JP4338910B2 - 炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタ及びその製造方法 - Google Patents

炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタ及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4338910B2
JP4338910B2 JP2001192414A JP2001192414A JP4338910B2 JP 4338910 B2 JP4338910 B2 JP 4338910B2 JP 2001192414 A JP2001192414 A JP 2001192414A JP 2001192414 A JP2001192414 A JP 2001192414A JP 4338910 B2 JP4338910 B2 JP 4338910B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
carbon nanotube
carbon nanotubes
sized
vertical transistor
nano
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2001192414A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002110977A (ja
Inventor
原 鳳 崔
兆 ▲遠▼ 李
永 ▲煕▼ 李
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JP2002110977A publication Critical patent/JP2002110977A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4338910B2 publication Critical patent/JP4338910B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/73—Bipolar junction transistors
    • H01L29/732—Vertical transistors
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
    • G11C13/02—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using elements whose operation depends upon chemical change
    • G11C13/025—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using elements whose operation depends upon chemical change using fullerenes, e.g. C60, or nanotubes, e.g. carbon or silicon nanotubes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66439—Unipolar field-effect transistors with a one- or zero-dimensional channel, e.g. quantum wire FET, in-plane gate transistor [IPG], single electron transistor [SET], striped channel transistor, Coulomb blockade transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/775—Field effect transistors with one dimensional charge carrier gas channel, e.g. quantum wire FET
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
    • H10K85/221—Carbon nanotubes
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
    • G11C2213/10—Resistive cells; Technology aspects
    • G11C2213/17—Memory cell being a nanowire transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/491—Vertical transistors, e.g. vertical carbon nanotube field effect transistors [CNT-FETs]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/701—Integrated with dissimilar structures on a common substrate
    • Y10S977/708—Integrated with dissimilar structures on a common substrate with distinct switching device
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/701—Integrated with dissimilar structures on a common substrate
    • Y10S977/723—On an electrically insulating substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/734—Fullerenes, i.e. graphene-based structures, such as nanohorns, nanococoons, nanoscrolls or fullerene-like structures, e.g. WS2 or MoS2 chalcogenide nanotubes, planar C3N4, etc.
    • Y10S977/742—Carbon nanotubes, CNTs
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/842—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure for carbon nanotubes or fullerenes
    • Y10S977/843—Gas phase catalytic growth, i.e. chemical vapor deposition
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/902—Specified use of nanostructure
    • Y10S977/932—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
    • Y10S977/936—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application in a transistor or 3-terminal device
    • Y10S977/938—Field effect transistors, FETS, with nanowire- or nanotube-channel region

