JP5275038B2 - バリア膜の形成方法 - Google Patents

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Description

本発明は、バリア膜の形成方法に関する。
近年、半導体集積回路のパターンの微細化に伴い、アスペクト比の高い微細なコンタクトホールやトレンチ等をＣｕやＡｌ等の配線材料で埋め込んだいわゆる埋込配線構造が提案されている。
上記のような埋込配線構造の場合、例えば主配線材料としてＣｕを用いると、Ｃｕが絶縁膜中に拡散されやすく、不具合が生じる。そのため、絶縁膜と配線材料との間に導電性のバリア膜を設けて、Ｃｕの拡散を抑制又は防止している。このバリア膜の形成には、種々の方法が提案されているが、例えばＰＶＤ法やＭＯＣＶＤ法やＡＬＤ法を用いて、Ｔａ、ＴｉＮ、ＴａＮ等の材料層を堆積させてバリア膜を形成することが知られている（例えば、特許文献１参照）。
上記したＡＬＤ法は、一種類の前駆体を基板表面に吸着させ（吸着工程）、この前駆体が吸着している状態で別の前駆体を供給することにより、二つの前駆体を基板表面で互いに接触させて反応せしめ（改質工程）、この工程を繰り返して所望の金属膜を形成するというものである。このＡＬＤ法は、一般にＣＶＤ法より低温で、かつカバレッジ良く成膜できるという利点がある。
ところで、Ｔａ、ＴｉＮ以外のバリア性の高い膜として、ＺｒＢ２膜が知られている。このＺｒＢ２膜は、原料としてＺｒ(ＢＨ４)４を用いると次の反応式（１）に従って成膜できることが知られている。
Ｚｒ(ＢＨ４)４→ＺｒＢ２＋Ｂ２Ｈ６＋５Ｈ２・・・（１）
上記式(１)の場合は、原料をＳｉ基板からの熱により直接熱分解して基板上にＺｒＢ２膜を形成する方法であるが、良好なＺｒＢ２膜を得るには、基板を５５０℃以上の高温に加熱することが必要となり、好ましくない。
これに対し、原料に水素ラジカルを添加し、この水素ラジカル及びＳｉ基板からの熱により原料を低温（３００〜３５０℃）で反応せしめて基板上にＺｒＢ２膜を形成するＣＶＤ法が知られている（例えば、非特許文献１参照）。
このような水素ラジカルを加えるためには、水素ガスを励起することが必要である。このようなガスを励起するための装置としては、導波管を用いてマイクロ波を導入するマイクロ波励起プラズマ処理装置が知られている（例えば、特許文献２参照）。
特開２００４−６８５６号公報（請求項３、図４等） 特開平１０−２５５９９８号公報（請求項１、図１等） J.Appl.Phys.,Vol.91,No.6,15 March 2002,pp.3904-3907(p.3904)
しかしながら、ＺｒＢ２膜をバリア膜として形成するために上記式(１)の反応を利用して原料を直接熱分解すると、成膜温度が高すぎるため、半導体装置の配線材料としてＣｕやＡｌを用いることができないという問題がある。
また、上記のようなマイクロ波励起プラズマ処理装置では、導波管によってマイクロ波を伝播することから、マイクロ波発生からプラズマ生成まで時間がかかるため、吸着工程と改質工程とを多数回繰り返すＡＬＤ法には適していないという問題がある。
そこで、本発明の課題は、上記従来技術の問題点を解決することにあり、プラズマ生成に時間がかからないマイクロ波励起プラズマ処理装置を用いたＡＬＤ法を利用して、低温プロセスで、微細なホール、トレンチ等の上部でバリア膜がオーバーハングすることもなく、これらのホールやトレンチの内面にカバレージ良く、そして効率よくＺｒＢ２膜のバリア膜を形成する方法を提供することにある。
本発明のバリア膜の形成方法は、反応ガスを導入するための非金属パイプの外周の上部及び下部に離間して設けられた導体を備えた同軸型共振キャビティと、マイクロ波供給回路とからなるプラズマ生成手段であって、前記同軸型共振キャビティ内部の高さが励振波長の１／２の整数倍であり、非金属パイプの一方の端から注入されたガスが、非金属パイプの前記導体を設けていない領域でマイクロ波により励起され、他方の端からプラズマ化して放出されるように構成されたプラズマ生成手段を備えた成膜装置を用いて、ＡＬＤ法によりバリア膜を形成するバリア膜の形成方法において、ホール、トレンチが形成されている絶縁膜を有する成膜対象物を前記成膜装置の真空チャンバー内に載置し、この真空チャンバー内にＺｒ(ＢＨ４)４ガスからなる原料ガスとＨ ２ガスからなる反応ガスとを供給して絶縁膜表面に吸着させる吸着工程と、原料ガスの供給を止めて反応ガスを連続して供給し、この反応ガスを前記プラズマ生成手段によりプラズマ化し、このプラズマ化した反応ガスを前記吸着工程で絶縁膜表面に吸着させた原料ガスと反応させて改質を行う改質工程と、を繰り返し行うことによって、ホール、トレンチの内面を含めて絶縁膜上にＺｒＢ２膜からなるバリア膜を形成することを特徴とする。このような装置を用いて成膜することで、低温プロセスで、微細なホール、トレンチの内面に、カバレージよく、しかも効率的にＺｒＢ２膜のバリア膜を形成することができる。
本発明のバリア膜の形成方法は、反応ガスを導入するための非金属パイプの外周の上部及び下部に離間して設けられた導体を備えた同軸型共振キャビティと、マイクロ波供給回路とからなるプラズマ生成手段であって、前記同軸型共振キャビティ内部の高さが励振波長の１／２の整数倍であり、非金属パイプの一方の端から注入されたガスが、非金属パイプの前記導体を設けていない領域でマイクロ波により励起され、他方の端からプラズマ化して放出されるように構成されたプラズマ生成手段を備えた成膜装置を用いて、ＡＬＤ法によりバリア膜を形成するバリア膜の形成方法において、ホール、トレンチが形成されている絶縁膜を有する成膜対象物を前記成膜装置の真空チャンバー内に載置し、この真空チャンバー内にＺｒ(ＢＨ ４ ) ４ ガスからなる原料ガスと前記プラズマ生成手段によりＨ ２ ガスからなる反応ガスをプラズマ化して得られたガスとを供給して絶縁膜表面に吸着させる吸着工程と、原料ガスの供給を止めて前記プラズマ生成手段によりプラズマ化した反応ガスを連続して供給し、このプラズマ化した反応ガスを前記吸着工程で絶縁膜表面に吸着した原料ガスと反応させて改質を行う改質工程と、を繰り返し行うことによって、ホール、トレンチの内面を含めて絶縁膜上にＺｒＢ２膜からなるバリア膜を形成することを特徴とする。
本発明のバリア膜の形成方法は、反応ガスを導入するための非金属パイプの外周の上部及び下部に離間して設けられた導体を備えた同軸型共振キャビティと、マイクロ波供給回路とからなるプラズマ生成手段であって、前記同軸型共振キャビティ内部の高さが励振波長の１／２の整数倍であり、非金属パイプの一方の端から注入されたガスが、非金属パイプの前記導体を設けていない領域でマイクロ波により励起され、他方の端からプラズマ化して放出されるように構成されたプラズマ生成手段を備えた成膜装置を用いて、ＡＬＤ法によりバリア膜を形成するバリア膜の形成方法において、ホール、トレンチが形成されている絶縁膜を有する成膜対象物を前記成膜装置の真空チャンバー内に載置し、この真空チャンバー内にＺｒ(ＢＨ４)４ガスからなる原料ガスとＨ ２ガスにＮ ２及びＮＨ３から選ばれた少なくとも１つを混合した反応ガスとを供給して絶縁膜表面に吸着させる吸着工程と、原料ガスの供給を止めて反応ガスを連続して供給し、この反応ガスを前記プラズマ生成手段によりプラズマ化し、このプラズマ化した反応ガスを前記吸着工程で絶縁膜表面に吸着させた原料ガスと反応させて改質を行う改質工程と、を繰り返し行うことによって、ホール、トレンチの内面を含めて絶縁膜上にＺｒＢＮ膜からなるバリア膜を形成することを特徴とする。Ｈ２ガスにＮ２及びＮＨ３から選ばれた少なくとも１つを混合して用いることで、プラズマ化された反応ガスの状態をよりながく保つことが可能となる。そして、この反応ガスを用いて、このような装置によって成膜することで、低温プロセスで、微細なホール、トレンチの内面に、カバレージよく、しかも効率的にＺｒＢＮ膜のバリア膜を形成することができる。
本発明のバリア膜の形成方法は、反応ガスを導入するための非金属パイプの外周の上部及び下部に離間して設けられた導体を備えた同軸型共振キャビティと、マイクロ波供給回路とからなるプラズマ生成手段であって、前記同軸型共振キャビティ内部の高さが励振波長の１／２の整数倍であり、非金属パイプの一方の端から注入されたガスが、非金属パイプの前記導体を設けていない領域でマイクロ波により励起され、他方の端からプラズマ化して放出されるように構成されたプラズマ生成手段を備えた成膜装置を用いて、ＡＬＤ法によりバリア膜を形成するバリア膜の形成方法において、ホール、トレンチが形成されている絶縁膜を有する成膜対象物を前記成膜装置の真空チャンバー内に載置し、この真空チャンバー内にＺｒ(ＢＨ ４ ) ４ ガスからなる原料ガスと、Ｈ ２ ガスにＮ ２ 及びＮＨ ３ から選ばれた少なくとも１つを混合した反応ガスを前記プラズマ生成手段によりプラズマ化して得られたガスとを供給して絶縁膜表面に吸着させる吸着工程と、原料ガスの供給を止めて前記プラズマ生成手段によりプラズマ化した反応ガスを連続して供給し、このプラズマ化した反応ガスを前記吸着工程で絶縁膜表面に吸着した原料ガスと反応させて改質を行う改質工程とを繰り返し行うことによって、ホール、トレンチの内面を含めて絶縁膜上にＺｒＢＮ膜からなるバリア膜を形成することを特徴とする。
前記反応ガスの流量を、吸着工程と改質工程とで異なる流量とすることが好ましい。バリア膜を形成する場合には、前記成膜対象物を５０〜３００℃に加熱しながらバリア膜を形成することが好ましい。
また、前記同軸型共振キャビティ内に冷却ガスを導入し、非金属パイプの導体を設けていない領域を冷却しながらバリア膜を形成することが好ましく、さらに、前記非金属パイプの側壁を２重にし、この側壁間に冷却用流体を循環させて非金属パイプを冷却しながらバリア膜を形成することが好ましい。これらのように冷却することで、非金属パイプ内壁のエッチングを抑制し、ラジカルの生成効率を上げることが可能である。
本発明によれば、マイクロ波励起のプラズマ生成手段を備えた成膜装置を用いて、ＡＬＤ法に従って低温で吸着工程及び改質工程を実施することにより、アスペクト比の高い微細なホール、トレンチ等の上部でのバリア膜のオーバーハングもなく、これらのホール、トレンチ等にカバレージ良くバリア膜を形成することができるという効果を奏する。
初めに、本発明の成膜方法に用いられる第１の成膜装置について説明する。第１の成膜装置は、成膜対象物を載置する載置台をその底部に備えた真空チャンバーと、この真空チャンバーの天井に、成膜対象物に対向するように設けられたシャワーヘッド構造とからなる。このシャワーヘッド構造について、図１を参照して以下詳細に述べる。
シャワーヘッド構造１は、上部の同軸型共振キャビティ１１と、同軸型共振キャビティ１１の底部に接続して設けられた反応ガス導入室１２と、反応ガス導入室１２に接続して設けられたシャワーヘッド部１３とからなる。
同軸型共振キャビティ１１は、例えば銅製やアルミ製で、この同軸型共振キャビティ１１には、非金属パイプ１１１がキャビティの天井壁と底壁とを貫通して設けられている。この非金属パイプ１１１の上部には、図示しない反応ガスのガス源が流量制御手段を介して接続される。この非金属パイプ１１１としては、石英管、サファイア管又はアルミナ管を用いることができるが、パーティクルをより低減すべく、サファイア管かアルミナ管を用いることが好ましい。
この非金属パイプ１１１の上部には、その周囲を覆うように、同心円状の可動自在の上部導体１１２が設けられ、また、この上部導体１１２の下方では、同軸型共振キャビティ１１の底壁が下部導体１１３として機能している。二つの導体間では、非金属パイプ１１１は露出しており、この露出部１１１ａにマイクロ波が照射される。なお、図１中では、同軸型共振キャビティ１１の底壁が下部導体１１３として機能しているが、下部導体１１３を、別の部材として同軸型共振キャビティ１１の底部に設けてもよい。
非金属パイプ１１１の露出部１１１ａの領域においてプラズマを生成するために、マイクロ波供給手段１４が、同軸型共振キャビティ１１の側壁面の露出部１１１ａに対応する位置に設けられている。このマイクロ波供給手段１４は、マイクロ波を発振するマグネトロン１４１と、このマグネトロン１４１を作動させるためのマイクロ波電源１４２と、マグネトロン１４１に接続され、マグネトロン１４１から発振された共振周波数（例えば、２．４５ＧＨｚ）のマイクロ波を同軸型共振キャビティ１１に供給するアンテナ１４３と、アンテナ１４３とマグネトロン１４１とをつなぐ同軸ケーブル１４４とからなる。マイクロ波電源１４２を作動せしめると、マグネトロン１４１からマイクロ波が発振され、このマイクロ波が同軸ケーブル１４４を通って、壁面に設けられたアンテナ１４３に到達する。そして、アンテナ１４３からマイクロ波が同軸型共振キャビティ１１内に供給されると、非金属パイプ１１１上部から導入されている反応ガスが露出部１１１ａの領域においてプラズマ状態に変化し、ガスの流路である非金属パイプ１１１の下部から、プラズマ化したガスとして反応ガス導入室１２へ供給される。このように、本装置では、マイクロ波を伝播するための導波管を設けていないので、マイクロ波を発振すると、すぐにプラズマを生成できるため、ＡＬＤ法の実施に適している。なお、図１中、アンテナ１４３を一つだけ設ける例を説明したが、２以上設けてもよい。また、上記したように上部導体１１２は可動であるので、その位置を変えて上部導体１１２と下部導体１１３との間の電界の発生状態を変えることで、プラズマの生成状態を変えることが可能である。
ところで、一般に、プラズマ生成空間においてプラズマが生成されると、プラズマ生成空間の電界分布が変化して共振周波数が変化し、プラズマの生成効率が悪くなってしまう。この場合に、マイクロ波供給手段を調整すると、マイクロ波発振と、プラズマ生成との間でタイムラグが生じることとなり、ＡＬＤ法には適さない。
そこで、第１の成膜装置では、プラズマ生成の前後で共振周波数が変化しないように、同軸型共振キャビティ１１内の高さＬが、励振波長の１／２の整数倍となるように構成している。これは、同軸型共振キャビティ１１の電界分布がプラズマ生成前にはＴＭモードになっているが、プラズマ生成後にはＴＥＭモードになることに鑑みて、各モードにおける電気的等価回路からプラズマ生成前後の各共振周波数を求め、これらの共振周波数が等しくなるように計算することにより、得られたものである。上記構成により、プラズマ生成前後で、共振周波数の変化を抑えることが可能である。
このように同軸型共振キャビティ１１内の高さＬを設定してもなお、プラズマ生成後にキャビティ内の周波数がわずかながら変動する場合もあるので、第１の成膜装置のマイクロ波供給手段１４に、励磁電流制御回路を設けることが好ましい。この制御回路は、同軸型共振キャビティ１１内でのプラズマ発生前後の周波数をモニターして、この周波数が変化した場合に、変化分に対応する信号を受け取り、この信号に相当する電流を励磁電流としてマグネトロン１４１内の図示しない励磁コイルに送ることで供給するマイクロ波の波長が一定になるように、構成される。
また、同軸型共振キャビティ１１内の周波数が変化した状態でマイクロ波を発振すると、プラズマ生成室内部で反射波が生じる場合には、この反射波を検出し、この検出した反射波と、発振したマイクロ波の進行波との位相差に相当する電圧を、マグネトロン内の陽極電極に重畳して印加して、共振周波数に近づくように動作する陽極電圧制御回路を設けてもよい。この場合、反射波はマイクロ波供給手段において熱に変換されるので、陽極電圧制御回路を設けた場合に反射波に起因する熱によって回路がダメージを受けないように注意する必要がある。さらに、下部導体１１３の中に、発振波長の４分の１の長さに相当するチョーク構造を設けて、露出部１１１ａから漏洩されるマイクロ波を抑制するように構成しても良い。
このように第１の成膜装置は、同軸型共振キャビティ１１内の高さＬを励振波長の１／２の整数倍になるように構成し、一定の共振周波数を発振できるとともに、励磁電流制御回路及び陽極電圧制御回路を設けることで、プラズマ生成前後で仮に共振周波数がずれたとしても周波数を自動的にマッチングするように構成されている。さらに、第１の成膜装置は、マイクロ波発振とプラズマ生成にタイムラグが発生しないので、プラズマの生成を極めて短い間隔、例えば０．５秒くらいから制御でき、吸着工程及び改質工程を多数回繰り返して成膜するＡＬＤ法に非常に適している。
この同軸型共振キャビティ１１の非金属パイプ１１１内でプラズマにより励起された反応ガスは、反応ガス導入室１２を経て、シャワーヘッド部１３へ導入される。反応ガス導入室１２は、例えばアルミ製であり、その内壁には、パーティクル発生防止のために石英製インナーを設けることが好ましい。この場合、図１中に示したように、ガス導入室１２の内壁の下方領域（シャワーヘッド部１３側）に石英製インナーを設けてもよいが、好ましくは、内壁全面に石英製インナーを設けることである。また、ラジカル状態のガスを失活させにくくするために、反応ガス導入室１２の内壁表面をアルマイト加工してもよい。
また、反応ガス導入室１２は、図示しない冷却手段によって、冷却してもよい。反応ガス導入室１２とシャワーヘッド部１３との間には、セラミックフランジ１２２（例えば、厚さ１０ｍｍ）を設けてあり、固定具１２３及び１２４で固定されている。このセラミックフランジ１２２は、シャワーヘッド部１３の熱により反応ガス導入室１２が加熱されないように熱を遮断するために設けられたものであり、真空シール性、耐熱性、熱遮断性からアルミナセラミックであることが好ましい。
シャワーヘッド部１３は、円盤状部材１３ａと、リング状部材１３ｂと、第１のシャワー板１３ｃと、第２のシャワー板１３ｄとからなり、適宜、固定具１２３で固定されている。円盤状部材１３ａには、好ましくは、図示しないヒーター及び熱電対が設けられ、ヒーターにより、シャワーヘッド部１３を所定の温度（例えば１５０℃くらい）になるように加熱し、この加熱された温度を熱電対で測定し、モニターできるように構成される。また、円盤状部材１３ａには、反応ガス導入室１２と連通する開口部が形成されており、この開口部と、リング状部材１３ｂの開口部とから、反応ガスが導入され、拡散される反応ガス拡散室１３１が構成されている。反応ガス拡散室１３１は、石英製のインナーが内壁全体に設けられ、その底面には、複数の反応ガス噴出孔１３２が形成されている。この反応ガス噴出孔１３２は、第１のシャワー板１３ｃ及び第２のシャワー板１３ｄを貫通しシャワーヘッド部１３の底面まで達している。
さらに、円盤状部材１３ａには、原料ガス導入装置に接続する原料ガス導入管１３３が設けられ、この原料ガス導入管１３３は、ガス通路１３４、即ちリング状部材１３ｂの外周部に設けられたガス通路１３４ａ及び第１のシャワー板１３ｃの外周部に設けられたガス通路１３４ｂを介して第２のシャワー板１３ｄに形成された原料ガス拡散室１３５に接続されている。このガス通路１３４は、１以上の多段に構成され、各段は、２ｎ−１（ｎは段数）で表される数のガス通路１３４ａ及び１３４ｂを有している。そして、ガス通路１３４は、前記原料ガス導入管１３３と１段目のガス通路１３４ａとの接続位置から最終段のガス通路１３４ｂと原料ガス拡散室１３５との各接続位置までの距離が全て等しいように構成されている。このガス通路１３４について図２及び図３を用いて詳細に説明する。図２は、（ａ）リング状部材１３ｂ、（ｂ）第１のシャワー板１３ｃ及び（ｃ）第２のシャワー板１３ｄの横断面図であり、図３は、原料ガス導入管１３３、ガス通路１３４及び原料ガス拡散室１３５の配置関係を説明するための説明図である。
ガス通路１３４は、リング状部材１３ｂに設けられた円弧状の１つのガス通路１３４ａと、第１のシャワー板１３ｃの反応ガス噴出孔１３２が形成されている領域の周辺部に設けられた円弧状の２つのガス通路１３４ｂとからなる。ガス通路１３４ａの中央上部には、原料ガス導入管１３３が接続されている。そして、ガス通路１３４ａの両端の底部にはそれぞれ接続孔１３４ｃが形成され、この各接続孔１３４ｃは、第１のシャワー板１３ｃに設けられたガス通路１３４ｂのそれぞれの中央上部に接続され、ガス通路１３４ａとガス通路１３４ｂとは連通している。
また、ガス通路１３４ｂのそれぞれの両端の底部には、接続孔１３４ｄが形成され、この接続孔１３４ｄは、第２のシャワー板１３ｄに設けられた原料ガス拡散室１３５の四隅の上部に接続され、原料ガス拡散室１３５に原料ガスが接続孔１３４ｄを介して均一に吐出されるように構成されている。
このように、前記原料ガス拡散室１３５と原料ガス導入管１３３とを接続するガス通路１３４は、２段構成であり、１段目のガス通路１３４ａは、その中央に前記原料ガス導入管１３３が接続され、２段目のガス通路１３４ｂは、その中央に前段のガス通路１３４ａの両端の底部に設けられた接続孔１３４ｃが接続されて前段のガス通路１３４ａと連通し、かつ、その各ガス通路１３４ｂの両端の底部に形成された接続孔１３４ｄにより、原料ガス拡散室１３５に接続されて、１つのガス流路として構成されている。そして、このガス通路１３４では、原料ガス導入管１３３から各接続孔１３４ｄまでの距離はどれも等しくなるように構成されているので、原料ガスが同時に原料ガス拡散室に同量到達し、均一に原料ガス拡散室１３５に拡散できる。なお、図中では、ガス通路を２段構成として接続孔１３４ｄを４つ設けているが、ガス通路を３段以上に構成して接続孔１３４ｄの数を増やしてもよい。例えば、第１のシャワー板の底部に、第１のシャワー板と同様の反応ガス噴出孔を形成し、かつ、ガス通路を４つ形成した第３のシャワー板を設け、この第３のシャワー板の４つのガス通路の各中央上部に第１のシャワー板の接続孔が接続するようにし、この第３のシャワー板の各ガス通路の両端部に第２のシャワー板の原料ガス拡散室への接続孔をそれぞれ形成し、即ち、接続孔を８つ設け、それに併せて原料ガス拡散室の形状を設計して、より均等にガスが原料ガス拡散室内に拡散されるように構成してもよい。また、図中では原料ガス拡散室は四角形としたが、円形や他の多角形でもよい。
この原料ガス拡散室１３５には、原料ガス噴出孔１３６が設けられており、この原料ガス噴出孔１３６もシャワーヘッド部１３の底面まで貫通している。この場合、均一に原料ガスが真空チャンバー内へ噴き出すように、噴出孔のコンダクタンスを小さくすることが好ましい。例えば、図１及び２に示す装置では、原料ガス噴出孔１３６を、孔径Φ０．７〜１ｍｍ程度、孔深さ１０ｍｍ程度として、原料ガスを均一に真空チャンバー内へ供給できるように構成している。
反応ガス噴出孔１３２はシャワーヘッド部１３の底面まで貫通しているので、このシャワーヘッド部１３の底面には、反応ガス噴出孔１３２と、原料ガス噴出孔１３６とがそれぞれ一定の距離をあけてマトリクス状に並んでおり、これによって、基板上にかたよりなく原料ガス及び反応ガスが照射されるように構成されている。各原料ガス噴出孔１３６の中心間距離と各反応ガス噴出孔１３２の中心間距離とは、同じ距離（例えば、１４ｍｍ）に設定されている。この場合、原料ガス噴出孔１３６の直径より反応ガス噴出孔１３２の直径の方が大きく、例えば、原料ガス噴出孔１３６の直径を１ｍｍとすると、反応ガス噴出孔１３２の直径は５ｍｍである。これは、改質工程においては反応ガスの流量の方が原料ガスの流量に比べて多いことによる。
このように構成されたシャワーヘッド部１３では、非金属パイプ１１１から反応ガス導入室１２を経てシャワーヘッド部１３へ導入された反応ガスは、反応ガス拡散室１３１全体に広がり、各反応ガス噴出孔１３２を経て真空チャンバー内に供給される。また、原料ガス導入管１３３から導入された原料ガスは、ガス通路１３４にガス通路１３４ａの中央部から導入され、ガス通路１３４ａの左右に均等に分かれて接続孔１３４ｃを介して下段に形成された各ガス通路１３４ｂへ拡散する。そして、ガス通路１３４ｂを左右に均等に分かれて進み、接続孔１３４ｄから、原料ガス拡散室１３５へ均一に拡散し、その後、原料ガス拡散室１３５の底面の各原料ガス噴出孔１３６から真空チャンバー内に均一に供給される。
ところで、原料ガスは、原料が６０℃を超えると熱分解を起こすことから、６０℃以下の温度でガス化せしめ、搬送することが必要である。そのため、原料ガス導入装置は、図４及び図５に示すように構成されていることが好ましい。以下、図４及び図５を参照して説明する。
図４（ａ）及び（ｂ）は、原料ガス導入装置１５の構成を示す模式図である。原料Ｚｒ(ＢＨ４)４は、融点（２８．７℃）より低い温度である−１０℃〜２５℃に保持し、特に−５℃〜５℃に保持することが好ましい。Ｚｒ(ＢＨ４)４は熱安定性が非常に悪いので、２５℃より高いと、自己分解により原料タンクの中でＺｒＢ２やＢ２Ｈ６などに分解してしまうからであり、他方、−１０℃未満ではＡＬＤの原料として用いるには蒸気圧が２ｍｍＨｇ未満となり低すぎるからである。例えば、０℃（蒸気圧３．７ｍｍＨｇ）に保持されたタンク１５１内にメッシュの細かい網１５２を設け、その網の上に顆粒状の原料１５３を乗せ、バブリングガスとしてのＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガスを、マスフローコントローラー１５４を介してタンク１５１内の下方へ供給し、網１５２の下方から上方へと不活性ガスを原料１５３内を流し、このバブリングにより原料１５３を昇華させて、バブリングガスと共に原料ガスを原料ガス導入管１３３を介して原料ガス拡散室１３５内へ導入するか（図４(ａ)）、又は例えば０℃程度に保持されたタンク１５１内に設けられた２枚の網１５２ａ及び１５２ｂの間に顆粒状の原料１５３を挟持させ、バブリングガスとしてのＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガスをマスフローコントローラー１５４を介してタンク１５１内の網１５２ａから網１５２ｂへと原料内を流し、このバブリングにより原料１５３を昇華させて、バブリングガスと共に原料ガスを原料ガス導入管１３３及びガス通路１３４を介して原料ガス拡散室１３５内へ導入する（図４(ｂ)）。
原料ガスの導入はまた、低差圧マスフローを用いた図５に示す原料ガス導入装置１５により、次のようにして行っても良い。すなわち、例えば０℃（蒸気圧３．７ｍｍＨｇ）程度に保持されたタンク１５１内へ原料を入れ、これを低差圧マスフローコントローラーのようなマスフローコントローラー１５４を用いて、原料１５３の気化ガスの流量を直接制御しながら原料ガス導入管１３３及びガス通路１３４を介して原料ガス拡散室１３５内へ導入する。この場合、原料ガスをチャンバーへ導入する際には、必ずチャンバー内の圧力を原料ガスの蒸気圧より低くする必要がある。例えば、原料タンクを０℃に冷却保温している場合、原料ガスの蒸気圧は３．７ｍｍＨｇであるので、チャンバー圧力を３．７ｍｍＨｇよりも低くする。
上記シャワーヘッド構造１に対向して真空チャンバー内に設けられた基板載置台に載置され、ＺｒＢ２膜からなるバリア膜が成膜される成膜対象基板としては、以下のようなものがある。例えば、Ｓｉ基板等の半導体装置において通常用いられる基板上に、スパッタ法やＣＶＤ法或いは塗布法等により、例えばＰ−ＳｉＯ膜、ＢＰＳＧ膜、ＨＤＰ−ＰＳＧ膜等の絶縁膜や、Ｐ−ＳｉＯＣ膜や、ポーラスＬｏｗ−ｋ膜等の低誘電率膜を形成し、この絶縁膜や低誘電率膜を通常のエッチング条件でエッチングしてアスペクト比の高い微細なホール、トレンチ等を形成した基板があげられる。本発明によれば、ＡＬＤ法により、このホール等の上部でバリア膜がオーバーハングすることもなく、ホール等の内面にカバレージ良く良質のバリア膜を形成することができる。
上記シャワーヘッド構造１を備えた第１の成膜装置を用いる本発明のバリア膜の形成方法は、基板上にホール、トレンチが形成されている絶縁膜を有する成膜対象物を真空チャンバー内に載置し、この成膜対象物の表面上で、ＡＬＤ法を用いて、Ｚｒ(ＢＨ４)４ガスからなる原料ガスと、Ｈ２ガスからなる反応ガスをプラズマにより励起して得られたガスとを反応させ、ホール、トレンチの内面を含めて絶縁膜上にＺｒＢ２膜からなるバリア膜を形成する方法である。この場合、成膜対象物の基板温度を５０℃以上３００℃以下、好ましくは１５０℃以上２００℃以下に設定してバリア膜を形成する。５０℃より低温であると、温度が低すぎて膜を得ることができず、また、３００℃より高温であると、カバレッジの良い膜を得ることができないからである。
本発明の成膜方法であるＡＬＤ法のプロセスシーケンスとしては、図６のタイミングチャートに示したものが適している。
本発明の実施に用いる成膜装置の排気系としては、例えば、アルバック製ドライポンプＰＤＲ-９０-ＣＨ（排気能力：１５００Ｌ/ｍｉｎ）（図示せず）と荏原製作所製ターボ分子ポンプＴＭＰ-１００３ＬＭ（排気能力：１０８０Ｌ/ｓｅｃ）の二段の真空ポンプ（図示せず）を用いることができる。この場合、反応室とターボ分子ポンプの間に、ＭＫＳ社製のバタフライタイプの圧力コントロールバルブを設置し、反応室内の圧力をバタフライバルブの開度を変える事で制御できるようにすることが好ましい。
はじめに、真空チャンバー内に成膜対象物を載置した後、真空チャンバー内を一定圧力（例えば、１Ｔｏｒｒ以上、好ましくは３Ｔｏｒｒ以上）に保持し、成膜対象物を所定温度（５０〜３００℃）に加熱する。その後、ＡＬＤ成膜工程を開始する。先ず、排気能力を上げた状態（バタフライ開度１００％）で反応ガスのＨ２ガスのみを非金属パイプ１１１へ１〜１００ｓｃｃｍ程度流す。反応ガスのＨ２を１〜１００ｓｃｃｍ程度流すことで、反応ガスの配管ラインに原料ガスが逆流することを防止できる。
続いて吸着工程に入る。シャワーヘッド部１３は、図７に示すように作動している。即ち、反応ガスＧ１を、非金属パイプ１１１及び反応ガス導入室１２を通過させて、シャワーヘッド部１３の反応ガス拡散室１３１に搬送し、反応ガス噴出孔１３２を経て反応ガスＧ１を真空チャンバー内に導入する。なお、吸着工程ではマイクロ波は発振していないので、反応ガスＧ１はプラズマ状態ではない。この反応ガスＧ１であるＨ２ガスを１〜１００ｓｃｃｍ流したままで、原料ガスＧ２であるＺｒ(ＢＨ４)４ガスを原料ガス導入管１３３から導入し、原料ガス拡散室１３５を経て原料ガス噴出孔１３６から真空チャンバー内に導入して、成膜対象物上に吸着させる。
吸着工程において、原料ガスを導入するのに、図４（ａ）及び（ｂ）に示すバブリングガスとしての不活性ガス（Ａｒ、Ｈｅなど）でＺｒ(ＢＨ４)４ガスの流量を間接的に制御する原料ガス導入装置１５を用いる場合には、バブリングガスの流量を１０〜５００ｓｃｃｍの範囲内で導入してＺｒ(ＢＨ４)４ガスの流量を間接的に制御する。１０ｓｃｃｍより少ないと、含有される原料の量が少なすぎて成膜できず、また、５００ｓｃｃｍより多いと、含有される原料が多すぎて効果的に成膜できないからである。この場合、チャンバー圧力は、１０Ｔｏｒｒ以下に保つのが好ましい。１０Ｔｏｒｒより高いと真空チャンバー内部の圧力を制御する時間がかかりすぎて、ＡＬＤ法には適さないからである。
他方、原料ガスを導入するのに、図５に示す低差圧マスフローを利用した装置で直接原料ガスの流量を制御する場合には、原料ガスの流量は、１〜１００ｓｃｃｍである。原料ガスが１ｓｃｃｍより少ないと、原料ガスが少なすぎて実効的な成膜レートを得ることができず、１００ｓｃｃｍより多いと、原料の消費量が多すぎて実用的なプロセスとしての採算がとれないからである。この場合、Ｚｒ(ＢＨ４)４ガスの熱的安定性の問題から原料：Ｚｒ(ＢＨ４)４の温度を−１０℃〜２５℃、好ましくは−５℃〜５℃の範囲に制御しているので、チャンバー圧力は、制御温度でのＺｒ(ＢＨ４)４ガスの蒸気圧の値から１０Ｔｏｒｒ以下とする。チャンバー内圧力は、好ましくは２Ｔｏｒｒ以下、より好ましくは０．１Ｔｏｒｒ以下になるように保持してもよい。
なお、吸着工程での圧力制御は、逆流防止用の反応ガスＨ２を流した状態で、Ｚｒ(ＢＨ４)４ガス（バブリングガスを導入している場合には、原料ガスとバブリングガス）を真空チャンバーへ導入しながら、圧力コントロールバルブの開度を調整して制御する。
所定時間、原料ガスであるＺｒ(ＢＨ４)４ガス（バブリングガスを導入している場合は、原料ガス及びバブリングガス）を真空チャンバーへ供給した後、原料ガスの供給を停止し、吸着工程を終了する。逆流防止用のＨ２ガス（反応ガス）は停止しないで導入し続ける。原料ガスの停止と同時に圧力コントロールバルブの開度を１００％にして引き切り状態にする。真空チャンバー内の圧力が、原料ガスの導入時（吸着工程）の圧力に比べ所定の値以下になった時点で改質工程に入る。
改質工程に入ると同時に、吸着工程から連続して導入され続けている反応ガスとしてのＨ２ガス流量を変化させて１０〜５００ｓｃｃｍにし、圧力コントロールバルブの開度を調整しチャンバー圧力を所定の圧力に制御すると同時に、マイクロ波を発振する。この場合に、マイクロ波の発振周波数（共振周波数）が例えば２．４５ＧＨｚであれば、投入パワーは、０．１〜５ｋＷである。投入パワーが０．１ｋＷより小さいとプラズマパワーが小さく効果が少なく、５ｋＷより大きいと放電管へのダメージが大きくなる場合があるからである。
この改質工程における装置の作動状態を図８に示す。この場合には、原料ガスＧ２の供給は停止しているが、反応ガスＧ１は供給されたままである。マイクロ波電源１４２によりマグネトロン１４１から発振されたマイクロ波をアンテナ１４３から同軸型共振キャビティ１１内に供給して、非金属パイプ１１１中の反応ガスＧ１を、露出部１１１ａの領域でプラズマ化せしめる。プラズマ状態になることで励起された反応ガスＧ３は、反応ガス導入室１２及びシャワーヘッド部１３の反応ガス拡散室１３１に導入される。そして、反応ガス拡散室１３１を介して反応ガス噴出孔１３２から真空チャンバー内へ導入され、成膜対象物上に吸着された原料ガスと反応し、膜を改質する。
改質工程での真空チャンバー圧力は、１０Ｔｏｒｒ以下が好ましい。１０Ｔｏｒｒを超えるとチャンバー内部の圧力を制御する時間がかかりすぎて、ＡＬＤ法には適さないからである。
所定時間後、マイクロ波の発振を停止し、改質工程を終了する。改質工程の終了と同時に反応ガスであるＨ２ガス流量を逆流防止用として１〜１００ｓｃｃｍに変更し、かつ、圧力コントロールバルブの開度を１００％にして引き切り状態にする。真空チャンバー内の圧力が、改質工程の圧力に比べ所定の値以下になった時点で、再び吸着工程に入る。
この吸着工程及び改質工程を数回〜数百回繰り返すことにより所望の膜厚を有するバリア膜を形成することができる。
本発明の成膜方法であるＡＬＤ法のプロセスシーケンスとしては、他に図９のタイミングチャートに示したものが適している。以下、図９に示すタイミングチャートを説明する。
はじめに、真空チャンバー内に成膜対象物を載置した後、真空チャンバー内を一定圧力（例えば、１Ｔｏｒｒ以上、好ましくは３Ｔｏｒｒ以上）に保持し、成膜対象物を所定温度（５０〜３００℃）に加熱する。その後、ＡＬＤ成膜工程を開始する。
まず、反応ガスとしてのＨ２ガスを非金属パイプ１１１へ１〜１００ｓｃｃｍ程度導入し、所定の圧力になるように圧力コントロールバルブの開度を調整すると同時に、マイクロ波供給手段１４によりマイクロ波を発振して、プラズマを形成する。そして、このプラズマが形成され、反応ガスが水素ラジカルとなっている状態で、吸着工程を開始する。吸着工程においても、反応ガスとしてのＨ２ガスを１〜１００ｓｃｃｍ導入し、かつ、マイクロ波を発振して水素ラジカルを発生させているのは、反応ガスを導入することで反応ガスの配管ラインに原料ガスが逆流することを防ぎ、また、吸着工程でも水素ラジカルとＺｒ(ＢＨ４)４ガスとを基板上で反応させ、より膜質を上げ、さらに、吸着工程及び改質工程の間の真空引き切り時間をできるだけ短くしてスループットアップを実現するためである。この場合、水素ラジカルと原料ガス：Ｚｒ(ＢＨ４)４ガスとが気相中で混ざってＣＶＤ現象が発生し、微細ホールでのステップカバレージが低下する可能性がある。そこで、成膜対象物の温度をより低温に保つ（５０〜３００℃）ことで、気相中でのＣＶＤ現象が顕著化しないように制御している。
マイクロ波発振のための投入パワーは、マイクロ波の発振周波数（共振周波数）が例えば２．４５ＧＨｚである場合、０．１〜５ｋＷである。この場合に、０．１ｋＷより小さいとプラズマパワーが小さく効果が少なく、５ｋＷより大きいと放電管へのダメージ大きくなるという問題がある。
原料ガスとしてのＺｒ(ＢＨ４)４ガスを原料ガス導入管１３３から導入し、吸着工程を開始して、原料ガスを、原料ガス拡散室１３５を経て原料ガス噴出孔１３６から真空チャンバー内に導入して、成膜対象物上に吸着させる。即ち、吸着過程において、図１０に示すようにシャワーヘッド構造１を作動させて、反応ガスＧ１を非金属パイプ１１１を通過させながら、マイクロ波発振によりプラズマ状態とし、プラズマ化された反応ガスＧ３を反応ガス導入室１２及び反応ガス噴出孔１３２を通過させて真空チャンバーに導入する。
吸着工程において、原料ガスを導入するのに、図４（ａ）及び（ｂ）に示すバブリングガスとしての不活性ガス（Ａｒ、Ｈｅなど）でＺｒ(ＢＨ４)４ガスの流量を間接的に制御する原料ガス導入装置１５を用いる場合には、バブリングガスの流量を１０〜５００ｓｃｃｍで変化させてＺｒ(ＢＨ４)４ガスの流量を間接的に制御する。この場合、チャンバー圧力は、１０Ｔｏｒｒ以下に保つのが好ましい。１０Ｔｏｒｒより高いとチャンバー内部の圧力を制御する時間がかかりすぎて、ＡＬＤ法には適さないからである。
他方、原料ガスを導入するのに、図５に示す低差圧マスフローを利用した原料ガス導入装置１５で直接原料ガスの流量を制御して導入する場合には、原料ガスの流量は、１〜１００ｓｃｃｍである。原料ガスが１ｓｃｃｍより少ないと、実効的な成膜レートが得られず、１００ｓｃｃｍより多いと、原料の消費量が非常に多く実用的なプロセスとして採算が取れない。この場合、Ｚｒ(ＢＨ４)４ガスの熱的安定性の問題から原料のＺｒ(ＢＨ４)４の温度を−１０℃〜２５℃、好ましくは−５℃〜５℃の範囲に制御しているので、チャンバー圧力は、制御温度でのＺｒ(ＢＨ４)４ガスの蒸気圧の値から１０Ｔｏｒｒ以下、好ましくは２Ｔｏｒｒ以下、より好ましくは０．１Ｔｏｒｒ以下になるように保持する。
なお、吸着工程での圧力制御は、逆流防止用の反応ガスＨ２を流した状態で、Ｚｒ(ＢＨ４)４ガス（バブリングガスを導入している場合には、原料ガスとバブリングガス）をチャンバーへ導入しながら、圧力コントロールバルブの開度を調整し制御する。
所定時間、原料ガスであるＺｒ(ＢＨ４)４ガス（バブリングガスも導入した場合は原料ガス及びバブリングガス）を真空チャンバーへ供給した後、原料ガスの供給を停止し、吸着工程を終了する。このとき反応ガスであるＨ２ガス及びマイクロ波の発振は停止しない。
原料ガスの停止と同時に改質工程に入る。なお、図６の場合と同様に、原料ガスの停止と同時に圧力コントロールバルブの開度を１００％にして引き切り状態にし、真空チャンバー内の圧力が、原料ガスの導入時（吸着工程）の圧力に比べ所定の値以下になった時点で改質工程に入ってもよい。
改質工程では、まず、吸着工程から連続して導入され続けている反応ガスであるＨ２ガスの流量を変化させて１０〜５００ｓｃｃｍにし、圧力コントロールバルブの開度を調整しチャンバー圧力を所定の圧力に制御する。この改質工程における装置の作動状態を図８に示す。この場合には、原料ガスＧ２の供給は停止しているが、反応ガスＧ１は供給されたままである。マイクロ波は発振され続けており、マイクロ波電源１４２によりマグネトロン１４１から発振されたマイクロ波をアンテナ１４３から同軸型共振キャビティ１１内に供給して、非金属パイプ１１１中の反応ガスＧ１を、露出部１１１ａの領域でプラズマ化せしめる。このプラズマ状態になることで励起された反応ガスＧ３は、反応ガス導入室１２及びシャワーヘッド部１３の反応ガス拡散室１３１に導入される。そして、反応ガス拡散室１３１を介して反応ガス噴出孔１３２から真空チャンバー内へ導入され、成膜対象物上に吸着された原料ガスと反応し、より膜を改質する。改質工程での真空チャンバー圧力は、図６の場合と同様である。
所定時間後、マイクロ波の発振を続けたまま、反応ガスであるＨ２ガスの流量を１〜１００ｓｃｃｍに変更すると同時に、原料ガスであるＺｒ(ＢＨ４)４ガスを導入し、圧力コントロールバルブの開度を調整しチャンバーの圧力を吸着工程の所定の圧力に調整することで、改質工程を終了すると共に、次の吸着工程を開始する。
このような吸着工程及び改質工程を数回〜数百回繰り返すことにより所望の膜厚を有するバリア膜を形成することができる。
上記のいずれのプロセスの改質工程においても、反応ガスのラジカル状態をより長く維持するために、Ｈ２ガスにＮ２及びＮＨ３から選ばれた少なくとも１つを混合させたもの、また、Ｈ２ガスにＮ２及び／又はＮＨ３を混合させたものに、さらに不活性ガス（Ａｒ、Ｈｅなど）を混合させたものを用いてもよい。Ｎ２及び／又はＮＨ３を混合した場合、最終生成物であるバリア膜は、ＺｒＢＮ膜である。Ｈ２ガスに混合したガスの改質工程での流量はＨ２ガスと同様に各ガスとも１０〜５００ｓｃｃｍで変化させることができるが、装置の排気能力や真空ポンプへの負担の問題もあるため、改質工程時に導入するガスの総流量は装置に応じて適宜制御する。反応ガスの総流量は１０〜１０００ｓｃｃｍ程度の範囲が好ましい。
上記したようにＺｒＢＮ膜が形成されるのは、Ｚｒ−Ｂ結合に比べＺｒ−Ｎ結合の方が安定であるため、反応ガス中にプラズマ励起された水素ラジカル以外に窒素ラジカルやアンモニアラジカルが存在すると、Ｚｒ−Ｎ結合が形成されるためである。したがって、Ｈ２ガスに対してＮＨ３ガスやＮ２ガスの割合を増やすことで、ＺｒＢＮ膜中のＺｒ−Ｎ結合の割合が増えることとなり、Ｈ２ガスに対するＮＨ３やＮ２ガスの流量比に応じてＺｒＢＮの膜質が変化することとなる。
さらに、Ｂ２Ｈ６を、反応ガス拡散室１３１に設けられたガス導入口１３７から１０〜１０００ｓｃｃｍ混合してもよい。Ｚｒ（ＢＨ４）４が熱分解してできる生成物であるＢ２Ｈ６を多量にチャンバーに入れることでＺｒ（ＢＨ４）４の分解を抑制し、Ｚｒ（ＢＨ４）４を安定させることが可能である。
以下、本発明の成膜方法の実施に用いられる第２の成膜装置について説明する。
図１１は、第２の成膜装置に用いられる第２のシャワーヘッド構造２の模式図であり、図１と同じ構成要素については、同一の参照符号を付してある。図１に示した第１の成膜装置で極めて多量に基板を処理して成膜を行うと、非金属パイプ１１１の内側が図１２のＳＥＭ写真に示すようにエッチングされる場合がある。従って、非金属パイプ内のエッチングを抑制するために、この第２の成膜装置のシャワーヘッド構造２は、第１の成膜装置に用いられるシャワーヘッド構造１が有していなかった冷却手段を少なくとも一つ有する。即ち、第２のシャワーヘッド構造２は、第１のシャワーヘッド構造１とは、同軸型共振キャビティ内を冷却する冷却ガス導入手段２１を有している点、及び非金属パイプ１１１を、冷却用流体を流せる流路を形成した非金属（例えば、アルミナや石英）製の２重パイプ２２に変更している点が異なり、これらの冷却手段の少なくとも一つを有するものである。以下、変更点について説明する。
冷却ガス導入手段２１は、ガス源２１１とガス源２１１に接続されたガス管２１２とガス管２１２に介設されたバルブ２１３とを有し、同軸型共振キャビティ１１に付設されている。この冷却ガス導入手段２１により、同軸型共振キャビティ１１内部に冷却ガスを導入して内部を冷却ガスで満たすことができ、図示しない排気手段で冷却ガスを排気しながら循環させる。このようにして、同軸型共振キャビティ１１内部の温度を一定に保ち、２重パイプ２２の露出部１１１ａ付近を冷却することが可能である。
ガス源２１１から同軸型共振キャビティ１１内へ導入される冷却ガスとしては、人体に影響がなくクリンルーム内に放出できる冷却ガス、例えば、ドライＮ２ガス、ドライＡｒガス、ドライＨｅガス、ドライＯ２ガスなどを用いることができる。
次に、２重パイプ２２について図１３を用いて説明する。図１３（ａ）は、２重パイプ２２の縦断面図であり、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）中の線Ａ−Ａ’から見た断面図であり、図１３（ｃ）は図１３（ｂ）中の線Ｂ−Ｂ’間から見た断面図である。図１３（ａ）に示したように、２重パイプ２２は、その側壁が２重となっており、側壁２２１の内側には冷却用流体通路２２２が形成されている。この冷却用流体通路２２２の上壁には、流入口２２３及び流出口２２４が設けられている。そして、図１３（ｂ）に示したように、冷却用流体通路２２２には、２つの仕切り板２２５が挿入されており、図１３（ｃ）に示したように、この仕切り板２２５の下部には開口部２２６が設けられている。これにより、冷却用流体通路２２２の流入口２２３側の上流部２２２ａと、流出口２２４側の下流部２２２ｂとは連通し、流入口２２３から流入した液体は、冷却用流体通路２２２の上流部２２２ａを上から下へ流れ、開口部２２６を通過して、下流部２２２ｂに進入し、これを下から上へ満たし、流出口２２４から側壁２２１外部へ流出する。このように、冷却用流体通路２２２は２重パイプ内部のガス通路２２７の外周をほぼ全て覆っているので、ガス通路を上から下まで冷却することができる。なお、図中では、流入口２２３及び流出口２２４は２重パイプ２２の上面に設けているが、それぞれ側面に設けてもよい。
この場合、冷却用流体は、マイクロ波の発振周波数に共振しない流体媒体であることが必要であり、例えば、発振周波数が２．４５ＧＨｚの場合、３Ｍ社製・商品名フロリナートの、ＦＣ−８７、ＦＣ−７２、ＦＣ−８４、ＦＣ−７７、ＦＣ−７５、ＦＣ−３２８３、ＦＣ−４０、ＦＣ−４３、ＦＣ−７０、ＦＣ−５３１２や、アウジモント ソシエタ ペル アチオニ製・商品名ガルデン（登録商標）を用いることができる。また、エチレングリコールもしくはエチレングリコール主体とした液体媒体を用いることもできる。さらに、ドライＮ２ガス、ドライＡｒガス、ドライＨｅガス、ドライＯ２ガスなどの気体を用いることもできる。
このように、冷却ガス導入手段２１及び／又は２重パイプ２２を設けたことで、２重パイプ２２内部のガス通路２２７の内面のエッチングを抑制できるとともに、露出部１１１ａの領域で形成されたプラズマ中の水素ラジカル等のラジカルが熱で失活することを防止して、ラジカルの生成効率をあげることが可能であり、ＡＬＤ法を効率よく実施しうる。
上記第２の成膜装置を用いて、第１の成膜装置と同一の手順で本発明のＡＬＤ法を実施することが可能である。この場合、ＡＬＤ法を実施している間中、冷却ガス導入手段２１により冷却ガスを導入し続け、及び／または、２重パイプ２２により、ガス通路２２７を冷却し続ける。このように冷却しながらＡＬＤ法を実施すると、図１２に示したようなガス通路２２７内面のエッチングが抑制されると共に水素ラジカルの生成効率があがる。水素ラジカル等のラジカルの生成効率が上がってもガス通路２２７内面がエッチングされないのは、内壁が十分に冷却されているからである。
以下、実施例により本発明の成膜方法について詳細に説明する。
本実施例では、図６に示すプロセスシーケンスで、第１の成膜装置を用いて成膜を行った。吸着工程においては、時間：５秒、反応ガス（Ｈ２ガス）：１００ｓｃｃｍ、原料ガス（Ｚｒ(ＢＨ４)４ガス）用のバブリングガス（Ａｒ）：１００ｓｃｃｍ、排気：１０００Ｌ/ｓｅｃの条件で、改質工程においては、時間：２５秒、反応ガス：１００ｓｃｃｍ、マイクロ波投入パワー：０．５ｋＷ、排気：１０００Ｌ/ｓｅｃの条件で成膜を行い、それぞれ２４回繰り返し、基板Ｓ上に成膜した。得られた膜は、厚さ１０μｍのＺｒＢ２膜であった。
図９に示すプロセスシーケンスで、第１の成膜装置を用いて成膜を行った。吸着工程においては、時間：５秒、反応ガス（Ｈ２ガス）：１００ｓｃｃｍ、原料ガス（Ｚｒ(ＢＨ４)４ガス）用のバブリングガス（Ａｒ）：１００ｓｃｃｍ、マイクロ波投入パワー：０．５ｋＷ、排気：１０００Ｌ/ｓｅｃの条件で、改質工程においては、時間：２５秒、反応ガス：１００ｓｃｃｍ、マイクロ波投入パワー：０．５ｋＷ、排気：１０００Ｌ/ｓｅｃの条件で成膜を行い、それぞれ２４回繰り返し、基板Ｓ上に成膜した。得られた膜は、厚さ１０μｍのＺｒＢ２膜であった。
図６に示すプロセスシーケンスで、第２の成膜装置を用いて成膜を行った。時間：５秒、反応ガス（Ｈ２ガス）：１００ｓｃｃｍ、原料ガス（Ｚｒ(ＢＨ４)４ガス）用のバブリングガス（Ａｒ）：１００ｓｃｃｍ、排気：１０００Ｌ/ｓｅｃの条件で、改質工程においては、時間：２５秒、反応ガス：１００ｓｃｃｍ、マイクロ波投入パワー：０．５ｋＷ、排気：１０００Ｌ/ｓｅｃの条件で成膜を行い、それぞれ２４回繰り返し、基板Ｓ上に成膜した。また、この成膜の間中、同軸型共振キャビティ１１の内部及び２重パイプ２２を冷却した。得られた膜は、厚さ１０μｍのＺｒＢ２膜であり、図１２に示したようなガス通路２２７内面のエッチングが抑制されていた。
本実施例では、図６に示すプロセスシーケンスで、第１の成膜装置を用いて成膜を行った。吸着工程においては、時間：５秒、反応ガス（Ｈ２ガスにＮ２を混合させたもの）：１００ｓｃｃｍ、原料ガス（Ｚｒ(ＢＨ４)４ガス）用のバブリングガス（Ａｒ）：１００ｓｃｃｍ、排気：１０００Ｌ/ｓｅｃの条件で、改質工程においては、時間：２５秒、反応ガス：１００ｓｃｃｍ、マイクロ波投入パワー：０．５ｋＷ、排気：１０００Ｌ/ｓｅｃの条件で成膜を行い、それぞれ２４回繰り返し、基板Ｓ上に成膜した。得られた膜は、厚さ１０μｍのＺｒＢＮ膜であった。
本発明によれば、ＡＬＤ法に適した装置を利用して低温で吸着工程及び反応工程を実施することにより、アスペクト比の高い微細なホール、トレンチ等の上部でのＺｒＢ２膜又はＺｒＢＮ膜のオーバーハングもなく、これらのホール、トレンチ等にカバレージ良くＺｒＢ２膜又はＺｒＢＮ膜からなるバリア膜を形成することができる。したがって、本発明は、半導体技術において利用可能である。
本発明の実施に用いられる成膜装置のシャワーヘッド構造１を説明するための断面模式図である。 （ａ）リング状部材１３ｂ、（ｂ）第１のシャワー板１３ｃ及び（ｃ）第２のシャワー板１３ｄの横断面図である。 原料ガス導入管１３３、ガス通路１３４及び原料ガス拡散室１３５の配置関係を説明するための説明図である。 本発明における原料ガスの生成方法に関し、(ａ)はその一例を説明するための模式的構成図であり、(ｂ)は別の例を説明するための模式的構成図である。 本発明における原料ガスの生成方法を説明するためのさらに別の例を示す模式的構成図である。 本発明の実施の態様にかかるプロセスシーケンスを示すグラフである。 吸着工程におけるシャワーヘッド構造１の作動を示す模式的構成図である。 改質工程におけるシャワーヘッド構造１の作動を示す模式的構成図である。 本発明の別の実施の態様にかかるプロセスシーケンスを示すグラフである。 本発明の別の実施の態様にかかる吸着工程におけるシャワーヘッド構造１の作動を示す模式的構成図である。 第２の成膜装置のシャワーヘッド構造２を説明するための断面模式図である。 非金属パイプ内面がエッチングされた状態を示すＳＥＭ写真である。 ２重パイプ２２について説明する断面模式図であり、（ａ）は、２重パイプ２２の縦断面図であり、（ｂ）は、図１３（ａ）中の線Ａ−Ａ’からみた断面図であり、（ｃ）は図１３（ｂ）中の線Ｂ−Ｂ’からみた断面図である。
符号の説明
１ シャワーヘッド構造
２ シャワーヘッド構造
１１ 同軸型共振キャビティ
１２ ガス導入室
１３ シャワーヘッド部
１３ａ 円盤状部材
１３ｂ リング状部材
１３ｃ 第１のシャワー板
１３ｄ 第２のシャワー板
１４ マイクロ波供給手段
１５ 原料ガス導入装置
１１１ 非金属パイプ
１１１ａ 露出部
１１２ 上部導体
１１３ 下部導体
１２２ セラミックフランジ
１２３，１２４ 固定具
１３１ 反応ガス拡散室
１３２ 反応ガス噴出孔
１３３ 原料ガス導入管
１３４ ガス通路
１３４ａ ガス通路
１３４ｂ ガス通路
１３４ｃ 接続孔
１３４ｄ 接続孔
１３５ 原料ガス拡散室
１３６ 原料ガス噴出孔
１３７ ガス導入口
１４１ マグネトロン
１４２ マイクロ波電源
１４３ アンテナ
１４４ 同軸ケーブル
１５１ タンク
１５２ 網
１５２ａ，１５２ｂ 網
１５３ 原料
１５４ マスフローコントローラー
２１１ ガス源
２１２ ガス管
２１３ バルブ
２２１ 側壁
２２２ 冷却用流体通路
２２２ａ 上流部
２２２ｂ 下流部
２２３ 流入口
２２４ 流出口
２２５ 板
２２６ 開口部
２２７ ガス通路
Ｇ１ 反応ガス
Ｇ２ 原料ガス
Ｇ３ 反応ガス

Claims (8)

  1. 反応ガスを導入するための非金属パイプの外周の上部及び下部に離間して設けられた導体を備えた同軸型共振キャビティと、マイクロ波供給回路とからなるプラズマ生成手段であって、前記同軸型共振キャビティ内部の高さが励振波長の１／２の整数倍であり、非金属パイプの一方の端から注入されたガスが、非金属パイプの前記導体を設けていない領域でマイクロ波により励起され、他方の端からプラズマ化して放出されるように構成されたプラズマ生成手段を備えた成膜装置を用いて、ＡＬＤ法によりバリア膜を形成するバリア膜の形成方法において、
    ホール、トレンチが形成されている絶縁膜を有する成膜対象物を前記成膜装置の真空チャンバー内に載置し、この真空チャンバー内にＺｒ(ＢＨ４)４ガスからなる原料ガスとＨ ２ガスからなる反応ガスとを供給して絶縁膜表面に吸着させる吸着工程と、原料ガスの供給を止めて反応ガスを連続して供給し、この反応ガスを前記プラズマ生成手段によりプラズマ化し、このプラズマ化した反応ガスを前記吸着工程で絶縁膜表面に吸着させた原料ガスと反応させて改質を行う改質工程と、を繰り返し行うことによって、ホール、トレンチの内面を含めて絶縁膜上にＺｒＢ２膜からなるバリア膜を形成することを特徴とするバリア膜の形成方法。
  2. 反応ガスを導入するための非金属パイプの外周の上部及び下部に離間して設けられた導体を備えた同軸型共振キャビティと、マイクロ波供給回路とからなるプラズマ生成手段であって、前記同軸型共振キャビティ内部の高さが励振波長の１／２の整数倍であり、非金属パイプの一方の端から注入されたガスが、非金属パイプの前記導体を設けていない領域でマイクロ波により励起され、他方の端からプラズマ化して放出されるように構成されたプラズマ生成手段を備えた成膜装置を用いて、ＡＬＤ法によりバリア膜を形成するバリア膜の形成方法において、
    ホール、トレンチが形成されている絶縁膜を有する成膜対象物を前記成膜装置の真空チャンバー内に載置し、この真空チャンバー内にＺｒ(ＢＨ ４ ) ４ ガスからなる原料ガスと前記プラズマ生成手段によりＨ ２ ガスからなる反応ガスをプラズマ化して得られたガスとを供給して絶縁膜表面に吸着させる吸着工程と、原料ガスの供給を止めて前記プラズマ生成手段によりプラズマ化した反応ガスを連続して供給し、このプラズマ化した反応ガスを前記吸着工程で絶縁膜表面に吸着した原料ガスと反応させて改質を行う改質工程と、を繰り返し行うことによって、ホール、トレンチの内面を含めて絶縁膜上にＺｒＢ２膜からなるバリア膜を形成することを特徴とするバリア膜の形成方法。
  3. 反応ガスを導入するための非金属パイプの外周の上部及び下部に離間して設けられた導体を備えた同軸型共振キャビティと、マイクロ波供給回路とからなるプラズマ生成手段であって、前記同軸型共振キャビティ内部の高さが励振波長の１／２の整数倍であり、非金属パイプの一方の端から注入されたガスが、非金属パイプの前記導体を設けていない領域でマイクロ波により励起され、他方の端からプラズマ化して放出されるように構成されたプラズマ生成手段を備えた成膜装置を用いて、ＡＬＤ法によりバリア膜を形成するバリア膜の形成方法において、
    ホール、トレンチが形成されている絶縁膜を有する成膜対象物を前記成膜装置の真空チャンバー内に載置し、この真空チャンバー内にＺｒ(ＢＨ４)４ガスからなる原料ガスとＨ ２ガスにＮ ２及びＮＨ３から選ばれた少なくとも１つを混合した反応ガスとを供給して絶縁膜表面に吸着させる吸着工程と、原料ガスの供給を止めて反応ガスを連続して供給し、この反応ガスを前記プラズマ生成手段によりプラズマ化し、このプラズマ化した反応ガスを前記吸着工程で絶縁膜表面に吸着させた原料ガスと反応させて改質を行う改質工程と、を繰り返し行うことによって、ホール、トレンチの内面を含めて絶縁膜上にＺｒＢＮ膜からなるバリア膜を形成することを特徴とするバリア膜の形成方法。
  4. 反応ガスを導入するための非金属パイプの外周の上部及び下部に離間して設けられた導体を備えた同軸型共振キャビティと、マイクロ波供給回路とからなるプラズマ生成手段であって、前記同軸型共振キャビティ内部の高さが励振波長の１／２の整数倍であり、非金属パイプの一方の端から注入されたガスが、非金属パイプの前記導体を設けていない領域でマイクロ波により励起され、他方の端からプラズマ化して放出されるように構成されたプラズマ生成手段を備えた成膜装置を用いて、ＡＬＤ法によりバリア膜を形成するバリア膜の形成方法において、
    ホール、トレンチが形成されている絶縁膜を有する成膜対象物を前記成膜装置の真空チャンバー内に載置し、この真空チャンバー内にＺｒ(ＢＨ ４ ) ４ ガスからなる原料ガスと、Ｈ ２ ガスにＮ ２ 及びＮＨ ３ から選ばれた少なくとも１つを混合した反応ガスを前記プラズマ生成手段によりプラズマ化して得られたガスとを供給して絶縁膜表面に吸着させる吸着工程と、原料ガスの供給を止めて前記プラズマ生成手段によりプラズマ化した反応ガスを連続して供給し、このプラズマ化した反応ガスを前記吸着工程で絶縁膜表面に吸着した原料ガスと反応させて改質を行う改質工程とを繰り返し行うことによって、ホール、トレンチの内面を含めて絶縁膜上にＺｒＢＮ膜からなるバリア膜を形成することを特徴とするバリア膜の形成方法。
  5. 前記反応ガスの流量を、吸着工程と改質工程とで異なる流量としてバリア膜を形成することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のバリア膜の形成方法。
  6. 前記成膜対象物である基板を５０〜３００℃に加熱しながらバリア膜を形成することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のバリア膜の形成方法。
  7. 前記同軸型共振キャビティ内に冷却ガスを導入し、非金属パイプの導体を設けていない領域を冷却しながらバリア膜を形成することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のバリア膜の形成方法。
  8. 前記非金属パイプの側壁を２重にし、この側壁間に冷却用流体を循環させて非金属パイプを冷却しながらバリア膜を形成することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のバリア膜の形成方法。
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Families Citing this family (319)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007105411A1 (ja) * 2006-03-07 2007-09-20 University Of The Ryukyus プラズマ発生装置及びそれを用いたプラズマ生成方法
JP2008211079A (ja) * 2007-02-27 2008-09-11 Ulvac Japan Ltd バリア膜の形成方法及びバリア膜、並びに多層配線構造の作製方法及び多層配線構造
JP2008211090A (ja) * 2007-02-27 2008-09-11 Ulvac Japan Ltd 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
KR101181389B1 (ko) 2007-02-27 2012-09-19 가부시키가이샤 알박 반도체 소자의 제조 방법 및 반도체 소자의 제조 장치
JP2010010625A (ja) * 2008-06-30 2010-01-14 Ulvac Japan Ltd 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法
JP5389386B2 (ja) * 2008-06-30 2014-01-15 株式会社アルバック 半導体装置の製造方法
JP2010010624A (ja) * 2008-06-30 2010-01-14 Ulvac Japan Ltd 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
JP5379246B2 (ja) * 2010-01-12 2013-12-25 株式会社アルバック 半導体装置の製造方法、及び成膜装置
TWI493063B (zh) * 2010-08-19 2015-07-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 塗層、具有該塗層的被覆件及該被覆件的製備方法
JP5650479B2 (ja) * 2010-09-27 2015-01-07 東京エレクトロン株式会社 電極及びプラズマ処理装置
JP5627984B2 (ja) * 2010-10-15 2014-11-19 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び半導体装置の製造方法
KR101657341B1 (ko) * 2011-04-25 2016-09-13 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 성막 방법
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9536710B2 (en) * 2013-02-25 2017-01-03 Applied Materials, Inc. Tunable gas delivery assembly with internal diffuser and angular injection
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
JP6134191B2 (ja) * 2013-04-07 2017-05-24 村川 惠美 回転型セミバッチａｌｄ装置
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10683571B2 (en) * 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US20160138161A1 (en) * 2014-11-19 2016-05-19 Applied Materials, Inc. Radical assisted cure of dielectric films
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US11384432B2 (en) 2015-04-22 2022-07-12 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition chamber with funnel-shaped gas dispersion channel and gas distribution plate
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) * 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
TWI779134B (zh) 2017-11-27 2022-10-01 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
KR102657269B1 (ko) 2018-02-14 2024-04-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TWI819010B (zh) 2018-06-27 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
TWI751420B (zh) 2018-06-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ知識產權私人控股有限公司 薄膜沉積方法
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220006455A (ko) 2020-07-08 2022-01-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
US20220254660A1 (en) * 2021-02-05 2022-08-11 Linco Technology Co., Ltd. Substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000012283A (ja) * 1998-06-22 2000-01-14 Mitsubishi Heavy Ind Ltd プラズマ生成装置
JP2003017496A (ja) * 2001-04-27 2003-01-17 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2004006856A (ja) * 2002-05-06 2004-01-08 Sharp Corp 金属バリア層と銅との間の密着促進剤として用いられる超薄膜タングステン金属膜および超薄膜タングステン金属膜を用いた基板に銅薄膜を密着させる方法
JP2004296490A (ja) * 2003-03-25 2004-10-21 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP2005175466A (ja) * 2003-11-26 2005-06-30 Air Products & Chemicals Inc 反応器表面から物質を除去するための方法、装置及び混合物
JP2005191018A (ja) * 2005-03-25 2005-07-14 Aet Japan:Kk マイクロ波プラズマ発生装置
JP2006009144A (ja) * 2004-05-21 2006-01-12 Ulvac Japan Ltd 真空成膜装置
JP2006057162A (ja) * 2004-08-23 2006-03-02 Ulvac Japan Ltd バリア膜の形成方法
JP2008098522A (ja) * 2006-10-13 2008-04-24 Ulvac Japan Ltd 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10255998A (ja) 1997-03-06 1998-09-25 Toshiba Corp マイクロ波励起プラズマ処理装置
US7196283B2 (en) * 2000-03-17 2007-03-27 Applied Materials, Inc. Plasma reactor overhead source power electrode with low arcing tendency, cylindrical gas outlets and shaped surface
TW504846B (en) * 2000-06-28 2002-10-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR100446619B1 (ko) * 2001-12-14 2004-09-04 삼성전자주식회사 유도 결합 플라즈마 장치
JP4908738B2 (ja) * 2002-01-17 2012-04-04 サンデュー・テクノロジーズ・エルエルシー Ａｌｄ方法
EP1667217A1 (en) * 2003-09-03 2006-06-07 Tokyo Electron Limited Gas treatment device and heat readiting method
JP4265762B2 (ja) 2003-09-08 2009-05-20 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理装置
KR100613450B1 (ko) * 2004-12-02 2006-08-21 주식회사 하이닉스반도체 반도체 장치의 비트라인 배리어 금속층 및 그 제조방법

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000012283A (ja) * 1998-06-22 2000-01-14 Mitsubishi Heavy Ind Ltd プラズマ生成装置
JP2003017496A (ja) * 2001-04-27 2003-01-17 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2004006856A (ja) * 2002-05-06 2004-01-08 Sharp Corp 金属バリア層と銅との間の密着促進剤として用いられる超薄膜タングステン金属膜および超薄膜タングステン金属膜を用いた基板に銅薄膜を密着させる方法
JP2004296490A (ja) * 2003-03-25 2004-10-21 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP2005175466A (ja) * 2003-11-26 2005-06-30 Air Products & Chemicals Inc 反応器表面から物質を除去するための方法、装置及び混合物
JP2006009144A (ja) * 2004-05-21 2006-01-12 Ulvac Japan Ltd 真空成膜装置
JP2006057162A (ja) * 2004-08-23 2006-03-02 Ulvac Japan Ltd バリア膜の形成方法
JP2005191018A (ja) * 2005-03-25 2005-07-14 Aet Japan:Kk マイクロ波プラズマ発生装置
JP2008098522A (ja) * 2006-10-13 2008-04-24 Ulvac Japan Ltd 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JPN6012041282; Ｊｕｎｇｈｗａｎ　Ｓｕｎｇ　ｅｔｃ: 'Ｒｅｍｏｔｅ-ｐｌａｓｍａ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　ｏｆ　ｃｏｎｆｏｒｍａｌ　ＺｒＢ２　ｆｉｌｍｓａｔ　ｌｏｗ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ：　Ａ　ｐｒｏｍｉｓｉｎｇ　ｄｉｆｆｕ' ＪＯＵＲＮＡＬ　ＯＦ　ＡＰＰＬＩＥＤ　ＰＨＹＳＩＣＳ ＶＯＬＵＭＥ　９１，　ＮＵＭＢＥＲ　６, 20020315, ３９０４-３９０７, Ａｍｅｒｉｃａｎ　Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ　ｏｆ　Ｐｈｙｓｉｃｓ *

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