JP5372757B2 - 反応気体の噴射速度を積極的に調節するシャワーヘッドを備えた化学気相蒸着装置およびその方法 - Google Patents
反応気体の噴射速度を積極的に調節するシャワーヘッドを備えた化学気相蒸着装置およびその方法 Download PDFInfo
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Description
図3〜図6は本発明の第1の実施形態にウォ示す。図3を参照すると、2つの反応気体シャワーヘッドモジュールと1つのパージ気体シャワーヘッドモジュールからなるシャワーヘッドが順に垂直に置かれる。ところが、2つより多くの反応気体が使用されると、反応気体シャワーヘッドモジュールの数は3つ、4つまたはそれ以上になれる。
本発明の技術思想は前記好適な実施例によって具体的に述べられたが、前述した実施例は、説明するためのもので、限定するものではないことに留意すべきである。また、本発明の技術分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術思想の範囲内で多様な実施例が可能であることを理解できるであろう。
Claims (17)
- 反応チャンバ内に置かれている基板上に膜を蒸着するために少なくとも1種の反応気体および1種のパージ気体をシャワーヘッドを介して基板上に供給する化学気相蒸着方法において、
前記シャワーヘッドの底面が前記基板から所定の距離だけ離隔するようにシャワーヘッドを配置する配置段階と、
反応気体および噴射支援気体を前記シャワーヘッド内に注入する注入段階であって、それぞれの反応気体はシャワーヘッド内部のそれぞれの隔室に流入し、それぞれの反応気体は前記シャワーヘッド内のそれぞれの混合領域でそれぞれの噴射支援気体と互いに混合されてなる注入段階と、
パージ気体を前記シャワーヘッド内の別の隔室に注入する注入段階と、
前記噴射支援気体と混合された前記反応気体および前記パージ気体をそれぞれ前記シャワーヘッドの底面に設けられた複数の反応気体噴射出口および複数のパージ気体噴射出口を介して排出させる排出段階とを含んでなることを特徴とする、シャワーヘッドを用いた化学気相蒸着方法。 - 前記反応気体に混合される噴射支援気体の単位時間当たりの流量は、独立に調節されることを特徴とする、請求項1に記載のシャワーヘッドを用いた化学気相蒸着方法。
- 前記パージ気体および前記噴射支援気体はそれぞれ、Ar、N2、He、H2およびO2よりなる群から選ばれる少なくとも一つを含むことを特徴とする、請求項1に記載のシャワーヘッドを用いた化学気相蒸着方法。
- 前記反応気体は、気体状態の金属有機化合物であることを特徴とする、請求項1に記載のシャワーヘッドを用いた化学気相蒸着方法。
- 冷却ジャケットが前記シャワーヘッドの真下の部分を構成するようにし、前記冷却ジャケットに冷却材を注入して前記シャワーヘッドを冷却する冷却段階をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載のシャワーヘッドを用いた化学気相蒸着方法。
- 反応チャンバ内に置かれている基板上に膜を蒸着させるために、少なくとも1種の反応気体と1種のパージ気体を、シャワーヘッドを介して前記基板上に噴射するシャワーヘッドを用いた化学気相蒸着装置において、
前記シャワーヘッドは、
前記シャワーヘッドから噴射される前記反応気体の種類の数量と同一の数量であり、互いに隔離される複数の反応気体シャワーヘッドモジュールであって、前記複数の反応気体シャワーヘッドモジュールはそれぞれ1種の反応気体と、前記反応気体の噴射速度を調節するために使用される1種の噴射支援気体とが混合されるための、前記反応気体シャワーヘッドモジュールの内部の混合領域と、前記噴射支援気体と混合された前記気体を前記基板上に噴射するための前記反応気体シャワーヘッドモジュールの底面に備えられた複数の反応気体噴射チューブと、を有してなる複数の反応気体シャワーヘッドモジュールと、
前記反応気体シャワーヘッドモジュールの下側に設置され、前記パージ気体シャワーヘッドモジュールへパージ気体を供給するためのパージ気体供給口と、前記パージ気体のみで充填するための前記反応気体シャワーヘッドモジュールの内部空間から分離された内部空間と、前記パージ気体を前記基板上に噴射するための前記パージ気体シャワーヘッドモジュールの底面に備えられた複数のパージ気体出口と、を有するパージ気体シャワーヘッドモジュールと、を含んでなり、
前記上方にある反応気体シャワーヘッドモジュールに取り付けられた前記反応気体噴射チューブはそれぞれ、前記下方にある反応気体シャワーヘッドモジュールに備えられた案内管の内部に沿って、前記下方にある反応気体シャワーヘッドモジュールの内部を通過し、且つ、前記上方又は下方にある反応気体シャワーヘッドモジュールに取り付けられた前記反応気体噴射チューブが前記パージ気体シャワーヘッドモジュールの内部を通過することを特徴とする、シャワーヘッドを用いた化学気相蒸着装置。 - 前記反応気体シャワーヘッドモジュールはそれぞれ、
前記反応気体が反応気体流入口を介して供給されて均一に広がる拡散室と、
噴射支援気体が噴射支援気体流入口を介して供給された後、前記拡散室から流入する前記反応気体と混合される混合室と、
前記反応気体と前記噴射支援気体との混合気体を前記反応気体噴射チューブに分配するための分配室とを含んでなるが、
前記拡散室と前記混合室とは複数の孔が設けられた境界部材を介して連結され、前記混合室と前記分配室とは複数の孔が設けられた別の境界部材を介して連結されることを特徴とする、請求項6に記載のシャワーヘッドを備えた化学気相蒸着装置。 - 前記反応気体シャワーヘッドモジュールはそれぞれ、
前記反応気体が反応気体流入口を介して供給されて均一に広がる反応気体拡散室と、
前記反応気体拡散室にその天井となる境界部材を介して連結され、複数の孔を有し、噴射支援気体が噴射支援気体流入口を介して供給されて均一に広がる噴射支援気体拡散室と、
前記噴射支援気体拡散室の底面となる境界部材を介して前記噴射支援気体拡散室に連結され、前記反応気体噴射チューブがその底面に取り付けられた混合室と、
前記噴射支援気体拡散室の天井と底面に両端が密封連結される複数の内径0.5〜1.5mmの反応気体拡散通路とを含んでなり、
前記反応気体は前記反応気体拡散室から前記反応気体拡散通路を介して前記噴射支援気体拡散室を横切って前記混合室に噴射され、前記噴射支援気体は前記噴射支援気体拡散室の底面に設けられている複数の直径0.3〜0.6mmの孔を介して前記混合室に流入し、前記混合室で前記噴射支援気体と混合された反応気体が前記反応気体噴射チューブに分配されることを特徴とする、請求項6に記載のシャワーヘッドを備えた化学気相蒸着装置。 - 前記反応気体シャワーヘッドモジュールはそれぞれ、