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、集積回路をテラビット（Ｔｅｒａｂｉｔ）スケールで高集積化することが可能な炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のシリコン基板を用いて作製されたスイッチング素子は、基本的に不純物拡散領域、素子分離領域、及びチャネルが水平方向に連結された構造を有している。また、このようなスイッチング素子が数多く集積化されてなる集積回路においても、各々のスイッチング素子が水平方向に配列されて集積化された構造を有している。このように、シリコン基板に前記不純物拡散領域や素子分離領域等を水平方向に形成する場合、工程上の複雑性により、その微細化及び集積化には自ずから限界があった。
【０００３】
このような既存の微細なスイッチング素子として最も一般的に使用されているものの１つにＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｆｉｅｌｄ ｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）がある。実際、最小パターンサイズが０．２５μｍの２５６Ｍ（メガ）ＤＲＡＭでは素子のサイズが約０．７２μｍ2であり、また最小パターンサイズが０．１８μｍの１Ｇ（ギガ）ＤＲＡＭでは素子のサイズが約０．３２μｍ2であり、さらに、最小パターンサイズが０．１３μｍの４ＧＤＲＡＭでは素子のサイズが約０．１８μｍ2であり、そして、最小パターンサイズが０．１μｍの１６ＧＤＲＡＭでは素子のサイズが約０．１μｍ2程度と集積化が進展するにつれて最小パターンサイズが飛躍的に小さくなってきており、スイッチング素子の更なる微細化、集積化を図る上で、前記従来のスイッチング素子の構造では、工程上の限界に近づきつつある。
【０００４】
このような既存のスイッチング素子が有する微細加工技術の限界を克服するための１つの方策として、ナノメートルサイズの炭素ナノチューブを用いてなる個別のスイッチング素子が提案されている。しかしながら、この炭素ナノチューブを用いたスイッチング素子においてもなお既存のスイッチング素子と同様にスイッチング素子が水平方向に配列された構造を有しているため、この炭素ナノチューブを用いたスイッチング素子で前記既存のスイッチング素子が有する微細化の限界を克服するには、多くの制約がある。したがって、このように既存のスイッチング素子と同様にスイッチング素子が水平方向に配列された構造を有する、炭素ナノチューブを用いた個別素子によって、高度に集積化されたスイッチング素子を具現化することは極めて困難であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
前記問題点を解決するための本発明の第１の目的は、炭素ナノチューブを垂直方向に成長させながら、所定の部分に選択的に成膜させる方法を用いて、不導体基板に配列されたナノメートルサイズの直径を有する孔の内部に、ナノメートルサイズの直径を有する炭素ナノチューブを成長させることによって、チャネルとして用いることが可能な炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタを提供することにある。
【０００６】
また、本発明の第２の目的は、炭素ナノチューブの上部と下部とを各々ソース電極、ドレイン電極に連結し、炭素ナノチューブの中間部にゲート電極を配置してスイッチング動作が可能に構成することにより、一個のトランジスタサイズが数十ナノメートルから最大１ミクロン以下である、テラビットスケールでの高集積化が可能な、炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタ及びその製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
前記第１の目的を達成するために、本発明は、ナノメートルサイズの炭素ナノチューブが基板上に垂直かつ選択的に形成され、これをチャネルとしたトランジスタの単位素子を有する炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタであって、ナノメートルサイズの直径を有する孔が配列された絶縁層と、前記孔の内部に垂直に形成された炭素ナノチューブと、前記炭素ナノチューブの周囲近傍の前記絶縁層の上に形成されたゲート電極と、前記孔が埋め込まれるように絶縁層ゲート電極の上に成膜された不導体薄膜と、前記不導体薄膜及び炭素ナノチューブの上部に形成されたドレイン電極と、前記絶縁層及び炭素ナノチューブの下部に形成されたソース電極とを含んで構成されることを特徴とする炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタを提供する。
【０００８】
前記ナノサイズ垂直トランジスタにおいて、前記絶縁層はＡｌ2Ｏ3またはＳｉで形成されることが望ましく、また、前記ソース電極及びドレイン電極は金属膜で形成されることが望ましい。
【０００９】
また、前記第２の目的を達成するための本発明は、ナノメートルサイズの炭素ナノチューブが基板上に垂直かつ選択的に形成され、これをチャネルとしたトランジスタの単位素子を有する炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタの製造方法であって、（イ）半導体基板の上にソース電極を形成する段階と、（ロ）不導体で絶縁層を形成し、前記ソース電極に対応する領域にナノメートルサイズの直径を有する孔をナノメートル間隔で形成する段階と、（ハ）前記孔の内部のソース電極の上に炭素ナノチューブを垂直に成長させる段階と、（ニ）前記炭素ナノチューブの周囲近傍の前記絶縁層上にゲート電極を形成する段階と、（ホ）前記孔が埋め込まれるように前記ゲート電極の上に不導体薄膜を成膜する段階と、（ヘ）前記不導体薄膜と炭素ナノチューブとの上部にドレイン電極を形成する段階とを含んで構成されることを特徴とする炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタの製造方法を提供する。
【００１０】
前記ナノサイズ垂直トランジスタの製造方法において、前記（ロ）段階では不導体がＡｌ2Ｏ3またはＳｉであることが望ましく、また前記（ハ）段階では化学気相成膜法、電気泳動法及び機械的圧縮法よりなる群からの中から選択された少なくとも１つの方法により炭素ナノチューブを垂直に成長させることが望ましい。
【００１１】
また、前記第１の目的を達成するために、本発明は、ナノメートルサイズの炭素ナノチューブが基板上に垂直かつ選択的に形成され、これをチャネルとしたトランジスタの単位素子を有する炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタであって、ナノメートルサイズの直径を有する孔が配列された絶縁層と、前記孔の内部に垂直に形成された炭素ナノチューブと、前記絶縁層及び前記炭素ナノチューブの上部に形成されたドレイン電極と、前記ドレイン電極の上部に形成された不導体薄膜と、前記不導体薄膜の上部に形成されたゲート電極と、前記絶縁層及び炭素ナノチューブの下部に形成されたソース電極とを含むことを特徴とする炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタを提供する。
【００１２】
前記ナノサイズ垂直トランジスタにおいて、前記絶縁層はＡｌ2Ｏ3またはＳｉで形成され、前記ソース電極及びドレイン電極は金属膜で形成されることが望ましく、また前記ソース電極及びドレイン電極は、金属膜で形成されることが望ましい。
【００１３】
また、また、前記第２の目的を達成するために、本発明は、ナノメートルサイズの炭素ナノチューブが基板上に垂直かつ選択的に形成され、これをチャネルとしたトランジスタの単位素子を有する炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタの製造方法であって、
（イ）半導体基板の上にソース電極を形成する段階と、
（ロ）不導体で絶縁層を形成し、前記ソース電極に対応する領域にナノメートルサイズの直径を有する孔をナノメートル間隔で形成する段階と、
（ハ）前記孔の内部のソース電極の上に炭素ナノチューブを垂直に成長させる段階と、
（ニ）前記不導体と炭素ナノチューブとの上部にドレイン電極を形成する段階と、
（ホ）前記ドレイン電極の上部に不導体薄膜を形成する段階と、
（ヘ）前記不導体薄膜の上部にゲート電極を形成する段階と
を含むことを特徴とする炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタの製造方法を提供する。
【００１４】
前記ナノサイズ垂直トランジスタの製造方法において、前記（ロ）段階で前記不導体はＡｌ2Ｏ3またはＳｉであり、前記（ハ）段階は化学気相成膜法、電気泳動法または機械的圧縮法よりなることが望ましい。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明に係る炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタ及びその製造方法を詳細に説明する。
まず、図１及び図２を参照して本発明に係る炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタの第１実施例について説明する。図１は本発明に係る炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタの第１実施例であり、垂直に配列された炭素ナノチューブトランジスタの単位素子が次のように形成されて構成されている。
【００１６】
まず、所定の基板上に設けられたＡｌ2Ｏ3（アルミナ）またはＳｉ（シリコン）の不導体からなる絶縁層１０に、直径数ｎｍの孔１０’を、数ｎｍ間隔で形成し、この孔１０’の内部に炭素ナノチューブ１００を垂直方向に成長させ、かつ、これを選択的に成膜させる成膜方法によって、ナノメートルサイズの孔１０’が配列されてなる前記不導体からなる絶縁層１０を有する基板に炭素ナノチューブ１００を配列させる。
【００１７】
次に、従来公知の半導体装置の製造方法を用いて、このように配列された炭素ナノチューブ１００の周囲近傍の絶縁層１０の上にゲート電極２０を形成する。続いて、孔１０’を埋め込むように、ゲート電極２０及び絶縁層１０の上、並びに炭素ナノチューブの周囲に不導体薄膜３０を成膜する。引き続いて、炭素ナノチューブ１００の上部と下部とに各々ソース電極４０及びドレイン電極５０を連結させる。このとき、絶縁層１０にアルミナ等の絶縁膜を用いて、孔１０’のサイズ及び孔１０’同士の間隔をｎｍ単位で調節することが可能であるため、テラビットスケールの高集積化を具現化することが可能である。
【００１８】
すなわち、垂直方向へ成長されたナノメートルサイズ直径を有する炭素ナノチューブ１００をチャネルとして用いるべく、炭素ナノチューブの上部と下部とを各々ソース電極４０、ドレイン電極５０に連結して中間にゲート電極２０が配置されるようにしてスイッチングが起こるように構成する。したがって、一個のトランジスタのサイズを数十ナノメートルから最大１ミクロン以下で構成することが可能となるため、素子のより一層の高集積化を具現化することが可能になる。
【００１９】
また、図２の平面図に示されるように、本発明に係る炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタの炭素ナノチューブの直径は、１〜２００ｎｍ程度とすることが望ましく、さらに望ましくは１〜５０ｎｍとし、そして、不導体薄膜３０の膜厚は５０〜５００ｎｍの範囲内で形成することが望ましく、さらに望ましくは５０〜１００ｎｍとする。
【００２０】
このように構成される本発明に係る炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタは、ソース電極４０から電子が供給されてゲート電極２０に印加される電圧により、電流が精密に制御されてドレイン電極５０へ電流が流れるという特性を有する。しかも、単位素子のサイズがナノメートルスケールであるので、小さな負荷で電流を制御することが可能となり、その結果、低消費電力での動作が可能になるという長所を有する。
【００２１】
また、このように構成される本発明に係る炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタの第１実施例の製造方法を、図３から図８に示す。図３から図８を参照しながら、本発明に係る炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタの製造方法を工程段階別に説明すると次のようになる。
【００２２】
まず、図３に示されるように、半導体基板２００の上にソース電極４０を形成する。続いて、図４に示されるように、Ａｌ2Ｏ3またはＳｉ等の不導体で絶縁層１０を形成し、ソース電極４０の上部に孔１０’を形成する。引き続いて、図５に示されるように、化学気相成膜法、電気泳動法及び機械的圧縮法からなる群の中から選択された少なくとも１つの方法を用いて、孔１０’の内部のソース電極４０の上に炭素ナノチューブ１００をほぼ垂直に成長させる。すなわち、孔１０’を形成し、孔１０’の内部にのみ選択的に炭素ナノチューブ１００を成長させる。
【００２３】
さらに、図６に示されるように、配列された炭素ナノチューブ１００の周囲近傍にゲート電極２０を形成する。さらにまた、図７に示されるように、孔１０’が埋め込まれるように、ゲート電極２０、絶縁層１０及びソース電極４０にかけて不導体薄膜３０を成膜する。最後に、図８に示されるように、不導体薄膜３０と炭素ナノチューブ１００の上部にドレイン電極５０を形成してナノサイズのトランジスタを完成させる。
【００２４】
次に、図９（Ａ）及び図９（Ｂ）を参照して本発明に係る炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタの第２実施例について説明する。図９（Ａ）は本発明に係る第２実施例の構成を模式的に示す断面図である。図１及び図９（Ａ）を対比させて参照すると、前記の本発明に係る第１実施例ではゲート電極２０が不導体薄膜３０を介してドレイン電極５０の下部に形成されているのに対して、本発明に係る第２実施例ではゲート電極２０が不導体薄膜３０介してドレイン電極５０の上部に形成されている。すなわち、前記両者はゲート電極２０とドレイン電極５０との相対的位置関係が異なっている。
【００２５】
前記本発明に係る第２実施例の製造方法は、次の通りである。まず、図９（Ａ）に示されるように、炭素ナノチューブを垂直方向へ成長させながら、これを選択的に成膜させる成膜方法により、絶縁層１０に配列されて形成されたナノサイズの孔（図示省略）の内部に、炭素ナノチューブ１００を垂直に配列させる。次に、ナノサイズの孔（図示省略）の内部に垂直に配列された炭素ナノチューブ１００の上部と下部との各々にソース電極４０及びドレイン電極５０を連結させる。さらに、ドレイン電極５０の上部は不導体薄膜３０を形成し、この不導体薄膜３０の上部にゲート電極２０を形成する。ここで不導体薄膜３０は、ＳｉＯ2であることが好ましい。
【００２６】
このように、垂直方向へ成長されたナノメートルサイズの直径を有する炭素ナノチューブ１００をチャネルとして用いるべく、炭素ナノチューブ１００の上部と下部とを各々、ソース電極４０、ドレイン電極５０に連結させて、ドレイン電極５０の上部にゲート電極２０を配置させて、電気的スイッチングが生起されるように構成する。
【００２７】
図９（Ｂ）は、図９（Ａ）に示される本発明に係る炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタの斜視図であり、ソース電極４０及びドレイン電極５０のラインが、炭素ナノチューブを成長させた位置で交差して単位素子が構成された形態を示す。なお、この本発明に係る第２実施例では、ゲート電極２０のラインは、ドレイン電極５０のラインと接触しないようにして、電流のオンとオフとを調節するように構成されている。
【００２８】
このように構成される本発明に係る炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタの第２実施例の製造方法は、本発明に係る前記第１実施例の炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタの製造方法を適用することが可能である。すなわち、炭素ナノチューブ１００を成長させるまでの工程については、前記第１実施例で説明したような工程をそのまま用いることができる。
【００２９】
一方、前記したように、この第２実施例と前記第１実施例との相違点は、ゲート電極２０とドレイン電極５０との位置関係が異なる点である。すなわち、炭素ナノチューブ１００を絶縁層１０の内部に形成した後に（図５参照）、前記第１実施例では絶縁層１０及び炭素ナノチューブ１００の上にゲート電極２０を形成したのに対し（図６参照）、この第２実施例では絶縁層１０及び炭素ナノチューブ１００の上にドレイン電極５０を形成する（図９（Ａ）参照）という点で異なる。これは、この第２実施例のゲート電極２０の位置が、前記第１実施例とは異なってドレイン電極５０の上部に位置するためである。このため、この第２実施例では、ドレイン電極５０を形成した後、その上部に不導体薄膜３０を形成し、最後に、前記不導体薄膜３０の上部にゲート電極２０を形成することにより、ナノサイズ垂直トランジスタを完成させる。
【００３０】
図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）は、本発明に係る炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタ製造工程において、垂直に成長された炭素ナノチューブの外観のＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）像の写真である。ここで、図１０（Ａ）は直径が約５０ｎｍに成長された炭素ナノチューブのＴＥＭ像であり、図１０（Ｂ）は直径が約２０ｎｍに成長された炭素ナノチューブのＴＥＭ像である。図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）に示されるように、本発明に係る炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタは、炭素ナノチューブが高精度で配列されていることが分かる。
【００３１】
図１１（Ａ）は、垂直方向に成長された炭素ナノチューブを、電子ビームリソグラフィを用いて電極のパターンに形成した状態を示すＴＥＭ像の写真であり、図１１（Ｂ）は図１１（Ａ）に示す炭素ナノチューブをより高い倍率で観察したときのＴＥＭ像の写真である。図１１（Ａ）、（Ｂ）に示されるように、電極のパターンの中央部付近に垂直方向に成長した炭素ナノチューブが金属電極に連結されている様子が分かる。
【００３２】
図１２は、本発明に係る炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタのＩ−Ｖ特性を示すグラフである。図１２に示されるように、本発明に係る炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタは、４．２Ｋという比較的低温での電気伝導度測定において明確なエネルギーバンドギャップが存在することが明らかとなり、トランジスタ特性が発現していることが分かる。
【００３３】
図１３及び図１４は、前記第２実施例のゲート電極２０にバイアスを印加したときのＩ−Ｖ特性を示すグラフであり、図１３は正バイアス（ｐｏｓｉｔｉｖｅｂｉａｓ、＋５Ｖ）を印加した場合のものを示し、図１４は負バイアス（ｎｅｇａｔｉｖｅ ｂｉａｓ、−５Ｖ）を印加した場合のものを示す。図１３及び図１４に示されるように、正負いずれのバイアスを印加した場合においても一方向のみに電流が流れていることが分かる。
【００３４】
図１５及び図１６は、それぞれ、約４００℃から８００℃の温度範囲で、１００℃刻みで計５水準のアニーリングを施した、直径が約２０ｎｍの炭素ナノチューブの試験片のＩ−Ｖ特性を示すグラフである。図１５は炭素ナノチューブの下部に酸化層が存在している場合を示し、図１６は酸化層が存在しない場合を示すものである。図１５及び図１６に示されるように、本発明に係る炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタにあっては、約４００℃から８００℃の温度範囲で、炭素ナノチューブ下部の酸化層の有無にかかわらず、トランジスタとしての機能が充分に発揮されることが分かる。
【００３５】
【発明の効果】
以上説明した通りに構成される本発明に係る炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタ及びその製造方法によれば、Ａｌ2Ｏ3（アルミナ）等の絶縁膜に、直径が数ｎｍの孔を数ｎｍ間隔で形成し、この孔の内部に直径がナノメートルサイズの炭素ナノチューブを化学気相成膜法、電気泳動法、及び機械的方法の中から選択された１つの成膜方法により垂直に配列させて形成し、この炭素ナノチューブをチャネルとして用いるべく、従来公知の半導体装置の製造方法により炭素ナノチューブの周囲近傍にゲート電極を形成すると共に、炭素ナノチューブの上部と下部とを各々、ソース電極とドレイン電極とに形成することにより電気的なスイッチング特性を有するナノサイズ垂直トランジスタを提供することが可能となる。
【００３６】
したがって、本発明によれば、炭素ナノチューブが有する固有の特性を活用して、既存の半導体装置における微細加工技術の限界をブレークスルーし、集積回路のテラビット（Ｔｅｒａｂｉｔ）スケールへの高集積化に大きく寄与する垂直構造のトランジスタを具現化することができ、しかもこの集積回路を有する素子低消費電力で動作させることができる炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタを実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタの構造を模式的に示す断面図である。
【図２】図１に示される炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタの平面図である。
【図３】本発明に係る炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタの製造方法に含まれる工程を示す垂直断面図であって、半導体基板の上にソース電極を形成する工程を示す図である。
【図４】本発明に係る炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタの製造方法に含まれる工程を示す垂直断面図であって、不導体で絶縁層を形成し、ソース電極の上部に孔を形成する工程を示す図である。
【図５】本発明に係る炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタの製造方法に含まれる工程を示す垂直断面図であって、孔の内部のソース電極の上に炭素ナノチューブをほぼ垂直に成長させる工程を示す図である。
【図６】本発明に係る炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタの製造方法に含まれる工程を示す垂直断面図であって、配列された炭素ナノチューブの周囲近傍にゲート電極を形成する工程を示す図である。
【図７】本発明に係る炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタの製造方法に含まれる工程を示す垂直断面図であって、孔が埋め込まれるようにゲート電極の上に不導体薄膜を成膜する工程を示す図である。
【図８】本発明に係る炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタの製造方法に含まれる工程を示す垂直断面図であって、不導体薄膜と炭素ナノチューブの上部にドレイン電極を形成してナノサイズのトランジスタを完成させる工程を示す図である。
【図９】本発明に係る炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタの第２実施例の構造を模式的に示す図であって、図９（Ａ）は、断面図であり、図９（Ｂ）は、斜視図である。
【図１０】本発明に係る炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタの製造工程で垂直に成長した炭素ナノチューブのＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）像の写真であって、図１０（Ａ）は直径が約５０ｎｍに成長した炭素ナノチューブのＴＥＭ像を示し、図１０（Ｂ）は直径が約２０ｎｍに成長した炭素ナノチューブのＴＥＭ像を示す。
【図１１】図１１（Ａ）、（Ｂ）は垂直に成長した炭素ナノチューブを電子ビームリソグラフィで電極のパターンに形成したときのＴＥＭ像の写真であり、図１１（Ｂ）は（Ａ）をより高倍率で撮影した写真である。
【図１２】本発明に係る炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタのＩ−Ｖ特性を示すグラフである。
【図１３】本発明に係る炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタの第２実施例のゲート電極２０にバイアスを印加した場合のＩ−Ｖ特性曲線であり、正バイアス（ｐｏｓｉｔｉｖｅ ｂｉａｓ）を印加した場合を示す図である。
【図１４】本発明に係る炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタの第２実施例のゲート電極２０にバイアスを印加した場合のＩ−Ｖ特性曲線であり、負バイアス（ｎｅｇａｔｉｖｅ ｂｉａｓ）を印加した場合を示す図である。
【図１５】直径が約２０ｎｍの炭素ナノチューブの試験片に約４００℃から８００℃でアニーリングを施したときのＩ−Ｖ特性を示すグラフであって、炭素ナノチューブの下部に酸化層が存在している場合のものである。
【図１６】直径が約２０ｎｍの炭素ナノチューブの試験片に約４００℃から８００℃でアニーリングを施したときのＩ−Ｖ特性を示すグラフであって、炭素ナノチューブの下部に酸化層が存在している場合のものである。
【符号の説明】
１０ 絶縁層
１０’ 孔
２０ ゲート電極
３０ 不導体薄膜
４０ ソース電極
５０ ドレイン電極
１００ 炭素ナノチューブ
２００ 半導体基板

Claims (12)

  1. ナノメートルサイズの炭素ナノチューブが基板上に垂直かつ選択的に形成され、これをチャネルとしたトランジスタの単位素子を有する炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタであって、
    ナノメートルサイズの直径を有する孔が配列された絶縁層と、
    前記孔の内部に垂直に配列されて形成された炭素ナノチューブと、
    前記炭素ナノチューブの周囲近傍の前記絶縁層の上に形成されたゲート電極と、
    前記孔が埋め込まれるようにゲート電極の上に成膜された不導体薄膜と、
    前記不導体薄膜及び炭素ナノチューブの上部に形成されたドレイン電極と、
    前記絶縁層及び炭素ナノチューブの下部に形成されたソース電極と
    を含んで構成されることを特徴とする炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタ。
  2. 前記絶縁層は、Ａｌ2Ｏ3またはＳｉで形成されたことを特徴とする請求項１に記載の炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタ。
  3. 前記ソース電極及びドレイン電極は、金属膜で形成されたことを特徴とする請求項１に記載の炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタ。
  4. ナノメートルサイズの炭素ナノチューブが基板上に垂直かつ選択的に形成され、これをチャネルとしたトランジスタの単位素子を有する炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタの製造方法であって、
    （イ）半導体基板の上にソース電極を形成する段階と、
    （ロ）不導体で絶縁層を形成し、前記ソース電極に対応する領域にナノメートルサイズの直径を有する孔をナノメートル間隔で形成する段階と、
    （ハ）前記孔の内部のソース電極の上に炭素ナノチューブを垂直に成長させる段階と、
    （ニ）前記炭素ナノチューブの周囲近傍の前記絶縁層上にゲート電極を形成する段階と、
    （ホ）前記孔が埋め込まれるようにゲート電極の上に不導体薄膜を成膜する段階と、
    （ヘ）前記不導体薄膜と炭素ナノチューブとの上部にドレイン電極を形成する段階と
    を含んで構成されることを特徴とする炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタの製造方法。
  5. 前記（ロ）段階において、前記不導体は、Ａｌ2Ｏ3またはＳｉであることを特徴とする請求項４に記載の炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタの製造方法。
  6. 前記（ハ）段階は、化学気相成膜法、電気泳動法及び機械的圧縮法よりなる群の中から選択された少なくとも１つの方法により炭素ナノチューブを垂直に成長させることを特徴とする請求項４に記載の炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタの製造方法。
  7. ナノメートルサイズの炭素ナノチューブが基板上に垂直かつ選択的に形成され、これをチャネルとしたトランジスタの単位素子を有する炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタであって、
    ナノメートルサイズの直径を有する孔が配列された絶縁層と、
    前記孔の内部に垂直に形成された炭素ナノチューブと、
    前記絶縁層及び炭素ナノチューブの上部に形成されたドレイン電極と、
    前記ドレイン電極の上部に形成された不導体薄膜と、
    前記不導体薄膜の上部に形成されたゲート電極と、
    前記絶縁層及び炭素ナノチューブの下部に形成されたソース電極とを含んで構成されることを特徴とする炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタ。
  8. 前記絶縁層は、Ａｌ2Ｏ3またはＳｉで形成されたことを特徴とする請求項７に記載の炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタ。
  9. 前記ソース電極及びドレイン電極は、金属膜で形成されたことを特徴とする請求項７に記載の炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタ。
  10. ナノメートルサイズの炭素ナノチューブが基板上に垂直かつ選択的に形成され、これをチャネルとしたトランジスタの単位素子を有する炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタの製造方法であって、
    （イ）半導体基板の上にソース電極を形成する段階と、
    （ロ）不導体で絶縁層を形成し、前記ソース電極に対応する領域にナノメートルサイズの直径を有する孔をナノメートル間隔で形成する段階と、
    （ハ）前記孔の内部のソース電極の上に炭素ナノチューブを垂直に成長させる段階と、
    （ニ）前記不導体からなる絶縁層と炭素ナノチューブとの上部にドレイン電極を形成する段階と、
    （ホ）前記ドレイン電極の上部に不導体薄膜を形成する段階と、
    （ヘ）前記不導体薄膜の上部にゲート電極を形成する段階とを含むことを特徴とする炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタの製造方法。
  11. 前記（ロ）段階において、前記不導体は、Ａｌ2Ｏ3またはＳｉであることを特徴とする請求項１０に記載の炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタの製造方法。
  12. 前記（ハ）段階は、化学気相成膜法、電気泳動法及び機械的圧縮法よりなる群の中から選ばれた少なくとも１つの方法により炭素ナノチューブを垂直に成長させることを特徴とする請求項１０に記載の炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタの製造方法。
JP2001192414A 2000-06-27 2001-06-26 炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタ及びその製造方法 Expired - Lifetime JP4338910B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2000-35703 2000-06-27
KR1020000035703A KR100360476B1 (ko) 2000-06-27 2000-06-27 탄소나노튜브를 이용한 나노 크기 수직 트랜지스터 및 그제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002110977A JP2002110977A (ja) 2002-04-12
JP4338910B2 true JP4338910B2 (ja) 2009-10-07

Family

ID=19674222

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001192414A Expired - Lifetime JP4338910B2 (ja) 2000-06-27 2001-06-26 炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタ及びその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (4) US6566704B2 (ja)
JP (1) JP4338910B2 (ja)
KR (1) KR100360476B1 (ja)
CN (1) CN1193430C (ja)

Families Citing this family (210)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10036897C1 (de) * 2000-07-28 2002-01-03 Infineon Technologies Ag Feldeffekttransistor, Schaltungsanordnung und Verfahren zum Herstellen eines Feldeffekttransistors
US7084507B2 (en) * 2001-05-02 2006-08-01 Fujitsu Limited Integrated circuit device and method of producing the same
JP2003017508A (ja) * 2001-07-05 2003-01-17 Nec Corp 電界効果トランジスタ
KR100450825B1 (ko) * 2002-02-09 2004-10-01 삼성전자주식회사 탄소나노튜브를 이용하는 메모리 소자 및 그 제조방법
US6515325B1 (en) 2002-03-06 2003-02-04 Micron Technology, Inc. Nanotube semiconductor devices and methods for making the same
US20040039717A1 (en) * 2002-08-22 2004-02-26 Alex Nugent High-density synapse chip using nanoparticles
US6889216B2 (en) * 2002-03-12 2005-05-03 Knowm Tech, Llc Physical neural network design incorporating nanotechnology
US8156057B2 (en) * 2003-03-27 2012-04-10 Knowm Tech, Llc Adaptive neural network utilizing nanotechnology-based components
US9269043B2 (en) 2002-03-12 2016-02-23 Knowm Tech, Llc Memristive neural processor utilizing anti-hebbian and hebbian technology
US7412428B2 (en) 2002-03-12 2008-08-12 Knowmtech, Llc. Application of hebbian and anti-hebbian learning to nanotechnology-based physical neural networks
US7392230B2 (en) * 2002-03-12 2008-06-24 Knowmtech, Llc Physical neural network liquid state machine utilizing nanotechnology
US7398259B2 (en) 2002-03-12 2008-07-08 Knowmtech, Llc Training of a physical neural network
US7049625B2 (en) * 2002-03-18 2006-05-23 Max-Planck-Gesellschaft Zur Fonderung Der Wissenschaften E.V. Field effect transistor memory cell, memory device and method for manufacturing a field effect transistor memory cell
US6891227B2 (en) * 2002-03-20 2005-05-10 International Business Machines Corporation Self-aligned nanotube field effect transistor and method of fabricating same
US6872645B2 (en) * 2002-04-02 2005-03-29 Nanosys, Inc. Methods of positioning and/or orienting nanostructures
KR100451084B1 (ko) * 2002-04-11 2004-10-02 학교법인 선문학원 탄소나노튜브 가스센서의 제조방법
US7752151B2 (en) * 2002-06-05 2010-07-06 Knowmtech, Llc Multilayer training in a physical neural network formed utilizing nanotechnology
JP2004040844A (ja) * 2002-06-28 2004-02-05 Shinano Kenshi Co Ltd 整流子およびこれを用いた回転電機
US6979947B2 (en) 2002-07-09 2005-12-27 Si Diamond Technology, Inc. Nanotriode utilizing carbon nanotubes and fibers
US7827131B2 (en) * 2002-08-22 2010-11-02 Knowm Tech, Llc High density synapse chip using nanoparticles
WO2005004196A2 (en) 2002-08-23 2005-01-13 Sungho Jin Article comprising gated field emission structures with centralized nanowires and method for making the same
US7012266B2 (en) 2002-08-23 2006-03-14 Samsung Electronics Co., Ltd. MEMS-based two-dimensional e-beam nano lithography device and method for making the same
JP4547852B2 (ja) * 2002-09-04 2010-09-22 富士ゼロックス株式会社 電気部品の製造方法
TW560042B (en) * 2002-09-18 2003-11-01 Vanguard Int Semiconduct Corp ESD protection device
US7051945B2 (en) 2002-09-30 2006-05-30 Nanosys, Inc Applications of nano-enabled large area macroelectronic substrates incorporating nanowires and nanowire composites
AU2003283973B2 (en) 2002-09-30 2008-10-30 Oned Material Llc Large-area nanoenabled macroelectronic substrates and uses therefor
US7067867B2 (en) * 2002-09-30 2006-06-27 Nanosys, Inc. Large-area nonenabled macroelectronic substrates and uses therefor
KR101043578B1 (ko) * 2002-09-30 2011-06-23 나노시스, 인크. 나노와이어 트랜지스터를 사용하는 집적 디스플레이
CN1745468B (zh) * 2002-09-30 2010-09-01 纳米系统公司 大面积纳米启动宏电子衬底及其用途
US7619562B2 (en) * 2002-09-30 2009-11-17 Nanosys, Inc. Phased array systems
US7135728B2 (en) * 2002-09-30 2006-11-14 Nanosys, Inc. Large-area nanoenabled macroelectronic substrates and uses therefor
WO2004033370A1 (en) * 2002-10-11 2004-04-22 Massachusetts Institute Of Technology Nanopellets and method of making nanopellets
US7253434B2 (en) * 2002-10-29 2007-08-07 President And Fellows Of Harvard College Suspended carbon nanotube field effect transistor
EP1560792B1 (en) * 2002-10-29 2014-07-30 President and Fellows of Harvard College Carbon nanotube device fabrication
DE10250984A1 (de) * 2002-10-29 2004-05-19 Hahn-Meitner-Institut Berlin Gmbh Feldeffekttransistor sowie Verfahren zu seiner Herstellung
DE10250830B4 (de) * 2002-10-31 2015-02-26 Qimonda Ag Verfahren zum Herstellung eines Schaltkreis-Arrays
DE10250834A1 (de) * 2002-10-31 2004-05-19 Infineon Technologies Ag Speicherzelle, Speicherzellen-Anordnung, Strukturier-Anordnung und Verfahren zum Herstellen einer Speicherzelle
DE10250829B4 (de) * 2002-10-31 2006-11-02 Infineon Technologies Ag Nichtflüchtige Speicherzelle, Speicherzellen-Anordnung und Verfahren zum Herstellen einer nichtflüchtigen Speicherzelle
DE10250868B8 (de) * 2002-10-31 2008-06-26 Qimonda Ag Vertikal integrierter Feldeffekttransistor, Feldeffekttransistor-Anordnung und Verfahren zum Herstellen eines vertikal integrierten Feldeffekttransistors
KR100790859B1 (ko) * 2002-11-15 2008-01-03 삼성전자주식회사 수직 나노튜브를 이용한 비휘발성 메모리 소자
JP4251268B2 (ja) * 2002-11-20 2009-04-08 ソニー株式会社 電子素子及びその製造方法
KR100489800B1 (ko) * 2002-11-26 2005-05-16 한국전자통신연구원 캐패시터 및 그 제조방법
TWI220162B (en) * 2002-11-29 2004-08-11 Ind Tech Res Inst Integrated compound nano probe card and method of making same
US6870361B2 (en) * 2002-12-21 2005-03-22 Agilent Technologies, Inc. System with nano-scale conductor and nano-opening
US7183568B2 (en) * 2002-12-23 2007-02-27 International Business Machines Corporation Piezoelectric array with strain dependant conducting elements and method therefor
KR100493166B1 (ko) 2002-12-30 2005-06-02 삼성전자주식회사 수직나노튜브를 이용한 메모리
US6933222B2 (en) * 2003-01-02 2005-08-23 Intel Corporation Microcircuit fabrication and interconnection
KR20040066270A (ko) * 2003-01-17 2004-07-27 삼성에스디아이 주식회사 카본계 물질로 이루어진 도전층이 형성된 애노드 기판을갖는 평판 디스플레이 장치
WO2004070712A1 (ja) * 2003-02-06 2004-08-19 Fujitsu Limited 磁気記録媒体及びその製造方法、磁気記録媒体に用いられる磁気媒体基板、並びに磁気記憶装置
DE10307815B3 (de) * 2003-02-24 2004-11-11 Infineon Technologies Ag Integriertes elektronisches Bauelement mit gezielt erzeugten Nanoröhren in vertikalen Strukturen und dessen Herstellungsverfahren
KR100988080B1 (ko) * 2003-02-27 2010-10-18 삼성전자주식회사 파묻힌 게이트 구조를 갖는 탄소나노튜브 트랜지스터 및그 제조 방법
US20060276043A1 (en) * 2003-03-21 2006-12-07 Johnson Mark A L Method and systems for single- or multi-period edge definition lithography
WO2004086461A2 (en) * 2003-03-21 2004-10-07 North Carolina State University Methods for nanoscale structures from optical lithography and subsequent lateral growth
TWI220163B (en) * 2003-04-24 2004-08-11 Ind Tech Res Inst Manufacturing method of high-conductivity nanometer thin-film probe card
JP4627188B2 (ja) 2003-05-22 2011-02-09 富士通株式会社 電界効果トランジスタ及びその製造方法
US7148579B2 (en) * 2003-06-02 2006-12-12 Ambient Systems, Inc. Energy conversion systems utilizing parallel array of automatic switches and generators
US7199498B2 (en) 2003-06-02 2007-04-03 Ambient Systems, Inc. Electrical assemblies using molecular-scale electrically conductive and mechanically flexible beams and methods for application of same
US7095645B2 (en) 2003-06-02 2006-08-22 Ambient Systems, Inc. Nanoelectromechanical memory cells and data storage devices
KR101015498B1 (ko) * 2003-06-14 2011-02-21 삼성전자주식회사 수직 카본나노튜브 전계효과트랜지스터 및 그 제조방법
US6909151B2 (en) 2003-06-27 2005-06-21 Intel Corporation Nonplanar device with stress incorporation layer and method of fabrication
DE10331528A1 (de) * 2003-07-11 2005-02-03 Infineon Technologies Ag DRAM-Halbleiterspeicherzelle sowie Verfahren zu deren Herstellung
US7426501B2 (en) 2003-07-18 2008-09-16 Knowntech, Llc Nanotechnology neural network methods and systems
DE10335813B4 (de) * 2003-08-05 2009-02-12 Infineon Technologies Ag IC-Chip mit Nanowires
DE10339531A1 (de) * 2003-08-21 2005-03-31 Hahn-Meitner-Institut Berlin Gmbh Vertikaler Nano-Transistor, Verfahren zu seiner Herstellung und Speicheranordnung
DE10339529A1 (de) * 2003-08-21 2005-03-24 Hahn-Meitner-Institut Berlin Gmbh Vertikaler Nano-Transistor, Verfahren zu seiner Herstellung und Speicheranordnung
FR2860780B1 (fr) * 2003-10-13 2006-05-19 Centre Nat Rech Scient Procede de synthese de structures filamentaires nanometriques et composants pour l'electronique comprenant de telles structures
JP4762522B2 (ja) * 2003-10-28 2011-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5250615B2 (ja) * 2003-10-28 2013-07-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US7038299B2 (en) 2003-12-11 2006-05-02 International Business Machines Corporation Selective synthesis of semiconducting carbon nanotubes
US7374793B2 (en) 2003-12-11 2008-05-20 International Business Machines Corporation Methods and structures for promoting stable synthesis of carbon nanotubes
US7932549B2 (en) * 2003-12-18 2011-04-26 International Business Machines Corporation Carbon nanotube conductor for trench capacitors
EP1700336A1 (en) * 2003-12-23 2006-09-13 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor device comprising a heterojunction
US8013359B2 (en) * 2003-12-31 2011-09-06 John W. Pettit Optically controlled electrical switching device based on wide bandgap semiconductors
US20050145838A1 (en) * 2004-01-07 2005-07-07 International Business Machines Corporation Vertical Carbon Nanotube Field Effect Transistor
JP3997991B2 (ja) * 2004-01-14 2007-10-24 セイコーエプソン株式会社 電子装置
DE102004003374A1 (de) * 2004-01-22 2005-08-25 Infineon Technologies Ag Halbleiter-Leistungsschalter sowie dafür geeignetes Herstellungsverfahren
US20050167655A1 (en) * 2004-01-29 2005-08-04 International Business Machines Corporation Vertical nanotube semiconductor device structures and methods of forming the same
US7211844B2 (en) * 2004-01-29 2007-05-01 International Business Machines Corporation Vertical field effect transistors incorporating semiconducting nanotubes grown in a spacer-defined passage
US20110039690A1 (en) * 2004-02-02 2011-02-17 Nanosys, Inc. Porous substrates, articles, systems and compositions comprising nanofibers and methods of their use and production
US8025960B2 (en) * 2004-02-02 2011-09-27 Nanosys, Inc. Porous substrates, articles, systems and compositions comprising nanofibers and methods of their use and production
US7553371B2 (en) * 2004-02-02 2009-06-30 Nanosys, Inc. Porous substrates, articles, systems and compositions comprising nanofibers and methods of their use and production
US7829883B2 (en) 2004-02-12 2010-11-09 International Business Machines Corporation Vertical carbon nanotube field effect transistors and arrays
KR101050468B1 (ko) * 2004-02-14 2011-07-19 삼성에스디아이 주식회사 바이오 칩 및 이를 이용한 바이오 분자 검출 시스템
US7456482B2 (en) * 2004-03-22 2008-11-25 Cabot Microelectronics Corporation Carbon nanotube-based electronic switch
US7115971B2 (en) 2004-03-23 2006-10-03 Nanosys, Inc. Nanowire varactor diode and methods of making same
US20050279274A1 (en) * 2004-04-30 2005-12-22 Chunming Niu Systems and methods for nanowire growth and manufacturing
CN101010780B (zh) * 2004-04-30 2012-07-25 纳米系统公司 纳米线生长和获取的体系和方法
US7785922B2 (en) 2004-04-30 2010-08-31 Nanosys, Inc. Methods for oriented growth of nanowires on patterned substrates
US20060086994A1 (en) * 2004-05-14 2006-04-27 Susanne Viefers Nanoelectromechanical components
US20060052947A1 (en) * 2004-05-17 2006-03-09 Evelyn Hu Biofabrication of transistors including field effect transistors
US7268063B1 (en) * 2004-06-01 2007-09-11 University Of Central Florida Process for fabricating semiconductor component
GB0413310D0 (en) * 2004-06-15 2004-07-14 Koninkl Philips Electronics Nv Nanowire semiconductor device
US7109546B2 (en) 2004-06-29 2006-09-19 International Business Machines Corporation Horizontal memory gain cells
US7042009B2 (en) 2004-06-30 2006-05-09 Intel Corporation High mobility tri-gate devices and methods of fabrication
WO2006016914A2 (en) * 2004-07-07 2006-02-16 Nanosys, Inc. Methods for nanowire growth
US7194912B2 (en) * 2004-07-13 2007-03-27 United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Carbon nanotube-based sensor and method for continually sensing changes in a structure
JP2008506548A (ja) 2004-07-19 2008-03-06 アンビエント システムズ， インコーポレイテッド ナノスケール静電および電磁モータおよび発電機
KR100666187B1 (ko) * 2004-08-04 2007-01-09 학교법인 한양학원 나노선을 이용한 수직형 반도체 소자 및 이의 제조 방법
US7348284B2 (en) 2004-08-10 2008-03-25 Intel Corporation Non-planar pMOS structure with a strained channel region and an integrated strained CMOS flow
US20080020499A1 (en) * 2004-09-10 2008-01-24 Dong-Wook Kim Nanotube assembly including protective layer and method for making the same
US7345296B2 (en) * 2004-09-16 2008-03-18 Atomate Corporation Nanotube transistor and rectifying devices
US7943418B2 (en) * 2004-09-16 2011-05-17 Etamota Corporation Removing undesirable nanotubes during nanotube device fabrication
US7462890B1 (en) 2004-09-16 2008-12-09 Atomate Corporation Nanotube transistor integrated circuit layout
US7776307B2 (en) * 2004-09-16 2010-08-17 Etamota Corporation Concentric gate nanotube transistor devices
US20060060863A1 (en) * 2004-09-22 2006-03-23 Jennifer Lu System and method for controlling nanostructure growth
US7422946B2 (en) 2004-09-29 2008-09-09 Intel Corporation Independently accessed double-gate and tri-gate transistors in same process flow
US7233071B2 (en) 2004-10-04 2007-06-19 International Business Machines Corporation Low-k dielectric layer based upon carbon nanostructures
EP1805823A2 (en) * 2004-10-12 2007-07-11 Nanosys, Inc. Fully integrated organic layered processes for making plastic electronics based on conductive polymers and semiconductor nanowires
US7473943B2 (en) * 2004-10-15 2009-01-06 Nanosys, Inc. Gate configuration for nanowire electronic devices
US20060086977A1 (en) 2004-10-25 2006-04-27 Uday Shah Nonplanar device with thinned lower body portion and method of fabrication
JP2008518456A (ja) * 2004-10-27 2008-05-29 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 調整可能なエネルギバンドギャップを有する半導体装置
US20080012461A1 (en) * 2004-11-09 2008-01-17 Nano-Proprietary, Inc. Carbon nanotube cold cathode
WO2006057818A2 (en) 2004-11-24 2006-06-01 Nanosys, Inc. Contact doping and annealing systems and processes for nanowire thin films
US20060113524A1 (en) * 2004-12-01 2006-06-01 Colin Bill Polymer-based transistor devices, methods, and systems
US7560366B1 (en) 2004-12-02 2009-07-14 Nanosys, Inc. Nanowire horizontal growth and substrate removal
US7202173B2 (en) * 2004-12-20 2007-04-10 Palo Alto Research Corporation Incorporated Systems and methods for electrical contacts to arrays of vertically aligned nanorods
US7535016B2 (en) * 2005-01-31 2009-05-19 International Business Machines Corporation Vertical carbon nanotube transistor integration
US7502769B2 (en) * 2005-01-31 2009-03-10 Knowmtech, Llc Fractal memory and computational methods and systems based on nanotechnology
US7409375B2 (en) * 2005-05-23 2008-08-05 Knowmtech, Llc Plasticity-induced self organizing nanotechnology for the extraction of independent components from a data stream
US20100065820A1 (en) * 2005-02-14 2010-03-18 Atomate Corporation Nanotube Device Having Nanotubes with Multiple Characteristics
US7518196B2 (en) 2005-02-23 2009-04-14 Intel Corporation Field effect transistor with narrow bandgap source and drain regions and method of fabrication
KR100688542B1 (ko) 2005-03-28 2007-03-02 삼성전자주식회사 수직형 나노튜브 반도체소자 및 그 제조방법
TWI420628B (zh) * 2005-03-28 2013-12-21 奈米碳管結合墊結構及其方法
WO2007084163A2 (en) * 2005-04-06 2007-07-26 President And Fellows Of Harvard College Molecular characterization with carbon nanotube control
US7989349B2 (en) * 2005-04-15 2011-08-02 Micron Technology, Inc. Methods of manufacturing nanotubes having controlled characteristics
CN101253628B (zh) * 2005-05-09 2011-04-13 南泰若股份有限公司 双端纳米管器件和系统及其制作方法
US7230286B2 (en) * 2005-05-23 2007-06-12 International Business Machines Corporation Vertical FET with nanowire channels and a silicided bottom contact
EP1941554A2 (en) * 2005-06-02 2008-07-09 Nanosys, Inc. Light emitting nanowires for macroelectronics
US7278324B2 (en) * 2005-06-15 2007-10-09 United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Carbon nanotube-based sensor and method for detection of crack growth in a structure
US7420396B2 (en) * 2005-06-17 2008-09-02 Knowmtech, Llc Universal logic gate utilizing nanotechnology
US7599895B2 (en) 2005-07-07 2009-10-06 Knowm Tech, Llc Methodology for the configuration and repair of unreliable switching elements
US7838943B2 (en) * 2005-07-25 2010-11-23 International Business Machines Corporation Shared gate for conventional planar device and horizontal CNT
US7352607B2 (en) * 2005-07-26 2008-04-01 International Business Machines Corporation Non-volatile switching and memory devices using vertical nanotubes
US7402875B2 (en) 2005-08-17 2008-07-22 Intel Corporation Lateral undercut of metal gate in SOI device
EP1755137A1 (en) * 2005-08-18 2007-02-21 University of Teheran A method of forming a carbon nanotube emitter, carbon nanotube emitter with applications in nano-printing and use thereof
US7491962B2 (en) 2005-08-30 2009-02-17 Micron Technology, Inc. Resistance variable memory device with nanoparticle electrode and method of fabrication
KR100682952B1 (ko) * 2005-08-31 2007-02-15 삼성전자주식회사 나노탄성 메모리 소자 및 그 제조 방법
JP2009513368A (ja) * 2005-09-23 2009-04-02 ナノシス・インコーポレイテッド ナノ構造体のドーピング方法
DE102005046427B4 (de) * 2005-09-28 2010-09-23 Infineon Technologies Ag Leistungstransistor mit parallelgeschalteten Nanodrähten
FR2891664B1 (fr) * 2005-09-30 2007-12-21 Commissariat Energie Atomique Transistor mos vertical et procede de fabrication
JP5037804B2 (ja) * 2005-09-30 2012-10-03 富士通株式会社 垂直配向カーボンナノチューブを用いた電子デバイス
FR2895572B1 (fr) * 2005-12-23 2008-02-15 Commissariat Energie Atomique Materiau a base de nanotubes de carbone et de silicium utilisable dans des electrodes negatives pour accumulateur au lithium
EP1804286A1 (en) * 2005-12-27 2007-07-04 Interuniversitair Microelektronica Centrum Elongate nanostructure semiconductor device
US7741197B1 (en) 2005-12-29 2010-06-22 Nanosys, Inc. Systems and methods for harvesting and reducing contamination in nanowires
CA2624778A1 (en) * 2005-12-29 2007-11-22 Nanosys, Inc. Methods for oriented growth of nanowires on patterned substrates
WO2007092770A2 (en) * 2006-02-02 2007-08-16 William Marsh Rice University Fabrication de dispositifs electriques par façonnage de nanotubes
US20070183189A1 (en) * 2006-02-08 2007-08-09 Thomas Nirschl Memory having nanotube transistor access device
US8785058B2 (en) * 2006-04-07 2014-07-22 New Jersey Institute Of Technology Integrated biofuel cell with aligned nanotube electrodes and method of use thereof
US8679630B2 (en) * 2006-05-17 2014-03-25 Purdue Research Foundation Vertical carbon nanotube device in nanoporous templates
US20080002755A1 (en) * 2006-06-29 2008-01-03 Raravikar Nachiket R Integrated microelectronic package temperature sensor
US8101984B2 (en) * 2006-07-07 2012-01-24 The Regents Of The University Of California Spin injector
US20080135892A1 (en) * 2006-07-25 2008-06-12 Paul Finnie Carbon nanotube field effect transistor and method of making thereof
KR100806129B1 (ko) 2006-08-02 2008-02-22 삼성전자주식회사 탄소 나노 튜브의 형성 방법
KR100749751B1 (ko) 2006-08-02 2007-08-17 삼성전자주식회사 트랜지스터 및 그 제조 방법
US7667260B2 (en) 2006-08-09 2010-02-23 Micron Technology, Inc. Nanoscale floating gate and methods of formation
US8643087B2 (en) * 2006-09-20 2014-02-04 Micron Technology, Inc. Reduced leakage memory cells
JP2010509171A (ja) * 2006-11-07 2010-03-25 ナノシス・インク． ナノワイヤー成長用システム及び方法
US7786024B2 (en) * 2006-11-29 2010-08-31 Nanosys, Inc. Selective processing of semiconductor nanowires by polarized visible radiation
WO2008069485A1 (en) * 2006-12-05 2008-06-12 Electronics And Telecommunications Research Institute The electronic devices using carbon nanotubes having vertical structure and the manufacturing method thereof
KR100820174B1 (ko) * 2006-12-05 2008-04-08 한국전자통신연구원 수직구조의 탄소나노튜브를 이용한 전자소자 및 그제조방법
US8168495B1 (en) 2006-12-29 2012-05-01 Etamota Corporation Carbon nanotube high frequency transistor technology
US9806273B2 (en) * 2007-01-03 2017-10-31 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Field effect transistor array using single wall carbon nano-tubes
DE102007001130B4 (de) * 2007-01-04 2014-07-03 Qimonda Ag Verfahren zum Herstellen einer Durchkontaktierung in einer Schicht und Anordnung mit einer Schicht mit Durchkontaktierung
US7930257B2 (en) 2007-01-05 2011-04-19 Knowm Tech, Llc Hierarchical temporal memory utilizing nanotechnology
US9487877B2 (en) * 2007-02-01 2016-11-08 Purdue Research Foundation Contact metallization of carbon nanotubes
US7858918B2 (en) * 2007-02-05 2010-12-28 Ludwig Lester F Molecular transistor circuits compatible with carbon nanotube sensors and transducers
US7838809B2 (en) 2007-02-17 2010-11-23 Ludwig Lester F Nanoelectronic differential amplifiers and related circuits having carbon nanotubes, graphene nanoribbons, or other related materials
US7839028B2 (en) 2007-04-03 2010-11-23 CJP IP Holding, Ltd. Nanoelectromechanical systems and methods for making the same
US20080272361A1 (en) * 2007-05-02 2008-11-06 Atomate Corporation High Density Nanotube Devices
US8546027B2 (en) * 2007-06-20 2013-10-01 New Jersey Institute Of Technology System and method for directed self-assembly technique for the creation of carbon nanotube sensors and bio-fuel cells on single plane
US7736979B2 (en) * 2007-06-20 2010-06-15 New Jersey Institute Of Technology Method of forming nanotube vertical field effect transistor
US7964143B2 (en) * 2007-06-20 2011-06-21 New Jersey Institute Of Technology Nanotube device and method of fabrication
FR2920252A1 (fr) * 2007-08-24 2009-02-27 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'un transistor comportant une connexion electrique a base de nanotubes ou de nanofils.
EP2205522B1 (en) * 2007-10-02 2019-03-13 President and Fellows of Harvard College Carbon nanotube synthesis for nanopore devices
EP2238611A2 (en) * 2007-12-31 2010-10-13 Etamota Corporation Edge-contacted vertical carbon nanotube transistor
KR101410930B1 (ko) * 2008-01-17 2014-06-23 삼성전자주식회사 탄소나노튜브 상의 금속 산화막 형성방법 및 이를 이용한탄소나노튜브 트랜지스터 제조방법
US20090194424A1 (en) * 2008-02-01 2009-08-06 Franklin Aaron D Contact metallization of carbon nanotubes
KR101002336B1 (ko) * 2008-02-04 2010-12-20 엘지디스플레이 주식회사 나노 디바이스, 이를 포함하는 트랜지스터, 나노 디바이스및 이를 포함하는 트랜지스터의 제조 방법
DE102008015118A1 (de) * 2008-03-10 2009-09-24 Ohnesorge, Frank, Dr. Raumtemperatur-Quantendraht-(array)-Feldeffekt-(Leistungs-) Transistor "QFET", insbesondere magnetisch "MQFET", aber auch elektrisch oder optisch gesteuert
US8912654B2 (en) * 2008-04-11 2014-12-16 Qimonda Ag Semiconductor chip with integrated via
US8362566B2 (en) 2008-06-23 2013-01-29 Intel Corporation Stress in trigate devices using complimentary gate fill materials
DE102009031481A1 (de) 2008-07-03 2010-02-11 Ohnesorge, Frank, Dr. Konzept für optische (Fernfeld-/Fresnel-Regime aber auch Nahfeld-) Mikroskopie/Spektroskopie unterhalb/jenseits des Beugungslimits - Anwendungen für optisches (aber auch elektronisches) schnelles Auslesen von ultrakleinen Speicherzellen in Form von lumineszierenden Quantentrögen - sowie in der Biologie/Kristallographie
KR101018294B1 (ko) * 2008-09-19 2011-03-04 한국과학기술원 수직형 트랜지스터 소자
US9494615B2 (en) * 2008-11-24 2016-11-15 Massachusetts Institute Of Technology Method of making and assembling capsulated nanostructures
KR101539669B1 (ko) * 2008-12-16 2015-07-27 삼성전자주식회사 코어-쉘 타입 구조물 형성방법 및 이를 이용한 트랜지스터 제조방법
US8715981B2 (en) * 2009-01-27 2014-05-06 Purdue Research Foundation Electrochemical biosensor
US8872154B2 (en) * 2009-04-06 2014-10-28 Purdue Research Foundation Field effect transistor fabrication from carbon nanotubes
HUE059099T2 (hu) * 2009-05-19 2022-10-28 Oned Mat Inc Nanoszerkezetû anyagok akkumulátoros alkalmazásokhoz
DE102009041642A1 (de) 2009-09-17 2011-03-31 Ohnesorge, Frank, Dr. Quantendrahtarray-Feldeffekt-(Leistungs-)-Transistor QFET (insbesondere magnetisch - MQFET, aber auch elektrisch oder optisch angesteuert) bei Raumtemperatur, basierend auf Polyacetylen-artige Moleküle
DE102010007676A1 (de) 2010-02-10 2011-08-11 Ohnesorge, Frank, Dr., 91054 Konzept für lateral aufgelöste Fourier Transformations Infrarot Spektroskopie unterhalb/jenseits des Beugungslimits - Anwendungen für optisches (aber auch elektronisches) schnelles Auslesen von ultrakleinen Speicherzellen in Form von lumineszierenden Quantentrögen - sowie in der Biologie/Kristallographie
CN102214577B (zh) * 2010-04-09 2012-12-26 中国科学院微电子研究所 一种制作纳米开关的方法
US8659037B2 (en) 2010-06-08 2014-02-25 Sundiode Inc. Nanostructure optoelectronic device with independently controllable junctions
US8431817B2 (en) 2010-06-08 2013-04-30 Sundiode Inc. Multi-junction solar cell having sidewall bi-layer electrical interconnect
US8476637B2 (en) 2010-06-08 2013-07-02 Sundiode Inc. Nanostructure optoelectronic device having sidewall electrical contact
FR2962595B1 (fr) * 2010-07-06 2015-08-07 Commissariat Energie Atomique Dispositif microélectronique a niveaux métalliques d'interconnexion connectes par des vias programmables
KR101008026B1 (ko) * 2010-07-12 2011-01-14 삼성전자주식회사 파묻힌 게이트 구조를 갖는 탄소나노튜브 트랜지스터
US8288759B2 (en) 2010-08-04 2012-10-16 Zhihong Chen Vertical stacking of carbon nanotube arrays for current enhancement and control
TWI476948B (zh) * 2011-01-27 2015-03-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 外延結構及其製備方法
US8633055B2 (en) 2011-12-13 2014-01-21 International Business Machines Corporation Graphene field effect transistor
US9024367B2 (en) * 2012-02-24 2015-05-05 The Regents Of The University Of California Field-effect P-N junction
CN104718170A (zh) 2012-09-04 2015-06-17 Ocv智识资本有限责任公司 碳强化的增强纤维在含水或非水介质内的分散
US9406888B2 (en) * 2013-08-07 2016-08-02 GlobalFoundries, Inc. Carbon nanotube device
EP2947045B1 (en) 2014-05-19 2019-08-28 IMEC vzw Low defect-density vertical nanowire semiconductor structures and method for making such structures
US9515179B2 (en) 2015-04-20 2016-12-06 Semiconductor Components Industries, Llc Electronic devices including a III-V transistor having a homostructure and a process of forming the same
US9472773B1 (en) 2015-12-09 2016-10-18 International Business Machines Corporation Stacked carbon nanotube multiple threshold device
US10340459B2 (en) * 2016-03-22 2019-07-02 International Business Machines Corporation Terahertz detection and spectroscopy with films of homogeneous carbon nanotubes
RU175418U1 (ru) * 2016-12-12 2017-12-04 Российская Федерация, от имени которой выступает федеральное государственное казенное учреждение "Войсковая часть 68240" (ФГКУ "В/ч" 68240) Полевой транзистор на углеродной пленке с вертикальным каналом проводимости
CN108269802B (zh) * 2017-01-04 2020-11-06 上海新昇半导体科技有限公司 一种碳纳米管束场效应晶体管阵列及其制造方法
KR102324232B1 (ko) 2020-06-03 2021-11-08 연세대학교 산학협력단 게이트-올-어라운드 구조의 수직형 트랜지스터 및 그 제조 방법
RU204091U1 (ru) * 2020-12-25 2021-05-06 Общество с ограниченной ответственностью "Сенсор Микрон" Полевой транзистор с вертикальным каналом для СВЧ - техники

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6038060A (en) * 1997-01-16 2000-03-14 Crowley; Robert Joseph Optical antenna array for harmonic generation, mixing and signal amplification
US6034389A (en) * 1997-01-22 2000-03-07 International Business Machines Corporation Self-aligned diffused source vertical transistors with deep trench capacitors in a 4F-square memory cell array
WO1998048456A1 (en) * 1997-04-24 1998-10-29 Massachusetts Institute Of Technology Nanowire arrays
US6069380A (en) * 1997-07-25 2000-05-30 Regents Of The University Of Minnesota Single-electron floating-gate MOS memory
KR100277881B1 (ko) * 1998-06-16 2001-02-01 김영환 트랜지스터
US6472705B1 (en) * 1998-11-18 2002-10-29 International Business Machines Corporation Molecular memory & logic
US6459095B1 (en) * 1999-03-29 2002-10-01 Hewlett-Packard Company Chemically synthesized and assembled electronics devices
US6062931A (en) * 1999-09-01 2000-05-16 Industrial Technology Research Institute Carbon nanotube emitter with triode structure
US6340822B1 (en) * 1999-10-05 2002-01-22 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising vertically nano-interconnected circuit devices and method for making the same
US6297063B1 (en) * 1999-10-25 2001-10-02 Agere Systems Guardian Corp. In-situ nano-interconnected circuit devices and method for making the same
US6444256B1 (en) * 1999-11-17 2002-09-03 The Regents Of The University Of California Formation of nanometer-size wires using infiltration into latent nuclear tracks
US7335603B2 (en) * 2000-02-07 2008-02-26 Vladimir Mancevski System and method for fabricating logic devices comprising carbon nanotube transistors
KR100791732B1 (ko) * 2000-08-22 2008-01-04 프레지던트 앤드 펠로우즈 오브 하버드 칼리지 전기 디바이스
US6525453B2 (en) * 2001-05-02 2003-02-25 Huang Chung Cheng Field emitting display
JP2003018544A (ja) * 2001-06-29 2003-01-17 Nec Corp ディジタル放送用記録装置

Also Published As

Publication number Publication date
US6855603B2 (en) 2005-02-15
KR20020001260A (ko) 2002-01-09
CN1193430C (zh) 2005-03-16
US6566704B2 (en) 2003-05-20
US6815294B2 (en) 2004-11-09
CN1330412A (zh) 2002-01-09
US20030230782A1 (en) 2003-12-18
US20020001905A1 (en) 2002-01-03
US20030227015A1 (en) 2003-12-11
US6833567B2 (en) 2004-12-21
JP2002110977A (ja) 2002-04-12
US20030230760A1 (en) 2003-12-18
KR100360476B1 (ko) 2002-11-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4338910B2 (ja) 炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタ及びその製造方法
US7892956B2 (en) Methods of manufacture of vertical nanowire FET devices
US7586130B2 (en) Vertical field effect transistor using linear structure as a channel region and method for fabricating the same
US7112464B2 (en) Devices having vertically-disposed nanofabric articles and methods of making the same
EP2540662B1 (en) Graphene structure and method of manufacturing the graphene structure, and graphene device and method of manufacturing the graphene device
US6830981B2 (en) Vertical nanotube transistor and process for fabricating the same
KR20040086474A (ko) 자기-정렬 나노튜브 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법
EP1593164B1 (en) Devices having vertically-disposed nanofabric articles and methods of making the same
TW200537687A (en) Vertical field effect transistors incorporating semiconducting nanotubes grown in a spacer-defined passage
KR100327496B1 (ko) 탄소나노튜브를 이용한 나노 크기 수직 트랜지스터 및 그제조방법
CN104241093A (zh) 用于处理载体的方法和电子部件
JP2007180546A (ja) カーボンナノチューブの形成方法、及びそれを利用した半導体素子の配線形成方法
US5540977A (en) Microelectronic component
US7436033B2 (en) Tri-gated molecular field effect transistor and method of fabricating the same
KR100393189B1 (ko) 탄소나노튜브를 이용한 ｍｒａｍ 및 그 제조 방법
US8436420B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR100495866B1 (ko) 어레이 구조의 분자 전자 소자 및 그 제조 방법
TW202201542A (zh) 量子點裝置
JPH09246536A (ja) 半導体素子
KR20070109462A (ko) 위치 선택적 수직형 나노선 성장 방법, 수직형 나노선을포함하는 반도체 나노 소자 및 이의 제조 방법
KR20120079323A (ko) 트랜지스터의 제조방법
KR100968032B1 (ko) 상온 동작 단전자 나노소자 제조방법
JP3166704B2 (ja) 単一電子素子及びその製造方法
JPH1065145A (ja) 電導性原子サイズ細線および原子サイズスイッチ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050204

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20061025

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090210

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090511

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090602

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090701

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4338910

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120710

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120710

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130710

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term