JP5579412B2 - インバータ及びその動作方法並びにインバータを含む論理回路 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 9
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 claims 10
- 102000004129 N-Type Calcium Channels Human genes 0.000 claims 1
- 108090000699 N-Type Calcium Channels Proteins 0.000 claims 1
- OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegallium Chemical compound [Te]=[Ga] OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 102100036464 Activated RNA polymerase II transcriptional coactivator p15 Human genes 0.000 description 5
- 101000713904 Homo sapiens Activated RNA polymerase II transcriptional coactivator p15 Proteins 0.000 description 5
- 229910004444 SUB1 Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 102000003814 Interleukin-10 Human genes 0.000 description 3
- 108090000174 Interleukin-10 Proteins 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004438 SUB2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 101150080287 SUB3 gene Proteins 0.000 description 2
- 101100311330 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) uap56 gene Proteins 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 101150018444 sub2 gene Proteins 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005265 GaInZnO Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007717 ZnSnO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052795 boron group element Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001849 group 12 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021476 group 6 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052696 pnictogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
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- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
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- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Shift Register Type Memory (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
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Description
2000 増加型の駆動トランジスタ
A 活性層
C チャンネル領域
D ドレイン領域
S ソース領域
T 駆動トランジスタ
BG ボトムゲート
GI ゲート絶縁層
IL 絶縁層
IV インバータ
TG トップゲート
SUB 基板
VDD 電源
Vin 入力端子
Vout 出力端子
Claims (20)
- 負荷トランジスタと、
前記負荷トランジスタと連結された駆動トランジスタとを含み、
前記負荷トランジスタ及び前記駆動トランジスタのうち、一つはダブルゲート構造を有し、もう一つはシングルゲート構造を有し、
前記負荷トランジスタと前記駆動トランジスタの各チャンネル層は、ZnO系の酸化物半導体を含み、
前記負荷トランジスタと前記駆動トランジスタの各チャンネル層はn型チャンネル層であり、前記負荷トランジスタと前記駆動トランジスタは全てn−チャンネルトランジスタであり、
前記負荷トランジスタのチャンネル層と前記駆動トランジスタのチャンネル層とは同一基板上に同一物質で形成された層構造を有し、
前記ダブルゲートのトップゲートは、それに対応するチャンネル層と接触せずに離隔して存在する
ことを特徴とするインバータ。 - 前記負荷トランジスタは、空乏型であり、前記駆動トランジスタは、前記ダブルゲート構造を有する増加型である
ことを特徴とする請求項1に記載のインバータ。 - 前記負荷トランジスタは、前記ダブルゲート構造を有する空乏型であり、前記駆動トランジスタは、増加型である
ことを特徴とする請求項1に記載のインバータ。 - 前記負荷トランジスタ及び前記駆動トランジスタは、酸化物薄膜トランジスタである
ことを特徴とする請求項1に記載のインバータ。 - 前記負荷トランジスタ及び前記駆動トランジスタは、トップゲート構造のトランジスタを含み、
前記負荷トランジスタ及び前記駆動トランジスタのうち一つは、前記トップゲート構造のトランジスタの下に、ボトムゲートをさらに含む
ことを特徴とする請求項1に記載のインバータ。 - 前記負荷トランジスタ及び前記駆動トランジスタは、チャンネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有する活性層を含む
ことを特徴とする請求項5に記載のインバータ。 - 前記負荷トランジスタ及び前記駆動トランジスタは、チャンネル層、前記チャンネル層の一端に接触されたソース層及び前記チャンネル層の他端に接触されたドレイン層を含む
ことを特徴とする請求項5に記載のインバータ。 - 前記負荷トランジスタ及び前記駆動トランジスタは、ボトムゲート構造のトランジスタを含み、
前記負荷トランジスタ及び前記駆動トランジスタのうち一つは、前記ボトムゲート構造のトランジスタ上側に、トップゲートをさらに含む
ことを特徴とする請求項1に記載のインバータ。 - 前記負荷トランジスタ及び前記駆動トランジスタのうち、前記ダブルゲート構造を有するトランジスタの2つのゲートは、互いに分離された
ことを特徴とする請求項1に記載のインバータ。 - 前記負荷トランジスタ及び前記駆動トランジスタのうち、前記ダブルゲート構造を有するトランジスタの2つのゲートは、電気的に互いに連結された
ことを特徴とする請求項1に記載のインバータ。 - 請求項1ないし請求項10のうち、いずれか1項に記載のインバータを複数個含む論理回路。
- 前記各インバータの前記負荷トランジスタ及び前記駆動トランジスタは、トップゲート構造のトランジスタを含み、前記負荷トランジスタ及び前記駆動トランジスタのうち一つは、前記トップゲート構造のトランジスタの下に、ボトムゲートをさらに含み、
前記各インバータで、前記ボトムゲートは、それに対応するトップゲートと互いに分離され、
前記ボトムゲートは、電気的に互いに連結された
ことを特徴とする請求項11に記載の論理回路。 - 前記各インバータの前記負荷トランジスタ及び前記駆動トランジスタは、ボトムゲート構造のトランジスタを含み、前記負荷トランジスタ及び前記駆動トランジスタのうち一つは、前記ボトムゲート構造のトランジスタ上側に、トップゲートをさらに含み、
前記各インバータで、前記トップゲートは、それに対応するボトムゲートと互いに分離され、
前記トップゲートは、電気的に互いに連結された
ことを特徴とする請求項11に記載の論理回路。 - 前記論理回路はNAND回路、NOR回路、エンコーダ、デコーダ、MUX、DEMUX及びセンスアンプのうち、少なくとも一つを含む
ことを特徴とする請求項11に記載の論理回路。 - 請求項1ないし請求項10のうち、いずれか1項に記載のインバータの動作方法において、
前記負荷トランジスタ及び前記駆動トランジスタのうち、前記ダブルゲート構造を有するトランジスタのスレショルド電圧を変化させる段階を含む
ことを特徴とするインバータの動作方法。 - 前記スレショルド電圧を変化させる段階は、前記ダブルゲート構造を有するトランジスタの2つのゲートのうち、少なくとも一つに電圧を印加する段階を含む
ことを特徴とする請求項15に記載のインバータの動作方法。 - 前記ダブルゲート構造を有するトランジスタが前記駆動トランジスタであるとき、
前記スレショルド電圧を変化させる段階は、前記駆動トランジスタの2つのゲートのうち、いずれか一つに負(−)の電圧を印加する段階を含む
ことを特徴とする請求項16に記載のインバータの動作方法。 - 前記ダブルゲート構造を有するトランジスタが前記駆動トランジスタであるとき、
前記スレショルド電圧を変化させる段階は、前記駆動トランジスタの2つのゲートに、正(+)の電圧を印加する段階を含む
ことを特徴とする請求項16に記載のインバータの動作方法。 - 前記ダブルゲート構造を有するトランジスタが前記負荷トランジスタであるとき、
前記スレショルド電圧を変化させる段階は、前記負荷トランジスタの2つのゲートのうち、いずれか一つに正(+)の電圧を印加する段階を含む
ことを特徴とする請求項16に記載のインバータの動作方法。 - 前記スレショルド電圧を調節する段階後、前記インバータに正常動作電圧を印加する段階をさらに含む
ことを特徴とする請求項15に記載のインバータの動作方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080096721A KR101623958B1 (ko) | 2008-10-01 | 2008-10-01 | 인버터 및 그의 동작방법과 인버터를 포함하는 논리회로 |
KR10-2008-0096721 | 2008-10-01 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010087518A JP2010087518A (ja) | 2010-04-15 |
JP5579412B2 true JP5579412B2 (ja) | 2014-08-27 |
Family
ID=41508285
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009227723A Active JP5579412B2 (ja) | 2008-10-01 | 2009-09-30 | インバータ及びその動作方法並びにインバータを含む論理回路 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7940085B2 (ja) |
EP (1) | EP2172972B1 (ja) |
JP (1) | JP5579412B2 (ja) |
KR (1) | KR101623958B1 (ja) |
CN (1) | CN101714870B (ja) |
Families Citing this family (90)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2118268B1 (en) * | 2007-01-10 | 2015-07-08 | Hemoshear, LLC | Use of an in vitro hemodynamic endothelial/smooth muscle cell co-culture model to identify new therapeutic targets for vascular disease |
EP2172977A1 (en) | 2008-10-03 | 2010-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US8106400B2 (en) | 2008-10-24 | 2012-01-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR102469154B1 (ko) | 2008-10-24 | 2022-11-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
TWI617029B (zh) | 2009-03-27 | 2018-03-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
KR101476817B1 (ko) | 2009-07-03 | 2014-12-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 트랜지스터를 갖는 표시 장치 및 그 제작 방법 |
CN107195328B (zh) * | 2009-10-09 | 2020-11-10 | 株式会社半导体能源研究所 | 移位寄存器和显示装置以及其驱动方法 |
EP2320454A1 (en) * | 2009-11-05 | 2011-05-11 | S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies | Substrate holder and clipping device |
KR102378013B1 (ko) * | 2009-11-06 | 2022-03-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
KR102484475B1 (ko) | 2009-11-06 | 2023-01-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
KR101113370B1 (ko) * | 2009-11-11 | 2012-02-29 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막트랜지스터 및 이를 구비한 유기전계 발광 표시장치 |
KR101754704B1 (ko) | 2009-11-20 | 2017-07-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 불휘발성 래치 회로와 논리 회로, 및 이를 사용한 반도체 장치 |
KR20170100065A (ko) | 2009-12-04 | 2017-09-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
FR2957193B1 (fr) | 2010-03-03 | 2012-04-20 | Soitec Silicon On Insulator | Cellule a chemin de donnees sur substrat seoi avec grille de controle arriere enterree sous la couche isolante |
FR2953636B1 (fr) * | 2009-12-08 | 2012-02-10 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de commande d'une cellule memoire dram sur seoi disposant d'une seconde grille de controle enterree sous la couche isolante |
FR2953643B1 (fr) * | 2009-12-08 | 2012-07-27 | Soitec Silicon On Insulator | Cellule memoire flash sur seoi disposant d'une seconde grille de controle enterree sous la couche isolante |
FR2953641B1 (fr) * | 2009-12-08 | 2012-02-10 | S O I Tec Silicon On Insulator Tech | Circuit de transistors homogenes sur seoi avec grille de controle arriere enterree sous la couche isolante |
US8508289B2 (en) * | 2009-12-08 | 2013-08-13 | Soitec | Data-path cell on an SeOI substrate with a back control gate beneath the insulating layer |
CN102714180B (zh) | 2009-12-11 | 2015-03-25 | 株式会社半导体能源研究所 | 非易失性锁存电路和逻辑电路以及使用它们的半导体器件 |
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FR2955204B1 (fr) | 2010-01-14 | 2012-07-20 | Soitec Silicon On Insulator | Cellule memoire dram disposant d'un injecteur bipolaire vertical |
FR2955203B1 (fr) | 2010-01-14 | 2012-03-23 | Soitec Silicon On Insulator | Cellule memoire dont le canal traverse une couche dielectrique enterree |
FR2955195B1 (fr) * | 2010-01-14 | 2012-03-09 | Soitec Silicon On Insulator | Dispositif de comparaison de donnees dans une memoire adressable par contenu sur seoi |
FR2955200B1 (fr) | 2010-01-14 | 2012-07-20 | Soitec Silicon On Insulator | Dispositif, et son procede de fabrication, disposant d'un contact entre regions semi-conductrices a travers une couche isolante enterree |
FR2957186B1 (fr) * | 2010-03-08 | 2012-09-28 | Soitec Silicon On Insulator | Cellule memoire de type sram |
FR2957449B1 (fr) | 2010-03-11 | 2022-07-15 | S O I Tec Silicon On Insulator Tech | Micro-amplificateur de lecture pour memoire |
FR2958441B1 (fr) | 2010-04-02 | 2012-07-13 | Soitec Silicon On Insulator | Circuit pseudo-inverseur sur seoi |
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EP2381470B1 (en) | 2010-04-22 | 2012-08-22 | Soitec | Semiconductor device comprising a field-effect transistor in a silicon-on-insulator structure |
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2008
- 2008-10-01 KR KR1020080096721A patent/KR101623958B1/ko active IP Right Grant
-
2009
- 2009-09-17 US US12/585,557 patent/US7940085B2/en active Active
- 2009-09-29 CN CN200910175707.5A patent/CN101714870B/zh active Active
- 2009-09-30 EP EP09171836.1A patent/EP2172972B1/en active Active
- 2009-09-30 JP JP2009227723A patent/JP5579412B2/ja active Active
-
2011
- 2011-03-29 US US13/064,492 patent/US8217680B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010087518A (ja) | 2010-04-15 |
EP2172972A3 (en) | 2011-12-21 |
US8217680B2 (en) | 2012-07-10 |
KR101623958B1 (ko) | 2016-05-25 |
EP2172972A2 (en) | 2010-04-07 |
US20100079169A1 (en) | 2010-04-01 |
EP2172972B1 (en) | 2014-04-23 |
US20110175647A1 (en) | 2011-07-21 |
US7940085B2 (en) | 2011-05-10 |
CN101714870B (zh) | 2014-04-09 |
CN101714870A (zh) | 2010-05-26 |
KR20100037407A (ko) | 2010-04-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120807 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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