JP4638456B2 - ラッチアップ防止を有する調整可能なボディバイアス生成回路網 - Google Patents
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- 230000002265 prevention Effects 0.000 title claims description 72
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 88
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 84
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 84
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 76
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 7
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 23
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 102000004213 Neuropilin-2 Human genes 0.000 description 9
- 108090000770 Neuropilin-2 Proteins 0.000 description 9
- 102000004207 Neuropilin-1 Human genes 0.000 description 7
- 108090000772 Neuropilin-1 Proteins 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 238000011960 computer-aided design Methods 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 238000012938 design process Methods 0.000 description 1
- 230000008713 feedback mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002085 persistent effect Effects 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
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-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/085—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only
- H01L27/088—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate
- H01L27/092—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate complementary MIS field-effect transistors
- H01L27/0921—Means for preventing a bipolar, e.g. thyristor, action between the different transistor regions, e.g. Latchup prevention
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/003—Modifications for increasing the reliability for protection
- H03K19/00315—Modifications for increasing the reliability for protection in field-effect transistor circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K2217/00—Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
- H03K2217/0018—Special modifications or use of the back gate voltage of a FET
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
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Description
本発明は、ラッチアップ防止能力を有するボディバイアス生成回路網を用いて、調整可能なトランジスタボディバイアス信号を提供することに関する。
本発明に従うと、プログラマブルロジックデバイス集積回路のような集積回路で、ボディバイアス生成回路網を含む集積回路が提供される。この集積回路は、ボディバイアス端子を有する金属酸化物半導体トランジスタを含む。ボディバイアス生成回路網は、ボディバイアス経路上にボディバイアス信号を生成する。このボディバイアス経路は、ボディバイアス信号をボディ端子に分配する。
(項目1)
pチャネル金属酸化物半導体トランジスタであって、該pチャネル金属酸化物半導体トランジスタのそれぞれが、ボディバイアス経路を介してボディバイアス信号を受けるボディ端子を有する、pチャネル金属酸化物半導体トランジスタと、
該ボディバイアス信号を該ボディバイアス経路に供給する調整可能なpチャネル金属酸化物半導体ボディバイアス生成回路網であって、該調整可能なpチャネル金属酸化物半導体トランジスタボディバイアス生成回路網は、
高電力供給端子と該ボディバイアス経路との間に結合されたpチャネル制御トランジスタと、
該pチャネル金属酸化物半導体トランジスタがラッチアップするのを防止するために、該ボディバイアス経路に接続された能動ラッチアップ防止回路と
を含む、調整可能なpチャネル金属酸化物半導体トランジスタボディバイアス生成回路網と
を備える、集積回路。
(項目2)
上記集積回路は、プラスの電力供給信号、該プラスの電力供給信号より大きい高電力供給信号、および、接地電力供給信号を該集積回路に供給する入出力ピンをさらに備え、
該高電力供給信号は、上記高電力供給端子に提供され、
上記調整可能なpチャネル金属酸化物半導体ボディバイアス生成回路網は、該電力供給信号をモニタし、潜在的なラッチアップ条件が存在するときと、潜在的なラッチアップ条件が存在しないときとを判断し、
該調整可能なpチャネル金属酸化物半導体ボディバイアス生成回路内の上記pチャネル制御トランジスタは、上記ボディバイアス経路上のボディバイアス信号を調整するために制御されるゲート制御信号を受けるゲートを有し、
上記ラッチアップ防止回路は、該ボディバイアス経路と、該プラスの電力供給信号が該入出力ピンの1つから受けられるプラスの電力供給端子との間に結合されたpチャネルラッチアップ防止トランジスタを有する、項目1に記載の集積回路。
(項目3)
上記調整可能なpチャネル金属酸化物半導体ボディバイアス生成回路網は、
制御信号に応答する調整可能な分圧器であって、該調整可能な分圧器は、上記ボディバイアス経路に結合され、該制御信号および該ボディバイアス経路上の上記ボディバイアス信号によって決定されるフィードバック電圧が生成されるノードを含む、調整可能な分圧器
をさらに備える、項目2に記載の集積回路。
(項目4)
上記調整可能なpチャネル金属酸化物半導体ボディバイアス生成回路網は、
構成データがロードされ、対応する静的制御信号を生成するプログラマブル素子と、
該プログラマブル素子からの該静的制御信号によって制御される複数のトランジスタを含む調整可能な分圧器であって、該調整可能な分圧器は、上記ボディバイアス経路に結合され、フィードバック電圧が生成されるノードを含み、該フィードバック電圧は、該ボディバイアス経路上の上記ボディバイアス信号によって決定される大きさを有し、該大きさは、該複数のトランジスタのうちの該静的制御信号によってオンおよびオフされるトランジスタによって決定される、調整可能な分圧器と
をさらに備える、項目2に記載の集積回路。
(項目5)
上記調整可能なpチャネル金属酸化物半導体ボディバイアス生成回路網は、
上記ボディバイアス経路からの調整可能なフィードバック信号を受け、それに応答して上記制御トランジスタに対する上記ゲート制御信号を生成する、演算増幅器
をさらに備える、項目2に記載の集積回路。
(項目6)
上記調整可能なpチャネル金属酸化物半導体ボディバイアス生成回路網は、
上記pチャネル制御トランジスタと上記ボディバイアス経路との間に結合された絶縁トランジスタ
をさらに備える、項目2に記載の集積回路。
(項目7)
上記調整可能なpチャネル金属酸化物半導体ボディバイアス生成回路網は、
上記pチャネル制御トランジスタと上記ボディバイアス経路との間に結合されたpチャネル絶縁トランジスタと、
制御回路網と
をさらに備え、該制御回路網は、上記電力供給信号をモニタし、上記潜在的なラッチアップ条件が存在するとき、高い制御信号を生成し、該pチャネル絶縁トランジスタをオフにし、該潜在的なラッチアップ条件が存在しないとき、低い制御信号を生成し、該pチャネル絶縁トランジスタをオンにする、項目2に記載の集積回路。
(項目8)
上記pチャネル制御トランジスタは、ボディ端子を有し、
上記調整可能なpチャネル金属酸化物半導体ボディバイアス生成回路網は、該pチャネル制御トランジスタの該ボディ端子に接続される出力を有する制御回路網をさらに備える、項目2に記載の集積回路。
(項目9)
上記pチャネル制御トランジスタは、ボディ端子を有し、
上記調整可能なpチャネル金属酸化物半導体ボディバイアス生成回路網は、該pチャネル制御トランジスタの該ボディ端子に接続される出力を有する制御回路網をさらに備え、
上記潜在的なラッチアップ条件が存在するとき、該ボディ端子に接続された該制御回路網の出力には、該制御回路網によって上記プラスの電力供給信号が提供され、該潜在的なラッチアップ条件が存在しないとき、該ボディ端子に接続された該制御回路網の出力には、該制御回路網によって上記高電力供給信号が提供される、項目2に記載の集積回路。
(項目10)
上記調整可能なpチャネル金属酸化物半導体ボディバイアス生成回路網は、
上記pチャネル制御トランジスタと上記ボディバイアス経路との間に結合されたpチャネル絶縁トランジスタであって、該pチャネル制御トランジスタおよび該pチャネル絶縁トランジスタのそれぞれは、ボディ端子を有する、pチャネル絶縁トランジスタと、
該pチャネル制御トランジスタおよび該pチャネル絶縁トランジスタの該ボディ端子に接続される出力を有する制御回路網であって、上記潜在的なラッチアップ条件が存在するとき、該ボディ端子に接続された該制御回路網の出力には、該制御回路網によって上記プラスの電力供給信号が提供され、該潜在的なラッチアップ条件が存在しないとき、該ボディ端子に接続された該制御回路網の出力には、該制御回路網によって上記高電力供給信号が提供される、制御回路網と
をさらに備える、項目2に記載の集積回路。
(項目11)
上記調整可能なpチャネル金属酸化物半導体ボディバイアス生成回路網は、
上記pチャネル制御トランジスタと上記ボディバイアス経路との間に結合されたpチャネル絶縁トランジスタであって、該pチャネル制御トランジスタおよび該pチャネル絶縁トランジスタのそれぞれは、ボディ端子を有する、pチャネル絶縁トランジスタと、
該pチャネル制御トランジスタおよび該pチャネル絶縁トランジスタの該ボディ端子に接続される出力を有する第一の制御回路網であって、上記潜在的なラッチアップ条件が存在するとき、該ボディ端子に接続された該第一の制御回路網の出力には、該第一の制御回路網によって上記プラスの電力供給信号が提供され、該潜在的なラッチアップ条件が存在しないとき、該ボディ端子に接続された該第一の制御回路網の出力には、該第一の制御回路網によって上記高電力供給信号が提供される、第一の制御回路網と、
上記電力供給信号をモニタし、該潜在的なラッチアップ条件が存在するとき、高い制御信号を生成し、該pチャネル絶縁トランジスタをオフにし、該潜在的なラッチアップ条件が存在しないとき、低い制御信号を生成し、該pチャネル絶縁トランジスタをオンにする、第二の制御回路網と
をさらに備える、項目2に記載の集積回路。
(項目12)
上記調整可能なpチャネル金属酸化物半導体ボディバイアス生成回路網は、制御回路網
をさらに備え、
該制御回路網は、上記電力供給信号をモニタし、上記潜在的なラッチアップ条件が存在するとき、上記pチャネルラッチアップ防止トランジスタをオンにして、上記ボディバイアス経路を上記プラスの電力供給信号でクランプする低い制御信号を生成し、該潜在的なラッチアップ条件が存在しないとき、該pチャネルラッチアップ防止トランジスタをオフにする高い制御信号を生成する、項目2に記載の集積回路。
(項目13)
上記調整可能なpチャネル金属酸化物半導体ボディバイアス生成回路網は、
上記pチャネル制御トランジスタと上記ボディバイアス経路との間に結合されたpチャネル絶縁トランジスタであって、該pチャネル制御トランジスタおよび該pチャネル絶縁トランジスタのそれぞれは、ボディ端子を有する、pチャネル絶縁トランジスタと、
該pチャネル制御トランジスタおよび該pチャネル絶縁トランジスタの該ボディ端子に接続された出力を有する第一の制御回路網であって、上記潜在的なラッチアップ条件が存在するとき、該ボディ端子に接続された該第一の制御回路網の出力には、該第一の制御回路網によって上記プラスの電力供給信号が提供され、該潜在的なラッチアップ条件が存在しないとき、該ボディ端子に接続された該第一の制御回路網の出力には、該第一の制御回路網によって上記高電力供給信号が提供される、第一の制御回路網と、
第二の制御回路網であって、上記電力供給信号をモニタし、該潜在的なラッチアップ条件が存在するとき、高い制御信号を生成し、該pチャネル絶縁トランジスタをオフにし、該潜在的なラッチアップ条件が存在しないとき、低い制御信号を生成し、該pチャネル絶縁トランジスタをオンにする、第二の制御回路網と、
第三の制御回路網であって、該電力供給信号をモニタし、該潜在的なラッチアップ条件が存在するとき、上記pチャネルラッチアップ防止トランジスタをオンにして、上記ボディバイアス経路を上記プラスの電力供給信号でクランプする低い制御信号を生成し、該潜在的なラッチアップ条件が存在しないとき、該pチャネルラッチアップ防止トランジスタをオフにする高い制御信号を生成する、第三の制御回路網と
をさらに備える、項目2に記載の集積回路。
(項目14)
上記集積回路は、上記入出力ピンの1つから上記接地電力供給信号が付与される接地電力供給端子をさらに備え、
上記pチャネル制御トランジスタは、ボディ端子を有し、
上記調整可能なpチャネル金属酸化物半導体ボディバイアス生成回路網は、制御回路網をさらに備え、該制御回路網は、
上記高電力供給端子と該接地電力供給端子との間に結合された分圧器と、
第一のノードに接続され、該高電力供給端子と上記プラスの電力供給端子との間に直列結合された第一および第二のトランジスタであって、該第一のトランジスタはゲートを有する、第一および第二のトランジスタと、
該分圧器に接続されたゲートを有する第三のトランジスタであって、該第三のトランジスタは、第二のノード上の電圧を制御する、第三のトランジスタと、
該第二のノードと該第一のトランジスタの該ゲートとの間の導電経路と、
該第一のノードと該pチャネル制御トランジスタの該ボディ端子との間に接続された出力と
を有し、
上記潜在的なラッチアップ条件が存在するとき、該分圧器は、該第三のトランジスタをオフにし、該第二のノードを上記プラスの電力供給信号に取り込む第一の電圧を生成し、該第二のノード上の該プラスの電力供給信号は、該導電経路を介して該第一のトランジスタの該ゲートに伝達され、該第一のトランジスタの該ゲート上の該プラスの電力供給信号は、該第一のトランジスタをオフにする一方、該第二のトランジスタは、オンにされ、該出力を該プラスの電力供給信号に取り込み、
該潜在的なラッチアップ条件が存在しないとき、該分圧器は、該第三のトランジスタをオンにし、該第二のノードを上記接地電力供給信号に取り込む第二の電圧を生成し、該第二のノード上の該接地供電力供給信号は、該導電経路を介して該第一のトランジスタの該ゲートに伝達され、該第一のトランジスタの該ゲート上の該接地電力供給信号は、該第一のトランジスタをオンにする一方、該第二のトランジスタは、オフにされ、該出力を上記高電力供給信号に取り込む、項目2に記載の集積回路。
(項目15)
上記pチャネルラッチアップ防止トランジスタは、ゲートを備え、
上記集積回路は、上記入出力ピンの1つから上記接地電力供給信号が付与される接地電力供給端子をさらに備え、
上記調整可能なpチャネル金属酸化物半導体ボディバイアス生成回路網は、制御回路網をさらに備え、該制御回路網は、
第一のノードに接続され、上記ボディバイアス経路と上記接地電力供給端子との間に直列結合された第一の抵抗器のペアと、
第二のノードに接続され、上記プラスの電力供給端子と該接地電力供給端子との間に直列結合された第二の抵抗器のペアと、
該第一のノードに接続された第一の入力を有し、該第二のノードに接続された第二の入力を有し、比較器出力信号が提供される出力を有する比較器と、
該比較器出力信号をレベルシフトし、該pチャネルラッチアップ防止トランジスタの該ゲートに付与される制御信号を生成するレベルシフタであって、該比較器は、上記潜在的なラッチアップ条件が存在するとき、該pチャネルラッチアップ防止トランジスタをオンにして、該プラスの電力供給信号で該ボディバイアス経路をクランプする低い値の該比較器出力信号を生成し、該潜在的なラッチアップ条件が存在しないとき、該pチャネルラッチアップ防止トランジスタをオフにする高い値の該比較器制御信号を生成する、レベルシフタと
を含む、項目2に記載の集積回路。
(項目16)
上記集積回路は、上記入出力ピンの1つから上記接地電力供給信号が付与される接地電力供給端子をさらに備え、
上記調整可能なpチャネル金属酸化物半導体ボディバイアス生成回路網は、
上記pチャネル制御トランジスタと上記ボディバイアス経路との間に結合されたpチャネル絶縁トランジスタと、
制御回路網と
をさらに備え、該制御回路網は、
第一のノードに接続され、上記高電力供給端子と該接地電力供給端子との間に直列結合された第一の抵抗器のペアと、
第二のノードに接続され、上記プラスの電力供給端子と該接地電力供給端子との間に直列結合された第二の抵抗器のペアと、
該第一のノードに接続された第一の入力を有し、該第二のノードに接続された第二の入力を有し、比較器出力信号が提供される出力を有する比較器と
を含み、
上記潜在的なラッチアップ条件が存在するとき、該比較器は、該pチャネル絶縁トランジスタをオフにして、該ボディバイアス経路を該高電力供給端子から絶縁する高い値の該比較器出力信号を生成し、
該潜在的なラッチアップ条件が存在しないとき、該比較器は、該pチャネル絶縁トランジスタをオンにして、該ボディバイアス経路を該pチャネル制御トランジスタに接続する低い値の該比較器出力信号を生成する、項目2に記載の集積回路。
(項目17)
上記pチャネル制御トランジスタは、ゲートを有し、
上記調整可能なpチャネル金属酸化物半導体ボディバイアス生成回路網は、
複数の制御信号ラインと、
上記pチャネル制御トランジスタと上記ボディバイアス経路との間に結合されたpチャネル絶縁トランジスタと、
リファレンス電圧を受ける第一の入力を有し、第二の入力を有し、出力を有する演算増幅器と、
該複数の制御信号ラインを介して提供される制御信号によって制御される複数の抵抗器および複数のトランジスタを有する調整可能な分圧器であって、該調整可能な分圧器は、該ボディバイアス経路に接続され、該ボディバイアス経路上の上記ボディバイアス信号に基づき、フィードバック電圧を生成するように調整される、調整可能な分圧器と、
該フィードバック電圧を該演算増幅器の該第二の入力に伝達するフィードバック経路であって、該演算増幅器の出力は、該pチャネル制御トランジスタの該ゲートに結合される、フィードバック経路と
をさらに備える、項目2に記載の集積回路。
(項目18)
上記pチャネル制御トランジスタは、ゲートを有し、
上記調整可能なpチャネル金属酸化物半導体ボディバイアス生成回路網は、
構成データをロードされた複数のプログラマブル素子であって、該複数のプログラマブル素子は、複数の対応する静的出力信号を生成する、複数のプログラマブル素子と、
該プログラマブル素子に接続された複数の制御信号ラインと、
上記pチャネル制御トランジスタと上記ボディバイアス経路との間に結合されたpチャネル絶縁トランジスタと、
リファレンス電圧を受ける第一の入力を有し、第二の入力を有し、出力を有する演算増幅器と、
複数の抵抗器および複数のトランジスタを有する調整可能な分圧器であって、該分圧器内の該複数のトランジスタのそれぞれは、該制御ラインのうちのそれぞれの1つに接続されたゲートを有し、該制御ラインは、該静的出力信号を該分圧器内の該トランジスタの該ゲートに伝達し、該調整可能な分圧器を調整し、該調整可能な分圧器は、該ボディバイアス経路に接続され、該ボディバイアス経路上の上記ボディバイアス信号に基づき、フィードバック電圧を生成するように調整される、調整可能な分圧器と、
該フィードバック電圧を該演算増幅器の該第二の入力に伝達するフィードバック経路であって、該演算増幅器の該出力は、該pチャネル制御トランジスタの該ゲートに結合される、フィードバック経路と
をさらに備える、項目2に記載の集積回路。
(項目19)
上記pチャネル制御トランジスタは、ゲートを有し、
上記調整可能なpチャネル金属酸化物半導体ボディバイアス生成回路網は、
構成データをロードされた複数のプログラマブル素子であって、該複数のプログラマブル素子は、複数の対応する静的出力信号を生成する、複数のプログラマブル素子と、
該プログラマブル素子に接続された複数の制御信号ラインと、
上記pチャネル制御トランジスタと上記ボディバイアス経路との間に結合されたpチャネル絶縁トランジスタであって、該pチャネル制御トランジスタおよび該pチャネル絶縁トランジスタのそれぞれは、ボディ端子を有する、pチャネル絶縁トランジスタと、
リファレンス電圧を受ける第一の入力を有し、第二の入力を有し、出力を有する演算増幅器と、
