JP6352993B2 - 流路構造及び処理装置 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、流路構造及び処理装置に関する。

複数の開口から流体を吸引又は吐出する装置において、複数種類の流体を吸引又は吐出する部材が知られる。例えば、複数種類の流体が、部材によって形成された複数の通路でそれぞれ拡散し、複数の開口から吐出される。

特開２０１２−１０２４０９号公報

部材の複数の開口を通じた流体の吸引又は吐出が、不均一になってしまうことがある。

一つの実施形態に係る流路構造は、ハウジングと、複数の第１の壁部と、を備える。前記ハウジングは、第１の方向の端に位置する外面を有し、内部に互いに独立した二つの通路が設けられ、当該二つの通路がそれぞれ、少なくとも一つの流体室と、前記外面に開口する複数の開口と、前記流体室に接続された複数の分岐路と、を含む。前記二つの通路のそれぞれの前記流体室が前記第１の方向に交互に配置される。前記複数の分岐路が、前記複数の開口のうち少なくとも一つと一つの前記流体室とを接続する前記複数の分岐路、及び一つの前記流体室と他の前記流体室とを接続する前記複数の分岐路、の少なくとも一方を含む。前記複数の第１の壁部は、前記ハウジングに設けられ、前記流体室に面するとともに前記第１の方向に前記流体室を介して並べられる。

図１は、第１の実施形態に係る半導体製造装置を概略的に示す断面図である。 図２は、第１の実施形態の拡散部の一部を示す断面図である。 図３は、第１の実施形態の一方の通路の一部を示す斜視図である。 図４は、第１の実施形態の他方の通路の一部を示す斜視図である。 図５は、第１の実施形態の一つの隔壁を示す平面図である。 図６は、第１の実施形態の拡散部の一部を拡大して示す断面図である。 図７は、第１の実施形態のシャワープレートの断面を概略的に示す斜視図である。 図８は、第１の実施形態の第１の管路、第２の管路、複数の第１の分配路、及び複数の第２の分配路を示す斜視図である。 図９は、第２の実施形態に係る一つの隔壁を示す平面図である。 図１０は、第３の実施形態に係る拡散部の一部の断面を示す斜視図である。 図１１は、第３の実施形態の拡散部の一部を示す断面図である。 図１２は、第４の実施形態に係る拡散部の一部の断面を示す斜視図である。 図１３は、第５の実施形態に係る拡散部の一部の断面を示す斜視図である。 図１４は、第６の実施形態に係る底壁の一部を示す断面図である。 図１５は、第６の実施形態のガス溜まりの半径に対する、第２の延路へのガスの分配比を示すグラフである。 図１６は、第６の実施形態の第２の絞り部の最小の半径に対する、第２の延路へのガスの分配比を示すグラフである。 図１７は、第６の実施形態の変形例に係る分岐部を概略的に示す図である。

以下に、第１の実施形態について、図１乃至図８を参照して説明する。なお、本明細書においては基本的に、鉛直上方を上方向、鉛直下方を下方向と定義する。また、本明細書において、実施形態に係る構成要素及び当該要素の説明について、複数の表現が記載されることがある。複数の表現がされた構成要素及び説明は、記載されていない他の表現がされても良い。さらに、複数の表現がされない構成要素及び説明も、記載されていない他の表現がされても良い。

図１は、第１の実施形態に係る半導体製造装置１０を概略的に示す断面図である。半導体製造装置１０は、処理装置の一例であり、例えば、製造装置、加工装置、吸排装置、供給装置、又は装置とも称され得る。なお、処理装置は半導体製造装置１０に限らず、対象となる物体に、例えば加工、洗浄、及び試験のような処理を行う他の装置であっても良い。

各図面に示されるように、本明細書において、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸が定義される。Ｘ軸とＹ軸とＺ軸とは、互いに直交する。Ｘ軸は、半導体製造装置１０の幅に沿う。Ｙ軸は、半導体製造装置１０の奥行き（長さ）に沿う。Ｚ軸は、半導体製造装置１０の高さに沿う。本実施形態において、Ｚ軸は鉛直方向に延びる。なお、Ｚ軸が延びる方向と、鉛直方向とが異なっても良い。

図１に示される第１の実施形態の半導体製造装置１０は、例えば、化学蒸着（ＣＶＤ）装置である。半導体製造装置１０は、他の装置であっても良い。半導体製造装置１０は、製造部１１と、ステージ１２と、シャワープレート１３と、第１のポンプ１４と、第２のポンプ１５と、を有する。

製造部１１は、例えば、筐体とも称され得る。ステージ１２は、例えば、載置部又は台とも称され得る。シャワープレート１３は、流路構造及びハウジングの一例であり、例えば、分岐部、吐出部、排出部、吸引部、部材、又は部品とも称され得る。本実施形態において、シャワープレート１３は、流体を吐出する。しかし、流路構造は、流体を吸引しても良い。

第１のポンプ１４は、第１の流体供給部の一例である。第２のポンプ１５は、第２の流体供給部の一例である。第１のポンプ１４及び第２のポンプ１５は、例えば、供給部、排出部、又は送部とも称され得る。

製造部１１の内部に、気密に密閉可能なチャンバ２１が設けられる。チャンバ２１は、例えば、部屋又は空間とも称され得る。半導体製造装置１０は、例えば、チャンバ２１において、半導体ウェハ（以下、ウェハと称する）Ｗを製造する。ウェハＷは、物体の一例である。製造部１１は、上壁２３と、周壁２４とを有する。

上壁２３は、内面２３ａを有する。内面２３ａは、下方向に向く略平坦な面である。内面２３ａは、チャンバ２１の一部を形成する。すなわち、内面２３ａは、チャンバ２１の内部に向く。

周壁２４は、内周面２４ａを有する。内周面２４ａは、略水平方向に向く面である。内周面２４ａは、チャンバ２１の一部を形成する。すなわち、内周面２４ａは、チャンバ２１の内部に向く。周壁２４に、複数の排気口２７が設けられる。排気口２７から、チャンバ２１の気体が吸引され得る。

ステージ１２及びシャワープレート１３は、チャンバ２１に配置される。なお、図１に示されるように、ステージ１２の一部及びシャワープレート１３の一部が、チャンバ２１の外に位置しても良い。

ステージ１２は、支持部１２ａを有する。支持部１２ａは、物体支持部の一例である。支持部１２ａは、チャンバ２１に位置し、上壁２３の内面２３ａに向いてウェハＷを支持する。ステージ１２はヒータを有し、支持部１２ａに支持されたウェハＷを加熱することが可能である。

ステージ１２は、例えば、ウェハＷを吸引することにより、当該ウェハＷを支持部１２ａに固定し得る。さらに、ステージ１２は、ウェハＷを支持した状態で回転可能であっても良い。

シャワープレート１３は、拡散部３１と、管部３２とを有する。拡散部３１は、Ｘ‐Ｙ平面上で広がる略円盤状に形成される。管部３２は、拡散部３１の略中央部からＺ軸に沿う正方向（Ｚ軸の矢印が向く方向、上方向）に延びる。

管部３２は、上壁２３を貫通する。例えば、管部３２が上壁２３に固定されることで、シャワープレート１３が製造部１１の上壁２３に取り付けられる。なお、シャワープレート１３は、他の手段により製造部１１に取り付けられても良い。

拡散部３１は、底面３１ａと上面３１ｂと有する。底面３１ａは、外面の一例であり、例えば、表面とも称され得る。底面３１ａは、シャワープレート１３のＺ軸に沿う負方向（Ｚ軸の矢印が向く方向の反対方向、下方向）の端に位置し、略平坦に形成される。Ｚ軸に沿う負方向は、第１の方向の一例である。底面３１ａは、Ｚ軸に沿う負方向に向く。なお、底面３１ａは、曲面であっても良いし、凹凸を有しても良い。

拡散部３１の底面３１ａは、ステージ１２の支持部１２ａに支持されたウェハＷに面する。言い換えると、ステージ１２は、拡散部３１の底面３１ａが向く位置にウェハＷを支持する。

拡散部３１の上面３１ｂは、底面３１ａの反対側に位置する。上面３１ｂは、略平坦に形成され、Ｚ軸に沿う正方向に向く。なお、上面３１ｂは、曲面であっても良いし、凹凸を有しても良い。管部３２は、上面３１ｂから、Ｚ軸に沿う正方向に延びる。

図２は、第１の実施形態の拡散部３１の一部を示す断面図である。図２に示すように、拡散部３１に、二つの通路４１が設けられる。二つの通路４１はそれぞれ、例えば、空間、部屋、又は流路とも称され得る。

説明のため、二つの通路４１は、通路４１Ａ及び通路４１Ｂと個別に称されることがある。通路４１Ａと通路４１Ｂとに共通する説明は、通路４１についての説明として記載される。

二つの通路４１はそれぞれ、シャワープレート１３の内部に設けられる。二つの通路４１は、互いに独立する。言い換えると、通路４１Ａは通路４１Ｂから隔てられ、通路４１Ｂは通路４１Ａから隔てられる。

二つの通路４１はそれぞれ、複数の流体室４２と、複数の流出口４３と、複数の分岐路４４とを含む。流体室４２は、例えば、部屋、流路、又は空間とも称され得る。流出口４３は、開口の一例であり、例えば、開口端、端部、縁、又は穴とも称され得る。分岐路４４は、例えば、ブランチ、孔、開口、又は流路とも称され得る。

それぞれの通路４１の複数の流体室４２は、Ｚ軸に沿う負方向に間隔を介して配置される。二つの通路４１のそれぞれの流体室４２は、Ｚ軸に沿う負方向に交互に配置される。例えば、通路４１Ａの一つの流体室４２は、Ｚ軸に沿う負方向において、通路４１Ｂの二つの流体室４２の間に位置する。さらに、通路４１Ｂの一つの流体室４２は、Ｚ軸に沿う負方向において、通路４１Ａの二つの流体室４２の間に位置する。

