JP5526698B2 - 光反射性導電粒子、異方性導電接着剤及び発光装置 - Google Patents

光反射性導電粒子、異方性導電接着剤及び発光装置 Download PDF

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    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
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    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
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    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
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    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
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Description

本発明は、発光素子を配線板に異方性導電接続するために使用する異方性導電接着剤用の光反射性導電粒子、それを含有する異方性導電接着剤、その接着剤を用いて発光素子を配線板に実装してなる発光装置に関する。
発光ダイオード（ＬＥＤ）素子を使用した発光装置が広く使用されており、旧タイプの発光装置の構造は、図４に示すように、基板３１上にダイボンド接着剤３２でＬＥＤ素子３３を接合し、その上面のｐ電極３４とｎ電極３５とを、基板３１の接続端子３６に金ワイヤ３７でワイヤボンディングし、ＬＥＤ素子３３全体を透明モールド樹脂３８で封止したものとなっている。ところが、図４の発光装置の場合、ＬＥＤ素子３３が発する光のうち、上面側に出射する４００〜５００ｎｍの波長の光を金ワイヤが吸収し、また、下面側に出射した光の一部がダイボンド接着剤３２により吸収されてしまい、ＬＥＤ素子３３の発光効率が低下するという問題がある。
このため、図５に示すように、ＬＥＤ素子３３をフリップチップ実装することが提案されている（特許文献１）。このフリップチップ実装技術においては、ｐ電極３４とｎ電極３５とにバンプ３９がそれぞれ形成されており、更に、ＬＥＤ素子３３のバンプ形成面には、ｐ電極３４とｎ電極３５と絶縁されるように光反射層４０が設けられている。そして、ＬＥＤ素子３３と基板３１とは、異方性導電ペースト４１や異方性導電フィルム（図示せず）を用い、それらを硬化させて接続固定される。このため、図５の発光装置においては、ＬＥＤ素子３３の上方への出射した光は金ワイヤで吸収されず、下方へ出射した光の殆どは光反射層４０で反射して上方に出射するので、発光効率（光取り出し効率）が低下しない。
特開平１１−１６８２３５号公報
しかしながら、特許文献１の技術ではＬＥＤ素子３３に光反射層４０を、ｐ電極３４とｎ電極３５と絶縁するように金属蒸着法などにより設けなければならず、製造上、コストアップが避けられないという問題があった。
他方、光反射層４０を設けない場合には、硬化した異方性導電ペーストや異方性導電フィルム中の金、ニッケルあるいは銅で被覆された導電粒子の表面は茶色乃至暗茶色を呈し、また、導電粒子を分散させているエポキシ樹脂バインダー自体も、その硬化のために常用されるイミダゾール系潜在性硬化剤のために茶色を呈しており、発光素子が発した光の発光効率（光取り出効率）を向上させることが困難であり、しかも光の色（発光色）を、そのままの色で反射させることができないという問題もあった。
