JP2007243179A5

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Publication number: JP2007243179A5
Application number: JP2007044383A
Authority: JP
Filing date: 2007-02-23
Publication date: 2010-03-11
Anticipated expiration: 2027-02-23

Claims

複数のｐチャネル金属酸化物半導体トランジスタであって、該複数のｐチャネル金属酸化物半導体トランジスタのそれぞれが、ボディバイアス経路を介してボディバイアス信号を受信するボディ端子を有する、複数のｐチャネル金属酸化物半導体トランジスタと、
該ボディバイアス信号を該ボディバイアス経路に供給する調整可能なｐチャネル金属酸化物半導体ボディバイアス生成回路網であって、該調整可能なｐチャネル金属酸化物半導体ボディバイアス生成回路網は、
高電力供給端子と該ボディバイアス経路との間に結合されたｐチャネル制御トランジスタと、
該ｐチャネル金属酸化物半導体トランジスタがラッチアップすることを防止するために、該ボディバイアス経路に接続された能動ラッチアップ防止回路と
を含む、調整可能なｐチャネル金属酸化物半導体ボディバイアス生成回路網と
を備える、集積回路。
複数の入出力ピンと、
該複数の入出力ピンのうちの１つから正の電力供給信号を受信する正の電力供給端子と、
該複数の入出力ピンのうちの１つから、該正の電力供給信号よりも大きい高電力供給信号を受信する高電力供給端子と、
複数のｐチャネル金属酸化物半導体トランジスタを含むプログラマブルロジックであって、該複数のｐチャネル金属酸化物半導体トランジスタのそれぞれが、ボディバイアス経路を介してボディバイアス信号を受信するボディ端子を有する、プログラマブルロジックと、
該高電力供給端子と該ボディバイアス経路との間に直列結合されたｐチャネル制御トランジスタおよび絶縁トランジスタと
を備える、プログラマブルロジックデバイス集積回路。
前記ボディバイアス経路と前記正の電力供給端子との間に結合されたｐチャネルラッチアップ防止トランジスタをさらに備える、請求項２に記載のプログラマブルロジックデバイス集積回路。
前記ボディバイアス経路から調整可能なフィードバック信号を受信し、該ボディバイアス経路上の該ボディバイアス信号を調整することに応答して、前記ｐチャネル制御トランジスタに対するゲート制御信号を生成する、演算増幅器をさらに備える、請求項２に記載のプログラマブルロジックデバイス集積回路。
接地電力供給信号を受信する接地端子と、
正の電力供給信号を受信する正の電力供給端子と、
該正の電力供給信号より大きい高電力供給信号を受信する高電力供給端子と、
複数のｐチャネル金属酸化物半導体トランジスタであって、該複数のｐチャネル金属酸化物半導体トランジスタのそれぞれは、ボディバイアス経路を介してボディバイアス信号を受信するボディ端子を有する、複数のｐチャネル金属酸化物半導体トランジスタと、
該ボディバイアス経路と該正の電力供給端子との間に結合されたｐチャネルラッチアップ防止トランジスタと、
該ボディバイアス経路に接続された絶縁トランジスタであって、該絶縁トランジスタがオフにされた場合に、該ボディバイアス経路を該高電力供給端子から絶縁する、絶縁トランジスタと、
該ｐチャネル金属酸化物半導体トランジスタに対する潜在的なラッチアップ条件が存在するとき、高い制御信号を生成し、該絶縁トランジスタをオフにし、該ｐチャネル金属酸化物半導体トランジスタに対する該潜在的なラッチアップ条件が存在しないとき、低い制御信号を生成し、該絶縁トランジスタをオンにする、制御回路網と
を備える、集積回路。
集積回路中のラッチアップを防止する方法であって、該集積回路は、複数の金属酸化物半導体トランジスタを有し、該複数の金属酸化物半導体トランジスタのそれぞれが、ボディバイアス経路を介してボディバイアス信号を受信し、該集積回路は、該ボディバイアス信号を該ボディバイアス経路に供給するボディバイアス生成回路網を有し、該集積回路は、高電力供給信号と該ボディバイアス経路との間に結合された制御トランジスタを有し、該集積回路は、ラッチアップ防止回路網を有し、該方法は、
電力供給信号が有効であり、かつ該高電力供給信号および該ボディバイアス信号が無効である場合を決定することと、
該電力供給信号が有効であり、かつ該高電力供給信号および該ボディバイアス信号が無効であることが決定される場合に、該金属酸化物半導体がラッチアップすることを防ぐために、該ボディバイアス経路に接続された該ラッチアップ防止回路網を作動させることと
を包含する、方法。
前記電力供給信号が有効である間に、前記高電力供給信号および前記ボディバイアス信号が有効になる場合を決定することと、
該電力供給信号が有効である間に、該高電力供給信号および該ボディバイアス信号が有効になることが決定される場合に、前記ボディバイアス経路に接続された前記ラッチアップ防止回路網を作動させないことと
をさらに包含する、請求項６に記載の方法。
前記ラッチアップ防止回路網を作動させることは、前記電力供給信号を前記ボディバイアス経路に印加することを包含する、請求項６に記載の方法。
前記ラッチアップ防止回路網を作動させることは、前記電力供給信号を前記制御トランジスタのボディバイアス端子に印加することを包含する、請求項６に記載の方法。
前記ラッチアップ防止回路網を作動させることは、
前記電力供給信号を前記ボディバイアス経路に印加することと、
該電力供給信号を前記制御トランジスタのボディバイアス端子に印加することと
を包含する、請求項６に記載の方法。
集積回路中のラッチアップを防止する方法であって、該集積回路は、正の電力供給経路を介して送信される正の電力供給信号と、高電力供給経路を介して送信される高電力供給信号とを用いて電力供給され、該集積回路は、複数の金属酸化物半導体トランジスタを有し、該複数の金属酸化物半導体トランジスタのそれぞれが、ボディバイアス経路を介して送信されたボディバイアス信号を受信し、該集積回路は、該高電力供給経路と該ボディバイアス経路との間に直列結合された制御トランジスタおよび絶縁トランジスタを有し、該方法は、
該正の電力供給信号が有効であり、かつ該高電力供給信号および該ボディバイアス信号が無効である場合を決定することと、
該正の電力供給信号が有効であり、かつ該高電力供給信号および該ボディバイアス信号が無効であることが決定される場合に、該高電力供給経路および該ボディバイアス経路が絶縁されるように該絶縁トランジスタをオフにすることと
を包含する、方法。
前記絶縁トランジスタを無効にすることは、前記正の電力供給信号を前記絶縁トランジスタのゲート端子に印加することを包含する、請求項１１に記載の方法。
前記正の電力供給信号が有効であり、かつ前記高電力供給信号および前記ボディバイアス信号が無効であることが決定される場合に、該正の電力供給信号を前記ボディバイアス経路に印加することをさらに包含する、請求項１１に記載の方法。
前記正の電力供給信号が有効であり、かつ前記高電力供給信号および前記ボディバイアス信号が無効であることが決定される場合に、該正の電力供給信号を前記制御トランジスタおよび前記絶縁トランジスタのボディバイアス端子に印加することをさらに包含する、請求項１１に記載の方法。
前記正の電力供給信号が有効であり、かつ前記高電力供給信号および前記ボディバイアス信号が無効であることが決定される場合に、該正の電力供給信号を前記ボディバイアス経路に印加することと、該正の電力供給信号を前記制御トランジスタおよび前記絶縁トランジスタのボディバイアス端子に印加することとをさらに包含する、請求項１１に記載の方法。
前記絶縁トランジスタをオフにすることは、前記正の電力供給信号を該絶縁トランジスタのゲート端子に印加することを包含し、前記方法は、
該正の電力供給信号が有効であり、かつ前記高電力供給信号および該ボディバイアス信号が無効であることが決定される場合に、該正の電力供給信号を前記ボディバイアス経路に印加することと、該正の電力供給信号を前記制御トランジスタおよび該絶縁トランジスタのボディバイアス端子に印加することとをさらに包含する、請求項１１に記載の方法。
複数の金属酸化物半導体トランジスタであって、該複数の金属酸化物半導体トランジスタのそれぞれが、ボディバイアス経路を介してボディバイアス信号を受信するボディ端子を有する、複数の金属酸化物半導体トランジスタと、
該ボディバイアス信号を該ボディバイアス経路に供給する金属酸化物半導体ボディバイアス生成回路網であって、該金属酸化物半導体ボディバイアス生成回路網は、
高電力供給端子と該ボディバイアス経路との間に結合された制御トランジスタと、
該金属酸化物半導体トランジスタがラッチアップすることを防止するために、該ボディバイアス経路に接続された能動ラッチアップ防止回路と
を含む、金属酸化物半導体ボディバイアス生成回路網と
を備える、集積回路。
前記金属酸化物半導体トランジスタは、ｐチャネル金属酸化物半導体トランジスタを備える、請求項１７に記載の集積回路。
前記制御トランジスタは、ｐチャネル金属酸化物半導体制御トランジスタを備える、請求項１７に記載の集積回路。
前記金属酸化物半導体ボディバイアス生成回路網は、前記制御トランジスタと前記ボディバイアス経路との間に結合された絶縁トランジスタをさらに備える、請求項１７に記載の集積回路。
前記制御トランジスタはボディ端子を有し、前記金属酸化物半導体ボディバイアス生成回路網は、制御回路網をさらに備え、該制御回路網は該制御トランジスタの該ボディ端子に接続される出力を有する、請求項１７に記載の集積回路。
前記金属酸化物半導体ボディバイアス生成回路網は、演算増幅器をさらに備え、該演算増幅器は、前記ボディバイアス経路から調整可能なフィードバック信号を受信し、応答して前記制御トランジスタに対するゲート制御信号を生成する、請求項１７に記載の集積回路。
前記能動ラッチアップ防止回路網はラッチアップ防止トランジスタを含み、前記金属酸化物半導体ボディバイアス生成回路網は制御回路網をさらに備え、該制御回路網は正の電力供給信号および前記高電力供給端子に関連する高電力供給信号をモニタリングし、潜在的なラッチアップ条件が存在する場合に、該ボディバイアス経路を該正の電力供給信号でクランプするために、該ラッチアップ防止トランジスタをオンにする低い制御信号を生成する、請求項１７に記載の集積回路。