JP3274766B2 - 低融点錫合金めっき浴 - Google Patents
低融点錫合金めっき浴Info
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- JP3274766B2 JP3274766B2 JP16748994A JP16748994A JP3274766B2 JP 3274766 B2 JP3274766 B2 JP 3274766B2 JP 16748994 A JP16748994 A JP 16748994A JP 16748994 A JP16748994 A JP 16748994A JP 3274766 B2 JP3274766 B2 JP 3274766B2
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- carbon atoms
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- plating bath
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- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、低融点錫合金めっき浴
に関し、更に詳細には、鉛を使用しないにもかかわら
ず、優れたはんだ性を有する錫合金被膜を提供すること
のできる低融点錫合金めっき浴に関する。
に関し、更に詳細には、鉛を使用しないにもかかわら
ず、優れたはんだ性を有する錫合金被膜を提供すること
のできる低融点錫合金めっき浴に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電気部品端子やプリント配線基板
のはんだ付け性を向上させるため、錫めっきや錫・鉛合
金めっきが広く用いられている。 しかし、このうち錫
めっきは加工後の製品にウィスカーが発生するという欠
点や、融点が高く、はんだ付け時に材料に対する熱的な
弊害の恐れがある等の問題から、その利用は減少する傾
向にある。
のはんだ付け性を向上させるため、錫めっきや錫・鉛合
金めっきが広く用いられている。 しかし、このうち錫
めっきは加工後の製品にウィスカーが発生するという欠
点や、融点が高く、はんだ付け時に材料に対する熱的な
弊害の恐れがある等の問題から、その利用は減少する傾
向にある。
【０００３】一方、錫・鉛合金（はんだ）めっきには、
ウィスカーの問題のない融点の低い被膜を与え、めっき
皮膜の外観およびはんだ付け性、浴管理の容易さ等極め
て優れたものであるが、浴中に使用される鉛が人体に悪
影響を与える有害物質であるという欠点が指摘されてお
り、この解決が求められていた。
ウィスカーの問題のない融点の低い被膜を与え、めっき
皮膜の外観およびはんだ付け性、浴管理の容易さ等極め
て優れたものであるが、浴中に使用される鉛が人体に悪
影響を与える有害物質であるという欠点が指摘されてお
り、この解決が求められていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従って、鉛を使用する
ことなく、錫・鉛合金めっき浴と同様の融点の低いめっ
き皮膜を与え、外観、はんだ付け性、浴管理の容易さな
どの点で従来の錫・鉛合金めっき浴と同等である錫合金
めっき浴の提供が求められていた。
ことなく、錫・鉛合金めっき浴と同様の融点の低いめっ
き皮膜を与え、外観、はんだ付け性、浴管理の容易さな
どの点で従来の錫・鉛合金めっき浴と同等である錫合金
めっき浴の提供が求められていた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記実情
に鑑み、錫・鉛合金めっき浴と同様に融点の低いめっき
皮膜を与える錫合金めっき浴について検討を行った結
果、錫イオンと特定の金属イオンおよび非イオン性界面
活性剤を含有する浴は、めっき皮膜の外観、はんだ付け
性、浴管理の容易さをなどの点で従来の錫鉛合金めっき
浴と同等であることを見出し本発明を完成した。
に鑑み、錫・鉛合金めっき浴と同様に融点の低いめっき
皮膜を与える錫合金めっき浴について検討を行った結
果、錫イオンと特定の金属イオンおよび非イオン性界面
活性剤を含有する浴は、めっき皮膜の外観、はんだ付け
性、浴管理の容易さをなどの点で従来の錫鉛合金めっき
浴と同等であることを見出し本発明を完成した。
【０００６】すなわち本発明は、下記４成分（ａ）〜
（ｄ） （ａ）Ｓｎ２＋イオン （ｂ）Ｉｎ３＋ およびＴｌ＋からなる群から選ばれた金