本発明の目的は、以上の従来の技術の問題点を解決することであり、発光ダイオード（ＬＥＤ）素子等の発光素子を配線板に異方性導電接着剤を用いてフリップチップ実装して発光装置を製造する際に、製造コストの増大を招くような光反射層をＬＥＤ素子に設けなくても、発光効率を低下させずに、しかも発光素子の発光色と反射光色との間に色相差を生じさせない光反射性導電粒子、それを含有した異方性導電接着剤、その接着剤を使用して発光素子を配線板にフリップチップ実装してなる発光装置を提供することである。
本発明者は、異方性導電接着剤そのものに光反射機能を持たせれば、発光効率を低下させないようにできるとの仮定の下、異方性導電接着剤に配合する導電粒子の表面に、特定の無機粒子からなる白色〜灰色の光反射層を設けることにより、発光素子の発光効率を低下させず且つ発光素子の発光色と導電粒子の反射光色との間に色相差を生じさないようにできることを見出し、本発明を完成させるに至った。
即ち、本発明は、発光素子を配線板に異方性導電接続するために使用する異方性導電接着剤用の光反射性導電粒子であって、金属材料で被覆されているコア粒子と、その表面に屈折率が１．５２以上の光反射性無機粒子から形成された光反射層とからなる光反射性導電粒子を提供する。
また、本発明は、発光素子を配線板に異方性導電接続するために使用する異方性導電接着剤であって、上述の光反射性導電粒子を、波長３８０〜７８０ｎｍの可視光に対して光路長１ｃｍの光透過率（ＪＩＳ Ｋ７１０５）が８０％以上である硬化物を与える熱硬化性樹脂組成物に分散させてなる異方性導電接着剤を提供する。
また、本発明は、上述の異方性導電接着剤を介して、発光素子をフリップチップ方式で配線板に実装されてなる発光装置を提供する。
発光素子を配線板に異方性導電接続するために使用する異方性導電接着剤用の本発明の光反射性導電粒子は、金属材料で被覆されているコア粒子と、その表面に屈折率が１．５２以上の光反射性無機粒子から形成された白色〜灰色の光反射層とから構成されている。また、本発明の異方性導電接着剤は、この光反射性導電粒子を、波長３８０〜７８０ｎｍの可視光に対して光路長１ｃｍの光透過率（ＪＩＳ Ｋ７１０５）が８０％以上である硬化物を与える熱硬化性樹脂組成物に分散させてなるものである。従って、本発明の異方性導電接着層を用いて、発光素子を配線板にフリップチップ実装して得た発光装置は、異方性導電接着剤を硬化させても着色が生じず、しかも含有されている光反射性導電粒子は、可視光に対する反射特性の波長依存性が小さいため、発光効率が向上し、しかも発光素子の発光色をそのままの色で反射させることができる。
異方性導電接剤用の本発明の光反射性導電粒子の断面図である。 異方性導電接剤用の本発明の光反射性導電粒子の断面図である。 本発明の発光装置の断面図である。 実施例１と比較例１の異方性導電接着剤の硬化物の波長に対する光反射率を示す図である。 従来の発光装置の断面図である。 従来の発光装置の断面図である。
本発明を図面を参照しつつ詳細に説明する。
図１Ａ、図１Ｂは、異方性導電接剤用の本発明の光反射性導電粒子１０、２０の断面図である。まず、図１Ａの光反射性導電粒子から説明する。
光反射性導電粒子１０は、金属材料で被覆されているコア粒子１と、その表面に屈折率が１．５２以上の光反射性無機粒子２から形成された光反射層３とから構成される。
屈折率が１．５２以上の光反射性無機粒子２は、太陽光の下では白色を呈する無機粒子である。従って、それらから形成された光反射層３は白色〜灰色を呈する。白色〜灰色を呈しているということは、可視光に対する反射特性の波長依存性が小さく、且つ可視光を反射しやすいことを意味する。
好ましい光反射性無機粒子２としては、酸化チタン（ＴｉＯ２）粒子、酸化亜鉛（ＺｎＯ）粒子又は酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）粒子から選択された少なくとも一種を挙げることができる。なお、酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子又は酸化アルミニウム粒子のうち、硬化した異方性導電接着剤の熱硬化性樹脂の硬化物の光劣化が懸念される場合には、光劣化に対して触媒性がなく、屈折率も高い酸化亜鉛を好ましく使用することができる。
コア粒子１は、異方性導電接続に共されるものであるので、その表面が金属材料で構成されている。ここで、表面が金属材料で被覆されている態様としては、コア粒子１そのものが金属材料である態様、もしくは樹脂粒子の表面が金属材料で被覆された態様が挙げられる。
金属材料としては、異方性導電接続用の従来の導電粒子において用いられている金属材料を利用することができる。例えば、金、ニッケル、銅、銀、半田、パラジウム、アルミニウム、それらの合金、それらの多層化物（例えば、ニッケルメッキ／金フラッシュメッキ物）等を挙げることができる。中でも、金、ニッケル、銅は、導電粒子を茶色としてしまうことから、本発明の効果を他の金属材料よりも享受することができる。
なお、コア粒子１が樹脂粒子を金属材料で被覆したものである場合、樹脂粒子としても、異方性導電接続用の導電粒子として従来より用いられている金属被覆樹脂粒子の樹脂粒子部分を利用することができる。このような樹脂粒子としては、スチレン系樹脂粒子、ベンゾグアナミン樹脂粒子、ナイロン樹脂粒子などが挙げられる。樹脂粒子を金属材料で被覆する方法としても従来公知の方法を採用することができ、無電解メッキ法、電解メッキ法等を利用することができる。また、被覆する金属材料の層厚は、良好な接続信頼性を確保するに足る厚さであり、樹脂粒子の粒径や金属の種類にもよるが、通常、０．１〜３μｍ、好ましくは０．１〜１μｍである。
金属材料表面を有するコア粒子１の粒径は、小さすぎると導通不良となり、大きすぎるとパターン間ショートが発生する傾向があるので、好ましくは１〜２０μｍ、より好ましくは３〜５μｍ、特に好ましくは３〜５μｍである。この場合、コア粒子１の形状としては球形が好ましいが、フレーク状、ラクビーボール状であってもよい。
光反射性無機粒子２から形成された光反射層３の層厚は、コア粒子１の粒径との相対的大きさの観点からみると、コア粒子１の粒径に対し、小さすぎると反射率が低下し、大きすぎると導通不良となる傾向があるので、好ましくは０．５〜５０％、より好ましくは１〜２５％である。
また、光反射性導電粒子１０において、光反射層３を構成する光反射性無機粒子２の粒径は、小さすぎると光反射現象が生じ難くなり、大きすぎると光反射層の形成が困難となる傾向があるので、好ましくは０．０２〜４μｍ、より好ましくは０．１〜１μｍ、特に好ましくは、０．２〜０．５μｍである。この場合、光反射させる光の波長の観点からみると、光反射性無機粒子２の粒径は、反射させるべき光（即ち、発光素子が発する光）が透過してしまわないように、その光の波長の５０％以上であることが好ましい。この場合、光反射性無機粒子２の形状としては無定型、球状、鱗片状、針状等を挙げることができるが、中でも、光拡散効果の点から球状、全反射効果の点から鱗片状の形状が好ましい。
図１Ａの光反射性導電粒子１０は、大小の粉末同士を物理的に衝突させることにより大粒径粒子の表面に小粒径粒子からなる膜を形成させる公知の成膜技術（いわゆるメカノフュージョン法）により製造することができる。この場合、光反射性無機粒子２は、コア粒子１の表面の金属材料に食い込むように固定され、他方、無機粒子同士が融着固定されにくいから、無機粒子のモノレイヤーが光反射層３を構成する。従って、図１Ａの場合、光反射層３の層厚は、光反射性無機粒子２の粒径と同等乃至わずかに薄くなると考えられる。
次に、図１Ｂの光反射性導電粒子２０について説明する。この光反射性導電粒子２０においては、光反射層３が接着剤として機能する熱可塑性樹脂４を含有し、この熱可塑性樹脂４により光反射性無機粒子２同士も固定され、光反射性無機粒子２が多層化（例えば２層あるいは３層に多層化）している点で、図１Ａの光反射性導電粒子１０と相違する。このような熱可塑性樹脂４を含有することにより、光反射層３の機械的強度が向上し、無機粒子の剥落などが生じにくくなる。
図１Ｂの光反射性導電粒子２０は、メカノフュージョン法により製造することができる。この場合、光反射性無機粒子２とコア粒子１に加えて、微粒子状の熱可塑性樹脂４を併用すればよい。なお、メカノフュージョン法により図１Ｂの光反射性導電粒子２０を製造する場合、図１Ａの光反射性導電粒子１０も同時に製造される。
熱可塑性樹脂４としては、環境負荷の軽減を意図してハロゲンフリーの熱可塑性樹脂を好ましく使用することができ、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィンやポリスチレン、アクリル樹脂等を好ましく使用することができる。
このような光反射性導電粒子２０も、メカノフュージョン法により製造することができる。メカノフュージョン法に適用する熱可塑性樹脂４の粒子径は、小さすぎると接着剤としての効果が小さく、大きすぎるとコア粒子１に付着し難くなるので、好ましくは０．０２〜４μｍ、より好ましくは０．１〜１μｍである。また、このような熱可塑性樹脂４の配合量は、少なすぎると接着剤としての効果が小さく、多すぎると意図しない粒子凝集体が生成してしまうので、コア粒子１の１００質量部に対し、好ましくは０．２〜５００質量部、より好ましくは４〜２５質量部である。
次に、本発明の異方性導電接着剤について説明する。この異方性導電接着剤は、本発明の光反射性導電粒子を熱硬化性樹脂組成物に分散させたものであり、ペースト、フィルム状等の形態を取ることができる。
本発明の異方性導電接着剤に使用する熱硬化性樹脂組成物としては、なるべく無色透明なものを使用することが好ましい。異方性導電接着剤中の光反射性導電粒子の光反射効率を低下させず、しかも入射光の光色を代えずに反射させるためである。ここで、無色透明とは、異方性導電接着剤の硬化物が、波長３８０〜７８０ｎｍの可視光に対して光路長１ｃｍの光透過率（ＪＩＳ Ｋ７１０５）が８０％以上、好ましくは９０％以上となることを意味する。
本発明の異方性導電接着剤において、熱硬化性樹脂組成物１００質量部に対する光反射性導電粒子の配合量は、少なすぎると導通不良となり、多すぎるとパターン間ショートが発生する傾向があるので、好ましくは１〜１００質量部、より好ましくは１０〜５０質量部である。
本発明の異方性導電接着剤の反射特性は、発光素子の発光効率を向上させるために、異方性導電接着剤の１００μｍ厚の硬化物の波長４５０ｎｍの光に対する反射率（ＪＩＳ Ｋ７１０５）が、少なくとも１５％であることが望ましい。このような反射率とするためには、使用する光反射性導電粒子の反射特性や配合量、熱硬化性樹脂組成物の配合組成などを適宜調整すればよい。通常、反射特性の良好な光反射性導電粒子の配合量を増量すれば、反射率も増大する傾向がある。
また、異方性導電接着剤の反射特性は屈折率（ＪＩＳ Ｋ７１４２）という観点から評価することもできる。即ち、異方性導電接着剤の熱硬化性樹脂組成物と光反射性導電粒子との間の屈折率の差が大きすぎると、光反射性導電粒子とそれを取り巻く熱硬化性樹脂組成物の硬化物との界面での光反射量が増大するからである。具体的には、熱硬化性樹脂組成物と光反射性無機粒子との間の屈折率の差が０．０２以上、好ましくは０．３以上であることが望まれる。なお、通常、エポキシ樹脂を主体とする熱硬化性樹脂組成物の屈折率は約１．５である。
本発明の異方性導電接着剤を構成する熱硬化性樹脂組成物としては、従来の異方性導電接着剤や異方性導電フィルムにおいて使用されているものを利用することができる。一般に、このような熱硬化性樹脂組成物は、絶縁性バインダー樹脂に硬化剤を配合したものである。絶縁性バインダー樹脂としては、脂環式エポキシ樹脂や複素環系エポキシ化合物や水素添加エポキシ樹脂などを主成分としたエポキシ系樹脂が好ましく挙げられる。
脂環式エポキシ化合物としては、分子内に２つ以上のエポキシ基を有するものが好ましく挙げられる。これらは液状であっても、固体状であってもよい。具体的には、グリシジルヘキサヒドロビスフェノールＡ、３，４−エポキシシクロヘキセニルメチル−３′，４′−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート等を挙げることができる。中でも、硬化物にＬＥＤ素子の実装等に適した光透過性を確保でき、速硬化性にも優れている点から、グリシジルヘキサヒドロビスフェノールＡ、３，４−エポキシシクロヘキセニルメチル−３′，４′−エポキシシクロヘキセンカルボキシレートを好ましく使用することができる。
複素環系エポキシ化合物としては、トリアジン環を有するエポキシ化合物を挙げることができ、特に好ましくは１，３，５−トリス（２，３−エポキシプロピル）−１，３，５−トリアジン−２，４，６−（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）−トリオンを挙げることができる。
水素添加エポキシ化合物としては、前述の脂環式エポキシ化合物や複素環系エポキシ化合物の水素添加物や、その他公知の水素添加エポキシ樹脂を使用することができる。
本発明において、脂環式エポキシ化合物や複素環系エポキシ化合物や水素添加エポキシ化合物は、単独で使用してもよいが、２種以上を併用することができる。また、これらのエポキシ化合物に加えて、本発明の効果を損なわない限り、他のエポキシ化合物を併用してもよい。例えば、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、テトラメチルビスフェノールＡ、ジアリールビスフェノールＡ、ハイドロキノン、カテコール、レゾルシン、クレゾール、テトラブロモビスフェノールＡ、トリヒドロキシビフェニル、ベンゾフェノン、ビスレゾルシノール、ビスフェノールヘキサフルオロアセトン、テトラメチルビスフェノールＡ、テトラメチルビスフェノールＦ、トリス（ヒドロキシフェニル）メタン、ビキシレノール、フェノールノボラック、クレゾールノボラックなどの多価フェノールとエピクロルヒドリンとを反応させて得られるグリシジルエーテル； グリセリン、ネオペンチルグリコール、エチレングリコール、プロピレングリコール、チレングリコール、ヘキシレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコールなどの脂肪族多価アルコールとエピクロルヒドリンとを反応させて得られるポリグリシジルエーテル； ｐ−オキシ安息香酸、β−オキシナフトエ酸のようなヒドロキシカルボン酸とエピクロルヒドリンとを反応させて得られるグリシジルエーテルエステル； フタル酸、メチルフタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、テトラハイドロフタル酸、エンドメチレンテトラハイドロフタル酸、エンドメチレンヘキサハイドロフタル酸、トリメリット酸、重合脂肪酸のようなポリカルボン酸から得られるポリグリシジルエステル； アミノフェノール、アミノアルキルフェノールから得られるグリシジルアミノグリシジルエーテル； アミノ安息香酸から得られるグリシジルアミノグリシジルエステル； アニリン、トルイジン、トリブロムアニリン、キシリレンジアミン、ジアミノシクロヘキサン、ビスアミノメチルシクロヘキサン、４，４′−ジアミノジフェニルメタン、４，４′−ジアミノジフェニルスルホンなどから得られるグリシジルアミン； エポキシ化ポリオレフィン等の公知のエポキシ樹脂類が挙げられる。
硬化剤としては、酸無水物、イミダゾール化合物、ジシアンなどを使用することができる。中でも、硬化物を変色させ難い酸無水物、特に脂環式酸無水物系硬化剤を好ましく使用できる。具体的には、メチルヘキサヒドロフタル酸無水物（ＭｅＨＨＰＡ）等を好ましく使用することができる。
本発明の異方性導電接着剤の熱硬化性樹脂組成物において、脂環式エポキシ化合物と脂環式酸無水物系硬化剤とを使用する場合、それぞれの使用量は、脂環式酸無水物系硬化剤が少なすぎると未硬化エポキシ化合物が多なって硬化不良を生じ、多すぎると余剰の硬化剤の影響で被着体材料の腐食が促進される傾向があるので、脂環式エポキシ化合物１００質量部に対し脂環式酸無水物系硬化剤を好ましくは８０〜１２０質量部、より好ましくは９５〜１０５質量部の割合で使用する。
本発明の異方性導電接着剤は、光反射性導電粒子と熱硬化性樹脂組成物とを均一に混合することにより製造することができる。また、異方性導電接着剤を異方性導電フィルムとして使用する場合には、それらをトルエン等の溶媒とともに分散混合し、剥離処理したＰＥＴフィルムに所期の厚さとなるように塗布し、約８０℃程度の温度で乾燥すればよい。
次に、本発明の発光装置について図２を参照しながら説明する。発光装置２００は、基板２１上の接続端子２２と、発光素子としてＬＥＤ素子２３のｎ電極２４とｐ電極２５とのそれぞれに形成された接続用のバンプ２６との間に、前述の本発明の異方性導電接着剤を塗布し、基板２１とＬＥＤ素子２３とがフリップチップ実装されている発光装置である。ここで、異方性導電接着剤の硬化物１００は、光反射性導電粒子１０が熱硬化性樹脂組成物の硬化物１１中に分散してなるものである。なお、必要に応じて、ＬＥＤ素子２３の全体を覆うように透明モールド樹脂で封止してもよい。
このように構成されている発光装置２００においては、ＬＥＤ素子２３は発した光のうち、基板２１側に向かって発した光は、異方性導電接着剤の硬化物１００中の光反射性導電粒子１０で反射し、ＬＥＤ素子２３の上面から出射する。従って、発光効率の低下を防止することができる。
実施例１
（光反射性導電粒子の作成）
平均粒子径０．５μｍの酸化チタン粉末（ＫＲ−３８０、チタン工業（株））４質量部と、外観色が茶色の平均粒径５μｍのＡｕ被覆樹脂導電粒子（平均粒径４．６μｍの球状アクリル樹脂粒子に０．２μｍ厚の無電解金メッキを施した粒子：ブライト２０ＧＮＢ４．６ＥＨ、日本化学工業（株））２０質量部とを、メカノフュージョン装置（ＡＭＳ−ＧＭＰ、ホソカワミクロン（株））に投入し、回転速度１０００ｒｐｍ、回転時間２０分という条件で導電粒子の表面に、酸化チタン粒子からなる約０．３μｍ厚の光反射層を成膜することにより、実施例１の光反射性導電粒子を得た。この光反射性導電粒子の外観色は灰色であった。
（光反射率評価試験）
得られた光反射性導電粒子１５質量部と、屈折率が約１．５の無色透明な熱硬化型エポキシ系バインダー組成物（ＹＸ−８０００、ＪＥＲ（株））１００質量部とを真空脱泡撹拌装置を用いて均一に混合することにより、実施例１の異方性導電接着剤を得た。
得られた異方性導電接着剤を、セラミック製の白色板に乾燥厚で１００μｍとなるように塗布し、２００℃で１分間加熱し、硬化させた。この硬化物について、分光光度計（Ｕ３３００、日立製作所（株））を用いて、波長４５０ｎｍの光に対する反射率（ＪＩＳ Ｋ７１０５）を測定した。得られた結果を表１及び図３に示す。
（電気特性（導通信頼性、絶縁信頼性）評価試験）
光反射率評価試験の際に調製した異方性導電接着剤を用いて、５０μｍピッチの銅配線にＮｉ／Ａｕ（５．０μｍ厚／０．３μｍ厚）メッキ処理した配線を有するガラスエポキシ基板に、１５μｍ高の金バンプを有する６ｍｍ角の試験用ＩＣチップ（導体接続面積／導体−スペース＝１６００μｍ２／５０μｍＰ）を２００℃、６０秒、１Ｋｇ／チップという条件でフィリップチップ実装し、テスト用ＩＣモジュールを得た。
１．導通信頼性
得られたテスト用ＩＣモジュールに対し、低温（−４０℃）と高温（１００℃）の温度に交互に加熱・冷却する温度サイクル試験（ＴＣＴ）（ＪＩＳ Ｃ５０３０）を行い、初期と５００サイクル後の４端子法による抵抗値を測定した。抵抗値が１Ω未満の場合を「○」とし、１Ω以上となった場合を「×」と評価した。得られた結果を表１に示す。
２．絶縁信頼性
別途作成したテスト用ＩＣモジュールに対し、８５℃、８５％ＲＨの環境下に１０００時間放置というエージング試験を行い、初期と１０００時間後の抵抗値を測定した。抵抗値が１０６Ω以上の場合を「○」とし、１０６Ω未満となった場合を「×」と評価した。得られた結果を表１に示す。
実施例２
Ａｕ被覆樹脂導電粒子に代えて、平均粒子径５．０μｍのＮｉ被覆樹脂導電粒子（５２ＮＲ−４．６ＥＨ、日本化学工業（株））を使用すること以外、実施例１と同様にして外観色が灰色の光反射性導電粒子を得、更に異方性導電接着剤を得た。また、実施例１と同様に、光反射率評価試験と電気特性（導通信頼性、絶縁信頼性）評価試験とを行った。得られた結果を表１に示す。
実施例３
平均粒子径０．５μｍの酸化チタン粉末（ＫＲ−３８０、チタン工業（株））４質量部と、接着剤粒子として平均粒子径０．２μｍのポリスチレン（ＰＳ）粒子（グロスデール２０４Ｓ、三井化学（株））３質量部と、平均粒径５μｍの導電粒子（平均粒径４．６μｍの球状アクリル樹脂粒子に０．２μｍ厚の無電解金メッキを施した粒子：ブライト２０ＧＮＢ４．６ＥＨ、日本化学工業（株））２０質量部とを、メカノフュージョン装置（ＡＭＳ−ＧＭＰ、ホソカワミクロン（株））に投入し、回転速度１０００ｒｐｍ、回転時間２０分という条件で導電粒子の表面に、スチレンと酸化チタン粒子とからなる約１μｍ厚の光反射層を成膜することにより、外観色が灰色の光反射性導電粒子を得、更に異方性導電接着剤を得た。また、実施例１と同様に、光反射率評価試験と電気特性（導通信頼性、絶縁信頼性）評価試験とを行った。得られた結果を表１に示す。
実施例４
Ａｕ被覆樹脂導電粒子に代えて、平均粒子径５．０μｍのＮｉ被覆樹脂導電粒子（５２ＮＲ−４．６ＥＨ、日本化学工業（株））を使用すること以外、実施例３と同様にして外観色が灰色の光反射性導電粒子を得、更に異方性導電接着剤を得た。また、更に、実施例１と同様に、光反射率評価試験と電気特性（導通信頼性、絶縁信頼性）評価試験とを行った。得られた結果を表１に示す。
実施例５
平均粒子径０．２μｍのポリスチレン粒子（グロスデール２０４Ｓ、三井化学（株））に代えて、平均粒子径０．２μｍのポリエチレン（ＰＥ）粒子（アミパールＷＦ３００、三井化学（株））を使用すること以外、実施例３と同様にして外観色が灰色の光反射性導電粒子を得、更に異方性導電接着剤を得た。また、実施例１と同様に、光反射率評価試験と電気特性（導通信頼性、絶縁信頼性）評価試験とを行った。得られた結果を表１に示す。
実施例６
平均粒子径０．５μｍの酸化チタン粉末に代えて、平均粒子径０．５μｍの酸化亜鉛粉末（酸化亜鉛１種、ハクスイテック（株））を使用すること以外、実施例３と同様にして外観色が灰色の光反射性導電粒子を得、更に異方性導電接着剤を得た。また、実施例１と同様に、光反射率評価試験と電気特性（導通信頼性、絶縁信頼性）評価試験とを行った。得られた結果を表１に示す。
実施例７
平均粒子径０．５μｍの酸化チタン粉末に代えて、平均粒子径０．５μｍの酸化アルミニウム粉末（ＡＥ−２５００ＳＩ、アドマテックス（株））を使用すること以外、実施例３と同様にして外観色が灰色の光反射性導電粒子を得、更に異方性導電接着剤を得た。また、実施例１と同様に、光反射率評価試験と電気特性（導通信頼性、絶縁信頼性）評価試験とを行った。得られた結果を表１に示す。
実施例８
平均粒子径０．５μｍの酸化チタン粉末に代えて、平均粒子径０．５μｍの炭酸マグネシウムを使用すること以外、実施例３と同様にして外観色が灰色の光反射性導電粒子を得、更に異方性導電接着剤を得た。また、実施例１と同様に、光反射率評価試験と電気特性（導通信頼性、絶縁信頼性）評価試験とを行った。得られた結果を表１に示す。
実施例９
平均粒子径０．５μｍの酸化チタン粉末に代えて、平均粒子径０．２μｍの酸化チタン粉末（ＪＲ４０５、テイカ（株））を使用すること以外、実施例３と同様にして外観色が灰色の光反射性導電粒子を得、更に異方性導電接着剤を得た。また、実施例１と同様に、光反射率評価試験と電気特性（導通信頼性、絶縁信頼性）評価試験とを行った。得られた結果を表１に示す。
比較例１
外観色が茶色のＡｕ被覆樹脂導電粒子（平均粒径４．６μｍの球状アクリル樹脂粒子に０．２μｍ厚の無電解金メッキを施した粒子：ブライト２０ＧＮＢ４．６ＥＨ、日本化学工業（株））を用い、実施例１と同様に異方性導電接着剤を得た。また、実施例１と同様に、光反射率評価試験と電気特性（導通信頼性、絶縁信頼性）評価試験とを行った。得られた結果を表１に示す。光反射率については図３にも示す。
比較例２
Ａｕ被覆樹脂導電粒子に代えて、外観色が茶色の平均粒子径５．０μｍのＮｉ被覆樹脂導電粒子（５２ＮＲ−４．６ＥＨ、日本化学工業（株））を使用すること以外、比較例１と同様に異方性導電接着剤を得た。また、実施例１と同様に、光反射率評価試験と電気特性（導通信頼性、絶縁信頼性）評価試験とを行った。得られた結果を表１に示す。
比較例３
平均粒子径０．２μｍのポリスチレン系粒子（グロスデール２０４Ｓ、三井化学（株））３質量部と、平均粒径５μｍの導電粒子（平均粒径４．６μｍの球状アクリル樹脂粒子に０．２μｍ厚の無電解金メッキを施した粒子：ブライト２０ＧＮＢ４．６ＥＨ、日本化学工業（株））２０質量部とを、メカノフュージョン装置（ＡＭＳ−ＧＭＰ、ホソカワミクロン（株））に投入し、回転速度１０００ｒｐｍ、回転時間２０分という条件で導電粒子の表面に、０．２μｍ厚のスチレン層を成膜することにより、外観色が茶色の樹脂被覆導電粒子を得、更に異方性導電接着剤を得た。また、実施例１と同様に、光反射率評価試験と電気特性（導通信頼性、絶縁信頼性）評価試験とを行った。得られた結果を表１に示す。
比較例４
平均粒子径０．５μｍの酸化チタン粉末に代えて、平均粒子径０．５μｍの酸化ケイ素粉末（シーホスターＫＥＰ−３０、日本触媒（株））を使用すること以外、実施例３と同様にして外観色が茶色の導電粒子を得、更に異方性導電接着剤を得た。また、実施例１と同様に、光反射率評価試験と電気特性（導通信頼性、絶縁信頼性）評価試験とを行った。得られた結果を表１に示す。
Figure 0005526698
表１から解るように、実施例１〜９の光反射性導電粒子を使用した異方性導電接着剤は、光反射率がいずれも３０％以上あり、４５０ｎｍの光の青色がそのままの色で反射していた。しかも導通信頼性及び絶縁信頼性も良好な結果であった。
それに対し、比較例１〜３の場合、導電粒子の表面に光反射層を設けていないため、光反射率は１０％程度であり、比較例１、２についてはショートが初期から発生し、比較例３の場合には、エージング後にショートが発生し、絶縁信頼性に問題があった。比較例４の場合、無機粒子として酸化ケイ素を使用したので、無機粒子層を形成した後も導電粒子の色が茶色となっており、光反射率が１０％程度であった。これは、酸化ケイ素と異方性導電接着剤のバインダー組成物との間の屈折率差が０．０２未満であったためと考えられる。
本発明の光反射性導電粒子は、発光ダイオード（ＬＥＤ）素子等の発光素子を配線板に異方性導電接着剤を用いてフリップチップ実装して発光装置を製造する際に、製造コストの増大を招くような光反射層を発光素子に設けることなく、発光効率を低下させずに、しかも発光素子の発光色と反射光色との間に色相差を生じさせないようにできる。よって、本発明の異方性導電接着剤は、ＬＥＤ素子をフリップリップ実装する際に有用である。
１ コア粒子
２ 光反射性無機粒子
３ 光反射層
４ 熱可塑性樹脂
１０、２０ 光反射性導電粒子
１１ 熱硬化性樹脂組成物の硬化物
２１ 基板
２２ 接続端子
２３ ＬＥＤ素子
２４ ｎ電極
２５ ｐ電極
２６ バンプ
１００ 異方性導電接着剤の硬化物
２００ 発光装置

Claims (7)

  1. 発光素子を配線板に異方性導電接続するために使用する異方性導電接着剤用の光反射性導電粒子であって、金属材料で被覆されているコア粒子と、その表面に屈折率が１．５２以上の光反射性無機粒子から形成された光反射層とからなり、外観色が灰色であり、
    該光反射性無機粒子が、酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子又は酸化アルミニウム粒子から選択された少なくとも一種の無機粒子である光反射性導電粒子。
  2. コア粒子を被覆する金属材料が、金、ニッケル又は銅である請求項１記載の光反射性導電粒子。
  3. コア粒子そのものが、金、ニッケル又は銅の粒子である請求項１記載の光反射性導電粒子。
  4. コア粒子が、樹脂粒子を金、ニッケル又は銅で被覆したものである請求項１又は２記載の光反射性導電粒子。
  5. コア粒子の粒子径が１〜２０μｍであり、光反射層の層厚がコア粒子径の０．５〜５０％である請求項１〜４のいずれかに記載の光反射性導電粒子。
  6. 光反射層が、熱可塑性樹脂を含有する請求項１〜５のいずれかに記載の光反射性導電粒子。
  7. 熱可塑性樹脂が、ポリオレフィンである請求項６記載の光反射性導電粒子。
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