JP3538499B2 - 錫−銀合金電気めっき浴 - Google Patents
錫−銀合金電気めっき浴Info
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Description
めっき浴に関し、特に、非シアン系の錯化剤によって安
定化させた浴から平滑で密着性の良好な電着物を得るた
めに界面活性剤を添加してなる錫−銀合金電気めっき浴
に関する。
るはんだによる接合は不可欠の技術として広く行われて
いる。はんだ付けを迅速かつ確実に行うために、はんだ
付けしようとする部品に予めはんだ付け性の良好な皮膜
を施しておくことが行われるが、このはんだ付け性皮膜
として錫−鉛合金めっき皮膜が一般に利用されている。
しかしながら、近年、鉛の健康・環境への影響が懸念さ
れ、有害な鉛を含む錫−鉛はんだを規制しようとする考
えが急速に広まりつつある。錫−鉛はんだに代替できる
鉛を含まないはんだはいまのところなく、日欧米を中心
として研究開発が行われているところであり、錫−鉛は
んだの代替として錫と銀、ビスマス、銅、インジウム、
アンチモン、亜鉛などの二元或いは多元合金が候補とし
て挙げられており、錫−銀合金もはんだの有力な代替合
金の一つである。代替はんだに対応して、はんだ付け用
のめっき皮膜もまた鉛を含まないものに変更していく必
要がある。これに対して、錫−銀合金めっき皮膜を得る
ためのめっき浴は、銀を主成分とするものは古くからあ
るが、錫を主成分とする非シアン系錫−銀合金めっき浴
は工業的に行われていない。銀単独のめっき浴として
は、古くからシアン浴が用いられてきた。公害防止上好
ましくないシアン浴に代わって、硝酸銀浴、スルファミ
ン酸浴、塩化銀浴、チオシアン酸浴、チオ硫酸浴などが
検討されてきたが、シアン以外の銀の錯化剤は安定度定
数が小さいので、シアン浴に比べて析出物の結晶があら
く工業的に利用されなかった。これらに比べて微細な粒
子の析出物が得られる浴として、最近有機スルホン酸の
銀塩とヨウ化カリウムを含むめっき浴にスルファニル酸
の誘導体を添加した浴が特開平2−290993号に、
コハク酸イミド又はその誘導体を錯化剤とする浴が特開
平7−166391号に記載されているが、錫との合金
めっきの可能性については記載されていない。
きによって得られること自体は、古くから知られてお
り、シアン浴から得られているが、シアンを用いること
もまた環境衛生・公害・毒劇物管理の観点から好ましく
ない。シアン浴以外の錫−銀合金めっき浴としては、1
971年に松下はシアン−ピロリン酸混合浴(金属表面
技術22,60(1971))から、また、1983年
に久保田らは非シアン浴としてピロリン酸浴(金属表面
技術34,37(1983))から、錫−銀合金皮膜を
得ている。しかし、これらは、銀めっきの代替若しくは
銀めっきの性能向上を主たる目的に開発研究されたもの
であり、銀を主成分とした銀−錫合金電気めっき皮膜を
得るための浴であり、錫に比べて電位が貴で優先析出し
やすい銀の皮膜中の含有率を低く押さえる配慮が検討さ
れていないものであった。錫−鉛はんだの代替としての
錫−銀合金めっき皮膜は、ウィスカーの発生を抑制でき
るに十分な比率さえ銀が含まれていれさえすれば、コス
ト上の観点からできるだけ銀含有率は低い方が望まし
く、概ね20%以下の含有率のもの、特にSn−3.5
%Agの共晶組成を中心とした組成、が使用されるよう
になると考えられる。このような組成の錫−銀合金めっ
き皮膜を得るための浴として、最近、伊勢らによってス
ズ酸カリ−硝酸銀浴(表面技術協会 第93回講演大会
予講集 205(1996))、また、新井らによって
ピロリン酸−ヨウ化物浴(表面技術協会 第93回講演
大会予講集 195(1996))が報告されている。
しかしながら、前者は錯化剤を含まないために銀が優先
的に析出し易く、数%の銀含有率の錫−銀めっき皮膜を
得るためには、めっき液中の銀比率を0.1%前後まで
低くしなければならず、工業的操業には管理上の困難を
伴うものである。また、後者は、銀イオンに対する錯化
剤の観点から、銀の優先析出を抑制しようとした点で前
者よりも進歩した浴と考えられるが、電極表面近傍で電
析反応に関与して金属の析出を抑制するとともに電析合
金結晶を微細化させるような添加剤を含んでいないもの
であるが故に、電着物中の合金比率の電流密度依存性が
大きく、この点に問題点を残しているとともに、工業上
利用できるに十分微細な結晶を有した平滑で緻密なめっ
き皮膜ではない。
の錫イオンと1価の銀イオンよりなる液に、錫イオンを
浴中に安定に溶解保持させるための錯化剤と、銀イオン
を浴中に安定に溶解させるとともに銀の優先析出を抑制
するための安定度定数の大きい錯化剤を加え、さらに電
極表面近傍で電析反応に関与して金属の析出を抑制する
とともに電析合金結晶を微細化させる添加剤を添加して
なる非シアン系錫−銀合金電気めっき浴を用いることに
よって、環境・衛生・公害上問題のある錫−鉛はんだを
代替する上で不可欠の非鉛のはんだ付け性めっき皮膜を
得るための錫−銀合金電気めっき浴を提供し、代替はん
だ問題を解決するに至った。
ン化合物、 (II)2価の錫化合物を水溶液中に安定に保つに必要な
量の(a)アルキル基の炭素数が0〜3の脂肪族ジカル
ボン酸、(b)アルキル基の炭素数が1〜2の脂肪族ヒ
ドロキシモノカルボン酸、(c)アルキル基の炭素数が
1〜3の脂肪族ヒドロキシポリカルボン酸、(d)単糖
類及びその一部が酸化されたポリヒドロキシカルボン酸
並びにそれらの環状エステル化合物、(e)アルキル基
の炭素数が1〜4の脂肪族モノ−若しくはジ−アミノ、
モノ−若しくはジ−カルボン酸、(f)アルキル基の炭
素数が2〜3の脂肪族モノメルカプトモノカルボン酸及
び脂肪族モノメルカプトジカルボン酸及び脂肪族モノメ
ルカプトモノアミノモノカルボン酸、(g)アルキル基
の炭素数が2〜3の脂肪族モノスルホモノカルボン酸及
び脂肪族モノスルホジカルボン酸、(h)下記のアミン
カルボン酸:エチレンジアミンテトラ酢酸(EDT
A)、イミノジ酢酸(IDA)、ニトリロトリ酢酸(N
TA)、ジエチレントリアミンペンタ酢酸(DTP
A)、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸(TTH
A)、エチレンジオキシビス(エチルアミン)−N,
N,N’,N’−テトラ酢酸、グリコールエチレンジア
ミンテトラ酢酸(GEDTA)及びN−ヒドロキシエチ
ルエチレンジアミンテトラ酢酸(HEEDTA)から選
ばれるもの、(i)縮合リン酸、及び(j)アルカンの
炭素数が1〜3のヒドロキシアルカンビスホスホン酸か
ら選ばれた化合物又はその塩の1種又は2種以上、 (III )1価の銀化合物を液中に安定に保つに必要な量
の (a)チオ尿素及びアルキル基の炭素数が1〜3のモノ
−又はジ−アルキルチオ尿素 (b)チオ硫酸 (c)ヨウ素化合物、及び (d)臭素化合物から選ばれた化合物又はその塩の1種
又は2種以上を必須成分とするめっき液において、少な
くとも一種の界面活性剤を添加してなる非シアン系錫−
銀合金電気めっき液を提供するものである。
っき液において、2価の錫化合物としては、公知のもの
がいずれも使用でき、例えば、酸化錫、硫酸錫、塩化
錫、ホウフッ化錫、ケイフッ化錫、スルファミン酸錫、
シュウ酸錫、酒石酸錫、グルコン酸錫、スルホコハク酸
錫、ピロリン酸錫、1−ヒドロキシエタン−1,1−ビ
スホスホン酸錫、トリポリリン酸錫、又は下記の一般式
(i)及び(ii)で表される脂肪族スルホン酸の錫塩、
或いは下記の一般式(iii) で表される芳香族スルホン酸
