JP3292055B2 - 錫−ビスマス合金電気めっき浴及びそれを使用するめっき方法 - Google Patents
錫−ビスマス合金電気めっき浴及びそれを使用するめっき方法Info
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3473—Plating of solder
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、針状、粉状、粒状
析出物やヤケ、コゲ等のない外観の良好な錫−ビスマス
合金めっき皮膜を形成できる錫−ビスマス合金電気めっ
き浴及びこれを使用する錫−ビスマス合金電気めっき方
法に関する。
析出物やヤケ、コゲ等のない外観の良好な錫−ビスマス
合金めっき皮膜を形成できる錫−ビスマス合金電気めっ
き浴及びこれを使用する錫−ビスマス合金電気めっき方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
電子部品、プリント基板などに半田付けを行うような場
合、錫めっきや錫−鉛合金めっきが行われることが主流
であった。しかし、錫めっきはウィスカー発生の問題が
あり、錫−鉛合金めっきは含有する鉛が近年環境汚染の
原因として問題化され、鉛抜きの錫合金半田材料が求め
られてきた。そこで最近、半田付けのために錫−ビスマ
ス（Ｓｎ−Ｂｉ）合金めっき浴が要望されてきた。
電子部品、プリント基板などに半田付けを行うような場
合、錫めっきや錫−鉛合金めっきが行われることが主流
であった。しかし、錫めっきはウィスカー発生の問題が
あり、錫−鉛合金めっきは含有する鉛が近年環境汚染の
原因として問題化され、鉛抜きの錫合金半田材料が求め
られてきた。そこで最近、半田付けのために錫−ビスマ
ス（Ｓｎ−Ｂｉ）合金めっき浴が要望されてきた。
【０００３】この錫−ビスマス合金めっき浴としては、
従来、硫酸浴、有機スルホン酸浴などが知られている
（特公平６−６３１１０号公報、特公平７−８１１９６
号公報）。
従来、硫酸浴、有機スルホン酸浴などが知られている
（特公平６−６３１１０号公報、特公平７−８１１９６
号公報）。
【０００４】しかしながら、従来のこの種の錫−ビスマ
ス合金めっき浴は、めっき作業中に被めっき物の端部や
縁部あるいは全面に数ミクロン〜数ミリメートルオーダ
ーの微小な針状、ヒゲ状、粒状、粉状の析出物やヤケ、
コゲなどが発生しやすく、めっき外観不良、膜厚・合金
組成不良、隣接リード間の短絡不良などの原因となる問
題があった。この場合、特にラックめっきなどで陰極電
流密度が０．５Ａ／ｄｍ2以上の場合に針状、ヒゲ状な
どの析出物が発生しやすく、更に、析出するめっき皮膜
中の錫の比率が８０％以上になるような場合にも針状、
ヒゲ状などの析出物が発生しやすい。また、析出するめ
っき皮膜中の錫の比率が８０％未満で針状、ヒゲ状など
の析出物が発生しない場合でも、めっき外観が暗色にな
ったり、ムラが発生したり、粒状、粉状などの析出物が
発生しやすいものであった。
ス合金めっき浴は、めっき作業中に被めっき物の端部や
縁部あるいは全面に数ミクロン〜数ミリメートルオーダ
ーの微小な針状、ヒゲ状、粒状、粉状の析出物やヤケ、
コゲなどが発生しやすく、めっき外観不良、膜厚・合金
組成不良、隣接リード間の短絡不良などの原因となる問
題があった。この場合、特にラックめっきなどで陰極電
流密度が０．５Ａ／ｄｍ2以上の場合に針状、ヒゲ状な
どの析出物が発生しやすく、更に、析出するめっき皮膜
中の錫の比率が８０％以上になるような場合にも針状、
ヒゲ状などの析出物が発生しやすい。また、析出するめ
っき皮膜中の錫の比率が８０％未満で針状、ヒゲ状など
の析出物が発生しない場合でも、めっき外観が暗色にな
ったり、ムラが発生したり、粒状、粉状などの析出物が
発生しやすいものであった。
【０００５】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、電子部品やプリント基板などのラックめっき、フー
プめっき、噴流めっきなどにおいて、針状、ヒゲ状、粒
状、粉状などの析出物やヤケ、コゲなどのめっき外観不
良の発生を防止することができる錫−ビスマス合金電気
めっき浴及びめっき方法を提供することを目的とする。
で、電子部品やプリント基板などのラックめっき、フー
プめっき、噴流めっきなどにおいて、針状、ヒゲ状、粒
状、粉状などの析出物やヤケ、コゲなどのめっき外観不
良の発生を防止することができる錫−ビスマス合金電気
めっき浴及びめっき方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結
果、第一錫塩と、ビスマス塩と、無機酸、飽和カルボン
酸及び有機スルホン酸から選ばれる酸とを含有する錫−
ビスマス合金電気めっき浴に、ポリオキシアルキルフェ
ニルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルアミン等の
非イオン界面活性剤と、２−メルカプトベンゾチアゾー
ル等のメルカプト基含有有機化合物と、不飽和カルボン
酸とを添加することにより、錫９９．９〜４３％（重量
％、以下同様）、ビスマス０．１〜５７％の組成を有す
る均一でムラのない錫−ビスマス合金めっき皮膜を広い
電流密度範囲で得ることができ、針状、ヒゲ状、粒状、
粉状などの析出物が生じたり、ヤケ、コゲ等が生じたり
することが効果的に防止されることを知見し、本発明を
なすに至った。
発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結
果、第一錫塩と、ビスマス塩と、無機酸、飽和カルボン
酸及び有機スルホン酸から選ばれる酸とを含有する錫−
ビスマス合金電気めっき浴に、ポリオキシアルキルフェ
ニルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルアミン等の
非イオン界面活性剤と、２−メルカプトベンゾチアゾー
ル等のメルカプト基含有有機化合物と、不飽和カルボン
酸とを添加することにより、錫９９．９〜４３％（重量
％、以下同様）、ビスマス０．１〜５７％の組成を有す
る均一でムラのない錫−ビスマス合金めっき皮膜を広い
電流密度範囲で得ることができ、針状、ヒゲ状、粒状、
粉状などの析出物が生じたり、ヤケ、コゲ等が生じたり
することが効果的に防止されることを知見し、本発明を
なすに至った。
【０００７】従って、本発明は、 （１）第一錫塩と、ビスマス塩と、無機酸、飽和カルボ
ン酸及び有機スルホン酸から選ばれる酸とを含有する錫
−ビスマス合金電気めっき浴に、非イオン界面活性剤
と、メルカプト基含有有機化合物と、不飽和カルボン酸
とを添加してなることを特徴とする錫−ビスマス合金電
気めっき浴。 （２）メルカプト基含有有機化合物が、２−メルカプト
安息香酸、メルカプトフェノール、２−メルカプトベン
ゾオキサゾール、２−メルカプトエチルアミン、２−メ
ルカプトベンゾチアゾール、メルカプトピリジンから選
ばれる少なくとも１種であると共に、含有量が０．０１
〜２０ｇ／Ｌであり、不飽和カルボン酸が、安息香酸、
フマル酸、フタル酸、アクリル酸、シトラコン酸、メタ
クリル酸から選ばれる少なくとも１種であると共に、含
有量が０．０１〜１０ｇ／Ｌである（１）の錫−ビスマ
ス合金電気めっき浴。 （３）（１）又は（２）記載のめっき浴に被めっき物を
浸漬して該被めっき物に錫−ビスマス合金電気めっきを
施すことを特徴とする錫−ビスマス合金電気めっき方
法。
ン酸及び有機スルホン酸から選ばれる酸とを含有する錫
−ビスマス合金電気めっき浴に、非イオン界面活性剤
と、メルカプト基含有有機化合物と、不飽和カルボン酸
とを添加してなることを特徴とする錫−ビスマス合金電
気めっき浴。 （２）メルカプト基含有有機化合物が、２−メルカプト
安息香酸、メルカプトフェノール、２−メルカプトベン
ゾオキサゾール、２−メルカプトエチルアミン、２−メ
ルカプトベンゾチアゾール、メルカプトピリジンから選
ばれる少なくとも１種であると共に、含有量が０．０１
〜２０ｇ／Ｌであり、不飽和カルボン酸が、安息香酸、
フマル酸、フタル酸、アクリル酸、シトラコン酸、メタ
クリル酸から選ばれる少なくとも１種であると共に、含
有量が０．０１〜１０ｇ／Ｌである（１）の錫−ビスマ
ス合金電気めっき浴。 （３）（１）又は（２）記載のめっき浴に被めっき物を
浸漬して該被めっき物に錫−ビスマス合金電気めっきを
施すことを特徴とする錫−ビスマス合金電気めっき方
法。
【０００８】以下、本発明につき更に詳しく説明する
と、本発明の錫−ビスマス合金電気めっき浴は、水溶性
の第一錫塩と、水溶性のビスマス塩と、無機酸、飽和カ
ルボン酸、有機スルホン酸から選ばれる酸とを含有す
る。
と、本発明の錫−ビスマス合金電気めっき浴は、水溶性
の第一錫塩と、水溶性のビスマス塩と、無機酸、飽和カ
ルボン酸、有機スルホン酸から選ばれる酸とを含有す
る。
【０００９】この場合、使用される第一錫塩としては、
硫酸錫、塩化錫、有機スルホン酸錫、グルコン酸錫など
が挙げられる。また、使用されるビスマス塩としては、
硫酸ビスマス、メタンスルホン酸ビスマス、フェノール
スルホン酸ビスマス等の有機スルホン酸ビスマス、グル
コン酸ビスマスなどが挙げられる。第一錫塩、ビスマス
塩の浴中の含有量は種々選定されるが、第一錫塩は錫と
して１〜９９ｇ／Ｌ、特に９〜３６ｇ／Ｌとすることが
好ましく、ビスマス塩は１〜９９ｇ／Ｌ、特に１〜２５
ｇ／Ｌとすることが好ましい。また、浴中の金属（２価
錫とビスマス）の総含有量は５〜１００ｇ／Ｌ、特に１
０〜４０ｇ／Ｌとすることが好ましい。
硫酸錫、塩化錫、有機スルホン酸錫、グルコン酸錫など
が挙げられる。また、使用されるビスマス塩としては、
硫酸ビスマス、メタンスルホン酸ビスマス、フェノール
スルホン酸ビスマス等の有機スルホン酸ビスマス、グル
コン酸ビスマスなどが挙げられる。第一錫塩、ビスマス
塩の浴中の含有量は種々選定されるが、第一錫塩は錫と
して１〜９９ｇ／Ｌ、特に９〜３６ｇ／Ｌとすることが
好ましく、ビスマス塩は１〜９９ｇ／Ｌ、特に１〜２５
ｇ／Ｌとすることが好ましい。また、浴中の金属（２価
錫とビスマス）の総含有量は５〜１００ｇ／Ｌ、特に１
０〜４０ｇ／Ｌとすることが好ましい。
【００１０】一方、無機酸としては、硫酸、塩酸、硝
酸、ホスホン酸、縮合リン酸等が挙げられる。カルボン
酸としては、クエン酸、グルコン酸、酒石酸、リンゴ酸
等が挙げられ、有機スルホン酸としては、置換又は非置
換のアルカンスルホン酸、ヒドロキシアルカンスルホン
酸、ベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸などが
挙げられる。
酸、ホスホン酸、縮合リン酸等が挙げられる。カルボン
酸としては、クエン酸、グルコン酸、酒石酸、リンゴ酸
等が挙げられ、有機スルホン酸としては、置換又は非置
換のアルカンスルホン酸、ヒドロキシアルカンスルホン
酸、ベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸などが
挙げられる。
【００１１】ここで、非置換のアルカンスルホン酸とし
ては、ＣnＨ2n+1ＳＯ3Ｈ（但し、ｎは１〜５、好ましく
は１又は２である）で示されるものが使用できる。ま
た、非置換のヒドロキシアルカンスルホン酸としては、
下記式で示されるものが使用できる。
ては、ＣnＨ2n+1ＳＯ3Ｈ（但し、ｎは１〜５、好ましく
は１又は２である）で示されるものが使用できる。ま
た、非置換のヒドロキシアルカンスルホン酸としては、
下記式で示されるものが使用できる。
【００１２】
【化１】 （但し、ｍは０〜２、ｋは１〜３である。）
【００１３】置換アルカンスルホン酸、置換ヒドロキシ
アルカンスルホン酸は、そのアルキル基の水素原子の一
部又は全部がハロゲン原子、アリール基、アルキルアリ
ール基、カルボキシル基、スルホン酸基などで置換され
たものが使用できる。
アルカンスルホン酸は、そのアルキル基の水素原子の一
部又は全部がハロゲン原子、アリール基、アルキルアリ
ール基、カルボキシル基、スルホン酸基などで置換され
たものが使用できる。
【００１４】一方、ベンゼンスルホン酸、ナフタレンス
ルホン酸は、下記式で示されるものである。
ルホン酸は、下記式で示されるものである。
【００１５】
【化２】
【００１６】置換ベンゼンスルホン酸、置換ナフタレン
スルホン酸は、ベンゼン環、ナフタレン環の水素原子の
一部が水酸基、ハロゲン原子、アルキル基、カルボキシ
ル基、ニトロ基、メルカプト基、アミノ基、スルホン酸
基などで置換されたものが使用される。
スルホン酸は、ベンゼン環、ナフタレン環の水素原子の
一部が水酸基、ハロゲン原子、アルキル基、カルボキシ
ル基、ニトロ基、メルカプト基、アミノ基、スルホン酸
基などで置換されたものが使用される。
【００１７】具体的には、有機スルホン酸として、メタ
ンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン
酸、２−プロパンスルホン酸、ブタンスルホン酸、２−
ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン酸、クロルプロパ
ンスルホン酸、２−ヒドロキシエタン−１−スルホン
酸、２−ヒドロキシプロパンスルホン酸、２−ヒドロキ
シブタン−１−スルホン酸、２−ヒドロキシペンタンス
ルホン酸、アリルスルホン酸、２−スルホ酢酸、２−又
は３−スルホプロピオン酸、スルホコハク酸、スルホマ
レイン酸、スルホフマル酸、ベンゼンスルホン酸、トル
エンスルホン酸、キシレンスルホン酸、ニトロベンゼン
スルホン酸、スルホ安息香酸、スルホサリチル酸、ベン
ズアルデヒド酸、ｐ−フェノールスルホン酸などが例示
され、これらの１種又は２種以上を組み合わせて用いる
ことができる。
ンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン
酸、２−プロパンスルホン酸、ブタンスルホン酸、２−
ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン酸、クロルプロパ
ンスルホン酸、２−ヒドロキシエタン−１−スルホン
酸、２−ヒドロキシプロパンスルホン酸、２−ヒドロキ
シブタン−１−スルホン酸、２−ヒドロキシペンタンス
ルホン酸、アリルスルホン酸、２−スルホ酢酸、２−又
は３−スルホプロピオン酸、スルホコハク酸、スルホマ
レイン酸、スルホフマル酸、ベンゼンスルホン酸、トル
エンスルホン酸、キシレンスルホン酸、ニトロベンゼン
スルホン酸、スルホ安息香酸、スルホサリチル酸、ベン
ズアルデヒド酸、ｐ−フェノールスルホン酸などが例示
され、これらの１種又は２種以上を組み合わせて用いる
ことができる。
【００１８】上記酸の含有量は、浴中５０〜４００ｇ／
Ｌ、特に１００〜２００ｇ／Ｌとすることが好ましい。
Ｌ、特に１００〜２００ｇ／Ｌとすることが好ましい。
【００１９】本発明のめっき浴には、更に非イオン界面
活性剤と、メルカプト基含有有機化合物の１種又は２種
以上とを添加する。
活性剤と、メルカプト基含有有機化合物の１種又は２種
以上とを添加する。
【００２０】ここで、非イオン界面活性剤としては、ポ
リオキシアルキルエーテル、ポリオキシアルキルフェニ
ルエーテル、ポリオキシアルキルアミノエーテル、ポリ
オキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン多
価アルコールエーテル、エチレンオキサイドプロピレン
オキサイドブロックコポリマーなどが挙げられ、含有量
は０．１〜５０ｇ／Ｌ、特に１〜１０ｇ／Ｌとすること
が好適である。
リオキシアルキルエーテル、ポリオキシアルキルフェニ
ルエーテル、ポリオキシアルキルアミノエーテル、ポリ
オキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン多
価アルコールエーテル、エチレンオキサイドプロピレン
オキサイドブロックコポリマーなどが挙げられ、含有量
は０．１〜５０ｇ／Ｌ、特に１〜１０ｇ／Ｌとすること
が好適である。
【００２１】その含有量が少なすぎると、高電流密度で
ヤケ、コゲが発生しやすく、多すぎると、めっき皮膜全
体が黒っぽくなったり、色ムラが発生しやすくなる。
ヤケ、コゲが発生しやすく、多すぎると、めっき皮膜全
体が黒っぽくなったり、色ムラが発生しやすくなる。
【００２２】一方、添加剤として加えられるメルカプト
基含有有機基化合物は、２−メルカプト安息香酸、メル
カプトフェノール、２−メルカプトベンゾオキサゾー
ル、２−メルカプトエチルアミン、２−メルカプトベン
ゾチアゾール、メルカプトピリジンなどが挙げられ、含
有量は０．０１〜２０ｇ／Ｌ、特に０．１〜５ｇ／Ｌと
することが好適である。
基含有有機基化合物は、２−メルカプト安息香酸、メル
カプトフェノール、２−メルカプトベンゾオキサゾー
ル、２−メルカプトエチルアミン、２−メルカプトベン
ゾチアゾール、メルカプトピリジンなどが挙げられ、含
有量は０．０１〜２０ｇ／Ｌ、特に０．１〜５ｇ／Ｌと
することが好適である。
【００２３】本発明においては、ジオキシ芳香族化合物
を配合することができ、ジオキシ芳香族化合物として
は、ジオキシベンゾフェノン、３，４−ジオキシフェニ
ルアラニン、レゾルシン、カテコール、ヒドロキノン、
ジオキシヘキサン、ジパリンなどが挙げられ、含有量は
０．００１〜２０ｇ／Ｌ、特に０．０５〜４ｇ／Ｌとす
ることが好適である。
を配合することができ、ジオキシ芳香族化合物として
は、ジオキシベンゾフェノン、３，４−ジオキシフェニ
ルアラニン、レゾルシン、カテコール、ヒドロキノン、
ジオキシヘキサン、ジパリンなどが挙げられ、含有量は
０．００１〜２０ｇ／Ｌ、特に０．０５〜４ｇ／Ｌとす
ることが好適である。
【００２４】本発明においては、不飽和カルボン酸を配
合することもでき、不飽和カルボン酸としては、安息香
酸、フマル酸、フタル酸、アクリル酸、シトラコン酸、
メタクリル酸などが挙げられ、含有量は０．０１〜１０
ｇ／Ｌ、特に０．１〜２ｇ／Ｌとすることが好適であ
る。
合することもでき、不飽和カルボン酸としては、安息香
酸、フマル酸、フタル酸、アクリル酸、シトラコン酸、
メタクリル酸などが挙げられ、含有量は０．０１〜１０
ｇ／Ｌ、特に０．１〜２ｇ／Ｌとすることが好適であ
る。
【００２５】これら添加剤の含有量が少なすぎると、め
っき作業中に被めっき物の端部や縁部あるいは全面に数
ミクロン〜数ミリメートルオーダーの微小な針状、ヒゲ
状、粒状、粉状の析出物が発生しやすい。多すぎると、
めっき皮膜全体が黒っぽくなったり、色ムラが発生しや
すくなる。
っき作業中に被めっき物の端部や縁部あるいは全面に数
ミクロン〜数ミリメートルオーダーの微小な針状、ヒゲ
状、粒状、粉状の析出物が発生しやすい。多すぎると、
めっき皮膜全体が黒っぽくなったり、色ムラが発生しや
すくなる。
【００２６】本発明のめっき浴には、更に必要に応じて
ゼラチン、ペプトン、その他の適宜成分を配合すること
もできる。
ゼラチン、ペプトン、その他の適宜成分を配合すること
もできる。
【００２７】本発明のめっき浴は、上記成分よりなる
が、そのｐＨは通常１以外であるが、場合によってはｐ
Ｈ１〜９、特にｐＨ２〜９程度の弱酸浴乃至弱アルカリ
浴とすることができる。
が、そのｐＨは通常１以外であるが、場合によってはｐ
Ｈ１〜９、特にｐＨ２〜９程度の弱酸浴乃至弱アルカリ
浴とすることができる。
【００２８】本発明のめっき浴を用いて被めっき物に錫
−ビスマス合金めっきを行う場合、めっき方法としては
常法を採用することができ、ラックめっき法、フープめ
っき法、噴流めっき法、バレルめっき法など、適宜めっ
き方法を用いることができる。
−ビスマス合金めっきを行う場合、めっき方法としては
常法を採用することができ、ラックめっき法、フープめ
っき法、噴流めっき法、バレルめっき法など、適宜めっ
き方法を用いることができる。
【００２９】この場合、めっき条件は特に制限されない
が、陰極電流密度は浴温や撹拌の有無、撹拌の強弱など
に応じて０．１〜１００Ａ／ｄｍ2、特に０．３〜５Ａ
／ｄｍ2の範囲で選定でき、まためっき浴温は通常１５
〜３５℃である。撹拌は液流、噴流、カソードロッカー
等の機械的撹拌を採用し得る。更に、陽極は、錫−ビス
マス合金、ビスマス金属、錫金属を用いることができ、
場合によっては白金めっきチタン板、白金、カーボン等
の不溶性陽極を用いることができる。なお、陽極電流密
度は通常０．１〜１００Ａ／ｄｍ2である。
が、陰極電流密度は浴温や撹拌の有無、撹拌の強弱など
に応じて０．１〜１００Ａ／ｄｍ2、特に０．３〜５Ａ
／ｄｍ2の範囲で選定でき、まためっき浴温は通常１５
〜３５℃である。撹拌は液流、噴流、カソードロッカー
等の機械的撹拌を採用し得る。更に、陽極は、錫−ビス
マス合金、ビスマス金属、錫金属を用いることができ、
場合によっては白金めっきチタン板、白金、カーボン等
の不溶性陽極を用いることができる。なお、陽極電流密
度は通常０．１〜１００Ａ／ｄｍ2である。
【００３０】被めっき物は、電子部品、プリント基板な
ど、適宜選定することができ、その材質も電気めっき可
能なものであればよく、特に制限されない。
ど、適宜選定することができ、その材質も電気めっき可
能なものであればよく、特に制限されない。
【００３１】本発明のめっき浴を用いることにより、め
っき浴中の錫、ビスマスイオン量などを適宜選定するこ
とにより、めっき析出物の錫−ビスマス合金組成におい
て錫９９．９〜４３％、ビスマス０．１〜５７％であ
り、均一でムラのないめっき皮膜を得ることができる。
っき浴中の錫、ビスマスイオン量などを適宜選定するこ
とにより、めっき析出物の錫−ビスマス合金組成におい
て錫９９．９〜４３％、ビスマス０．１〜５７％であ
り、均一でムラのないめっき皮膜を得ることができる。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、半田付けを目的とした
電子部品やプリント基板などのラックめっき、フープめ
っき、噴流めっき、バレルめっきなどにおいて、針状、
ヒゲ状、粒状、粉状などの析出物やヤケ、コゲなどめっ
き外観不良の発生を防止することができる。
電子部品やプリント基板などのラックめっき、フープめ
っき、噴流めっき、バレルめっきなどにおいて、針状、
ヒゲ状、粒状、粉状などの析出物やヤケ、コゲなどめっ
き外観不良の発生を防止することができる。
【００３３】
【実施例】以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
【００３４】〔実施例１〕 メタンスルホン酸ビスマス １２ｇ／Ｌ （Ｂｉ3+ ５ｇ／Ｌ） メタンスルホン酸第一錫 ３９ｇ／Ｌ （Ｓｎ2+１５ｇ／Ｌ） メタンスルホン酸 ２００ｇ／Ｌ ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル ５ｇ／Ｌ （ＥＯ付加モル数７） ２−メルカプトベンゾチアゾール ２ｇ／Ｌ アクリル酸 ０．５ｇ／Ｌ ｐＨ ＜１ 陰極電流密度 ２Ａ／ｄｍ2 浴温度 ２５℃ 撹拌 カソードロッカー 陽極 ビスマス（９９．９９％以上） めっき時間 ２０分間 錫の補給 硫酸第一錫を別槽で溶解した。補給頻度は１０分間で１回で 錫として０．５ｇ／Ｌ・回の補給とした。
【００３５】〔実施例２〕 メタンスルホン酸ビスマス １２ｇ／Ｌ （Ｂｉ3+ ５ｇ／Ｌ） メタンスルホン酸第一錫 ３９ｇ／Ｌ （Ｓｎ2+１５ｇ／Ｌ） メタンスルホン酸 ２００ｇ／Ｌ グルコン酸 １００ｇ／Ｌ ポリオキシエチレン牛脂アミノエーテル ３ｇ／Ｌ （ＥＯ付加モル数７） ２−メルカプト安息香酸 １ｇ／Ｌ シトラコン酸 ０．５ｇ／Ｌ ｐＨ ＜１ 陰極電流密度 ３Ａ／ｄｍ2 浴温度 ２５℃ 撹拌 カソードロッカー 陽極 ビスマス２５％／錫７５％合金 めっき時間 １５分間
【００３６】〔実施例３〕 フェノールスルホン酸ビスマス １７ｇ／Ｌ （Ｂｉ3+ ５ｇ／Ｌ） フェノールスルホン酸第一錫 ６０ｇ／Ｌ （Ｓｎ2+１５ｇ／Ｌ） フェノールスルホン酸 ３００ｇ／Ｌ エチレンオキサイドプロピレンオキサイドブロック ７ｇ／Ｌ コポリマー（総分子量２５００、ＥＯ／ＰＯ＝６０／４０） ２−メルカプトエチルアミン ３ｇ／Ｌ フマル酸 ０．３ｇ／Ｌ ｐＨ ＜１ 陰極電流密度 ４Ａ／ｄｍ2 浴温度 ２５℃ 撹拌 カソードロッカー 陽極 ビスマス（９９．９９％以上） めっき時間 １０分間 錫の補給 硫酸第一錫を別槽で溶解した。補給頻度は５分間で１回で錫と して１ｇ／Ｌ・回の補給とした。
【００３７】
【００３８】〔比較例１〕 メタンスルホン酸ビスマス １２ｇ／Ｌ （Ｂｉ3+ ５ｇ／Ｌ） メタンスルホン酸第一錫 ３９ｇ／Ｌ （Ｓｎ2+１５ｇ／Ｌ） メタンスルホン酸 ２００ｇ／Ｌ ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル ５ｇ／Ｌ （ＥＯ付加モル数７） ｐＨ ＜１ 陰極電流密度 ２Ａ／ｄｍ2 浴温度 ２５℃ 撹拌 カソードロッカー 陽極 ビスマス（９９．９９％以上） めっき時間 ２０分間 錫の補給 硫酸第一錫を別槽で溶解した。補給頻度は１０分間で１回で 錫として０．５ｇ／Ｌ・回の補給とした。
【００３９】〔比較例２〕 硫酸ビスマス ７ｇ／Ｌ （Ｂｉ3+ ５ｇ／Ｌ） 硫酸第一錫 ６５ｇ／Ｌ （Ｓｎ2+１５ｇ／Ｌ） クエン酸 ２００ｇ／Ｌ 硫酸アンモニウム １００ｇ／Ｌ ポリオキシエチレンラウリルエーテル １０ｇ／Ｌ （ＥＯ付加モル数４） ｐＨ ８．０ 陰極電流密度 ５Ａ／ｄｍ2 浴温度 ２５℃ 撹拌 カソードロッカー 陽極 白金 めっき時間 ５分間 錫の補給 硫酸ビスマス、硫酸第一錫を直接めっき槽内のめっき液に添加 、溶解して補給した。補給頻度は５分間で１回でビスマスとし て０．１ｇ／Ｌ・回、錫として１ｇ／Ｌ・回の補給とした。
【００４０】めっき外観 実施例１〜３のいずれも均一で半光沢の灰白色のめっき
皮膜であり、針状、ヒゲ状、粒状、粉状等の析出物は発
生せず、ヤケ、コゲなどのめっき外観不良もなかった。
また、めっき皮膜中のビスマス含有量は１０％でほとん
どばらつきがなかった。
皮膜であり、針状、ヒゲ状、粒状、粉状等の析出物は発
生せず、ヤケ、コゲなどのめっき外観不良もなかった。
また、めっき皮膜中のビスマス含有量は１０％でほとん
どばらつきがなかった。
【００４１】比較例１，２とも灰色と灰白色の色ムラが
あると共に、針状又はヒゲ状の析出物が端部あるいはめ
っき皮膜全面に発生していた。また、めっき皮膜中のビ
スマス含有量は５〜１５％の間でばらついていた。
あると共に、針状又はヒゲ状の析出物が端部あるいはめ
っき皮膜全面に発生していた。また、めっき皮膜中のビ
スマス含有量は５〜１５％の間でばらついていた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−260185（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−260186（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−260187（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−88791（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−330374（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−17894（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−25595（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C25D 3/56
Claims (3)
- 【請求項１】 第一錫塩と、ビスマス塩と、無機酸、飽
和カルボン酸及び有機スルホン酸から選ばれる酸とを含
有する錫−ビスマス合金電気めっき浴に、非イオン界面
活性剤と、メルカプト基含有有機化合物と、不飽和カル
ボン酸とを添加してなることを特徴とする錫−ビスマス
合金電気めっき浴。 - 【請求項２】 メルカプト基含有有機化合物が、２−メ
ルカプト安息香酸、メルカプトフェノール、２−メルカ
プトベンゾオキサゾール、２−メルカプトエチルアミ
ン、２−メルカプトベンゾチアゾール、メルカプトピリ
ジンから選ばれる少なくとも１種であると共に、含有量
が０．０１〜２０ｇ／Ｌであり、不飽和カルボン酸が、
安息香酸、フマル酸、フタル酸、アクリル酸、シトラコ
ン酸、メタクリル酸から選ばれる少なくとも１種である
と共に、含有量が０．０１〜１０ｇ／Ｌである請求項１
記載の錫−ビスマス合金電気めっき浴。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載のめっき浴に被めっ
き物を浸漬して該被めっき物に錫−ビスマス合金電気め
っきを施すことを特徴とする錫−ビスマス合金電気めっ
き方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25228496A JP3292055B2 (ja) | 1996-09-03 | 1996-09-03 | 錫−ビスマス合金電気めっき浴及びそれを使用するめっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25228496A JP3292055B2 (ja) | 1996-09-03 | 1996-09-03 | 錫−ビスマス合金電気めっき浴及びそれを使用するめっき方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1081991A JPH1081991A (ja) | 1998-03-31 |
| JP3292055B2 true JP3292055B2 (ja) | 2002-06-17 |
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|---|---|---|---|
| JP25228496A Expired - Fee Related JP3292055B2 (ja) | 1996-09-03 | 1996-09-03 | 錫−ビスマス合金電気めっき浴及びそれを使用するめっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3292055B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9666547B2 (en) | 2002-10-08 | 2017-05-30 | Honeywell International Inc. | Method of refining solder materials |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3433291B2 (ja) * | 1999-09-27 | 2003-08-04 | 石原薬品株式会社 | スズ−銅含有合金メッキ浴、スズ−銅含有合金メッキ方法及びスズ−銅含有合金メッキ皮膜が形成された物品 |
| DE102005016819B4 (de) * | 2005-04-12 | 2009-10-01 | Dr.-Ing. Max Schlötter GmbH & Co KG | Elektrolyt, Verfahren zur Abscheidung von Zinn-Wismut-Legierungsschichten und Verwendung des Elektrolyten |
-
1996
- 1996-09-03 JP JP25228496A patent/JP3292055B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US9666547B2 (en) | 2002-10-08 | 2017-05-30 | Honeywell International Inc. | Method of refining solder materials |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1081991A (ja) | 1998-03-31 |
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