JP5683241B2 - スイッチング電源装置及び画像形成装置 - Google Patents

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Description

本発明は、自励型フライバック方式のスイッチング電源装置に関するものである。
従来から電子機器の低電圧電源として自励型フライバック方式のスイッチング電源が知られている。図5は、自励型フライバック方式のスイッチング電源の基本回路図である。図5において、400は商用交流源、401はフィルタ回路、402は整流回路、403は一次電解コンデンサである。商用交流源400より入力された交流電圧はフィルタ回路401を通り整流回路402と平滑コンデンサ403によって直流電圧に変換される。419はトランス、Npはトランス419の一次巻線、406は起動抵抗、Nbはトランス419の一次側に周回された補助巻線、405は第一のスイッチング素子、407は第一のスイッチング素子のゲート−ソース間に設けられた抵抗である。トランス419の一次巻線Npと、スイッチング素子405は直列に接続されている。コンデンサ403の正端子とスイッチング素子405のゲート端子間には起動抵抗406が接続されている。コンデンサ403の直流電圧より起動抵抗406を通してスイッチング素子405のゲート電圧が上昇するとドレイン電流が流れ、一次巻線Npに電流が流れる。この結果、トランス419は励磁されて他方の一次巻線Nbに電圧が誘起され、スイッチング素子405のゲート電圧が上昇し、スイッチング素子405はオン状態となる。
一方で補助巻線Nbは、抵抗416、コンデンサ415からなる時定数回路にも供給されており、コンデンサ415の両端電圧がトランジスタ409のベースエミッタ間に印加されるよう接続している。
コンデンサ415の電圧が上昇してトランジスタ409がオンすると、スイッチング素子405のゲート電圧が低下し、スイッチング素子405はターンオフする。
スイッチング素子405がオフするとトランス419の二次側の二次巻線Nsの端子電圧が反転し、二次巻線Nsから二次整流ダイオード417を通して電流が流れ出す。この電流はコンデンサ418に充電される。トランス419に蓄えられたエネルギーは、二次巻線Nsのインダクタンスにより制限されながらコンデンサ418に充電される。スイッチング素子405がオフしている期間のスイッチング素子405のドレイン電圧は、二次側の電圧に一次巻線Npの巻数と二次巻線Nsの巻数の比を乗算した電圧にコンデンサ403に充電されている電圧を加えた値となる。二次巻線Nsの電流が0になるとスイッチ素子405のドレイン側に発生していた電圧はコンデンサ403に充電されている電圧を中心とし、トランス419のインダクタンスとコンデンサ404より定まる周期で振動を始める。
補助巻線Nbには一次巻線Npの電圧が反映されるため、ドレイン端子電圧がコンデンサ403の両端電圧より低くなったときには補助巻線Nbにはスイッチング素子405のゲート端子電圧がソース端子よりも高くなるように電圧が印加される。このゲート端子電圧がスイッチング素子405のゲート閾電圧を超えると、スイッチング素子405が再びオンし、以降は前述したような動作を繰り返す。
コンデンサ418の両端電圧が上昇してくると、抵抗421、422の分圧によりシャントレギュレータ420が動作し、フォトカプラPC401に電流が流れる。フォトカプラPC401が点灯し、フォトカプラPC401のフォトトランジスタのインピーダンスが低下する。この結果、時定数回路のコンデンサ415の電圧が抵抗416で充電されるよりも早く上昇し、トランジスタ409がオンする。これにより、スイッチング素子405がオフする。このような帰還動作によってスイッチング電源は一定電圧を出力する。
昨今、種々の電子機器の待機時の消費電力の低減が求められている。前述した自励型フライバック方式のスイッチング電源を搭載する電子機器においても、通常動作時のモード(以下、通常モードともいう)と待機時の省電力モード(パワーセーブモードともいう)を設け、省電力モードでは、電源の出力電圧を低下させて、待機時の電力消費を低減している。
図6及び図7に、自励型フライバック方式の電源において省電力モード時に出力電圧を低下させた場合の波形を示す。図6では、図5で示した自励型フライバック方式の電源に対して、抵抗421(抵抗値Ra),抵抗422(抵抗値Rb),抵抗423(抵抗値Rc),抵抗424,スイッチング素子425からなる出力可変回路が追加されている。出力可変回路には、電子機器の制御部であるCPU1から、省電力モードへの移行を指示するパワーセーブ信号(以下、/PSAVEという)が供給されている。CPU1は、/PSAVE信号を用いて電子機器を通常動作時のモードからパワーセーブモードに移行させる。CPU1は、電子機器を通常モードに設定する時には、/PSAVE信号をHighレベル(以下Hレベル)とし、パワーセーブモードに設定する時には、/PSAVE信号をLowレベル(以下、Lレベル)とする。また、/PSAVE信号は、スイッチング素子425に供給されている。通常モード時、つまり/PSAVE信号がHレベルの場合、スイッチング素子425はオンし、抵抗422(Rb)と抵抗423(Rc)が並列に接続される。出力電圧を抵抗421(Ra)と、抵抗422と抵抗423の並列抵抗(Rb//Rc)で分圧した電圧がシャントレギュレータ420のref端子に供給される。したがって、シャントレギュレータのリファレンス電圧をVrefとすると、通常モード時の出力電圧Vout−hは、概ね下式で表される。
Figure 0005683241
ただし(Rb//Rc)は、RbとRcの並列抵抗値であり、下式で表される。
Figure 0005683241
一方、パワーセーブモード時、つまり/PSAVE信号がLレベルの場合、スイッチング素子425はオフし、抵抗423(Rc)は切り離される。よって、シャントレギュレータ420のref端子に供給される電圧は、出力電圧を抵抗421(Ra)と抵抗422(Rb)で分圧した電圧となる。したがって、パワーセーブモード時の出力電圧Vout−lは、概ね下式で表される。
Figure 0005683241
この式からわかるように、パワーセーブモード時の出力電圧Vout−lは、通常モード時の出力電圧Vout−hよりも低下する。更にスイッチング素子405のオフ時、補助巻線Nbに誘起される電圧Vnnlが概略下式で表されるように低下する。
Figure 0005683241
以上のように、パワーセーブモード時において、Vnnlの出力電圧は低下し、比較的低い電圧値を維持する為、振幅が小さく、スイッチング素子405のゲート電圧が閾値より低い値となる。これにより、フライバック電圧Vnnhによるスイッチング素子405のターンオンが阻止される。したがって、パワーセーブモード時にスイッチング素子405のゲート電圧を上昇させる経路として、起動抵抗を介してゲート電圧を上昇させスイッチング素子405をターンオンする。スイッチング素子405のターンオンが遅延し、スイッチング素子405のオフ期間が延長されるため、発振周波数が低下する。このように、発振周波数の低下及び出力電圧を低下させることで、回路効率を向上させて、待機時の電力消費を低減させることができる。このような待機時の動作については特許文献1に開示されている。
特開2000−278946号公報
ここで、前述の図6の構成において、パワーセーブモード時における出力電圧を更に低い電圧にして省電力化しようとすると、以下に説明するように電圧の低減に限界が生じる。
図6において、起動抵抗406の抵抗値をR1、コンデンサ410の容量をC、平滑コンデンサ403に充電されて、その両端に発生する直流電圧をV1とする。パワーセーブモード時に出力電圧を低下させる自励型フライバック方式の電源においては、前述の従来例のとおり、出力電圧Vout−lが低下するためスイッチング素子405のオフ時に発生するドレイン−ソース間電圧が低下する。そのため、トランスの補助巻線Nbに誘起される電圧Vnnlも低下し、スイッチング素子405のゲート−ソース間電圧Vgsのリンギング期間t2〜t3の電圧の振幅はスイッチング素子405の閾値電圧以下になる。そのため、スイッチング素子405をターンオンさせる経路としては、抵抗406の起動抵抗を介してゲート電圧を上昇させる経路のみになる。
ここで、スイッチング素子405のゲート電圧の上昇する傾き(t4〜t5の期間)は、起動抵抗406(抵抗値R1)、コンデンサ410の容量Cで決定され、概ね下式で表される。
Figure 0005683241
パワーセーブモード時においては待機の電力がより低減するため、起動抵抗406は回路の動作効率を上げるように動作する。そのため、スイッチング素子405のゲート電圧の上昇はさらに緩やかな傾きになる。起動抵抗406を介してスイッチング素子405のゲート電圧が上昇し、一次巻線Npからドレイン電流が流れて、補助巻線Nbに電圧が誘起されて、ゲート電圧を上昇させる間(t4〜t5の期間)におけるスイッチング損失が大きくなる。そのため、自励型フライバック方式の電源において、パワーセーブモード時にスイッチング素子405がターンオンする際のスイッチング損失(ターンオンの時間が長くなる)により、待機電力の低減量に限界が生じることになる。つまり、パワーセーブモード時において、更なる電力の低減が難しいことになる。
本発明は上記課題を鑑み、パワーセーブモード時に出力電圧を低下させる自励型フライバック方式の電源において、パワーセーブモード時でのスイッチング素子のターンオンする際のスイッチング損失を低減させることにより、更に消費電力を低減することを目的とする。
上記課題を解決するための本発明の電源装置は、トランスの一次巻線をスイッチングする第一スイッチング手段と、前記トランスの二次巻線からの出力を前記トランスの一次側に伝達する伝達手段と、前記伝達手段からの出力に基づき前記第一スイッチング手段の動作を制御するスイッチング電源装置において、前記トランスの補助巻線に発生する電圧を保持する電圧保持手段と、前記第一スイッチング手段のゲート端子とソース端子の間に印加される電圧を検出する電圧検出手段と、を備え、前記トランスの二次巻線に発生する電圧が低くなるように前記第一スイッチング手段が動作したときに、前記電圧検出手段により検出した電圧に応じて前記電圧保持手段から前記第一スイッチング手段に電圧を供給することにより、前記第一スイッチング手段をオンさせることを特徴とする。
また、本発明の画像形成装置は、画像を形成するための画像形成手段と、前記画像形成手段の動作を制御する制御手段と、トランスの一次巻線をスイッチングする第一スイッチング手段と、前記トランスの二次巻線からの出力を前記トランスの一次側に伝達する伝達手段と、前記伝達手段からの出力に基づき前記スイッチング手段の動作を制御することにより前記制御手段に電力を供給するスイッチング電源と、を有し、前記スイッチング電源は、
前記トランスの補助巻線に発生する電圧を保持する電圧保持手段と、前記第一スイッチング手段のゲート端子とソース端子の間に印加される電圧を検出する電圧検出手段と、を備えており、前記トランスの二次巻線に発生する電圧が低くなるように前記第一スイッチング手段が動作したときに、前記電圧検出手段により検出した電圧に応じて、前記電圧保持手段から前記第一スイッチング手段に電圧を供給することにより、前記第一スイッチング手段をオンさせることを特徴とする。
以上説明したように、本発明によれば、パワーセーブモード時に出力電圧を低下させる自励型フライバック方式の電源において、パワーセーブモード時のスイッチング素子のターンオンにおけるスイッチング損失を低減させることにより消費電力をさらに低減することができる。
実施例1のスイッチング電源の回路図 実施例1のスイッチング電源のパワーセーブモード時の波形図 実施例1のスイッチング電源の通常モード時の波形図 実施例2のスイッチング電源の回路図 従来のスイッチング電源の回路図 従来のスイッチング電源の回路図 従来のスイッチング電源のパワーセーブモード時の波形図 スイッチング電源の適用例を示す図
次に、上述した課題を解決するための本発明の具体的な構成について、以下に実施例に基づき説明する。なお、以下に示す実施例は一例であって、この発明の技術的範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
(実施例1)
図1に実施例1における自励型フライバック方式のスイッチング電源の回路を示す。基本的構成は前述した従来のスイッチング電源の回路と共通である。図1において、100は商用交流電源、101はフィルタ回路、102は整流ダイオードブリッジ、103は一次電解コンデンサ、104はコンデンサ、119はトランスである。Npはトランス119の一次巻線、Nsはトランス119の二次巻線、Nbはトランス119の補助巻線(帰還巻線ともいう)である。又、106は抵抗値R1の起動抵抗、105は第一スイッチング素子を示す。128は二次側の整流ダイオード、129は電解コンデンサであり、整流ダイオード128と電解コンデンサ129は整流平滑回路を構成する。PC101は二次側の出力を一次側に伝達するフォトカプラである。また、二次側には抵抗値Raの抵抗131、抵抗値Rbの抵抗132、抵抗値Rcの抵抗133、抵抗135、スイッチング素子134からなる出力電圧変更回路を有する。なお、シャントレギュレータ130と出力電圧変更回路とは誤差検出回路を構成する。
ここで実施例1において従来のスイッチング電源の回路と異なるのは、以下の回路を追加した点である。
・電圧検出部としての回路。
・補助巻線Nbからの電圧を保持する電圧保持部としての回路。
・電圧検出部によって検出した電圧に応じてスイッチング素子105のベースに電圧を印加する制御部としての回路。
以下に、これらの追加回路を含む実施例1回路構成及び回路動作を説明する。
整流素子としてのダイオード120は、そのアノードをトランス119の補助巻線Nbと接続し、そのカソードは容量素子としてのコンデンサ121に接続する電源部としての回路である。抵抗107と抵抗108は、第一スイッチング素子105と並列に接続されて、二つの抵抗107と抵抗108の接続点と第二スイッチング素子125のゲートを接続し、第一スイッチング素子105のゲート−ソース間電圧を検出して、第二スイッチング素子125の閾値電圧と比較する電圧検出部としての回路である。なお、起動抵抗106と第二スイッチング素子125との間にダイオード109を接続している。
第二スイッチング素子125のドレインは抵抗124と接続され、抵抗124の他端は、第三スイッチング素子122ベースと抵抗123に接続される。第三スイッチング素子122のエミッタと抵抗123の他端は、電源部としての回路のコンデンサ121と接続される。第三スイッチング素子122のコレクタは、ダイオード126のアノードと接続し、ダイオード126のカソードは抵抗127と接続され、抵抗127の他端は第一スイッチング素子105のゲートと接続される。ここで、第二スイッチング素子12、抵抗124、第三スイッチング素子122、抵抗123、ダイオード126、抵抗127を含む回路が制御部としての回路である。
なお、実施例1では第一スイッチング素子105と第二スイッチング素子125としてMOSFETを用いて、第三スイッチング素子としてはPNPトランジスタを用いている。本実施例において適用した素子は一例であり、回路構成や出力電圧値、精度によって適宜素子を選択して使用することができる。
商用交流電源100よりフィルタ回路101を介して整流ダイオード102に交流電圧が印加されると、整流ダイオード102により全波整流がなされて一次電解コンデンサ103にピーク充電される。これにより一次電解コンデンサ103の両端に直流電圧V1を生成する。一次電解コンデンサ103の両端の直流電圧V1は、起動抵抗106(抵抗値R1)、抵抗107、抵抗108により分圧される。抵抗107と108で分圧された電圧は、第一スイッチング素子105のゲート−ソース間にも印加される。この印加電圧が上昇すると第一スイッチング素子105のドレイン電流が流れ、一次巻線Npに電流が流れる。この結果、トランス119は励磁されて補助巻線Nbに電圧が誘起され、第一スイッチング素子105のゲート電圧が上昇し第一スイッチング素子105はオン状態となる。
トランスの二次巻線Nsにはダイオード128のアノード側に接続された端子の電圧が低く、二次巻線Nsの反対側の端子電圧は高い電圧が発生する。従って、ダイオード121は逆バイアスされて電流は漏れ電流(リーク電流ともいう)程度しか流れない。一方、補助巻線Nbは、抵抗118とコンデンサ117からなる時定数回路にも電圧を供給しており、コンデンサ117の両端電圧が上昇してトランジスタ110がオンすると、第一スイッチング素子105のゲート電圧が低下し、第一スイッチング素子105はターンオフする。この一連の動作で一次巻線Npに流れる電流を断続的にオンオフ(スイッチング動作ともよばれる)して、二次巻線Nsに電圧を発生させることができる。
電源部としてのダイオード120とコンデンサ121は、直流電圧V1により第一スイッチング素子105がターンオンする時に、一次巻線Npに電流が流れ、励磁されて補助巻線Nbに電圧が誘起される際に、ダイオード120を介してコンデンサ121にピーク充電する。
第二スイッチング素子125の閾値電圧Vth2は、第一スイッチング素子105の閾値電圧値Vth1より低く、Vth1>Vth2の関係になっている。制御部は、電圧検出部(抵抗107と108の接続点の検出電圧)により第一スイッチング素子105の閾値以下である第二スイッチング素子125のVth2を検出したら、第二スイッチング素子125がオンする際に電源部のコンデンサ121から、抵抗124及び123を介してドレイン電流が流れる。そして、第三スイッチング素子122のエミッタ−ベース間に電位差が発生して、第三スイッチング素子122がオンする。第三スイッチング素子122がオンすると、ダイオード126を介して電源部のコンデンサ121に充電された電荷を第一スイッチング素子105のゲートへ供給する。これにより、第一スイッチング素子105のゲート電圧を上昇させる。
以上が、電圧検出部と制御部の回路動作である。
図2は省電力時(以下、パワーセーブモード時という)の波形、図3は通常動作時(以下、通常モードという)の波形を示す。出力可変回路には、電子機器の制御素子であるCPUから、パワーセーブ信号(以下、/PSAVEという)が供給されている。CPUは、/PSAVE信号を用いて電子機器を通常モードからパワーセーブモードに移行する。CPUは電子機器を通常モードに設定する場合には、/PSAVE信号をスイッチング素子134に供給する。/PSAVE信号がHighレベル(以下、Hレベルという)の場合、スイッチング素子134がオンし、抵抗132(抵抗値Rb)と抵抗133(抵抗値Rc)が並列に接続される。出力電圧を抵抗131(抵抗値Ra)とこの並列抵抗132,133(Rb//Rc)で分圧した電圧がシャントレギュレータ130のref端子に供給される。従って、シャントレギュレータの基準電圧(基準値)をVrefとすると、通常モード時の出力電圧Vout−hは概ね下式で表される。
Figure 0005683241
ただし、(Rb//Rc)は、RbとRcの並列抵抗値であり、下式で表される。
Figure 0005683241
一方、パワーセーブモード時、つまり、/PSAVE信号がLレベルの場合、スイッチング素子134はオフし、抵抗133(抵抗値Rc)は切り離される。よって、シャントレギュレータIC1のref端子に供給される電圧は、出力電圧を抵抗131(抵抗値Ra)と抵抗132(抵抗値Rb)で分圧した電圧となる。従って、パワーセーブモード時の出力電圧Vout−lは、概ね下式で表される。
Figure 0005683241
つまり、パワーセーブモード時の出力電圧Vout−lは、通常モードの出力電圧Vout−hよりも低下することとなる。更に、第一スイッチング素子105のオフ時、補助巻線Nbに誘起される電圧Vnnlが概略下式で表されるように低下する。
Figure 0005683241
この式(4)で表されるt1〜t2期間の補助巻線Nbに誘起される電圧Vnnlが低下することで、t2〜t3期間のリンギングによる電圧振幅値も低下する。リンギングの振幅値は、第一スイッチング素子105の閾値Vth1より小さく、電圧検出部(抵抗107と108の接続点)で検出する値は、第二スイッチング素子125の閾値Vth2よりも低い。そのため、第一スイッチング素子105のゲート電圧を上昇させる経路としては、直流電圧V1より起動抵抗106のR1を通して第一スイッチング素子105のゲート電圧を上昇させることになる。第一スイッチング素子105のゲート−ソース間電圧の上昇の傾きは、起動抵抗106のR1、コンデンサ112の容量Cで決定され、概ね下式で表される。
Figure 0005683241
第一スイッチング素子105のゲート−ソース間電圧は、電圧検出部において、第一スイッチング素子105の閾値Vth1以下であり、第二スイッチング素子125のVth2以上であるか比較される。
電圧検出部において、第二スイッチング素子125のVth2以上を検出し、第二スイッチング素子125がオンして、第三スイッチング素子122及びダイオード126を介して、電源部(ダイオード120、コンデンサ121)から第一スイッチング素子105のゲートに電圧を印加される。これにより、ゲート−ソース間電圧を急峻に立ち上げることになる。つまり、第一スイッチング素子105のターンオン期間であるt4〜t5の期間でドレイン−ソース間電圧が急峻に立ち下がり、ターンオン時の損失を低減することができる。この損失の低減は、実施例1におけるt4〜t5の期間と、前述した図7における従来のスイッチング電源におけるt4〜t5の期間を比べると、実施例1における時間の方が短いことからも理解できる。
このように、電子機器のパワーセーブモード時において、自励型フライバック方式のスイッチング電源の出力電圧を低下させても第一スイッチング素子105がターンオンする際のスイッチング損失を低減することができる。その為、パワーセーブモード時においてパワーセーブモード時の消費電力を更に低減することが可能になる。
(実施例2)
次に、実施例2の構成について図4に基づいて説明する。なお、実施例1と同一の回路構成の説明は省略する。図4において、抵抗706(抵抗値R706)は電解コンデンサ703と接続され、抵抗706の他端が抵抗707(抵抗値R707)と接続され、抵抗707の他端が抵抗708(抵抗値R708)及び第一スイッチング素子705のゲートと接続される。そして、抵抗708の他端は第一スイッチング素子705のソースと接続し、二つの抵抗706と抵抗707の接続点と第二スイッチング素子724のゲートを接続し、抵抗706と抵抗707及び抵抗708の分圧抵抗により第一スイッチング素子705のゲート−ソース間電圧を検出して、第二スイッチング素子724の閾値電圧と比較する電圧検出部を有する。この回路構成が実施例1との相違点である。
第二スイッチング素子724のドレインは抵抗723と接続され、抵抗723の他端は、第三スイッチング素子721ベースと抵抗722に接続し、第三スイッチング素子721のエミッタと抵抗722の他端は、電源部であるコンデンサ720と接続される。第三スイッチング素子721のコレクタは、ダイオード725のアノードと接続し、ダイオード725のカソードは抵抗726と接続され、抵抗726の他端は第一スイッチング素子705のゲートと接続される制御部としての回路を有する。
ここで、電圧検出部の抵抗で分圧される電圧の関係は概ね下式で表される。
Figure 0005683241
第一スイッチング素子705の閾値電圧Vth1と第二スイッチング素子724の閾値電圧Vth2と電圧検出部の抵抗で分圧される電圧の関係は、第一スイッチング素子705がオンする前に、第二スイッチング素子724の閾値電圧Vth2を上回る関係であれば良い。
電圧検出部で第二スイッチング素子724の閾値電圧Vth2を検出したら、第二スイッチング素子724がオンする。第二スイッチング素子724がオンする際に抵抗722と723を介して、第二スイッチング素子724のドレイン電流が流れて、第三スイッチング素子721のエミッタ−ベース間に電位差が発生して、第三スイッチング素子721がオンする。第三スイッチング素子721がオンすると、ダイオード725を介して電源部であるコンデンサ720に充電された電荷を第一スイッチング素子705のゲートへ供給する。これにより、第一スイッチング素子705のゲート電圧を上昇させることになる。
これにより、ゲート−ソース間電圧を急峻に立ち上げることになる。つまり、第一スイッチング素子705のターンオン期間でドレイン−ソース間電圧が急峻に立ち下がり、ターンオン時の損失を低減することができる。
従って、前述した実施例1と同様、電子機器のパワーセーブモード時において、自励型フライバック方式のスイッチング電源の出力電圧を低下させても第一スイッチング素子105がターンオンする際のスイッチング損失を低減することができる。その為、パワーセーブモード時においてパワーセーブモード時の消費電力を更に低減することが可能になる。
(スイッチング電源の適用例)
実施例1及び2で説明した自励型フライバック方式のスイッチング電源装置を、例えばレーザビームプリンタ、複写機、ファクシミリ等の画像形成装置における低電圧電源として適用することができる。以下に適用例を説明する。スイッチング電源装置は、画像形成装置における制御部としてのコントローラへの電力供給、また、用紙を搬送する搬送ローラの駆動部としてのモータへの電力を供給するための電源装置として適用される。
図8(a)に画像形成装置の一例であるレーザビームプリンタの概略構成を示す。レーザビームプリンタ200は、画像形成部21として潜像が形成される像担持体としての感光ドラム211、感光ドラムに形成された潜像をトナーで現像する現像部212を備えている。そして感光ドラム211に現像されたトナー像をカセット216から供給された記録媒体としてのシート(不図示)に転写して、シートに転写したトナー像を定着器214で定着してトレイ215に排出する。また、図8(b)に画像形成装置の制御部としてのコントローラと駆動部としてのモータへの電源からの電力供給ラインを示す。前述の電流共振電源は、このような画像形成動作を制御するCPU310有するコントローラへ300の電力供給、また、画像形成のための駆動部としてのモータ312、313に電力を供給する低圧電源として適用できる。供給する電力としては、コントローラ300へは3.3V、モータへは24Vを供給する。例えばモータ312はシートを搬送する搬送ローラを駆動するモータ、モータ313は定着器214を駆動するモータである。レーザビームプリンタのような画像形成装置に適用する場合、画像形成装置のパワーセーブモード時にスイッチング電源として前述した動作を行うことにより、スイッチング電源の消費電力を更に低減することができる。これにより装置全体としてのパワーセーブモード時の消費電力を低減することが可能となる。ここで説明した画像形成装置に限らず他の電子機器の低電圧電源としても適用可能である。
100 商用交流電源
101 フィルタ回路
102、128 整流ダイオード
103 一次平滑コンデンサ
105 第一スイッチング素子
106 起動抵抗
107、108 電圧検出部の抵抗
119 トランス
120 ダイオード
121 コンデンサ
122 第三スイッチング素子
125 第二スイッチング素子
129 電解コンデンサ
130 シャントレギュレータ
PC101 フォトカプラ

Claims (8)

  1. トランスの一次巻線をスイッチングする第一スイッチング手段と、前記トランスの二次巻線からの出力を前記トランスの一次側に伝達する伝達手段と、前記伝達手段からの出力に基づき前記第一スイッチング手段の動作を制御するスイッチング電源装置において、
    前記トランスの補助巻線に発生する電圧を保持する電圧保持手段と、
    前記第一スイッチング手段のゲート端子とソース端子の間に印加される電圧を検出する電圧検出手段と、を備え、
    前記トランスの二次巻線に発生する電圧が低くなるように前記第一スイッチング手段が動作したときに、前記電圧検出手段により検出した電圧に応じて前記電圧保持手段から前記第一スイッチング手段に電圧を供給することにより、前記第一スイッチング手段をオンさせることを特徴とするスイッチング電源装置。
  2. 前記電圧保持手段は、前記補助巻線からの電圧を整流する整流素子と、整流した電圧を保持する容量素子とを有し、
    前記第一スイッチング手段がオンした際に前記補助巻線からの電圧を前記整流素子で整流して前記容量素子に保持することを特徴とする請求項1に記載のスイッチング電源装置。
  3. 前記電圧検出手段は、前記ゲート端子と前記ソース端子の間に接続された二つの抵抗と、前記トランスの一次巻線に接続される抵抗とを有し、前記二つの抵抗の接続点の電圧を検出することを特徴とする請求項1または2に記載のスイッチング電源装置。
  4. 前記電圧検出手段は、前記ゲート端子と前記ソース端子の間に接続された抵抗と前記トランスの一次巻線と前記第一スイッチング手段の前記ゲート端子に接続される二つの抵抗とを有し、前記二つの抵抗の接続点の電圧を検出することを特徴とする請求項1または2に記載のスイッチング電源装置。
  5. 前記二次巻線からの出力を整流及び平滑する整流平滑手段と、
    前記整流平滑手段からの出力を基準値と比較する誤差検出手段と
    前記誤差検出手段の前記基準値を変更する出力電圧変更手段と、を備え、
    前記スイッチング電源装置がパワーセーブモード時に前記出力電圧変更手段によって前記基準値を低くすることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかの項に記載のスイッチング電源装置。
  6. 前記電圧検出手段で検出した電圧によってオンする第二スイッチング手段と、
    前記第二スイッチング手段がオンすることにより、前記電圧保持手段の電圧を前記第一スイッチング手段に供給するための第三スイッチング手段と
    を備えたことを特徴とする請求項1乃至5のいずれかの項に記載のスイッチング電源装置。
  7. 前記第一スイッチング手段がオンするための閾値電圧は、前記第二スイッチング手段がオンするための閾値電圧より大きいことを特徴とする請求項6に記載のスイッチング電源装置。
  8. 画像を形成するための画像形成手段と、
    前記画像形成手段の動作を制御する制御手段と、
    トランスの一次巻線をスイッチングする第一スイッチング手段と、前記トランスの二次巻線からの出力を前記トランスの一次側に伝達する伝達手段と、前記伝達手段からの出力に基づき前記スイッチング手段の動作を制御することにより前記制御手段に電力を供給するスイッチング電源と、を有し、
    前記スイッチング電源は、
    前記トランスの補助巻線に発生する電圧を保持する電圧保持手段と、前記第一スイッチング手段ゲート端子とソース端子の間に印加される電圧を検出する電圧検出手段と、を備えており、
    前記トランスの二次巻線に発生する電圧が低くなるように前記第一スイッチング手段が動作したときに、前記電圧検出手段により検出した電圧に応じて、前記電圧保持手段から前記第一スイッチング手段に電圧を供給することにより、前記第一スイッチング手段をオンさせることを特徴とする画像形成装置。
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