電気めっきを行った。めっき後に試験片を水洗し、乾燥後、めっき皮膜表面の状態を肉眼にて観察した。
スズと銀の共析比率は、以下のように測定した。
試験片を室温にて10mLの40%硝酸水溶液に3分間浸漬し、試験片を引き上げた後、50mLになるまで脱イオン水を加え希釈した。原子吸光装置(SHIMADZU AA−6800、(株)島津製作所製)を用いてスズ及び銀の濃度を測定し、その比率を算出した。結果を表1に示す。
比較例1
グルタチオンを含有しない他は実施例1と同様のめっき液を調製した。
比較例2
グルタチオンの代わりに、チオ尿素を0.4g/L用いた他は実施例1と同様のめっき液を調製した。
比較例3
グルタチオンの代わりに、3,6−ジチアオクタン−1,8−チオールを0.85g/L用いた他は実施例1と同様のめっき液を調製した。
比較例4
グルタチオンの代わりに、ビス(2−ヒドロキシエチル)ジスフルィドを0.8g/L用いた他は、実施例1と同様のめっき液を調製した。
比較例5
グルタチオンの代わりに、メルカプトコハク酸を0.8g/L用いた他は、実施例1と同様のめっき液を調製した。
比較例6
グルタチオンの代わりに、ジメチル尿素を0.6g/L用いた他は、実施例1と同様のめっき液を調製した。
比較例7
グルタチオンの代わりに、システインを0.6g/L用いた他は、実施例1と同様のめっき液を調製した。
比較例8
グルタチオンの代わりに、グリシルグルタミンを1g/L用いた他は、実施例1と同様のめっき液を調製した。
比較例9
グルタチオンの代わりに、グリシルグルタミン酸を1g/L用いた他は、実施例1と同様のめっき液を調製した。
比較例10
グルタチオンの代わりに、システインを0.6g/Lとグリシルグルタミンを1g/L用いた他は、実施例1と同様のめっき液を調製した。
比較例11
グルタチオンの代わりに、システインを0.6g/Lとグリシルグルタミン酸を1g/L用いた他は、実施例1と同様のめっき液を調製した。
Figure 0006088295
Figure 0006088295
以上の実施例及び比較例から明らかなように、システイン残基を有するペプチド(GSH)を含有する浴(実施例1)は、浴の安定性が高くかつ電流密度の変化に伴う銀析出率の変化が少ない。これに対し、従来の錯化剤を用いた浴(比較例1〜6)は、浴の安定性が低く、いずれも1週間以内に浴が分解(黒色のにごりまたは沈殿が析出)した。また、システイン残基を有するペプチドの代わりに、システイン単独(比較例7)、システイン残基のないアミノ酸ペプチド(比較例8,9)、及びこれらの混合物(比較例10,11)を加えた浴でも浴の安定性が低く、本発明の効果は得られなかった。
実施例2及び3:浴安定性試験
グルタチオンの量を、それぞれ0.7g/L及び2.1g/Lに変更した他は実施例1と同様のめっき液を調製した。調製しためっき液について、浴安定性試験を行ったところ、実施例2は2週間後に浴の分解を確認した。実施例3は1月後に浴に白い沈殿物が生じた。この白い沈殿物はめっき液に添加したカテコールとグルタチオンとの相互作用によるものと考えられる。

Claims (5)

  1. スズイオンと、銀イオンである他の金属のイオンと、システイン残基を有するペプチドを含有し、シアン化合物を含有しないスズ合金めっき液。
  2. システイン残基を有するペプチドが2〜20個のアミノ酸残基を有するペプチドである、請求項1に記載のスズ合金めっき液。
  3. システイン残基を有するペプチドがグルタチオンである、請求項1に記載のスズ合金めっき液。
  4. めっき液が酸性である、請求項1〜のいずれかに記載のスズ合金めっき液。
  5. スズ合金めっきを導電性物体上に析出させる方法であって、導電性物体を請求項1〜のいずれかに記載のスズ合金めっき液に接触させ、(B)電極と該導電性物体の間に電流を流す工程を有する、方法。
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