一つの通路４１において、一つの流体室４２の一部と、他の流体室４２の一部とが、Ｚ軸に沿う負方向に隣り合っても良い。Ｚ軸に沿う負方向において、一方の通路４１の一つの流体室４２の一部と他の流体室４２の一部との間に、他方の通路４１の一つの流体室４２が位置すれば、二つの通路４１のそれぞれの流体室４２がＺ軸に沿う負方向に交互に配置される、と称され得る。

複数の流出口４３は、拡散部３１の底面３１ａに開口する。流出口４３は、幾つかの分岐路４４の端に設けられる。別の表現によれば、流出口４３は、幾つかの分岐路４４の端に位置する底面３１ａの縁によって形成される。

図３は、第１の実施形態の通路４１Ａの一部を示す斜視図である。図３は、拡散部３１を省略して通路４１Ａを示す。図４は、第１の実施形態の通路４１Ｂの一部を示す斜視図である。図４は、拡散部３１を省略して通路４１Ｂを示す。

図３及び図４に示すように、第１の実施形態において、複数の流出口４３は、Ｘ軸に沿う方向とＹ軸に沿う方向とに等間隔に配置される。言い換えると、複数の流出口４３は、マトリクス状に配置される。複数の流出口４３は、他の配置がされても良い。

図２に示すように、複数の分岐路４４はそれぞれ、少なくとも一つの流体室４２に接続される。複数の分岐路４４は、第１の実施形態において、複数の接続路４７と、複数の流出路４８と、複数の流入路４９とを含む。

複数の接続路４７はそれぞれ、一つの流体室４２と、他の流体室４２とを接続する分岐路４４である。一方の通路４１の接続路４７によって接続される二つの流体室４２は、Ｚ軸に沿う負方向において、他方の通路４１の一つの流体室４２を介してＺ軸に沿う負方向に隣り合う。

複数の流出路４８はそれぞれ、複数の流出口４３のうち少なくとも一つと、一つの流体室４２とを接続する分岐路４４である。一つの通路４１の流出路４８が接続される流体室４２は、当該一つの通路４１の複数の流体室４２のうち、最も拡散部３１の底面３１ａに近い流体室４２である。流出口４３は、流出路４８の端に設けられる。

複数の流入路４９はそれぞれ、一つの流体室４２に接続される。一つの通路４１の流入路４９が接続される流体室４２は、当該一つの通路４１の複数の流体室４２のうち、最も拡散部３１の上面３１ｂに近い流体室４２である。

拡散部３１に、複数の壁５１が設けられる。複数の壁５１は、第１の壁部の一例である。複数の壁５１は、底壁５２と、上壁５３と、複数の隔壁５４とを含む。底壁５２及び上壁５３は、例えば、外壁とも称され得る。隔壁５４は、例えば、曲壁、介在部、又は隔離部とも称され得る。

底壁５２と、上壁５３と、複数の隔壁５４とは、Ｚ軸に沿う負方向に、流体室４２を介して並べられる。Ｚ軸に沿う負方向において、複数の隔壁５４は、上壁５３と底壁５２との間に位置する。

例えば、底壁５２と一つの隔壁５４との間に、通路４１Ａの一つの流体室４２が介在する。上壁５３と一つの隔壁５４との間に、通路４１Ｂの一つの流体室４２が介在する。隣り合う二つの隔壁５４の間に、通路４１Ａの一つの流体室４２又は通路４１Ｂの一つの流体室４２が介在する。

底壁５２は、略平坦な板状に形成される。なお、底壁５２は、他の形状に形成されても良い。底壁５２は、拡散部３１の底面３１ａを有する。すなわち、底壁５２は、底壁５２、上壁５３、及び複数の隔壁５４のうち、最も下方向に位置する。

底壁５２は、内面５２ａをさらに有する。内面５２ａは、第１の面の一例である。内面５２ａは、底面３１ａの反対側に位置する。内面５２ａは、Ｚ軸に沿う正方向に向く略平坦な面である。内面５２ａは、他の形状に形成されても良い。

上壁５３は、略平坦な板状に形成される。なお、上壁５３は、他の形状に形成されても良い。上壁５３は、拡散部３１の上面３１ｂを有する。すなわち、上壁５３は、底壁５２、上壁５３、及び複数の隔壁５４のうち、最も上方向に位置する。

上壁５３は、内面５３ａをさらに有する。内面５３ａは、第２の面の一例である。内面５３ａは、上面３１ｂの反対側に位置する。内面５３ａは、Ｚ軸に沿う負方向に向く略平坦な面である。内面５３ａは、他の形状に形成されても良い。

複数の隔壁５４は、拡散部３１の内部に設けられる。第１の実施形態において、複数の隔壁５４はそれぞれ、周期的に曲げられた板状に形成される。隔壁５４は、他の形状に形成されても良い。複数の隔壁５４は、Ｚ軸に沿う負方向に重ねられる。

複数の隔壁５４はそれぞれ、下面５４ａと、上面５４ｂとを有する。下面５４ａは、第２の面の一例である。上面５４ｂは、第１の面の一例である。上面５４ｂは、下面５４ａの反対側に位置する。上面５４ｂは、下面５４ａよりもＺ軸に沿う正方向に位置する。

上記のように配置された底壁５２と、上壁５３と、複数の隔壁５４とはそれぞれ、通路４１Ａの流体室４２及び通路４１Ｂの流体室４２の少なくとも一方に面する。例えば、底壁５２の内面５２ａは、通路４１Ａの一つの流体室４２に面する。上壁５３の内面５３ａは、通路４１Ｂの一つの流体室４２に面する。複数の隔壁５４の下面５４ａ及び上面５４ｂはそれぞれ、通路４１Ａの一つの流体室４２、又は通路４１Ｂの一つの流体室４２に面する。

第１の実施形態において、拡散部３１の内部に、三つの隔壁５４が設けられる。説明のため、三つの隔壁５４は、隔壁５４Ａ，５４Ｂ，５４Ｃと個別に称されることがある。隔壁５４Ａ，５４Ｂ，５４Ｃに共通する説明は、隔壁５４についての説明として記載される。

隔壁５４Ｂは、Ｚ軸に沿う負方向において、隔壁５４Ｃと隔壁５４Ａとの間に位置する。隔壁５４Ａは、隔壁５４Ｂよりも底壁５２に近い。隔壁５４Ｃは、隔壁５４Ｂよりも上壁５３に近い。

複数の隔壁５４はそれぞれ、複数の曲部６１を有する。なお、底壁５２及び上壁５３の少なくとも一方がさらに、複数の曲部６１を有しても良い。複数の曲部６１は、複数の上曲部６２と、複数の下曲部６３とを含む。上曲部６２は第１の曲部及び第３の曲部の一例である。下曲部６３は、第２の曲部の一例である。

上曲部６２は、隔壁５４の一部であって、Ｚ軸に沿う正方向に凸の部分である。Ｚ軸に沿う正方向は、第１の方向の反対方向の一例である。上曲部６２は、底壁５２から遠ざかるように窪み、上壁５３に向かって突出する。上曲部６２において、下面５４ａはＺ軸に沿う正方向に窪み、上面５４ｂはＺ軸に沿う正方向に突出する。

上曲部６２は、頂部と、頂部の周りの部分とを有する。頂部は、上曲部６２のうち、最もＺ軸に沿う正方向（上方向）に位置する部分である。頂部の周りの部分は、頂部よりもＺ軸に沿う負方向（下方向）に位置する。

上曲部６２は、Ｚ軸に沿う正方向に向かうに従って先細る。言い換えると、上曲部６２の内側の空間の断面積は、Ｚ軸に沿う正方向に向かうに従って小さくなる。上曲部６２は、他の形状を有しても良い。

下曲部６３は、隔壁５４の一部であって、Ｚ軸に沿う負方向に凸の部分である。下曲部６３は、底壁５２に向かって突出し、上壁５３から遠ざかるように窪む。下曲部６３において、下面５４ａはＺ軸に沿う負方向に突出し、上面５４ｂはＺ軸に沿う負方向に窪む。

下曲部６３は、頂部と、頂部の周りの部分とを有する。頂部は、下曲部６３のうち、最もＺ軸に沿う負方向（下方向）に位置する部分である。頂部の周りの部分は、頂部よりもＺ軸に沿う正方向（上方向）に位置する。

下曲部６３は、Ｚ軸に沿う負方向に向かうに従って先細る。言い換えると、下曲部６３の内側の空間の断面積は、Ｚ軸に沿う負方向に向かうに従って小さくなる。下曲部６３は、他の形状を有しても良い。

図５は、第１の実施形態の一つの隔壁５４を示す平面図である。図５に示すように、第１の実施形態において、曲部６１は、略四角錐状に形成される。すなわち、上曲部６２の下方向の端部と、下曲部６３の上方向の端部とはそれぞれ、略四角形に形成される。

複数の上曲部６２と複数の下曲部６３とは、Ｘ軸に沿う方向に交互に配置される。さらに、複数の上曲部６２と複数の下曲部６３とは、Ｙ軸に沿う方向に交互に配置される。Ｚ軸に沿う負方向に平面視した場合、複数の上曲部６２と複数の下曲部６３とは、平面内に隙間無く且つ重複無く充填される。

図２に示すように、複数の上曲部６２と複数の下曲部６３とを有する隔壁５４はそれぞれ、Ｙ軸に沿う方向に平面視した場合の一つの断面において正弦波形状を有する。言い換えると、隔壁５４は、周期関数によって表現され得る形状を有する。隔壁５４は、他の形状を有しても良い。

隔壁５４Ａの複数の上曲部６２及び複数の下曲部６３とは、Ｘ軸に沿う方向に、周期ＬＡで配置される。Ｘ軸に沿う方向は、第２の方向の一例である。周期ＬＡは、第１の周期の一例である。周期ＬＡは、隔壁５４Ａの二つの上曲部６２の頂部の間の距離である。隔壁５４Ａの二つの下曲部６３の頂部の間の距離も、周期ＬＡである。さらに、隔壁５４Ａの複数の上曲部６２及び複数の下曲部６３とは、Ｙ軸に沿う方向に、周期ＬＡで配置される。

隔壁５４Ｂの複数の上曲部６２及び複数の下曲部６３とは、Ｘ軸に沿う方向に、周期ＬＢで配置される。周期ＬＢは、第１の周期及び第２の周期の一例である。周期ＬＢは、隔壁５４Ｂの二つの上曲部６２の頂部の間の距離である。隔壁５４Ｂの二つの下曲部６３の頂部の間の距離も、周期ＬＢである。さらに、隔壁５４Ｂの複数の上曲部６２及び複数の下曲部６３とは、Ｙ軸に沿う方向に、周期ＬＢで配置される。

隔壁５４Ｃの複数の上曲部６２及び複数の下曲部６３とは、Ｘ軸に沿う方向に、周期ＬＣで配置される。周期ＬＣは、第２の周期の一例である。周期ＬＣは、隔壁５４Ｃの二つの上曲部６２の頂部の間の距離である。隔壁５４Ｃの二つの下曲部６３の頂部の間の距離も、周期ＬＣである。さらに、隔壁５４Ｃの複数の上曲部６２及び複数の下曲部６３とは、Ｙ軸に沿う方向に、周期ＬＣで配置される。

第１の実施形態において、周期ＬＢは、実質的に周期ＬＡの２倍の周期である。すなわち、周期ＬＢは、周期ＬＡよりも長く且つ周期ＬＡとの公倍数を有する。周期ＬＢは、例えば、周期ＬＡに２の整数倍を乗じた他の周期であっても良い。周期ＬＢは、周期ＬＡと同じ周期であっても良いし、他の周期であっても良い。

周期ＬＣは、実質的に周期ＬＢの２倍の周期である。すなわち、周期ＬＣは、周期ＬＢよりも長く且つ周期ＬＢとの公倍数を有する。周期ＬＣは、例えば、周期ＬＢに２の整数倍を乗じた他の周期であっても良い。周期ＬＣは、周期ＬＢと同じ周期であっても良いし、他の周期であっても良い。

下記の式のように、隣り合う隔壁５４の上曲部６２及び下曲部６３の周期の拡大倍率Ａは、整数Ｎ倍したときに、整数Ｍとなる。なお、拡大倍率Ａは１以上である。
Ａ＝Ｍ／Ｎ （Ｍ≧Ｎ）
さらに、拡大倍率Ａは、一定の倍率で増加しなくても良い。例えば、周期ＬＢが周期ＬＡの２倍の周期であり、周期ＬＣが周期ＬＢの６倍の周期であっても良い。

シャワープレート１３に、少なくとも一つの曲部６１の頂部と、当該曲部６１を有する壁５１と異なる壁５１と、の接続部６５が設けられる。シャワープレート１３は、複数の接続部６５を有する。

複数の接続部６５は、隔壁５４Ａの複数の下曲部６３の頂部と、底壁５２と、の複数の接続部６５Ａを含む。複数の接続部６５は、隔壁５４Ａの複数の上曲部６２の頂部と、隔壁５４Ｂの複数の下曲部６３の頂部と、の複数の接続部６５ＡＢを含む。

複数の接続部６５は、隔壁５４Ｂの複数の上曲部６２の頂部と、隔壁５４Ｃの複数の下曲部６３の頂部と、の複数の接続部６５ＢＣを含む。複数の接続部６５は、隔壁５４Ｃの複数の上曲部６２の頂部と、上壁５３と、の複数の接続部６５Ｃを含む。

接続部６５において、二つの壁５１は一体化される。言い換えると、接続部６５は、隣り合う二つの壁５１が一体に成形された部分である。接続部６５は、例えば、隣り合う二つの壁５１が互いに取り付け、接着、又は溶接された部分であっても良い。

図６は、第１の実施形態の拡散部３１の一部を拡大して示す断面図である。図６に示すように、複数の接続部６５にそれぞれ、管部６７が設けられる。管部６７は、第２の壁部の一例であり、例えば、管、介在部、又は隔離部とも称され得る。図６において、接続部６５及び管部６７は、二点鎖線によって示される。

複数の管部６７はそれぞれ、シャワープレート１３の内部に設けられ、一方の通路４１の分岐路４４と他方の通路４１の流体室４２とを隔てる。別の表現によれば、管部６７の内側に一方の通路４１の分岐路４４が設けられ、管部６７の外側に他方の通路４１の流体室４２が設けられる。

例えば、複数の管部６７が、底壁５２と、隔壁５４Ａの複数の下曲部６３の頂部との接続部６５Ａに設けられる。底壁５２と隔壁５４Ａとは、通路４１Ａの一つの流体室４２に面する。

接続部６５Ａに設けられた管部６７は、通路４１Ａの流体室４２と、通路４１Ｂの流出路４８とを隔てる。接続部６５Ａに設けられた通路４１Ｂの流出路４８は、隔壁５４Ａの上面５４ｂに開口する。通路４１Ｂの流出路４８は、さらに、底壁５２にも設けられ、流体室４２と流出口４３とを接続する。一方、通路４１Ａの流出路４８は、底壁５２の内面５２ａに開口する。

複数の管部６７が、隔壁５４Ａの複数の上曲部６２のうち幾つかの頂部と、隔壁５４Ｂの複数の下曲部６３の頂部と、の接続部６５ＡＢに設けられる。隔壁５４Ａと隔壁５４Ｂとは、通路４１Ｂの一つの流体室４２に面する。

接続部６５ＡＢに設けられた管部６７は、通路４１Ｂの流体室４２と、通路４１Ａの接続路４７とを隔てる。接続部６５ＡＢに設けられた通路４１Ａの接続路４７は、隔壁５４Ａの下面５４ａに開口し、且つ隔壁５４Ｂの上面５４ｂに開口する。

複数の管部６７が、隔壁５４Ｂの複数の上曲部６２のうち幾つかの頂部と、隔壁５４Ｃの複数の下曲部６３の頂部と、の接続部６５ＢＣに設けられる。隔壁５４Ｂと隔壁５４Ｃとは、通路４１Ａの一つの流体室４２に面する。

接続部６５ＢＣに設けられた管部６７は、通路４１Ａの流体室４２と、通路４１Ｂの接続路４７とを隔てる。接続部６５ＢＣに設けられた通路４１Ｂの接続路４７は、隔壁５４Ｂの下面５４ａに開口し、且つ隔壁５４Ｃの上面５４ｂに開口する。

複数の管部６７が、隔壁５４Ｃの複数の上曲部６２の頂部と、上壁５３と、の接続部６５Ｃに設けられる。隔壁５４Ｃと上壁５３とは、通路４１Ｂの一つの流体室４２に面する。

接続部６５Ｃに設けられた管部６７は、通路４１Ｂの流体室４２と、通路４１Ａの流入路４９とを隔てる。接続部６５Ｃに設けられた通路４１Ａの流入路４９は、隔壁５４Ｃの下面５４ａに開口する。通路４１Ａの流入路４９は、さらに、上壁５３にも設けられる。一方、通路４１Ｂの流入路４９は、上壁５３の内面５３ａに開口する。

それぞれの接続部６５に設けられる管部６７及び分岐路４４の数は、Ｚ軸に沿う負方向に向かうに従って増加する。別の表現によれば、一つの通路４１において、一つの流体室４２に開口する分岐路４４の数は、当該流体室４２よりも拡散部３１の底面３１ａから遠い他の流体室４２に開口する分岐路４４の数よりも多い。

底壁５２の内面５２ａに開口する複数の流出路４８の数は、隔壁５４Ａの下面５４ａに開口する複数の接続路４７の数よりも多く、例えば４倍である。底壁５２の内面５２ａと、隔壁５４Ａの下面５４ａとは、通路４１Ａの一つの流体室４２に面する。

隔壁５４Ａの上面５４ｂに開口する複数の流出路４８の数は、隔壁５４Ｂの下面５４ａに開口する複数の接続路４７の数よりも多く、例えば４倍である。隔壁５４Ａの上面５４ｂと、隔壁５４Ｂの下面５４ａとは、通路４１Ｂの一つの流体室４２に面する。

隔壁５４Ｂの上面５４ｂに開口する複数の接続路４７の数は、隔壁５４Ｃの下面５４ａに開口する複数の流入路４９の数よりも多く、例えば４倍である。隔壁５４Ｂの上面５４ｂと、隔壁５４Ｃの下面５４ａとは、通路４１Ａの一つの流体室４２に面する。

隔壁５４Ｃの上面５４ｂに開口する複数の接続路４７の数は、上壁５３の内面５３ａに開口する複数の流入路４９の数よりも多く、例えば４倍である。隔壁５４Ｃの上面５４ｂと、上壁５３の内面５３ａとは、通路４１Ｂの一つの流体室４２に面する。

隔壁５４Ａの複数の上曲部６２は、隔壁５４Ｂの複数の下曲部６３に接続されず、隔壁５４Ｂの複数の下曲部６３から離間した複数の上曲部６２を含む。隔壁５４Ａの複数の上曲部６２のうち隔壁５４Ｂの複数の下曲部６３から離間した少なくとも一つは、管部６７が設けられた接続部６５ＢＣに面する。言い換えると、隔壁５４Ａの複数の上曲部６２のうち隔壁５４Ｂの複数の下曲部６３から離間した少なくとも一つは、管部６７が設けられた接続部６５ＢＣの下方向に位置する。

隔壁５４Ｂの複数の上曲部６２は、隔壁５４Ｃの複数の下曲部６３に接続されず、隔壁５４Ｃの複数の下曲部６３から離間した複数の上曲部６２を含む。隔壁５４Ｂの複数の上曲部６２のうち隔壁５４Ｃの複数の下曲部６３から離間した少なくとも一つは、管部６７が設けられた接続部６５Ｃに面する。言い換えると、隔壁５４Ｂの複数の上曲部６２のうち隔壁５４Ｃの複数の下曲部６３から離間した少なくとも一つは、管部６７が設けられた接続部６５Ｃの下方向に位置する。

図５に示すように、複数の隔壁５４のそれぞれにおいて、複数の曲部６１の複数の頂部は、Ｚ軸に沿う負方向に平面視した場合に、平面内に充填された複数の正多角形Ｐの頂点（角）と重なる位置に配置される。第１の実施形態において、正多角形Ｐは四角形である。別の表現によれば、Ｚ軸に沿う負方向に平面視した場合、複数の曲部６１の頂部によって形成される正多角形Ｐは、平面内に隙間無く且つ重複無く充填される。

複数の隔壁５４のそれぞれにおいて、複数の曲部６１の頂部に設けられる接続部６５、管部６７、及び分岐路４４も、Ｚ軸に沿う負方向に平面視した場合に、平面内に充填された複数の正多角形Ｐの頂点（角）と重なる位置に配置される。このため、複数の隔壁５４のそれぞれにおいて、曲部６１の頂部、接続部６５、管部６７、及び分岐路４４は、等間隔に配置される。

複数の隔壁５４の正多角形Ｐは相似である。例えば、隔壁５４Ａの正多角形Ｐは、四角形である隔壁５４Ｂの正多角形Ｐよりも大きい四角形である。隔壁５４Ｂの正多角形Ｐは、四角形である隔壁５４Ｃの正多角形Ｐよりも大きい四角形である。

図２に示すように、流出路４８のそれぞれの長さは、接続路４７のそれぞれの長さよりも長い。第１の実施形態において、流出路４８の内径と、接続路４７の内径とは略同一である。なお、流出路４８の内径と、接続路４７の内径とが異なっても良い。

図７は、第１の実施形態のシャワープレート１３の断面を概略的に示す斜視図である。図８は、第１の実施形態の第１の管路７５、第２の管路７６、複数の第１の分配路７７、及び複数の第２の分配路７８を示す斜視図である。

図７及び図８に示すように、シャワープレート１３に、第１の管路７５と、第２の管路７６と、複数の第１の分配路７７と、複数の第２の分配路７８（図８に示す）とが設けられる。図８は、管部３２を省略し、第１の管路７５と、第２の管路７６と、複数の第１の分配路７７と、複数の第２の分配路７８とを示す。

第１の管路７５と第２の管路７６とはそれぞれ、管部３２に設けられ、Ｚ軸に沿う方向に延びる。第２の管路７６は、環状の断面を有する。第１の管路７５は、第２の管路７６の内側に位置する。すなわち、第１の管路７５と第２の管路７６とは、いわゆる二重管である。

第１の管路７５の一方の端部は、管部３２の上方向の端部で開口する。第１の管路７５の他方の端部は、複数の第１の分配路７７によって、通路４１Ａの流入路４９に接続される。第１の管路７５は、通路４１Ａの一つの流体室４２に、通路４１Ａの流入路４９を介して接続される。

第２の管路７６の一方の端部は、管部３２の上方向の端部で開口する。第２の管路７６の他方の端部は、複数の第２の分配路７８によって、通路４１Ｂの流入路４９に接続される。第２の管路７６は、通路４１Ｂの一つの流体室４２に、通路４１Ｂの流入路４９を介して接続される。

図１に示すように、第１のポンプ１４は、例えば配管を介して、シャワープレート１３の管部３２に接続される。第１のポンプ１４は、図８に示される第１の管路７５及び複数の第１の分配路７７を通じて、通路４１Ａに第１のガスＧ１を供給する。第１のガスＧ１は、第１の流体の一例である。第１の流体は気体に限らず、例えば、液体であっても良い。

第１のポンプ１４から第１の管路７５に供給された第１のガスＧ１は、複数の第１の分配路７７及び複数の流入路４９を通って、通路４１Ａの一つの流体室４２に供給される。第１のガスＧ１は、図２に示される通路４１Ａの上方の流体室４２に供給される。

流体室４２に、複数の分岐路４４が開口する。しかし、流体室４２の断面積は、分岐路４４の断面積よりも大きい。このため、流体室４２を流れる第１のガスＧ１の圧力損失は、分岐路４４を流れる第１のガスＧ１の圧力損失よりも小さい。従って、第１のガスＧ１は、流体室４２に開口する接続路４７に入るよりも先に、流体室４２で拡散し、流体室４２に充満する。

第１のガスＧ１が上方の流体室４２に充満すると、第１のガスＧ１が複数の接続路４７を通って、下方の流体室４２に供給される。第１のガスＧ１は、流体室４２に開口する流出路４８に入るよりも先に、流体室４２で拡散し、流体室４２に充満する。

第１のガスＧ１が下方の流体室４２に充満すると、第１のガスＧ１が複数の流出路４８を通って、複数の流出口４３から、ステージ１２に支持されたウェハＷに向かって吐出される。図１は、流出口４３から吐出された第１のガスＧ１を細線の矢印で模式的に示す。

第２のポンプ１５は、例えば配管を介して、シャワープレート１３の管部３２に接続される。第２のポンプ１５は、図８に示される第２の管路７６及び第２の分配路７８を通じて、通路４１Ｂに第２のガスＧ２を供給する。第２のガスＧ２は、第２の流体の一例である。第２の流体は気体に限らず、例えば、液体であっても良い。

第２のポンプ１５から第２の管路７６に供給された第２のガスＧ２は、複数の第２の分配路７８及び複数の流入路４９を通って、図２に示される通路４１Ｂの上方の流体室４２に供給される。

流体室４２に、複数の分岐路４４が開口する。しかし、流体室４２の断面積は、分岐路４４の断面積よりも大きい。このため、流体室４２を流れる第２のガスＧ２の圧力損失は、分岐路４４を流れる第２のガスＧ２の圧力損失よりも小さい。従って、第２のガスＧ２は、流体室４２に開口する接続路４７に入るよりも先に、流体室４２で拡散し、流体室４２に充満する。

第２のガスＧ２が上方の流体室４２に充満すると、第２のガスＧ２が複数の接続路４７を通って、下方の流体室４２に供給される。第２のガスＧ２は、流体室４２に開口する流出路４８に入るよりも先に、流体室４２で拡散し、流体室４２に充満する。

第２のガスＧ２が下方の流体室４２に充満すると、第２のガスＧ２が複数の流出路４８を通って、複数の流出口４３から、ステージ１２に支持されたウェハＷに向かって吐出される。図１は、流出口４３から吐出された第２のガスＧ２を二点鎖線の矢印で模式的に示す。

第１のガスＧ１は、例えば、メチルシランである。第２のガスＧ２は、例えば、過酸化水素である。シャワープレート１３から吐出された第１のガスＧ１と第２のガスＧ２とは、化学反応により、ウェハＷに二酸化ケイ素膜を形成する。なお、第１のガスＧ１と第２のガスＧ２とは、他の流体であっても良い。また、第１のガスＧ１と第２のガスＧ２とが同一の組成を有する流体であっても良い。なお、第１のガスＧ１及び第２のガスＧ２は、第１及び第２の管路７５，７６を介さず、例えば、シャワープレート１３の側方から通路４１Ａ及び通路４１Ｂに供給されても良い。

本実施形態において、シャワープレート１３は、例えば、３Ｄプリンタによって積層造形される。このため、シャワープレート１３は一体物として成形される。すなわち、シャワープレート１３と、複数の壁５１と、複数の管部６７とが一体に成形される。なお、シャワープレート１３と、複数の壁５１と、複数の管部６７とが個別に成形されても良い。

上述のように、隔壁５４はそれぞれ、Ｙ軸に沿う方向に平面視した場合の一つの断面において正弦波形状を有する。このような下方向に向く平坦な面が無い隔壁５４は、３Ｄプリンタによって積層造形しやすい。なお、シャワープレート１３は、他の方法で成形されても良い。

以上説明された第１の実施形態に係る半導体製造装置１０において、二つの通路４１Ａ，４１Ｂのそれぞれの流体室４２がＺ軸に沿う負方向に交互に配置される。これにより、第１の実施形態のように二つの通路４１Ａ，４１Ｂがそれぞれ複数の流体室４２を有する場合、通路４１Ａの流出路４８の長さと、通路４１Ｂの流出路４８の長さとが大きく異なることが抑制される。従って、複数の流出口４３におけるガスＧ１，Ｇ２の排出又は吸引のばらつきが抑制される。また、二つの通路４１Ａ，４１Ｂの流体室４２及び分岐路４４が効率的に配置され得る。

管部６７が、一方の通路４１の分岐路４４と、他方の通路４１の流体室４２と、を隔てる。これにより、例えば、通路４１Ｂの分岐路４４が通路４１Ａの流体室４２を迂回することが無くなり、分岐路４４が長くなることが抑制される。

二つの通路４１Ａ，４１Ｂはそれぞれ、複数の流体室４２を含む。例えば、二つの通路４１Ａ，４１Ｂはそれぞれ、上流の流体室４２でガスＧ１，Ｇ２を拡散させてから、下流の流体室４２に多数設けられた流出路４８を通じて流出口４３からガスＧ１，Ｇ２を排出することができる。従って、複数の流出口４３におけるガスＧ１，Ｇ２の排出又は吸引のばらつきが抑制される。

隔壁５４は、それぞれがＺ軸に沿う負方向に凸又はＺ軸に沿う正方向に凸である少なくとも一つの曲部６１を有する。これにより、隔壁５４の強度が向上し、隔壁５４がより薄くされることが可能である。従って、シャワープレート１３が薄型化及び軽量化され得る。

