JP5617210B2 - 光反射性異方性導電接着剤及び発光装置 - Google Patents
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Description
また、金属粒子としては、予めシランカップリング剤でγ−グリシドキシ基やビニル基等を金属表面に導入しておくことが好ましい。
屈折率が約1.50の無色透明な熱硬化型エポキシ系バインダー組成物(YX−8000、JER(株):MeHHPAを50質量%で含有)に、光反射性絶縁粒子として平均粒径0.5μmの二酸化チタン酸粉末(KR−380、チタン工業(株))を12体積%、導電粒子として平均粒径5μmのAu被覆樹脂導電粒子(平均粒径4.6μmの球状アクリル樹脂粒子に0.2μm厚の無電解金メッキを施した粒子(ブライト20GNB4.6EH、日本化学工業(株))を10質量%となる割合で均一に混合することにより、外観色が白色の光反射性異方性導電接着剤を得た。
得られた光反射性異方性導電接着剤を、セラミック製の白色板に乾燥厚で100μmとなるように塗布し、200℃で1分間加熱し、硬化させた。この硬化物について、分光光度計(U3300、日立製作所(株))を用いて、波長450nmの光に対する反射率(JIS K7150)を測定した。得られた結果を表1及び図3に示す。反射率は、実用上30%以上であることが望まれる。
100μmピッチの銅配線にNi/Au(5.0μm厚/0.3μm厚)メッキ処理した配線を有するガラスエポキシ基板に、バンプボンダー(FB700、カイジョー(株))を用いて15μm高の金バンプを形成した。この金バンプ付きエポキシ基板に、光反射性異方性導電接着剤を用いて、青色LED(Vf=3.2(If=20mA))を200℃、60秒、1Kg/チップという条件でフィリップチップ実装し、テスト用LEDモジュールを得た。
二酸化チタン粉末の配合量を7体積%とすること以外、実施例1と同様にして外観色が白色の光反射性異方性導電接着剤を得た。また、実施例1と同様に、光反射率評価試験とLED実装サンプルにおける全光束量評価試験とを行った。得られた結果を表1に示す。光反射率結果については図3にも示す。
二酸化チタン粉末の配合量を21体積%とすること以外、実施例1と同様にして外観色が白色の光反射性異方性導電接着剤を得た。また、実施例1と同様に、光反射率評価試験とLED実装サンプルにおける全光束量評価試験とを行った。得られた結果を表1に示す。光反射率結果については図3にも示す。
二酸化チタン粉末に代えて平均粒径0.5μmの窒化ホウ素粉末(SP7、電気化学工業(株))を12体積%使用すること以外、実施例1と同様にして外観色が白色の光反射性異方性導電接着剤を得た。また、実施例1と同様に、光反射率評価試験とLED実装サンプルにおける全光束量評価試験とを行った。得られた結果を表1に示す。
二酸化チタン粉末に代えて平均粒径0.5μmの酸化亜鉛粉末(JIS規格酸化亜鉛1種、ハクスイテック(株))を12体積%使用すること以外、実施例1と同様にして外観色が白色の光反射性異方性導電接着剤を得た。また、実施例1と同様に、光反射率評価試験とLED実装サンプルにおける全光束量評価試験とを行った。得られた結果を表1に示す。光反射率結果については図3にも示す。
二酸化チタン粉末に代えて平均粒径0.5μmの酸化アルミニウム粉末(AE2500−SI、アドマテックス(株))を12体積%使用すること以外、実施例1と同様にして外観色が白色の光反射性異方性導電接着剤を得た。また、実施例1と同様に、光反射率評価試験とLED実装サンプルにおける全光束量評価試験とを行った。得られた結果を表1に示す。
平均粒径0.5μmの二酸化チタン粉末に代えて平均粒径0.2μmの二酸化チタン粉末(CR602、石原産業(株))を12体積%使用すること以外、実施例1と同様にして外観色が白色の光反射性異方性導電接着剤を得た。また、実施例1と同様に、光反射率評価試験とLED実装サンプルにおける全光束量評価試験とを行った。得られた結果を表1に示す。
Au被覆樹脂導電粒子に代えて、平均粒径5μmのNi被覆樹脂導電粒子(平均粒径4.6μmの球状アクリル樹脂粒子に0.2μm厚の無電解ニッケルメッキを施した粒子)を使用すること以外、実施例1と同様にして外観色が白色の光反射性異方性導電接着剤を得た。また、実施例1と同様に、光反射率評価試験とLED実装サンプルにおける全光束量評価試験とを行った。得られた結果を表1に示す。
平均粒径0.5μmの二酸化チタン粉末に代えて、以下に説明するように調製した平均粒径5μmの光反射性絶縁粒子を使用すること以外、実施例1と同様にして外観色が白色の光反射性異方性導電接着剤を得た。また、実施例1と同様に、光反射率評価試験とLED実装サンプルにおける全光束量評価試験とを行った。得られた結果を表1に示す。
攪拌機つきフラスコに粒状銀粒子(平均粒径1.0μm)5gとトルエン50mlとを投入し、攪拌しながらフラスコにシランカップリング剤(3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン)0.25gを投入し、25℃で60分間攪拌した。次に、この混合物に、メタクリル酸メチル2gとメタクリル酸−2−ヒドロキシエチル2gとベンゾイルパーオキサイド0.04gと2,4−トリレンジイソシアネート1gとを投入し、80℃で12時間攪拌することにより、光反射性絶縁粒子として絶縁被覆銀粒子を得た。絶縁被覆を含めた光反射性絶縁粒子の平均粒径は5.0μmであった。