前記反応気体が反応気体流入口から流入し、その中央平面に設けられている複数の孔を介して流れながら拡散した後、その底面に連結されている複数の内側反応気体噴射チューブに分配される反応気体分配室と、
噴射支援気体が噴射支援気体流入口から流入し、その中央平面に設けられている複数の孔を介して流れながら拡散した後、その底面に連結されている複数の外側反応気体噴射チューブに分配される噴射支援気体分配室とを含んでなり、
前記反応気体噴射チューブは前記内側反応気体噴射チューブと前記外側反応気体噴射チューブとが1対を成し、前記内側反応気体噴射チューブは前記噴射支援気体分配室を横切って延長されながら前記外側反応気体噴射チューブによって取り囲まれ、前記内側反応気体噴射チューブの端部は前記外側反応気体噴射チューブの端部より5〜10mmだけ短く、前記内側反応気体噴射チューブを介して伝達される反応気体と、前記内側反応気体噴射チューブと前記外側反応気体噴射チューブとの間の隙間領域を介して伝達される噴射支援気体との混合が、前記内側反応気体噴射チューブの端部と前記外側反応気体噴射チューブの端部との間の空間で行われることを特徴とする、請求項6に記載のシャワーヘッドを備えた化学気相蒸着装置。 - シャワーヘッドを冷却する冷却ジャケットをさらに含み、前記冷却ジャケットは前記パージ気体シャワーヘッドモジュールの下に取り付けられてなることを特徴とする、請求項6に記載のシャワーヘッドを備えた化学気相蒸着装置。
- 前記反応気体噴射チューブは行と列の形で配列されることを特徴とする、請求項6〜9のいずれか1項に記載のシャワーヘッドを備えた化学気相蒸着装置。
- 前記反応気体噴射チューブが同心円に沿って設けられる配置を有することを特徴とする、請求項6〜9のいずれか1項に記載のシャワーヘッドを備えた化学気相蒸着装置。
- 反応チャンバ内に置かれている基板上に膜を蒸着させるために、反応気体とパージ気体とを、シャワーヘッドを介して前記基板上に噴射するシャワーヘッドを用いた化学気相蒸着装置において、前記シャワーヘッドは、
反応気体シャワーヘッドモジュールであって、前記反応気体シャワーヘッドモジュールの内部に前記反応気体を供給する反応気体流入口を具備し、前記反応気体シャワーヘッドモジュールの底面に取り付けられた複数の反応気体噴射チューブを有して、前記反応気体を前記反応気体噴射チューブを介して前記基板上に噴射してなる反応気体シャワーヘッドモジュールと、
パージ気体シャワーヘッドモジュールであって、前記反応気体シャワーヘッドモジュールの下側に設置され、パージ気体を前記パージ気体シャワーヘッドモジュールの内部に供給するパージ気体供給口を備え、前記反応気体噴射チューブに前記パージ気体シャワーヘッドモジュールの内部を通過させ、一方で前記パージ気体シャワーヘッドモジュールと前記反応気体噴射チューブとの間の密封を維持してなるパージ気体シャワーヘッドモジュールと、
シャワーヘッドを冷却する冷却ジャケットであって、前記冷却ジャケットは前記パージ気体シャワーヘッドモジュールの下に取り付けられ、前記冷却ジャケットは天井と、垂直壁と、冷却材の流入口と、冷却材の流出口と、底面と、前記冷却ジャケットの天井と底面との間に設置されて前記反応気体噴射チューブを収納するように構成された複数の案内管とを備え、前記案内管の内径は前記反応気体噴射チューブの外径よりも大きく、前記案内管と前記反応気体噴射チューブとの間に隙間が設けられてなる冷却ジャケットとを備え、
前記シャワーヘッドは、前記パージ気体シャワーヘッドモジュールから排出された前記パージ気体が前記案内管と前記反応気体噴射チューブとの間の隙間を通過して、前記基板に噴射されるように構成され、
噴射支援気体が前記シャワーヘッド内の混合領域において前記反応気体と混合されることを特徴とする、シャワーヘッドを備えた化学気相蒸着装置。 - 前記冷却ジャケットは前記冷却ジャケットの天井と底面との間に取り付けられた複数の追加的な案内管をさらに備え、前記パージ気体シャワーヘッドモジュールから排出された前記パージ気体が前記追加的な案内管の内部を通過して前記基板に噴射されることを特徴とする、請求項13に記載のシャワーヘッドを備えた化学気相蒸着装置。
- 前記反応気体噴射チューブは前記冷却ジャケットの底面から基板側に0〜10mmの範囲で突出し、前記反応気体噴射チューブの端部は窄まったノズルの形状を有し、前記ノズルの出口の内径は0.8〜2mmであることを特徴とする、請求項13または14に記載のシャワーヘッドを備えた化学気相蒸着装置。
- 前記反応チャンバの内部に設置された基板を取り囲む反応気体閉じ込め装置であって、前記反応気体閉じ込め装置は側壁と天井とを備え、前記反応気体閉じ込め装置の内側領域と外側領域とが連通し得るように表面に複数の孔が設けられており、前記側壁は反応チャンバの底部まで延長していることにより、前記反応チャンバの天井と前記反応気体閉じ込め装置の天井との間に所定の大きさの空間が設けられてなる反応気体閉じ込め装置と、
第2のパージ気体を前記反応チャンバに供給する、前記反応チャンバの天井に設けられる第2のパージ気体供給ポートと、
反応チャンバから副産物を排出させるために前記反応気体閉じ込め装置の内部領域に設置される排気口とをさらに含む化学気相蒸着装置において、
前記第2のパージ気体供給ポートを介して供給される第2のパージ気体が、前記空間を通り、前記反応気体閉じ込め装置の表面に設けられている複数の孔を介して前記反応気体閉じ込め装置の内部に流入し、その流入する時間当たりの流量が調節されることにより前記反応気体閉じ込め装置の汚染を防ぎ、基板の付近で反応気体の濃度を増大させて、基板上で成長する膜の成長速度を高める役割を果たしてなることを特徴とする、請求項13または14に記載のシャワーヘッドを備えた化学気相蒸着装置。 - 前記反応チャンバの内部に設置された基板を取り囲む反応気体閉じ込め装置であって、前記反応気体閉じ込め装置は垂直壁と平らな縁部付き天井とを備え、前記反応気体閉じ込め装置の内側領域と外側領域とが連通し得るように表面に複数の孔が設けられており、前記垂直壁は反応チャンバの底部まで延長していることにより、前記反応チャンバの天井と前記反応気体閉じ込め装置の天井との間に所定の大きさの空間が設けられ、前記垂直壁を下降させて前記反応気体閉じ込め装置の前記垂直壁と前記天井との間に隙間を設けることが可能な反応気体閉じ込め装置と、
第2のパージ気体を前記反応チャンバに供給する、前記反応チャンバの天井に設けられる第2のパージ気体供給ポートと、
反応チャンバから副産物を排出させるために前記反応気体閉じ込め装置の内部領域に設置される排気口とをさらに含む化学気相蒸着装置において、前記第2のパージ気体供給ポートを介して供給される第2のパージ気体が、前記空間を通り、前記反応気体閉じ込め装置の表面に設けられている複数の孔を介して前記反応気体閉じ込め装置の内部に流入し、その流入する時間当たりの流量が調節されることにより前記反応気体閉じ込め装置の汚染を防ぎ、基板の付近で反応気体の濃度を増大させて、基板上で成長する膜の成長速度を高める役割を果たしてなることを特徴とする、請求項13または14に記載のシャワーヘッドを備えた化学気相蒸着装置。