シャワープレート１３に、曲部６１の頂部と、他の壁５１と、の接続部６５が設けられる。これにより、シャワープレート１３の剛性及び強度が向上する。

接続部６５に、管部６７が設けられる。これにより、シャワープレート１３の剛性及び強度が向上する。さらに、他の壁５１に接近した部分である接続部６５に管部６７が設けられるため、分岐路４４の長さが短くなり、分岐路４４における圧力損失が低減するとともにコンダクタンスが向上する。さらに、一方の通路４１の流体室４２に、例えば互いに離間した二つの壁５１を接続するパイプ状の管部６７を設ける必要が無くなる。

上曲部６２のうち少なくとも一つの頂部と、下曲部６３のうち少なくとも一つの頂部と、の接続部６５に、管部６７が設けられる。これにより、シャワープレート１３の剛性及び強度が向上する。さらに、Ｚ軸に沿う正方向に凸の上曲部６２と、Ｚ軸に沿う負方向に凸の下曲部６３と、が接続されるため、流体室４２がＺ軸に沿う方向においてより広く形成される。従って、流体室４２におけるガスＧ１，Ｇ２の圧力損失が低減するとともにコンダクタンスが向上し、流体室４２でガスＧ１，Ｇ２が拡散しやすくなる。

例えば、隔壁５４Ａの複数の上曲部６２は、Ｘ軸に沿う方向及びＹ軸に沿う方向に周期ＬＡで配置される。隔壁５４Ｂの複数の上曲部６２及び複数の下曲部６３は、Ｘ軸に沿う方向及びＹ軸に沿う方向に周期ＬＢで配置される。周期ＬＢは、周期ＬＡよりも長く且つ周期ＬＡとの公倍数を有する。または、隔壁５４Ｃの下曲部６３の周期ＬＣは、周期ＬＢよりも長く且つ周期ＬＢとの公倍数を有する。これにより、Ｚ軸に沿う負方向に向かうに従って二つの壁５１の接続部６５の数が増加する。従って、流出口４３からガスＧ１，Ｇ２が吐出される場合、二つの通路４１はそれぞれ、接続部６５及び分岐路４４が少ない上流の流体室４２でガスＧ１，Ｇ２を拡散させてから、下流の流体室４２に多数設けられた流出路４８を通じて流出口４３からガスＧ１，Ｇ２を排出することができる。従って、複数の流出口４３におけるガスＧ１，Ｇ２の排出又は吸引のばらつきが抑制される。なお、隣り合う二つの隔壁５４の形状を表現し得る周期関数は、当該周期関数の周期が公倍数を有すれば、異なる関数形であっても良い。

周期ＬＢが周期ＬＡに２の整数倍を乗じた周期であり、周期ＬＣが周期ＬＢに２の整数倍を乗じた周期であると、分岐路４４及び管部６７が設けられる接続部６５の下に、上に凸の上曲部６２が設けられる。これにより、図２の矢印に示すように、分岐路４４からＺ軸に沿う負方向に噴出したガスＧ１，Ｇ２が上曲部６２に衝突し、略均等に分配される。従って、ガスＧ１，Ｇ２の流れの剥離が生じることが抑制され、ガスＧ１，Ｇ２が流体室４２で滞留することが抑制される。

上曲部６２のうち下曲部６３から離間した少なくとも一つは、管部６７が設けられた上曲部６２の接続部６５に面する。言い換えると、分岐路４４及び管部６７が設けられる接続部６５の下に、上に凸の上曲部６２が設けられる。これにより、図２の矢印に示すように、分岐路４４からＺ軸に沿う負方向に噴出したガスＧ１，Ｇ２が上曲部６２に衝突し、略均等に分配される。従って、ガスＧ１，Ｇ２の流れの剥離が生じることが抑制され、ガスＧ１，Ｇ２が流体室４２で滞留することが抑制される。

上曲部６２は、Ｚ軸に沿う正方向に向かって先細る。これにより、図２の矢印に示すように、上曲部６２と下曲部６３との接続部６５に設けられた管部６７の分岐路４４からＺ軸に沿う負方向に噴出したガスＧ１，Ｇ２が、上曲部６２に沿って流れる。従って、ガスＧ１，Ｇ２の流れの剥離が生じることが抑制され、ガスＧ１，Ｇ２が流体室４２で滞留することが抑制される。

曲部６１の頂部は、Ｚ軸に沿う負方向に平面視した場合に、平面内に充填された複数の正多角形Ｐの頂点と重なる位置に配置される。これにより、分岐路４４及び流出口４３が均等に配置され、複数の流出口４３におけるガスＧ１，Ｇ２の排出又は吸引のばらつきが抑制される。さらに、より均一な二酸化ケイ素膜がウェハＷに形成される。

一つの流体室４２に面する上面５４ｂに開口する複数の分岐路４４の数は、当該一つの流体室４２に面する下面５４ａに開口する複数の分岐路４４の数よりも多い。従って、流出口４３からガスＧ１，Ｇ２が吐出される場合、二つの通路４１Ａ，４１Ｂはそれぞれ、分岐路４４が少ない上流の流体室４２でガスＧ１，Ｇ２を拡散させてから、下流の流体室４２に多数設けられた流出路４８を通じて流出口４３からガスＧ１，Ｇ２を排出することができる。従って、複数の流出口４３におけるガスＧ１，Ｇ２の排出又は吸引のばらつきが抑制される。

流出口４３と流体室４２とを接続する流出路４８の長さは、二つの流体室４２を接続する接続路４７の長さよりも長い。分岐路４４が長いほど、分岐路４４を通るガスＧ１，Ｇ２の圧力損失が大きく且つコンダクタンスが低い。このため、流出口４３からガスＧ１，Ｇ２が吐出される場合、ガスＧ１，Ｇ２は、流出口４３と流体室４２とを接続する流出路４８に入るよりも先に、流体室４２で拡散するようになる。従って、二つの通路４１Ａ，４１Ｂはそれぞれ、流体室４２でガスＧ１，Ｇ２を拡散させてから、流出路４８を通じて流出口４３からガスＧ１，Ｇ２を排出することができる。従って、複数の流出口４３におけるガスＧ１，Ｇ２の排出又は吸引のばらつきが抑制される。

例えば、シャワープレート１３が複数の部材により形成される場合、部材と部材との間からガスＧ１，Ｇ２が漏出する可能性がある。一方、本実施形態において、シャワープレート１３と、壁５１と、管部６７とが、一体に成形される。これにより、シャワープレート１３からガスＧ１，Ｇ２が漏出することが抑制される。

以下に、第２の実施形態について、図９を参照して説明する。なお、以下の複数の実施形態の説明において、既に説明された構成要素と同様の機能を持つ構成要素は、当該既述の構成要素と同じ符号が付され、さらに説明が省略される場合がある。また、同じ符号が付された複数の構成要素は、全ての機能及び性質が共通するとは限らず、各実施形態に応じた異なる機能及び性質を有していても良い。

図９は、第２の実施形態に係る一つの隔壁５４を示す平面図である。図９に示すように、第２の実施形態において、曲部６１は、略三角錐状に形成される。すなわち、上曲部６２の下方向の端部と、下曲部６３の上方向の端部とはそれぞれ、略三角形に形成される。

複数の上曲部６２と複数の下曲部６３とは、Ｘ軸に沿う方向に交互に配置される。さらに、複数の上曲部６２と複数の下曲部６３とは、図９に矢印で示す方向Ｄに交互に配置される。方向Ｄは、第２の方向の一例であり、Ｘ軸に対して１２０度交差する方向である。Ｚ軸に沿う負方向に平面視した場合、複数の上曲部６２と複数の下曲部６３とは、平面内に隙間無く且つ重複無く充填される。

複数の隔壁５４のそれぞれにおいて、曲部６１の頂部、接続部６５、管部６７、及び分岐路４４は、Ｚ軸に沿う負方向に平面視した場合に、平面内に充填された複数の正多角形Ｐの頂点（角）と重なる位置に配置される。第２の実施形態において、正多角形Ｐは三角形である。このため、複数の隔壁５４のそれぞれにおいて、曲部６１の頂部、接続部６５、管部６７、及び分岐路４４は、等間隔に配置される。

以上説明された第２の実施形態に示されるように、正多角形Ｐは、第１の実施形態の四角形に限らず、第２の実施形態の三角形のような他の形状であっても良い。さらに、正多角形Ｐは複数の形状を含んでも良い。例えば、正多角形Ｐは、アルキメデスの平面充填を形成する六角形、四角形、及び三角形を含んでも良い。正多角形Ｐは、他の形状を含んでも良い。

以下に、第３の実施形態について、図１０及び図１１を参照して説明する。図１０は、第３の実施形態に係る拡散部３１の一部の断面を示す斜視図である。図１０に示すように、第３の実施形態の隔壁５４は、周期的に曲げられた板状に形成されるが、第１の実施形態の隔壁５４と異なる形状を有する。さらに、第３の実施形態において、拡散部３１の内部に、六つの隔壁５４が設けられる。

第３の実施形態において、曲部６１に含まれる上曲部６２及び下曲部６３はそれぞれ、二つの平坦な板状の部分と、二つの曲げられた板状の部分と、によって形成される。当該曲部６１の頂部は、略四角錐状に形成される。曲部６１は他の形状を有しても良い。

第３の実施形態において、複数の上曲部６２は、互いに異なる形状を有する複数の上曲部６２を含む。すなわち、一つの隔壁５４は、ある形状を有する上曲部６２と、当該上曲部６２と異なる形状を有する他の上曲部６２とを有する。

上曲部６２と同じく、複数の下曲部６３は、互いに異なる形状を有する複数の下曲部６３を含む。すなわち、一つの隔壁５４は、ある形状を有する下曲部６３と、当該下曲部６３と異なる形状を有する他の下曲部６３とを有する。

上記の複数の上曲部６２と複数の下曲部６３とを有する隔壁５４は、Ｙ軸に沿う方向に平面視した場合の一つの断面においてジグザグに形成される。すなわち、隔壁５４の断面形状は、第１の実施形態の正弦波形状のような連続する曲線形状に限らず、第３の実施形態のジグザグ形のような他の形状に形成されても良い。第３の実施形態の隔壁５４の形状も、周期関数によって表現され得る。

図１１は、第３の実施形態の拡散部３１の一部を示す断面図である。図１１に示すように、一つの流体室４２に面する二つの隔壁５４に注目した場合、他方よりもＺ軸に沿う負方向に位置する一方が隔壁５４Ｌと称され、他方が隔壁５４Ｕと称されることがある。

図１１に示すように、シャワープレート１３のある位置における断面をＹ軸に沿う方向に平面視する場合、隔壁５４Ｕ，５４Ｌの一方（図１１においては隔壁５４Ｕ）の複数の上曲部６２及び複数の下曲部６３とは、Ｘ軸に沿う方向に、周期Ｌで配置される。また、隔壁５４Ｕ，５４Ｌの他方（図１１においては隔壁５４Ｌ）の複数の上曲部６２及び複数の下曲部６３とは、Ｘ軸に沿う方向に、周期Ｌの２倍の周期で配置される。なお、シャワープレート１３の他の位置における断面をＹ軸に沿う方向に平面視する場合、隔壁５４Ｕ，５４Ｌの周期は上記の周期と異なる。

隔壁５４Ｌの複数の上曲部６２のうち少なくとも一つは、隔壁５４Ｕの複数の下曲部６３に接続されず、隔壁５４Ｕの複数の下曲部６３から離間した複数の上曲部６２を含む。隔壁５４Ｌの複数の上曲部６２のうち隔壁５４Ｕの複数の下曲部６３から離間した少なくとも一つは、管部６７が設けられた隔壁５４Ｕの上曲部６２の接続部６５に面する。

以上説明された第３の実施形態に示されるように、隔壁５４の形状は、第１の実施形態の正弦関数のような単純な周期関数に限らず、複雑な周期関数によって表現され得る形状であっても良い。

第３の実施形態において、隔壁５４Ｌの上曲部６２のうち隔壁５４Ｕの下曲部６３から離間した少なくとも一つは、隔壁５４Ｕの管部６７が設けられた上曲部６２の接続部６５に面する。これにより、分岐路４４からＺ軸に沿う負方向に噴出したガスＧ１，Ｇ２が隔壁５４Ｌの上曲部６２に衝突し、略均等に分配される。従って、ガスＧ１，Ｇ２の流れの剥離が生じることが抑制され、ガスＧ１，Ｇ２が流体室４２で滞留することが抑制される。

以下に、第４の実施形態について、図１２を参照して説明する。図１２は、第４の実施形態に係る拡散部３１の一部の断面を示す斜視図である。図１２に示すように、第４の実施形態の隔壁５４は、周期的に曲げられた板状に形成されるが、第１の実施形態の隔壁５４と異なる形状を有する。さらに、第４の実施形態において、拡散部３１の内部に、一つの隔壁５４が設けられる。

第４の実施形態において、曲部６１に含まれる上曲部６２及び下曲部６３はそれぞれ、四つの平坦な板状の部分によって形成される。当該曲部６１の頂部は、略四角錐状に形成される。曲部６１は他の形状を有しても良い。

上記の複数の上曲部６２と複数の下曲部６３とを有する隔壁５４は、Ｙ軸に沿う方向に平面視した場合の一つの断面においてジグザグに形成される。第４の実施形態の隔壁５４の形状も、周期関数によって表現され得る。

上曲部６２の頂部と上壁５３との接続部６５に、管部６７が設けられる。当該管部６７は、通路４１Ａの流入路４９と、通路４１Ｂの流体室４２とを隔てる。また、下曲部６３の頂部と底壁５２との接続部６５に、管部６７が設けられる。当該管部６７は、通路４１Ｂの流出路４８と、通路４１Ａの流体室４２とを隔てる。

第４の実施形態において、底壁５２の内面５２ａと、隔壁５４の下面５４ａとが、通路４１Ａの流体室４２に面する。さらに、隔壁５４の上面５４ｂと、上壁５３の内面５３ａとが、通路４１Ｂの流体室４２に面する。通路４１Ａの流体室４２と、通路４１Ｂの流体室４２とは、Ｚ軸に沿う方向において大よそ同一位置に配置される。

以上説明された第４の実施形態の半導体製造装置１０において、シャワープレート１３に、曲部６１の頂部と、他の壁５１と、の接続部６５が設けられる。これにより、シャワープレート１３の剛性及び強度が向上する。

さらに、一方の通路４１Ａの流体室４２の形状を、他方の通路４１Ｂの流体室４２の形状と幾何学的に略同一とし、一方の通路４１Ａの流体室４２における第１のガスＧ１の圧力損失及びコンダクタンスと、他方の通路４１Ｂの流体室４２における第２のガスＧ２の圧力損失及びコンダクタンスとを、より近くすることが可能である。従って、複数の流出口４３におけるガスＧ１，Ｇ２の排出又は吸引のばらつきが抑制される。

接続部６５に、管部６７が設けられる。これにより、一方の通路４１の流体室４２に、例えば互いに離間した二つの壁５１を接続するパイプ状の管部６７を設ける必要が無くなる。従って、一方の通路４１Ａの流体室４２の形状を、他方の通路４１Ｂの流体室４２の形状と幾何学的に略同一とすることが可能となる。

以下に、第５の実施形態について、図１３を参照して説明する。図１３は、第５の実施形態に係る拡散部３１の一部の断面を示す斜視図である。図１３に示すように、第５の実施形態の隔壁５４は、略平坦な板状に形成される。このため、隔壁５４の下面５４ａ及び上面５４ｂは、略平坦に形成される。さらに、第５の実施形態において、拡散部３１の内部に、三つの隔壁５４（５４Ａ，５４Ｂ，５４Ｃ）が設けられる。

第５の実施形態において、複数の壁５１は、互いに離間してＺ軸に沿う負方向に並べられる。すなわち、三つの隔壁５４Ａ，５４Ｂ，５４Ｃは、互いに離間する。底壁５２は、隔壁５４Ａから離間する。上壁５３は、隔壁５４Ｃから離間する。

第５の実施形態の管部６７は、Ｚ軸に沿う負方向に延びるパイプ状に形成され、互いに離間した二つの壁５１を接続する。さらに、流体室４２に、Ｚ軸に沿う負方向に延び、互いに離間した二つの壁５１を接続する支柱８１が設けられる。このため、互いに離間する二つの壁５１は、管部６７及び支柱８１によって互いに支持される。

第１乃至第４の実施形態の管部６７と同じく、第５の実施形態の複数の管部６７は、通路４１Ａの分岐路４４と、通路４１Ｂの流体室４２とを隔てる。他の複数の管部６７は、通路４１Ｂの分岐路４４と、通路４１Ａの流体室４２とを隔てる。

以上説明された第５の実施形態の半導体製造装置１０において、隔壁５４の下面５４ａ及び上面５４ｂは、略平坦に形成される。これにより、例えば、流体室４２に、ガスＧ１，Ｇ２を拡散させる拡散板を配置しやすくなる。

以下に、第６の実施形態について、図１４乃至図１６を参照して説明する。図１４は、第６の実施形態に係る底壁５２の一部を示す断面図である。図１４に示すように、第６の実施形態の流出路４８は分岐される。流出路４８はそれぞれ、内側開口１０１と、流路１０２と、複数の分岐部１０３とを含む。

内側開口１０１は、底壁５２の内面５２ａに開口する。言い換えると、内側開口１０１は、流体室４２に開口する。内側開口１０１は、流出路４８の端に設けられる。別の表現によれば、内側開口１０１は、流出路４８の端に位置する内面５２ａの縁によって形成される。

流路１０２は、流体室４２に開口する内側開口１０１と、少なくとも二つの流出口４３とを接続する。すなわち、少なくとも二つの流出口４３が、流路１０２を介して一つの内側開口１０１に接続される。

複数の分岐部１０３は、流路１０２に設けられる。言い換えると、分岐部１０３は、流路１０２の一部である。複数の分岐部１０３はそれぞれ、第１の延路１１１と、複数の第２の延路１１２と、ガス溜まり１１３とを含む。第１の延路１１１は、上流通路の一例である。第２の延路１１２は、下流通路の一例である。ガス溜まり１１３は、キャビティの一例であり、例えば、淀み部、連結部とも称され得る。

第１の延路１１１は、Ｚ軸に沿う方向に延びる。なお、第１の延路１１１は、他の方向に延びても良いし、曲線状に延びても良い。複数の第２の延路１１２はそれぞれ、第１の延路１１１が延びる方向と交差する方向に延びる。図１４において、複数の第２の延路１１２はＸ軸に沿う方向に延びる。第２の延路１１２は、Ｙ軸に沿う方向のような他の方向に延びても良い。

複数の第２の延路１１２はそれぞれ、流路１０２において、第１の延路１１１よりも流出口４３に近い。言い換えると、内側開口１０１から流出口４３へガスＧ１，Ｇ２が流れる場合、第１の延路１１１は第２の延路１１２よりも上流側に位置し、第２の延路１１２は第１の延路１１１よりも下流側に位置する。このため、第１の延路１１１と流出口４３との間の距離が、第２の延路１１２と流出口４３との間の距離より短くても良い。

第１の延路１１１は、第１の接続端部１１１ａを有する。第１の接続端部１１１ａは、Ｚ軸に沿う方向における第１の延路１１１の一方の端部である。第１の接続端部１１１ａは、第１の延路１１１の端のみならず、当該端に隣接する第１の延路１１１の一部を含む。

複数の第２の延路１１２はそれぞれ、第２の接続端部１１２ａを有する。第２の接続端部１１２ａは、複数の下流通路のそれぞれの上流側の端部、の一例である。第２の接続端部１１２ａは、第２の延路１１２が延びる方向（Ｘ軸に沿う方向）における第２の延路１１２の一方の端部である。第２の接続端部１１２ａは、第２の延路１１２の端のみならず、当該端に隣接する第２の延路１１２の一部を含む。

ガス溜まり１１３は、第１の延路１１１と、複数の第２の延路１１２との間に位置する。ガス溜まり１１３に、第１の延路１１１と、複数の第２の延路１１２とが接続される。言い換えると、第１の延路１１１がガス溜まり１１３に開口し、さらに、複数の第２の延路１１２がそれぞれガス溜まり１１３に開口する。

ガス溜まり１１３に、第１の延路１１１の第１の接続端部１１１ａが接続される。言い換えると、第１の接続端部１１１ａにおいて、第１の延路１１１とガス溜まり１１３とが接続される。

さらに、ガス溜まり１１３に、第２の延路１１２の第２の接続端部１１２ａが接続される。言い換えると、第２の接続端部１１２ａにおいて、第２の延路１１２とガス溜まり１１３とが接続される。

本実施形態において、ガス溜まり１１３は、Ｚ軸に沿う方向に延びる略楕円体形状又は長球形状に形成される。ガス溜まり１１３は他の形状に形成されても良い。ガス溜まり１１３は、第１の端部１１３ａと、第２の端部１１３ｂとを有する。

第１の端部１１３ａは、Ｚ軸に沿う方向におけるガス溜まり１１３の一方の端部である。第２の端部１１３ｂは、Ｚ軸に沿う方向におけるガス溜まり１１３の他方の端部である。すなわち、第２の端部１１３ｂは、第１の端部１１３ａの反対側にある。

第１の延路１１１の第１の接続端部１１１ａは、第１の端部１１３ａに接続される。第２の延路１１２の第２の接続端部１１２ａは、Ｚ軸に沿う方向において、第２の端部１１３ｂから離間した位置でガス溜まり１１３に接続される。

第１の延路１１１は、ガス溜まり１１３を介して、複数の第２の延路１１２に接続される。言い換えると、複数の第２の延路１１２は、一つの第１の延路１１１から分岐される。複数の第２の延路１１２は、例えば、ガス溜まり１１３から放射状に延びる。

ガス溜まり１１３は、溜まり部１１３ｃを含む。溜まり部１１３ｃは、ガス溜まり１１３の一部であって、Ｚ軸に沿う方向における第２の接続端部１１２ａと第２の端部１１３ｂとの間の部分である。

分岐部１０３は、第１の絞り部１１５と、複数の第２の絞り部１１６とをさらに含む。第１の絞り部１１５は、第１の延路１１１の第１の接続端部１１１ａに位置する。言い換えると、第１の絞り部１１５は、第１の延路１１１とガス溜まり１１３との間に位置する。本実施形態において、Ｚ軸に沿う方向に平面視した場合、第１の絞り部１１５の断面積は、第１の延路１１１の他の部分の断面積よりも小さい。

例えば、第１の絞り部１１５の断面積は、ガス溜まり１１３に近づくに従って縮小する。言い換えると、第１の絞り部１１５は、ガス溜まり１１３に向かって先細る。第１の絞り部１１５は、例えば、第１の延路１１１の内面から突出する壁によって、断面積を縮小された部分であっても良い。なお、分岐部１０３は、第１の絞り部１１５を有さなくても良い。言い換えると、第１の延路１１１の断面積は一定であっても良い。

第２の絞り部１１６は、複数の第２の延路１１２のそれぞれの第２の接続端部１１２ａに位置する。言い換えると、第２の絞り部１１６は、第２の延路１１２とガス溜まり１１３との間に位置する。本実施形態において、当該第２の延路１１２が延びる方向に平面視した場合、第２の絞り部１１６の断面積は、第２の延路１１２の他の部分の断面積よりも小さい。

例えば、第２の絞り部１１６の断面積は、ガス溜まり１１３に近づくに従って縮小する。言い換えると、第２の絞り部１１６は、ガス溜まり１１３に向かって先細る。第２の絞り部１１６は、例えば、第２の延路１１２の内面から突出する壁によって、断面積を縮小された部分であっても良い。

第２の絞り部１１６は、流出路４８において、当該第２の絞り部１１６の上流に隣接する上流区間よりも断面積が小さい部分である。このため、第２の絞り部１１６の断面積と第２の延路１１２の断面積とが同じであっても良い。

それぞれの第２の延路１１２とガス溜まり１１３とが接続された部分の断面積は、第１の延路１１１とガス溜まり１１３とが接続された部分の断面積よりも小さい。言い換えると、第２の絞り部１１６の最小の断面積は、第１の絞り部１１５の最小の断面積よりも小さい。

Ｚ軸に沿う方向に平面視した場合において、ガス溜まり１１３の最大の断面積は、第１の絞り部１１５の最小の断面積よりも大きい。さらに、本実施形態において、ガス溜まり１１３の最大の断面積は、第１の延路１１１の最大の断面積よりも大きい。なお、ガス溜まり１１３の最大の断面積はこれに限らない。

図１４に示すように、第６の実施形態の流出路４８は、二回分岐される。以下、説明のために、複数の分岐部１０３を分岐部１０３Ａ，１０３Ｂと個別に称することがある。分岐部１０３Ａ，１０３Ｂに共通する説明は、分岐部１０３についての説明として記載される。

複数の分岐部１０３は、一つの分岐部１０３Ａと、複数の分岐部１０３Ｂとを含む。分岐部１０３Ａは一階層目の分岐部１０３であり、分岐部１０３Ｂは二階層目の分岐部１０３である。

分岐部１０３Ａの第１の延路１１１は、内側開口１０１に接続される。分岐部１０３Ａの第２の延路１１２と、分岐部１０３Ｂの第１の延路１１１とは、互いに接続される。分岐部１０３Ｂの第２の延路１１２は、流出口４３に接続される。

分岐部１０３Ａのガス溜まり１１３の体積は、分岐部１０３Ｂのガス溜まり１１３の体積よりも大きい。分岐部１０３Ａの第２の絞り部１１６の最小の断面積は、分岐部１０３Ｂの第２の絞り部１１６の最小の断面積よりも大きい。なお、分岐部１０３Ａと分岐部１０３Ｂとの形状はこれに限らない。

図１４に矢印で示すように、第１のガスＧ１又は第２のガスＧ２（ガスＧ１，Ｇ２）が内側開口１０１から、流出路４８に流入する。ガスＧ１，Ｇ２は、分岐部１０３Ａにおいて、第１の延路１１１から、ガス溜まり１１３に流入する。

第２の絞り部１１６の最小断面積は、ガス溜まり１１３の最大断面積よりも小さい。このため、ガスＧ１，Ｇ２は、第２の絞り部１１６を通って第２の延路１１２に流入するよりも、ガス溜まり１１３で滞留しやすい。このため、ガスＧ１，Ｇ２は、ガス溜まり１１３に開口する第２の延路１１２を通り過ぎ、ガス溜まり１１３の溜まり部１１３ｃに向かって流れる。ガスＧ１，Ｇ２は、ガス溜まり１１３で滞留した後、複数の第２の絞り部１１６を通って複数の第２の延路１１２に流出する。

分岐部１０３Ａの第２の延路１１２へ流出したガスＧ１，Ｇ２は、分岐部１０３Ｂにおいて、第１の延路１１１から、ガス溜まり１１３に流入する。分岐部１０３Ｂにおいても、ガスＧ１，Ｇ２は、ガス溜まり１１３で滞留した後、複数の第２の絞り部１１６を通って複数の第２の延路１１２に流出する。ガスＧ１，Ｇ２は、第２の延路１１２を通って、流出口４３から排出される。

上述のように、ガスＧ１，Ｇ２は、複数の第２の絞り部１１６を通って複数の第２の延路１１２に流出する前に、ガス溜まり１１３で滞留する。このため、第１の延路１１１における流れの影響により、複数の第２の延路１１２に流れるガスＧ１，Ｇ２の流量がばらつくことが抑制される。

以下、図１５及び図１６を参照して、ガス溜まり１１３及び第２の絞り部１１６を含む分岐部１０３におけるガスＧ１，Ｇ２の流れの一例について説明する。図１５は、第６の実施形態のガス溜まり１１３の半径に対する、第２の延路１１２へのガスＧ１，Ｇ２の分配比を示すグラフである。図１６は、第６の実施形態の第２の絞り部１１６の最小の半径に対する、第２の延路１１２へのガスＧ１，Ｇ２の分配比を示すグラフである。

図１５及び図１６のグラフは、以下の条件における、第２の延路１１２へのガスＧ１，Ｇ２の分配比の一例を示す。すなわち、
第１の延路１１１とガス溜まり１１３とが接続された部分は、略長方形に形成される。
分岐部１０３は、互いに反対方向に延びる二つの第２の延路１１２を含む。
第２の延路１１２とガス溜まり１１３とが接続された部分は、円形に形成され、第２の延路１１２と同じ半径を有する。図１６において、第２の延路１１２の半径が変更される。
ガス溜まり１１３は、円柱形に形成される。図１５において、ガス溜まり１１３の半径が変更される。

図１５に示すように、ガス溜まり１１３の半径（ガス溜まり１１３の体積）が大きいほど、分配比が０．５に近づく。分配比が０．５の場合、二つの第２の延路１１２に均等にガスＧ１，Ｇ２が流れる。このように、ガス溜まり１１３の体積が大きいほど、複数の第２の延路１１２にガスＧ１，Ｇ２が均等に流れる。

図１６に示すように、第２の絞り部１１６の最小の半径（第２の絞り部１１６の最小の断面積）が小さいほど、分配比が０．５に近づく。このように、第２の絞り部１１６の最小の断面積が小さいほど、複数の第２の延路１１２にガスＧ１，Ｇ２が均等に流れる。

以上説明された第６の実施形態の半導体製造装置１０において、流出路４８は、複数の第２の延路１１２のそれぞれの第２の接続端部１１２ａに位置する複数の第２の絞り部１１６を含む。このような本実施形態の流出路４８は、第２の絞り部１１６が設けられていない場合に比べて、第２の絞り部１１６の上流側におけるガスＧ１，Ｇ２の速度及び圧力の、場所によるばらつきを低減できる。従って、複数の第２の絞り部１１６及びその下流に隣接する複数の下流区間のそれぞれにおける、ガスＧ１，Ｇ２の流量のばらつきがより低減される。

流出路４８は、一つの第１の延路１１１と複数の第２の延路１１２との間に位置するキャビティとしてのガス溜まり１１３を含む。このような本実施形態の流出路４８は、ガス溜まり１１３が設けられていない場合に比べて、ガス溜まり１１３の上流側におけるガスＧ１，Ｇ２の速度及び圧力の、場所によるばらつきを低減できる。従って、複数のガス溜まり１１３及びその下流に隣接する複数の下流区間のそれぞれにおける、ガスＧ１，Ｇ２の流量のばらつきがより低減される。

下流側の分岐部１０３Ｂにおいて、ガス溜まり１１３を形成可能な部分は小さい。しかし、分岐部１０３Ｂのガス溜まり１１３の体積は、分岐部１０３Ａのガス溜まり１１３の体積よりも小さい。このため、分岐部１０３Ｂのガス溜まり１１３が容易に設けられる。

下流側の分岐部１０３ＢにおけるガスＧ１，Ｇ２の流速は、上流側の分岐部１０３ＡにおけるガスＧ１，Ｇ２の流速よりも遅い。しかし、分岐部１０３Ｂの第２の絞り部１１６の最小の断面積は、分岐部１０３Ａの第２の絞り部１１６の最小の断面積よりも小さい。これにより、第２の絞り部１１６の上流側と下流側との間で圧力差が確保され、第２の絞り部１１６の上流側におけるガスＧ１，Ｇ２の速度及び圧力の、場所によるばらつきを低減できる。

図１７は、第６の実施形態の変形例に係る分岐部１０３を概略的に示す図である。図１７に示すように、第１の延路１１１は、延長部１１１ｂを有しても良い。延長部１１１ｂは、第１の延路１１１の一部であり、ガス溜まり１１３の第１の端部１１３ａから第２の端部１１３ｂに向かって延びる。

延長部１１１ｂが設けられることで、第１の延路１１１は、ガス溜まり１１３の内部で、当該ガス溜まり１１３に開口する。第１の延路１１１は、第２の延路１１２よりも第２の端部１１３ｂに近い位置で、ガス溜まり１１３に開口する。これにより、第１の延路１１１における流れの影響により、複数の第２の延路１１２に流れるガスＧ１，Ｇ２の流量がばらつくことが抑制される。

以上説明された少なくとも一つの実施形態によれば、二つの通路がそれぞれ、少なくとも一つの流体室を有する。二つの通路のそれぞれの流体室が、第１の方向に交互に配置される。これにより、複数の開口における流体の排出又は吸引のばらつきが抑制される。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１０…半導体製造装置、１２…ステージ、１２ａ…支持部、１３…シャワープレート、１４…第１のポンプ、１５…第２のポンプ、３１…拡散部、３１ａ…底面、４１，４１Ａ，４１Ｂ…通路、４２…流体室、４３…流出口、４４…分岐路、４７…接続路、４８…流出路、４９…流入路、５１…壁、５２…底壁、５２ａ…内面、５３…上壁、５３ａ…内面、５４，５４Ａ，５４Ｂ，５４Ｃ，５４Ｌ，５４Ｕ…隔壁、５４ａ…下面、５４ｂ…上面、６１…曲部、６２…上曲部、６３…下曲部、６５，６５Ａ，６５ＡＢ，６５ＢＣ，６５Ｃ…接続部、６７…管部、１０２…流路、１０３，１０３Ａ，１０３Ｂ…分岐部、１１１…第１の延路、１１２…第２の延路、１１３…ガス溜まり、１１５…第１の絞り部、１１６…第２の絞り部、Ｗ…ウェハ、ＬＡ，ＬＢ，ＬＣ…周期、Ｐ…正多角形、Ｇ１…第１のガス、Ｇ２…第２のガス、Ｄ…方向、Ｌ…周期。

Claims (18)

1. 第１の方向の端に位置する外面を有し、内部に互いに独立した二つの通路が設けられ、当該二つの通路がそれぞれ、少なくとも一つの流体室と、前記外面に開口する複数の開口と、前記流体室に接続された複数の分岐路と、を含み、前記二つの通路のそれぞれの前記流体室が前記第１の方向に交互に配置され、前記複数の分岐路が前記複数の開口のうち少なくとも一つと一つの前記流体室とを接続する前記複数の分岐路及び一つの前記流体室と他の前記流体室とを接続する前記複数の分岐路の少なくとも一方を含む、ハウジングと、
   前記ハウジングに設けられ、前記流体室に面するとともに前記第１の方向に前記流体室を介して並べられた複数の第１の壁部と、
   を具備する流路構造。
2. 前記ハウジングの内部に設けられ、一方の前記通路の前記分岐路と、他方の前記通路の前記流体室と、を隔てる少なくとも一つの第２の壁部をさらに具備する、請求項１の流路構造。
3. 前記二つの通路はそれぞれ、複数の前記流体室を含む、請求項２の流路構造。
4. 前記複数の第１の壁部の少なくとも一つは、それぞれが前記第１の方向に凸又は前記第１の方向の反対方向に凸である少なくとも一つの曲部を有する、請求項２又は請求項３の流路構造。
5. 少なくとも一つの前記曲部の頂部と、当該曲部を有する前記第１の壁部と異なる前記第１の壁部と、の接続部をさらに具備する請求項４の流路構造。
6. 前記接続部に前記第２の壁部が設けられた、請求項５の流路構造。
7. 一つの前記流体室に面する二つの前記第１の壁部のうち、他方よりも前記第１の方向に位置する一方は、前記曲部に含まれ且つ前記第１の方向の反対方向に凸の複数の第１の曲部、を有し、
   当該一つの前記流体室に面する二つの前記第１の壁部のうち他方は、前記曲部に含まれ且つ前記第１の方向に凸の複数の第２の曲部を有し、
   前記複数の第１の曲部のうち少なくとも一つの頂部と、前記複数の第２の曲部のうち少なくとも一つの頂部と、の前記接続部に、前記第２の壁部が設けられる、
   請求項６の流路構造。
8. 前記複数の第１の曲部は、前記第１の方向と交差する第２の方向に、第１の周期で配置され、
   前記複数の第２の曲部は、前記第２の方向に、前記第１の周期よりも長く且つ前記第１の周期との公倍数を有する第２の周期で配置される、
   請求項７の流路構造。
9. 前記第２の周期は、前記第１の周期に２の整数倍を乗じた周期である、請求項８の流路構造。
10. 前記複数の第２の曲部を有する前記第１の壁部に、前記第１の方向の反対方向に凸の複数の第３の曲部が設けられ、
    前記複数の第３の曲部のうち少なくとも一つの頂部と、前記複数の第２の曲部を有する前記第１の壁部よりも前記第１の方向の反対方向に位置する他の前記第１の壁部との前記接続部に、前記第２の壁部が設けられ、
    前記複数の第１の曲部のうち前記第２の曲部から離間した少なくとも一つは、前記第２の壁部が設けられた前記第３の曲部の前記接続部に面する、
    請求項７の流路構造。
11. 前記第１の曲部は、前記第１の方向の反対方向に向かって先細る、請求項７乃至請求項１０のいずれか一つの流路構造。
12. 前記曲部を有する前記複数の第１の壁部のそれぞれにおいて、前記曲部の頂部は、前記第１の方向に平面視した場合に、平面内に充填された複数の正多角形の頂点と重なる位置に配置される、請求項４乃至請求項１１のいずれか一つの流路構造。
13. 一つの前記流体室に面する二つの前記第１の壁部のうち、他方よりも前記第１の方向に位置する一方は、当該一つの前記流体室に面し、前記複数の分岐路が開口する第１の面を有し、
    当該一つの前記流体室に面する二つの前記第１の壁部のうち他方は、当該一つの前記流体室に面し、前記複数の分岐路が開口する第２の面を有し、
    前記第１の面に開口する前記複数の分岐路の数は、前記第２の面に開口する前記複数の分岐路の数よりも多い、
    請求項１乃至請求項１２のいずれか一つの流路構造。
14. 前記複数の開口の一つと一つの前記流体室とを接続する前記分岐路の長さは、一つの前記流体室と他の前記流体室とを接続する前記分岐路の長さよりも長い、請求項１乃至請求項１３のいずれか一つの流路構造。
15. 前記ハウジングと、前記複数の第１の壁部と、前記少なくとも一つの第２の壁部とが、一体に成形される、請求項２乃至請求項１２のいずれか一つの流路構造。
16. 前記複数の開口のうち少なくとも一つと前記流体室とを接続する前記複数の分岐路はそれぞれ、一つの上流通路と、前記一つの上流通路から分岐される複数の下流通路と、前記複数の下流通路のそれぞれの上流側の端部に位置する複数の絞り部と、を含む、請求項１乃至請求項１５のいずれか一つの流路構造。
17. 前記複数の開口のうち少なくとも一つと前記流体室とを接続する前記複数の分岐路はそれぞれ、前記一つの上流通路と前記複数の下流通路との間に位置するキャビティを含み、
    前記複数の下流通路はそれぞれ、前記キャビティに開口し、
    前記キャビティと前記下流通路との間に前記絞り部が位置する、
    請求項１６の流路構造。
18. 請求項１乃至請求項１７のいずれか一つの流路構造と、
    前記外面が向く位置に物体を支持するよう構成された物体支持部と、
    一方の前記通路に第１の流体を供給するよう構成された第１の流体供給部と、
    他方の前記通路に第２の流体を供給するよう構成された第２の流体供給部と、
    を具備する処理装置。

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