JP2007157885A - 原料ガス供給装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】より大きな面積の基板が対象であっても、装置全体の面積の増加が抑制された状態で、基板の全域に均一に原料ガスが供給できる原料ガス供給装置を提供する。
【解決手段】ガス供給配管104より供給された原料ガスは、まず、導入管131に導入される。導入管131に導入された原料ガスは、連通部135を通って導入管131側の拡散中継管132に導入される。拡散中継管132に導入された原料ガスは、連通部136を通って中央の拡散中継管132に導入され、ついで、連通部137を通ってガス吐出管133側の拡散中継管132に導入さる。これらの拡散中継管132を経由した原料ガスは、最後に、連通部138を通ってガス吐出管133に導入され、ガス吐出口134より成膜室101内の基板Wの側に吐出されて基板Wの上に供給される。
【選択図】図1
【解決手段】ガス供給配管104より供給された原料ガスは、まず、導入管131に導入される。導入管131に導入された原料ガスは、連通部135を通って導入管131側の拡散中継管132に導入される。拡散中継管132に導入された原料ガスは、連通部136を通って中央の拡散中継管132に導入され、ついで、連通部137を通ってガス吐出管133側の拡散中継管132に導入さる。これらの拡散中継管132を経由した原料ガスは、最後に、連通部138を通ってガス吐出管133に導入され、ガス吐出口134より成膜室101内の基板Wの側に吐出されて基板Wの上に供給される。
【選択図】図1
Description
本発明は、金属薄膜や化合物半導体薄膜などを有機金属からなる原料ガスを用いた化学的気相成長法で形成するときに、原料ガスを供給するために用いられる原料ガス供給装置に関する。
従来より、GaNなどの化合物半導体薄膜の形成に、有機金属を原料ガスとして用いた化学的気相成長(CVD)法が用いられている。このCVD法による薄膜の形成では、横型のCVD装置が用いられている(特許文献1,特許文献2参照)。従来よりある横型のCVD装置では、図5(a)の断面図に示すように、成膜室501の内部に原料ガス供給ノズル502を備え、原料ガス供給ノズル502のガス吐出口の部分に基板Wが載置される基板台503が配置されている。また、成膜室501の所定の領域に、排気部504を備え、図示しない排気機構に連通して成膜室501の内部を排気可能としている。
この装置では、図5(b)の部分平面図に示すように、原料ガス供給ノズル502は、基板Wの平面内で基板台503に近づくほど徐々に広がる案内部502aを備え、原料ガス導入部505より導入された原料ガスが、基板Wの全域に均一に供給されるように構成されている。
しかしながら、前述した従来の装置では、基板Wの上の全域に、より均一に原料ガスを供給使用とする場合、案内部502aの原料ガス供給方向の長さ(助走距離)を長くし、ガス導入部505より導入された原料ガスがより均一に広がるようにしている。ところが、このように、原料ガス供給ノズル502の面積が大きくなると、成膜室501の面積が大きくなり、また、装置の設置面積も大きくなるため、生産性の低下を招くことになる。より大きな面積の基板Wを対象とする場合、案内部502aはより大きな長さ(面積)となり、上述の問題がより顕著となる。
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、より大きな面積の基板が対象であっても、装置全体の面積の増加が抑制された状態で、基板の全域に均一に原料ガスが供給できるようにすることを目的とする。
本発明に係る原料ガス供給装置は、ガス導入部とガス吐出部とを備えてガス導入部からガス吐出部にかけて徐々に幅が広くなる案内部と、この案内部の途中に設けられて幅方向に延在する開口部よりなる絞りが設けられた絞り部と、ガス導入部に設けられたガス供給部と、ガス吐出部に設けられたガス吐出口とを少なくとも備えるようにしたものである。ガス供給部より導入された原料ガスは、ガス導入部,絞り部,ガス吐出部にかけて流れ、これらの案内部における原料ガスの流れの中で、絞り部により流路絞りが配置された状態となっている。
