WO2014013984A1 - 光反射性異方性導電接着剤及び発光装置 - Google Patents

光反射性異方性導電接着剤及び発光装置 Download PDF

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WO2014013984A1
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anisotropic conductive
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恵介 森田
友康 須永
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デクセリアルズ株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a light-reflective anisotropic conductive adhesive used for anisotropically conductively connecting a light emitting element to a wiring board, and a light emitting device in which the light emitting element is mounted on the wiring board using the adhesive.
  • a light emitting device using a light emitting diode (LED) element is widely used, and the structure of an old type light emitting device is such that, as shown in FIG. 3, an LED element 33 is bonded to a substrate 31 with a die bond adhesive 32, The p electrode 34 and the n electrode 35 on the upper surface are wire-bonded to the connection terminal 36 of the substrate 31 with a gold wire 37, and the entire LED element 33 is sealed with a transparent mold resin 38.
  • the gold wire 37 absorbs light having a wavelength of 400 to 500 nm emitted from the LED element 33 to the upper surface side, and a part of the light emitted to the lower surface side. Is absorbed by the die-bonding adhesive 32 and the luminous efficiency of the LED element 33 is reduced.
  • the LED element 33 is flip-chip mounted as shown in FIG. 4 from the viewpoint of improving the light emission efficiency regarding the light reflection of the LED element (Patent Document 1).
  • bumps 39 are formed on the p electrode 34 and the n electrode 35, respectively, and further, the bump formation surface of the LED element 33 is insulated from the p electrode 34 and the n electrode 35.
  • the light reflecting layer 40 is provided on the surface.
  • the LED element 33 and the substrate 31 are connected and fixed by using an anisotropic conductive paste 41 or an anisotropic conductive film (not shown) and curing them. Therefore, in the light emitting device of FIG. 4, the light emitted upward of the LED element 33 is not absorbed by the gold wire, and most of the light emitted downward is reflected by the light reflecting layer 40 and emitted upward. Luminous efficiency (light extraction efficiency) does not decrease.
  • the anisotropic conductive paste used for mounting the LED element and the insulating resin component in the anisotropic conductive film are accompanied by discoloration due to heat or light.
  • a two-component curable methylsilicone resin or a two-component curable phenylsilicone resin excellent in heat resistance and light resistance is used as an anisotropic conductive paste, Attempts have been made to employ an insulating resin component in an anisotropic conductive film.
  • the light reflecting layer 40 must be provided on the LED element 33 by a metal vapor deposition method or the like so as to be insulated from the p-electrode 34 and the n-electrode 35, and thus an increase in manufacturing cost is inevitable.
  • the surface of the conductive particles coated with gold, nickel or copper in the cured anisotropic conductive paste or anisotropic conductive film is brown or
  • the epoxy resin binder itself which exhibits a dark brown color and in which conductive particles are dispersed, also exhibits a brown color because of the imidazole-based latent curing agent that is commonly used for its curing. There is a problem that it is difficult to improve the light emission efficiency (light extraction efficiency).
  • An object of the present invention is to solve the above-described problems of the prior art, and light-emitting elements such as light-emitting diodes (LEDs) are flip-chip mounted on a wiring board using an anisotropic conductive adhesive to emit light.
  • LEDs light-emitting diodes
  • An object is to provide an anisotropic conductive adhesive and a light emitting device in which a light emitting element is flip-chip mounted on a wiring board using the adhesive.
  • the inventors of the present invention have assumed that the anisotropic conductive adhesive itself has a light reflecting function, and the light-reflective insulating particles are added to the anisotropic conductive adhesive under the assumption that the luminous efficiency can be prevented. It has been found that by blending, the luminous efficiency of the light emitting device can be prevented from being lowered.
  • the present inventors use an anisotropic conductive adhesive by heat or light by using diglycidyl isocyanuryl-modified polysiloxane having a specific structure as an insulating adhesive component of the anisotropic conductive adhesive. Has been found to be able to prevent discoloration and exhibit a practically sufficient die shear strength. And based on these knowledge, it came to complete this invention.
  • the present invention is a light-reflective anisotropic conductive adhesive used for anisotropic conductive connection of a light-emitting element to a wiring board, comprising a thermosetting resin composition, conductive particles, and light-reflective insulating particles.
  • the thermosetting resin composition contains a diglycidyl isocyanuryl-modified polysiloxane represented by the formula (1) and a curing agent for epoxy resin, and the light-reflective anisotropy A conductive adhesive is provided.
  • R is an alkyl group or an aryl group
  • n is a number from 1 to 40.
  • a light-reflective anisotropic conductive adhesive which is a light-reflective conductive particle comprising a light-reflecting layer formed from at least one kind of inorganic particles selected from particles or aluminum oxide particles.
  • the present invention provides a light emitting device in which a light emitting element is mounted on a wiring board by a flip chip method through the above-described light reflective anisotropic conductive adhesive.
  • the light-reflective anisotropic conductive adhesive of the present invention used for anisotropically conductively connecting a light-emitting element to a wiring board includes a thermosetting resin composition as a binder, light-reflective insulating particles, and conductive particles. Containing.
  • This thermosetting resin composition contains diglycidyl isocyanuryl-modified polysiloxane represented by the formula (1) that is cured by a curing agent for epoxy resin.
  • This polysiloxane has diglycidyl isocyanuryl alkyl groups bonded to both ends. For this reason, it is possible to prevent the light-reflective anisotropic conductive adhesive from being discolored by heat or light, and to achieve practically sufficient die shear strength.
  • the light-reflective anisotropic conductive adhesive of the present invention contains light-reflective insulating particles, it can reflect light.
  • the light-reflective insulating particles are at least one kind of inorganic particles selected from the group consisting of titanium oxide particles, boron nitride particles, zinc oxide particles and aluminum oxide particles, or the surface of scaly or spherical metal particles is an insulating resin.
  • the particle itself is almost white, so that the wavelength dependency of the reflection characteristic with respect to visible light is small, so that the light emission efficiency can be improved, and the light emission of the light emitting element can be improved. The color can be reflected as it is.
  • conductive particles a core particle coated with a metal material, and a white to gray light reflecting layer formed on the surface thereof from titanium oxide particles, boron nitride particles, zinc oxide particles or aluminum oxide particles.
  • the light-reflective conductive particles themselves exhibit a white to gray color, so that the wavelength dependence of the reflection characteristics with respect to visible light is small, thus further improving the luminous efficiency.
  • the emission color of the light emitting element can be reflected as it is.
  • FIG. 1A is a cross-sectional view of light-reflective conductive particles for a light-reflective anisotropic conductive adhesive.
  • FIG. 1B is a cross-sectional view of light-reflective conductive particles for a light-reflective anisotropic conductive adhesive.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the light emitting device of the present invention.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of a conventional light emitting device.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of a conventional light emitting device.
  • the present invention is a light-reflective anisotropic conductive adhesive used for anisotropically conductively connecting a light-emitting element to a wiring board, and includes a thermosetting resin composition, conductive particles, and light-reflective insulating particles. It is a light-reflective anisotropic conductive adhesive.
  • thermosetting resin composition that is a binder will be described.
  • thermosetting resin composition contains diglycidyl isocyanuryl-modified polysiloxane represented by the formula (1) and a curing agent for epoxy resin.
  • diglycidyl isocyanuryl-modified polysiloxane represented by the formula (1) it is possible to prevent the light-reflective anisotropic conductive adhesive from being discolored by heat or light, and it is practically sufficient. Die shear strength can be realized.
  • R is an alkyl group such as a lower alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or an aryl group such as a carbocyclic aromatic group or a heterocyclic aromatic group.
  • the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, and an isobutyl group, and a particularly preferable alkyl group is a methyl group.
  • a preferred specific example of the aryl group is a phenyl group.
  • n is a number of 1 to 40, preferably a number of 1 to 9, more preferably a number of 1 or 2.
  • the diglycidyl isocyanuryl-modified polysiloxane represented by the formula (1) includes a both-end hydrogen polysiloxane of the formula (a) and a 1-allyl-3 of the formula (b) as shown in the following reaction formula: , 5-diglycidyl isocyanurate, and then in the presence of a Karlstedt catalyst (1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane platinum (0) complex solution) And can be produced by heating to room temperature to 150 ° C. From the reaction mixture, the compound of the formula (1) can be isolated by a conventional method (concentration treatment, column treatment, etc.).
  • thermosetting resin composition is a heterocyclic epoxy compound, an alicyclic epoxy compound, or a hydrogenated epoxy compound as long as the effects of the invention are not impaired. Etc. can be contained.
  • heterocyclic epoxy compound examples include an epoxy compound having a triazine ring.
  • 6- (1H, 3H, 5H) -trione in other words triglycidyl isocyanurate.
  • Preferred examples of the alicyclic epoxy compound include those having two or more epoxy groups in the molecule. These may be liquid or solid. Specific examples include glycidyl hexahydrobisphenol A, 3,4-epoxycyclohexenylmethyl-3 ′, 4′-epoxycyclohexene carboxylate, and the like. Among these, glycidyl hexahydrobisphenol A, 3,4-epoxycyclohexenylmethyl-3 ′, 4 is preferable because it can ensure light transmission suitable for mounting LED elements on the cured product and is excellent in rapid curing. '-Epoxycyclohexenecarboxylate can be preferably used.
  • hydrogenated epoxy compound hydrogenated products of the aforementioned heterocyclic epoxy compounds and alicyclic epoxy compounds, and other known hydrogenated epoxy resins can be used.
  • alicyclic epoxy compounds, heterocyclic epoxy compounds, and hydrogenated epoxy compounds may be used alone or in combination with two or more of the diglycidyl isocyanuryl-modified polysiloxane of formula (1). May be.
  • other epoxy compounds may be used in combination as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • epoxy resin curing agent a known epoxy resin curing agent can be used.
  • amine curing agent, polyamide curing agent, acid anhydride curing agent, imidazole curing agent, polymercaptan curing agent, polysulfide curing agent, boron trifluoride-amine complex curing agent, dicyandiamide, organic acid It can be selected from among hydrazides and the like.
  • acid anhydride curing agents can be preferably used from the viewpoints of light transmittance, heat resistance, and the like.
  • Acid anhydride curing agents include succinic anhydride, phthalic anhydride, maleic anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, 3-methyl-hexahydrophthalic anhydride, 4-methyl-hexahydro Phthalic anhydride, or a mixture of 4-methyl-hexahydrophthalic anhydride and hexahydrophthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, methyl-tetrahydrophthalic anhydride, nadic anhydride, methyl nadic anhydride, norbornane-2,3-dicarboxylic acid An acid anhydride, methylnorbornane-2,3-dicarboxylic acid anhydride, methylcyclohexene dicarboxylic acid anhydride, etc. can be mentioned.
  • the amount of the epoxy resin curing agent such as an acid anhydride curing agent in the thermosetting resin composition is small relative to 100 parts by mass of the diglycidyl isocyanuryl-modified polysiloxane represented by the formula (1). If the amount is too large, the amount of the diglycidyl isocyanuryl-modified polysiloxane represented by the formula (1) that is not kept in the polymerization reaction tends to be excessive. If the amount is too large, the amount of the adherend material is affected by the excessive curing agent. Since corrosion tends to proceed, it is preferably 40 to 120 parts by mass, more preferably 60 to 100 parts by mass, depending on the value of n described above.
  • the thermosetting resin composition can contain a known curing accelerator in order to complete the curing reaction smoothly and in a short time.
  • Preferred curing accelerators include quaternary phosphonium salt-based curing accelerators and imidazole-based curing accelerators. Specific examples include quaternary phosphonium bromide salts (“U-CAT5003” (trademark), San Apro Co., Ltd.), 2-ethyl-4-methylimidazole, and the like.
  • an imidazole curing accelerator can be preferably used as a curing accelerator for an acid anhydride curing agent.
  • the amount of the imidazole curing accelerator is preferably 0.60 to 3.00 parts by mass, more preferably 0.60 to 1.00 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the acid anhydride curing agent.
  • thermosetting resin composition described above is preferably as colorless and transparent as possible. This is because the light-reflecting conductive particles in the light-reflective anisotropic conductive adhesive are reflected without decreasing the light reflection efficiency and without changing the light color of the incident light.
  • colorless and transparent means that the light-reflective anisotropic conductive adhesive cured product has a light transmittance (JIS K7105) of 80% or more with respect to visible light having a wavelength of 380 to 780 nm, preferably 80% or more. It means 90% or more.
  • the light-reflective insulating particles contained in the light-reflective anisotropic conductive adhesive of the present invention are for reflecting light incident on the light-reflective anisotropic conductive adhesive to the outside.
  • the light-reflective particles include metal particles, particles coated with metal particles, inorganic particles such as metal oxides, metal nitrides, and metal sulfides that are gray to white under natural light, resin core particles
  • corrugation on the surface are contained irrespective of the material of particle
  • the light-reflective insulating particles that can be used in the present invention do not include metal particles that are not covered with insulation because they are required to exhibit insulating properties.
  • Such light-reflective insulating particles include titanium oxide (TiO 2 ) particles, boron nitride (BN) particles, zinc oxide (ZnO) particles, and aluminum oxide (Al 2 O 3 ) particles.
  • TiO 2 titanium oxide
  • BN boron nitride
  • ZnO zinc oxide
  • Al 2 O 3 aluminum oxide
  • TiO 2 it is preferable to use TiO 2 from the viewpoint of a high refractive index.
  • the shape of the light-reflective insulating particles may be spherical, scaly, indeterminate, acicular, etc. In consideration of reflection efficiency, spherical and scaly are preferable. Further, in the case of a spherical shape, if it is too small, the reflectance is low, and if it is too large, the connection by anisotropic conductive particles tends to be inhibited.
  • the major axis is preferably 0.1 to 100 ⁇ m, more preferably 1 to 50 ⁇ m, and the minor axis is preferably 0.01 to 10 ⁇ m, and more preferably 0.8.
  • the thickness is preferably 1 to 5 ⁇ m, and the thickness is preferably 0.01 to 10 ⁇ m, more preferably 0.1 to 5 ⁇ m.
  • the light-reflective insulating particles made of inorganic particles have a refractive index (JIS K7142) that is preferably larger than the refractive index of a cured product of the thermosetting resin composition (JIS K7142), more preferably at least 0.02. It is preferable that the degree is large. This is because when the difference in refractive index is small, the reflection efficiency at the interface between them decreases.
  • the inorganic particles described above may be used, but resin-coated metal particles obtained by coating the surface of scale-like or spherical metal particles with a transparent insulating resin may be used.
  • the metal particles include nickel, silver, and aluminum.
  • the shape of the particles include an amorphous shape, a spherical shape, a scaly shape, and a needle shape. Among these, a spherical shape is preferable from the viewpoint of the light diffusion effect, and a scaly shape is preferable from the viewpoint of the total reflection effect. Particularly preferred are scaly silver particles in terms of light reflectance.
  • the particle diameter is preferably from 0.1 to 30 ⁇ m, more preferably from 0.2 to 10 ⁇ m.
  • the long diameter is preferably from 0.1 to 100 ⁇ m, more preferably from 1 to
  • the thickness at 50 ⁇ m is preferably 0.01 to 10 ⁇ m, more preferably 0.1 to 5 ⁇ m.
  • the size of the light-reflective insulating particles is the size including the insulating coating when the insulating coating is applied.
  • a cured product of acrylic resin can be preferably used.
  • a preferable example is a resin obtained by radical copolymerization of methyl methacrylate and 2-hydroxyethyl methacrylate in the presence of a radical initiator such as an organic peroxide such as benzoyl peroxide.
  • a radical initiator such as an organic peroxide such as benzoyl peroxide.
  • it is more preferably crosslinked with an isocyanate-based crosslinking agent such as 2,4-tolylene diisocyanate.
  • the metal particles it is preferable to introduce a ⁇ -glycidoxy group, a vinyl group, or the like into the metal surface in advance with a silane coupling agent.
  • Such resin-coated metal particles are prepared, for example, by putting metal particles and a silane coupling agent in a solvent such as toluene and stirring for about 1 hour at room temperature, and then, if necessary, a radical monomer and a radical polymerization initiator. Then, a crosslinking agent is added, and the mixture is stirred by heating to the radical polymerization starting temperature.
  • the amount of the light-reflective insulating particles described above in the light-reflective anisotropic conductive adhesive is too small, sufficient light reflection cannot be realized, and if it is too large, the conductive particles used in combination. Since the connection based on is inhibited, it is preferably 1 to 50% by volume, more preferably 5 to 25% by volume.
  • conductive particles constituting the light-reflective anisotropic conductive adhesive of the present invention metal particles conventionally used for anisotropic conductive connection can be used. Examples thereof include gold, nickel, copper, silver, solder, palladium, aluminum, alloys thereof, multilayered products thereof (for example, nickel plating / gold flash plating products), and the like. Above all, gold, nickel, and copper turn the conductive particles brown, so that the effects of the present invention can be enjoyed over other metal materials.
  • metal-coated resin particles obtained by coating resin particles with a metal material can be used.
  • resin particles include styrene resin particles, benzoguanamine resin particles, and nylon resin particles.
  • a method of coating the resin particles with a metal material a conventionally known method can be employed, and an electroless plating method, an electrolytic plating method, or the like can be used.
  • the layer thickness of the metal material to be coated is sufficient to ensure good connection reliability, and is usually 0.1 to 3 ⁇ m although it depends on the particle size of the resin particles and the type of metal.
  • the particle size of the resin particle is preferably 1 to 20 ⁇ m, more preferably 3 to 10 ⁇ m, and particularly preferably 3 to 5 ⁇ m. is there.
  • the core particle 1 has a spherical shape, but may have a flake shape or a rugby ball shape.
  • the metal-coated resin particles have a spherical shape, and if the particle size is too large, the connection reliability is lowered, so that it is preferably 1 to 20 ⁇ m, more preferably 3 to 10 ⁇ m.
  • 1A and 1B are sectional views of such light-reflective conductive particles 10 and 20. First, the light reflective conductive particles in FIG. 1A will be described.
  • the light-reflective conductive particles 10 include a core particle 1 coated with a metal material, and titanium oxide (TiO 2 ) particles, boron nitride (BN) particles, zinc oxide (ZnO) particles, or aluminum oxide (Al 2 ) on the surface thereof. And a light reflecting layer 3 formed of at least one kind of inorganic particles 2 selected from O 3 ) particles. Titanium oxide particles, boron nitride particles, zinc oxide particles, or aluminum oxide particles are inorganic particles that exhibit white under sunlight. Accordingly, the light reflecting layer 3 formed from them exhibits white to gray.
  • the expression of white to gray means that the wavelength dependency of the reflection characteristic for visible light is small and the visible light is easily reflected.
  • titanium oxide particles boron nitride particles, zinc oxide particles or aluminum oxide particles, if there is a concern about photodegradation of the cured product of the cured thermosetting resin composition of anisotropic conductive adhesive, light Zinc oxide which is not catalytic to deterioration and has a high refractive index can be preferably used.
  • the surface thereof is made of a metal material.
  • the surface is coated with a metal material, as described above, an aspect in which the core particle 1 itself is a metal material, or an aspect in which the surface of the resin particle is coated with a metal material can be given.
  • the thickness of the light reflecting layer 3 formed from the inorganic particles 2 is too low with respect to the particle size of the core particle 1. If it is too large, poor conduction will occur. Therefore, it is preferably 0.5 to 50%, more preferably 1 to 25%.
  • the particle size of the inorganic particles 2 constituting the light-reflecting layer 3 is preferably 0.02 to 4 ⁇ m, more preferably 0.1 to 1 ⁇ m, and particularly preferably 0.2 to 0.5 ⁇ m.
  • the particle size of the inorganic particles 2 is set so that the light to be reflected (that is, the light emitted from the light emitting element) is not transmitted. It is preferable that it is 50% or more.
  • examples of the shape of the inorganic particles 2 include an amorphous shape, a spherical shape, a scaly shape, and a needle shape.
  • a spherical shape is preferable from the viewpoint of the light diffusion effect
  • a scaly shape is preferable from the viewpoint of the total reflection effect.
  • the light-reflective conductive particles 10 in FIG. 1A are formed by a known film forming technique (so-called mechano-fusion method) in which a film composed of small-sized particles is formed on the surface of large-sized particles by physically colliding large and small powders. ).
  • the inorganic particles 2 are fixed so as to bite into the metal material on the surface of the core particle 1, and on the other hand, the inorganic particles monolithically constitute the light reflecting layer 3 because the inorganic particles are not easily fused and fixed together. Therefore, in the case of FIG. 1A, the layer thickness of the light reflecting layer 3 is considered to be equivalent to or slightly thinner than the particle size of the inorganic particles 2.
  • the light reflective conductive particles 20 in FIG. 1B will be described.
  • the light-reflecting layer 3 contains a thermoplastic resin 4 that functions as an adhesive
  • the inorganic particles 2 are also fixed together by this thermoplastic resin 4, and the inorganic particles 2 are multilayered (for example, It differs from the light-reflective conductive particle 10 of FIG. 1A in that it is multi-layered into two or three layers.
  • thermoplastic resin 4 By including such a thermoplastic resin 4, the mechanical strength of the light reflecting layer 3 is improved, and the inorganic particles are less likely to be peeled off.
  • thermoplastic resin 4 a halogen-free thermoplastic resin can be preferably used for the purpose of low environmental load, and for example, polyolefins such as polyethylene and polypropylene, polystyrene, acrylic resins and the like can be preferably used.
  • Such light-reflective conductive particles 20 can also be manufactured by a mechanofusion method. If the particle size of the thermoplastic resin 4 applied to the mechano-fusion method is too small, the adhesion function is lowered, and if it is too large, it is difficult to adhere to the core particle 1, so that it is preferably 0.02 to 4 ⁇ m, more preferably 0.8. 1 to 1 ⁇ m. Further, if the amount of the thermoplastic resin 4 is too small, the adhesive function is lowered, and if it is too large, aggregates of particles are formed. The amount is 2 to 500 parts by mass, more preferably 4 to 25 parts by mass.
  • the amount of the conductive particles such as the light-reflective conductive particles in the light-reflective anisotropic conductive adhesive of the present invention is too small, conduction failure tends to occur, and if it is too large, there is a tendency to cause a short circuit between patterns. Therefore, the amount is preferably 1 to 100 parts by mass, more preferably 10 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the thermosetting resin composition.
  • the light-reflective anisotropic conductive adhesive of the present invention can be produced by uniformly mixing the light-reflective insulating particles, the conductive particles, and the thermosetting resin composition described above according to a conventional method.
  • light-reflective anisotropic conductive films they are dispersed and mixed together with a solvent such as toluene, and applied to a peeled PET film so as to have a desired thickness, and a temperature of about 80 ° C. Just dry.
  • the reflection characteristic of the light-reflective anisotropic conductive adhesive of the present invention is such that the reflectance of the cured light-reflective anisotropic conductive adhesive to light having a wavelength of 450 nm (JIS) is improved in order to improve the light emission efficiency of the light-emitting element.
  • K7105 is at least 30%.
  • the reflection characteristics and blending amount of the light-reflective conductive particles to be used, the blending composition of the thermosetting resin composition, and the like may be appropriately adjusted. Usually, if the amount of the light-reflective conductive particles having good reflection characteristics is increased, the reflectance tends to increase.
  • the reflection characteristics of the light-reflective anisotropic conductive adhesive can be evaluated from the viewpoint of refractive index. That is, if the refractive index of the cured product is larger than the refractive index of the cured product of the thermosetting resin composition excluding the conductive particles and the light-reflective insulating particles, the light-reflective insulating particles and the thermosetting surrounding them. This is because the amount of light reflection at the interface with the cured product of the conductive resin composition increases.
  • the difference obtained by subtracting the refractive index of the cured product of the thermosetting resin composition (JIS K7142) from the refractive index of the light reflective particles (JIS K7142) is preferably 0.02 or more, more preferably It is desired to be 0.2 or more.
  • the refractive index of a thermosetting resin composition mainly composed of an epoxy resin is about 1.5.
  • the light-emitting device 200 includes the connection terminal 22 on the substrate 21 and the connection bumps 26 formed on the n-electrode 24 and the p-electrode 25 of the LED element 23 as light-emitting elements.
  • This is a light emitting device in which a light reflective anisotropic conductive adhesive is applied and the substrate 21 and the LED element 23 are flip-chip mounted.
  • the light-reflective anisotropic conductive adhesive the light-reflective anisotropic conductive adhesive, the light-reflective insulating particles and the conductive particles (preferably the light-reflective conductive particles 10) are included in the cured product 11 of the thermosetting resin composition. It is distributed.
  • you may seal with transparent mold resin so that the whole LED element 23 may be covered as needed.
  • you may provide a light reflection layer in the LED element 23 similarly to the past.
  • the light emitting device 200 configured as described above, among the light emitted from the LED element 23, the light emitted toward the substrate 21 side is the light in the cured product 100 of the light-reflective anisotropic conductive adhesive.
  • the light is reflected by the reflective insulating particles and, optionally, the light-reflective conductive particles 10, and is emitted from the upper surface of the LED element 23. Accordingly, it is possible to prevent a decrease in luminous efficiency.
  • Configurations other than the light-reflective anisotropic conductive adhesive (the LED element 23, the bump 26, the substrate 21, the connection terminal 22, and the like) in the light-emitting device 200 of the present invention can be the same as the configuration of the conventional light-emitting device. .
  • the light emitting device 200 of the present invention can be manufactured by using a conventional anisotropic conductive connection technique except that the light reflective anisotropic conductive adhesive of the present invention is used.
  • a well-known light emitting element can be applied in the range which does not impair the effect of this invention other than an LED element.
  • Example 1-2 Comparative Example 1-3
  • a light-reflective anisotropic conductive adhesive was prepared by uniformly mixing the components having the composition shown in Table 1.
  • Example 1-2 and Comparative Example 1 the epoxy compound and the acid anhydride curing agent were blended so that the ratio of the number of functional groups of epoxy group / acid anhydride was 1 / 1.1.
  • the anisotropic conductive adhesive of Comparative Example 2 is a mixture of light-reflective insulating particles and conductive particles in a two-part curable dimethyl silicone resin (IVS4742, Momentive Performance Materials Japan).
  • the anisotropic conductive adhesive of Comparative Example 3 is a two-pack curable phenyl silicone resin (SCR-1012, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) blended with light-reflective insulating particles and conductive particles.
  • the die shear strength of the obtained light-reflective anisotropic conductive adhesive was measured as described below.
  • the remaining thermosetting resin composition obtained by removing the light-reflective insulating particles and the conductive particles from the light-reflective anisotropic conductive adhesive was subjected to a heat resistance test and a heat resistance light test as described below. It was. The obtained results are shown in Table 2.
  • ⁇ Die shear strength test> Hardened to a glass epoxy substrate for LED (custom product, Kansai Electronics Co., Ltd.) having a solid silver electrode with a thickness of 10 ⁇ m on which gold bumps (high 10 ⁇ m, diameter 80 ⁇ m, pitch 190 ⁇ m) are formed so that the diameter becomes 4 mm.
  • a 0.3 mm square flip chip type LED element (GM35R460G, Showa Denko Co., Ltd.) and apply the glass epoxy substrate to 80 ° C. so that the flip chip type LED element is on the front side. The LED element was placed on a held hot plate and heated for 2 minutes to temporarily fix the LED element on the glass epoxy substrate for LED.
  • the glass epoxy substrate for LED on which this LED element is temporarily fixed is applied to a thermocompression bonding apparatus, and a glass epoxy for LED is applied by performing thermocompression treatment at 230 ° C. for 30 seconds while applying a pressure of 80 gf / chip to the LED element.
  • An LED device having LED elements mounted on a substrate was produced.
  • a reflow treatment at 260 ° C. for 20 seconds was further performed after the thermocompression treatment.
  • the die shear strength (gf / chip) was measured for the LED device thus fabricated.
  • the die shear strength is desired to be at least 200 gf / chip, preferably 250 gf / chip or more.
  • thermosetting resin composition is sandwiched between two aluminum flat plates (length 100 mm ⁇ width 50.0 mm ⁇ thickness 0.500 mm) in which spacers having a height of 1 mm are arranged at the four corners, and thermosetting of Example 1 and Comparative Example 1
  • the curable resin composition was first heated at 120 ° C. for 30 minutes, and then heated at 140 ° C. for 1 hour to prepare a cured resin sheet.
  • the thermosetting resin composition of the comparative examples 2 and 3 the cured resin sheet was produced by heating at 80 degreeC first for 1 hour, and subsequently heating at 150 degreeC for 2 hours.
  • the obtained cured resin sheet is left in an oven set at 150 ° C. for 1000 hours, and the spectral characteristics (L * , a * , b * ) before and after being left are measured with a spectrocolorimeter (CM-3600d, Konica Minolta).
  • CM-3600d spectrocolorimeter
  • the color difference ( ⁇ E) was calculated from the measured values. In practice, ⁇ E is desirably 35 or less.
  • ⁇ Heat-resistant light test> A cured resin sheet similar to the cured resin sheet subjected to the heat resistance test was produced, and the cured resin sheet was heated at a temperature of 120 ° C. with a light intensity of 16 mW / cm 2 (Superwin Mini, Daipura Wintes Co., Ltd.) ; Using a metal halide lamp) for 1000 hours, and measuring the spectral characteristics (L * , a * , b * ) before and after being left using a spectrocolorimeter (CM-3600d, Konica Minolta, Inc.) The color difference ( ⁇ E) was calculated from the obtained measurement values. Practically, ⁇ E is desired to be 20 or less.
  • the light-reflective anisotropic conductive adhesives of Examples 1 and 2 were practically preferable in terms of die shear strength, heat resistance test, and heat resistance light test.
  • a thermosetting epoxy resin composition is used, a favorable result was obtained with respect to die shear strength, but the diglycidyl isocyanuryl-modified polysiloxane of the formula (1a) was not used. Satisfactory results were not obtained for the heat resistance test.
  • the light-reflective anisotropic conductive adhesive of the present invention is used to produce a light-emitting device by flip-chip mounting a light-emitting element such as a light-emitting diode (LED) element on a wiring board using an anisotropic conductive adhesive, Even if a light reflecting layer that causes an increase in manufacturing cost is not provided in the light emitting element, the light emission efficiency can be prevented from being lowered. In addition, the die shear strength can be maintained high, and the heat resistance and heat resistance are excellent. Therefore, the light-reflective anisotropic conductive adhesive of the present invention is useful when the LED element is flip-lip mounted.
  • a light-emitting element such as a light-emitting diode (LED) element

Abstract

 発光素子を配線板に異方性導電接続するために使用する光反射性異方性導電接着剤は、熱硬化性樹脂組成物、導電粒子及び光反射性絶縁粒子を含有する。熱硬化性樹脂組成物は、式(1) で表されるジグリシジルイソシアヌリル変性ポリシロキサンと、エポキシ樹脂用硬化剤とを含有する。

Description

光反射性異方性導電接着剤及び発光装置
 本発明は、発光素子を配線板に異方性導電接続するために使用する光反射性異方性導電接着剤、その接着剤を用いて発光素子を配線板に実装してなる発光装置に関する。
 発光ダイオード(LED)素子を使用した発光装置が広く使用されており、旧タイプの発光装置の構造は、図3に示すように、基板31上にダイボンド接着剤32でLED素子33を接合し、その上面のp電極34とn電極35とを、基板31の接続端子36に金ワイヤ37でワイヤボンディングし、LED素子33全体を透明モールド樹脂38で封止したものとなっている。ところが、図3の発光装置の場合、LED素子33が発する光のうち、上面側に出射する400~500nmの波長の光を金ワイヤ37が吸収し、また、下面側に出射した光の一部がダイボンド接着剤32により吸収されてしまい、LED素子33の発光効率が低下するという問題がある。
 このため、LED素子の光反射に関する発光効率の向上という観点から、図4に示すように、LED素子33をフリップチップ実装することが提案されている(特許文献1)。このフリップチップ実装技術においては、p電極34とn電極35とにバンプ39がそれぞれ形成されており、更に、LED素子33のバンプ形成面には、p電極34とn電極35と絶縁されるように光反射層40が設けられている。そして、LED素子33と基板31とは、異方性導電ペースト41や異方性導電フィルム(図示せず)を用い、それらを硬化させて接続固定される。このため、図4の発光装置においては、LED素子33の上方へ出射した光は金ワイヤで吸収されず、下方へ出射した光の殆どは光反射層40で反射して上方に出射するので、発光効率(光取り出し効率)が低下しない。
 また、LED素子の光反射に関する発光効率の向上という観点とは別に、LED素子の実装に用いた異方性導電ペーストや異方性導電フィルム中の絶縁性樹脂成分の熱や光による変色に伴ってLED素子の出射光が色変化してしまうことを防止するという観点から、耐熱性、耐光性に優れた2液硬化型メチルシリコーン樹脂や2液硬化型フェニルシリコーン樹脂を異方性導電ペーストや異方性導電フィルム中の絶縁性樹脂成分に採用することが試みられている。
特開平11-168235号公報
 しかしながら、特許文献1の技術ではLED素子33に光反射層40を、p電極34とn電極35と絶縁するように金属蒸着法などにより設けなければならず、製造上、コストアップが避けられないという問題があり、他方、光反射層40を設けない場合には、硬化した異方性導電ペーストや異方性導電フィルム中の金、ニッケルあるいは銅で被覆された導電粒子の表面は茶色乃至は暗茶色を呈し、また、導電粒子を分散させているエポキシ樹脂バインダー自体も、その硬化のために常用されるイミダゾール系潜在性硬化剤のために茶色を呈しており、発光素子が発した光の発光効率(光取り出し効率)を向上させることが困難であるという問題がある。
 また、2液硬化型メチルシリコーン樹脂や2液硬化型フェニルシリコーン樹脂を異方性導電ペーストや異方性導電フィルム中の絶縁性樹脂成分に採用した場合、熱や光により絶縁性樹脂成分の変色は抑制できるものの、実装基板に対するLED素子の剥離強度(ダイシェア強度)が実用に適さないレベルとなってしまうという問題があった。
 本発明の目的は、以上の従来の技術の問題点を解決することであり、発光ダイオード(LED)素子等の発光素子を配線板に異方性導電接着剤を用いてフリップチップ実装して発光装置を製造する際に、製造コストの増大を招くような光反射層をLED素子に設けなくても発光効率を改善でき、しかも熱や光により変色しにくい上に実用上十分なダイシェア強度を示す異方性導電接着剤、その接着剤を使用して発光素子を配線板にフリップチップ実装してなる発光装置を提供することである。
 本発明者らは、異方性導電接着剤そのものに光反射機能を持たせれば、発光効率を低下させないようにできるとの仮定の下、異方性導電接着剤に、光反射性絶縁粒子を配合することにより、発光素子の発光効率を低下させないようにできることを見出した。また、本発明者らは、異方性導電接着剤の絶縁性接着成分として、特定の構造を有するジグリシジルイソシアヌリル変性ポリシロキサンを使用することにより、熱や光により異方性導電接着剤が変色してしまうことを防止でき、しかも実用上十分なダイシェア強度を示すことを見出した。そして、これらの知見に基づき本発明を完成させるに至った。
 即ち、本発明は、発光素子を配線板に異方性導電接続するために使用する光反射性異方性導電接着剤であって、熱硬化性樹脂組成物、導電粒子及び光反射性絶縁粒子を含有し、熱硬化性樹脂組成物が、式(1)で表されるジグリシジルイソシアヌリル変性ポリシロキサンと、エポキシ樹脂用硬化剤とを含有することを特徴とする光反射性異方性導電接着剤を提供する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000002
 式(1)中、Rはアルキル基又はアリール基であり、nは1~40の数である。
 また、本発明は、この光反射性異方性導電接着剤の特に好ましい態様として、導電粒子が、金属材料により被覆されているコア粒子と、その表面に酸化チタン粒子、窒化ホウ素粒子、酸化亜鉛粒子又は酸化アルミニウム粒子から選択された少なくとも一種の無機粒子から形成された光反射層とからなる光反射性導電粒子である光反射性異方性導電接着剤を提供する。
 また、本発明は、上述の光反射性異方性導電接着剤を介して、発光素子をフリップチップ方式で配線板に実装されてなる発光装置を提供する。
 発光素子を配線板に異方性導電接続するために使用する本発明の光反射性異方性導電接着剤は、バインダーである熱硬化性樹脂組成物と、光反射性絶縁粒子と、導電粒子とを含有する。この熱硬化性樹脂組成物は、エポキシ樹脂用硬化剤で硬化する式(1)で表されるジグリシジルイソシアヌリル変性ポリシロキサンを含有する。このポリシロキサンは、その両末端にジグリシジルイソシアヌリルアルキル基が結合している。このため、熱や光により光反射性異方性導電接着剤が変色してしまうことを防止でき、しかも実用上十分なダイシェア強度を実現することができる。
 また、本発明の光反射性異方性導電接着剤は、光反射性絶縁粒子を含有しているから、光を反射することができる。特に、光反射性絶縁粒子が、酸化チタン粒子、窒化ホウ素粒子、酸化亜鉛粒子及び酸化アルミニウム粒子からなる群より選択される少なくとも一種の無機粒子、又は鱗片状もしくは球状金属粒子の表面を絶縁性樹脂で被覆した樹脂被覆金属粒子である場合には、粒子自体がほぼ白色であるため、可視光に対する反射特性の波長依存性が小さく、従って、発光効率を向上させることができ、しかも発光素子の発光色をそのままの色で反射させることができる。
 また、更に、導電粒子として、金属材料で被覆されているコア粒子と、その表面に酸化チタン粒子、窒化ホウ素粒子、酸化亜鉛粒子又は酸化アルミニウム粒子から形成された白色~灰色の光反射層とから構成されている光反射性導電粒子を使用した場合、この光反射性導電粒子自体が白色~灰色を呈しているため、可視光に対する反射特性の波長依存性が小さく、従って、発光効率を更に向上させることができ、しかも発光素子の発光色をそのままの色で反射させることができる。
図1Aは、光反射性異方性導電接着剤用の光反射性導電粒子の断面図である。 図1Bは、光反射性異方性導電接着剤用の光反射性導電粒子の断面図である。 図2は、本発明の発光装置の断面図である。 図3は、従来の発光装置の断面図である。 図4は、従来の発光装置の断面図である。
 本発明は、発光素子を配線板に異方性導電接続するために使用する光反射性異方性導電接着剤であって、熱硬化性樹脂組成物、導電粒子及び光反射性絶縁粒子を含有する光反射性異方性導電接着剤である。まず、バインダーである熱硬化性樹脂組成物について説明する。
<熱硬化性樹脂組成物>
 本発明において、熱硬化性樹脂組成物は、式(1)で表されるジグリシジルイソシアヌリル変性ポリシロキサンと、エポキシ樹脂用硬化剤とを含有する。式(1)で表されるジグリシジルイソシアヌリル変性ポリシロキサンを含有することにより、熱や光により光反射性異方性導電接着剤が変色してしまうことを防止でき、しかも実用上十分なダイシェア強度を実現することができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000003
 式(1)中、Rは炭素数1~6の低級アルキル基等のアルキル基、又は炭素環式芳香族基、複素環式芳香族等のアリール基である。アルキル基の好ましい具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基を挙げることができ、特に好ましいアルキル基としてはメチル基を挙げることができる。また、アリール基の好ましい具体例としては、フェニル基を挙げることができる。nは1~40の数であり、好ましくは1~9の数、より好ましくは1又は2の数である。
 式(1)で表されるジグリシジルイソシアヌリル変性ポリシロキサンは、以下の反応式に示すように、式(a)の両末端ハイドロジェンポリシロキサンと、式(b)の1-アリル-3,5-ジグリシジルイソシアヌレートとを均一に混合した後、カールステッド(Karstedt)触媒(1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン白金(0)錯体溶液)の存在下で室温~150℃に加熱することにより製造することができる。反応混合物からは、常法(濃縮処理・カラム処理等)により式(1)の化合物を単離することができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000004
 熱硬化性樹脂組成物は、式(1)のジグリシジルイソシアヌリル変性ポリシロキサンの他に、発明の効果を損なわない範囲で、複素環系エポキシ化合物や脂環式エポキシ化合物や水素添加エポキシ化合物などを含有することができる。
 複素環系エポキシ化合物としては、トリアジン環を有するエポキシ化合物を挙げることができ、例えば、1,3,5-トリス(2,3-エポキシプロピル)-1,3,5-トリアジン-2,4,6-(1H,3H,5H)-トリオン(換言すれば、トリグリシジルイソシヌレート)を挙げることができる。
 脂環式エポキシ化合物としては、分子内に2つ以上のエポキシ基を有するものが好ましく挙げられる。これらは液状であっても、固体状であってもよい。具体的には、グリシジルヘキサヒドロビスフェノールA、3,4-エポキシシクロヘキセニルメチル-3′,4′-エポキシシクロヘキセンカルボキシレート等を挙げることができる。中でも、硬化物にLED素子の実装等に適した光透過性を確保でき、速硬化性にも優れている点から、グリシジルヘキサヒドロビスフェノールA、3,4-エポキシシクロヘキセニルメチル-3′,4′-エポキシシクロヘキセンカルボキシレートを好ましく使用することができる。
 水素添加エポキシ化合物としては、前述の複素環系エポキシ化合物や脂環式エポキシ化合物の水素添加物や、その他公知の水素添加エポキシ樹脂を使用することができる。
 これらの脂環式エポキシ化合物や複素環系エポキシ化合物や水素添加エポキシ化合物は、式(1)のジグリシジルイソシアヌリル変性ポリシロキサンに対し、単独で併用してもよいが、2種以上を併用してもよい。また、これらのエポキシ化合物に加えて本発明の効果を損なわない限り、他のエポキシ化合物を併用してもよい。例えば、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS、テトラメチルビスフェノールA、ジアリールビスフェノールA、ハイドロキノン、カテコール、レゾルシン、クレゾール、テトラブロモビスフェノールA、トリヒドロキシビフェニル、ベンゾフェノン、ビスレゾルシノール、ビスフェノールヘキサフルオロアセトン、テトラメチルビスフェノールA、テトラメチルビスフェノールF、トリス(ヒドロキシフェニル)メタン、ビキシレノール、フェノールノボラック、クレゾールノボラックなどの多価フェノールとエピクロルヒドリンとを反応させて得られるグリシジルエーテル;グリセリン、ネオペンチルグリコール、エチレングリコール、プロピレングリコール、チレングリコール、ヘキシレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコールなどの脂肪族多価アルコールとエピクロルヒドリンとを反応させて得られるポリグリシジルエーテル;p-オキシ安息香酸、β-オキシナフトエ酸のようなヒドロキシカルボン酸とエピクロルヒドリンとを反応させて得られるグリシジルエーテルエステル;フタル酸、メチルフタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、テトラハイドロフタル酸、エンドメチレンテトラハイドロフタル酸、エンドメチレンヘキサハイドロフタル酸、トリメリット酸、重合脂肪酸のようなポリカルボン酸から得られるポリグリシジルエステル;アミノフェノール、アミノアルキルフェノールから得られるグリシジルアミノグリシジルエーテル;アミノ安息香酸から得られるグリシジルアミノグリシジルエステル;アニリン、トルイジン、トリブロムアニリン、キシリレンジアミン、ジアミノシクロヘキサン、ビスアミノメチルシクロヘキサン、4,4′-ジアミノジフェニルメタン、4,4′-ジアミノジフェニルスルホンなどから得られるグリシジルアミン;エポキシ化ポリオレフィン等の公知のエポキシ樹脂類が挙げられる。
 エポキシ樹脂用硬化剤としては、公知のエポキシ樹脂用硬化剤を使用することができる。例えば、アミン系硬化剤、ポリアミド系硬化剤、酸無水物系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、ポリメルカプタン系硬化剤、ポリスルフィド系硬化剤、三フッ化ホウ素-アミン錯体系硬化剤、ジシアンジアミド、有機酸ヒドラジッド等の中から選択して使用することができる。中でも、光透過性、耐熱性等の観点から酸無水物系硬化剤を好ましく使用することができる。
 酸無水物系硬化剤としては、無水コハク酸、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、3-メチル-ヘキサヒドロ無水フタル酸、4-メチル-ヘキサヒドロ無水フタル酸、あるいは4-メチル-ヘキサヒドロ無水フタル酸とヘキサヒドロ無水フタル酸との混合物、テトラヒドロ無水フタル酸、メチル-テトラヒドロ無水フタル酸、無水ナジック酸、無水メチルナジック酸、ノルボルナン-2,3-ジカルボン酸無水物、メチルノルボルナン-2,3-ジカルボン酸無水物、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物等を挙げることができる。
 酸無水物系硬化剤等のエポキシ樹脂用硬化剤の熱硬化性樹脂組成物中の配合量は、式(1)で表されるジグリシジルイソシアヌリル変性ポリシロキサン100質量部に対して、少なすぎると、重合反応に預からない式(1)で表されるジグリシジルイソシアヌリル変性ポリシロキサンの量が過多となる傾向があり、多すぎると余剰の硬化剤の影響で被着体材料の腐食が進行する傾向があるので、前述のnの値に応じて好ましくは、40~120質量部、より好ましくは60~100質量部である。
 熱硬化性樹脂組成物は、硬化反応を円滑に、かつ短時間で完了させるために、公知の硬化促進剤を含有することができる。好ましい硬化促進剤としては、第四級ホスホニウム塩系硬化促進剤やイミダゾール系硬化促進剤が挙げられる。具体的には、第四級ホスホニウムのブロマイド塩(「U-CAT5003」(商標)、サンアプロ(株))、2-エチル-4-メチルイミダゾール等を挙げることができる。特に、酸無水物系硬化剤用の硬化促進剤としては、イミダゾール系硬化促進剤を好ましく使用することができる。この場合、イミダゾール系硬化促進剤の添加量は、少なすぎると硬化が不十分になる傾向があり、多すぎると熱硬化性樹脂組成物の硬化物が熱や光の作用により変色し易くなる傾向があるので、酸無水物系硬化剤100質量部に対し、イミダゾール系硬化促進剤を好ましくは0.60~3.00質量部、より好ましくは0.60~1.00質量部である。
 以上説明した熱硬化性樹脂組成物は、なるべく無色透明なものを使用することが好ましい。光反射性異方性導電接着剤中の光反射性導電粒子の光反射効率を低下させず、しかも入射光の光色を変えずに反射させるためである。ここで、無色透明とは、光反射性異方性導電接着剤の硬化物が、波長380~780nmの可視光に対して光路長1mmの光透過率(JIS K7105)が80%以上、好ましくは90%以上となることを意味する。
<光反射性絶縁粒子>
 本発明の光反射性異方性導電接着剤が含有する光反射性絶縁粒子は、光反射性異方性導電接着剤に入射した光を外部に反射するためのものである。
 なお、光反射性を有する粒子には、金属粒子、金属粒子を樹脂被覆した粒子、自然光の下で灰色から白色である金属酸化物、金属窒素化物、金属硫化物等の無機粒子、樹脂コア粒子を無機粒子で被覆した粒子、粒子の材質によらず、その表面に凹凸がある粒子が含まれる。しかし、これらの粒子の中で、本発明で使用できる光反射性絶縁粒子には、絶縁性を示すことが求められている関係上、絶縁被覆されていない金属粒子は含まれない。また、金属酸化物粒子のうち、ITOのように導電性を有するものは使用できない。また、光反射性且つ絶縁性を示す無機粒子であっても、SiOのように、その屈折率が使用する熱硬化性樹脂組成物の屈折率よりも低いものは使用できない。
 このような光反射性絶縁粒子の好ましい具体例としては、酸化チタン(TiO)粒子、窒化ホウ素(BN)粒子、酸化亜鉛(ZnO)粒子及び酸化アルミニウム(Al)粒子からなる群より選択される少なくとも一種の無機粒子が挙げられる。中でも、高屈折率の点からTiOを使用することが好ましい。
 光反射性絶縁粒子の形状としては、球状、鱗片状、不定形状、針状等でもよいが、反射効率を考慮すると、球状、鱗片状が好ましい。また、その大きさとしては、球状である場合、小さすぎると反射率が低くなり、大きすぎると異方性導電粒子による接続を阻害する傾向があるので、好ましくは0.02~20μm、より好ましくは0.2~1μmであり、鱗片状である場合には、長径が好ましくは0.1~100μm、より好ましくは1~50μm、短径が好ましくは0.01~10μm、より好ましくは0.1~5μm、厚さが好ましくは0.01~10μm、より好ましくは0.1~5μmである。
 無機粒子からなる光反射性絶縁粒子は、その屈折率(JIS K7142)が、好ましくは熱硬化性樹脂組成物の硬化物の屈折率(JIS K7142)よりも大きいこと、より好ましくは少なくとも0.02程度大きいことが好ましい。これは、屈折率差が小さいとそれらの界面での反射効率が低下するからである。
 光反射性絶縁粒子としては、以上説明した無機粒子を使用してもよいが、鱗片状又は球状金属粒子の表面を透明な絶縁性樹脂で被覆した樹脂被覆金属粒子を使用してもよい。金属粒子としては、ニッケル、銀、アルミニウム等を挙げることができる。粒子の形状としては、無定型、球状、鱗片状、針状等を挙げることができるが、中でも、光拡散効果の点から球状、全反射効果の点から鱗片状の形状が好ましい。特に好ましいものは、光の反射率の点から鱗片状銀粒子である。
 光反射性絶縁粒子としての樹脂被覆金属粒子の大きさは、形状によっても異なるが、一般に大きすぎると、異方性導電粒子による接続を阻害するおそれがあり、小さすぎると光を反射しにくくなるので、好ましくは球状の場合には粒径0.1~30μm、より好ましくは0.2~10μmであり、鱗片状の場合には、長径が好ましくは0.1~100μm、より好ましくは1~50μmで厚みが好ましくは0.01~10μm、より好ましくは0.1~5μmである。ここで、光反射性絶縁粒子の大きさは、絶縁被覆されている場合には、その絶縁被覆も含めた大きさである。
 このような樹脂被覆金属粒子における当該樹脂としては、種々の絶縁性樹脂を使用することができる。機械的強度や透明性等の点からアクリル系樹脂の硬化物を好ましく利用することができる。好ましくは、ベンゾイルパーオキサイド等の有機過酸化物などのラジカル開始剤の存在下で、メタクリル酸メチルとメタクリル酸2-ヒドロキシエチルとをラジカル共重合させた樹脂を挙げることができる。この場合、2,4-トリレンジイソシアネート等のイソシアネート系架橋剤で架橋されていることがより好ましい。また、金属粒子としては、予めシランカップリング剤でγ-グリシドキシ基やビニル基等を金属表面に導入しておくことが好ましい。
 このような樹脂被覆金属粒子は、例えば、トルエンなどの溶媒中に金属粒子とシランカップリング剤とを投入し、室温で約1時間撹拌した後、ラジカルモノマーとラジカル重合開始剤と、必要に応じて架橋剤とを投入し、ラジカル重合開始温度に加温しながら撹拌することにより製造することができる。
 以上説明した光反射性絶縁粒子の、光反射性異方性導電接着剤中の配合量は、少なすぎると十分な光反射を実現することができず、また多すぎると併用している導電粒子に基づく接続が阻害されるので、好ましくは1~50体積%、より好ましくは5~25体積%である。
<導電粒子>
 本発明の光反射性異方性導電接着剤を構成する導電粒子としては、異方性導電接続用に従来用いられている金属の粒子を利用することができる。例えば、金、ニッケル、銅、銀、半田、パラジウム、アルミニウム、それらの合金、それらの多層化物(例えば、ニッケルメッキ/金フラッシュメッキ物)等を挙げることができる。中でも、金、ニッケル、銅は、導電粒子を茶色としてしまうことから、本発明の効果を他の金属材料よりも享受することができる。
 また、導電粒子として、樹脂粒子を金属材料で被覆した金属被覆樹脂粒子を使用することができる。このような樹脂粒子としては、スチレン系樹脂粒子、ベンゾグアナミン樹脂粒子、ナイロン樹脂粒子などが挙げられる。樹脂粒子を金属材料で被覆する方法としても従来公知の方法を採用することができ、無電解メッキ法、電解メッキ法等を利用することができる。また、被覆する金属材料の層厚は、良好な接続信頼性を確保するに足る厚さであり、樹脂粒子の粒径や金属の種類にもよるが、通常、0.1~3μmである。
 また、樹脂粒子の粒径は、小さすぎると導通不良が生じ、大きすぎるとパターン間ショートが生じる傾向があるので、好ましくは1~20μm、より好ましくは3~10μm、特に好ましくは3~5μmである。この場合、コア粒子1の形状としては球状が好ましいが、フレーク状、ラクビーボール状であってもよい。
 好ましい金属被覆樹脂粒子は球状の形状であり、その粒径は大きすぎると接続信頼性の低下となるので、好ましくは1~20μm、より好ましくは3~10μmである。
 特に、本発明においては、上述したような導電粒子に対し光反射性を付与し、光反射性導電粒子とすることが好ましい。図1A、図1Bは、このような光反射性導電粒子10、20の断面図である。まず、図1Aの光反射性導電粒子から説明する。
 光反射性導電粒子10は、金属材料で被覆されているコア粒子1と、その表面に酸化チタン(TiO)粒子、窒化ホウ素(BN)粒子、酸化亜鉛(ZnO)粒子又は酸化アルミニウム(Al)粒子から選択された少なくとも一種の無機粒子2から形成された光反射層3とから構成される。酸化チタン粒子、窒化ホウ素粒子、酸化亜鉛粒子又は酸化アルミニウム粒子は、太陽光の下では白色を呈する無機粒子である。従って、それらから形成された光反射層3は白色~灰色を呈する。白色~灰色を呈しているということは、可視光に対する反射特性の波長依存性が小さく、且つ可視光を反射しやすいことを意味する。
 なお、酸化チタン粒子、窒化ホウ素粒子、酸化亜鉛粒子又は酸化アルミニウム粒子のうち、硬化した異方性導電接着剤の熱硬化性樹脂組成物の硬化物の光劣化が懸念される場合には、光劣化に対して触媒性がなく、屈折率も高い酸化亜鉛を好ましく使用することができる。
 コア粒子1は、異方性導電接続に共されるものであるので、その表面が金属材料で構成されている。ここで、表面が金属材料で被覆されている態様としては、前述したように、コア粒子1そのものが金属材料である態様、もしくは樹脂粒子の表面が金属材料で被覆された態様が挙げられる。
 無機粒子2から形成された光反射層3の層厚は、コア粒子1の粒径との相対的大きさの観点からみると、コア粒子1の粒径に対し、小さすぎると反射率の低下が著しくなり、大きすぎると導通不良が生ずるので、好ましくは0.5~50%、より好ましくは1~25%である。
 また、光反射性導電粒子10において、光反射層3を構成する無機粒子2の粒径は、小さすぎると光反射現象が生じ難くなり、大きすぎると光反射層の形成が困難となる傾向があるので、好ましくは0.02~4μm、より好ましくは0.1~1μm、特に好ましくは0.2~0.5μmである。この場合、光反射させる光の波長の観点からみると、無機粒子2の粒径は、反射させるべき光(即ち、発光素子が発する光)が透過してしまわないように、その光の波長の50%以上であることが好ましい。この場合、無機粒子2の形状としては無定型、球状、鱗片状、針状等を挙げることができるが、中でも、光拡散効果の点から球状、全反射効果の点から鱗片状の形状が好ましい。
 図1Aの光反射性導電粒子10は、大小の粉末同士を物理的に衝突させることにより大粒径粒子の表面に小粒径粒子からなる膜を形成させる公知の成膜技術(いわゆるメカノフュージョン法)により製造することができる。この場合、無機粒子2は、コア粒子1の表面の金属材料に食い込むように固定され、他方、無機粒子同士が融着固定されにくいから、無機粒子のモノレイヤーが光反射層3を構成する。従って、図1Aの場合、光反射層3の層厚は、無機粒子2の粒径と同等乃至はわずかに薄くなると考えられる。
 次に、図1Bの光反射性導電粒子20について説明する。この光反射性導電粒子20においては、光反射層3が接着剤として機能する熱可塑性樹脂4を含有し、この熱可塑性樹脂4により無機粒子2同士も固定され、無機粒子2が多層化(例えば2層あるいは3層に多層化)している点で、図1Aの光反射性導電粒子10と相違する。このような熱可塑性樹脂4を含有することにより、光反射層3の機械的強度が向上し、無機粒子の剥落などが生じにくくなる。
 熱可塑性樹脂4としては、環境低負荷を意図してハロゲンフリーの熱可塑性樹脂を好ましく使用することができ、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィンやポリスチレン、アクリル樹脂等を好ましく使用することができる。
 このような光反射性導電粒子20も、メカノフュージョン法により製造することができる。メカノフュージョン法に適用する熱可塑性樹脂4の粒子径は、小さすぎると接着機能が低下し、大きすぎるとコア粒子1に付着しにくくなるので、好ましくは0.02~4μm、より好ましくは0.1~1μmである。また、このような熱可塑性樹脂4の配合量は、少なすぎると接着機能が低下し、多すぎると粒子の凝集体が形成されるので、無機粒子2の100質量部に対し、好ましくは0.2~500質量部、より好ましくは4~25質量部である。
 本発明の光反射性異方性導電接着剤中の光反射性導電粒子等の導電粒子の配合量は、少なすぎると導通不良が生じる傾向があり、多すぎるとパターン間ショートが生ずる傾向があるので、熱硬化性樹脂組成物100質量部に対し、好ましくは1~100質量部、より好ましくは10~50質量部である。
<光反射性異方性導電接着剤の製造>
 本発明の光反射性異方性導電接着剤は、以上説明した光反射性絶縁粒子と導電粒子と熱硬化性樹脂組成物とを、常法に従って均一に混合することにより製造することができる。また、光反射性異方性導電フィルムとする場合には、それらをトルエン等の溶媒とともに分散混合し、剥離処理したPETフィルムに所期の厚さとなるように塗布し、約80℃程度の温度で乾燥すればよい。
<光反射性異方性導電接着剤の反射特性>
 本発明の光反射性異方性導電接着剤の反射特性は、発光素子の発光効率を向上させるために、光反射性異方性導電接着剤の硬化物の波長450nmの光に対する反射率(JIS K7105)が、少なくとも30%であることが望ましい。このような反射率とするためには、使用する光反射性導電粒子の反射特性や配合量、熱硬化性樹脂組成物の配合組成などを適宜調整すればよい。通常、反射特性の良好な光反射性導電粒子の配合量を増量すれば、反射率も増大する傾向がある。
 また、光反射性異方性導電接着剤の反射特性は屈折率という観点から評価することもできる。即ち、その硬化物の屈折率が、導電粒子と光反射性絶縁粒子とを除いた熱硬化性樹脂組成物の硬化物の屈折率よりも大きいと、光反射性絶縁粒子とそれを取り巻く熱硬化性樹脂組成物の硬化物との界面での光反射量が増大するからである。具体的には、光反射性粒子の屈折率(JIS K7142)から、熱硬化性樹脂組成物の硬化物の屈折率(JIS K7142)を差し引いた差が、好ましくは0.02以上、より好ましくは0.2以上であることが望まれる。なお、通常、エポキシ樹脂を主体とする熱硬化性樹脂組成物の屈折率は約1.5である。
<発光装置>
 次に、本発明の発光装置について図2を参照しながら説明する。発光装置200は、基板21上の接続端子22と、発光素子としてLED素子23のn電極24とp電極25とのそれぞれに形成された接続用のバンプ26との間に、前述の本発明の光反射性異方性導電接着剤を塗布し、基板21とLED素子23とがフリップチップ実装されている発光装置である。ここで、光反射性異方性導電接着剤の硬化物100は、光反射性絶縁粒子と導電粒子(好ましくは光反射性導電粒子10)とが熱硬化性樹脂組成物の硬化物11中に分散してなるものである。なお、必要に応じて、LED素子23の全体を覆うように透明モールド樹脂で封止してもよい。また、LED素子23に従来と同様に光反射層を設けてもよい。
 このように構成されている発光装置200においては、LED素子23の発した光のうち、基板21側に向かって発した光は、光反射性異方性導電接着剤の硬化物100中の光反射性絶縁粒子と、場合により光反射性導電粒子10とで反射し、LED素子23の上面から出射する。従って、発光効率の低下を防止することができる。
 本発明の発光装置200における光反射性異方性導電接着剤以外の構成(LED素子23、バンプ26、基板21、接続端子22等)は、従来の発光装置の構成と同様とすることができる。また、本発明の発光装置200は、本発明の光反射性異方性導電接着剤を使用すること以外は、従来の異方性導電接続技術を利用して製造することができる。なお、発光素子としては、LED素子の他、本発明の効果を損なわない範囲で公知の発光素子を適用することができる。
  参考例(ジグリシジルイソシアヌリル変性ポリシロキサンの製造)
 窒素気流中、還流冷却管と磁気撹拌子とを備えた100ml三口フラスコに、28.12g(100.00mmol)の1-アリル-3,5-ジグリシジルイソシアヌレート(MADGIC、四国化成工業(株))と、11.31g(40.0.2mmol)の1,1,3,3,5,5,7,7-テトラメチルシロキサン(SIO6702.0、Gelest Inc.)]とを投入し、混合物を80℃で均一に溶融するまで撹拌した。続いて、この溶融混合物に2%Karstedt触媒溶液(キシレン溶液)15μLを添加し、撹拌しながら100℃になるまで加熱し、溶融混合物の温度が100℃に到達してから、その温度を9時間保持して、1-アリル-3,5-ジグリシジルイソシアヌレートと1,1,3,3,5,5,7,7-テトラメチルシロキサンとを反応させた。
 反応終了後、反応混合物を冷却し、未反応モノマーを減圧下(150℃/0.1kPa)で留去し、残渣をカラムクロマトグラフィ(坦体:シリカゲル、溶出液;酢酸エチル/ヘキサン混合溶媒)で処理することにより、着色の少ない式(1a)のジグリシジルイソシアヌリル変性ポリシロキサンを得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000005
  実施例1-2,比較例1-3
 表1に示す配合組成の成分を均一に混合することにより光反射性異方性導電接着剤を調製した。
 なお、実施例1-2及び比較例1においては、エポキシ基/酸無水物の官能基数の比が1/1.1となるように、エポキシ化合物と酸無水物系硬化剤とを配合した。また、比較例2の異方性導電接着剤は、2液硬化型ジメチルシリコーン樹脂(IVS4742、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン社)に光反射性絶縁粒子と導電粒子とを配合したものであり、比較例3の異方性導電接着剤は、2液硬化型フェニルシリコーン樹脂(SCR-1012、信越化学工業(株))に、光反射性絶縁粒子と導電粒子とを配合したものである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
(評価)
 得られた光反射性異方性導電接着剤のダイシェア強度を以下に説明するように測定した。また、光反射性異方性導電接着剤から光反射性絶縁粒子と導電粒子とを除いた残りの熱硬化性樹脂組成物について、以下に説明するように、耐熱試験と耐熱光試験とを行った。得られた結果を表2に示す。
<ダイシェア強度試験>
 金バンプ(高10μm、径80μm、ピッチ190μm)が形成された10μm厚の銀ベタ電極を有するLED用ガラスエポキシ基板(特注品、関西電子工業(株))に、径が4mmとなるように硬化性樹脂組成物を塗布し、そこへ0.3mm角のフリップチップ型LED素子(GM35R460G、昭和電工(株))を載せ、フリップチップ型LED素子が表側となるようにガラスエポキシ基板を80℃に保持されたホットプレートに置き、2分間加熱してLED素子をLED用ガラスエポキシ基板に仮固定した。このLED素子が仮固定されたLED用ガラスエポキシ基板を熱圧着装置に適用し、LED素子に80gf/chipの圧力を印加しながら230℃で30秒間熱圧着処理を行うことにより、LED用ガラスエポキシ基板にLED素子が実装されたLED装置を作製した。実施例1又は比較例1の光反射性異方性導電接着剤を使用して作製したLED装置の場合、熱圧着処理後に更に260℃、20秒のリフロー処理を行った。
 このようにして作製したLED装置について、ダイシェア強度(gf/chip)を測定した。実用上、ダイシェア強度は少なくとも200gf/chip、好ましくは250gf/chip以上であることが望まれる。
<耐熱試験>
 1mm高さのスペーサが四隅に配置された2枚のアルミニウム平板(長100mm×幅50.0mm×厚0.500mm)で熱硬化性樹脂組成物を挟み、実施例1及び比較例1の熱硬化性樹脂組成物については、まず120℃で30分加熱し、続いて140℃で1時間加熱することにより硬化樹脂シートを作製した。また、比較例2及び3の熱硬化性樹脂組成物については、まず80℃で1時間加熱し、続いて150℃で2時間加熱することにより硬化樹脂シートを作製した。
 得られた硬化樹脂シートを、150℃に設定されたオーブン内に1000時間放置し、放置前後の分光特性(L、a、b)を、分光測色計(CM-3600d、コニカミノルタ(株))を用いて測定し、得られた測定値から色差(ΔE)を算出した。実用上、ΔEは35以下であることが望まれる。
<耐熱光試験>
 耐熱試験に供した硬化樹脂シートと同様の硬化樹脂シートを作製し、それを、温度120℃で光強度16mW/cmに設定された熱光試験機(スーパーウインミニ、ダイプラ・ウィンテス(株);メタルハライドランプ使用)内に1000時間放置し、放置前後の分光特性(L、a、b)を、分光測色計(CM-3600d、コニカミノルタ(株))を用いて測定し、得られた測定値から色差(ΔE)を算出した。実用上、ΔEは20以下であることが望まれる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
 表2から解るように、実施例1及び2の光反射性異方性導電接着剤は、ダイシェア強度、耐熱試験及び耐熱光試験の結果がいずれも実用上好ましいものであったが、比較例1の場合には、熱硬化性エポキシ樹脂組成物を使用しているため、ダイシェア強度については好ましい結果が得られたが、式(1a)のジグリシジルイソシアヌリル変性ポリシロキサンを使用していないため、耐熱試験に関し、満足できる結果が得られなかった。
 なお、比較例2及び3については、式(1a)のジグリシジルイソシアヌリル変性ポリシロキサンのみならず、熱硬化性エポキシ樹脂組成物を使用していないため、ダイシェア強度が著しく低く、耐熱試験、耐熱光試験をするまでもないものであった。
 本発明の光反射性異方性導電接着剤は、発光ダイオード(LED)素子等の発光素子を配線板に異方性導電接着剤を用いてフリップチップ実装して発光装置を製造する際に、製造コストの増大を招くような光反射層を発光素子に設けなくても、発光効率を低下させないようにすることができる。しかも、ダイシェア強度も高く維持でき、耐熱性、耐熱光性にも優れている。よって、本発明の光反射性異方性導電接着剤は、LED素子をフリップリップ実装する際に有用である。
1 コア粒子
2 無機粒子
3 光反射層
4 熱可塑性樹脂
10、20 光反射性導電粒子
11 熱硬化性樹脂組成物の硬化物
21 基板
22 接続端子
23 LED素子
24 n電極
25 p電極
26 バンプ
100 光反射性異方性導電接着剤の硬化物
200 発光装置
 

Claims (14)

  1.  発光素子を配線板に異方性導電接続するために使用する光反射性異方性導電接着剤であって、熱硬化性樹脂組成物、導電粒子及び光反射性絶縁粒子を含有し、熱硬化性樹脂組成物が、式(1)
    Figure JPOXMLDOC01-appb-I000001
    (式中、Rはアルキル基又はアリール基であり、nは1~40の数である。)
    で表されるジグリシジルイソシアヌリル変性ポリシロキサンと、エポキシ樹脂用硬化剤とを含有することを特徴とする光反射性異方性導電接着剤。
  2.  Rがメチル基であり、nが1~9の数である請求項1記載の光反射性異方性導電接着剤。
  3.  熱硬化性樹脂組成物が、式(1)のジグリシジルイソシアヌリル変性ポリシロキサン100質量部に対し、エポキシ樹脂用硬化剤を40~120質量部含有する請求項1又は2記載の光反射性異方性導電接着剤。
  4.  エポキシ樹脂用硬化剤が、酸無水物系硬化剤である請求項1~3のいずれかに記載の光反射性異方性導電接着剤。
  5.  熱硬化性樹脂組成物が、更にイミダゾール系硬化促進剤を含有する請求項4記載の光反射性異方性導電接着剤。
  6.  熱硬化性樹脂組成物が、酸無水物系硬化剤100質量部に対し、イミダゾール系硬化促進剤を0.60~3.00質量部含有する請求項5記載の光反射性異方性導電接着剤。
  7.  光反射性絶縁粒子が、酸化チタン粒子、窒化ホウ素粒子、酸化亜鉛粒子及び酸化アルミニウム粒子からなる群より選択される少なくとも一種の無機粒子である請求項1~6のいずれかに記載の光反射性異方性導電接着剤。
  8.  光反射性絶縁粒子の屈折率(JIS K7142)が、熱硬化性樹脂組成物の硬化物の屈折率(JIS K7142)よりも大きい請求項1~7のいずれかに記載の光反射性異方性導電接着剤。
  9.  光反射性絶縁粒子が、鱗片状又は球状金属粒子の表面を絶縁性樹脂で被覆した樹脂被覆金属粒子である請求項1~8のいずれかに記載の光反射性異方性導電接着剤。
  10.  光反射性異方性導電接着剤が、光反射性絶縁粒子を1~50体積%で含有している請求項1~9のいずれかに記載の光反射性異方性導電接着剤。
  11.  導電粒子が、金属材料で被覆されているコア粒子と、その表面に酸化チタン粒子、窒化ホウ素粒子、酸化亜鉛粒子又は酸化アルミニウム粒子から選択された少なくとも一種の無機粒子から形成された光反射層とからなる光反射性導電粒子である請求項1~10のいずれかに記載の光反射性異方性導電接着剤。
  12.  熱硬化性樹脂組成物100質量部に対する光反射性導電粒子の配合量が、1~100質量部である請求項11記載の光反射性異方性導電接着剤。
  13.  請求項1~12のいずれかに記載の光反射性異方性導電接着剤を介して、発光素子をフリップチップ方式で配線板に実装されてなる発光装置。
  14.  発光素子が、発光ダイオードである請求項13記載の発光装置。
     
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9261213B2 (en) 2009-03-03 2016-02-16 Neoperl Gmbh Hose coupling
US9447904B2 (en) 2009-03-03 2016-09-20 Neoperl Gmbh Hose coupling
US9458958B2 (en) 2009-03-03 2016-10-04 Neoperl Gmbh Hose coupling
WO2017126538A1 (ja) * 2016-01-18 2017-07-27 株式会社ダイセル 新規ポリオルガノシロキシシルアルキレン、硬化性樹脂組成物及びその硬化物

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014095039A (ja) * 2012-11-09 2014-05-22 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱硬化性エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009203258A (ja) * 2008-02-26 2009-09-10 Nippon Steel Chem Co Ltd エポキシシリコーン樹脂を含む硬化性樹脂組成物
JP2009275206A (ja) * 2008-01-28 2009-11-26 Shin Etsu Chem Co Ltd ジグリシジルイソシアヌリル変性オルガノポリシロキサン及びそれを含む組成物
JP2010138380A (ja) * 2008-11-14 2010-06-24 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 熱硬化性樹脂組成物
JP2010285563A (ja) * 2009-06-12 2010-12-24 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 光半導体素子封止用樹脂組成物
JP2011134960A (ja) * 2009-12-25 2011-07-07 Hitachi Chem Co Ltd 半導体装置、その製造法、半導体素子接続用配線基材、半導体装置搭載配線板及びその製造法
JP2011168701A (ja) * 2010-02-18 2011-09-01 Nitto Denko Corp 光半導体素子封止用熱硬化性樹脂組成物およびその硬化体、ならびにそれを用いて得られる光半導体装置
JP2011184509A (ja) * 2010-03-05 2011-09-22 Nippon Steel Chem Co Ltd 液状エポキシシリコーン樹脂組成物
JP2011219576A (ja) * 2010-04-07 2011-11-04 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 光半導体封止用エポキシ組成物
WO2011155348A1 (ja) * 2010-06-09 2011-12-15 ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 光反射性異方性導電ペースト及び発光装置
JP2012001570A (ja) * 2010-06-14 2012-01-05 Nippon Steel Chem Co Ltd エポキシシリコーン樹脂含有硬化性樹脂組成物
JP2012052029A (ja) * 2010-09-01 2012-03-15 Shin-Etsu Chemical Co Ltd ダイボンド剤及び光半導体装置
JP2012057006A (ja) * 2010-09-07 2012-03-22 Shin-Etsu Chemical Co Ltd エポキシ樹脂組成物、その製造方法、並びに、それを用いた半導体装置
JP2012077219A (ja) * 2010-10-04 2012-04-19 Nippon Steel Chem Co Ltd エポキシシリコーン樹脂含有硬化性樹脂組成物
JP2013131464A (ja) * 2011-12-22 2013-07-04 Shin Etsu Chem Co Ltd 太陽電池素子用導電性樹脂組成物

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI301331B (en) * 2006-05-17 2008-09-21 Epistar Corp Light emitting device
JP2008174640A (ja) * 2007-01-18 2008-07-31 Sekisui Chem Co Ltd 光半導体用熱硬化性組成物、光半導体素子用ダイボンド材、光半導体素子用アンダーフィル材、光半導体素子用封止剤及び光半導体素子
JP5617210B2 (ja) * 2009-09-14 2014-11-05 デクセリアルズ株式会社 光反射性異方性導電接着剤及び発光装置
JP5402804B2 (ja) * 2010-04-12 2014-01-29 デクセリアルズ株式会社 発光装置の製造方法

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009275206A (ja) * 2008-01-28 2009-11-26 Shin Etsu Chem Co Ltd ジグリシジルイソシアヌリル変性オルガノポリシロキサン及びそれを含む組成物
JP2009203258A (ja) * 2008-02-26 2009-09-10 Nippon Steel Chem Co Ltd エポキシシリコーン樹脂を含む硬化性樹脂組成物
JP2010138380A (ja) * 2008-11-14 2010-06-24 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 熱硬化性樹脂組成物
JP2010285563A (ja) * 2009-06-12 2010-12-24 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 光半導体素子封止用樹脂組成物
JP2011134960A (ja) * 2009-12-25 2011-07-07 Hitachi Chem Co Ltd 半導体装置、その製造法、半導体素子接続用配線基材、半導体装置搭載配線板及びその製造法
JP2011168701A (ja) * 2010-02-18 2011-09-01 Nitto Denko Corp 光半導体素子封止用熱硬化性樹脂組成物およびその硬化体、ならびにそれを用いて得られる光半導体装置
JP2011184509A (ja) * 2010-03-05 2011-09-22 Nippon Steel Chem Co Ltd 液状エポキシシリコーン樹脂組成物
JP2011219576A (ja) * 2010-04-07 2011-11-04 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 光半導体封止用エポキシ組成物
WO2011155348A1 (ja) * 2010-06-09 2011-12-15 ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 光反射性異方性導電ペースト及び発光装置
JP2012001570A (ja) * 2010-06-14 2012-01-05 Nippon Steel Chem Co Ltd エポキシシリコーン樹脂含有硬化性樹脂組成物
JP2012052029A (ja) * 2010-09-01 2012-03-15 Shin-Etsu Chemical Co Ltd ダイボンド剤及び光半導体装置
JP2012057006A (ja) * 2010-09-07 2012-03-22 Shin-Etsu Chemical Co Ltd エポキシ樹脂組成物、その製造方法、並びに、それを用いた半導体装置
JP2012077219A (ja) * 2010-10-04 2012-04-19 Nippon Steel Chem Co Ltd エポキシシリコーン樹脂含有硬化性樹脂組成物
JP2013131464A (ja) * 2011-12-22 2013-07-04 Shin Etsu Chem Co Ltd 太陽電池素子用導電性樹脂組成物

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9261213B2 (en) 2009-03-03 2016-02-16 Neoperl Gmbh Hose coupling
US9447904B2 (en) 2009-03-03 2016-09-20 Neoperl Gmbh Hose coupling
US9458958B2 (en) 2009-03-03 2016-10-04 Neoperl Gmbh Hose coupling
WO2017126538A1 (ja) * 2016-01-18 2017-07-27 株式会社ダイセル 新規ポリオルガノシロキシシルアルキレン、硬化性樹脂組成物及びその硬化物

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