Au被覆樹脂導電粒子に代えて、以下に説明するように調製した平均粒径5μmの光反射性導電粒子を使用すること以外、実施例1と同様にして外観色が白色の光反射性異方性導電接着剤を得た。また、実施例1と同様に、光反射率評価試験とLED実装サンプルにおける全光束量評価試験とを行った。得られた結果を表1に示す。
(光反射性導電粒子の作成)
実施例1で用いた屈折率が約1.50の無色透明な熱硬化型エポキシ系バインダー組成物(YX−8000、JER(株):MeHHPAを100質量%で含有)について、実施例1と同様に、光反射率評価試験とLED実装サンプルにおける全光束量評価試験とを行った。得られた結果を表1に示す。光反射率結果については図3にも示す。
光反射性絶縁粒子を使用しないこと以外、実施例1と同様にして外観色が茶色の異方性導電接着剤を得た。また、実施例1と同様に、光反射率評価試験とLED実装サンプルにおける全光束量評価試験とを行った。得られた結果を表1に示す。光反射率結果については図3にも示す。
光反射性絶縁粒子を使用せず、且つAu被覆樹脂導電粒子に代えて、平均粒径5μmのNi被覆樹脂導電粒子(平均粒径4.6μmの球状アクリル樹脂粒子に0.2μm厚の無電解ニッケルメッキを施した粒子)を使用すること以外、実施例1と同様にして外観色が黒色の異方性導電接着剤を得た。また、実施例1と同様に、光反射率評価試験とLED実装サンプルにおける全光束量評価試験とを行った。得られた結果を表1に示す。
平均粒子径0.5μmの酸化チタン粉末に代えて、平均粒子径0.5μmの酸化ケイ素粉末(シーホスター KEP−30、日本触媒(株))を使用すること以外、実施例1と同様にして外観色が茶色の異方性導電接着剤を得た。また、実施例1と同様に、また、実施例1と同様に、光反射率評価試験とLED実装サンプルにおける全光束量評価試験とを行った。得られた結果を表1に示す。
2 無機粒子
3 光反射層
4 熱可塑性樹脂
10 光反射性導電粒子
11 熱硬化性樹脂組成物の硬化物
21 基板
22 接続端子
23 LED素子
24 n電極
25 p電極
26 バンプ
100 光反射性異方性導電接着剤の硬化物
200 発光装置
Claims (10)
- 発光素子を配線板に異方性導電接続するために使用する光反射性異方性導電接着剤であって、熱硬化性樹脂組成物、導電粒子及び光反射性絶縁粒子を含有し、光反射性絶縁粒子が、鱗片状又は球状銀粒子の表面を絶縁性樹脂で被覆した樹脂被覆金属粒子であることを特徴とする光反射性異方性導電接着剤。
- 発光素子を配線板に異方性導電接続するために使用する光反射性異方性導電接着剤であって、熱硬化性樹脂組成物、導電粒子及び光反射性絶縁粒子を含有し、光反射性絶縁粒子の屈折率(JIS K7142)が、熱硬化性樹脂組成物の硬化物の屈折率(JIS K7142)よりも大きく、
導電粒子が、金属材料で被覆されているコア粒子と、その表面に酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子又は酸化アルミニウム粒子から選択された少なくとも一種の無機粒子から形成された光反射層とからなる光反射性導電粒子である光反射性異方性導電接着剤。 - 熱硬化性樹脂組成物中における光反射性絶縁粒子の配合量が、1〜50体積%である請求項1または2記載の光反射性異方性導電接着剤。
- 熱硬化性樹脂組成物が、エポキシ樹脂と酸無水物系硬化剤とを含有する請求項1〜3のいずれかに記載の光反射性異方性導電接着剤。
- 熱硬化性樹脂組成物100質量部に対する光反射性導電粒子の配合量が、1〜100質量部である請求項2記載の光反射性異方性導電接着剤。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の光反射性異方性導電接着剤を介して、発光素子をフリップチップ方式で配線板に実装されている発光装置。
- 光反射性異方性導電接着剤を介して、発光素子をフリップチップ方式で配線板に実装されている発光装置において、
前記光反射性異方性導電接着剤は、熱硬化性樹脂組成物、導電粒子、及び光反射性絶縁粒子を含有し、
前記光反射性絶縁粒子が、窒化ホウ素、酸化亜鉛及び酸化アルミニウムからなる群より選択される少なくとも一種の無機粒子である発光装置。 - 発光素子が、発光ダイオードである請求項6又は7記載の発光装置。
- 熱硬化性樹脂組成物中における光反射性絶縁粒子の配合量が、1〜50体積%である請求項7記載の発光装置。
- 熱硬化性樹脂組成物が、エポキシ樹脂と酸無水物系硬化剤とを含有する請求項7に記載の発光装置。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009211429A JP5617210B2 (ja) | 2009-09-14 | 2009-09-14 | 光反射性異方性導電接着剤及び発光装置 |
KR1020117019514A KR20120068753A (ko) | 2009-09-14 | 2010-07-20 | 광반사성 이방성 도전 접착제 및 발광 장치 |
CN201080040903.2A CN102482553B (zh) | 2009-09-14 | 2010-07-20 | 光反射性各向异性导电粘接剂及发光装置 |
US13/393,393 US9548141B2 (en) | 2009-09-14 | 2010-07-20 | Light-reflective anisotropic conductive adhesive and light-emitting device |
