JP4847958B2 - シランを製造する装置および方法 - Google Patents
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Description
HxSiCl4−x+HySiCl4−y→Hx+1SiCl4−x−1+Hy−1SiCl4−y+1 (I)
この場合にxは0〜3であってもよく、yは1〜4であってもよい。反応式(I)によるこの反応の例はTCSからのDCSの製造である(反応式Iにおいてx=y=1である)(欧州特許第0474265号)。
表1:クロロシランとモノシランの物理的データ
Claims (19)
- 触媒の存在で、少なくとも1種の塩素化されたシランの不均化により一般式HnSiCl4−n(nは1,2,3および/または4である)のシランを製造する装置であり、前記装置は、
塔底部(1.1)と、塔頭部(1.2)と、少なくとも1つの供給物入口(1.3)と、複数の生成物取り出し口(1.4,1.5,1.8)と、少なくとも1つの煙突トレー(4)とを含む少なくとも1つの蒸留塔(1)と;
上側端部を有する触媒床(3)を含む少なくとも1つの側面反応器(2)であって、少なくとも3個の管(5,6,7)を介して前記蒸留塔(1)に接続される側面反応器(2)と
を含み、
前記側面反応器(2)、前記触媒床(3)、および前記の3個の管(5,6,7)は、前記煙突トレー(4)および前記蒸留塔(1)に関連付けられて配置されており、
前記管(5)は、煙突トレー(4,4.1)からの凝縮物を排出するためのものであり、当該管(5)の前記の蒸留塔(1)に接続されている接点が、前記触媒床(3,3.1または3.2)の上側端部よりも高い位置にあり、
前記管(6)は、側面反応器(2)から液相を排出するためのものであって、前記煙突トレー(4)よりも下方で前記蒸留塔(1)に開口し(6.1)、この開口(6,6.1)が前記触媒床(3,3.1または3.2)の上側端部よりも低い位置にあり、かつ、
前記管(7)は、結合した前記側面反応器(2)からの気相を排出するためのものであって、前記煙突トレー(4)の高さ(4.1)よりも上方で前記蒸留塔(1)に開口する(7.1)ことを特徴とするシランを製造する装置。 - 加熱可能な塔底部(1.6,1.1)を有する請求項1記載の装置。
- 塔頭部(1.2)に低温冷却器(1.7)を有する請求項1または2記載の装置。
- 2個、3個、4個または5個の反応器装置を有し、1つの反応器装置が少なくともサブユニット(2)、(3)、(4)、(5)、(6)および(7)を有する請求項1から3までのいずれか1項記載の装置。
- 反応器装置1個当たり並列に接続された2個または3個の反応器(2,3)を有する請求項4記載の装置。
- 少なくとも1個の塔充填物(8)を有する請求項1から5までのいずれか1項記載の装置。
- 少なくとも1つの生成物取り出し口(1.5)をさらに含む請求項1から6までのいずれか1項記載の装置。
- 触媒が前記触媒床(3)にばらばらにまたは整列した形で存在する請求項1から7までのいずれか1項記載の装置。
- 触媒が、前記触媒床(3)において、構造化されたメッシュ充填物中に若しくはメッシュから形成される充填部品中に存在するか、または前記触媒床(3)が触媒活性材料から形成された充填部品または内装部品を有する請求項8記載の装置。
- 前記触媒床(3)に少なくとも1個の遮蔽管または遮蔽物を有する支持体格子を有する請求項1から9までのいずれか1項記載の装置。
- 前記の側面反応器(2)、触媒床(3)、管(5)、(6)および(7)は、前記触媒床(3)への流れ(5.1)が前記管(5)を介して下から流れるように、前記の煙突トレー(4)および蒸留塔(1)に関連付けられて配置される請求項1から10までのいずれか1項記載の装置。
- 運転装置の充填、運転、排出および洗浄のための配管および調節装置をさらに含む請求項1から11までのいずれか1項記載の装置。
- 請求項1から12までのいずれか1項記載の装置中で、触媒の存在で、−120〜180℃の範囲の温度および0.1〜30バールの絶対圧力で、高級クロロシランの不均化により一般式HnSiCl4−n(nは1,2,3および/または4である)のシランを製造する方法において、液体水素クロロシランが触媒と接触するように、前記装置に少なくとも触媒床の高さまで液体水素クロロシランを充填し、そして、出発物質を塔入口により装置から排出される生成物の量に相当する量で連続的に導入することを特徴とするシランの製造方法。
- 使用される触媒が第三級アミノ基を有するマクロポアーのイオン交換樹脂であるか、またはアルキルアミノトリアルコキシシランで変性または含浸された多孔質支持体である請求項13記載の方法。
- 前記触媒が完全にまたは部分的に液体で湿潤にされている請求項13または14記載の方法。
- 前記出発物質を直接蒸留塔におよび/または少なくとも1個の側面反応器に供給する請求項13から15までのいずれか1項記載の方法。
- 前記出発物質を塔の中央部分に供給する請求項16記載の方法。
- 前記側面反応器の触媒床が−80〜120℃の温度で運転される請求項13から17までのいずれか1項記載の方法。
- (i)前記高級クロロシランとしてトリクロロシランを使用し、生成物として実質的にモノシラン、モノクロロシラン、ジクロロシラン、およびテトラクロロシランまたはこれらの化合物の少なくとも2個の混合物を得るか、または(ii)ジクロロシランを使用し、モノシラン、モノクロロシラン、トリクロロシラン、および四塩化珪素、またはこれらの化合物の少なくとも2個の混合物を得る、請求項13から18までのいずれか1項記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102004045245A DE102004045245B4 (de) | 2004-09-17 | 2004-09-17 | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Silanen |
DE102004045245.8 | 2004-09-17 | ||
PCT/EP2005/053544 WO2006029930A1 (en) | 2004-09-17 | 2005-07-21 | Apparatus and process for preparing silanes |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008513325A JP2008513325A (ja) | 2008-05-01 |