複数の抵抗器および複数のトランジスタを有する調整可能な分圧器であって、該分圧器内の該複数のトランジスタのそれぞれは、該制御ラインのうちのそれぞれの1つに接続されるゲートを有し、該制御ラインは、該静的出力信号を該分圧器内の該トランジスタの該ゲートに伝達し、該調整可能な分圧器を調整し、該調整可能な分圧器は、該ボディバイアス経路に接続され、該ボディバイアス経路上の上記ボディバイアス信号に基づき、フィードバック電圧を生成するように調整される、調整可能な分圧器と、
該フィードバック電圧を該演算増幅器の該第二の入力に伝達するフィードバック経路であって、該演算増幅器の該出力は、該pチャネル制御トランジスタの該ゲートに結合される、フィードバック経路と、
該pチャネル制御トランジスタおよび該pチャネル絶縁トランジスタの該ボディ端子に接続された出力を有する制御回路網であって、上記潜在的なラッチアップ条件が存在するとき、該ボディ端子に接続された該制御回路網の出力には、該制御回路網によって上記プラスの電力供給信号が提供され、該潜在的なラッチアップ条件が存在しないとき、該ボディ端子に接続された該出力には、該制御回路網によって上記高電力供給信号が提供される、制御回路網と
をさらに備える、項目2に記載の集積回路。
(項目20)
上記pチャネル制御トランジスタは、ゲートを有し、
上記調整可能なpチャネル金属酸化物半導体ボディバイアス生成回路網は、
構成データをロードされた複数のプログラマブル素子であって、該複数のプログラマブル素子は、複数の対応する静的出力信号を生成する、複数のプログラマブル素子と、
該プログラマブル素子に接続された複数の制御信号ラインと、
上記pチャネル制御トランジスタと上記ボディバイアス経路との間に結合されたpチャネル絶縁トランジスタであって、該pチャネル制御トランジスタおよび該pチャネル絶縁トランジスタのそれぞれは、ボディ端子を有し、該pチャネル絶縁トランジスタは、ゲートを有する、pチャネル絶縁トランジスタと、
リファレンス電圧を受ける第一の入力を有し、第二の入力を有し、出力を有する演算増幅器と、
複数の抵抗器および複数のトランジスタを有する調整可能な分圧器であって、該分圧器内の該複数のトランジスタのそれぞれは、該制御ラインのうちのそれぞれの1つに接続されるゲートを有し、該制御信号ラインは、該静的出力信号を該分圧器内の該トランジスタの該ゲートに伝達し、該調整可能な分圧器を調整し、該調整可能な分圧器は、該ボディバイアス経路に接続され、該ボディバイアス経路上の上記ボディバイアス信号に基づき、フィードバック電圧を生成するように調整される、調整可能な分圧器と、
該フィードバック電圧を該演算増幅器の該第二の入力に伝達するフィードバック経路であって、該演算増幅器の該出力は、該pチャネル制御トランジスタの該ゲートに結合される、フィードバック経路と、
該pチャネル制御トランジスタおよび該pチャネル絶縁トランジスタの該ボディ端子に接続された第一の出力を有する第一の制御回路網であって、上記潜在的なラッチアップ条件が存在するとき、該ボディ端子に接続された該第一の出力には、該第一の制御回路網によって上記プラスの電力供給信号が提供され、該潜在的なラッチアップ条件が存在しないとき、該ボディ端子に接続された該第一の出力には、該第一の制御回路網によって上記高電力供給信号が提供される、第一の制御回路網と、
該pチャネル絶縁トランジスタの該ゲートに接続された第二の出力を有する第二の制御回路網であって、該潜在的なラッチアップ条件が存在するとき、該第二の出力には、該第二の制御回路網によって該プラスの電力供給信号が提供され、該pチャネル絶縁トランジスタをオフにし、該潜在的なラッチアップ条件が存在しないとき、該第二の出力には、該第一の制御回路網によって上記接地電力供給信号が提供され、該pチャネル絶縁トランジスタをオンにする、第二の制御回路網と
をさらに備える、項目2に記載の集積回路。
(項目21)
入出力ピンと、
該入出力ピンの1つからプラスの電力供給信号を受けるプラスの電力供給端子と、
該入出力ピンの1つから、該プラスの電力供給信号より大きい高電力供給信号を受けるプラスの高電力供給端子と、
pチャネル金属酸化物半導体トランジスタを含むプログラマブルロジックであって、該pチャネル金属酸化物半導体トランジスタのそれぞれは、ボディバイアス経路を介してボディバイアス信号を受けるボディ端子を有する、プログラマブルロジックと、
該高電力供給端子と該ボディバイアス経路との間に直列結合されたpチャネル制御トランジスタおよび絶縁トランジスタと
を備える、プログラマブルロジックデバイス集積回路。
(項目22)
上記ボディバイアス経路と上記プラスの電力供給端子との間に結合されたpチャネルラッチアップ防止トランジスタ
をさらに備える、項目21に記載のプログラマブルロジックデバイス集積回路。
(項目23)
上記ボディバイアス経路から調整可能なフィードバック信号を受け、該ボディバイアス経路上の該ボディバイアス信号を調整することに応じて、上記pチャネル制御トランジスタに対するゲート制御信号を生成する、演算増幅器
をさらに備える、項目21に記載のプログラマブルロジックデバイス集積回路。
(項目24)
上記pチャネル制御トランジスタは、ゲートを有し、
上記プログラマブルロジックデバイス集積回路は、
構成データをロードされたプログラマブル素子からの制御信号に応答する調整可能な分圧器であって、該調整可能な分圧器は、上記ボディバイアス経路に結合され、該制御信号および該ボディバイアス経路上の上記ボディバイアス信号によって決定されるフィードバック電圧が生成されるノードを含む、調整可能な分圧器と、
該ボディバイアス経路から該フィードバック電圧を受け、該ボディバイアス経路上の該ボディバイアス信号を調整することに応じて、該pチャネル制御トランジスタの該ゲートに付与されるゲート制御信号を生成する、演算増幅器と
をさらに備える、項目21に記載のプログラマブルロジックデバイス集積回路。
(項目25)
上記プログラマブルロジック内の上記pチャネル金属酸化物半導体トランジスタに対する潜在的なラッチアップ条件が存在するとき、高い制御信号を生成し、上記絶縁トランジスタをオフにし、該プログラマブルロジック内の該pチャネル金属酸化物半導体トランジスタに対する該潜在的なラッチアップ条件が存在しないとき、低い制御信号を生成し、該絶縁トランジスタをオンにする、制御回路網
をさらに備える、項目21に記載のプログラマブルロジックデバイス集積回路。
(項目26)
接地電力供給信号を受ける接地端子と、
プラスの電力供給信号を受けるプラスの電力供給端子と、
該プラスの電力供給信号より大きい高電力供給信号を受ける高電力供給端子と、
pチャネル金属酸化物半導体トランジスタであって、該pチャネル金属酸化物半導体トランジスタのそれぞれは、ボディバイアス経路を介してボディバイアス信号を受けるボディ端子を有する、pチャネル金属酸化物半導体トランジスタと、
該ボディバイアス経路と該プラスの電力供給端子との間に結合されたpチャネルラッチアップ防止トランジスタと、
該ボディバイアス経路に接続された絶縁トランジスタであって、該絶縁トランジスタがオフにされたとき、該ボディバイアス経路を該高電力供給端子から絶縁する、絶縁トランジスタと、
該pチャネル金属酸化物半導体トランジスタに対する潜在的なラッチアップ条件が存在するとき、高い制御信号を生成し、該絶縁トランジスタをオフにし、該pチャネル金属酸化物半導体トランジスタに対する該潜在的なラッチアップ条件が存在しないとき、低い制御信号を生成し、該絶縁トランジスタをオンにする、制御回路網と
を備える、集積回路。
(項目27)
上記絶縁トランジスタは、ゲートと、第一および第二のソース−ドレイン端子とを備え、
上記集積回路は、
ゲートと、第一および第二のソース−ドレイン端子とを有するpチャネル制御トランジスタであって、該pチャネル制御トランジスタの該第一の該ソース−ドレイン端子は、上記高電力供給端子に接続され、該pチャネル制御トランジスタの該第二の該ソース−ドレイン端子は、該絶縁トランジスタの該第一の該ソース−ドレイン端子に接続され、該絶縁トランジスタの該第二の該ソース−ドレイン端子は、上記ボディバイアス経路に接続される、pチャネル制御トランジスタ
をさらに備える、項目26に記載の集積回路。
(項目28)
上記絶縁トランジスタと上記高電力供給端子との間に結合されたpチャネル制御トランジスタであって、該pチャネル制御トランジスタは、上記ボディバイアス経路上の上記ボディバイアス信号を調節するために制御されるゲートを有し、該pチャネル制御トランジスタおよび該pチャネル絶縁トランジスタのそれぞれは、ボディ端子を有する、pチャネル制御トランジスタと、
該pチャネル制御トランジスタおよび該pチャネル絶縁トランジスタの該ボディ端子に接続された出力を有する制御回路網であって、上記潜在的なラッチアップ条件が存在するとき、該ボディ端子に接続された該制御回路網の出力には、該制御回路網によって上記プラスの電力供給信号が提供され、該潜在的なラッチアップ条件が存在しないとき、該ボディ端子に接続された該制御回路網の出力には、該制御回路網によって上記高電力供給信号が提供される、制御回路網と
をさらに備える、項目26に記載の集積回路。
(項目29)
上記潜在的なラッチアップ条件が存在するとき、上記pチャネルラッチアップ防止トランジスタをオンにして、上記ボディバイアス経路を上記プラスの電力供給信号でクランプする低い制御信号を生成し、該潜在的なラッチアップ条件が存在しないとき、該pチャネルラッチアップ防止トランジスタをオフにする高い制御信号を生成する、制御回路網
をさらに備える、項目26に記載の集積回路。
(項目30)
上記pチャネルラッチアップ防止トランジスタは、ゲートを備え、
上記集積回路は、
接地電力供給信号が入出力ピンから付与される接地電力供給端子と、
第一のノードに接続され、上記ボディバイアス経路と該接地電力供給端子との間に直列結合された第一の抵抗器のペアと、
第二のノードに接続され、上記プラスの電力供給端子と該接地電力供給端子との間に直列結合された第二の抵抗器のペアと、
該第一のノードに接続された第一の入力を有し、該第二のノードに接続された第二の入力を有し、比較器出力信号が提供される出力を有する比較器と、
該比較器出力信号をレベルシフトし、該pチャネルラッチアップ防止トランジスタの該ゲートに付与される制御信号を生成するレベルシフタと
をさらに備える、項目26に記載の集積回路。
集積回路は、ボディバイアス生成回路網が提供される。ボディバイアス生成回路網は、ボディバイアス経路上のトランジスタに提供されるボディバイアス信号を生成する。ボディバイアス生成回路網は、潜在的なラッチアップ条件が検出されたとき、安全な電圧でボディバイアス経路をクランプする能動ラッチアップ防止回路を含む。ボディバイアス回路網によって生成されるボディバイアス信号のレベルは、調整可能である。ボディバイアス生成回路網は、pチャネル制御トランジスタを用いて、ボディバイアス経路上のボディバイアス電圧を調節する。絶縁トランジスタは、pチャネル制御トランジスタとボディバイアス経路との間に結合される。潜在的なラッチアップ条件のある間、絶縁トランジスタは、オフにされ、ボディバイアス経路を接地から絶縁する。制御回路網は、pチャネル制御トランジスタおよび絶縁トランジスタのボディ端子に印加されるボディバイアス電圧を調整する。
本発明は、集積回路上のトランジスタに対する調整可能なボディバイアス生成に関する。集積回路は、任意の適切なタイプであり得る。1つの特定の適切なアレンジメントを用いることにより、本発明に従う調整可能なボディバイアス生成回路網は、プログラマブルロジックデバイス集積回路上で使用される。調整可能なボディバイアス生成回路網は、また、デジタル信号プロセッサ、マイクロプロセッサ、カスタム集積回路、あるいは、ボディバイアスされたトランジスタを有する任意の他の集積回路のような集積回路に使用され得る。本発明は、一般的に、一例として、プログラマブルロジックデバイス集積回路との関連において記載される。
12 入出力回路網
14 入出力ピン
16 相互接続リソース
18 プログラマブルロジック
20 プログラマブル素子
22 pチャネル金属酸化物半導体トランジスタ
24、28 注入領域
26 ゲート構造
30 p型ボディバイアス領域
32 NMOSボディバイアス生成器
34 NMOSトランジスタ
36、42 経路
38 PMOSボディバイアス生成器
40 PMOSトランジスタ
Claims (18)
- 複数のpチャネル金属酸化物半導体トランジスタであって、該複数のpチャネル金属酸化物半導体トランジスタのそれぞれが、ボディバイアス経路を介して調整可能なボディバイアス信号を受信するボディ端子を有する、複数のpチャネル金属酸化物半導体トランジスタと、
該調整可能なボディバイアス信号を該ボディバイアス経路に供給する調整可能なpチャネル金属酸化物半導体ボディバイアス生成回路網であって、該調整可能なボディバイアス信号は、該調整可能なpチャネル金属酸化物半導体ボディバイアス生成回路網を調整することによって決定される電圧を有する、調整可能なpチャネル金属酸化物半導体ボディバイアス生成回路網と
を備えた集積回路であって、
該調整可能なpチャネル金属酸化物半導体ボディバイアス生成回路網は、
高電力供給端子と該ボディバイアス経路との間に結合されたpチャネル制御トランジスタと、
該pチャネル金属酸化物半導体トランジスタがラッチアップすることを防止するために、該ボディバイアス経路に接続されたラッチアップ防止回路網と
を含み、
潜在的なラッチアップ条件を検出した場合に、該ラッチアップ防止回路網を作動させて、電力供給信号を該ボディバイアス経路に印加するとともに、制御回路網を作動させて、該電力供給信号を該pチャネル制御トランジスタのボディ端子に印加する、集積回路。 - 複数の入出力ピンと、
該複数の入出力ピンのうちの1つから正の電力供給信号を受信する正の電力供給端子と、
該複数の入出力ピンのうちの1つから、該正の電力供給信号よりも大きい高電力供給信号を受信する高電力供給端子と、
複数のpチャネル金属酸化物半導体トランジスタを含むプログラマブルロジックであって、該複数のpチャネル金属酸化物半導体トランジスタのそれぞれが、ボディバイアス経路を介してボディバイアス信号を受信するボディ端子を有する、プログラマブルロジックと、
該高電力供給端子と該ボディバイアス経路との間に直列結合されたpチャネル制御トランジスタおよび絶縁トランジスタと、
該pチャネル金属酸化物半導体トランジスタがラッチアップすることを防止するために、該ボディバイアス経路に接続されたラッチアップ防止回路網と
を備え、
潜在的なラッチアップ条件を検出した場合に、該ラッチアップ防止回路網を作動させて、該正の電力供給信号を該ボディバイアス経路に印加するとともに、制御回路網を作動させて、該電力供給信号を該pチャネル制御トランジスタのボディ端子に印加する、プログラマブルロジックデバイス集積回路。 - 前記ボディバイアス経路と前記正の電力供給端子との間に結合されたpチャネルラッチアップ防止トランジスタをさらに備える、請求項2に記載のプログラマブルロジックデバイス集積回路。
- 前記ボディバイアス経路から調整可能なフィードバック信号を受信し、該ボディバイアス経路上の該ボディバイアス信号を調整することに応答して、前記pチャネル制御トランジスタに対するゲート制御信号を生成する、演算増幅器をさらに備える、請求項2に記載のプログラマブルロジックデバイス集積回路。
- 接地電力供給信号を受信する接地端子と、
正の電力供給信号を受信する正の電力供給端子と、
該正の電力供給信号より大きい高電力供給信号を受信する高電力供給端子と、
複数のpチャネル金属酸化物半導体トランジスタであって、該複数のpチャネル金属酸化物半導体トランジスタのそれぞれは、ボディバイアス経路を介してボディバイアス信号を受信するボディ端子を有する、複数のpチャネル金属酸化物半導体トランジスタと、
該ボディバイアス経路と該正の電力供給端子との間に結合されたpチャネルラッチアップ防止トランジスタと、
該ボディバイアス経路に接続された絶縁トランジスタであって、該絶縁トランジスタがオフにされた場合に、該ボディバイアス経路を該高電力供給端子から絶縁する、絶縁トランジスタと、
該pチャネル金属酸化物半導体トランジスタに対する潜在的なラッチアップ条件が存在する場合に、高い制御信号を生成し、該絶縁トランジスタをオフにし、該pチャネル金属酸化物半導体トランジスタに対する該潜在的なラッチアップ条件が存在しない場合に、低い制御信号を生成し、該絶縁トランジスタをオンにする、制御回路網と、
該高電力供給端子と該ボディバイアス経路との間に結合されたpチャネル制御トランジスタと
を備え、
該潜在的なラッチアップ条件が存在する場合に、該正の電力供給信号が該pチャネル制御トランジスタのボディ端子に印加される、集積回路。 - 集積回路中のラッチアップを防止する方法であって、該集積回路は、複数の金属酸化物半導体トランジスタを有し、該複数の金属酸化物半導体トランジスタのそれぞれが、ボディバイアス経路を介してボディバイアス信号を受信し、該集積回路は、該ボディバイアス信号を該ボディバイアス経路に供給するボディバイアス生成回路網を有し、該集積回路は、高電力供給信号と該ボディバイアス経路との間に結合された制御トランジスタを有し、該集積回路は、ラッチアップ防止回路網を有し、該方法は、
電力供給信号が有効であり、かつ該高電力供給信号および該ボディバイアス信号が無効である場合を決定することと、
該電力供給信号が有効であり、かつ該高電力供給信号および該ボディバイアス信号が無効であることが決定される場合に、該金属酸化物半導体がラッチアップすることを防ぐために、該ボディバイアス経路に接続された該ラッチアップ防止回路網を作動させることと
を包含し、
潜在的なラッチアップ条件を検出した場合に、該ラッチアップ防止回路網を作動させて、該電力供給信号を該ボディバイアス経路に印加するとともに、制御回路網を作動させて、該電力供給信号を該制御トランジスタのボディバイアス端子に印加する、方法。 - 前記電力供給信号が有効である間に、前記高電力供給信号および前記ボディバイアス信号が有効になる場合を決定することと、
該電力供給信号が有効である間に、該高電力供給信号および該ボディバイアス信号が有効になることが決定される場合に、前記ボディバイアス経路に接続された前記ラッチアップ防止回路網を作動させないことと
をさらに包含する、請求項6に記載の方法。 - 前記ラッチアップ防止回路網を作動させることは、前記電力供給信号を前記ボディバイアス経路に印加することを包含する、請求項6に記載の方法。
- 集積回路中のラッチアップを防止する方法であって、該集積回路は、正の電力供給経路を介して送信される正の電力供給信号と、高電力供給経路を介して送信される高電力供給信号とを用いて電力供給され、該集積回路は、複数の金属酸化物半導体トランジスタを有し、該複数の金属酸化物半導体トランジスタのそれぞれが、ボディバイアス経路を介して送信されたボディバイアス信号を受信し、該集積回路は、該高電力供給経路と該ボディバイアス経路との間に直列結合された制御トランジスタおよび絶縁トランジスタを有し、該集積回路は、ラッチアップ防止回路網を有し、該方法は、
該正の電力供給信号が有効であり、かつ該高電力供給信号および該ボディバイアス信号が無効である場合を決定することと、
該正の電力供給信号が有効であり、かつ該高電力供給信号および該ボディバイアス信号が無効であることが決定される場合に、該金属酸化物半導体トランジスタがラッチアップすることを防止するように該ラッチアップ防止回路網を作動させ、ラッチアップ防止トランジスタをオンにし、該ボディバイアス経路を該正の電力供給信号でクランプし、該高電力供給経路および該ボディバイアス経路が絶縁されるように該絶縁トランジスタをオフにし、該電力供給信号を該制御トランジスタのボディバイアス端子に印加することと
を包含する、方法。 - 前記絶縁トランジスタを無効にすることは、前記正の電力供給信号を前記絶縁トランジスタのゲート端子に印加することを包含する、請求項9に記載の方法。
- 前記正の電力供給信号が有効であり、かつ前記高電力供給信号および前記ボディバイアス信号が無効であることが決定される場合に、該正の電力供給信号を前記絶縁トランジスタのボディバイアス端子に印加することをさらに包含する、請求項9に記載の方法。
- 前記絶縁トランジスタをオフにすることは、前記正の電力供給信号を該絶縁トランジスタのゲート端子に印加することを包含し、前記方法は、
該正の電力供給信号が有効であり、かつ前記高電力供給信号および該ボディバイアス信号が無効であることが決定される場合に、該正の電力供給信号を該絶縁トランジスタのボディバイアス端子に印加することをさらに包含する、請求項9に記載の方法。 - 複数の金属酸化物半導体トランジスタであって、該複数の金属酸化物半導体トランジスタのそれぞれが、ボディバイアス経路を介してボディバイアス信号を受信するボディ端子を有する、複数の金属酸化物半導体トランジスタと、
該ボディバイアス信号を該ボディバイアス経路に供給する金属酸化物半導体ボディバイアス生成回路網と
を備えた集積回路であって、
該金属酸化物半導体ボディバイアス生成回路網は、
高電力供給端子と該ボディバイアス経路との間に結合された制御トランジスタと、
該金属酸化物半導体トランジスタがラッチアップすることを防止するために、該ボディバイアス経路に接続されたラッチアップ防止回路網と、
該制御トランジスタと該ボディバイアス経路との間に結合された絶縁トランジスタと
を含む、集積回路。 - 前記金属酸化物半導体トランジスタは、pチャネル金属酸化物半導体トランジスタを備える、請求項13に記載の集積回路。
- 前記制御トランジスタは、pチャネル金属酸化物半導体制御トランジスタを備える、請求項13に記載の集積回路。
- 前記制御トランジスタはボディ端子を有し、前記金属酸化物半導体ボディバイアス生成回路網は、制御回路網をさらに備え、該制御回路網は該制御トランジスタの該ボディ端子に接続される出力を有する、請求項13に記載の集積回路。
- 前記金属酸化物半導体ボディバイアス生成回路網は、演算増幅器をさらに備え、該演算増幅器は、前記ボディバイアス経路から調整可能なフィードバック信号を受信し、応答して前記制御トランジスタに対するゲート制御信号を生成する、請求項13に記載の集積回路。
- 前記ラッチアップ防止回路網は、ラッチアップ防止トランジスタと制御回路網とを含み、該制御回路網は、正の電力供給信号および前記ボディバイアス信号をモニタリングし、潜在的なラッチアップ条件が存在する場合に、該ボディバイアス経路を該正の電力供給信号でクランプするために、該ラッチアップ防止トランジスタをオンにする低い制御信号を生成する、請求項13に記載の集積回路。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/369,548 US7330049B2 (en) | 2006-03-06 | 2006-03-06 | Adjustable transistor body bias generation circuitry with latch-up prevention |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007243179A JP2007243179A (ja) | 2007-09-20 |
JP2007243179A5 JP2007243179A5 (ja) | 2010-03-11 |
JP4638456B2 true JP4638456B2 (ja) | 2011-02-23 |
Family
ID=38069102
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007044383A Expired - Fee Related JP4638456B2 (ja) | 2006-03-06 | 2007-02-23 | ラッチアップ防止を有する調整可能なボディバイアス生成回路網 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7330049B2 (ja) |
EP (1) | EP1840965B1 (ja) |
JP (1) | JP4638456B2 (ja) |
CN (1) | CN101034882B (ja) |
Families Citing this family (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100605591B1 (ko) * | 2005-01-31 | 2006-07-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 승압전압 발생기 |
CN101238641B (zh) * | 2005-08-02 | 2010-09-08 | 松下电器产业株式会社 | 半导体集成电路 |
US7495471B2 (en) * | 2006-03-06 | 2009-02-24 | Altera Corporation | Adjustable transistor body bias circuitry |
US7355437B2 (en) * | 2006-03-06 | 2008-04-08 | Altera Corporation | Latch-up prevention circuitry for integrated circuits with transistor body biasing |
US7459958B2 (en) * | 2006-06-19 | 2008-12-02 | International Business Machines Corporation | Circuits to reduce threshold voltage tolerance and skew in multi-threshold voltage applications |
US7696811B2 (en) * | 2006-06-19 | 2010-04-13 | International Business Machines Corporation | Methods and circuits to reduce threshold voltage tolerance and skew in multi-threshold voltage applications |
JP2008004741A (ja) * | 2006-06-22 | 2008-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路及びそれを備えた情報機器、通信機器、av機器及び移動体 |
US20080180129A1 (en) * | 2006-08-31 | 2008-07-31 | Actel Corporation | Fpga architecture with threshold voltage compensation and reduced leakage |
US8242742B2 (en) * | 2007-06-06 | 2012-08-14 | O2Micro, Inc | Chargers, systems and methods for detecting a power source |
FR2921756B1 (fr) * | 2007-09-27 | 2009-12-25 | Commissariat Energie Atomique | Matrice de pixels dotes de regulateurs de tension. |
FR2921788B1 (fr) * | 2007-10-01 | 2015-01-02 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif microelectronique a matrice de pixels dote de moyens generateurs de compensation de chute ohmique sur des almentations |
US7639041B1 (en) | 2008-07-28 | 2009-12-29 | Altera Corporation | Hotsocket-compatible body bias circuitry with power-up current reduction capabilities |
CN103109525B (zh) * | 2008-10-08 | 2016-04-06 | 法国原子能委员会 | 一种矩阵微电子装置 |
US8742831B2 (en) * | 2009-02-23 | 2014-06-03 | Honeywell International Inc. | Method for digital programmable optimization of mixed-signal circuits |
US7911261B1 (en) | 2009-04-13 | 2011-03-22 | Netlogic Microsystems, Inc. | Substrate bias circuit and method for integrated circuit device |
US9142951B2 (en) | 2009-07-28 | 2015-09-22 | Stmicroelectronics (Rousset) Sas | Electronic device for protecting against a polarity reversal of a DC power supply voltage, and its application to motor vehicles |
FR2948828B1 (fr) | 2009-07-28 | 2011-09-30 | St Microelectronics Rousset | Dispositif electronique de protection contre une inversion de polarite d'une tension d'alimentation continue, et application au domaine de l'automobile |
US8618786B1 (en) | 2009-08-31 | 2013-12-31 | Altera Corporation | Self-biased voltage regulation circuitry for memory |
JP2011060358A (ja) * | 2009-09-08 | 2011-03-24 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びその制御方法 |
KR101699033B1 (ko) * | 2009-11-30 | 2017-01-24 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 출력 드라이버 |
US9208109B2 (en) * | 2011-06-01 | 2015-12-08 | Altera Corporation | Memory controllers with dynamic port priority assignment capabilities |
US9350321B2 (en) * | 2011-08-18 | 2016-05-24 | Analog Devices, Inc. | Low distortion impedance selection and tunable impedance circuits |
US8698516B2 (en) * | 2011-08-19 | 2014-04-15 | Altera Corporation | Apparatus for improving performance of field programmable gate arrays and associated methods |
US8970289B1 (en) | 2012-01-23 | 2015-03-03 | Suvolta, Inc. | Circuits and devices for generating bi-directional body bias voltages, and methods therefor |
FR2988239A1 (fr) * | 2012-03-16 | 2013-09-20 | Converteam Technology Ltd | Procede de compensation des tolerances de fabrication d'au moins un parametre electrique d'un transistor de puissance et systeme associe |
KR102038041B1 (ko) * | 2012-08-31 | 2019-11-26 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 전원 선택 회로 |
US8787096B1 (en) * | 2013-01-16 | 2014-07-22 | Qualcomm Incorporated | N-well switching circuit |
US9112495B1 (en) * | 2013-03-15 | 2015-08-18 | Mie Fujitsu Semiconductor Limited | Integrated circuit device body bias circuits and methods |
CN104464788B (zh) * | 2014-12-30 | 2017-06-06 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 分压电路、操作电压的控制电路及存储器 |