上記原料ガス供給装置において、ガス導入部とガス吐出部との間の案内部に配置された拡散中継部と、ガス導入部と拡散中継部とを仕切るように配置された第1絞り部と、拡散中継部と案内部とを仕切るように配置された第2絞り部とを備えるようにしてもよい。また、ガス吐出部は、案内部の幅方向に直線状に延在するガス吐出管から構成され、ガス導入部は、案内部の幅方向に直線状に延在する導入管から構成され、拡散中継部は、ガス吐出管と導入管との間にこれらと平行に配置され、例えば導入管の長さ以上でガス吐出管の長さ以下の拡散中継管から構成され、第1絞り部の絞りは、導入管とこの導入管に隣接して配置された拡散中継管とを連通するように設けられた第1連通部から構成され、第2絞り部の絞りは、ガス吐出管とこのガス吐出管に隣接して配置された拡散中継管とを連通するように設けられてた第2連通部から構成されているようにしてもよい。
上記原料ガス供給装置において、第1連通部及び第2連通部は、管長の方向に延在するスリット状に一体に形成された貫通孔から構成されいるようにすればよい。例えば、第1連通部の長さは、第2連通部の長さ以下とされていればよい。また、複数の拡散中継管と、隣接する拡散中継管同士を連通するように設けられた第3連通部とを備えるようにすればよい。例えば、複数の拡散中継管は、ガス吐出管の側ほど管長が長く形成されていてもよく、一部は、隣り合う拡散中継管の長さが同一であってもよい。また、第3連通部は、管長の方向に延在するスリット状に一体に形成された貫通孔から構成されいるようにすればよい。例えば、第3連通部の延在する長さは、第1連通部の長さ以上で第2連通部の長さ以下に形成されていればよい。また、第3連通部の長さは、ガス吐出管の側ほど長く形成されていればよく、この中で、一部は、隣り合う第3連通部の長さが等しくてもよい。なお、ガス吐出部は、幅方向に配列された複数のガス吐出口を備えるようにすればよい。
以上説明したように、本発明によれば、案内部のガス供給部より導入された原料ガスが、ガス導入部,絞り部,ガス吐出部にかけて流れるようにし、案内部は、ガス導入部からガス吐出部にかけて徐々に幅が広くなるようにしたので、より大きな面積の基板が対象であっても、装置全体の面積の増加が抑制された状態で、基板の全域に均一に原料ガスが供給できるようになるという優れた効果が得られる。
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。図1は、本発明の実施の形態における原料ガス供給装置を用いたCVD装置の構成例を示す構成図である。図1(a)は、CVD装置を上面より見た断面を概略的に示し、図1(b)は、CVD装置を側面より見た断面を概略的に示している。図1に示すCVD装置は、成膜室101、基板台102、原料ガス供給装置103、ガス供給配管104、ガス供給部105、固定台106、排気部107を備える。
成膜室101は、縦450mm,横580mm,高さ25mm程度の密閉可能な容器であり、例えば、石英から構成されている。また、図1では省略しているが、成膜室101は、紙面の右側にゲートバルブを備え、このゲートバルブを開放することで、基板Wの搬入及び搬出を可能としている。基板台102は、成膜室101の低部に設けられ、例えば電熱線などから構成された加熱機構を内蔵し、この上に載置される基板Wを加熱可能としている。
原料ガス供給装置103は、成膜室101の内部において、基板台102の側方に固定台106により固定配置され、ガス供給配管104に連通している。ガス供給配管104は、ガス供給部105を貫通して成膜室101の外部に取り出され、図示しない原料ガス供給機構に連通している。また、成膜室101の所定箇所に、図示しない排気機構に連通する排気部107を備え、成膜室101の内部を排気可能としている。排気部107は、基板台102を挾んで原料ガス供給装置103に対向する関係に配置されている。
以下、原料ガス供給装置103についてより詳細に説明する。原料ガス供給装置103は、導入管131、拡散中継管132、ガス吐出管133から構成されている。導入管131は、例えば中央部にガス供給配管104が接続され、ガス吐出管133は、複数のガス吐出口134を備える。各管は、両端が閉じられている。また、ガス吐出口134は、管径方向の寸法が、ガス吐出管133の管径より小さく形成されている。なお、図1の構成例では、3つの拡散中継管132を備える場合について示している。
これらの各管は、例えば、管径が10mmφで断面が円形に形成されたものである。なお、円形に限らず、他の形状であってもよい。また、3つの拡散中継管132は、ガス吐出管133の側ほど管長が長くなるように構成されている。例えば、導入管131の管長は60mm、導入管131側の拡散中継管132の管長は120mm、中間の拡散中継管132の管長は180mm、ガス吐出管133側の拡散中継管132の管長は240mm、ガス吐出管133の管長は300mmである。導入管131,複数の拡散中継管132,及びガス吐出管133の各々の管長は、導入管131からガス吐出管133にかけて同一の割合で長くされているが、これに限るものではない。各管の管長が、導入管131からガス吐出管133にかけて同一の間隔で長くなるようにしてもよい。
次に、導入管131,3つの拡散中継管132,及びガス吐出管133は、互いに平行な状態に接続して配置されている。また、導入管131,拡散中継管132,及びガス吐出管133は、基板台102に載置される基板Wの平面に平行な方向に延在して配置されている。加えて、導入管131,拡散中継管132,及びガス吐出管133は、ガス供給方向に対して垂直な方向に延在して配置されている。また、各管は、各管の中心が同一の直線状に配置されるように配列されている。
次に、導入管131,3つの拡散中継管132,及びガス吐出管133の隣り合う管は、管径(内径)より細い幅で、管長方向に延在するスリット状の連通孔より構成された連通部135,136,137,138により連通している。連通部135は、導入管131とほぼ同じ長さに形成され、導入管131と導入管131側の拡散中継管132とを連通し、絞りとして機能している。同様に、連通部136は、導入管131側の拡散中継管132とほぼ同じ長さに形成され、導入管131側の拡散中継管132と中央の拡散中継管132とを連通している。また、連通部137は、中央の拡散中継管132とほぼ同じ長さに形成され、中央の拡散中継管132とガス吐出管133側の拡散中継管132とを連通している。また、連通部138は、ガス吐出管133側の拡散中継管132とほぼ同じ長さに形成され、ガス吐出管133側の拡散中継管132とガス吐出管133とを連通している。
以上のように構成された原料ガス供給装置103では、ガス供給配管104より供給された原料ガスは、まず、導入管131に導入される。導入管131に導入された原料ガスは、連通部135を通って導入管131側の拡散中継管132に導入される。拡散中継管132に導入された原料ガスは、連通部136を通って中央の拡散中継管132に導入され、ついで、連通部137を通ってガス吐出管133側の拡散中継管132に導入される。これらの拡散中継管132を経由した原料ガスは、最後に、連通部138を通ってガス吐出管133に導入され、ガス吐出口134より成膜室101内の基板Wの側に吐出(噴出)されて基板Wの上に供給される。
このようにして、導入管131より3つの拡散中継管132を経由してガス吐出管133に導入される過程で、まず、原料ガスの流れの方向には、連通部135,136,137,138により、多段の流路絞りが配置された状態となっている。また、原料ガスの流れに直行する方向には、大きな流路断面積が得られ、流れに直行する方向への原料ガスの拡散が相対的に大きくなり、ガスが均一に広がるようになる。
従って、原料ガス供給装置103により供給される原料ガスの圧力が一定となり、ガス吐出管133に設けられた複数のガス吐出口134より、均一な状態で原料ガスが供給(吐出・噴出)されるようになる。また、図1に示す原料ガス供給装置103によれば、長い助走路を必要としないなど、大きな設置面積を必要とせずに均一な状態で原料ガスが供給できるようになる。なお、成膜室101の内部は、排気部107より配置されているので、ガス吐出口134より供給された原料ガスは、基板Wの上部から排気部107の方向に流れるようになる。
ところで、図1に示すCVD装置では、ガスの吐出(噴出)方向となる基板Wの面に平行な平面内に、導入管131,拡散中継管132,及びガス吐出管133が配置されているようにしたが、これに限るものではない。例えば、図2(a)及び図2(b)に示すように、ガスの吐出方向となる基板Wの面に平行な平面に対し、所定の角度(例えば90°)の平面内に導入管131,拡散中継管132,及びガス吐出管133が配置されているようにしてもよい。いずれの場合においても、ガス吐出管133が、基板台102(基板W)の側部近傍に配置され、ガス吐出口134が基板台102(基板W)の方向に向いていればよい。
また、図1,2に示す原料ガス供給装置103は、導入管131,拡散中継管132,及びガス吐出管133が同一平面に配列されているようにしたが、これに限るものではない。例えば、図3(a),図3(b)に示すように、導入管131,3つの拡散中継管132,及びガス吐出管133が、曲面に配置されているようにしてもよい。また、ガス供給配管104は、導入管131の中心軸を中心として、接続可能な範囲の角度で接続されていればよい。同様に、ガス吐出口134の配列は、ガス吐出管133の中心軸を中心として、形成な範囲の角度で形成されていればよい。
また、上述では、3つの拡散中継管を設けるようにしたが、これに限らず、2つ、もしくは、4つ以上の拡散中継管を設けるようにしてもよい。また、複数の拡散中継管を設ける場合、隣り合う拡散中継管の長さが等しい部分があってもよく、導入管と隣り合う拡散中継管が導入管と同じ長さであってもよく、また、ガス吐出管と隣り合う拡散中継管がガス吐出管と同じ長さであってもよい。連続する管(拡散中継管)の数を増やすことにより、導入管の側では乱れているガスの流れが、連続した何段かの管を通過する間に安定するようになる。この場合、全ての間が一様に、ガス吐出管側ほど長くなっている必要はなく、上述したように、一部の隣り合う連続した管の長さが、ほぼ同一であってもよい。
次に、本発明の実施の形態に係る他の原料ガス供給装置について説明する。図4は、本発明の実施の形態における他の原料ガス供給装置の構成例を示す構成図(斜視図)である。図4に示す原料ガス供給装置403は、ガス供給口430、ガス導入室(ガス導入部)431、拡散中継室432a,432bよりなる拡散中継部432、ガス吐出室(ガス吐出部)433、絞り部435,436,437、複数のガス吐出口434を備える。なお、ガス導入室431のガス供給口430には、例えば、ガス供給配管(図示せず)が接続されて原料ガスが導入可能とされている。
ガス導入室431,拡散中継部432,及びガス吐出室433は、連続して一体に形成され、これらで、原料ガス供給装置403の案内部が構成されている。このように構成された案内部は、ガス導入室431からガス吐出室433にかけて徐々に幅が広くなるように形成され、この案内部の途中に、絞り部435,436,437が設けられている。なお、ガス導入室431からガス吐出室433にかけて、部分的に、ほぼ同一の幅の領域を備えるようにしてもよい。絞り部435,436,437は、各室を仕切るように形成され、また、配置されている箇所において、案内部の幅方向に延在する開口部よりなる絞りが設けられている。図4に示す原料ガス供給装置403では、スリット状の絞りを設けるようにしている。
従って、ガス導入室431と拡散中継室432aとは、絞り部435の絞りの開口部により連通し、拡散中継室432aと拡散中継室432bとは、絞り部436の絞りの開口部により連通し、拡散中継室432bとガス吐出室433とは、絞り部437の絞りの開口部により連通している。また、図1に示す原料ガス供給装置103と比較すると、導入管131がガス導入室431に相当し、拡散中継管132が拡散中継室432a,432bに相当し、ガス吐出管133がガス吐出室433に相当している。
以上のように構成された原料ガス供給装置403では、ガス供給口430より供給された原料ガスは、まず、ガス導入室431に導入される。ガス導入室431に導入された原料ガスは、絞り部435を通って拡散中継室432aに導入される。拡散中継室432aに導入された原料ガスは、絞り部436を通って拡散中継室432bに導入され、ついで、絞り部437を通ってガス吐出室433に導入され、ガス吐出口434より基板(図示せず)の側に吐出(噴出)されて基板の上に供給される。
このようにして、ガス導入室431より拡散中継室432a及び拡散中継室432bを経由してガス吐出室433に導入される過程で、まず、原料ガスの流れの方向には、絞り部435,436,437により、多段の流路絞りが配置された状態となっている。また、原料ガスの流れに直行する方向には、大きな流路断面積が得られ、流れに直行する幅方向への原料ガスの拡散が相対的に大きくなり、ガスが均一に広がるようになる。
従って、原料ガス供給装置403により供給される原料ガスの圧力が一定となり、ガス吐出室433に設けられた複数のガス吐出口434より、均一な状態で原料ガスが供給(吐出)されるようになる。また、図4に示す原料ガス供給装置403によれば、絞り部435,436,437を設けたことにより、短い助走路で幅をより広く拡張することが可能となるので、大きな設置面積を必要とせずに均一な状態で原料ガスが供給できるようになる。
なお、上述した各原料ガス供給装置では、スリット状の絞り(連通孔)より絞り部(連通部)が構成されているようにしたが、これに限るものではない。例えば、複数の孔により、各絞り部の絞りが構成されていてもよい。
101…成膜室、102…基板台、103…原料ガス供給装置、104…ガス供給配管、105…ガス供給部、106…固定台、107…排気部、131…導入管、132…拡散中継管、133…ガス吐出管、134…ガス吐出口、135,136,137,138…連通部。
Claims (7)
- ガス導入部とガス吐出部とを備えて前記ガス導入部から前記ガス吐出部にかけて徐々に幅が広くなる案内部と、
この案内部の途中に設けられて幅方向に延在する開口部よりなる絞りが設けられた絞り部と、
前記ガス導入部に設けられたガス供給部と、
前記ガス吐出部に設けられたガス吐出口と
を少なくとも備えることを特徴とする原料ガス供給装置。 - 請求項1記載の原料ガス供給装置において、
前記ガス導入部と前記ガス吐出部との間の前記案内部に配置された拡散中継部と、
前記ガス導入部と前記拡散中継部とを仕切るように配置された第1絞り部と、
前記拡散中継部と前記案内部とを仕切るように配置された第2絞り部と
を備えることを特徴とする原料ガス供給装置。 - 請求項2記載の原料ガス供給装置において、
前記ガス吐出部は、前記案内部の幅方向に直線状に延在するガス吐出管から構成され、
前記ガス導入部は、前記案内部の幅方向に直線状に延在する導入管から構成され、
前記拡散中継部は、前記ガス吐出管と前記導入管との間にこれらと平行に配置された拡散中継管から構成され、
前記第1絞り部の絞りは、前記導入管とこの導入管に隣接して配置された拡散中継管とを連通するように設けられた第1連通部から構成され、
前記第2絞り部の絞りは、前記ガス吐出管とこのガス吐出管に隣接して配置された拡散中継管とを連通するように設けられてた第2連通部から構成され
ていることを特徴とする原料ガス供給装置。 - 請求項3記載の原料ガス供給装置において、
前記第1連通部及び前記第2連通部は、管長の方向に延在するスリット状に一体に形成された貫通孔から構成されている
ことを特徴とする原料ガス供給装置。 - 請求項3又は4記載の原料ガス供給装置において、
複数の前記拡散中継管と、
隣接する前記拡散中継管同士を連通するように設けられた第3連通部と
を備える
ことを特徴とする原料ガス供給装置。 - 請求項5記載の原料ガス供給装置において、
前記第3連通部は、管長の方向に延在するスリット状に一体に形成された貫通孔から構成されている
ことを特徴とする原料ガス供給装置。 - 請求項1〜6のいずれか1項に記載の原料ガス供給装置において、
前記ガス吐出部は、幅方向に配列された複数の前記ガス吐出口を備える
ことを特徴とする原料ガス供給装置。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20090203 |