JP4847958B2 true JP4847958B2 (ja) | 2011-12-28 |
Family
ID=35063075
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007531731A Expired - Fee Related JP4847958B2 (ja) | 2004-09-17 | 2005-07-21 | シランを製造する装置および方法 |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8038961B2 (ja) |
EP (1) | EP1791613A1 (ja) |
JP (1) | JP4847958B2 (ja) |
KR (1) | KR101325796B1 (ja) |
CN (1) | CN1774397B (ja) |
BR (1) | BRPI0515468A (ja) |
DE (1) | DE102004045245B4 (ja) |
NO (1) | NO20071960L (ja) |
RU (1) | RU2403079C2 (ja) |
UA (1) | UA91346C2 (ja) |
WO (1) | WO2006029930A1 (ja) |
Families Citing this family (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102005005383A1 (de) * | 2005-02-05 | 2006-08-10 | Degussa Ag | Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung kohlenstoffhaltiger Mono-, Oligo- und/oder Polyborosilazane |
DE102005041137A1 (de) * | 2005-08-30 | 2007-03-01 | Degussa Ag | Reaktor, Anlage und großtechnisches Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von hochreinem Siliciumtetrachlorid oder hochreinem Germaniumtetrachlorid |
DE102006003464A1 (de) * | 2006-01-25 | 2007-07-26 | Degussa Gmbh | Verfahren zur Erzeugung einer Siliciumschicht auf einer Substratoberfläche durch Gasphasenabscheidung |
DE102007007874A1 (de) | 2007-02-14 | 2008-08-21 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung höherer Silane |
DE102007014107A1 (de) * | 2007-03-21 | 2008-09-25 | Evonik Degussa Gmbh | Aufarbeitung borhaltiger Chlorsilanströme |
CN103272637A (zh) * | 2007-04-10 | 2013-09-04 | 赢创德固赛有限责任公司 | 用于制备通式R(4-m-n)AClmHn,特别是硅烷的化合物或高纯化合物的方法和装置 |
DE102007028254A1 (de) | 2007-06-20 | 2008-12-24 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Herstellung von SiH-haltigen Silanen |
DE102007048937A1 (de) * | 2007-10-12 | 2009-04-16 | Evonik Degussa Gmbh | Entfernung von polaren organischen Verbindungen und Fremdmetallen aus Organosilanen |
DE102007050199A1 (de) * | 2007-10-20 | 2009-04-23 | Evonik Degussa Gmbh | Entfernung von Fremdmetallen aus anorganischen Silanen |
DE102007059170A1 (de) * | 2007-12-06 | 2009-06-10 | Evonik Degussa Gmbh | Katalysator und Verfahren zur Dismutierung von Wasserstoff enthaltenden Halogensilanen |
DE102008004397A1 (de) * | 2008-01-14 | 2009-07-16 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Verminderung des Gehaltes von Elementen, wie Bor, in Halogensilanen sowie Anlage zur Durchführung des Verfahrens |
DE102008002537A1 (de) * | 2008-06-19 | 2009-12-24 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Entfernung von Bor enthaltenden Verunreinigungen aus Halogensilanen sowie Anlage zur Durchführung des Verfahrens |
US20120213687A1 (en) * | 2008-08-05 | 2012-08-23 | Mitsubishi Materials Corporation | Method for manufacturing trichlorosilane |
JP5316290B2 (ja) | 2008-08-05 | 2013-10-16 | 三菱マテリアル株式会社 | トリクロロシラン製造装置及び製造方法 |
