KR100961108B1 - 분극 현상을 방지한 질화물 반도체 발광 소자 - Google Patents

분극 현상을 방지한 질화물 반도체 발광 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR100961108B1
KR100961108B1 KR20070121693A KR20070121693A KR100961108B1 KR 100961108 B1 KR100961108 B1 KR 100961108B1 KR 20070121693 A KR20070121693 A KR 20070121693A KR 20070121693 A KR20070121693 A KR 20070121693A KR 100961108 B1 KR100961108 B1 KR 100961108B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polarization
region
layer
quantum well
light emitting
Prior art date
Application number
KR20070121693A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090054813A (ko
Inventor
정훈재
박희석
장성환
손철수
최락준
Original Assignee
삼성엘이디 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성엘이디 주식회사 filed Critical 삼성엘이디 주식회사
Priority to KR20070121693A priority Critical patent/KR100961108B1/ko
Publication of KR20090054813A publication Critical patent/KR20090054813A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100961108B1 publication Critical patent/KR100961108B1/ko

Links

Images

Landscapes

  • Led Devices (AREA)

Abstract

양자우물 내에서 분극 현상을 방지하여 전자와 정공의 파동함수 중첩 영역을 증가시켜 발광 효율을 향상시키기 위한 질화물 반도체 발광 소자에 관한 것이다.
본 발명에 따른 질화물 반도체 발광 소자는 n형 질화물층과 p형 질화물층 사이에서 다수의 양자장벽층과 양자우물층이 교대로 적층된 다중양자우물구조의 활성층을 포함한 질화물 반도체 발광 소자에 있어서, 상기 양자우물층의 적어도 하나는 n-도펀트를 함유하여 에너지 밴드 준위가 상기 양자우물층의 다른 영역보다 낮아진 적어도 하나의 분극 완화영역을 포함한다.
본 발명에 따라 양자우물 구조에 n-도펀트가 함유된 적어도 하나의 분극 완화영역을 형성하여 양자우물 구조에서의 분극 현상을 완화하여 전자 및 정공이 분리되는　경향을 감소시킴으로써, 전자의 파동함수와 정공의 파동함수에 대한 중첩 영역을 증가시켜 질화물 반도체 발광 소자의 발광효율을 향상시킬 수 있다.
질화물 반도체 발광 소자, 분극 현상, 중첩 영역

