JP6452199B2 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム - Google Patents
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複数の基板を処理する処理室と、
前記処理室内で前記複数の基板を垂直方向に配列して保持する基板保持具と、
前記処理室内に前記基板を処理する処理ガスを供給するガス供給部と、
前記複数の基板のそれぞれの上方に前記複数の基板のそれぞれに対応するように設けられたプラズマ生成部と、を有し、
前記プラズマ生成部は、
第1の位相の高周波電力が印加される第1の電極と、
前記第1の電極と対になるように設けられ、前記第1の位相とは異なる第2の位相の高周波電力が印加される第2の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間の前記基板の存在しない空間にプラズマを生成するプラズマ生成空間と、
を有する技術が提供される。
以下、本発明の一実施形態について図1、図2、図3を参照しながら説明する。尚、図1においては、説明を容易にするため、プラズマ生成部、プラズマ電極等は省略している。
(加熱装置)
図1に示すように、処理炉202は加熱装置(加熱機構)としてのヒータ4を有する。ヒータ4は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース(図示せず)に支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ4は、後述するようにガスを熱で活性化(励起)させる活性化機構(励起部)としても機能する。
ヒータ4の内側には、ヒータ4と同心円状に反応管1が配設されている。反応管1は、例えば石英(SiO2)または炭化シリコン(SiC)等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。反応管1の下方には、反応管1と同心円状に、マニホールド31が配設されている。マニホールド31は、例えばステンレス(SUS)等の金属からなり、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド31の上端部は、反応管1の下端部に係合しており、反応管1を支持するように構成されている。マニホールド31と反応管1との間には、シール部材としてのOリング220aが設けられている。マニホールド31がヒータベースに支持されることにより、反応管1は垂直に据え付けられた状態となる。主に、反応管1とマニホールド31とにより処理容器(反応容器)が構成されている。処理容器の筒中空部には処理室201が形成されている。処理室201は、複数枚の基板としてのウエハ7を、後述する基板保持具としてのボート5によって水平姿勢で垂直方向に多段に配列した状態で収容可能に構成されている。なお、上述した処理容器としては、マニホールド31を含めずに反応管1だけを処理容器と称しても良い。
処理室201内には、ノズル27,29が、マニホールド31の側壁を貫通するように設けられている。ノズル27,29には、ガス供給管232a,232bが、それぞれ接続されている。このように、処理容器には、2本のガス供給管232a,232bが接続された2本のノズル27,29が設けられており、処理室201内へ処理ガスとして供給される原料ガス、反応ガス、不活性ガスなど複数種類のガスを供給することが可能となっている。なお、ノズル27,29を介して処理室201に供給される原料ガス、反応ガス、不活性ガスなどのガス全てを総称して処理ガスと称する。
なお、ガス供給孔250a,250bの開口面積を上流側から下流側に向かって徐々に大きくしたり、ガス供給孔250a,250bの開口ピッチを上流側から下流側に向かって徐々に小さくしたりするように処理膜に応じて適宜変更することでウエハ上に供給されるガス流量を調整するように構成してもよい。
