RU2007114043A - Устройство и способ получения силанов - Google Patents

Устройство и способ получения силанов Download PDF

Info

Publication number
RU2007114043A
RU2007114043A RU2007114043/15A RU2007114043A RU2007114043A RU 2007114043 A RU2007114043 A RU 2007114043A RU 2007114043/15 A RU2007114043/15 A RU 2007114043/15A RU 2007114043 A RU2007114043 A RU 2007114043A RU 2007114043 A RU2007114043 A RU 2007114043A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
catalyst
column
distillation column
nozzle
catalyst layer
Prior art date
Application number
RU2007114043/15A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2403079C2 (ru
Inventor
Раймунд ЗОННЕНШАЙН (DE)
Раймунд Зонненшайн
Петер АДЛЕР (DE)
Петер Адлер
Тим ПЕПКЕН (DE)
Тим ПЕПКЕН
Джон КАСНИТЦ (DE)
Джон Каснитц
Original Assignee
Дегусса ГмбХ (DE)
Дегусса Гмбх
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Дегусса ГмбХ (DE), Дегусса Гмбх filed Critical Дегусса ГмбХ (DE)
Publication of RU2007114043A publication Critical patent/RU2007114043A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2403079C2 publication Critical patent/RU2403079C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08—Compounds containing halogen
    • C01B33/107—Halogenated silanes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D3/00—Distillation or related exchange processes in which liquids are contacted with gaseous media, e.g. stripping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D3/00—Distillation or related exchange processes in which liquids are contacted with gaseous media, e.g. stripping
    • B01D3/009—Distillation or related exchange processes in which liquids are contacted with gaseous media, e.g. stripping in combination with chemical reactions
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J8/00—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
    • B01J8/02—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with stationary particles, e.g. in fixed beds
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J8/00—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
    • B01J8/02—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with stationary particles, e.g. in fixed beds
    • B01J8/0242—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with stationary particles, e.g. in fixed beds the fluid flow within the bed being predominantly vertical
    • B01J8/025—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with stationary particles, e.g. in fixed beds the fluid flow within the bed being predominantly vertical in a cylindrical shaped bed
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/04—Hydrides of silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08—Compounds containing halogen
    • C01B33/107—Halogenated silanes
    • C01B33/1071—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08—Compounds containing halogen
    • C01B33/107—Halogenated silanes
    • C01B33/10773—Halogenated silanes obtained by disproportionation and molecular rearrangement of halogenated silanes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/10—Process efficiency
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S203/00—Distillation: processes, separatory
    • Y10S203/06—Reactor-distillation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Vaporization, Distillation, Condensation, Sublimation, And Cold Traps (AREA)
  • Devices And Processes Conducted In The Presence Of Fluids And Solid Particles (AREA)

Abstract

1. Устройство для получения силанов общей формулы HSiCl, где n=1, 2, 3 и/или 4 посредством дисмутации по меньшей мере одного относительно высоко хлорированного силана в присутствии катализатора, которое основано на по меньшей мере одной дистилляционной колонне (1), имеющей нижнюю часть (1.1) колонны и верхнюю часть (1.2) колонны по меньшей мере, один боковой реактор (2) со слоем (3) катализатора, по меньшей мере, одно входное отверстие (1.3) для подачи, отверстие (1.4) для отвода продукта и, по меньшей мере, одно дополнительное отверстие (1.5 или 1.8) для отвода продукта, при этом дистилляционная колонна (1) снабжена, по меньшей мере, одной тарелкой (4) с патрубком, и, по меньшей мере, один боковой реактор (2) соединен с дистилляционной колонной (1) через, по меньшей мере, три трубы (5, 6, 7) таким способом, что точка присоединения линии (5) к дистилляционной колонне (1) для выгрузки конденсата из тарелки (4, 4.1) с патрубком находится на более высоком уровне, чем верхний край слоя (3, 3.1 или 3.2) катализатора, линия (6) для выгрузки жидкой фазы из бокового реактора (2) открывается (6.1) в дистилляционную колонну (1) ниже тарелки (4) с патрубком, и это отверстие (6, 6.1) находится на более низком уровне, чем верхний край слоя (3, 3.1 или 3.2) катализатора, а линия (7) для выгрузки газовой фазы из соединенного бокового реактора (2) открывается (7.1) в дистилляционную колонну (1) выше уровня (4.1) тарелки (4) с патрубком.2. Устройство по п.1, имеющее нагреваемую нижнюю часть (1.6, 1.1) колонны.3. Устройство по п.1, имеющее низкотемпературное охлаждение (1.7) в верхней части (1.2) колонны.4. Устройство по п.1, имеющее два, три, четыре или пять реакторных узлов, содержащих, по меньшей мере, под-узлы (2), (3), (4), (5), (6)

Claims (19)

1. Устройство для получения силанов общей формулы HnSiCl4-n, где n=1, 2, 3 и/или 4 посредством дисмутации по меньшей мере одного относительно высоко хлорированного силана в присутствии катализатора, которое основано на по меньшей мере одной дистилляционной колонне (1), имеющей нижнюю часть (1.1) колонны и верхнюю часть (1.2) колонны по меньшей мере, один боковой реактор (2) со слоем (3) катализатора, по меньшей мере, одно входное отверстие (1.3) для подачи, отверстие (1.4) для отвода продукта и, по меньшей мере, одно дополнительное отверстие (1.5 или 1.8) для отвода продукта, при этом дистилляционная колонна (1) снабжена, по меньшей мере, одной тарелкой (4) с патрубком, и, по меньшей мере, один боковой реактор (2) соединен с дистилляционной колонной (1) через, по меньшей мере, три трубы (5, 6, 7) таким способом, что точка присоединения линии (5) к дистилляционной колонне (1) для выгрузки конденсата из тарелки (4, 4.1) с патрубком находится на более высоком уровне, чем верхний край слоя (3, 3.1 или 3.2) катализатора, линия (6) для выгрузки жидкой фазы из бокового реактора (2) открывается (6.1) в дистилляционную колонну (1) ниже тарелки (4) с патрубком, и это отверстие (6, 6.1) находится на более низком уровне, чем верхний край слоя (3, 3.1 или 3.2) катализатора, а линия (7) для выгрузки газовой фазы из соединенного бокового реактора (2) открывается (7.1) в дистилляционную колонну (1) выше уровня (4.1) тарелки (4) с патрубком.
2. Устройство по п.1, имеющее нагреваемую нижнюю часть (1.6, 1.1) колонны.
3. Устройство по п.1, имеющее низкотемпературное охлаждение (1.7) в верхней части (1.2) колонны.
4. Устройство по п.1, имеющее два, три, четыре или пять реакторных узлов, содержащих, по меньшей мере, под-узлы (2), (3), (4), (5), (6) и (7).
5. Устройство по п.4, имеющее два или три реактора (2, 3), соединенных параллельно, на реакторный узел.
6. Устройство по п.1, имеющее, по меньшей мере, одну насадку (8) колонны.
7. Устройство по п.1, имеющее, по меньшей мере, одно дополнительное отверстие (1.5) для отвода продукта.
8. Устройство по п.1, где катализатор присутствует в слое (3) катализатора в свободной или упорядоченной форме.
9. Устройство по п.8, где катализатор присутствует в слое (3) катализатора в структурированной сетчатой насадке или в насадочных элементах, выполненных из сетки, или слой (3) катализатора содержит насадочные элементы или заполнения, выполненные из каталитически активного материала.
10. Устройство по п.1, имеющее, по меньшей мере, одну экранирующую трубку или опору, огражденную экраном, в слое (3) катализатора.
11. Устройство по п.1, где боковой реактор (2), слой (3) катализатора, трубы (5), (6) и (7) расположены относительно тарелки (4) с патрубком и колонны (1) таким образом, что поток (5.1) к слою катализатора (3) идет снизу через линию (5).
12. Устройство по любому из пп.1-11, имеющее дополнительные линии и узлы управления для наполнения, работы, разгрузки и промывки работающих узлов.
13. Способ получения силанов общей формулы HnSiCl4-n, где n=1, 2, 3 и/или 4, посредством дисмутации более высоко хлорированных силанов в присутствии катализатора при температуре в интервале от -120 до 180°С и давлении от 0,1 до 30 бар абс. в устройстве по любому из пп.1-12, который предусматривает наполнение устройства по меньшей мере до высоты слоя катализатора жидким гидрохлорсиланом так, что хлорсилан входит в контакт с катализатором, и введение исходного материала непрерывно через входное отверстие колонны в количестве, соответствующем количеству продукта, выгруженного из системы.
14. Способ по п.13, где используемый катализатор представляет собой макропористую ионообменную смолу, имеющую третичные аминогруппы, или пористый носитель, который был модифицирован или импрегнирован алкиламинотриалкоксисиланами.
15. Способ по п.13, где катализатор полностью или частично смочен жидкостью.
16. Способ по п.13, где исходный материал подают непосредственно в колонну и/или в по меньшей мере один из боковых реакторов.
17. Способ по п.16, где исходный материал подают в среднюю секцию колонны.
18. Способ по п.13, где слой катализатора бокового реактора работает при температуре от -80 до 120°С.
19. Способ по любому из пп.13-18, где (i) трихлорсилан используют как более высоко хлорированный силан и получают по существу моносилан, монохлорсилан, дихлорсилан и тетрахлорид кремния или смесь из по меньшей мере двух из этих соединений в качестве продуктов или (ii) используют дихлорсилан и получают моносилан, монохлорсилан, трихлорсилан и тетрахлорид кремния или смесь из по меньшей мере двух из этих соединений.
RU2007114043/05A 2004-09-17 2005-07-21 Устройство и способ получения силанов RU2403079C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102004045245A DE102004045245B4 (de) 2004-09-17 2004-09-17 Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Silanen
DE102004045245.8 2004-09-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2007114043A true RU2007114043A (ru) 2008-10-27
RU2403079C2 RU2403079C2 (ru) 2010-11-10

Family

ID=35063075

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2007114043/05A RU2403079C2 (ru) 2004-09-17 2005-07-21 Устройство и способ получения силанов

Country Status (11)

Country Link
US (1) US8038961B2 (ru)
EP (1) EP1791613A1 (ru)
JP (1) JP4847958B2 (ru)
KR (1) KR101325796B1 (ru)
CN (1) CN1774397B (ru)
BR (1) BRPI0515468A (ru)
DE (1) DE102004045245B4 (ru)
NO (1) NO20071960L (ru)
RU (1) RU2403079C2 (ru)
UA (1) UA91346C2 (ru)
WO (1) WO2006029930A1 (ru)

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005005383A1 (de) * 2005-02-05 2006-08-10 Degussa Ag Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung kohlenstoffhaltiger Mono-, Oligo- und/oder Polyborosilazane
DE102005041137A1 (de) * 2005-08-30 2007-03-01 Degussa Ag Reaktor, Anlage und großtechnisches Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von hochreinem Siliciumtetrachlorid oder hochreinem Germaniumtetrachlorid
DE102006003464A1 (de) * 2006-01-25 2007-07-26 Degussa Gmbh Verfahren zur Erzeugung einer Siliciumschicht auf einer Substratoberfläche durch Gasphasenabscheidung
DE102007007874A1 (de) 2007-02-14 2008-08-21 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung höherer Silane
DE102007014107A1 (de) * 2007-03-21 2008-09-25 Evonik Degussa Gmbh Aufarbeitung borhaltiger Chlorsilanströme
CN103272637A (zh) * 2007-04-10 2013-09-04 赢创德固赛有限责任公司 用于制备通式R(4-m-n)AClmHn，特别是硅烷的化合物或高纯化合物的方法和装置
DE102007028254A1 (de) 2007-06-20 2008-12-24 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Herstellung von SiH-haltigen Silanen
DE102007048937A1 (de) * 2007-10-12 2009-04-16 Evonik Degussa Gmbh Entfernung von polaren organischen Verbindungen und Fremdmetallen aus Organosilanen
DE102007050199A1 (de) * 2007-10-20 2009-04-23 Evonik Degussa Gmbh Entfernung von Fremdmetallen aus anorganischen Silanen
DE102007059170A1 (de) * 2007-12-06 2009-06-10 Evonik Degussa Gmbh Katalysator und Verfahren zur Dismutierung von Wasserstoff enthaltenden Halogensilanen
DE102008004397A1 (de) * 2008-01-14 2009-07-16 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Verminderung des Gehaltes von Elementen, wie Bor, in Halogensilanen sowie Anlage zur Durchführung des Verfahrens
DE102008002537A1 (de) * 2008-06-19 2009-12-24 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Entfernung von Bor enthaltenden Verunreinigungen aus Halogensilanen sowie Anlage zur Durchführung des Verfahrens
US20120213687A1 (en) * 2008-08-05 2012-08-23 Mitsubishi Materials Corporation Method for manufacturing trichlorosilane
JP5316290B2 (ja) 2008-08-05 2013-10-16 三菱マテリアル株式会社 トリクロロシラン製造装置及び製造方法
JP5563471B2 (ja) * 2008-10-31 2014-07-30 昭和電工株式会社 モノシランおよびテトラアルコキシシランの製造方法
DE102008054537A1 (de) * 2008-12-11 2010-06-17 Evonik Degussa Gmbh Entfernung von Fremdmetallen aus Siliciumverbindungen durch Adsorption und/oder Filtration
KR101666473B1 (ko) * 2008-12-25 2016-10-14 가부시끼가이샤 도꾸야마 클로로실란의 제조 방법
CN102092720B (zh) * 2009-02-13 2013-03-27 李明成 高纯硅烷气体连续制备装置
WO2010128743A1 (ko) * 2009-05-07 2010-11-11 주식회사 케이씨씨 실란 제조용 수직형 반응기 및 이를 이용한 실란의 연속적 회수방법
RU2414421C2 (ru) 2009-05-07 2011-03-20 Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химии и технологии элементоорганических соединений" (ФГУП ГНИИХТЭОС) Способ непрерывного получения моносилана
DE102009003163A1 (de) * 2009-05-15 2010-11-25 Wacker Chemie Ag Silandestillation mit reduziertem Energieeinsatz
DE102009027728A1 (de) * 2009-07-15 2011-01-20 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Behandlung von Katalysator-Präkursoren
DE102009027730A1 (de) 2009-07-15 2011-01-27 Evonik Degussa Gmbh Verahren und Verwendung von aminofunktionellen Harzen zur Dismutierung von Halogensilanen und zur Entfernung von Fremdmetallen
CN101987296B (zh) * 2009-07-30 2013-12-04 比亚迪股份有限公司 歧化SiH2Cl2制备SiH4的方法
DE102009037155B3 (de) * 2009-08-04 2010-11-04 Schmid Silicon Technology Gmbh Verfahren und Anlage zur Herstellung von Trichlorsilan
DE102009053804B3 (de) 2009-11-18 2011-03-17 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von Hydridosilanen
DE102010002342A1 (de) 2010-02-25 2011-08-25 Evonik Degussa GmbH, 45128 Verwendung der spezifischen Widerstandsmessung zur indirekten Bestimmung der Reinheit von Silanen und Germanen und ein entsprechendes Verfahren
JP5337749B2 (ja) * 2010-03-10 2013-11-06 信越化学工業株式会社 トリクロロシランの製造方法
CN102344145B (zh) * 2010-07-29 2013-05-08 比亚迪股份有限公司 一种三氯氢硅制备硅烷的方法
CN101920178B (zh) * 2010-08-30 2012-04-25 哈尔滨工业大学 制备甲硅烷气体的管式反应器系统及使用其制备甲硅烷的方法
DE102010043648A1 (de) 2010-11-09 2012-05-10 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur selektiven Spaltung höherer Silane
CN102001667B (zh) * 2010-11-13 2012-11-28 宁夏阳光硅业有限公司 三氯硅烷合成装置及方法
US8715597B2 (en) * 2010-12-20 2014-05-06 Memc Electronic Materials, Inc. Production of polycrystalline silicon in substantially closed-loop systems that involve disproportionation operations
CN102009979B (zh) * 2010-12-23 2011-10-26 江西嘉柏新材料有限公司 一种利用循环热对三氯氢硅进行精馏提纯的方法
DE102011004058A1 (de) * 2011-02-14 2012-08-16 Evonik Degussa Gmbh Monochlorsilan, Verfahren und Vorrichtung zu dessen Herstellung
CN102219222B (zh) * 2011-04-22 2012-12-26 武汉新硅科技有限公司 光纤用高纯四氯化硅连续精馏方法
DE102011078749A1 (de) * 2011-07-06 2013-01-10 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von Trisilylamin aus Monochlorsilan und Ammoniak
US20130156675A1 (en) * 2011-12-16 2013-06-20 Rec Silicon Inc Process for production of silane and hydrohalosilanes
EP2991930A4 (en) * 2013-05-04 2016-12-21 Sitec Gmbh SYSTEM AND METHOD FOR PRODUCING SILANE
US9352971B2 (en) * 2013-06-14 2016-05-31 Rec Silicon Inc Method and apparatus for production of silane and hydrohalosilanes
CN103408024B (zh) * 2013-07-29 2015-08-05 中国恩菲工程技术有限公司 用于制备硅烷的方法
CN103408020B (zh) * 2013-07-29 2015-08-05 中国恩菲工程技术有限公司 用于制备硅烷的设备
MY195545A (en) 2014-01-24 2023-01-31 Hanwha Chemical Corp Purification Method And Purification Apparatus For Off-Gas
WO2016061278A1 (en) * 2014-10-14 2016-04-21 Sitec Gmbh Distillation process
DE102015203618A1 (de) * 2015-02-27 2016-09-01 Schmid Silicon Technology Gmbh Kolonne und Verfahren zur Disproportionierung von Chlorsilanen zu Monosilan und Tetrachlorsilan sowie Anlage zur Gewinnung von Monosilan
CN105000564B (zh) * 2015-07-17 2020-05-26 江苏中能硅业科技发展有限公司 用于制备硅烷的二氯二氢硅的生产方法
KR101709754B1 (ko) * 2016-05-16 2017-02-23 베니트엠 주식회사 기체분배장치 및 기체 분배비율을 조절하는 방법
CN106955578B (zh) * 2017-05-24 2023-04-11 襄阳泽东化工集团股份有限公司 一种氨法烟气脱硫循环液优化平衡装置

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2220009A (en) * 1938-05-28 1940-10-29 Phillips Petroleum Co Fractionator distillate outlet
CA988275A (en) * 1970-12-17 1976-05-04 Carl J. Litteral Disproportionation of chlorosilicon hydrides
US3968199A (en) * 1974-02-25 1976-07-06 Union Carbide Corporation Process for making silane
US4676967A (en) 1978-08-23 1987-06-30 Union Carbide Corporation High purity silane and silicon production
US4307254A (en) * 1979-02-21 1981-12-22 Chemical Research & Licensing Company Catalytic distillation process
FR2526003A1 (fr) 1982-05-03 1983-11-04 Rhone Poulenc Spec Chim Procede de fabrication de silane a partir de trichlorosilane
JPS60145907A (ja) * 1984-01-11 1985-08-01 Denki Kagaku Kogyo Kk シラン化合物の連続的製造方法
JPS60215513A (ja) * 1984-04-06 1985-10-28 Denki Kagaku Kogyo Kk シラン化合物の連続的製造方法
JPS6153107A (ja) * 1984-08-22 1986-03-17 Denki Kagaku Kogyo Kk シラン化合物の連続的製造方法
JPS61138540A (ja) * 1984-12-11 1986-06-26 Denki Kagaku Kogyo Kk クロルシランの不均化触媒及びシラン化合物の連続的製法
JPS61151017A (ja) * 1984-12-25 1986-07-09 Denki Kagaku Kogyo Kk シラン化合物の連続的製造法
JPS61191513A (ja) * 1985-02-19 1986-08-26 Denki Kagaku Kogyo Kk シラン化合物の連続的製造方法
DE3711444A1 (de) 1987-04-04 1988-10-13 Huels Troisdorf Verfahren und vorrichtung zur herstellung von dichlorsilan
DE3805282A1 (de) * 1988-02-19 1989-08-31 Wacker Chemitronic Verfahren zur entfernung von n-dotierenden verunreinigungen aus bei der gasphasenabscheidung von silicium anfallenden fluessigen oder gasfoermigen stoffen
DE3925357C1 (ru) * 1989-07-31 1991-04-25 Degussa Ag, 6000 Frankfurt, De
FI92318C (fi) * 1992-03-18 1994-10-25 Neste Oy Menetelmä ja laitteisto tertiaaristen eetterien valmistamiseksi
DE19654516C1 (de) 1996-12-27 1998-10-01 Degussa Verfahren zur Auftrennung des Produktgasgemisches der katalytischen Synthese von Methylmercaptan
DE19860146A1 (de) * 1998-12-24 2000-06-29 Bayer Ag Verfahren und Anlage zur Herstellung von Silan
US6103942A (en) * 1999-04-08 2000-08-15 Midwest Research Institute Method of high purity silane preparation
DE10017168A1 (de) * 2000-04-07 2001-10-11 Bayer Ag Verfahren und Anlage zur Herstellung von Silan
DE10034493C1 (de) 2000-07-15 2001-11-29 Degussa Verfahren zur Herstellung von Organosilylalkylpolysulfanen
DE10057521B4 (de) 2000-11-21 2009-04-16 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von Silanen
DE10061680A1 (de) * 2000-12-11 2002-06-20 Solarworld Ag Verfahren zur Herstellung von Silan
DE10243022A1 (de) 2002-09-17 2004-03-25 Degussa Ag Abscheidung eines Feststoffs durch thermische Zersetzung einer gasförmigen Substanz in einem Becherreaktor
DE10331952A1 (de) 2003-07-15 2005-02-10 Degussa Ag Vorrichtung und Verfahren zur diskontinuierlichen Polykondensation
DE102004008042A1 (de) 2004-02-19 2005-09-01 Goldschmidt Gmbh Verfahren zur Herstellung von Aminosäureestern und deren Säure-Additions-Salzen
DE102004038718A1 (de) * 2004-08-10 2006-02-23 Joint Solar Silicon Gmbh & Co. Kg Reaktor sowie Verfahren zur Herstellung von Silizium
US7658900B2 (en) * 2005-03-05 2010-02-09 Joint Solar Silicon Gmbh & Co. Kg Reactor and process for the preparation of silicon
DE102006003464A1 (de) * 2006-01-25 2007-07-26 Degussa Gmbh Verfahren zur Erzeugung einer Siliciumschicht auf einer Substratoberfläche durch Gasphasenabscheidung
DE102007052325A1 (de) * 2007-03-29 2009-05-07 Erk Eckrohrkessel Gmbh Verfahren zum gleitenden Temperieren chemischer Substanzen mit definierten Ein- und Ausgangstemperaturen in einem Erhitzer und Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE102007050199A1 (de) * 2007-10-20 2009-04-23 Evonik Degussa Gmbh Entfernung von Fremdmetallen aus anorganischen Silanen

Also Published As

Publication number Publication date
BRPI0515468A (pt) 2008-07-22
RU2403079C2 (ru) 2010-11-10
KR20070053269A (ko) 2007-05-23
JP4847958B2 (ja) 2011-12-28
DE102004045245B4 (de) 2007-11-15
KR101325796B1 (ko) 2013-11-05
JP2008513325A (ja) 2008-05-01
US20080095691A1 (en) 2008-04-24
EP1791613A1 (en) 2007-06-06
WO2006029930A1 (en) 2006-03-23
DE102004045245A1 (de) 2006-04-06
CN1774397A (zh) 2006-05-17
NO20071960L (no) 2007-04-17
CN1774397B (zh) 2012-07-04
UA91346C2 (ru) 2010-07-26
US8038961B2 (en) 2011-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2007114043A (ru) Устройство и способ получения силанов
CA2624534C (en) Process for producing monosilane
JP2553140B2 (ja) ジクロルシランを製造する方法および装置
EP2070871B1 (en) Process for production of multicrystal silicon and facility for production of multicrystal silicon
AU2009311573A1 (en) Silicon production with a fluidized bed reactor utilizing tetrachlorosilane to reduce wall deposition
RU2499801C2 (ru) Способ получения трихлорсилана и тетрахлорсилана
CN102791630A (zh) 三氯硅烷的制造方法
WO2014125762A1 (ja) トリクロロシランの製造方法
CA2767176C (en) Method and system for producing monosilane
JP4659797B2 (ja) 多結晶シリコンの製造方法
US8404205B2 (en) Apparatus and method for producing polycrystalline silicon having a reduced amount of boron compounds by forming phosphorus-boron compounds
JPS641406B2 (ru)
CN112028926A (zh) 脱除有机硅单体共沸物中的四氯化硅的分离装置及分离方法
JP5573852B2 (ja) 不活性ガスを用いたベンディングシステムによるホウ素化合物量を低減した多結晶シリコンの製造装置および製造方法
KR102532454B1 (ko) 클로로실란을 모노실란과 테트라클로로실란으로 불균화하기 위한 칼럼과 공정 및 모노실란을 생산하기 위한 플랜트
CN1300151C (zh) 一种合成二甲基氢氯硅烷的方法
CN219291372U (zh) 一种电子级四甲基硅烷的制备装置
US8871168B2 (en) Process for producing monosilane from dichlorosilane
ES2350559B1 (es) Procedimiento de aprovechamiento de residuos ligeros en una planta de producción de silicio de alta pureza.

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20150722