Description

분극 현상을 방지한 질화물 반도체 발광 소자{Nitride semiconductor light emitting device with reduced polarization effect}
본 발명은 질화물 반도체 발광 소자에 관한 것으로, 특히 양자우물 내에서 분극 현상을 방지하여 전자와 정공의 파동함수 중첩 영역을 증가시켜 발광 효율을 향상시키기 위한 질화물 반도체 발광 소자에 관한 것이다.
일반적으로, Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체 발광 소자에서 질화인듐갈륨(In1 - XGaXN, 0<x<1)은 인듐(In)의 함량에 따라 가시광선에서 UV 파장영역까지의 광을 생성할 수 있으며, 발광다이오드(light emitting diode: LED) 및 레이저 다이오드(laser diode: LD)의 양자우물(quantum well)로서 널리 사용된다.
도 1a는 종래의 다중양자우물구조를 갖는 질화물 반도체 발광소자를 나타내는 측단면도이다.
도 1a에 도시된 바와 같이, 질화물 반도체 발광소자(10)는 사파이어 기판(11), n형 질화물층(12), 다중양자우물 구조인 활성층(15) 및, p형 질화물층(17)을 포함한다. 메사에칭된 p 질화물 반도체층(17) 상면에는 투명전극층(18)과 p측 전극(19b)이 순차적으로 형성되며, n형 질화물 반도체층(12)의 노출된 상면에는 n측 전극(19a)이 차례로 형성된다.
일반적으로, 활성층(15)은 도 1a와 도 1b에 도시된 바와 같이 GaN 양자장벽층(15a)과 InGaN 양자우물층(15b)이 교대로 적층된 다중양자우물구조로 이루어지고, GaN 양자장벽층(15a)과 InGaN 양자우물층(15b)에는 도 1b에 도시된 바와 같이 전도대(conduction band)와 가전도대(valence band)의 높이가 InGaN 양자우물층(15b)의 전체 내에서 일정하다.
이러한 구조에서 분극(polarization)현상이 일어나게 되면, 전자의 분포를 나타내는 파동함수(wave function: A)의 최정점은 중심에서 p 질화물 반도체층(17)으로 치우쳐 나타나게 되고, 정공의 파동함수(B)는 n형 질화물층(12)으로 치우쳐 나타나게 된다. 이렇게 전자의 파동함수(A)와 정공의 파동함수(B)는 양자우물층(15b) 내에서 서로 반대쪽에 위치하게 됨에 따라, 전자와 정공의 발광재결합 효율이 두 파동함수가 겹치는 중첩 면적에 비례하는 특성에 의해, 전자와 정공의 발광 재결합 효율은 감소하게 되어 발광량 또한 감소하게 된다.
이와 같이 재결합을 하지 못한 전자와 정공은 양자장벽을 넘어 전자는 p측 전극(19b) 쪽으로, 정공은 n측 전극(19a) 쪽으로 누설되는데, 이러한 현상은 InGaN/GaN 발광소자의 전형적인 약점인, 전류밀도가 증가할수록 고전류에서 발광 효율이 감소하는 문제점 중의 하나이다. 그러므로, 분극 현상의 해소는 고출력 고효율 발광소자를 제조하기 위한 필수적인 요건이 된다.
본 발명은 양자우물 내에서 분극 현상을 방지하여 전자와 정공의 파동함수 중첩 영역을 증가시켜 발광 효율을 향상시킬 수 있는 질화물 반도체 발광 소자를 제공하는데 목적이 있다.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예는 n형 질화물층과 p형 질화물층 사이에서 다수의 양자장벽층과 양자우물층이 교대로 적층된 다중양자우물구조의 활성층을 포함한 질화물 반도체 발광 소자에 있어서, 상기 다수의 양자우물층 중 적어도 하나의 양자우물층은 언도프 영역과, n-도펀트를 함유하여 에너지 밴드 준위가 상기 언도프 영역보다 낮아진 적어도 하나의 분극 완화영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자에 관한 것이다.
본 발명의 실시예에서 상기 분극 완화영역은 상기 양자우물층 두께의 10% 내지 60%의 두께를 가지고 상기 n형 질화물층의 방향으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시예에서 상기 분극 완화영역의 n-도펀트는 Si, Ge, Sn 중 선택된 어느 하나로서 1×1018 cm-3 이상 1×1020 cm-3 이하의 함량으로 포함되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시예에서 상기 분극 완화영역의 n-도펀트 함량은 5×1018 cm-3 이상 5×1019 cm-3 이하로 상기 n형 질화물층의 방향에 형성된 양자장벽층으로 점진적으로 높아지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시예에서 상기 분극 완화영역은 상기 n-도펀트가 1×1018 cm-3 이상 5×1018 cm-3 이하의 함량을 갖는 제 1 분극 완화영역; 및 상기 제 1 분극 완화영역에 접하여 상기 n-도펀트가 5×1018 cm-3 이상 1×1020 cm-3 이하의 함량을 갖는 제 2 분극 완화영역을 포함하고, 상기 제 1 분극 완화영역과 제 2 분극 완화영역은 상기 양자우물층의 다른 영역의 밴드갭과 동일하며, 상기 n형 질화물층 방향의 양자장벽층으로 단계적으로 낮아지는 경사진 형태로 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시예에서 상기 분극 완화영역은 상기 n-도펀트가 1×1018 cm-3 이상 1×1020 cm-3 이하의 함량을 갖는 제 1 분극 완화영역; 및 상기 제 1 분극 완화영역에 접하여 상기 n-도펀트의 함량이 상기 제 1 분극 완화영역의 n-도펀트의 함량 보다 많은 제 2 분극 완화영역을 포함하고, 상기 제 1 분극 완화영역과 제 2 분극 완화영역은 상기 양자우물층의 다른 영역의 밴드갭과 동일하며, 상기 n형 질화물층 방향의 양자장벽층으로 단계적으로 낮아지는 경사진 형태로 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시예에서 상기 양자장벽층은 AlXInYGa(1-X-Y)N(0≤x<1,0≤Y<1)층이고, 상기 양자우물층은 InXGa1 -XN(a<x≤1)인 것을 특징으로 한다.
상기한 바와 같이 본 발명은 양자우물 구조에 n-도펀트가 함유된 적어도 하나의 분극 완화영역을 형성하여 양자우물 구조에서의 분극 현상을 완화하여 전자 및 정공이 분리되는　경향을 감소시킴으로써, 전자의 파동함수와 정공의 파동함수에 대한 중첩 영역을 증가시켜 질화물 반도체 발광 소자의 발광효율을 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 질화물 반도체 발광 소자를 나타내는 단면도이고, 도 3은 도 2에 도시된 질화물 반도체 발광 소자의 활성층 일부에 대한 에너지밴드 다이어그램이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자(100)는 사파이어 기판(110), n형 질화물층(120), 다중양자우물구조인 활성층(150) 및, p형 질화물층(170)을 포함한다. 메사 에칭된 p형 질화물 반도체층(170) 상면에는 투명 전극층(180)과 p측　전극(190b)이 형성되며, 노출된 n형 질화물 반도체층(120) 상면에는 n측 전극(190a)이 차례로 형성된다.　
본 발명의 제 1 실시예에 따라 채용된 활성층(150)은 양자장벽층(150a)과 양자우물층(150b)이 교대로 적층된 다중양자우물구조로　이루어지고, 양자우물층(150b)의 내부에는 자발적인 분극을 억제하기 위해서 양자우물층(150b)의 밴드갭을 유지한 상태에서 에너지 밴드 준위가 낮아진 분극 완화영역(150b-2)이　형성된 다.
이러한 분극 완화영역(150b-2)은 양자우물층(150b)의 내부에서 n형 질화물층(120) 쪽에 근접하여 양자우물층(150b)의 다른 영역(150b-1)의 밴드갭과 동일하고 에너지 밴드 준위가 낮은 상태로 형성되되, 분극 완화영역(150b-2)의 두께(t2)는 양자우물층(150b) 두께의 10% 내지 60% 정도로 형성되어 발광 파장을 크게 변화시키지 않고 전자 농도가 증가하여 분극 현상을 완화하는 역할을 한다.
보다 구체적으로, 예를 들어 양자장벽층(150a)이 AlXInYGa(1-X-Y)N(0≤x<1,0≤Y<1)층이고, 양자우물층(150b)이 InXGa1 -XN(a<x≤1)으로 구현되는 경우, 분극 완화영역(150b-2)은 예를 들어, Si, Ge, Sn 등과 같은 n-도펀트를 함유하되, 이러한 n-도펀트의 함량이 1×1018 cm-3 이상 1×1020 cm-3 이하, 바람직하게 5×1018 cm-3 이상 5×1019 cm-3 이하로 함유되어 양자우물층(150b)의 다른 영역(150b-1)의 밴드갭과 동일하고 에너지 밴드 준위가 낮아지게 형성될 수 있다.
따라서, 본 발명의 제 1 실시예에 따라 분극 완화영역(150b-2)에 의해 자발적인 분극 현상을 완화함으로써 전자 및 정공이 분리되는　경향을 감소시켜, 즉 전자는 보다 에너지 밴드 준위가 낮은 방향으로 이동하여 전체 에너지 수준을 감소시키려는 경향을 가지게 되므로, 전자의 파동함수(A')는 더욱 낮은 에너지를 가질 수 있는 분극 완화영역(150b-2) 쪽으로 이동하고, 정공은 에너지 밴드에서 보다 높은 곳으로 이동하는 것이 전체 에너지를 낮추는 방향이 되므로, n-도펀트가 도 핑(doping)되지 않은 다른 영역(150b-1) 쪽으로 파동함수(B')가 이동하게 되며, 결과적으로 전자의 파동함수(A')와 정공의 파동함수(B')에 대해 두 파동함수(A',B')의 겹치는 중첩 영역이 증가하여 발광효율이 증가하고 발광량 또한 증가할 수 있다.
