DE102005043013B4 - Sensoranordnung mit einem Stopper zur Begrenzung einer Verschiebung - Google Patents
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Abstract
Sensor mit: einem ersten Chip (300); einem zweiten Chip (200), welcher durch ein Haftmittelteil (400) auf dem ersten Chip (300) angeordnet ist; und einer Mehrzahl von Stoppern (1–6), wobei der zweite Chip (200) mit dem ersten Chip (300) durch mindestens einen Bonddraht (500) verbunden ist, die Stopper (1–6) eine Verschiebung des zweiten Chips (200) beschränken, wenn das Haftmittelteil (400) deformiert ist, die Stopper (1–6) um den zweiten Chip (200) herum angeordnet sind, der erste Chip (300) ein Schaltungschip (300) und der zweite Chip (200) ein Sensorchip (200) ist, und wobei die Stopper (1) auf einem Teil des ersten Chips (300) angeordnete Bonddrähte (1) sind, wobei der Teil außerhalb eines Randgebiets des zweiten Chips (200) angeordnet ist.
Description
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Sensoranordnung, welche einen Stopper bzw. eine Absperrvorrichtung zur Begrenzung einer Verschiebung aufweist.
- Eine Sensoranordnung enthält einen Sensorchip und einen Schaltungschip bzw. einen Mikroschaltungsbaustein (circuit chip), welche durch ein Haftmaterial aufgeschichtet und durch einen Bonddraht verbunden sind. Dieser Typ einer Sensoranordnung besitzt eine Konstruktion, bei welcher der Sensorchip durch das Haftmaterial auf den Schaltungschip aufgeschichtet ist und daran haftet, und der Sensorchip und der Schaltungschip sind durch den Bonddraht miteinander verbunden.
- Beispielsweise wird eine Struktur zur Anbringung des Sensorchips auf dem Schaltungschip durch das Haftmaterial in Form eines Films wie eine Sensoranordnung vorgeschlagen, um eine Ausgangsänderung bezüglich einer Temperaturänderung des Sensorchips zum Zwecke der Reduzierung von einer thermischen Spannung ihres Verbindungspunkts zu verringern. Eine derartige Struktur wird beispielsweise in der
US 6 593 663 B2 offenbart. - Wenn jedoch bei der Struktur der Sensoranordnung dieser Art das Haftmaterial wie das Haftmaterial in Form eines Films für ein Anhaftens eines Abschnitts zwischen den Chips eine geringe Elastizität aufweist, wird die Steifigkeit des Verbindungspunkts des Sensorchips und des Schaltungschips derart verringert, dass der Sensorchip leicht durch einen Stoß von außen stark verschoben wird.
- Daher werden Schwierigkeiten dahingehend hervorgerufen, dass der Bonddraht für eine elektrische Verbindung der beiden Chips leicht bezüglich der Deformierung dieses Sensorchips deformiert und wiederum abgetrennt wird.
- Insbesondere beeinflusst in dem Fall eines Sensors eines Kapazitätstyps für eine physikalische Größe, welcher eine physikalische Größe in eine Kapazitätsänderung durch den Sensorchip umwandelt und die physikalische Größe erfasst, die parasitäre Kapazität zwischen benachbarten Drähten oder zwischen den Drähten und den Chips die Sensorcharakteristik.
- Daher ruft die Deformierung des Bonddrahts hervorgerufen durch ein übermäßiges Verschieben des Sensorchips eine Änderung bei der obigen parasitären Kapazität ebenso wie eine mechanische Deformierung einschließlich der Abtrennung des Drahts hervor. Daher wird die Schwierigkeit einer Änderung der Sensorchipcharakteristik hervorgerufen.
- Aus der
US 6 759 307 B1 ist ein Bauelement bekannt mit: einem ersten Chip; einem zweiten Chip, welcher durch ein Haftmittelteil auf dem ersten Chip angeordnet ist; und einem Stopper, wobei der zweite Chip mit dem ersten Chip durch einen Bonddraht verbunden ist, der Stopper eine Verschiebung des zweiten Chips beschränkt, wenn das Haftmittelteil deformiert ist, und der Stopper um den zweiten Chip herum angeordnet ist. - Im Hinblick auf die oben beschriebene Schwierigkeit ist es Aufgabe der vorliegende Erfindung, eine Sensoranordnung zu schaffen, welche Stopper bzw. eine Sperrung zur Begrenzung einer Verschiebung aufweist.
- Die Lösung der Aufgabe erfolgt durch die Merkmale der Ansprüche 1, 4, 7, 10, 13 oder 15.
- Ein Sensor enthält: einen ersten Chip; einen zweiten Chip, welcher mittels eines Haftteils auf dem ersten Chip angeordnet ist; und Stopper. Der zweite Chip ist mit dem ersten Chip durch Bonddrähte verbunden. Die Stopper begrenzen eine Verschiebung des zweiten Chips, wenn das Haftmittel deformiert wird. Die Stopper sind um den zweiten Chip herum angeordnet. Aus Gründen der vereinfachten Darstellung wird im Folgenden von den Stoppern oder Bonddrähten meist nur jeweils einer erwähnt.
- Da die Verschiebung des zweiten Chips beschränkt ist, ist ebenfalls eine Deformierung des Bonddrahts zwischen den ersten und zweiten Chips ebenfalls beschränkt. Somit wird die mechanische Festigkeit des Bonddrahts verbessert. Da die Deformierung des Bonddrahts begrenzt ist, wird des weiteren eine Abweichung der Sensorcharakteristik hervorgerufen durch die Deformierung des Bonddrahts kleiner. Somit wird die Sensorcharakteristik verbessert.
- Der erste Chip ist ein Schaltungschip bzw. ein Mikroschaltungsbaustein (circuit chip), und der zweite Chip ist ein Sensorchip.
- Gemäß einer ersten Ausführungsform ist der Stopper ein Bonddraht, welcher auf einem Teil des ersten Chips angeordnet ist, wobei der Teil außerhalb eines Rands des zweiten Chips angeordnet ist. Des weiteren besitzt vorzugsweise der zweite Chip eine rechtwinklige Form, und der Bonddraht des Stoppers besitzt eine Bogenform eines umgekehrten Hufeisens und ist außerhalb einer Ecke der rechtwinkligen Form des zweiten Chips angeordnet. Des weiteren besitzt vorzugsweise der Bonddraht des Stoppers zwei Enden, von denen jedes mit einer Oberfläche des ersten Chips verbunden ist.
- Gemäß einer zweiten Ausführungsform ist der Stopper ein Stift-Bondhügel (stud bump), welcher auf einem Teil des ersten Chips angeordnet ist, wobei der Teil außerhalb eines Rands des zweiten Chips angeordnet ist. Des weiteren besitzt vorzugsweise der zweite Chip eine rechtwinklige Form, und der Stift-Bondhügel des Stoppers enthält ein Paar von Bondhügeln, welche sich nahe zueinander befinden und außerhalb einer Ecke der rechtwinkligen Form des zweiten Chips angeordnet sind. Des weiteren sind vorzugsweise die Bondhügel des Stoppers auf einer Oberfläche des ersten Chips angeordnet.
- Gemäß einer dritten Ausführungsform ist der Stopper eine Lötperle bzw. ein Lötkontakthügel (solder bump), welcher auf einem Teil des ersten Chips angeordnet ist, wobei der Teil außerhalb eines Rands des zweiten Chips angeordnet ist. Des weiteren besitzt der zweite Chip vorzugsweise eine rechtwinklige Form und ist die Lötperle des Stoppers außerhalb einer Seite der rechtwinkligen Form des zweiten Chips angeordnet. Des weiteren ist die Lötperle vorzugsweise auf einer Oberfläche des ersten Chips angeordnet.
- Gemäß einer vierten Ausführungsform ist der Stopper ein Harzteil, welches auf einem Teil des ersten Chips angeordnet ist, wobei der Teil außerhalb eines Rands des zweiten Chips angeordnet ist. Des weiteren besitzt der zweite Chip vorzugsweise eine rechtwinklige Form und besitzt das Harzteil des Stoppers eine gedehnte bzw. verlängerte Form und ist außerhalb einer Seite der rechtwinkligen Form des zweiten Chips angeordnet. Des weiteren ist das Harzteil vorzugsweise auf einer Oberfläche des ersten Chips angeordnet.
- Gemäß einer fünften Ausführungsform ist der Stopper ein langer Draht, welcher zwischen dem ersten Chip und dem zweiten Chip angeschlossen ist, und besitzt der lange Draht einen Durchmesser, welcher größer als derjenige des Bonddrahts ist. Des weiteren besitzt der zweite Chip vorzugsweise eine rechtwinklige Form, und ist der große Draht des Stoppers auf einer Ecke der rechtwinkligen Form des zweiten Chips angeordnet.
- Gemäß einer sechsten Ausführungsform enthält der Sensor ein Gehäuse. Der erste Chip ist auf dem Gehäuse angebracht, und der Stopper ist ein Draht, welcher eine Verbindung zwischen dem zweiten Chip und dem Gehäuse herstellt. Insbesondere besitzt der zweite Chip vorzugsweise eine rechtwinklige Form und ist der Draht des Stoppers auf einer Ecke der rechtwinkligen Form des zweiten Chips angeordnet.
- Die vorliegende Erfindung wird in der nachfolgenden Beschreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnung erläutert.
-
1A zeigt eine Draufsicht, welche eine Winkelgeschwindigkeitssensoranordnung einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt, und1B zeigt eine Querschnittsansicht, welche die Anordnung von1A darstellt; -
2 zeigt eine Draufsicht, welche einen Sensorchip der Anordnung der ersten Ausführungsform darstellt; -
3A bis3C zeigen Draufsichten, welche ein Verfahren zur Herstellung der Anordnung der ersten Ausführungsform erläutern; -
4A bis4C zeigen Draufsichten, welche das Verfahren zur Herstellung der Anordnung der ersten Ausführungsform darstellen; -
5A zeigt eine Draufsicht, welche eine Winkelgeschwindigkeitssensoranordnung einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt, und5B zeigt eine Querschnittsansicht, welche die Anordnung von5A darstellt; -
6 zeigt eine Draufsicht, welche eine Winkelgeschwindigkeitssensoranordnung einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt, und6B zeigt eine Querschnittsansicht, welche die Anordnung von6A darstellt; -
7A zeigt eine Draufsicht, welche eine Winkelgeschwindigkeitssensoranordnung einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt, und73 zeigt eine Querschnittsansicht, welche die Anordnung von7A darstellt; -
8 zeigt eine Draufsicht, welche eine Winkelgeschwindigkeitssensoranordnung einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt; und -
9 zeigt eine Draufsicht, welche eine Winkelgeschwindigkeitssensoranordnung einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt. - Erste Ausführungsform
-
1A und1B zeigen Ansichten, welche die Konstruktion einer Winkelgeschwindigkeitssensoranordnung S1 als Sensoranordnung einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellen.1A zeigt eine schematische Draufsicht auf diese Sensoranordnung S1.1B zeigt eine schematische Querschnittsansicht dieser Sensoranordnung S1.1A zeigt eine Ansicht, bei welcher eine Struktur in einem Zustand mit abgenommener Abdeckung140 von oben auf die Sensoranordnung von1B zu sehen ist. - Wie in
1A und1B dargestellt, besitzt diese Sensoranordnung S1 im Wesentlichen ein Gehäuse100 , einen in dem Gehäuse100 gehaltenen Schaltungschip bzw. Mikroschaltungsbaustein (circuit chip)300 , einen Sensorchip300 , welcher durch ein Haftmaterial400 auf dem Schaltungschip300 aufgeschichtet ist und daran anhaftet und eine Winkelgeschwindigkeit erfasst, und einen Bonddraht500 für eine Verbindung der Chips200 und300 . - Das Gehäuse
100 nimmt sowohl den Chip200 als auch300 auf und formt einen Basis- bzw. Sockelabschnitt zur Aufteilung und Bildung eines Hauptkörpers der Sensoranordnung S1. Das Gehäuse100 ist angeordnet, um die Sensoranordnung S1 an einem geeigneten Platz eines Messobjektkörpers anzubringen. - Bei dem in
1A und1B dargestellten Beispiel ist beispielsweise das Gehäuse100 als Schichtstruktur konstruiert, in welcher eine Vielzahl von Keramikschichten110 aus beispielsweise Aluminiumoxid aufgeschichtet sind. Eine Verdrahtung ist auf der Oberfläche jeder Schicht110 und dem Inneren eines in jeder Schicht gebildeten Durchgangslochs (through hole) gebildet, obwohl diese Verdrahtung nicht dargestellt ist. Die Sensoranordnung S1 und die äußere Schaltung können durch diese Verdrahtung elektrisch verbunden sein. - Das Gehäuse
100 besitzt ebenfalls einen hohlen Abschnitt bzw. eine Aussparung120 , welche zur Aufnahme des Schaltungschips in ihrem Bodenabschnitt geeignet ist. Wie in1B dargestellt, ist der in diesem hohlen Abschnitt120 aufgenommene Schaltungschip300 auf dem Bodenabschnitt des Gehäuses100 durch ein Haftmittel130 angebracht und darauf befestigt, welches beispielsweise aus nicht dargestelltem Harz eines Siliziumsystems (silicon system resin), usw. gebildet ist. - Eine aus einem Metall, Harz oder Keramik, usw. gebildete Abdeckung (Deckel)
140 ist an einem Öffnungsabschnitt des Gehäuses100 angebracht. Das Innere des Gehäuses100 ist durch diese Abdeckung140 verschlossen. Dabei ist die Abdeckung140 durch ein Metall konstruiert und mit dem Gehäuse100 durch Schweißen, Löten, usw. verbunden. - Der Sensorchip
200 ist auf die obere Seite des Schaltungschips300 durch das Haftmaterial400 geschichtet. Es kann ein Haftmaterial wie Harz, usw. als das Haftmaterial400 angenommen werden. Jedoch wird bei diesem Beispiel ein Haftmaterial in Form eines Films mit einer geringen Elastizität aus einem Zwecke ähnlich wie bei der herkömmlichen Anordnung angenommen. Es ist selbstverständlich, dass ein Haftmaterial mit einer vergleichsweise hohen Elastizität ebenfalls angenommen werden kann. - Beispielsweise kann dieses Haftmaterial in Form eines Films
400 durch Harz, usw. hergestellt sein, wobei eine Haftfunktion durch unter Druck setzen und Aushärten dieses Materials erfüllt wird. Konkret dargestellt, es werden beispielsweise ein Siliziumsystem, ein Epoxidsystem, ein Polyimidsystem, ein Acrylsystem, ein Urethansystem, ein Kautschuk- bzw. Gummisystem (rubber system), ein Flüssigkristallpolymer, usw. als das Haftmaterial in Form eines Films400 verwendet. - Der Sensorchip
200 ist als Erfassungselement zur Erfassung einer Winkelgeschwindigkeit bzw. Drehzahl konstruiert. Beispielsweise bildet der Sensorchip200 einen Körper einer Balken- bzw. Auslegerstruktur, welcher eine Kammzinkenstruktur aufweist, die im Allgemeinen im Hinblick auf ein Siliziumsubstrat, usw. bekannt ist. Der Sensorchip200 kann festgelegt sein, eine Änderung einer elektrostatischen Kapazität (eines elektrischen Signals) zwischen einer beweglichen Elektrode und einer feststehenden Elektrode entsprechend der aufgebrachten Winkelgeschwindigkeit zu erfassen. - Die detaillierte Konstruktion des Sensorchips
200 als Winkelgeschwindigkeitserfassungselement dieses Beispiels wird im Wesentlichen unter Bezugnahme auf2 erläutert. -
2 zeigt eine Ansicht, welche die schematische planare Konstruktion des Sensorchips200 in der in1A und1B dargestellten Winkelgeschwindigkeitssensoranordnung S1 darstellt.2 zeigt eine schematische Draufsicht von der Unterseite eines Substrats10 aus, welches den Sensorchip200 von1B bildet. - Dieser Sensorchip
200 besitzt das Substrat10 wie ein Halbleitersubstrat, usw. und wird im Hinblick auf dieses Substrat10 unter Durchführung einer allgemein zugänglichen Mikromaterialbearbeitung gebildet. - Beispielsweise ist es möglich als das Substrat
10 ein SOI-Substrat (Silizium-auf-Isolator-Substrat) einer rechtwinkligen Form anzunehmen, bei welchem eine zweite Siliziumschicht als eine zweite Halbleiterschicht auf eine erste Siliziumschicht als erste Halbleiterschicht durch einen Oxidfilm wie eine Isolierschicht aufgesteckt bzw. angehaftet ist. - Wie in
2 dargestellt, sind Körper mit einer Balken- bzw. Auslegerstruktur20 bis60 , welche durch Gräben aufgeteilt sind, unter Durchführung eines Grabenätzens, Auslöseätzens (release etching), usw. bezüglich einer Oberflächenschicht dieses Substrats10 , beispielsweise der zweiten Siliziumschicht in dem SOI-Substrat, gebildet. - Diese Körper mit einer Auslegerstruktur
20 bis60 sind hauptsächlich aus einem Schwingungskörper20 , jeweiligen Ausleger- bzw. Balkenabschnitten23 ,40 und jeweiligen Elektroden50 ,60 konstruiert. - Der Schwingungskörper
20 ist in dem mittleren Abschnitt des Substrats10 gebildet, um innerhalb einer Seite horizontal zu dem Substrat10 , d. h., in der Zeichnungsebene von2 , zu schwingen. Bei diesem Beispiel ist der Schwingungskörper20 aus einem ersten Schwingungsabschnitt21 , welcher in dem mittleren Abschnitt befindlich und in etwa in einer rechtwinkligen Form gebildet ist, einem zweiten Schwingungsabschnitt22 , welcher in dem äußeren Umfang bzw. Randgebiet dieses ersten Schwingungsabschnitts21 befindlich und in Form eines rechtwinkligen Rahmens gebildet ist, und einem Ansteuerungsausleger- bzw. Ansteuerungsbalkenabschnitt23 konstruiert, welcher diesen ersten Schwingungsabschnitt21 und zweiten Schwingungsabschnitt22 verbindet. - Dieser Schwingungskörper
20 ist mit einem Ankerabschnitt30 , welcher in einem Randgebietsabschnitt des Substrats10 angeordnet ist, durch einen Erfassungsausleger- bzw. Erfassungsbalkenabschnitt40 verbunden. Dabei ist der Ankerabschnitt30 in dem unteren Abschnitt der Oberflächenschicht, welche diesen Körper mit einer Auslegerstruktur20 darin bildet, befestigt und wird darin gehalten, d. h. in einem Haltesubstratabschnitt in dem Substrat10 . Der Schwingungskörper20 floated bzw. schwingt von diesem Haltesubstratabschnitt aus. - Dabei kann, wie in
2 dargestellt, beispielsweise der Ansteuerungsauslegerabschnitt23 im Wesentlichen lediglich in der x-Richtung durch Bildung des Ansteuerungsauslegerabschnitts23 in einer Form, welche sich in der y-Richtung erstreckt, elastisch deformiert werden. Beispielsweise kann der Erfassungsauslegerabschnitt40 im Wesentlichen lediglich in der y-Richtung durch Bildung des Erfassungsauslegerabschnitts40 in einer Form, welche sich in der x-Richtung erstreckt, elastisch deformiert werden. - Der erste Schwingungsabschnitt
21 in dem Schwingungskörper20 kann durch den Ansteuerungsauslegerabschnitt23 in der x-Richtung (Ansteuerungsschwingungsrichtung) innerhalb der horizontalen Seite in Bezug auf das Substrat10 schwingen. Demgegenüber kann der gesamte Schwingungskörper20 durch den Erfassungsauslegeabschnitt40 in der y-Richtung (Erfassungsschwingungsrichtung) innerhalb der horizontalen Seite in Bezug auf das Substrat10 schwingen. - Die Ansteuerungselektrode
50 für den Betrieb und das Schwingen des ersten Schwingungsabschnitts23 in der x-Richtung ist zwischen dem ersten Schwingungsabschnitt21 und dem zweiten Schwingungsabschnitt22 angeordnet. Ähnlich wie der Ankerabschnitt30 ist diese Ansteuerungselektrode50 an dem obigen Haltesubstratabschnitt befestigt. Die Ansteuerungselektrode50 ist gegenüberliegend einem Kammzinkenabschnitt (Kammzinkenabschnitt für eine Ansteuerung)21a , welcher von dem ersten Schwingungsabschnitt21 aus vorspringt, derart angeordnet, dass ihre Kammzinken ineinander greifen. - Die Erfassungselektrode
60 ist in dem äußeren Umfang bzw. Randgebiet des zweiten Schwingungsabschnitts22 angeordnet. Diese Erfassungselektrode60 ist angeordnet, um eine Winkelgeschwindigkeit um die z-Achse herum senkrecht zu dem Substrat10 auf der Grundlage der Schwingung des Schwingungskörpers20 zu erfassen. Ähnlich wie der Ankerabschnitt30 ist die Erfassungselektrode an dem obigen Haltesubstratabschnitt befestigt. Die Erfassungselektrode60 ist gegenüberliegend einem Kammzinkenabschnitt (Kammzinkenabschnitt für die Erfassung)22a , welcher von dem zweiten Schwingungsabschnitt22 aus vorspringt, derart angeordnet, dass ihre Kammzinken ineinander greifen. - Wie in
1A dargestellt, sind eine Vielzahl von Kontaktstellen70 an einem geeigneten Platz des Substrats10 in diesem Sensorchip200 angeordnet, obwohl die Kontaktstellen70 in2 nicht dargestellt sind. Die Kontaktstelle70 ist aus Aluminium, usw., gebildet, um Spannungen an den obigen Schwingungskörper20 , die Ansteuerungselektrode50 , die Erfassungselektrode60 , usw. anzulegen und Signale aufzunehmen. - In diesem Ausführungsmodus ist, wie in
1A dargestellt, diese Kontaktstelle70 in dem Umfangsabschnitt des Substrats10 angeordnet. Der Bonddraht500 aus Au (Gold), Aluminium, usw. ist an diese Kontaktstelle70 angeschlossen. Dieser Sensorchip200 besitzt die oben beschriebene Konstruktion. - Dabei ist beispielsweise der Schaltungschip bzw. Mikroschaltungsbaustein
