JP5839976B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
本実施の形態では、開示する発明の一態様に係る半導体メモリ装置の回路構成およびその駆動方法について、図1乃至図4を参照して説明する。なお、開示する発明の一態様に係る半導体メモリ装置は、同一ワード線上の各メモリセルの電位を一括で確定する事を可能とした駆動方法を有するものである。
101 トランジスタ
102 トランジスタ
103 容量素子
104 メモリセルアレイ
105 フローティングノード
200 半導体メモリ装置
201 回路
202 制御回路
203 電位制御回路
204 ビット線選択回路
205 ワード線選択回路
206 トランジスタ
207 高電圧源端子
208 低電圧源端子
300 比較器
301 トランジスタ
302 抵抗素子
303 制御部
306 高電圧源端子
401 比較回路
402 論理変換回路
403 比較判定回路
410 入力端子
420 出力端子
430 データ
431 データ
440 ラッチデータ
450 出力端子
460 コンパレータ
470 入力端子
471 ANDゲート
472 ANDゲート
473 インバータ
474 インバータ
475 出力端子
476 入力端子
477 EXORゲート
478 EXORゲート
479 ORゲート
500 データ
501 状態検出データ
600 幅
601 幅
603 差
604 幅
605 幅
606 幅
607 幅
Claims (2)
- 第1のトランジスタと第2のトランジスタと容量とを有するメモリセルと、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続される第1のビット線と、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続される第2のビット線と、
前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続される第1のワード線と、
前記容量の第1の電極と電気的に接続される第2のワード線と、
前記第2のビット線と電気的に接続される読み出し回路と、
前記読み出し回路と電気的に接続される比較判定回路と、
前記比較判定回路とゲートとが電気的に接続される第3のトランジスタと、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続される電位制御回路と、を有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記容量の第2の電極は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第1のビット線と電気的に接続され、
前記読み出し回路は、参照電圧と、前記第2のビット線の電圧とを比較して、読み出し電圧を出力し、
前記比較判定回路は、前記読み出し回路から出力された前記読み出し電圧の正誤を判定し、前記読み出し電圧が正しければ前記第3のトランジスタを非導通にし、前記読み出し電圧が誤っていれば前記第3のトランジスタの導通にし、
前記電位制御回路は、前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方に、段階的に変化する電位を供給する機能を有することを特徴とする半導体装置。 - 第1のトランジスタと第2のトランジスタと容量とを有するメモリセルと、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続される第1のビット線と、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続される第2のビット線と、
前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続される第1のワード線と、
前記容量の第1の電極と電気的に接続される第2のワード線と、
前記第2のビット線と電気的に接続される読み出し回路と、
前記読み出し回路と電気的に接続される比較判定回路と、
前記比較判定回路とゲートとが電気的に接続される第3のトランジスタと、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続される電位制御回路と、を有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記容量の第2の電極は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第1のビット線と電気的に接続され、
前記読み出し回路は、参照電圧と、前記第2のビット線の電圧とを比較して、読み出し電圧を出力し、
前記比較判定回路は、前記読み出し回路から出力された前記読み出し電圧の正誤を判定し、前記読み出し電圧が正しければ前記第3のトランジスタを非導通にし、前記読み出し電圧が誤っていれば前記第3のトランジスタの導通にし、
前記電位制御回路は、前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方に、段階的に変化する電位を供給する機能を有し、
前記第1のトランジスタの半導体層は、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
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