JP4682294B2 - 電気接続パッド金属保護層を備える半導体パッケージ基板構造及びその製法 - Google Patents
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Description
方向へと進歩している。現在のプリント回路基板又はICパッケージ基板の工程は、導線幅(Line width)、導線間隔(Space)、アスペクト比(Aspect ratio)などが従来の100μm以上のラインサイズから約30μmまで縮小され、さらに細いラインを精度よく得ることに向けて研究開発が行われている。
くエッチングできる伝統的なエッチング法が用いられている。図1−A及び図1−Bに示すように、絶縁層10の表面上に金属層11が形成される。続いて前記金属層11の上にレジスト層(マスク層)12がコーティング(塗布)され、さらにウェットエッチング法(wet etching)を利用し、強酸又は強アルカリのエッチング液13(Etchant)の拡散作用(diffusion)とエッチングされる金属層11の表面分子が行う化学反応によって、エッチングによ
る除去が完成される。そして、エッチングが高速であることと使用コストが低いことのほかに、さらに、このようなサブストラクティブ法(減成法、Subtractive)には、エッチ
ング後の電気伝導層の厚み均一性(Uniformity)が比較的高いというメリットがある。また、前記エッチング法は前記エッチング液13と特定材料との化学反応によるものであるため、そのエッチングの選択性(Selectivity)は他の方法よりも優れ、エッチングしたく
ないその他の材料を除去するには至らない。しかし、このようなウェット式エッチングは、等方性(Isotropic)のエッチングであるため、下向きにエッチングした場合、図1−
Bに示すようなアンダーカット(Undercut)現象14を引き起こし、工程の精度に影響を及ぼす。このウェットエッチング法の質量輸送(Mass transport)の精度の制限により、そのエッチングにおける導線サイズを小さくしていくことは難しい。
スパッタリング・エッチング(Sputtering etching)又はプラズマ・エッチング(Plasma
etching)を問わず、そのエッチング特性に異方性(Anisotropic)があり、やや細いも
のでもエッチング精度を得ることができ、且つ導線の幅(サイズ)を縮小することができる。しかし、1分間に数ナノメートル(nm)しかエッチングできないという低速度のため
、チップが薄めの半導体チップにしか適用されず(適さず)、比較的厚い(5〜30μm)パッケージ基板の場合には、ドライ・エッチング法にかかる時間が長く、またコストも高く、需要に満たないことは明らかである。また、ドライ・エッチング法は、イオンが前記エッチングされる表面に連続的にぶつかることによる物理的エッチング法であり、そのエッチング選択性は理想的ではない。したがって、全工程において、ドライ・エッチング法によってパッケージ基板を製造すると、導電層が汚染される問題も起きうる。
のである。さらに、この方法は、フルアディティブ法(Fully-additive)及びセミアディティブ法(Semi-additive)の2種類の製法(工程)に区分され、これら方法によりエッチング時に起こる問題を避けることができる。
図2−Aに示すように、まず、コア(core)回路基板20は、多数のパターン化済みの回路層21、2つの回路層21の間に位置する絶縁層22、前記回路層21の間の電気的接続部分(interconnection)の電気メッキのスルーホール23を備える。
図2−Cに示すように、続いて、前記有機絶縁層24において、一部の回路層21が見えるように、複数の開孔240がパターン化された上で形成され、さらに前記有機絶縁層24の表
面に無電解メッキ銅薄層25が形成される。
導電ラインである。
半導体パッケージの表面上には、銅からなる多数の導電ラインが形成されており、また、半導体パッケージの表面の一部には電気信号あるいは電気出力を伝達するための電気接続パットが形成されている。同時に、前記電気接続パッドの外部に露出した表面は、一般的にニッケル/金(Ni/Au)などの金属層から形成されており、前記電気接続パッドと、金線、凸ブロック、ハンダボール、チップ又は回路基板などの導電素子との電気的カップリングを有効に行えるようにして、外部環境(周辺環境)の影響による前記電気接続パッド本体の酸化を避けることもできる。
ッケル/金の金属層内に包まれている(含まれている)電気接続パッド(通常は金属銅)
の周辺環境の影響による酸化が起こりにくくなり、凸ブロック、プレ・ソルダ又はハンダボール等の電気接続パッドに埋設された電気的接続部分の品質を高めることができる。
面にわたって形成されているため、ラインのパターン・メッキ(Pattern plating)工程
が完了した後、エッチング(Etching)をして除去し、その後、前記電気メッキライン層
が周辺(外部)の環境汚染の影響を受けないように保護するために、回路の表面にレジスト剤(絶縁ペイント〔緑色のペイント〕)を形成する工程を行い、且つニッケル/金(Ni/
Au)の金属層を形成したい電気接続パッドの表面である金属層表面が、前記ソルダーマスク層の開孔から露出するようにする。そして、それまでの工程で、電気メッキ導電用の無電解メッキ銅薄層はすでに取り除かれているため、通常は無電解(Electro-less)メッキ方式、即ち外来の電圧による駆動力(Driving force)を用いない方法によりニッケル/金(Ni/Au)の金属層を形成しなければならない。
来の方法を示したものである。
表面に沈積させる方法が示される。すなわち、必要とする前工程を終えてパターン化したライン層27のパッケージ基板200の表面上に、プリント(Printing)又は絶縁インク(緑
色のペイント)のようなコーティング(Coating)を利用して、ソルダーマスク(Solder mask)層28を形成する。そして、前記パッケージ基板200の表面におけるライン層27には
複数の電気接続パッド270が含まれるので、前記ソルダーマスク層28に前記電気接続パッ
ド270の対応箇所に開孔280を形成することで、前記電気接続パッド270が露出するように
する。
ッケル/金の金属層29を前記ソルダーマスク層の開孔280から露出している前記電気接続パッド270の表面に沈積させる。
電用の無電解銅薄層を提供するために、電気メッキパターン化ラインはラインパターン化の完成後すぐに除去、すなわち、電気メッキの通電用である無電解銅層がすでに除去されているため、その後形成したいニッケル/金の金属層は無電解方法のメッキ法を採用して
形成する必要がある。また、一般的に用いられている化学析出法によるニッケル/金の金
属層を形成する工程で用いられる液体は、前記パッケージ基板の表面に形成されるソルダーマスク層に対して腐食を促進してしまうので、ソルダーマスク層の剥離(Peeling)、
電気接続パッド上のニッケル/金の金属層の汚染などの信頼性を低下させる問題が生ずる
。
に鑑み、チップキャリア(Chip carrier)としての半導体パッケージ基板は、高密度の電気接続パッドを備えていることが好ましく、そうすることによって、基板の上に載せるチップが、基板と良好且つ完全な電気接続を形成することができ、高集積化のチップがフルに機能して特性を発揮できることになる。
結果、ソルダーマスク層に形成される開孔は非常に小さくなってしまうので、前記接続パッドの露出部分も少なくなってしまう。したがって、ニッケル/金の化学析出過程において、流体の対流が乏しくなり、さらには、ニッケル粒子の物質移動(Mass transfer)が
不十分となり十分にニッケルによるメッキができなくなる。そして、ニッケル金属層が、析出した金上に浸漬(Immersed)によりうまくメッキすることができなくなった結果、電気メッキにムラが生じたり、前記接続パッドの表面が粗くなってしまい、緻密なニッケル/金の金属層が形成することができなくなってしまう。
使用するための液体が、前記パッケージ基板表面のソルダーマスク層に対して腐食性の影響を与える問題、ソルダーマスク層の剥離の問題、及び電気接続パッド上のニッケル/金
の金属層の汚染等信頼性を低下させる問題を招くことを防止する、電気接続パッド金属保護層を備える半導体パッケージ基板構造及びその製法を提供することを目的とする。
性が悪いことで、ニッケル粒子の質量輸送(Mass transfer)が悪くなり、十分なメッキ
ができなくなる現象が起こり、その後、金がニッケル金属層の上にうまく浸漬(Immersed)できなくなり、そのため、メッキのむらが現れ、あるいは前記電気接続パッド表面が過度に粗くなり、緻密(Dense)なニッケル/金の金属層等が形成できない問題が起こることを防止する、電気接続パッド金属保護層を備える半導体パッケージ基板構造及びその製法を提供することを目的とする。
本発明に係る電気接続パッド金属保護層を備える半導体パッケージ基板構造は、
絶縁層下部に被覆されていた内層回路に電気的に接続をするように複数の導電ブラインドホールを形成した少なくとも1つの絶縁層と、
少なくとも1つの電気接続パッドが前記導電ブラインドホールに電気的に接続される、複数の電気接続パッドを含む、電気メッキで前記絶縁層上に形成された導電膜からなる少なくともひとつのパターン回路層と、
前記電気接続パッドの上表面を完全に被覆する少なくともひとつのバリア金属層とを備えることを特徴とする。
本発明においては、前記パッケージ基板が、フリップチップ式パッケージ基板、又はワイヤボンディング式パッケージ基板のいずれか1つであることを特徴とすることが好ましい。
ウム/金からなる群から選ばれるいずれか1つからなることを特徴とすることが好ましい
。
前記絶縁層とブラインドホールの表面に導電膜を形成するステップと、
前記導電膜上に第一レジスト層を形成し、一部の導電膜を露出させるための多数の開口を前記第一レジスト層に形成することステップと、
電気メッキ工程を行い、前記第一レジスト層の開口に複数の電気接続パッドを含むパターン回路層を形成するとともに、絶縁層のブラインドホールに導電ブラインドホールを形成し、且つ少なくとも1つの該電気接続パッドは、前記導電ブラインドホールと電気接続さ
せるステップと、
電気接続パッド以外のパターン回路層を被覆する第二レジスト層を形成し、前記電気接続パッドを第二レジスト層から露出させるステップと、
さらに電気メッキ工程を行うことで、前記接続パッド上にバリア金属層を形成するステップと、
第二レジスト層、第一レジスト層及び前記第一レジスト層の下に被覆した導電膜を除去するステップとを備えることを特徴とする。
絶縁層中に複数のブラインドホールを形成することで、絶縁層の下部に被覆されている内層回路を露出させる絶縁層を提供するステップと、
前記絶縁層及びブラインドホールの表面に導電膜を形成するステップと、
前記導電膜上にレジスト層を形成し、一部の導電膜を露出させるための多数の開口を前記レジスト層に形成するステップと、
電気メッキ工程を行い、前記レジスト層の開口に複数の電気接続パッドを形成し、且つ前記絶縁層のブラインドホールに導電ブラインドホールを形成し、前記電気接続パッドを前記導電ブラインドホールと電気接続するステップと、
さらに電気メッキ工程を行うことで、前記接続パッド上にバリア金属層を形成するステップと、
前記レジスト層及び前記レジスト層の下に被覆した導電膜を除去するステップとを備えることを特徴とする。ここで、前記レジスト層の開口は、前記絶縁層のブラインドホールの位置に対応する。
本発明に係る半導体パッケージ基板構造の製法においては、前記パッケージ基板が、フリップチップ式パッケージ基板、又はワイヤボンディング式パッケージ基板のいずれか1つであることを特徴とすることが好ましい。
、パラジウム/金及びニッケル/パラジウム/金からなる群より選ばれるいずれか1つから
なる金属からなる金属層であることを特徴とすることも好ましい。
上記工程を通して、本発明は電気接続パッド金属保護層を備える半導体パッケージ基板構造を提供し、前記基板は主に、絶縁層の下に形成された被覆されている内層回路に電気的に接続する複数の導電ブラインドホールを形成した少なくともひとつの絶縁層と、電気めっきで前記絶縁層上に形成された導電膜とを含み、さらに、該基板は複数の電気接続パッドを含み、少なくとも1つの前記電気接続パッドが、前記導電ブラインドホールに電気接続される少なくともひとつのパターン回路層と、前記電気接続パッドの上表面を完全に被覆する少なくともひとつのバリア金属層とを備えることを特徴とする。
工程に代わり上記電気メッキ工程を行うことで、無電解メッキ工程で用いる液体の前記パッケージ基板表面のソルダーマスク層に対する腐食性の影響により、ソルダーマスク層の剥離及び電気接続パッド上のニッケル/金の金属層の汚染等信頼性が低下する問題を招く
ことを防止する。さらに、ファイン回路形成工程での液体の対流が悪くなるため、十分なメッキができなくなる現象が起こって、その後金がニッケル金属層上にうまく浸漬(Immersed)できなくなり、そのため、メッキのむらが現れ、又は前記電気接続パッド表面が過度に粗くなり、緻密(Dense)なニッケル/金の金属層等が形成できない問題が起こることを防止する。
パッケージ構造の信頼性を効果的に向上することができる。また、従来は、電気メッキ方法を利用して、前記電気接続パッド表面のバリア金属層を形成しているが、従来の電気メッキ方法は、パッケージ基板表面に別に電気メッキ導線を敷設して、前記電気メッキ導線を介して電気接続パッド上に導電していたが、該工程においては、それらの電気メッキ導線の設置により、パッケージ基板上の有効な配線面積が大幅に減少し、且つ前記電気めっき導線の敷設により、ノイズの干渉等の問題が派生していたが、本発明では係る問題を解決できる。
図3−Aに示すように、まず、誘電絶縁層30を供給して、さらに前記絶縁層30に複数のブラインドホール301を形成して前記絶縁層の下部に被覆されている内層回路30aを露出させる。そして、前記絶縁層30及びブラインドホール301の表面に導電膜31を形成する。前記絶縁層30は、例えばエポキシ樹脂(Epoxy resin)、ポリイミド(Polyimide)、シアン酸エステル(Cyanate Ester)、グラスファイバー(Glass fiber)、ABF(Ajinomoto Build-up Film、味の素(株)社製造)、ビスマレイミドトリアジン(BT , Bismaleimide Triazine)又はエポキシ樹脂とガラスファイバー(FR5)を混合した材質等により構成することができる。前記導電膜31は、主に後述の金属層(パターン化回路層と電気接続パッド上のバリア金属層とを含む)の電気めっきに必要な電流伝導経路とされるもので、金属、合金又は積層した数層の金属層から構成され、該金属層は、銅、スズ、ニッケル、クロム、チタン、銅-クロム合金からなる群より選ばれる金属から選択して形成することができる。前記導電膜31は、物理蒸着法(PVD)、化学蒸着法(CVD)、無電解メッキ又は化学積層等の方法によって形成することができ、より具体的には、例えば、スパッタリング法(Sputtering)、蒸着法(Evaporation)、アーク蒸着法(Arc vapor deposition)、イオンビームスパッタリング法(Ion beam sputtering)、レーザアブレーション積層法(Laser ablation deposition)、プラズマ促進の化学蒸着法又は無電解メッキ法等の方法によって形成することができる。これらの中でも、実際の操作の経験によれば、前記導電膜31は、無電解メッキ法により得られる銅粒子によって構成されることが好ましい。また、前記絶縁層30は、多層の回路層を有する基板表面に形成され、前記基板は必要な前工程を完了していてもよい。例えば、多数のスルホール(PTH)又はブラインドホール等がその中に形成され、重なった層の間の回路(図示せず)に電気を導電させておくことができる。
の導電膜31を露出させる。
電気接続パッド330の下方に形成することができ、又は前記パターン回路層33の導線に
より、前記電気接続パッド330を前記内層回路30aに電気接続することができる。
以外のパターン回路層33に形成する。前記第二レジスト層34は、例えばドライフィルム又は液状のフォトレジスト等のフォトレジスト層(Photoresist)であってもよい。そして
、露光(Exposure)及び現像(Development)等のパターン工程によって、前記第一レジ
スト層34が複数の開口320を形成できるようにし、これら一連の操作により電気接続パッ
ド330を露出させる。前記第二レジスト層34の材質は、前記第一レジスト層の材質と同様
のものであっても良い。
ア金属層に用いる金属としては、金、ニッケル、パラジウム、銀、スズ、ニッケル/パラ
ジウム、クロム/チタン、ニッケル/金、パラジウム/金又はニッケル/パラジウム/金等を
挙げることができ、バリア金属層としては、電気メッキで得られるニッケル/金を用いた
金属層が理想的である。このニッケル/金を用いた金属層は、まず、一層のニッケル351を電気めっきして、その上に一層の金352を(図3−Fに示すように)電気めっきして得る
ことができる。前記ニッケル/金からなる金属を前記導電膜31を通して、各電気接続パッ
ド330の表面全体に電気めっきすることで、前記電気接続パッド330の上表面をバリア金属層35で完全に被覆することができる。当然ではあるが、本発明に係るバリア金属材料の選択においては、前記のニッケル及び金は、金属の組合せの1つにすぎず、例えば、金を電気接続パッドの露出した表面に直接電気めっきすることで、前記バリア金属層を簡単に代替することができる。これら代替なども、全て本発明の範囲に含まれるものとする。
が完成する。
その後、図3−Iに示すように、前記パッケージ基板表面に、例えば、絶縁インク(緑色のペイント)から構成されたソルダーマスク層(Solder mask)36を被覆し、前記パッ
ケージ基板を外部の環境汚染による破壊から保護する。前記ソルダーマスク層36は、複数の開孔360を形成し、前記電気めっきを完了したバリア金属層35の電気接続パッドがソル
ダーマスク層の開孔360から露出できるようにする。
る導電ブラインドホール302を介して前記内層回路30aに電気接続できる。続いて、前記
電気接続パッド上に電気メッキしてバリア金属層を形成する工程において、前記基板表面のみに電気接続パッドを形成することで、第二レジスト層の部分を被覆しなくても、直接電気メッキ工程が行える。これら工程を行うことにより、これら電気接続パッドの露出した表面をバリア金属層で完全に被覆することができる。
ワイヤ)が効果的に前記電気接続パッドにボンディング及び電気接続することができるようにする。続いて、パッケージテープ46によって、前記半導体チップ43とワイヤ44とを包んだ後、前記基板40における電気接続パッド402上に多数のハンダボール47を埋め込む。
前記電気接続パッド402の表面にも、バリア金属層が被覆され、前記ハンダボール47が効
果的に前記電気接続パッドにボンディング及び電気接続することができるようにする。これら一連の作業により、前記ラジエータフィンを統合的に備える半導体パッケージ部材を完成する。
導体パッケージ部材の断面イメージ図である。
ィング式(Wire bonding)半導体パッケージ部材50に応用することができる。すなわち、ワイヤボンディング式基板51を供給して、さらに少なくともひとつの半導体チップ52を前記基板51に設置した後、多数のワイヤ53を利用して、前記チップ52を前記基板51の電気接続パッド54上に電気接続する。前記ワイヤ53と電気的に接続される前記電気接続パッド54の表面は、バリア金属層55、例えばニッケル/金の金属層で完全に被覆され、前記ワイヤ53(通常は金のワイヤ)が効果的に前記電気接続パッド54上にボンディングされる。
周囲の環境の影響を受けて錆びたりすることを保護するだけでなく、効果的な前記金属バンプ63と電気接続パッド64とのボンディングをする。
13:エッチング液、 14:アンダーカット、 20:核心回路板、
21:回路層、 22:電気めっき貫通穴、 25:無電解銅
26:レジスト層、 27、33:ライン層、 28、36:ソルダーマスク層、
29:ニッケル/金の金属層、 30a:内層回路、 31:導電膜、
32:第一レジスト層、 34:第二レジスト層、
35、45、55、65:バリア金属層、 40、200:基板、 41、240、280:開
孔、
42:ラジエータフィン、 43、52、62:半導体チップ、
44、53:ワイヤ、 46:パッケージテープ、 47:ハンダボール、
50:ワイヤボンディング式半導体パッケージ部材、
51:ワイヤボンディング式基板、 54、270、330、401、402:電気接続パッド、
60:フリップチップ式半導体パッケージ部材、 61:フリップチップ式基板、
63:金属バンプ、 260:開口、 301:ブラインドホール、
302:導電ブラインドホール、 320:第一レジスト層の開口、
351:ニッケル金属層、 352:金金属層、
360:ソルダーマスク層の開孔
Claims (17)
- 電気接続パッド金属保護層を備える半導体パッケージ基板構造であって、
絶縁層下部に被覆されていた内層回路に電気的に接続をするように複数の導電ブラインドホールを形成した少なくとも1つの絶縁層と、
複数の電気接続パッドを含む、電気メッキで前記絶縁層上に形成された導電膜からなる少なくとも1つのパターン回路層と、
前記電気接続パッドの上表面を完全に被覆する少なくとも1つのバリア金属層と、
前記パターン回路層と前記バリア金属層を被覆し、且つ、前記バリア金属層の一部を露出させるように、前記基板表面に形成され、複数の開孔を有するソルダーマスク層と、
を備え、
少なくとも1つの前記電気接続パッドが前記導電ブラインドホールに電気的に接続されることを特徴とする電気接続パッド金属保護層を備える半導体パッケージ基板構造。 - 前記絶縁層が、多層の回路基板の表面に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の電気接続パッド金属保護層を備える半導体パッケージ基板構造。
- 前記パッケージ基板が、フリップチップ式パッケージ基板、又はワイヤボンディング式パッケージ基板のいずれか1つであることを特徴とする請求項1に記載の電気接続パッド金属保護層を備える半導体パッケージ基板構造。
- 前記電気接続パッドが、バンプパッドであることを特徴とする請求項1に記載の電気接続パッド金属保護層を備える半導体パッケージ基板構造。
- 前記電気接続パッドが、はんだボールパッドであることを特徴とする請求項1に記載の電気接続パッド金属保護層を備える半導体パッケージ基板構造。
- 前記電気接続パッドが、ワイヤボンディングパッドであることを特徴とする請求項1に記載の電気接続パッド金属保護層を備える半導体パッケージ基板構造。
- 前記バリア金属層が、金、ニッケル、パラジウム、銀、スズ、ニッケル/パラジウム、クロム/チタン、ニッケル/金、パラジウム/金、及びニッケル/パラジウム/金からなる群から選ばれるいずれか1つからなることを特徴とする請求項1に記載の電気接続パッド金属保護層を備える半導体パッケージ基板構造。
- 電気接続パッド金属保護層を備える半導体パッケージ基板構造の製法であって、
絶縁層中に複数のブラインドホールを形成することで、絶縁層下部に被覆されている内層回路を露出させる絶縁層を提供するステップと、
前記絶縁層及びブラインドホールの表面に導電膜を形成するステップと、
前記導電膜上に第一レジスト層を形成し、一部の導電膜を露出させるための多数の開口を前記第一レジスト層に形成するステップと
電気メッキ工程を行い、前記第一レジスト層の開口に複数の電気接続パッドを含むパターン回路層を形成するとともに、絶縁層のブラインドホールに導電ブラインドホールを形成し、且つ少なくとも1つの該電気接続パッドは、前記導電ブラインドホールと電気的に接続させるステップと、
電気接続パッド以外のパターン回路層を被覆する第二レジスト層を形成し、前記電気接続パッドを第二レジスト層から露出させるステップと、
さらに電気メッキ工程を行うことで、前記接続パッド上にバリア金属層を形成するステップと、
第二レジスト層、第一レジスト層及び前記第一レジスト層の下に被覆した導電膜を除去するステップと、
前記基板表面にソルダーマスク層を形成し、さらに複数の開孔を前記ソルダーマスク層に形成して前記バリア金属層の一部を露出させるステップと、
を備えることを特徴とする電気接続パッド金属保護層を備える半導体パッケージ基板構造の製法。 - 電気接続パッド金属保護層を備える半導体パッケージ基板構造の製法であって、
絶縁層中に複数のブラインドホールを形成することで、絶縁層の下部に被覆されている内層回路を露出させる絶縁層を提供するステップと、
前記絶縁層及びブラインドホールの表面に導電膜を形成するステップと、
前記導電膜上にレジスト層を形成し、一部の導電膜を露出させるための多数の開口を前記レジスト層に形成するステップと、
電気メッキ工程を行い、前記レジスト層の開口に複数の電気接続パッドを形成し、且つ前記絶縁層のブラインドホールに導電ブラインドホールを形成し、前記電気接続パッドを、前記導電ブラインドホールと電気的に接続するステップと、
さらに電気メッキ工程を行うことで、前記接続パッド上にバリア金属層を形成するステップと、
前記レジスト層及び前記レジスト層の下に被覆した導電膜を除去するステップと、
前記基板表面にソルダーマスク層を形成し、さらに複数の開孔を前記ソルダーマスク層に形成して前記バリア金属層の一部を露出させるステップと、
を備えることを特徴とする電気接続パッド金属保護層を備える半導体パッケージ基板構造の製法。 - 前記絶縁層が、多層の回路層基板の表面に形成されることを特徴とする請求項8又は9に記載の電気接続パッド金属保護層を備える半導体パッケージ基板構造の製法。
- 前記パッケージ基板が、フリップチップ式パッケージ基板、又はワイヤボンディング式パッケージ基板のいずれか1つであることを特徴とする請求項8又は9に記載の電気接続パッド金属保護層を備える半導体パッケージ基板構造の製法。
- 前記電気接続パッドが、バンプパッドであることを特徴とする請求項8又は9に記載の電気接続パッド金属保護層を備える半導体パッケージ基板構造の製法。
- 前記電気接続パッドが、はんだボールパッドであることを特徴とする請求項8又は9に記載の電気接続パッド金属保護層を備える半導体パッケージ基板構造の製法。
- 前記電気接続パッドが、ワイヤボンディングパッドであることを特徴とする請求項8又は9に記載の電気接続パッド金属保護層を備える半導体パッケージ基板構造の製法。
- 前記バリア金属層が、金、ニッケル、パラジウム、銀、スズ、ニッケル/パラジウム、クロム/チタン、ニッケル/金、パラジウム/金及びニッケル/パラジウム/金からなる群より選ばれるいずれか1つからなる金属からなる金属層であることを特徴とする請求項8又は9に記載の電気接続パッド金属保護層を備える半導体パッケージ基板構造の製法。
- 前記第一及び第二レジスト層が、ドライフィルム又は液状のフォトレジストかのいずれかから構成されることを特徴とする請求項8に記載の電気接続パッド金属保護層を備える半導体パッケージ基板構造の製法。
- 前記レジスト層の開口が、前記絶縁層のブラインドホールの位置に対応することを特徴とする請求項9に記載の電気接続パッド金属保護層を備える半導体パッケージ基板構造の製法。
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