CN102203104B (zh) * | 2008-10-31 | 2014-12-31 | 昭和电工株式会社 | 甲硅烷和四烷氧基硅烷的制造方法 |
DE102008054537A1 (de) * | 2008-12-11 | 2010-06-17 | Evonik Degussa Gmbh | Entfernung von Fremdmetallen aus Siliciumverbindungen durch Adsorption und/oder Filtration |
MY156599A (en) * | 2008-12-25 | 2016-03-15 | Tokuyama Corp | Method of producing chlorosilane |
CN102092720B (zh) * | 2009-02-13 | 2013-03-27 | 李明成 | 高纯硅烷气体连续制备装置 |
RU2414421C2 (ru) | 2009-05-07 | 2011-03-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химии и технологии элементоорганических соединений" (ФГУП ГНИИХТЭОС) | Способ непрерывного получения моносилана |
WO2010128743A1 (ko) * | 2009-05-07 | 2010-11-11 | 주식회사 케이씨씨 | 실란 제조용 수직형 반응기 및 이를 이용한 실란의 연속적 회수방법 |
DE102009003163A1 (de) * | 2009-05-15 | 2010-11-25 | Wacker Chemie Ag | Silandestillation mit reduziertem Energieeinsatz |
DE102009027728A1 (de) * | 2009-07-15 | 2011-01-20 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Behandlung von Katalysator-Präkursoren |
DE102009027730A1 (de) | 2009-07-15 | 2011-01-27 | Evonik Degussa Gmbh | Verahren und Verwendung von aminofunktionellen Harzen zur Dismutierung von Halogensilanen und zur Entfernung von Fremdmetallen |
CN101987296B (zh) * | 2009-07-30 | 2013-12-04 | 比亚迪股份有限公司 | 歧化SiH2Cl2制备SiH4的方法 |
DE102009037155B3 (de) * | 2009-08-04 | 2010-11-04 | Schmid Silicon Technology Gmbh | Verfahren und Anlage zur Herstellung von Trichlorsilan |
DE102009053804B3 (de) | 2009-11-18 | 2011-03-17 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Hydridosilanen |
DE102010002342A1 (de) | 2010-02-25 | 2011-08-25 | Evonik Degussa GmbH, 45128 | Verwendung der spezifischen Widerstandsmessung zur indirekten Bestimmung der Reinheit von Silanen und Germanen und ein entsprechendes Verfahren |
JP5337749B2 (ja) * | 2010-03-10 | 2013-11-06 | 信越化学工業株式会社 | トリクロロシランの製造方法 |
CN102344145B (zh) * | 2010-07-29 | 2013-05-08 | 比亚迪股份有限公司 | 一种三氯氢硅制备硅烷的方法 |
CN101920178B (zh) * | 2010-08-30 | 2012-04-25 | 哈尔滨工业大学 | 制备甲硅烷气体的管式反应器系统及使用其制备甲硅烷的方法 |
DE102010043648A1 (de) | 2010-11-09 | 2012-05-10 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur selektiven Spaltung höherer Silane |
CN102001667B (zh) * | 2010-11-13 | 2012-11-28 | 宁夏阳光硅业有限公司 | 三氯硅烷合成装置及方法 |
CN103260716B (zh) * | 2010-12-20 | 2015-10-14 | Memc电子材料有限公司 | 在涉及歧化操作的基本闭环方法中制备多晶硅 |
CN102009979B (zh) * | 2010-12-23 | 2011-10-26 | 江西嘉柏新材料有限公司 | 一种利用循环热对三氯氢硅进行精馏提纯的方法 |
DE102011004058A1 (de) | 2011-02-14 | 2012-08-16 | Evonik Degussa Gmbh | Monochlorsilan, Verfahren und Vorrichtung zu dessen Herstellung |
CN102219222B (zh) * | 2011-04-22 | 2012-12-26 | 武汉新硅科技有限公司 | 光纤用高纯四氯化硅连续精馏方法 |
DE102011078749A1 (de) * | 2011-07-06 | 2013-01-10 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Trisilylamin aus Monochlorsilan und Ammoniak |
US20130156675A1 (en) * | 2011-12-16 | 2013-06-20 | Rec Silicon Inc | Process for production of silane and hydrohalosilanes |