US9591245B2 (en) | 2015-04-14 | 2017-03-07 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensor pixels with adjustable body bias |
US9584118B1 (en) * | 2015-08-26 | 2017-02-28 | Nxp Usa, Inc. | Substrate bias circuit and method for biasing a substrate |
US9762833B1 (en) | 2016-05-24 | 2017-09-12 | Omnivision Technologies, Inc. | Adaptive body biasing circuit for latch-up prevention |
EP3343769B1 (en) * | 2016-12-27 | 2019-02-06 | GN Hearing A/S | Integrated circuit comprising adjustable back biasing of one or more logic circuit regions |
CN107659303A (zh) * | 2017-08-31 | 2018-02-02 | 晨星半导体股份有限公司 | 输入输出电路 |
US10552563B2 (en) * | 2018-01-10 | 2020-02-04 | Qualcomm Incorporated | Digital design with bundled data asynchronous logic and body-biasing tuning |
TWI642274B (zh) * | 2018-03-20 | 2018-11-21 | 大陸商北京集創北方科技股份有限公司 | 栓鎖偵測電路 |
CN108270422A (zh) * | 2018-03-20 | 2018-07-10 | 北京集创北方科技股份有限公司 | 防闩锁电路及集成电路 |
US10469097B1 (en) | 2018-12-06 | 2019-11-05 | Nxp Usa, Inc. | Body bias circuit for current steering DAC switches |
CN109814650B (zh) * | 2019-01-23 | 2020-05-22 | 西安交通大学 | 一种低压差线性稳压器用箝位晶体管结构 |
US11099224B2 (en) * | 2019-05-24 | 2021-08-24 | Marvell Israel (M.I.S.L) Ltd. | Method and circuitry for semiconductor device performance characterization |
KR20210084955A (ko) * | 2019-12-30 | 2021-07-08 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 데이터 입출력 회로를 포함하는 메모리 장치 |
US11688739B2 (en) * | 2021-03-19 | 2023-06-27 | Pixart Imaging Inc. | Logic circuit capable of preventing latch-up |
CN113849438B (zh) * | 2021-09-27 | 2024-03-08 | 浙江华创视讯科技有限公司 | 保护电路、保护电路的方法、存储介质及电子装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000066744A (ja) * | 1998-08-17 | 2000-03-03 | Nec Corp | レギュレータ内蔵半導体装置 |
JP2000138348A (ja) * | 1998-08-25 | 2000-05-16 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2000269356A (ja) * | 1999-03-15 | 2000-09-29 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JP2003330551A (ja) * | 2002-05-09 | 2003-11-21 | Fuji Electric Co Ltd | 電圧可変レギュレータ |
JP2005503668A (ja) * | 2001-09-18 | 2005-02-03 | ザイリンクス インコーポレイテッド | プログラマブルデバイスの一部にウェルバイアスを選択的にかけるための構造および方法 |
JP2006014371A (ja) * | 2005-09-05 | 2006-01-12 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
Family Cites Families (79)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62209846A (ja) * | 1986-03-10 | 1987-09-16 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路 |
JPH0783254B2 (ja) * | 1989-03-22 | 1995-09-06 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路 |
DE4221575C2 (de) * | 1992-07-01 | 1995-02-09 | Ibm | Integrierter CMOS-Halbleiterschaltkreis und Datenverarbeitungssystem mit integriertem CMOS-Halbleiterschaltkreis |
US5341034A (en) * | 1993-02-11 | 1994-08-23 | Benchmarq Microelectronics, Inc. | Backup battery power controller having channel regions of transistors being biased by power supply or battery |
KR0169157B1 (ko) * | 1993-11-29 | 1999-02-01 | 기다오까 다까시 | 반도체 회로 및 mos-dram |
US5422591A (en) * | 1994-01-03 | 1995-06-06 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Output driver circuit with body bias control for multiple power supply operation |
JPH08181598A (ja) * | 1994-12-27 | 1996-07-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
US5689209A (en) * | 1994-12-30 | 1997-11-18 | Siliconix Incorporated | Low-side bidirectional battery disconnect switch |
JP3444687B2 (ja) * | 1995-03-13 | 2003-09-08 | 三菱電機株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置 |
US5670907A (en) | 1995-03-14 | 1997-09-23 | Lattice Semiconductor Corporation | VBB reference for pumped substrates |
US5674090A (en) | 1995-03-15 | 1997-10-07 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd. | Casing for receiving electrical connection box |
US5631606A (en) | 1995-08-01 | 1997-05-20 | Information Storage Devices, Inc. | Fully differential output CMOS power amplifier |
JP2931776B2 (ja) * | 1995-08-21 | 1999-08-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体集積回路 |
US5600264A (en) | 1995-10-16 | 1997-02-04 | Xilinx, Inc. | Programmable single buffered six pass transistor configuration |
US5689144A (en) * | 1996-05-15 | 1997-11-18 | Siliconix Incorporated | Four-terminal power MOSFET switch having reduced threshold voltage and on-resistance |
KR100189752B1 (ko) * | 1996-06-01 | 1999-06-01 | 구본준 | 독립적인 웰 바이어스 전압을 가진 전압 펌프회로 |
KR100203136B1 (ko) * | 1996-06-27 | 1999-06-15 | 김영환 | 래치-업을 방지하는 상승전압발생기 |
JP3264622B2 (ja) * | 1996-07-16 | 2002-03-11 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US6411156B1 (en) * | 1997-06-20 | 2002-06-25 | Intel Corporation | Employing transistor body bias in controlling chip parameters |
US6593799B2 (en) * | 1997-06-20 | 2003-07-15 | Intel Corporation | Circuit including forward body bias from supply voltage and ground nodes |
US5841694A (en) * | 1997-07-30 | 1998-11-24 | Programmable Silicon Solutions | High performance programmable interconnect |
US6535034B1 (en) * | 1997-07-30 | 2003-03-18 | Programmable Silicon Solutions | High performance integrated circuit devices adaptable to use lower supply voltages with smaller device geometries |
US6346415B1 (en) * | 1997-10-21 | 2002-02-12 | Targeted Genetics Corporation | Transcriptionally-activated AAV inverted terminal repeats (ITRS) for use with recombinant AAV vectors |
US6097242A (en) * | 1998-02-26 | 2000-08-01 | Micron Technology, Inc. | Threshold voltage compensation circuits for low voltage and low power CMOS integrated circuits |
US6157691A (en) * | 1998-04-14 | 2000-12-05 | Lsi Logic Corporation | Fully integrated phase-locked loop with resistor-less loop filer |
US6242728B1 (en) * | 1998-08-20 | 2001-06-05 | Foveon, Inc. | CMOS active pixel sensor using native transistors |
TW453032B (en) * | 1998-09-09 | 2001-09-01 | Hitachi Ltd | Semiconductor integrated circuit apparatus |
JP4384759B2 (ja) * | 1998-09-14 | 2009-12-16 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド | Mos集積回路の特性を改良するためのボディ電圧のパルス動作 |
US6484265B2 (en) * | 1998-12-30 | 2002-11-19 | Intel Corporation | Software control of transistor body bias in controlling chip parameters |
US6271713B1 (en) * | 1999-05-14 | 2001-08-07 | Intel Corporation | Dynamic threshold source follower voltage driver circuit |
JP2001034040A (ja) * | 1999-07-21 | 2001-02-09 | Sharp Corp | 接触帯電装置ならびにそれを備えたプロセスカートリッジおよび画像形成装置 |
US6448840B2 (en) * | 1999-11-30 | 2002-09-10 | Intel Corporation | Adaptive body biasing circuit and method |
KR100347140B1 (ko) * | 1999-12-31 | 2002-08-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 전압 변환 회로 |
KR20010077099A (ko) * | 2000-01-31 | 2001-08-17 | 윤종용 | 자기 정렬된 웰 바이어스 영역을 갖는 모스 트랜지스터 및그 제조방법 |
JP2001230664A (ja) * | 2000-02-15 | 2001-08-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路 |
US20020140496A1 (en) * | 2000-02-16 | 2002-10-03 | Ali Keshavarzi | Forward body biased transistors with reduced temperature |
JP2001339045A (ja) | 2000-05-25 | 2001-12-07 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
US6549032B1 (en) * | 2000-08-22 | 2003-04-15 | Altera Corporation | Integrated circuit devices with power supply detection circuitry |
TW463466B (en) * | 2000-08-30 | 2001-11-11 | Silicon Integrated Sys Corp | Current A/D converter and the unit cell thereof |
TW448617B (en) * | 2000-09-15 | 2001-08-01 | Silicon Integrated Sys Corp | N-well bias preset circuit for CMOS and the method thereof |
US6343044B1 (en) * | 2000-10-04 | 2002-01-29 | International Business Machines Corporation | Super low-power generator system for embedded applications |
US6744301B1 (en) * | 2000-11-07 | 2004-06-01 | Intel Corporation | System using body-biased sleep transistors to reduce leakage power while minimizing performance penalties and noise |
KR100385230B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2003-05-27 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 반도체 메모리 장치의 프로그램 방법 |
US6373281B1 (en) * | 2001-01-22 | 2002-04-16 | International Business Machines Corporation | Tri-state dynamic body charge modulation for sensing devices in SOI RAM applications |
US6597203B2 (en) * | 2001-03-14 | 2003-07-22 | Micron Technology, Inc. | CMOS gate array with vertical transistors |
US6429726B1 (en) * | 2001-03-27 | 2002-08-06 | Intel Corporation | Robust forward body bias generation circuit with digital trimming for DC power supply variation |
US6469572B1 (en) * | 2001-03-28 | 2002-10-22 | Intel Corporation | Forward body bias generation circuits based on diode clamps |
US6670655B2 (en) * | 2001-04-18 | 2003-12-30 | International Business Machines Corporation | SOI CMOS device with body to gate connection |
US6605981B2 (en) * | 2001-04-26 | 2003-08-12 | International Business Machines Corporation | Apparatus for biasing ultra-low voltage logic circuits |
GB0111300D0 (en) * | 2001-05-09 | 2001-06-27 | Mitel Knowledge Corp | Method and apparatus for synchronizing slave network node to master network node |
JP2002343083A (ja) * | 2001-05-18 | 2002-11-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
US6554249B2 (en) * | 2001-05-30 | 2003-04-29 | Fmc Technologies, Inc. | Plug valve having seal segments with booster springs |
US6518826B2 (en) * | 2001-06-28 | 2003-02-11 | Intel Corporation | Method and apparatus for dynamic leakage control |
US6763484B2 (en) * | 2001-06-28 | 2004-07-13 | Intel Corporation | Body bias using scan chains |
US6483375B1 (en) * | 2001-06-28 | 2002-11-19 | Intel Corporation | Low power operation mechanism and method |
US6559702B2 (en) * | 2001-07-19 | 2003-05-06 | Texas Instruments Incorporated | Bias generator and method for improving output skew voltage |
US6630700B2 (en) * | 2001-10-05 | 2003-10-07 | Motorola, Inc. | NMOS circuit in isolated wells that are connected by a bias stack having pluralirty of diode elements |
JP4090231B2 (ja) * | 2001-11-01 | 2008-05-28 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置 |
US6650141B2 (en) * | 2001-12-14 | 2003-11-18 | Lattice Semiconductor Corporation | High speed interface for a programmable interconnect circuit |
US6614301B2 (en) * | 2002-01-31 | 2003-09-02 | Intel Corporation | Differential amplifier offset adjustment |
US20030151428A1 (en) * | 2002-02-12 | 2003-08-14 | Ouyang Paul H. | 5 Volt tolerant input/output buffer |
US6525559B1 (en) * | 2002-04-22 | 2003-02-25 | Pericom Semiconductor Corp. | Fail-safe circuit with low input impedance using active-transistor differential-line terminators |
US7254603B2 (en) * | 2002-05-03 | 2007-08-07 | Sonics, Inc. | On-chip inter-network performance optimization using configurable performance parameters |
JP4401621B2 (ja) * | 2002-05-07 | 2010-01-20 | 株式会社日立製作所 | 半導体集積回路装置 |
US6870213B2 (en) * | 2002-05-10 | 2005-03-22 | International Business Machines Corporation | EEPROM device with substrate hot-electron injector for low-power |
US20030218478A1 (en) * | 2002-05-24 | 2003-11-27 | Sani Mehdi Hamidi | Regulation of crowbar current in circuits employing footswitches/headswitches |
US6731158B1 (en) * | 2002-06-13 | 2004-05-04 | University Of New Mexico | Self regulating body bias generator |
EP1529343A1 (en) * | 2002-08-08 | 2005-05-11 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Circuit and method for controlling the threshold voltage of transistors |
US6972599B2 (en) * | 2002-08-27 | 2005-12-06 | Micron Technology Inc. | Pseudo CMOS dynamic logic with delayed clocks |
US7120804B2 (en) * | 2002-12-23 | 2006-10-10 | Intel Corporation | Method and apparatus for reducing power consumption through dynamic control of supply voltage and body bias including maintaining a substantially constant operating frequency |
US6972593B1 (en) * | 2003-08-05 | 2005-12-06 | Altera Corp. | Method and apparatus for protecting a circuit during a hot socket condition |
US6975535B2 (en) * | 2003-08-14 | 2005-12-13 | Mosel Vitelic, Inc. | Electronic memory, such as flash EPROM, with bitwise-adjusted writing current or/and voltage |
US7098689B1 (en) * | 2003-09-19 | 2006-08-29 | Xilinx, Inc. | Disabling unused/inactive resources in programmable logic devices for static power reduction |
US6972616B2 (en) * | 2004-04-14 | 2005-12-06 | Broadcom Corporation | Low-noise, fast-settling bias circuit and method |
US7348827B2 (en) * | 2004-05-19 | 2008-03-25 | Altera Corporation | Apparatus and methods for adjusting performance of programmable logic devices |
US7112997B1 (en) * | 2004-05-19 | 2006-09-26 | Altera Corporation | Apparatus and methods for multi-gate silicon-on-insulator transistors |
US7129745B2 (en) * | 2004-05-19 | 2006-10-31 | Altera Corporation | Apparatus and methods for adjusting performance of integrated circuits |
US7119604B2 (en) | 2004-06-17 | 2006-10-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Back-bias voltage regulator having temperature and process variation compensation and related method of regulating a back-bias voltage |
US20060119382A1 (en) * | 2004-12-07 | 2006-06-08 | Shumarayev Sergey Y | Apparatus and methods for adjusting performance characteristics of programmable logic devices |
-
2006
- 2006-03-06 US US11/369,548 patent/US7330049B2/en active Active
-
2007
- 2007-02-13 EP EP07003008.5A patent/EP1840965B1/en active Active
- 2007-02-23 JP JP2007044383A patent/JP4638456B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-02-28 CN CN2007100847323A patent/CN101034882B/zh active Active
- 2007-12-19 US US11/959,949 patent/US7514953B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000066744A (ja) * | 1998-08-17 | 2000-03-03 | Nec Corp | レギュレータ内蔵半導体装置 |
JP2000138348A (ja) * | 1998-08-25 | 2000-05-16 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2000269356A (ja) * | 1999-03-15 | 2000-09-29 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JP2005503668A (ja) * | 2001-09-18 | 2005-02-03 | ザイリンクス インコーポレイテッド | プログラマブルデバイスの一部にウェルバイアスを選択的にかけるための構造および方法 |
JP2003330551A (ja) * | 2002-05-09 | 2003-11-21 | Fuji Electric Co Ltd | 電圧可変レギュレータ |
JP2006014371A (ja) * | 2005-09-05 | 2006-01-12 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101034882B (zh) | 2012-07-18 |
CN101034882A (zh) | 2007-09-12 |
EP1840965B1 (en) | 2013-09-18 |
US7330049B2 (en) | 2008-02-12 |
US20070205802A1 (en) | 2007-09-06 |
EP1840965A3 (en) | 2009-11-11 |
US20080094100A1 (en) | 2008-04-24 |
EP1840965A2 (en) | 2007-10-03 |
US7514953B2 (en) | 2009-04-07 |
JP2007243179A (ja) | 2007-09-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100121 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100121 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20100121 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20100301 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100310 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100705 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101004 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101111 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101125 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131203 Year of fee payment: 3 |
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