の錫塩などを単独又は適宜混合して使用できる。
水素、水酸基、アルキル基、アリール基、アルキルアリ
ール基、カルボキシル基又はスルホン酸基を表わし、そ
してアルキル基の任意の位置にあってよく、nは0〜3
の整数である。]及び(ii)一般式
2 はC1 〜C3 のアルキレン基を表わし、水酸基はアル
キレン基の任意の位置にあってよく、Xは塩素及びフッ
素のハロゲンを表わし、アルキル基及びアルキレン基の
水素と置換された塩素又はフッ素の置換数は1からアル
キル基又はアルキレン基に配位したすべての水素が飽和
置換されたものまでを表わし、置換されたハロゲン種は
1種類又は2種類であり、塩素又はフッ素の置換基は任
意の位置にあってよい。Yは水素又はスルホン酸基を表
わし、Yで表されるスルホン酸基の置換数は0から2の
範囲にある。]で表わされる脂肪族スルホン酸の錫塩、
(iii) 一般式
ルキルアリール基、アルデヒド基、カルボキシル基、ニ
トロ基、メルカプト基、スルホン酸基又はアミノ基を表
わし、或いは2個のX2 はベンゼン環と一緒になってナ
フタリン環を形成でき、mは0〜3の整数である。]で
表わされる芳香族スルホン酸の錫塩。
ホン酸の錫塩の例は、メタンスルホン酸、メタンジスル
ホン酸、メタントリスルホン酸、トリフルオロメタンス
ルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、2
−プロパンスルホン酸、ブタンスルホン酸、2−ブタン
スルホン酸、ペンタンスルホン酸、2−ヒドロキシエタ
ン−1−スルホン酸、2−ヒドロキシプロパン−1−ス
ルホン酸、2−ヒドロキシブタン−1−スルホン酸、2
−ヒドロキシペンタンスルホン酸、1−カルボキシエタ
ンスルホン酸、1,3−プロパンジスルホン酸、アリー
ルスルホン酸、2−スルホ酢酸、2−又は3−スルホプ
ロピオン酸、スルホこはく酸、スルホマレイン酸、スル
ホフマル酸、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン
酸、キシレンスルホン酸、ニトロベンゼンスルホン酸、
スルホ安息香酸、スルホサルチル酸、ベンズアルデヒド
スルホン酸、フェノールスルホン酸、フェノール−2,
4−ジスルホン酸などの錫塩である。特に、メタンスル
ホン酸錫、メタンジスルホン酸錫、スルホコハク酸錫、
トリフルオロメタンスルホン酸錫、p−トルエンスルホ
ン酸錫、スルホ安息香酸錫が好ましい。錫化合物の使用
量は、錫分として5〜50g/Lが適当であり、好まし
くは10〜30g/L程度とする。
合物を水溶液中に安定に保つために下記の(a)〜
(j)より選ばれた錯化剤の1種若しくは2種以上を添
加することができる。 (a)アルキル基の炭素数が0〜3の脂肪族ジカルボン
酸、(b)アルキル基の炭素数が1〜2の脂肪族ヒドロ
キシモノカルボン酸、(c)アルキル基の炭素数が1〜
3の脂肪族ヒドロキシポリカルボン酸、(d)単糖類及
びその一部が酸化されたポリヒドロキシカルボン酸並び
にそれらの環状エステル化合物、(e)アルキル基の炭
素数が1〜4の脂肪族モノ−若しくはジ−アミノ、モノ
−若しくはジ−カルボン酸、(f)アルキル基の炭素数
が2〜3の脂肪族モノメルカプトモノカルボン酸及び脂
肪族モノメルカプトジカルボン酸及び脂肪族モノメルカ
プトモノアミノモノカルボン酸、(g)アルキル基の炭
素数が2〜3の脂肪族モノスルホモノカルボン酸及び脂
肪族モノスルホジカルボン酸、(h)下記のアミンカル
ボン酸:エチレンジアミンテトラ酢酸(EDTA)、イ
ミノジ酢酸(IDA)、ニトリロトリ酢酸(NTA)、
ジエチレントリアミンペンタ酢酸(DTPA)、トリエ
チレンテトラミンヘキサ酢酸(TTHA)、エチレンジ
オキシビス(エチルアミン)−N,N,N’,N’−テ
トラ酢酸、グリコールエチレンジアミンテトラ酢酸(G
EDTA)及びN−ヒドロキシエチルエチレンジアミン
テトラ酢酸(HEEDTA)から選ばれるもの、(i)
縮合リン酸、及び(j)アルカンの炭素数が1〜3のヒ
ドロキシアルカンビスホスホン酸。
適なものを例示すれば、(a)脂肪族ジカルボン酸とし
ては、蓚酸、マロン酸、コハク酸が、(b)脂肪族ヒド
ロキシモノカルボン酸としては、グリコール酸が、
(c)脂肪族ヒドロキシポリカルボン酸としては、酒石
酸、クエン酸が、(d)単糖類及びその一部が酸化され
たポリヒドロキシカルボン酸並びにそれらの環状エステ
ル化合物としては、アスコルビン酸、グルコン酸、グル
コヘプトン酸、δ−グルコノラクトンなどが、(e)脂
肪族アミノカルボン酸としては、グリシンが、(f)脂
肪族メルカプトカルボン酸としては、メルカプトコハク
酸が、(g)脂肪族スルホカルボン酸の例としては、ス
ルホコハク酸が、(h)アミノカルボン酸としては、エ
チレンジアミンテトラ酢酸、イミノジ酢酸、ニトリロト
リ酢酸が、(i)縮合リン酸としては、ピロリン酸、ト
リポリリン酸が、(j)ヒドロキシアルカンビスホスホ
ン酸としては、1−ヒドロキシエタン−1,1−ビスホ
スホン酸が使用される。それらの使用量は、錯化剤の種
類に応じて適宜選択されるが、浴中の錫分1モルに対し
て1〜20モル程度が適当であり、好ましくは、2〜1
5モル程度である。
領域の広い範囲で使用されるが、ヨウ素を添加したとき
にヨウ化錫の生成を防止するために、2価の錫イオンの
可溶性領域である強酸性においても上述の錫の錯化剤は
必須の成分として使用される。また、使用されるpH
は、それぞれの錯化剤の種類に応じて適宜選択される
が、代表的な錯化剤の好ましいpHの領域を例示すれ
ば、下記のとおりである。 蓚酸 :pH5〜5.5 マロン酸 :pH1〜2.5 コハク酸 :pH<1〜2 グリコール酸 :pH<1〜1 クエン酸 :pH1〜6 酒石酸 :pH1〜9 グルコン酸 :pH1〜14< δ−グルコノラクトン :pH1〜13 グリシン :pH1.5〜2.5 エチレンジアミンテトラ酢酸 :pH<1〜7 ピロリン酸 :pH<1〜9 トリポリリン酸 :pH<1〜8 1−ヒドロキシエタン−1,1−ジホスホン酸 :pH1〜10
ずれも使用でき、例えば、酸化銀、硝酸銀、硫酸銀、塩
化銀、臭化銀、ヨウ化銀、安息香酸銀、スルファミン酸
銀、クエン酸銀、乳酸銀、メルカプトコハク酸銀、リン
酸銀、トリフルオロ酢酸銀、ピロリン酸銀、1−ヒドロ
キシエタン−1,1−ビスホスホン酸銀、又は下記の一
般式(i)及び(ii)で表される脂肪族スルホン酸の銀
塩、或いは下記の一般式(iii )で表される芳香族スル
ホン酸の銀塩などを単独又は適宜混合して使用できる。
銀化合物の使用量は、銀分として0.05〜10g/L
程度が適当であり、好ましくは0.1〜5g/L程度と
する。ただし、銀含有量の多い錫−銀合金めっき皮膜を
得ようとする場合には、これに限定されるものではな
く、概ね50g/L程度の銀濃度とすることができる。
は水素、水酸基、アルキル基、アリール基、アルキルア
リール基、カルボキシル基又はスルホン酸基を表わし、
そしてアルキル基の任意の位置にあってよく、nは0〜
3の整数である。]及び(ii)一般式
2 はC1 〜C3 のアルキレン基を表わし、水酸基はアル
キレン基の任意の位置にあってよく、Xは塩素及びフッ
素のハロゲンを表わし、アルキル基及びアルキレン基の
水素と置換された塩素又はフッ素の置換数は1からアル
キル基又はアルキレン基に配位したすべての水素が飽和
置換されたものまでを表わし、置換されたハロゲン種は
1種類又は2種類であり、塩素又はフッ素の置換基は任
意の位置にあってよい。Yは水素又はスルホン酸基を表
わし、Yで表されるスルホン酸基の置換数は0から2の
範囲にある。]で表わされる脂肪族スルホン酸の銀塩、
(iii) 一般式
ルキルアリール基、アルデヒド基、カルボキシル基、ニ
トロ基、メルカプト基、スルホン酸基又はアミノ基を表
わし、或いは2個のX2 はベンゼン環と一緒になってナ
フタリン環を形成でき、mは0〜3の整数である。]で
表わされる芳香族スルホン酸の錫塩。これらの有機スル
ホン酸銀塩のスルホン酸の例は、錫塩について説明した
ものと同一であってよい。特に、メタンスルホン酸銀、
メタンジスルホン酸銀、スルホコハク酸銀、トリフルオ
ロメタンスルホン酸銀、p−トルエンスルホン酸銀、ス
ルホ安息香酸銀が好ましい。
チオ尿素又はチオ尿素誘導体又はチオ硫酸(及びその塩
類)或いはヨウ素化合物若しくは臭素化合物の添加量
は、モル比率で、銀イオンの5〜500倍量を添加し、
好ましくは10〜300倍量添加する。ヨウ素イオンの
供給は、公知のヨウ素化合物が使用でき、例えば、ヨウ
化若しくは臭化カリウムやヨウ化若しくは臭化ナトリウ
ムが挙げられる。ヨウ化銀の形で添加することもでき
る。チオ尿素を添加した浴を用いる場合には、チオ尿素
の銅に対する錯化力が強いために銅及び銅合金の素地ま
たは銅及び銅合金の下地めっきを施した素材上では銅の
溶解とそれに伴う錫及び銀の置換析出が生じるため、そ
れらの素材上に本浴から錫−銀合金めっきを施す場合に
は、銀化合物を液中に安定に保つための錯化剤のうちヨ
ウ素化合物を用いることが望ましい。銅及び銅合金の素
材上に該めっきを施す場合でも概ね2μm以上の無電解
ニッケルまたは5μm以上の電気ニッケルめっきの下地
めっきを施した場合には、チオ尿素又はその誘導体又は
(及び)チオ硫酸(又はその塩)を錯化剤とした浴を用
いることができる。なお、上記の銀の錯化剤の代替とし
てチオシアン酸あるいはその塩を使用することができる
が、公害防止上好ましくない。
(E)〜(M)で表されるものの中から選ばれた1種又
は2種以上の界面活性剤が利用できる。 (A)一般式:
は水素又はアルカリ金属を表わす。]で表わされるナフ
タレンスルホン酸系界面活性剤、例えば、アルキル(メ
チル、エチル、プロピル、ブチル・・・)ナフタレンス
ルホン酸のナトリウム塩等、 (C)一般式: R−D−(A)m−(B)n−H [ここで、A及びBは−CH2−CH2−O−又は−CH
2−C(CH3)H−O−を表わし、それらの存在位置は
限定されず、m及びnは、0〜40の整数を表わす。た
だし、m及びnの和は1から40の範囲内にある。Rは
炭素数1〜22のアルキル基又は炭素数1〜25の脂肪
酸でエステル化したソルビタンを表わす。Dは、−O−
又は−COO−を表わす。]で表わされるポリオキシア
ルキレンアルキルエーテル(又はエステル)系界面活性
剤、例えば、上記の(B)のポリエチレングリコール、
ポリプロピレングリコール等のアルキル(例えば、オレ
イル、セチル、ステアリル、ラウリル・・・)エーテル
若しくは脂肪酸エステル、ソルビタンエステル等、 (E)一般式:
2−C(CH3)H−O−を表わし、それらの存在位置は
限定されず、m及びnは0〜40の整数を表わす。ただ
し、m及びnの和は1から40の範囲内にある。Rは水
素又はアルキル基(C1〜C25)を表わす。]で表わさ
れるポリオキシアルキレンナフチル(又はアルキルナフ
チル)エーテル系界面活性剤、例えば、ナフトール又は
アルキルナフトールのエチレンオキサイド及び(又は)
プロピレンオキサイド付加物等、 (F)一般式:
2−C(CH3)H−O−を表わし、それらの存在位置は
限定されず、m及びnは0〜40の整数を表わす。ただ
し、m及びnの和は1から40の範囲内にある。Ra、
Rb、Rcは、それぞれ独立に水素、フェニル基、アルキ
ル基(C1〜C4)又は−CH(CH3)−φを表わす。
ただし、少なくとも1つはフェニル基若しくは−CH
(CH3)−φであるものとする。]で表わされるポリ
オキシアルキレンスチレン化フェニルエーテル系界面活
性剤、例えば、スチレン化フェノール又はα−メチルス
チレン化フェノールのエチレンオキサイド及び(又は)
プロピレンオキサイド付加物等、 (G)一般式:
2−C(CH3)H−O−を表わし、それらの存在位置は
限定されない。Rc1、Rc2は、それぞれ独立に水素、フ
ェニル基又はアルキル基(C1〜C4)を表わし、Rd、
Reは、それぞれ独立に水素又は−CH3を表わし、
m1、m2、n1、n2はそれぞれ独立に0〜40の整数を
表わす。ただし、m1及びn1、さらにm2及びn2の和は
1から40の範囲内にある。]で表わされるポリオキシ
アルキレンスチレン化フェニルエーテルのフェニル基に
さらにポリオキシアルキレン鎖を付加した界面活性剤、
例えば、ビスフェノールAのビス(エチレンオキサイド
及び(又は)プロピレンオキサイド付加物)等、 (H)一般式:
〜C25)を表わし、同一又は異なってもよい。A及びB
は−CH2−CH2−O−又は−CH2−C(CH3)H−
O−を表わし、それらの存在位置は限定されない。
m1、m2、n1、n2はそれぞれ独立に0〜40の整数を
表わす。ただし、m1及びn1、さらにm2及びn2の和は
1から40の範囲内にある。Mは水素又はアルカリ金属
を示す。]で表わされるリン酸エステル系界面活性剤、
例えば、アルキルリン酸のナトリウム塩等、ポリオキシ
エチレン化及び(又は)ポリオキシプロピレン化リン酸
のナトリウム塩等、 (I)一般式:
(C1〜C30)又はアシル基(C1〜C30)を表わし、A
及びBは−CH2−CH2−O−又は−CH2−C(C
H3)H−O−を表わし、それらの存在位置は限定され
ない。m1、m2、n1、n2はそれぞれ独立に0〜6の整
数を表わす。ただし、m1及びn1、さらにm2及びn2の
和は1から6の範囲内にある。CH2−CH(CH3)−
Oの付加モル数がCH2−CH2−Oの付加モル数より多
いことはない。]で表わされるポリオキシアルキレンア
ルキル(又はアルケニル)アミン(又はアミド)系界面
活性剤、例えば、アルキル(又はアルケニル)アミン
(又はアミド)のエチレンオキサイド及び(又は)プロ
ピレンオキサイド付加物等、 (J)一般式:
2−C(CH3)H−O−を表わし、それらの存在位置は
限定されない。m1、m2、m3、m4、n1、n2、n3、
n4は整数で、m1+m2+m3+m4=5〜70、n1+n
2+n3+n4=5〜70である。m1、m2、n1、n2は
それぞれ独立に0〜6の整数を表わす。ただし、m1及
びn1、さらにm2及びn2の和は1から6の範囲内にあ
る。xは2又は3の整数を表わす。Rはアルキル基(C
1〜C30)又はアルケニル基(C1〜C30)を表わす。]
で表わされるアルキレンジアミンのアルキレンオキシド
付加物系界面活性剤、例えば、エチレンジアミンのエチ
レンオキサイド及び(又は)プロピレンオキサイドN付
加物等、 (K)一般式:
bは(CH2)mOH又は(CH2)OCH2COO-を表わ
しRcは、アルキル基(C1〜C4)、(CH2)nCO
O-、(CH2)nSO3 -又はCH(OH)CH2SO3 -を
表わし、m及びnは1〜4の整数を表わす。Mはアルカ
リ金属を表わし、Xはハロゲン、水酸基又はアルカンス
ルホン酸基(C1〜C5)を表わす。Rcがアルキル基の
場合にはMは存在せず、Rcがアルキル基以外の場合に
はMは存在してもしなくてもよく、Mが存在しないとき
にはXも存在しない。]で表わされるアルキルイミダゾ
リニウムベタイン系界面活性剤、例えば、2−ラウリル
(オレイル、セチル、ステアリル、べへニル・・・)−
N−メチル−N−ヒドロキシエチルイミダゾリニウムベ
タイン等、 (L)一般式:
がなくてもよい。Rbは水素又はメチル基若しくはエチ
ル基を表わし、該アルキル基の水素の一つがエーテル結
合を介してアシルオキシ基と結合していてもよい。Rc
はアルキル基(C5〜C20)を表わす。カルボキシル基
は水素又はアルカリ金属とイオン結合していてもよい。
mは1〜4の整数を、nは0〜4の整数を表わす。]で
表わされるアルキル(又はアミド)ベタイン系界面活性
剤、例えば、ジメチルラウリル(オレイル、セチル、ス
テアリル、べへニル・・・)ベタイン等、 (M)一般式:
酸基(C1〜C5)を表わし、Raはアルキル基(C1〜C
20)を表わし、Rb及びRcはアルキル基(C1〜C4)又
はアルコキシル基(C1〜C10)を表わし、Rdはアルキ
ル基(C1〜C10)又は脂肪酸(CH2)nCOOHを表
わし、ここで、nは1〜18の整数を表わす。Reはア
ルキル基(C8〜C20)を表わし、Rfは水素又はアルキ
ル基(C1〜C4)を表わす。]で表わされるアンモニウ
ム又はピリジニウム4級塩系界面活性剤、例えば、ラウ
リル(オレイル、セチル、ステアリル、べへニル・・
・)トリ(ジ)メチルアンモニウムクロライド等が使用
できる。
手できるものを具体的に挙げれば、前記式(A)で表さ
れるものとして、ペレックスNB−L、デモールN(花
王(株)社製)等が、前記式(C)で表されるものとし
て、ブラウノンEL−1303、ブラウノンEL−15
09、ブラウノンCH−310(青木油脂工業(株)社
製)、ニューコール1110(日本乳化剤(株)社
製)、ニッコールBL、ニッコールMYL−10(日光
ケミカルズ(株)社製)、ノイゲンET−170(第一
工業製薬(株)社製)等が、前記式(E)で表されるも
のとして、ブラウノンBN−18(青木油脂工業(株)
社製)、アデカトールPC−10(旭電化工業(株)社
製)、ノイゲンEN−10(第一工業製薬(株)社製)
等が、前記式(F)で表されるものとして、ニューコー
ル2607(日本乳化剤(株)社製)、ブラウノンDS
P−9(青木油脂工業(株)社製)等が、前記式(G)
で表されるものとして、リボノックスNC−100(ラ
イオン(株)社製)等が、前記式(H)で表されるもの
として、アデカコールPS−440E、アデカコールC
S−141E、アデカコールTS−230E(旭電化工
業(株)社製)等が、前記式(I)で表されるものとし
て、ナイミーンL207、ナイミーンT2−210、ナ
イミーンS−215(日本油脂工業(株)社製)、ニュ
ーコール420(日本乳化剤(株)社製)、ブラウノン
O−205(青木油脂工業(株)社製)等が、前記式
(J)で表されるものとして、テトロニックTR−70
1、テトロニックTR−702(旭電化工業(株)社
製)等が、前記(K)で表されるものとして、ソフタゾ
リンソフタゾリンCL、ソフタゾリンCH、ソフタゾリ
ンCHS、ソフタゾリンNS、ソフタゾリンSF(川研
ファインケミカル(株)社製)、ニッサンアノンGLM
−R(日本油脂(株)社製)、レボン101−H(三洋
化成工業(株)社製)、ニッコールAM−103EX
(日光ケミカルズ(株)社製)等が、前記式(L)で表
されるものとして、ニッサンアノンBF、ニッサンアノ
ンBL、ニッサンアノンLG、ニッサンアノンBDF−
R(日本油脂(株)社製)、アムフォタージュKJ−2
(LONZA社製)、アセタミン24(花王(株)社
製)等が、前記式(M)で表されるものとして、ニッコ
ールCA2150、ニッコールCA101(日光ケミカ
ルズ(株)社製)、テクスノールR−5(日本乳化剤
(株)社製)等が挙げられる。これら界面活性剤のめっ
き浴における濃度は、0.05〜100g/Lで、好適
には0.1〜50g/Lが使用される。
化し、半光沢性ないしは光沢性のあるめっき皮膜を得る
ために、結晶微細化剤を使用することができる。結晶微
細化剤の例としては、下記の(2)〜(18)を挙げる
ことができる。これらは単独又は適宜混合添加して使用
できる。使用量は、下記(2)〜(18)の群の結晶微
細化剤については、0.005〜30g/Lが適当であ
り、好ましくは0.02〜20g/L添加される。
ェニル基を表わし、Raは水素又はアルキル基(C1〜C
4)を表わし、Rcは水素又は水酸基を表わし、Aは単結
合、アルキル基(C1〜C4)、ベンジル基又はフェニレ
ン基を表わす。]で表されるスルファニル酸誘導体及び
その塩。 (3)一般式:
し、Rは、水素又は−CH3を表わし、nは、2〜15
の整数を表わす。]で表されるキノリン類。 (4)一般式:
C4)、アセチル基、アミノ基、水酸基又はカルボキシ
ル基を表わし、Rbは水素、ヒドロキシル基を表わし、
nは0〜12の整数を表わす。]で表されるベンゾトリ
アゾール及びその誘導体。 (5)一般式:
又は異なってもよく、−H:−SH:−OH:−OR
(Rは所望により−COOHで置換されていてもよいC
1〜C6のアルキル基)、ハロゲン、−COOH,−CO
COOH,アリール、−SR(Rは所望により−COO
Hにて置換されていてもよいC1〜C6アルキル)、
又は一緒になって環を形成してもよい)、−NHCOR
(RはC1〜C6アルキル)、−NHCOアリール、−N
HNH2、−NO2、−CONHアリール、−CSNHア
リール、−CN、−CHO:−SO3H:−SO2NH2
又は−SO2NRR’(R及びR’はC1〜C6アルキル
又は一緒になって環を形成してもよい)を意味する。]
で表されるベンゾチアゾール類。 (6)一般式:
キシル基を表わし、Rb1、Rb2は、それぞれ独立にアル
キル基(C1〜C5)を表わす。]で表されるイミン類。 (7)一般式:
4)を表わし、Rbは水素、ヒドロキシル基を表わし、n
は、0〜12の整数を表わす。]で表されるトリアジン
類。 (8)一般式:
素、アルキル基(C1〜C18)、アルコキシ基(C1〜C
18)又はC3〜C7のシクロアルキル基を表わし、Aは、
低級アルキレン基を表わす。]で表されるトリアジン
類。 (9)一般式:
基を表わす。]で表される芳香族オキシカルボン酸のエ
ステル類。 (10)一般式: Ra−CRb=CH−CO−X−Rc [ここで、Ra及びRcはフェニル、ナフチル、ピリジ
ル、キノリル、チエニル、フリル及びピロニル、アミノ
基、水酸基、若しくは水素から選ばれた基であり、該基
はC1〜C6アルキル、C1〜C6アルキルオキシ、C1〜
C6アシル、C1〜C6アルキルチオ、OH、ハロゲン、
カルボキシル基、−NO2及び−NRdRe(Rd及びRe
は、同一又は異なって各々水素又はC1〜C4アルキル)
から選ばれた同一又は異なる置換基を1〜4個有しても
よく、或いはRaとRcは結合して環状となってもよく、
或いは、RcはRa−CRb=CH−CO−に等しくても
よい。Xは、単結合若しくは−CH2−である。Rbは水
素又はC1〜C4アルキルである。]で表されるC=Oと
共役の位置に二重結合を有する化合物。 (11)一般式: R−CHO [ここで、Rはフェニル、ナフチル、アセナフチル、ピ
リジル、キノリル、チエニル、フリル、インドール及び
ピロニル基から選ばれた基であり、該基はC1〜C6アル
キル、C1〜C6アルキルオキシ、C1〜C6アシル、C1
〜C6アルキルチオ、OH、ハロゲン、NO2及び−NR
dRe(Rd及びReは、同一又は異なって各々水素又はC
1〜C4アルキル)から選ばれた同一又は異なる置換基を
1〜4個有してもよい。]で表されるアルデヒド類。 (12)一般式: Ra−CO−(CH2)n−CO−Rb [ここで、Ra及びRbは同一又は異なってそれぞれ水
素、C1〜C6アルキル及び−C2H4−CO−CO−C2
H5であり、nは0〜2の整数である。]で表されるジ
ケトン類。 (13)一般式: Ra−NH−Rb [ここで、Raはフェニル基であり、該基はC1〜C3ア
ルキル、ハロゲン、アミノ基で置換されていてもよい。
Rbは水素、C1〜C3アルキル、−NH−CS−N=N
−φ、−CH2−φ−NH2である。]で表されるアニリ
ン誘導体。 (14)一般式:
基、水酸基、ニトロ基、カルボキシル基、スルホン酸基
を表わす。]で表されるニトロ化合物又はそのナトリウ
ム、カリウム又はアンモニウム塩。 (15)一般式: HOOC−CHR−SH [ここで、Rは、水素、C1〜C2アルキルであり、該ア
ルキル基はカルボキシル基で置換されていてもよい。]
で表されるメルカプトカルボン酸類。 (16)下記から選ばれる複素環式化合物類: 1,10−フェナントロリン、2−ビニルピリジン、2
−シンナミルチオフェン、1,2,3−(又は1,2,
4−又は1,3,5−)トリアジン、2,4−ジアミノ
−6−(2’−ウンデシルイミダゾリル(1’)メチル
−S−トリアジン、1,2,3−ベンゾトリアジン、イ
ンドール、イミダゾール、2−メルカプトベンゾイミダ
ゾール、2−メルカプトベンゾオキサゾール及びキノリ
ン。 (17)アセトフェノン及びハロゲン化アセトフェノ
ン。 (18)アミン−アルデヒド縮合物。
8−ヒドロキシキノリンに5モルの酸化プロピレンを付
加した生成物、N,N’−ジイソブチリデン−o−フェ
ニレンジアミン、ベンゾチアゾール、2−アミノ−4−
クロロベンゾチアゾール、2−アミノ−6−メトキシベ
ンゾチアゾール、2−ヒドロキシベンゾチアゾール、2
−クロロベンゾチアゾール、2−メチル−5−クロロベ
ンゾチアゾール、2,5−ジメチルベンゾチアゾール、
5−ヒドロキシ−2−メチルベンゾチアゾール、6−ク
ロロ−2−メチル−4−メトキシベンゾチアゾール、2
−(n−ブチル)メルカプト−6−アミノベンゾチアゾ
ール、2−ベンゾチアゾールチオ酢酸、2−ベンゾチア
ゾールオキシ酢酸、2−メチルベンゾチアゾール、2−
メルカプトベンゾチアゾール、6−エトキシ−2−メル
カプトベンゾチアゾール、N−ブチリデンスルファニル
酸、N−シンナモイリデンスルファニル酸、N−(3−
ヒドロキシブチリデン)−p−スルファニル酸、アルド
ール、ベンズアルデヒド、m−クロロベンズアルデヒ
ド、p−ニトロベンズアルデヒド、p−ヒドロキシベン
ズアルデヒド、(o−,m−,p−)メトキシベンズア
ルデヒド、o−バニリン、ベラトルムアルデヒド、
(2,4−,2,6−)ジクロロベンズアルデヒド、
(o−,p−)クロロベンズアルデヒド、1−ナフトア
ルデヒド、2−ナフトアルデヒド、2(4)−ヒドロキ
シ−1−ナフトアルデヒド、2(4)−クロル−1−ナ
フトアルデヒド、5−メトキシナフトアルデヒド、ピコ
リンアルデヒド、3−アセナフトアルデヒド、2(3)
−チオフェンカルボキシアルデヒド、2(3)−フルア
ルデヒド、3−インドールカルボキシアルデヒド、サリ
チルアルデヒド、o−フタルアルデヒド、1−ベンジリ
デン−7−ヘプテナール、シンナムアルデヒド、ベンジ
ルクロトンアルデヒド、アミン−アルデヒド縮合物、メ
シチルオキシド、イソホロン、ジアセチル、ヘキサンジ
オン−3,4−アセチルアセトン、3−クロロベンジリ
デンアセトン、sub,ピリジリデンアセトン、su
b,フルフリジンアセトン、sub,テニリデンアセト
ン、4−(1−ナフチル)−3−ブテン−2−オン、4
−(2−フリル)−3−ブテン−2−オン、4−(2−
チオフェニル)−3−ブテン−2−オン、クルクミン、
ベンジリデンアセチルアセトン、ベンザルアセトン、ア
セトフェノン、(2,4−、3,4−)ジクロロアセト
フェノン、ベンジリデンアセトフェノン、ベンジリデン
メチルエチルケトン、ベンジリデンセトンアルコール、
p−トルイデンアセトン、p−ヒドロキシベンジリデン
アセトン、ベンジリデンメチルイソブチルケトン、4−
(1−ナフチル)−3−ブテン−2−オン、2−シンナ
ミルチオフェン、2−(ω−ベンゾイル)ビニルフラ
ン、ビニルフェニルケトン、ビフェニルプロペニルケト
ン、フェニルイソブテニルケトン、フェニル−2−メチ
ルプロペニルケトン、p−フルオロ又はクロロフェニル
プロペニルケトン、p−ヒドロキシフェニルプロペニル
ケトン、m−ニトロフェニルプロペニルケトン、p−メ
チルフェニルプロペニルケトン、2,4,6−トリメチ
ルフェニルプロペニルケトン、p−メトキシフェニルプ
ロペニルケトン、p−メトキシフェニルブテニルケト
ン、p−メチルチオフェニルプロペニルケトン、p−イ
ソブチルフェニルプロペニルケトン、α−ナフチル−1
−メチルプロペニルケトン、4−メトキシナフチルプロ
ペニルケトン、2−チエニルプロぺニルケトン、2−フ
リルプロペニルケトン、1−メチルピロールプロペニル
ケトン、アクリル酸、メタクリル酸、エタクリル酸、ア
クリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸メチ
ル、メタクリル酸ブチル、クロトン酸、イタコン酸、プ
ロピレン−1,3−ジカルボン酸、桂皮酸、アクリルア
ミド、ジアセトンアクリルアミド、t−ブチルアクリル
アミド、N−メトキシジメチルアクリルアミド、(o
−,m−,p−)トルイジン、(o−,p−)アミノア
ニリン、アニリン、(o−,p−)クロルアニリン、
(2,5−、3,4−)クロルメチルアニリン、N−モ
ノメチルアニリン、4,4’−ジアミノジフェニルメタ
ン、N−フェニル−(α−,β−)ナフチルアミン、ジ
チゾン、ベンゾトリアゾール、4−ヒドロキシベンゾト
リアゾール、4−カルボキシベンゾトリアゾール、4−
メチルベンゾトリアゾール、1,2,3−トリアジン、
1,2,4−トリアジン、1,3,5−トリアジン、
1,2,3−ベンズトリアジン、2,4−ジアミノ−6
−[2’−メチルイミダゾリル(1’)エチル]−1,
3,5−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−
エチルイミダゾリル(1’)エチル]−1,3,5−ト
リアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−ウンデシル
イミダゾリル(1’)エチル]−1,3,5−トリアジ
ン、β−N−ドデシルアミノプロピオグアナミン、β−
N−ヘキシルアミノプロピオグアナミン、ピペリジンプ
ロピオグアナミン、シクロヘキシルアミノプロピオグア
ナミン、モルホリンプロピオグアナミン、β−N−(2
−エチルヘキシロキシプロピルアミノ)プロピオグアナ
ミン、β−N−(ラウリルオキシプロピルアミノ)プロ
ピオグアナミン、o−(m−,p−)安息香酸メチル、
サリチル酸フェニル、p−ニトロフェノール、ニトロベ
ンゼンスルホン酸、2,4−ジニトロベンゼンスルホン
酸、m−ニトロ安息香酸、チオグリコール酸、メルカプ
トこはく酸、イミダゾール、2−ビニルピリジン、イン
ドール、キノリンなどを挙げることができる。
を向上し、浴電圧を低くするために、電導塩を添加する
ことができる。電導塩には、公知のものが使用でき、例
えば、塩化カリウム、塩化アンモニウムなどを単独又は
適宜混合して使用できる。電導塩の使用量は、5〜50
g/L程度が適当であり、好ましくは10〜20g/L
程度添加される。
pH13、好ましくは強酸性〜11であるので、中性領
域で使用する場合には、浴のpH変動を少なくするため
に、pH緩衝剤を添加することができる。緩衝剤には、
公知のものが使用でき、例えば、リン酸、酢酸、硼酸、
酒石酸のそれぞれナトリウム、カリウムおよびアンモニ
ウムの塩さらには多塩基酸の場合には、水素イオンを含
む酸性塩などを単独又は適宜混合して使用できる。pH
緩衝剤の使用量は、5〜50g/L程度が適当であり、
好ましくは10〜20g/L程度添加される。pH緩衝
剤は当然電解質であるので、pH緩衝剤の添加をもって
伝導塩としての役割を担わせてもよい。
自然酸化を抑制するために、酸化防止剤を添加すること
ができる。酸化防止剤には、公知のものが使用でき、例
えば、レゾルシノール、ピロカテコール、ハイドロキノ
ン、フロログリシノール、ピロガロール、ヒドラジンな
どを単独又は適宜混合して使用できる。酸化防止剤の使
用量は、0.05〜50g/L程度が適当であり、好ま
しくは0.1〜10g/L添加される。本発明のめっき
浴の各成分濃度は、バレルめっき、ラックめっき、連続
めっき等に対応して、前記の範囲内にて任意に選択する
ことができる。
に説明するが、本発明はこれらの例によって限定される
ものではなく、前述した目的に沿ってめっき浴の組成及
びめっき条件は適宜、任意に変更することができる。得
られた浴を用いて、ハルセルテストを行った。ハルセル
テスト条件は、総電流1.0A、めっき時間5分、温度
25℃である。カソードは、0.3×70×100mm
の銅板とし、バフ研磨→ベンジン脱脂→電解脱脂→水洗
→5%硫酸浸漬→水洗→(ニッケルめっき→水洗)→錫
−銀合金めっき→水洗→乾燥の工程でめっきを行い、外
観を評価した。実施例の中に特に記載のないものは下地
ニッケルめっきを施さなかった場合の結果である。
ハルセルテストには無電解ニッケルめっきを約3μm施
したテストパネルを使用した。 塩化錫 0.15 mol/L ヨウ化銀 0.025 mol/L クエン酸3Na 0.8 mol/L ヨウ化カリ 2.0 mol/L チオ尿素 0.25 mol/L ポリエチレングリコール 10 g/L ソフタゾリンNS(川研ファインケミカル社製) 5 g/L スチレン化フェノールの ポリエチレンオキサイド付加物 5 g/L m−ニトロベンズアルデヒド 0.01 g/L クレゾールスルホン酸 50 g/L pH <1
ハルセルテストには無電解ニッケルめっきを約3μm施
したテストパネルを使用した。 ホウフッ化錫 0.10 mol/L 硝酸銀 0.005 mol/L スルホコハク酸 0.10 mol/L 1−ヒドロキシエタン−1,1−ビスホスホン酸 0.48 mol/L ヨウ化カリ 1.0 mol/L チオ尿素 0.05 mol/L 2,4−ジアミノ−6−{2’−メチルイミダゾリル(1’)} エチル−3,5−トリアジン 0.05 g/L N,N’−ジイソブチル−o−フェニレンジアミン 0.05 g/L pH 3
記組成を有する錫−銀合金めっき浴を調製した。 塩化第一錫 0.195 mol/L ヨウ化銀 0.005 mol/L ピロリン酸K 0.55 mol/L ヨウ化カリウム 2.0 mol/L pH 9
果に基づいて、ハルセン板上の各電流密度に相当する箇
所の外観を下記の表1にまとめた。
m2 の電流密度で銅板に約5μのめっきを施し、メニス
コグラフ法ではんだ付け性を測定した。はんだ浴として
は6/4のSn/Pbはんだを用い、230℃で測定し
た。得られたゼロクロスタイム(秒)を下記の表2に示
す。
めっき皮膜は、添加剤を加えない比較例の浴から得られ
た皮膜に比べて平滑で緻密な析出物となっていることが
わかるとともに、そのような緻密な皮膜ははんだ付け性
が大きく改善されていることがわかる。
めっき浴は、平滑で粒子が細かく、はんだ付け性に優
れ、皮膜中の銀含有率の低い銀−錫合金めっき皮膜を得
るのを可能にするものであり、錫−鉛はんだに代替する
錫−銀はんだに対応可能な表面処理を提供するものであ
る。
Claims (3)
- 【請求項1】 下記の(I)、(II)及び(III)を必
須成分とするめっき液において、更に下記の一般式
(A)、(C)、(E)〜(M)で表される少なくとも
1種の界面活性剤、下記の(2)〜(18)の化合物よ
り選ばれた結晶微細化剤の1種又は2種以上並びに導電
塩を添加してなる非シアン系錫−銀合金電気めっき液: (I)2価の錫の非シアン化合物及び1価の銀の非シア
ン化合物、 (II)2価の錫化合物を水溶液中に安定に保つに必要な
量の (a)アルキル基の炭素数が0〜3の脂肪族ジカルボン
酸、 (b)アルキル基の炭素数が1〜2の脂肪族ヒドロキシ
モノカルボン酸、 (c)アルキル基の炭素数が1〜3の脂肪族ヒドロキシ
ポリカルボン酸、 (d)単糖類及びその一部が酸化されたポリヒドロキシ
カルボン酸並びにそれらの環状エステル化合物、 (e)アルキル基の炭素数が1〜4の脂肪族モノ−若し
くはジ−アミノ、モノ−若しくはジ−カルボン酸、 (f)アルキル基の炭素数が2〜3の脂肪族モノメルカ
プトモノカルボン酸及び脂肪族モノメルカプトジカルボ
ン酸及び脂肪族モノメルカプトモノアミノモノカルボン
酸、 (g)アルキル基の炭素数が2〜3の脂肪族モノスルホ
モノカルボン酸及び脂肪族モノスルホジカルボン酸、 (h)下記のアミンカルボン酸:エチレンジアミンテト
ラ酢酸(EDTA)、イミノジ酢酸(IDA)、ニトリ
ロトリ酢酸(NTA)、ジエチレントリアミンペンタ酢
酸(DTPA)、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸
(TTHA)、エチレンジオキシビス(エチルアミン)
−N,N,N’,N’−テトラ酢酸、グリコールエチレ
ンジアミンテトラ酢酸(GEDTA)及びN−ヒドロキ
シエチルエチレンジアミンテトラ酢酸(HEEDTA)
から選ばれるもの、 (i)縮合リン酸、及び (j)アルカンの炭素数が1〜3のヒドロキシアルカン
ビスホスホン酸から選ばれた化合物又はその塩の1種又
は2種以上、 (III)1価の銀化合物を液中に安定に保つに必要な量
の (a)チオ尿素及びアルキル基の炭素数が1〜3のモノ
−又はジ−アルキルチオ尿素 (b)チオ硫酸 (c)ヨウ素化合物、及び (d)臭素化合物 から選ばれた化合物又はその塩の1種又は2種以上、
(A)一般式: 【化1】 [ここで、Rはアルキル基(C1〜C25)を表わし、M
は水素又はアルカリ金属を表わす。]で表わされるナフ
タレンスルホン酸系界面活性剤、 (C)一般式: R−D−(A)m−(B)n−H [ここで、A及びBは−CH2−CH2−O−又は−CH
2−C(CH3)H−O−を表わし、それらの存在位置は
限定されず、m及びnは、0〜40の整数を表わす。た
だし、m及びnの和は1〜40の範囲内にある。Rは炭
素数1〜22のアルキル基又は炭素数1〜25の脂肪酸
でエステル化したソルビタンを表わす。Dは、−O−又
は−COO−を表わす。]で表わされるポリオキシアル
キレンアルキルエーテル(又はエステル)系界面活性
剤、 (E)一般式: 【化2】 [ここで、A及びBは−CH2−CH2−O−又は−CH
2−C(CH3)H−O−を表わし、それらの存在位置は
限定されず、m及びnは0〜40の整数を表わす。ただ
し、m及びnの和は1〜40の範囲内にある。Rは水素
又はアルキル基(C1〜C25)を表わす。]で表わされ
るポリオキシアルキレンナフチル(又はアルキルナフチ
ル)エーテル系界面活性剤、 (F)一般式: 【化3】 [ここで、A及びBは−CH2−CH2−O−又は−CH
2−C(CH3)H−O−を表わし、それらの存在位置は
限定されず、m及びnは0〜40の整数を表わす。ただ
し、m及びnの和は1〜40の範囲内にある。Ra、
Rb、Rcは、それぞれ独立に水素、フェニル基、アルキ
ル基(C1〜C4)又は−CH(CH3)−φを表わす。
ただし、少なくとも1つはフェニル基若しくは−CH
(CH3)−φであるものとする。]で表わされるポリ
オキシアルキレンスチレン化フェニルエーテル系界面活
性剤、 (G)一般式: 【化4】 [ここで、A及びBは−CH2−CH2−O−又は−CH
2−C(CH3)H−O−を表わし、それらの存在位置は
限定されない。Rc1、Rc2は、それぞれ独立に水素、フ
ェニル基又はアルキル基(C1〜C4)を表わし、Rd、
Reは、それぞれ独立に水素又は−CH3を表わし、
m1、m2、n1、n2はそれぞれ独立に0〜40の整数を
表わす。ただし、m1及びn1、さらにm2及びn2の和は
1〜40の範囲内にある。]で表わされるポリオキシア
ルキレンスチレン化フェニルエーテルのフェニル基にさ
らにポリオキシアルキレン鎖を付加した界面活性剤、 (H)一般式: 【化5】 [ここで、Ra及びRbは水素若しくはアルキル基(C1
〜C25)を表わし、同一又は異なってもよい。A及びB
は−CH2−CH2−O−又は−CH2−C(CH3)H−
O−を表わし、それらの存在位置は限定されない。
m1、m2、n1、n2はそれぞれ独立に0〜40の整数を
表わす。ただし、m1及びn1、さらにm2及びn2の和は
1〜40の範囲内にある。Mは水素又はアルカリ金属を
示す。]で表わされるリン酸エステル系界面活性剤、 (I)一般式: 【化6】 [ここで、Rはアルキル基(C1〜C30)、アルケニル
(C1〜C30)又はアシル基(C1〜C30)を表わし、A
及びBは−CH2−CH2−O−又は−CH2−C(C
H3)H−O−を表わし、それらの存在位置は限定され
ない。m1、m2、n1、n2はそれぞれ独立に0〜6の整
数を表わす。ただし、m1及びn1、さらにm2及びn2の
和は1〜6の範囲内にある。CH2−CH(CH3)−O
の付加モル数がCH2−CH2−Oの付加モル数より多い
ことはない。]で表わされるポリオキシアルキレンアル
キル(又はアルケニル)アミン(又はアミド)系界面活
性剤、 (J)一般式: 【化7】 [ここで、A及びBは−CH2−CH2−O−又は−CH
2−C(CH3)H−O−を表わし、それらの存在位置は
限定されない。m1、m2、m3、m4、n1、n2、n3、
n4は整数で、m1+m2+m3+m4=5〜70、n1+n
2+n3+n4=5〜70である。m1、m2、n1、n2は
それぞれ独立に0〜6の整数を表わす。ただし、m1及
びn1、さらにm2及びn2の和は1〜6の範囲内にあ
る。xは2又は3の整数を表わす。Rはアルキル基(C
1〜C30)又はアルケニル基(C1〜C30)を表わす。]
で表わされるアルキレンジアミンのアルキレンオキシド
付加物系界面活性剤、 (K)一般式: 【化8】 [ここで、Raはアルキル基(C1〜C20)を表わし、R
bは(CH2)mOH又は(CH2)OCH2COO-を表わ
しRcは、アルキル基(C1〜C4)、(CH2)nCO
O-、(CH2)nSO3 -又はCH(OH)CH2SO3 -を
表わし、m及びnは1〜4の整数を表わす。Mはアルカ
リ金属を表わし、Xはハロゲン、水酸基又はアルカンス
ルホン酸基(C1〜C5)を表わす。Rcがアルキル基の
場合にはMは存在せず、Rcがアルキル基以外の場合に
はMは存在してもしなくてもよく、Mが存在しないとき
にはXも存在しない。]で表わされるアルキルイミダゾ
リニウムベタイン系界面活性剤、 (L)一般式: 【化9】 [ここで、Raは水素又はメチル基を表わし、又は結合
がなくてもよい。Rbは水素又はメチル基若しくはエチ
ル基を表わし、該アルキル基の水素の一つがエーテル結
合を介してアシルオキシ基と結合していてもよい。Rc
はアルキル基(C5〜C20)を表わす。カルボキシル基
は水素又はアルカリ金属とイオン結合していてもよい。
mは1〜4の整数を、nは0〜4の整数を表わす。]で
表わされるアルキル(又はアミド)ベタイン系界面活性
剤、 (M)一般式: 【化10】 [ここで、Xはハロゲン、水酸基又はアルカンスルホン
酸基(C1〜C5)を表わし、Raはアルキル基(C1〜C
20)を表わし、Rb及びRcはアルキル基(C1〜C4)又
はアルコキシル基(C1〜C10)を表わし、Rdはアルキ
ル基(C1〜C10 )又は脂肪酸(CH2)nCOOHを表
わし、ここで、nは1〜18の整数を表わす。Reはア
ルキル基(C8〜C20)を表わし、Rfは水素又はアルキ
ル基(C1〜C4)を表わす。]で表わされるアンモニウ
ム又はピリジニウム4級塩系界面活性剤、 (2)一般式: 【化11】 [ここで、Rbは水素、アルキル基(C1〜C4)又はフ
ェニル基を表わし、Raは水素又はアルキル基(C1〜C
4)を表わし、Rcは水素又は水酸基を表わし、Aは単結
合、アルキル基(C1〜C4)、ベンジル基又はフェニレ
ン基を表わす。]で表されるスルファニル酸誘導体及び
その塩、 (3)一般式: 【化12】 [ここで、Xは水素又はアルキル基(C1〜C4)を表わ
し、Rは、水素又は−CH3を表わし、nは、2〜15
の整数を表わす。]で表されるキノリン類、 (4)一般式: 【化13】 [ここで、Xは水素、ハロゲン、アルキル基(C1〜
C4)、アセチル基、アミノ基、水酸基又はカルボキシ
ル基を表わし、Rbは水素、ヒドロキシル基を表わし、
nは0〜12の整数を表わす。]で表されるベンゾトリ
アゾール及びその誘導体、 (5)一般式: 【化14】 [ここで、R1、R2、R3、R4、R5は、それぞれ同一
又は異なってもよく、−H:−SH:−OH:−OR
(Rは所望により−COOHで置換されていてもよいC
1〜C6のアルキル基)、ハロゲン、−COOH,−CO
COOH,アリール、−SR(Rは所望により−COO
Hにて置換されていてもよいC1〜C6アルキル)、 【化15】 −NH2,−NRR’(R及びR’はC1〜C6アルキル
又は一緒になって環を形成してもよい)、−NHCOR
(RはC1〜C6アルキル)、−NHCOアリール、−N
HNH2、−NO2、−CONHアリール、−CSNHア
リール、−CN、−CHO:−SO3H:−SO2NH2
又は−SO2NRR’(R及びR’はC1〜C6アルキル
又は一緒になって環を形成してもよい)を意味する。]
で表されるベンゾチアゾール類、 (6)一般式: 【化16】 [ここで、Ra1、Ra2は、それぞれ独立に水素、ヒドロ
キシル基を表わし、Rb1、Rb2は、それぞれ独立にアル
キル基(C1〜C5)を表わす。]で表されるイミン類、 (7)一般式: 【化17】 [ここで、Raは水素、ハロゲン、アルキル基(C1〜C
4)を表わし、Rbは水素、ヒドロキシル基を表わし、n
は、0〜12の整数を表わす。]で表されるトリアジン
類、 (8)一般式: 【化18】 [ここで、Ra、Rbは、同一又は異なっていてもよく水
素、アルキル基(C1〜C18)、アルコキシ基(C1〜C
18)又はC3〜C7のシクロアルキル基を表わし、Aは、
低級アルキレン基を表わす。]で表されるトリアジン
類、 (9)一般式: 【化19】 [ここで、Rは、アルキル基(C1〜C4)又はフェニル
基を表わす。]で表される芳香族オキシカルボン酸のエ
ステル類、 (10)一般式: Ra−CRb=CH−CO−X−Rc [ここで、Ra及びRcはフェニル、ナフチル、ピリジ
ル、キノリル、チエニル、フリル及びピロニル、アミノ
基、水酸基、若しくは水素から選ばれた基であり、該基
はC1〜C6アルキル、C1〜C6アルキルオキシ、C1〜
C6アシル、C1〜C6アルキルチオ、OH、ハロゲン、
カルボキシル基、−NO2及び−NRdRe(Rd及びRe
は、同一又は異なって各々水素又はC1〜C4アルキル)
から選ばれた同一又は異なる置換基を1〜4個有しても
よく、或いはRaとRcは結合して環状となってもよく、
或いは、RcはRa−CRb=CH−CO−に等しくても
よい。Xは、単結合若しくは−CH2−である。Rbは水
素又はC1〜C4アルキルである。]で表されるC=Oと
共役の位置に二重結合を有する化合物、 (11)一般式: R−CHO [ここで、Rはフェニル、ナフチル、アセナフチル、ピ
リジル、キノリル、チエニル、フリル、インドール及び
ピロニル基から選ばれた基であり、該基はC1〜C6アル
キル、C1〜C6アルキルオキシ、C1〜C6アシル、C1
〜C6アルキルチオ、OH、ハロゲン、NO2及び−NR
dRe(Rd及びReは、同一又は異なって各々水素又はC
1〜C4アルキル)から選ばれた同一又は異なる置換基を
1〜4個有してもよい。]で表されるアルデヒド類。 (12)一般式: Ra−CO−(CH2)n−CO−Rb [ここで、Ra及びRbは同一又は異なってそれぞれ水
素、C1〜C6アルキル及び−C2H4−CO−CO−C2
H5であり、nは0〜2の整数である。]で表されるジ
ケトン類、 (13)一般式: Ra−NH−Rb [ここで、Raはフェニル基であり、該基はC1〜C3ア
ルキル、ハロゲン、アミノ基で置換されていてもよい。
Rbは水素、C1〜C3アルキル、−NH−CS−N=N
−φ、−CH2−φ−NH2である。]で表されるアニリ
ン誘導体、 (14)一般式: 【化20】 [ここで、Ra及びRbは同一又は異なってそれぞれ水
素、低級アルキル基、水酸基、ニトロ基、カルボキシル
基、スルホン酸基を表わす。]で表されるニトロ化合物
又はそのナトリウム、カリウム又はアンモニウム塩、 (15)一般式: HOOC−CHR−SH [ここで、Rは水素又はC1〜C2アルキルであり、該ア
ルキル基はカルボキシル基で置換されていてもよい。]
で表されるメルカプトカルボン酸類、 (16)下記から選ばれる複素環式化合物類: 1,10−フェナントロリン、2−ビニルピリジン、2
−シンナミルチオフェン、1,2,3−(又は1,2,
4−又は1,3,5−)トリアジン、2,4−ジアミノ
−6−(2’−ウンデシルイミダゾリル(1’)メチル
−S−トリアジン、1,2,3−ベンゾトリアジン、イ
ンドール、イミダゾール、2−メルカプトベンゾイミダ
ゾール、2−メルカプトベンゾオキサゾール及びキノリ
ン、 (17)アセトフェノン及びハロゲン化アセトフェノ
ン、 (18)アミン−アルデヒド縮合物。 - 【請求項2】 さらに、pH緩衝剤を添加してなる請求
項1に記載の非シアン系錫−銀合金電気めっき液。 - 【請求項3】 さらに、酸化防止剤を添加してなる請求
項1又は2のいずれかに記載の非シアン系錫−銀合金電
気めっき液。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14348196A JP3538499B2 (ja) | 1996-05-15 | 1996-05-15 | 錫−銀合金電気めっき浴 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14348196A JP3538499B2 (ja) | 1996-05-15 | 1996-05-15 | 錫−銀合金電気めっき浴 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09302498A JPH09302498A (ja) | 1997-11-25 |
JP3538499B2 true JP3538499B2 (ja) | 2004-06-14 |
Family
ID=15339713
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14348196A Expired - Lifetime JP3538499B2 (ja) | 1996-05-15 | 1996-05-15 | 錫−銀合金電気めっき浴 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3538499B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6099713A (en) * | 1996-11-25 | 2000-08-08 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Tin-silver alloy electroplating bath and tin-silver alloy electroplating process |
US6210556B1 (en) * | 1998-02-12 | 2001-04-03 | Learonal, Inc. | Electrolyte and tin-silver electroplating process |
JP3298537B2 (ja) | 1999-02-12 | 2002-07-02 | 株式会社村田製作所 | Sn−Bi合金めっき浴、およびこれを使用するめっき方法 |
DE10026680C1 (de) * | 2000-05-30 | 2002-02-21 | Schloetter Fa Dr Ing Max | Elektrolyt und Verfahren zur Abscheidung von Zinn-Silber-Legierungsschichten und Verwendung des Elektrolyten |
JP4880138B2 (ja) * | 2001-07-13 | 2012-02-22 | 石原薬品株式会社 | スズメッキ浴、スズメッキ方法及び当該メッキ浴を用いてスズメッキを施した電子部品 |
JP3741709B1 (ja) * | 2005-02-07 | 2006-02-01 | Fcm株式会社 | Sn−Ag−Cu三元合金薄膜を形成する方法 |
KR100872622B1 (ko) | 2004-10-21 | 2008-12-09 | 에프씨엠 가부시끼가이샤 | 기재상에 주석-은-구리 3원합금 박막을 형성하는 방법 |
JP4756887B2 (ja) * | 2005-03-22 | 2011-08-24 | 石原薬品株式会社 | 非シアン系のスズ−銀合金電気メッキ浴 |
US7713859B2 (en) * | 2005-08-15 | 2010-05-11 | Enthone Inc. | Tin-silver solder bumping in electronics manufacture |
JP5574912B2 (ja) * | 2010-10-22 | 2014-08-20 | ローム・アンド・ハース電子材料株式会社 | スズめっき液 |
JP6088295B2 (ja) | 2013-03-07 | 2017-03-01 | ローム・アンド・ハース電子材料株式会社 | スズ合金めっき液 |
US20150122662A1 (en) * | 2013-11-05 | 2015-05-07 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Plating bath and method |
CN116837429B (zh) * | 2023-08-29 | 2023-11-10 | 宁波德洲精密电子有限公司 | 一种适用于引线框架镀锡的电镀液 |
-
1996
- 1996-05-15 JP JP14348196A patent/JP3538499B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH09302498A (ja) | 1997-11-25 |
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