US9718694B2 (en) | 2013-05-04 | 2017-08-01 | Sitec Gmbh | System and process for silane production |
US9352971B2 (en) * | 2013-06-14 | 2016-05-31 | Rec Silicon Inc | Method and apparatus for production of silane and hydrohalosilanes |
CN103408024B (zh) * | 2013-07-29 | 2015-08-05 | 中国恩菲工程技术有限公司 | 用于制备硅烷的方法 |
CN103408020B (zh) * | 2013-07-29 | 2015-08-05 | 中国恩菲工程技术有限公司 | 用于制备硅烷的设备 |
DE112015000485T5 (de) | 2014-01-24 | 2017-02-23 | Hanwha Chemical Corporation | Reinigungsverfahren und Reinigungsvorrichtung für Abgas |
WO2016061278A1 (en) * | 2014-10-14 | 2016-04-21 | Sitec Gmbh | Distillation process |
DE102015203618A1 (de) | 2015-02-27 | 2016-09-01 | Schmid Silicon Technology Gmbh | Kolonne und Verfahren zur Disproportionierung von Chlorsilanen zu Monosilan und Tetrachlorsilan sowie Anlage zur Gewinnung von Monosilan |
CN105000564B (zh) * | 2015-07-17 | 2020-05-26 | 江苏中能硅业科技发展有限公司 | 用于制备硅烷的二氯二氢硅的生产方法 |
KR101709754B1 (ko) * | 2016-05-16 | 2017-02-23 | 베니트엠 주식회사 | 기체분배장치 및 기체 분배비율을 조절하는 방법 |
CN106955578B (zh) * | 2017-05-24 | 2023-04-11 | 襄阳泽东化工集团股份有限公司 | 一种氨法烟气脱硫循环液优化平衡装置 |
Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50119798A (ja) * | 1974-02-25 | 1975-09-19 | ||
JPS5218678B1 (ja) * | 1970-12-17 | 1977-05-23 | ||
JPS58217422A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-12-17 | ユニオン・カ−バイド・コ−ポレ−シヨン | 高純度シランの製造方法 |
JPS5954617A (ja) * | 1982-05-03 | 1984-03-29 | ロ−ヌ−プ−ラン・スペシアリテ・シミ−ク | トリクロルシランからシランを製造する方法 |
JPS60145907A (ja) * | 1984-01-11 | 1985-08-01 | Denki Kagaku Kogyo Kk | シラン化合物の連続的製造方法 |
JPS60215513A (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-28 | Denki Kagaku Kogyo Kk | シラン化合物の連続的製造方法 |
JPS6153107A (ja) * | 1984-08-22 | 1986-03-17 | Denki Kagaku Kogyo Kk | シラン化合物の連続的製造方法 |
JPS61138540A (ja) * | 1984-12-11 | 1986-06-26 | Denki Kagaku Kogyo Kk | クロルシランの不均化触媒及びシラン化合物の連続的製法 |
JPS61151017A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-09 | Denki Kagaku Kogyo Kk | シラン化合物の連続的製造法 |
JPS61191513A (ja) * | 1985-02-19 | 1986-08-26 | Denki Kagaku Kogyo Kk | シラン化合物の連続的製造方法 |
JPH01257118A (ja) * | 1987-04-04 | 1989-10-13 | Huels Troisdorf Ag | ジクロルシランを製造する方法および装置 |
JPH026318A (ja) * | 1988-02-19 | 1990-01-10 | Wacker Chemitronic Ges Elektron Grundstoffe Mbh | ケイ素の気相析出で生じた液状またはガス状物質からn型ドーピング不純物を除去する方法 |
US6103942A (en) * | 1999-04-08 | 2000-08-15 | Midwest Research Institute | Method of high purity silane preparation |
JP2002533293A (ja) * | 1998-12-24 | 2002-10-08 | ソーラーワールド・アクチエンゲゼルシヤフト | シランを製造する方法と設備 |
JP2003530290A (ja) * | 2000-04-07 | 2003-10-14 | ソーラーワールド・アクチエンゲゼルシヤフト | シラン製造方法および装置 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2220009A (en) * | 1938-05-28 | 1940-10-29 | Phillips Petroleum Co | Fractionator distillate outlet |
US4307254A (en) * | 1979-02-21 | 1981-12-22 | Chemical Research & Licensing Company | Catalytic distillation process |
DE3925357C1 (ja) * | 1989-07-31 | 1991-04-25 | Degussa Ag, 6000 Frankfurt, De | |
FI92318C (fi) * | 1992-03-18 | 1994-10-25 | Neste Oy | Menetelmä ja laitteisto tertiaaristen eetterien valmistamiseksi |
DE19654516C1 (de) | 1996-12-27 | 1998-10-01 | Degussa | Verfahren zur Auftrennung des Produktgasgemisches der katalytischen Synthese von Methylmercaptan |
DE10034493C1 (de) | 2000-07-15 | 2001-11-29 | Degussa | Verfahren zur Herstellung von Organosilylalkylpolysulfanen |
DE10057521B4 (de) | 2000-11-21 | 2009-04-16 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Silanen |
DE10061680A1 (de) * | 2000-12-11 | 2002-06-20 | Solarworld Ag | Verfahren zur Herstellung von Silan |
DE10243022A1 (de) | 2002-09-17 | 2004-03-25 | Degussa Ag | Abscheidung eines Feststoffs durch thermische Zersetzung einer gasförmigen Substanz in einem Becherreaktor |
DE10331952A1 (de) | 2003-07-15 | 2005-02-10 | Degussa Ag | Vorrichtung und Verfahren zur diskontinuierlichen Polykondensation |
DE102004008042A1 (de) | 2004-02-19 | 2005-09-01 | Goldschmidt Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Aminosäureestern und deren Säure-Additions-Salzen |
DE102004038718A1 (de) * | 2004-08-10 | 2006-02-23 | Joint Solar Silicon Gmbh & Co. Kg | Reaktor sowie Verfahren zur Herstellung von Silizium |
CN101128393A (zh) * | 2005-03-05 | 2008-02-20 | 联合太阳能硅有限及两合公司 | 反应器和制备硅的方法 |
DE102006003464A1 (de) * | 2006-01-25 | 2007-07-26 | Degussa Gmbh | Verfahren zur Erzeugung einer Siliciumschicht auf einer Substratoberfläche durch Gasphasenabscheidung |
DE102007052325A1 (de) * | 2007-03-29 | 2009-05-07 | Erk Eckrohrkessel Gmbh | Verfahren zum gleitenden Temperieren chemischer Substanzen mit definierten Ein- und Ausgangstemperaturen in einem Erhitzer und Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
DE102007050199A1 (de) * | 2007-10-20 | 2009-04-23 | Evonik Degussa Gmbh | Entfernung von Fremdmetallen aus anorganischen Silanen |
-
2004
- 2004-09-17 DE DE102004045245A patent/DE102004045245B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-07-21 BR BRPI0515468-5A patent/BRPI0515468A/pt not_active IP Right Cessation
- 2005-07-21 WO PCT/EP2005/053544 patent/WO2006029930A1/en active Application Filing
- 2005-07-21 RU RU2007114043/05A patent/RU2403079C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2005-07-21 EP EP05763051A patent/EP1791613A1/en not_active Withdrawn
- 2005-07-21 CN CN2005800002985A patent/CN1774397B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-07-21 JP JP2007531731A patent/JP4847958B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-07-21 UA UAA200704230A patent/UA91346C2/ru unknown
- 2005-07-21 US US11/575,226 patent/US8038961B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-07-21 KR KR1020077006137A patent/KR101325796B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-04-17 NO NO20071960A patent/NO20071960L/no not_active Application Discontinuation
