JP4438579B2 - センサ装置 - Google Patents

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Description

本発明は、接着材を介して積層されたセンサチップと回路チップとがボンディングワイヤを介して接続されてなるセンサ装置に関する。
に関する。
この種のセンサ装置は、回路チップの上に接着材を介してセンサチップが積層され接着されており、センサチップと回路チップとがボンディングワイヤを介して接続されてなる構成を有している。
たとえば、このようなセンサ装置としては、センサチップの温度変化に対する出力変化を低減させるため、その接合部の熱応力を低減させる目的で、回路チップ上にフィルム状接着材を介してセンサチップを実装するものが提案されている(たとえば、特許文献1参照)。
特開2003−21647号公報
しかしながら、この種のセンサ装置の構造においては、フィルム状接着材などのチップ間を接着する接着材が低弾性である場合、センサチップと回路チップとの接合部の剛性が低くなり、外部からの衝撃により、センサチップが大きく変位しやすくなる。
このため、そのセンサチップの変形に対して、両チップ間の電気的接続を取るボンディングワイヤが容易に変形したり、ひいては断線したりするという問題が生じる。
特に、センサチップが物理量を容量変化に変換して検出する容量式の物理量センサの場合、隣り合うワイヤの間、もしくは、ワイヤとチップと間の寄生容量がセンサ特性に影響を与える。
そのため、センサチップの過大変位に伴うボンディングワイヤの変形は、ワイヤの断線も含めた機械的な変形だけでなく、上記の寄生容量の変化を引き起こすことになり、センサチップ特性が変動するという問題を生じる。
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、接着材を介して積層されるとともにボンディングワイヤを介して接続された回路チップおよびセンサチップを有するセンサ装置において、センサチップが過大変位することで生じるワイヤ接続部の機械的な変形やそれに付随して生じるセンサ特性の変動を抑制することを目的とする。
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、回路チップ(300)の上に接着材(400)を介してセンサチップ(200)が積層され接着されており、センサチップ(200)と回路チップ(300)とがボンディングワイヤ(500)を介して接続されてなるセンサ装置において、接着材(400)の変形によるセンサチップ(200)の変位を規制するためのストッパ(1)が、センサチップ(200)の周囲に設けられており、このストッパは、回路チップ(300)のうちセンサチップ(200)の外周に位置する部位にて回路チップ(300)上に設けられたボンディングワイヤからなるワイヤ(1)であり、センサチップ(200)が、回路チップ(300)上にて平面方向に変位したとき、ワイヤ(1)に当たって止まるようになっていることを特徴としている。
それによれば、接着材(400)の変形によってセンサチップ(200)が大きく変位しようとしても、ストッパ(1〜6)によってセンサチップ(200)の変位が規制されるため、センサチップ(200)と回路チップ(300)とをつなぐボンディングワイヤ(500)の変形も抑制される。
したがって、本発明によれば、接着材(400)を介して積層されるとともにボンディングワイヤ(500)を介して接続された回路チップ(300)およびセンサチップ(200)を有するセンサ装置において、センサチップ(200)が過大変位することで生じるワイヤ接続部の機械的な変形やそれに付随して生じるセンサ特性の変動を抑制することができる。
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態のうち第2実施形態〜第6実施形態は、本発明の参考例である。また、以下の各実施形態相互
において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同
一符号を付してある。
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態に係るセンサ装置としての角速度センサ装置S1の構成を示す図である。図1において、(a)は当該センサ装置S1の概略平面図であり、(b)は同センサ装置S1の概略断面図である。なお、図1(a)は、蓋140を取り外した状態のものを図1(b)の上方から見た図である。
図1に示されるように、このセンサ装置S1は、大きくは、パッケージ100と、パッケージ100に保持された回路チップ300と、回路チップ300に接着材400を介して積層されて接着された角速度検出を行うセンサチップ200と、両チップ200、300を接続するボンディングワイヤ500とを備えているものである。
パッケージ100は、両チップ200、300を収納するものであって、センサ装置S1の本体を区画形成する基部となるとともに、センサ装置S1を被測定体の適所に取り付けるためのものである。
図1に示される例では、パッケージ100は、たとえば、たとえばアルミナなどのセラミック層110が複数積層された積層基板として構成されており、図示しないが各層110の表面や各層に形成されたスルーホールの内部に配線が形成されたものである。そして、この配線を介してセンサ装置S1と外部とが電気的に接続可能となっている。
また、パッケージ100は、底部に回路チップ300が収納可能な凹部120を有し、この凹部120に収納された回路チップ300は、図1(b)に示されるように、パッケージ100の底部上に、たとえば、図示しないシリコーン系樹脂などから接着剤130を介して、搭載され固定されている。
また、パッケージ100の開口部には、金属や樹脂あるいはセラミックなどからなる蓋(リッド)140が取り付けられ、この蓋140によってパッケージ100の内部が封止されている。ここでは、蓋140は金属からなり、溶接やロウ付けなどによりパッケージ100に接合されている。
回路チップ300の上面には、センサチップ200が接着材400を介して積層されている。この接着材400は、樹脂などの接着材を採用できるが、本例では、上記特許文献1と同様の目的から低弾性のフィルム状接着材を採用している。もちろん、比較的高弾性の接着材であってもよい。
このフィルム状接着材400としては、たとえば加圧して硬化させることで接着機能を発揮する樹脂などからなるものにできる。具体的に、フィルム状接着材400としては、たとえば、シリコーン系、エポキシ系、ポリイミド系、アクリル系、ウレタン系、ゴム系、液晶ポリマーなどが挙げられる。
センサチップ200は、角速度検出を行う検出素子として構成されており、たとえば、シリコン基板等に対して一般に知られている櫛歯構造を有する梁構造体を形成し、印加された角速度に応じた可動電極と固定電極間の静電容量変化(電気信号)を検出するものにできる。
本例の角速度検出素子としてのセンサチップ200の詳細構成について、主として図2を参照して説明する。
図2は、図1に示される角速度センサ装置S1におけるセンサチップ200の概略平面構成を示す図であり、図1(b)において、センサチップ200を構成する基板10の下面からみた概略平面図である。
このセンサチップ200は、半導体基板などの基板10を有し、この基板10に対して周知のマイクロマシン加工を施すことにより形成される。
たとえば、基板10としては、第1の半導体層としての第1シリコン層上に絶縁層としての酸化膜を介して第2の半導体層としての第2シリコン層を貼り合わせてなる矩形状のSOI(シリコン−オン−インシュレータ)基板を採用することができる。
そして、この基板10の表層、たとえばSOI基板における第2シリコン層に対して、トレンチエッチングおよびリリースエッチングなどを施すことにより、図2に示されるように、溝で区画された梁構造体20〜60が形成されている。
この梁構造体20〜60は、大きくは、振動体20と各梁部23、40と各電極50、60とから構成されている。
振動体20は、基板10と水平な面内すなわち図2中の紙面内にて振動可能なように基板10の中央部に形成されている。本例では、振動体20は、中央部に位置する略矩形状の第1の振動部21と、この第1の振動部21の外周に位置する矩形枠状の第2の振動部22と、これら第1および第2の振動部21、22を連結する駆動梁部23とから構成されている。
この振動体20は、基板10の周辺部に設けられたアンカー部30に対して検出梁部40を介して連結されている。ここで、アンカー部40は、基板10のうち当該梁構造体20が形成されている表層の下部すなわち支持基板部に固定され支持されているものであり、振動体20は、当該支持基板部から浮遊している。
ここで、図2に示されるように、駆動梁部23は、たとえばy方向に延びる形状をなすものとすることで実質的にx方向のみに弾性変形可能なものであり、検出梁部40は、たとえばx方向に延びる形状をなすものとすることで実質的にy方向のみに弾性変形可能なものである。
そして、駆動梁23によって振動体20のうち第1の振動部21が、基板10と水平面内においてx方向(駆動振動方向)へ振動可能となっている。一方、検出梁部40によって振動体20全体が、基板10と水平面内においてy方向(検出振動方向)へ振動可能となっている。
また、第1の振動部21と第2の振動部22との間には、第1の振動部21をx方向に駆動振動させるための駆動電極50が設けられている。この駆動電極50は、アンカー部30と同様に上記支持基板部に固定されている。そして、駆動電極50は、第1の振動部21から突出する櫛歯部(駆動用櫛歯部)21aに対し、互いの櫛歯が噛み合うように対向して配置されている。
また、第2の振動部22の外周には、検出電極60が設けられている。この検出電極60は、振動体20の振動に基づいて基板10と垂直なz軸回りの角速度を検出するためのもので、アンカー部30と同様に上記支持基板部に固定されている。そして、検出電極60は、第2の振動部22から突出する櫛歯部(検出用櫛歯部)22aに対し、互いの櫛歯が噛み合うように対向して配置されている。
また、図2では示さないが、本センサチップ200においては、基板10の適所に、上記振動体20、駆動電極50および検出電極60などに電圧を印加したり、信号を取り出したりするためのアルミなどからなるパッド70が、図1(a)に示されるように、複数個設けられている。
本実施形態では、図1(a)に示されるように、このパッド70は基板10の周辺部に設けられており、そして、このパッド70には、Au(金)やアルミニウムなどのボンディングワイヤ500が接続されるようになっている。本センサチップ200は上記のような構成を有している。
ここで、回路チップ300は、たとえばシリコン基板等に対してMOSトランジスタやバイポーラトランジスタ等が、周知の半導体プロセスを用いて形成されているICチップなどであり、センサチップ200へ電圧を送ったり、センサチップ200からの電気信号を処理して外部へ出力する等の機能を有する信号処理チップにできる。
そして、図1に示されるように、センサチップ200のパッド70と回路チップ300のパッド310、および、回路チップ300のパッド310とパッケージ100のパッド150とは、それぞれ金やアルミニウムなどからなるボンディングワイヤ500を介して電気的に接続されている。
こうしてセンサチップ200、回路チップ300、パッケージ100の各間はボンディングワイヤ500を介して電気的に接続されている。なお、センサチップ200と回路チップ300とは、図1のように直接ボンディングワイヤ500にて接続されていなくてもよい。
たとえば、センサチップ200とパッケージ100とをボンディングワイヤ500で接続し、パッケージ100と回路チップ300とをボンディングワイヤ500にて接続してもよい。この場合、パッケージ100を介してはいるが、センサチップ200と回路チップ300とがボンディングワイヤ500を介して接続されていることに変わりない。
こうして、センサチップ200からの電気信号(容量変化)は、回路チップ300へ送られて回路チップ300に備えられたC/V変換回路などにより電圧信号に変換されて、角速度信号として出力されるようになっている。
また、図1に示されるように、本実施形態では、チップ200、300間に介在する接着材400の変形によるセンサチップ200の変位を規制するためのストッパ1が、センサチップ200の周囲に設けられている。
本実施形態では、ストッパ1は、回路チップ300のうちセンサチップ200の外周に位置する部位に設けられたボンディングワイヤからなるワイヤ1(以下、ストッパワイヤ1という)である。
このストッパワイヤ1は、回路チップ300上のパッド310の間において、上記ボンディングワイヤ500と同様に、金やアルミニウムなどのワイヤボンディングを行うことにより形成することができる。
本例では、上記特許文献1と同様の目的から低弾性のフィルム状接着材400を採用しているがゆえに、外部衝撃などによりセンサチップ200が、回路チップ300上にて平面方向に変位しやすい。
ここで、図1(b)に示されるように、ストッパワイヤ1は、接着材400の厚さよりも高いループ高さを有しており、センサチップ200が上記平面方向に大きく変位しても、このストッパワイヤ1に当たって止まるようになっている。
このような構成を有する本センサ装置S1の製造方法について、図3、図4を参照して説明する。図3、図4は、本製造方法を説明するための工程図であり、各製造工程におけるワークを上記図1(a)と同一の視点からみた概略平面図である。
まず、図3(a)に示されるように、パッケージ100の底部上に接着剤130を塗布する。図3(b)に示されるように、その上に回路チップ300を搭載し、接着剤130により回路チップ300とパッケージ100とを接着する。
その後、図3(c)に示されるように、ワイヤボンディングを行うことにより、ボンディングワイヤ500によって、パッケージ100のパッド150と回路チップ300のパッド310との間を結線する。
次に、同じワイヤボンディング工程により、回路チップ300上に設けられたストッパワイヤ1用のパッド310の間でワイヤボンディングを行い、当該パッド310間をストッパワイヤ1により接続する。
このワイヤボンディングが完了した後、図4(a)に示されるように、接着材400を回路チップ300上にマウントし、図4(b)に示されるように、その上にセンサチップ200をマウントした後、接着材400を硬化させ、センサチップ200と回路チップ300とを接着する。
そして、図4(c)に示されるように、センサチップ200のパッド70と回路チップ300のパッド310との間をボンディングワイヤ500により接続する。その後は、上記蓋140(図1(b)参照)をパッケージ100に溶接、ロウ付けすることで、パッケージ100内を封止する。こうして、上記角速度センサ装置S1が完成する。
かかる角速度センサ装置S1の検出動作について述べる。図2参照のこと。回路チップ300からボンディングワイヤ500を介してセンサチップ200の駆動電極50に駆動信号(正弦波電圧等)を印加して、上記第1の振動部21の櫛歯部21aと駆動電極50との間に静電気力を発生させる。それにより、駆動梁部23の弾性力によって第1の振動部21がx方向へ駆動振動する。
この第1の振動部21の駆動振動のもと、z軸回りに角速度Ωが印加されると、第1の振動部21にはy方向にコリオリ力が印加され、振動体20全体が、検出梁40の弾性力によってy方向へ検出振動する。
すると、この検出振動によって、検出電極60と検出用櫛歯部22aの櫛歯間の容量が変化するため、この容量変化を検出することにより、角速度Ωの大きさを求めることができる。
具体的には、図2において、振動体20がy軸方向に沿って一方向へ変位したとき、図2における左右の検出電極60において、左側の検出電極60と右側の検出電極60とでは、容量変化は互いに逆になるようになっている。そのため、左右の検出電極60におけるそれぞれの容量変化を電圧に変換し、両電圧値を差動・増幅して出力することで、角速度が求められる。
ところで、本実施形態によれば、回路チップ300の上に接着材400を介してセンサチップ200が積層され接着されており、センサチップ200と回路チップ300とがボンディングワイヤ500を介して接続されてなるセンサ装置S1において、接着材400の変形によるセンサチップ200の変位を規制するためのストッパ1が、センサチップ200の周囲に設けられていることを特徴とするセンサ装置S1が提供される。
それによれば、接着材400の変形によってセンサチップ200が大きく変位しようとしても、ストッパ1に当たってセンサチップ200の変位が規制されるため、センサチップ200と回路チップ300とをつなぐボンディングワイヤ500の変形も抑制されることになる。
したがって、本実施形態のセンサ装置S1によれば、接着材400を介して積層されるとともにボンディングワイヤ500を介して接続された回路チップ300およびセンサチップ200を有するセンサ装置において、センサチップ200が過大変位することで生じるワイヤ接続部の機械的な変形やそれに付随して生じるセンサ特性の変動を抑制することができる。
特に、本実施形態では、ストッパ1は、回路チップ300のうちセンサチップ200の外周に位置する部位に設けられたボンディングワイヤからなるワイヤ1であることも特徴点である。
ストッパとして機能するストッパワイヤ1は、図1に示されるように、センサチップ200に近接する形で張られており、チップ200に衝撃などの力が加わった場合に、センサチップ200の変位がワイヤ1により制限されることになる。
これにより、チップ200、300間をつなぐボンディングワイヤ500の変形が制限されることとなり、上述した理由により、センサの特性値が変化するのを抑えることができる。
なお、本実施形態のストッパワイヤ1を回路チップ300上に形成するタイミングは、上記図3、図4に示される製造工程に限定されるものではない。
たとえば、センサチップ200と回路チップ300との間のワイヤボンディングを行う前に、ストッパワイヤ1を形成してもよいし、回路チップ300とパッケージ100との間のワイヤボンディングを行う際にストッパワイヤ1を形成してもよい。
(第2実施形態)
図5は、本発明の第2実施形態に係るセンサ装置としての角速度センサ装置S2の構成を示す図であり、(a)は当該センサ装置S2の概略平面図であり、(b)は同センサ装置S2の概略断面図である。なお、図5(a)は、蓋140を取り外した状態のものを図5(b)の上方から見た図である。
上記第1実施形態においては、回路チップ300上にワイヤ1を張ることによりストッパを形成したが、回路チップ300上にストッパを形成して同様の効果を得るためには、必ずしもワイヤ1を張ることが必須ではない。
本実施形態では、ストッパは、回路チップ300のうちセンサチップ200の外周に位置する部位に設けられたスタッドバンプ2からなることを特徴とするセンサ装置S2が提供される。
具体的には、図5に示されるように、回路チップ300上に金などのワイヤボンディングにおけるプレボールボンディングを行うことで、スタッドバンプ2を形成し、そのスタッドバンプ2をストッパとして使用するものである。具体的には、ボールボンディングを行った後、ワイヤをカットすることでスタッドバンプが形成される。
本実施形態でも、上記第1実施形態と同様のストッパの効果が得られるとともに、チップ200、300間のワイヤボンディング工程において、ストッパ2を容易に形成することができる。
なお、このスタッドバンプ2は、接着材400の厚さよりも高いものであることはもちろんであり、そのような高さのスタッドバンプ2を形成するためには、ボールボンディングを複数回行ってもよい。つまり、スタッドバンプ2は、単層のものでも、多層が積層構造されたものでもよい。
(第3実施形態)
図6は、本発明の第3実施形態に係るセンサ装置としての角速度センサ装置S3の構成を示す図であり、(a)は当該センサ装置S3の概略平面図であり、(b)は同センサ装置S3の概略断面図である。なお、図6(a)は、蓋140を取り外した状態のものを図6(b)の上方から見た図である。
上記第2実施形態においては、ストッパは、回路チップ300のうちセンサチップ200の外周に位置する部位に設けられたスタッドバンプ2からなるものであったが、本実施形態のセンサ装置S3では、図6に示されるように、スタッドバンプに代えて、はんだバンプ3としたことを特徴とするものである。
具体的には、図5に示されるように、回路チップ300上に電極(図示せず)を設け、その電極上に、はんだをメッキしたり、印刷したりすることにより、はんだバンプ3を形成したり、はんだボールそのものを設置する方法などにより、はんだバンプ3を形成することができる。
本実施形態でも、このはんだバンプ3がストッパとして作用することにより、上記第1実施形態と同様のストッパの効果が得られる。
(第4実施形態)
図7は、本発明の第4実施形態に係るセンサ装置としての角速度センサ装置S4の構成を示す図であり、(a)は当該センサ装置S4の概略平面図であり、(b)は同センサ装置S4の概略断面図である。なお、図7(a)は、蓋140を取り外した状態のものを図7(b)の上方から見た図である。
本実施形態では、図7に示されるように、ストッパは、回路チップ300のうちセンサチップ200の外周に位置する部位に設けられた樹脂部材4からなることを特徴とするセンサ装置S4が提供される。
具体的には、図7に示されるように、回路チップ300上に、樹脂ペーストなどを、インクジェットやディスペンス等でダム状に形成し、これを硬化させることで、ダム状の樹脂部材4を形成する。
本実施形態でも、この樹脂部材4がストッパとして作用することにより、上記第1実施形態と同様のストッパの効果が得られる。
(第5実施形態)
図8は、本発明の第5実施形態に係るセンサ装置としての角速度センサ装置S5の概略平面構成を示す図であり、蓋140を取り外した状態としている。
本実施形態では、図8に示されるように、ストッパは、センサチップ200と回路チップ300とを接続するボンディングワイヤ500のうちの一部のワイヤ5を他のワイヤ500よりも太くしたものとして構成されていることを特徴とするセンサ装置S5が提供される。
このストッパとしてのワイヤ5(ここでは、アンカーワイヤ5という)は、たとえば、センサチップ200と回路チップ300とを積層して接着した後であって、センサチップ200と回路チップ300との間のワイヤボンディングを行う前もしくは後に、ワイヤボンディングによって形成することができる。
このアンカーワイヤ5を、両チップ200、300間を接続するボンディングワイヤ500の他のワイヤよりも太くすることは、たとえば、細い方を金の細線、太い方をアルミニウムの太線としたり、または、同じ材質のワイヤであってもその径を変えるなどにより、容易に実施形態可能である。
本実施形態でも、このアンカーワイヤ5がストッパとして作用する。ここでは、比較的太いアンカーワイヤ5によってセンサチップ200の変位自身が規制される。それにより、本実施形態においても、上記第1実施形態と同様に、センサチップ200が過大変位することで生じるワイヤ接続部の機械的な変形やそれに付随して生じるセンサ特性の変動を抑制することができる。
(第6実施形態)
図9は、本発明の第6実施形態に係るセンサ装置としての角速度センサ装置S6の概略平面構成を示す図であり、蓋140を取り外した状態としている。
本実施形態では、図9に示されるように、回路チップ300が、パッケージ100上に搭載され固定されており、ストッパは、センサチップ200とパッケージ100とを接続するワイヤ6として構成されていることを特徴とするセンサ装置S6が提供される。
このストッパとしてのワイヤ6は、たとえば、パッケージ100内にてセンサチップ200と回路チップ300とを積層して接着した後であれば、いつでも形成することができる。
本実施形態のワイヤ6も上記第5実施形態のアンカーワイヤと同様の作用を行うものにでき、材質やワイヤ径を変えることで、比較的太いワイヤとして構成する。
そのため、本実施形態でによっても、上記第1実施形態と同様に、センサチップ200が過大変位することで生じるワイヤ接続部の機械的な変形やそれに付随して生じるセンサ特性の変動を抑制することができる。
(他の実施形態)
以上、本発明のセンサ装置として角速度センサ装置を例にとって説明してきたが、本発明は、角速度センサに限定されるものではなく、加速度センサ、圧力センサ、温度センサ、湿度センサ、光センサ、画像センサなどにも適用可能である。
つまり、上記実施形態において、上記センサチップ200が加速度検出素子であったり、圧力検出素子であったり、温度検出素子であったり、湿度検出素子であったり、光検出素子であったり、画像検出素子であっても良い。
また、回路チップとしては、MOSトランジスタやバイポーラトランジスタなどを用いた回路、メモリ回路など何でもよい。
本発明の第1実施形態に係るセンサ装置としての角速度センサ装置の構成を示す図であり、(a)は概略平面図、(b)は概略断面図である。 図1に示される角速度センサ装置におけるセンサチップの概略平面図である。 第1実施形態に係るセンサ装置の製造方法を示す工程図である。 図3に続く製造方法を示す工程図である。 本発明の第2実施形態に係るセンサ装置としての角速度センサ装置の構成を示す図であり、(a)は概略平面図、(b)は概略断面図である。 本発明の第3実施形態に係るセンサ装置としての角速度センサ装置の構成を示す図であり、(a)は概略平面図、(b)は概略断面図である。 本発明の第4実施形態に係るセンサ装置としての角速度センサ装置の構成を示す図であり、(a)は概略平面図、(b)は概略断面図である。 本発明の第5実施形態に係るセンサ装置としての角速度センサ装置の概略平面構成を示す図である。 本発明の第6実施形態に係るセンサ装置としての角速度センサ装置の概略平面構成を示す図である。
符号の説明
1…ストッパとしてのストッパワイヤ、2…ストッパとしてのスタッドバンプ、
3…ストッパとしてのはんだバンプ、4…ストッパとしての樹脂部材、
5…ストッパとしてのアンカーワイヤ、6…ストッパとしてのワイヤ、
100…パッケージ、200…センサチップ、300…回路チップ、
400…接着材。

Claims (1)

  1. 回路チップ(300)の上に接着材(400)を介してセンサチップ(200)が積層され接着されており、
    前記センサチップ(200)と前記回路チップ(300)とがボンディングワイヤ(500)を介して接続されてなるセンサ装置において、
    前記接着材(400)の変形による前記センサチップ(200)の変位を規制するためのストッパ(1)が、前記センサチップ(200)の周囲に設けられており、
    前記ストッパは、前記回路チップ(300)のうち前記センサチップ(200)の外周に位置する部位にて前記回路チップ(300)上に設けられたボンディングワイヤからなるワイヤ(1)であり、
    前記センサチップ(200)が、前記回路チップ(300)上にて平面方向に変位したとき、前記ワイヤ(1)に当たって止まるようになっていることを特徴とするセンサ装置。
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US11/224,280 US7385296B2 (en) 2004-09-14 2005-09-13 Sensor device having stopper for limitting displacement
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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4570868B2 (ja) * 2003-12-26 2010-10-27 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP4728079B2 (ja) * 2005-10-07 2011-07-20 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置用基板および半導体装置
JP5292687B2 (ja) * 2006-10-12 2013-09-18 株式会社デンソー 圧力センサ
JP2008101980A (ja) * 2006-10-18 2008-05-01 Denso Corp 容量式半導体センサ装置
US20080257045A1 (en) * 2007-04-18 2008-10-23 Denso Corporation Sensor device for detecting physical quantity
JP2008304218A (ja) * 2007-06-05 2008-12-18 Mitsubishi Electric Corp 加速度センサおよびその製造方法
US8710568B2 (en) * 2007-10-24 2014-04-29 Denso Corporation Semiconductor device having a plurality of elements on one semiconductor substrate and method of manufacturing the same
JP4600563B2 (ja) * 2007-10-24 2010-12-15 株式会社デンソー 半導体装置及びその製造方法
JP2010199548A (ja) * 2009-01-30 2010-09-09 Elpida Memory Inc 半導体装置およびその製造方法
US8441123B1 (en) * 2009-08-13 2013-05-14 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with metal dam and fabricating method
TW201121001A (en) * 2009-12-14 2011-06-16 Domintech Co Ltd Packaging of micro-electromechanical sensor device
US8674519B2 (en) * 2010-12-17 2014-03-18 Intel Corporation Microelectronic package and method of manufacturing same
CN102491261B (zh) * 2011-12-23 2014-12-03 哈尔滨工业大学 一种基于引线键合的mems自组装过程的限位方法
JP5845152B2 (ja) 2012-07-26 2016-01-20 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置、携帯通信機器、及び、半導体装置の製造方法
JP2014049733A (ja) * 2012-09-04 2014-03-17 Fujitsu Semiconductor Ltd 半導体装置及び半導体装置の製造方法
DE102013104043A1 (de) 2013-04-22 2014-10-23 Epcos Ag Sensorbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US9070568B2 (en) * 2013-07-26 2015-06-30 Infineon Technologies Ag Chip package with embedded passive component
US9190389B2 (en) 2013-07-26 2015-11-17 Infineon Technologies Ag Chip package with passives
US9685351B2 (en) 2014-07-18 2017-06-20 Nxp Usa, Inc. Wire bond mold lock method and structure
DE102015213450A1 (de) * 2015-07-17 2017-01-19 Robert Bosch Gmbh MEMS Drehratensensor mit kombiniertem Antrieb und Detektion
JP7310598B2 (ja) * 2019-12-25 2023-07-19 株式会社デンソー 電子装置
CN113804229A (zh) * 2020-06-17 2021-12-17 京元电子股份有限公司 具有限制过转机构的动态测试模块
US11987494B2 (en) 2020-11-24 2024-05-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wire-bond damper for shock absorption

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1075152A (ja) 1996-08-29 1998-03-17 Kyocera Corp 水晶発振器
JP3841541B2 (ja) 1998-03-11 2006-11-01 カヤバ工業株式会社 加速度センサおよび加速度センサの製造方法
SG97938A1 (en) * 2000-09-21 2003-08-20 Micron Technology Inc Method to prevent die attach adhesive contamination in stacked chips
JP3631120B2 (ja) * 2000-09-28 2005-03-23 沖電気工業株式会社 半導体装置
JP2003021647A (ja) * 2001-07-06 2003-01-24 Denso Corp 電子装置
US6931928B2 (en) * 2001-09-04 2005-08-23 Tokyo Electron Limited Microstructure with movable mass
US6476506B1 (en) * 2001-09-28 2002-11-05 Motorola, Inc. Packaged semiconductor with multiple rows of bond pads and method therefor
US7253079B2 (en) * 2002-05-09 2007-08-07 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Coplanar mounting member for a MEM sensor
KR100516714B1 (ko) 2002-07-09 2005-09-22 야마이치덴키 가부시키가이샤 반도체 장치용 소켓

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Publication number Publication date
US7385296B2 (en) 2008-06-10
US7750486B2 (en) 2010-07-06
DE102005043013A1 (de) 2006-03-16
JP2006084200A (ja) 2006-03-30
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