図1に示すように基板支持具としてのボート5は、複数枚、例えば25〜200枚のウエハ7を、水平姿勢で、かつ、互いに中心を揃えた状態で垂直方向に整列させて多段に支持するように、すなわち、所定の間隔を空けて配列させるように構成されている。 ボート5は、上下で一対の端板(天板、底板)と、これらの間に垂直に架設された複数本(例えば3本)の支柱5aと、を備えている。端板及び支柱5aは、それぞれ例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料から構成されている。各支柱5aには、複数の保持溝が、支柱5aの長手方向に沿って等間隔(例えば、17mm間隔)に配列するようにそれぞれ形成されている。各支柱5aは、保持溝が互いに対向するようにそれぞれ配置されている。ボート5の下部には、例えば石英やSiC等の耐熱性材料からなる断熱板218が多段に支持されている。この構成により、ヒータ4からの熱がシールキャップ32側に伝わりにくくなっている。但し、本実施形態はこのような形態に限定されない。例えば、ボート5の下部に断熱板218を設けずに、石英やSiC等の耐熱性材料からなる筒状の部材として構成された断熱筒を設けてもよい。
図2に示すように、複数のウエハ7のそれぞれの上方には、複数のウエハ7のそれぞれに対応するようにプラズマ生成部が設けられている。
すなわち、複数のウエハ7のそれぞれの上方には、後述する第1の位相の高周波電力が印加された第1電極101と、後述する第1の位相とは異なる第2の位相の高周波電力が印加される第2電極102が配置されている。ウエハ7と第1電極101、第2電極102とを、後述する順番に配置することで、第1電極101と第2電極102の間のウエハ7の存在しない空間にプラズマを生成するプラズマ生成空間106が構成される。
また、第1電極101と第2電極102には、それぞれの電極を支持する電極支持部107、108がそれぞれ接続されている。電極支持部107、108は、ボート5の径方向外側に設けられるように配置されている。電極支持部107、108をこのように配置することによって、電極支持部107、108をボート5とともに回転機構267によって回転する構成となっている。
主に、第1電極101、第2電極102、プラズマ生成空間106によってプラズマ生成部が構成されている。主に、このプラズマ生成部、電極支持部107、108、後述する整合器36、発振器39によりプラズマ生成装置が構成されている。
すなわち、第2電極102−1、第1電極101−1、第1電極101−2、第2電極102−2となるように配置しても良い。このように電極を配置することによって、ウエハ7が配置される空間(特にウエハ表面が露出した空間)にプラズマ103が生成されることを抑制することが可能となり、ウエハ面がプラズマによるダメージを受けることを軽減できるという効果が得られる。
さらに換言すると、複数のウエハ7のうち少なくとも1つは、第1電極101と第1電極101との間に配置されるか、もしくは、第2電極102と第2電極102との間に配置される。すなわち、複数のウエハ7のうち少なくとも1枚は、ウエハ7の直上および直下に同じ位相の交流電流が印加された電極が位置する場所(ウエハ7の直上および直下に同一の電極群に属する電極が位置する場所)に配置されることとなる。
具体的には、図3に示すように、複数多段に配置されるウエハ7のうち、最上位に位置するウエハ7を含む殆ど(複数)のウエハ7が第1電極101と第1電極101との間に配置されるか、もしくは、第2電極102と第2電極102との間に配置される。さらに具体的には、複数多段に配置されるウエハ7のうち、最下位に位置するウエハ7を除く全て(複数)のウエハ7が第1電極101と第1電極101との間に配置されるか、もしくは、第2電極102と第2電極102との間に配置される。なお、複数多段に配置されるウエハ7のうち、最下位に位置するウエハ7を含む全てのウエハ7が第1電極101と第1電極101との間に配置されるか、もしくは、第2電極102と第2電極102との間に配置されるようにしてもよい。いずれの場合も、ウエハ7は、プラズマ103が生成される空間である第1電極101と第2電極102間には不配置とする。
反応管1には、処理室201内の雰囲気を排気する排気管231が設けられている。排気管231には、処理室201内の圧力を検出する圧力検出器(圧力検出部)としての圧力センサ245および排気バルブ(圧力調整部)としてのAPC(Auto Pressure Controller)バルブ244を介して、真空排気装置としての真空ポンプ246が接続されている。APCバルブ244は、真空ポンプ246を作動させた状態で弁を開閉することで、処理室201内の真空排気および真空排気停止を行うことができ、更に、真空ポンプ246を作動させた状態で、圧力センサ245により検出された圧力情報に基づいて弁開度を調節することで、処理室201内の圧力を調整することができるように構成されているバルブである。主に、排気管231、APCバルブ244、圧力センサ245により、排気系が構成される。真空ポンプ246を排気系に含めて考えてもよい。排気管231は、反応管1に設ける場合に限らず、ノズル249a,249bと同様にマニホールド31に設けてもよい。
マニホールド31の下方には、マニホールド31の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ32が設けられている。シールキャップ32は、マニホールド31の下端に垂直方向下側から当接されるように構成されている。シールキャップ32は、例えばSUS等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ32の上面には、マニホールド31の下端と当接するシール部材としてのOリング220bが設けられている。
図7に示すように、制御部(制御装置)であるコントローラ121は、CPU(Central Processing Unit)121a、RAM(Random Access Memory)121b、記憶装置121c、I/Oポート121dを備えたコンピュータとして構成されている。RAM121b、記憶装置121c、I/Oポート121dは、内部バス121eを介して、CPU121aとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ121には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置122が接続されている。
上述の基板処理装置を用い、半導体装置(デバイス)の製造工程の一工程として、基板上に膜を形成するプロセス例について、図5、図6を用いて説明する。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。
処理室201内のウエハ7に対して原料としてBTBASガスを供給するステップと、処理室201内のウエハ7に対して、反応体としてプラズマ励起させたO2ガスを供給するステップと、を非同時に、すなわち、同期させることなく所定回数(1回以上)行うことで、ウエハ7上に、SiおよびOを含む膜として、シリコン酸化膜(SiO膜)を形成する。
複数枚のウエハ7がボート5に装填(ウエハチャージ)されると、シャッタ開閉機構115sによりシャッタ219sが移動させられて、マニホールド31の下端開口が開放される(シャッタオープン)。その後、図1に示すように、複数枚のウエハ7を支持したボート5は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内へ搬入(ボートロード)される。この状態で、シールキャップ32は、Oリング220bを介してマニホールド31の下端をシールした状態となる。
処理室201内、すなわち、ウエハ7が存在する空間が所望の圧力(真空度)となるように、真空ポンプ246によって真空排気(減圧排気)される。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ244がフィードバック制御される。真空ポンプ246は、少なくとも後述する改質処理が終了するまでの間は常時作動させた状態を維持する。
その後、ステップS11,S12,S13,S14を順次実行することで成膜ステップを行う。
ステップS11では、処理室201内のウエハ7に対してBTBASガスを供給する。なお、このステップS11を原料ガス供給ステップS11と称してもよい。
メチルジシラザン(HMDS)ガス等の各種アミノシラン原料ガスや、モノクロロシラン(SiH3Cl、略称:MCS)ガス、ジクロロシラン(SiH2Cl2、略称:DCS)ガス、トリクロロシラン(SiHCl3、略称:TCS)ガス、テトラクロロシランすなわちシリコンテトラクロライド(SiCl4、略称:STC)ガス、ヘキサクロロジシラン(Si2Cl6、略称:HCDS)ガス、オクタクロロトリシラン(Si3Cl8、略称:OCTS)ガス等の無機系ハロシラン原料ガスや、モノシラン(SiH4、略称:MS)ガス、ジシラン(Si2H6、略称:DS)ガス、トリシラン(Si3H8、略称:TS)ガス等のハロゲン基非含有の無機系シラン原料ガスを好適に用いることができる。
成膜処理が終了した後、処理室201内のウエハ7に対して反応ガスとしてのプラズマ励起させたO2ガスを供給する(S13)。なお、このステップS13を反応ガス供給ステップS13と称してもよい。
上述したS11,S12,S13,S14をこの順番に沿って非同時に、すなわち、同期させることなく行うことを1サイクルとし、このサイクルを所定回数(n回)、すなわち、1回以上行うことにより、ウエハ7上に、所定組成および所定膜厚のSiO膜を形成することができる。上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。すなわち、1サイクルあたりに形成されるSiO層の厚さを所望の膜厚よりも小さくし、SiO層を積層することで形成されるSiO膜の膜厚が所望の膜厚になるまで、上述のサイクルを複数回繰り返すのが好ましい。
上述の成膜処理が完了したら、ガス供給管232c,232dのそれぞれから不活性ガスとしてのN2ガスを処理室201内へ供給し、排気管231から排気する。これにより、処理室201内が不活性ガスでパージされ、処理室201内に残留するO2ガス等が処理室201内から除去される(不活性ガスパージ)。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され(不活性ガス置換)、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(大気圧復帰)。
その後、ボートエレベータ115によりシールキャップ32が下降されて、マニホールド31の下端が開口されるとともに、処理済のウエハ7が、ボート5に支持された状態でマニホールド31の下端から反応管1の外部に搬出(ボートアンロード)される。ボートアンロードの後は、シャッタ219sが移動させられ、マニホールド31の下端開口がOリング220cを介してシャッタ219sによりシールされる(シャッタクローズ)。処理済のウエハ7は、反応管1の外部に搬出された後、ボート5より取り出されることとなる(ウエハディスチャージ)。なお、ウエハディスチャージの後は、処理室201内へ空のボート5を搬入するようにしてもよい。
本実施形態によれば、以下に示す1つ又は複数の効果が得られる。
次に図4を用いて本発明の第二実施形態について説明する。第二の実施形態における基板処理装置が第一実施形態と異なる点は、図4に示すように、第1電極101および第2電極102に貫通孔(単に孔とも称する)104を設けている点であり、その他の構成については第一実施形態と同様である。
孔104は、対向する第1電極101と第2電極102の垂直方向において同位置になるように設けることが好ましいが、これに限らず、垂直方向において異なる位置に設けられるようにしても良い。
また、孔104の径は、1mm以上10mm以下となるように形成されることが望ましく、特に、基板を挟み込むように配置された第1電極101間または第2電極102間のピッチ(間隔)と同等以上となるように形成されることが好ましい。
これは、あまり孔径を大きくするとエネルギーの強いプラズマが供給される箇所と弱いプラズマが生成される箇所が明確に分かれてしまい、電極形状が転写されるようなプロセス処理結果となってしまい、均一な成膜ができなくなってしまうという問題が生じるためである。
さらに、孔104の設置位置が第1電極101と第2電極102で垂直方向において異なる位置に設けられる場合には、図4(b)に示すように、対向する第1電極101と第2電極102に設けられた各孔の端部104−1同士の距離Dが一律でなくなるため、圧力と電極間距離に対する放電開始電圧の条件が広がり、放電し易くなると共に広い圧力範囲で安定した処理が可能となる。
さらに、電極間のピッチを調整できるため、ウエハ間のピッチを狭くし、ウエハ処理枚数を増やすことができる。また、電極の表面積が増えるため、活性種の生成量を増やすことができ、基板表面に形成される膜の膜厚均一性を向上させることができる。
さらに、図4には第1電極101及び第2電極102の両方に孔104を設けるように記載したが、これに限らず第1電極101または第2電極102のどちらか一方の電極のみに孔104を設けても良い。
(f)電極間のピッチを調整することが可能となるため、ウエハ間のピッチも狭くし、ウエハ処理枚数を増やすことが可能となる。
(g)電極の表面積が増えるため、プラズマによる活性種の生成量を増やすことが可能となり、形成される膜の均一性を向上させることができる。
次に図8を用いて本発明の第三実施形態について説明する。第三の実施形態における基板処理装置が第一実施形態と異なる点は、図8(a)(b)に示すように、第1電極101、第2電極102の表面上に凹凸を設けた点であり、その他の構成については第一実施形態と同様である。
これらの凹凸は、電極の厚さtに対し約1/3の深さと幅を有するスリット状(溝状)に形成されることが望ましい。例えば、電極の板厚tが3mmである場合、凹凸の深さと幅はそれぞれ1mmとなるように形成される。このように構成することによって、電極の強度(剛性)を維持することが可能となり、均一にプラズマを生成することが可能となる。これ以上の深さや幅を凹凸に設けた場合、電極の強度を維持することができなくなるだけでなく、凹凸によって生じたプラズマ濃度の差によって、基板上に膜を均一に形成することができなくなってしまう。上述の条件とすることで、例えば、図8のようなパターンであれば、凹凸に沿った縞模様状の膜が形成されてしまうことを抑止することができる。
ここで、図8(a)および図8(b)では、第1電極101と第2電極102を代表して1つのみ記載しているが、これに限らず、第1電極101と第2電極102で凹凸を設ける方向や凹凸の形状、間隔をそれぞれ異なるように構成しても良い。
なお、図9(a)および図9(b)に示すように、この凹凸は格子状に構成されても良い。このように格子状に構成した場合、一方向にのみ凹凸を設けた場合に比べて電極の表面積をさらに増やすことが可能となり、電極間の間隔調整をより詳細に行うことが可能となる。
また、図9(a)および図9(b)において電極に設けられる凹凸は矩形となるように形成されているが、矩形に限らず、円形状に形成されても良い。円形状に形成することによって、矩形における角部が無くなり、均一にプラズマを生成することが可能となる。
(i)電極の表面積をさらに増やすことが可能となり、電極間の間隔調整をより詳細に行うことが可能となる。
以下、本発明の好ましい態様について付記する。
本発明の一態様によれば、
複数の基板を処理する処理室と、
前記処理室内で前記複数の基板を垂直方向に配列して保持する基板保持具と、
前記処理室内に前記基板を処理する処理ガスを供給するガス供給部と、
前記複数の基板のそれぞれの上方に前記複数の基板のそれぞれに対応するように設けられたプラズマ生成部と、を有し、
前記プラズマ生成部は、
第1の位相の高周波電力が印加される第1の電極と、
前記第1の電極と対になるように設けられ、前記第1の位相とは異なる第2の位相の高周波電力が印加される第2の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間の前記基板の存在しない空間にプラズマを生成するプラズマ生成空間と、
を有する基板処理装置が提供される。
前記複数の基板のうち少なくとも1つは、同位相の高周波電力が印加されている電極間に配置される付記1に記載の基板処理装置が提供される。すなわち、前記複数の基板のうち少なくとも1枚は、第1の位相の高周波電力が印加されている電極(第1の電極)間に配置されるか、第2の位相の高周波電力が印加されている電極(第2の電極)間に配置される。
前記複数の基板のうち少なくとも1つは、前記第1の電極間または前記第2の電極間の少なくともいずれか一方に配置される付記1または2に記載の基板処理装置が提供される。すなわち、前記複数の基板のうち少なくとも1枚は、前記第1の電極と前記第1の電極との間に配置されるか、もしくは、前記第2の電極と前記第2の電極との間に配置される。
前記複数の基板のうち少なくとも1つは、前記第1の電極間または前記第2の電極間のいずれか一方に(のみ)配置される付記1または2に記載の基板処理装置が提供される。すなわち、前記複数の基板のうち少なくとも1枚は、前記第1の電極と前記第1の電極との間(のみ)か、もしくは、前記第2の電極と前記第2の電極との間(のみ)に配置される。
前記第1の電極および前記第2の電極は、それぞれ前記基板の径よりも大きい径を有する円盤形状である付記1から4のいずれか1つに記載の基板処理装置が提供される。
前記第1の電極または前記第2の電極のうち、前記基板の直上に設けられる電極には、孔が複数設けられる付記1から5のいずれか1つに記載の基板処理装置が提供される。
前記第1の電極または前記第2の電極には貫通孔が複数設けられる付記1から5のいずれか1つに記載の基板処理装置が提供される。
前記孔の孔径は、基板を挟み込むように配置された前記第1の電極間、または、前記第2の電極間の距離以上である付記6または7に記載の基板処理装置が提供される。
前記孔の孔径は、1mm以上10mm以下である付記6から8のいずれか1つに記載の基板処理装置が提供される。
前記第1の電極または前記第2の電極のうち、前記基板の直上に設けられる電極の表面には、基板を挟み込むように配置される前記第1の電極間、または、前記第2の電極間の距離以上の幅を有する溝が形成される付記1から9のいずれか1つに記載の基板処理装置が提供される。
前記第1の電極および前記第2の電極には、基板を挟み込むように配置される前記第1の電極間、または、前記第2の電極間の距離以上の幅を有する溝が形成される付記1から10のいずれか1つに記載の基板処理装置が提供される。
前記基板保持具は、前記基板と前記基板の直上に設置される前記第1の電極または前記第2の電極との距離を変更可能に構成される付記1から11のいずれか1つに記載の基板処理装置が提供される。
前記基板保持具よりも径方向外側に設けられ前記電極を支持する電極支持部と、
前記電極支持部と前記基板保持具を回転させる回転機構と、をさらに有する付記1から12のいずれか1つに記載の基板処理装置が提供される。
前記処理ガスは原料ガスと反応ガスとを含み、
前記複数の基板を収容した前記処理室内へ前記原料ガスと前記反応ガスとを(交互に)供給して前記複数の基板を処理し、その際、少なくとも前記反応ガスを供給する際に、前記プラズマ生成部で前記反応ガスをプラズマ励起して、前記基板に対して供給するように、前記ガス供給系および前記プラズマ生成部を制御するよう構成される制御部をさらに有する付記1から13のいずれか1つに記載の基板処理装置。
本発明の別の態様によれば、
複数の基板を処理する処理室と、
前記処理室内で前記複数の基板を垂直方向に配列して保持する保持具と、
前記処理室内に前記複数の基板を処理する処理ガスを供給するガス供給系と、
前記複数の基板のそれぞれの上方に前記複数の基板のそれぞれに対応するように設けられたプラズマ生成部と、を有し、
前記プラズマ生成部は、
第1の位相の高周波電力が印加される第1の電極と、
前記第1の電極と対になるように設けられ、前記第1の位相とは異なる第2の位相の高周波電力が印加される第2の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間の前記基板が存在しない空間にプラズマを生成するプラズマ生成空間と、
を有する基板処理装置の処理室内に前記複数の基板を収容する工程と、
前記複数の基板を収容した前記処理室内へ前記処理ガスを供給し、前記プラズマ生成部で前記処理ガスをプラズマ励起して、前記基板に対して供給することで、前記基板を処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法、または基板処理方法が提供される。
本発明の更に別の態様によれば、
複数の基板を処理する処理室と、
前記処理室内で前記複数の基板を垂直方向に配列して保持する保持具と、
前記処理室内に前記複数の基板を処理する処理ガスを供給するガス供給系と、
前記複数の基板のそれぞれの上方に前記複数の基板のそれぞれに対応するように設けられたプラズマ生成部と、を有し、
前記プラズマ生成部は、
第1の位相の高周波電力が印加される第1の電極と、
前記第1の電極と対になるように設けられ、前記第1の位相とは異なる第2の位相の高周波電力が印加される第2の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間の前記基板が存在しない空間にプラズマを生成するプラズマ生成空間と、
を有する基板処理装置の処理室内に前記複数の基板を収容する手順と、
前記複数の基板を収容した前記処理室内へ前記処理ガスを供給し、前記プラズマ生成部で前記処理ガスをプラズマ励起して、前記基板に対して供給することで、前記基板を処理する手順と、
をコンピュータに実行させるプログラム、または該プログラムを記録可能な記録媒体が提供される。
本発明の更に別の態様によれば、
複数の基板を垂直方向に配列して保持する基板保持具と、
前記複数の基板のそれぞれの上方に前記複数の基板のそれぞれに対応するように設けられたプラズマ生成部と、を有し、
前記プラズマ生成部は、
第1の位相の高周波電力が印加される第1の電極と、
前記第1の電極と対になるように設けられ、前記第1の位相とは異なる第2の位相の高周波電力が印加される第2の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間の前記基板の存在しない空間にプラズマを生成するプラズマ生成空間と、
を有する基板保持機構が提供される。
5・・・・・ボート
7・・・・・ウエハ
101・・・第1電極
102・・・第2電極
103・・・プラズマ
104・・・孔
Claims (9)
- 複数の基板を処理する処理室と、
前記処理室内で前記複数の基板を垂直方向に配列して保持する基板保持具と
前記処理室内に前記基板を処理する処理ガスを供給するガス供給部と、