Patent Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5218678B1 (ja) * | 1970-12-17 | 1977-05-23 | ||
JPS50119798A (ja) * | 1974-02-25 | 1975-09-19 | ||
JPS6379718A (ja) * | 1982-03-31 | 1988-04-09 | ユニオン・カ−バイド・コ−ポレ−シヨン | 高純度シリコンの製造方法 |
JPS58217422A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-12-17 | ユニオン・カ−バイド・コ−ポレ−シヨン | 高純度シランの製造方法 |
JPS5954617A (ja) * | 1982-05-03 | 1984-03-29 | ロ−ヌ−プ−ラン・スペシアリテ・シミ−ク | トリクロルシランからシランを製造する方法 |
JPS60145907A (ja) * | 1984-01-11 | 1985-08-01 | Denki Kagaku Kogyo Kk | シラン化合物の連続的製造方法 |
JPS60215513A (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-28 | Denki Kagaku Kogyo Kk | シラン化合物の連続的製造方法 |
JPS6153107A (ja) * | 1984-08-22 | 1986-03-17 | Denki Kagaku Kogyo Kk | シラン化合物の連続的製造方法 |
JPS61138540A (ja) * | 1984-12-11 | 1986-06-26 | Denki Kagaku Kogyo Kk | クロルシランの不均化触媒及びシラン化合物の連続的製法 |
JPS61151017A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-09 | Denki Kagaku Kogyo Kk | シラン化合物の連続的製造法 |
JPS61191513A (ja) * | 1985-02-19 | 1986-08-26 | Denki Kagaku Kogyo Kk | シラン化合物の連続的製造方法 |
JPH01257118A (ja) * | 1987-04-04 | 1989-10-13 | Huels Troisdorf Ag | ジクロルシランを製造する方法および装置 |
JPH026318A (ja) * | 1988-02-19 | 1990-01-10 | Wacker Chemitronic Ges Elektron Grundstoffe Mbh | ケイ素の気相析出で生じた液状またはガス状物質からn型ドーピング不純物を除去する方法 |
JP2002533293A (ja) * | 1998-12-24 | 2002-10-08 | ソーラーワールド・アクチエンゲゼルシヤフト | シランを製造する方法と設備 |
US6103942A (en) * | 1999-04-08 | 2000-08-15 | Midwest Research Institute | Method of high purity silane preparation |
JP2003530290A (ja) * | 2000-04-07 | 2003-10-14 | ソーラーワールド・アクチエンゲゼルシヤフト | シラン製造方法および装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
UA91346C2 (ru) | 2010-07-26 |
NO20071960L (no) | 2007-04-17 |
DE102004045245A1 (de) | 2006-04-06 |
DE102004045245B4 (de) | 2007-11-15 |
KR101325796B1 (ko) | 2013-11-05 |
US20080095691A1 (en) | 2008-04-24 |
BRPI0515468A (pt) | 2008-07-22 |
RU2007114043A (ru) | 2008-10-27 |
US8038961B2 (en) | 2011-10-18 |
KR20070053269A (ko) | 2007-05-23 |
EP1791613A1 (en) | 2007-06-06 |
CN1774397B (zh) | 2012-07-04 |
CN1774397A (zh) | 2006-05-17 |
RU2403079C2 (ru) | 2010-11-10 |
JP2008513325A (ja) | 2008-05-01 |
WO2006029930A1 (en) | 2006-03-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080219 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101227 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110302 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110506 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110513 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110902 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110930 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111014 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141021 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |