JP5379246B2 - 半導体装置の製造方法、及び成膜装置 - Google Patents
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Description
本発明の一側面は、凹部を有する基板をチャンバ内で加熱する工程と、前記加熱された基板の表面にZr(BH4)4を供給する工程と、前記加熱された基板の表面に励起された水素を供給する工程とを備え、前記Zr(BH4)4を供給する工程と前記励起された水素を供給する工程とが交互に繰り返されることによって前記凹部を覆う硼化ジルコニウム膜が形成されてなる半導体装置の製造方法であって、前記基板を加熱する工程では、前記基板の温度を、前記基板における前記Zr(BH4)4の消費量が前記基板の温度が高くなるにつれて増加する温度領域に加熱し、前記励起された水素を供給する工程では、励起されたネオンをさらに供給する。
この場合、Zr(BH4)4の供給後に残存するZr(BH4)4が励起された水素の供給前に排気されることとなる。それゆえに、基板からの熱エネルギーを受けて分解されるZr(BH4)4にのみ励起された水素が供給されることから、硼化ジルコニウム膜における電気的特性の向上がより確実なものとなる。そのうえ残存するZr(BH4)4と励起された水素との気相中での反応が抑制可能となるために、こうした反応生成物による埋め込み性の劣化が抑制可能にもなる。
この場合、励起された水素と励起されたネオンが共通の供給路を介して同時に供給されるので、失活せずに基板の表面に到達する励起された水素の量を増やすことができる。
図1に示されるように、成膜装置10が有する有底筒状のチャンバ本体11には、チャンバ本体11の上部開口を開閉可能なリッド12が連結される。このリッド12がチャンバ本体11の上部開口を閉じると、チャンバ本体11とリッド12とに囲まれた成膜空間Sがチャンバ本体11の内部に形成される。成膜空間Sには、基板としてのシリコン基板Bを載置するステージ13が収容される。このステージ13の内部にはシリコン基板Bを加熱するための加熱源である抵抗加熱ヒータが内蔵されている。この抵抗加熱ヒータはヒータ駆動装置14と接続される。このヒータ駆動装置14が抵抗加熱ヒータに駆動電流を供給すると、ステージ13からの熱量によってシリコン基板Bが加熱される。
上記リッド12には、成膜空間Sにガスを導入するためのシャワーヘッド16が搭載される。シャワーヘッド16は複数の前駆体供給孔H2と複数の水素供給孔H1とを有する。リッド12内において、前駆体供給路と水素供給路は互いに独立して形成されている。前駆体供給孔H2及び水素供給孔H1は、それぞれ前駆体供給路と水素供給路を通して前駆体ポートP2及び水素ポートP3に接続されている。前駆体ポートP2にはZr(BH4)4を収容するキャニスタ17Aを通してマスフローコントローラ(MFC17B)が接続される。このMFC17Bが駆動すると、キャリアガスとしてのアルゴンがキャニスタ17Aに収容されたZr(BH4)4を成膜空間Sへと搬送する。また水素ポートP3には2つのマスフローコントローラ(MFC17C,17D)が接続される。これらMFC17C,17Dが駆動すると、ネオンガスと水素ガスとからなる混合ガスが成膜空間Sに供給される。なお、上記キャニスタ17A、MFC17B、及び前駆体供給孔H2によって前駆体供給部が構成されている。
・基板温度:240℃
・Zr(BH4)4温度:5℃
・成膜圧力:27Pa
・Zr(BH4)4分圧:5Pa
・キャリアアルゴンガス流量:100sccm
・期間Ta/Tb/Tc/Td:1sec/10sec/5sec/2sec
・吸着工程及び改質工程のサイクル数:20回
・マイクロ波出力:200W
・混合ガス流量:表1参照
・基板温度:300℃
・Zr(BH4)4温度:0℃
・成膜圧力:27Pa
・Zr(BH4)4分圧:5Pa
・キャリアアルゴンガス流量:100sccm
・混合ガス流量(水素ガス/ネオンガス):10sccm/200sccm
・吸着工程及び改質工程のサイクル数:10回
・マイクロ波出力:200W
・期間Ta/Tb/Tc/Td:表2参照
(1)成膜時の基板温度がCVD領域に制御されていることから、Zr(BH4)4の分解反応が熱的に確実に進行する結果、硼化ジルコニウム膜の電気抵抗率も低減可能となる。またZr(BH4)4の分解反応が基板温度からの熱エネルギーのみで進行しない温度でもあるために、過剰な基板温度の上昇が抑えられることにもなる。そして、このようなZr(BH4)4の熱的な分解反応が進行する状況下において水素ラジカルとネオンラジカルとが供給されることから、エネルギー準位の高いネオンラジカルによって水素ラジカルが基板表面に到達し易くなる。Zr(BH4)4の分解反応がより効果的に進行することとなる。その結果、Zr(BH4)4の不十分な分解反応によって生じ得る硼化ジルコニウム膜の電気抵抗率の増加が抑えられるため、硼化ジルコニウム膜の電気的特性が向上可能となる。
・吸着工程の直後においてZr(BH4)4の排気が十分となるのであれば、また改質工程の直後において水素ラジカルの排気が十分となるのであれば、上述するような吸着工程と改質工程とが時間間隔をおかずに実行される構成であってもよい。
・こうした硼化ジルコニウム膜の成膜対象は、ビアホール及び配線溝からなる凹部に限られず、例えばビアホールのみからなる凹部や配線溝のみからなる凹部であってもよい。
Claims (6)
- 凹部を有する基板をチャンバ内で加熱する工程と、
前記加熱された基板の表面にZr(BH4)4を供給する工程と、
前記加熱された基板の表面に励起された水素を供給する工程とを備え、
前記Zr(BH4)4を供給する工程と前記励起された水素を供給する工程とを交互に繰り返すことによって前記凹部を覆う硼化ジルコニウム膜を形成する半導体装置の製造方法であって、
前記基板を加熱する工程では、前記基板の温度を、前記基板における前記Zr(BH4)4の消費量が前記基板の温度が高くなるにつれて増加する温度領域に加熱し、
前記励起された水素を供給する工程では、励起されたネオンをさらに供給すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記励起された水素を供給する工程では、水素ガスとネオンガスとの混合ガスを励起源によって励起した後に当該励起された混合ガスを前記基板の表面に供給すること
を特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記Zr(BH4)4を供給する工程と、前記励起された水素を供給する工程とを繰り返する期間にわたり、前記混合ガスが前記励起源を通して連続的に前記基板に供給されること
を特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記Zr(BH4)4を供給する工程と、前記励起された水素を供給する工程とが時間間隔をおいて実行されること
を特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記基板の温度を前記温度領域に維持しながら、前記励起された水素と前記励起されたネオンとを共通の供給路を介して同時に前記基板に供給することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板の凹部を覆う硼化ジルコニウム膜を形成する成膜装置であって、
凹部を有する基板を収容して当該基板を加熱する加熱源を有したチャンバと、
前記加熱された基板の表面にZr(BH4)4を供給すると前駆体供給部と、
前記加熱された基板の表面に励起された水素を供給する励起種供給部と、
前記Zr(BH4)4の供給と前記励起された水素の供給とを交互に繰り返すことによって前記凹部を覆う硼化ジルコニウム膜を形成すべく、前記加熱源、前記前駆体供給部及び前記励起種供給部を制御する制御装置とを備え、前記制御装置は、
前記加熱源を制御して、前記基板の温度が高くなるにつれて前記Zr(BH4)4の消費量が増加する温度領域に前記基板を加熱し、
前記励起種供給部を制御して、前記励起された水素とともに、励起されたネオンをさらに供給すること
を特徴とする成膜装置。
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