이하, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 질화물 반도체 발광 소자에 대해 도 4를 참조하여 설명한다.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 질화물 반도체 발광 소자의 활성층 일부에 대한 에너지밴드 다이어그램으로서, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 질화물 반도체 발광 소자는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 질화물 반도체 발광 소자와 유사하고 활성층의 분극 완화영역(150b'-2)에서만 차이를 가진다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 활성층은 양자장벽층(150a')과 양자우물층(150b')이 교대로 적층된 다중양자우물구조로　이루어지고, 양자우물층(150b')의 내부에는 자발적인 분극을 억제하기 위해서 양자우물층(150b')의 밴드갭을 유지한 상태에서 에너지 밴드 준위가 낮아진 분극 완화영역(150b'-2)이　형성된다.
이러한 분극 완화영역(150b'-2)은 양자우물층(150b')의 내부에서 n형 질화물층(도시하지 않음) 쪽의 양자장벽층(150a')에 접하여 양자우물층(150b')의 다른 영역(150b'-1)의 밴드갭과 동일하고 에너지 준위가 낮은 상태로 경사지게 형성되되, 분극 완화영역(150b'-2)의 두께는 양자우물층(150b) 두께의 10% 내지 60% 정도로 형성되어 발광 파장을 크게 변화시키지 않고 증가된 전자를 함유하여 분극 현상을 완화하는 역할을 한다.
구체적으로, 예를 들어 양자장벽층(150a')이 AlXInYGa(1-X-Y)N(0≤x<1,0≤Y<1)층이고, 양자우물층(150b')이 InXGa1 -XN(a<x≤1)으로 구현되는 경우, 분극 완화영역(150b'-2)은 예를 들어, Si, Ge, Sn 등과 같은 n-도펀트를 함유하되, 이러한 n-도펀트의 함량이 1×1018 cm-3 이상 1×1020 cm-3 이하, 바람직하게 5×1018 cm-3 이상 5×1019 cm-3 이하로 양자장벽층(150a')으로 점진적으로 높아지도록 경사진 형태로 함유되어 양자우물층(150b')의 다른 영역(150b'-1)의 밴드갭과 동일하고 에너지 준위가 점진적으로 낮아지게 형성될 수 있다.
따라서, 본 발명의 제 2 실시예에 따라 n-도펀트의 함량이 점진적으로 함유된 분극 완화영역(150b'-2)에 의해 자발적인 분극 현상을 완화함으로써 전자 및 정공이 분리되는　경향을 감소시켜, 본 발명의 제 1 실시예에서와 마찬가지로 전자의 파동함수(A')와 정공의 파동함수(B')에 대해 두 파동함수(A',B')의 겹치는 중첩 영역이 증가하여 발광효율이 증가하고 발광량 또한 증가할 수 있다.
이하, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 질화물 반도체 발광 소자에 대해 도 5를 참조하여 설명한다.
본 발명의 제 3 실시예에 따른 질화물 반도체 발광 소자는 도 5에 도시된 바와 같이 활성층 일부에 대해 다수의 분극 완화영역을 포함할 수 있어서, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 질화물 반도체 발광 소자의 활성층(도시하지 않음)은 양자장벽 층(250a)과 양자우물층(250b)이 교대로 적층된 다중양자우물구조로　이루어지고, 양자우물층(250b)의 내부에는 자발적인 분극을 억제하기 위해서 양자우물층(250b)의 밴드갭을 유지한 상태에서 에너지 밴드 준위가 차등적으로 낮아진 제 1 분극 완화영역(250b-2)와 제 2 분극 완화영역(250b-3)이　형성될 수 있다.
이러한 제 1 분극 완화영역(250b-2)와 제 2 분극 완화영역(250b-3)은 양자우물층(250b)의 내부에서 n형 질화물층(도시하지 않음) 쪽의 양자장벽층(250a)에 접하여 양자우물층(250b)의 다른 영역(250b-1)의 밴드갭과 동일하고 에너지 준위가 낮은 상태로 양자우물층(250b) 두께의 10% 내지 60% 정도로 형성되되, 제 1 분극 완화영역(250b-2)은 양자우물층(250b)의 다른 영역(250b-1)의 에너지 준위보다 낮은 형태로 형성되고, 제 2 분극 완화영역(250b-3)은 제 1 분극 완화영역(250b-2)보다 더 낮은 형태로 형성됨으로써, 제 1 분극 완화영역(250b-2)과 제 2 분극 완화영역(250b-3)이 발광 파장을 크게 변화시키지 않고 전자 농도가 증가한 형태로 구현되어 분극 현상을 완화하는 역할을 한다.
구체적으로, 예를 들어 양자장벽층(250a)이 AlXInYGa(1-X-Y)N(0≤x<1,0≤Y<1)층이고, 양자우물층(250b)이 InXGa1 -XN(a<x≤1)으로 구현되는 경우, 제 1 분극 완화영역(250b-2)과 제 2 분극 완화영역(250b-3)은 예를 들어, Si, Ge, Sn 등과 같은 n-도펀트를 함유하되, 이러한 n-도펀트의 함량이 제 1 분극 완화영역(250b-2)에서는 1×1018 cm-3 이상 5×1018 cm-3 이하이고, 제 2 분극 완화영역(250b-3)에서는 n-도펀트의 함량이 제 1 분극 완화영역(250b-2)에서의 n-도펀트의 함량보다 많게, 예를 들어 5×1018 cm-3 이상 1×1020 cm-3 이하의 n-도펀트의 함량을 포함하여, 양자우물층(250b)의 다른 영역(250b-1)의 밴드갭과 동일하고 에너지 준위가 n형 질화물층(도시하지 않음) 쪽의 양자장벽층(250a)으로 단계적으로 낮아져 경사진 형태로 형성될 수 있다.
여기서, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 질화물 반도체 발광 소자의 활성층에서 제 1 분극 완화영역(250b-2)과 제 2 분극 완화영역(250b-3)이 완만하게 경사진 형태로 n-도펀트의 함량이 변하는 것으로 설명하지만, 이에 한정되지 않고 제 1 분극 완화영역(250b-2)과 제 2 분극 완화영역(250b-3)으로 변하는 구간의 n-도펀트의 함량이 수직 구조로 급격하게 변하는 다수의 분극 완화영역을 구현할 수 있다.
따라서, 본 발명의 제 3 실시예에 따라 제 1 분극 완화영역(250b-2)과 제 2 분극 완화영역(250b-3)에 의해 자발적인 분극 현상을 완화하여 전자 및 정공이 분리되는　경향을 감소시켜, 즉 전자는 보다 에너지 밴드 준위가 낮은 방향으로 이동하여 전체 에너지 수준을 감소시키려는 경향을 가지게 되므로, 전자의 파동함수는 더욱 낮은 에너지를 가질 수 있는 제 2 분극 완화영역(250b-3) 쪽으로 이동하고, 정공은 에너지 밴드에서보다 높은 곳으로 이동하는 것이 전체 에너지를 낮추는 방향이 되므로 n-도펀트가 도핑되지 않은 다른 영역(250b-1) 쪽으로 파동함수가 이동하게 되어, 결과적으로 전자의 파동함수와 정공의 파동함수에 대해 두 파동함수의 겹치는 중첩 영역이 더욱 증가하여 발광효율이 증가하고 발광량 또한 증가할 수 있다.
본 발명의 기술사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 전술한 실시예들은 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다.
또한, 본 발명의 기술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술사상의 범위내에서 다양한 실시가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
도 1a는 종래의 질화물 반도체 발광 소자를 나타내는 단면도.
도 1b는 도 1a에 도시된 질화물 반도체 발광 소자의 활성층 일부에 대한 에너지밴드 다이어그램.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 질화물 반도체 발광 소자를 나타내는 단면도.
도 3은 도 2에 도시된 질화물 반도체 발광 소자의 활성층 일부에 대한 에너지밴드 다이어그램.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 질화물 반도체 발광 소자의 활성층 일부에 대한 에너지밴드 다이어그램.
도 5는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 질화물 반도체 발광 소자의 활성층 일부에 대한 에너지밴드 다이어그램.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100: 질화물 반도체 발광 소자 110: 기판
120: n형 질화물층 150: 활성층
150a,150a': 양자장벽층 150b,150b': 양자우물층
150b-2,150b'-2: 분극 완화 영역 170: p형 질화물층
180: 투명 전극층 190a: n측　전극
190b: p측 전극

Claims (7)

  1. n형 질화물층과 p형 질화물층 사이에서 다수의 양자장벽층과 양자우물층이 교대로 적층된 다중양자우물구조의 활성층을 포함한 질화물 반도체 발광 소자에 있어서,
    상기 다수의 양자우물층 중 적어도 하나의 양자우물층은 언도프 영역과, n-도펀트를 함유하여 에너지 밴드 준위가 상기 언도프 영역보다 낮아진 적어도 하나의 분극 완화영역을 포함하며, 상기 분극 완화영역은 상기 n형 질화물층의 방향으로 형성되고, 상기 양자우물층 두께의 10% 내지 60%의 두께를 가지며, 상기 분극 완화영역의 n-도펀트는 1×1018 cm-3 이상 1×1020 cm-3 이하의 함량으로 포함되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 분극 완화영역의 n-도펀트는 Si, Ge, Sn 중 선택된 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 분극 완화영역의 n-도펀트 함량은 5×1018 cm-3 이상 5×1019 cm-3 이하로 상기 n형 질화물층의 방향에 형성된 양자장벽층으로 점진적으로 높아지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 분극 완화영역은
    상기 n-도펀트가 1×1018 cm-3 이상 5×1018 cm-3 이하의 함량을 갖는 제 1 분극 완화영역; 및
    상기 제 1 분극 완화영역에 접하여 상기 n-도펀트가 5×1018 cm-3 이상 1×1020 cm-3 이하의 함량을 갖는 제 2 분극 완화영역
    을 포함하고,
    상기 제 1 분극 완화영역과 제 2 분극 완화영역은 상기 양자우물층의 다른 영역의 밴드갭과 동일하며, 상기 n형 질화물층 방향의 양자장벽층으로 단계적으로 낮아지는 경사진 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 분극 완화영역은
    상기 n-도펀트가 1×1018 cm-3 이상 1×1020 cm-3 이하의 함량을 갖는 제 1 분극 완화영역; 및
    상기 제 1 분극 완화영역에 접하여 상기 n-도펀트의 함량이 상기 제 1 분극 완화영역의 n-도펀트의 함량 보다 많은 제 2 분극 완화영역
    을 포함하고,
    상기 제 1 분극 완화영역과 제 2 분극 완화영역은 상기 양자우물층의 다른 영역의 밴드갭과 동일하며, 상기 n형 질화물층 방향의 양자장벽층으로 단계적으로 낮아지는 경사진 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 양자장벽층은 AlXInYGa(1-X-Y)N(0≤x<1,0≤Y<1)층이고, 상기 양자우물층은 InXGa1-XN(a<x≤1)인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.
KR20070121693A 2007-11-27 2007-11-27 분극 현상을 방지한 질화물 반도체 발광 소자 KR100961108B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20070121693A KR100961108B1 (ko) 2007-11-27 2007-11-27 분극 현상을 방지한 질화물 반도체 발광 소자

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20070121693A KR100961108B1 (ko) 2007-11-27 2007-11-27 분극 현상을 방지한 질화물 반도체 발광 소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090054813A KR20090054813A (ko) 2009-06-01
KR100961108B1 true KR100961108B1 (ko) 2010-06-07

Family

ID=40986692

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20070121693A KR100961108B1 (ko) 2007-11-27 2007-11-27 분극 현상을 방지한 질화물 반도체 발광 소자

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100961108B1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10134948B2 (en) 2011-02-25 2018-11-20 Sensor Electronic Technology, Inc. Light emitting diode with polarization control
KR101962232B1 (ko) * 2012-10-10 2019-07-31 엘지이노텍 주식회사 발광소자
CN105870274A (zh) * 2016-04-22 2016-08-17 河北工业大学 一种屏蔽量子阱区极化场效应的发光二极管外延结构
JP6968122B2 (ja) 2019-06-06 2021-11-17 日機装株式会社 窒化物半導体発光素子

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3311275B2 (ja) * 1997-08-29 2002-08-05 株式会社東芝 窒化物系半導体発光素子
US7115908B2 (en) 2004-01-30 2006-10-03 Philips Lumileds Lighting Company, Llc III-nitride light emitting device with reduced polarization fields
KR100704588B1 (ko) 1999-12-02 2007-04-10 크리, 인코포레이티드 분극 유도 전하를 줄인 고효율 광 이미터

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3311275B2 (ja) * 1997-08-29 2002-08-05 株式会社東芝 窒化物系半導体発光素子
KR100704588B1 (ko) 1999-12-02 2007-04-10 크리, 인코포레이티드 분극 유도 전하를 줄인 고효율 광 이미터
US7115908B2 (en) 2004-01-30 2006-10-03 Philips Lumileds Lighting Company, Llc III-nitride light emitting device with reduced polarization fields

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090054813A (ko) 2009-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102246648B1 (ko) 자외선 발광 다이오드
KR100631971B1 (ko) 질화물 반도체 발광 소자
TWI466314B (zh) 三族氮化合物半導體發光二極體
KR100649749B1 (ko) 질화물 반도체 발광 소자
KR100664985B1 (ko) 질화물계 반도체 소자
KR100665364B1 (ko) 질화물 반도체 발광 소자
US20070045655A1 (en) Nitride semiconductor light emitting device
KR100604406B1 (ko) 질화물 반도체 소자
KR100703091B1 (ko) 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
KR100826422B1 (ko) 질화물 반도체 소자
TWI445204B (zh) 具有漸變含量之電洞穿隧層之發光元件
CN209993614U (zh) 一种AlInGaN基发光二极管
KR20130141945A (ko) 전자 차단층을 갖는 발광 소자
EP2919282B1 (en) Nitride semiconductor stacked body and semiconductor light emitting device comprising the same
KR20130129683A (ko) 그레이드 초격자 구조의 전자 차단층을 갖는 반도체 발광 소자
KR100961108B1 (ko) 분극 현상을 방지한 질화물 반도체 발광 소자
JP2000091708A (ja) 半導体発光素子
US9634184B2 (en) Optoelectronic semiconductor device
KR100905877B1 (ko) 질화물 반도체 소자
KR102160070B1 (ko) 근자외선 발광 소자
US20170338626A1 (en) Laser Diode Chip
KR20110048240A (ko) 질화물 반도체 소자
KR100818269B1 (ko) 질화물 반도체 발광소자
KR100638729B1 (ko) ３족 질화물 발광 소자
KR101025971B1 (ko) 질화물 반도체 발광소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
N231 Notification of change of applicant
AMND Amendment
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130430

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee