JP5441090B2 - 半導体装置及びその形成方法 - Google Patents
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Description
一方、前記上部及び中部マスクパターンは、前記周辺キャッピングパターン、前記周辺上部ゲート、及びセルスペーサパターンを形成する間に下部マスクパターンから除去される。そして、前記限定パターン及び周辺ゲートパターンを形成する工程は、前記下部マスクパターン及び前記セルスペーサパターンをエッチングマスクとして用いて前記周辺下部導電膜をエッチングし、前記周辺上部ゲートの下に前記周辺下部ゲートを形成する工程を更に含む。
一方、前記上部及び中部マスクパターンは、前記ダミーキャッピングパターン、前記ダミー上部ゲート、前記周辺キャッピングパターン、及び前記周辺上部ゲートを形成する間に前記下部マスクパターンから除去される。そして、前記限定パターン及び周辺ゲートパターンを形成する工程は、前記下部マスクパターンをエッチングマスクとして用いて前記周辺下部導電膜をエッチングし、前記ダミー上部ゲートの下にダミー下部ゲート、及び前記周辺上部ゲートの下に前記周辺下部ゲートを形成する工程を更に含む。
本発明の更に他の実施形態によれば、前記第1及び第2セルゲートパターン、及び前記周辺予備ゲートパターンを形成する工程は、前記半導体基板上に下部導電膜、上部導電膜、及びキャッピング膜を順に形成する工程と、前記キャッピング膜上にフォトレジストパターンを形成する工程と、を含む。ここで、該フォトレジストパターン中の一部は前記セルアレイ領域に位置して前記第1及び第2セルゲートパターンとそれぞれ重なる。そして、前記フォトレジストパターン中の残りは前記周辺回路領域を覆って前記周辺予備ゲートパターンと重なるように形成される。
そして、前記第1及び第2セルゲートパターン、及び前記周辺予備ゲートパターンを形成する工程は、前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて前記キャッピング膜、前記上部導電膜、及び前記下部導電膜を順にエッチングする工程と、前記フォトレジストパターンを前記半導体基板から除去する工程と、を更に含む。
前記マスクパターンを形成する工程は、前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて前記上部及び中部マスク膜をエッチングして上部及び中部マスクパターンを形成し、前記フォトレジストパターンを、前記中部マスクパターンを形成する間に前記上部マスクパターンから除去する工程と、前記上部及び中部マスクパターンをエッチングマスクとして用いて前記下部マスク膜をエッチングして下部マスクパターンを形成する工程と、を更に含む。
一方、前記上部及び中部マスクパターンは、前記他のセル上部ゲート、前記他のセルキャッピングパターン、前記周辺上部ゲート、及び前記周辺キャッピングパターンを形成する間に前記下部マスクパターンから除去される。また、前記第2セルゲートパターン及び周辺ゲートパターンを形成する工程は、前記下部マスクパターンをエッチングマスクとして用いて前記周辺下部導電膜をエッチングし、前記他のセル下部ゲート及び前記周辺下部ゲートを形成する工程を更に含む。
本発明の更に他の実施形態によれば、前記平坦化絶縁パターンを形成する工程は、前記第2セルゲートパターンと前記周辺ゲートパターンとの間を埋め込んで前記周辺スペーサ及び前記下部マスク膜を覆う平坦化絶縁膜を形成する工程と、前記第1及び第2セルゲートパターン、前記周辺ゲートパターン、及び前記埋め込み絶縁パターンを露出させるように前記平坦化絶縁膜、前記下部マスクパターン、及び前記周辺スペーサ上に平坦化工程を遂行する工程と、を含む。
本発明の更に他の実施形態によれば、前記第1セルゲートパターン及び前記周辺予備ゲートパターンを形成する工程は、前記半導体基板上に下部導電膜、上部導電膜、及びキャッピング膜を順に形成する工程と、前記キャッピング膜上にフォトレジストパターンを形成する工程と、を含む。ここで、該フォトレジストパターン中の一つは前記セルアレイ領域に位置して前記第1セルゲートパターンと重なる。前記フォトレジストパターン中の残りは前記周辺回路領域を覆って前記周辺予備ゲートパターンと重なるように形成される。
そして、前記第1セルゲートパターン及び前記周辺予備ゲートパターンを形成する工程は、前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて前記キャッピング膜、前記上部導電膜、及び前記下部導電膜を順にエッチングする工程と、前記フォトレジストパターンを前記半導体基板から除去する工程と、を更に含む。
図1は、本発明の実施形態による半導体装置の一例を示す配置図であり、図2、図14及び図16は、それぞれ、図1の切断線I−I’による本発明のそれぞれ異なる実施形態による半導体装置を示す断面図である。そして、図2、図14及び図16の同じ参照番号は、同様の構成要素を示す。
P 周辺回路領域
5 半導体基板
10 素子分離膜
14 セル活性領域
16 ダミー活性領域
18 周辺活性領域
25 ゲート絶縁膜
32 下部導電膜
34 セル下部ゲート
38 周辺下部ゲート
39 ダミー下部ゲート
42 上部導電膜
44 セル上部ゲート
46 周辺上部導電膜
48 周辺上部ゲート
49 ダミー上部ゲート
53 セルゲート
56 周辺ゲート
59 ダミーゲート
62 キャッピング膜
63 セルキャッピングパターン
66 周辺キャッピング膜
67 周辺予備ゲートパターン
68 周辺キャッピングパターン
69 ダミーキャッピングパターン
73 第1セルゲートパターン
74 第2セルゲートパターン
76 周辺ゲートパターン
79 ダミーゲートパターン
84 セルスペーサ
88 セルスペーサパターン
89 限定パターン
94 セルエッチングバッファ膜
98 セルエッチングバッファパターン
104 埋め込み絶縁膜
108 埋め込み絶縁パターン
114 セル埋め込みホール
118 セルゲート電気ノード
124 下部マスク膜
128 下部マスクパターン
133 低濃度不純物拡散領域
134 中部マスク膜
136 高濃度不純物拡散領域
138 中部マスクパターン
139 不純物拡散領域
144 上部マスク膜
144a 周辺スペーサ
148 周辺スペーサパターン
154 周辺エッチングバッファ膜
158 周辺エッチングバッファパターン
164 平坦化絶縁膜
168 平坦化絶縁パターン
174 周辺埋め込みホール
178 周辺ゲート電気ノード
183、186、189 半導体装置
Claims (18)
- セルアレイ領域及び周辺回路領域を有する半導体基板と、
前記セルアレイ領域に配置され、前記セルアレイ領域の中心からその領域の外部に向かって順に配列される第1及び第2セルゲートパターンと、
前記周辺回路領域に配置される周辺ゲートパターンと、
前記セルアレイ領域と周辺回路領域との間に配置されて前記セルアレイ領域を囲む限定パターンと、
前記第1セルゲートパターンの周辺、前記第1セルゲートパターンと前記第2セルゲートパターンとの間、及び前記第2セルゲートパターンと前記限定パターンとの間に位置する埋め込み絶縁パターンと、
前記限定パターンと前記周辺ゲートパターンとの間、及び前記周辺ゲートパターンの周辺に位置する平坦化絶縁パターンと、
前記セルアレイ領域及び前記周辺回路領域に配置されて前記セルアレイ領域のセル活性領域及び前記周辺回路領域の周辺活性領域を画定する素子分離膜と、を備え、
前記第1及び第2セルゲートパターンのそれぞれは順に積層されたセル下部ゲート、セル上部ゲート、及びセルキャッピングパターンを有し、前記第1及び第2セルゲートパターンは前記セル活性領域及び前記素子分離膜上にそれぞれ位置し、前記周辺ゲートパターンは前記周辺活性領域上に位置するように順に積層された周辺下部ゲート、周辺上部ゲート、及び周辺キャッピングパターンを有し、
前記第1及び第2セルゲートパターンの側壁にそれぞれ配置されるセルスペーサと、
前記周辺ゲートパターンの側壁に配置される周辺スペーサパターンと、
前記第2セルゲートパターンと前記周辺ゲートパターンとの間に位置して埋め込み絶縁パターン及び平坦化絶縁パターンと接触する他の周辺スペーサパターンを更に備え、
前記限定パターンは前記第2セルゲートパターンと前記周辺ゲートパターンとの間の前記素子分離膜上に位置するセルスペーサパターンであり、該セルスペーサパターンは前記他の周辺スペーサパターンの下に位置することを特徴とする半導体装置。 - セルアレイ領域及び周辺回路領域を有する半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板上に第1及び第2セルゲートパターン、及び周辺予備ゲートパターンを形成し、前記第1及び第2セルゲートパターンは前記セルアレイ領域に形成され、前記周辺予備ゲートパターンは前記第2セルゲートパターンの隣に前記セルアレイ領域を囲むように前記周辺回路領域に形成される工程と、
前記第1及び第2セルゲートパターン、及び前記周辺予備ゲートパターンの側壁にセルスペーサをそれぞれ形成する工程と、
前記第1セルゲートパターンの周辺、前記第1及び第2セルゲートパターン、及び前記周辺予備ゲートパターン間に埋め込み絶縁パターンを形成する工程と、
前記第1及び第2セルゲートパターン、及び前記周辺予備ゲートパターン上にマスクパターンを形成する工程と、
前記マスクパターンに整列するように前記セルアレイ領域と前記周辺回路領域との間に限定パターン、及び前記周辺回路領域に周辺ゲートパターンを形成し、前記限定パターンは前記第2セルゲートパターンと前記周辺ゲートパターンとの間に位置するように形成される工程と、
前記周辺ゲートパターンを囲む平坦化絶縁パターンを形成する工程と、
前記セルアレイ領域のセル活性領域、及び前記周辺回路領域の周辺活性領域を画定する素子分離膜を形成する工程と、を有し、
前記第1及び第2セルゲートパターンは前記セル活性領域及び前記素子分離膜上にそれぞれ形成され、前記第1及び第2セルゲートパターンのそれぞれは順に積層されたセル下部ゲート、セル上部ゲート、及びセルキャッピングパターンを有するように形成され、前記周辺ゲートパターンは前記周辺活性領域上に位置して順に積層された周辺下部ゲート、周辺上部ゲート、及び周辺キャッピングパターンを有するように形成され、前記周辺予備ゲートパターンは前記素子分離膜及び前記周辺活性領域上に位置して順に積層された周辺下部導電膜、周辺上部導電膜、及び周辺キャッピング膜を有するように形成され、
前記マスクパターンを形成する工程は、
前記第1及び第2セルゲートパターン、前記周辺予備ゲートパターン、前記埋め込み絶縁パターン、及び前記セルスペーサを覆う下部マスク膜、中部マスク膜、及び上部マスク膜を順に形成する工程と、
前記上部マスク膜上にフォトレジストパターンを形成し、該フォトレジストパターン中の一つは前記セルアレイ領域を覆いながら前記第2セルゲートパターンと前記周辺予備ゲートパターンとの間に端が位置し、前記フォトレジストパターン中の他の一つは前記周辺回路領域に位置して前記周辺活性領域と重なるように形成する工程と、
前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて前記上部及び中部マスク膜を順にエッチングして上部及び中部マスクパターンを形成し、前記フォトレジストパターンを、前記中部マスクパターンを形成する間に前記上部マスクパターンから除去する工程と、
前記上部及び中部マスクパターンをエッチングマスクとして用いて前記下部マスク膜をエッチングして下部マスクパターンを形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の形成方法。 - 前記限定パターン及び前記周辺ゲートパターンを形成する工程は、
前記上部、中部及び下部マスクパターンをエッチングマスクとして用いて前記セルアレイ領域で前記セルスペーサを部分的にエッチングし、前記限定パターンでセルスペーサパターンを形成する工程と、
前記上部、中部及び下部マスクパターンをエッチングマスクとして用いて前記周辺回路領域で前記周辺キャッピング膜及び前記周辺上部導電膜をエッチングし、前記周辺キャッピングパターン及び前記周辺上部ゲートを前記セルスペーサパターンと共に同時に形成し、前記上部及び中部マスクパターンを、前記周辺キャッピングパターン、前記周辺上部ゲート、及び前記セルスペーサパターンを形成する間に前記下部マスクパターンから除去する工程と、
前記下部マスクパターン及び前記セルスペーサパターンをエッチングマスクとして用いて前記周辺下部導電膜をエッチングし、前記周辺上部ゲートの下に前記周辺下部ゲートを形成する工程と、
を含むことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の形成方法。 - 前記セルアレイ領域の前記限定パターン上に位置するように選択された下部マスクパターン及び前記埋め込み絶縁パターンの側壁、及び前記周辺回路領域に位置するように他の下部マスクパターン及び前記周辺ゲートパターンの側壁に周辺スペーサを形成する工程を更に有することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の形成方法。
- 前記平坦化絶縁パターンを形成する工程は、
前記第2セルゲートパターンと前記周辺ゲートパターンとの間を埋め込んで前記周辺スペーサ及び前記下部マスク膜を覆う平坦化絶縁膜を形成する工程と、
前記第1及び第2セルゲートパターン、前記周辺ゲートパターン、及び前記埋め込み絶縁パターンを露出させるように前記平坦化絶縁膜、前記下部マスクパターン、及び前記周辺スペーサ上に平坦化工程を遂行する工程と、
を含むことを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の形成方法。 - セルアレイ領域及び周辺回路領域を有する半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板上に第1及び第2セルゲートパターン、及び周辺予備ゲートパターンを形成し、前記第1及び第2セルゲートパターンは前記セルアレイ領域に形成され、前記周辺予備ゲートパターンは前記第2セルゲートパターンの隣に前記セルアレイ領域を囲むように前記周辺回路領域に形成される工程と、
前記第1及び第2セルゲートパターン、及び前記周辺予備ゲートパターンの側壁にセルスペーサをそれぞれ形成する工程と、
前記第1セルゲートパターンの周辺、前記第1及び第2セルゲートパターン、及び前記周辺予備ゲートパターン間に埋め込み絶縁パターンを形成する工程と、
前記第1及び第2セルゲートパターン、及び前記周辺予備ゲートパターン上にマスクパターンを形成する工程と、
前記マスクパターンに整列するように前記セルアレイ領域と前記周辺回路領域との間に限定パターン、及び前記周辺回路領域に周辺ゲートパターンを形成し、前記限定パターンは前記第2セルゲートパターンと前記周辺ゲートパターンとの間に位置するように形成される工程と、
前記周辺ゲートパターンを囲む平坦化絶縁パターンを形成する工程と、
前記セルアレイ領域のセル活性領域、及び前記周辺回路領域の周辺活性領域を画定する素子分離膜を形成する工程と、を有し、
前記第1及び第2セルゲートパターンは前記セル活性領域及び前記素子分離膜上にそれぞれ形成され、前記第1及び第2セルゲートパターンのそれぞれは順に積層されたセル下部ゲート、セル上部ゲート、及びセルキャッピングパターンを有するように形成され、前記周辺ゲートパターンは前記周辺活性領域上に位置して順に積層された周辺下部ゲート、周辺上部ゲート、及び周辺キャッピングパターンを有するように形成され、前記周辺予備ゲートパターンは前記素子分離膜及び前記周辺活性領域上に位置して順に積層された周辺下部導電膜、周辺上部導電膜、及び周辺キャッピング膜を有するように形成され、
前記マスクパターンを形成する工程は、
前記第1及び第2セルゲートパターン、前記周辺予備ゲートパターン、前記埋め込み絶縁パターン、及び前記セルスペーサを覆う下部マスク膜、中部マスク膜、及び上部マスク膜を順に形成する工程と、
前記上部マスク膜上にフォトレジストパターンを形成し、該フォトレジストパターン中の一つは前記セルアレイ領域から延長されて前記周辺予備ゲートパターンと部分的に重なり、前記フォトレジストパターン中の他の一つは前記周辺回路領域に位置して前記周辺活性領域と重なるように形成する工程と、
前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて前記上部及び中部マスク膜を順にエッチングして上部及び中部マスクパターンを形成し、前記フォトレジストパターンを、前記中部マスクパターンを形成する間に前記上部マスクパターンから除去する工程と、
前記上部及び中部マスクパターンをエッチングマスクとして用いて前記下部マスク膜をエッチングして下部マスクパターンを形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の形成方法。 - 前記限定パターン及び前記周辺ゲートパターンを形成する工程は、
前記上部、中部及び下部マスクパターンをエッチングマスクとして用いて前記周辺キャッピング膜及び前記周辺上部導電膜をエッチングし、前記セルアレイ領域と前記周辺回路領域との間に順に積層されたダミー上部ゲート及びダミーキャッピングパターン、及び前記周辺回路領域に順に積層された前記周辺上部ゲート及び前記周辺キャッピングパターンを形成し、前記上部及び中部マスクパターンを、前記ダミーキャッピングパターン、前記ダミー上部ゲート、前記周辺キャッピングパターン、及び前記周辺上部ゲートを形成する間に前記下部マスクパターンから除去する工程と、
前記下部マスクパターンをエッチングマスクとして用いて前記周辺下部導電膜をエッチングし、前記ダミー上部ゲートの下にダミー下部ゲート、及び前記周辺上部ゲートの下に前記周辺下部ゲートを形成する工程と、
を含むことを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の形成方法。 - 前記セルアレイ領域に位置するように選択された下部マスクパターン及び前記ダミーゲートパターンの側壁、及び前記周辺回路領域に位置するように他の下部マスクパターン及び前記周辺ゲートパターンの側壁に周辺スペーサを形成する工程を更に有することを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の形成方法。
- 前記平坦化絶縁パターンを形成する工程は、
前記ダミーゲートパターンと前記周辺ゲートパターンとの間を埋め込んで前記周辺スペーサ及び前記下部マスク膜を覆う平坦化絶縁膜を形成する工程と、
前記第1及び第2セルゲートパターン、前記ダミーゲートパターン、前記周辺ゲートパターン、及び前記埋め込み絶縁パターンを露出させるように前記平坦化絶縁膜、前記下部マスクパターン、及び前記周辺スペーサ上に平坦化工程を遂行する工程と、
を含むことを特徴とする請求項8に記載の半導体装置の形成方法。 - 前記埋め込み絶縁パターンを形成する工程は、
前記第1及び第2セルゲートパターン、及び前記周辺予備ゲートパターン間を埋め込んで前記セルスペーサを覆うように埋め込み絶縁膜を形成する工程と、
前記第1及び第2セルゲートパターン、及び前記周辺予備ゲートパターンを露出させるように前記埋め込み絶縁膜上に平坦化工程を遂行する工程と、
を含むことを特徴とする請求項2または6に記載の半導体装置の形成方法。 - 前記第1及び第2セルゲートパターン、及び前記周辺予備ゲートパターンを形成する工程は、
前記半導体基板上に下部導電膜、上部導電膜、及びキャッピング膜を順に形成する工程と、
前記キャッピング膜上にフォトレジストパターンを形成し、該フォトレジストパターン中の一部は前記セルアレイ領域に位置して前記第1及び第2セルゲートパターンとそれぞれ重なり、前記フォトレジストパターン中の残りは前記周辺回路領域を覆って前記周辺予備ゲートパターンと重なるように形成する工程と、
前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて前記キャッピング膜、前記上部導電膜、及び前記下部導電膜を順にエッチングする工程と、
前記フォトレジストパターンを前記半導体基板から除去する工程と、
を含むことを特徴とする請求項10に記載の半導体装置の形成方法。 - セルアレイ領域及び周辺回路領域を有する半導体基板を準備する工程と、
前記セルアレイ領域に第1セルゲートパターン、及び該第1セルゲートパターンの隣に前記セルアレイ領域を囲むように前記周辺回路領域に周辺予備ゲートパターンを形成する工程と、
前記第1セルゲートパターン及び前記周辺予備ゲートパターンの側壁にセルスペーサをそれぞれ形成する工程と、
前記第1セルゲートパターンと前記周辺予備ゲートパターンとの間、及び前記第1セルゲートパターンの周辺に埋め込み絶縁パターンを形成する工程と、
前記第1セルゲートパターン及び前記周辺予備ゲートパターン上にマスクパターンを形成する工程と、
前記マスクパターンに整列するように、前記セルアレイ領域に第2セルゲートパターン、及び前記周辺回路領域に周辺ゲートパターンを形成する工程と、
前記第2セルゲートパターンと前記周辺ゲートパターンとの間、及び前記周辺ゲートパターンの周辺に平坦化絶縁パターンを形成する工程と、
前記セルアレイ領域のセル活性領域、及び前記周辺回路領域の周辺活性領域を画定する素子分離膜を形成する工程と、を有し、
前記第1及び第2セルゲートパターンは前記セル活性領域及び前記素子分離膜上にそれぞれ形成され、前記第1セルゲートパターンは順に積層されたセル下部ゲート、セル上部ゲート、及びセルキャッピングパターンを有するように形成され、前記第2セルゲートパターンは順に積層された他のセル下部ゲート、他のセル上部ゲート、及び他のセルキャッピングパターンを有するように形成され、前記周辺ゲートパターンは前記周辺活性領域上に位置して順に積層された周辺下部ゲート、周辺上部ゲート、及び周辺キャッピングパターンを有するように形成され、前記周辺予備ゲートパターンは前記素子分離膜及び前記周辺活性領域上に位置して順に積層された周辺下部導電膜、周辺上部導電膜、及び周辺キャッピング膜を有するように形成されることを特徴とする半導体装置の形成方法。 - 前記マスクパターンを形成する工程は、
前記第1セルゲートパターン、前記周辺予備ゲートパターン、前記埋め込み絶縁パター
ン、及び前記セルスペーサを覆う下部マスク膜、中部マスク膜、及び上部マスク膜を順に
形成する工程と、
前記上部マスク膜上にフォトレジストパターンを形成し、該フォトレジストパターン中
の一つは前記セルアレイ領域に位置して前記第1セルゲートパターンから延長されて前記
周辺予備ゲートパターンと部分的に重なり、前記フォトレジストパターン中の他の一つは
前記周辺回路領域に位置して前記周辺活性領域と重なるように形成する工程と、
前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて前記上部及び中部マスク
膜をエッチングして上部及び中部マスクパターンを形成し、前記フォトレジストパターン
を、前記中部マスクパターンを形成する間に前記上部マスクパターンから除去する工程と
、
前記上部及び中部マスクパターンをエッチングマスクとして用いて前記下部マスク膜を
エッチングして下部マスクパターンを形成する工程と、
を含むことを特徴とする請求項12に記載の半導体装置の形成方法。 - 前記第2セルゲートパターン及び前記周辺ゲートパターンを形成する工程は、
前記上部、中部及び下部マスクパターンをエッチングマスクとして用いて前記周辺キャ
ッピング膜及び前記周辺上部導電膜をエッチングし、前記セルアレイ領域に順に積層され
た前記他のセル上部ゲート及び前記他のセルキャッピングパターン、及び前記周辺回路領
域に順に積層された前記周辺上部ゲート及び前記周辺キャッピングパターンを形成し、前
記上部及び中部マスクパターンを、前記他のセル上部ゲート、前記他のセルキャッピング
パターン、前記周辺上部ゲート、及び前記周辺キャッピングパターンを形成する間に前記
下部マスクパターンから除去する工程と、
前記下部マスクパターンをエッチングマスクとして用いて前記周辺下部導電膜をエッチ
ングし、前記他のセル下部ゲート及び前記周辺下部ゲートを形成する工程と、
を含むことを特徴とする請求項13に記載の半導体装置の形成方法。 - 前記セルアレイ領域に位置するように選択された下部マスクパターン及び前記第2セル
ゲートパターンの側壁、及び前記周辺回路領域に位置するように他の下部マスクパターン
及び前記周辺ゲートパターンの側壁に周辺スペーサを形成する工程を更に有することを特
徴とする請求項14に記載の半導体装置の形成方法。 - 前記平坦化絶縁パターンを形成する工程は、
前記第2セルゲートパターンと前記周辺ゲートパターンとの間を埋め込んで前記周辺ス
ペーサ及び前記下部マスク膜を覆う平坦化絶縁膜を形成する工程と、
前記第1及び第2セルゲートパターン、前記周辺ゲートパターン、及び前記埋め込み絶
縁パターンを露出させるように前記平坦化絶縁膜、前記周辺スペーサ、及び前記下部マス
クパターン上に平坦化工程を遂行する工程と、
を含むことを特徴とする請求項15に記載の半導体装置の形成方法。 - 前記埋め込み絶縁パターンを形成する工程は、
前記第1セルゲートパターンと前記周辺予備ゲートパターンとの間を埋め込んで前記第
1セルゲートパターン、前記周辺予備ゲートパターン、及び前記セルスペーサを覆うよう
に埋め込み絶縁膜を形成する工程と、
前記第1セルゲートパターン及び前記周辺予備ゲートパターンを露出させるように前記
埋め込み絶縁膜上に平坦化工程を遂行する工程と、
を含むことを特徴とする請求項16に記載の半導体装置の形成方法。 - 前記第1セルゲートパターン及び前記周辺予備ゲートパターンを形成する工程は、
前記半導体基板上に下部導電膜、上部導電膜、及びキャッピング膜を順に形成する工程
と、
前記キャッピング膜上にフォトレジストパターンを形成し、該フォトレジストパターン
中の一つは前記セルアレイ領域に位置して前記第1セルゲートパターンと重なり、前記フ
ォトレジストパターン中の残りは前記周辺回路領域を覆って前記周辺予備ゲートパターン
と重なるように形成する工程と、
前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて前記キャッピング膜、前
記上部導電膜、及び前記下部導電膜を順にエッチングする工程と、
前記フォトレジストパターンを前記半導体基板から除去する工程と、
を含むことを特徴とする請求項17に記載の半導体装置の形成方法。
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