属イオンの１種またはそれ以上 （ｃ）非イオン界面活性剤（ｄ）少なくとも一種のアルカンスルホン酸イオン又は
アルカノールスルホン酸イオン を含有し、鉛を含まない
ことを特徴とする低融点錫合金めっき浴を提供するもの
である。
（ｄ） （ａ）Ｓｎ２＋イオン （ｂ）Ｉｎ３＋ およびＴｌ＋からなる群から選ばれた金
属イオンの１種またはそれ以上 （ｃ）非イオン界面活性剤（ｄ）少なくとも一種のアルカンスルホン酸イオン又は
アルカノールスルホン酸イオン を含有し、鉛を含まない
ことを特徴とする低融点錫合金めっき浴を提供するもの
である。
【０００７】本発明の鉛を含まない低融点錫合金めっき
浴（以下、「鉛不含はんだ浴」と略称する）の（ａ）成
分であるＳｎ2+イオンは、メタンスルホン酸錫、エタン
スルホン酸錫等のアルカンスルホン酸錫塩、イソプロパ
ノールスルホン酸錫等のアルカノールスルホン酸錫塩、
塩化第一スズ、酸化第一スズ、酸化第二スズ、硫酸第一
スズ等の水溶性錫塩を水に溶解することにより得られ
る。 好ましい水溶性錫塩としては、錫アルカンスルホ
ン酸塩および錫アルカノールスルホン酸塩が挙げられ
る。
浴（以下、「鉛不含はんだ浴」と略称する）の（ａ）成
分であるＳｎ2+イオンは、メタンスルホン酸錫、エタン
スルホン酸錫等のアルカンスルホン酸錫塩、イソプロパ
ノールスルホン酸錫等のアルカノールスルホン酸錫塩、
塩化第一スズ、酸化第一スズ、酸化第二スズ、硫酸第一
スズ等の水溶性錫塩を水に溶解することにより得られ
る。 好ましい水溶性錫塩としては、錫アルカンスルホ
ン酸塩および錫アルカノールスルホン酸塩が挙げられ
る。
【０００８】また、鉛不含はんだ浴の（ｂ）成分は、Ａ
ｇ+、Ｃｕ2+、Ｉｎ3+、Ｔｌ+およびＺｎ2+から選ばれた
金属（以下、これら金属を「合金成分」ということがあ
る）のイオンであり、合金成分の水溶性塩を水に溶解す
ることにより得られる。
ｇ+、Ｃｕ2+、Ｉｎ3+、Ｔｌ+およびＺｎ2+から選ばれた
金属（以下、これら金属を「合金成分」ということがあ
る）のイオンであり、合金成分の水溶性塩を水に溶解す
ることにより得られる。
【０００９】合金成分の水不溶性塩のうち、銀塩の例と
しては、メタンスルホン酸銀、エタンスルホン酸銀、イ
ソプロパノールスルホン酸銀、酸化銀、塩化銀、硝酸銀
等が、銅塩の例としては、メタンスルホン酸銅、エタン
スルホン酸銅、イソプロパノールスルホン酸銅、硫酸
銅、酸化第二銅、硝酸銅、塩化第一銅、塩化第二銅、炭
酸銅等が、インジウム塩の例としては、メタンスルホン
酸インジウム、エタンスルホン酸インジウム、イソプロ
パノールスルホン酸インジウム、インジウム等が、タリ
ウム塩の例としては、メタンスルホン酸タリウム、エタ
ンスルホン酸タリウム、イソプロパノールスルホン酸タ
リウム、酸化タリウム、硫酸タリウム、硝酸タリウム、
塩化タリウム、酢酸タリウム等が、亜鉛塩の例として
は、メタンスルホン酸亜鉛、エタンスルホン酸亜鉛、イ
ソプロパノールスルホン酸亜鉛、塩化亜鉛、硝酸亜鉛、
炭酸亜鉛、硫酸亜鉛等がそれぞれ挙げられる。
しては、メタンスルホン酸銀、エタンスルホン酸銀、イ
ソプロパノールスルホン酸銀、酸化銀、塩化銀、硝酸銀
等が、銅塩の例としては、メタンスルホン酸銅、エタン
スルホン酸銅、イソプロパノールスルホン酸銅、硫酸
銅、酸化第二銅、硝酸銅、塩化第一銅、塩化第二銅、炭
酸銅等が、インジウム塩の例としては、メタンスルホン
酸インジウム、エタンスルホン酸インジウム、イソプロ
パノールスルホン酸インジウム、インジウム等が、タリ
ウム塩の例としては、メタンスルホン酸タリウム、エタ
ンスルホン酸タリウム、イソプロパノールスルホン酸タ
リウム、酸化タリウム、硫酸タリウム、硝酸タリウム、
塩化タリウム、酢酸タリウム等が、亜鉛塩の例として
は、メタンスルホン酸亜鉛、エタンスルホン酸亜鉛、イ
ソプロパノールスルホン酸亜鉛、塩化亜鉛、硝酸亜鉛、
炭酸亜鉛、硫酸亜鉛等がそれぞれ挙げられる。
【００１０】更に、本発明の（ｃ）成分である非イオン
界面活性剤は、従来の錫および錫・鉛合金めっき浴にお
けるものと同様に密着性よく緻密で平滑なめっき面を得
るために使用されるものであり、本発明において本成分
を欠くと満足の行く錫合金めっき被膜が得られない。
界面活性剤は、従来の錫および錫・鉛合金めっき浴にお
けるものと同様に密着性よく緻密で平滑なめっき面を得
るために使用されるものであり、本発明において本成分
を欠くと満足の行く錫合金めっき被膜が得られない。
【００１１】この（ｃ）成分の好ましい具体例として
は、下記一般式（１）〜（４）の何れかで表される化合
物を主成分とするものが挙げられる。
は、下記一般式（１）〜（４）の何れかで表される化合
物を主成分とするものが挙げられる。
【００１２】
【化２】
【００１３】［式中、Ｒ1は、炭素数８〜２２の脂肪族
アルコール、炭素数１〜２５のアルキル基で置換された
フェノール、炭素数１〜２５のアルキルで置換されたβ
−ナフトール、炭素数１〜２５のアルコキシル化リン
酸、炭素数８〜２２の脂肪酸でエステル化したソルビタ
ンもしくはスチレン化フェノール（そのフェノール核の
水素は炭素数１〜４のアルキル基またはフェニル基で置
換されてもよい）からそれらの水酸基の水素原子を除い
て得られる残基または水素原子を示し、Ｒ2は炭素数８
〜１８のアルキル基を、Ｒ3およびＲ4は水素原子または
炭素数１〜５のアルキル基を示し、Ａは−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ
−を、Ｂは−ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）Ｏ−を示し、ｍ1およ
びｎ1は０〜３０の整数、ｍ2、ｎ2、ｍ3およびｎ3は０
〜４０の整数、ｍ4およびｎ4は０〜２０の整数をそれぞ
れ示す。 但し、ｍ1とｎ1、ｍ2とｎ2、ｍ3とｎ3および
ｍ4とｎ4がそれぞれ同時に０となることはなく、ｍ1〜
ｍ4およびｎ1〜ｎ4は、置換基における総数を意味し、
ＡとＢの存在位置は限定されないものとする］
アルコール、炭素数１〜２５のアルキル基で置換された
フェノール、炭素数１〜２５のアルキルで置換されたβ
−ナフトール、炭素数１〜２５のアルコキシル化リン
酸、炭素数８〜２２の脂肪酸でエステル化したソルビタ
ンもしくはスチレン化フェノール（そのフェノール核の
水素は炭素数１〜４のアルキル基またはフェニル基で置
換されてもよい）からそれらの水酸基の水素原子を除い
て得られる残基または水素原子を示し、Ｒ2は炭素数８
〜１８のアルキル基を、Ｒ3およびＲ4は水素原子または
炭素数１〜５のアルキル基を示し、Ａは−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ
−を、Ｂは−ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）Ｏ−を示し、ｍ1およ
びｎ1は０〜３０の整数、ｍ2、ｎ2、ｍ3およびｎ3は０
〜４０の整数、ｍ4およびｎ4は０〜２０の整数をそれぞ
れ示す。 但し、ｍ1とｎ1、ｍ2とｎ2、ｍ3とｎ3および
ｍ4とｎ4がそれぞれ同時に０となることはなく、ｍ1〜
ｍ4およびｎ1〜ｎ4は、置換基における総数を意味し、
ＡとＢの存在位置は限定されないものとする］
【００１４】これらの非イオン界面活性剤は、いずれも
対応する脂肪族アルコール、置換フェノール、アルキル
で置換β−ナフトール、アルコキシル化リン酸、エステ
ル化したソルビタン、スチレン化フェノール、エチレン
ジアミン、モノアルキルアミン、アルキル置換されてい
ても良いジフェノールにエチレンオキサイドおよび／ま
たはプロピレンオキサイドを所定のモル数付加させるこ
とによって調製できるものであるが、また、市販品とし
ても容易に入手できるものである。
対応する脂肪族アルコール、置換フェノール、アルキル
で置換β−ナフトール、アルコキシル化リン酸、エステ
ル化したソルビタン、スチレン化フェノール、エチレン
ジアミン、モノアルキルアミン、アルキル置換されてい
ても良いジフェノールにエチレンオキサイドおよび／ま
たはプロピレンオキサイドを所定のモル数付加させるこ
とによって調製できるものであるが、また、市販品とし
ても容易に入手できるものである。
【００１５】市販品の例としては、前記式（１）で表さ
れるものとして、プルラファックＬＦ４０１（ＢＡＳＦ
社製）等が、式（２）で表されるものとして、テトロニ
ックＴＲ−７０２（旭電化工業社製）等がそれぞれ挙げ
られ、また、式（３）で表されるものはナイミーンＬ−
２０７（日本油脂社製）等、式（４）で表されるもの
は、リポノックスＮＣ−１００（ライオン社製）等がそ
れぞれ挙げられる。
れるものとして、プルラファックＬＦ４０１（ＢＡＳＦ
社製）等が、式（２）で表されるものとして、テトロニ
ックＴＲ−７０２（旭電化工業社製）等がそれぞれ挙げ
られ、また、式（３）で表されるものはナイミーンＬ−
２０７（日本油脂社製）等、式（４）で表されるもの
は、リポノックスＮＣ−１００（ライオン社製）等がそ
れぞれ挙げられる。
【００１６】本発明の鉛不含はんだ浴は、常法に従い、
酸性浴中に前記（ａ）成分〜（ｃ）成分を添加すること
により調製される。具体的には、硫酸や、アルカンスル
ホン酸、アルカノールスルホン酸等で酸性とした水溶液
中に、前記の水溶性錫塩および合金成分の水溶性塩を加
え、十分に溶解させた後、（ｃ）成分である非イオン界
面活性剤を添加することにより調製される。
酸性浴中に前記（ａ）成分〜（ｃ）成分を添加すること
により調製される。具体的には、硫酸や、アルカンスル
ホン酸、アルカノールスルホン酸等で酸性とした水溶液
中に、前記の水溶性錫塩および合金成分の水溶性塩を加
え、十分に溶解させた後、（ｃ）成分である非イオン界
面活性剤を添加することにより調製される。
【００１７】本発明の鉛不含はんだ浴においては、浴性
を酸性にするだけでなく、浴中の金属イオンを安定に保
つ作用もあるため、アルカンスルホン酸およびアルカノ
ールスルホン酸を用いることが好ましい。 具体的に
は、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸等を用いるこ
とが好ましい。
を酸性にするだけでなく、浴中の金属イオンを安定に保
つ作用もあるため、アルカンスルホン酸およびアルカノ
ールスルホン酸を用いることが好ましい。 具体的に
は、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸等を用いるこ
とが好ましい。
【００１８】これらの酸は、水溶性錫塩や合金成分の水
溶性塩がアルカンスルホン酸塩またはアルカノールスル
ホン酸塩である場合は、それらの塩の酸基と共通のもの
であっても異なるものであってもよく、二種類以上を併
用してもよい。浴中のアルカンスルホン酸およびアルカ
ノールスルホン酸の濃度は、そのイオン濃度として約５
〜３００ｇ／ｌが適当である。
溶性塩がアルカンスルホン酸塩またはアルカノールスル
ホン酸塩である場合は、それらの塩の酸基と共通のもの
であっても異なるものであってもよく、二種類以上を併
用してもよい。浴中のアルカンスルホン酸およびアルカ
ノールスルホン酸の濃度は、そのイオン濃度として約５
〜３００ｇ／ｌが適当である。
【００１９】本発明の鉛不含はんだ浴中における（ａ）
成分と（ｂ）成分の量は、目標とする合金組成に合せて
調製する必要があるが、一般には（ａ）成分は、Ｓｎ2+
として５〜２００ｇ／ｌ程度であることが好ましく、ま
た、（ｂ）成分は、合金成分イオンの種類によっても異
なるが、一般に０.１〜４０ｇ／ｌ程度であることが好
ましい。 また、鉛不含はんだ浴中の全金属イオン濃度
は０.５〜２４０ｇ／ｌ程度とすることが適当である。
更に、（ｃ）成分の量は、密着性よく緻密で平滑なめっ
き面を得るのに十分な量で良く、一般には、０.５〜３
０ｇ／ｌ程度である。
成分と（ｂ）成分の量は、目標とする合金組成に合せて
調製する必要があるが、一般には（ａ）成分は、Ｓｎ2+
として５〜２００ｇ／ｌ程度であることが好ましく、ま
た、（ｂ）成分は、合金成分イオンの種類によっても異
なるが、一般に０.１〜４０ｇ／ｌ程度であることが好
ましい。 また、鉛不含はんだ浴中の全金属イオン濃度
は０.５〜２４０ｇ／ｌ程度とすることが適当である。
更に、（ｃ）成分の量は、密着性よく緻密で平滑なめっ
き面を得るのに十分な量で良く、一般には、０.５〜３
０ｇ／ｌ程度である。
【００２０】本発明の鉛不含はんだめっき浴には、上記
した成分の他、光沢剤、酸化防止剤、湿潤剤等を必要に
応じて添加することができる。光沢剤としては、ホルム
アルデヒド、アセトアルデヒド、パラアルデヒド等の低
級脂肪族アルデヒド、アクリル酸、メタアクリル酸、ア
クリル酸メチル、メタアクリル酸メチル、アクリルアミ
ド、メタクリルアミド、クロトン酸等のオレフィン化合
物、ベンズアルデヒド、ｏ−クロルベンズアルデヒド、
シンナムアルデヒド、アニスアルデヒド、１−ナフトア
ルデヒド等の芳香族アルデヒド、ベンザルアセトン等の
芳香族ケトン、ｏ−クロルアニリン等の芳香族アミン
や、酒石酸アンチモニルカリウム、酸化ビスマス、硝酸
ビスマス等の金属化合物が例示される。
した成分の他、光沢剤、酸化防止剤、湿潤剤等を必要に
応じて添加することができる。光沢剤としては、ホルム
アルデヒド、アセトアルデヒド、パラアルデヒド等の低
級脂肪族アルデヒド、アクリル酸、メタアクリル酸、ア
クリル酸メチル、メタアクリル酸メチル、アクリルアミ
ド、メタクリルアミド、クロトン酸等のオレフィン化合
物、ベンズアルデヒド、ｏ−クロルベンズアルデヒド、
シンナムアルデヒド、アニスアルデヒド、１−ナフトア
ルデヒド等の芳香族アルデヒド、ベンザルアセトン等の
芳香族ケトン、ｏ−クロルアニリン等の芳香族アミン
や、酒石酸アンチモニルカリウム、酸化ビスマス、硝酸
ビスマス等の金属化合物が例示される。
【００２１】また、スズの酸化防止剤としては、フェノ
ール、カテコール、レゾルシン、ヒドロキノン、ピロガ
ロール等のヒドロキシフェニル化合物や、Ｌ−アスコル
ビン酸、ソルビトール等が例示される。
ール、カテコール、レゾルシン、ヒドロキノン、ピロガ
ロール等のヒドロキシフェニル化合物や、Ｌ−アスコル
ビン酸、ソルビトール等が例示される。
【００２２】かくして得られる本発明の鉛不含はんだ浴
を用い、従来の錫めっき浴や錫・鉛合金めっき浴を用い
る場合とほぼ同様の条件で電気めっきを行うことができ
る。
を用い、従来の錫めっき浴や錫・鉛合金めっき浴を用い
る場合とほぼ同様の条件で電気めっきを行うことができ
る。
【００２３】例えば、めっき浴の浴温は約１０〜６０℃
程度、好ましくは約２０〜３０℃程度、陰極電流密度は
約０.０１〜１００Ａ／ｄｍ2程度、好ましくは約０.１
〜１０Ａ／ｄｍ2程度でめっきすることができる。 ま
た、陽極としては、不溶解性電極、錫あるいは錫合金を
利用することができる。
程度、好ましくは約２０〜３０℃程度、陰極電流密度は
約０.０１〜１００Ａ／ｄｍ2程度、好ましくは約０.１
〜１０Ａ／ｄｍ2程度でめっきすることができる。 ま
た、陽極としては、不溶解性電極、錫あるいは錫合金を
利用することができる。
【００２４】以上の鉛不含はんだ浴から得られる錫合金
めっき被膜は、従来の錫・鉛合金と同等の低融点を有
し、しかも後記するようにはんだ付け性も良いので、電
気部品端子やプリント配線基板のめっき浴として利用す
ることができるものである。
めっき被膜は、従来の錫・鉛合金と同等の低融点を有
し、しかも後記するようにはんだ付け性も良いので、電
気部品端子やプリント配線基板のめっき浴として利用す
ることができるものである。
【００２５】
【実施例】以下、実施例、比較例および試験例を挙げ、
本発明を説明するが、本発明はこれら実施例等になんら
制約されるものではない。
本発明を説明するが、本発明はこれら実施例等になんら
制約されるものではない。
【００２６】実 施 例 １ 下記組成により、常法にしたがって酸性錫・銀合金めっ
き浴を調製した。 （ 組 成 ） メタンスルホン酸スズ（II） ３０ ｇ／ｌ メタンスルホン酸銀（I） １ ｇ／ｌ メタンスルホン酸銀（遊離酸） １００ ｇ／ｌ ノニルフェノールエトキシレートの ８ ｇ／ｌ エチレンオキサイド１２モル付加物
き浴を調製した。 （ 組 成 ） メタンスルホン酸スズ（II） ３０ ｇ／ｌ メタンスルホン酸銀（I） １ ｇ／ｌ メタンスルホン酸銀（遊離酸） １００ ｇ／ｌ ノニルフェノールエトキシレートの ８ ｇ／ｌ エチレンオキサイド１２モル付加物
【００２７】実 施 例 ２ 下記組成により、常法にしたがって酸性錫・銀合金めっ
き浴を調製した。 （ 組 成 ） イソプロパノールスルホン酸スズ（II） ６５ ｇ／ｌ イソプロパノールスルホン酸銀（I） ２ ｇ／ｌ イソプロパノールスルホン酸（遊離酸） ８０ ｇ／ｌ エチレンジアミンのエチレンオキサイド ５ ｇ／ｌ ４８モル、プロピレンオキサイド４４ モル付加物
き浴を調製した。 （ 組 成 ） イソプロパノールスルホン酸スズ（II） ６５ ｇ／ｌ イソプロパノールスルホン酸銀（I） ２ ｇ／ｌ イソプロパノールスルホン酸（遊離酸） ８０ ｇ／ｌ エチレンジアミンのエチレンオキサイド ５ ｇ／ｌ ４８モル、プロピレンオキサイド４４ モル付加物
【００２８】実 施 例 ３ 下記組成により、常法にしたがって酸性錫・銅合金めっ
き浴を調製した。 （ 組 成 ） メタンスルホン酸スズ（II） ４０ ｇ／ｌ メタンスルホン酸 銅 （II） ０.２ ｇ／ｌ メタンスルホン酸（遊離酸） １２０ ｇ／ｌ オクチルフェノールエトキシレートの ７ ｇ／ｌ エチレンオキサイド１０モル付加物
き浴を調製した。 （ 組 成 ） メタンスルホン酸スズ（II） ４０ ｇ／ｌ メタンスルホン酸 銅 （II） ０.２ ｇ／ｌ メタンスルホン酸（遊離酸） １２０ ｇ／ｌ オクチルフェノールエトキシレートの ７ ｇ／ｌ エチレンオキサイド１０モル付加物
【００２９】実 施 例 ４ 下記組成により、常法にしたがって酸性錫・銅合金めっ
き浴を調製した。 （ 組 成 ） メタンスルホン酸スズ（II） ２０ ｇ／ｌ メタンスルホン酸 銅 （II） ０.１ ｇ／ｌ メタンスルホン酸（遊離酸） １５０ ｇ／ｌ ラウリルアミンのエチレンオキサイド ４ ｇ／ｌ ７モル付加物
き浴を調製した。 （ 組 成 ） メタンスルホン酸スズ（II） ２０ ｇ／ｌ メタンスルホン酸 銅 （II） ０.１ ｇ／ｌ メタンスルホン酸（遊離酸） １５０ ｇ／ｌ ラウリルアミンのエチレンオキサイド ４ ｇ／ｌ ７モル付加物
【００３０】実 施 例 ５ 下記組成により、常法にしたがって酸性錫・インジウム
合金めっき浴を調製した。 （ 組 成 ） メタンスルホン酸スズ（II） ７ ｇ／ｌ メタンスルホン酸インジウム（II） １０ ｇ／ｌ メタンスルホン酸（遊離酸） ２００ ｇ／ｌ ラウリルエーテルのエチレンオキサイド ５ ｇ／ｌ １５モル付加物 オクタデシルアミンのエチレンオキサイド ２ ｇ／ｌ １０モル付加物
合金めっき浴を調製した。 （ 組 成 ） メタンスルホン酸スズ（II） ７ ｇ／ｌ メタンスルホン酸インジウム（II） １０ ｇ／ｌ メタンスルホン酸（遊離酸） ２００ ｇ／ｌ ラウリルエーテルのエチレンオキサイド ５ ｇ／ｌ １５モル付加物 オクタデシルアミンのエチレンオキサイド ２ ｇ／ｌ １０モル付加物
【００３１】実 施 例 ６ 下記組成により、常法にしたがって酸性錫・タリウム合
金めっき浴を調製した。 （ 組 成 ） メタンスルホン酸スズ（II） ２５ ｇ／ｌ メタンスルホン酸タリウム（I） １０ ｇ／ｌ メタンスルホン酸（遊離酸） １４０ ｇ／ｌ ノニルエーテルのエチレンオキサイド ８ ｇ／ｌ １０モル、プロピレンオキサイド ３モル付加物
金めっき浴を調製した。 （ 組 成 ） メタンスルホン酸スズ（II） ２５ ｇ／ｌ メタンスルホン酸タリウム（I） １０ ｇ／ｌ メタンスルホン酸（遊離酸） １４０ ｇ／ｌ ノニルエーテルのエチレンオキサイド ８ ｇ／ｌ １０モル、プロピレンオキサイド ３モル付加物
【００３２】実 施 例 ７ 下記組成により、常法にしたがって酸性錫・タリウム合
金めっき浴を調製した。 （ 組 成 ） エタンスルホン酸スズ（II） １０ ｇ／ｌ エタンスルホン酸タリウム（I） ５ ｇ／ｌ エタンスルホン酸（遊離酸） １００ ｇ／ｌ エチレンジアミンのエチレンオキサイド １０ ｇ／ｌ ４８モル、プロピレンオキサイド４４ モル付加物 β−ナフトールのエチレンオキサイド ０.５ ｇ／ｌ ８モル付加物
金めっき浴を調製した。 （ 組 成 ） エタンスルホン酸スズ（II） １０ ｇ／ｌ エタンスルホン酸タリウム（I） ５ ｇ／ｌ エタンスルホン酸（遊離酸） １００ ｇ／ｌ エチレンジアミンのエチレンオキサイド １０ ｇ／ｌ ４８モル、プロピレンオキサイド４４ モル付加物 β−ナフトールのエチレンオキサイド ０.５ ｇ／ｌ ８モル付加物
【００３３】実 施 例 ８ 下記組成により、常法にしたがって酸性錫・亜鉛合金め
っき浴を調製した。 （ 組 成 ） メタンスルホン酸スズ（II） ２０ ｇ／ｌ メタンスルホン酸亜鉛（I） ３ ｇ／ｌ メタンスルホン酸（遊離酸） ８０ ｇ／ｌ ドデシルアミンのエチレンオキサイド １０ ｇ／ｌ ８モル付加物
っき浴を調製した。 （ 組 成 ） メタンスルホン酸スズ（II） ２０ ｇ／ｌ メタンスルホン酸亜鉛（I） ３ ｇ／ｌ メタンスルホン酸（遊離酸） ８０ ｇ／ｌ ドデシルアミンのエチレンオキサイド １０ ｇ／ｌ ８モル付加物
【００３４】比 較 例 １ 下記組成により、酸性錫・銀合金めっき浴を調製した。 （ 組 成 ） メタンスルホン酸スズ（II） ３０ ｇ／ｌ メタンスルホン酸銀（I） １ ｇ／ｌ メタンスルホン酸銀（遊離酸） １００ ｇ／ｌ
【００３５】比 較 例 ２ 下記組成により、酸性錫・銅合金めっき浴を調製した。 （ 組 成 ） メタンスルホン酸スズ（II） ２０ ｇ／ｌ メタンスルホン酸 銅 （II） ０.１ ｇ／ ラウリルアミンのエチレンオキサイド ４ ｇ／ｌ ７モル付加物
【００３６】比 較 例 ３ 下記組成により、酸性錫・鉛合金めっき（はんだめっ
き）浴を調製した。 （ 組 成 ） メタンスルホン酸スズ（II） １４ ｇ／ｌ メタンスルホン酸 鉛 ６ ｇ／ｌ メタンスルホン酸（遊離酸） ７０ ｇ／ｌ ドデシルアミンのエチレンオキサイド ２ ｇ／ｌ ８モル付加物
き）浴を調製した。 （ 組 成 ） メタンスルホン酸スズ（II） １４ ｇ／ｌ メタンスルホン酸 鉛 ６ ｇ／ｌ メタンスルホン酸（遊離酸） ７０ ｇ／ｌ ドデシルアミンのエチレンオキサイド ２ ｇ／ｌ ８モル付加物
【００３７】試 験 例 上記の実施例１〜８および比較例１〜３のめっき浴を使
用し、下記の条件で３０ｍｍ×１０ｍｍの銅板にめっき
を行った。 得られためっき済み銅板について、ソルダ
ーチェッカー（株式会社レスカ、ＳＴ−２０００）を用
い、はんだ槽温度２３０℃、浸漬時間５秒でロジン系フ
ラックスを使ってはんだ漏れ性試験を行った。 この結
果を表１に示す。
用し、下記の条件で３０ｍｍ×１０ｍｍの銅板にめっき
を行った。 得られためっき済み銅板について、ソルダ
ーチェッカー（株式会社レスカ、ＳＴ−２０００）を用
い、はんだ槽温度２３０℃、浸漬時間５秒でロジン系フ
ラックスを使ってはんだ漏れ性試験を行った。 この結
果を表１に示す。
【００３８】（ めっき条件 ） 陰極電流密度 ２ Ａ／ｄｍ2 浴 温 ２０℃ 撹 拌 ゆるやかなスターラー撹拌 膜 圧 ８μｍ
【００３９】
【００４０】* 評価基準 ◎ ： はじき、ざらつきなし ○ ： はじきはみられないがややざらつきあり × ： ほとんどはんだが漏れない
【００４１】
【発明の効果】本発明の鉛不含はんだ浴により得られる
錫合金被膜は、従来の錫・鉛合金と同等のはんだ漏れ性
を示すものである。 そして、本発明の鉛不含はんだ浴
は、人体に悪影響を及ぼす鉛を含まないため、安全性や
公害防止の面から従来の錫・鉛合金（はんだ）浴に比べ
有利なものである。 以 上
錫合金被膜は、従来の錫・鉛合金と同等のはんだ漏れ性
を示すものである。 そして、本発明の鉛不含はんだ浴
は、人体に悪影響を及ぼす鉛を含まないため、安全性や
公害防止の面から従来の錫・鉛合金（はんだ）浴に比べ
有利なものである。 以 上
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−207189（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−177987（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−60092（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−69534（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−83894（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−14887（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−129988（ＪＰ，Ａ) 特表 平３−503068（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C25D 3/56 C25D 3/60
Claims (2)
- 【請求項１】 下記４成分（ａ）〜（ｄ） （ａ）Ｓｎ２＋イオン （ｂ）Ｉｎ３＋ およびＴｌ＋からなる群から選ばれた金
属イオンの１種またはそれ以上 （ｃ）非イオン界面活性剤（ｄ）少なくとも一種のアルカンスルホン酸イオン又は
アルカノールスルホン 酸イオン を含有し、鉛を含まない
ことを特徴とする低融点錫合金めっき浴。 - 【請求項２】 非イオン界面活性剤が次の式（１）〜
（４） 【化１】 ［式中、Ｒ１は、炭素数８〜２２の脂肪族アルコール、
炭素数１〜２５のアルキル基で置換されたフェノール、
炭素数１〜２５のアルキルで置換されたβ−ナフトー
ル、炭素数１〜２５のアルコキシル化リン酸、炭素数８
〜２２の脂肪酸でエステル化したソルビタンもしくはス
チレン化フェノール（そのフェノール核の水素は炭素数
１〜４のアルキル基またはフェニル基で置換されてもよ
い）からそれらの水酸基の水素原子を除いて得られる残
基または水素原子を示し、Ｒ２は炭素数８〜１８のアル
キル基を、Ｒ３およびＲ４は水素原子または炭素数１〜
５のアルキル基を示し、Ａは−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−を、Ｂ
は−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏ−を示し、ｍ１およびｎ１
は０〜３０の整数、ｍ２、ｎ２、ｍ３およびｎ３は０〜
４０の整数、ｍ４およびｎ４は０〜２０の整数をそれぞ
れ示す。 但し、ｍ１とｎ１、ｍ２とｎ２、ｍ３とｎ３
およびｍ４とｎ４がそれぞれ同時に０となることはな
く、ｍ１〜ｍ４およびｎ１〜ｎ４は、置換基における総
数を意味し、ＡとＢの存在位置は限定されないものとす
る］で表わされるものの何れかである請求項第１項記載
の低融点錫合金めっき浴。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16748994A JP3274766B2 (ja) | 1994-06-28 | 1994-06-28 | 低融点錫合金めっき浴 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16748994A JP3274766B2 (ja) | 1994-06-28 | 1994-06-28 | 低融点錫合金めっき浴 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0813185A JPH0813185A (ja) | 1996-01-16 |
| JP3274766B2 true JP3274766B2 (ja) | 2002-04-15 |
Family
ID=15850635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16748994A Expired - Lifetime JP3274766B2 (ja) | 1994-06-28 | 1994-06-28 | 低融点錫合金めっき浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3274766B2 (ja) |
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| JP4237325B2 (ja) | 1999-03-11 | 2009-03-11 | 株式会社東芝 | 半導体素子およびその製造方法 |
| JP3433291B2 (ja) * | 1999-09-27 | 2003-08-04 | 石原薬品株式会社 | スズ−銅含有合金メッキ浴、スズ−銅含有合金メッキ方法及びスズ−銅含有合金メッキ皮膜が形成された物品 |
| EP1091023A3 (en) * | 1999-10-08 | 2003-05-14 | Shipley Company LLC | Alloy composition and plating method |
| JP2001172791A (ja) * | 1999-12-16 | 2001-06-26 | Ishihara Chem Co Ltd | スズ−銅系合金メッキ浴、並びに当該メッキ浴によりスズ−銅系合金皮膜を形成した電子部品 |
| JP4728462B2 (ja) * | 2000-02-29 | 2011-07-20 | 日本リーロナール有限会社 | 錫電気めっき液及びめっき方法 |
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| KR20050042060A (ko) | 2002-09-27 | 2005-05-04 | 가부시키가이샤 네오맥스 | 땜납 피복 볼 및 그 제조방법과 반도체 접속구조의 형성방법 |
| ES2531163T3 (es) * | 2002-10-11 | 2015-03-11 | Enthone | Procedimiento y electrolito para la deposición galvánica de bronces |
| JP2005002368A (ja) * | 2003-06-09 | 2005-01-06 | Ishihara Chem Co Ltd | ホイスカー防止用スズメッキ浴 |
| JP4817166B2 (ja) * | 2004-04-16 | 2011-11-16 | 奥野製薬工業株式会社 | スズ−銅合金めっき液 |
| CN101748425B (zh) * | 2008-12-05 | 2014-07-09 | 宜兴方晶科技有限公司 | 甲基磺酸亚锡制备方法 |
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-
1994
- 1994-06-28 JP JP16748994A patent/JP3274766B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
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| JPH0813185A (ja) | 1996-01-16 |
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