KR102155962B1

KR102155962B1 - 반도체 공정용 유체 확산 성능 향상을 위한 베인 어셈블리

Info

Publication number: KR102155962B1
Application number: KR1020190059580A
Authority: KR
Inventors: 유재영; 오재성
Original assignee: 중앙대학교 산학협력단
Priority date: 2019-05-21
Filing date: 2019-05-21
Publication date: 2020-09-14

Abstract

본 발명은 반도체 공정용 유체 확산 성능 향상을 위한 베인 어셈블리에 관한 것이다. 본 발명에 의한 반도체 공정용 유체 확산 성능 향상을 위한 베인 어셈블리는, 반도체 부품 제작 공정에서 발생하는 연기나 세정액 등의 유체를 어느 한 곳에 모이게 하지 않고 골고루 분산시킬 수 있도록, 반도체 공정 챔버 내의 가공대상 부품으로부터 상측으로 이격된 위치에 설치되어 기류를 형성하는 것으로, 상기 챔버와 소통되는 유입관에 설치되어서 상기 챔버 측으로 향하는 유체의 흐름을 분산시켜 주기 위한 것으로, 상기 유입관의 중심축을 따라 관통형성된 중심유로가 형성되어 있는 메인 베인; 및 상기 메인 베인을 환형으로 감싸는 형태로 배치되어서 상기 메인 베인 또는 인접한 요소들 간의 마주하는 내면과 외면 사이에 유체가 흐를 수 있는 서브 유로를 형성시키는 적어도 하나의 서브 베인;을 포함하여 이루어지고, 상기 메인 베인과 서브 베인은, 각각 유체가 통과되는 복수의 공극들을 포함하여 이루어지고, 상측에서 하측으로 갈수록 내경이 점진적으로 커지는 형상으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 공정용 유체 확산 성능 향상을 위한 베인 어셈블리{Perforated vane assembly for semiconductor process to improve flow distribution}

본 발명은 반도체 공정용 유체 확산 성능 향상을 위한 베인 어셈블리에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 공정챔버나 집진기, 열교환기 등의 장비에 유입되는 유체의 혼합과 확산 성능을 향상시킬 수 있고, 장비 내부에서 발생되는 연기 속에 포함된 이물질이 공극에 끼거나 액체의 튐과 맺힘 현상으로 인한 이차적인 영향을 최소화할 수 있도록, 구조가 개선된 반도체 공정용 유체 확산 성능 향상을 위한 베인 어셈블리에 관한 것이다.

반도체 제작을 위하여 사용되는 공정 챔버 및 집진기, 열교환기, 반응기 등과 같은 장비 내부의 유체 유입구 또는 유출구 측에는, 유체 혼합 및 확산을 위한 다공판 및 가이드 베인이 설치된다.

예를 들어 반도체 공정 시 사용되는 챔버 내부에는 유체의 확산을 위하여 평판형 다공판이 사용된다. 이러한 다공판은 유입된 유체를 균일하게 확산시켜야 하며 유속을 감소시켜 Si-Wafer에 균일하게 분포되어 품질을 향상시켜야 하기 때문에 반도체 부품 제작을 위한 공정 구현시에 반드시 필요한 매우 중요한 요소 중 하나이다.

상기 챔버 내로 유입되는 기체는 평판형 다공 판을 통해 균일하게 확산 분포되어야 하지만 유체의 유동 특성 또는 챔버 내 환경 등에 의해 그렇지 않은 경우가 빈번하게 발생되고 있다.

또한, 반도체 공정시 발생하는 fume(연기)나 이물질이 다공판의 공극에 끼거나 장비 내부 세척시 세정액과 같은 액체의 튐/맺힘 현상 등의 이차적인 영향으로 인하여, 다공판의 공극이 막혀 유체가 균일하게 확산 분포하지 못하거나 공정 중 이물질로 인하여 반도체의 품질이 저하되는 문제점이 있었다.

즉, 반도체 공정을 통한 품질 향상을 위해서는 기체뿐만 아니라 입자들 또한 균일하게 확산시켜 주어야 하며, 이차적으로 발생하는 장비 내부에서 발생할 수 있는 연기 속에 포함되어 있는 이물질이 공극에 끼는 현상, 액체의 튐/맺힘 현상 등의 영향을 최소화시켜야 한다.

그러나, 종래기술에 의하면 유체 혼합 및 확산의 성능을 향상시키기 위해 단순 평판형 다공판을 여러 개 설치하거나 가이드 베인을 설치하여 확산 성능을 향상시키는 기술만이 제시되어 있을 뿐이어서, 장비 내부에서 발생할 수 있는 연기 속에 포함되어 있는 이물질이 공극에 끼는 현상과 같은 이차적인 영향을 고려하지 못해 결국 반도체 부품의 품질을 떨어뜨리는 문제가 초래되었다.

그리고, 유체의 확산을 위해 상기 챔버의 유입관 내에 설치되는 가이드 베인은, 그 유입관의 구조 및 면적에 따라 설치 제약이 존재한다. 설치 제약으로 인하여 충분한 수로 설치되지 못한 가이드 베인은 유동의 분산 효과가 적다. 또한, 기본적으로 가이드 베인은 유입관 내면에 고정시키기 위한 고정브라켓과 복수의 가이드 베인들이 설치되는 경우 각 요소들 사이를 연결하는 연결브라켓에 의해 유입관 내부에 견고히 위치고정되는데, 이러한 고정브라켓과 연결브라켓들은 유체 유동의 압력강하를 증가시켜서 유체의 확산 및 분산 성능을 저해하는 문제점을 초래하였다.

한국공개특허공보 공개번호 제2016-0118463호 한국등록특허공보 등록번호 제10-1733239호

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 반도체 부품 제작시 발생하는 상승기류의 연기와 같은 이물질에 하강기류의 유체를 골고루 확산 분사시켜 그 이물질이 챔버 내의 어느 일측에 잔류하거나 접촉되는 것을 억제시킬 수 있게 하는 유체의 확산 성능을 향상시키는 반도체 공정용 유체 확산 성능 향상을 위한 베인 어셈블리를 제공하고자 하는 것이다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 반도체 공정용 유체 확산 성능 향상을 위한 베인 어셈블리는, 반도체 부품 제작 공정에서 발생하는 연기나 세정액 등의 유체를 어느 한 곳에 모이게 하지 않고 골고루 분산시킬 수 있도록, 반도체 공정 챔버 내의 가공대상 부품으로부터 상측으로 이격된 위치에 설치되어 기류를 형성하는 것으로, 상기 챔버와 소통되는 유입관에 설치되어서 상기 챔버 측으로 향하는 유체의 흐름을 분산시켜 주기 위한 것으로, 상기 유입관의 중심축을 따라 관통형성된 중심유로가 형성되어 있는 메인 베인; 및 상기 메인 베인을 환형으로 감싸는 형태로 배치되어서 상기 메인 베인 또는 인접한 요소들 간의 마주하는 내면과 외면 사이에 유체가 흐를 수 있는 서브 유로를 형성시키는 적어도 하나의 서브 베인;을 포함하여 이루어지고, 상기 메인 베인과 서브 베인은, 각각 유체가 통과되는 복수의 공극들을 포함하여 이루어지고, 상측에서 하측으로 갈수록 내경이 점진적으로 커지는 형상으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

상기 공극들은, 상기 각 베인의 상측에서 하측으로 갈수록 점진적으로 커지는 형상으로 이루어지는 것이 바람직하다.

본 발명은 상기 각 베인을 통과한 유체가 상기 챔버 측으로 유입되기 이전에 확산될 수 있도록, 상기 챔버 내에 배치되고 유체가 통과되는 공극들이 형성되어 있으며 상기 각 베인이 결합되는 다공판;을 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.

상기 다공판은 중심에서 가장자리 측으로 갈수록 상기 챔버의 바닥면과의 연직거리가 점진적으로 길게 형성되는 것이 바람직하다.

본 발명은, 상기 다공판에 상기 베인이 결합된 상태로 그 다공판을 상기 챔버에 착탈 가능하게 결합시키기 위한 결합수단;을 더 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.

