JP5348372B2 - 半導体素子及びその製造方法並びにdramの製造方法 - Google Patents
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Description
例えば、埋め込みチャネルアレイトランジスタ(BCAT)を有する半導体基板は層間絶縁膜で覆われる。層間絶縁膜内にビットラインが配置される。ビットラインは層間絶縁膜を貫通するビットプラグによりソース/ドレイン領域のうちから選択された一つに接触する。層間絶縁膜上にストレージノード(storage node)が配置される。ストレージノードは層間絶縁膜を貫通する埋め込みコンタクトプラグ(buried contact plug)によりソース/ドレイン領域の中から選択された他の一つに接触される。
一方、半導体基板上にコンタクトプラグを形成する他の方法が、例えば、特許文献1に「ウエハ上のコンタクト形成方法(Method for production of contacts on a wafer)」という名称でグラフ(Graf)氏等によって開示されている。
本発明の他の目的は、コンタクトプラグを有する半導体素子を提供することにある。
前記第1マスク膜は、ポリシリコン膜で形成することが好ましい。
前記第1マスクパターンは、前記配線パターンと直交するように形成することが好ましい。
前記第2マスクパターンを形成する段階は、前記第1マスクパターンを有する前記半導体基板の表面を覆う第2犠牲膜を形成する段階と、前記第1マスクパターン間を埋め込んで前記第2犠牲膜を覆う第2マスク膜を形成する段階と、前記第2マスク膜を平坦化する段階とを含むことが好ましい。
前記第2犠牲膜は、前記第1及び第2マスクパターンに対してエッチング選択比を有する物質膜で形成することが好ましい。
前記配線パターンを形成する段階は、前記下部絶縁膜上に導電膜を形成する段階と、前記導電膜上にキャッピング(capping)膜を形成する段階と、前記キャッピング膜及び前記導電膜をパターニングしてキャッピングパターン及び配線を形成する段階とを含むことが好ましい。
前記第1マスクパターンを形成する前に、前記配線パターンをエッチバックしてグルーブ(groove)を形成する段階と、前記第2マスクパターンと同一の物質膜を用いて前記グルーブを埋め込む犠牲キャッピングパターンを形成する段階とをさらに有することが好ましい。
前記第1マスクパターンは、前記ビットパターンと直交するように形成し、前記第1マスクパターンと前記ビットパターンの交差点は前記活性領域上に位置することが好ましい。
前記第2マスクパターンと前記ビットパターンの交差点は前記活性領域の間に位置するように形成することが好ましい。
前記ビットパターンを形成する段階は、前記下部絶縁膜上にビット導電膜を形成する段階と、前記ビット導電膜上にビットキャッピング膜を形成する段階と、前記ビットキャッピング膜及び前記ビット導電膜をパターニングして複数のビットキャッピングパターン及びビットラインを形成する段階とを含むことが好ましい。
前記第1マスクパターンを形成する前に、前記ビットパターンをエッチバックしてグルーブを形成する段階と、前記第2マスクパターンと同一の物質膜を用いて前記グルーブを埋め込む犠牲キャッピングパターンを形成する段階とをさらに有することが好ましい。
前記第1マスクパターンを形成する段階は、前記上部絶縁膜を有する前記半導体基板上に第1犠牲膜を形成する段階と、前記第1犠牲膜上に第1マスク膜を形成する段階と、前記第1マスク膜及び前記第1犠牲膜をパターニングする段階とを含むことが好ましい。
前記第1マスク膜は、ポリシリコン膜で形成することが好ましい。
前記第2マスク膜は、ポリシリコン膜で形成することが好ましい。
前記下部絶縁膜を形成する前に、前記半導体基板上に前記活性領域を横切って互いに平行な複数の埋め込みワードラインを形成する段階と、前記埋め込みワードライン上を覆う複数のワードキャッピングパターンを形成する段階とをさらに有し、前記埋め込みワードラインは、前記活性領域の上部表面よりも低いレベルに配置されることが好ましい。
前記埋め込みワードラインは、前記ビットパターンと直交するように形成し、前記活性領域のそれぞれは一対の前記埋め込みワードラインと交差し、前記第1マスクパターンと前記ビットパターンの交差点は前記一対の埋め込みワードライン間の前記活性領域上に位置することが好ましい。
前記埋め込みコンタクトプラグを形成する段階は、前記埋め込みコンタクトホールを埋め込んで前記半導体基板を覆うように埋め込みコンタクト導電膜を形成する段階と、前記ビットパターンが露出するまで前記第1及び第2マスクパターン、及び前記埋め込みコンタクト導電膜を平坦化する段階とを含むことが好ましい。
前記第2絶縁パターンは、フォトリソグラフィ工程の限界解像度よりも狭い幅を有することが好ましい。
前記活性領域は、第1活性領域と、前記第1活性領域の前記列方向に整列される第2活性領域と、前記第1活性領域の前記行方向に整列される第3活性領域と、前記第2活性領域の前記行方向に整列される第4活性領域とを含むことが好ましい。
前記ビットパターンは、前記第1及び第2活性領域を横切る第1ビットパターンと、前記第3及び第4活性領域を横切る第2ビットパターンとを含み、前記第1及び第2ビットパターンは、活性領域を斜めに横切ることが好ましい。
前記第1乃至第4埋め込みワードラインは、前記活性領域の上部表面よりも低いレベルに配置されることが好ましい。
前記埋め込みコンタクトプラグ上に配置されたストレージノードをさらに含むことが好ましい。
図1は、本発明の実施形態に係るDRAMの製造方法を説明するために製造工程順に示す平面図であり、図2〜図4は、製造工程順に示す図1のI−I’線に沿った断面図である。
下部絶縁膜69をパターニングして第1及び第2埋め込みワードライン61、62間のソース/ドレイン領域67と第3及び第4埋め込みワードライン63、64間のソース/ドレイン領域67とを露出させるビットコンタクトホールを形成することができる。ビットコンタクトホールを埋め込むビットプラグ70を形成することができる。
ビットキャッピングパターン76は下部絶縁膜69に対してエッチング選択比を有する物質膜で形成することができる。ビットキャッピングパターン76は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜、またはこれらの組み合わせ膜で形成することができる。例えば、下部絶縁膜69がシリコン酸化膜の場合、ビットキャッピングパターン76はシリコン窒化膜で形成することができる。ビットスペーサ77は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜、またはこれらの組み合わせ膜で形成することができる。
しかし、グルーブ71R、72R及び犠牲キャッピングパターン71S、72Sを形成する工程は省略することもできる。
図5及び図6を参照すると、上部絶縁膜79上に互いに平行な第1マスクパターン81、82を形成することができる。具体的には、犠牲キャッピングパターン71S、72S及び上部絶縁膜79上に第1犠牲膜85及び第1マスク膜86を順次に積層することができる。第1マスク膜86及び第1犠牲膜85を順次にパターニングして第1マスクパターン81、82を形成することができる。第1犠牲膜85はシリコン酸化膜で形成することができる。第1マスク膜86は上部絶縁膜79に対してエッチング選択比を有する物質膜で形成することができる。第1マスク膜86はポリシリコン膜で形成することができる。第1犠牲膜85は省略することができる。
図7及び図8を参照すると、第1マスクパターン81、82を有する半導体基板50上に第2犠牲膜88を形成することができる。第2犠牲膜88は半導体基板50の上部表面に沿って形成することができる。第2犠牲膜88は第1マスクパターン81、82の側壁を覆うことができる。
他の実施形態において、第2犠牲膜88の平坦化は省略することができる。この場合、第2犠牲膜88は第1マスクパターン81、82を覆うことができる。
図10及び図11を参照すると、第1マスクパターン81、82、第2マスクパターン89’及び犠牲キャッピングパターン71S、72Sをエッチングマスクとして用いて上部絶縁膜79及び下部絶縁膜69をエッチングして埋め込みコンタクトホール91を形成することができる。犠牲キャッピングパターン71S、72Sが省略された場合にはビットパターン71、72、73はエッチングマスクの役割をする。埋め込みコンタクトホール91はフォトリソグラフィ工程の限界解像度よりも狭い幅で形成することができる。
その結果、第1マスクパターン81、82下部に第1上部絶縁パターン(図示せず)、及び第2マスクパターン89’下部に第2上部絶縁パターン79”が残存することができる。第2上部絶縁パターン79”はフォトリソグラフィ工程の限界解像度よりも狭い幅で形成することができる
。
埋め込みコンタクトホール91の側壁に埋め込みコンタクトスペーサ92を形成することができる。埋め込みコンタクトスペーサ92は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜、またはこれらの組み合わせ膜で形成することができる。
図10、図13及び図14を参照すると、埋め込みコンタクトプラグ93上にストレージノード95を形成することができる。ストレージノード95はキャパシタの下部電極の役目をすることができる。ストレージノード95は、ポリシリコン膜、金属膜、金属シリサイド膜、金属窒化膜、またはこれらの組み合わせ膜のような導電膜で形成することができる。ストレージノード95は埋め込みコンタクトプラグ93を介してソース/ドレイン領域67と電気的に接続することができる。
活性領域51、52、53、54は行及び列方向に沿って二次元に整列される。
また、活性領域51、52、53、54は互いに平行に整列される。例えば、第2活性領域52は第1活性領域51に対して列方向に整列され、第3活性領域53は第1活性領域51に対して行方向に整列され、第4活性領域54は第2活性領域52に対して行方向に整列される。
埋め込みワードライン61、62、63、64はソース/ドレイン領域67の上部表面よりも低いレベルに配置される。埋め込みワードライン61、62、63、64及び活性領域51、52、53、54間にゲート誘電膜59が介在される。埋め込みワードライン61、62、63、64はワードキャッピングパターン65によって覆われることができる。
51、52、53、54 活性領域
57 素子分離膜
59 ゲート誘電膜
61、62、63、64 埋め込みワードライン
65 ワードキャッピングパターン
67 ソース/ドレイン領域
69 下部絶縁膜
70 ビットプラグ
71、72、73 ビットパターン
71R、72R グルーブ
71S、72S 犠牲キャッピングパターン
75 ビットライン
76 ビットキャッピングパターン
77 ビットスペーサ
77” 第2上部絶縁パターン
79 上部絶縁膜
79’ 第1上部絶縁パターン
79” 第2上部絶縁パターン
81、82 第1マスクパターン
85 第1犠牲膜
86 第1マスク膜
88 第2犠牲膜
89 第2マスク膜
89’ 第2マスクパターン
91 埋め込みコンタクトホール
92 埋め込みコンタクトスペーサ
93 埋め込みコンタクトプラグ
95 ストレージノード
Claims (30)
- 半導体基板に複数の活性領域を画定する段階と、
前記活性領域を有する前記半導体基板上に下部絶縁膜を形成する段階と、
前記下部絶縁膜をパターニングして前記活性領域を露出させるコンタクトホールを形成する段階と、
前記下部絶縁膜上に前記コンタクトホールを介して前記活性領域に接続された互いに平行な複数の配線パターンを形成する段階と、
前記配線パターン間を埋め込むように上部絶縁膜を形成する段階と、
前記上部絶縁膜を有する前記半導体基板上に前記配線パターンを横切って互いに平行な複数の第1マスクパターンを形成する段階と、
前記第1マスクパターン間に前記第1マスクパターンと自己整合される第2マスクパターンを形成する段階と、
前記第1及び第2マスクパターン、及び前記配線パターンをエッチングマスクとして用いて前記上部絶縁膜及び前記下部絶縁膜をエッチングして前記半導体基板を露出させる複数のコンタクトホールを形成する段階と、
前記コンタクトホールそれぞれにコンタクトプラグを形成する段階と、
前記コンタクトプラグ上に複数の電極を形成する段階とを有することを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記第1マスクパターンを形成する段階は、前記上部絶縁膜を有する前記半導体基板上に第1犠牲膜を形成する段階と、
前記第1犠牲膜上に第1マスク膜を形成する段階と、
前記第1マスク膜及び前記第1犠牲膜をパターニングする段階とを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記第1マスク膜は、ポリシリコン膜で形成することを特徴とする請求項2に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第1マスクパターンは、前記配線パターンと直交するように形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第2マスクパターンを形成する段階は、前記第1マスクパターンを有する前記半導体基板の表面を覆う第2犠牲膜を形成する段階と、
前記第1マスクパターン間を埋め込んで前記第2犠牲膜を覆う第2マスク膜を形成する段階と、
前記第2マスク膜を平坦化する段階とを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記第2マスク膜は、ポリシリコン膜で形成することを特徴とする請求項5に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第2犠牲膜は、前記第1及び第2マスクパターンに対してエッチング選択比を有する物質膜で形成することを特徴とする請求項5に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記配線パターンを形成する段階は、前記下部絶縁膜上に導電膜を形成する段階と、
前記導電膜上にキャッピング(capping)膜を形成する段階と、
前記キャッピング膜及び前記導電膜をパターニングしてキャッピングパターン及び配線を形成する段階とを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記第1マスクパターンを形成する前に、
前記配線パターンをエッチバックしてグルーブ(groove)を形成する段階と、
前記第2マスクパターンと同一の物質膜を用いて前記グルーブを埋め込む犠牲キャッピングパターンを形成する段階とをさらに有することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。 - 半導体基板に行及び列方向に沿って二次元に整列された複数の活性領域を画定する段階と、
前記活性領域を有する前記半導体基板上に下部絶縁膜を形成する段階と、
前記下部絶縁膜上に前記活性領域を横切って互いに平行な複数のビットパターンを形成する段階と、
前記ビットパターン間を埋め込むように上部絶縁膜を形成する段階と、
前記上部絶縁膜を有する前記半導体基板上に前記ビットパターンを横切って互いに平行な複数の第1マスクパターンを形成する段階と、
前記第1マスクパターン間に前記第1マスクパターンと自己整合される第2マスクパターンを形成する段階と、
前記第1及び第2マスクパターン、及び前記ビットパターンをエッチングマスクとして用いて前記上部絶縁膜及び前記下部絶縁膜をエッチングして前記活性領域を露出させる複数の埋め込みコンタクトホールを形成する段階と、
前記埋め込みコンタクトホールそれぞれに埋め込みコンタクトプラグを形成する段階と、
前記埋め込みコンタクトプラグ上に複数のストレージノードを形成する段階とを有することを特徴とするDRAMの製造方法。 - 前記ビットパターンは、前記活性領域を斜めに横切るように形成することを特徴とする請求項10に記載のDRAMの製造方法。
- 前記第1マスクパターンは、前記ビットパターンと直交するように形成し、前記第1マスクパターンと前記ビットパターンの交差点は前記活性領域上に位置することを特徴とする請求項11に記載のDRAMの製造方法。
- 前記第2マスクパターンと前記ビットパターンの交差点は前記活性領域の間に位置するように形成することを特徴とする請求項12に記載のDRAMの製造方法。
- 前記ビットパターンを形成する段階は、前記下部絶縁膜上にビット導電膜を形成する段階と、
前記ビット導電膜上にビットキャッピング膜を形成する段階と、
前記ビットキャッピング膜及び前記ビット導電膜をパターニングして複数のビットキャッピングパターン及びビットラインを形成する段階とを含むことを特徴とする請求項10に記載のDRAMの製造方法。 - 前記第1マスクパターンを形成する前に、
前記ビットパターンをエッチバックしてグルーブを形成する段階と、
前記第2マスクパターンと同一の物質膜を用いて前記グルーブを埋め込む犠牲キャッピングパターンを形成する段階とをさらに有することを特徴とする請求項10に記載のDRAMの製造方法。 - 前記第1マスクパターンを形成する段階は、前記上部絶縁膜を有する前記半導体基板上に第1犠牲膜を形成する段階と、
前記第1犠牲膜上に第1マスク膜を形成する段階と、
前記第1マスク膜及び前記第1犠牲膜をパターニングする段階とを含むことを特徴とする請求項10に記載のDRAMの製造方法。 - 前記第1マスク膜は、ポリシリコン膜で形成することを特徴とする請求項16に記載のDRAMの製造方法。
- 前記第2マスクパターンを形成する段階は、前記第1マスクパターンを有する前記半導体基板の表面を覆う第2犠牲膜を形成する段階と、
前記第1マスクパターン間を埋め込んで前記第2犠牲膜を覆う第2マスク膜を形成する段階と、
前記第2マスク膜を平坦化する段階とを含むことを特徴とする請求項10に記載のDRAMの製造方法。 - 前記第2マスク膜は、ポリシリコン膜で形成することを特徴とする請求項18に記載のDRAMの製造方法。
- 前記下部絶縁膜を形成する前に、
前記半導体基板上に前記活性領域を横切って互いに平行な複数の埋め込みワードラインを形成する段階と、
前記埋め込みワードライン上を覆う複数のワードキャッピングパターンを形成する段階とをさらに有し、
前記埋め込みワードラインは、前記活性領域の上部表面よりも低いレベルに配置されることを特徴とする請求項10に記載のDRAMの製造方法。 - 前記埋め込みワードラインは、前記ビットパターンと直交するように形成し、前記活性領域のそれぞれは一対の前記埋め込みワードラインと交差し、前記第1マスクパターンと前記ビットパターンの交差点は前記一対の埋め込みワードライン間の前記活性領域上に位置することを特徴とする請求項20に記載のDRAMの製造方法。
- 前記埋め込みコンタクトプラグを形成する段階は、前記埋め込みコンタクトホールを埋め込んで前記半導体基板を覆うように埋め込みコンタクト導電膜を形成する段階と、
前記ビットパターンが露出するまで前記第1及び第2マスクパターン、及び前記埋め込みコンタクト導電膜を平坦化する段階とを含むことを特徴とする請求項10に記載のDRAMの製造方法。 - 半導体基板に行及び列方向に沿って二次元に整列される複数の活性領域と、
前記活性領域を有する前記半導体基板を覆う層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜を貫通して前記複数の活性領域と接続するビットプラグと、
前記ビットプラグと接続し、前記層間絶縁膜上に前記活性領域を横切って互いに平行な複数のビットパターンと、
前記ビットパターンの間に該ビットパターンと直交する方向に互いに離隔して延在する複数の第1絶縁パターンと、
前記ビットパターンと直交する方向に互いに離隔して延在する前記第1絶縁パターンの間に自己整合される第2絶縁パターンと、
前記第2絶縁パターン、前記第1絶縁パターン及び前記ビットパターン間に配置されて
前記層間絶縁膜を貫通して前記活性領域と接触される複数の埋め込みコンタクトプラグと、
前記埋め込みコンタクトプラグ上に前記埋め込みコンタクトプラグと接続されたストレージノードとを有することを特徴とする半導体素子。 - 前記埋め込みコンタクトプラグは、前記第1絶縁パターンと前記第2絶縁パターンで区画される間隔がフォトリソグラフィ工程の限界解像度よりも狭い幅を有することを特徴とする請求項23に記載の半導体素子。
- 前記第2絶縁パターンは、フォトリソグラフィ工程の限界解像度よりも狭い幅を有することを特徴とする請求項23に記載の半導体素子。
- 前記活性領域は、第1活性領域と、
前記第1活性領域の前記列方向に整列される第2活性領域と、
前記第1活性領域の前記行方向に整列される第3活性領域と、
前記第2活性領域の前記行方向に整列される第4活性領域とを含むことを特徴とする請求項23に記載の半導体素子。 - 前記ビットパターンは、前記第1及び第2活性領域を横切る第1ビットパターンと、
前記第3及び第4活性領域を横切る第2ビットパターンとを含み、
前記第1及び第2ビットパターンは、活性領域を斜めに横切ることを特徴とする請求項26に記載の半導体素子。 - 前記第1及び第3活性領域を横切って互いに平行な第1及び第2埋め込みワードラインと、
前記第2及び第4活性領域を横切って互いに平行な第3及び第4埋め込みワードラインとをさらに含み、
前記第1乃至第4埋め込みワードラインは前記第1及び第2ビットパターンと直交し、前記第1絶縁パターンの一つが、前記第1及び第2埋め込みワードライン間であって前記第1及び第2埋め込みワードライン上に配置され、前記第1絶縁パターンの他の一つが前記第3及び第4埋め込みワードライン間であって前記第3及び第4埋め込みワードライン上に配置されることを特徴とする請求項27に記載の半導体素子。 - 前記第1乃至第4埋め込みワードラインは、前記活性領域の上部表面よりも低いレベルに配置されることを特徴とする請求項28に記載の半導体素子。
- 前記埋め込みコンタクトプラグ上に配置されたストレージノードをさらに含むことを特徴とする請求項23に記載の半導体素子。
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