PCT/JP2010/062138 WO2011030621A1 (ja) | 2009-09-14 | 2010-07-20 | 光反射性異方性導電接着剤及び発光装置 |
EP10815218.2A EP2479233A4 (en) | 2009-09-14 | 2010-07-20 | LIGHT-REFLECTING ANISOTROPIC ELECTROCONDUCTIVE ADHESIVE AGENT AND LIGHT-EMITTING DEVICE |
TW099126882A TWI520155B (zh) | 2009-09-14 | 2010-08-12 | A light reflective anisotropic conductive adhesive and a light emitting device |
TW104130081A TW201546829A (zh) | 2009-09-14 | 2010-08-12 | 光反射性異向性導電接著劑 |
HK12111115.3A HK1170255A1 (en) | 2009-09-14 | 2012-11-05 | Light-reflective anisotropic electroconductive adhesive agent and light- emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009211429A JP5617210B2 (ja) | 2009-09-14 | 2009-09-14 | 光反射性異方性導電接着剤及び発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011057917A JP2011057917A (ja) | 2011-03-24 |
JP5617210B2 true JP5617210B2 (ja) | 2014-11-05 |
Family
ID=43732295
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009211429A Expired - Fee Related JP5617210B2 (ja) | 2009-09-14 | 2009-09-14 | 光反射性異方性導電接着剤及び発光装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9548141B2 (ja) |
EP (1) | EP2479233A4 (ja) |
JP (1) | JP5617210B2 (ja) |
KR (1) | KR20120068753A (ja) |
CN (1) | CN102482553B (ja) |
HK (1) | HK1170255A1 (ja) |
TW (2) | TWI520155B (ja) |
WO (1) | WO2011030621A1 (ja) |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5402109B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2014-01-29 | デクセリアルズ株式会社 | 異方性導電フィルム及び発光装置 |
JP5619466B2 (ja) * | 2010-04-13 | 2014-11-05 | デクセリアルズ株式会社 | 硬化性樹脂組成物、接着性エポキシ樹脂ペースト、ダイボンド剤、非導電性ペースト、接着性エポキシ樹脂フィルム、非導電性エポキシ樹脂フィルム、異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム |
JP5555038B2 (ja) * | 2010-04-13 | 2014-07-23 | デクセリアルズ株式会社 | 光反射性異方性導電接着剤及び発光装置 |
EP2581955A4 (en) * | 2010-06-09 | 2015-12-30 | Dexerials Corp | LIGHT REFLECTING AND ELECTRICALLY CONDUCTIVE ANISOTROPE PASTE AND LIGHT-EMITTING DEVICE |
US9478719B2 (en) * | 2010-11-08 | 2016-10-25 | Bridgelux, Inc. | LED-based light source utilizing asymmetric conductors |
US8643165B2 (en) * | 2011-02-23 | 2014-02-04 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor device having agglomerate terminals |
WO2012127978A1 (ja) * | 2011-03-18 | 2012-09-27 | ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 | 光反射性異方性導電接着剤及び発光装置 |
JPWO2012144033A1 (ja) * | 2011-04-20 | 2014-07-28 | デクセリアルズ株式会社 | 光反射性導電粒子、異方性導電接着剤及び発光装置 |
KR101824034B1 (ko) * | 2011-05-24 | 2018-01-31 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
CN102977806B (zh) * | 2011-09-07 | 2016-01-20 | 宸鸿科技(厦门)有限公司 | 导光液态胶及其应用之触控显示设备 |
JP5916334B2 (ja) * | 2011-10-07 | 2016-05-11 | デクセリアルズ株式会社 | 異方性導電接着剤及びその製造方法、発光装置及びその製造方法 |
KR20130109759A (ko) * | 2012-03-28 | 2013-10-08 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 |
JP5965199B2 (ja) * | 2012-04-17 | 2016-08-03 | デクセリアルズ株式会社 | 異方性導電接着剤及びその製造方法、発光装置及びその製造方法 |
JP2014037528A (ja) * | 2012-07-19 | 2014-02-27 | Dexerials Corp | 光反射性異方性導電接着剤及び発光装置 |
JP6209874B2 (ja) | 2012-08-31 | 2017-10-11 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
US9337405B2 (en) | 2012-08-31 | 2016-05-10 | Nichia Corporation | Light emitting device and method for manufacturing the same |
JP6066643B2 (ja) * | 2012-09-24 | 2017-01-25 | デクセリアルズ株式会社 | 異方性導電接着剤 |
TW201415495A (zh) * | 2012-10-12 | 2014-04-16 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 異方性導電膜及其製備方法 |
JP6003763B2 (ja) * | 2012-10-30 | 2016-10-05 | デクセリアルズ株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物、光反射性異方性導電接着剤及び発光装置 |
TWI500090B (zh) * | 2012-11-13 | 2015-09-11 | 矽品精密工業股份有限公司 | 半導體封裝件之製法 |
CN104813493A (zh) * | 2012-11-27 | 2015-07-29 | 西铁城电子株式会社 | 安装基板及使用该安装基板的发光装置 |
JP2014160708A (ja) * | 2013-02-19 | 2014-09-04 | Dexerials Corp | 異方性導電接着剤、発光装置及び異方性導電接着剤の製造方法 |
CN105009314B (zh) * | 2013-02-27 | 2019-11-05 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置、发光元件安装方法以及发光元件用安装装置 |
US20150200336A1 (en) * | 2014-01-10 | 2015-07-16 | Cree, Inc. | Wafer level contact pad standoffs with integrated reflector |
US9954144B2 (en) | 2014-01-10 | 2018-04-24 | Cree, Inc. | Wafer level contact pad solder bumping for surface mount devices with non-planar recessed contacting surfaces |
JP6347635B2 (ja) * | 2014-03-19 | 2018-06-27 | デクセリアルズ株式会社 | 異方性導電接着剤 |
DE102015103840A1 (de) * | 2015-03-16 | 2016-09-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektromagnetische Strahlung emittierende Baugruppe |
JP6536325B2 (ja) | 2015-09-30 | 2019-07-03 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
KR102618237B1 (ko) * | 2016-01-25 | 2023-12-28 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 도전 재료 및 접속 구조체 |
JP2017171868A (ja) * | 2016-03-25 | 2017-09-28 | デクセリアルズ株式会社 | 異方性導電接着剤及び発光装置 |
JP6796400B2 (ja) | 2016-05-31 | 2020-12-09 | デクセリアルズ株式会社 | 発光装置、及び発光装置の製造方法 |
CN106356440A (zh) * | 2016-08-31 | 2017-01-25 | 肥城芯联新材料科技有限公司 | 固晶胶及光电元件封装结构 |
JP6885055B2 (ja) | 2016-12-26 | 2021-06-09 | 日亜化学工業株式会社 | 充填材、樹脂組成物、パッケージ、発光装置及びそれらの製造方法 |
JP7014948B2 (ja) * | 2017-06-13 | 2022-02-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法および発光装置 |
JP7037034B2 (ja) * | 2017-08-31 | 2022-03-16 | 日亜化学工業株式会社 | 充填材、樹脂組成物、パッケージ、発光装置及びそれらの製造方法 |
CN113875320A (zh) * | 2019-05-23 | 2021-12-31 | 昕诺飞控股有限公司 | 针对固态光源应用的稳定pcb |
CN112099119A (zh) * | 2020-09-28 | 2020-12-18 | 深圳市隆利科技股份有限公司 | 用于背光模组的反射层制备工艺及背光模组 |
KR102624936B1 (ko) * | 2021-05-21 | 2024-01-15 | 주식회사 에프에스티 | 극자외선 리소그라피용 펠리클 프레임 및 극자외선 리소그라피용 펠리클 프레임용 실링재 |
CN113480951A (zh) * | 2021-07-09 | 2021-10-08 | 南通惟怡新材料科技有限公司 | 折射增强型光学胶、显示面板及其制备方法 |
Family Cites Families (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0760204B2 (ja) * | 1986-03-18 | 1995-06-28 | 呉羽化学工業株式会社 | 耐熱性を有する樹脂製光学繊維およびその製造方法 |
JPH0362104A (ja) | 1989-07-28 | 1991-03-18 | Mitsubishi Electric Corp | 検査装置 |
JP2748705B2 (ja) * | 1991-02-14 | 1998-05-13 | 日立化成工業株式会社 | 回路の接続部材 |
JP3092971B2 (ja) * | 1991-06-07 | 2000-09-25 | 富士通株式会社 | 金属微粒子のポリマ被覆方法 |
JPH07118617A (ja) * | 1993-10-22 | 1995-05-09 | Three Bond Co Ltd | ファインピッチ用異方導電性接着剤 |
US5846649A (en) * | 1994-03-03 | 1998-12-08 | Monsanto Company | Highly durable and abrasion-resistant dielectric coatings for lenses |
JP3623530B2 (ja) * | 1994-04-18 | 2005-02-23 | 日東電工株式会社 | 光半導体装置 |
WO1997001610A1 (en) * | 1995-06-26 | 1997-01-16 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Light diffusing adhesive |
JP3572778B2 (ja) | 1996-02-20 | 2004-10-06 | 富士通株式会社 | 接着剤 |
JPH1030082A (ja) | 1996-07-16 | 1998-02-03 | Fujitsu Ltd | 接着剤 |
JPH1117073A (ja) * | 1997-06-20 | 1999-01-22 | Toshiba Chem Corp | 光結合半導体装置および封止用樹脂組成物 |
JPH11168235A (ja) * | 1997-12-05 | 1999-06-22 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光ダイオード |
US6586484B1 (en) * | 1997-12-10 | 2003-07-01 | Owens Corning Fiberglas Technology, Inc. | Phenol foam |
JP3816254B2 (ja) * | 1999-01-25 | 2006-08-30 | 京セラケミカル株式会社 | 異方性導電接着剤 |
JP2001234152A (ja) * | 2000-02-24 | 2001-08-28 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 導電性接着剤 |
JP2001332124A (ja) * | 2000-05-22 | 2001-11-30 | Toshiba Chem Corp | 導電性ペーストおよび光半導体装置 |
US6562644B2 (en) * | 2000-08-08 | 2003-05-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor substrate, method of manufacturing the semiconductor substrate, semiconductor device and pattern forming method |
JP4222017B2 (ja) * | 2001-12-18 | 2009-02-12 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
CN1303175C (zh) * | 2002-09-04 | 2007-03-07 | 纳美仕有限公司 | 导电性粘接剂及使用它的电路 |
JP2004179139A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-06-24 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 導電性粒子とそれを含有する導電性接着材料及び透明導電膜形成用塗料及びそれを用いた透明導電膜並びに表示装置 |
JP2004140185A (ja) * | 2002-10-17 | 2004-05-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光装置 |
US20040161380A1 (en) * | 2003-02-19 | 2004-08-19 | Degussa Ag | Titanium dioxide particles, their preparation and use |
JP2004325631A (ja) * | 2003-04-23 | 2004-11-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スイッチング素子およびその製造方法 |
JP4489389B2 (ja) * | 2003-07-29 | 2010-06-23 | 三井金属鉱業株式会社 | 微粒銀粉の製造方法 |
JP5006035B2 (ja) | 2004-06-11 | 2012-08-22 | イビデン株式会社 | フレックスリジッド配線板とその製造方法 |
JP4791708B2 (ja) * | 2004-06-23 | 2011-10-12 | リンテック株式会社 | 電子部品実装用接着性樹脂材料及びそれを用いた電子デバイス並びに該電子部品実装用接着性樹脂材料の製造方法 |
US7078095B2 (en) * | 2004-07-07 | 2006-07-18 | Xerox Corporation | Adhesive film exhibiting anisotropic electrical conductivity |
CN100487931C (zh) * | 2004-09-27 | 2009-05-13 | 松下电器产业株式会社 | 半导体发光元件及其制造方法和安装方法、发光器件 |
US20060065330A1 (en) * | 2004-09-29 | 2006-03-30 | Cooper Khershed P | Porous metallic product and method for making same |
US7381359B2 (en) * | 2004-10-14 | 2008-06-03 | Yazaki Corporation | Method for making filled epoxy resin compositions |
JP4469793B2 (ja) * | 2005-12-29 | 2010-05-26 | 有限会社山村製箔所 | 金属光輝性銀箔及び銀粉末 |
JP2007258324A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光装置の製造方法および発光装置 |
RU2008143322A (ru) * | 2006-04-03 | 2010-05-10 | Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl) | Органический электролюминесцентный прибор |
JP2008143981A (ja) * | 2006-12-07 | 2008-06-26 | Three M Innovative Properties Co | 光反射性樹脂組成物、発光装置及び光学表示装置 |
US7736544B2 (en) * | 2007-04-26 | 2010-06-15 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electrically conductive composition for via-holes |
US20090008662A1 (en) * | 2007-07-05 | 2009-01-08 | Ian Ashdown | Lighting device package |
CN101836266B (zh) | 2007-10-22 | 2012-02-15 | 日本化学工业株式会社 | 包覆导电性粉体以及使用该包覆导电性粉体的导电性粘合剂 |
WO2009066621A1 (ja) * | 2007-11-20 | 2009-05-28 | Asahi Kasei Construction Materials Corporation | 熱硬化性樹脂発泡板の製造方法 |
KR20100095560A (ko) * | 2007-11-26 | 2010-08-31 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 미소 구조체 검사 장치 및 미소 구조체 검사 방법 |
CN101878540B (zh) * | 2007-11-29 | 2013-11-06 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置及其制造方法 |