상기 결합수단은, 상기 유입관의 챔버와 연결되는 유입구를 감싸는 형태로 상기 챔버에 고정 설치되고, 결속용 홈과 그 결속용 홈으로 상대물을 안내하기 위한 안내홈을 포함하는 결속링과, 상기 다공판에 마련되고 상기 결속링의 안내홈에 삽입된 이후 회전되는 도중 상기 결속용 홈에 결속되는 결속리브;를 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.

상기 다공판은 중심에서 가장자리 측으로 갈수록 공극이 점점 커지는 형상으로 이루어지는 것이 바람직하다.

상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 반도체 공정용 유체 확산 성능 향상을 위한 베인 어셈블리는, 반도체 부품 제작시 챔버 내에서 발생하는 연기나 액체 등의 이물질이 상승하거나 튀면서 챔버에 잔류하는 것을 억제시킬 수 있도록, 그 이물질의 상승 기류와 반대방향의 하강 기류를 형성시켜 이물질을 챔버 하측으로 배출시키고자 하는 경우에, 하강기류 형성용 유체를 메인 베인과 서브 베인들로 분산시킬 수 있게 하고, 각 메인 베인과 서브 베인에 형성된 공극을 통해 하강기류 형성용 유체를 다양한 경로로 확산시킬 수 있게 함으로써, 챔버 내에서 발생한 이물질이 챔버 내의 어느 일측에 잔류하거나 접촉되는 것을 억제시킬 수 있는 장점을 가지고, 이로 인해 결국 성형하고자 하는 제품의 품질을 향상시킬 수 있게 하는 효과를 기대할 수 있게 한다.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 공정용 유체 확산 성능 향상을 위한 베인 어셈블리의 단면도.
도 2는 도 1의 Ⅱ부분 확대도.
도 3은 본 발명 일실시예에 채용된 메인 베인 및 서브 베인에 형성된 공극을 설명하기 위한 도면.
도 4는 본 발명 일실시예를 챔버에 설치시키기 위한 수단을 설명하기 위한 도면.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 공정용 유체 확산 성능 향상을 위한 베인 어셈블리를 챔버에 설치기키기 위한 수단을 설명하기 위한 도면.
도 6은 도 5의 Ⅵ-Ⅵ 단면도.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 채용된 메인 베인의 구조를 설명하기 위한 도면.

이하의 설명에서 본 발명에 대한 이해를 명확히 하기 위하여, 본 발명의 특징에 대한 공지의 기술에 대한 설명은 생략하기로 한다. 이하의 실시 예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 상세한 설명이며, 본 발명의 권리 범위를 제한하는 것이 아님은 당연할 것이다. 따라서, 본 발명과 동일한 기능을 수행하는 균등한 발명 역시 본 발명의 권리 범위에 속할 것이다.

그리고, 이하의 설명에서 동일한 식별 기호는 동일한 구성을 의미하며, 불필요한 중복적인 설명 및 공지 기술에 대한 설명은 생략하기로 한다. 또한, 상기 발명의 배경이 되는 기술에 대한 기재 내용과 중복되는 이하의 본 발명의 각 실시예에 관한 설명 역시 생략하기로 한다.

이하에서는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 공정용 유체 확산 성능 향상을 위한 베인 어셈블리를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 공정용 유체 확산 성능 향상을 위한 베인 어셈블리의 단면도이고, 도 2는 도 1의 Ⅱ부분 확대도이며, 도 3은 본 발명 일실시예에 채용된 메인 베인 및 서브 베인에 형성된 공극을 설명하기 위한 도면이며, 도 4는 본 발명 일실시예를 챔버에 설치시키기 위한 수단을 설명하기 위한 도면이다.

이들 도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 공정용 유체 확산 성능 향상을 위한 베인 어셈블리는, 반도체 부품 제작 공정에서 발생하는 연기나 세정액 등의 유체를 어느 한 곳에 모이게 하지 않고 골고루 분산시킬 수 있도록, 반도체 공정 챔버(C) 내의 가공대상부품(A)으로부터 상측으로 이격된 위치에 설치되어 기류를 형성하는 것으로, 메인 베인(1)과 서브 베인(2)을 포함하여 이루어진다.

상기 메인 베인(1)은, 도 1 및 도 2에 잘 도시된 바와 같이, 상기 챔버(C)와 소통되는 유입관(B)에 설치되어서 상기 챔버(C) 측으로 향하는 유체의 흐름을 분산시켜 주기 위한 것으로, 상기 유입관(B)의 중심축을 따라 관통형성된 중심 유로(11)를 포함하여 이루어진다.

즉, 상기 메인 베인(1)은 상기 유입관(B)의 유체가 흐르는 공간 중 일부분을 구획시키는 중심 유로(11)를 포함하여 이루어져서, 유체의 분산 및 확산을 향상시킬 수 있게 한다.

상기 서브 베인(2)은, 상기 메인 베인(1)과 함께 상기 유입관(B)의 공간을 복수개로 구획시켜서 유체를 골고루 분산시킨 상태에서 확산시킬 수 있게 하는 것으로, 상기 메인 베인(1)을 환형으로 감싸는 형태로 배치되어서 상기 메인 베인(1) 또는 인접한 요소들 간의 마주하는 내면과 외면 사이에 유체가 흐를 수 있는 서브 유로(21)를 형성시킨다.

이러한 메인 베인(1)과 서브 베인(2)은, 도 3의 왼쪽 확대부분에 잘 도시된 바와 같이 각각 유체가 통과되는 복수의 공극(10)(20)들을 포함하여 이루어지고, 상측에서 하측으로 갈수록 내경이 점진적으로 커지는 형상으로 이루어진다.

이와 같이, 공극(10)(20)들이 형성된 메인 베인(1)과 서브 베인(2)들은, 유체가 각 베인들에 의해 분산된 상태로 상기 중심 유로(11)와 서브 유로(21)를 경유할 수 있도록 하고, 어느 하나의 서브 유로(21)에서 유동하는 유체가 상기 공극(20)을 통해 인접한 다른 하나의 서브 유로(21)로 유입될 수 있도록 구성됨으로써, 유체의 분산 및 확산성을 더욱 개선시킬 수 있게 한다.

위에서 설명한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 공정용 유체 확산 성능 향상을 위한 베인 어셈블리는, 반도체 부품 제작시 챔버(C) 내에서 발생하는 연기나 액체 등의 이물질이 상승하거나 튀면서 챔버(C)에 잔류하는 것을 억제시킬 수 있도록, 그 이물질의 상승 기류와 반대방향의 하강 기류를 형성시켜 이물질을 도 1과 같이 챔버(C) 하측으로 배출시키고자 하는 경우에, 하강기류 형성용 유체를 메인 베인(1)과 서브 베인(2)들로 분산시킬 수 있게 하고, 상기 각 메인 베인(1)과 서브 베인(2)에 형성된 공극(10)(20)을 통해 하강기류 형성용 유체를 다양한 경로로 확산시킬 수 있게 한다. 이로 인해 본 실시예는 챔버(C) 내에서 발생한 이물질이 챔버(C) 내의 어느 일측에 잔류하거나 접촉되는 것을 억제시킬 수 있게 하여, 결국 성형하고자 하는 제품의 품질을 향상시킬 수 있게 하는 장점을 기대할 수 있게 한다.

한편, 상기 공극(10)(20)들은, 도 3의 아래쪽 확대부분에 잘 도시된 바와 같이, 상기 각 베인의 상측에서 하측으로 갈수록 점진적으로 커지는 형상으로 이루어지는 것이 바람직하다.

이러한 구성을 가지는 본 실시예는, 유체가 중심보다는 외측으로 분산하여 통과될 수 있게 하여, 챔버(C)의 중심 측에 유체의 흐름이 집중되는 것을 방지하고 챔버(C) 내에 골고루 유체가 확산될 수 있게 하는 장점을 가진다.

본 실시예는, 상기 각 베인을 통과한 유체가 상기 챔버(C) 측으로 유입되기 이전에 확산될 수 있도록, 상기 유입관(B)과 챔버(C)를 소통시키는 유입구 주변에 설치되는 다공판(3)을 포함하여 이루어진다.

상기 다공판(3)은, 상기 메인 베인(1)과 서브 베인(2)이 결합된 상태에서 그 베인들과 함께 챔버(C)에 설치되어서, 설치효율을 향상시킬 수 있게 함은 물론, 상기 각 베인을 유입관(B) 내에 고정시키기 위한 브라켓들에 의해 유체 흐름이 방해되는 것을 방지할 수 있게 한다.

그리고, 상기 다공판(3)은 유체가 통과되는 공극(31)들을 포함하여 이루어져서, 상기 각 베인을 통과한 유체가 챔버(C) 측으로 유입될 수 있게 한다.

또한, 상기 다공판(3)은 중심에서 가장자리 측으로 갈수록 상기 챔버(C)의 바닥면과의 연직거리가 점진적으로 길게 형성되고, 중심에서 가장자리 측으로 갈수록 공극(31)이 점점 커지는 형상으로 이루어지는 것이 바람직하다.

이러한 구성을 가지는 본 실시예는, 상기 다공판(3)의 가공대상부품(A)에 가깝게 위치한 중심측 하강기류는 상대적으로 천천히, 반대로 중심에서 멀어지는 방향측 하강기류는 점진적으로 빠르게 형성되도록 하여 챔버(C) 내의 공간에 하강기류를 골고루 분산 형성시킬 수 있게 한다.

본 실시예에서 상기 다공판(3)은 챔버(C)에 스크류(S)와 같은 체결수단에 의해 결합되도록 구성되었으나, 다공판(3) 또는 각 베인의 교체의 원활함을 위해 도 5 및 도 6과 같이 체결수단 없이 자체의 구조에 기인하여 챔버(C)에 탈부착되도록 구성되는 것이 바람직하다.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 공정용 유체 확산 성능 향상을 위한 베인 어셈블리를 챔버에 설치기키기 위한 수단을 설명하기 위한 도면이고, 도 6은 도 5의 Ⅵ-Ⅵ 단면도이다.

본 실시예는, 상기 다공판(3)에 상기 베인이 결합된 상태로 그 다공판(3)을 상기 챔버(C)에 착탈 가능하게 결합시키기 위한 결합수단을 포함하여 이루어지고, 상기 결합수단은 결속링(4)과 결속리브(5)를 포함하여 이루어진다.

상기 결속링(4)은, 챔버(C)의 구조의 변경을 초래하지 않고 상기 다공판(3)을 챔버(C)에 결속시켜 주기 위한 것으로, 도 5에 잘 도시된 바와 같이, 상기 유입관(B)의 챔버(C)와 연결되는 유입구를 감싸는 형태로 상기 챔버(C)에 고정 설치되고, 도 6에 잘 도시된 바와 같이, 결속용 홈(41)(화살표 방향에서 본 도면에서 점선으로 도시됨)과 그 결속용 홈(41)으로 상대물을 안내하기 위한 안내홈(42)(실선으로 도시됨)을 포함하여 이루어진다.

상기 결솔리브는, 상기 다공판(3)에 마련되고 상기 결속링(4)의 안내홈(42)에 삽입된 이후 회전되는 도중 상기 결속용 홈(41)에 결속된다.

그리고, 본 실시예는 도 6의 오른쪽 확대부분에 잘 도시된 바와 같이, 상기 결속리브(5)가 결속링(4)의 결속용 홈(41)에 위치된 상태에서 고정력을 크게 확보할 수 있도록, 상기 결속리브(5)를 탄성 가압시키는 탄성볼(6)을 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.

이러한 구성을 가지는 본 실시예는, 상기 다공판(3)을 챔버(C)에 별도의 체결수단 없이 착탈 가능하게 결합 및 분리시킬 수 있도록 구성됨으로써, 다공판(3) 또는 각 베인의 교체 또는 세척 작업을 편리하게 수행할 수 있게 하여, 반도체 부품 성형을 위한 챔버(C)의 환경을 최적으로 유지시켜 줄 수 있게 하는 장점을 기대할 수 있게 한다.

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 채용된 메인 베인의 구조를 설명하기 위한 도면이다.

본 실시예에 채용된 메인 베인은 헬리컬 형상의 복수의 날개부(7)들을 포함하여 이루어져서, 유체의 흐름을 소용돌이 형태로 확산시켜 줌으로써, 유체의 유동특성을 더욱 향상시킬 수 있게 한다.

이상 본 발명의 다양한 실시예에 대하여 설명하였으나, 본 실시예 및 본 명세서에 첨부된 도면은 본 발명에 포함되는 기술적 사상의 일부를 명확하게 나타내고 있는 것에 불과하며, 본 발명의 명세서 및 도면에 포함된 기술적 사상의 범위 내에서 당업자가 용이하게 유추할 수 있는 변형 예와 구체적인 실시예는 모두 본 발명의 권리범위에 포함되는 것이 자명하다고 할 것이다.

1:메인 베인 10:공극
11:중심 유로 2:서브 베인
20:공극 21:서브 유로
3:다공판 31:공극
4:결속링 41:결속용 홈
42:안내홈 5:결속리브
6:탄성볼 7:날개부
A:가공대상부품 B:유입관
C:챔버 S:스크류

Claims

반도체 부품 제작 공정에서 발생하는 연기나 세정액 등의 유체를 어느 한 곳에 모이게 하지 않고 골고루 분산시킬 수 있도록, 반도체 공정 챔버 내의 가공대상 부품으로부터 상측으로 이격된 위치에 설치되어 기류를 형성하는 것으로,
상기 챔버와 소통되는 유입관에 설치되어서 상기 챔버 측으로 향하는 유체의 흐름을 분산시켜 주기 위한 것으로, 상기 유입관의 중심축을 따라 관통형성된 중심유로가 형성되어 있는 메인 베인; 및 상기 메인 베인을 환형으로 감싸는 형태로 배치되어서 상기 메인 베인 또는 인접한 요소들 간의 마주하는 내면과 외면 사이에 유체가 흐를 수 있는 서브 유로를 형성시키는 적어도 하나의 서브 베인;을 포함하여 이루어지고,
상기 메인 베인과 서브 베인은, 각각 유체가 통과되는 복수의 공극들을 포함하여 이루어지고, 상측에서 하측으로 갈수록 내경이 점진적으로 커지는 형상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 유체 확산 성능 향상을 위한 베인 어셈블리.
제1항에 있어서,
상기 공극들은, 상기 각 베인의 상측에서 하측으로 갈수록 점진적으로 커지는 형상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 유체 확산 성능 향상을 위한 베인 어셈블리.
제1항에 있어서,
상기 각 베인을 통과한 유체가 상기 챔버 측으로 유입되기 이전에 확산될 수 있도록, 상기 챔버 내에 배치되고 유체가 통과되는 공극들이 형성되어 있으며 상기 각 베인이 결합되는 다공판;을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 유체 확산 성능 향상을 위한 베인 어셈블리.
제3항에 있어서,
상기 다공판은 중심에서 가장자리 측으로 갈수록 상기 챔버의 바닥면과의 연직거리가 점진적으로 길게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 유체 확산 성능 향상을 위한 베인 어셈블리.
제3항에 있어서,
상기 다공판에 상기 베인이 결합된 상태로 그 다공판을 상기 챔버에 착탈 가능하게 결합시키기 위한 결합수단;을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 유체 확산 성능 향상을 위한 베인 어셈블리.
제5항에 있어서,
상기 결합수단은, 상기 유입관의 챔버와 연결되는 유입구를 감싸는 형태로 상기 챔버에 고정 설치되고, 결속용 홈과 그 결속용 홈으로 상대물을 안내하기 위한 안내홈을 포함하는 결속링과, 상기 다공판에 마련되고 상기 결속링의 안내홈에 삽입된 이후 회전되는 도중 상기 결속용 홈에 결속되는 결속리브;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 유체 확산 성능 향상을 위한 베인 어셈블리.
제3항에 있어서,
상기 다공판은 중심에서 가장자리 측으로 갈수록 공극이 점점 커지는 형상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 유체 확산 성능 향상을 위한 베인 어셈블리.