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KR101004927B1 (ko) * | 2008-04-24 | 2010-12-29 | 삼성엘이디 주식회사 | Cvd용 샤워 헤드 및 이를 구비하는 화학 기상 증착 장치 |
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WO2010114132A1 (ja) | 2009-04-03 | 2010-10-07 | 株式会社 キャタラー | 排ガス浄化用触媒の製造方法及び装置並びにそれに使用するノズル |
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KR100944186B1 (ko) * | 2009-07-14 | 2010-02-24 | 주식회사 시스넥스 | 화학기상증착 반응기의 가스분사장치 |
CN102021530A (zh) * | 2009-09-11 | 2011-04-20 | 甘志银 | 多重气体耦合金属有机物化学气相沉积设备反应腔体 |
US9449859B2 (en) * | 2009-10-09 | 2016-09-20 | Applied Materials, Inc. | Multi-gas centrally cooled showerhead design |
KR100996210B1 (ko) * | 2010-04-12 | 2010-11-24 | 세메스 주식회사 | 가스 분사 유닛 및 이를 이용한 박막 증착 장치 및 방법 |
US20120052216A1 (en) * | 2010-08-27 | 2012-03-01 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution showerhead with high emissivity surface |
DE102011056589A1 (de) * | 2011-07-12 | 2013-01-17 | Aixtron Se | Gaseinlassorgan eines CVD-Reaktors |
JP5736291B2 (ja) * | 2011-09-28 | 2015-06-17 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 成膜装置および成膜方法 |
JP5852402B2 (ja) * | 2011-10-21 | 2016-02-03 | スタンレー電気株式会社 | 気相成長装置及び材料ガス噴出器 |
US9017481B1 (en) * | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US8960235B2 (en) * | 2011-10-28 | 2015-02-24 | Applied Materials, Inc. | Gas dispersion apparatus |
US20130145989A1 (en) * | 2011-12-12 | 2013-06-13 | Intermolecular, Inc. | Substrate processing tool showerhead |
JP6038618B2 (ja) * | 2011-12-15 | 2016-12-07 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 成膜装置および成膜方法 |
CN103388132B (zh) | 2012-05-11 | 2015-11-25 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 气体喷淋头、其制造方法及薄膜生长反应器 |
US9388494B2 (en) | 2012-06-25 | 2016-07-12 | Novellus Systems, Inc. | Suppression of parasitic deposition in a substrate processing system by suppressing precursor flow and plasma outside of substrate region |
CN102766854B (zh) * | 2012-08-16 | 2013-06-05 | 江苏汉莱科技有限公司 | 一种mocvd新系统 |
CN102877040A (zh) * | 2012-09-06 | 2013-01-16 | 绿种子科技(潍坊)有限公司 | 供气装置及应用该装置的化学气相沉积装置 |
US9132436B2 (en) * | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
KR102003768B1 (ko) * | 2012-11-13 | 2019-07-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기상 증착 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
US10316409B2 (en) | 2012-12-21 | 2019-06-11 | Novellus Systems, Inc. | Radical source design for remote plasma atomic layer deposition |
KR101519827B1 (ko) | 2012-12-21 | 2015-05-13 | 주식회사 테스 | 가스 분사유닛 |
KR102061749B1 (ko) * | 2012-12-27 | 2020-01-02 | 주식회사 무한 | 기판 처리 장치 |
CN103088412B (zh) * | 2013-01-29 | 2015-11-18 | 杭州士兰明芯科技有限公司 | 刻蚀烘烤设备的反应炉 |
CN103088413B (zh) * | 2013-01-29 | 2015-11-18 | 杭州士兰明芯科技有限公司 | 刻蚀烘烤设备 |
US9399228B2 (en) * | 2013-02-06 | 2016-07-26 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatus for purging and plasma suppression in a process chamber |
US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
JP6007143B2 (ja) * | 2013-03-26 | 2016-10-12 | 東京エレクトロン株式会社 | シャワーヘッド、プラズマ処理装置、及びプラズマ処理方法 |
JP6199619B2 (ja) * | 2013-06-13 | 2017-09-20 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長装置 |
CN103320852A (zh) * | 2013-06-14 | 2013-09-25 | 光垒光电科技(上海)有限公司 | 用于外延沉积的反应腔 |
KR101542599B1 (ko) * | 2013-06-26 | 2015-08-06 | 한국생산기술연구원 | 확산핀을 가지는 전자소자 제조용 샤워 헤드 및 샤워 헤드 조립체 |
JP6153401B2 (ja) * | 2013-07-02 | 2017-06-28 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長装置および気相成長方法 |
US9677176B2 (en) * | 2013-07-03 | 2017-06-13 | Novellus Systems, Inc. | Multi-plenum, dual-temperature showerhead |
JP6180208B2 (ja) * | 2013-07-08 | 2017-08-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長装置および気相成長方法 |
KR102329268B1 (ko) * | 2013-07-25 | 2021-11-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기상 증착 장치 |
KR102203098B1 (ko) | 2013-07-25 | 2021-01-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기상 증착 장치 |
JP6338462B2 (ja) | 2013-09-11 | 2018-06-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
KR102173047B1 (ko) * | 2013-10-10 | 2020-11-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기상 증착 장치 |
KR20150055227A (ko) * | 2013-11-13 | 2015-05-21 | 삼성전자주식회사 | 샤워 헤드 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR102033735B1 (ko) * | 2013-11-20 | 2019-10-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 기판 냉각장치 및 이를 포함하는 화학기상 증착장치 |
KR101560623B1 (ko) * | 2014-01-03 | 2015-10-15 | 주식회사 유진테크 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
WO2015122977A1 (en) * | 2014-02-11 | 2015-08-20 | Applied Materials, Inc. | Extended precursor gas injection method |
DE102014207266A1 (de) * | 2014-04-15 | 2015-10-15 | Siltronic Ag | Verfahren zum Trocknen von scheibenförmigen Substraten undScheibenhalter zur Durchführung des Verfahrens |
WO2015175163A1 (en) * | 2014-05-16 | 2015-11-19 | Applied Materials, Inc. | Showerhead design |
US10249511B2 (en) * | 2014-06-27 | 2019-04-02 | Lam Research Corporation | Ceramic showerhead including central gas injector for tunable convective-diffusive gas flow in semiconductor substrate processing apparatus |
CN104238923B (zh) * | 2014-07-29 | 2019-03-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示设备及其工作方法 |
JP2016081945A (ja) * | 2014-10-09 | 2016-05-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長装置および気相成長方法 |
JP6305314B2 (ja) * | 2014-10-29 | 2018-04-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置およびシャワーヘッド |
US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
JP6404111B2 (ja) * | 2014-12-18 | 2018-10-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
JP6193284B2 (ja) * | 2015-03-18 | 2017-09-06 | 株式会社東芝 | 流路構造、吸排気部材、及び処理装置 |
KR101682155B1 (ko) * | 2015-04-20 | 2016-12-02 | 주식회사 유진테크 | 기판 처리 장치 |
US10023959B2 (en) | 2015-05-26 | 2018-07-17 | Lam Research Corporation | Anti-transient showerhead |
JP6550962B2 (ja) * | 2015-06-24 | 2019-07-31 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体のエピタキシャル成長装置 |
GB201513339D0 (en) * | 2015-07-29 | 2015-09-09 | Pilkington Group Ltd | Coating apparatus |
US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
US10233543B2 (en) * | 2015-10-09 | 2019-03-19 | Applied Materials, Inc. | Showerhead assembly with multiple fluid delivery zones |
US9758868B1 (en) | 2016-03-10 | 2017-09-12 | Lam Research Corporation | Plasma suppression behind a showerhead through the use of increased pressure |
JP6718730B2 (ja) * | 2016-04-19 | 2020-07-08 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | シャワープレート、気相成長装置及び気相成長方法 |
US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
KR102204637B1 (ko) * | 2016-06-03 | 2021-01-19 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 챔버 내부의 유동을 확산시키는 것에 의한 더 낮은 입자 수 및 더 양호한 웨이퍼 품질을 위한 효과적이고 새로운 설계 |
US9865484B1 (en) | 2016-06-29 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Selective etch using material modification and RF pulsing |
JP6616258B2 (ja) * | 2016-07-26 | 2019-12-04 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、蓋部カバーおよび半導体装置の製造方法 |
JP6352993B2 (ja) * | 2016-08-10 | 2018-07-04 | 株式会社東芝 | 流路構造及び処理装置 |
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US10546729B2 (en) * | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
US10403476B2 (en) * | 2016-11-09 | 2019-09-03 | Lam Research Corporation | Active showerhead |
KR102546317B1 (ko) * | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
JP6789774B2 (ja) * | 2016-11-16 | 2020-11-25 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 成膜装置 |
JP6700156B2 (ja) * | 2016-11-16 | 2020-05-27 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 成膜装置 |
US10604841B2 (en) | 2016-12-14 | 2020-03-31 | Lam Research Corporation | Integrated showerhead with thermal control for delivering radical and precursor gas to a downstream chamber to enable remote plasma film deposition |
US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
KR102096700B1 (ko) * | 2017-03-29 | 2020-04-02 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR101922469B1 (ko) * | 2017-05-12 | 2018-11-28 | (주)디에스테크노 | 화학기상증착 저 저항 실리콘 카바이드 벌크 제조 장치 |
US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
US10712005B2 (en) | 2017-07-14 | 2020-07-14 | Goodrich Corporation | Ceramic matrix composite manufacturing |
US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
US10480065B2 (en) * | 2017-09-19 | 2019-11-19 | Goodrich Corporation | Gas distribution for chemical vapor deposition/infiltration |
WO2019113478A1 (en) | 2017-12-08 | 2019-06-13 | Lam Research Corporation | Integrated showerhead with improved hole pattern for delivering radical and precursor gas to a downstream chamber to enable remote plasma film deposition |
US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
US10943768B2 (en) * | 2018-04-20 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Modular high-frequency source with integrated gas distribution |
US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
US10510553B1 (en) * | 2018-05-30 | 2019-12-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Dry ashing by secondary excitation |
KR102576220B1 (ko) * | 2018-06-22 | 2023-09-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 처리 장치 및 박막 처리 방법 |
US10889894B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Faceplate with embedded heater |
US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
US20200087788A1 (en) * | 2018-09-17 | 2020-03-19 | Applied Materials, Inc. | Multiple channel showerheads |
US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
KR102641752B1 (ko) * | 2018-11-21 | 2024-03-04 | 삼성전자주식회사 | 가스 주입 모듈, 기판 처리 장치, 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
CN113166925B (zh) * | 2018-12-11 | 2023-12-22 | 应用材料公司 | 用于沉积已蒸发材料的蒸气源、用于蒸气源的喷嘴、真空沉积系统和用于沉积已蒸发材料的方法 |
CN109457236A (zh) * | 2019-01-04 | 2019-03-12 | 中晟光电设备(上海)股份有限公司 | 一种进气顶盘及金属有机物化学气相沉积反应器 |
US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
CN113396240A (zh) * | 2019-03-11 | 2021-09-14 | 应用材料公司 | 用于基板处理腔室的盖组件设备及方法 |
KR20220035192A (ko) | 2019-07-17 | 2022-03-21 | 램 리써치 코포레이션 | 기판 프로세싱을 위한 산화 프로파일의 변조 |
KR20210065054A (ko) * | 2019-11-25 | 2021-06-03 | 주식회사 원익아이피에스 | 가스 공급 블록 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR102170451B1 (ko) * | 2020-01-22 | 2020-10-28 | (주)이큐테크플러스 | 프리커서와 반응가스를 함께 분사하는 라디컬 유닛 및 이를 포함하는 ald장치 |
CN111321463B (zh) | 2020-03-06 | 2021-10-15 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 反应腔室 |
CN111501020A (zh) * | 2020-06-10 | 2020-08-07 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体设备 |
US20220028710A1 (en) * | 2020-07-21 | 2022-01-27 | Applied Materials, Inc. | Distribution components for semiconductor processing systems |
CN112349631B (zh) * | 2020-11-04 | 2021-09-10 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种输气管道、半导体机台 |
JP7440666B2 (ja) * | 2020-12-14 | 2024-02-28 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長装置及び気相成長方法 |
CN114277359B (zh) * | 2021-12-28 | 2023-11-28 | 新美光(苏州)半导体科技有限公司 | 进气管道、化学气相沉积炉及向其通入前驱体的方法 |
CN114086155B (zh) * | 2022-01-18 | 2022-04-15 | 北京中科重仪半导体科技有限公司 | 气体喷头 |
CN115537765B (zh) * | 2022-09-27 | 2024-07-12 | 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司 | 等离子体化学气相沉积装置和小尺寸沟槽填充方法 |
Family Cites Families (56)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3381114A (en) * | 1963-12-28 | 1968-04-30 | Nippon Electric Co | Device for manufacturing epitaxial crystals |
US4717049A (en) * | 1984-04-05 | 1988-01-05 | Mobil Oil Corporation | Droplet generating apparatus |
US4584206A (en) * | 1984-07-30 | 1986-04-22 | Ppg Industries, Inc. | Chemical vapor deposition of a reflective film on the bottom surface of a float glass ribbon |
KR880000618B1 (ko) * | 1985-12-28 | 1988-04-18 | 재단법인 한국화학연구소 | 초단파 가열 유동상 반응에 의한 고순도 다결정 실리콘의 제조 방법 |
DE3606959A1 (de) * | 1986-03-04 | 1987-09-10 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Vorrichtung zur plasmabehandlung von substraten in einer durch hochfrequenz angeregten plasmaentladung |
JPH029115A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
JPH0394069A (ja) * | 1989-09-05 | 1991-04-18 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成装置 |
US5324360A (en) * | 1991-05-21 | 1994-06-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for producing non-monocrystalline semiconductor device and apparatus therefor |
US5556476A (en) | 1994-02-23 | 1996-09-17 | Applied Materials, Inc. | Controlling edge deposition on semiconductor substrates |
US5571332A (en) * | 1995-02-10 | 1996-11-05 | Jet Process Corporation | Electron jet vapor deposition system |
JP2748886B2 (ja) * | 1995-03-31 | 1998-05-13 | 日本電気株式会社 | プラズマ処理装置 |
JPH0945624A (ja) * | 1995-07-27 | 1997-02-14 | Tokyo Electron Ltd | 枚葉式の熱処理装置 |
US5772771A (en) * | 1995-12-13 | 1998-06-30 | Applied Materials, Inc. | Deposition chamber for improved deposition thickness uniformity |
US5735960A (en) * | 1996-04-02 | 1998-04-07 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method to increase gas residence time in a reactor |
US6187214B1 (en) * | 1996-05-13 | 2001-02-13 | Universidad De Seville | Method and device for production of components for microfabrication |
US6143081A (en) | 1996-07-12 | 2000-11-07 | Tokyo Electron Limited | Film forming apparatus and method, and film modifying apparatus and method |
US6090210A (en) * | 1996-07-24 | 2000-07-18 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas flow control in a process chamber |
US5950925A (en) * | 1996-10-11 | 1999-09-14 | Ebara Corporation | Reactant gas ejector head |
GB9712400D0 (en) | 1997-06-16 | 1997-08-13 | Trikon Equip Ltd | Shower head |
JPH1167675A (ja) * | 1997-08-21 | 1999-03-09 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 高速回転気相薄膜形成装置及びそれを用いる高速回転気相薄膜形成方法 |
US6080446A (en) * | 1997-08-21 | 2000-06-27 | Anelva Corporation | Method of depositing titanium nitride thin film and CVD deposition apparatus |
US6302964B1 (en) * | 1998-06-16 | 2001-10-16 | Applied Materials, Inc. | One-piece dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system |
US6086677A (en) * | 1998-06-16 | 2000-07-11 | Applied Materials, Inc. | Dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system |
US6190732B1 (en) * | 1998-09-03 | 2001-02-20 | Cvc Products, Inc. | Method and system for dispensing process gas for fabricating a device on a substrate |
US6143082A (en) | 1998-10-08 | 2000-11-07 | Novellus Systems, Inc. | Isolation of incompatible processes in a multi-station processing chamber |
KR100331544B1 (ko) | 1999-01-18 | 2002-04-06 | 윤종용 | 반응챔버에 가스를 유입하는 방법 및 이에 사용되는 샤워헤드 |
JP3595853B2 (ja) | 1999-03-18 | 2004-12-02 | 日本エー・エス・エム株式会社 | プラズマcvd成膜装置 |
JP2000290777A (ja) | 1999-04-07 | 2000-10-17 | Tokyo Electron Ltd | ガス処理装置、バッフル部材、及びガス処理方法 |
US6206972B1 (en) | 1999-07-08 | 2001-03-27 | Genus, Inc. | Method and apparatus for providing uniform gas delivery to substrates in CVD and PECVD processes |
JP4487338B2 (ja) * | 1999-08-31 | 2010-06-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜処理装置及び成膜処理方法 |
US6623656B2 (en) | 1999-10-07 | 2003-09-23 | Advanced Technology Materials, Inc. | Source reagent composition for CVD formation of Zr/Hf doped gate dielectric and high dielectric constant metal oxide thin films and method of using same |
ATE249532T1 (de) * | 2000-02-04 | 2003-09-15 | Aixtron Ag | Vorrichtung und verfahren zum abscheiden einer oder mehrerer schichten auf ein substrat |
KR100378871B1 (ko) * | 2000-02-16 | 2003-04-07 | 주식회사 아펙스 | 라디칼 증착을 위한 샤워헤드장치 |
DE10007059A1 (de) * | 2000-02-16 | 2001-08-23 | Aixtron Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von beschichteten Substraten mittels Kondensationsbeschichtung |
US6221166B1 (en) | 2000-06-07 | 2001-04-24 | Simplus Systems Corporation | Multi-thermal zone shielding apparatus |
US6886491B2 (en) | 2001-03-19 | 2005-05-03 | Apex Co. Ltd. | Plasma chemical vapor deposition apparatus |
JP4387190B2 (ja) * | 2001-10-18 | 2009-12-16 | ビュン,チュル,スー | 汚染防止と膜成長速度増進機能を備える化学気相蒸着方法及び装置 |
JP4121269B2 (ja) | 2001-11-27 | 2008-07-23 | 日本エー・エス・エム株式会社 | セルフクリーニングを実行するプラズマcvd装置及び方法 |
US7229666B2 (en) | 2002-01-22 | 2007-06-12 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition method |
JP3869778B2 (ja) * | 2002-09-11 | 2007-01-17 | エア・ウォーター株式会社 | 成膜装置 |
US7018940B2 (en) * | 2002-12-30 | 2006-03-28 | Genus, Inc. | Method and apparatus for providing uniform gas delivery to substrates in CVD and PECVD processes |
JP4306403B2 (ja) * | 2003-10-23 | 2009-08-05 | 東京エレクトロン株式会社 | シャワーヘッド構造及びこれを用いた成膜装置 |
KR100513920B1 (ko) * | 2003-10-31 | 2005-09-08 | 주식회사 시스넥스 | 화학기상증착 반응기 |
US7651568B2 (en) * | 2005-03-28 | 2010-01-26 | Tokyo Electron Limited | Plasma enhanced atomic layer deposition system |
KR100731164B1 (ko) * | 2005-05-19 | 2007-06-20 | 주식회사 피에조닉스 | 샤워헤드를 구비한 화학기상 증착 방법 및 장치 |
JP4344949B2 (ja) * | 2005-12-27 | 2009-10-14 | セイコーエプソン株式会社 | シャワーヘッド、シャワーヘッドを含む成膜装置、ならびに強誘電体膜の製造方法 |
JP2007191792A (ja) * | 2006-01-19 | 2007-08-02 | Atto Co Ltd | ガス分離型シャワーヘッド |
KR100849929B1 (ko) * | 2006-09-16 | 2008-08-26 | 주식회사 피에조닉스 | 반응 기체의 분사 속도를 적극적으로 조절하는 샤워헤드를구비한 화학기상 증착 방법 및 장치 |
US7674352B2 (en) * | 2006-11-28 | 2010-03-09 | Applied Materials, Inc. | System and method for depositing a gaseous mixture onto a substrate surface using a showerhead apparatus |
US7976631B2 (en) * | 2007-10-16 | 2011-07-12 | Applied Materials, Inc. | Multi-gas straight channel showerhead |
KR101064210B1 (ko) * | 2009-06-01 | 2011-09-14 | 한국생산기술연구원 | 막증착 진공장비용 샤워헤드 |
CN102414801A (zh) * | 2009-08-27 | 2012-04-11 | 应用材料公司 | 在原位腔室清洁后的处理腔室去污方法 |
TWI385272B (zh) * | 2009-09-25 | 2013-02-11 | Ind Tech Res Inst | 氣體分佈板及其裝置 |
US20110256692A1 (en) * | 2010-04-14 | 2011-10-20 | Applied Materials, Inc. | Multiple precursor concentric delivery showerhead |
US20120052216A1 (en) * | 2010-08-27 | 2012-03-01 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution showerhead with high emissivity surface |
TWI534291B (zh) * | 2011-03-18 | 2016-05-21 | 應用材料股份有限公司 | 噴淋頭組件 |
-
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