JPH04212421A - 半導体ウェーハの表面処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェーハの表面
処理方法及び装置に関し、特に、ウェーハの表面に付着
した粒子、生菌・シリカ等の汚染物や、エッチング処理
の露光剤などを除去する洗浄及びウェーハへの電子回路
のエッチングなどの表面処理方法及び装置である。

【０００２】ここで、本発明でいう表面処理の概念は、
薬液による洗浄、薬液によるエッチング露光剤の除去、
純水によるリンス、乾燥気体による乾燥処理、ウェーハ
への電子回路のエッチングなどの一つまたは複数の処理
を言うものである。従って、本発明における流体とは、
洗浄用の薬液（薬液水溶液）や純水等の液体と乾燥用の
気体を含むものである。

【０００３】

【従来の技術】この種の装置として、ウェット式の洗浄
装置は従来において多槽バッチ式とも呼ばれているもの
があり、その一例が「半導体製造装置実用便覧」（ＳＣ
ＩＥＮＣＥ　　ＦＯＲＵＭ社発行、Ｐ２９０〜２９３）
に開示されている。

【０００４】このウェット式の洗浄装置においては、そ
の基本的洗浄工程を述べると、例えば８０℃に加熱した
アンモニア過酸化水素溶液による浸漬洗浄、次いで純水
リンスによる浸漬液の流し、希フッ酸によるエッチング
と純水リンスによる流し、最後に８０℃に加熱した塩酸
過酸化水素水溶液による浸漬洗浄、純水リンスによる流
しを順次行うものである。

【０００５】前記各種水溶液、純水はそれぞれ個別の洗
浄槽に備えられている。洗浄に際しては、例えば２５枚
程度の半導体ウェーハを所定構造のバスケットに収納し
（前記公知資料の２４１頁に図示を参照）、洗浄工程に
従って各槽に順次浸漬していた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、前記構成の洗
浄装置は、下記のような問題点を有している。即ち、各
種水溶液や純水は、工程順に配置された浸漬槽に個別に
入れられるのであるから、浸漬槽の数が多くなる。前記
公知例についても最低６槽は必要であり、このため洗浄
装置が大型になってしまう。しかも、現在の技術的動向
の一つに半導体ウェーハの大径化があり、直系８インチ
の半導体ウェーハが出回りつつある。このような大径の
半導体ウェーハを２５枚または５０枚まとめて浸漬しよ
うとすれば、必然的にバスケットの大型化、浸漬槽の大
型化が必要になり、洗浄装置のより大型化が避けられな
い。

【０００７】また、バスケットに収納した半導体ウェー
ハの間隔は、一般に４．７５ｍｍ程度であるが、浸漬時
に各半導体ウェーハ間に清浄な水溶液がまわりにくく、
洗浄むらが発生しやすい。また、水溶液に半導体ウェー
ハを浸漬する場合は、その下部が常に先に浸漬され、上
部が遅れて浸漬されるので、浸漬時の時間差が洗浄むら
の一因になることもある。そして、半導体ウェーハの大
径化が進めば進むほど、前記洗浄むらは更に助長される
ことになる。

【０００８】更に、洗浄槽に溜められた洗浄液は、常に
新しい洗浄液を補給するようにしていても、一回の洗浄
毎に完全に新しくなるものではなく、必ず古い液が残存
し、洗浄精度に問題がある。

【０００９】本発明は上記の課題を一挙に解決するもの
であり、その目的は、装置の小型化ならびに洗浄むらの
解消及び洗浄精度の向上を可能にする半導体ウェーハの
表面処理方法及び装置を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
、本発明の第１構成は、半導体ウェーハを１枚毎に開口
から処理槽に挿入して該開口を密閉した後に、前記半導
体ウェーハの上下面に向けて流体を噴出し、該噴出の力
により前記半導体ウェーハを浮遊させながら処理をおこ
ない、該処理と同時に前記処理槽から前記流体を排出す
ることである。

【００１１】第２構成は、半導体ウェーハを１枚毎に開
口から処理槽に挿入して該開口を密閉した後に、前記半
導体ウェーハの上下面に向けて流体を噴出し、該噴出の
力により前記半導体ウェーハを浮遊させるとともに、ウ
ェーハ中央を略中心にして回転させながら処理をおこな
い、該処理と同時に前記処理槽から前記流体を排出する
ことである。

【００１２】第３構成は、側壁の内面が鉛直軸線を持つ
円筒面となり、かつ、下端付近に開口を持ち、底壁の上
面に前記円筒面とほぼ同心でそれより小なる円形凹所を
持ち、該凹所内に連通した複数の下流体孔が設けられて
なる耐食性処理槽本体と、該本体の前記円筒面にピスト
ン状に密に摺動自在に嵌挿されて、前記本体底壁に圧接
して前記凹所による密閉室を構成し、かつ、該密閉室内
に連通した複数の上流体孔が設けられてなる耐食性可動
壁と、該可動壁の駆動手段と、前記流体孔に接続された
流体給排手段とを含むことである。

【００１３】第４構成は、前記凹所に挿入された半導体
ウェーハを略水平状態で支持するように、前記本体底壁
を鉛直に流体密に貫通した３本以上の支持ピンと、該支
持ピンの昇降手段とを含むことである。

【００１４】第５構成は、側壁の内面が鉛直軸線を持つ
円筒面となり、かつ、下端付近に開口を持ち、底壁の上
面に前記円筒面とほぼ同心でそれより小なる円形凹所を
持ち、該凹所内に連通した複数の下流体孔が設けられて
なる耐食性処理槽本体と、該本体の前記円筒面にピスト
ン状に密に摺動自在に嵌挿されて、前記本体底壁に圧接
して前記凹所による密閉室を構成し、かつ、該密閉室内
に連通した複数の上流体孔が設けられてなる耐食性可動
壁と、該可動壁の駆動手段と、前記凹所に挿入された半
導体ウェーハを略水平状態で支持するように、前記本体
底壁を鉛直に流体密に貫通した３本以上の支持ピンと、
該支持ピンの上部を上下摺動自在に貫通させて前記槽本
体の流体孔の内側に固定された第１流路部材と、前記支
持ピンの下端付近に固定された第２流路部材と、該第２
流路部材に外嵌された短円筒状の昇降部本体と、該昇降
部本体の上端と前記槽本体の流体孔周縁付近との間に設
けられた耐食性第２ベローズと、前記３個以上の昇降部
本体の全部にわたって固定された連結部材と、該連結部
材に接続された昇降手段と、前記可動壁の流体孔および
前記昇降部本体の下端に各々接続された流体給排手段と
を含むことである。

【００１５】第６構成は、第３または４または５構成に
加え、前記上流体孔および下流体孔の各々の少なくとも
一部は、流体噴出による前記半導体ウェーハの円周方向
分力が生ずるように、前記凹所底面に対し傾斜している
ことである。

【００１６】第７構成は、第３または４または５構成に
加え、前記可動壁の周縁部と前記処理槽本体の上端との
間に耐食性第１ベローズが接続され、かつ、前記本体の
上端に蓋が密に取付けられたことである。

【００１７】第８構成は、第４構成に加え、前記支持ピ
ンの下端付近と前記本体底の貫通孔周縁付近との間に設
けられた耐食性第２ベローズとを含むことである。

【００１８】

【作用】半導体ウェーハを開口から本体内に挿入する。 そして半導体ウェーハが凹所の真上に位置した時に放さ
れると、支持ピン上に載置される。この状態に続いて、
昇降部本体と一体に各支持ピンを下方に移動させると、
凹部内に半導体ウェーハが位置決めされ、更に可動壁を
本体の底部まで下げれば、凹所による密閉室が形成され
る。続いて流体給排手段から流体を供給して洗浄し、乾
燥する。その後、可動部を上方に駆動し、半導体ウェー
ハの上部を開口状態にする。次に、昇降部本体を上方に
駆動し、各支持ピンによって半導体ウェーハを上方に押
し上げる。次に、ウェーハを開口から搬出する。

【００１９】

【実施例】以下に本発明の実施態様を図面に示す一実施
例にもとづき説明する。図１は表面処理装置の全体構造
を示す概略側面図であり、図２は要部の平面図である。 まず、図１および図２を参照して本装置の構造および動
作の大略を説明する。半導体ウェーハＡを１枚ずつ表面
処理する処理部Ｂ、半導体ウェーハＡを処理部Ｂに１枚
ずつ搬入する把持機構１、洗浄液、純水等を処理部Ｂに
供給する処理液給排部２等を防塵ケース４内に配置した
ものである。

【００２０】把持機構１は、支持本体１ａに対し上下に
伸縮可能かつ回動可能な鉛直シャフト７１ｂを有し、こ
の鉛直シャフト１ｂの上端に水平台１ｃが設けられ、更
に、この水平台１ｃ上をスライド可能であると共に半導
体ウェーハＡを吸着把持可能な真空吸着具１ｄを備えて
いる。そして、その基本動作は、水平台１ｃに近接され
たバスケット３ａ内に水平に収納された半導体ウェーハ
Ａを１枚ずつ吸着して処理部Ｂの処理槽１０内に搬入し
、処理後に再び吸着して取り出し、他方のバスケット３
ｂに収納する。

【００２１】処理液給排部２はフィルタ２ａ、ポンプ２
ｂ、タンク部２ｃ等からなり、タンク部２ｃ内の処理液
を濾過して配管２ｄ及び配管途中に設置された多数のバ
ルブ（切換や開閉バルブ）を介して処理槽１０に供給で
きる給液系を構成している。一方、処理槽１０からの排
液が、上記給液系の動作とほぼ同時に作動可能な排液系
により処理槽１０から排出されて、適宜貯蔵されるか、
或は必要に応じて濾過して再びタンク部２ｃに収納され
たり、所定箇所に排出できるように構成されている。な
お、前述の給液系の一部或は全部をバルブ操作により、
排液系に切り替えることができる。更に、窒素などの乾
燥用の気体の供給系は別途適宜設けられている。

【００２２】図５において処理部Ｂは処理槽１０、可動
壁２０、ピストンシリンダ機構３１、第１ベローズ３２
、処理物昇降部４０とからなる。

【００２３】処理槽１０は、直方体ケース１１の内部に
耐食性合成樹脂（登録商標テフロン）からなる本体１２
が収容され、上端に蓋１３が着脱自在に密着されてなる
。

【００２４】前記本体１２は、図３，４，５に示すよう
に、前記直方体ケース１１の直方体内面に密接する直方
体外形を持ち、鉛直軸線を有する円筒内面を持つ有底筒
体である。底壁の上面に前記円筒面とほぼ同心でそれよ
り小なる円形凹所１２ｂを持ち、該凹所内に連通した複
数（図３図示３個）の下流体孔Ｐ１が同一円周上等間隔
に設けられている。ケース１１の側壁の下部に水平に細
長い開口１１ａが設けられ、これと前記円筒内面が連通
する開口１２ａが本体１２に設けられる。前記ケース１
１の開口１１ａの内面は、本体１２と一体なる耐食性樹
脂で覆われている。

【００２５】耐食性可動壁２０は前記本体１２の円筒面
にピストン状に密に摺動自在に嵌挿されて、前記本体底
壁に圧接して前記凹所１２ｂによる密閉室を構成する。 即ち、耐食性合成樹脂（テフロン）からなる水平円板の
壁本体２１が上側で金属円環補強板２２で補強され、こ
の補強板の上側に金属円環押え板２３が固定され、この
押え板２３の上側にピストンシリンダ機構３１のピスト
ン棒下端が固定される。そして、可動壁２０を上下に貫
通する複数（図３図示３個）の上流体孔Ｐ２が設けられ
る。これら上流体孔Ｐ２は前記下流体孔Ｐ１の円周と同
一円周上で等間隔、かつ、前記隣合う２個の下流体孔の
中間に上流体孔が位置するように、両孔は位相を異にし
ている。前記流体孔に処理液給排部２が接続される。

【００２６】ここで、前記上流体孔Ｐ２および下流体孔
Ｐ１の各々の少なくとも一部は、流体噴出による前記半
導体ウェーハの円周方向分力が生ずるように、前記凹所
１２ｂ底面に対し傾斜している。

【００２７】前記可動壁２０の周縁部と前記槽本体１２
の上端との間に耐食性第１ベローズ３２が接続され、こ
のベローズの上端部を挟んで前記本体１２の上端に蓋１
３が密に取付けられている。

【００２８】次に処理物昇降部４０は次のごとく構成さ
れる。図７のように、前記凹所１２ｂに挿入された半導
体ウェーハＡを略水平状態で支持するように、３本の支
持ピン４２が前記本体１２の底壁を鉛直にに貫通する。 即ち、支持ピン４２が上端付近において前記下流体孔に
第１流路部材４９ａを介して上下摺動自在に貫通し、下
端付近において、第２流路部材４９ｂを介して短円筒状
の昇降部本体４１に固定される。前記第１および第２流
路部材は短円柱体からなり、各々その円中心に支持ピン
が貫通およびねじ止めされる。そして、前記円中心と同
心なる円周上に等間隔で複数（図示４）の流路孔が設け
られる。

【００２９】前記支持ピン４２の下端付近の前記昇降部
本体４１と前記本体底の流体孔周縁付近との間に耐食性
第２ベローズ４３が設けられる。本体底の流体孔周縁か
らフランジ付の接続筒口が下方に一体突設され、また、
第２ベローズ４３の上端にも同様のフランジ付の接続筒
口４４ａが一体形成される。そして、接続筒口のフラン
ジを避けた部分に各々２つ割りの円環状の上、下取付板
４４ｂ，４４ｃが嵌合され、これら両板４４ｄがボルト
により結合される。

【００３０】前記３個の昇降部本体４１の外側にフラン
ジ付の金属補強リング４５が下方からねじ込まれ、これ
ら本体を一体的に上下させるための連結部材４６が補強
リング４５の下方から嵌合され、取付ナット４７により
固定される。連結部材の水平面内中央部の下面にピスト
ンシリンダ機構４８が接続される。

【００３１】前記昇降部本体４１の下部内側に流体管接
続ピース５がねじ込まれる。

【００３２】以上において作動状態を説明する。

【００３３】まず、図１及び図２に示した真空吸着具１
ｄをバスケット３ａに近付け、真空吸着具１ｄの先端下
面に一枚の半導体ウェーハＡを吸着して把持する。この
とき、バスケット３ａにおける半導体ウェーハＡの収納
数に対応して真空吸着具１ｄの高さ調整が行われる。

【００３４】次いで、半導体ウェーハＡを把持した真空
吸着具１ｄを第２図に仮想線で示すようにバスケット３
ａから離し、その後、鉛直シャフト１ｂを回転させて吸
着具１ｄを処理部Ｂ側に回動させ、又、高さ調整を行う
。この結果、一枚の半導体ウェーハＡが、処理部Ｂの開
口１１ａの前まで搬送されたことになる。

【００３５】次に、吸着具１ｄを開口１１ａ方向に伸ば
すように制御し、半導体ウェーハＡを開口１１ａから本
体１２内に挿入する。そして半導体ウェーハＡが凹所１
２ｂの真上位置した時に真空吸着を解除する。この結果
、半導体ウェーハＡは３本の支持ピン４２上に載置され
る。この状態に続いて、昇降部本体と一体に各支持ピン
４２を下方に移動させると、凹部内に半導体ウェーハＡ
が位置決めされ、更に可動壁２０を本体１２の底部まで
下げれば、凹所１２ｂによる密閉室が形成される。

【００３６】続いて各洗浄液給排部から第１の薬液から
なる洗浄液を供給して洗浄を行うが、実施例では下方側
の流体孔Ｐ１のいずれか１個、または２個を洗浄液供給
に使用し、上方側の流体孔Ｐ２についてもいずれか１個
、または２個を洗浄液供給に使用し、残りの流体孔Ｐ１
，Ｐ２を排出用に利用する。また洗浄液は、例えば２ｋ
ｇ／ｃｍ２程度の圧力供給されるので、半導体ウェーハ
は凹所の底面から浮き上がると共に、上面からも液圧に
よって押さえられるようになるので、凹所１２ｂの底面
や可動部２０の下側面に接することなく、密閉室内に浮
遊した状態になる。このような状態で、ウェーハの１枚
は上下から流体の噴出を受けるので、むらなく洗浄され
る。

【００３７】これに加えて、流体孔からウェーハに対す
る円周方向分力が生ずる方向に洗浄液が供給されるので
、半導体ウェーハは上下の液圧によってあたかもレコー
ド盤のように回転することになる。従って、半導体ウェ
ーハの上下側面は、洗浄液によってなお一層むらなく洗
われるようになり、洗浄むらの低減と洗浄時間の短縮と
が行われる。

【００３８】そして、凹所１２ｂから排出された洗浄液
は配管等を介してフィルタ２ａに供給され、浄化された
洗浄液がタンク２ｃに収納され、更にポンプ２ｂにより
汲み上げられて、処理槽１０に還流する。

【００３９】このようにして第１回の洗浄（１〜２ｓｅ
ｃ程度）が行われた後、第１の洗浄液の供給を停止し、
続いて洗浄槽内およびウェーハ上に付着したこの洗浄液
を除去する。即ち、洗浄液を送っていた供給系のバルブ
を切り換えて、その流体孔から窒素ガス等を吹き出して
、半導体ウェーハを回転させながら効果的に洗浄液を吹
き飛ばして、該洗浄液を回収する。

【００４０】次に、前記第１の洗浄液の場合と同様に純
水を供給してリンスを行い、所定時間経過後に窒素ガス
で吹き飛ばしながら排出する。このようにして半導体ウ
ェーハの表面、洗浄槽、配管等に付着していた洗浄液を
一旦リンスし、次の洗浄液による不測の化学変化がおき
ないようにする。

【００４１】そして、洗浄液給排部から次の洗浄のため
の第２の洗浄液を前記と同様に供給する。この際、半導
体ウェーハの浮遊・回転は同様に行われ、洗浄後の洗浄
液の回収、純水によるリンス並びに排液が行われる。こ
の洗浄工程は洗浄液の目的に合わせて適当な回数繰り返
される。その後に、引き続いて乾燥が行われる。

【００４２】その後、可動部２０を上方に駆動し、半導
体ウェーハの上部を開口状態にする。次に、シリンダ４
８により昇降部本体４１を上方に駆動し、各支持ピン４
２によって半導体ウェーハを上方に押し上げる。次に、
真空吸着具１ｄを開口１１ｂから半導体ウェーハの上部
まで伸ばし、ウェーハを真空吸着させて開口から搬出し
、更に回動させてウェーハをバスケット３ｂに収納して
、一連の洗浄動作が終了する。

【００４３】ここで、処理槽１０の外形寸法は、例えば
縦横約３００ｍｍ、高さ約１９０ｍｍである。また、例
えば半導体ウェーハＡの厚さ０．５ｍｍ〜１．５ｍｍ程
度の場合に、凹所１２ｂの深さを、例えば５ｍｍ〜７ｍ
ｍ程度に非常に浅く設定することができる。従って、処
理槽１０への洗浄体の導入量は少なくても、該洗浄体を
ウェーハ全体に満遍なく行き渡らせることができ、少量
の洗浄体で洗浄が可能である。

【００４４】また、乾燥用の気体（窒素）を導入するノ
ズル５１、５２（図５に上下に一つずつ図示する）は凹
部１２ｂおよび可動部２０に適宜分布するように多数設
けられている。なお、この気体の導入系は、洗浄液給排
系の一部を代用することも可能である。

【００４５】槽本体凹所１２ｂの底面に直角方向に上下
流体孔を穿設し、ウェーハを回転させないで処理しても
よい。また、下流体孔Ｐ１を避けた部分に支持ピン４２
を貫通させてもよい。

【００４６】本発明は前記した実施例や実施態様に限定
されず、特許請求の精神および範囲を逸脱せずに種々の
変形を含む。

【００４７】

【発明の効果】本発明の第１構成により、処理工程毎に
処理槽を設ける必要がなく、処理装置全体を小型化する
ことができる。また、狭い密閉室で流体を供給し、同時
に別の孔から排出して、ウェーハを１枚毎に処理するの
で、半導体ウェーハの径が大きくても、ウェーハ全面に
常に清浄な流体が供給され、処理むらがなく、迅速、か
つ的確な処理が行える。しかも、処理に際しては、流体
の圧力により処理槽内で半導体ウェーハが浮遊状態にな
るので、流体が半導体ウェーハの両側面にゆきわたり、
洗浄むらが一層なくなると共に、洗浄効率が極めてよい
。また、処理槽は非常に小さく構成できるので、従来の
ごとく洗浄液の溜められた洗浄槽に半導体ウェーハを浸
漬するのに比べると、洗浄槽に供給した洗浄体をむだな
く洗浄作用に供することができ、洗浄体を効率良く使用
することができる。

【００４８】第２構成により、第１構成の効果に加え、
ウェーハの回転により、洗浄むらがなお一層なくなる。

【００４９】第３構成により、第１構成の効果に加え、
凹所内を排気して真空にすることにより、真空乾燥が可
能となる。

【００５０】第４構成により、第３構成の効果に加え、
処理槽本体の狭い凹所に対し半導体ウェーハを容易、確
実に装入・取り出しが可能となる。

【００５１】第５構成により、第４構成の効果に加え、
支持ピン貫通部に残る薬液を乾燥気体で確実に除去でき
る。

【００５２】第６構成により、第３または４または５構
成の効果に加え、処理中にウェーハが回転するので、洗
浄むらがなお一層なくなる。

【００５３】第７構成により、第３または４または５構
成の効果に加え、処理槽本体上端からの流体の漏洩が確
実に阻止できる。

【００５４】第８構成により、第４構成の効果に加え、
槽本体底を貫通する支持ピンによる流体の漏洩が完全に
阻止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例たる洗浄液装置の概略側面図

【図２】第１図の概略平面図

【図３】洗浄部の平面図

【図４】洗浄部の正面図

【図５】第４図のＶ−Ｖ断面図

【図６】洗浄液給排部の要部の断面図

【符号の説明】

Ａ…ウェーハ、

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　　　半導体ウェーハを１枚毎に開口か
   ら処理槽に挿入して該開口を密閉した後に、前記半導体
   ウェーハの上下面に向けて流体を噴出し、該噴出の力に
   より前記半導体ウェーハを浮遊させながら処理をおこな
   い、該処理と同時に前記処理槽から前記流体を排出する
   ことを特徴とする半導体ウェーハの表面処理方法。
2. 【請求項２】　　　　半導体ウェーハを１枚毎に開口か
   ら処理槽に挿入して該開口を密閉した後に、前記半導体
   ウェーハの上下面に向けて流体を噴出し、該噴出の力に
   より前記半導体ウェーハを浮遊させるとともに、ウェー
   ハ中央を略中心にして回転させながら処理をおこない、
   該処理と同時に前記処理槽から前記流体を排出すること
   を特徴とする半導体ウェーハの表面処理方法。
3. 【請求項３】　　　　側壁の内面が鉛直軸線を持つ円筒
   面となり、かつ、下端付近に開口を持ち、底壁の上面に
   前記円筒面とほぼ同心でそれより小なる円形凹所を持ち
   、該凹所内に連通した複数の下流体孔が設けられてなる
   耐食性処理槽本体と、該本体の前記円筒面にピストン状
   に密に摺動自在に嵌挿されて、前記本体底壁に圧接して
   前記凹所による密閉室を構成し、かつ、該密閉室内に連
   通した複数の上流体孔が設けられてなる耐食性可動壁と
   、該可動壁の駆動手段と、前記流体孔に接続された流体
   給排手段とを含むことを特徴とする半導体ウェーハの表
   面処理装置。
4. 【請求項４】　　　　前記凹所に挿入された半導体ウェ
   ーハを略水平状態で支持するように、前記本体底壁を鉛
   直に流体密に貫通した３本以上の支持ピンと、該支持ピ
   ンの昇降手段とを含むことを特徴とする請求項３記載の
   半導体ウェーハの表面処理装置。
5. 【請求項５】　　　　側壁の内面が鉛直軸線を持つ円筒
   面となり、かつ、下端付近に開口を持ち、底壁の上面に
   前記円筒面とほぼ同心でそれより小なる円形凹所を持ち
   、該凹所内に連通した複数の下流体孔が設けられてなる
   耐食性処理槽本体と、該本体の前記円筒面にピストン状
   に密に摺動自在に嵌挿されて、前記本体底壁に圧接して
   前記凹所による密閉室を構成し、かつ、該密閉室内に連
   通した複数の上流体孔が設けられてなる耐食性可動壁と
   、該可動壁の駆動手段と、前記凹所に挿入された半導体
   ウェーハを略水平状態で支持するように、前記本体底壁
   を鉛直に流体密に貫通した３本以上の支持ピンと、該支
   持ピンの上部を上下摺動自在に貫通させて前記槽本体の
   流体孔の内側に固定された第１流路部材と、前記支持ピ
   ンの下端付近に固定された第２流路部材と、該第２流路
   部材に外嵌された短円筒状の昇降部本体と、該昇降部本
   体の上端と前記槽本体の流体孔周縁付近との間に設けら
   れた耐食性第２ベローズと、前記３個以上の昇降部本体
   の全部にわたって固定された連結部材と、該連結部材に
   接続された昇降手段と、前記可動壁の流体孔および前記
   昇降部本体の下端に各々接続された流体給排手段とを含
   むことを特徴とする半導体ウェーハの表面処理装置。
6. 【請求項６】　　　　前記上流体孔および下流体孔の各
   々の少なくとも一部は、流体噴出による前記半導体ウェ
   ーハの円周方向分力が生ずるように、前記凹所底面に対
   し傾斜していることを特徴とする請求項３または４また
   は５記載の半導体ウェーハの表面処理装置。
7. 【請求項７】　　　　前記可動壁の周縁部と前記処理槽
   本体の上端との間に耐食性第１ベローズが接続され、か
   つ、前記本体の上端に蓋が密に取付けられたことを特徴
   とする請求項３または４または５記載の半導体ウェーハ
   の表面処理装置。
8. 【請求項８】　　　　前記支持ピンの下端付近と前記本
   体底の貫通孔周縁付近との間に設けられた耐食性第２ベ
   ローズとを含むことを特徴とする請求項４記載の半導体
   ウェーハの表面処理装置。