300 ein IC-Chip, usw., bei welchem ein MOS-Transistor, ein Bipolartransistor, usw. unter Verwendung eines allgemein zugänglichen, bekannten Halbleiterprozesses im Hinblick auf ein Siliziumsubstrat, usw. gebildet sind. Der Schaltungschip300 ist auf einen Signalverarbeitungschip festgelegt, welcher Funktionen zum Senden einer Spannung dem Sensorchip200 und zum Verarbeiten eines elektrischen Signals von dem Sensorchip200 und zum Ausgeben des elektrischen Signals nach außen, usw. aufweist. - Wie in
1A und1B dargestellt, sind die Kontaktstelle70 des Sensorchips200 und eine Kontaktstelle310 des Schaltungschips300 sowie die Kontaktstelle310 des Schaltungschips300 und eine Kontaktstelle150 des Gehäuses100 jeweils elektrisch durch den Bonddraht500 verbunden, welcher aus Gold, Aluminium, usw. gebildet ist. - Somit sind der Sensorchip
200 , der Schaltungschip300 und das Gehäuse100 durch den Bonddraht500 elektrisch miteinander verbunden. Der Sensorchip200 und der Schaltungschip300 dürfen nicht, wie in1A und1B dargestellt, direkt mit dem Bonddraht500 verbunden sein. - Beispielsweise können der Sensorchip
200 und das Gehäuse100 durch den Bonddraht500 verbunden sein, und das Gehäuse100 und der Schaltungschip300 können ebenfalls durch den Bonddraht500 verbunden sein. In diesem Fall sind der Sensorchip200 und der Schaltungschip300 unveränderlich durch den Bonddraht500 verbunden, obwohl das Gehäuse100 zwischengeschaltet ist. - Somit wird ein elektrisches Signal (Kapazitätsänderung) von dem Sensorchip
200 dem Schaltungschip300 gesendet und in ein Spannungssignal durch eine C/V-Wandlerschaltung, usw. umgewandelt, welche in dem Schaltungschip300 angeordnet ist, und als Winkelgeschwindigkeitssignal ausgegeben. - Wie in
1A und1B dargestellt, ist bei diesem Ausführungsmodus ein Stopper1 zum Regulieren der Verschiebung des Sensorchips200 infolge der Deformierung des Haftmaterials400 , welches zwischen den Chips200 und300 angeordnet ist, um den Sensorchip200 herum angeordnet. - Bei diesem Ausführungsmodus ist der Stopper
1 ein Draht1 (hiernach als Stopperdraht1 bezeichnet), welcher durch einen Bonddraht gebildet ist, welcher in einem Teil angeordnet ist, der außerhalb des äußeren Umfangs bzw. Randgebiets des Sensorchips200 auf dem Schaltungschip300 befindlich ist. - Ähnlich wie der obige Bonddraht
500 kann dieser Stopperdraht1 unter Durchführung des Drahtbondens von Gold, Aluminium, usw. zwischen den Kontaktstellen310 auf dem Schaltungschip300 gebildet werden. - Bei diesem Beispiel wird das Haftmaterial in Form eines Films
400 mit einer geringen Elastizität zu einem Zwecke angenommen, welcher ähnlich demjenigen bei der herkömmlichen Anordnung ist. Daher wird der Sensorchip200 durch einen äußeren Stoß, usw. in der planaren Richtung auf dem Schaltungschip300 verschoben. - Dabei besitzt, wie in
1B dargestellt, der Stopperdraht1 eine Schleifenhöhe, die größer als die Dicke des Haftmaterials400 ist. Sogar dann, wenn der Sensorchip200 stark in der obigen planaren Richtung verschoben wird, stößt der Sensorchip200 gegen diesen Stopperdraht1 und wird gestoppt. - Ein Herstellungsverfahren dieser Sensoranordnung S1 mit einer derartigen Konstruktion wird unter Bezugnahme auf
3A ,3B ,3C und4A ,4B ,4C erläutert.3A ,3B ,3C und4A ,4B ,4C zeigen Prozessansichten zur Erläuterung dieses Herstellungsverfahrens und sind schematische Draufsichten, bei welchen eine Arbeit in jedem Herstellungsprozess aus demselben Blickwinkel wie bei1A zu sehen ist. - Zuerst wird, wie in
3A dargestellt, der Bodenabschnitt des Gehäuses100 mit einem Haftmittel130 überzogen. Wie in3B dargestellt, wird ein Schaltungschip300 auf diesem Haftmittel130 angebracht, und es werden der Schaltungschip300 und das Gehäuse100 durch das Haftmittel aneinander gehaftet. - Danach werden, wie in
3C dargestellt, die Kontaktstelle150 des Gehäuses100 und die Kontaktstelle310 des Schaltungschips300 durch den Bonddraht500 unter Durchführung des Drahtbondens verbunden. - Als Nächstes wird ein Drahtbonden zwischen den Kontaktstellen
310 für den Stopperdraht1 , welcher auf dem Schaltungschip300 angeordnet ist, durch denselben Drahtbondprozess durchgeführt, und diese Kontaktstellen310 werden durch den Stopperdraht1 verbunden. - Nachdem dieses Drahtbonden beendet worden ist, wird das Haftmaterial
400 auf dem Schaltungschip300 , wie in4A dargestellt, angebracht. Wie in4B dargestellt, wird der Sensorchip200 auf dem Haftmaterial400 angebracht. Danach wird das Haftmaterial400 derart gehärtet, dass der Sensorchip200 und der Schaltungschip300 aneinander haften. - Wie in
4C dargestellt, werden die Kontaktstelle70 des Sensorchips200 und die Kontaktstelle310 des Schaltungschips300 durch den Bonddraht500 verbunden. Danach wird die Abdeckung140 (siehe1B ) auf das Gehäuse100 derart geschweißt bzw. gelötet, dass das Innere des Gehäuses100 verschlossen ist. Somit ist die Winkelgeschwindigkeitssensoranordnung S1 fertig gestellt. - Die Erfassungsoperation einer derartigen Winkelgeschwindigkeitssensoranordnung S1 wird im Folgenden erläutert. Unter Bezugnahme auf
2 wird eine elektrostatische Kraft zwischen dem Kammzinkenabschnitt21a des ersten Schwingungsabschnitts21 und der Ansteuerungselektrode50 durch Anlegen eines Steuersignals (Sinuswellenspannung, usw.) von dem Schaltungschip300 an die Ansteuerungselektrode50 des Sensorchips200 durch den Bonddraht500 erzeugt. Somit wird der erste Schwingungsabschnitt21 durch die elastische Kraft des Ansteuerungsauslegerabschnitts23 betrieben und in der x-Richtung zum Schwingen gebracht. - Wenn eine Winkelgeschwindigkeit Ω um die z-Achse herum auf der Grundlage der Operation und Schwingung dieses ersten Schwingungsabschnitts
21 aufgebracht wird, wird eine Coriolis-Kraft dem ersten Schwingungsabschnitt21 in der y-Richtung aufgebracht, und es wird der gesamte Schwingungskörper20 durch die elastische Kraft des Erfassungsauslegeabschnitts40 in der y-Richtung in Bezug auf eine Erfassung zum Schwingen gebracht. - Somit wird die Kapazität zwischen der Erfassungselektrode
60 und der Kammzinke des Kammzinkenabschnitts22a für eine Erfassung durch diese Erfassungsschwingung geändert. Daher kann die Größe der Winkelgeschwindigkeit Ω durch Erfassen dieser Kapazitätsänderung berechnet werden. - Konkret dargestellt, wenn der Schwingungskörper
20 in einer Richtung entlang der Richtung der y-Achse in2 verschoben wird, werden die Kapazitätsänderungen in der Erfassungselektrode60 an der linken Seite und der Erfassungselektrode60 an der rechten Seite derart festgelegt, dass sie sich zueinander in den linken und rechten Erfassungselektroden60 entsprechend2 umgekehrt verhalten. Daher wird die Winkelgeschwindigkeit durch Umwandeln der jeweiligen Kapazitätsänderung in den linken und rechten Erfassungselektroden60 in Spannungen und durch Differenzieren, Verstärken und Ausgeben beider Spannungswerte berechnet. - Bei diesem Ausführungsmodus wird der Sensorchip
200 auf den Schaltungschip300 durch das Haftmaterial400 aufgeschichtet und angehaftet, und es werden der Sensorchip200 und der Schaltungschip300 durch den Bonddraht500 in der Sensoranordnung S1 verbunden. Diese Sensoranordnung S1 ist dadurch charakterisiert, dass der Stopper1 für eine Regulierung der Verschiebung des Sensorchips infolge der Deformierung des Haftmaterials400 um den Sensorchip200 herum angeordnet ist. - Sogar dann, wenn bei dieser Konstruktion der Sensorchip
200 dazu bestimmt ist, sich durch die Deformierung des Haftmaterials400 stark zu verschieben, wird die Verschiebung des Sensorchips200 durch Anstoßen gegen den Stopper1 reguliert. Daher wird die Deformierung des Bonddrahts500 , welcher den Sensorchip200 und den Schaltungschip300 verbindet, ebenfalls beschränkt. - Dementsprechend kann bei der Sensoranordnung S1 dieses Ausführungsmodus die mechanische Deformierung eines Drahtverbindungsabschnitts hervorgerufen durch eine übermäßige Verschiebung des Sensorchips
200 und eine Änderung der Sensorcharakteristik parallel hervorgerufen durch diese mechanische Deformierung bei der Sensoranordnung beschränkt werden, welche den Schaltungschip300 und den Sensorchip200 aufweist, die durch das Haftmaterial400 aufgeschichtet und durch den Bonddraht500 verbunden sind. - Insbesondere ist es bei diesem Ausführungsmodus ebenfalls charakteristisch, dass der Stopper
1 der Draht1 ist, welcher durch einen Bonddraht gebildet wird, der in einem Teil angeordnet ist, welcher außerhalb des äußeren Umfangs bzw. Randgebiets des Sensorchips200 auf dem Schaltungschip300 befindlich ist. - Wie in
1A und1B dargestellt, ist der Stopperdraht1 , welcher als der Stopper arbeitet, in der Form nahe dem Sensorchip200 gestreckt. Wenn eine Kraft wie ein Stoß, usw. dem Chip200 aufgebracht wird, wird die Verschiebung des Sensorchips200 durch den Draht1 beschränkt. - Somit ist die Deformierung des Bonddrahts
500 , welcher die Chips200 und300 verbindet, derart beschränkt, dass eine Änderung eines charakteristischen Werts des Sensors aus den obigen Gründen beschränkt sein kann. - Kein Zeitablauf zur Bildung des Stopperdrahts
1 dieses Ausführungsmodus auf dem Schaltungschip300 ist auf die in3A ,3B ,3C und4A ,4B ,4C dargestellten Herstellungsprozesse beschränkt. - Beispielsweise kann der Stopperdraht
1 ebenfalls gebildet werden, bevor das Drahtbonden zwischen dem Sensorchip200 und dem Schaltungschip300 durchgeführt worden ist. Der Stopperdraht1 kann ebenfalls beim Durchführen des Drahtbondens zwischen dem Schaltungschip300 und dem Gehäuse100 gebildet werden. - Zweite Ausführungsform
-
5A und5B zeigen Ansichten, welche die Konstruktion einer Winkelgeschwindigkeitssensoranordnung S2 als Sensoranordnung eines zweiten Ausführungsmodus der vorliegenden Erfindung darstellt.5A zeigt eine schematische Draufsicht auf diese Sensoranordnung S2.5B zeigt eine schematische Querschnittsansicht dieser Sensoranordnung S2.5A zeigt eine Ansicht, bei welcher eine Struktur mit der entfernten Abdeckung140 von oberhalb der Sensoranordnung von5B aus zu sehen ist. - Bei dem obigen ersten Ausführungsmodus wird der Stopper durch Dehnen des Drahts
1 auf dem Schaltungschip300 gebildet. Es ist jedoch nicht notwendigerweise unerlässlich, dass der Draht1 gedehnt wird, um eine ähnliche Wirkung durch Bilden des Stoppers auf dem Schaltungschip300 zu erlangen. - Dieser Ausführungsmodus liefert die Sensoranordnung S2, welche dadurch charakterisiert ist, dass der Stopper durch einen Stift-Bondhügel
2 gebildet ist, welcher in einem Teil angeordnet ist, der außerhalb des äußeren Umfangs bzw. Randgebiets des Sensorchips200 auf dem Schaltungschip300 befindlich ist. - Konkret dargestellt, es wird, wie in
5A und5B gezeigt, der Stift-Bondhügel2 unter Durchführung eines Prä- bzw. Vornagelkopfbondens (preball bonding) bei dem Drahtbonden von Gold, usw. auf dem Schaltungschip300 gebildet. Dieser Stift-Bondhügel2 wird als Stopper verwendet. Konkret dargestellt, nachdem das Nagelkopfbonden durchgeführt worden ist, wird der Draht derart abgetrennt, dass der Stift-Bondhügel2 gebildet wird. - Bei diesem Ausführungsmodus wird die Wirkung des Stoppers ähnlich derjenigen des ersten Ausführungsmodus erlangt, und es kann der Stopper
2 leicht in dem Drahtbondprozess zwischen den Chips200 und300 gebildet werden. - Dieser Stift-Bondhügel
2 ist natürlich höher ausgebildet als die Dicke des Haftmaterials400 . Das Nagelkopfbonden kann ebenfalls mehrere Male durchgeführt werden, um den Stift-Bondhügel2 mit einer derartigen Höhe zu bilden. Es kann nämlich der Stift-Bondhügel2 durch eine einfache Schicht konstruiert und ebenfalls durch eine Struktur konstruiert werden, welche durch Aufschichten vieler Schichten gebildet wird. - Dritte Ausführungsform
-
6A und6B zeigen Ansichten, welche die Konstruktion einer Winkelgeschwindigkeitssensoranordnung S3 als Sensoranordnung eines dritten Ausführungsmodus der vorliegenden Erfindung darstellen.6A zeigt eine schematische Draufsicht auf die Sensoranordnung S3.6B zeigt eine schematische Querschnittsansicht dieser Sensoranordnung S3.6A zeigt eine Ansicht, bei welcher eine Struktur mit der entfernten Abdeckung140 von oberhalb der Sensoranordnung von6B aus zu sehen ist. - Bei dem zweiten Ausführungsmodus ist der Stopper durch den Stift-Bondhügel
2 konstruiert, welcher in dem Teil angeordnet ist, der außerhalb des äußeren Umfangs bzw. Randgebiets des Sensorchips200 auf dem Schaltungschip300 befindlich ist. Jedoch ist, wie in6A und6B dargestellt, die Sensoranordnung S3 dieses Ausführungsmodus dadurch charakterisiert, dass ein Löt-Bondhügel3 anstelle des Stift-Bondhügels verwendet wird. - Konkret dargestellt, eine nicht dargestellte Elektrode ist, wie in
5A und5B dargestellt, auf dem Schaltungschip300 angeordnet. Der Löt-Bondhügel3 wird auf dieser Elektrode durch Auftragen bzw. Plattieren von Lötmittel und Drucken von Lötmittel gebildet. Der Löt-Bondhügel3 kann ebenfalls durch ein Verfahren zum Anordnen einer Lötkugel selbst, usw. gebildet werden. - Bei diesem Ausführungsmodus wird die Wirkung des Stoppers ähnlich wie diejenige bei dem ersten Ausführungsmodus durch die Operation dieses Löt-Bondhügels
3 als Stopper erzielt. - Vierte Ausführungsform
-
7A und7B zeigen Ansichten, welche die Konstruktion einer Winkelgeschwindigkeitssensoranordnung S4 als Sensoranordnung eines vierten Ausführungsmodus der vorliegenden Erfindung darstellen.7A zeigt eine schematische Draufsicht auf diese Sensoranordnung S4.7B zeigt eine schematische Querschnittsansicht dieser Sensoranordnung S4.7A zeigt eine Ansicht, bei welcher eine Struktur mit der entfernten Abdeckung140 von oberhalb der Sensoranordnung von7B aus zu sehen ist. - Wie in
7A und7B dargestellt, liefert dieser Ausführungsmodus die Sensoranordnung S4, welche dadurch charakterisiert ist, dass der Stopper durch ein Harzteil4 konstruiert ist, welches in einem Teil angeordnet ist, der außerhalb des äußeren Umfangs bzw. Randgebiets des Sensorchips200 auf dem Schaltungschip300 befindlich ist. - Konkret dargestellt, es sind, wie in
7A und7B dargestellt, eine Harzpaste, usw. auf dem Schaltungschip300 in Form eines Damms bzw. einer Wand durch einen Tintenstrahl, durch Verteilen bzw. Dosieren, usw. gebildet. Das Harzteil in Form eines Damms wird durch Härten dieser Harzpaste, usw. gebildet. - Bei diesem Ausführungsmodus wird ebenfalls die Wirkung des Stoppers ähnlich derjenigen bei dem obigen ersten Ausführungsmodus durch die Operation dieses Harzteils
4 als Stopper erlangt. - Fünfte Ausführungsform
-
8 zeigt eine Ansicht, welche eine schematische planare Konstruktion einer Winkelgeschwindigkeitssensoranordnung S5 als Sensoranordnung eines fünften Ausführungsmodus der vorliegenden Erfindung darstellt. Die Abdeckung140 ist dabei abgenommen. - Wie in
8 dargestellt, liefert dieser Ausführungsmodus die Sensoranordnung S5, welche dadurch charakterisiert ist, dass der Stopper durch Festlegen eines partiellen Drahts5 des Bonddrahts500 zum Verbinden des Sensorchips200 und des Schaltungschips300 auf einen größeren Wert der Dicke als denjenigen des anderen Drahts500 gebildet wird. - Beispielsweise kann der Draht
5 (hier als Ankerdraht5 bezeichnet) als dieser Stopper durch das Drahtbonden, nachdem der Sensorchip200 und der Schaltungschip300 aufgeschichtet und angehaftet sind, und bevor oder nachdem das Drahtbonden zwischen dem Sensorchip200 und dem Schaltungschip300 durchgeführt worden ist, gebildet werden. - Beispielsweise kann dieser Ankerdraht
5 auf einen größeren Wert der Dicke als denjenigen bei dem anderen Draht des Bonddrahts500 zum Verbinden der Chips200 und300 in dem Ausführungsmodus durch Festlegen des dünneren Drahts auf einen dünnen Golddraht und durch Festlegen des dickeren Drahts auf einen dicken Aluminiumdraht oder durch Ändern des Durchmessers des Drahts sogar bei dem Draht desselben Materials, usw. leicht festgelegt werden. - Bei diesem Ausführungsmodus arbeitet dieser Ankerdraht
5 als Stopper. Dabei wird die Verschiebung des Sensorchips200 selbst durch den vergleichsweise dicken Ankerdraht5 reguliert. Somit ist es bei diesem Ausführungsmodus ähnlich wie bei dem ersten Ausführungsmodus möglich, die mechanische Deformierung eines Drahtverbindungsabschnitts hervorgerufen durch eine übermäßige Verschiebung des Sensorchips200 und eine Änderung der Sensorcharakteristik parallel hervorgerufen durch diese mechanische Deformierung zu beschränken. - Sechste Ausführungsform
-
9 zeigt eine Ansicht, welche die schematische planare Konstruktion einer Winkelgeschwindigkeitssensoranordnung S6 als Sensoranordnung eines sechsten Ausführungsmodus der vorliegenden Erfindung darstellt. Die Abdeckung140 ist dabei abgelöst. - Wie in
9 dargestellt, liefert dieser Ausführungsmodus die Sensoranordnung S6, welche dadurch charakterisiert ist, dass der Schaltungschip300 auf dem Gehäuse100 angebracht und darauf befestigt ist, und der Stopper ist als Draht6 zum Verbinden des Sensorchips200 und des Gehäuses100 gebildet. - Beispielsweise kann der Draht
6 als dieser Stopper zu irgendeinem Zeitpunkt gebildet werden, nachdem der Sensorchip200 und der Schaltungschip300 innerhalb des Gehäuses100 aufgeschichtet sind und aneinander haften. - Der Draht
6 dieses Ausführungsmodus kann ebenfalls darauf festgelegt werden, eine Wirkung ähnlich derjenigen des Ankerdrahts des obigen fünften Ausführungsmodus anzunehmen, und wird als vorzugsweise dicker Draht durch Ändern des Materials und des Drahtdurchmessers gebildet. - Daher ist es bei diesem Ausführungsmodus ähnlich wie bei dem ersten Ausführungsmodus möglich, die mechanische Deformierung eines Drahtverbindungsabschnitts hervorgerufen durch eine übermäßige Verschiebung des Sensorchips
200 und eine Änderung der Sensorcharakteristik parallel hervorgerufen durch diese mechanische Deformierung zu beschränken. - Modifizierungen
- Die Winkelgeschwindigkeitssensoranordnung wurde als Beispiel der Sensoranordnung der vorliegende Erfindung erläutert. Jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht auf den Winkelgeschwindigkeitssensor beschränkt, sondern kann ebenfalls auf einen Beschleunigungssensor, Drucksensor, Temperatursensor, Feuchtesensor, optischen Sensor, Bildsensor, usw. angewandt werden. Nämlich kann bei den Ausführungsmoden der Sensorchip
200 ebenfalls ein Beschleunigungserfassungselement, ein Druckerfassungselement, ein Temperaturerfassungselement, ein Feuchteerfassungselement, ein optisches Erfassungselement oder ein Bilderfassungselement sein. - Der Schaltungschip kann irgendein Chip eines Schaltkreises unter Verwendung eines MOS-Transistors, eines Bipolartransistors, usw., einer Speicherschaltung, usw. sein.
- Kurz dargestellt, bei der Sensoranordnung, bei welcher der Sensorchip auf dem Schaltungschip durch das Haftmaterial aufgeschichtet ist und darauf haftet und der Sensorchip und der Schaltungschip durch den Bonddraht verbunden sind, besitzt die vorliegende Erfindung einen Hauptabschnitt, bei welchem der Stopper zur Regulierung der Verschiebung des Sensorchips infolge der Deformierung des Haftmaterials um den Sensorchip herum angeordnet ist. Die anderen Abschnitte können in ihrer Gestaltung geeignet abgewandelt sein.
