JPH1046385A - 電気・電子回路部品 - Google Patents
電気・電子回路部品Info
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- JPH1046385A JPH1046385A JP21909096A JP21909096A JPH1046385A JP H1046385 A JPH1046385 A JP H1046385A JP 21909096 A JP21909096 A JP 21909096A JP 21909096 A JP21909096 A JP 21909096A JP H1046385 A JPH1046385 A JP H1046385A
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
Abstract
(57)【要約】
【課題】 特別のめっき皮膜を有する電気・電子回路部
品を提供する。 【解決手段】 0.1%以上、15%以下の亜鉛含有率
を有し、かつ光沢又は半光沢を有する0.1〜100μ
mの厚さの錫−亜鉛合金めっき皮膜を予め被覆した電気
・電子回路部品である。
品を提供する。 【解決手段】 0.1%以上、15%以下の亜鉛含有率
を有し、かつ光沢又は半光沢を有する0.1〜100μ
mの厚さの錫−亜鉛合金めっき皮膜を予め被覆した電気
・電子回路部品である。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、はんだ接合技術
に関し、特に、錫−亜鉛系のはんだで電気・電子回路を
接合するに適した錫−亜鉛合金めっきを施した電気・電
子回路部品に関する。
に関し、特に、錫−亜鉛系のはんだで電気・電子回路を
接合するに適した錫−亜鉛合金めっきを施した電気・電
子回路部品に関する。
【0002】
【従来の技術】電気・電子工業においては、はんだ接合
によって回路を形成する方法は不可欠の技術であり、従
来、素材の熱損傷を避けるためにごく低温で接合しなけ
ればならないなどの特殊な例を除き、ほとんどの場合に
接合材としては錫−鉛合金が、またはんだ付け皮膜とし
ても錫−鉛合金めっきが利用されてきた。
によって回路を形成する方法は不可欠の技術であり、従
来、素材の熱損傷を避けるためにごく低温で接合しなけ
ればならないなどの特殊な例を除き、ほとんどの場合に
接合材としては錫−鉛合金が、またはんだ付け皮膜とし
ても錫−鉛合金めっきが利用されてきた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
鉛の健康・環境への影響が懸念され、有害な鉛を含む錫
−鉛はんだ接合材を規制しようとする考えが急速に広ま
りつつあり、鉛レスの代替接合材を開発する必要に迫ら
れている。錫−鉛はんだ接合材の代替となりうるような
錫との合金における第2成分となる金属元素の条件は毒
性が低くかつ錫合金とした際に融点が低くなければなら
ず、候補になりうる可能性がある元素は、銀、ビスマ
ス、銅、インジウム、アンチモン、亜鉛などに限定され
ざるを得ず、いまのところ錫−鉛はんだ接合材に代替で
きるような鉛レスのはんだで工業的に採用し得る性能を
満足するものはなく、日米欧を中心として研究開発が行
われているところであるが、亜鉛は第2成分金属元素と
して、特にコストの観点から有力な候補金属の一つとし
て研究対象として挙げられる。しかしながら、錫−亜鉛
系はんだ接合材は、かつて古く行われていたようなはん
だごてによる高温かつ時間をかけたはんだ接合などには
利用可能な程度に操作性や性能を有した接合材である
が、多数の接合個所を有する高密度実装の回路部品を低
温かつ迅速に連続して接合しなければならない電気・電
子部品の接合材としては問題点も多い。すなわち、錫−
亜鉛合金は錫−鉛合金に比べて、融点が高く、また亜鉛
は空気によって酸化され易い。さらに、錫中に亜鉛が混
入するとざらつきを生じるところから、現状の錫−鉛系
のはんだを用いる際には、亜鉛の混入許容量は通常0.
001%以下でなければならないとされている程であ
る。このように問題点の多い亜鉛であるが、鉛の使用が
厳しく規制されるならば、利用可能な技術を開発し、そ
れらの問題点を解決していかなければならない。一方、
錫−鉛系はんだ接合材によってはんだ接合を行う場合、
接合を迅速かつ確実に行うために、部品をはんだ接合工
程に供する以前にはんだ接合されやすいめっき皮膜を施
しておくことが行われている。あらかじめ施されるめっ
き皮膜としては、以前には錫めっきが施されていたが、
現在ではほとんどの場合、錫−鉛合金が利用され、その
他に、錫、金、銀、パラジウムなどのめっき皮膜が利用
されている。はんだ接合材に含有される鉛が規制されれ
ば、同時に前処理としての錫−鉛合金めっき皮膜もまた
その使用を制限されざるを得ない。
鉛の健康・環境への影響が懸念され、有害な鉛を含む錫
−鉛はんだ接合材を規制しようとする考えが急速に広ま
りつつあり、鉛レスの代替接合材を開発する必要に迫ら
れている。錫−鉛はんだ接合材の代替となりうるような
錫との合金における第2成分となる金属元素の条件は毒
性が低くかつ錫合金とした際に融点が低くなければなら
ず、候補になりうる可能性がある元素は、銀、ビスマ
ス、銅、インジウム、アンチモン、亜鉛などに限定され
ざるを得ず、いまのところ錫−鉛はんだ接合材に代替で
きるような鉛レスのはんだで工業的に採用し得る性能を
満足するものはなく、日米欧を中心として研究開発が行
われているところであるが、亜鉛は第2成分金属元素と
して、特にコストの観点から有力な候補金属の一つとし
て研究対象として挙げられる。しかしながら、錫−亜鉛
系はんだ接合材は、かつて古く行われていたようなはん
だごてによる高温かつ時間をかけたはんだ接合などには
利用可能な程度に操作性や性能を有した接合材である
が、多数の接合個所を有する高密度実装の回路部品を低
温かつ迅速に連続して接合しなければならない電気・電
子部品の接合材としては問題点も多い。すなわち、錫−
亜鉛合金は錫−鉛合金に比べて、融点が高く、また亜鉛
は空気によって酸化され易い。さらに、錫中に亜鉛が混
入するとざらつきを生じるところから、現状の錫−鉛系
のはんだを用いる際には、亜鉛の混入許容量は通常0.
001%以下でなければならないとされている程であ
る。このように問題点の多い亜鉛であるが、鉛の使用が
厳しく規制されるならば、利用可能な技術を開発し、そ
れらの問題点を解決していかなければならない。一方、
錫−鉛系はんだ接合材によってはんだ接合を行う場合、
接合を迅速かつ確実に行うために、部品をはんだ接合工
程に供する以前にはんだ接合されやすいめっき皮膜を施
しておくことが行われている。あらかじめ施されるめっ
き皮膜としては、以前には錫めっきが施されていたが、
現在ではほとんどの場合、錫−鉛合金が利用され、その
他に、錫、金、銀、パラジウムなどのめっき皮膜が利用
されている。はんだ接合材に含有される鉛が規制されれ
ば、同時に前処理としての錫−鉛合金めっき皮膜もまた
その使用を制限されざるを得ない。
【0004】
【課題を解決するための手段】はんだ接合の前処理のめ
っき皮膜で鉛を含まないものとして、前述の金、銀、パ
ラジウム、錫などを利用する方法も考えられるが、錫単
独の皮膜はウィスカーの発生という観点から、また、
金、銀、パラジウムなどはコストの観点から、これらを
工業的に全面的に採用することはできない。これに対し
て発明者らは、亜鉛の含有量が0.1%〜15%であっ
て、かつ、光沢ないしは半光沢である錫−亜鉛合金めっ
き皮膜を前処理として施しておくことにより、はんだ接
合材として錫−亜鉛系の合金を使用した際にも優れたは
んだ接合性が得られることを見出し、錫−亜鉛系はんだ
接合材の電気・電子回路部品への適用を可能とし、はん
だ接合工程における鉛規制問題を解決するに至った。錫
−亜鉛合金めっきは、従来耐食性皮膜として、特に毒性
の高いカドミウムめっきの代替皮膜として研究され、2
0%〜35%の亜鉛含有率の皮膜が高耐食性を示すとし
て推奨されるとともに、そのような組成の場合にめっき
皮膜粒子が微細になり易いところから、該組成のめっき
皮膜を得る方法についてはシアン浴を中心として幾種類
かの浴が報告され、限られた範囲ではあるが工業的に利
用されている。しかしながら、発明者らの検討の結果、
そのように亜鉛含有率が高い場合にはめっき皮膜の融点
が高く、かつ、はんだ接合温度で空気中の酸素によって
酸化される亜鉛量が多いところから、はんだ接合の前処
理用皮膜としては適切でないことがわかった。鋭意研究
の結果、発明者らは、皮膜中の亜鉛含有率を15%以下
とし、かつ皮膜の結晶粒子を外観が半光沢ないしは光沢
を示す程度にまで微細化させたものを使用することによ
って、良好なはんだ接合性が得られることを見出した。
また、本発明が環境問題を解決する手段の一つであるこ
とに鑑み、該処理を施すためのめっき浴は非シアンの浴
を用いるべきである。
っき皮膜で鉛を含まないものとして、前述の金、銀、パ
ラジウム、錫などを利用する方法も考えられるが、錫単
独の皮膜はウィスカーの発生という観点から、また、
金、銀、パラジウムなどはコストの観点から、これらを
工業的に全面的に採用することはできない。これに対し
て発明者らは、亜鉛の含有量が0.1%〜15%であっ
て、かつ、光沢ないしは半光沢である錫−亜鉛合金めっ
き皮膜を前処理として施しておくことにより、はんだ接
合材として錫−亜鉛系の合金を使用した際にも優れたは
んだ接合性が得られることを見出し、錫−亜鉛系はんだ
接合材の電気・電子回路部品への適用を可能とし、はん
だ接合工程における鉛規制問題を解決するに至った。錫
−亜鉛合金めっきは、従来耐食性皮膜として、特に毒性
の高いカドミウムめっきの代替皮膜として研究され、2
0%〜35%の亜鉛含有率の皮膜が高耐食性を示すとし
て推奨されるとともに、そのような組成の場合にめっき
皮膜粒子が微細になり易いところから、該組成のめっき
皮膜を得る方法についてはシアン浴を中心として幾種類
かの浴が報告され、限られた範囲ではあるが工業的に利
用されている。しかしながら、発明者らの検討の結果、
そのように亜鉛含有率が高い場合にはめっき皮膜の融点
が高く、かつ、はんだ接合温度で空気中の酸素によって
酸化される亜鉛量が多いところから、はんだ接合の前処
理用皮膜としては適切でないことがわかった。鋭意研究
の結果、発明者らは、皮膜中の亜鉛含有率を15%以下
とし、かつ皮膜の結晶粒子を外観が半光沢ないしは光沢
を示す程度にまで微細化させたものを使用することによ
って、良好なはんだ接合性が得られることを見出した。
また、本発明が環境問題を解決する手段の一つであるこ
とに鑑み、該処理を施すためのめっき浴は非シアンの浴
を用いるべきである。
【0005】発明の概要 即ち、本発明は、錫−亜鉛系はんだ接合材で接合される
電気・電子回路部品表面を、非シアン系の錫−亜鉛合金
電気めっき浴から得られた光沢又は半光沢を有し、か
つ、0.1%以上で15%以下に限定された亜鉛含有率
を有する皮膜で予め被覆しておくことを特徴とする電気
・電子回路部品である。また、本発明は、錫−亜鉛合金
めっき皮膜を施した後に、さらにリン酸塩処理を施すこ
とを特徴とする上記の電気・電子回路部品である。さら
に、本発明は、錫−亜鉛合金めっき皮膜を施すに先立っ
て、さらに電気めっき又は無電解めっきによってニッケ
ル又はニッケル合金又は銅の下層めっき皮膜を施すこと
を特徴とする上記の電気・電子回路部品である。
電気・電子回路部品表面を、非シアン系の錫−亜鉛合金
電気めっき浴から得られた光沢又は半光沢を有し、か
つ、0.1%以上で15%以下に限定された亜鉛含有率
を有する皮膜で予め被覆しておくことを特徴とする電気
・電子回路部品である。また、本発明は、錫−亜鉛合金
めっき皮膜を施した後に、さらにリン酸塩処理を施すこ
とを特徴とする上記の電気・電子回路部品である。さら
に、本発明は、錫−亜鉛合金めっき皮膜を施すに先立っ
て、さらに電気めっき又は無電解めっきによってニッケ
ル又はニッケル合金又は銅の下層めっき皮膜を施すこと
を特徴とする上記の電気・電子回路部品である。
【0006】
【発明の実施の形態】まず、該電気・電子回路部品を製
造するための錫−亜鉛合金めっきについて説明を加え
る。錫−亜鉛合金は、はんだ付け性が良好と記載されて
いる文献があるが、これは例えば鉄やニッケルのような
材質と比較してのことであり、錫−鉛系合金等と比較し
た際にははんだ付け性は劣ると言わざるを得ない。した
がって、従来耐食性が良好であり、はんだ接合が可能で
あるという理由で推奨されてきた20%〜35%の亜鉛
含有量の皮膜では、低温・短時間での接合完了が要求さ
れる電気・電子回路の接合に適するレベルまでの良好な
はんだ付け性は発揮されず、共晶組成である8%を中心
とした0.1%〜15%の低融点領域に限定しなければ
ならない。すなわち、従来推奨されてきた20%〜35
%の亜鉛含有量の皮膜の融点は概ね240℃から320
℃に達する。これに対して0.1%〜15%の領域に限
定することによって、融点は概ね198℃から240℃
の範囲に入り、錫−鉛系で通常使用されてきた230℃
はその範囲に入る。また、良好なはんだ付け性を発揮さ
せるためにさらに重要なことは、該めっき皮膜を形成す
る結晶粒子が、外観状態が半光沢ないしは光沢を有する
程度まで十分に微細であることが要求されることであ
る。かようなる条件に限定された錫−亜鉛合金めっき皮
膜を0.1〜100μmの厚さに前処理として予め施す
ことによって初めて非鉄素材の電気・電子回路部品は、
錫−亜鉛系はんだ接合材によって迅速にはんだ接合が可
能となる。錫単独では発生し易いウィスカーの発生を抑
制するために0.1%以上の亜鉛を含有させる必要があ
る。
造するための錫−亜鉛合金めっきについて説明を加え
る。錫−亜鉛合金は、はんだ付け性が良好と記載されて
いる文献があるが、これは例えば鉄やニッケルのような
材質と比較してのことであり、錫−鉛系合金等と比較し
た際にははんだ付け性は劣ると言わざるを得ない。した
がって、従来耐食性が良好であり、はんだ接合が可能で
あるという理由で推奨されてきた20%〜35%の亜鉛
含有量の皮膜では、低温・短時間での接合完了が要求さ
れる電気・電子回路の接合に適するレベルまでの良好な
はんだ付け性は発揮されず、共晶組成である8%を中心
とした0.1%〜15%の低融点領域に限定しなければ
ならない。すなわち、従来推奨されてきた20%〜35
%の亜鉛含有量の皮膜の融点は概ね240℃から320
℃に達する。これに対して0.1%〜15%の領域に限
定することによって、融点は概ね198℃から240℃
の範囲に入り、錫−鉛系で通常使用されてきた230℃
はその範囲に入る。また、良好なはんだ付け性を発揮さ
せるためにさらに重要なことは、該めっき皮膜を形成す
る結晶粒子が、外観状態が半光沢ないしは光沢を有する
程度まで十分に微細であることが要求されることであ
る。かようなる条件に限定された錫−亜鉛合金めっき皮
膜を0.1〜100μmの厚さに前処理として予め施す
ことによって初めて非鉄素材の電気・電子回路部品は、
錫−亜鉛系はんだ接合材によって迅速にはんだ接合が可
能となる。錫単独では発生し易いウィスカーの発生を抑
制するために0.1%以上の亜鉛を含有させる必要があ
る。
【0007】さらに、該錫−亜鉛合金めっき皮膜には、
リン酸塩処理を施すことができる。錫−亜鉛合金めっき
皮膜は、錫−鉛合金めっき皮膜に比べて特に亜鉛成分の
酸化により、フィンガープリントがつき易いなどめっき
皮膜表面の変質が生じ易い。これを抑制するためにはク
ロメート処理が優れた方法であるが、クロメート処理を
施した場合にははんだ接合性が著しく低下するために、
クロメート処理を採用することは好ましくない。これに
対して、錫−亜鉛合金皮膜上に施されたリン酸塩処理
は、はんだ接合性を著しく低下させることなくめっき皮
膜表面の変質を防止できることがわかり、フィンガープ
リントの抑制や部品の保存中の表面変質の抑制に効果が
ある。リン酸塩処理には、錫及び錫合金めっきに採用さ
れている公知の方法・条件を利用することができる。ご
く一般的には、例えば60〜90℃のリン酸3ナトリウ
ム5〜10%水溶液に浸漬して処理することができる。
また、リン酸のナトリウム塩に代えて、アミノトリメチ
レンホスホン酸、アミノトリメチレンホスホン酸、1−
ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸、エチレ
ンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)、ジエチレン
トリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)など有機リン
酸又はそれらのアルカリ金属塩の0.05〜10%水溶
液、さらに好ましくは0.1〜5%水溶液を用いること
もできる。
リン酸塩処理を施すことができる。錫−亜鉛合金めっき
皮膜は、錫−鉛合金めっき皮膜に比べて特に亜鉛成分の
酸化により、フィンガープリントがつき易いなどめっき
皮膜表面の変質が生じ易い。これを抑制するためにはク
ロメート処理が優れた方法であるが、クロメート処理を
施した場合にははんだ接合性が著しく低下するために、
クロメート処理を採用することは好ましくない。これに
対して、錫−亜鉛合金皮膜上に施されたリン酸塩処理
は、はんだ接合性を著しく低下させることなくめっき皮
膜表面の変質を防止できることがわかり、フィンガープ
リントの抑制や部品の保存中の表面変質の抑制に効果が
ある。リン酸塩処理には、錫及び錫合金めっきに採用さ
れている公知の方法・条件を利用することができる。ご
く一般的には、例えば60〜90℃のリン酸3ナトリウ
ム5〜10%水溶液に浸漬して処理することができる。
また、リン酸のナトリウム塩に代えて、アミノトリメチ
レンホスホン酸、アミノトリメチレンホスホン酸、1−
ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸、エチレ
ンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)、ジエチレン
トリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)など有機リン
酸又はそれらのアルカリ金属塩の0.05〜10%水溶
液、さらに好ましくは0.1〜5%水溶液を用いること
もできる。
【0008】電気・電子回路部品には、銅系素材又は4
2アロイなどの鉄系素材が用いられることが多いが、鉄
系素材よりも銅の方がはんだの濡れ性が良好であるの
で、鉄系素材が用いられているような場合には、下層に
銅めっきを施しておくことが望ましい。また、銅及び銅
合金が使用される場合には、錫及び亜鉛が銅系素材中に
拡散し易い金属であり、拡散によってボイドなどの欠陥
を生じることがあり、該錫−亜鉛合金めっき皮膜を施し
た直後では良好なはんだ接合性を示しても、経時後には
拡散によってはんだ接合性が劣化することもある。これ
を防止するためには、錫−鉛合金系めっき皮膜において
採用されていたようにニッケル又はニッケル合金めっき
を下地めっきとして施しておくことがはんだ接合性劣化
の抑制に効果がある。該ニッケル又はニッケル合金下地
めっきには、電気めっき及び無電解めっきの何れもが効
果があり、これらのめっき皮膜を得るためには、公知の
めっき浴・めっき条件を採用することができる。めっき
厚さについては特に限定されないが、素地とめっき皮膜
の間でお互いの元素が相互に拡散することを防止又は抑
制する効果から0.1〜10μmの皮膜厚さが望まし
い。
2アロイなどの鉄系素材が用いられることが多いが、鉄
系素材よりも銅の方がはんだの濡れ性が良好であるの
で、鉄系素材が用いられているような場合には、下層に
銅めっきを施しておくことが望ましい。また、銅及び銅
合金が使用される場合には、錫及び亜鉛が銅系素材中に
拡散し易い金属であり、拡散によってボイドなどの欠陥
を生じることがあり、該錫−亜鉛合金めっき皮膜を施し
た直後では良好なはんだ接合性を示しても、経時後には
拡散によってはんだ接合性が劣化することもある。これ
を防止するためには、錫−鉛合金系めっき皮膜において
採用されていたようにニッケル又はニッケル合金めっき
を下地めっきとして施しておくことがはんだ接合性劣化
の抑制に効果がある。該ニッケル又はニッケル合金下地
めっきには、電気めっき及び無電解めっきの何れもが効
果があり、これらのめっき皮膜を得るためには、公知の
めっき浴・めっき条件を採用することができる。めっき
厚さについては特に限定されないが、素地とめっき皮膜
の間でお互いの元素が相互に拡散することを防止又は抑
制する効果から0.1〜10μmの皮膜厚さが望まし
い。
【0009】上述の該錫−亜鉛合金めっき皮膜を得るた
めには公知の浴が利用できる。技術的及び経済的な観点
からはシアン浴を用いるほうが容易ではあるが、環境問
題を解決するための技術であることに鑑み、非シアンの
酸性浴や錯塩浴あるいはジンケート−スタネート浴など
を用いることが望ましい。したがって、めっき浴を構成
する金属イオンの供給源としては、非シアンの錫化合物
及び非シアンの亜鉛化合物を用いるが、それら錫及び亜
鉛の化合物としては、 (1)酸化物又は酸素酸塩 (2)硫酸塩 (3)ハロゲン化物 (4)ホウフッ化物 (5)ケイフッ化物 (6)スルファミン酸塩 (7)リン酸又は縮合リン酸の塩 (8)酢酸塩 (9)アルキル基の炭素数が0〜3の脂肪族ジカルボン
酸の塩 (10)アルキル基の炭素数が1〜2の脂肪族ヒドロキ
シモノカルボン酸の塩 (11)アルキル基の炭素数が1〜3の脂肪族ヒドロキ
シポリカルボン酸の塩 (12)単糖類の一部が酸化されたポリヒドロキシカル
ボン酸の塩、 (13)アルキル基の炭素数が1〜4の脂肪族モノ−も
しくはジ−アミノ、モノ−もしくはジ−カルボン酸の
塩、 (14)アルキル基の炭素数が2〜3の脂肪族モノメル
カプトモノカルボン酸及び脂肪族モノメルカプトジカル
ボン酸及び脂肪族モノメルカプトモノアミノモノカルボ
ン酸の塩、 (15)下記のアミンカルボン酸のキレート物、エチレ
ンジアミンテトラ酢酸(EDTA)、イミノジ酢酸(I
DA)、ニトリロトリ酢酸(NTA)、ジエチレントリ
アミンペンタ酢酸(DTPA)、トリエチレンテトラミ
ンヘキサ酢酸(TTHA)、エチレンジオキシビス(エ
チルアミン)−N,N,N’,N’−テトラ酢酸、グリ
コールエチレンジアミンテトラ酢酸(GEDTA)、N
−ヒドロキシエチルエチレンジアミンテトラ酢酸(HE
EDTA) (16)アルカンの炭素数が1〜3のヒドロキシアルカ
ンビスホスホン酸の塩、 (17)下記の一般式(i) 及び(ii)で表される脂肪族ス
ルホン酸の塩、(i) 一般式 (X1 )n −R−SO3 H [ここで、RはC1 〜C5 のアルキル基を表し、X1 は
水素、水酸基、アルキル基、アリール基、アルキルアリ
ール基、カルボキシル基又はスルホン酸基を表し、そし
てアルキル基の任意の位置にあってよく、nは0〜3の
整数である。] (ii)一般式
めには公知の浴が利用できる。技術的及び経済的な観点
からはシアン浴を用いるほうが容易ではあるが、環境問
題を解決するための技術であることに鑑み、非シアンの
酸性浴や錯塩浴あるいはジンケート−スタネート浴など
を用いることが望ましい。したがって、めっき浴を構成
する金属イオンの供給源としては、非シアンの錫化合物
及び非シアンの亜鉛化合物を用いるが、それら錫及び亜
鉛の化合物としては、 (1)酸化物又は酸素酸塩 (2)硫酸塩 (3)ハロゲン化物 (4)ホウフッ化物 (5)ケイフッ化物 (6)スルファミン酸塩 (7)リン酸又は縮合リン酸の塩 (8)酢酸塩 (9)アルキル基の炭素数が0〜3の脂肪族ジカルボン
酸の塩 (10)アルキル基の炭素数が1〜2の脂肪族ヒドロキ
シモノカルボン酸の塩 (11)アルキル基の炭素数が1〜3の脂肪族ヒドロキ
シポリカルボン酸の塩 (12)単糖類の一部が酸化されたポリヒドロキシカル
ボン酸の塩、 (13)アルキル基の炭素数が1〜4の脂肪族モノ−も
しくはジ−アミノ、モノ−もしくはジ−カルボン酸の
塩、 (14)アルキル基の炭素数が2〜3の脂肪族モノメル
カプトモノカルボン酸及び脂肪族モノメルカプトジカル
ボン酸及び脂肪族モノメルカプトモノアミノモノカルボ
ン酸の塩、 (15)下記のアミンカルボン酸のキレート物、エチレ
ンジアミンテトラ酢酸(EDTA)、イミノジ酢酸(I
DA)、ニトリロトリ酢酸(NTA)、ジエチレントリ
アミンペンタ酢酸(DTPA)、トリエチレンテトラミ
ンヘキサ酢酸(TTHA)、エチレンジオキシビス(エ
チルアミン)−N,N,N’,N’−テトラ酢酸、グリ
コールエチレンジアミンテトラ酢酸(GEDTA)、N
−ヒドロキシエチルエチレンジアミンテトラ酢酸(HE
EDTA) (16)アルカンの炭素数が1〜3のヒドロキシアルカ
ンビスホスホン酸の塩、 (17)下記の一般式(i) 及び(ii)で表される脂肪族ス
ルホン酸の塩、(i) 一般式 (X1 )n −R−SO3 H [ここで、RはC1 〜C5 のアルキル基を表し、X1 は
水素、水酸基、アルキル基、アリール基、アルキルアリ
ール基、カルボキシル基又はスルホン酸基を表し、そし
てアルキル基の任意の位置にあってよく、nは0〜3の
整数である。] (ii)一般式
【化1】 [ここで、RはC1 〜C5 のアルキル基又はC1 〜C3
のアルキレン基を表し、アルキレン基の任意の位置に水
酸基があってよく、Xは塩素及びフッ素のハロゲンを表
し、アルキル基及びアルキレン基の水素と置換された塩
素又はフッ素の置換数は1からアルキル基又はアルキレ
ン基に配位したすべての水素が飽和置換されたものまで
を表し、置換されたハロゲン種は1種又は2種類であ
り、塩素又はフッ素の置換基は任意の位置にあってよ
い。Yは水素又はスルホン酸基を表し、Yで表されるス
ルホン酸基の置換数は0から2の範囲にある。] (18)下記の一般式(iii) で表される芳香族スルホン
酸の塩、(iii) 一般式
のアルキレン基を表し、アルキレン基の任意の位置に水
酸基があってよく、Xは塩素及びフッ素のハロゲンを表
し、アルキル基及びアルキレン基の水素と置換された塩
素又はフッ素の置換数は1からアルキル基又はアルキレ
ン基に配位したすべての水素が飽和置換されたものまで
を表し、置換されたハロゲン種は1種又は2種類であ
り、塩素又はフッ素の置換基は任意の位置にあってよ
い。Yは水素又はスルホン酸基を表し、Yで表されるス
ルホン酸基の置換数は0から2の範囲にある。] (18)下記の一般式(iii) で表される芳香族スルホン
酸の塩、(iii) 一般式
【化2】 [ここで、X2 は水酸基、アルキル基、アリール基、ア
ルキルアリール基、アルデヒド基、カルボキシル基、ニ
トロ基、メルカプト基、スルホン酸基又はアミノ基を表
し、或いは2個のX2 はベンゼン環と一緒になってナフ
タリン環を形成でき、mは0〜3の整数である。]から
選ばれた1種又は2種以上を単独又は適宜混合して使用
できる。
ルキルアリール基、アルデヒド基、カルボキシル基、ニ
トロ基、メルカプト基、スルホン酸基又はアミノ基を表
し、或いは2個のX2 はベンゼン環と一緒になってナフ
タリン環を形成でき、mは0〜3の整数である。]から
選ばれた1種又は2種以上を単独又は適宜混合して使用
できる。
【0010】上記の(1)〜(18)の中で単独で列挙
せず一般式で示した化合物の中で好適なものを例示すれ
ば、(7)リン酸又は縮合リン酸の塩としては、リン
酸、トリポリリン酸及びピロリン酸の塩が、(9)脂肪
族ジカルボン酸の塩としては、蓚酸、マロン酸、コハク
酸の塩が、(10)脂肪族ヒドロキシモノカルボン酸の
塩としては、グリコール酸の塩が、(11)脂肪族ヒド
ロキシポリカルボン酸の塩としては、酒石酸、クエン酸
の塩が、(12)単糖類およびその一部が酸化されたポ
リヒドロキシカルボン酸ならびにそれらの環状エステル
化合物の塩またはキレート物としては、アスコルビン
酸、グルコン酸、δ−グルコノラクトンの塩またはキレ
ート物が、(13)脂肪族アミノカルボン酸の塩として
は、グリシンの塩が、(14)脂肪族メルカプトカルボ
ン酸の塩としては、メルカプトコハク酸の塩が、(1
5)アミンカルボン酸のキレート物としては、エチレン
ジアミンテトラ酢酸、イミノジ酢酸、ニトリロトリ酢酸
のキレート物が、(16)ヒドロキシアルカンビスホス
ホン酸の塩としては、1−ヒドロキシエタン−1,1−
ビスホスホン酸の塩が(17)−(i) 〜(18)−(i
i)、(iii) の有機スルホン酸の塩の例としては、メタン
スルホン酸、メタンジスルホン酸、メタントリスルホン
酸、トリフルオロメタンスルホン酸、エタンスルホン
酸、プロパンスルホン酸、2−プロパンスルホン酸、ブ
タンスルホン酸、2−ブタンスルホン酸、ペンタンスル
ホン酸、2−ヒドロキシエタン−1−スルホン酸、2−
ヒドロキシプロパン−1−スルホン酸、2−ヒドロキシ
ブタンスルホン酸、2−ヒドロキシペンタンスルホン
酸、1カルボキシエタンスルホン酸、1,3−プロパン
ジスルホン酸、アリールスルホン酸、2−スルホ酢酸、
2−又は3−プロピオスルホン酸、スルホこはく酸、ス
ルホマレイン酸、スルホフマル酸、ベンゼンスルホン
酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、ニトロ
ベンゼンスルホン酸、スルホ安息香酸、スルホサリチル
酸、ベンズアルデヒドスルホン酸、フェノールスルホン
酸、フェノール−2,4−ジスルホン酸の塩が、挙げら
れる。
せず一般式で示した化合物の中で好適なものを例示すれ
ば、(7)リン酸又は縮合リン酸の塩としては、リン
酸、トリポリリン酸及びピロリン酸の塩が、(9)脂肪
族ジカルボン酸の塩としては、蓚酸、マロン酸、コハク
酸の塩が、(10)脂肪族ヒドロキシモノカルボン酸の
塩としては、グリコール酸の塩が、(11)脂肪族ヒド
ロキシポリカルボン酸の塩としては、酒石酸、クエン酸
の塩が、(12)単糖類およびその一部が酸化されたポ
リヒドロキシカルボン酸ならびにそれらの環状エステル
化合物の塩またはキレート物としては、アスコルビン
酸、グルコン酸、δ−グルコノラクトンの塩またはキレ
ート物が、(13)脂肪族アミノカルボン酸の塩として
は、グリシンの塩が、(14)脂肪族メルカプトカルボ
ン酸の塩としては、メルカプトコハク酸の塩が、(1
5)アミンカルボン酸のキレート物としては、エチレン
ジアミンテトラ酢酸、イミノジ酢酸、ニトリロトリ酢酸
のキレート物が、(16)ヒドロキシアルカンビスホス
ホン酸の塩としては、1−ヒドロキシエタン−1,1−
ビスホスホン酸の塩が(17)−(i) 〜(18)−(i
i)、(iii) の有機スルホン酸の塩の例としては、メタン
スルホン酸、メタンジスルホン酸、メタントリスルホン
酸、トリフルオロメタンスルホン酸、エタンスルホン
酸、プロパンスルホン酸、2−プロパンスルホン酸、ブ
タンスルホン酸、2−ブタンスルホン酸、ペンタンスル
ホン酸、2−ヒドロキシエタン−1−スルホン酸、2−
ヒドロキシプロパン−1−スルホン酸、2−ヒドロキシ
ブタンスルホン酸、2−ヒドロキシペンタンスルホン
酸、1カルボキシエタンスルホン酸、1,3−プロパン
ジスルホン酸、アリールスルホン酸、2−スルホ酢酸、
2−又は3−プロピオスルホン酸、スルホこはく酸、ス
ルホマレイン酸、スルホフマル酸、ベンゼンスルホン
酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、ニトロ
ベンゼンスルホン酸、スルホ安息香酸、スルホサリチル
酸、ベンズアルデヒドスルホン酸、フェノールスルホン
酸、フェノール−2,4−ジスルホン酸の塩が、挙げら
れる。
【0011】めっき浴中の金属の濃度は、用いる浴の種
類やめっき対象物によって増減することが望ましいが、
概ね1〜50g/lが適当であり、好ましくは5〜30
g/l程度とする。
類やめっき対象物によって増減することが望ましいが、
概ね1〜50g/lが適当であり、好ましくは5〜30
g/l程度とする。
【0012】また、該めっき処理には、外観が光沢又は
半光沢状の錫−亜鉛合金めっき皮膜を用いるが、非シア
ン浴からこのような皮膜を得るためには界面活性剤を添
加することが望ましい。該界面活性剤としては、既存の
界面活性剤を利用することができる。すなわち、効果の
ある界面活性剤の例としては、(1)一般式:
半光沢状の錫−亜鉛合金めっき皮膜を用いるが、非シア
ン浴からこのような皮膜を得るためには界面活性剤を添
加することが望ましい。該界面活性剤としては、既存の
界面活性剤を利用することができる。すなわち、効果の
ある界面活性剤の例としては、(1)一般式:
【化3】 [ここで、Rはアルキル基(C1 〜C25)を表わし、M
は水素又はアルカリ金属を表わす。]で表わされるナフ
タレンスルホン酸系界面活性剤、例えば、アルキル(メ
チル、エチル、プロピル、ブチル・・・)ナフタレンス
ルホン酸のナトリウム塩等、(2)一般式: HO−(A)m −(B)n −H [ここで、A及びBは−CH2 −CH2 −O−又は−C
H2 −C(CH3 )H−O−を表わし、それらの存在位
置は限定されず、m及びnは0〜40の整数を表わす。
ただし、m及びnの和は1から40の範囲内にある。]
で表わされるポリオキシアルキレン系界面活性剤、例え
ば、エチレングリコール、ジ−(トリ−、テトラ−、オ
クタ・・・)エチレングリコールのようなポリエチレン
グリコール、プロピレングリコール、ジ−(トリ−、テ
トラ−、オクタ・・・)プロピレングリコールのような
ポリプロピレングリコール、エチレンオキサイドとプロ
ピレンオキサイドとの縮合物等、(3)一般式: R−D−(A)m −(B)n −H [ここで、A及びBは−CH2 −CH2 −O−又は−C
H2 −C(CH3 )H−O−を表わし、それらの存在位
置は限定されず、m及びnは、0〜40の整数を表わ
す。ただし、m及びnの和は1から40の範囲内にあ
る。Rは炭素数1〜22のアルキル基又は炭素数1〜2
5の脂肪酸でエステル化したソルビタンを表わす。D
は、−O−又は−COO−を表わす。]で表わされるポ
リオキシアルキレンアルキルエーテル(又はエステル)
系界面活性剤、例えば、上記の(B)のポリエチレング
リコール、ポリプロピレングリコール等のアルキル(例
えば、オレイル、セチル、ステアリル、ラウリル・・
・)エーテル若しくは脂肪酸エステル、ソルビタンエス
テル等、(4)一般式: R−O−(A)m −(B)n −H [ここで、A及びBは−CH2 −CH2 −O−又は−C
H2 −C(CH3 )H−O−を表わし、それらの存在位
置は限定されず、m及びnは、0〜40の整数を表わ
す。ただし、m及びnの和は1から40の範囲内にあ
る。Rはフェニル基又はアルキル基(C1 〜C25)で置
換したフェニル基を表わす。]で表わされるポリオキシ
アルキレンフェニル(又はアルキルフェニル)エーテル
系界面活性剤、例えば、上記の(B)のポリエチレング
リコール、ポリプロピレングリコール等のフェニルエー
テル又はアルキル置換フェニルエーテル等、(5)一般
式:
は水素又はアルカリ金属を表わす。]で表わされるナフ
タレンスルホン酸系界面活性剤、例えば、アルキル(メ
チル、エチル、プロピル、ブチル・・・)ナフタレンス
ルホン酸のナトリウム塩等、(2)一般式: HO−(A)m −(B)n −H [ここで、A及びBは−CH2 −CH2 −O−又は−C
H2 −C(CH3 )H−O−を表わし、それらの存在位
置は限定されず、m及びnは0〜40の整数を表わす。
ただし、m及びnの和は1から40の範囲内にある。]
で表わされるポリオキシアルキレン系界面活性剤、例え
ば、エチレングリコール、ジ−(トリ−、テトラ−、オ
クタ・・・)エチレングリコールのようなポリエチレン
グリコール、プロピレングリコール、ジ−(トリ−、テ
トラ−、オクタ・・・)プロピレングリコールのような
ポリプロピレングリコール、エチレンオキサイドとプロ
ピレンオキサイドとの縮合物等、(3)一般式: R−D−(A)m −(B)n −H [ここで、A及びBは−CH2 −CH2 −O−又は−C
H2 −C(CH3 )H−O−を表わし、それらの存在位
置は限定されず、m及びnは、0〜40の整数を表わ
す。ただし、m及びnの和は1から40の範囲内にあ
る。Rは炭素数1〜22のアルキル基又は炭素数1〜2
5の脂肪酸でエステル化したソルビタンを表わす。D
は、−O−又は−COO−を表わす。]で表わされるポ
リオキシアルキレンアルキルエーテル(又はエステル)
系界面活性剤、例えば、上記の(B)のポリエチレング
リコール、ポリプロピレングリコール等のアルキル(例
えば、オレイル、セチル、ステアリル、ラウリル・・
・)エーテル若しくは脂肪酸エステル、ソルビタンエス
テル等、(4)一般式: R−O−(A)m −(B)n −H [ここで、A及びBは−CH2 −CH2 −O−又は−C
H2 −C(CH3 )H−O−を表わし、それらの存在位
置は限定されず、m及びnは、0〜40の整数を表わ
す。ただし、m及びnの和は1から40の範囲内にあ
る。Rはフェニル基又はアルキル基(C1 〜C25)で置
換したフェニル基を表わす。]で表わされるポリオキシ
アルキレンフェニル(又はアルキルフェニル)エーテル
系界面活性剤、例えば、上記の(B)のポリエチレング
リコール、ポリプロピレングリコール等のフェニルエー
テル又はアルキル置換フェニルエーテル等、(5)一般
式:
【化4】 [ここで、A及びBは−CH2 −CH2 −O−又は−C
H2 −C(CH3 )H−O−を表わし、それらの存在位
置は限定されず、m及びnは0〜40の整数を表わす。
ただし、m及びnの和は1から40の範囲内にある。R
は水素又はアルキル基(C1 〜C25)を表わす。]で表
わされるポリオキシアルキレンナフチル(又はアルキル
ナフチル)エーテル系界面活性剤、例えば、ナフトール
又はアルキルナフトールのエチレンオキサイド及び(又
は)プロピレンオキサイド付加物等、(6)一般式:
H2 −C(CH3 )H−O−を表わし、それらの存在位
置は限定されず、m及びnは0〜40の整数を表わす。
ただし、m及びnの和は1から40の範囲内にある。R
は水素又はアルキル基(C1 〜C25)を表わす。]で表
わされるポリオキシアルキレンナフチル(又はアルキル
ナフチル)エーテル系界面活性剤、例えば、ナフトール
又はアルキルナフトールのエチレンオキサイド及び(又
は)プロピレンオキサイド付加物等、(6)一般式:
【化5】 [ここで、A及びBは−CH2 −CH2 −O−又は−C
H2 −C(CH3 )H−O−を表わし、それらの存在位
置は限定されず、m及びnは0〜40の整数を表わす。
ただし、m及びnの和は1から40の範囲内にある。R
a 、Rb 、Rc は、それぞれ独立に水素、フェニル基、
アルキル基(C1 〜C4 )又は−CH(CH3 )−φを
表わす。ただし、少なくとも1つはフェニル基若しくは
−CH(CH3 )−φであるものとする。]で表わされ
るポリオキシアルキレンスチレン化フェニルエーテル系
界面活性剤、例えば、スチレン化フェノール又はα−メ
チルスチレン化フェノールのエチレンオキサイド及び
(又は)プロピレンオキサイド付加物等、(7)一般
式:
H2 −C(CH3 )H−O−を表わし、それらの存在位
置は限定されず、m及びnは0〜40の整数を表わす。
ただし、m及びnの和は1から40の範囲内にある。R
a 、Rb 、Rc は、それぞれ独立に水素、フェニル基、
アルキル基(C1 〜C4 )又は−CH(CH3 )−φを
表わす。ただし、少なくとも1つはフェニル基若しくは
−CH(CH3 )−φであるものとする。]で表わされ
るポリオキシアルキレンスチレン化フェニルエーテル系
界面活性剤、例えば、スチレン化フェノール又はα−メ
チルスチレン化フェノールのエチレンオキサイド及び
(又は)プロピレンオキサイド付加物等、(7)一般
式:
【化6】 [ここで、A及びBは−CH2 −CH2 −O−又は−C
H2 −C(CH3 )H−O−を表わし、それらの存在位
置は限定されない。Rc1、Rc2は、それぞれ独立に水
素、フェニル基又はアルキル基(C1 〜C4 )を表わ
し、Rd 、Re は、それぞれ独立に水素又は−CH3 を
表わし、m1 、m2 、n1 、n2 はそれぞれ独立に0〜
40の整数を表わす。ただし、m1 及びn1 、さらにm
2 及びn2 の和は1から40の範囲内にある。]で表わ
されるポリオキシアルキレンスチレン化フェニルエーテ
ルのフェニル基にさらにポリオキシアルキレン鎖を付加
した界面活性剤、例えば、ビスフェノールAのビス(エ
チレンオキサイド及び(又は)プロピレンオキサイド付
加物)等、(8)一般式:
H2 −C(CH3 )H−O−を表わし、それらの存在位
置は限定されない。Rc1、Rc2は、それぞれ独立に水
素、フェニル基又はアルキル基(C1 〜C4 )を表わ
し、Rd 、Re は、それぞれ独立に水素又は−CH3 を
表わし、m1 、m2 、n1 、n2 はそれぞれ独立に0〜
40の整数を表わす。ただし、m1 及びn1 、さらにm
2 及びn2 の和は1から40の範囲内にある。]で表わ
されるポリオキシアルキレンスチレン化フェニルエーテ
ルのフェニル基にさらにポリオキシアルキレン鎖を付加
した界面活性剤、例えば、ビスフェノールAのビス(エ
チレンオキサイド及び(又は)プロピレンオキサイド付
加物)等、(8)一般式:
【化7】 [ここで、Ra 及びRb は水素若しくはアルキル基(C
1 〜C25)を表わし、同一又は異なってもよい。A及び
Bは−CH2 −CH2 −O−又は−CH2 −C(CH
3 )H−O−を表わし、それらの存在位置は限定されな
い。m1 、m2 、n1 、n2 はそれぞれ独立に0〜40
の整数を表わす。ただし、m1 及びn1 、さらにm2 及
びn2 の和は1から40の範囲内にある。Mは水素又は
アルカリ金属を示す。]で表わされるリン酸エステル系
界面活性剤、例えば、アルキルリン酸のナトリウム塩
等、ポリオキシエチレン化及び(又は)ポリオキシプロ
ピレン化リン酸のナトリウム塩等、(9)一般式:
1 〜C25)を表わし、同一又は異なってもよい。A及び
Bは−CH2 −CH2 −O−又は−CH2 −C(CH
3 )H−O−を表わし、それらの存在位置は限定されな
い。m1 、m2 、n1 、n2 はそれぞれ独立に0〜40
の整数を表わす。ただし、m1 及びn1 、さらにm2 及
びn2 の和は1から40の範囲内にある。Mは水素又は
アルカリ金属を示す。]で表わされるリン酸エステル系
界面活性剤、例えば、アルキルリン酸のナトリウム塩
等、ポリオキシエチレン化及び(又は)ポリオキシプロ
ピレン化リン酸のナトリウム塩等、(9)一般式:
【化8】 [ここで、Rはアルキル基(C1 〜C30)、アルケニル
(C1 〜C30)又はアシル基(C1 〜C30)を表わし、
A及びBは−CH2 −CH2 −O−又は−CH2−C
(CH3 )H−O−を表わし、それらの存在位置は限定
されない。m1 、m2 、n1 、n2 はそれぞれ独立に0
〜6の整数を表わす。ただし、m1 及びn1、さらにm2
及びn2 の和は1から6の範囲内にある。CH2 −C
H(CH3 )−Oの付加モル数がCH2 −CH2 −Oの
付加モル数より多いことはない。]で表わされるポリオ
キシアルキレンアルキル(又はアルケニル)アミン(又
はアミド)系界面活性剤、例えば、アルキル(又はアル
ケニル)アミン(又はアミド)のエチレンオキサイド及
び(又は)プロピレンオキサイド付加物等、(10)一
般式:
(C1 〜C30)又はアシル基(C1 〜C30)を表わし、
A及びBは−CH2 −CH2 −O−又は−CH2−C
(CH3 )H−O−を表わし、それらの存在位置は限定
されない。m1 、m2 、n1 、n2 はそれぞれ独立に0
〜6の整数を表わす。ただし、m1 及びn1、さらにm2
及びn2 の和は1から6の範囲内にある。CH2 −C
H(CH3 )−Oの付加モル数がCH2 −CH2 −Oの
付加モル数より多いことはない。]で表わされるポリオ
キシアルキレンアルキル(又はアルケニル)アミン(又
はアミド)系界面活性剤、例えば、アルキル(又はアル
ケニル)アミン(又はアミド)のエチレンオキサイド及
び(又は)プロピレンオキサイド付加物等、(10)一
般式:
【化9】 [ここで、A及びBは−CH2 −CH2 −O−又は−C
H2 −C(CH3 )H−O−を表わし、それらの存在位
置は限定されない。m1 、m2 、m3 、m4 、n1 、n
2 、n3 、n4 は整数で、m1 +m2 +m3 +m4 =5
〜70、n1 +n2 +n3 +n4 =5〜70である。m
1 、m2 、n1 、n2 はそれぞれ独立に0〜6の整数を
表わす。ただし、m1 及びn1 、さらにm2 及びn2 の
和は1から6の範囲内にある。xは2又は3の整数を表
わす。Rはアルキル基(C1 〜C30)又はアルケニル基
(C1 〜C30)を表わす。]で表わされるアルキレンジ
アミンのアルキレンオキシド付加物系界面活性剤、例え
ば、エチレンジアミンのエチレンオキサイド及び(又
は)プロピレンオキサイドN付加物等、(11)一般
式:
H2 −C(CH3 )H−O−を表わし、それらの存在位
置は限定されない。m1 、m2 、m3 、m4 、n1 、n
2 、n3 、n4 は整数で、m1 +m2 +m3 +m4 =5
〜70、n1 +n2 +n3 +n4 =5〜70である。m
1 、m2 、n1 、n2 はそれぞれ独立に0〜6の整数を
表わす。ただし、m1 及びn1 、さらにm2 及びn2 の
和は1から6の範囲内にある。xは2又は3の整数を表
わす。Rはアルキル基(C1 〜C30)又はアルケニル基
(C1 〜C30)を表わす。]で表わされるアルキレンジ
アミンのアルキレンオキシド付加物系界面活性剤、例え
ば、エチレンジアミンのエチレンオキサイド及び(又
は)プロピレンオキサイドN付加物等、(11)一般
式:
【化10】 [ここで、Ra はアルキル基(C1 〜C20)を表わし、
Rb は(CH2 )m OH又は(CH2 )OCH2 COO
- を表わしRc は、アルキル基(C1 〜C4 )、(CH
2 )n COO- 、(CH2 )n SO3 -又はCH(OH)
CH2 SO3 -を表わし、m及びnは1〜4の整数を表わ
す。Mはアルカリ金属を表わし、Xはハロゲン、水酸基
又はアルカンスルホン酸基(C1 〜C5 )を表わす。R
c がアルキル基の場合にはMは存在せず、Rc がアルキ
ル基以外の場合にはMは存在してもしなくてもよく、M
が存在しないときにはXも存在しない。]で表わされる
アルキルイミダゾリニウムベタイン系界面活性剤、例え
ば、2−ラウリル(オレイル、セチル、ステアリル、べ
へニル・・・)−N−メチル−N−ヒドロキシエチルイ
ミダゾリニウムベタイン等、(12)一般式:
Rb は(CH2 )m OH又は(CH2 )OCH2 COO
- を表わしRc は、アルキル基(C1 〜C4 )、(CH
2 )n COO- 、(CH2 )n SO3 -又はCH(OH)
CH2 SO3 -を表わし、m及びnは1〜4の整数を表わ
す。Mはアルカリ金属を表わし、Xはハロゲン、水酸基
又はアルカンスルホン酸基(C1 〜C5 )を表わす。R
c がアルキル基の場合にはMは存在せず、Rc がアルキ
ル基以外の場合にはMは存在してもしなくてもよく、M
が存在しないときにはXも存在しない。]で表わされる
アルキルイミダゾリニウムベタイン系界面活性剤、例え
ば、2−ラウリル(オレイル、セチル、ステアリル、べ
へニル・・・)−N−メチル−N−ヒドロキシエチルイ
ミダゾリニウムベタイン等、(12)一般式:
【化11】 [ここで、Ra は水素又はメチル基を表わし、又は結合
がなくてもよい。Rb は水素又はメチル基若しくはエチ
ル基を表わし、該アルキル基の水素の一つがエーテル結
合を介してアシルオキシ基と結合していてもよい。Rc
はアルキル基(C5 〜C20)を表わす。カルボキシル基
は水素又はアルカリ金属とイオン結合していてもよい。
mは1〜4の整数を、nは0〜4の整数を表わす。]で
表わされるアルキル(又はアミド)ベタイン系界面活性
剤、例えば、ジメチルラウリル(オレイル、セチル、ス
テアリル、べへニル・・・)ベタイン等、(13)一般
式:
がなくてもよい。Rb は水素又はメチル基若しくはエチ
ル基を表わし、該アルキル基の水素の一つがエーテル結
合を介してアシルオキシ基と結合していてもよい。Rc
はアルキル基(C5 〜C20)を表わす。カルボキシル基
は水素又はアルカリ金属とイオン結合していてもよい。
mは1〜4の整数を、nは0〜4の整数を表わす。]で
表わされるアルキル(又はアミド)ベタイン系界面活性
剤、例えば、ジメチルラウリル(オレイル、セチル、ス
テアリル、べへニル・・・)ベタイン等、(13)一般
式:
【化12】 [ここで、Xはハロゲン、水酸基又はアルカンスルホン
酸基(C1 〜C5 )を表わし、Ra はアルキル基(C1
〜C20)を表わし、Rb 及びRc はアルキル基(C1 〜
C4 )又はアルコキシル基(C1 〜C10)を表わし、R
d はアルキル基(C1 〜C10)、ベンジル基又は脂肪酸
(CH2 )n COOHを表わし、ここで、nは1〜18
の整数を表わす。Re はアルキル基(C8 〜C20)を表
わし、Rfは水素又はアルキル基(C1 〜C4 )を表わ
す。]で表わされるアンモニウム又はピリジニウム4級
塩系界面活性剤、例えば、ラウリル(オレイル、セチ
ル、ステアリル、べへニル・・・)トリ(ジ)メチルア
ンモニウムクロライド等から1種又は2種以上が選ば
れ、めっき浴に添加される。
酸基(C1 〜C5 )を表わし、Ra はアルキル基(C1
〜C20)を表わし、Rb 及びRc はアルキル基(C1 〜
C4 )又はアルコキシル基(C1 〜C10)を表わし、R
d はアルキル基(C1 〜C10)、ベンジル基又は脂肪酸
(CH2 )n COOHを表わし、ここで、nは1〜18
の整数を表わす。Re はアルキル基(C8 〜C20)を表
わし、Rfは水素又はアルキル基(C1 〜C4 )を表わ
す。]で表わされるアンモニウム又はピリジニウム4級
塩系界面活性剤、例えば、ラウリル(オレイル、セチ
ル、ステアリル、べへニル・・・)トリ(ジ)メチルア
ンモニウムクロライド等から1種又は2種以上が選ば
れ、めっき浴に添加される。
【0013】さらにそれらの中で市販品として容易に入
手できるものを具体的に挙げれば、前記式(1)で表さ
れるものとして、ペレックスNB−L、デモールN(花
王(株)社製)等が、前記式(2)で表されるものとし
て、エパン720、エパン740、エパン750、エパ
ン450(第一工業製薬(株)社製)、プルロニックL
64、プルロニックL101、プルロニックP103、
プルロニックPP150(旭電化工業(株)社製)、ニ
ッコールBO−20(日光ケミカルズ(株)社製)、エ
マルゲンL−40(花王(株)社製)、50HB−20
00/5000(三洋化成(株)社製)等が、前記式
(3)で表されるものとして、ブラウノンEL−130
3、ブラウノンEL−1509、ブラウノンCH−31
0(青木油脂工業(株)社製)、ニューコール1110
(日本乳化剤(株)社製)、ニッコールBL、ニッコー
ルMYL−10(日光ケミカルズ(株)社製)、ノイゲ
ンET−170(第一工業製薬(株)社製)等が、前記
式(4)で表されるものとして、ノイゲンEA−15
0、ノイゲンEA−130T(第一工業製薬(株)社
製)、ブラウノンNK−808、N−512、DP−9
(青木油脂工業(株)社製)、ニューコール704、ニ
ューコール707、ニューコール710、ニューコール
714、ニューコール723、ブラウノンLPE−10
07(青木油脂工業(株)社製)、アデカトールNP−
15、アデカトールNP−720(旭電化工業(株)社
製)、等が、前記式(5)で表されるものとして、ブラ
ウノンBN−18(青木油脂工業(株)社製)、アデカ
トールPC−10(旭電化工業(株)社製)、ノイゲン
EN−10(第一工業製薬(株)社製)等が、前記式
(6)で表されるものとして、ニューコール2607
(日本乳化剤(株)社製)、ブラウノンDSP−9(青
木油脂工業(株)社製)、等が、前記式(7)で表され
るものとして、リポノックスNC−100(ライオン)
等が、前記式(8)で表されるものとして、アデカコー
ルPS−440E、アデカコールCS−141E、アデ
カコールTS−230E(旭電化工業(株)社製)等
が、前記式(9)で表されるものとして、ナイミーンL
207、ナイミーンT2−210、ナイミーンS−21
5(日本油脂(株)社製)、ニューコール420(日本
乳化剤(株)社製)、ブラウノンO−205(青木油脂
工業(株)社製)、等が、前記式(10)で表されるも
のとして、テトロニックTR−701、テトロニックT
R−702(旭電化工業(株)社製)、等が、前記式
(11)で表されるものとして、ソフタゾリンCH、ソ
フタゾリンNS(川研ファインケミカル(株)社製)、
ニッサンアノンGLM−R(日本油脂(株)社製)、レ
ボン101−H(三洋化成工業(株)社製)、ニッコー
ルAM−103EX(日本乳化剤(株)社製)等が、前
記式(12)で表されるものとして、アセタミン24
(花王(株)社製)等が、前記式(13)で表されるも
のとして、ニッコールCA2150、ニッコールCA1
01(日光ケミカルズ(株)社製)、テクスノールR−
5(日本乳化剤(株)社製)等が、挙げられる。これら
界面活性剤のめっき浴における濃度は、0.05〜10
0g/lで、好適には0.1〜50g/lが使用され
る。
手できるものを具体的に挙げれば、前記式(1)で表さ
れるものとして、ペレックスNB−L、デモールN(花
王(株)社製)等が、前記式(2)で表されるものとし
て、エパン720、エパン740、エパン750、エパ
ン450(第一工業製薬(株)社製)、プルロニックL
64、プルロニックL101、プルロニックP103、
プルロニックPP150(旭電化工業(株)社製)、ニ
ッコールBO−20(日光ケミカルズ(株)社製)、エ
マルゲンL−40(花王(株)社製)、50HB−20
00/5000(三洋化成(株)社製)等が、前記式
(3)で表されるものとして、ブラウノンEL−130
3、ブラウノンEL−1509、ブラウノンCH−31
0(青木油脂工業(株)社製)、ニューコール1110
(日本乳化剤(株)社製)、ニッコールBL、ニッコー
ルMYL−10(日光ケミカルズ(株)社製)、ノイゲ
ンET−170(第一工業製薬(株)社製)等が、前記
式(4)で表されるものとして、ノイゲンEA−15
0、ノイゲンEA−130T(第一工業製薬(株)社
製)、ブラウノンNK−808、N−512、DP−9
(青木油脂工業(株)社製)、ニューコール704、ニ
ューコール707、ニューコール710、ニューコール
714、ニューコール723、ブラウノンLPE−10
07(青木油脂工業(株)社製)、アデカトールNP−
15、アデカトールNP−720(旭電化工業(株)社
製)、等が、前記式(5)で表されるものとして、ブラ
ウノンBN−18(青木油脂工業(株)社製)、アデカ
トールPC−10(旭電化工業(株)社製)、ノイゲン
EN−10(第一工業製薬(株)社製)等が、前記式
(6)で表されるものとして、ニューコール2607
(日本乳化剤(株)社製)、ブラウノンDSP−9(青
木油脂工業(株)社製)、等が、前記式(7)で表され
るものとして、リポノックスNC−100(ライオン)
等が、前記式(8)で表されるものとして、アデカコー
ルPS−440E、アデカコールCS−141E、アデ
カコールTS−230E(旭電化工業(株)社製)等
が、前記式(9)で表されるものとして、ナイミーンL
207、ナイミーンT2−210、ナイミーンS−21
5(日本油脂(株)社製)、ニューコール420(日本
乳化剤(株)社製)、ブラウノンO−205(青木油脂
工業(株)社製)、等が、前記式(10)で表されるも
のとして、テトロニックTR−701、テトロニックT
R−702(旭電化工業(株)社製)、等が、前記式
(11)で表されるものとして、ソフタゾリンCH、ソ
フタゾリンNS(川研ファインケミカル(株)社製)、
ニッサンアノンGLM−R(日本油脂(株)社製)、レ
ボン101−H(三洋化成工業(株)社製)、ニッコー
ルAM−103EX(日本乳化剤(株)社製)等が、前
記式(12)で表されるものとして、アセタミン24
(花王(株)社製)等が、前記式(13)で表されるも
のとして、ニッコールCA2150、ニッコールCA1
01(日光ケミカルズ(株)社製)、テクスノールR−
5(日本乳化剤(株)社製)等が、挙げられる。これら
界面活性剤のめっき浴における濃度は、0.05〜10
0g/lで、好適には0.1〜50g/lが使用され
る。
【0014】さらに、半光沢性ないしは光沢性のあるめ
っき皮膜を得るために、析出物の結晶を微細化するため
に、結晶微細化剤を使用することができる。結晶微細化
剤には公知の物質が利用できるが、効果のあるものの例
としては、下記(1)〜(18)を挙げることができ
る。これらは単独又は適宜混合添加して使用できる。使
用量は、下記(1)の天然高分子を用いる場合は0.5
〜50g/lが適当であり、好ましくは1〜20g/l
である。下記(2)〜(18)の群の結晶微細化剤に対
しては、0.005〜30g/lが適当であり、好まし
くは0.02〜20g/l添加される。
っき皮膜を得るために、析出物の結晶を微細化するため
に、結晶微細化剤を使用することができる。結晶微細化
剤には公知の物質が利用できるが、効果のあるものの例
としては、下記(1)〜(18)を挙げることができ
る。これらは単独又は適宜混合添加して使用できる。使
用量は、下記(1)の天然高分子を用いる場合は0.5
〜50g/lが適当であり、好ましくは1〜20g/l
である。下記(2)〜(18)の群の結晶微細化剤に対
しては、0.005〜30g/lが適当であり、好まし
くは0.02〜20g/l添加される。
【0015】(1)ゼラチン、ペプトン。 (2)一般式:
【化13】 [ここで、Rb は水素、アルキル基(C1 〜C4 )又は
フェニル基を表わし、Ra は水素又はアルキル基(C1
〜C4 )を表わし、Rc は水素又は水酸基を表わし、A
は単結合、アルキレン基(C1 〜C4 )、ベンジリデン
基又はフェニレン基を表わす。]で表されるスルファニ
ル酸誘導体及びその塩。 (3)一般式:
フェニル基を表わし、Ra は水素又はアルキル基(C1
〜C4 )を表わし、Rc は水素又は水酸基を表わし、A
は単結合、アルキレン基(C1 〜C4 )、ベンジリデン
基又はフェニレン基を表わす。]で表されるスルファニ
ル酸誘導体及びその塩。 (3)一般式:
【化14】 [ここで、Xは水素又はアルキル基(C1 〜C4 )を表
わし、Rは、水素又は−CH3 を表わし、nは、2〜1
5の整数を表わす。]で表されるキノリン類。 (4)一般式:
わし、Rは、水素又は−CH3 を表わし、nは、2〜1
5の整数を表わす。]で表されるキノリン類。 (4)一般式:
【化15】 [ここで、Xは水素、ハロゲン、アルキル基(C1 〜C
4 )、アセチル基、アミノ基、水酸基又はカルボキシル
基を表わし、Rb は水素、ヒドロキシル基を表わし、n
は0〜12の整数を表わす。]で表されるベンゾトリア
ゾール及びその誘導体。 (5)一般式:
4 )、アセチル基、アミノ基、水酸基又はカルボキシル
基を表わし、Rb は水素、ヒドロキシル基を表わし、n
は0〜12の整数を表わす。]で表されるベンゾトリア
ゾール及びその誘導体。 (5)一般式:
【化16】 [ここで、R1 、R2 、R3 、R4 、R5 は、それぞれ
同一又は異なってもよく、−H:−SH:−OH:−O
R(Rは所望により−COOHで置換されていてもよい
C1 〜C6 のアルキル基)、ハロゲン、−COOH,−
COCOOH,アリール、−SR(Rは所望により−C
OOHにて置換されていてもよいC1 〜C6 アルキ
ル)、
同一又は異なってもよく、−H:−SH:−OH:−O
R(Rは所望により−COOHで置換されていてもよい
C1 〜C6 のアルキル基)、ハロゲン、−COOH,−
COCOOH,アリール、−SR(Rは所望により−C
OOHにて置換されていてもよいC1 〜C6 アルキ
ル)、
【化17】 −NH2 ,−NRR’(R及びR’はC1 〜C6 アルキ
ル又は一緒になって環を形成してもよい)、−NHCO
R(RはC1 〜C6 アルキル)、−NHCOアリール、
−NHNH2 、−NO2 、−CONHアリール、−CS
NHアリール、−CN、−CHO:−SO3 H:−SO
2 NH2 又は−SO2 NRR’(R及びR’はC1 〜C
6 アルキル又は一緒になって環を形成してもよい)を意
味する。]で表されるベンゾチアゾール類。 (6)一般式:
ル又は一緒になって環を形成してもよい)、−NHCO
R(RはC1 〜C6 アルキル)、−NHCOアリール、
−NHNH2 、−NO2 、−CONHアリール、−CS
NHアリール、−CN、−CHO:−SO3 H:−SO
2 NH2 又は−SO2 NRR’(R及びR’はC1 〜C
6 アルキル又は一緒になって環を形成してもよい)を意
味する。]で表されるベンゾチアゾール類。 (6)一般式:
【化18】 [ここで、Ra1、Ra2は、それぞれ独立に水素、ヒドロ
キシル基を表わし、Rb1、Rb2は、それぞれ独立にアル
キル基(C1 〜C5 )を表わす。]で表されるイミン
類。 (7)一般式:
キシル基を表わし、Rb1、Rb2は、それぞれ独立にアル
キル基(C1 〜C5 )を表わす。]で表されるイミン
類。 (7)一般式:
【化19】 [ここで、Ra は水素、ハロゲン、アルキル基(C1 〜
C4 )を表わし、Rb は水素、ヒドロキシル基を表わ
し、nは、0〜12の整数を表わす。]で表されるトリ
アジン類。 (8)一般式:
C4 )を表わし、Rb は水素、ヒドロキシル基を表わ
し、nは、0〜12の整数を表わす。]で表されるトリ
アジン類。 (8)一般式:
【化20】 [ここで、Ra 、Rb は、同一又は異なっていてもよく
水素、アルキル基(C1〜C18)、アルコキシ基(C1
〜C18)又はC3 〜C7 のシクロアルキル基を表わし、
Aは、低級アルキレン基を表わす。]で表されるトリア
ジン類。 (9)一般式:
水素、アルキル基(C1〜C18)、アルコキシ基(C1
〜C18)又はC3 〜C7 のシクロアルキル基を表わし、
Aは、低級アルキレン基を表わす。]で表されるトリア
ジン類。 (9)一般式:
【化21】 [ここで、Rは、アルキル基(C1 〜C4 )又はフェニ
ル基を表わす。]で表される芳香族オキシカルボン酸の
エステル類。 (10)一般式: Ra −CRb =CH−CO−X−Rc [ここで、Ra 及びRc はフェニル、ナフチル、ピリジ
ル、キノリル、チエニル、フリル及びピロニル、アミノ
基、水酸基、若しくは水素から選ばれた基であり、該基
はC1 〜C6 アルキル、C1 〜C6 アルキルオキシ、C
1 〜C6 アシル、C1 〜C6 アルキルチオ、OH、ハロ
ゲン、カルボキシル基、−NO2 及び−NRd Re (R
d 及びRe は、同一又は異なって各々水素又はC1 〜C
4 アルキル)から選ばれた同一又は異なる置換基を1〜
4個有してもよく、或いはRa とR c は結合して環状と
なってもよく、或いは、Rc はRa −CRb =CH−C
O−に等しくてもよい。Xは、単結合若しくは−CH2
−である。Rb は水素又はC1 〜C4 アルキルであ
る。]で表されるC=Oと共役の位置に二重結合を有す
る化合物。 (11)一般式: R−CHO [ここで、RはC1 〜C6 アルキル、フェニル、ナフチ
ル、アセナフチル、ピリジル、キノリル、チエニル、フ
リル、インドール及びピロニル、アルデヒド基若しくは
水素から選ばれた基であり、該基はC1 〜C6 アルキ
ル、C1 〜C6 アルキルオキシ、C1 〜C6 アシル、C
1 〜C6 アルキルチオ、OH、ハロゲン、NO2 及び−
NRd Re (Rd 及びRe は、同一又は異なって各々水
素又はC1 〜C4 アルキル)から選ばれた同一又は異な
る置換基を1〜4個有してもよい。]で表されるアルデ
ヒド類。 (12)一般式: Ra −CO−(CH2 )n −CO−Rb [ここで、Ra 及びRb は同一又は異なってそれぞれ水
素、C1 〜C6 アルキル及び−C2 H4 −CO−CO−
C2 H5 であり、nは0〜2の整数である。]で表され
るジケトン類。 (13)一般式: Ra −NH−Rb [ここで、Ra はフェニル基であり、該基はC1 〜C3
アルキル、ハロゲン、アミノ基で置換されていてもよ
い。Rb は水素、C1 〜C3 アルキル、−NH−CS−
N=N−φ、−CH2 −φ−NH2 である。]で表され
るアニリン誘導体。 (14)一般式:
ル基を表わす。]で表される芳香族オキシカルボン酸の
エステル類。 (10)一般式: Ra −CRb =CH−CO−X−Rc [ここで、Ra 及びRc はフェニル、ナフチル、ピリジ
ル、キノリル、チエニル、フリル及びピロニル、アミノ
基、水酸基、若しくは水素から選ばれた基であり、該基
はC1 〜C6 アルキル、C1 〜C6 アルキルオキシ、C
1 〜C6 アシル、C1 〜C6 アルキルチオ、OH、ハロ
ゲン、カルボキシル基、−NO2 及び−NRd Re (R
d 及びRe は、同一又は異なって各々水素又はC1 〜C
4 アルキル)から選ばれた同一又は異なる置換基を1〜
4個有してもよく、或いはRa とR c は結合して環状と
なってもよく、或いは、Rc はRa −CRb =CH−C
O−に等しくてもよい。Xは、単結合若しくは−CH2
−である。Rb は水素又はC1 〜C4 アルキルであ
る。]で表されるC=Oと共役の位置に二重結合を有す
る化合物。 (11)一般式: R−CHO [ここで、RはC1 〜C6 アルキル、フェニル、ナフチ
ル、アセナフチル、ピリジル、キノリル、チエニル、フ
リル、インドール及びピロニル、アルデヒド基若しくは
水素から選ばれた基であり、該基はC1 〜C6 アルキ
ル、C1 〜C6 アルキルオキシ、C1 〜C6 アシル、C
1 〜C6 アルキルチオ、OH、ハロゲン、NO2 及び−
NRd Re (Rd 及びRe は、同一又は異なって各々水
素又はC1 〜C4 アルキル)から選ばれた同一又は異な
る置換基を1〜4個有してもよい。]で表されるアルデ
ヒド類。 (12)一般式: Ra −CO−(CH2 )n −CO−Rb [ここで、Ra 及びRb は同一又は異なってそれぞれ水
素、C1 〜C6 アルキル及び−C2 H4 −CO−CO−
C2 H5 であり、nは0〜2の整数である。]で表され
るジケトン類。 (13)一般式: Ra −NH−Rb [ここで、Ra はフェニル基であり、該基はC1 〜C3
アルキル、ハロゲン、アミノ基で置換されていてもよ
い。Rb は水素、C1 〜C3 アルキル、−NH−CS−
N=N−φ、−CH2 −φ−NH2 である。]で表され
るアニリン誘導体。 (14)一般式:
【化22】 [ここで、Ra 及びRb はそれぞれ水素、低級アルキル
基、水酸基、ニトロ基、カルボキシル基、スルホン酸基
を表わす。]で表されるニトロ化合物又はそのナトリウ
ム、カリウム又はアンモニウム塩。 (15)一般式: HOOC−CHR−SH [ここで、Rは、水素、C1 〜C2 アルキルであり、該
アルキル基はカルボキシル基で置換されていてもよ
い。]で表されるメルカプトカルボン酸類。 (16)下記から選ばれる複素環式化合物類:1,10
−フェナントロリン、2−ビニルピリジン、2−シンナ
ミルチオフェン、1,2,3−(又は1,2,4−又は
1,3,5−)トリアジン、2,4−ジアミノ−6−
(2’−ウンデシルイミダゾリル(1’)メチル−S−
トリアジン、1,2,3−ベンゾトリアジン、インドー
ル、イミダゾール、2−メルカプトベンゾイミダゾー
ル、2−メルカプトベンゾオキサゾール及びキノリン。 (17)アセトフェノン及びハロゲン化アセトフェノ
ン。 (18)アミン−アルデヒド縮合物。
基、水酸基、ニトロ基、カルボキシル基、スルホン酸基
を表わす。]で表されるニトロ化合物又はそのナトリウ
ム、カリウム又はアンモニウム塩。 (15)一般式: HOOC−CHR−SH [ここで、Rは、水素、C1 〜C2 アルキルであり、該
アルキル基はカルボキシル基で置換されていてもよ
い。]で表されるメルカプトカルボン酸類。 (16)下記から選ばれる複素環式化合物類:1,10
−フェナントロリン、2−ビニルピリジン、2−シンナ
ミルチオフェン、1,2,3−(又は1,2,4−又は
1,3,5−)トリアジン、2,4−ジアミノ−6−
(2’−ウンデシルイミダゾリル(1’)メチル−S−
トリアジン、1,2,3−ベンゾトリアジン、インドー
ル、イミダゾール、2−メルカプトベンゾイミダゾー
ル、2−メルカプトベンゾオキサゾール及びキノリン。 (17)アセトフェノン及びハロゲン化アセトフェノ
ン。 (18)アミン−アルデヒド縮合物。
【0016】これらのうち、特に好適な例を挙げると、
8−ヒドロキシキノリンに5モルの酸化プロピレンを付
加した生成物、N,N’−ジイソブチリデン−o−フェ
ニレンジアミン、ベンゾチアゾール、2−アミノ−4−
クロロベンゾチアゾール、2−アミノ−6−メトキシベ
ンゾチアゾール、2−ヒドロキシベンゾチアゾール、2
−クロロベンゾチアゾール、2−メチル−5−クロロベ
ンゾチアゾール、2,5−ジメチルベンゾチアゾール、
5−ヒドロキシ−2−メチルベンゾチアゾール、6−ク
ロロ−2−メチル−4−メトキシベンゾチアゾール、2
−(n−ブチル)メルカプト−6−アミノベンゾチアゾ
ール、2−ベンゾチアゾールチオ酢酸、2−ベンゾチア
ゾールオキシ酢酸、2−メチルベンゾチアゾール、2−
メルカプトベンゾチアゾール、6−エトキシ−2−メル
カプトベンゾチアゾール、N−ブチリデンスルファニル
酸、N−シンナモイリデンスルファニル酸、N−(3−
ヒドロキシブチリデン)−p−スルファニル酸、アルド
ール、ベンズアルデヒド、m−クロロベンズアルデヒ
ド、p−ニトロベンズアルデヒド、p−ヒドロキシベン
ズアルデヒド、(o−,m−,p−)メトキシベンズア
ルデヒド、o−バニリン、ベラトルアルデヒド、(2,
4−、2,6−)ジクロロベンズアルデヒド、(o−,
p−)クロロベンズアルデヒド、1−ナフトアルデヒ
ド、2−ナフトアルデヒド、2(4)−クロル−1−ナ
フトアルデヒド、5−メトキシナフトアルデヒド、ピコ
リンアルデヒド、2(3)−チオフェンカルボキシアル
デヒド、2(3)−フルアルデヒド、3−インドールカ
ルボキシアルデヒド、サリチルアルデヒド、o−フタル
アルデヒド、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、パ
ラアルデヒド、ブチルアルデヒド、イソブチルアルデヒ
ド、プロピオンアルデヒド、n−バレルアルデヒド、ア
クロレイン、クロトンアルデヒド、グリオキサール、ス
クシンアルデヒド、カプロンアルデヒド、イソバレルア
ルデヒド、アリルアルデヒド、グルタルアルデヒド、1
−ベンジリデン−7−ヘプテナール、2,4−ヘキサジ
エナール、シンナムアルデヒド、ベンジルクロトンアル
デヒド、アミン−アルデヒド縮合物、メシチルオキシ
ド、イソホロン、ジアセチル。ヘキサンジオン−3,
4、アセチルアセトン、3−クロロベンジリデンアセト
ン、sub,ピリジリデンアセトン、sub,フルフリ
ジンアセトン、sub,テニリデンアセトン、4−(1
−ナフチル)−3−ブテン−2−オン、4−(2−フリ
ル)−3−ブテン−2−オン、4−(2−チオフェニ
ル)−3−ブテン−2−オン、クルクミン、ベンジリデ
ンアセチルアセトン、ベンザルアセトン、アセトフェノ
ン、(2,4−、3,4−)ジクロロアセトフェノン、
ベンジリデンアセトフェノン、ベンジリデンメチルエチ
ルケトン、ベンジリデンアセトンアルコール、p−トル
イデンアセトン、p−ヒドロキシベンジリデンアセト
ン、ベンジリデンメチルイソブチルケトン、4−(1−
ナフチル)−3−ブテン−2−オン、2−シンナミルチ
オフェン、2−(ω−ベンゾイル)ビニルフラン、ビニ
ルフェニルケトン、ビフェニルプロペニルケトン、フェ
ニルイソブテニルケトン、フェニル−2−メチルプロペ
ニルケトン、p−フルオロ又はクロロフェニルプロペニ
ルケトン、p−ヒドロキシフェニルプロペニルケトン、
m−ニトロフェニルプロペニルケトン、p−メチルフェ
ニルプロペニルケトン、2,4,6−トリメチルフェニ
ルプロペニルケトン、p−メトキシフェニルプロペニル
ケトン、p−メトキシフェニルブテニルケトン、p−メ
チルフェニルプロペニルケトン、p−イソブチルフェニ
ルプロペニルケトン、α−ナフチル−1−メチルプロペ
ニルケトン、4−メトキシナフチルプロペニルケトン、
2−チエニルプロペニルケトン、2−フリルプロペニル
ケトン、1−メチルピロールプロペニルケトン、アクリ
ル酸、メタクリル酸、エタクリル酸、アクリル酸エチ
ル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸ブチル、クロト
ン酸、プロピレン−1,3−ジカルボン酸、桂皮酸、ア
クリルアミド、ジアセトンアクリルアミド、t−ブチル
アクリルアミド、N−メトキシジメチルアクリルアミ
ド、(o−,m−,p−)トルイジン、(o−,p−)
アミノアニリン、アニリン、(o−,p−)クロルアニ
リン、(2,5−、3,4−)クロルメチルアニリン、
N−モノメチルアニリン、4,4’−ジアミノジフェニ
ルメタン、N−フェニル−(α−,β−)ナフチルアミ
ン、ジチゾン、ベンゾトリアゾール、4−ヒドロキシベ
ンゾトリアゾール、4−カルボキシベンゾトリアゾー
ル、4−メチルベンゾトリアゾール、1,2,3−トリ
アジン、1,2,4−トリアジン、1,3,5−トリア
ジン、1,2,3−ベンズトリアジン、2,4−ジアミ
ノ−6−[2’−メチルイミダゾリル(1’)エチル]
−1,3,5−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−
[2’−エチルイミダゾリル(1’)エチル]−1,
3,5−トリアジン、β−N−ドデシルアミノプロピオ
グアナミン、β−N−ヘキシルアミノプロピオグアナミ
ン、ピペリジンプロピオグアナミン、シクロヘキシルア
ミノプロピオグアナミン、モルホリンプロピオグアナミ
ン、β−N−(2−エチルヘキシロキシプロピルアミ
ノ)プロピオグアナミン、β−N−(ラウリルオキシプ
ロピルアミノ)プロピオグアナミン、o−(m−,p
−)安息香酸メチル、サリチル酸フェニル、p−ニトロ
フェノール、ニトロベンゼンスルホン酸、2,4−ジニ
トロベンゼンスルホン酸、m−ニトロ安息香酸、チオグ
リコール酸、メルカプトコハク酸、イミダゾール、2−
ビニルピリジン、インドール、キノリンなどを挙げるこ
とができる。
8−ヒドロキシキノリンに5モルの酸化プロピレンを付
加した生成物、N,N’−ジイソブチリデン−o−フェ
ニレンジアミン、ベンゾチアゾール、2−アミノ−4−
クロロベンゾチアゾール、2−アミノ−6−メトキシベ
ンゾチアゾール、2−ヒドロキシベンゾチアゾール、2
−クロロベンゾチアゾール、2−メチル−5−クロロベ
ンゾチアゾール、2,5−ジメチルベンゾチアゾール、
5−ヒドロキシ−2−メチルベンゾチアゾール、6−ク
ロロ−2−メチル−4−メトキシベンゾチアゾール、2
−(n−ブチル)メルカプト−6−アミノベンゾチアゾ
ール、2−ベンゾチアゾールチオ酢酸、2−ベンゾチア
ゾールオキシ酢酸、2−メチルベンゾチアゾール、2−
メルカプトベンゾチアゾール、6−エトキシ−2−メル
カプトベンゾチアゾール、N−ブチリデンスルファニル
酸、N−シンナモイリデンスルファニル酸、N−(3−
ヒドロキシブチリデン)−p−スルファニル酸、アルド
ール、ベンズアルデヒド、m−クロロベンズアルデヒ
ド、p−ニトロベンズアルデヒド、p−ヒドロキシベン
ズアルデヒド、(o−,m−,p−)メトキシベンズア
ルデヒド、o−バニリン、ベラトルアルデヒド、(2,
4−、2,6−)ジクロロベンズアルデヒド、(o−,
p−)クロロベンズアルデヒド、1−ナフトアルデヒ
ド、2−ナフトアルデヒド、2(4)−クロル−1−ナ
フトアルデヒド、5−メトキシナフトアルデヒド、ピコ
リンアルデヒド、2(3)−チオフェンカルボキシアル
デヒド、2(3)−フルアルデヒド、3−インドールカ
ルボキシアルデヒド、サリチルアルデヒド、o−フタル
アルデヒド、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、パ
ラアルデヒド、ブチルアルデヒド、イソブチルアルデヒ
ド、プロピオンアルデヒド、n−バレルアルデヒド、ア
クロレイン、クロトンアルデヒド、グリオキサール、ス
クシンアルデヒド、カプロンアルデヒド、イソバレルア
ルデヒド、アリルアルデヒド、グルタルアルデヒド、1
−ベンジリデン−7−ヘプテナール、2,4−ヘキサジ
エナール、シンナムアルデヒド、ベンジルクロトンアル
デヒド、アミン−アルデヒド縮合物、メシチルオキシ
ド、イソホロン、ジアセチル。ヘキサンジオン−3,
4、アセチルアセトン、3−クロロベンジリデンアセト
ン、sub,ピリジリデンアセトン、sub,フルフリ
ジンアセトン、sub,テニリデンアセトン、4−(1
−ナフチル)−3−ブテン−2−オン、4−(2−フリ
ル)−3−ブテン−2−オン、4−(2−チオフェニ
ル)−3−ブテン−2−オン、クルクミン、ベンジリデ
ンアセチルアセトン、ベンザルアセトン、アセトフェノ
ン、(2,4−、3,4−)ジクロロアセトフェノン、
ベンジリデンアセトフェノン、ベンジリデンメチルエチ
ルケトン、ベンジリデンアセトンアルコール、p−トル
イデンアセトン、p−ヒドロキシベンジリデンアセト
ン、ベンジリデンメチルイソブチルケトン、4−(1−
ナフチル)−3−ブテン−2−オン、2−シンナミルチ
オフェン、2−(ω−ベンゾイル)ビニルフラン、ビニ
ルフェニルケトン、ビフェニルプロペニルケトン、フェ
ニルイソブテニルケトン、フェニル−2−メチルプロペ
ニルケトン、p−フルオロ又はクロロフェニルプロペニ
ルケトン、p−ヒドロキシフェニルプロペニルケトン、
m−ニトロフェニルプロペニルケトン、p−メチルフェ
ニルプロペニルケトン、2,4,6−トリメチルフェニ
ルプロペニルケトン、p−メトキシフェニルプロペニル
ケトン、p−メトキシフェニルブテニルケトン、p−メ
チルフェニルプロペニルケトン、p−イソブチルフェニ
ルプロペニルケトン、α−ナフチル−1−メチルプロペ
ニルケトン、4−メトキシナフチルプロペニルケトン、
2−チエニルプロペニルケトン、2−フリルプロペニル
ケトン、1−メチルピロールプロペニルケトン、アクリ
ル酸、メタクリル酸、エタクリル酸、アクリル酸エチ
ル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸ブチル、クロト
ン酸、プロピレン−1,3−ジカルボン酸、桂皮酸、ア
クリルアミド、ジアセトンアクリルアミド、t−ブチル
アクリルアミド、N−メトキシジメチルアクリルアミ
ド、(o−,m−,p−)トルイジン、(o−,p−)
アミノアニリン、アニリン、(o−,p−)クロルアニ
リン、(2,5−、3,4−)クロルメチルアニリン、
N−モノメチルアニリン、4,4’−ジアミノジフェニ
ルメタン、N−フェニル−(α−,β−)ナフチルアミ
ン、ジチゾン、ベンゾトリアゾール、4−ヒドロキシベ
ンゾトリアゾール、4−カルボキシベンゾトリアゾー
ル、4−メチルベンゾトリアゾール、1,2,3−トリ
アジン、1,2,4−トリアジン、1,3,5−トリア
ジン、1,2,3−ベンズトリアジン、2,4−ジアミ
ノ−6−[2’−メチルイミダゾリル(1’)エチル]
−1,3,5−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−
[2’−エチルイミダゾリル(1’)エチル]−1,
3,5−トリアジン、β−N−ドデシルアミノプロピオ
グアナミン、β−N−ヘキシルアミノプロピオグアナミ
ン、ピペリジンプロピオグアナミン、シクロヘキシルア
ミノプロピオグアナミン、モルホリンプロピオグアナミ
ン、β−N−(2−エチルヘキシロキシプロピルアミ
ノ)プロピオグアナミン、β−N−(ラウリルオキシプ
ロピルアミノ)プロピオグアナミン、o−(m−,p
−)安息香酸メチル、サリチル酸フェニル、p−ニトロ
フェノール、ニトロベンゼンスルホン酸、2,4−ジニ
トロベンゼンスルホン酸、m−ニトロ安息香酸、チオグ
リコール酸、メルカプトコハク酸、イミダゾール、2−
ビニルピリジン、インドール、キノリンなどを挙げるこ
とができる。
【0017】さらに、該めっき浴には、浴を安定化させ
るために酸及び/或いはキレート剤及び/或いはアルカ
リを添加することができる。これらの安定化剤として
は、下記の(1)〜(19)を挙げることができる。 (1)硫酸 (2)塩酸 (3)ホウフッ酸 (4)ケイフッ酸 (5)スルファミン酸 (6)リン酸又は縮合リン酸 (7)酢酸又は酢酸のアルカリ金属塩又はアンモニウム
塩 (8)アルキル基の炭素数が0〜3の脂肪族ジカルボン
酸又はそれらのアルカリ金属又はアンモニウム塩 (9)アルキル基の炭素数が1〜2の脂肪族ヒドロキシ
モノカルボン酸又はそれらのアルカリ金属又はアンモニ
ウム塩 (10)アルキル基の炭素数が1〜3の脂肪族ヒドロキ
シポリカルボン酸又はそれらのアルカリ金属又はアンモ
ニウム塩 (11)単糖類の一部が酸化されたポリヒドロキシカル
ボン酸又はそれらのアルカリ金属又はアンモニウム塩、 (12)アルキル基の炭素数が1〜4の脂肪族モノ−も
しくはジ−アミノ、モノ−もしくはジ−カルボン酸又は
それらのアルカリ金属又はアンモニウム塩、 (13)アルキル基の炭素数が2〜3の脂肪族モノメル
カプトモノカルボン酸及び脂肪族モノメルカプトジカル
ボン酸及び脂肪族モノメルカプトモノアミノモノカルボ
ン酸又はそれらのアルカリ金属又はアンモニウム塩、 (14)下記のアミンカルボン酸又はそれらのアルカリ
金属又はアンモニウム塩、エチレンジアミンテトラ酢酸
(EDTA)、イミノジ酢酸(IDA)、ニトリロトリ
酢酸(NTA)、ジエチレントリアミンペンタ酢酸(D
TPA)、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸(TTH
A)、エチレンジオキシビス(エチルアミン)−N,
N,N’,N’−テトラ酢酸、グリコールエチレンジア
ミンテトラ酢酸(GEDTA)、N−ヒドロキシエチル
エチレンジアミンナテトラ酢酸(HEEDTA)又はそ
れらのアルカリ金属又はアンモニウム塩 (15)アルカンの炭素数が1〜3のヒドロキシアルカ
ンビスホスホン酸又はそれらのアルカリ金属又はアンモ
ニウム塩、 (16)下記の一般式(i) 及び(ii)で表される脂肪族ス
ルホン酸、(i) 一般式 (X1 )n −R−SO3 H [ここで、RはC1 〜C5 のアルキル基を表し、X1 は
水素、水酸基、アルキル基、アリール基、アルキルアリ
ール基、カルボキシル基又はスルホン酸基を表し、そし
てアルキル基の任意の位置にあってよく、nは0〜3の
整数である。] (ii)一般式
るために酸及び/或いはキレート剤及び/或いはアルカ
リを添加することができる。これらの安定化剤として
は、下記の(1)〜(19)を挙げることができる。 (1)硫酸 (2)塩酸 (3)ホウフッ酸 (4)ケイフッ酸 (5)スルファミン酸 (6)リン酸又は縮合リン酸 (7)酢酸又は酢酸のアルカリ金属塩又はアンモニウム
塩 (8)アルキル基の炭素数が0〜3の脂肪族ジカルボン
酸又はそれらのアルカリ金属又はアンモニウム塩 (9)アルキル基の炭素数が1〜2の脂肪族ヒドロキシ
モノカルボン酸又はそれらのアルカリ金属又はアンモニ
ウム塩 (10)アルキル基の炭素数が1〜3の脂肪族ヒドロキ
シポリカルボン酸又はそれらのアルカリ金属又はアンモ
ニウム塩 (11)単糖類の一部が酸化されたポリヒドロキシカル
ボン酸又はそれらのアルカリ金属又はアンモニウム塩、 (12)アルキル基の炭素数が1〜4の脂肪族モノ−も
しくはジ−アミノ、モノ−もしくはジ−カルボン酸又は
それらのアルカリ金属又はアンモニウム塩、 (13)アルキル基の炭素数が2〜3の脂肪族モノメル
カプトモノカルボン酸及び脂肪族モノメルカプトジカル
ボン酸及び脂肪族モノメルカプトモノアミノモノカルボ
ン酸又はそれらのアルカリ金属又はアンモニウム塩、 (14)下記のアミンカルボン酸又はそれらのアルカリ
金属又はアンモニウム塩、エチレンジアミンテトラ酢酸
(EDTA)、イミノジ酢酸(IDA)、ニトリロトリ
酢酸(NTA)、ジエチレントリアミンペンタ酢酸(D
TPA)、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸(TTH
A)、エチレンジオキシビス(エチルアミン)−N,
N,N’,N’−テトラ酢酸、グリコールエチレンジア
ミンテトラ酢酸(GEDTA)、N−ヒドロキシエチル
エチレンジアミンナテトラ酢酸(HEEDTA)又はそ
れらのアルカリ金属又はアンモニウム塩 (15)アルカンの炭素数が1〜3のヒドロキシアルカ
ンビスホスホン酸又はそれらのアルカリ金属又はアンモ
ニウム塩、 (16)下記の一般式(i) 及び(ii)で表される脂肪族ス
ルホン酸、(i) 一般式 (X1 )n −R−SO3 H [ここで、RはC1 〜C5 のアルキル基を表し、X1 は
水素、水酸基、アルキル基、アリール基、アルキルアリ
ール基、カルボキシル基又はスルホン酸基を表し、そし
てアルキル基の任意の位置にあってよく、nは0〜3の
整数である。] (ii)一般式
【化23】 [ここで、RはC1 〜C5 のアルキル基又はC1 〜C3
のアルキレン基を表し、アルキレン基の任意の位置に水
酸基があってよく、Xは塩素及びフッ素のハロゲンを表
し、アルキル基及びアルキレン基の水素と置換された塩
素又はフッ素の置換数は1からアルキル基又はアルキレ
ン基に配位したすべての水素が飽和置換されたものまで
を表し、置換されたハロゲン種は1種又は2種類であ
り、塩素又はフッ素の置換基は任意の位置にあってよ
い。Yは水素又はスルホン酸基を表し、Yで表されるス
ルホン酸基の置換数は0から2の範囲にある。] (17)下記の一般式(iii) で表される芳香族スルホン
酸、(iii) 一般式
のアルキレン基を表し、アルキレン基の任意の位置に水
酸基があってよく、Xは塩素及びフッ素のハロゲンを表
し、アルキル基及びアルキレン基の水素と置換された塩
素又はフッ素の置換数は1からアルキル基又はアルキレ
ン基に配位したすべての水素が飽和置換されたものまで
を表し、置換されたハロゲン種は1種又は2種類であ
り、塩素又はフッ素の置換基は任意の位置にあってよ
い。Yは水素又はスルホン酸基を表し、Yで表されるス
ルホン酸基の置換数は0から2の範囲にある。] (17)下記の一般式(iii) で表される芳香族スルホン
酸、(iii) 一般式
【化24】 [ここで、X2 は水酸基、アルキル基、アリール基、ア
ルキルアリール基、アルデヒド基、カルボキシル基、ニ
トロ基、メルカプト基、スルホン酸基又はアミノ基を表
し、或いは2個のX2 はベンゼン環と一緒になってナフ
タリン環を形成でき、mは0〜3の整数である。] (18)アルカリ金属の水酸化物又は水酸化アンモニウ
ムから選ばれた1種又は2種以上を単独又は適宜混合し
て使用できる。 (19)一般式
ルキルアリール基、アルデヒド基、カルボキシル基、ニ
トロ基、メルカプト基、スルホン酸基又はアミノ基を表
し、或いは2個のX2 はベンゼン環と一緒になってナフ
タリン環を形成でき、mは0〜3の整数である。] (18)アルカリ金属の水酸化物又は水酸化アンモニウ
ムから選ばれた1種又は2種以上を単独又は適宜混合し
て使用できる。 (19)一般式
【化25】 [ここで、R1 、R2 、及びR3 はそれぞれ独立に、水
素、メチル基、エチル基又は(CH2 )n −CH(R
4 )(OH)を表し、R1 、R2 及びR3 の内、少なく
とも一つは(CH2 )n −CH(R4 )(OH)であ
る。R4 は、水素又はメチル基を表し、nは1又は2の
整数を表す。]で表されるアミンアルコール。
素、メチル基、エチル基又は(CH2 )n −CH(R
4 )(OH)を表し、R1 、R2 及びR3 の内、少なく
とも一つは(CH2 )n −CH(R4 )(OH)であ
る。R4 は、水素又はメチル基を表し、nは1又は2の
整数を表す。]で表されるアミンアルコール。
【0018】前記の(1)〜(19)の中で単独に列挙
せず一般式で示した化合物の中で好適なものを例示すれ
ば、(6)リン酸又は縮合リン酸としては、リン酸及び
ピロリン酸及びトリポリリン酸が、(8)脂肪族ジカル
ボン酸としては、蓚酸、マロン酸、コハク酸が、(9)
脂肪族ヒドロキシモノカルボン酸としては、グリコール
酸が、(10)脂肪族ヒドロキシポリカルボン酸として
は、酒石酸、クエン酸が、(11)単糖類およびその一
部が酸化されたポリヒドロキシカルボン酸ならびにそれ
らの環状エステル化合物としては、アスコルビン酸、グ
ルコン酸、δ−グルコノラクトンが、(12)脂肪族ア
ミノカルボン酸としては、グリシンが、(13)脂肪族
メルカプトカルボン酸としては、メルカプトコハク酸
が、(14)アミンカルボン酸としては、エチレンジア
ミンテトラ酢酸、イミノジ酢酸、ニトリロトリ酢酸が、
(15)ヒドロキシアルカンビスホスホン酸としては、
1−ヒドロキシエタン−1,1−ビスホスホン酸が(1
6)−(i) 〜(17)−(iii) の有機スルホン酸として
は、メタンスルホン酸、メタンジスルホン酸、メタント
リスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、エタン
スルホン酸、プロパンスルホン酸、2−プロパンスルホ
ン酸、ブタンスルホン酸、2−ブタンスルホン酸、ペン
タンスルホン酸、2−ヒドロキシエタン−1−スルホン
酸、2−ヒドロキシプロパン−1−スルホン酸、2−ヒ
ドロキシブタンスルホン酸、2−ヒドロキシペンタンス
ルホン酸、1カルボキシエタンスルホン酸、1,3−プ
ロパンジスルホン酸、アリールスルホン酸、2−スルホ
酢酸、2−又は3−プロピオスルホン酸、スルホこはく
酸、スルホマレイン酸、スルホフマル酸、ベンゼンスル
ホン酸、トルエンスルホン酸、キシレスルホン酸、ニト
ロベンゼンスルホン酸、スルホ安息香酸、スルホサリチ
ル酸、ベンズアルデヒドスルホン酸、フェノールスルホ
ン酸、フェノール−2,4−ジスルホン酸、(19)の
アミンアルコールとしては、N−メチルエタノールアミ
ン、2−ジエチルアミノエタノール、3−ジエチルアミ
ノ−1−プロパノール、1−(ジメチルアミノ)−2−
プロパノール、3−(ジメチルアミノ)−2−プロパノ
ール、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、ト
リエタノールアミンなどが挙げられる。めっき浴中での
使用量は、用いる浴の種類やめっき対象物によって適宜
選択されるが、浴中金属成分の1モルに対して、0.5
〜20モル程度が適当であり、好ましくは2〜15モル
程度である。
せず一般式で示した化合物の中で好適なものを例示すれ
ば、(6)リン酸又は縮合リン酸としては、リン酸及び
ピロリン酸及びトリポリリン酸が、(8)脂肪族ジカル
ボン酸としては、蓚酸、マロン酸、コハク酸が、(9)
脂肪族ヒドロキシモノカルボン酸としては、グリコール
酸が、(10)脂肪族ヒドロキシポリカルボン酸として
は、酒石酸、クエン酸が、(11)単糖類およびその一
部が酸化されたポリヒドロキシカルボン酸ならびにそれ
らの環状エステル化合物としては、アスコルビン酸、グ
ルコン酸、δ−グルコノラクトンが、(12)脂肪族ア
ミノカルボン酸としては、グリシンが、(13)脂肪族
メルカプトカルボン酸としては、メルカプトコハク酸
が、(14)アミンカルボン酸としては、エチレンジア
ミンテトラ酢酸、イミノジ酢酸、ニトリロトリ酢酸が、
(15)ヒドロキシアルカンビスホスホン酸としては、
1−ヒドロキシエタン−1,1−ビスホスホン酸が(1
6)−(i) 〜(17)−(iii) の有機スルホン酸として
は、メタンスルホン酸、メタンジスルホン酸、メタント
リスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、エタン
スルホン酸、プロパンスルホン酸、2−プロパンスルホ
ン酸、ブタンスルホン酸、2−ブタンスルホン酸、ペン
タンスルホン酸、2−ヒドロキシエタン−1−スルホン
酸、2−ヒドロキシプロパン−1−スルホン酸、2−ヒ
ドロキシブタンスルホン酸、2−ヒドロキシペンタンス
ルホン酸、1カルボキシエタンスルホン酸、1,3−プ
ロパンジスルホン酸、アリールスルホン酸、2−スルホ
酢酸、2−又は3−プロピオスルホン酸、スルホこはく
酸、スルホマレイン酸、スルホフマル酸、ベンゼンスル
ホン酸、トルエンスルホン酸、キシレスルホン酸、ニト
ロベンゼンスルホン酸、スルホ安息香酸、スルホサリチ
ル酸、ベンズアルデヒドスルホン酸、フェノールスルホ
ン酸、フェノール−2,4−ジスルホン酸、(19)の
アミンアルコールとしては、N−メチルエタノールアミ
ン、2−ジエチルアミノエタノール、3−ジエチルアミ
ノ−1−プロパノール、1−(ジメチルアミノ)−2−
プロパノール、3−(ジメチルアミノ)−2−プロパノ
ール、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、ト
リエタノールアミンなどが挙げられる。めっき浴中での
使用量は、用いる浴の種類やめっき対象物によって適宜
選択されるが、浴中金属成分の1モルに対して、0.5
〜20モル程度が適当であり、好ましくは2〜15モル
程度である。
【0019】なお、亜鉛含有率が0.1〜15%で、光
沢ないしは半光沢の錫−亜鉛合金めっき皮膜を施した該
電気・電子回路部品は、上述の如く、錫−亜鉛系はんだ
によって接合される場合に、良好なはんだ接合性能を有
するものであるが、錫−亜鉛系以外のはんだ、即ち、錫
−鉛系、錫−銀系、錫−アンチモン系、錫−ビスマス
系、錫−インジウム系、錫−銅系などのはんだを用いた
場合にも、該皮膜よりも亜鉛含有率の高い皮膜や、光沢
性のない皮膜を用いた場合よりもはんだ接合性能は良好
であり、これら錫−亜鉛系以外のはんだに対しても適用
は可能である。
沢ないしは半光沢の錫−亜鉛合金めっき皮膜を施した該
電気・電子回路部品は、上述の如く、錫−亜鉛系はんだ
によって接合される場合に、良好なはんだ接合性能を有
するものであるが、錫−亜鉛系以外のはんだ、即ち、錫
−鉛系、錫−銀系、錫−アンチモン系、錫−ビスマス
系、錫−インジウム系、錫−銅系などのはんだを用いた
場合にも、該皮膜よりも亜鉛含有率の高い皮膜や、光沢
性のない皮膜を用いた場合よりもはんだ接合性能は良好
であり、これら錫−亜鉛系以外のはんだに対しても適用
は可能である。
【0020】
【実施例】次に実施例によって、この発明をさらに詳細
に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定さ
れるものではなく、前述した目的に沿って請求項に記載
した範囲内で、めっき皮膜組成、膜厚、めっき浴の構
成、下地めっき、リン酸塩処理などのめっき条件を適
宜、任意に変更し、該電気・電子回路部品を製作するこ
とができる。
に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定さ
れるものではなく、前述した目的に沿って請求項に記載
した範囲内で、めっき皮膜組成、膜厚、めっき浴の構
成、下地めっき、リン酸塩処理などのめっき条件を適
宜、任意に変更し、該電気・電子回路部品を製作するこ
とができる。
【0021】バフ研磨した銅板を素地として用い、2.
5cm×2.5cmに切断後、定法に従って予備処理と
して、ベンジン脱脂、電解脱脂、水洗を施して試料とし
た。めっきを施す場合には、引き続き酸洗を施し、水洗
の後にめっきを施した。ニッケルめっきには通常の無光
沢浴を、無電解ニッケルめっきには、通常の次亜リン酸
を還元剤とするニッケル−リン合金めっきを施した。金
めっきはシアン浴から純金めっきを施した。錫−亜鉛め
っきの後にリン酸塩処理を施す場合には、錫めっきある
いは錫−鉛合金めっきに施される定法のリン酸塩処理を
施した。はんだ接合性試験には、メニスコグラフ法を用
い、錫−亜鉛(92%−8%)の合金をはんだ浴として
用い、浴温230℃、浸漬時間5秒で測定した。比較例
及び実施例に用いた錫−亜鉛合金めっき浴の組成は、そ
れぞれの例の中に記載した。はんだ接合試験の結果を、
(a)ゼロクロスタイム(b)浸漬開始より5秒後の濡
れ荷重(c)外観状態の3つを指標として評価し、
(d)総合評価をA〜Eに分類した。
5cm×2.5cmに切断後、定法に従って予備処理と
して、ベンジン脱脂、電解脱脂、水洗を施して試料とし
た。めっきを施す場合には、引き続き酸洗を施し、水洗
の後にめっきを施した。ニッケルめっきには通常の無光
沢浴を、無電解ニッケルめっきには、通常の次亜リン酸
を還元剤とするニッケル−リン合金めっきを施した。金
めっきはシアン浴から純金めっきを施した。錫−亜鉛め
っきの後にリン酸塩処理を施す場合には、錫めっきある
いは錫−鉛合金めっきに施される定法のリン酸塩処理を
施した。はんだ接合性試験には、メニスコグラフ法を用
い、錫−亜鉛(92%−8%)の合金をはんだ浴として
用い、浴温230℃、浸漬時間5秒で測定した。比較例
及び実施例に用いた錫−亜鉛合金めっき浴の組成は、そ
れぞれの例の中に記載した。はんだ接合試験の結果を、
(a)ゼロクロスタイム(b)浸漬開始より5秒後の濡
れ荷重(c)外観状態の3つを指標として評価し、
(d)総合評価をA〜Eに分類した。
【0022】比較例1 銅板試料を上述にしたがって、予備処理し、乾燥させた
直後にはんだ接合試験を実施した。 比較例2 予備処理、乾燥の後、一週間放置し、はんだ接合試験を
実施した。めっき皮膜を施さない場合には、十分なはん
だ接合性は得られず、一週間放置した試料はさらにはん
だ接合性は低下した。 比較例3 予備処理の後、10μmの下層ニッケルめっきを施し、
さらに0.1μmの上層金めっきを施した。該試料は、
比較例2に比べるとかなり良好なはんだ接合性を示し
た。ニッケルめっき→金めっきという従来からの皮膜の
組み合わせで、はんだ接合性はある程度改善されるけれ
ども、工業的利用に十分とは言えず、また、従来錫−鉛
めっきが利用されてきた接合部品のすべてに希有金属の
金を使用することは、コストばかりでなく希有資源の保
全の面からも好ましくない。
直後にはんだ接合試験を実施した。 比較例2 予備処理、乾燥の後、一週間放置し、はんだ接合試験を
実施した。めっき皮膜を施さない場合には、十分なはん
だ接合性は得られず、一週間放置した試料はさらにはん
だ接合性は低下した。 比較例3 予備処理の後、10μmの下層ニッケルめっきを施し、
さらに0.1μmの上層金めっきを施した。該試料は、
比較例2に比べるとかなり良好なはんだ接合性を示し
た。ニッケルめっき→金めっきという従来からの皮膜の
組み合わせで、はんだ接合性はある程度改善されるけれ
ども、工業的利用に十分とは言えず、また、従来錫−鉛
めっきが利用されてきた接合部品のすべてに希有金属の
金を使用することは、コストばかりでなく希有資源の保
全の面からも好ましくない。
【0023】比較例4 下記の浴Aから厚さ約10μmで亜鉛含有率が35%の
半光沢錫−亜鉛合金めっき皮膜を施した。 浴A 錫(硫酸錫として添加) 0.125mol/l 亜鉛(硫酸亜鉛として添加) 0.125mol/l グルコン酸Na 0.5 mol/l トリエタノールアミン 0.25 mol/l ポリエチレングリコール ノニルフェニルエーテル 10 g/l ベンズアルデヒド 0.1 g/l pH 5 浴温 20 ℃ 電流密度 1.5 A/dm2 標準的な錫−亜鉛合金めっきであり、カドミめっきの代
替として防蝕用皮膜として使用されている亜鉛含有率が
35%の半光沢錫−亜鉛合金めっき皮膜を応用しても、
はんだ接合性は改善されなかった。
半光沢錫−亜鉛合金めっき皮膜を施した。 浴A 錫(硫酸錫として添加) 0.125mol/l 亜鉛(硫酸亜鉛として添加) 0.125mol/l グルコン酸Na 0.5 mol/l トリエタノールアミン 0.25 mol/l ポリエチレングリコール ノニルフェニルエーテル 10 g/l ベンズアルデヒド 0.1 g/l pH 5 浴温 20 ℃ 電流密度 1.5 A/dm2 標準的な錫−亜鉛合金めっきであり、カドミめっきの代
替として防蝕用皮膜として使用されている亜鉛含有率が
35%の半光沢錫−亜鉛合金めっき皮膜を応用しても、
はんだ接合性は改善されなかった。
【0024】比較例5 下記の浴Bから厚さ約10μmで亜鉛含有率が12%の
無光沢錫−亜鉛合金めっき皮膜を施した。 浴B 錫(硫酸錫として添加) 0.40mol/l 亜鉛(硫酸亜鉛として添加) 0.10mol/l グルコン酸Na 1.0 mol/l トリエタノールアミン 0.50mol/l ポリエチレングリコール ノニルフェニルエーテル 10 g/l pH 4 浴温 40 ℃ 電流密度 1 A/dm2 亜鉛含有率の低い錫−亜鉛合金めっき皮膜は、比較例4
に較べると良好なはんだ接合性を示したが、工業的利用
に対しては不十分な性能と考えられる。
無光沢錫−亜鉛合金めっき皮膜を施した。 浴B 錫(硫酸錫として添加) 0.40mol/l 亜鉛(硫酸亜鉛として添加) 0.10mol/l グルコン酸Na 1.0 mol/l トリエタノールアミン 0.50mol/l ポリエチレングリコール ノニルフェニルエーテル 10 g/l pH 4 浴温 40 ℃ 電流密度 1 A/dm2 亜鉛含有率の低い錫−亜鉛合金めっき皮膜は、比較例4
に較べると良好なはんだ接合性を示したが、工業的利用
に対しては不十分な性能と考えられる。
【0025】実施例1 下記の浴Cから厚さ約10μmで亜鉛含有率が8%の光
沢錫−亜鉛合金めっき皮膜を施した。 浴C 錫(硫酸錫として添加) 0.20mol/l 亜鉛(硫酸亜鉛として添加) 0.05mol/l グルコン酸Na 0.5 mol/l トリエタノールアミン 0.25mol/l ポリエチレングリコール ノニルフェニルエーテル 2.5 g/l o−バニリン 0.05 g/l 37%ホルマリン 0.5 ml/l pH 5 浴温 20 ℃ 電流密度 2 A/dm2 亜鉛含有率が低く、かつ外観が光沢の錫−亜鉛合金めっ
き皮膜は、非常に良好なはんだ接合性を示した。
沢錫−亜鉛合金めっき皮膜を施した。 浴C 錫(硫酸錫として添加) 0.20mol/l 亜鉛(硫酸亜鉛として添加) 0.05mol/l グルコン酸Na 0.5 mol/l トリエタノールアミン 0.25mol/l ポリエチレングリコール ノニルフェニルエーテル 2.5 g/l o−バニリン 0.05 g/l 37%ホルマリン 0.5 ml/l pH 5 浴温 20 ℃ 電流密度 2 A/dm2 亜鉛含有率が低く、かつ外観が光沢の錫−亜鉛合金めっ
き皮膜は、非常に良好なはんだ接合性を示した。
【0026】実施例2 下記の浴Dから厚さ約10μmで亜鉛含有率が8%の半
光沢錫−亜鉛合金めっき皮膜を施した。 浴D 錫(硫酸錫として添加) 0.20mol/l 亜鉛(硫酸亜鉛として添加) 0.05mol/l グルコン酸Na 0.5 mol/l トリエタノールアミン 0.25mol/l ポリエチレングリコール ノニルフェニルエーテル 2.5 g/l o−バニリン 0.05 g/l pH 5 浴温 20 ℃ 電流密度 2 A/dm2 半光沢めっき皮膜も、実施例1と同様良好なはんだ接合
性を示した。
光沢錫−亜鉛合金めっき皮膜を施した。 浴D 錫(硫酸錫として添加) 0.20mol/l 亜鉛(硫酸亜鉛として添加) 0.05mol/l グルコン酸Na 0.5 mol/l トリエタノールアミン 0.25mol/l ポリエチレングリコール ノニルフェニルエーテル 2.5 g/l o−バニリン 0.05 g/l pH 5 浴温 20 ℃ 電流密度 2 A/dm2 半光沢めっき皮膜も、実施例1と同様良好なはんだ接合
性を示した。
【0027】実施例3 実施例2と同じ浴から厚さ約1μmで亜鉛含有率が8%
の半光沢錫−亜鉛合金めっき皮膜を施した。めっき皮膜
の厚さを、1μmまで薄くしても、はんだ接合性は良好
であった。
の半光沢錫−亜鉛合金めっき皮膜を施した。めっき皮膜
の厚さを、1μmまで薄くしても、はんだ接合性は良好
であった。
【0028】以下実施例4〜11には、添加剤、キレー
ト剤など浴の構成を変化させて、亜鉛含有率が概10%
で厚さが概0.1〜50μmの半光沢めっきを施した。
ト剤など浴の構成を変化させて、亜鉛含有率が概10%
で厚さが概0.1〜50μmの半光沢めっきを施した。
【0029】実施例4 下記の浴Eから厚さ約0.1μmで亜鉛含有率が10%
の半光沢錫−亜鉛合金めっき皮膜を施した。 浴E 錫(ピロリン酸錫として添加) 0.17mol/l 亜鉛(ピロリン酸亜鉛として添加) 0.55mol/l メタンスルホン酸 1.0 mol/l ジメチルラウリルベタイン 5 g/l pH 5 浴温 60 ℃ 電流密度 2 A/dm2
の半光沢錫−亜鉛合金めっき皮膜を施した。 浴E 錫(ピロリン酸錫として添加) 0.17mol/l 亜鉛(ピロリン酸亜鉛として添加) 0.55mol/l メタンスルホン酸 1.0 mol/l ジメチルラウリルベタイン 5 g/l pH 5 浴温 60 ℃ 電流密度 2 A/dm2
【0030】実施例5 下記の浴Fから厚さ約1μmで亜鉛含有率が10%の半
光沢錫−亜鉛合金めっき皮膜を施した。 浴F 錫(硫酸錫として添加) 0.17mol/l 亜鉛(硫酸亜鉛として添加) 0.15mol/l クエン酸 0.50mol/l 硫酸アンモニウム 80 g/l ジメチルラウリルベタイン 5 g/l pH 5 浴温 20 ℃ 電流密度 2 A/dm2
光沢錫−亜鉛合金めっき皮膜を施した。 浴F 錫(硫酸錫として添加) 0.17mol/l 亜鉛(硫酸亜鉛として添加) 0.15mol/l クエン酸 0.50mol/l 硫酸アンモニウム 80 g/l ジメチルラウリルベタイン 5 g/l pH 5 浴温 20 ℃ 電流密度 2 A/dm2
【0031】実施例6 下記の浴Gから厚さ約3μmで亜鉛含有率が8%の半光
沢錫−亜鉛合金めっき皮膜を施した。 浴G 錫(ピロリン錫として添加) 0.17mol/l 亜鉛(ピロリン亜鉛として添加) 0.10mol/l ピロリン酸 0.55mol/l ジメチルラウリルベタイン 5 g/l pH 5 浴温 60 ℃ 電流密度 2 A/dm2
沢錫−亜鉛合金めっき皮膜を施した。 浴G 錫(ピロリン錫として添加) 0.17mol/l 亜鉛(ピロリン亜鉛として添加) 0.10mol/l ピロリン酸 0.55mol/l ジメチルラウリルベタイン 5 g/l pH 5 浴温 60 ℃ 電流密度 2 A/dm2
【0032】実施例7 下記の浴Hから厚さ約5μmで亜鉛含有率が9%の半光
沢錫−亜鉛合金めっき皮膜を施した。 浴H 錫(硫酸錫として添加) 0.30mol/l 亜鉛(硫酸亜鉛として添加) 0.15mol/l クエン酸 0.50mol/l 硫酸アンモニウム 80 g/l ジメチルラウリルベタイン 5 g/l pH 5 浴温 20 ℃ 電流密度 2 A/dm2
沢錫−亜鉛合金めっき皮膜を施した。 浴H 錫(硫酸錫として添加) 0.30mol/l 亜鉛(硫酸亜鉛として添加) 0.15mol/l クエン酸 0.50mol/l 硫酸アンモニウム 80 g/l ジメチルラウリルベタイン 5 g/l pH 5 浴温 20 ℃ 電流密度 2 A/dm2
【0033】実施例8 下記の浴Iから厚さ約10μmで亜鉛含有率が8%の半
光沢錫−亜鉛合金めっき皮膜を施した。 浴I 錫(メタンスルホン酸錫として添加) 0.30mol/l 亜鉛(メタンスルホン酸亜鉛として添加) 0.15mol/l EDTA Na 0.50mol/l イミノジ酢酸 0.03mol/l 硫酸アンモニウム 80 g/l ポリオキシエチレン トリスチリルフェノールエーテル 5 g/l pH 5 浴温 30 ℃ 電流密度 2 A/dm2
光沢錫−亜鉛合金めっき皮膜を施した。 浴I 錫(メタンスルホン酸錫として添加) 0.30mol/l 亜鉛(メタンスルホン酸亜鉛として添加) 0.15mol/l EDTA Na 0.50mol/l イミノジ酢酸 0.03mol/l 硫酸アンモニウム 80 g/l ポリオキシエチレン トリスチリルフェノールエーテル 5 g/l pH 5 浴温 30 ℃ 電流密度 2 A/dm2
【0034】実施例9 下記の浴Jから厚さ約30μmで亜鉛含有率が11%の
半光沢錫−亜鉛合金めっき皮膜を施した。 浴J 錫(塩化錫として添加) 0.30mol/l 亜鉛(塩化亜鉛として添加) 0.15mol/l 酒石酸Na 0.50mol/l イミノジ酢酸 0.03mol/l 塩化アンモニウム 80 g/l ポリオキシエチレン ナフトールエーテル 5 g/l pH 5 浴温 30 ℃ 電流密度 2 A/dm2
半光沢錫−亜鉛合金めっき皮膜を施した。 浴J 錫(塩化錫として添加) 0.30mol/l 亜鉛(塩化亜鉛として添加) 0.15mol/l 酒石酸Na 0.50mol/l イミノジ酢酸 0.03mol/l 塩化アンモニウム 80 g/l ポリオキシエチレン ナフトールエーテル 5 g/l pH 5 浴温 30 ℃ 電流密度 2 A/dm2
【0035】実施例10 下記の浴Kから厚さ約20μmで亜鉛含有率が9%の半
光沢錫−亜鉛合金めっき皮膜を施した。 浴K 錫(スルホコハク酸錫として添加) 0.30mol/l 亜鉛(スルホコハク酸亜鉛として添加) 0.15mol/l リンゴ酸 0.50mol/l イミノジ酢酸 0.03mol/l 硫酸アンモニウム 80 g/l ポリオキシエチレンポリ オキシプロピレンエチレンジアミン 5 g/l pH 5 浴温 30 ℃ 電流密度 2 A/dm2
光沢錫−亜鉛合金めっき皮膜を施した。 浴K 錫(スルホコハク酸錫として添加) 0.30mol/l 亜鉛(スルホコハク酸亜鉛として添加) 0.15mol/l リンゴ酸 0.50mol/l イミノジ酢酸 0.03mol/l 硫酸アンモニウム 80 g/l ポリオキシエチレンポリ オキシプロピレンエチレンジアミン 5 g/l pH 5 浴温 30 ℃ 電流密度 2 A/dm2
【0036】実施例11 下記の浴Lから厚さ約50μmで亜鉛含有率が10%の
半光沢錫−亜鉛合金めっき皮膜を施した。 浴L 錫(スルファミン酸錫として添加) 0.30mol/l 亜鉛(スルファミン亜鉛として添加) 0.15mol/l スルファミン酸 1.0 mol/l イミノジ酢酸 0.03mol/l ポリオキシエチレンポリオキシプロ ピレントリスチリルフェノールエーテル 5 g/l pH 1 浴温 30 ℃ 電流密度 2 A/dm2 実施例4〜11に示したように、浴の構成を変化させて
も、亜鉛含有率が低く、外観が半光沢のめっき皮膜は全
て良好なはんだ接合性を示した。
半光沢錫−亜鉛合金めっき皮膜を施した。 浴L 錫(スルファミン酸錫として添加) 0.30mol/l 亜鉛(スルファミン亜鉛として添加) 0.15mol/l スルファミン酸 1.0 mol/l イミノジ酢酸 0.03mol/l ポリオキシエチレンポリオキシプロ ピレントリスチリルフェノールエーテル 5 g/l pH 1 浴温 30 ℃ 電流密度 2 A/dm2 実施例4〜11に示したように、浴の構成を変化させて
も、亜鉛含有率が低く、外観が半光沢のめっき皮膜は全
て良好なはんだ接合性を示した。
【0037】比較例6 素地を42アロイに変えて実施例1と同じ条件でめっき
を施して作成した試料のはんだ接合性は、良好であった
けれども、実施例1よりは劣っていた。
を施して作成した試料のはんだ接合性は、良好であった
けれども、実施例1よりは劣っていた。
【0038】実施例12 42アロイ素地上に電気めっきによって3μmの銅めっ
きを施した後、実施例1と同じ条件でめっきを施して作
成した試料のはんだ接合性は、実施例1と同様に良好で
あった。
きを施した後、実施例1と同じ条件でめっきを施して作
成した試料のはんだ接合性は、実施例1と同様に良好で
あった。
【0039】実施例13 実施例1と同じ条件で作成した試料を1週間放置した
後、はんだ接合性を測定した。錫−亜鉛めっき皮膜がな
い場合よりは良好であったけれども、経時によって、め
っき直後よりもはんだ接合性は低下した。
後、はんだ接合性を測定した。錫−亜鉛めっき皮膜がな
い場合よりは良好であったけれども、経時によって、め
っき直後よりもはんだ接合性は低下した。
【0040】実施例14 下層めっきとして厚さ10μmの電気ニッケルめっき皮
膜を施した上に、実施例1及び13と同じ条件で錫−亜
鉛合金めっき皮膜を施し、実施例13と同じく1週間の
放置の後にはんだ接合性を測定した。はんだ接合性は、
実施例13よりも良好であったが、実施例1のめっき直
後よりも低下していた。
膜を施した上に、実施例1及び13と同じ条件で錫−亜
鉛合金めっき皮膜を施し、実施例13と同じく1週間の
放置の後にはんだ接合性を測定した。はんだ接合性は、
実施例13よりも良好であったが、実施例1のめっき直
後よりも低下していた。
【0041】実施例15 実施例1と同じ条件で錫−亜鉛合金めっきを施した後
に、下記条件に従ってリン酸塩処理を施して、1週間経
時後にはんだ接合性を測定した。 結果は実施例14と同程度であった。
に、下記条件に従ってリン酸塩処理を施して、1週間経
時後にはんだ接合性を測定した。 結果は実施例14と同程度であった。
【0042】実施例16 実施例15のリン酸塩処理を、下記の条件に変更して行
った。 リン酸塩処理条件:アミノトリ(メチレンホスホン酸5ナトリウム) 5%水溶液 温度 室温 結果は実施例15と同程度であった。
った。 リン酸塩処理条件:アミノトリ(メチレンホスホン酸5ナトリウム) 5%水溶液 温度 室温 結果は実施例15と同程度であった。
【0043】実施例17 実施例14と同じ条件でニッケルめっき及び錫−亜鉛合
金めっき皮膜を施した後に、実施例15と同じ条件でリ
ン酸塩処理を施して、1週間経時後にはんだ接合性を測
定した。実施例1と同程度の良好なはんだ接合性が得ら
れた。
金めっき皮膜を施した後に、実施例15と同じ条件でリ
ン酸塩処理を施して、1週間経時後にはんだ接合性を測
定した。実施例1と同程度の良好なはんだ接合性が得ら
れた。
【0044】実施例18 ニッケル下層めっきを0.1μmの厚さの無電解ニッケ
ルめっき皮膜に変えて、実施例17と同じ条件ではんだ
接合性を測定した。下層めっき皮膜は0.1μmの厚さ
でも十分の効果を示し、実施例1あるいは実施例17と
同様の良好なはんだ接合性を示した。
ルめっき皮膜に変えて、実施例17と同じ条件ではんだ
接合性を測定した。下層めっき皮膜は0.1μmの厚さ
でも十分の効果を示し、実施例1あるいは実施例17と
同様の良好なはんだ接合性を示した。
【0045】得られた結果を下記の表1に要約する。
【表1】
【0046】
【発明の効果】本発明に係る電気・電子回路部品は、非
鉛の錫−亜鉛系はんだ接合材を用いる際に良好なはんだ
接合性を有した電気・電子回路部品を提供するものであ
り、電気・電子回路部品のはんだ接合工程から鉛を追放
することを可能とするものである。
鉛の錫−亜鉛系はんだ接合材を用いる際に良好なはんだ
接合性を有した電気・電子回路部品を提供するものであ
り、電気・電子回路部品のはんだ接合工程から鉛を追放
することを可能とするものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 祐二 兵庫県明石市二見町南二見21−8株式会社 大和化成研究所内 (72)発明者 青木 和博 兵庫県神戸市兵庫区西柳原町5番26号石原 薬品株式会社内 (72)発明者 縄舟 秀美 大阪府高槻市真上町5丁目38−34
Claims (3)
- 【請求項1】 錫−亜鉛系はんだではんだ接合すること
を目的として、非シアン系の錫−亜鉛合金電気めっき浴
から得られる、0.1%以上、15%以下の亜鉛含有率
を有し、かつ光沢又は半光沢を有する0.1〜100μ
mの厚さの皮膜で予め被覆しておくことを特徴とする電
気・電子回路部品。 - 【請求項2】 錫−亜鉛合金めっきを施した後に、さら
にリン酸塩処理を施すことを特徴とする請求項1記載の
電気・電子回路部品。 - 【請求項3】 錫−亜鉛合金めっきを施すに先立って、
さらに電気めっき又は無電解めっきによってニッケル又
はニッケル合金又は銅の下層めっきを施すことを特徴と
する請求項1〜2のいずれかに記載の電気・電子回路部
品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21909096A JPH1046385A (ja) | 1996-08-02 | 1996-08-02 | 電気・電子回路部品 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21909096A JPH1046385A (ja) | 1996-08-02 | 1996-08-02 | 電気・電子回路部品 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1046385A true JPH1046385A (ja) | 1998-02-17 |
Family
ID=16730106
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21909096A Pending JPH1046385A (ja) | 1996-08-02 | 1996-08-02 | 電気・電子回路部品 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1046385A (ja) |
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---|---|---|---|---|
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-
1996
- 1996-08-02 JP JP21909096A patent/JPH1046385A/ja active Pending
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