US20110077328A1 (en) * | 2008-04-14 | 2011-03-31 | Ludovic Valette | Use of filler that undergoes endothermic phase transition to lower the reaction exotherm of epoxy based compositions |
JP2009272369A (ja) * | 2008-05-01 | 2009-11-19 | Nec Lighting Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
US9048404B2 (en) * | 2009-07-06 | 2015-06-02 | Zhuo Sun | Thin flat solid state light source module |
JP5526698B2 (ja) * | 2009-10-16 | 2014-06-18 | デクセリアルズ株式会社 | 光反射性導電粒子、異方性導電接着剤及び発光装置 |
EP2581955A4 (en) * | 2010-06-09 | 2015-12-30 | Dexerials Corp | LIGHT REFLECTING AND ELECTRICALLY CONDUCTIVE ANISOTROPE PASTE AND LIGHT-EMITTING DEVICE |
JP5614217B2 (ja) * | 2010-10-07 | 2014-10-29 | デクセリアルズ株式会社 | マルチチップ実装用緩衝フィルム |
JP5609716B2 (ja) * | 2011-03-07 | 2014-10-22 | デクセリアルズ株式会社 | 光反射性異方性導電接着剤及び発光装置 |
JP5888023B2 (ja) * | 2011-03-16 | 2016-03-16 | デクセリアルズ株式会社 | 光反射性異方性導電接着剤及び発光装置 |
WO2012127978A1 (ja) * | 2011-03-18 | 2012-09-27 | ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 | 光反射性異方性導電接着剤及び発光装置 |
JP5958107B2 (ja) * | 2012-06-15 | 2016-07-27 | デクセリアルズ株式会社 | 光反射性異方性導電接着剤及び発光装置 |
JP5985414B2 (ja) * | 2013-02-19 | 2016-09-06 | デクセリアルズ株式会社 | 異方性導電接着剤、発光装置及び異方性導電接着剤の製造方法 |
-
2009
- 2009-09-14 JP JP2009211429A patent/JP5617210B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-07-20 WO PCT/JP2010/062138 patent/WO2011030621A1/ja active Application Filing
- 2010-07-20 US US13/393,393 patent/US9548141B2/en active Active
- 2010-07-20 CN CN201080040903.2A patent/CN102482553B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-07-20 EP EP10815218.2A patent/EP2479233A4/en not_active Withdrawn
- 2010-07-20 KR KR1020117019514A patent/KR20120068753A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-08-12 TW TW099126882A patent/TWI520155B/zh not_active IP Right Cessation
- 2010-08-12 TW TW104130081A patent/TW201546829A/zh unknown
-
2012
- 2012-11-05 HK HK12111115.3A patent/HK1170255A1/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9548141B2 (en) | 2017-01-17 |
JP2011057917A (ja) | 2011-03-24 |
HK1170255A1 (en) | 2013-02-22 |
EP2479233A4 (en) | 2014-07-09 |
EP2479233A1 (en) | 2012-07-25 |
CN102482553B (zh) | 2014-08-20 |
CN102482553A (zh) | 2012-05-30 |
KR20120068753A (ko) | 2012-06-27 |
TW201546829A (zh) | 2015-12-16 |
TWI520155B (zh) | 2016-02-01 |
US20120193666A1 (en) | 2012-08-02 |
TW201142875A (en) | 2011-12-01 |
WO2011030621A1 (ja) | 2011-03-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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