JP4724353B2 - 半導体基板のための高圧処理チャンバー - Google Patents
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Description
関連出願
本出願は、2000年7月26日出願のUS仮出願60/220,883号、及び2001年4月10日出願のUS仮出願60/283,132号の優先権主張を伴うものであり、またこれら2つの仮出願は、この参照により開示に含まれるものである。
【0002】
発明の分野
本発明は、高圧処理の分野に関する。特に本発明は、半導体基板の高圧処理の分野に関する。
【0003】
発明の背景
半導体基板の処理においては、他の被加工物の処理とは無関係の独特の問題がある。典型的には、半導体処理はシリコンウエハーから行われる。半導体処理は、シリコンウエハーをドープで処理してトランジスター半導体を製造することから始められる。次に半導体処理は、エッチングのライン及びバイアが点在する金属及び誘電体の層を連続的に形成して、トランジスター接点及び相互配線構造を製造する。最終的には、半導体処理において、トランジスター半導体、トランジスター接点及び相互配線は集積回路を形成する。
【0004】
半導体基板の処理における重要な必須条件は、清浄性である。多くの半導体処理は、本質的には清浄な環境である真空下で行われる。他の半導体処理は、大気圧下での湿式処理にて行われる。湿式処理におけるリンス処理は本質的に清浄な処理だからである。例えば、ライン及びバイアのエッチングの後のフォトレジスト及びフォトレジスト残渣の除去にはプラズマ灰化及び真空処理が行われ、続いて剥離槽での剥離及び湿式処理が行われる。
【0005】
半導体基板の処理における他の重要な必須条件には、処理能力及び信頼性が含まれる。半導体基板の製造工程は、半導体の製造設備にて行われる。半導体の製造設備は、処理装置、製造設備自体及びそれを運転する従業員のために、多大な設備投資を必要とする。それらの費用を埋め合わせてその製造設備により十分な収入を得るためには、処理装置が、一定時間内において十分なウエハーの処理能力を有する必要がある。その処理装置はまた、製造設備により継続的な収入を確保するために、信頼性の高い処理を行わなければならない。
【0006】
最近まで、プラズマ灰化及び剥離槽は、半導体処理におけるフォトレジスト及びフォトレジスト残渣の除去には十分であるとされてきた。しかし、近年の集積回路の進歩によって、剥離槽に耐える十分な構造を備えた大きさに満たない限界寸法のエッチング形状と、プラズマ灰化の酸素環境に耐えられない低誘電率材料とが使用されている。
【0007】
近年は、フォトレジスト及びフォトレジスト残渣の除去のためのプラズマ灰化及び剥離槽を超臨界処理に置換することに関心が集まっている。しかし、従来の超臨界処理システムの高圧処理チャンバーは、半導体処理の独特なニーズを満足するには適切でない。
【0008】
半導体処理に要求される清浄性を満足する半導体処理用高圧処理チャンバーが必要とされる。半導体処理に要求される処理能力を満足する半導体処理用高圧処理チャンバーが必要とされる。半導体処理に要求される信頼性を満足する半導体処理用高圧処理チャンバーが必要とされる。
【0009】
発明の概要
本発明は、半導体基板の処理のための高圧チャンバーである。高圧チャンバーは、チャンバーハウジング、プラテン及び機械式駆動装置を有する。チャンバーハウジングは、第1シール面を有する。プラテンは、半導体基板を保持するための部位及び第2シール面を有する。機械式駆動装置は、プラテンをチャンバーハウジングに接続する。機械式駆動装置は、半導体基板を配置するために作動時にプラテンをチャンバーハウジングから分離する。さらに機械式駆動装置の作動時には、プラテンの第2シール面とチャンバーハウジングの第1シール面とが、機械式駆動装置によって半導体基板の周りに高圧処理チャンバーを形成する。
【0010】
好適な実施形態の詳細な説明
本発明の好適な圧力チャンバーは、好ましくは半導体ウエハーの超臨界処理に使用される。好適な圧力チャンバーは、超臨界処理モジュールの一部を形成することが好ましい。超臨界処理モジュールは、半導体ウエハーからフォトレジストを除去するために使用されることが好ましい。選択的に、超臨界処理モジュールは、フォトレジスト現像のような半導体ウエハーの他の超臨界処理に使用される。
【0011】
本発明の圧力チャンバーフレームは図1に示される。圧力チャンバーフレーム10は、圧力チャンバーハウジング部分12、開閉ハウジング部分14、ウエハースリット16、窓18、ポスト19、上部開口部20及び上部ボルト穴22を有する。ウエハースリット16は、300mmのウエハーのための大きさであることが好ましい。選択的に、ウエハースリット16は、より大きめ又はより小さめのウエハーのための大きさである。ウエハースリットはさらに選択的に、パック(puck)のようなウエハー以外の半導体基板のための大きさである。
【0012】
圧力チャンバーフレーム10の開閉ハウジング部分14は窓18を有し、窓18により、好適な圧力チャンバーの組立て及び分解のためのアクセスが可能になる。好ましくは、窓18は4つあり、それらは圧力チャンバーフレーム10の側面に位置する。好ましくは、各々の窓18の側部は2つのポスト19によって、上部は圧力チャンバーハウジング部分12によって、底部は基礎23によって形成される。圧力チャンバーハウジング部分12のボルト穴22は、上蓋を圧力チャンバーフレーム10にボルトで固定するためのものである。
【0013】
本発明の好適な圧力チャンバーを説明する前に、本発明の形態をより単純に説明するために第1の他の圧力チャンバーを説明する。
【0014】
本発明の第1の他の圧力チャンバーは図2に示される。第1の他の圧力チャンバー30は、圧力チャンバーフレーム10、上蓋32、ウエハープラテン34、シリンダー36及びシールプレート38を有する。上蓋32は、好ましくはボルト(図示せず)によって圧力チャンバーフレーム10に接続される。ウエハープラテン34はシリンダー36に接続される。シリンダー36はピストン(図示せず)に接続される。シールプレート38は、ピストンを封着して大気から分離する。
【0015】
当業者には、複数の固定具がウエハープラテン34をシリンダー36に接続し、シリンダー36をピストンに接続し、シールプレート38を圧力チャンバーフレーム10に接続することが直ちに明らかであろう。さらに当業者には、好ましくは上蓋32を圧力チャンバーフレーム10に接続するボルトが、スクリュー又は圧力チャンバーフレーム10と上蓋32との螺着のような、他の固定具に置換可能であることが直ちに明らかであろう。
【0016】
閉鎖状態にある第1の他の圧力チャンバー30の断面が図3に示される。第1の他の圧力チャンバー30は、圧力チャンバーフレーム10、上蓋32、ウエハープラテン34、シリンダー36、シールプレート38、ピストン40及びスペーサー/注入リング42を有する。好ましくは、圧力チャンバーフレーム10、上蓋32、ウエハープラテン34、シリンダー36、シールプレート38、ピストン40及びスペーサー/注入リング42はステンレス鋼を含む。スペーサー/注入リング42、上蓋32及びウエハープラテン34は、ウエハーキャビティ44を形成する。ウエハーキャビティ44は、第1、第2及び第3のOリング溝48、50及び52に配置される第1、第2及び第3のOリング(図示せず)によって封止されることが好ましい。圧力チャンバーフレーム10及びシールプレート38は、シールプレート38を貫通するピストンネック56を除き、ピストン本体54を囲繞する。ピストンネック56はシリンダー36に接続され、シリンダー36はウエハープラテン34に接続される。
【0017】
圧力チャンバーフレーム10及びピストン本体54は、ピストン本体54の下方に液圧キャビティ58を形成する。圧力チャンバーフレーム10、シールプレート38、ピストン本体54及びピストン本体54の直上のピストンネック56は、ピストン本体54とシールプレート38との間に気圧キャビティ60を形成する。
【0018】
当業者には、ピストン本体54と圧力チャンバーフレーム10との間のピストンシールによって、液圧キャビティ58が気圧キャビティ60から分離されることが直ちに明らかであろう。さらに当業者には、ピストンネック56とシールプレート38との間のネックシール、及びシールプレート38と圧力チャンバーフレーム10との間のプレートシールによって、気圧キャビティ60が大気から分離されることが直ちに明らかであろう。さらに、この技術分野ではよく知られた液流体システム及び気流体システムが、液圧キャビティ58及び気圧キャビティ60にそれぞれ接続されることは、当業者に直ちに明らかであろう。
【0019】
超臨界処理においては、ウエハーキャビティ44に半導体ウエハー46が配置され、好ましくは、フォトレジストを半導体ウエハー46から除去するために、ウエハーキャビティ44にて超臨界液体が溶剤とともに使用される。超臨界処理及びウエハーキャビティ44の大気への通気の後に、液圧キャビティ58内の液流体が減圧され、一方気圧キャビティ60はガスにより僅かに加圧され、それによりピストン40が下降する。それによりウエハープラテン34が下降し、半導体ウエハー46がスリット16に近接する。次にウエハー46はスリット16から取り除かれる。好ましくは、半導体ウエハーはロボット(図示せず)により取り除かれる。選択的に、半導体ウエハー46は技術者により取り除かれる。
【0020】
次に第2の半導体ウエハーが、スリット16を通してウエハープラテン34の上に配置される。次に、気圧キャビティ60が大気に通気され、一方液圧キャビティ58は液流体によって加圧され、それによりウエハープラテン34がスペーサー/注入リング42内に移動し、ウエハーキャビティ44が再形成される。次にウエハーキャビティ44が加圧され、超臨界液体及び溶剤が第2のウエハーからフォトレジストを除去する。
【0021】
超臨界処理が行われる間は、液圧キャビティ58内の液流体の圧力は、ウエハープラテン34に対して、超臨界液体により加えられる下向きの力よりも大きい上向きの力を加えられるように維持されることは、当業者には直ちに明らかであろう。
【0022】
本発明のスペーサー/注入リング42はさらに図4Aに示される。スペーサー/注入リングは、環状部64及び注入ノズル66を備えたリング本体62を有する。スペーサー/注入リング42の内径は305mm(12インチ)より僅かに大きいことが好ましく、これは300mmのウエハーのための大きさである。選択的に、スペーサー/注入リング42はそれより大きめ又は小さめの内径を有する。スペーサー/注入リングは、好ましくは45個の注入ノズル66を有する。選択的に、スペーサー/注入リングより多い又は少ない注入ノズル66を有する。各々の注入ノズル66は、スペーサー/注入リング42の内径方向に対して45°の方向である。選択的に、注入ノズルはそれより大きい又は小さい角度方向である。スペーサー/注入リング42は、好ましくは5.08mm(0.200インチ)の厚さを有する。選択的に、スペーサー/注入リング42はそれより大きめ又は小さめの厚さを有する。
【0023】
図4Bはスペーサー/注入リング42の断面図であり、リング本体62、環状部64及び1つの注入リング66が図示されている。環状部64は、幅4.06mm(0.160インチ)及び高さ2.79mm(0.110インチ)の矩形断面を有することが好ましい。注入ノズル66の各々の直径は0.71mm(0.028インチ)であることが好ましい。スペーサー/注入リング42の環状部64及び注入ノズル66は、ウエハーキャビティ44(図3)に流入する超臨界液体のための通路を形成する。超臨界処理において、超臨界液体は先ず、超臨界液体の貯蔵器として作用する環状部64に流入する。次に超臨界液体は、注入ノズル66によってウエハーキャビティ44内に注入され、ウエハーキャビティ44(図3)内に渦を生じさせる。
【0024】
本発明のウエハーキャビティ44及び2ポートの出口が図5に示される。他の上蓋32Aにより形成されたウエハーキャビティ44、ウエハープラテン34及びスペーサー/注入リング42は、2ポート出口70を通じて排液される。2ポート出口70は、第1位置74と第2位置76との間を行き来する往復部材72を有する。第1及び第2位置の間の往復部材72の行き来によって、スペーサー/注入リング42により形成された渦の中心は、第1排出ポート78と第2排出ポート80との間を行き来する。好ましくは、第1及び第2排出ポート78及び80は12.7mm(0.50インチ)の直径を有し、それらの中心は39.4mm(1.55インチ)の距離だけ離れている。選択的に、その直径及び距離は、本発明の特殊な実施によって大きく又は小さくなる。
【0025】
流入する超臨界液体82は、作動時にはスペーサー/注入リング42の環状部64に入り、ウエハーキャビティ44内に渦を生じさせ、往復部材が第1位置74から第2位置76に移動したときに、第1及び第2排出ポート78及び80の近傍に第1及び第2の渦中心を択一的に形成する。次に、流出する超臨界液体84が2ポート出口70から排出される。このようにして、半導体ウエハー46の全表面の超臨界処理が保証される。
【0026】
スペーサー/注入リング42の注入リング66及び2ポート出口70を、ゲート弁を介した半導体基板の出口及び入口を有する一般的な圧力チャンバー内に組み込むことができることは、当業者には直ちに明らかであろう。さらに、半導体基板の特殊な超臨界処理によれば、その特殊な超臨界処理が適切な処理のために渦を必要としないことにより、スペーサー/注入リング42が不要となり得ることが、当業者には直ちに明らかであろう。さらに、2ポート出口70の往復部材72がより一般的なバルブ装置に置換可能であることは、当業者には直ちに明らかであろう。
【0027】
本発明の好適な圧力チャンバーが図6に示される。好適な圧力チャンバー30Aは、圧力チャンバーフレーム10、他の上蓋32A、ウエハープラテン組体34A、シールプレート38、他のピストン40A及び空気圧シリンダー86を有する。ウエハープラテン組体34Aは、下方プラテン88、上方プラテン90及び台座92を有する。他のピストン40Aは、他のピストン本体54A及び他のピストンネック56Aを有する。
【0028】
他のピストンネック56Aは中空の中央部分を有し、そこで空気圧シリンダー86が他のピストン40Aに接続される。ピストンネック56Aは、ピストンネック56Aの上部にて下方プラテン88に接続される。下方プラテン88は、下方プラテン88の上面にて上方プラテン90に接続される。下方プラテン88及び上方プラテン90は、下方及び上方プラテン88及び90の中心にて台座92に接続される。台座92は、台座92の下端にて空気圧シリンダー86に接続される。台座92は、台座真空チャック96を真空にする真空ポート94を有する。
【0029】
好適な圧力チャンバー30Aが真空ポート94への真空系及び空気圧シリンダー86への空気圧系を有することは、当業者に直ちに明らかであろう。
【0030】
図7Aは上方プラテン90の上面図である。上方プラテン90は、第4及び第5のOリング溝100及び102、並びに第1及び第2の真空溝104及び106を有する。第4及び第5のOリングは、作動時は第4及び第5のOリング溝104及び106に配置される。
【0031】
図7Bは上方プラテン90の部分断面図である。この断面には、第4及び第5のOリング溝100及び102、第1及び第2の真空溝104及び106、並びに第2真空ポート108が含まれる。第2真空ポート108は、作動時に真空ポンプに接続され、第1及び第2の真空溝104及び106が真空になる。従って、第4のOリング溝100及び第1の真空溝104は、下方プラテン88及び台座92(図6)とともに真空チャックを形成する。第5のOリング溝102及び第2の真空溝は、真空チャックに余剰部分を付与するため、第4のOリング溝100を通る漏れは真空チャックの機能を阻害しない。この余剰部分はまた、半導体ウエハー46(図6)の背面の保護にも役立つ。
【0032】
さらに上方プラテン90の底面が図7Cに示される。底面90は、電気抵抗式加熱要素溝110を有する。好ましくは、電気抵抗式加熱要素が作動時に電気抵抗式加熱要素溝110に配置され、ウエハーキャビティ44及び半導体ウエハー46(図6)の加熱を補助する。
【0033】
上方プラテン90は、300mmのウエハーを配置できるような大きさであることが好ましい。上方プラテン90の代わりに他の上方プラテンが使用可能であり、他の上方プラテンは、例えば200mmのウエハーのような300mmのウエハー以外の異なる大きさのウエハーを配置するための寸法を有する、第4及び第5のOリング溝100及び102、並びに第1及び第2の真空溝を有する。従って、異なる大きさのウエハーを配置するためには、好適な圧力チャンバー30A(図6)内のウエハープラテン組体34Aを交換するのではなく、上方プラテン90のみを交換するだけでよい。
【0034】
好適な圧力チャンバー30Aが有する圧力チャンバーフレーム10、他の上蓋32A、スペーサー/注入リング42及びウエハープラテン組体34Aはさらに、図8A〜8Fに示される。ウエハープラテン組体34Aは、下方プラテン88、上方プラテン90及び台座92を有する。下方プラテンは、第6及び第7のOリング(図示せず)のための第6及び第7のOリング溝112及び114を有し、第6及び第7のOリングは、下方プラテン88を上方プラテン90及び台座92にそれぞれ封着する。下方プラテン88はまた、真空ポンプを第2真空ポート108(図7B)に接続する第3真空ポート(図示せず)を有する。
【0035】
図8Aにおいては、ウエハープラテン組体34Aは閉鎖位置にあり、ウエハーキャビティ44は空である。図8Bにおいて、他のピストン40A(図6)によりウエハープラテン組体34Aが積載(ロード)位置に下げられる。図8Cにおいて、ロボットの先端効果器(エンドエフェクタ)116により半導体ウエハー46が好適な圧力チャンバー30A内に移動する。図8Dにおいて、台座92がエアシリンダー86(図6)によって駆動され、半導体ウエハー46が上昇させられてロボット先端効果器116から離され、ロボット先端効果器は好適な圧力チャンバー30Aから引き込められる。半導体ウエハー46が台座92により上昇させられてロボット先端効果器から離されると、半導体ウエハー46に固定された第1真空ポート94を通じて、台座真空チャック96が真空にされる。
【0036】
図8Eにおいて、台座92がエアシリンダー86によって下げられて、台座92の下面が第7のOリング溝114にて下方プラテン88に封着される。台座92が下方プラテン88に当接すると、半導体ウエハー46に固定された第1及び第2の真空溝104及び106内の真空により、半導体ウエハー46が上方プラテン90に固定される。図8Fにおいて、ウエハープラテン組体34Aが他のピストン40Aによって上昇させられ、ウエハーキャビティ44が上方プラテン90とスペーサー/注入リング42との間に封止される。
【0037】
本発明の第2の他の圧力チャンバーを含む、本発明の超臨界処理モジュールを図9に示す。超臨界処理モジュール200は、第2の他の圧力チャンバー30B、圧力チャンバーヒーター204、二酸化炭素供給装置206、循環ループ208、循環ポンプ210、化学物質及びリンス物質供給装置212、分離容器214、液体/固体廃棄物容器217、並びに液化/浄化装置219を有する。
【0038】
第2の他の圧力チャンバー30Bは、他の圧力チャンバーハウジング12A及び他のウエハープラテン34Bを有する。他の圧力チャンバーハウジング12A及び他のウエハープラテン34Bは、半導体基板46のための他のウエハーキャビティ44Aを形成する。他の圧力チャンバーハウジング12Aは、他の注入ノズル66Aを有する。他のウエハープラテン34Aは、液圧力を利用して他の圧力チャンバーハウジング12Aに対して保持されることが好ましい。選択的に、他のウエハープラテン34Bが機械的把持力を利用して他の圧力チャンバーハウジング12Aに対して保持される。他のウエハープラテン34Bは、液圧力の解放によってロード/アンロード位置215に移動することが好ましい。選択的に、他のウエハープラテン34Bは、機械的把持力の解放とともにロード/アンロード位置215に移動する。さらに選択的には、他のウエハープラテン34Bは、他のウエハープラテン34Bに接続されたドライブスクリューの作動、又は気圧力の利用によって、ロード/アンロード位置215に移動する。
【0039】
二酸化炭素供給装置206は、二酸化炭素供給容器216、二酸化炭素ポンプ218及び二酸化炭素ヒーター220を有する。化学物質及びリンス物質供給装置212は、化学物質供給容器222、リンス物質供給容器224、並びに第1及び第2の高圧注入ポンプ226及び228を有する。
【0040】
二酸化炭素供給容器216は、二酸化炭素ポンプ218及び二酸化炭素管230を介して第2の他の圧力チャンバー30Bに接続される。二酸化炭素管230は、二酸化炭素ポンプ218と第2の他の圧力チャンバー30Bとの間に配置された二酸化炭素ヒーター220を有する。圧力チャンバーヒーター204は、第2の他の圧力チャンバー30Bに接続される。循環ポンプ210は、循環ループ208に配置される。循環ループ208は、循環入口232及び循環出口234にて第2の他の圧力チャンバー30Bに接続される。化学物質供給容器222は、化学物質供給管236を介して循環ループ208に接続される。リンス物質供給容器224は、化学物質供給管238を介して循環ループ208に接続される。分離容器214は、排ガス管240を介して第2の他の圧力チャンバー30Bに接続される。液体/固体廃棄物容器217は、分離容器214に接続される。
【0041】
分離容器214は、戻りガス管241を介して液化/浄化装置219に接続されることが好ましい。液化/浄化装置219は、液体二酸化炭素管243を介して二酸化炭素供給容器216に接続されることが好ましい。選択的に、液化/浄化装置219は、離れた場所に配置され、ガス捕集容器内の排ガスを受容して液体二酸化炭素容器内の液体二酸化炭素を戻す。
【0042】
圧力チャンバーヒーター204は、第2の他の圧力チャンバー30Bを加熱する。好ましくは、圧力チャンバーヒーター204は加熱用ブランケットである。選択的に、圧力チャンバーヒーターは他の種類のヒーターである。
【0043】
好ましくは、第1及び第2のフィルター221及び223が循環ループ208に接続される。第1フィルター221は微細なフィルターを有することが好ましい。より好ましくは、第1フィルター221は0.05μm以上の粒子を除去するように構成された微細なフィルターを有する。第2フィルター223は粗いフィルターを有することが好ましい。より好ましくは、第2フィルター223は2〜3μm以上の粒子を除去するように構成された粗いフィルターを有する。好ましくは、第3フィルター225を介して二酸化炭素供給容器216が二酸化炭素ポンプ218に接続される。第3フィルター225は微細なフィルターを有することが好ましい。より好ましくは、第3フィルター225は0.05μm以上の粒子を除去するように構成された微細なフィルターを有する。
【0044】
超臨界処理モジュール200が、超臨界液体処理システムにおいて典型的なフックアップ、バルブ及び制御電子装置を有することは、当業者には直ちに明らかであろう。さらに、他の注入ノズル66Aが、他のチャンバーハウジング12Aの一部としてよりもむしろ他のウエハープラテン34Bの一部として構成可能であることは、当業者には直ちに明らかであろう。
【0045】
超臨界処理モジュールは、作動時はフォトレジスト及びフォトレジスト残渣を半導体ウエハー46から除去するために使用されることが好ましい。超臨界処理モジュール200を用いたフォトレジスト除去処理には、配置ステップ、洗浄処理、リンス処理及び取り出しステップが含まれる。
【0046】
配置ステップにおいては、半導体ウエハー46は他のウエハープラテン34B上に配置され、次に他のウエハープラテン34Bは他のチャンバーハウジング12Aに向けて動かされ、他のウエハープラテン34Bが他のチャンバーハウジング12Aに封着され、故にウエハーキャビティ44Aが形成される。
【0047】
洗浄処理は、第1から第4の処理ステップを有する。第1処理ステップにおいて、他のウエハーキャビティ44Aは、二酸化炭素ポンプ218によって所定の超臨界条件に加圧される。第2処理ステップにおいては、第1注入ポンプ226が化学物質供給容器222から化学物質供給管及び循環ループ208を介して他のウエハーキャビティ44A内に溶剤を輸送する。所定の超臨界条件が達せられたら、二酸化炭素ポンプは他のウエハーキャビティ44Aの加圧を停止する。所定の溶剤濃度が達せられたら、第1注入ポンプ226は溶剤の注入を停止する。第3処理ステップにおいて、循環ポンプ210は、フォトレジスト及びフォトレジスト残渣が半導体ウエハーから除去されるまで、他のウエハーキャビティ44A及び循環ループ208を通して超臨界二酸化炭素及び溶剤を循環させる。第4処理ステップにおいて、他のウエハーキャビティ44Aは、臨界圧力より高い圧力を維持しながら内容物の一部を排出し、次に他のウエハーキャビティ44Aは二酸化炭素ポンプ218によって再加圧されて、臨界圧力より高い圧力を維持しながら再び内容物の一部を排出する。
【0048】
リンス処理は、第4から第7の処理ステップを有する。第4処理ステップにおいて、他のウエハーキャビティは二酸化炭素ポンプ218によって加圧される。第5処理ステップにおいて、第2注入ポンプ228がリンス物質供給容器224からリンス物質供給管238及び循環ループ208を介して他のウエハーキャビティ44A内にリンス物質を輸送する。所定のリンス物質濃度が達せられたら、第2注入ポンプ228はリンス物質の注入を停止する。第6処理ステップにおいて、循環ポンプ210は、予め定めた時間だけ、他のウエハーキャビティ44A及び循環ループ208を通して超臨界二酸化炭素及びリンス物質を循環させる。第7処理ステップにおいて、他のウエハーキャビティ44Aは減圧される。選択的に、第5及び第6のステップは不要の場合がある。
【0049】
取り出しステップにおいて、他のウエハープラテン34Bはロード/アンロード位置215に動かされ、その場所で半導体は他のウエハープラテン34Bから取り出される。
【0050】
好ましくは、少なくとも2つの本発明の超臨界処理モジュールが複数の被加工物処理システムの一部を形成し、それにより少なくとも2つの半導体ウエハーの同時処理が可能になる。複数の被加工物処理システムは、2000年11月1日出願のUS特許出願09/704,642号に教示され、該出願はこの参照によりその全体が開示されるものである。選択的に、本発明の超臨界処理モジュールは、非超臨界処理モジュールとともに、多重処理が可能な半導体処理システムの一部を形成する。多重処理が可能な半導体処理システムは、2000年11月1日出願のUS特許出願09/704,641号に教示され、該出願はこの参照によりその全体が開示されるものである。さらに選択的に、本発明の超臨界処理モジュールは、本発明の超臨界処理モジュールを1つ用いた独立型の超臨界処理システムの一部を形成する。
【0051】
本発明の第3の他の圧力チャンバーは、第2の他の圧力チャンバー34Bに加えて、半導体基板46の上方に表面を増強する特徴を備えた他のチャンバーハウジング12Aを有する。半導体基板46の上方にてより均一な分子速度を得るために、表面を増強する特徴の1つとして、他のウエハーキャビティ44Aの外径から他のウエハーキャビティ44Aの中心までの高さが変化している。好ましくは、その高さ変化は、他のウエハーキャビティ34Bの外径が高点、及び他のウエハーキャビティ34Bの中心が低点となっており、他のウエハーキャビティ34Bの中心においてより限定的な空間を提供する。選択的に、その高さ変化は、他のウエハーキャビティ34Bの外径が高点、他のウエハーキャビティ34Bの外径と中心との間が低点、及び他のウエハーキャビティ34Bの中心が中位点となっている。
【0052】
本発明の好適な圧力チャンバー30A及び第1〜第3の他の圧力チャンバーが超臨界条件を下回る高圧の処理に適していることは、当業者には直ちに明らかであろう。
【0053】
添付の特許請求の範囲に定められた本発明の精神及び範囲から逸脱せずに、好適な実施形態として他の様々な変形が可能であることは、当業者には直ちに明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の圧力チャンバーフレームの図である。
【図2】 本発明の第1の他の圧力チャンバーの図である。
【図3】 本発明の第1の他の圧力チャンバーの断面図である。
【図4A】 本発明のスペーサー/注入リングの図である。
【図4B】 本発明のスペーサー/注入リングの図である。
【図5】 本発明のウエハーキャビティ及び2ポート出口の図である。
【図6】 本発明の好適な圧力チャンバーの図である。
【図7A】 本発明の上方プラテンの図である。
【図7B】 本発明の上方プラテンの図である。
【図7C】 本発明の上方プラテンの図である。
【図8A】 本発明の圧力チャンバーフレーム、スペーサー/注入リング及びウエハープラテン組体の図である。
【図8B】 本発明の圧力チャンバーフレーム、スペーサー/注入リング及びウエハープラテン組体の図である。
【図8C】 本発明の圧力チャンバーフレーム、スペーサー/注入リング及びウエハープラテン組体の図である。
【図8D】 本発明の圧力チャンバーフレーム、スペーサー/注入リング及びウエハープラテン組体の図である。
【図8E】 本発明の圧力チャンバーフレーム、スペーサー/注入リング及びウエハープラテン組体の図である。
【図8F】 本発明の圧力チャンバーフレーム、スペーサー/注入リング及びウエハープラテン組体の図である。
【図9】 本発明の超臨界処理モジュール及び第2の他の圧力チャンバーの図である。
Claims (9)
- 半導体基板を超臨界処理するための高圧チャンバーであって、
a. 第1シール面を有する上蓋を備えたチャンバーハウジングと、
b. 前記半導体基板が載置されかつ前記第1シール面に対向配置された第2シール面を有するプラテンと、
c. 作動時には、前記半導体基板を配置するために前記プラテンを前記チャンバーハウジングから分離し、さらに作動時には、前記プラテンの前記第2シール面と前記上蓋の前記第1シール面とが前記半導体基板の周りに高圧処理チャンバーを形成するように、前記プラテンを前記チャンバーハウジングに接続するように構成された、液流体の圧力により駆動する機械式駆動装置と、
を有する高圧チャンバー。 - 前記上蓋の前記第1シール面がOリング溝を有する請求項1に記載の高圧チャンバー。
- 前記Oリング溝の中にOリングをさらに有する請求項2に記載の高圧チャンバー。
- 前記プラテンの前記第2シール面がOリング溝を有する請求項1に記載の高圧チャンバー。
- 前記Oリング溝の中にOリングをさらに有する請求項4に記載の高圧チャンバー。
- 前記上蓋の前記第1シール面がスペーサーに封着され、さらに前記プラテンの前記第2シール面が前記スペーサーに封着される請求項1に記載の高圧チャンバー。
- 前記機械式駆動装置が、液圧キャビティの上方に配置されるピストンを有する請求項1に記載の高圧チャンバー。
- 半導体基板を超臨界処理するための高圧チャンバーであって、
a. チャンバーハウジングと、
b. 前記半導体基板を保持するための部位を有するプラテンと、
c. 作動時には、前記半導体基板を配置するために前記プラテンを前記チャンバーハウジングから分離するように、前記プラテンを前記チャンバーハウジングに接続する、液流体の圧力により駆動する機械式駆動装置と、
d. 前記チャンバーハウジングに接続されたシール手段であって、作動時には、前記機械式駆動装置によって前記シール手段、前記プラテン及び前記チャンバーハウジングが前記半導体基板の周りに高圧処理チャンバーを形成するようになっているシール手段と、
を有する高圧チャンバー。 - 半導体基板を超臨界処理するための装置であって、
a. 圧力チャンバーフレームと、
b. 前記圧力チャンバーフレームに接続されるとともに、液流体の圧力により駆動するピストン本体及びピストンネックを有し、前記圧力チャンバーフレーム及び前記ピストン本体が第1の流体キャビティを形成する、ピストンと、
c. 前記圧力チャンバーフレームに接続されるとともに、前記圧力チャンバーフレーム、前記ピストン本体及び前記ピストンネックと協働して第2の流体キャビティを形成する、シールプレートと、
d. 前記圧力ピストンネックに接続されるとともに、前記半導体基板を保持するための部位及び第2シール面を有するプラテンと、
e. 前記圧力チャンバーフレームに接続されるとともに、第1シール面を有する上蓋であって、作動時には、前記プラテンの第2シール面と前記上蓋の第1シール面とが高圧処理チャンバーを形成するように構成されている、上蓋と、
を有する装置。
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