前記複数の基板のそれぞれの上方に前記複数の基板のそれぞれに対応するように設けられたプラズマ生成部と、を有し、
前記プラズマ生成部は、
第1の位相の高周波電力が印加される第1の電極と、
前記第1の電極と対になるように設けられ、前記第1の位相とは異なる第2の位相の高周波電力が印加される第2の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間の前記基板の存在しない空間にプラズマを生成するプラズマ生成空間と、
を備え、前記複数の基板のうち少なくとも1つは、同位相の高周波電力が印加されている電極間に配置される基板処理装置。 - 前記第1の電極および前記第2の電極は、それぞれ前記基板の径よりも大きい径を有する円板形状である請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記基板保持具は、前記基板と前記基板の直上に設置される前記第1の電極または前記第2の電極との距離を変更可能に構成される請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記複数の基板は、最下位に位置する基板を除き、前記第1の電極間または前記第2の電極間のいずれか一方に配置される請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記第1の電極または前記第2の電極のうち、前記基板の直上に設けられる電極には、孔が複数設けられる請求項1から4のいずれか1つに記載の基板処理装置。
- 前記第1の電極または前記第2の電極には、所定の間隔で凹凸が複数設けられる請求項1から4のいずれか1つに記載の基板処理装置。
- 複数の基板を処理する処理室と、
前記処理室内で前記複数の基板を垂直方向に配列して保持する基板保持具と
前記処理室内に前記基板を処理する処理ガスを供給するガス供給部と、
前記複数の基板のそれぞれの上方に前記複数の基板のそれぞれに対応するように設けられたプラズマ生成部と、を有し、
前記プラズマ生成部は、
第1の位相の高周波電力が印加される第1の電極と、
前記第1の電極と対になるように設けられ、前記第1の位相とは異なる第2の位相の高周波電力が印加される第2の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間の前記基板の存在しない空間にプラズマを生成するプラズマ生成空間と、
を備え、
前記第1の電極または前記第2の電極には、孔が複数設けられ、
前記孔の孔径は、基板を挟み込むように配置される前記第1の電極間、または、前記第2の電極間の距離以上である基板処理装置。 - 保持具によって垂直方向に配列して保持された複数の基板を、処理室内に収容する工程と、
前記複数の基板を収容した前記処理室内へガス供給系から前記処理ガスを供給する工程と、
対をなす第1の位相の高周波電力が印加される第1の電極と、前記第1の位相とは異なる第2の位相の高周波電力が印加される第2の電極とを有して、前記複数の基板のそれぞれの上方に前記複数の基板のそれぞれに対応するように設けられたプラズマ生成部によって、前記第1の電極と前記第2の電極との間の前記基板が存在しない空間にプラズマを生成し、プラズマ励起された前記処理ガスを記前基板に対して供給することで、前記基板を処理する工程と、を有し、
前記処理する工程では、前記前記複数の基板のうち少なくとも1つは、同位相の高周波電力が印加されている電極間に配置されて処理される半導体装置の製造方法。 - 保持具によって垂直方向に配列して保持された複数の基板を、処理室内に収容する手順と、
前記複数の基板を収容した前記処理室内へガス供給系から前記処理ガスを供給する手順と、
対をなす第1の位相の高周波電力が印加される第1の電極と、前記第1の位相とは異なる第2の位相の高周波電力が印加される第2の電極とを有して、前記複数の基板のそれぞれの上方に前記複数の基板のそれぞれに対応するように設けられたプラズマ生成部によって、前記第1の電極と前記第2の電極との間の前記基板が存在しない空間にプラズマを生成し、プラズマ励起された前記処理ガスを前記基板に対して供給することで、前記基板を処理する手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラムであって、
前記処理する手順では、前記前記複数の基板のうち少なくとも1つは、同位相の高周波電力が印加されている電極間に配置されて処理されるプログラム。
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