- Vorstehend wurde eine Sensoranordnung mit einem Stopper zur Begrenzung einer Verschiebung offenbart. Ein Sensor enthält einen ersten Chip (
300 ), einen zweiten Chip (200 ), welcher durch ein Haftteil (400 ) auf dem ersten Chip (300 ) angeordnet ist, und einen Stopper (1 –6 ). Der zweite Chip (200 ) ist mit dem ersten Chip (300 ) durch einen Bonddraht (500 ) verbunden. Der Stopper (1 –6 ) begrenzt eine Verschiebung des zweiten Chips (200 ), wenn das Haftteil (400 ) deformiert ist. Der Stopper (1 –6 ) ist um den zweiten Chip (200 ) herum angeordnet. Da die Verschiebung des zweiten Chips (200 ) beschränkt ist, ist ebenfalls eine Deformierung des Bonddrahts (500 ) zwischen dem ersten und dem zweiten Chip (200 ,300 ) beschränkt.
Claims (16)
- Sensor mit: einem ersten Chip (
300 ); einem zweiten Chip (200 ), welcher durch ein Haftmittelteil (400 ) auf dem ersten Chip (300 ) angeordnet ist; und einer Mehrzahl von Stoppern (1 –6 ), wobei der zweite Chip (200 ) mit dem ersten Chip (300 ) durch mindestens einen Bonddraht (500 ) verbunden ist, die Stopper (1 –6 ) eine Verschiebung des zweiten Chips (200 ) beschränken, wenn das Haftmittelteil (400 ) deformiert ist, die Stopper (1 –6 ) um den zweiten Chip (200 ) herum angeordnet sind, der erste Chip (300 ) ein Schaltungschip (300 ) und der zweite Chip (200 ) ein Sensorchip (200 ) ist, und wobei die Stopper (1 ) auf einem Teil des ersten Chips (300 ) angeordnete Bonddrähte (1 ) sind, wobei der Teil außerhalb eines Randgebiets des zweiten Chips (200 ) angeordnet ist. - Sensor nach Anspruch 1, wobei der Sensorchip (
200 ) eine rechtwinklige Form aufweist, und die Bonddrähte (1 ) der Stopper (1 ) eine Bogenform eines umgekehrten Hufeisens aufweisen und außerhalb einer Ecke der rechtwinkligen Form des zweiten Chips (200 ) angeordnet sind. - Sensor nach Anspruch 2, wobei die Bonddrähte (
1 ) des Stoppers (1 ) zwei Enden aufweisen, von denen jedes mit einer Oberfläche des ersten Chips (300 ) verbunden ist. - Sensor mit: einem ersten Chip (
300 ); einem zweiten Chip (200 ), welcher durch ein Haftmittelteil (400 ) auf dem ersten Chip (300 ) angeordnet ist; und einer Mehrzahl von Stoppern (1 –6 ), wobei der zweite Chip (200 ) mit dem ersten Chip (300 ) durch mindestens einen Bonddraht (500 ) verbunden ist, die Stopper (1 –6 ) eine Verschiebung des zweiten Chips (200 ) beschränken, wenn das Haftmittelteil (400 ) deformiert ist, die Stopper (1 –6 ) um den zweiten Chip (200 ) herum angeordnet sind, der erste Chip (300 ) ein Schaltungschip (300 ) und der zweite Chip (200 ) ein Sensorchip (200 ) ist, und wobei die Stopper (2 ) als Stift-Bondhügel (2 ) ausgebildet sind, welche auf einem Teil des ersten Chips (300 ) angeordnet sind, wobei der Teil außerhalb eines Randgebiets des zweiten Chips (200 ) angeordnet ist. - Sensor nach Anspruch 4, wobei der zweite Chip (
200 ) eine rechtwinklige Form aufweist, und die Stift-Bondhügel (2 ) der Stopper (2 ) ein Paar von Bondhügeln enthalten, welche nahe zueinander befindlich und außerhalb einer Ecke der rechtwinkligen Form des zweiten Chips (200 ) angeordnet sind. - Sensor nach Anspruch 5, wobei die Bondhügel (
2 ) der Stopper (2 ) auf einer Oberfläche des ersten Chips (300 ) angeordnet sind. - Sensor mit: einem ersten Chip (
300 ); einem zweiten Chip (200 ), welcher durch ein Haftmittelteil (400 ) auf dem ersten Chip (300 ) angeordnet ist; und einer Mehrzahl von Stoppern (1 –6 ), wobei der zweite Chip (200 ) mit dem ersten Chip (300 ) durch mindestens einen Bonddraht (500 ) verbunden ist, die Stopper (1 –6 ) eine Verschiebung des zweiten Chips (200 ) beschränken, wenn das Haftmittelteil (400 ) deformiert ist, die Stopper (1 –6 ) um den zweiten Chip (200 ) herum angeordnet sind, der erste Chip (300 ) ein Schaltungschip (300 ) und der zweite Chip (200 ) ein Sensorchip (200 ) ist, und wobei die Stopper (3 ) als Lötperlen (3 ) ausgebildet sind, welche auf einem Teil des ersten Chips (300 ) angeordnet sind, wobei der Teil außerhalb eines Randgebiets des zweiten Chips (200 ) angeordnet ist. - Sensor nach Anspruch 7, wobei der zweite Chip (
200 ) eine rechtwinklige Form aufweist und die Lötperlen (3 ) der Stopper (3 ) außerhalb einer Seite der rechtwinkligen Form des zweiten Chips (200 ) angeordnet sind. - Sensor nach Anspruch 8, wobei die Lötperlen (
3 ) auf einer Oberfläche des ersten Chips (300 ) angeordnet sind. - Sensor mit: einem ersten Chip (
300 ); einem zweiten Chip (200 ), welcher durch ein Haftmittelteil (400 ) auf dem ersten Chip (300 ) angeordnet ist; und einer Mehrzahl von Stoppern (1 –6 ), wobei der zweite Chip (200 ) mit dem ersten Chip (300 ) durch mindestens einen Bonddraht (500 ) verbunden ist, die Stopper (1 –6 ) eine Verschiebung des zweiten Chips (200 ) beschränken, wenn das Haftmittelteil (400 ) deformiert ist, die Stopper (1 –6 ) um den zweiten Chip (200 ) herum angeordnet sind, der erste Chip (300 ) ein Schaltungschip (300 ) und der zweite Chip (200 ) ein Sensorchip (200 ) ist, und wobei die Stopper (4 ) als Harzteile (4 ) ausgebildet sind, welche auf einem Teil des ersten Chips (300 ) angeordnet sind, wobei der Teil außerhalb eines Randgebiets des zweiten Chips (200 ) angeordnet ist. - Sensor nach Anspruch 10, wobei der Sensorchip (
200 ) eine rechtwinklige Form aufweist und die Harzteile (4 ) der Stopper (4 ) eine gedehnte Form aufweisen und außerhalb einer Seite der rechtwinkligen Form des zweiten Chips (200 ) angeordnet sind. - Sensor nach Anspruch 11, wobei die Harzteile (
4 ) auf einer Oberfläche des ersten Chips (300 ) angeordnet sind. - Sensor mit: einem ersten Chip (
300 ); einem zweiten Chip (200 ), welcher durch ein Haftmittelteil (400 ) auf dem ersten Chip (300 ) angeordnet ist; und einer Mehrzahl von Stoppern (1 –6 ), wobei der zweite Chip (200 ) mit dem ersten Chip (300 ) durch mindestens einen Bonddraht (500 ) verbunden ist, die Stopper (1 –6 ) eine Verschiebung des zweiten Chips (200 ) beschränent, wenn das Haftmittelteil (400 ) deformiert ist, die Stopper (1 –6 ) um den zweiten Chip (200 ) herum angeordnet sind, der erste Chip (300 ) ein Schaltungschip (300 ) und der zweite Chip (200 ) ein Sensorchip (200 ) ist, und wobei die Stopper (5 ) als lange Drähte (5 ) ausgebildet sind, welche eine Verbindung zwischen dem ersten Chip (300 ) und dem zweiten Chip (200 ) bilden, und die langen Drähte (5 ) jeweils einen Durchmesser aufweisen, welcher größer als derjenige des Bonddrahts ist. - Sensor nach Anspruch 13, wobei der zweite Chip (
200 ) eine rechtwinklige Form aufweist, und die langen Drähte (5 ) der Stopper (5 ) jeweils auf einer Ecke der rechtwinkligen Form des Sensorchips (200 ) angeordnet sind. - Sensor mit: einem ersten Chip (
300 ); einem zweiten Chip (200 ), welcher durch ein Haftmittelteil (400 ) auf dem ersten Chip (300 ) angeordnet ist; und einer Mehrzahl von Stoppern (1 –6 ), wobei der zweite Chip (200 ) mit dem ersten Chip (300 ) durch mindestens einen Bonddraht (500 ) verbunden ist, die Stopper (1 –6 ) eine Verschiebung des zweiten Chips (200 ) beschränken, wenn das Haftmittelteil (400 ) deformiert ist, die Stopper (1 –6 ) um den zweiten Chip (200 ) herum angeordnet sind, der erste Chip (300 ) ein Schaltungschip (300 ) und der zweite Chip (200 ) ein Sensorchip (200 ) ist, und wobei der Sensor ein Gehäuse (100 ) aufweist, wobei der erste Chip (300 ) auf dem Gehäuse (100 ) angebracht ist, und die Stopper (6 ) als Drähte (6 ) ausgebildet sind, welche eine Verbindung zwischen dem zweiten Chip (200 ) und dem Gehäuse (100 ) bilden. - Sensor nach Anspruch 15, wobei der zweite Chip (
200 ) eine rechtwinklige Form aufweist und die Drähte (6 ) der Stopper (6 ) jeweils auf einer Ecke der rechtwinkligen Form des zweiten Chips (200 ) angeordnet sind.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004/266692 | 2004-09-14 | ||
JP2004266692A JP4438579B2 (ja) | 2004-09-14 | 2004-09-14 | センサ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102005043013A1 DE102005043013A1 (de) | 2006-03-16 |
DE102005043013B4 true DE102005043013B4 (de) | 2018-02-01 |
Family
ID=35853773
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102005043013.9A Expired - Fee Related DE102005043013B4 (de) | 2004-09-14 | 2005-09-09 | Sensoranordnung mit einem Stopper zur Begrenzung einer Verschiebung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7385296B2 (de) |
JP (1) | JP4438579B2 (de) |
DE (1) | DE102005043013B4 (de) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4570868B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2010-10-27 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP4728079B2 (ja) * | 2005-10-07 | 2011-07-20 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置用基板および半導体装置 |
JP5292687B2 (ja) * | 2006-10-12 | 2013-09-18 | 株式会社デンソー | 圧力センサ |
JP2008101980A (ja) * | 2006-10-18 | 2008-05-01 | Denso Corp | 容量式半導体センサ装置 |
US20080257045A1 (en) * | 2007-04-18 | 2008-10-23 | Denso Corporation | Sensor device for detecting physical quantity |
JP2008304218A (ja) * | 2007-06-05 | 2008-12-18 | Mitsubishi Electric Corp | 加速度センサおよびその製造方法 |
US8710568B2 (en) * | 2007-10-24 | 2014-04-29 | Denso Corporation | Semiconductor device having a plurality of elements on one semiconductor substrate and method of manufacturing the same |
JP4600563B2 (ja) * | 2007-10-24 | 2010-12-15 | 株式会社デンソー | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2010199548A (ja) | 2009-01-30 | 2010-09-09 | Elpida Memory Inc | 半導体装置およびその製造方法 |
US8441123B1 (en) * | 2009-08-13 | 2013-05-14 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device with metal dam and fabricating method |
TW201121001A (en) * | 2009-12-14 | 2011-06-16 | Domintech Co Ltd | Packaging of micro-electromechanical sensor device |
US8674519B2 (en) * | 2010-12-17 | 2014-03-18 | Intel Corporation | Microelectronic package and method of manufacturing same |
CN102491261B (zh) * | 2011-12-23 | 2014-12-03 | 哈尔滨工业大学 | 一种基于引线键合的mems自组装过程的限位方法 |
JP5845152B2 (ja) | 2012-07-26 | 2016-01-20 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置、携帯通信機器、及び、半導体装置の製造方法 |
JP2014049733A (ja) * | 2012-09-04 | 2014-03-17 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
DE102013104043A1 (de) | 2013-04-22 | 2014-10-23 | Epcos Ag | Sensorbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
US9190389B2 (en) | 2013-07-26 | 2015-11-17 | Infineon Technologies Ag | Chip package with passives |
US9070568B2 (en) * | 2013-07-26 | 2015-06-30 | Infineon Technologies Ag | Chip package with embedded passive component |
US9685351B2 (en) | 2014-07-18 | 2017-06-20 | Nxp Usa, Inc. | Wire bond mold lock method and structure |
DE102015213450A1 (de) * | 2015-07-17 | 2017-01-19 | Robert Bosch Gmbh | MEMS Drehratensensor mit kombiniertem Antrieb und Detektion |
JP7310598B2 (ja) * | 2019-12-25 | 2023-07-19 | 株式会社デンソー | 電子装置 |
CN113804229A (zh) * | 2020-06-17 | 2021-12-17 | 京元电子股份有限公司 | 具有限制过转机构的动态测试模块 |
US11987494B2 (en) | 2020-11-24 | 2024-05-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Wire-bond damper for shock absorption |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6759307B1 (en) * | 2000-09-21 | 2004-07-06 | Micron Technology, Inc. | Method to prevent die attach adhesive contamination in stacked chips |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1075152A (ja) | 1996-08-29 | 1998-03-17 | Kyocera Corp | 水晶発振器 |
JP3841541B2 (ja) | 1998-03-11 | 2006-11-01 | カヤバ工業株式会社 | 加速度センサおよび加速度センサの製造方法 |
JP3631120B2 (ja) * | 2000-09-28 | 2005-03-23 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置 |
JP2003021647A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-01-24 | Denso Corp | 電子装置 |
US6931928B2 (en) * | 2001-09-04 | 2005-08-23 | Tokyo Electron Limited | Microstructure with movable mass |
US6476506B1 (en) * | 2001-09-28 | 2002-11-05 | Motorola, Inc. | Packaged semiconductor with multiple rows of bond pads and method therefor |
US7253079B2 (en) * | 2002-05-09 | 2007-08-07 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Coplanar mounting member for a MEM sensor |
KR100516714B1 (ko) | 2002-07-09 | 2005-09-22 | 야마이치덴키 가부시키가이샤 | 반도체 장치용 소켓 |
-
2004
- 2004-09-14 JP JP2004266692A patent/JP4438579B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-09-09 DE DE102005043013.9A patent/DE102005043013B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-13 US US11/224,280 patent/US7385296B2/en active Active
-
2008
- 2008-03-31 US US12/078,367 patent/US7750486B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6759307B1 (en) * | 2000-09-21 | 2004-07-06 | Micron Technology, Inc. | Method to prevent die attach adhesive contamination in stacked chips |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006084200A (ja) | 2006-03-30 |
US7750486B2 (en) | 2010-07-06 |
US20060055062A1 (en) | 2006-03-16 |
DE102005043013A1 (de) | 2006-03-16 |
US20080191294A1 (en) | 2008-08-14 |
JP4438579B2 (ja) | 2010-03-24 |
US7385296B2 (en) | 2008-06-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed |
Effective date: 20110718 |
|
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |