JP5852945B2 - 分極誘導電荷を低減させた高効率光エミッタ - Google Patents
分極誘導電荷を低減させた高効率光エミッタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP5852945B2 JP5852945B2 JP2012219430A JP2012219430A JP5852945B2 JP 5852945 B2 JP5852945 B2 JP 5852945B2 JP 2012219430 A JP2012219430 A JP 2012219430A JP 2012219430 A JP2012219430 A JP 2012219430A JP 5852945 B2 JP5852945 B2 JP 5852945B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- polarization
- layers
- cladding
- electric field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/16—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
本願は、1999年12月2日に出願された仮特許出願第60/168,495号の利益を請求するものである。
本発明は、極性表面上に成長させた光放出化合物半導体結晶に関し、より詳細には、放出効率を改善するために、その自然発生的な分極誘導電荷を低減させまたは打ち消すことに関する。
ほとんどの半導体光エミッタは、2層のクラッド層の間に成長させた活性層または発光層を含む、ダブルヘテロ構造を有する。ダブルヘテロ構造の様々な層は、複数の材料から製作される。1つのクラッド層は、過剰な自由電子を含有することを意味するn型であり、また1つのクラッド層は、過剰な正孔を含有することを意味するp型である。一般にクラッド層は、活性層よりも広いバンドギャップを有する。このため、注入された電子と正孔は活性層内に閉じ込められ、自由キャリアの再結合が、活性層内での空間的局在化を通して効率的に行われ、光が生成される。さらに、レーザダイオード(LD)エミッタは、ダブルヘテロ構造を取り囲んで一般にバンドギャップがさらに広い材料を具備する別の光閉じ込め層も有する。ダブルヘテロ構造半導体デバイスは、O′Shea他のIntroduction to Lasers and Their Applications、Addison−Wesley Publishing Company、1978年12月、166〜187頁を含めた多数の刊行物に記載されている。
本発明の様々な実施形態の以下の記述は、結晶層をその結晶の極性方向に垂直に成長させたダブルヘテロ構造の構造体を有する窒化物放出系を対象とする。窒化物エミッタは、AlxInyGa1-x-yNを含む層であって、ただし0≦x≦1であり0≦y≦1である層を備えたウルツ鉱結晶構造を有すると推定される。特に記述される場合を除き、結晶の最上面は、周期律表第III族の極性を有する0001方向である。図1Aに示す窒化物エミッタは、図1Bの対応するバンド構造と共に、様々な実施形態に対する参照用として使用する。
この実施形態では、半導体に様々なドーパントを取り込むことによって、分極により誘導された悪影響を減じまたは打ち消す。ドーパント不純物は、その意図される位置から拡散していかないタイプのものであるべきである。ドーパントは、そのエネルギー準位に基づき、界面の分極誘導電荷状態とは反対の正電荷状態または負電荷状態へとイオン化して、その影響を打ち消しまたは減じる。使用されるドーパントのタイプは、目標とされる界面電荷(正または負)によって異なる。正電荷には、負の電荷状態へとイオン化するドーパントが必要と考えられ、負の界面電荷に対しては、その反対のものが必要と考えられる。
この実施形態は、GaNクラッド層を有する光エミッタの放出効率を改善することを対象とする。圧電性および自然発生的な界面分極誘導電荷の両方を低減しまたは打ち消すために、一方または両方のクラッド層の材料組成は、それに隣接する層の材料組成に対して中間的に作製される。例えば、約5%のインジウム(In)を図1Aの窒化物系のGaNクラッド層4に添加して、クラッド層の組成をIn0.05Ga0.95Nに変化させることができる。このようにすると、クラッド層の組成が、インジウムが20%のIn0.20Ga0.80N活性領域5に対して、またインジウムが0%のGaN導電層3に対して、中間的になると考えられる。図3Aに示すように、インジウムは、隣接する2層の材料組成の差を小さくし、活性層とクラッド層の間の界面分極誘導電荷シート密度σ1Aを25%低下させて約0.75×1013電子/cm2にする。σ1Bは、約0.25×1013電子/cm2である。ドナータイプのドーピングがσ1Aまたはσ1Bを含有する界面の1つまたは両方の近くに存在する場合、上記選択ドーピングの実施形態で論じたように、圧電誘導電荷の一部は遮蔽されることになる。σ1Aおよびσ1bは共に組合せσ1A+σ1Bよりも小さいので、このデバイス構造では、ドーパントを活性領域から離しながら、従来の構造に比べて圧電誘導電荷の一部を選択的に遮蔽する能力が容易になる。これは、この電荷の全てが効果的に遮蔽されるように、σ1Bを有する界面に対して高濃度のn型ドーピングを行うことによってなされる。このように、活性領域内の電界は、従来の構造に対して25%ほど低下し、放出効率が増大する。図3Bは、この場合のバンドダイアグラムを示す。n型ドーピングがσ1Aを含有する界面に向かって広がる場合、さらなる低下が得られる。クラッド層にインジウムを多く使用するほど、活性領域内の電界は小さくなる。しかし、インジウムを多く使用しすぎると、キャリアの閉じ込めが損なわれる可能性がある。上部クラッド層に関しては、電荷の遮蔽にp型ドーピングを使用するべきであること以外、同じ技法を利用することができる。
この実施形態は、三元(ternary)AlGaNクラッド層を有する光エミッタの放出効率を改善することを対象とする。当初のGaNクラッド層に窒化アルミニウム(AlN)を添加することによって、三元AlGaN層が生成されることが知られている。この添加により、それらに隣接するコンタクト層および活性層のバンドギャップよりも大きいクラッド層のバンドギャップが発生して、より高いエネルギー障壁が活性領域の両側に生成され、それによって、キャリアの閉じ込めが改善される。しかし、添加されたアルミニウムは材料組成のばらつきも増大させ、それによって界面分極誘導電荷が生成される。事実、自然発生的な分極誘導電荷と圧電性の分極誘導電荷の両方は、ある層から次の層までのN結合に対するGaの極性を変化させることによって決定されるものであり、活性領域/クラッド層の界面で実際に増大する。電荷の増大は、2種の材料における圧電性の歪および自然発生的な分極の差の両方に起因する。その結果、デバイスの活性領域には高電界が存在する。
この実施形態では、クラッド層の一方または両方の組成にグレードが付けられて、クラッド層と活性領域との界面に、界面分極効果とは反対の空間電荷を発生させる。このグレーディングは、極性方向での層の組成を様々に変えて、圧電性の電荷を発生させる。グレーディングは、連続的であっても不連続であってもよい。分布した電荷の極性は、目標とされる界面分極電荷とは反対であるべきである。極性は、グレード層の組成と、それに隣接する2層の組成によって決定される。例えば、図1Aの下部GaNコンタクト層3および下部AlGaNクラッド層4は、正の界面電荷シート密度を発生させる。この電荷は、この層のアルミニウム含量を徐々に変化させることによって、クラッド層4のボリューム全体に分布される。特に、下部クラッド層4は、アルミニウムが0%であるGaN導電層3付近のGaN組成から、アルミニウムが10%であるInGaN活性領域5付近のAl0.10Ga0.90Nまで、グレードを付けることができる。発生した正の空間電荷は、部分的に、Al0.10Ga0.90N/In0.05Ga0.95Nの界面で0.75×1013電子/cm2の負の電荷シート密度σ1を相殺すると考えられる。
半導体デバイスの組成変化が自由キャリアに及ぼす影響は、電界が与える影響と同様であり、擬似電界と呼ばれる。Herbert Kroemer、「Band Offsets and Chemical Bonding:The Basis for Heterostructure Applications」、The Journal of Physica Scripta、Vol.T68、10〜16頁、1996年を参照されたい。本発明のこの実施形態は、分極誘導電界が自由キャリアに及ぼす影響を打ち消すために、擬似電界を使用する。この系内に電荷を少しも存在させることなく、活性領域内に擬似電界を確立することが可能である。図6Aは、真の電荷からではなく、エネルギー帯内に勾配51によって発生させた擬似電界を示す。これらの勾配は、活性領域5の組成にグレードを付けることによって生成することができる。擬似電界では、伝導帯内の電子が正電荷に向かってより低いエネルギー準位に移動し、価電子帯内の正孔は、負電荷に向かってより高いエネルギーへと移動する。この電界内の活性領域バンド構造は平行ではないことに留意されたい。これに対し、電界内のエネルギー帯は、図1Bに示されるような平行な関係を示す。活性領域は、バンド構造に所望の勾配を発生させるよう組成的にグレードを付けることができ、それによって、所望の擬似電界効果が得られる。しかし、得られる擬似電界は、少なくとも1つのキャリアタイプに及ぼされる真の電界の効果を妨げる。活性領域の材料組成には、そのインジウム含量を変化させることによって、グレードを付けることができる(連続的にまたは不連続的に)。その領域の幅および所望のエミッタ特性に応じ、低インジウム含量から高インジウム含量の、またはその逆の、グレード組成を取り込むことができる。問題の特性には、一般に、放出波長と動作電流が含まれる。
図7Aは、電界補償エネルギー障壁93を有する多層放出系90に関するエネルギー帯を示す。この実施形態で、放出系90は、活性領域91(すなわち光放出)とクラッド層92(非放出)が交互に配された多層からなる。クラッド92のエネルギー障壁93は、注入されたキャリアを活性領域91に閉じ込め、その分極誘導電界を妨げるという二重の機能を有する。発生した電界、および多層放出系90の全厚は、一般に、個々の活性領域91およびクラッド層92の数、厚さ、および組成によって異なる。それぞれ2nmの厚さである4つのIn0.1Ga0.9N活性領域91と、それぞれ5nmの厚さである3つのAl0.05Ga0.95Nクラッド層92を有する多層系90は、その全厚が23nmであり、おおよその平均分極誘導電界強度が4.5×105V/cmと考えられる。図7Bに示される、同等のボリュームを有する単一の活性領域100のバンド構造は、9×105V/cmという分極電界強度を示すと考えられる。多層放出系を使用することによって、活性材料の全ボリュームが増大し、一方、活性領域内の分極誘導電荷に起因する平均電界は、全体として、同等のボリュームの単一活性領域を有する構造に比べて確実に小さくなる。
この実施形態では、キャリアの閉じ込めを改善するために、化合物半導体の自然発生的な分極誘導電荷を反転させる。GaN中の原子間結合は、ガリウム原子がわずかに陽性であり窒素原子が陰性であるので元々イオン性であり、結合の両端間に双極子が発生する。図8Aは、結晶表面の極性方向に沿って成長させた個々のガリウム原子層および窒素原子層を示す。図示する順序では、連続原子層は、GaとNが交互に配されてなり、各層の底面70がガリウム原子の単原子層であり、最上面71が窒素原子である。各GaN原子対の両端間の個々の双極子72は、結果的に、層の両端間において、表示される方向に、平均分極誘導電界73を発生させる。これが活性領域のエネルギー帯に及ぼす影響については、図1Bに関連して既に述べた。
従来のLEDでは、p型の前にn型層を成長させる。この実施形態では、この成長順序が逆になる。図9Aは、新たな成長順序で形成されたLEDを概略的に示す断面図であり、p型コンタクトおよびクラッド層83、84を成長させた後に、n型クラッドおよびコンタクト層86および87を成長させている。この実施形態の全ての層の厚さおよび材料組成は、図1Aに関連して述べた窒化物エミッタの場合と同様である。逆転層構造にも関わらず、界面分極誘導電荷シート密度σ1およびσ2は、層同士の材料組成のばらつきにより依然として突出している。これが活性領域のエネルギー帯に及ぼす影響を図9Bに示すが、これは本質的に図1Bと同様である。しかし、p型層とn型層の順序を逆にすることによって、電子および正孔が注入される方向、すなわちそこから活性領域へと注入される方向も変化した。このように、n型コンタクト層から常に注入される電子は、活性領域85の左側に示されるように、Ecより高いコンタクト層87から活性領域85の左側に注入される。正孔は、右側から、Evより低いp型コンタクト層83から注入される。この逆転層の順序により、キャリアは、層構造の代わりに電界方向が反対であった前の実施形態と同様の手法で、デバイスが作動する前に電荷密度を遮蔽することができる。この構造も、前の実施形態と同様の手法で、キャリアのオーバーシュートを減少させ、キャリアの閉じ込めを増大させる。
図10Aおよび図10Bは、構造内に分極電界を設計する別の方法を示す。活性層に歪が生じないように、または歪の方向が逆になるように、活性領域113の下の、構造の面内格子定数を変化させることによって、図10Bのバンドダイアグラムに示されるように活性領域内の圧電分極誘導電界を小さくし、無くし、または反転させることができる。下に在る格子定数は、いくつかの方法で変化させることができる。第1に、バッファ層110は、バッファ層の面内格子定数がInGaN活性層の面内格子定数に近付くように、InAlGaNなどの異なる材料組成で成長させることができる。InAlGaNバッファ層のバンドギャップも、光吸収が無くなるように、InGaN活性層のバンドギャップより大きくなる。面内格子定数を変化させるための第2の方法では、従来のバッファ層を使用するが、このバッファ層とは異なるAlInGaNなどの材料組成でnコンタクト層111の少なくとも一部を成長させて、その面内格子定数がバッファ層の面内格子定数から変化して活性領域の面内格子定数に近付いた値になるようにすることである。このため、上述と同じ利益が実現される。第3の方法は、nコンタクト層に関して述べたものと同じ方法で、下部クラッド層112内の格子定数を変化させる。第4の方法では、歪が緩和されるように活性領域を十分厚く成長させ、したがって、活性領域内の圧電誘導電界が取り除かれる。選択された方法は、一般に、最小限の材料転位をもたらすものになり、上述のデバイス構造の利点をもたらしながら材料の品質が保たれる。
Claims (3)
- 光エミッタであって、
n型コンタクト層と、p型コンタクト層と、クラッド層間のInGaNからなる活性層とを含む複数の層であって、前記活性層及びクラッド層が前記n型コンタクト層とp型コンタクト層の間にある、前記複数の層と、
前記活性層を通る双極子であって、前記活性層と前記クラッド層との界面に沿った界面電荷シートから形成され、前記光エミッタの光放出効率を低減する前記活性層を通る分極誘導電界を生成する前記双極子と、を備え、
前記複数の層の少なくとも1つの層は、前記分極誘導電界の影響を低減して前記効率を少なくとも改善させるものであり、
前記少なくとも1つの層は、
隣接する前記複数の層に対して中間組成かつ実質的に一様な組成の少なくとも1つのクラッド層であって、InGaNからなり、前記活性層及びGaNコンタクト層に隣接している前記少なくとも1つのクラッド層である光エミッタ。 - 光エミッタであって、
n型コンタクト層と、p型コンタクト層と、クラッド層間のInGaNからなる活性層とを含む複数の層であって、前記活性層及びクラッド層が前記n型コンタクト層とp型コンタクト層の間にある、前記複数の層と、
前記活性層を通る双極子であって、前記活性層と前記クラッド層との界面に沿った界面電荷シートから形成され、前記光エミッタの光放出効率を低減する前記活性層を通る分極誘導電界を生成する前記双極子と、を備え、
前記複数の層の少なくとも1つの層は、前記分極誘導電界の影響を低減して前記効率を少なくとも改善させるものであり、
前記少なくとも1つの層は、
AlGaNからなり、少なくとも1つの組成にグレードを付けられたクラッド層であって、前記クラッド層のAl含量が前記活性層に至るまで増加するクラッド層である光エミッタ。 - 光エミッタであって、
n型コンタクト層と、p型コンタクト層と、クラッド層間の活性層とを含む複数の層であって、前記活性層及びクラッド層が前記n型コンタクト層とp型コンタクト層の間にある、前記複数の層と、
前記活性層を通る双極子であって、前記活性層と前記クラッド層との界面に沿った界面電荷シートから形成され、前記光エミッタの光放出効率を低減する前記活性層を通る分極誘導電界を生成する前記双極子と、を備え、
前記複数の層の少なくとも1つの層は、前記分極誘導電界の影響を低減して前記効率を少なくとも改善させるものであり、
前記少なくとも1つの層は、
InGaNからなり、低いインジウム濃度から高いインジウム濃度への不連続なグレード、又は逆に高いインジウム濃度から低いインジウム濃度への不連続なグレードを有する組成にグレードを付けられた活性層である光エミッタ。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16849599P | 1999-12-02 | 1999-12-02 | |
US60/168,495 | 1999-12-02 | ||
US09/728,788 | 2000-11-28 | ||
US09/728,788 US6515313B1 (en) | 1999-12-02 | 2000-11-28 | High efficiency light emitters with reduced polarization-induced charges |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001542396A Division JP2003527745A (ja) | 1999-12-02 | 2000-11-30 | 分極誘導電荷を低減させた高効率光エミッタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012256952A JP2012256952A (ja) | 2012-12-27 |
JP5852945B2 true JP5852945B2 (ja) | 2016-02-03 |
Family
ID=26864178
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001542396A Pending JP2003527745A (ja) | 1999-12-02 | 2000-11-30 | 分極誘導電荷を低減させた高効率光エミッタ |
JP2012219430A Expired - Lifetime JP5852945B2 (ja) | 1999-12-02 | 2012-10-01 | 分極誘導電荷を低減させた高効率光エミッタ |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001542396A Pending JP2003527745A (ja) | 1999-12-02 | 2000-11-30 | 分極誘導電荷を低減させた高効率光エミッタ |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6515313B1 (ja) |
EP (8) | EP2362437B1 (ja) |
JP (2) | JP2003527745A (ja) |
KR (1) | KR100704588B1 (ja) |
CN (2) | CN1433579A (ja) |
AU (1) | AU1811001A (ja) |
CA (1) | CA2393044C (ja) |
MY (1) | MY123546A (ja) |
WO (1) | WO2001041224A2 (ja) |
Families Citing this family (144)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3955367B2 (ja) | 1997-09-30 | 2007-08-08 | フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー | 光半導体素子およびその製造方法 |
US6849472B2 (en) * | 1997-09-30 | 2005-02-01 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Nitride semiconductor device with reduced polarization fields |
US6853663B2 (en) * | 2000-06-02 | 2005-02-08 | Agilent Technologies, Inc. | Efficiency GaN-based light emitting devices |
EP1292648B1 (de) * | 2000-06-02 | 2007-04-11 | MicroGaN GmbH | Heterostruktur mit rückseitiger donatordotierung |
JP3864735B2 (ja) * | 2000-12-28 | 2007-01-10 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
US6800876B2 (en) * | 2001-01-16 | 2004-10-05 | Cree, Inc. | Group III nitride LED with undoped cladding layer (5000.137) |
USRE46589E1 (en) * | 2001-01-16 | 2017-10-24 | Cree, Inc. | Group III nitride LED with undoped cladding layer and multiple quantum well |
GB2372632A (en) * | 2001-02-23 | 2002-08-28 | Sharp Kk | A method of growing an InGaN semiconductor layer |
JP2002289955A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子とその製造方法および光学式情報再生装置 |
US6955933B2 (en) * | 2001-07-24 | 2005-10-18 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Light emitting diodes with graded composition active regions |
JP2003229645A (ja) * | 2002-01-31 | 2003-08-15 | Nec Corp | 量子井戸構造およびそれを用いた半導体素子ならびに半導体素子の製造方法 |
US8809867B2 (en) * | 2002-04-15 | 2014-08-19 | The Regents Of The University Of California | Dislocation reduction in non-polar III-nitride thin films |
KR100992960B1 (ko) * | 2002-04-15 | 2010-11-09 | 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 | 유기금속 화학기상 증착법에 의해 성장된 무극성 α면질화갈륨 박막 |
JP2005056973A (ja) * | 2003-08-01 | 2005-03-03 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子及びそれを作製するための半導体発光素子用エピタキシャルウェハ |
JP2008109166A (ja) * | 2003-08-20 | 2008-05-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光素子およびその製造方法 |
JP4958288B2 (ja) * | 2003-08-20 | 2012-06-20 | 住友電気工業株式会社 | 発光素子の製造方法 |
JP4110222B2 (ja) * | 2003-08-20 | 2008-07-02 | 住友電気工業株式会社 | 発光ダイオード |
TWI233697B (en) * | 2003-08-28 | 2005-06-01 | Genesis Photonics Inc | AlInGaN light-emitting diode with wide spectrum and solid-state white light device |
US20050077538A1 (en) * | 2003-10-10 | 2005-04-14 | The Regents Of The University Of California | Design methodology for multiple channel heterostructures in polar materials |
JP2005203520A (ja) * | 2004-01-14 | 2005-07-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体発光素子 |
US6943381B2 (en) * | 2004-01-30 | 2005-09-13 | Lumileds Lighting U.S., Llc | III-nitride light-emitting devices with improved high-current efficiency |
US7115908B2 (en) * | 2004-01-30 | 2006-10-03 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | III-nitride light emitting device with reduced polarization fields |
US7285799B2 (en) * | 2004-04-21 | 2007-10-23 | Philip Lumileds Lighting Company, Llc | Semiconductor light emitting devices including in-plane light emitting layers |
KR100513923B1 (ko) * | 2004-08-13 | 2005-09-08 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 질화물 반도체층을 성장시키는 방법 및 이를 이용하는 질화물 반도체 발광소자 |
FI20041213A0 (fi) * | 2004-09-17 | 2004-09-17 | Optogan Oy | Puolijohdeheterorakenne |
CA2583504A1 (en) * | 2004-10-08 | 2006-07-06 | The Regents Of The University Of California | High efficiency light-emitting diodes |
US7122839B2 (en) * | 2004-10-29 | 2006-10-17 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Semiconductor light emitting devices with graded composition light emitting layers |
US7221000B2 (en) | 2005-02-18 | 2007-05-22 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Reverse polarization light emitting region for a semiconductor light emitting device |
US7804100B2 (en) * | 2005-03-14 | 2010-09-28 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Polarization-reversed III-nitride light emitting device |
US7417258B2 (en) * | 2005-04-28 | 2008-08-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light-emitting device, and a method of manufacture of a semiconductor device |
JP2006324279A (ja) * | 2005-05-17 | 2006-11-30 | Rohm Co Ltd | 半導体素子 |
US7391058B2 (en) * | 2005-06-27 | 2008-06-24 | General Electric Company | Semiconductor devices and methods of making same |
DE102005035722B9 (de) * | 2005-07-29 | 2021-11-18 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung |
US20070045638A1 (en) | 2005-08-24 | 2007-03-01 | Lumileds Lighting U.S., Llc | III-nitride light emitting device with double heterostructure light emitting region |
JP2007080896A (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体素子 |
JP2007081180A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP2009530798A (ja) | 2006-01-05 | 2009-08-27 | イルミテックス, インコーポレイテッド | Ledから光を導くための独立した光学デバイス |
US8124957B2 (en) | 2006-02-22 | 2012-02-28 | Cree, Inc. | Low resistance tunnel junctions in wide band gap materials and method of making same |
US7737451B2 (en) * | 2006-02-23 | 2010-06-15 | Cree, Inc. | High efficiency LED with tunnel junction layer |
JP2007305965A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-22 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光素子およびこれを用いた通信装置 |
US9335006B2 (en) * | 2006-04-18 | 2016-05-10 | Cree, Inc. | Saturated yellow phosphor converted LED and blue converted red LED |
JP4884826B2 (ja) * | 2006-04-28 | 2012-02-29 | ローム株式会社 | 半導体発光素子 |
RU2306634C1 (ru) | 2006-08-08 | 2007-09-20 | Закрытое Акционерное Общество "Светлана - Оптоэлектроника" | Полупроводниковая светоизлучающая гетероструктура |
US7789531B2 (en) | 2006-10-02 | 2010-09-07 | Illumitex, Inc. | LED system and method |
US20090275266A1 (en) * | 2006-10-02 | 2009-11-05 | Illumitex, Inc. | Optical device polishing |
US7781247B2 (en) * | 2006-10-26 | 2010-08-24 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Method for producing Group III-Group V vertical light-emitting diodes |
US7834367B2 (en) | 2007-01-19 | 2010-11-16 | Cree, Inc. | Low voltage diode with reduced parasitic resistance and method for fabricating |
US20080258135A1 (en) * | 2007-04-19 | 2008-10-23 | Hoke William E | Semiconductor structure having plural back-barrier layers for improved carrier confinement |
KR100929307B1 (ko) | 2007-06-11 | 2009-11-27 | 고려대학교 산학협력단 | 수직형 발광소자 및 그 제조방법 |
DE102007031926A1 (de) * | 2007-07-09 | 2009-01-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierender Halbleiterkörper |
US20090050875A1 (en) * | 2007-08-20 | 2009-02-26 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Nitride semiconductor light emitting device |
US8519437B2 (en) * | 2007-09-14 | 2013-08-27 | Cree, Inc. | Polarization doping in nitride based diodes |
US9012937B2 (en) | 2007-10-10 | 2015-04-21 | Cree, Inc. | Multiple conversion material light emitting diode package and method of fabricating same |
KR100961108B1 (ko) | 2007-11-27 | 2010-06-07 | 삼성엘이디 주식회사 | 분극 현상을 방지한 질화물 반도체 발광 소자 |
US7928448B2 (en) * | 2007-12-04 | 2011-04-19 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | III-nitride light emitting device including porous semiconductor layer |
EP3525301B1 (en) * | 2007-12-28 | 2021-11-03 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Device having delta doped active region |
KR101459763B1 (ko) * | 2008-01-15 | 2014-11-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
KR20100107054A (ko) * | 2008-02-01 | 2010-10-04 | 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 | 웨이퍼 비축 절단에 의한 질화물 발광 다이오드들의 광학 편광의 강화 |
KR20100129280A (ko) * | 2008-02-01 | 2010-12-08 | 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 | 증가된 인듐 도입에 의한 질화물 발광 다이오드들의 광학 편광의 강화 |
EP2240968A1 (en) * | 2008-02-08 | 2010-10-20 | Illumitex, Inc. | System and method for emitter layer shaping |
US8278679B2 (en) * | 2008-04-29 | 2012-10-02 | Tsmc Solid State Lighting Ltd. | LED device with embedded top electrode |
US7956369B2 (en) | 2008-05-07 | 2011-06-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Light emitting diode |
JP2010040692A (ja) * | 2008-08-04 | 2010-02-18 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 窒化物系半導体素子及びその製造方法 |
US8000366B2 (en) * | 2008-11-21 | 2011-08-16 | Palo Alto Research Center Incorporated | Laser diode with high indium active layer and lattice matched cladding layer |
TW201034256A (en) * | 2008-12-11 | 2010-09-16 | Illumitex Inc | Systems and methods for packaging light-emitting diode devices |
US8373153B2 (en) * | 2009-05-26 | 2013-02-12 | University Of Seoul Industry Cooperation Foundation | Photodetectors |
WO2010141943A1 (en) * | 2009-06-05 | 2010-12-09 | The Regents Of The University Of California | LONG WAVELENGTH NONPOLAR AND SEMIPOLAR (Al,Ga,In)N BASED LASER DIODES |
US8367925B2 (en) * | 2009-06-29 | 2013-02-05 | University Of Seoul Industry Cooperation Foundation | Light-electricity conversion device |
US8748862B2 (en) * | 2009-07-06 | 2014-06-10 | University Of Seoul Industry Cooperation Foundation | Compound semiconductors |
US8395141B2 (en) * | 2009-07-06 | 2013-03-12 | University Of Seoul Industry Cooperation Foundation | Compound semiconductors |
US8227793B2 (en) * | 2009-07-06 | 2012-07-24 | University Of Seoul Industry Cooperation Foundation | Photodetector capable of detecting the visible light spectrum |
US8809834B2 (en) * | 2009-07-06 | 2014-08-19 | University Of Seoul Industry Cooperation Foundation | Photodetector capable of detecting long wavelength radiation |
US8449128B2 (en) * | 2009-08-20 | 2013-05-28 | Illumitex, Inc. | System and method for a lens and phosphor layer |
US8585253B2 (en) | 2009-08-20 | 2013-11-19 | Illumitex, Inc. | System and method for color mixing lens array |
US8368990B2 (en) * | 2009-08-21 | 2013-02-05 | University Of Seoul Industry Cooperation Foundation | Polariton mode optical switch with composite structure |
US8368047B2 (en) * | 2009-10-27 | 2013-02-05 | University Of Seoul Industry Cooperation Foundation | Semiconductor device |
US8058641B2 (en) * | 2009-11-18 | 2011-11-15 | University of Seoul Industry Corporation Foundation | Copper blend I-VII compound semiconductor light-emitting devices |
US8907321B2 (en) * | 2009-12-16 | 2014-12-09 | Lehigh Univeristy | Nitride based quantum well light-emitting devices having improved current injection efficiency |
US8536615B1 (en) | 2009-12-16 | 2013-09-17 | Cree, Inc. | Semiconductor device structures with modulated and delta doping and related methods |
US8604461B2 (en) | 2009-12-16 | 2013-12-10 | Cree, Inc. | Semiconductor device structures with modulated doping and related methods |
DE102010012711A1 (de) | 2010-03-25 | 2011-09-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements |
US10134948B2 (en) | 2011-02-25 | 2018-11-20 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Light emitting diode with polarization control |
US8409892B2 (en) | 2011-04-14 | 2013-04-02 | Opto Tech Corporation | Method of selective photo-enhanced wet oxidation for nitride layer regrowth on substrates |
WO2013009552A2 (en) * | 2011-07-08 | 2013-01-17 | RoseStreet Labs Energy, LLC | Multi-color light emitting devices with compositionally graded cladding group iii-nitride layers grown on substrates |
JP5238865B2 (ja) * | 2011-10-11 | 2013-07-17 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
JP5629714B2 (ja) * | 2012-03-19 | 2014-11-26 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
US9029830B2 (en) | 2012-05-07 | 2015-05-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Multi-quantum well LED structure with varied barrier layer composition |
US9219189B2 (en) * | 2012-09-14 | 2015-12-22 | Palo Alto Research Center Incorporated | Graded electron blocking layer |
US9401452B2 (en) | 2012-09-14 | 2016-07-26 | Palo Alto Research Center Incorporated | P-side layers for short wavelength light emitters |
US8814376B2 (en) | 2012-09-26 | 2014-08-26 | Apogee Translite, Inc. | Lighting devices |
US20140154826A1 (en) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | Palo Alto Research Center Incorporated | Etch stop layers in nitride semiconductors created by polarity inversion |
CN102961394A (zh) * | 2012-12-10 | 2013-03-13 | 厦门大学 | 栀子苷在制备治疗脂肪肝药物中的应用 |
US9182091B2 (en) | 2012-12-14 | 2015-11-10 | Remphos Technologies Llc | LED panel light fixture |
US8882298B2 (en) | 2012-12-14 | 2014-11-11 | Remphos Technologies Llc | LED module for light distribution |
DE102013104192A1 (de) | 2013-04-25 | 2014-10-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterbauelement mit einer Zwischenschicht |
CN103247728B (zh) * | 2013-05-09 | 2016-01-13 | 青岛杰生电气有限公司 | 一种半导体紫外光源器件 |
US10551044B2 (en) | 2015-11-16 | 2020-02-04 | DMF, Inc. | Recessed lighting assembly |
US11060705B1 (en) | 2013-07-05 | 2021-07-13 | DMF, Inc. | Compact lighting apparatus with AC to DC converter and integrated electrical connector |
US11255497B2 (en) | 2013-07-05 | 2022-02-22 | DMF, Inc. | Adjustable electrical apparatus with hangar bars for installation in a building |
US10563850B2 (en) | 2015-04-22 | 2020-02-18 | DMF, Inc. | Outer casing for a recessed lighting fixture |
US10753558B2 (en) | 2013-07-05 | 2020-08-25 | DMF, Inc. | Lighting apparatus and methods |
US9964266B2 (en) | 2013-07-05 | 2018-05-08 | DMF, Inc. | Unified driver and light source assembly for recessed lighting |
US10139059B2 (en) | 2014-02-18 | 2018-11-27 | DMF, Inc. | Adjustable compact recessed lighting assembly with hangar bars |
US11435064B1 (en) | 2013-07-05 | 2022-09-06 | DMF, Inc. | Integrated lighting module |
DK2824147T3 (en) | 2013-07-12 | 2016-04-18 | Omya Int Ag | Use of 2-amino-2-ethyl-1,3-propanediol as an additive in aqueous suspensions of calcium carbonate comprising materials while maintaining stable suspension conductivity |
KR101533619B1 (ko) * | 2013-10-28 | 2015-07-03 | 정선호 | 원자가 스펙트럼을방사하게 하는 기구를 설계하고 제조하는 방법 |
JP6986349B2 (ja) | 2014-05-27 | 2021-12-22 | シランナ・ユー・ブイ・テクノロジーズ・プライベート・リミテッドSilanna Uv Technologies Pte Ltd | n型超格子及びp型超格子を備える電子デバイス |
US11322643B2 (en) | 2014-05-27 | 2022-05-03 | Silanna UV Technologies Pte Ltd | Optoelectronic device |
CN106663718B (zh) | 2014-05-27 | 2019-10-01 | 斯兰纳Uv科技有限公司 | 光电装置 |
JP6636459B2 (ja) | 2014-05-27 | 2020-01-29 | シランナ・ユー・ブイ・テクノロジーズ・プライベート・リミテッドSilanna Uv Technologies Pte Ltd | 半導体構造と超格子とを用いた高度電子デバイス |
US10797204B2 (en) | 2014-05-30 | 2020-10-06 | Cree, Inc. | Submount based light emitter components and methods |
DE102014111058A1 (de) | 2014-08-04 | 2016-02-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung |
US9985168B1 (en) | 2014-11-18 | 2018-05-29 | Cree, Inc. | Group III nitride based LED structures including multiple quantum wells with barrier-well unit interface layers |
CZ201582A3 (cs) * | 2015-02-09 | 2016-06-29 | Crytur, Spol.S R.O. | Scintilační detektor pro detekci ionizujícího záření |
WO2016160720A1 (en) * | 2015-03-27 | 2016-10-06 | Ohio State Innovation Foundation | Ultraviolet light emitting diodes with tunnel junction |
JP6785221B2 (ja) * | 2015-03-30 | 2020-11-18 | パナソニック株式会社 | 半導体発光素子 |
US10683971B2 (en) | 2015-04-30 | 2020-06-16 | Cree, Inc. | Solid state lighting components |
CA2931588C (en) | 2015-05-29 | 2021-09-14 | DMF, Inc. | Lighting module for recessed lighting systems |
USD851046S1 (en) | 2015-10-05 | 2019-06-11 | DMF, Inc. | Electrical Junction Box |
KR101936086B1 (ko) * | 2016-03-21 | 2019-04-03 | 정선호 | 원자가 원하는 스펙트럼을 방사하게 하는 기구를 설계하고 제조하는 방법 |
CN106098882B (zh) * | 2016-07-25 | 2020-08-18 | 华灿光电(浙江)有限公司 | 一种发光二极管外延片及其制备方法 |
CN106129209B (zh) * | 2016-08-23 | 2019-01-22 | 扬州中科半导体照明有限公司 | 一种高led发光效率的外延片及其生长方法 |
WO2018204402A1 (en) | 2017-05-01 | 2018-11-08 | Ohio State Innovation Foundation | Tunnel junction ultraviolet light emitting diodes with enhanced light extraction efficiency |
US10488000B2 (en) | 2017-06-22 | 2019-11-26 | DMF, Inc. | Thin profile surface mount lighting apparatus |
USD905327S1 (en) | 2018-05-17 | 2020-12-15 | DMF, Inc. | Light fixture |
WO2018237294A2 (en) | 2017-06-22 | 2018-12-27 | DMF, Inc. | THIN-PROFILE SURFACE MOUNTING LIGHTING DEVICE |
US11067231B2 (en) | 2017-08-28 | 2021-07-20 | DMF, Inc. | Alternate junction box and arrangement for lighting apparatus |
DE102017119931A1 (de) * | 2017-08-30 | 2019-02-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement |
DE102018112472A1 (de) * | 2017-10-17 | 2019-04-18 | easE-Link GmbH | Bodenkontakteinheit für ein Fahrzeugbatterieladesystem und Verfahren zur Schaltung eines Kontaktbereiches einer Bodenkontakteinheit |
CN111670322B (zh) | 2017-11-28 | 2022-04-26 | Dmf股份有限公司 | 可调整的吊架杆组合件 |
CA3087187A1 (en) | 2017-12-27 | 2019-07-04 | DMF, Inc. | Methods and apparatus for adjusting a luminaire |
USD877957S1 (en) | 2018-05-24 | 2020-03-10 | DMF Inc. | Light fixture |
CA3103255A1 (en) | 2018-06-11 | 2019-12-19 | DMF, Inc. | A polymer housing for a recessed lighting system and methods for using same |
USD903605S1 (en) | 2018-06-12 | 2020-12-01 | DMF, Inc. | Plastic deep electrical junction box |
US11393948B2 (en) | 2018-08-31 | 2022-07-19 | Creeled, Inc. | Group III nitride LED structures with improved electrical performance |
CA3115146A1 (en) | 2018-10-02 | 2020-04-09 | Ver Lighting Llc | A bar hanger assembly with mating telescoping bars |
USD864877S1 (en) | 2019-01-29 | 2019-10-29 | DMF, Inc. | Plastic deep electrical junction box with a lighting module mounting yoke |
USD901398S1 (en) | 2019-01-29 | 2020-11-10 | DMF, Inc. | Plastic deep electrical junction box |
USD1012864S1 (en) | 2019-01-29 | 2024-01-30 | DMF, Inc. | Portion of a plastic deep electrical junction box |
USD966877S1 (en) | 2019-03-14 | 2022-10-18 | Ver Lighting Llc | Hanger bar for a hanger bar assembly |
WO2021051101A1 (en) | 2019-09-12 | 2021-03-18 | DMF, Inc. | Miniature lighting module and lighting fixtures using same |
CA3124976A1 (en) | 2020-07-17 | 2022-01-17 | DMF, Inc. | Polymer housing for a lighting system and methods for using same |
USD990030S1 (en) | 2020-07-17 | 2023-06-20 | DMF, Inc. | Housing for a lighting system |
CA3125954A1 (en) | 2020-07-23 | 2022-01-23 | DMF, Inc. | Lighting module having field-replaceable optics, improved cooling, and tool-less mounting features |
Family Cites Families (52)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4301616A (en) | 1979-11-19 | 1981-11-24 | Gudgel Terry J | Illuminated frisbee toy |
US5165065A (en) | 1985-04-19 | 1992-11-17 | Texas Instruments Incorporated | Optically pumped quantum coupled devices |
JPS622684A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-08 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
US4725128A (en) | 1985-11-20 | 1988-02-16 | Medtronic, Inc. | Method for delivering light from multiple light emitting diodes over a single optical fiber |
US5075743A (en) * | 1989-06-06 | 1991-12-24 | Cornell Research Foundation, Inc. | Quantum well optical device on silicon |
JPH0677598A (ja) * | 1992-08-25 | 1994-03-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ及びその製造方法 |
US5578839A (en) | 1992-11-20 | 1996-11-26 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device |
JP3207618B2 (ja) * | 1993-06-25 | 2001-09-10 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP3243111B2 (ja) * | 1993-03-15 | 2002-01-07 | 株式会社東芝 | 化合物半導体素子 |
US5432808A (en) * | 1993-03-15 | 1995-07-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Compound semicondutor light-emitting device |
EP1450415A3 (en) * | 1993-04-28 | 2005-05-04 | Nichia Corporation | Gallium nitride-based III-V group compound semiconductor device |
JPH07235732A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-09-05 | Nec Corp | 半導体レーザ |
US5909040A (en) | 1994-03-09 | 1999-06-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device including quaternary buffer layer with pinholes |
JP3325380B2 (ja) * | 1994-03-09 | 2002-09-17 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
US5689123A (en) * | 1994-04-07 | 1997-11-18 | Sdl, Inc. | III-V aresenide-nitride semiconductor materials and devices |
US5448082A (en) * | 1994-09-27 | 1995-09-05 | Opto Diode Corporation | Light emitting diode for use as an efficient emitter or detector of light at a common wavelength and method for forming the same |
JP2828002B2 (ja) * | 1995-01-19 | 1998-11-25 | 松下電器産業株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP3657795B2 (ja) * | 1995-02-23 | 2005-06-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
DE69637304T2 (de) * | 1995-03-17 | 2008-08-07 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Lichtemittierende Halbleitervorrichtung bestehend aus einer III-V Nitridverbindung |
US5679965A (en) * | 1995-03-29 | 1997-10-21 | North Carolina State University | Integrated heterostructures of Group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact, non-nitride buffer layer and methods of fabricating same |
US5670798A (en) * | 1995-03-29 | 1997-09-23 | North Carolina State University | Integrated heterostructures of Group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact non-nitride buffer layer and methods of fabricating same |
JP2839077B2 (ja) | 1995-06-15 | 1998-12-16 | 日本電気株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
JPH0951143A (ja) * | 1995-08-07 | 1997-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法、半導体レーザの製造方法 |
US5798537A (en) * | 1995-08-31 | 1998-08-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Blue light-emitting device |
KR100267839B1 (ko) | 1995-11-06 | 2000-10-16 | 오가와 에이지 | 질화물 반도체 장치 |
JPH09139543A (ja) * | 1995-11-15 | 1997-05-27 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ素子 |
US5727012A (en) * | 1996-03-07 | 1998-03-10 | Lucent Technologies Inc. | Heterostructure laser |
US5780867A (en) * | 1996-03-07 | 1998-07-14 | Sandia Corporation | Broadband light-emitting diode |
DE19613265C1 (de) * | 1996-04-02 | 1997-04-17 | Siemens Ag | Bauelement in stickstoffhaltigem Halbleitermaterial |
US5813148A (en) | 1996-04-08 | 1998-09-29 | Guerra; Rafael J. | Footwear with optical fiber illuminating display areas and control module |
US5694412A (en) | 1996-04-08 | 1997-12-02 | He Holdings Inc. | Epitaxial visible-light-emitting devices with light extracted through the substrate and method of making same |
US5684309A (en) * | 1996-07-11 | 1997-11-04 | North Carolina State University | Stacked quantum well aluminum indium gallium nitride light emitting diodes |
US5834331A (en) * | 1996-10-17 | 1998-11-10 | Northwestern University | Method for making III-Nitride laser and detection device |
JP3282175B2 (ja) * | 1997-02-04 | 2002-05-13 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
JP3713118B2 (ja) * | 1997-03-04 | 2005-11-02 | ローム株式会社 | 半導体発光素子の製法 |
JPH10247747A (ja) * | 1997-03-05 | 1998-09-14 | Toshiba Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
WO1998052229A1 (en) * | 1997-05-14 | 1998-11-19 | Research Triangle Institute | Light emitting device contact layers having substantially equal spreading resistance and method of manufacture |
JP3955367B2 (ja) | 1997-09-30 | 2007-08-08 | フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー | 光半導体素子およびその製造方法 |
JP3180743B2 (ja) * | 1997-11-17 | 2001-06-25 | 日本電気株式会社 | 窒化化合物半導体発光素子およびその製法 |
JP3468082B2 (ja) * | 1998-02-26 | 2003-11-17 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
JP3369464B2 (ja) * | 1998-03-19 | 2003-01-20 | 日本電信電話株式会社 | 半導体装置 |
JP4186306B2 (ja) * | 1998-05-06 | 2008-11-26 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置 |
JPH11330553A (ja) * | 1998-05-15 | 1999-11-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体素子およびその製造方法 |
JPH11330552A (ja) * | 1998-05-18 | 1999-11-30 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子及び発光装置 |
JPH11340559A (ja) * | 1998-05-22 | 1999-12-10 | Hitachi Ltd | 半導体発光素子 |
JP2000261106A (ja) * | 1999-01-07 | 2000-09-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子、その製造方法及び光ディスク装置 |
JP3678399B2 (ja) * | 1999-01-29 | 2005-08-03 | 株式会社東芝 | 窒化物系半導体レーザ装置 |
JP2000244069A (ja) * | 1999-02-18 | 2000-09-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体ヘテロ構造 |
JP2000277868A (ja) * | 1999-03-25 | 2000-10-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光素子 |
JP3763701B2 (ja) * | 1999-05-17 | 2006-04-05 | 株式会社東芝 | 窒化ガリウム系半導体発光素子 |
JP3438648B2 (ja) * | 1999-05-17 | 2003-08-18 | 松下電器産業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
DE19955747A1 (de) * | 1999-11-19 | 2001-05-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optische Halbleitervorrichtung mit Mehrfach-Quantentopf-Struktur |
-
2000
- 2000-11-28 US US09/728,788 patent/US6515313B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-11-30 EP EP10196041.7A patent/EP2362437B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-11-30 WO PCT/US2000/032712 patent/WO2001041224A2/en active Application Filing
- 2000-11-30 EP EP10196031A patent/EP2362433A1/en not_active Ceased
- 2000-11-30 CN CN00818793A patent/CN1433579A/zh active Pending
- 2000-11-30 CA CA2393044A patent/CA2393044C/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-11-30 AU AU18110/01A patent/AU1811001A/en not_active Abandoned
- 2000-11-30 EP EP10196056A patent/EP2365537A1/en not_active Withdrawn
- 2000-11-30 EP EP10196038A patent/EP2362435A1/en not_active Withdrawn
- 2000-11-30 EP EP10196055A patent/EP2365536A1/en not_active Withdrawn
- 2000-11-30 JP JP2001542396A patent/JP2003527745A/ja active Pending
- 2000-11-30 KR KR1020027007121A patent/KR100704588B1/ko active IP Right Grant
- 2000-11-30 EP EP10196040A patent/EP2362436A1/en not_active Withdrawn
- 2000-11-30 CN CN2009102049844A patent/CN101692477B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2000-11-30 EP EP00980912A patent/EP1266411A2/en not_active Ceased
- 2000-11-30 EP EP10196036A patent/EP2362434A1/en not_active Ceased
- 2000-12-01 MY MYPI20005640A patent/MY123546A/en unknown
-
2012
- 2012-10-01 JP JP2012219430A patent/JP5852945B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2362437A1 (en) | 2011-08-31 |
JP2012256952A (ja) | 2012-12-27 |
CA2393044C (en) | 2012-01-03 |
JP2003527745A (ja) | 2003-09-16 |
KR20020068365A (ko) | 2002-08-27 |
CA2393044A1 (en) | 2001-06-07 |
CN1433579A (zh) | 2003-07-30 |
WO2001041224A3 (en) | 2002-01-17 |
EP2365537A1 (en) | 2011-09-14 |
EP2362436A1 (en) | 2011-08-31 |
KR100704588B1 (ko) | 2007-04-10 |
EP2362433A1 (en) | 2011-08-31 |
US6515313B1 (en) | 2003-02-04 |
WO2001041224A2 (en) | 2001-06-07 |
CN101692477B (zh) | 2013-09-18 |
EP2362434A1 (en) | 2011-08-31 |
EP1266411A2 (en) | 2002-12-18 |
EP2362435A1 (en) | 2011-08-31 |
EP2365536A1 (en) | 2011-09-14 |
CN101692477A (zh) | 2010-04-07 |
MY123546A (en) | 2006-05-31 |
EP2362437B1 (en) | 2019-08-28 |
AU1811001A (en) | 2001-06-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5852945B2 (ja) | 分極誘導電荷を低減させた高効率光エミッタ | |
US8314415B2 (en) | Radiation-emitting semiconductor body | |
JP5059705B2 (ja) | 発光デバイス | |
JP6259611B2 (ja) | 短波長発光素子のためのp側層 | |
JP6192378B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
EP1560277B1 (en) | III-Nitride light-emitting devices with improved high-current efficiency | |
US7417258B2 (en) | Semiconductor light-emitting device, and a method of manufacture of a semiconductor device | |
US7956369B2 (en) | Light emitting diode | |
US9318650B2 (en) | Light-emitting device with heavily doped active-region and method for manufacturing the same | |
EP1489708A1 (en) | Heterostructures for III-nitride light emitting devices | |
US20110001123A1 (en) | Nitride semiconductor light emitting device | |
EP2843714A1 (en) | Semiconductor light emitting device including hole injection layer | |
JP2007019277A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2017069299A (ja) | Iii族窒化物半導体発光素子 | |
KR20160105126A (ko) | 스트레인 강화된 웰층을 갖는 발광 다이오드 | |
JP4786481B2 (ja) | 半導体装置と半導体装置の製造法 | |
TW497276B (en) | High efficiency light emitters with reduced polarization-induced charges |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121031 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121031 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130830 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130909 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20131209 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20131212 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140109 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140115 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140210 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140414 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140814 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20140929 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20141205 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150924 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151207 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5852945 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |